JPH11169775A - Resist coating apparatus - Google Patents

Resist coating apparatus

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JPH11169775A
JPH11169775A JP34022197A JP34022197A JPH11169775A JP H11169775 A JPH11169775 A JP H11169775A JP 34022197 A JP34022197 A JP 34022197A JP 34022197 A JP34022197 A JP 34022197A JP H11169775 A JPH11169775 A JP H11169775A
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JP
Japan
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resist
photoresist
thinner
resist supply
coating apparatus
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Application number
JP34022197A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsuhiro Fukushima
満広 福島
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance the rate of operation of a resist coating apparatus having a plurality of resist supply systems. SOLUTION: Three three-way valves 101, 102, 103 are arranged in the pipings 24 in the vicinity of the respective resist supply units 4 of first, second and third resist supply systems 1, 2, 3 being three resist supply systems supplying photoresists of different kinds and the pipings 115a, 115b, 115c of a thinner supply system 100 are connected to the three-way valves 101, 102, 103.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はレジスト塗布装置に
関し、さらに詳しくは、レジスト供給配管系の洗浄機構
に特徴を有するレジスト塗布装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist coating apparatus, and more particularly, to a resist coating apparatus characterized by a cleaning mechanism of a resist supply piping system.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置のアクティブ
マトリクス基板の製造工程においては、被処理基板、例
えば半導体ウェハやガラス等の絶縁体基板上にフォトリ
ソグラフィ技術を用いた所定のパターン形成が行われる
が、この際の、半導体ウェハ等の上面へのフォトレジス
ト塗布に、レジスト塗布装置が用いられる。
2. Description of the Related Art In a manufacturing process of an active matrix substrate of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a predetermined pattern is formed on a substrate to be processed, for example, an insulating substrate such as a semiconductor wafer or glass using a photolithography technique. However, in this case, a resist coating device is used for coating the photoresist on the upper surface of the semiconductor wafer or the like.

【0003】近年のレジスト塗布装置は、半導体ウェハ
を多数収納したウェハカセットを載置するキャリアステ
ーション部、レジストコート部、レジスト露光前のレジ
スト加熱部等で構成され、これら各部への半導体ウェハ
の搬送を自動的に行い、レジスト塗布工程終了後の半導
体ウェハは、レジスト塗布装置より、レジスト塗布装置
に接続して配置されている露光装置へと自動的に搬送さ
れる機構を有して構成されている。
A recent resist coating apparatus is composed of a carrier station section on which a wafer cassette containing a large number of semiconductor wafers is placed, a resist coating section, a resist heating section before resist exposure, and the like, and transport of the semiconductor wafer to these sections. The semiconductor wafer after the completion of the resist coating step is configured to have a mechanism for automatically transporting the semiconductor wafer from the resist coating apparatus to an exposure apparatus arranged in connection with the resist coating apparatus. I have.

【0004】また、半導体ウェハに塗布するフォトレジ
ストの種類が異なる場合に対応させるためには、レジス
トコート部とレジスト加熱部を一つのレジスト塗布ライ
ンと見なして、キャリアステーション部に複数のレジス
ト塗布ラインを接続したレジスト塗布装置もある。この
場合は、キャリアステーション部に載置されたウェハカ
セットの半導体ウェハは、塗布しようとするフォトレジ
ストによって、このフォトレジストに対応するレジスト
塗布ラインに搬送され、このレジスト塗布ラインで塗布
され、加熱処理された後の半導体ウェハは、レジスト塗
布装置に接続する露光装置の半導体ウェハの搬送部位置
へと自動的に送られる。
Further, in order to cope with the case where the type of photoresist applied to the semiconductor wafer is different, a plurality of resist application lines are provided in the carrier station section by regarding the resist coating section and the resist heating section as one resist application line. Is also available. In this case, the semiconductor wafer in the wafer cassette mounted on the carrier station is transported to the resist coating line corresponding to the photoresist by the photoresist to be coated, coated on the resist coating line, and heated. The processed semiconductor wafer is automatically sent to the position of the semiconductor wafer transfer section of the exposure apparatus connected to the resist coating apparatus.

【0005】更に、一つのレジスト塗布ラインであって
も、レジストコート部に異なる種類のフォトレジストを
供給する、複数のフォトレジスト供給系を設けること、
及び異なる種類のフォトレジストに対応してレジストの
加熱処理温度を各々設定可能なレジスト加熱部とするこ
とで、半導体ウェハに塗布するフォトレジストの種類の
異なる場合に対応可能とすることができる。
Further, a plurality of photoresist supply systems for supplying different types of photoresists to the resist coating section even in one resist coating line are provided.
In addition, by using a resist heating unit in which the heat treatment temperature of the resist can be set corresponding to different types of photoresist, it is possible to cope with different types of photoresist applied to the semiconductor wafer.

【0006】異なる種類のフォトレジストの塗布が可能
な、上述したレジスト塗布装置のどちらにおいても、複
数のレジスト供給系を設置する必要がある。ここでは、
従来の3種類のフォトレジストの塗布が可能な、3個の
レジスト塗布ラインを有するレジスト塗布装置におけ
る、レジストコート部のレジスト供給系を、図3を参照
して説明する。
In any of the above-described resist coating apparatuses capable of coating different types of photoresists, it is necessary to provide a plurality of resist supply systems. here,
Referring to FIG. 3, a description will be given of a resist supply system of a resist coating unit in a conventional resist coating apparatus having three resist coating lines capable of coating three types of photoresists.

