JPH11177029A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

Info

Publication number
JPH11177029A
JPH11177029A JP33980897A JP33980897A JPH11177029A JP H11177029 A JPH11177029 A JP H11177029A JP 33980897 A JP33980897 A JP 33980897A JP 33980897 A JP33980897 A JP 33980897A JP H11177029 A JPH11177029 A JP H11177029A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
wirings
specific
circuit
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33980897A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomoaki Kato
友章 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp filed Critical Kawasaki Steel Corp
Priority to JP33980897A priority Critical patent/JPH11177029A/en
Publication of JPH11177029A publication Critical patent/JPH11177029A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To design wiring layout automatically while inhibiting concentration of wiring density by forming a wiring layer for an external circuit, in which wirings used for a circuit excepting a specific layout region in the direction forming an angle to the direction of regular-interval arrayed wirings are arrayed at regular intervals, to the specific layout region. SOLUTION: Specific macro-wirings in a specific layout region are wired in the direction forming an angle to the direction of regular-interval arrayed wirings, and are right-downward oblique wirings laid at regular intervals. The wirings are used for a CPU 20, a data processing section 30 and control circuit sections 40 and 50 excepting the specific layout region. In wirings utilizing the specific macro-wirings, the overall length is shortened, and the length laid in the peripheral region of a storage circuit 10 is shortened. The wirings laid in the peripheral region of the storage circuit 10 are reduced as a whole. Accordingly, layout of the wirings, in which mutual effects between the wirings are inhibited, can be designed automatically be the automatic wiring function of a CAD while suppressing the concentration of wiring density.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、拡散層等の下地に
加え、等間隔で配列された一定方向の配線のパターンの
配線層が作り込まれている特定レイアウト領域を有する
半導体集積回路に係り、特に、配線間相互の影響を抑え
た配線の敷設設計を、配線密度の集中を抑えながら、C
AD(computer aided design )の自動配置配線機能で
自動的にすることができる半導体集積回路に関する。な
お、以下において、自動配置配線機能には自動配線機能
のみ有するものも含む。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit having a specific layout region in which, in addition to a base such as a diffusion layer, a wiring layer of a wiring pattern of a fixed direction arranged at equal intervals is formed. In particular, a wiring laying design that suppresses the mutual influence between wirings can be performed while suppressing the concentration of wiring density.
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit that can be automatically controlled by an automatic placement and routing function of AD (computer aided design). In the following, the automatic placement and routing function includes those having only the automatic routing function.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子機器の小型化を図るために、従来複
数チップで構成されていたものを、ワンチップ化するこ
とが多く行われている。例えば、図1の集積回路レイア
ウト図において、半導体集積回路1は、記憶回路部10
と、CPU20と、データ処理部30と、制御回路部4
0及び50とにより構成されている。即ち、CPU20
や記憶回路部10等、従来独立したチップに構成されて
いたものが、この図1では半導体集積回路1のワンチッ
プに構成されている。
2. Description of the Related Art In order to reduce the size of an electronic device, a device which has conventionally been constituted by a plurality of chips is often made into a single chip. For example, in the integrated circuit layout diagram of FIG.
, CPU 20, data processing unit 30, control circuit unit 4
0 and 50. That is, the CPU 20
In FIG. 1, the semiconductor integrated circuit 1 is configured as a single chip, which is conventionally configured as an independent chip such as the memory circuit unit 10 and the like.

【0003】又、このような半導体集積回路1は、CA
D装置のライブラリに登録されているマクロ回路やその
レイアウトを利用して設計される。例えば、記憶回路部
10は、メモリマクロとして予め登録されているので、
半導体集積回路1はこれを利用して設計されている。
Further, such a semiconductor integrated circuit 1 is provided with a CA
It is designed using a macro circuit registered in the library of the D device and its layout. For example, since the storage circuit unit 10 is registered in advance as a memory macro,
The semiconductor integrated circuit 1 is designed using this.

