JPH1117486A - Ｓａｗフィルタおよびそれを使用した電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、ＳＡＷフィルタおよびそれを用い
た電子機器に関するもので、低損失で小型化することを
目的とするものである。 【解決手段】 この目的を達成するために本発明は、入
力端子と出力端子との間に直列接続された第１のＳＡＷ
共振子と、前記第１のＳＡＷ共振子の入力端子側あるい
は出力端子側とグランドとの間に接続された第２のＳＡ
Ｗ共振子と第１のインダクタンス素子との直列接続体と
を備えたＳＡＷフィルタとするものである。この構成に
よって、第１のＳＡＷ共振子と、第２のＳＡＷ共振子と
第１のインダクタンス素子との直列接続体とにより梯子
型フィルタが形成される。そして、第１のインダクタン
ス素子によって前記直列接続体の共振点を反共振点から
遠ざけることにより、急峻な高域側減衰特性を有しつつ
広帯域な通過特性を得ることができ、その結果小型で低
損失なフィルタを構成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＡＷフィルタお
よびそれを使用した電子機器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の例えば携帯電話等の電子機器にお
いては、それを小型化するためにその送信経路にＳＡＷ
フィルタを介在させたものがあった。従来のＳＡＷフィ
ルタは特開昭６１−２２０５１１号公報に開示されてい
る。その回路構成は図８に示すように、十数個のＳＡＷ
共振子２９を直列接続し、その入出力部にそれぞれ整合
回路３０を設けた構成で、その通過特性は通過帯域の高
域側に減衰帯域を有する帯域阻止型のフィルタとなって
いる。通常、送信経路の最終段のフィルタはアンテナ共
用器として用いられるもので、送信信号の周波数を通過
帯域とし、受信信号の周波数を減衰帯域とした特性が要
求される。このために、上記のような通過帯域の片側の
みに減衰帯域を有する帯域阻止型のフィルタを用いるこ
とが多い。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＳＡＷ帯域阻止フィルタは、十数個のＳＡＷ共振子
２９が必要となるために通過帯域における挿入損失が大
きく、さらに入出力部にそれぞれ整合回路を設けなけれ
ばならないために形状も大型化するといった問題があっ
た。

【０００４】本発明は、共振子数が少なく整合回路が不
要な梯子型回路として小型化を図るとともに、高域側に
減衰帯域を有しつつ通過帯域を広帯域化することにより
挿入損失を低減したＳＡＷフィルタを提供するととも
に、それを使用した電子機器を提供することを目的とす
るものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、入力端子と出力端子との間に直列接続され
た第１のＳＡＷ共振子と、前記第１のＳＡＷ共振子の入
力端子側あるいは出力端子側とグランドとの間に接続さ
れた第２のＳＡＷ共振子と第１のインダクタンス素子と
の直列接続体とを備えたＳＡＷフィルタとするものであ
る。この構成によって、入力端子と出力端子との間（以
下直列枝）の第１のＳＡＷ共振子と、前記直列枝とグラ
ンドとの間（以下並列枝）の第２のＳＡＷ共振子と第１
のインダクタンス素子との直列接続体とにより梯子型フ
ィルタが形成される。そして、第１のインダクタンス素
子によって前記直列接続体の共振点を反共振点から遠ざ
けることにより、急峻な高域側減衰特性を有しつつ広帯
域な通過特性を得ることができ、その結果小型で低損失
なフィルタを構成することができるものである。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、入力端子と出力端子との間に直列接続された第１の
ＳＡＷ共振子と、前記第１のＳＡＷ共振子の入力端子側
あるいは出力端子側とグランドとの間に接続された第２
のＳＡＷ共振子と第１のインダクタンス素子との直列接
続体とを備えたＳＡＷフィルタとするものである。この
構成によって、第１のＳＡＷ共振子と、第２のＳＡＷ共
振子と第１のインダクタンス素子との直列接続体とによ
り梯子型フィルタが形成される。そして、第１のインダ
クタンス素子によって前記直列接続体の共振点を反共振
点から遠ざけることにより、急峻な高域側減衰特性を有
しつつ広帯域な通過特性を得ることができ、その結果小
型で低損失なフィルタを構成することができるものであ
る。

