JPH1117246A - アルカリハライド結晶材料の加工方法 - Google Patents
アルカリハライド結晶材料の加工方法Info
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- JPH1117246A JPH1117246A JP9163146A JP16314697A JPH1117246A JP H1117246 A JPH1117246 A JP H1117246A JP 9163146 A JP9163146 A JP 9163146A JP 16314697 A JP16314697 A JP 16314697A JP H1117246 A JPH1117246 A JP H1117246A
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- crystal material
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルカリハライド結晶材料の微細加工に適し
た加工方法を提供する。 【解決手段】 少なくともＸ線領域の連続な波長分布を
有する放射光を実質的に透過させる領域と、実質的に透
過させない領域が画定されたマスクを、アルカリハライ
ド結晶材料の表面の前方に配置する。このマスクを通し
て、アルカリハライド結晶材料に放射光を照射して該ア
ルカリハライド結晶材料を加工する。
た加工方法を提供する。 【解決手段】 少なくともＸ線領域の連続な波長分布を
有する放射光を実質的に透過させる領域と、実質的に透
過させない領域が画定されたマスクを、アルカリハライ
ド結晶材料の表面の前方に配置する。このマスクを通し
て、アルカリハライド結晶材料に放射光を照射して該ア
ルカリハライド結晶材料を加工する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アルカリハライド
結晶材料の微細加工に関する。
結晶材料の微細加工に関する。
【０００２】アルカリハライド結晶材料は、極端紫外領
域まで透明であるため、レーザ光で加工することが困難
である。アルカリハライド結晶材料を用いたマイクロマ
シンの製作のために、この結晶材料を微細加工する技術
が望まれている。
域まで透明であるため、レーザ光で加工することが困難
である。アルカリハライド結晶材料を用いたマイクロマ
シンの製作のために、この結晶材料を微細加工する技術
が望まれている。
【０００３】
【従来の技術】超短パルスレーザを用いたアブレーショ
ンにより、ＮａＣｌ結晶材料を加工する技術が報告され
ている（Ｓ．クーパー、Ｍ．ストゥク、マイクロエレク
トロニクス エンジニアリング９（１９８９）４７５〜
４８０頁）。
ンにより、ＮａＣｌ結晶材料を加工する技術が報告され
ている（Ｓ．クーパー、Ｍ．ストゥク、マイクロエレク
トロニクス エンジニアリング９（１９８９）４７５〜
４８０頁）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】レーザで加工する場合
には、集光光学系によりレーザビームを局部に集光する
ため、レーザビームの側面が円錐形状になる。加工され
た凹部の側面はこの円錐形状にほぼ沿うため、高いアス
ペクト比を得ることは困難である。ここで、アスペクト
比とは、実際に加工されたパターンの最小幅に対する凹
部の深さもしくは凸部の高さの比をいう。
には、集光光学系によりレーザビームを局部に集光する
ため、レーザビームの側面が円錐形状になる。加工され
た凹部の側面はこの円錐形状にほぼ沿うため、高いアス
ペクト比を得ることは困難である。ここで、アスペクト
比とは、実際に加工されたパターンの最小幅に対する凹
部の深さもしくは凸部の高さの比をいう。
【０００５】また、レーザによる加工では、レーザビー
ムの非均一性と干渉性により、加工された表面は不均一
なものになる。さらに、レーザビームを一点に集光する
ため、大面積の加工には適さない。
ムの非均一性と干渉性により、加工された表面は不均一
なものになる。さらに、レーザビームを一点に集光する
ため、大面積の加工には適さない。
【０００６】本発明の目的は、アルカリハライド結晶材
料の微細加工に適した加工方法を提供することである。
料の微細加工に適した加工方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、少なくともＸ線領域の連続な波長分布を有する放射