【0004】図2は、記憶回路部10の集積回路レイア
ウト図である。記憶回路部10は、図示されない多数の
メモリセルが、等間隔に縦横に配列されている。又、こ
れらメモリセルに対するワード線及びビット線は、それ
ぞれ一定方向の配線であり、等間隔で密に敷設されてい
る。図中、破線で示されるワード線はすべて横方向であ
り、一点鎖線で示されるビット線はすべて縦方向であ
る。なお、これらワード線及びビット線のように、等間
隔で配列された一定方向の配線を、以降、等間隔配列配
線と称する。
FIG. 2 is an integrated circuit layout diagram of the storage circuit section 10. In the storage circuit section 10, a large number of memory cells (not shown) are arranged vertically and horizontally at equal intervals. The word lines and bit lines for these memory cells are wirings in a certain direction, and are densely laid at equal intervals. In the figure, the word lines indicated by broken lines are all in the horizontal direction, and the bit lines indicated by dashed lines are all in the vertical direction. Note that wirings in a fixed direction arranged at equal intervals, such as the word lines and the bit lines, are hereinafter referred to as equal-interval arrangement wirings.

【0005】ここで、図1において、次の3つの配線を
例として考える。即ち、第1に、位置P1から位置P2
の配線L1である。第2に、位置P3から位置P4の配
線L2である。第3に、位置P5から位置P6の配線L
3である。
In FIG. 1, the following three wirings are considered as examples. That is, first, from position P1 to position P2
Wiring L1. Second, the wiring L2 from the position P3 to the position P4. Third, the wiring L from the position P5 to the position P6
3.

【0006】これら配線L1〜L3は、記憶回路部10
を最短距離ないしは短い距離で通過すると、図3のよう
になる。この図、又後述する図4や図6において、配線
L1は破線であり、配線L2は一点鎖線であり、配線L
3は二点鎖線である。
The lines L1 to L3 are connected to the storage circuit unit 10
3 through the shortest distance or a short distance as shown in FIG. In this figure and FIGS. 4 and 6 described later, the wiring L1 is a broken line, the wiring L2 is a dashed line, and the wiring L
3 is a two-dot chain line.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】図3において、まず、
配線L1は、横方向で同一方向のワード線に対する結合
容量が大となる。又、配線L2は、縦方向で同一方向の
ビット線に対する結合容量が大となる。このように平行
する配線間は、結合容量が大となり、相互に影響を及ぼ
す。特にビット線の信号は弱くなることがあり、このよ
うな相互影響によってメモリ性能が低下し、例えば読み
出すビットデータにエラーが生じる恐れがある。CAD
の自動配置配線機能において、ビット線に平行にならな
いように配線されるようにすると、大きな制限が生じ、
配線可能な配線数が減少する等の問題が生じる。
In FIG. 3, first,
The wiring L1 has a large coupling capacitance to word lines in the same direction in the horizontal direction. In addition, the wiring L2 has a large coupling capacitance with respect to the bit line in the same direction in the vertical direction. As described above, the coupling capacitance between the parallel wirings becomes large and affects each other. In particular, the signal on the bit line may be weak, and the memory performance may be degraded due to such mutual influence, for example, an error may occur in the read bit data. CAD
In the automatic placement and routing function, if wiring is performed so as not to be parallel to the bit line, a large limitation occurs.
Problems such as a decrease in the number of routable wires occur.

【0008】次に、配線L3は、斜め配線であるので、
上述したようなワード線やビット線に対する結合容量の
問題は生じにくい。しかしながら、このような斜め配線
は、通常、CADの自動配置配線機能において対応でき
ない。あるいは、非常に困難である。従って、手作業の
集積回路レイアウト設計となり、作業能率が大きく低下
する。
Next, since the wiring L3 is an oblique wiring,
The problem of the coupling capacitance with respect to the word line and the bit line as described above hardly occurs. However, such an oblique wiring cannot usually be handled by the automatic placement and routing function of CAD. Or it is very difficult. Therefore, a manual integrated circuit layout design is required, and work efficiency is greatly reduced.

【0009】なお、図3のこれら配線L1〜L3の問題
を解決するために、図4のように、記憶回路部10を迂
回して、これら配線L1〜L3を配線することが考えら
れる。しかしながら、このようにすると、CADの自動
配置配線機能に対する制限が大となり、上述した配線L
1やL2の図3の場合の制限より大となる恐れもある。
図4のように配線すると、図1において破線で示される
記憶回路部10周囲の領域に配置する配線の数が増大
し、自動配置配線機能の制限となり、配線不可能な配線
が多く出る恐れがある。
In order to solve the problems of the wirings L1 to L3 in FIG. 3, it is conceivable that the wirings L1 to L3 are routed around the storage circuit section 10 as shown in FIG. However, in this case, restrictions on the automatic placement and routing function of the CAD become large, and the above-described wiring L
It may be larger than the limit of 1 or L2 in FIG.
When the wiring is performed as shown in FIG. 4, the number of wirings arranged in the area around the storage circuit unit 10 indicated by a broken line in FIG. is there.