【0007】まず、異なる種類のフォトレジストに対応
する3個のレジスト塗布ラインを有する、レジストコー
ト部におけるレジスト供給系は、図3に示すように、第
1のレジスト供給系1、第2のレジスト供給系2および
第3のレジスト供給系3があり、これら各々のレジスト
供給系1、2、3は、レジストコート部のスピンコート
部近傍に配置された、レジストを半導体ウェハ50上に
吐出するノズル部11、フォトレジスト中の固形物等を
除外するフィルタ12およびフォトレジストの吐出量を
制御するベローズポンプ等のポンプ部13とこれらを接
続する配管14と、通常スピンコート部より離れた場所
に設置された、フォトレジスト20が入った容器21と
窒素ガス(N2 ガス)を導入する配管23とフォトレジ
ストを送りだす、上述したポンプ部13に接続する、長
さLが2〜3m程度もある長い配管24の端部が取り付
けられている蓋体22とで構成されたレジスト供給ユニ
ット4とで概略構成されている。
First, as shown in FIG. 3, a resist supply system in a resist coating section having three resist application lines corresponding to different types of photoresists includes a first resist supply system 1 and a second resist supply system. There is a supply system 2 and a third resist supply system 3. Each of these resist supply systems 1, 2, and 3 is provided with a nozzle disposed near the spin coat portion of the resist coat portion for discharging a resist onto the semiconductor wafer 50. Unit 11, a filter 12 for removing solids and the like in the photoresist, a pump unit 13 such as a bellows pump for controlling the discharge amount of the photoresist, and a pipe 14 for connecting them, and are usually installed at a location away from the spin coat unit. been, feeding the tubing 23 and the photoresist introducing the photoresist 20 containers with 21 and nitrogen gas (N 2 gas), Connect to pump unit 13 was described, the length L is schematically composed of a resist supply unit 4 constituted by a lid 22 which the end of a long pipe 24 which is also approximately 2~3m is attached.

【0008】次に、上述した3個のレジスト供給系1、
2、3を持つレジスト塗布装置による半導体ウェハ50
へのレジスト塗布操作を説明する。まず、次のような初
期操作を行う。この初期操作は、まず所定圧力の窒素ガ
スを配管23よりレジスト供給ユニット4の容器21に
送り、フォトレジスト20液面に圧力を加えることで、
フォトレジスト20を配管24に送り出す。配管24か
ら送られてきたフォトレジスト20は、ポンプ部13の
駆動装置(図示せず)からの駆動電力で動作するポンプ
部13を経由して配管14に送られ、フィルタ12で固
形物等が除外された後にノズル部11より吐出される。
上述の様な操作で、種類が異なるフォトレジスト20に
よる3個のレジスト供給ユニット4よりノズル部11に
至る各々のレジスト供給系1、2、3をフォトレジスト
20で満たされた状態にし、その後ポンプ部13の動作
を停止することで初期操作が完了する。
Next, the above-mentioned three resist supply systems 1,
Semiconductor wafer 50 by a resist coating apparatus having two or three
The operation of applying resist to the substrate will be described. First, the following initial operation is performed. This initial operation is performed by first sending nitrogen gas at a predetermined pressure from the pipe 23 to the container 21 of the resist supply unit 4 and applying pressure to the liquid level of the photoresist 20.
The photoresist 20 is sent out to the pipe 24. The photoresist 20 sent from the pipe 24 is sent to the pipe 14 via the pump unit 13 operated by driving power from a driving device (not shown) of the pump unit 13, and solid matter and the like are filtered by the filter 12. After being excluded, it is discharged from the nozzle unit 11.
By the operation as described above, each of the resist supply systems 1, 2, and 3 from the three resist supply units 4 of different types of photoresists 20 to the nozzle unit 11 is filled with the photoresist 20, and then the pump The initial operation is completed by stopping the operation of the unit 13.

【0009】次に、実際に半導体ウェハ50にフォトレ
ジスト20を塗布する時は、自動搬送により半導体ウェ
ハ50がスピンコート部に送られてきた段階で、ポンプ
部13が短期間動作して、所定量のフォトレジスト20
をノズル部11より吐出させ、半導体ウェハ50上に滴
下する。その後、スピンコート部で半導体ウェハ50を
回転することで、半導体ウェハ50上に所定膜厚のフォ
トレジスト膜を形成する。
Next, when the photoresist 20 is actually applied to the semiconductor wafer 50, the pump unit 13 operates for a short period of time when the semiconductor wafer 50 is sent to the spin coat unit by automatic conveyance. Quantitative photoresist 20
Is discharged from the nozzle portion 11 and dropped on the semiconductor wafer 50. After that, a photoresist film having a predetermined thickness is formed on the semiconductor wafer 50 by rotating the semiconductor wafer 50 in the spin coating section.

