JP2000091185A - Substrate processing device and method - Google Patents

Substrate processing device and method

Info

Publication number
JP2000091185A
JP2000091185A JP25247498A JP25247498A JP2000091185A JP 2000091185 A JP2000091185 A JP 2000091185A JP 25247498 A JP25247498 A JP 25247498A JP 25247498 A JP25247498 A JP 25247498A JP 2000091185 A JP2000091185 A JP 2000091185A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
exposure
post
exposure bake
airflow
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25247498A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masami Otani
正美 大谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP25247498A priority Critical patent/JP2000091185A/en
Publication of JP2000091185A publication Critical patent/JP2000091185A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a substrate processing device and method capable of enhancing line width uniformity in a resist film after being developed. SOLUTION: A substrate W provided for heating in a heating process part HP2 as a bake part before alignment is mounted on a hot plate 50. At the time of heating, an air current of nitrogen gas is supplied from a gas blowoff hole 52a of a bake cover 52 to the substrate W. The gasflow is selectively exhausted from either an exhaust port 51 or an exhaust port 51b. Accordingly, a flow in a specific direction is formed on the substrate W at the time of heating alignment. When heating after alignment as a post-process is performed for this substrate W, a flow of the gas in an inversive direction to the specific direction at the time of heating before alignment is formed. Aspects of a temperature slope within a substrate face are mutually reversed between the aspect at the time of heating before alignment and that at the time of heating after alignment and it is possble to enhance line width uniformity in a resist film after being developed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)の表
面にレジストを塗布した後の露光前加熱処理および露光
後加熱処理を行う基板処理装置および方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk or the like (hereinafter simply referred to as "substrate"). The present invention relates to a substrate processing apparatus and method for performing a pre-exposure bake and a post-exposure bake.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、上記のような基板に対しては、
レジスト塗布処理、露光処理、現像処理およびそれらに
付随する熱処理を順次行わせることにより一連の基板処
理を達成している。すなわち、表面にフォトレジスト
(以下、単に「レジスト」という)が塗布された基板に
対しては露光処理前に露光前加熱処理(以下、「プリベ
ーク」という)が行われる。そして、その基板には露光
処理が施された後、露光後加熱処理(以下、「露光後ベ
ーク」という)が行われ、さらにその後、現像液を使用
した現像処理が施されて、基板製造が行われるのであ
る。
2. Description of the Related Art Generally, for a substrate as described above,
A series of substrate processes is achieved by sequentially performing a resist coating process, an exposure process, a development process, and a heat treatment associated therewith. That is, a pre-exposure bake (hereinafter, referred to as "pre-bake") is performed on a substrate having a surface coated with a photoresist (hereinafter, simply referred to as "resist") before exposure. Then, after the substrate is subjected to an exposure process, a post-exposure baking process (hereinafter, referred to as “post-exposure bake”) is performed, and thereafter, a development process using a developing solution is performed. It is done.

【0003】上記のうち、プリベークは、塗布されたレ
ジスト中の余分な溶媒成分を蒸発させ、レジストと基板
との密着性を強固にするために行われるものである。ま
た、露光後ベークは、露光時の光化学反応によって生じ
た生成物の触媒作用により、現像液に対する溶解速度変
化をを引き起こす化学反応を活性化する目的で行われる
ものである。
[0003] Among the above, the pre-bake is performed to evaporate an excess solvent component in the applied resist and to strengthen the adhesion between the resist and the substrate. The post-exposure bake is performed for the purpose of activating a chemical reaction that causes a change in the dissolution rate in a developer due to the catalytic action of a product generated by a photochemical reaction at the time of exposure.

【0004】これらは、いずれも基板に対し、所定温度
による所定時間の加熱処理を行うものであり、ホットプ
レートを備えた加熱処理部によって行われる。そして、
加熱処理部においては、基板の加熱に伴って、レジスト
から蒸発した溶剤が周囲へ拡散しないように、基板上に
気流を形成し、これを排気手段によって排気するように
している。
[0004] In each of these methods, a heat treatment is performed on a substrate at a predetermined temperature for a predetermined time, and is performed by a heat processing section provided with a hot plate. And
In the heat treatment section, an airflow is formed on the substrate so that the solvent evaporated from the resist does not diffuse to the surroundings as the substrate is heated, and the airflow is exhausted by the exhaust means.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、加熱処
理中の基板上に気流を形成すると基板に温度勾配が生じ
ることとなる。つまり、基板の面内において、気流の上
流側に位置する部分と下流側に位置する部分とで温度差
が生じるのである。このような温度勾配が生じると、基
板の面内温度の均一性が損なわれ、その結果、現像処理
後のレジスト膜における線巾均一性が害されることとな
る。
However, when an air current is formed on the substrate during the heat treatment, a temperature gradient is generated in the substrate. That is, a temperature difference occurs between a portion located on the upstream side of the air flow and a portion located on the downstream side in the plane of the substrate. When such a temperature gradient occurs, the uniformity of the in-plane temperature of the substrate is impaired, and as a result, the uniformity of the line width in the resist film after the development processing is impaired.

【0006】このため、従来より基板上の気流の流れを
均一化して、加熱処理時における基板の面内温度の均一
性を保つような試みがなされてきたが、近年の基板の大
口径化に伴い、基板の全面に渡って気流の流れを均一化
して、基板の面内温度の均一性を保つことは極めて困難
なこととなっていた。
For this reason, attempts have conventionally been made to make the flow of air flow over the substrate uniform so as to maintain the uniformity of the in-plane temperature of the substrate during the heat treatment. Accordingly, it has been extremely difficult to make the flow of the air current uniform over the entire surface of the substrate and to maintain the uniformity of the in-plane temperature of the substrate.