【0010】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
くなされたもので、配線間相互の影響を抑えた配線の敷
設設計を、配線密度の集中を抑えながら、CADの自動
配置配線機能で自動的にすることができる半導体集積回
路を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and it is an object of the present invention to provide a wiring laying design which suppresses mutual influence between wirings by using a CAD automatic placement and routing function while suppressing concentration of wiring density. It is an object to provide a semiconductor integrated circuit that can be automated.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、拡散層等の下
地に加え、等間隔で配列された一定方向の配線のパター
ンの配線層が作り込まれている特定レイアウト領域を有
する半導体装置において、前記等間隔配列配線の方向に
対して角度をなす方向の、前記特定レイアウト領域以外
の回路に用いる配線が、等間隔で配列されている外部回
路用配線層を前記特定レイアウト領域に備えていること
を特徴としたことにより、前記課題を解決したものであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor device having a specific layout region in which a wiring layer of a wiring pattern in a fixed direction arranged at equal intervals is formed in addition to a base such as a diffusion layer. In the specific layout region, wiring used for circuits other than the specific layout region in a direction forming an angle with respect to the direction of the equidistant arrangement wiring includes an external circuit wiring layer arranged at equal intervals. This feature solves the above problem.

【0012】又、前記半導体集積回路において、前記特
定レイアウト領域に作り込まれている回路が、多数のメ
モリセルを等間隔に縦横に配列し、前記等間隔配列配線
としてこれらメモリセルに対するワード線及びビット線
を敷設する記憶回路であることで、本発明を効果的に適
用できる対象として、前記特定レイアウト領域が記憶回
路のものを明らかにしたものである。
In the semiconductor integrated circuit, a circuit formed in the specific layout area includes a plurality of memory cells arranged at equal intervals vertically and horizontally, and word lines and word lines corresponding to these memory cells are arranged at equal intervals. As the storage circuit in which the bit lines are laid, the specific layout area has been clarified as a target to which the present invention can be effectively applied.

【0013】以下、本発明の作用について簡単に説明す
る。
Hereinafter, the operation of the present invention will be briefly described.

【0014】本発明において、拡散層等の下地に加え、
等間隔で配列された一定方向の配線のパターンの配線層
が作り込まれている特定レイアウト領域は、例えば前述
の図1の半導体集積回路1では、記憶回路部10であ
る。なお、この特定レイアウト領域は、記憶回路に限定
されるものではない。
In the present invention, in addition to a base such as a diffusion layer,
The specific layout region in which the wiring layers of the wiring patterns in the fixed direction arranged at equal intervals are formed is, for example, the storage circuit unit 10 in the above-described semiconductor integrated circuit 1 of FIG. Note that the specific layout area is not limited to a storage circuit.

【0015】このような特定レイアウト領域において、
本発明では、その等間隔配列配線の方向に対して角度を
なす方向の、前記特定レイアウト領域以外の回路に用い
る配線(以降、特定マクロ配線と称する)が等間隔で配
列されている外部回路用配線層を予め備える。例えば該
記憶回路部10がメモリマクロであれば、該メモリマク
ロ自体に該外部回路用配線層を予め備える。
In such a specific layout area,
According to the present invention, for an external circuit, wirings used for circuits other than the specific layout area (hereinafter, referred to as specific macro wirings) are arranged at equal intervals in a direction at an angle to the direction of the equally-spaced wiring. A wiring layer is provided in advance. For example, if the storage circuit section 10 is a memory macro, the memory macro itself is provided with the external circuit wiring layer in advance.