【0010】上述した動作を繰り返し行い、多数枚の半
導体ウェハ50にフォトレジスト20を塗布し、例えば
第1のレジスト供給系1のレジスト供給ユニット4の容
器21内のフォトレジスト20がなくなった時点では、
フォトレジスト補給のために、まずレジスト供給ユニッ
ト4の容器21を蓋体22から取り外し、その後フォト
レジストの溶剤であるフォトレジスト溶剤、例えばシン
ナの入った、蓋体22に取り付けられるフォトレジスト
20の容器21と同様な容器を、蓋体22に取り付け、
その後フォトレジスト20の塗布操作における初期操作
と同様な操作で、シンナをノズル部11より吐出させる
ことで、第1のレジスト供給系のレジスト供給ユニット
4よりノズル部11までの配管24等の洗浄を行う。
The above operation is repeated to apply the photoresist 20 to a large number of semiconductor wafers 50. For example, when the photoresist 20 in the container 21 of the resist supply unit 4 of the first resist supply system 1 runs out, ,
In order to replenish the photoresist, first, the container 21 of the resist supply unit 4 is removed from the lid 22, and then a photoresist solvent which is a solvent for the photoresist, for example, a container of the photoresist 20 attached to the lid 22 containing a thinner. A container similar to 21 is attached to the lid 22,
Thereafter, the thinner is discharged from the nozzle unit 11 in the same operation as the initial operation in the application operation of the photoresist 20, thereby cleaning the pipe 24 and the like from the resist supply unit 4 of the first resist supply system to the nozzle unit 11. Do.

【0011】このシンナによる洗浄は、新たなフォトレ
ジストの容器のフォトレジストの成分が、前に使用した
フォトレジストの成分との混合による成分変化や、新た
なフォトレジストへの汚染を防止するためである。シン
ナによる洗浄終了後は、シンナの容器を蓋体22から取
り外した後に、新たなフォトレジストの入った容器を蓋
体22に取り付け、その後に再度上述した様なフォトレ
ジストの塗布操作を行う。
The thinner cleaning is used to prevent a change in the components of the photoresist in the new photoresist container due to mixing with the previously used photoresist components, and to prevent contamination of the new photoresist. is there. After the cleaning with the thinner, the container of the thinner is removed from the lid 22, a container containing a new photoresist is attached to the lid 22, and then the above-described photoresist coating operation is performed again.

【0012】上述した3種類のフォトレジストの塗布が
可能な、第1、第2および第3のレジスト供給系を有す
るレジスト塗布装置においては、各々のレジスト供給ユ
ニット4のフォトレジスト20が無くなって、フォトレ
ジストを補給する際は、新たなフォトレジストを補給す
る前に、上述したような配管の洗浄を行わなければなら
ず、シンナの入った容器の蓋体22への取り付けや取り
外し等の作業工数が入るために、レジスト塗布装置の稼
働率が低下するという問題があった。
In the resist coating apparatus having the first, second, and third resist supply systems capable of applying the three types of photoresists described above, the photoresist 20 of each resist supply unit 4 is eliminated. When replenishing the photoresist, the pipe must be washed as described above before replenishing a new photoresist, and the number of man-hours for attaching and detaching the container containing the thinner to and from the lid 22 is required. , There is a problem that the operating rate of the resist coating apparatus is reduced.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の3個のレジ
スト供給系を有するレジスト塗布装置においては、レジ
スト供給ユニットのフォトレジストの補給に際し、シン
ナの入った容器の蓋体への取り付けや取り外し等の作業
工数が入るために、レジスト塗布装置の稼働率が低下す
るという問題があった。本発明は、上記事情を考慮して
なされたものであり、その目的は、複数のレジスト供給
系を有するレジスト塗布装置の稼働率を向上させたレジ
スト塗布装置を提供することにある。
In the above-described conventional resist coating apparatus having three resist supply systems, when replenishing the photoresist in the resist supply unit, the container containing the thinner is attached to or detached from the lid. Therefore, there is a problem that the operation rate of the resist coating apparatus is reduced due to the increased number of work steps. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a resist coating apparatus in which the operation rate of a resist coating apparatus having a plurality of resist supply systems is improved.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明のレジスト塗布装
置は、上述の課題を解決するために提案するものであ
り、複数のレジスト供給系を有するレジスト塗布装置に
おいて、複数のレジスト供給系のレジスト供給ユニット
からフォトレジストを送り出す配管のレジスト供給ユニ
ット近傍の配管部に設けた、フォトレジストとフォトレ
ジスト溶剤との流れを切り換える、複数の切り換え手段
と、フォトレジスト溶剤供給ユニットとを有することを
特徴とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION A resist coating apparatus according to the present invention is proposed to solve the above-mentioned problem. In a resist coating apparatus having a plurality of resist supply systems, a plurality of resist supply systems are provided. It has a plurality of switching means and a photoresist solvent supply unit for switching the flow of the photoresist and the photoresist solvent, which are provided in a piping part near the resist supply unit of the piping for sending out the photoresist from the supply unit. Is what you do.

【0015】本発明によれば、上述の如き複数の切り換
え手段とフォトレジスト溶剤供給ユニットを具備するこ
とで、複数のレジスト供給系のフォトレジストの補給時
の、再補給直前に行われるフォトレジスト溶剤によるレ
ジスト供給系の洗浄を容易に行うことができ、従来のよ
うなレジスト供給ユニットへのフォトレジスト溶剤の容
器の取り付けや取り外しの作業を必要としないために、
レジスト塗布装置の稼働率を向上させることができる。
According to the present invention, by providing a plurality of switching means and a photoresist solvent supply unit as described above, when replenishing the photoresist of the plurality of resist supply systems, the photoresist solvent to be performed immediately before re-supply is performed. Cleaning of the resist supply system can be easily performed, and the work of attaching and removing the container of the photoresist solvent to the resist supply unit as in the related art is not required.
The operation rate of the resist coating device can be improved.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図3中の構成部分と同様の構成部分に
は、同一の参照符号を付すものとする。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The same components as those in FIG. 3 referred to in the description of the prior art are denoted by the same reference numerals.