【0007】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、現像処理後のレジスト膜における線巾均一性を
向上することができる基板処理装置および方法を提供す
ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above problems, and has as its object to provide a substrate processing apparatus and method capable of improving the line width uniformity of a resist film after development processing.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は、レジスト塗布後露光前の基板に
露光前加熱処理を行う露光前ベーク部と、露光後現像前
の基板に露光後加熱処理を行う露光後ベーク部と、を備
えた基板処理装置であって、前記露光前加熱処理時にお
ける基板上の気流の流れの向きと、前記露光後加熱処理
時における前記基板上の気流の流れの向きとを逆向きと
している。
In order to solve the above-mentioned problems, a first aspect of the present invention provides a pre-exposure bake unit for performing a pre-exposure bake treatment on a substrate after resist application and before exposure, and a pre-exposure bake unit for post-exposure baking. A post-exposure bake unit for performing post-exposure baking, and a substrate processing apparatus including: a direction of airflow on the substrate during the pre-exposure baking, and a flow direction on the substrate during the post-exposure baking. The direction of the airflow is reversed.

【0009】また、請求項2の発明は、請求項1の発明
に係る基板処理装置において、前記露光前ベーク部およ
び前記露光後ベーク部のそれぞれに、加熱処理中の基板
の上方から気流を供給する供給口と、前記基板の側方に
おける一方側および他方側のそれぞれに設けられ、前記
供給された気流を排気する排気口と、前記一方側の排気
口からの排気と前記他方側の排気口からの排気とを切替
可能な切替手段と、を備えさせ、前記露光前加熱処理時
には、前記露光前ベーク部の前記一方側の排気口からの
排気を行わせるとともに、前記露光後加熱処理時には、
前記露光後ベーク部の前記他方側の排気口からの排気を
行わせている。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, an air current is supplied to each of the pre-exposure bake section and the post-exposure bake section from above the substrate being heated. Supply ports, exhaust ports provided on one side and the other side of the substrate, respectively, for exhausting the supplied airflow, exhaust from the one exhaust port, and exhaust port on the other side Switching means capable of switching between and exhaust from, and during the pre-exposure bake section, while performing the evacuation from the one side exhaust port of the pre-exposure bake section, during the post-exposure bake section,
An exhaust is performed from the other exhaust port of the post-exposure bake section.

【0010】また、請求項3の発明は、請求項1の発明
に係る基板処理装置において、前記露光前ベーク部に、
加熱処理中の基板の側方における一方側から前記基板に
気流を供給する露光前供給口と、前記供給された気流
を、前記基板の側方における他方側から排気する露光前
排気口と、を備えさせ、前記露光後ベーク部に、加熱処
理中の前記基板の前記他方側から前記基板に気流を供給
する露光後供給口と、前記供給された気流を、前記基板
の前記一方側から排気する露光後排気口と、を備えさせ
ている。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, the pre-exposure bake unit includes:
A pre-exposure supply port for supplying an airflow to the substrate from one side on the side of the substrate during the heat treatment, and a pre-exposure exhaust port for exhausting the supplied airflow from the other side beside the substrate. A post-exposure supply port for supplying an airflow to the substrate from the other side of the substrate during the heat treatment, and the supplied airflow is exhausted from the one side of the substrate to the post-exposure bake section. And a post-exposure exhaust port.

【0011】また、請求項4の発明は、基板に対して熱
処理を含む所定の処理を行う基板処理方法であって、
(a) レジスト塗布後露光前の基板上に第1の向きにて気
流を流しつつ、露光前加熱処理を行う露光前加熱工程
と、(b) 露光後現像前の前記基板上に前記第1の向きと
は逆向きの第2の向きにて気流を流しつつ、露光後加熱
処理を行う露光後加熱工程と、を備えている。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method for performing a predetermined processing including a heat treatment on a substrate,
(a) a pre-exposure heating step of performing pre-exposure baking while flowing an airflow in a first direction on the substrate after resist coating and before exposure, and (b) the first exposure process on the substrate before post-exposure development. And a post-exposure baking step of performing a post-exposure baking while flowing an airflow in a second direction opposite to the direction of b.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】<1.課題解決のための基礎とな
る知見>上述した課題、すなわち加熱処理時における気
流形成に起因した線巾均一性の低下の問題を解決すべ
く、本発明者は鋭意検討を重ねた結果、以下のような知
見を見いだしたので、まずそれについて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS <1. In order to solve the above-mentioned problem, that is, the problem of reduction in line width uniformity caused by airflow formation during heat treatment, the present inventor has conducted intensive studies, and as a result, Now that we have found such knowledge, we will explain it.

【0013】既述したように、従来より基板上の気流の
流れを均一化することによって線巾均一性を改善する試
みはなされてきたが、プリベークにおける基板上の気流
の流れと露光後ベークにおける基板上の気流の流れとの
関係については検討されていなかった。
As described above, conventionally, attempts have been made to improve the line width uniformity by making the flow of the air flow on the substrate uniform, but the flow of the air flow on the substrate in the pre-bake and the post-exposure bake have been attempted. The relationship with the flow of the air current on the substrate has not been studied.

【0014】そこで、本発明者が、その関係について調
査を行ったところ、プリベークにおける基板上の気流の
流れの向きと、露光後ベークにおける基板上の気流の流
れの向きとを逆向きとすると現像処理後のレジスト膜に
おける線巾均一性が向上することが判明したのである。
すなわち、プリベークにおける基板の向きと露光後ベー
クにおける基板の向きとは同一とし、それぞれにおける
基板上の気流の流れの向きを互いに逆向きとすると線巾
均一性が向上したのである。これは、基板の向きを同一
としたまま気流の流れの向きを逆向きとすることによっ
て、プリベークにおける基板面内の温度勾配と露光後ベ
ークにおける基板面内の温度勾配とが相互に逆の態様と
なることの影響であると考えられる。
The inventors of the present invention have investigated the relationship. As a result, when the direction of the air flow on the substrate in pre-baking and the direction of the air flow on the substrate in post-exposure baking are reversed, the development is performed. It has been found that the line width uniformity of the processed resist film is improved.
That is, when the direction of the substrate in the pre-bake is the same as the direction of the substrate in the post-exposure bake, and the direction of the air flow on the substrate is opposite to each other, the line width uniformity is improved. This is because the temperature gradient in the substrate surface during the pre-bake and the temperature gradient in the substrate surface during the post-exposure bake are opposite to each other by reversing the direction of the airflow while keeping the direction of the substrate the same. Is considered to be the effect of

【0015】本発明者は、以上のような知見に基づいて
この発明を完成させたのである。以下、図面を参照しつ
つ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
The present inventors have completed the present invention based on the above findings. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0016】<2.基板処理装置の全体構成>まず、本
発明に係る基板処理装置の全体構成について説明する。
図1は、本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す図
である。図1(a)は、基板処理装置の平面図であり、
図1(b)は、基板処理装置の正面図である。なお、図
1には、その方向関係を明確にするためXYZ直交座標
系を付している。ここでは、床面に平行な水平面をXY
面とし、鉛直方向をZ方向としている。
<2. Overall Configuration of Substrate Processing Apparatus> First, the overall configuration of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described.
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 1A is a plan view of the substrate processing apparatus,
FIG. 1B is a front view of the substrate processing apparatus. In FIG. 1, an XYZ orthogonal coordinate system is added to clarify the directional relationship. Here, the horizontal plane parallel to the floor is XY
The vertical direction is the Z direction.