【0016】上記のような特定マクロ配線の方向は、特
定レイアウト領域の等間隔配列配線の方向に対して角度
をなし、該等間隔配列配線の方向に対して平行ではな
い。従って、特定マクロ配線と等間隔配列配線との結合
容量を抑えることができ、配線間相互の影響を抑えるこ
とができる。又、特定マクロ配線は予め敷設されている
ため、改めてCADの自動配置配線機能で配線する必要
がない。又特定マクロ配線が斜めの配線でも自動配置配
線機能で問題がなく、この場合にもCADの自動配置配
線機能を利用し易い。特定マクロ配線を利用する場合
は、通常、CADの自動配置配線機能では該配線を選択
するだけでよい。又、この場合通常、自動配置配線での
配線は、特定マクロ配線の選択した配線の両端に対して
行う。
The direction of the specific macro wiring as described above forms an angle with the direction of the equally-spaced wiring in the specific layout area, and is not parallel to the direction of the equally-spaced wiring. Therefore, the coupling capacitance between the specific macro wiring and the equally-spaced wiring can be suppressed, and the mutual influence between the wirings can be suppressed. Further, since the specific macro wiring is laid in advance, it is not necessary to perform wiring again by the automatic placement and wiring function of CAD. Even if the specific macro wiring is oblique wiring, there is no problem in the automatic placement and routing function, and in this case, the automatic placement and routing function of CAD is easy to use. When a specific macro wiring is used, usually, only the wiring is selected by the automatic placement and routing function of CAD. In this case, the wiring in the automatic placement and routing is usually performed on both ends of the selected wiring of the specific macro wiring.

【0017】このように本発明によれば、配線間相互の
影響を抑えた配線の敷設設計を、配線密度の集中を抑え
ながら、CADの自動配置配線機能で自動的にすること
ができ、設計能率を向上することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to automatically perform the wiring laying design which suppresses the mutual influence between the wirings by the automatic placement and routing function of the CAD while suppressing the concentration of the wiring density. Efficiency can be improved.

【0018】なお、未使用の特定マクロ配線の扱いにつ
いて本発明は特に限定するものではない。未使用の特定
マクロ配線は、どこにも接続されない配線として残して
もよい。あるいは、CADを利用する場合、未使用の特
定マクロ配線を自動的に除去してもよい。
The present invention does not particularly limit the handling of unused specific macro wiring. The unused specific macro wiring may be left as a wiring that is not connected to anywhere. Alternatively, when using CAD, unused specific macro wiring may be automatically removed.

【0019】なお、本発明は、特定レイアウト領域の特
定マクロ配線の配線間隔を限定するものではない。該配
線間隔は、特定レイアウト領域に作り込まれる回路に応
じて決定すればよい。例えば、特定レイアウト領域には
記憶回路が作り込まれる場合、特定マクロ配線の配線間
隔は、記憶回路の種類や、メモリセルの配置間隔、ワー
ド線やビット線の敷設間隔に応じて決定してもよい。
The present invention does not limit the wiring interval between specific macro wirings in a specific layout area. The wiring interval may be determined according to a circuit formed in a specific layout area. For example, when a storage circuit is formed in a specific layout area, the wiring interval of the specific macro wiring may be determined according to the type of the storage circuit, the arrangement interval of the memory cells, and the installation interval of the word lines and the bit lines. Good.

【0020】なお、特定マクロ配線の方向と、特定レイ
アウト領域の等間隔配列配線の方向との角度は、ゼロ
度、即ち同一方向(平行)でなければよく、本発明は特
に該角度を限定するものではない。該角度が90度に近
づき、特定マクロ配線と等間隔配列配線とが直交する状
態に近づく程、結合容量を抑えることができ、配線間相
互の影響を抑えることができるので、この点や、特定マ
クロ配線の利用形態や利便性を総合して決定すればよ
い。あるいは、例えば特定レイアウト領域に記憶回路が
作り込まれる場合には、記憶回路の種類や、メモリセル
の配置間隔、ワード線やビット線の敷設間隔等、特定レ
イアウト領域に作り込まれる回路に応じて決定してもよ
い。
Note that the angle between the direction of the specific macro wiring and the direction of the equally-spaced wiring in the specific layout area need not be zero degrees, that is, the same direction (parallel), and the present invention particularly limits the angle. Not something. As the angle approaches 90 degrees and the specific macro wiring and the equidistantly arranged wiring approach the orthogonal state, the coupling capacitance can be suppressed and the mutual influence between the wirings can be suppressed. What is necessary is just to determine the utilization form and convenience of macro wiring comprehensively. Alternatively, for example, when a storage circuit is formed in a specific layout area, the type of storage circuit, the arrangement interval of memory cells, the laying interval of word lines and bit lines, etc. You may decide.