光の照射によってアルカリハライド結晶材料を加工する
方法であって、前記放射光を実質的に透過させる領域
と、実質的に透過させない領域が画定されたマスクを、
アルカリハライド結晶材料の表面の前方に配置する工程
と、前記マスクを通して、前記アルカリハライド結晶材
料に前記放射光を照射して該アルカリハライド結晶材料
を加工する工程とを有するアルカリハライド結晶材料の
加工方法が提供される。
と、少なくともＸ線領域の連続な波長分布を有する放射
光の照射によってアルカリハライド結晶材料を加工する
方法であって、前記放射光を実質的に透過させる領域
と、実質的に透過させない領域が画定されたマスクを、
アルカリハライド結晶材料の表面の前方に配置する工程
と、前記マスクを通して、前記アルカリハライド結晶材
料に前記放射光を照射して該アルカリハライド結晶材料
を加工する工程とを有するアルカリハライド結晶材料の
加工方法が提供される。
【０００８】アルカリハライド結晶材料に、少なくとも
Ｘ線領域の連続な波長分布を有する放射光を照射する
と、照射された領域がエッチングされ穴が開く。マスク
に、放射光を透過させる領域と透過させない領域をパタ
ーニングしておくことにより、アルカリハライド結晶材
料を微細加工することができる。
Ｘ線領域の連続な波長分布を有する放射光を照射する
と、照射された領域がエッチングされ穴が開く。マスク
に、放射光を透過させる領域と透過させない領域をパタ
ーニングしておくことにより、アルカリハライド結晶材
料を微細加工することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１を参照して、本発明の実施例
によるアルカリハライド結晶材料の加工方法を説明す
る。光学材料であるＮａＣｌ等のアルカリハライド結晶
材料は、近赤外から紫外域の光をほとんど吸収しない
が、Ｘ線領域で大きな光吸収を示す。シンクロトロン放
射光（ＳＲ光）のスペクトルは、Ｘ線領域に連続な波長
分布を示す。このため、ＳＲ光を用いてアルカリハライ
ド結晶材料を加工することが可能と思われる。以下、Ｓ
Ｒ光を用いてアルカリハライド結晶材料を加工する実施
例について説明する。
によるアルカリハライド結晶材料の加工方法を説明す
る。光学材料であるＮａＣｌ等のアルカリハライド結晶
材料は、近赤外から紫外域の光をほとんど吸収しない
が、Ｘ線領域で大きな光吸収を示す。シンクロトロン放
射光（ＳＲ光）のスペクトルは、Ｘ線領域に連続な波長
分布を示す。このため、ＳＲ光を用いてアルカリハライ
ド結晶材料を加工することが可能と思われる。以下、Ｓ
Ｒ光を用いてアルカリハライド結晶材料を加工する実施
例について説明する。
【００１０】図１（Ａ）は、実施例によるアルカリハラ
イド結晶材料加工時の放射光、マスク及び加工対象物の
相対位置関係を示す斜視図である。シンクロトロンに蓄
積された電子の軌道１から光軸５に沿ってＳＲ光２が放
射される。光軸５に沿った光源からの距離Ｌの位置にア
ルカリハライド結晶材料からなる加工対象物４が配置さ
れている。加工対象物４の前方には、間隔Ｇだけ離れて
マスク３が配置されている。電子軌道１、加工対象物４
及びマスク３は同一の真空容器内に配置されている。
イド結晶材料加工時の放射光、マスク及び加工対象物の
相対位置関係を示す斜視図である。シンクロトロンに蓄
積された電子の軌道１から光軸５に沿ってＳＲ光２が放
射される。光軸５に沿った光源からの距離Ｌの位置にア
ルカリハライド結晶材料からなる加工対象物４が配置さ
れている。加工対象物４の前方には、間隔Ｇだけ離れて
マスク３が配置されている。電子軌道１、加工対象物４
及びマスク３は同一の真空容器内に配置されている。
【００１１】マスク３には、ＳＲ光を実質的に透過させ
る領域と透過させない領域とが画定されている。なお、
実質的に透過させる領域とは、加工対象物を加工するの
に十分な強さのＳＲ光を透過させる領域を意味し、実質
的に透過させない領域とは、その領域をＳＲ光が透過し
ないか、または透過したとしても透過光が加工対象物を
加工しない程度の強さまで弱められるような領域を意味
する。
る領域と透過させない領域とが画定されている。なお、
実質的に透過させる領域とは、加工対象物を加工するの
に十分な強さのＳＲ光を透過させる領域を意味し、実質