【0017】図1に示すように、本実施形態において
は、基板処理装置は、基板の搬出入を行うインデクサI
Dと、基板に処理を行う複数の処理部および各処理部に
基板を搬送する基板搬送手段が配置されるユニット配置
部MPと、図示しない露光装置とユニット配置部MPと
の間で基板の搬入/搬出を行うために設けられているイ
ンターフェイスIFとから構成されている。
As shown in FIG. 1, in the present embodiment, the substrate processing apparatus comprises an indexer I which carries in and out a substrate.
D, a plurality of processing units for performing processing on the substrate, and a unit arrangement unit MP in which substrate transporting means for transporting the substrate to each processing unit are arranged, and a substrate is loaded between an exposure apparatus (not shown) and the unit arrangement unit MP. / Interface IF provided for carrying out.

【0018】ユニット配置部MPは、最下部に、レジス
ト等の処理液供給/排出のための配管等を収納するケミ
カルキャビネット11を備え、この上側であってその4
隅には、基板に液処理を施す液処理部として、基板を回
転させつつレジスト塗布処理を行う塗布処理部SC1、
SC2(スピンコータ)と、露光後の基板の現像処理を
行う現像処理部SD1、SD2(スピンデベロッパ)と
が配置されている。さらに、これらの液処理部の上側に
は、基板に熱処理を行う多段熱処理部20が装置の前部
及び後部に配置されている。なお、装置の前側(Y方向
の負の向き側)であって両塗布処理部SC1、SC2の
間には、基板処理部として、基板に純水等の洗浄液を供
給して基板を回転洗浄する洗浄処理部SS(スピンスク
ラバ)が配置されている。
The unit disposition portion MP is provided with a chemical cabinet 11 at the lowermost portion for accommodating a pipe for supplying / discharging a processing liquid such as a resist.
In the corners, as a liquid processing unit for performing liquid processing on the substrate, a coating processing unit SC1, which performs a resist coating process while rotating the substrate,
SC2 (spin coater) and development processing units SD1 and SD2 (spin developer) for developing the exposed substrate are arranged. Further, above these liquid processing units, a multi-stage heat treatment unit 20 for performing heat treatment on the substrate is disposed at the front and rear of the apparatus. A cleaning liquid such as pure water is supplied to the substrate as a substrate processing unit between the coating processing units SC1 and SC2 on the front side (negative direction side in the Y direction) of the apparatus, and the substrate is rotationally cleaned. A cleaning section SS (spin scrubber) is provided.

【0019】塗布処理部SC1、SC2や現像処理部S
D1、SD2に挟まれた装置中央部には、周囲の全処理
部にアクセスしてこれらとの間で基板の受け渡しを行う
ための基板搬送手段として、搬送ロボットTR1が配置
されている。この搬送ロボットTR1は、鉛直方向に移
動可能であるとともに中心の鉛直軸回りに回転可能とな
っている。
The coating processing units SC1, SC2 and the developing processing unit S
A transport robot TR1 is disposed in a central portion of the apparatus between D1 and SD2 as a substrate transport means for accessing all the processing units in the vicinity and transferring the substrate to and from them. The transfer robot TR1 is movable in the vertical direction and is rotatable around a central vertical axis.

【0020】なお、ユニット配置部MPの最上部には、
クリーンエアのダウンフローを形成するフィルタファン
ユニットFFUが設置されている。多段熱処理部20の
直下にも、液処理部側にクリーンエアのダウンフローを
形成するフィルタファンユニットFFUが設置されてい
る。
At the top of the unit arrangement section MP,
A filter fan unit FFU for forming a clean air downflow is provided. Immediately below the multi-stage heat treatment unit 20, a filter fan unit FFU that forms a downflow of clean air is provided on the liquid treatment unit side.

【0021】次に、図2は、図1の処理部の配置構成を
説明する図である。塗布処理部SC1の上方には、多段
熱処理部20として、6段構成の熱処理部が配置されて
いる。これらのうち、最下段より数えて1段目の位置に
は基板の冷却処理を行う冷却処理部CP1が設けられて
おり、2段目,3段目についても同様に冷却処理部CP
2,CP3が設けられている。そして、4段目には、基
板に対して密着強化処理を行う密着強化部AHが設けら
れ、5段目と6段目の位置には、基板の加熱処理を行う
ベークユニットたる加熱処理部HP1,HP2が設けら
れている。
Next, FIG. 2 is a diagram for explaining an arrangement configuration of the processing unit of FIG. Above the coating processing unit SC1, a six-stage heat treatment unit is arranged as the multi-stage heat treatment unit 20. Among them, a cooling processing unit CP1 for performing a cooling process of the substrate is provided at a position of the first stage counted from the lowest stage, and the cooling processing unit CP is similarly provided for the second and third stages.
2 and CP3. The fourth stage is provided with an adhesion strengthening unit AH for performing an adhesion strengthening process on the substrate, and the fifth and sixth stages are provided with a heat treatment unit HP1 as a bake unit for performing a heat treatment on the substrate. , HP2 are provided.