【０００７】さらに請求項２に記載の発明は、第１のＳ
ＡＷ共振子の直列共振周波数（以下Ｆs1と称す）および
第２のＳＡＷ共振子の並列共振周波数（以下Ｆp2と称
す）をそれぞれフィルタとしての中心周波数よりも高域
側に設定した請求項１に記載のＳＡＷフィルタとするも
のである。上記構成によって、高域側の減衰特性を最適
なものとすることができる。

【０００８】さらに請求項３に記載の発明は、Ｆs1とＦ
p2とを略同じ値とした請求項１または請求項２のいずれ
かに記載のＳＡＷフィルタとするものである。上記の構
成によって、フィルタの通過域において良好なインピー
ダンス整合が得られ、入出力端子に整合回路を設けるこ
となく小型のフィルタを構成することができる。

【０００９】さらに請求項４に記載の発明は、Ｆs1、Ｆ
p2のうち少なくとも一方をフィルタとしての通過帯域よ
りも高域側に設定した請求項１または請求項３のいずれ
かに記載のＳＡＷフィルタとするものである。上記の構
成によって、耐電力的な弱点となるＳＡＷ共振子の共振
点および反共振点を電力が加わる通過帯域から外してお
くことによって、ＳＡＷフィルタに高い耐電力性を持た
せることができる。

【００１０】また請求項５に記載の発明は、第２のＳＡ
Ｗ共振子の一端を、第１のＳＡＷ共振子と出力端子間に
接続した請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の
ＳＡＷフィルタとするものである。上記の構成によっ
て、入力端から大きな電力が印加された場合にも並列枝
に接続されている第２のＳＡＷ共振子が破壊しにくくな
る。

【００１１】また請求項６に記載の発明は、第１、第２
のＳＡＷ共振子の接続点と出力端子との間に第３のＳＡ
Ｗ共振子を直列接続し、第３のＳＡＷ共振子と出力端子
との接続点とグランドとの間に第４のＳＡＷ共振子と第
２のインダクタンス素子とからなる直列接続体を接続し
た請求項１から請求項５のいずれか一つに記載のＳＡＷ
フィルタとするものである。上記の構成によって、梯子
型フィルタの素子数を増すことにより高域側の減衰特性
を向上することができる。

【００１２】さらに請求項７に記載の発明は、第３のＳ
ＡＷ共振子の直列共振周波数（以下Ｆs3と称す）および
第４のＳＡＷ共振子の並列接続体の並列共振周波数（以
下Ｆp4と称す）をそれぞれフィルタとしての中心周波数
よりも高域に設定した請求項６に記載のＳＡＷフィルタ
とするものである。上記構成によって、素子数を増した
構成において高域側の減衰特性を最適なものとすること
ができる。

【００１３】さらに請求項８に記載の発明は、Ｆs3とＦ
p4とを略同じ値とした請求項６または請求項７のいずれ
か一つに記載のＳＡＷフィルタとするものである。上記
の構成によって、素子数を増した構成において良好なイ
ンピーダンス整合が得られる。

【００１４】さらに請求項９に記載の発明は、Ｆs3、Ｆ
p4のうち少なくとも一方をフィルタとしての通過帯域よ
りも高域側に設定した請求項６から請求項８のいずれか
一つに記載のＳＡＷフィルタとするものである。上記構
成によって、素子数を増した構成のＳＡＷフィルタにお
いて高い耐電力性を持たせることができる。

【００１５】また請求項１０に記載の発明は、圧電基板
上に第１から第４のＳＡＷ共振子用の櫛形電極パターン
を形成するとともに、第２のＳＡＷ共振子の他端に第１
の接続電極を、第４のＳＡＷ共振子の他端に第２の接続
電極をそれぞれ設け、前記第１の接続電極に接続したボ
ンディングワイヤにより第１のインダクタンス素子の少
なくとも一部を形成し、前記第２の接続電極に接続した
ボンディングワイヤにより第２のインダクタンス素子の
少なくとも一部を形成した請求項１から請求項９のいず
れか一つに記載のＳＡＷフィルタとするものである。上
記の構成によって、ＳＡＷ共振器を形成する圧電基板を
小型化することができる。

