JPH11176863A - 半導体素子搭載用基板とその製造方法 - Google Patents
半導体素子搭載用基板とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ワイヤボンディング性に優れた半導体素子搭載
用基板とその製造方法を提供する。 【解決手段】最外層が置換金めっき皮膜であるワイヤボ
ンディング用端子を有し、ワイヤボンディング前にプラ
ズマ処理を行われる半導体素子搭載用基板において、置
換金めっき皮膜の下地に無電解パラジウムめっき皮膜を
有する半導体素子搭載用基板と、そのような半導体素子
搭載用基板を、金属からなるワイヤボンディング用端子
上に、無電解パラジウムめっき、置換金めっき皮膜を順
次形成する工程と、ワイヤボンディング前にプラズマ処
理を行う工程を有する方法によって製造する。
用基板とその製造方法を提供する。 【解決手段】最外層が置換金めっき皮膜であるワイヤボ
ンディング用端子を有し、ワイヤボンディング前にプラ
ズマ処理を行われる半導体素子搭載用基板において、置
換金めっき皮膜の下地に無電解パラジウムめっき皮膜を
有する半導体素子搭載用基板と、そのような半導体素子
搭載用基板を、金属からなるワイヤボンディング用端子
上に、無電解パラジウムめっき、置換金めっき皮膜を順
次形成する工程と、ワイヤボンディング前にプラズマ処
理を行う工程を有する方法によって製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子搭載用
基板とその製造方法に関する。
基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板は、近年高密度化が進ん
でおり、配線板に直接半導体チップを実装するＣＯＢ、
ＭＣＭ等の半導体素子搭載用基板の需要が伸びている。
これらのチップ実装基板とチップの接続方法は、主にワ
イヤボンディングであり、実装基板側のワイヤボンディ
ング接続部には、ワイヤボンディング用端子が形成され
ている。このワイヤボンディング用端子の従来の構造
は、基板上に形成した銅等の金属端子上にニッケル、金
の皮膜を順次形成したものであり、端子の製造方法は無
電解ニッケルめっき、置換金めっきのめっき皮膜を順次
形成する方法と無電解ニッケルめっき、置換金めっき、
無電解金めっきのめっき皮膜を順次形成する方法があ
る。前者の方法は後者の方法に比べて短時間、かつ低価
格な方法であり、置換金めっきは数分間めっき液に浸漬
して得られ、金めっき膜厚が薄く、めっき液中の金イオ
ンの減少も少なく、金めっき液の管理が簡便である。一
方、無電解金めっきは数十分から１時間程度めっき液に
浸漬して得られ、金めっき膜厚が厚いため金イオン、還
元剤等の主成分の濃度減少が大きく、成分濃度管理、安
定性の制御等の問題があり、かつ金めっき皮膜が厚膜化
するために、コスト高になる。半導体素子搭載用基板に
とって重要な特性であるワイヤボンディング強度は、置
換金めっきだけの場合は低強度であり、置換金めっき・
無電解金めっきの場合は高強度である。
でおり、配線板に直接半導体チップを実装するＣＯＢ、
ＭＣＭ等の半導体素子搭載用基板の需要が伸びている。
これらのチップ実装基板とチップの接続方法は、主にワ
イヤボンディングであり、実装基板側のワイヤボンディ
ング接続部には、ワイヤボンディング用端子が形成され
ている。このワイヤボンディング用端子の従来の構造
は、基板上に形成した銅等の金属端子上にニッケル、金
の皮膜を順次形成したものであり、端子の製造方法は無
電解ニッケルめっき、置換金めっきのめっき皮膜を順次
形成する方法と無電解ニッケルめっき、置換金めっき、
無電解金めっきのめっき皮膜を順次形成する方法があ
る。前者の方法は後者の方法に比べて短時間、かつ低価
格な方法であり、置換金めっきは数分間めっき液に浸漬
して得られ、金めっき膜厚が薄く、めっき液中の金イオ
ンの減少も少なく、金めっき液の管理が簡便である。一
方、無電解金めっきは数十分から１時間程度めっき液に
浸漬して得られ、金めっき膜厚が厚いため金イオン、還
元剤等の主成分の濃度減少が大きく、成分濃度管理、安
定性の制御等の問題があり、かつ金めっき皮膜が厚膜化
するために、コスト高になる。半導体素子搭載用基板に
とって重要な特性であるワイヤボンディング強度は、置
換金めっきだけの場合は低強度であり、置換金めっき・
無電解金めっきの場合は高強度である。
【０００３】そこで、製造方法の簡便さと低コストの両
立のために、置換金めっき後のプラズマ処理により、金
めっき表面を清浄化してからワイヤボンディングを行う
方法が提案されており、適用されている。この方法は、
金めっき皮膜を形成して、プラズマ処理を行ったワイヤ
ボンディング用端子を有する半導体素子搭載用基板に、
半導体素子を、接着剤を用いて接着するというものであ
り、このときの接着に要する熱処理条件が、１５０〜２