【0017】実施の形態例1 本実施の形態例は、複数のレジスト供給系を有するレジ
スト塗布装置に本発明を適用した例であり、これを図1
を参照して説明する。まず、本発明のレジスト塗布装置
の複数、例えば3個のレジスト供給系は、図1に示すよ
うに、従来例と同様な第1のレジスト供給系1、第2の
レジスト供給系2および第3のレジスト供給系3と、フ
ォトレジスト溶剤供給系、例えばシンナ供給系100
と、各々のレジスト供給系1、2、3とシンナ供給系1
00との間でフォトレジストとフォトレジスト溶剤であ
るシンナとの流れを切り換える、複数の切り換え手段、
例えば3個の三方弁101、102、103とで概略構
成されている。
Embodiment 1 This embodiment is an example in which the present invention is applied to a resist coating apparatus having a plurality of resist supply systems.
This will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 1, a plurality of, for example, three resist supply systems of the resist coating apparatus according to the present invention include a first resist supply system 1, a second resist supply system 2, and a third resist supply system 2, which are the same as the conventional example. Resist supply system 3 and a photoresist solvent supply system such as a thinner supply system 100
And the respective resist supply systems 1, 2, 3 and the thinner supply system 1.
A plurality of switching means for switching the flow of the photoresist and the thinner which is a photoresist solvent between 00 and 00,
For example, the three-way valves 101, 102, and 103 are schematically configured.

【0018】上述した三方弁101、102、103
は、各々のレジスト供給系1、2、3のレジスト供給ユ
ニット4近傍の配管24の途中に設けられている。ま
た、上述したシンナ供給系100は、シンナ112の入
った容器111と、窒素ガスの配管114およびシンナ
を送り出す配管115が設けられた蓋体113とで構成
されたシンナ供給ユニット110と、上述した窒素ガス
の配管114、シンナ供給ユニット110と各々のレジ
スト供給系1、2、3の三方弁101、102、103
とを接続する、シンナ112の送り出し用の配管115
および配管115より分岐した配管115a、115
b、115cとで概略構成されている。
The above three-way valves 101, 102, 103
Is provided in the middle of a pipe 24 near the resist supply unit 4 of each of the resist supply systems 1, 2, and 3. Further, the thinner supply system 100 described above includes a container 111 containing a thinner 112, a thinner supply unit 110 including a nitrogen gas pipe 114 and a lid 113 provided with a pipe 115 for sending out the thinner, and the thinner supply unit 110 described above. Nitrogen gas pipe 114, thinner supply unit 110 and three-way valves 101, 102, 103 of respective resist supply systems 1, 2, and 3
Pipe 115 for sending out the thinner 112
And pipes 115a and 115 branched from the pipe 115
b and 115c.

【0019】次に、上述した3個のレジスト供給系を有
するレジスト塗布装置による半導体ウェハ50へのレジ
スト塗布操作を説明する。まず、従来と同様に初期操作
を行う。この初期操作は、まず三方弁101、102、
103の状態を、各々のレジスト供給系1、2、3にフ
ォトレジスト20が流れ、シンナ供給系100よりシン
ナ112が流れない状態(図1の三方弁101、10
2、103の状態)とし、その後は、従来と同様に、所
定圧力の窒素ガスを配管23よりレジスト供給ユニット
4の容器21に送り、フォトレジスト20液面に圧力を
加えることで、フォトレジスト20を配管24に送り出
す。各々のレジスト供給ユニット4より配管24を通し
て送り出されるフォトレジスト20は、三方弁101、
102、103を通り各々のポンプ部13に至り、ここ
でポンプ部13の駆動装置(図示せず)からの駆動電力
で動作するポンプ部13により、前方の配管14に送ら
れ、フィルタ12で固形物等が除外された後にノズル部
11より吐出される。この様にして、レジスト供給ユニ
ット4よりノズル部11に至る各々のレジスト供給系
1、2、3をフォトレジスト20で満たされた状態にし
て、ポンプ部13の動作を停止することで初期操作が完
了する。
Next, the operation of applying a resist to the semiconductor wafer 50 by the above-described resist applying apparatus having three resist supply systems will be described. First, an initial operation is performed as in the conventional case. This initial operation is performed first by three-way valves 101, 102,
The state of 103 is such that the photoresist 20 flows into each of the resist supply systems 1, 2, and 3 and the thinner 112 does not flow from the thinner supply system 100 (the three-way valves 101, 10 in FIG. 1).
2 and 103), and then, as in the conventional case, nitrogen gas of a predetermined pressure is sent from the pipe 23 to the container 21 of the resist supply unit 4 and pressure is applied to the photoresist 20 liquid level, so that the photoresist 20 is pressed. To the pipe 24. The photoresist 20 sent out from each resist supply unit 4 through the pipe 24 includes a three-way valve 101,
After passing through 102 and 103 to each pump section 13, the pump section 13 is operated by a driving power from a driving device (not shown) of the pump section 13 and is sent to a front pipe 14. After the objects and the like are removed, the ink is discharged from the nozzle unit 11. In this manner, the respective resist supply systems 1, 2, and 3 from the resist supply unit 4 to the nozzle unit 11 are filled with the photoresist 20, and the operation of the pump unit 13 is stopped, so that the initial operation can be performed. Complete.