【００１６】また請求項１１に記載の発明は、第２のＳ
ＡＷ共振子の他端と第１の接続電極との間に第１のイン
ダクタンス素子用の線路パターンを設け、第４のＳＡＷ
共振子の他端と第２の接続電極との間に第２のインダク
タンス素子用の線路パターンを設けた請求項１０に記載
のＳＡＷフィルタとするものである。上記の構成によっ
て、第１、第２のインダクタンス素子の一部を線路パタ
ーンで形成することにより素子値を安定させることがで
きる。

【００１７】また請求項１２に記載の発明は、第１、第
２のインダクタンス素子の少なくとも一部を、別個の外
部素子により構成した請求項１０または請求項１１に記
載のＳＡＷフィルタとするものである。上記の構成によ
って、外部素子の素子値によってフィルタ特性を調整す
ることが可能となる。

【００１８】また請求項１３に記載の発明は、圧電基板
の左右に第１、第３のＳＡＷ共振子と第２、第４のＳＡ
Ｗ共振子とを振り分けて配置した請求項１０から請求項
１２のいずれか一つに記載のＳＡＷフィルタとするもの
である。上記の構成によって、ＳＡＷ共振子を圧電基板
上に効率よく配置でき、圧電基板を小型化することがで
きる。

【００１９】また請求項１４に記載の発明は、第１、第
３のＳＡＷ共振子を振り分けた圧電基板の一方側に入力
端子および出力端子を設け、第２、第４のＳＡＷ共振子
を振り分けた圧電基板の他方側に第１、第２の接続電極
を設けた請求項１３に記載のＳＡＷフィルタとするもの
である。上記の構成によって、ワイヤボンディングのた
めの電極を効率良く配置でき、圧電基板を小型化するこ
とができる。

【００２０】また請求項１５に記載の発明は、請求項１
から請求項１４のいずれか一つのＳＡＷフィルタを通信
機の送信経路に介在させた電子機器とするものである。
上記の構成によって、小型で挿入損失の小さいＳＡＷフ
ィルタを用いることによって、小型で消費電力の小さい
電子機器を実現することができる。

【００２１】さらに請求項１６に記載の発明は、請求項
１から請求項１４のいずれか一つのＳＡＷ帯域阻止フィ
ルタを送信経路の最終段の増幅器とアンテナとの間に介
在させた請求項１５に記載の電子機器とするものであ
る。上記の構成によって、小型で挿入損失の小さいＳＡ
Ｗフィルタを用いることによって、小型で消費電力の小
さい電子機器を実現することができる。

【００２２】（実施の形態）以下、本発明の一実施形態
を図面を用いて説明する。図７は、電子機器の一例とし
て携帯電話を簡略化して示したブロック図である。即
ち、マイク１８より入力された音声信号を変調器１９で
変調した後、周波数変換器２０および増幅器２１を経て
アンテナ２３より送信する。アンテナ２３により受信さ
れた信号は増幅器２５および周波数変換器２６を経て復
調器２７により復調されてスピーカ２８により出力され
る。上記、電子機器の送信経路に介在させたフィルタ２
２は図１に示すような回路となっている。

【００２３】図１は本発明の第１の実施の形態のＳＡＷ
フィルタを示す回路図である。図１において、１は第１
のＳＡＷ共振子、２は第２のＳＡＷ共振子、３は第３の
ＳＡＷ共振子、４は第４のＳＡＷ共振子、５は第１のイ
ンダクタンス素子、６は第２のインダクタンス素子であ
る。第１のＳＡＷ共振子１および第３のＳＡＷ共振子３
は入力端子と出力端子の間の直列枝に接続される。ま
た、第２の共振子２と第１のインダクタンス素子５とは
直列接続されて、第１のＳＡＷ共振子１と第３のＳＡＷ
共振子３との接続点とグランドとの間に接続され、さら
に第４の共振子４と第２のインダクタンス素子６とは直
列接続されて、第３のＳＡＷ共振子３と出力端子との接
続点とグランドとの間に接続される。上記構成により、
４素子の梯子型フィルタが構成される。なお、入力端子
に最も近い第１のＳＡＷ共振子１を直列枝としている。
この理由は、入力端子から大きな電力が入力された場合
に、並列枝の場合よりも共振子が破壊しにくいことを実
験的に確認したためである。