的に透過させない領域とは、その領域をＳＲ光が透過し
ないか、または透過したとしても透過光が加工対象物を
加工しない程度の強さまで弱められるような領域を意味
する。
【００１２】本実施例で使用したマスクは、厚さ１０〜
５００μｍの銅板に複数本のスリットが平行に配置され
たもの、及び正方形の貫通穴が行列状に規則的に配置さ
れたものである。なお、銅以外の金属を用いてもよい。
５００μｍの銅板に複数本のスリットが平行に配置され
たもの、及び正方形の貫通穴が行列状に規則的に配置さ
れたものである。なお、銅以外の金属を用いてもよい。
【００１３】ＳＲ光２は、マスク３を介して加工対象物
４の表面に照射される。加工対象物４の表面でＳＲ光に
よるアブレーションが生じ、ＳＲ光が照射された部分が
剥離される。マスク３に微細なパターンを形成しておく
ことにより、加工対象物４の表面を微細に加工すること
ができる。
４の表面に照射される。加工対象物４の表面でＳＲ光に
よるアブレーションが生じ、ＳＲ光が照射された部分が
剥離される。マスク３に微細なパターンを形成しておく
ことにより、加工対象物４の表面を微細に加工すること
ができる。
【００１４】図１（Ｂ）は、アルカリハライド結晶材料
加工装置の加工部の断面図を示す。真空容器２０内に試
料保持台１４が配置されている。試料保持台１４の試料
保持面に加工対象物４が保持されている。マスク３が、
マスク保持手段１７により加工対象物４の前面に配置さ
れている。加工時には、図の左方からマスク３を通して
加工対象物４の表面にＳＲ光２を照射する。
加工装置の加工部の断面図を示す。真空容器２０内に試
料保持台１４が配置されている。試料保持台１４の試料
保持面に加工対象物４が保持されている。マスク３が、
マスク保持手段１７により加工対象物４の前面に配置さ
れている。加工時には、図の左方からマスク３を通して
加工対象物４の表面にＳＲ光２を照射する。
【００１５】試料保持台１４は、例えばセラミックで形
成され、内部にヒータ８が埋め込まれている。ヒータ８
のリード線が、真空容器２０の壁に取り付けられたコネ
クタ２１の容器内側の端子に接続されている。コネクタ
２１の容器外側の端子が、電源７に接続されており、電
源７からヒータ８に電流が供給される。ヒータ８に電流
を流すことにより、加工対象物４を加熱することができ
る。
成され、内部にヒータ８が埋め込まれている。ヒータ８
のリード線が、真空容器２０の壁に取り付けられたコネ
クタ２１の容器内側の端子に接続されている。コネクタ
２１の容器外側の端子が、電源７に接続されており、電
源７からヒータ８に電流が供給される。ヒータ８に電流
を流すことにより、加工対象物４を加熱することができ
る。
【００１６】試料保持台１４の試料保持面に熱電対２３
が取り付けられている。熱電対２３のリード線は、リー
ド線取出口２２を通して真空容器２０の外部に導出さ
れ、温度制御装置９に接続されている。リード線取出口
２２は、例えばハンダ付けにより気密性が保たれてい
る。温度制御装置９は、試料保持面の温度が所望の温度
になるように、電源７を制御しヒータ８を流れる電流を
調節する。
が取り付けられている。熱電対２３のリード線は、リー
ド線取出口２２を通して真空容器２０の外部に導出さ
れ、温度制御装置９に接続されている。リード線取出口
２２は、例えばハンダ付けにより気密性が保たれてい
る。温度制御装置９は、試料保持面の温度が所望の温度
になるように、電源７を制御しヒータ８を流れる電流を
調節する。
【００１７】図１（Ｃ）は、試料保持台の他の構成例を
示す。試料保持台１５の内部にガス流路１６が形成され
ている。ガス流路１６に所望の温度のガスを流してガス
と加工対象物４との熱交換を行わせ、加工対象物を所望
の温度に維持することができる。
示す。試料保持台１５の内部にガス流路１６が形成され
ている。ガス流路１６に所望の温度のガスを流してガス
と加工対象物４との熱交換を行わせ、加工対象物を所望
の温度に維持することができる。
【００１８】次に、図１に示す加工装置でアルカリハラ
イド結晶材料の微細加工を行った結果について説明す
る。赤外領域からＸ線領域までの連続した波長分布を持
つＳＲ光を用い、（１００）面が表出した厚さ１ｍｍの
シート状のＮａＣｌ板を加工した。加工対象物４と光源
との距離Ｌは３ｍである。
イド結晶材料の微細加工を行った結果について説明す
る。赤外領域からＸ線領域までの連続した波長分布を持