５０℃、３０〜１８０分の範囲であり、この後に、ワイ
ヤボンディングを行う。
立のために、置換金めっき後のプラズマ処理により、金
めっき表面を清浄化してからワイヤボンディングを行う
方法が提案されており、適用されている。この方法は、
金めっき皮膜を形成して、プラズマ処理を行ったワイヤ
ボンディング用端子を有する半導体素子搭載用基板に、
半導体素子を、接着剤を用いて接着するというものであ
り、このときの接着に要する熱処理条件が、１５０〜２
５０℃、３０〜１８０分の範囲であり、この後に、ワイ
ヤボンディングを行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の技術
のうち、ワイヤボンディング前にプラズマ処理を行うワ
イヤボンディング用端子に、置換金めっき皮膜を有する
ものは、熱処理が全くないかまたは低温度、短時間の熱
処理でワイヤボンディングを行った場合は、良好な結果
であるが、熱処理条件が厳しくなるとワイヤボンディン
グの際のワイヤが端子に付着しないという課題があるこ
とが分かった。近年、生産性を向上させるために熱処理
条件は、益々厳しくなりつつあり、この課題を解決する
ことが重要になってきた。また、半導体素子搭載用基板
の基材が、膜厚２００μｍ以下のフレキシブルな樹脂材
料の場合には、熱処理後のワイヤボンディングは非常に
困難であるという課題もあった。
のうち、ワイヤボンディング前にプラズマ処理を行うワ
イヤボンディング用端子に、置換金めっき皮膜を有する
ものは、熱処理が全くないかまたは低温度、短時間の熱
処理でワイヤボンディングを行った場合は、良好な結果
であるが、熱処理条件が厳しくなるとワイヤボンディン
グの際のワイヤが端子に付着しないという課題があるこ
とが分かった。近年、生産性を向上させるために熱処理
条件は、益々厳しくなりつつあり、この課題を解決する
ことが重要になってきた。また、半導体素子搭載用基板
の基材が、膜厚２００μｍ以下のフレキシブルな樹脂材
料の場合には、熱処理後のワイヤボンディングは非常に
困難であるという課題もあった。
【０００５】本発明は、ワイヤボンディング性に優れた
半導体素子搭載用基板とその製造方法を提供することを
目的とする。
半導体素子搭載用基板とその製造方法を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子搭載
用基板は、最外層が置換金めっき皮膜であるワイヤボン
ディング用端子を有し、ワイヤボンディング前にプラズ
マ処理を行われる半導体素子搭載用基板において、置換
金めっき皮膜の下地に無電解パラジウムめっき皮膜を有
することを特徴とする。
用基板は、最外層が置換金めっき皮膜であるワイヤボン
ディング用端子を有し、ワイヤボンディング前にプラズ
マ処理を行われる半導体素子搭載用基板において、置換
金めっき皮膜の下地に無電解パラジウムめっき皮膜を有
することを特徴とする。
【０００７】無電解パラジウムめっき皮膜の膜厚は、
０．１μｍ〜１μｍの範囲であることが好ましく、０．
１μｍ未満では、熱処理後のワイヤボンディングのとき
に、ワイヤが端子に付着しないという現象が発生し、１
μｍを超えると、効果の改善がなく、経済的でない。
０．１μｍ〜１μｍの範囲であることが好ましく、０．
１μｍ未満では、熱処理後のワイヤボンディングのとき
に、ワイヤが端子に付着しないという現象が発生し、１
μｍを超えると、効果の改善がなく、経済的でない。
【０００８】置換金めっき皮膜の膜厚は、０．００３μ
ｍ〜０．１μｍの範囲であることが好ましく、０．００
３μｍ未満であると、熱処理後のワイヤボンディングの
ときに、ワイヤが端子に付着しないという現象が発生
し、０．１μｍを超えると、効果の改善がなく、経済的
でない。
ｍ〜０．１μｍの範囲であることが好ましく、０．００
３μｍ未満であると、熱処理後のワイヤボンディングの
ときに、ワイヤが端子に付着しないという現象が発生
し、０．１μｍを超えると、効果の改善がなく、経済的
でない。
【０００９】半導体素子搭載用基板の基材には、膜厚が
２００μｍ以下のフレキシブルな樹脂材料を用いること
ができる。
２００μｍ以下のフレキシブルな樹脂材料を用いること
ができる。
【００１０】このような半導体素子搭載用基板は、金属
からなるワイヤボンディング用端子上に、無電解パラジ
ウムめっき、置換金めっき皮膜を順次形成する工程と、
ワイヤボンディング前にプラズマ処理を行う工程を有す
る方法によって製造することができる。
からなるワイヤボンディング用端子上に、無電解パラジ
ウムめっき、置換金めっき皮膜を順次形成する工程と、
ワイヤボンディング前にプラズマ処理を行う工程を有す
る方法によって製造することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の無電解パラジウムめっき
は、めっき液中のパラジウムイオンの還元剤の働きによ