【0020】次に、実際に半導体ウェハ50にフォトレ
ジスト20を塗布する時は、従来例と同様で、自動搬送
により半導体ウェハ50がスピンコート部に送られてき
た段階で、ポンプ部13が短期間動作して、所定量のフ
ォトレジスト20をノズル部11より吐出させ、半導体
ウェハ50上に滴下する。その後、スピンコート部で半
導体ウェハ50を回転することで、半導体ウェハ50上
に所定膜厚のフォトレジスト膜を形成する。
Next, when the photoresist 20 is actually applied to the semiconductor wafer 50, the pump unit 13 is turned on for a short time at the stage when the semiconductor wafer 50 is sent to the spin coat unit by automatic conveyance, as in the conventional example. During the operation, a predetermined amount of the photoresist 20 is discharged from the nozzle unit 11 and dropped on the semiconductor wafer 50. After that, a photoresist film having a predetermined thickness is formed on the semiconductor wafer 50 by rotating the semiconductor wafer 50 in the spin coating section.

【0021】上述した動作を繰り返し行い、多数枚の半
導体ウェハ50にフォトレジスト50を塗布し、例えば
第1のレジスト供給系1のレジスト供給ユニット4の容
器21内のフォトレジスト20がなくなった時点では、
レジスト補給のために、まずレジスト供給ユニット4の
容器21を蓋体22から取り外した後、三方弁101
を、例えば90°ほど反時計回りに回して、シンナ供給
系100より第1のレジスト供給系1へシンナ112が
流れる状態とする。その後、所定圧力の窒素ガスを配管
114よりシンナ供給ユニット110の容器111に送
り、シンナ112液面に圧力を加えることで、シンナ1
12を配管115に送り出す。シンナ112は、配管1
15と配管115aを通り、三方弁101を通って、第
1のレジスト供給系1に送られ、このシンナ112によ
り、第1のレジスト供給系1の三方弁101よりノズル
部11に至る配管24等の洗浄が行われる。
The above operation is repeated to apply a photoresist 50 to a large number of semiconductor wafers 50. For example, when the photoresist 20 in the container 21 of the resist supply unit 4 of the first resist supply system 1 runs out, ,
In order to replenish the resist, first, the container 21 of the resist supply unit 4 is removed from the lid 22, and then the three-way valve 101 is removed.
Is turned counterclockwise by about 90 °, for example, so that the thinner 112 flows from the thinner supply system 100 to the first resist supply system 1. Thereafter, a nitrogen gas at a predetermined pressure is sent from the pipe 114 to the container 111 of the thinner supply unit 110, and a pressure is applied to the liquid level of the thinner 112, thereby causing
12 is sent out to a pipe 115. Thinner 112 is connected to piping 1
15 and the piping 115a, the three-way valve 101, the first resist supply system 1 is sent to the first resist supply system 1, and the thinner 112 is used to connect the three-way valve 101 of the first resist supply system 1 to the nozzle unit 11 with the piping 24 and the like. Is performed.

【0022】このシンナ112による配管24等の洗浄
を行った後は、三方弁101を、例えば90°ほど時計
回りに回して元の位置とし、その後新たなフォトレジス
トの容器を蓋体22に取り付け、その後に再度上述した
様なフォトレジストの塗布操作の初期操作を行う。
After the cleaning of the pipe 24 and the like by the thinner 112, the three-way valve 101 is turned clockwise, for example, by about 90 ° to the original position, and then a new photoresist container is attached to the lid 22. Thereafter, the initial operation of the photoresist coating operation as described above is performed again.

【0023】なお、上述したシンナ112による洗浄等
は、第1のレジスト供給系1の三方弁101よりノズル
部11に至る配管24等の洗浄等しか行えないが、三方
弁101よりポンプ部13に至る、長さLが2〜3m程
度ある長い配管24部や、ポンプ部13、フィルタ1
2、ノズル部11およびこの間の配管14等の洗浄等が
できるため、新たなフォトレジストの容器のフォトレジ
ストの成分が、前に使用したフォトレジスト20の成分
と混合することでの成分変化や、新たなフォトレジスト
への汚染はほぼ問題ないレベルとすることができる。
The above-described cleaning with the thinner 112 can only clean the pipe 24 and the like from the three-way valve 101 of the first resist supply system 1 to the nozzle portion 11. 24 parts of a long pipe having a length L of about 2 to 3 m, a pump section 13 and a filter 1
2. Since it is possible to wash the nozzle portion 11 and the piping 14 therebetween, etc., the components of the photoresist in the new photoresist container are mixed with the components of the previously used photoresist 20 to change the components, Contamination of the new photoresist can be at a level that is almost no problem.

【0024】また、新たなフォトレジストの成分変化の
抑制や、新たなフォトレジストへの汚染防止を更に進め
るには、三方弁101よりレジスト供給ユニット4側に
位置する配管24の洗浄をすればよい。この洗浄は、蓋
体22に設けられた配管24の下方に、廃液用の容器を
準備し、シンナ112による第1のレジスト供給系1の
洗浄等を行った後に、この時の三方弁101の位置より
180°ほど回し、シンナ供給系100のシンナ112
を蓋体22に設けられた配管24側に流す方法で行う。
ただ、この場合は、廃液用の容器を準備するという作業
を必要とする。
Further, in order to further suppress the change of the components of the new photoresist and to prevent the contamination of the new photoresist, the pipe 24 located on the side of the resist supply unit 4 from the three-way valve 101 may be washed. . In this cleaning, a waste liquid container is prepared below the pipe 24 provided in the lid 22, and the thinner 112 is used for cleaning the first resist supply system 1. 180 degrees from the position, thinner 112 of thinner supply system 100
To the pipe 24 provided in the lid 22.
However, in this case, it is necessary to prepare a waste liquid container.