【0022】塗布処理部SC2の上方にも、多段熱処理
部20として、6段構成の熱処理部が配置されている。
これらのうち、最下段より1段目から3段目の位置には
冷却処理部CP4〜CP6が設けられており、4段目か
ら6段目の位置には加熱処理部HP3〜HP5が設けら
れている。
A heat treatment unit having a six-stage structure is disposed above the coating treatment unit SC2 as the multi-stage heat treatment unit 20.
Among these, cooling processing units CP4 to CP6 are provided at the first to third stages from the bottom, and heating processing units HP3 to HP5 are provided at the fourth to sixth stages. ing.

【0023】現像処理部SD1の上方にも、多段熱処理
部20として、4段構成の熱処理部が配置されている。
このうち、最下段より1段目,2段目の位置には冷却処
理部CP7,CP8が設けられており、3段目,4段目
の位置には加熱処理部HP6,HP7が設けられてい
る。なお、最上段側の2段は、本実施形態の装置の場
合、空状態となっているが、用途及び目的に応じて加熱
処理部や冷却処理部、又はその他の熱処理部を組み込む
ことができる。
Above the development processing section SD1, a multi-stage heat treatment section as a multi-stage heat treatment section 20 is arranged.
Of these, cooling processing units CP7 and CP8 are provided at the first and second stages from the bottom, and heating processing units HP6 and HP7 are provided at the third and fourth stages. I have. In the case of the apparatus of the present embodiment, the upper two stages are empty, but a heat treatment unit, a cooling treatment unit, or another heat treatment unit can be incorporated according to the application and purpose. .

【0024】現像処理部SD2の上方にも、多段熱処理
部20として、2段構成の熱処理部が配置されている。
このうち、最下段より1段目の位置には、冷却処理部C
P9が設けられており、2段目の位置には、基板に対し
て露光後のベーキング処理を行う露光後ベークプレート
部PEBが設けられている。この場合も、露光後ベーク
プレート部PEBより上段側は空状態となっているが、
用途及び目的に応じて加熱処理部や冷却処理部、又はそ
の他の熱処理部を組み込むことができる。
A two-stage heat treatment section is also provided above the development processing section SD2 as the multi-stage heat treatment section 20.
Of these, the cooling processing unit C
P9 is provided, and a post-exposure bake plate portion PEB for performing post-exposure baking processing on the substrate is provided at the second stage position. In this case, the upper side of the post-exposure bake plate portion PEB is empty.
A heat treatment unit, a cooling treatment unit, or another heat treatment unit can be incorporated according to the use and purpose.

【0025】そして、上記の液処理部や熱処理部間をユ
ニット配置部MPの中央部に設けられた搬送ロボットT
R1が順次に搬送することによって基板に対して所定の
処理を施すことができる。
The transfer robot T provided between the liquid processing section and the heat treatment section at the center of the unit arrangement section MP.
A predetermined process can be performed on the substrate by sequentially transporting R1.

【0026】なお、インターフェイスIFは、ユニット
配置部MPにおいてレジストの塗布が終了した基板を露
光装置側に渡したり露光後の基板を露光装置側から受け
取るべく、かかる基板を一時的にストックする機能を有
し、図示を省略しているが、搬送ロボットTR1との間
で基板を受け渡すロボットと、基板を載置するバッファ
カセットとを備えている。また、インデクサIDは、複
数の基板を収容可能なカセットを載置する載置部と、そ
のカセットと搬送ロボットTR1との間で基板の受け渡
しを行う移載ロボット(図示省略)とを備えており、未
処理基板をカセットから搬送ロボットTR1に払い出す
とともに、処理済み基板を搬送ロボットTR1から受け
取ってカセットに収納する機能を有する。
The interface IF has a function of temporarily stocking a substrate on which resist application has been completed in the unit arrangement section MP so as to transfer the substrate to the exposure apparatus or to receive an exposed substrate from the exposure apparatus. Although not shown, the robot includes a robot that transfers a substrate to and from the transfer robot TR1, and a buffer cassette that places the substrate. Further, the indexer ID includes a mounting portion for mounting a cassette capable of accommodating a plurality of substrates, and a transfer robot (not shown) for transferring substrates between the cassette and the transport robot TR1. And a function of paying out unprocessed substrates from the cassette to the transfer robot TR1, and receiving processed substrates from the transfer robot TR1 and storing the processed substrates in the cassette.

【0027】この基板処理装置における基板処理の一例
を以下の表1に示す。
Table 1 shows an example of substrate processing in this substrate processing apparatus.

【0028】[0028]

【表1】 [Table 1]

【0029】この処理順序によれば、未処理基板はイン
デクサIDから払い出されて、密着強化処理、冷却処理
およびレジスト塗布処理が行われた後、加熱処理部HP
2にてプリベークが施される(処理手順)。その後、
冷却処理の後インターフェイスIFを介して露光装置に
渡され、露光処理に供される(処理手順)。そして、
露光済みの基板はインターフェイスIFを介してユニッ
ト配置部MPに戻され、露光後ベークプレート部PEB
にて露光後ベークが施された後(処理手順)、冷却処
理、現像処理が行われ、処理済み基板として再びインデ
クサIDに戻される。すなわち、本実施形態において
は、加熱処理部HP2が露光前ベーク部に、露光後ベー
クプレート部PEBが露光後ベーク部にそれぞれ相当す
る。
According to this processing sequence, the unprocessed substrate is paid out from the indexer ID, and after the adhesion strengthening processing, the cooling processing, and the resist coating processing are performed, the heat processing section HP
Prebaking is performed in 2 (processing procedure). afterwards,
After the cooling process, it is transferred to the exposure apparatus via the interface IF and is subjected to the exposure process (processing procedure). And
The exposed substrate is returned to the unit arrangement section MP via the interface IF, and the post-exposure bake plate section PEB
After baking after exposure (processing procedure), a cooling process and a developing process are performed, and the substrate is returned to the indexer ID again as a processed substrate. That is, in the present embodiment, the heat treatment section HP2 corresponds to a pre-exposure bake section, and the post-exposure bake plate section PEB corresponds to a post-exposure bake section.