つＳＲ光を用い、（１００）面が表出した厚さ１ｍｍの
シート状のＮａＣｌ板を加工した。加工対象物４と光源
との距離Ｌは３ｍである。
【００１９】表面を研磨したＮａＣｌ板を試料保持台に
保持する。微細パターンが形成されたマスク３を加工対
象物４の前方に約０．５ｍｍの間隔をおいて配置する。
マスク３及び加工対象物４を配置した後、真空容器内を
７×１０-7Ｐａになるまで排気する。その後、ＮａＣｌ
板を加熱し温度を５００℃に維持する。ＳＲ光を加工対
象物４に照射する。ＳＲ光の光子密度は、加工対象物表
面において３〜９×１０15フォトン／ｓ・ｍｍ2 、照射
時間は１時間である。
保持する。微細パターンが形成されたマスク３を加工対
象物４の前方に約０．５ｍｍの間隔をおいて配置する。
マスク３及び加工対象物４を配置した後、真空容器内を
７×１０-7Ｐａになるまで排気する。その後、ＮａＣｌ
板を加熱し温度を５００℃に維持する。ＳＲ光を加工対
象物４に照射する。ＳＲ光の光子密度は、加工対象物表
面において３〜９×１０15フォトン／ｓ・ｍｍ2 、照射
時間は１時間である。
【００２０】幅１００μｍのスリットを有するマスクを
用い、上記条件で加工を行ったところ、表面に対してほ
ぼ垂直に切り立った側壁を有するアスペクト比約１０の
スリット状の穴を形成することができた。
用い、上記条件で加工を行ったところ、表面に対してほ
ぼ垂直に切り立った側壁を有するアスペクト比約１０の
スリット状の穴を形成することができた。
【００２１】図２は、最小線幅約１００μｍの格子状パ
ターンのマスクを用いて貫通孔を形成したＮａＣｌ板の
走査電子顕微鏡写真をスケッチした図である。貫通孔３
０の側面３１はＮａＣｌ板の表面に対してほぼ垂直に切
り立ち、格子状に残されたＮａＣｌ部分３２の線幅は、
厚さ方向に関してほぼ一定になっている。この場合、Ｎ
ａＣｌ板の表面における最小線幅に対する厚さの比（ア
スペクト比）は約１０になる。
ターンのマスクを用いて貫通孔を形成したＮａＣｌ板の
走査電子顕微鏡写真をスケッチした図である。貫通孔３
０の側面３１はＮａＣｌ板の表面に対してほぼ垂直に切
り立ち、格子状に残されたＮａＣｌ部分３２の線幅は、
厚さ方向に関してほぼ一定になっている。この場合、Ｎ
ａＣｌ板の表面における最小線幅に対する厚さの比（ア
スペクト比）は約１０になる。
【００２２】図３は、ＮａＣｌ板のエッチング速度を基
板温度の関数として示す。横軸は基板温度を単位℃で表
し、縦軸はエッチング速度を単位μｍ／１００ｍＡ・分
で表す。なお、実験に用いたシンクロトロンにおいてＮ
ａＣｌ板の表面における光子密度は、図１の電子軌道１
を流れる電流１ｍＡ当たり３×１０13フォトン／ｓ・ｍ
Ａ・ｍｍ2 である。電子軌道１を流れる電流を１００ｍ
Ａ〜３００ｍＡの範囲で変化させてエッチングを行っ
た。エッチング速度は、他の実験から電子軌道１を流れ
る電流にほぼ比例することが分かっている。図３の縦軸
は、電子軌道１を流れる電流１００ｍＡあたりのエッチ
ング速度であることを表している。
板温度の関数として示す。横軸は基板温度を単位℃で表
し、縦軸はエッチング速度を単位μｍ／１００ｍＡ・分
で表す。なお、実験に用いたシンクロトロンにおいてＮ
ａＣｌ板の表面における光子密度は、図１の電子軌道１
を流れる電流１ｍＡ当たり３×１０13フォトン／ｓ・ｍ
Ａ・ｍｍ2 である。電子軌道１を流れる電流を１００ｍ
Ａ〜３００ｍＡの範囲で変化させてエッチングを行っ
た。エッチング速度は、他の実験から電子軌道１を流れ
る電流にほぼ比例することが分かっている。図３の縦軸
は、電子軌道１を流れる電流１００ｍＡあたりのエッチ
ング速度であることを表している。
【００２３】図３から、ある程度の速さでエッチングを
行うためには、基板温度の好適な範囲が３００℃以上で
あることが分かる。また、基板温度を８００℃以上とす
ると、真空雰囲気中においてＮａＣｌ結晶が粉末状にな
ってしまうため、基板温度を８００℃以下とすることが
好ましい。
行うためには、基板温度の好適な範囲が３００℃以上で
あることが分かる。また、基板温度を８００℃以上とす
ると、真空雰囲気中においてＮａＣｌ結晶が粉末状にな
ってしまうため、基板温度を８００℃以下とすることが
好ましい。
【００２４】また、基板温度３００℃のとき、光子密度
を３×１０15フォトン／ｓ・ｍｍ2とすると、エッチン
グ速度が約０．２μｍ／分になる。マイクロマシン用の