【0025】上述した3個のレジスト供給系1、2、3
を有するレジスト塗布装置においては、シンナ供給系1
00を設け、このシンナ供給系100と3個のレジスト
供給系1、2、3とを、各レジスト供給ユニット4の近
傍の各配管24の途中の三方弁101、102、103
で接続することで、フォトレジストの補給に際に行うレ
ジスト供給系1、2、3の洗浄作業が、従来のようなシ
ンナ容器のレジスト供給系1、2、3への取り付け、取
り外し等の作業を必要とせず、簡単な作業で実施でき、
レジスト塗布装置の稼働率が向上する。
The above-mentioned three resist supply systems 1, 2, 3
In a resist coating apparatus having a thinner supply system,
The thinner supply system 100 and the three resist supply systems 1, 2, 3 are connected to three-way valves 101, 102, 103 in the middle of each pipe 24 near each resist supply unit 4.
The cleaning operation of the resist supply systems 1, 2, and 3 performed at the time of replenishing the photoresist can be performed by connecting the thinner container to the resist supply systems 1, 2, and 3 as in the conventional operation. Can be implemented with simple tasks without the need for
The operation rate of the resist coating device is improved.

【0026】実施の形態例2 本実施の形態例は、複数のレジスト供給系を有するレジ
スト塗布装置に本発明を適用した例で、これを図1およ
び図2を参照して説明する。なお、本実施の形態例は、
実施の形態例1のフォトレジスト20とシンナ112と
の流れを切り換える切り換え手段のみが異なるものであ
り、実施の形態例1と同様な部分の説明は省略し、本発
明の特徴部分である切り換え手段について詳述する。
Embodiment 2 This embodiment is an example in which the present invention is applied to a resist coating apparatus having a plurality of resist supply systems, which will be described with reference to FIGS. In this embodiment,
Only the switching means for switching the flow between the photoresist 20 and the thinner 112 according to the first embodiment is different, and the description of the same parts as in the first embodiment is omitted, and the switching means which is a characteristic part of the present invention is omitted. Will be described in detail.

【0027】本発明のレジスト塗布装置のフォトレジス
ト20とシンナ112との流れを切り換える切り換え手
段120は、図2に示すように、三方弁101、10
2、103の代わりになるもので、フォトレジスト20
を送り出す配管24に設けた2個の開閉弁、例えば電気
的に開閉する電磁弁121、122と、2個の電磁弁1
21、122の間の配管124の途中に接続する、フォ
トレジスト溶剤、例えばシンナの配管、例えば115a
に設けた開閉弁、例えば電気的に開閉する電磁弁123
とで構成したものである。上述の切り換え手段120
は、実施の形態例1と同様に、レジスト供給ユニット4
近傍に設けられていて、電磁弁121に接続した配管2
4は、レジスト供給系のポンプ部13と接続し、電磁弁
122に接続した配管24は、レジスト供給ユニット4
の容器内に向かい、電磁弁123に接続した配管は、シ
ンナ供給系の配管に、例えば115a(図1参照)であ
る。
As shown in FIG. 2, the switching means 120 for switching the flow between the photoresist 20 and the thinner 112 in the resist coating apparatus according to the present invention comprises three-way valves 101, 10
It is an alternative to 2 and 103, the photoresist 20
Valves, for example, electromagnetic valves 121 and 122 that open and close electrically, and two electromagnetic valves 1
A photoresist solvent, for example, a thinner pipe, for example, 115a, connected in the middle of a pipe 124 between 21 and 122.
Valve, for example, an electromagnetic valve 123 that opens and closes electrically
It is composed of Switching means 120 described above
Is a resist supply unit 4 similar to the first embodiment.
A pipe 2 provided in the vicinity and connected to the solenoid valve 121
4 is connected to the pump unit 13 of the resist supply system, and a pipe 24 connected to the solenoid valve 122 is connected to the resist supply unit 4.
The piping connected to the solenoid valve 123 is, for example, 115a (see FIG. 1) for the thinner supply system.

【0028】次に、実施の形態例で使用した図1に示す
三方弁101、102、103の代わりに、3個の電磁
弁121、122、123による、上述した切り換え手
段120を用いた、3個のレジスト供給系を有するレジ
スト塗布装置による半導体ウェハへのレジスト塗布操作
を説明する。まず、従来と同様な初期操作を行う。この
初期操作は、まず各レジスト供給系1、2、3の切り換
え手段120の電磁弁121および電磁弁122を、電
磁弁駆動装置(図示省略)により、ON状態(開放状
態)として、その後は従来と同様な操作により、各レジ
スト供給系1、2、3をフォトレジストで満たした状態
にして初期操作を完了する。
Next, instead of the three-way valves 101, 102 and 103 shown in FIG. 1 used in the embodiment, the above-described switching means 120 using three solenoid valves 121, 122 and 123 is used. A resist coating operation on a semiconductor wafer by a resist coating apparatus having a plurality of resist supply systems will be described. First, an initial operation similar to the conventional operation is performed. In this initial operation, first, the electromagnetic valves 121 and 122 of the switching means 120 of each of the resist supply systems 1, 2, and 3 are turned on (opened) by an electromagnetic valve driving device (not shown), and thereafter, the conventional operation is performed. By the same operation as described above, the resist supply systems 1, 2, and 3 are filled with the photoresist to complete the initial operation.