【0030】<3.露光前ベーク部および露光後ベーク
部の構成および動作>次に、露光前ベーク部たる加熱処
理部HP2および露光後ベーク部たる露光後ベークプレ
ート部PEBのそれぞれの構成および動作について説明
する。図3は加熱処理部HP2を示す概略構成図であ
り、図4は露光後ベークプレート部PEBを示す概略構
成図である。
<3. Configuration and Operation of Pre-Exposure Bake Unit and Post-Exposure Bake Unit> Next, the respective configurations and operations of the heat treatment unit HP2 as the pre-exposure bake unit and the post-exposure bake plate unit PEB as the post-exposure bake unit will be described. FIG. 3 is a schematic configuration diagram illustrating the heat processing unit HP2, and FIG. 4 is a schematic configuration diagram illustrating the post-exposure bake plate unit PEB.

【0031】図3に示す加熱処理部HP2は、基板Wを
直接または適当な間隔を開けて上面に載置するホットプ
レート50を備え、その上方に、ホットプレート50を
覆うようにベークカバー52が配置され、ベークカバー
52とホットプレート50との間に熱処理空間が形成さ
れるようになっている。また、ベークカバー52の内部
は仕切られてガス分配室が形設されており、図外のガス
供給源から供給された不活性ガス(本実施形態では窒素
ガス)を分配し、ベークカバー52の底面に設けられた
複数のガス吹出孔(供給口)52aからホットプレート
50に載置された基板Wの表面全体に均一に不活性ガス
を供給することができる構造となっている。すなわち、
基板Wの加熱処理中においては、ガス吹出孔52aが基
板Wの上方から不活性ガスの気流を供給することとな
る。また、ベークカバー52は図示しない支持機構によ
って上下方向へ移動可能とされており、ホットプレート
50を覆う熱処理位置(図3の位置)とその上方の待避
位置との間で昇降可能な構造となっている。
The heat treatment section HP2 shown in FIG. 3 includes a hot plate 50 on which the substrate W is placed directly or at an appropriate interval, and a bake cover 52 above the hot plate 50 so as to cover the hot plate 50. The heat treatment space is formed between the bake cover 52 and the hot plate 50. Further, the inside of the bake cover 52 is partitioned to form a gas distribution chamber, which distributes an inert gas (nitrogen gas in the present embodiment) supplied from a gas supply source (not shown), and The inert gas can be uniformly supplied to the entire surface of the substrate W placed on the hot plate 50 from a plurality of gas outlets (supply ports) 52a provided on the bottom surface. That is,
During the heat treatment of the substrate W, the gas blowing holes 52a supply an inert gas stream from above the substrate W. The bake cover 52 is vertically movable by a support mechanism (not shown), and has a structure capable of moving up and down between a heat treatment position (the position in FIG. 3) covering the hot plate 50 and a retreat position above the heat treatment position. ing.

【0032】ホットプレート50およびベークカバー5
2の周囲は、チャンバ54によって囲まれている。そし
て、ガス吹出孔52aから基板Wに供給された不活性ガ
スの気流を排気する排気口51a、51bがホットプレ
ート50に載置された基板Wの径方向における側方両端
側にそれぞれ設けられている。排気口51a、51b
は、それぞれ排気管53a、53bを介して三方弁59
に接続されている。さらに、三方弁59は図外の排気吸
引源に接続されるとともに、基板処理装置の制御部CT
と電気的に接続されており、制御部CTからの指示に基
づいて、排気吸引源と排気口51aとを連通させること
と、排気吸引源と排気口51bとを連通させることとを
切り替える。すなわち、ガス吹出孔52aから基板Wに
供給された気流は、制御部CTからの指示によって、排
気口51aからの排気と排気口51bからの排気とが切
り替えられるのである。なお、排気口51aと排気吸引
源とが連通している状態においては、排気口51bと排
気吸引源とは遮断されており、排気口51bから気流が
排気されることはなく、その逆の状態においても同様で
ある。
Hot plate 50 and bake cover 5
2 is surrounded by a chamber 54. Exhaust ports 51 a and 51 b for exhausting the gas flow of the inert gas supplied to the substrate W from the gas blowing holes 52 a are provided at both ends in the radial direction of the substrate W mounted on the hot plate 50. I have. Exhaust ports 51a, 51b
Is connected to the three-way valve 59 via the exhaust pipes 53a and 53b, respectively.
It is connected to the. Further, the three-way valve 59 is connected to an exhaust suction source (not shown) and the control unit CT of the substrate processing apparatus.
Is electrically connected to each other, and switches between communication between the exhaust suction source and the exhaust port 51a and communication between the exhaust suction source and the exhaust port 51b based on an instruction from the control unit CT. That is, the airflow supplied to the substrate W from the gas outlet 52a is switched between the exhaust from the exhaust port 51a and the exhaust from the exhaust port 51b according to an instruction from the control unit CT. When the exhaust port 51a is in communication with the exhaust suction source, the exhaust port 51b and the exhaust suction source are shut off, and no airflow is exhausted from the exhaust port 51b. The same applies to.

【0033】図4に示す露光後ベークプレート部PEB
の機械的な構成は上記加熱処理部HP2のそれと同一で
ある。すなわち、ホットプレート70を覆うようにベー
クカバー72が配置され、ベークカバー72の底面に設
けられた複数のガス吹出孔72aが基板Wの上方から不
活性ガスの気流を供給する。ホットプレート70および
ベークカバー72の周囲は、チャンバ74によって囲ま
れ、ガス吹出孔72aから基板Wに供給された不活性ガ
スの気流を排気する排気口71a、71bがホットプレ
ート70に載置された基板Wの径方向における側方両端
側にそれぞれ設けられている。また、排気口71a、7
1bは、それぞれ排気管73a、73bを介して三方弁
79に接続されている。三方弁79は図外の排気吸引源
に接続されるとともに、基板処理装置の制御部CTと電
気的に接続されている。そして、上記と同様に、ガス吹
出孔72aから基板Wに供給された気流は、制御部CT
からの指示によって、排気口71aからの排気と排気口
71bからの排気とが切り替えられるのである。
The post-exposure bake plate portion PEB shown in FIG.
Is the same as that of the above-mentioned heat treatment section HP2. That is, the bake cover 72 is arranged so as to cover the hot plate 70, and the plurality of gas outlets 72 a provided on the bottom surface of the bake cover 72 supply an inert gas flow from above the substrate W. The hot plate 70 and the bake cover 72 are surrounded by a chamber 74, and exhaust ports 71 a and 71 b for exhausting an air flow of the inert gas supplied to the substrate W from the gas outlets 72 a are placed on the hot plate 70. They are provided on both ends in the radial direction of the substrate W, respectively. Also, the exhaust ports 71a, 7
1b is connected to a three-way valve 79 via exhaust pipes 73a and 73b, respectively. The three-way valve 79 is connected to an exhaust suction source (not shown) and is electrically connected to the control unit CT of the substrate processing apparatus. Then, similarly to the above, the air flow supplied to the substrate W from the gas outlet 72a is controlled by the control unit CT.
Is switched between the exhaust from the exhaust port 71a and the exhaust from the exhaust port 71b.