【００２４】以下に、個々の回路の電気的特性について
説明する。図２（ａ）は単体のＳＡＷ共振子の先端短絡
時のリアクタンス特性を示した特性図である。図２
（ａ）よりわかるように、ＳＡＷ共振子は直列共振点Ｆ
sと並列共振点Ｆpとを有し、ＦsはＦpの低減側に存在
し、両者の比は一定であるという特徴を有している。図
２（ｂ）はＳＡＷ共振子とインダクタンス素子との直列
接続体のリアクタンス特性を示した特性図である。この
場合は、インダクタンス素子の素子値により並列共振周
波数Ｆpを固定したままで直列共振周波数Ｆsを低減側に
動かすことができ、ＦpをＦsとの間隔を広げることが可
能となる。この両者で図１に示す梯子型回路を構成しそ
れぞれの共振周波数を適切に設定することにより、高域
側に急峻な減衰特性を有しつつ通過帯域を広帯域化した
フィルタを形成するものである。以下、Ｉ番目の直列枝
または並列枝に接続される回路の直列共振周波数をＦs
I、並列共振周波数をＦpIと記す。

【００２５】図３は、Ｆs1，Ｆp2，Ｆs3およびＦp4を略
等しくしてフィルタとしての通過帯域よりも高域側に設
定した際の通過特性を示した特性図である。Ｆs1，Ｆp
2，Ｆs3およびＦp4よりも低域側に広帯域な通過帯域が
形成され、一方これらの高域側には急峻な減衰帯域が形
成されていることがわかる。通過帯域は、直列枝が直列
共振して略ショートとなるとともに並列枝が並列共振し
て略オープンとなる周波数帯域で、入力端子から出力端
子のインピーダンスが直接見え（すなわちインピーダン
ス整合がなされ）、入力信号が出力端子へと通過するこ
とにより生ずるものである。通過帯域の高域側に形成さ
れた減衰帯域は、直列枝が並列共振してオープンとなる
ために入力信号が反射されて出力端子に到達しないこと
により発生するものである。一方、通過帯域の低域側に
は並列枝の直列共振によって発生する減衰帯域が存在す
るのであるが、第１、第２のインダクタンス素子５，６
によって各並列枝の直列共振点を通過帯域よりも充分低
域側に遠ざけて設定しているためここには表れていな
い。以上の結果、通過帯域およびその低域側において並
列枝のインピーダンス特性が極めて緩やかなものとなる
ために、広帯域な通過特性と良好なインピーダンス整合
が得られ、結果として低損失なフィルタが得られるので
ある。

【００２６】なお、ＳＡＷ共振子の直列共振点Ｆsおよ
び並列共振点Ｆpは電力が印加された場合の弱点となる
周波数であるため、上記の構成においてＦs1，Ｆp2，Ｆ
s3およびＦp4を通過帯域外の高域側に設定した。これに
よって、通過帯域に電力が印加された場合にもその電力
によって各ＳＡＷ共振子が破壊することを防いでいる。
このような設定は、低域側に広帯域な通過帯域を有し、
高域側に急峻な減衰特性を示す本発明の構成のフィルタ
によって初めて可能なものとなる。

【００２７】さらに、前述より明らかなように、本フィ
ルタの通過帯域の挿入損失は直列枝のＳＡＷ共振子１，
３の直列共振時のＱ値と並列枝のＳＡＷ共振子２，４の
並列共振時のＱ値によって決定され、また高域側減衰帯
域の減衰量は直列枝のＳＡＷ共振子１，３の並列共振時
のＱ値によって決定される。すなわち、第１、第２のイ
ンダクタンス素子５，６の抵抗分による特性劣化は、こ
のフィルタの特性として意味のない低域側の減衰量にの
み表れ、原理的に通過帯域および高域側減衰帯域の特性
には影響を及ぼさないのである。従って、本発明のフィ
ルタ構成とすれば、第１、第２のインダクタンス素子
５，６として多少Ｑ値の悪い素子を用いたとしても、主
たる特性には影響がないという特長がある。