【0021】なお、本発明は、特定レイアウト領域の配
線層の層数を限定するものではない。又、複数の配線層
中でどの配線層を外部回路用配線層に用いるか限定する
ものではない。なお、外部回路用配線層に用いる配線層
を、外部回路用配線層以外に用いてもよく、特に特定レ
イアウト領域以外では外部回路用配線層以外に利用する
ことは効果的である。
The present invention does not limit the number of wiring layers in a specific layout area. Further, there is no limitation on which wiring layer among the plurality of wiring layers is used as the wiring layer for the external circuit. Note that the wiring layer used for the external circuit wiring layer may be used other than the external circuit wiring layer, and it is particularly effective to use the wiring layer other than the external circuit wiring layer outside the specific layout region.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、図を用いて本発明の実施の
形態を詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0023】以下の実施形態では、図1及び図2を用い
て前述した半導体集積回路1において、本発明を適用し
ている。即ち、拡散層等の下地に加え、等間隔配列配線
のパターンの配線層が作り込まれている記憶回路部10
の領域を備えた半導体集積回路1において適用してい
る。
In the following embodiments, the present invention is applied to the semiconductor integrated circuit 1 described above with reference to FIGS. That is, in addition to the base such as the diffusion layer, the storage circuit unit 10 in which the wiring layer of the pattern of the equally-spaced wiring is formed.
The present invention is applied to the semiconductor integrated circuit 1 having the above-described region.

【0024】ここで、以下の実施形態では、この記憶回
路部10の領域を、本発明の特定レイアウト領域として
適用している。又、該記憶回路部10においては、ワー
ド線やビット線が等間隔配列配線である。又、本発明を
適用して特定レイアウト領域に備えられる、特定マクロ
配線を利用することで、配線間相互の影響を抑えた配線
の敷設設計を、配線密度の集中を抑えながら、CADの
自動配置配線機能で自動的にすることができる。
Here, in the following embodiment, the area of the storage circuit section 10 is applied as a specific layout area of the present invention. Further, in the storage circuit section 10, the word lines and the bit lines are arranged at equal intervals. In addition, by using a specific macro wiring provided in a specific layout area by applying the present invention, a wiring laying design that suppresses mutual influence between wirings can be automatically arranged while suppressing concentration of wiring density. It can be done automatically with the wiring function.

【0025】まず、本発明が適用された第1実施形態で
は、特定レイアウト領域の特定マクロ配線は、図5のと
おりであり、等間隔配列配線の方向に対して角度をなす
方向の配線であり、等間隔に敷設された右下がりの斜め
配線である。該配線は、特定レイアウト領域以外の、C
PU20、データ処理部30、制御回路部40や50の
配線に用いる。
First, in the first embodiment to which the present invention is applied, the specific macro wiring in the specific layout area is as shown in FIG. 5, and is a wiring in a direction at an angle to the direction of the equally-spaced array wiring. , Diagonally lower right wirings laid at equal intervals. The wiring is located outside the specific layout area.
It is used for the wiring of the PU 20, the data processing unit 30, and the control circuit units 40 and 50.

【0026】又、本実施形態では、該特定マクロ配線を
利用した前述の配線L1〜L3は、例えば図6のように
なる。前述した図3の配線L1と比べると、図6の配線
L1は、全長が短縮され、又、記憶回路部10周囲領域
に敷設される長さが短縮されている。図3の配線L2と
比べると、図6の配線L2は、記憶回路部10周囲領域
に敷設される長さが短縮されている。図3の配線L3と
比べると、図6の配線L3は、全長が短縮され、又、記
憶回路部10周囲領域に敷設される長さが短縮されてい
る。更に、全体として、記憶回路部10周囲領域に敷設
される配線が少なくなっている。
In the present embodiment, the above-mentioned wirings L1 to L3 utilizing the specific macro wiring are as shown in FIG. 6, for example. Compared with the wiring L1 of FIG. 3 described above, the wiring L1 of FIG. 6 has a shorter overall length and a shorter length laid in the peripheral region of the storage circuit unit 10. Compared with the wiring L2 in FIG. 3, the wiring L2 in FIG. 6 has a shorter length laid in the area around the storage circuit unit 10. Compared with the wiring L3 in FIG. 3, the wiring L3 in FIG. 6 has a shorter overall length and a shorter length laid in the area around the storage circuit unit 10. Further, as a whole, the number of wirings laid in the area around the storage circuit unit 10 is reduced.