って、ニッケル表面にパラジウムを析出させるものであ
れば良く、特に限定しない。
は、めっき液中のパラジウムイオンの還元剤の働きによ
って、ニッケル表面にパラジウムを析出させるものであ
れば良く、特に限定しない。
【００１２】本発明の置換金めっきは、下地のパラジウ
ムと溶液中の金イオンとの置換反応によって、パラジウ
ム表面に金皮膜を形成するものであれば良く、特に限定
しない。
ムと溶液中の金イオンとの置換反応によって、パラジウ
ム表面に金皮膜を形成するものであれば良く、特に限定
しない。
【００１３】本発明の基材の種類は、セラミック、半導
体、樹脂基板等があるが特に限定するものではない。樹
脂基板については、材料面ではフェノール、エポキシ、
ポリイミド等のものがあり、構造面ではリジットとフレ
キシブル等のものがあるが、特に限定するものではない
が、半導体素子搭載用基板の基材が、膜厚が２００μｍ
以下のフレキシブルな樹脂材料である場合に効果的であ
る。
体、樹脂基板等があるが特に限定するものではない。樹
脂基板については、材料面ではフェノール、エポキシ、
ポリイミド等のものがあり、構造面ではリジットとフレ
キシブル等のものがあるが、特に限定するものではない
が、半導体素子搭載用基板の基材が、膜厚が２００μｍ
以下のフレキシブルな樹脂材料である場合に効果的であ
る。
【００１４】本発明のワイヤボンディング用端子は、特
に限定するものではないが、銅、タングステン、モリブ
デン等が一般的である。また、金属端子上に銅、ニッケ
ル等のめっきをした場合でも良く、無電解パラジウムめ
っき前のめっき等の表面処理に関しては、特に限定する
ものではない。
に限定するものではないが、銅、タングステン、モリブ
デン等が一般的である。また、金属端子上に銅、ニッケ
ル等のめっきをした場合でも良く、無電解パラジウムめ
っき前のめっき等の表面処理に関しては、特に限定する
ものではない。
【００１５】
【実施例】実施例１ 厚さ１００μｍのポリイミドフィルムを用いたフレキシ
ブルな銅張り積層板であるエスパネックス（新日鐵化学
株式会社製、商品名）に穴をあけ、スルーホールめっき
を行い、エッチングレジストを形成して、不要な箇所の
銅をエッチング除去し、ソルダーレジストを形成した後
の導体パターンの露出したワイヤボンディング用端子上
に以下の処理を行う。 ・脱脂：Ｚ−２００（（株）ワールドメタル社製、商品名）・・６０℃、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・ソフトエッチング：（１００ｇ／ｌの過硫酸アンモニウム）・・室温、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・酸洗：（１０体積／体積％硫酸）・・・・・・・・・・・・・・室温、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・活性化：ＳＡ−１００（日立化成工業（株）製、商品名）・・・室温、５分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・無電解ニッケルめっき：ニッケルめっき膜厚さ５μｍ ＮＩＰＳ−１００（日立化成工業（株）製、商品名）・・・・８５℃、２０分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・無電解パラジウムめっき：パラジウムめっき膜厚さ０．５μｍ パレット（小島化学薬品（株）製、商品名）・・・・・・・・７０℃、５分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・置換金めっき：金めっき膜厚；０．０２μｍ ＨＧＳ−１００（日立化成工業（株）製、商品名）・・・・・８５℃、１０分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・乾燥・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・８５℃、３０分 ・プラズマ処理：アルゴンガス 流量：２０ＳＣＣＭ 真空度：２５torr 出力：２００Ｗ 処理時間：６０秒
ブルな銅張り積層板であるエスパネックス（新日鐵化学
株式会社製、商品名）に穴をあけ、スルーホールめっき
を行い、エッチングレジストを形成して、不要な箇所の
銅をエッチング除去し、ソルダーレジストを形成した後
の導体パターンの露出したワイヤボンディング用端子上
