JPH1116887A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
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- JPH1116887A JPH1116887A JP16562097A JP16562097A JPH1116887A JP H1116887 A JPH1116887 A JP H1116887A JP 16562097 A JP16562097 A JP 16562097A JP 16562097 A JP16562097 A JP 16562097A JP H1116887 A JPH1116887 A JP H1116887A
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】半導体基板１００上のゲート１０１を積
層，埋め込みした窒化ケイ素膜１０２及びＢＰＳＧ膜１
０３上にレジストマスク１０４を形成した試料に対し
て，Ｃ4Ｆ８及びＣＨ３ＯＨガス系のプラズマエッチン
グ技術によりレジストマスク１０４の開孔部から露出し
たＢＰＳＧ膜１０３をエッチング除去して窒化ケイ素膜
１０２表面にまで至るコンタクト孔１０５を形成する。 【効果】本発明により，酸化ケイ素膜をエッチングする
ときに，ＣＯガスのように毒性の高いプロセスガスを用
いることなく，下地にある窒化ケイ素膜をエッチング・
ストッパー層とした自己整合的なコンタクト孔の形成プ
ロセス等を量産に適用できる。
層，埋め込みした窒化ケイ素膜１０２及びＢＰＳＧ膜１
０３上にレジストマスク１０４を形成した試料に対し
て，Ｃ4Ｆ８及びＣＨ３ＯＨガス系のプラズマエッチン
グ技術によりレジストマスク１０４の開孔部から露出し
たＢＰＳＧ膜１０３をエッチング除去して窒化ケイ素膜
１０２表面にまで至るコンタクト孔１０５を形成する。 【効果】本発明により，酸化ケイ素膜をエッチングする
ときに，ＣＯガスのように毒性の高いプロセスガスを用
いることなく，下地にある窒化ケイ素膜をエッチング・
ストッパー層とした自己整合的なコンタクト孔の形成プ
ロセス等を量産に適用できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体基板上の酸
化ケイ素膜のエッチング方法に係り，特に酸化ケイ素膜
の直下にある酸化ケイ素膜に対して高い選択比を要求さ
れるエッチング方法に関する。
化ケイ素膜のエッチング方法に係り，特に酸化ケイ素膜
の直下にある酸化ケイ素膜に対して高い選択比を要求さ
れるエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩに用いられる酸化ケイ素系材料の
エッチング工程では，微細で且つ高いアスペクト比を有
するコンタクトホールの形成が可能であること及び，該
酸化ケイ素系材料の直下にある下地材料（窒化ケイ素，
Ｓｉ等）との高い選択比を有することが要求されてい
る。酸化ケイ素系材料のエッチングにはフルオロカーボ
ン系ガスが主に用いられている。該酸化ケイ素系材料と
下地材料との選択性は，プラズマ解離成分によるエッチ
ング反応と堆積反応等の競合により決まる。大雑把には
プラズマ中のＣ／Ｆ比が高いほど，下地材料との選択比
が高くなる傾向が確認されているが，フルオロカーボン
系ガスのみでは充分な選択比が得られていない。選択比
の向上を図る手段として，例えば特開平５−９４９７４
号公報に記載されているように，主エッチングガスであ
るフルオロカーボン系ガスの他にＣＯ添加する技術が検
討されている。添加したＣＯは解離によりＣ成分を供給
すると共にＣＯＦxの型でＦを低減し，エッチング雰囲
気中のＣ／Ｆ比を上げると考えられている。
エッチング工程では，微細で且つ高いアスペクト比を有
するコンタクトホールの形成が可能であること及び，該
酸化ケイ素系材料の直下にある下地材料（窒化ケイ素，
Ｓｉ等）との高い選択比を有することが要求されてい