【0027】次に、本発明が適用された第2実施形態〜
第4実施形態では、特定マクロ配線は、それぞれ図7〜
図9のとおりである。いずれの実施形態でも、特定マク
ロ配線は、等間隔配列配線の方向に対して角度をなす方
向の配線である。該配線は、特定レイアウト領域以外
の、CPU20、データ処理部30、制御回路部40や
50の配線に用いる。
Next, a second embodiment to which the present invention is applied
In the fourth embodiment, the specific macro wirings are shown in FIGS.
As shown in FIG. In any of the embodiments, the specific macro wiring is a wiring in a direction at an angle to the direction of the equally-spaced wiring. The wiring is used for wiring of the CPU 20, the data processing unit 30, and the control circuit units 40 and 50 other than the specific layout area.

【0028】まず、第2実施形態では特定マクロ配線
は、特定レイアウト領域の左上部分及び右下部分では、
等間隔に敷設された右上がりの斜め配線である。左下部
分及び右上部分では、等間隔に敷設された右下がりの斜
め配線である。第3実施形態では特定マクロ配線は、や
や斜めの縦方向の配線である。第4実施形態では特定マ
クロ配線は、右下がりの配線部分を含むのほぼ横方向の
配線である。
First, in the second embodiment, the specific macro wiring is located at the upper left and lower right portions of the specific layout area.
This is an oblique wiring that is laid at equal intervals and rises to the right. The lower left part and the upper right part are diagonally lower right wirings laid at equal intervals. In the third embodiment, the specific macro wiring is a slightly oblique vertical wiring. In the fourth embodiment, the specific macro wiring is a wiring in a substantially horizontal direction including a wiring part descending to the right.

【0029】次に、本発明が適用された第5実施形態で
は、特定マクロ配線は図10のとおりである。本実施形
態では、特定マクロ配線は、ある配線層に作り込む、前
述の第1実施形態そのものの特定マクロ配線と、これと
は異なる配線層に作り込む、該第1実施形態の特定マク
ロ配線を90度回転させた特定マクロ配線とを含む。こ
れら特定マクロ配線は、等間隔配列配線の方向に対して
角度をなす方向である。該配線は、特定レイアウト領域
以外の、CPU20、データ処理部30、制御回路部4
0や50の配線に用いる。
Next, in the fifth embodiment to which the present invention is applied, the specific macro wiring is as shown in FIG. In the present embodiment, the specific macro wiring is formed in a certain wiring layer, that is, the specific macro wiring of the first embodiment itself and the specific macro wiring of the first embodiment that is formed in a different wiring layer. And a specific macro wiring rotated by 90 degrees. These specific macro wirings are directions that form an angle with respect to the direction of the equally spaced wirings. The wiring is provided in the CPU 20, the data processing unit 30, the control circuit unit 4,
Used for 0 and 50 wiring.

【0030】次に、本発明が適用された第6実施形態で
は、特定マクロ配線は図11のとおりである。本実施形
態では、特定マクロ配線は、ある配線層に作り込む、前
述の第3実施形態そのものの特定マクロ配線と、これと
は異なる配線層に作り込む、該第3実施形態の特定マク
ロ配線を90度回転させた特定マクロ配線とを含む。こ
れら特定マクロ配線は、等間隔配列配線の方向に対して
角度をなす方向である。該配線は、特定レイアウト領域
以外の、CPU20、データ処理部30、制御回路部4
0や50の配線に用いる。
Next, in the sixth embodiment to which the present invention is applied, the specific macro wiring is as shown in FIG. In the present embodiment, the specific macro wiring is formed in a certain wiring layer, the specific macro wiring of the third embodiment itself, and the specific macro wiring of the third embodiment formed in a different wiring layer. And a specific macro wiring rotated by 90 degrees. These specific macro wirings are directions that form an angle with respect to the direction of the equally spaced wirings. The wiring is provided in the CPU 20, the data processing unit 30, the control circuit unit 4,
Used for 0 and 50 wiring.