【００２８】次に、このＳＡＷフィルタの構造について
説明する。図４はこのＳＡＷフィルタの実装状態を示し
た平面図である。図４において、１〜６は図１の回路図
のＳＡＷ共振子およびインダクタンス素子であり、７は
圧電基板、８は入力電極、９は出力電極、１０はグラン
ド電極、１１および１２はそれぞれ第１、第２のインダ
クタンス素子５，６用の接続電極、１３はパッケージで
ある。

【００２９】第１から第４のＳＡＷ共振子１から４は圧
電基板７表面上で櫛形電極として構成されており、直列
枝に入る第１のＳＡＷ共振子１および第３のＳＡＷ共振
子３を図４における左側に振り分けるとともに、並列枝
に入る第２のＳＡＷ共振子２および第４のＳＡＷ共振子
４を右側に振り分けて配置している。そして、入力電極
８および出力電極９を直列枝を配置した左側に設けると
ともに、インダクタンス素子５，６用の接続電極１１お
よび１２を並列枝を配置した右側に設けることにより、
効率的な配置として圧電基板７のサイズを小さくしてい
る。

【００３０】通常のＳＡＷフィルタでは、並列枝のＳＡ
Ｗ共振子のそれぞれ一端は、圧電基板上でグランド電極
と接続される。これに対して本発明の構成では、並列枝
のＳＡＷ共振子２，４のそれぞれ一端は、グランド電極
１０とは分離した接続電極１１，１２にそれぞれ接続さ
れ、そこから第１、第２のインダクタンス素子５，６を
介して圧電基板の外部でグランドに接続されるのが特徴
である。

【００３１】第１、第２のインダクタンス素子５，６
は、それぞれ接続電極１１および１２とパッケージ１３
の端子とを接続するボンディングワイヤにより形成して
いる。８００ＭHz帯の場合、必要なインダクタンス値は
数ナノヘンリーとなるため、線径３５ミクロンのボンデ
ィングワイヤで長さは２mm程度となる。以上のように構
成されたＳＡＷフィルタは図３に示す通過特性を示し、
８００ＭHz帯において通過帯域の挿入損失が１．５ｄ
Ｂ、減衰帯域における減衰量が４０ｄＢとなった。

【００３２】なお、本実施の形態においてＳＡＷフィル
タを４素子の回路としたが、それ以外の素子数であって
もかまわない。素子数を増加すれば減衰帯域の減衰量を
増大することができるが、その反面通過帯域内の挿入損
失もまた増大する。従って、所望の減衰帯域が確保でき
る最小限の素子数とすることが望ましい。また、素子数
に関わらず、直列枝に接続される回路の直列共振周波数
（Ｆs1，Ｆs3，…）と、並列枝に接続される回路の並列
共振周波数（Ｆp2，Ｆp4，…）とをほぼ等しく設定する
ことによって通過帯域におけるインピーダンス整合を得
ることができ、さらにインダクタンス素子によって並列
枝に接続される回路の直列共振周波数（Ｆs2，Ｆs4，
…）を並列共振周波数（Ｆp2，Ｆp4，…）から遠ざける
ことによって広帯域な通過帯域を得ることができるのは
上述の通りである。

【００３３】また、本実施の形態において第１のインダ
クタンス素子５および第２のインダクタンス素子６をそ
れぞれボンディングワイヤにより構成したが、それらの
一部を圧電基板７上に形成した線路パターンによって構
成してもよい。例えば、図５に示すような第１、第２の
ジグザグ線路パターン１４，１５を圧電基板７上に形成
し、その先端に接続電極１１，１２を設ければ、第１、
第２のインダクタンス素子５，６をジグザグ線路パター
ン１４，１５とボンディングワイヤとにより形成するこ
とができるため大きなインダクタンス値が得られるとと
もにその値を安定させることができるものである。