【0034】基板処理装置における処理手順は上記表1
に示した通りであり、基板Wは処理途中において加熱処
理部HP2および露光後ベークプレート部PEBのそれ
ぞれに搬入される。このときに、搬送ロボットTR1
は、加熱処理部HP2および露光後ベークプレート部P
EBのそれぞれにおいて基板Wが同一の方向・向きとな
るように搬入を行う。なお、基板Wの方向・向きは、基
板Wに設けられたオリフラまたはノッチ等(図示省略)
によって光学的に検出するようにすればよい。例えば、
図3の加熱処理部HP2において基板Wのノッチが図中
右側となる場合は、図4の露光後ベークプレート部PE
Bにおいても基板Wのノッチが図中右側となるようにす
る。
The processing procedure in the substrate processing apparatus is shown in Table 1 above.
The substrate W is carried into each of the heat treatment section HP2 and the post-exposure bake plate section PEB during the processing. At this time, the transport robot TR1
Are the heat treatment section HP2 and the post-exposure bake plate section P
Carry-in is performed so that the substrates W are oriented in the same direction in each of the EBs. Note that the direction and orientation of the substrate W are the orientation flat or notch provided on the substrate W (not shown).
May be detected optically. For example,
In the case where the notch of the substrate W is on the right side in the drawing in the heat processing section HP2 in FIG. 3, the post-exposure bake plate section PE in FIG.
Also in B, the notch of the substrate W is on the right side in the figure.

【0035】そして、加熱処理部HP2における加熱処
理中に排気口51aからの排気が行われている場合に
は、露光後ベークプレート部PEBにおける加熱処理中
には排気口71bからの排気が行われるように、制御部
CTが三方弁59、79をそれぞれ制御するのである
(図3および図4の状態)。このときには、排気口51
bおよび排気口71aからの排気は当然に行われない。
従って、加熱処理部HP2において、ガス吹出孔52a
から基板Wに供給された気流は、排気口51aに向けて
流れ(図中右向き;図3参照)、露光後ベークプレート
部PEBにおいて、ガス吹出孔72aから基板Wに供給
された気流は、排気口71bに向けて流れる(図中左向
き;図4参照)。
When the exhaust from the exhaust port 51a is performed during the heat processing in the heat processing section HP2, the exhaust is performed from the exhaust port 71b during the heat processing in the post-exposure bake plate section PEB. As described above, the control unit CT controls the three-way valves 59 and 79, respectively (the state of FIGS. 3 and 4). At this time, the exhaust port 51
Of course, the exhaust from b and the exhaust port 71a is not performed.
Therefore, in the heat treatment section HP2, the gas blowing holes 52a
The airflow supplied to the substrate W from the substrate flows toward the exhaust port 51a (to the right in the figure; see FIG. 3). In the post-exposure bake plate portion PEB, the airflow supplied to the substrate W from the gas outlet 72a is exhausted. It flows toward the mouth 71b (leftward in the figure; see FIG. 4).

【0036】逆に、加熱処理部HP2における加熱処理
中に排気口51bからの排気が行われている場合には、
露光後ベークプレート部PEBにおける加熱処理中には
排気口71aからの排気が行われる。従って、加熱処理
部HP2において、ガス吹出孔52aから基板Wに供給
された気流は、排気口51bに向けて流れ(図中左向
き)、露光後ベークプレート部PEBにおいて、ガス吹
出孔72aから基板Wに供給された気流は、排気口71
aに向けて流れる(図中右向き)。
Conversely, when the exhaust from the exhaust port 51b is performed during the heat treatment in the heat treatment section HP2,
During the heating process in the post-exposure bake plate portion PEB, exhaust is performed from the exhaust port 71a. Therefore, in the heat treatment section HP2, the airflow supplied to the substrate W from the gas outlet 52a flows toward the exhaust port 51b (to the left in the drawing), and in the post-exposure bake plate part PEB, the gas flows from the gas outlet 72a to the substrate W. Is supplied to the exhaust port 71.
It flows toward a (rightward in the figure).

【0037】このようにすれば、加熱処理部HP2にお
ける加熱処理中の基板W上の気流の流れの向きと露光後
ベークプレート部PEBにおける加熱処理中の基板W上
の気流の流れの向きとが逆向きとなる。換言すれば、プ
リベークにおける基板W上の気流の流れの向きと、露光
後ベークにおける基板W上の気流の流れの向きとが逆向
きとなり、これによって、現像処理後の基板Wのレジス
ト膜における線巾均一性が向上するのである。
In this way, the direction of the air flow on the substrate W during the heat processing in the heat processing section HP2 and the direction of the air flow on the substrate W during the heat processing in the post-exposure bake plate section PEB are changed. The direction is reversed. In other words, the direction of the airflow on the substrate W in the pre-bake is opposite to the direction of the airflow on the substrate W in the post-exposure bake, whereby the line in the resist film of the substrate W after the development processing is formed. The width uniformity is improved.