加工を現実性のある時間内に行うためには、光子密度を
３×１０15フォトン／ｓ・ｍｍ2 以上とすることが好ま
しい。
を３×１０15フォトン／ｓ・ｍｍ2とすると、エッチン
グ速度が約０．２μｍ／分になる。マイクロマシン用の
加工を現実性のある時間内に行うためには、光子密度を
３×１０15フォトン／ｓ・ｍｍ2 以上とすることが好ま
しい。
【００２５】上記実施例では、ＮａＣｌ結晶材料をエッ
チングする場合を説明したが、他のアルカリハライド結
晶材料を加工することも可能であろう。（１００）面が
表出したＬｉＦ結晶材料をエッチングしたところ、光子
密度６〜９×１０15フォトン／ｓ・ｍｍ2 、基板温度５
００℃の条件でエッチング速度が約０．６μｍ／分であ
った。
チングする場合を説明したが、他のアルカリハライド結
晶材料を加工することも可能であろう。（１００）面が
表出したＬｉＦ結晶材料をエッチングしたところ、光子
密度６〜９×１０15フォトン／ｓ・ｍｍ2 、基板温度５
００℃の条件でエッチング速度が約０．６μｍ／分であ
った。
【００２６】上記実施例では、ＳＲ光を用いて加工する
場合を示したが、その他Ｘ線領域に連続した波長分布を
有する放射光を用いても、同様の加工が可能であろう。
場合を示したが、その他Ｘ線領域に連続した波長分布を
有する放射光を用いても、同様の加工が可能であろう。
【００２７】ＳＲ光は、その光軸に垂直な断面において
水平方向に長い形状を有する。例えば、本実施例で使用
したシンクロトロンでは、光源から３ｍの位置における
ビームサイズは、縦方向が約３ｍｍ、横方向が約３０ｍ
ｍである。このため、横方向に比較的広い範囲を同時に
加工することができる。縦方向に広い範囲を加工するた
めには、加工対象物４とマスク３を同時に縦方向（図１
のＺ方向）に移動すればよい。
水平方向に長い形状を有する。例えば、本実施例で使用
したシンクロトロンでは、光源から３ｍの位置における
ビームサイズは、縦方向が約３ｍｍ、横方向が約３０ｍ
ｍである。このため、横方向に比較的広い範囲を同時に
加工することができる。縦方向に広い範囲を加工するた
めには、加工対象物４とマスク３を同時に縦方向（図１
のＺ方向）に移動すればよい。
【００２８】図４は、加工対象物４とマスク３のＺ方向
移動機構を示す。試料保持台１４は、その試料保持面が
ＳＲ光２の光軸（Ｙ方向）に対してほぼ垂直になるよう
に駆動機構１０に取り付けられている。試料保持台１４
の試料保持面に加工対象物４が取り付けられており、加
工対象物４の表面から間隔Ｇを隔ててマクス３が取り付
けられている。
移動機構を示す。試料保持台１４は、その試料保持面が
ＳＲ光２の光軸（Ｙ方向）に対してほぼ垂直になるよう
に駆動機構１０に取り付けられている。試料保持台１４
の試料保持面に加工対象物４が取り付けられており、加
工対象物４の表面から間隔Ｇを隔ててマクス３が取り付
けられている。
【００２９】駆動機構１０には、ハンドル１１、１２及
び１３が取り付けられている。ハンドル１１を回転すれ
ば、試料保持台１４が図の上下方向（Ｚ方向）に移動す
る。ハンドル１１をステッピングモータで回転すること
により、ステージを所望の一定速度でＺ方向に移動する
ことができる。
び１３が取り付けられている。ハンドル１１を回転すれ
ば、試料保持台１４が図の上下方向（Ｚ方向）に移動す
る。ハンドル１１をステッピングモータで回転すること
により、ステージを所望の一定速度でＺ方向に移動する
ことができる。
【００３０】また、ハンドル１２、１３を回転すれば、
試料保持台１４はそれぞれ紙面に垂直な方向（Ｘ方向）
及びＹ方向に移動する。ハンドル１２、１３により試料
保持台１４のＸ及びＹ方向の位置を微調整することがで
きる。
試料保持台１４はそれぞれ紙面に垂直な方向（Ｘ方向）
及びＹ方向に移動する。ハンドル１２、１３により試料
保持台１４のＸ及びＹ方向の位置を微調整することがで
きる。
【００３１】ＳＲ光２を加工対象物４に照射しつつステ
ッピングモータでハンドル１１を回転させると、加工対
象物４がＺ方向に移動し、比較的大きな面積を容易に加
工することができる。
ッピングモータでハンドル１１を回転させると、加工対
象物４がＺ方向に移動し、比較的大きな面積を容易に加
工することができる。
【００３２】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