【００３４】さらに、第１、第２のインダクタンス素子
の一部を別個の外部素子により構成することもできる。
この場合、図６に示すように接続電極１１，１２よりボ
ンディングワイヤおよびパッケージ１３の端子を介して
第１、第２の外部インダクタンス素子１６，１７をそれ
ぞれ接続すればよい。こうすれば、大きなインダクタン
ス素子値が得られるとともに、この素子値を容易に変更
できるためフィルタの特性の調整が可能となる。これら
の外部インダクタンス素子１６，１７としては、チップ
インダクタ等の個別部品を用いてもよいし、外部基板上
にパターンで形成してもかまわない。

【００３５】なお、上記実施の形態において説明した数
値や構成は一例であり、本発明はこれらの数値や構成の
細部に限定されるものではない。

【００３６】

【発明の効果】以上のように本発明は、入力端子と出力
端子との間に直列接続された第１のＳＡＷ共振子と、前
記第１のＳＡＷ共振子の入力端子側あるいは出力端子側
とグランドとの間に接続された第２のＳＡＷ共振子と第
１のインダクタンス素子の直列接続体とを備えたＳＡＷ
フィルタとするものである。この構成によって、第１の
ＳＡＷ共振子と、第２のＳＡＷ共振子と第１のインダク
タンス素子との直列接続体とにより梯子型フィルタが形
成される。そして、第１のインダクタンス素子によって
前記直列接続体の共振点を反共振点から遠ざけることに
より、急峻な高域側減衰特性を有しつつ広帯域な通過特
性を得ることができ、その結果小型で低損失なフィルタ
を構成することができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態のＳＡＷフィルタを示す回
路図

【図２】（ａ）は単体のＳＡＷ共振子のリアクタンス特
性を示した特性図 （ｂ）はＳＡＷ共振子とインダクタンス素子との直列接
続体のリアクタンス特性を示した特性図

【図３】図１のＳＡＷフィルタの通過特性を示した特性
図

【図４】ＳＡＷフィルタの実装状態を示す平面図

【図５】ＳＡＷフィルタの実装状態の他の例を示した平
面図

【図６】ＳＡＷフィルタの実装状態のさらなる他の例を
示した平面図

【図７】携帯電話を簡略化して示したブロック図

【図８】従来のＳＡＷフィルタを示す回路図

【符号の説明】

１ 第１のＳＡＷ共振子 ２ 第２のＳＡＷ共振子 ３ 第３のＳＡＷ共振子 ４ 第４のＳＡＷ共振子 ５ 第１のインダクタンス素子 ６ 第２のインダクタンス素子 ７ 圧電基板 ８ 入力電極 ９ 出力電極 １０ グランド電極 １１ 第１のインダクタンス素子用の接続電極 １２ 第２のインダクタンス素子用の接続電極 １３ パッケージ １４ 第１のジグザグ線路パターン １５ 第２のジグザグ線路パターン １６ 第１の外部インダクタンス素子 １７ 第２の外部インダクタンス素子 １８ マイク １９ 変調器 ２０ 送信周波数変換器 ２１ 送信増幅器 ２２ 送信フィルタ ２３ アンテナ ２４ 受信フィルタ ２５ 受信増幅器 ２６ 受信周波数変換器 ２７ 復調器 ２８ スピーカ