【0038】<4.変形例>以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記実施形態では、加熱処理部
HP2および露光後ベークプレート部PEBにおいて、
基板Wの上方から不活性ガスの気流を供給し、側方の一
端側から排気することによって気流の流れを形成するよ
うにしていたが、これを基板Wの側方の一端側から気流
を供給して他端側から気流を排気するようにしてもよ
い。具体的には、図3の加熱処理部HP2において、排
気口51bとガス供給源とを連通し、排気口51bをガ
ス供給口として排気口51bから排気口51aに向けて
気流の流れを形成するようにする。また、同時に、図4
の露光後ベークプレート部PEBにおいては、排気口7
1aとガス供給源とを連通し、排気口71aをガス供給
口として排気口71aから排気口71bに向けて気流の
流れを形成するようにする。このようにしても、上記と
同様に、プリベークにおける基板W上の気流の流れの向
きと、露光後ベークにおける基板W上の気流の流れの向
きとが逆向きとなり、その結果、現像処理後の基板Wの
レジスト膜における線巾均一性が向上するのである。な
お、これを加熱処理部HP2において、排気口51aか
ら排気口51bに向けて気流の流れを形成し、露光後ベ
ークプレート部PEBにおいて、排気口71bから排気
口71aに向けて気流の流れを形成するようにしてもよ
いことは勿論である。
<4. Modifications> While the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described examples. For example, in the above embodiment, in the heat treatment section HP2 and the post-exposure bake plate section PEB,
An airflow of an inert gas is supplied from above the substrate W, and an airflow is formed by exhausting the airflow from one end of the side. However, the airflow is supplied from one end of the side of the substrate W. Alternatively, the airflow may be exhausted from the other end. Specifically, in the heat treatment section HP2 in FIG. 3, the exhaust port 51b communicates with the gas supply source, and the exhaust port 51b is used as a gas supply port to form an airflow from the exhaust port 51b toward the exhaust port 51a. To do. At the same time, FIG.
In the post-exposure bake plate portion PEB, the exhaust port 7
The gas supply source 1a is communicated with the gas supply source, and an air flow is formed from the exhaust port 71a to the exhaust port 71b using the exhaust port 71a as a gas supply port. Even in this case, similarly to the above, the direction of the airflow on the substrate W in the pre-bake is opposite to the direction of the airflow on the substrate W in the post-exposure bake, and as a result, The line width uniformity of the resist film on the substrate W is improved. In the heat treatment section HP2, an airflow is formed from the exhaust port 51a to the exhaust port 51b, and an airflow is formed in the post-exposure bake plate section PEB from the exhaust port 71b to the exhaust port 71a. Needless to say, it may be done.

【0039】すなわち、プリベークにおける基板W上の
気流の流れの向きと、露光後ベークにおける基板W上の
気流の流れの向きとが逆向きとなるような形態であれば
よいのである。
That is, it is only necessary that the airflow on the substrate W in the pre-bake and the airflow on the substrate W in the post-exposure bake have opposite directions.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1、請求項
2および請求項3の発明によれば、露光前加熱処理時に
おける基板上の気流の流れの向きと、露光後加熱処理時
における当該基板上の気流の流れの向きとを逆向きとし
ているため、露光前加熱処理時と露光後加熱処理時との
間で基板面内の温度勾配の態様が相互に逆となり、現像
処理後のレジスト膜における線巾均一性を向上すること
ができる。
As described above, according to the first, second and third aspects of the present invention, the direction of the air flow on the substrate during the pre-exposure heating process and the post-exposure heating process Since the direction of the flow of the airflow on the substrate is reversed, the temperature gradients in the substrate surface between the pre-exposure bake and the post-exposure bake are opposite to each other, and after the development process. The line width uniformity in the resist film can be improved.

【0041】また、請求項4の発明によれば、レジスト
塗布後露光前の基板上に第1の向きにて気流を流しつ
つ、露光前加熱処理を行う露光前加熱工程と、露光後現
像前の当該基板上に第1の向きとは逆向きの第2の向き
にて気流を流しつつ、露光後加熱処理を行う露光後加熱
工程と、を備えているため、露光前加熱工程と露光後加
熱工程との間で基板面内の温度勾配の態様が相互に逆と
なり、現像処理後のレジスト膜における線巾均一性を向
上することができる。
According to the fourth aspect of the present invention, a pre-exposure heating step of performing a pre-exposure heat treatment while flowing an air current in a first direction on the substrate after resist application and before exposure, A post-exposure heating step of performing a post-exposure heating process while flowing an airflow in a second direction opposite to the first direction on the substrate. The temperature gradient in the substrate surface is reversed between the heating step and the heating step, so that the line width uniformity of the resist film after the development processing can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す図
である。
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】図1の基板処理装置における処理部の配置構成
を説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating an arrangement configuration of a processing unit in the substrate processing apparatus of FIG.

【図3】露光前ベーク部である加熱処理部を示す概略構
成図である。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram illustrating a heat treatment unit that is a pre-exposure bake unit.

【図4】露光後ベーク部である露光後ベークプレート部
を示す概略構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a post-exposure bake plate section which is a post-exposure bake section.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

50、70 ホットプレート 52、72 ベークカバー 51a、51b、71a、71b 排気口 52a、72a ガス吹出孔 59 三方弁 CT 制御部 HP2 加熱処理部 PEB 露光後ベークプレート部 W 基板 50, 70 Hot plate 52, 72 Bake cover 51a, 51b, 71a, 71b Exhaust port 52a, 72a Gas outlet 59 Three-way valve CT control unit HP2 Heat treatment unit PEB Bake plate unit after exposure W substrate