【0029】次に、実際に半導体ウェハにフォトレジス
トの塗布を、従来と同様の動作により行う。フォトレジ
スト塗布動作を繰り返し行い、多数枚の半導体ウェハに
フォトレジストを塗布して、レジスト供給ユニット4の
容器21内のフォトレジストがなくなったレジスト供給
系にレジスト補給を補給する際は、まず切り換え手段1
20の電磁弁122を、電磁弁駆動装置により、OFF
状態(閉塞状態)として、その後レジスト供給ユニット
4の容器21を蓋体22から取り外す。次に、切り換え
手段120の電磁弁123を、電磁弁駆動装置により、
ON状態にした後、実施の形態例1と同様にして、シン
ナ供給系100よりレジスト供給系1へシンナ112を
流し、切り換え手段120よりノズル部11に至る配管
24等の洗浄を行う。洗浄の完了後に、電磁弁123
を、電磁弁駆動装置により、OFF状態にする。
Next, a photoresist is actually applied to the semiconductor wafer by the same operation as in the prior art. When the photoresist application operation is repeatedly performed to apply photoresist to a large number of semiconductor wafers and replenish the resist supply system in the container 21 of the resist supply unit 4 where the photoresist has run out, first, the switching means is used. 1
The 20 solenoid valves 122 are turned off by the solenoid valve driving device.
In the state (closed state), the container 21 of the resist supply unit 4 is then removed from the lid 22. Next, the electromagnetic valve 123 of the switching means 120 is operated by an electromagnetic valve driving device.
After being turned on, the thinner 112 flows from the thinner supply system 100 to the resist supply system 1 in the same manner as in the first embodiment, and the piping 24 and the like from the switching means 120 to the nozzle 11 are cleaned. After the completion of the cleaning, the solenoid valve 123
Is turned off by the solenoid valve driving device.

【0030】次に、新たなフォトレジストの容器を蓋体
22に取り付け、その後配管23より所定圧力の窒素ガ
スをレジスト供給ユニット4の容器21に導入した状態
にして、切り換え手段120の電磁弁122を、電磁弁
駆動装置により、ON状態とする。その後、上述した初
期操作を行った後、再度半導体ウェハ50へのレジスト
塗布を開始する。
Next, a new photoresist container is attached to the lid 22, and then nitrogen gas at a predetermined pressure is introduced into the container 21 of the resist supply unit 4 from the pipe 23. Is turned on by the solenoid valve driving device. Thereafter, after performing the above-described initial operation, the application of the resist to the semiconductor wafer 50 is started again.

【0031】なお、上述したシンナ112による洗浄
は、第1のレジスト供給系1の切り換え手段120より
ノズル部11に至る配管24等の洗浄しか行えないが、
切り換え手段120よりポンプ部13に至る、長さLが
2〜3m程度ある長い配管24部や、ポンプ部13、フ
ィルタ12、ノズル部11およびこの間の配管14等の
洗浄等ができるため、新たなフォトレジストの容器のフ
ォトレジストの成分が、前に使用したフォトレジスト2
0の成分との混合での成分変化や、新たなフォトレジス
トへの汚染をほぼ問題ないレベルにすることができる。
The cleaning by the thinner 112 described above can only clean the pipe 24 and the like from the switching means 120 of the first resist supply system 1 to the nozzle portion 11.
Since a long pipe 24 having a length L of about 2 to 3 m from the switching means 120 to the pump section 13, the pump section 13, the filter 12, the nozzle section 11, and the pipe 14 therebetween can be cleaned, etc. The photoresist component in the photoresist container is the photoresist 2 used previously.
Component change due to mixing with the zero component and contamination of new photoresist can be made to a level that causes almost no problem.

【0032】また、新たなフォトレジストの成分変化の
抑制や、新たなフォトレジストへの汚染防止を更に進め
るには、切り換え手段120よりレジスト供給ユニット
4側に位置する配管24の洗浄をすればよい。この洗浄
は、蓋体22に設けられた配管24の下方に、廃液用の
容器を準備し、シンナ112による第1のレジスト供給
系1の洗浄等を行った後に、電磁弁駆動装置により、電
磁弁121をOFF状態とし、続いて電磁弁122をO
N状態とすることで、シンナ供給系100のシンナ11
2を蓋体22に設けられた配管24側に流す方法で行
う。ただ、この場合は、廃液用の容器を準備するという
作業を必要とする。
Further, in order to further suppress the change in the composition of the new photoresist and to prevent the contamination of the new photoresist, the switching means 120 may clean the pipe 24 located on the resist supply unit 4 side. . In this cleaning, a container for waste liquid is prepared below the pipe 24 provided in the lid 22, and the first resist supply system 1 is cleaned by the thinner 112 and the like. The valve 121 is turned off, and then the solenoid valve 122 is turned off.
By setting the N state, the thinner 11 of the thinner supply system 100 is
2 is caused to flow through the pipe 24 provided on the lid 22. However, in this case, it is necessary to prepare a waste liquid container.

【0033】上述したレジスト塗布装置は、レジスト供
給系のフォトレジスト20とシンナ112との流れを切
り換える3個の切り換え手段120が実施の形態例1の
三方弁101、102、103と同じ機能のため、実施
の形態例1と同様な効果、即ち作業工数が低減し、レジ
スト塗布装置の稼働率が向上するという効果が得られ
る。
In the above-described resist coating apparatus, the three switching means 120 for switching the flow between the photoresist 20 and the thinner 112 of the resist supply system have the same functions as the three-way valves 101, 102, and 103 of the first embodiment. The same effect as that of the first embodiment, that is, the effect of reducing the number of work steps and improving the operation rate of the resist coating apparatus can be obtained.