に以下の処理を行う。 ・脱脂：Ｚ−２００（（株）ワールドメタル社製、商品名）・・６０℃、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・ソフトエッチング：（１００ｇ／ｌの過硫酸アンモニウム）・・室温、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・酸洗：（１０体積／体積％硫酸）・・・・・・・・・・・・・・室温、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・活性化：ＳＡ−１００（日立化成工業（株）製、商品名）・・・室温、５分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・無電解ニッケルめっき：ニッケルめっき膜厚さ５μｍ ＮＩＰＳ−１００（日立化成工業（株）製、商品名）・・・・８５℃、２０分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・無電解パラジウムめっき：パラジウムめっき膜厚さ０．５μｍ パレット（小島化学薬品（株）製、商品名）・・・・・・・・７０℃、５分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・置換金めっき：金めっき膜厚；０．０２μｍ ＨＧＳ−１００（日立化成工業（株）製、商品名）・・・・・８５℃、１０分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・乾燥・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・８５℃、３０分 ・プラズマ処理：アルゴンガス 流量：２０ＳＣＣＭ 真空度：２５torr 出力：２００Ｗ 処理時間：６０秒
【００１６】実施例２ 厚さ１００μｍのポリイミドフィルムを用いたフレキシ
ブル銅張り積層板であるエスパネックス（新日鐵化学株
式会社製、商品名）に穴をあけ、スルーホールめっきを
行い、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッチ
ング除去し、ソルダーレジストを形成した後に、導体パ
ターンの露出したワイヤボンディング用端子上に以下の
処理を行う。 ・脱脂：Ｚ−２００（（株）ワールドメタル社製、商品名）・・６０℃、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・ソフトエッチング：１００ｇ／ｌ過硫酸アンモニウム・・・・・室温、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・酸洗：１０体積／体積％硫酸・・・・・・・・・・・・・・・・室温、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・活性化：ＳＡ−１００（日立化成工業（株）製、商品名）・・・室温、５分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・無電解パラジウムめっき：パラジウムめっき膜厚さ０．５μｍ パレット（小島化学薬品（株）製、商品名）・・・・・・・・７０℃、５分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・置換金めっき：金めっき膜厚さ０．０２μｍ ＨＧＳ−１００（日立化成工業（株）製、商品名）・・・・・８５℃、１０分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・乾燥・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・８５℃、３０分 ・プラズマ処理：アルゴンガス 流量：２０ＳＣＣＭ 真空度：２５torr 出力：２００Ｗ 処理時間：６０秒
ブル銅張り積層板であるエスパネックス（新日鐵化学株
式会社製、商品名）に穴をあけ、スルーホールめっきを
行い、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッチ
ング除去し、ソルダーレジストを形成した後に、導体パ
ターンの露出したワイヤボンディング用端子上に以下の
処理を行う。 ・脱脂：Ｚ−２００（（株）ワールドメタル社製、商品名）・・６０℃、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・ソフトエッチング：１００ｇ／ｌ過硫酸アンモニウム・・・・・室温、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・酸洗：１０体積／体積％硫酸・・・・・・・・・・・・・・・・室温、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・活性化：ＳＡ−１００（日立化成工業（株）製、商品名）・・・室温、５分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・無電解パラジウムめっき：パラジウムめっき膜厚さ０．５μｍ パレット（小島化学薬品（株）製、商品名）・・・・・・・・７０℃、５分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・置換金めっき：金めっき膜厚さ０．０２μｍ ＨＧＳ−１００（日立化成工業（株）製、商品名）・・・・・８５℃、１０分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・乾燥・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・８５℃、３０分 ・プラズマ処理：アルゴンガス 流量：２０ＳＣＣＭ 真空度：２５torr 出力：２００Ｗ 処理時間：６０秒