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レジスト塗布後露光前の基板に露光前加
熱処理を行う露光前ベーク部と、露光後現像前の基板に
露光後加熱処理を行う露光後ベーク部と、を備えた基板
処理装置であって、 前記露光前加熱処理時における基板上の気流の流れの向
きと、前記露光後加熱処理時における前記基板上の気流
の流れの向きとを逆向きとすることを特徴とする基板処
理装置。
1. A substrate processing apparatus comprising: a pre-exposure bake unit for performing a pre-exposure bake process on a substrate before resist exposure and before exposure; and a post-exposure bake unit for performing a post-exposure bake process on the substrate before and after development. Wherein the direction of airflow on the substrate during the pre-exposure bake and the direction of airflow on the substrate during the post-exposure bake are reversed. apparatus.
【請求項2】 請求項1記載の基板処理装置において、 前記露光前ベーク部および前記露光後ベーク部のそれぞ
れは、 加熱処理中の基板の上方から気流を供給する供給口と、 前記基板の側方における一方側および他方側のそれぞれ
に設けられ、前記供給された気流を排気する排気口と、 前記一方側の排気口からの排気と前記他方側の排気口か
らの排気とを切替可能な切替手段と、を備え、 前記露光前加熱処理時には、前記露光前ベーク部の前記
一方側の排気口からの排気を行うとともに、前記露光後
加熱処理時には、前記露光後ベーク部の前記他方側の排
気口からの排気を行うことを特徴とする基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein each of the pre-exposure bake section and the post-exposure bake section includes a supply port for supplying an airflow from above the substrate being heated, and a side of the substrate. An exhaust port provided on each of one side and the other side for exhausting the supplied airflow; and a switchable switch between exhaust from the one side exhaust port and exhaust from the other side exhaust port. Means, during the pre-exposure bake section, exhausting from the one exhaust port of the pre-exposure bake section, and during the post-exposure bake section, exhausting the other side of the post-exposure bake section. A substrate processing apparatus for exhausting air from a mouth.
【請求項3】 請求項1記載の基板処理装置において、 前記露光前ベーク部は、 加熱処理中の基板の側方における一方側から前記基板に
気流を供給する露光前供給口と、 前記供給された気流を、前記基板の側方における他方側
から排気する露光前排気口と、 を備え、 前記露光後ベーク部は、 加熱処理中の前記基板の前記他方側から前記基板に気流
を供給する露光後供給口と、 前記供給された気流を、前記基板の前記一方側から排気
する露光後排気口と、を備えることを特徴とする基板処
理装置。
3. The pre-exposure bake unit according to claim 1, wherein the pre-exposure bake unit comprises: a pre-exposure supply port for supplying an airflow to the substrate from one side of a substrate being heated; A pre-exposure exhaust port for exhausting the air flow from the other side of the substrate, wherein the post-exposure bake unit supplies an air flow to the substrate from the other side of the substrate during the heat treatment. A substrate processing apparatus comprising: a rear supply port; and a post-exposure discharge port configured to discharge the supplied airflow from the one side of the substrate.
【請求項4】 基板に対して熱処理を含む所定の処理を
行う基板処理方法であって、 (a) レジスト塗布後露光前の基板上に第1の向きにて気
流を流しつつ、露光前加熱処理を行う露光前加熱工程
と、 (b) 露光後現像前の前記基板上に前記第1の向きとは逆
向きの第2の向きにて気流を流しつつ、露光後加熱処理
を行う露光後加熱工程と、を備えることを特徴とする基
板処理方法。
4. A substrate processing method for performing a predetermined processing including a heat treatment on a substrate, the method comprising: (a) applying a pre-exposure heating while flowing an airflow in a first direction on a substrate after resist application and before exposure; A pre-exposure heating step of performing a treatment, and (b) a post-exposure bake process in which a post-exposure bake is performed while flowing an airflow over the substrate before the exposure and development in a second direction opposite to the first direction. A substrate processing method, comprising: a heating step.
JP25247498A 1998-09-07 1998-09-07 Substrate processing device and method Pending JP2000091185A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25247498A JP2000091185A (en) 1998-09-07 1998-09-07 Substrate processing device and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25247498A JP2000091185A (en) 1998-09-07 1998-09-07 Substrate processing device and method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000091185A true JP2000091185A (en) 2000-03-31

Family

ID=17237894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25247498A Pending JP2000091185A (en) 1998-09-07 1998-09-07 Substrate processing device and method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000091185A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100975791B1 (en) 2003-08-11 2010-08-13 삼성전자주식회사 Apparatus for baking liquid crystal display device
JP2011114055A (en) * 2009-11-25 2011-06-09 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus, substrate processing method, and vacuum-drying device
US7980003B2 (en) * 2006-01-25 2011-07-19 Tokyo Electron Limited Heat processing apparatus and heat processing method
WO2013174107A1 (en) * 2012-05-21 2013-11-28 京东方科技集团股份有限公司 Prebaking device and exhaust method thereof

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100975791B1 (en) 2003-08-11 2010-08-13 삼성전자주식회사 Apparatus for baking liquid crystal display device
US7980003B2 (en) * 2006-01-25 2011-07-19 Tokyo Electron Limited Heat processing apparatus and heat processing method
US8782918B2 (en) 2006-01-25 2014-07-22 Tokyo Electron Limited Heat processing apparatus and heat processing method
JP2011114055A (en) * 2009-11-25 2011-06-09 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus, substrate processing method, and vacuum-drying device
KR101572699B1 (en) * 2009-11-25 2015-11-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and substrate processing method and decompression drying apparatus
WO2013174107A1 (en) * 2012-05-21 2013-11-28 京东方科技集团股份有限公司 Prebaking device and exhaust method thereof
US9234702B2 (en) 2012-05-21 2016-01-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Prebake equipment and air discharge method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100565789C (en) Heat treatment apparatus and method
JP2001176792A (en) Lithography system in semiconductor manufacturing
US6168667B1 (en) Resist-processing apparatus
JP4148346B2 (en) Heat treatment equipment
JP2006269920A (en) Heating apparatus, applying and developing apparatus and heating method
JPH1079343A (en) Processing system and application and development processing system
KR20090058774A (en) Exhaust unit and method, and apparatus for treating substrate with the exhaust unit
KR20010029949A (en) Processing system
JP4294837B2 (en) Processing system
JP2000091185A (en) Substrate processing device and method
KR20190053341A (en) Apparatus and method for treating substrates
JP2007324168A (en) Heat treatment equipment
JP3634983B2 (en) Heat treatment equipment
JP3254148B2 (en) Processing equipment
JP3723398B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2004014966A (en) Substrate-processing apparatus
JP3710979B2 (en) Substrate processing equipment
JP3688976B2 (en) Treatment liquid discharge device
JPH10177945A (en) Substrate processing device
JP2000164671A (en) Substrate processing apparatus
JP2001319845A (en) Coating developing system
JP2003347182A (en) Treatment device
JP3305215B2 (en) Gas treatment method and apparatus
JP3594819B2 (en) Substrate processing equipment
JP3962490B2 (en) Development processing apparatus and development processing method