【0034】以上、本発明を2例の実施の形態例により
説明したが、本発明はこの実施の形態例に何ら限定され
るものではない。例えば、本発明の実施の形態例では、
複数のレジスト供給系を3個のレジスト供給系として説
明としたが、2個のレジスト供給系や4個以上のレジス
ト供給系であってもよい。また、本発明の実施の形態例
では、フォトレジスト溶剤をシンナとして説明したが、
アセトン等の他のフォトレジスト溶剤であってもよい。
Although the present invention has been described with reference to the two embodiments, the present invention is not limited to these embodiments. For example, in the embodiment of the present invention,
Although a plurality of resist supply systems have been described as three resist supply systems, two resist supply systems or four or more resist supply systems may be used. In the embodiment of the present invention, the photoresist solvent is described as thinner,
Other photoresist solvents such as acetone may be used.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の複数のレジスト供給系を有するレジスト塗布装置は、
レジスト供給系へのフォトレジストとフォトレジスト溶
剤との流れを切り換える複数の切り換え手段と、フォト
レジスト溶剤供給ユニットを具備することで、レジスト
供給系のフォトレジストの補給時の、再補給直前に行
う、フォトレジスト溶剤によるレジスト供給系の洗浄を
容易に行うことができ、従来のようなレジスト供給ユニ
ットへのフォトレジスト溶剤の容器の取り付けや取り外
しの作業を必要としないために、レジスト塗布装置の稼
働率を向上させることができる。
As is apparent from the above description, the resist coating apparatus having a plurality of resist supply systems according to the present invention is
A plurality of switching means for switching the flow of the photoresist and the photoresist solvent to the resist supply system, and by including a photoresist solvent supply unit, when replenishing the photoresist of the resist supply system, immediately before re-supply, Since the resist supply system can be easily cleaned with the photoresist solvent and the work of attaching and removing the container for the photoresist solvent to and from the conventional resist supply unit is not required, the operation rate of the resist coating apparatus is reduced. Can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態例1の3個のレジスト供給
系を有するレジスト塗布装置におけるレジスト供給系の
概略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram of a resist supply system in a resist coating apparatus having three resist supply systems according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明を実施の形態例2の3個のレジスト供給
系を有するレジスト塗布装置における、フォトレジスト
とフォトレジスト溶剤との流れを切り換える切り換え手
段の概略図である。
FIG. 2 is a schematic view of switching means for switching the flow of a photoresist and a photoresist solvent in a resist coating apparatus having three resist supply systems according to a second embodiment of the present invention.

【図3】従来の3個のレジスト供給系を有するレジスト
塗布装置におけるレジスト供給系の概略図である。
FIG. 3 is a schematic diagram of a resist supply system in a conventional resist coating apparatus having three resist supply systems.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…第1のレジスト供給系、2…第2のレジスト供給
系、3…第3のレジスト供給系、4…レジスト供給ユニ
ット、11…ノズル部、12…フィルタ、13…ポンプ
部、14,23,24,114,115,115a,1
15b,115c,124…配管、20…フォトレジス
ト、21,111…容器、22,113…蓋体、50…
半導体ウェハ、100…シンナ供給系、101,10
2,103…三方弁、110…シンナ供給ユニット、1
12…シンナ、120…切り換え手段、121,12
2,123…電磁弁
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st resist supply system, 2 ... 2nd resist supply system, 3 ... 3rd resist supply system, 4 ... resist supply unit, 11 ... nozzle part, 12 ... filter, 13 ... pump part, 14 and 23 , 24, 114, 115, 115a, 1
15b, 115c, 124: piping, 20: photoresist, 21, 111: container, 22, 113: lid, 50:
Semiconductor wafer, 100 ... thinner supply system, 101, 10
2, 103: three-way valve, 110: thinner supply unit, 1
12: Thinner, 120: Switching means, 121, 12
2,123 ... solenoid valve

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のレジスト供給系を有するレジスト
塗布装置において、 複数の前記レジスト供給系のレジスト供給ユニットから
フォトレジストを送り出す配管のレジスト供給ユニット
近傍の配管部に設けた、前記フォトレジストとフォトレ
ジスト溶剤との流れを切り換える、複数の切り換え手段
と、 フォトレジスト溶剤供給ユニットとを有することを特徴
とするレジスト塗布装置。
1. A resist coating apparatus having a plurality of resist supply systems, wherein the photoresist and the photo resist are provided in a piping portion near a resist supply unit of a piping for sending out a photoresist from the resist supply units of the plurality of resist supply systems. A resist coating apparatus comprising: a plurality of switching means for switching a flow with a resist solvent; and a photoresist solvent supply unit.
【請求項2】 前記切り換え手段は、三方弁であること
を特徴とする、請求項1に記載のレジスト塗布装置。
2. The resist coating apparatus according to claim 1, wherein said switching means is a three-way valve.
【請求項3】 前記切り換え手段は、フォトレジストの
配管に設けた2個の開閉弁と、2個の前記開閉弁の間の
配管の途中に接続する、フォトレジスト溶剤の配管に設
けた開閉弁とで構成することを特徴とする、請求項1に
記載のレジスト塗布装置。
3. The switching means includes two on-off valves provided on a photoresist pipe, and an on-off valve provided on a photoresist solvent pipe connected in the middle of a pipe between the two on-off valves. 2. The resist coating apparatus according to claim 1, wherein the resist coating apparatus comprises:
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004074120A (en) * 2002-08-22 2004-03-11 Taikisha Ltd Paint supply equipment
CN110653131A (en) * 2018-06-29 2020-01-07 夏普株式会社 Processing liquid supply device

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