【0031】これら第2実施形態〜第6実施形態につい
ても、前述の第1実施形態と同様に本発明を適用するこ
とで、配線間相互の影響を抑えた配線の敷設設計を、配
線密度の集中を抑えながら、CADの自動配置配線機能
で自動的にすることができる。
Also in the second to sixth embodiments, the present invention is applied similarly to the above-described first embodiment, so that the wiring laying design in which the mutual influence between the wirings is suppressed can be reduced. The concentration can be suppressed and the automatic placement and routing function of the CAD can be used for the automatic operation.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明によれば、配線間相互の影響を抑
えた配線の敷設設計を、配線密度の集中を抑えながら、
CADの自動配置配線機能で自動的にすることができ
る。
According to the present invention, a wiring laying design which suppresses mutual influence between wirings can be performed while suppressing concentration of wiring density.
This can be done automatically by the CAD automatic placement and routing function.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】半導体集積回路の一例の集積回路レイアウト図FIG. 1 is an integrated circuit layout diagram of an example of a semiconductor integrated circuit.

【図2】上記半導体集積回路に作り込む記憶回路部の一
例の集積回路レイアウト図
FIG. 2 is an integrated circuit layout diagram of an example of a storage circuit unit built in the semiconductor integrated circuit.

【図3】上記記憶回路部を通過する配線の第1従来例の
集積回路レイアウト図
FIG. 3 is an integrated circuit layout diagram of a first conventional example of wiring passing through the storage circuit section.

【図4】前記記憶回路部を通過する配線の第2従来例の
集積回路レイアウト図
FIG. 4 is an integrated circuit layout diagram of a second conventional example of wiring passing through the storage circuit section.

【図5】本発明が適用された第1実施形態の特定マクロ
配線を示す集積回路レイアウト図
FIG. 5 is an integrated circuit layout diagram showing a specific macro wiring according to the first embodiment to which the present invention is applied;

【図6】上記第1実施形態の特定マクロ配線を利用した
配線の一例を示す集積回路レイアウト図
FIG. 6 is an integrated circuit layout diagram showing an example of a wiring using the specific macro wiring of the first embodiment.

【図7】本発明が適用された第2実施形態の特定マクロ
配線を示す集積回路レイアウト図
FIG. 7 is an integrated circuit layout diagram showing a specific macro wiring according to a second embodiment to which the present invention is applied;

【図8】本発明が適用された第3実施形態の特定マクロ
配線を示す集積回路レイアウト図
FIG. 8 is an integrated circuit layout diagram showing a specific macro wiring according to a third embodiment to which the present invention is applied;

【図9】本発明が適用された第4実施形態の特定マクロ
配線を示す集積回路レイアウト図
FIG. 9 is an integrated circuit layout diagram showing a specific macro wiring according to a fourth embodiment to which the present invention is applied;

【図10】本発明が適用された第5実施形態の特定マク
ロ配線を示す集積回路レイアウト図
FIG. 10 is an integrated circuit layout diagram showing a specific macro wiring according to a fifth embodiment to which the present invention is applied;

【図11】本発明が適用された第6実施形態の特定マク
ロ配線を示す集積回路レイアウト図
FIG. 11 is an integrated circuit layout diagram showing a specific macro wiring according to a sixth embodiment to which the present invention is applied;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体集積回路 10…記憶回路部 20…CPU 30…データ処理部 40、50…制御回路部 P1〜P6…位置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor integrated circuit 10 ... Storage circuit part 20 ... CPU 30 ... Data processing part 40, 50 ... Control circuit parts P1-P6 ... Position