る。酸化ケイ素系材料のエッチングにはフルオロカーボ
ン系ガスが主に用いられている。該酸化ケイ素系材料と
下地材料との選択性は，プラズマ解離成分によるエッチ
ング反応と堆積反応等の競合により決まる。大雑把には
プラズマ中のＣ／Ｆ比が高いほど，下地材料との選択比
が高くなる傾向が確認されているが，フルオロカーボン
系ガスのみでは充分な選択比が得られていない。選択比
の向上を図る手段として，例えば特開平５−９４９７４
号公報に記載されているように，主エッチングガスであ
るフルオロカーボン系ガスの他にＣＯ添加する技術が検
討されている。添加したＣＯは解離によりＣ成分を供給
すると共にＣＯＦxの型でＦを低減し，エッチング雰囲
気中のＣ／Ｆ比を上げると考えられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来例では，
ＣＯを添加ガスとして用いているが，ＣＯガスは人体に
は極めて猛毒であり，半導体の量産工場における使用は
安全上好ましくない。
ＣＯを添加ガスとして用いているが，ＣＯガスは人体に
は極めて猛毒であり，半導体の量産工場における使用は
安全上好ましくない。
【０００４】本発明の目的は，酸化ケイ素膜をエッチン
グするときに，毒性の高いプロセスガスを用いることな
く，下地の窒化ケイ素膜との選択比が大きいエッチング
方法を提供することにある。
グするときに，毒性の高いプロセスガスを用いることな
く，下地の窒化ケイ素膜との選択比が大きいエッチング
方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は，フルオロカ
ーボン系ガスに水素化ケイ素ガスを添加して酸化ケイ素
膜をエッチングし該酸化ケイ素膜の直下にある窒化ケイ
素膜の表面近傍でエッチングを停止する工程を含ませる
ことにより，達成される。
ーボン系ガスに水素化ケイ素ガスを添加して酸化ケイ素
膜をエッチングし該酸化ケイ素膜の直下にある窒化ケイ
素膜の表面近傍でエッチングを停止する工程を含ませる
ことにより，達成される。
【０００６】本発明では，フルオロカーボン系ガスの他
に水素化ケイ素ガス，例えばＳｉＨ4を添加しているの
でエッチング雰囲気中にＳｉ，ＳｉＨx，及びＨが解離
し，フルオロカーボン系ガスから解離したＦと反応しＳ
ｉＦ4，ＳｉＨxＦy及びＨＦの型でＦをスカベンジす
る。その結果，実効的には上述した従来例のＣＯガス添
加と同様にＣ／Ｆ比が高まり，窒化ケイ素膜に対する選
択比を大幅に上げることができる。本発明で用いる水素
化ケイ素ガスはＣＯガスに比べ毒性は小さく，半導体の
成膜工程の原料ガスとしてよく用いられている。
に水素化ケイ素ガス，例えばＳｉＨ4を添加しているの
でエッチング雰囲気中にＳｉ，ＳｉＨx，及びＨが解離
し，フルオロカーボン系ガスから解離したＦと反応しＳ
ｉＦ4，ＳｉＨxＦy及びＨＦの型でＦをスカベンジす
る。その結果，実効的には上述した従来例のＣＯガス添
加と同様にＣ／Ｆ比が高まり，窒化ケイ素膜に対する選
択比を大幅に上げることができる。本発明で用いる水素
化ケイ素ガスはＣＯガスに比べ毒性は小さく，半導体の
成膜工程の原料ガスとしてよく用いられている。
【０００７】
〔実施例１〕本発明の一実施例を図１の工程図を用いて
説明する。
説明する。
【０００８】図１において，半導体基板１００上のゲー
ト１０１を積層，埋め込みした窒化ケイ素膜１０２及び
ＢＰＳＧ膜１０３上にレジストマスク１０４を形成した
試料（図１（ａ））をエッチング装置に投入した。エッ
チング装置はロードロック式有磁場マイクロ波エッチン
グ装置を用いた。
ト１０１を積層，埋め込みした窒化ケイ素膜１０２及び
ＢＰＳＧ膜１０３上にレジストマスク１０４を形成した
試料（図１（ａ））をエッチング装置に投入した。エッ
チング装置はロードロック式有磁場マイクロ波エッチン
グ装置を用いた。
【０００９】次に， Ｃ4Ｆ８及びＳｉＨ4ガス系のプラ
ズマエッチング技術によりレジストマスク１０４の開孔