【００１７】比較例１ 厚さ１００μｍのポリイミドフィルムを用いたフレキシ
ブル銅張り積層板であるエスパネックス（新日鐵化学株
式会社製、商品名）に穴をあけ、スルーホールめっきを
行い、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッチ
ング除去し、ソルダーレジストを形成した後に、導体パ
ターンの露出したワイヤボンディング用端子上に以下の
処理を行う。 ・脱脂：Ｚ−２００（（株）ワールドメタル社製、商品名）・・６０℃、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・ソフトエッチング：１００ｇ／ｌ過硫酸アンモニウム・・・・・室温、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・酸洗：１０体積／体積％硫酸・・・・・・・・・・・・・・・・室温、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・活性化：ＳＡ−１００（日立化成工業（株）製、商品名）・・・室温、５分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・無電解ニッケルめっき：ニッケルめっき膜厚さ５μｍ ＮＩＰＳ−１００（日立化成工業（株）製、商品名）・・・・８５℃、２０分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・置換金めっき：金めっき膜厚さ０．０２μｍ ＨＧＳ−１００（日立化成工業（株）製、商品名）・・・・・８５℃、１０分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・乾燥・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・８５℃、３０分 ・プラズマ処理：アルゴンガス 流量：２０ＳＣＣＭ 真空度：２５torr 出力：２００Ｗ 処理時間：６０秒
ブル銅張り積層板であるエスパネックス（新日鐵化学株
式会社製、商品名）に穴をあけ、スルーホールめっきを
行い、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッチ
ング除去し、ソルダーレジストを形成した後に、導体パ
ターンの露出したワイヤボンディング用端子上に以下の
処理を行う。 ・脱脂：Ｚ−２００（（株）ワールドメタル社製、商品名）・・６０℃、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・ソフトエッチング：１００ｇ／ｌ過硫酸アンモニウム・・・・・室温、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・酸洗：１０体積／体積％硫酸・・・・・・・・・・・・・・・・室温、１分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・活性化：ＳＡ−１００（日立化成工業（株）製、商品名）・・・室温、５分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・無電解ニッケルめっき：ニッケルめっき膜厚さ５μｍ ＮＩＰＳ−１００（日立化成工業（株）製、商品名）・・・・８５℃、２０分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・置換金めっき：金めっき膜厚さ０．０２μｍ ＨＧＳ−１００（日立化成工業（株）製、商品名）・・・・・８５℃、１０分 ・水洗・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・室温、２分 ・乾燥・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・８５℃、３０分 ・プラズマ処理：アルゴンガス 流量：２０ＳＣＣＭ 真空度：２５torr 出力：２００Ｗ 処理時間：６０秒
【００１８】実施例１、２と比較例１で得た半導体素子
搭載用基板を１８０℃、２時間熱処理後ワイヤボンディ
ングを行った結果、実施例１、２のパラジウム皮膜を形
成したものは付着率１００％であり、密着強度は９〜１
３ｇ、比較例１の従来のものは付着率９０％であり、未
付着が１０％、また、熱処理なしでは実施例１、２と比
較例１ともに付着率は１００％であり、密着強度は９〜