フロントページの続き (72)発明者 村瀬 恭通 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入力端子と出力端子との間に直列接続さ
   れた第１のＳＡＷ共振子と、前記第１のＳＡＷ共振子の
   入力端子側あるいは出力端子側とグランドとの間に接続
   された第２のＳＡＷ共振子と第１のインダクタンス素子
   との直列接続体とを備えたＳＡＷフィルタ。
2. 【請求項２】 第１のＳＡＷ共振子の直列共振周波数
   （以下Ｆs1と称す）および第２のＳＡＷ共振子の並列共
   振周波数（以下Ｆp2と称す）をそれぞれフィルタとして
   の中心周波数よりも高域側に設定した請求項１に記載の
   ＳＡＷフィルタ。
3. 【請求項３】 Ｆs1とＦp2とを略同じ値とした請求項１
   または請求項２に記載のＳＡＷフィルタ。
4. 【請求項４】 Ｆs1、Ｆp2のうち少なくとも一方をフィ
   ルタとしての通過帯域よりも高域側に設定した請求項１
   から請求項３のいずれか一つに記載のＳＡＷフィルタ。
5. 【請求項５】 第２のＳＡＷ共振子の一端を、第１のＳ
   ＡＷ共振子と出力端子間に接続した請求項１から請求項
   ４のいずれか一つに記載のＳＡＷフィルタ。
6. 【請求項６】 第１、第２のＳＡＷ共振子の接続点と出
   力端子との間に第３のＳＡＷ共振子を直列接続し、第３
   のＳＡＷ共振子と出力端子との接続点とグランドとの間
   に第４のＳＡＷ共振子と第２のインダクタンス素子とか
   らなる直列接続体を接続した請求項１から請求項５のい
   ずれか一つに記載のＳＡＷフィルタ。
7. 【請求項７】 第３のＳＡＷ共振子の直列共振周波数
   （以下Ｆs3と称す）および第４のＳＡＷ共振子の並列接
   続体の並列共振周波数（以下Ｆp4と称す）をそれぞれフ
   ィルタとしての中心周波数よりも高域に設定した請求項
   ６に記載のＳＡＷフィルタ。
8. 【請求項８】 Ｆs3とＦp4とを略同じ値とした請求項６
   または請求項７のいずれか一つに記載のＳＡＷフィル
   タ。
9. 【請求項９】 Ｆs3、Ｆp4のうち少なくとも一方をフィ
   ルタとしての通過帯域よりも高域側に設定した請求項６
   から請求項８のいずれか一つに記載のＳＡＷフィルタ。
10. 【請求項１０】 圧電基板上に第１から第４のＳＡＷ共
    振子用の櫛形電極パターンを形成するとともに、第２の
    ＳＡＷ共振子の一端に第１の接続電極を、第４のＳＡＷ
    共振子の一端に第２の接続電極をそれぞれ設け、前記第
    １の接続電極に接続したボンディングワイヤにより第１
    のインダクタンス素子の少なくとも一部を形成し、前記
    第２の接続電極に接続したボンディングワイヤにより第
    ２のインダクタンス素子の少なくとも一部を形成した請
    求項１から請求項９のいずれか一つに記載のＳＡＷフィ
    ルタ。
11. 【請求項１１】 第２のＳＡＷ共振子の一端と第１の接
    続電極との間に第１のインダクタンス素子用の線路パタ
    ーンを設け、第４のＳＡＷ共振子の一端と第２の接続電
    極との間に第２のインダクタンス素子用の線路パターン
    を設けた請求項１０に記載のＳＡＷフィルタ。
12. 【請求項１２】 第１、第２のインダクタンス素子の少
    なくとも一部を、別個の外部素子により構成した請求項
    １０または請求項１１に記載のＳＡＷフィルタ。
13. 【請求項１３】 圧電基板の左右に第１、第３のＳＡＷ
    共振子と第２、第４のＳＡＷ共振子とを振り分けて配置
    した請求項１０から請求項１２のいずれか一つに記載の
    ＳＡＷフィルタ。
14. 【請求項１４】 第１、第３のＳＡＷ共振子を振り分け
    た圧電基板の一方側に入力端子および出力端子を設け、
    第２、第４のＳＡＷ共振子を振り分けた圧電基板の他方
    側に第１、第２の接続電極を設けた請求項１３に記載の
    ＳＡＷフィルタ。
15. 【請求項１５】 請求項１から請求項１４のいずれか一
    つのＳＡＷフィルタを通信機の送信経路に介在させた電
    子機器。
16. 【請求項１６】 請求項１から請求項１４のいずれか一
    つのＳＡＷフィルタを送信経路の最終段の増幅器とアン
    テナとの間に介在させた電子機器。