放射光を用いてアルカリハライド結晶材料を微細加工す
ることができる。
放射光を用いてアルカリハライド結晶材料を微細加工す
ることができる。
【図１】本発明の実施例によりアルカリハライド結晶材
料を加工する時の、放射光、マスク及び加工対象物の配
置を示す斜視図、及び加工装置の加工部の断面図であ
る。
料を加工する時の、放射光、マスク及び加工対象物の配
置を示す斜視図、及び加工装置の加工部の断面図であ
る。
【図２】本発明の実施例による方法で加工したＮａＣｌ
板の走査電子顕微鏡写真をスケッチした図である。
板の走査電子顕微鏡写真をスケッチした図である。
【図３】ＮａＣｌ結晶材料のエッチング速度を基板温度
の関数として示すグラフである。
の関数として示すグラフである。
【図４】加工対象物を移動させる駆動機構の側面図であ
る。
る。
１ 電子軌道 ２ ＳＲ光 ３ マスク ４ 加工対象物 ５ 光軸 ７ 電源 ８ ヒータ ９ 温度制御装置 １０ 駆動機構 １１、１２、１３ ハンドル １４、１５ 試料保持台 １６ ガス流路 １７ マスク保持手段 ２０ 真空容器 ２１ コネクタ ２２ リード線取出口 ２３ 熱電対
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくともＸ線領域の連続な波長分布を
有する放射光の照射によってアルカリハライド結晶材料
を加工する方法であって、 前記放射光を実質的に透過させる領域と、実質的に透過
させない領域が画定されたマスクを、アルカリハライド
結晶材料の表面の前方に配置する工程と、 前記マスクを通して、前記アルカリハライド結晶材料に
前記放射光を照射して該アルカリハライド結晶材料を加
工する工程とを有するアルカリハライド結晶材料の加工
方法。 - 【請求項２】 前記放射光がシンクロトロン放射光であ
る請求項１に記載のアルカリハライド結晶材料の加工方
法。 - 【請求項３】 前記加工する工程の前に、さらに、前記
アルカリハライド結晶材料を加熱する工程を含み、前記
加工する工程において、前記アルカリハライド結晶材料
よりも高い温度に維持した状態で該アルカリハライド結
晶材料に前記放射光を照射する請求項１または２に記載
のアルカリハライド結晶材料の加工方法。 - 【請求項４】 前記アルカリハライド結晶材料がＮａＣ
ｌであり、前記加熱する工程において前記アルカリハラ
イド結晶材料を３００〜８００℃の範囲まで加熱する請
求項３に記載のアルカリハライド結晶材料の加工方法。 - 【請求項５】 前記アルカリハライド結晶材料の表面に
おける前記放射光のフォトン密度が３×１０13フォトン
／ｓ・ｍｍ2 以上である請求項１〜４のいずれかに記載
のアルカリハライド結晶材料の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16314697A JP3386694B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | アルカリハライド結晶材料の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16314697A JP3386694B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | アルカリハライド結晶材料の加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117246A true JPH1117246A (ja) | 1999-01-22 |
| JP3386694B2 JP3386694B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=15768099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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1997
- 1997-06-19 JP JP16314697A patent/JP3386694B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3386694B2 (ja) | 2003-03-17 |
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