部から露出したＢＰＳＧ膜１０３をエッチング除去して
窒化ケイ素膜１０２表面にまで至るコンタクト孔１０５
を形成した（図１（ｂ））。主なエッチング条件は、ガ
ス流量Ｃ4Ｆ８：１００sccm，ＳｉＨ4：２sccm，全ガス
圧３Pa，基板温度−１０℃である。
ズマエッチング技術によりレジストマスク１０４の開孔
部から露出したＢＰＳＧ膜１０３をエッチング除去して
窒化ケイ素膜１０２表面にまで至るコンタクト孔１０５
を形成した（図１（ｂ））。主なエッチング条件は、ガ
ス流量Ｃ4Ｆ８：１００sccm，ＳｉＨ4：２sccm，全ガス
圧３Pa，基板温度−１０℃である。
【００１０】本一実施例ではＣ4Ｆ８とＳｉＨ4を用いる
ことにより，窒化ケイ素膜１０２のエッチング速度がＢ
ＰＳＧ膜１０３のエッチングに比べて１／１０〜１／５
０と小さくできる。その結果，窒化ケイ素膜１０２の膜
厚が薄くても良好なエッチング・ストッパー層となる。
ことにより，窒化ケイ素膜１０２のエッチング速度がＢ
ＰＳＧ膜１０３のエッチングに比べて１／１０〜１／５
０と小さくできる。その結果，窒化ケイ素膜１０２の膜
厚が薄くても良好なエッチング・ストッパー層となる。
【００１１】本一実施例では， ＳｉＨ4のＣ4Ｆ８に対
するガス流量比が０.０２となるように添加している
が， Ｃ4Ｆ８から解離する過剰なＦをスカベンジするた
めには，ＳｉＨ4の対Ｃ4Ｆ８流量比として０.００５〜
０.１の範囲であれば同様の効果がある。ここで，その
他のエッチング条件（全ガス圧，基板温度）についても
上記した数値に限定されることはなく，エッチング装置
及び試料に応じて調整し，最適化を図ることは可能であ
る。
するガス流量比が０.０２となるように添加している
が， Ｃ4Ｆ８から解離する過剰なＦをスカベンジするた
めには，ＳｉＨ4の対Ｃ4Ｆ８流量比として０.００５〜
０.１の範囲であれば同様の効果がある。ここで，その
他のエッチング条件（全ガス圧，基板温度）についても
上記した数値に限定されることはなく，エッチング装置
及び試料に応じて調整し，最適化を図ることは可能であ
る。
【００１２】また，本一実施例ではＣ4Ｆ８及びＳｉＨ4
によりＢＰＳＧ膜１０３の全膜厚をエッチングしている
が，窒化ケイ素膜１０２に対する高い選択比が要求され
るのは，少なくとも窒化ケイ素膜１０２近傍のＢＰＳＧ
膜１０３をエッチングするとき及び引き続くオーバー・
エッチングのときである。
によりＢＰＳＧ膜１０３の全膜厚をエッチングしている
が，窒化ケイ素膜１０２に対する高い選択比が要求され
るのは，少なくとも窒化ケイ素膜１０２近傍のＢＰＳＧ
膜１０３をエッチングするとき及び引き続くオーバー・
エッチングのときである。
【００１３】従って， ＢＰＳＧ膜１０３の最初のエッ
チングはＳｉＨ4無添加のＣ4Ｆ８系ガスでエッチングを
行い，窒化ケイ素膜１０２近傍のＢＰＳＧ膜１０３をエ
ッチングする工程及びオーバー・エッチング工程のみＳ
ｉＨ4を添加することでも上述した効果は得られる。
チングはＳｉＨ4無添加のＣ4Ｆ８系ガスでエッチングを
行い，窒化ケイ素膜１０２近傍のＢＰＳＧ膜１０３をエ
ッチングする工程及びオーバー・エッチング工程のみＳ
ｉＨ4を添加することでも上述した効果は得られる。
【００１４】また，本一実施例では， Ｃ4Ｆ８及びＳｉ
Ｈ4を用いてエッチングしているが，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａ
ｒ，Ｋｒ，及びＸｅガス等の希ガスを併せて添加しても
同様の効果がある。
Ｈ4を用いてエッチングしているが，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａ
ｒ，Ｋｒ，及びＸｅガス等の希ガスを併せて添加しても
同様の効果がある。
【００１５】また，本一実施例では， Ｃ4Ｆ８及びＳｉ
Ｈ4を用いてエッチングしているが，フルオロカーボン