１３ｇであった。このように本発明の方法は、熱処理後
のワイヤボンディング特性に優れている。
搭載用基板を１８０℃、２時間熱処理後ワイヤボンディ
ングを行った結果、実施例１、２のパラジウム皮膜を形
成したものは付着率１００％であり、密着強度は９〜１
３ｇ、比較例１の従来のものは付着率９０％であり、未
付着が１０％、また、熱処理なしでは実施例１、２と比
較例１ともに付着率は１００％であり、密着強度は９〜
１３ｇであった。このように本発明の方法は、熱処理後
のワイヤボンディング特性に優れている。
【００１９】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によって
ワイヤボンディング性に優れた半導体素子搭載用基板と
その製造方法を提供することができる。
ワイヤボンディング性に優れた半導体素子搭載用基板と
その製造方法を提供することができる。
フロントページの続き (72)発明者 坪松 良明 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内 (72)発明者 岩崎 順雄 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内
Claims (6)
- 【請求項１】最外層が置換金めっき皮膜であるワイヤボ
ンディング用端子を有し、ワイヤボンディング前にプラ
ズマ処理を行われる半導体素子搭載用基板において、置
換金めっき皮膜の下地に無電解パラジウムめっき皮膜を
有することを特徴とする半導体素子搭載用基板。 - 【請求項２】無電解パラジウムめっき皮膜の膜厚が、
０．１μｍ〜１μｍの範囲であることを特徴とする請求
項１に記載の半導体素子搭載用基板。 - 【請求項３】置換金めっき皮膜の膜厚が、０．００３μ
ｍ〜０．１μｍの範囲であることを特徴とする請求項１
または２に記載の半導体素子搭載用基板。 - 【請求項４】半導体素子搭載用基板の基材が、膜厚が２
００μｍ以下のフレキシブルな樹脂材料であることを特
徴とする請求項１〜３のうちいずれかに記載の半導体素
子搭載用基板。 - 【請求項５】金属からなるワイヤボンディング用端子上
に、無電解パラジウムめっき、置換金めっき皮膜を順次
形成する工程と、ワイヤボンディング前にプラズマ処理
を行う工程を有することを特徴とする半導体素子搭載用
基板の製造方法。 - 【請求項６】半導体素子搭載用基板の基材に、膜厚が２
００μｍ以下のフレキシブルな樹脂材料を用いることを
特徴とする請求項５に記載の半導体素子搭載用基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34594797A JP3801334B2 (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 半導体素子搭載用基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34594797A JP3801334B2 (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 半導体素子搭載用基板とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11176863A true JPH11176863A (ja) | 1999-07-02 |
| JP3801334B2 JP3801334B2 (ja) | 2006-07-26 |
Family
ID=18380091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34594797A Expired - Fee Related JP3801334B2 (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 半導体素子搭載用基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3801334B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270634A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
-
1997
- 1997-12-16 JP JP34594797A patent/JP3801334B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270634A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3801334B2 (ja) | 2006-07-26 |
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