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】拡散層等の下地に加え、等間隔で配列され
た一定方向の配線のパターンの配線層が作り込まれてい
る特定レイアウト領域を有する半導体集積回路におい
て、 前記等間隔配列配線の方向に対して角度をなす方向の、
前記特定レイアウト領域以外の回路に用いる配線が、等
間隔で配列されている外部回路用配線層を前記特定レイ
アウト領域に備えていることを特徴とする半導体集積回
路。
1. A semiconductor integrated circuit having a specific layout region in which a wiring layer of a wiring pattern of a fixed direction arranged at equal intervals is formed in addition to a base such as a diffusion layer. Of the direction at an angle to the direction,
A semiconductor integrated circuit, wherein a wiring used for a circuit other than the specific layout area includes an external circuit wiring layer arranged at equal intervals in the specific layout area.
【請求項2】請求項1において、前記特定レイアウト領
域に作り込まれている回路が、多数のメモリセルを等間
隔に縦横に配列し、前記等間隔配列配線としてこれらメ
モリセルに対するワード線及びビット線を敷設する記憶
回路であることを特徴とする半導体集積回路。
2. The circuit according to claim 1, wherein the circuit formed in the specific layout area includes a plurality of memory cells arranged at equal intervals vertically and horizontally, and the word lines and bit lines for these memory cells are arranged as the equal-interval wiring. A semiconductor integrated circuit, which is a storage circuit for laying wires.
JP33980897A 1997-12-10 1997-12-10 Semiconductor integrated circuit Pending JPH11177029A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33980897A JPH11177029A (en) 1997-12-10 1997-12-10 Semiconductor integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33980897A JPH11177029A (en) 1997-12-10 1997-12-10 Semiconductor integrated circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11177029A true JPH11177029A (en) 1999-07-02

Family

ID=18331018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33980897A Pending JPH11177029A (en) 1997-12-10 1997-12-10 Semiconductor integrated circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11177029A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005022625A1 (en) * 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Basic cell, end section cell, wiring shape, wiring method, shield wiring structure
CN100440457C (en) * 2003-08-28 2008-12-03 松下电器产业株式会社 Basic cell, end section cell, wiring shape, wiring method, shield wiring structure
US8026537B2 (en) 2003-01-20 2011-09-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit having an oblique global signal wiring and semiconductor integrated circuit wiring method

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8026537B2 (en) 2003-01-20 2011-09-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit having an oblique global signal wiring and semiconductor integrated circuit wiring method
WO2005022625A1 (en) * 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Basic cell, end section cell, wiring shape, wiring method, shield wiring structure
JP2005101526A (en) * 2003-08-28 2005-04-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Basic cell, end cell, wiring pattern, wiring method, and shielded wiring structure
US7194719B2 (en) 2003-08-28 2007-03-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Basic cell, edge cell, wiring shape, wiring method, and shield wiring structure
US7376928B2 (en) 2003-08-28 2008-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Basic cell, edge cell, wiring shape, wiring method, and shield wiring structure
CN100440457C (en) * 2003-08-28 2008-12-03 松下电器产业株式会社 Basic cell, end section cell, wiring shape, wiring method, shield wiring structure
JP4758621B2 (en) * 2003-08-28 2011-08-31 パナソニック株式会社 Basic cell, end cell, wiring shape, wiring method, shield wire wiring structure

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101761530B1 (en) Methods for cell phasing and placement in dynamic array architecture and implementation of the same
KR100732923B1 (en) Fundamental cell, semiconductor integrated circuit device, wiring method and wiring apparatus
CN109698158B (en) Integrated circuit including via array and method of manufacturing the same
JP5576065B2 (en) Semiconductor device and design method thereof
JP2009076709A (en) Semiconductor device
JP4254059B2 (en) Semiconductor integrated circuit design method
US7636906B2 (en) Semiconductor integrated circuit and layout designing method of the same
EP0926736B1 (en) Semiconductor integrated circuit having thereon on-chip capacitors
JP2001306641A (en) Automatic arranging and wiring method for semiconductor integrated circuit
CN105404706A (en) Method Of Decomposing Layout Of Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Semiconductor Device Using The Same
JPH11177029A (en) Semiconductor integrated circuit
KR102636096B1 (en) Integrated circuit including via array and method for manufacturing the same
US20090243121A1 (en) Semiconductor integrated circuit and layout method for the same
JP4786989B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
JP2007165487A (en) Semiconductor device and designing method therefor
US6704918B1 (en) Integrated circuit routing
JP2523702B2 (en) Automatic wiring method for semiconductor integrated circuits
JP3027949B2 (en) Automatic wiring method of semiconductor integrated circuit
US20090113374A1 (en) Method for designing semiconductor device layout and layout design supporting apparatus
JP2000057175A (en) Automatic wiring system of semi-conductor integrated circuit device
JPH07153844A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPS62273751A (en) Integrated circuit
JP2947219B2 (en) Wiring structure of standard cell type semiconductor integrated circuit
JP2803800B2 (en) Wiring method for semiconductor integrated circuit device
JP2005217314A (en) Semiconductor integrated circuit