系ガスとして，ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８， Ｃ4Ｆ８
の一つ以上を含め，水素化ケイ素ガスとしてＳｉＨ4，
Ｓｉ２Ｈ６の少なくとも一つ以上を含めたガス系を用い
ても同様の効果がある。
Ｈ4を用いてエッチングしているが，フルオロカーボン
系ガスとして，ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８， Ｃ4Ｆ８
の一つ以上を含め，水素化ケイ素ガスとしてＳｉＨ4，
Ｓｉ２Ｈ６の少なくとも一つ以上を含めたガス系を用い
ても同様の効果がある。
【００１６】本一実施例では，ＢＰＳＧ膜１０３をエッ
チングしているが，他の酸化ケイ素膜がＰＳＧ，ＳｉＯ
2膜或いは該積層膜であっても同様の効果がある。ま
た，窒化ケイ素膜１０２についてもＳｉ3Ｎ4膜の他にＨ
或いはＯを僅かに含有するＳｉＮ膜であっても同様の効
果がある。
チングしているが，他の酸化ケイ素膜がＰＳＧ，ＳｉＯ
2膜或いは該積層膜であっても同様の効果がある。ま
た，窒化ケイ素膜１０２についてもＳｉ3Ｎ4膜の他にＨ
或いはＯを僅かに含有するＳｉＮ膜であっても同様の効
果がある。
【００１７】また、本一実施例では有磁場マイクロ波エ
ッチング装置を用いているが、他のプラズマエッチング
装置、例えばＩＣＰ(Inductively Coupled Plasma)エッ
チング装置或いは平行平板電極を用いた高周波エッチン
グ装置であっても同様の効果が得られる。
ッチング装置を用いているが、他のプラズマエッチング
装置、例えばＩＣＰ(Inductively Coupled Plasma)エッ
チング装置或いは平行平板電極を用いた高周波エッチン
グ装置であっても同様の効果が得られる。
【００１８】〔実施例２〕本発明の他の一実施例を図２
の工程図を用いて説明する。
の工程図を用いて説明する。
【００１９】図２において，半導体基板２００上のゲー
ト２０１の上面及び側面を窒化ケイ素膜２０２で選択的
に被覆し，前記半導体基板２００の全面に成膜したＢＰ
ＳＧ膜２０３上によりレジストマスク２０４を形成した
試料（図２（ａ））をエッチング装置に投入した。エッ
チング装置はロードロック式有磁場マイクロ波エッチン
グ装置を用いた。
ト２０１の上面及び側面を窒化ケイ素膜２０２で選択的
に被覆し，前記半導体基板２００の全面に成膜したＢＰ
ＳＧ膜２０３上によりレジストマスク２０４を形成した
試料（図２（ａ））をエッチング装置に投入した。エッ
チング装置はロードロック式有磁場マイクロ波エッチン
グ装置を用いた。
【００２０】次に， Ｃ4Ｆ８及びＳｉＨ4ガス系のプラ
ズマエッチング技術によりレジストマスク２０４の開孔
部から露出したＢＰＳＧ膜２０３をエッチング除去して
窒化ケイ素膜２０２表面及び半導体基板２００上にまで
至るコンタクト孔２０５を形成した（図２（ｂ））。主
なエッチング条件は、ガス流量Ｃ4Ｆ８：１００sccm，
ＳｉＨ4：２sccm，全ガス圧３Pa，基板温度−１０℃で
ある。
ズマエッチング技術によりレジストマスク２０４の開孔
部から露出したＢＰＳＧ膜２０３をエッチング除去して
窒化ケイ素膜２０２表面及び半導体基板２００上にまで
至るコンタクト孔２０５を形成した（図２（ｂ））。主
なエッチング条件は、ガス流量Ｃ4Ｆ８：１００sccm，
ＳｉＨ4：２sccm，全ガス圧３Pa，基板温度−１０℃で
ある。
【００２１】本一実施例ではＣ4Ｆ８とＳｉＨ4を用いる
ことにより，窒化ケイ素膜１０２のエッチング速度がＢ
ＰＳＧ膜２０３のエッチングに比べて１／１０〜１／５
０と小さくできる。その結果，窒化ケイ素膜２０２の膜
厚が薄くても良好なエッチング・ストッパー層となる。
ことにより，窒化ケイ素膜１０２のエッチング速度がＢ
ＰＳＧ膜２０３のエッチングに比べて１／１０〜１／５
０と小さくできる。その結果，窒化ケイ素膜２０２の膜
厚が薄くても良好なエッチング・ストッパー層となる。
【００２２】本一実施例では,ＳｉＨ4のＣ4Ｆ８に対す
るガス流量比が０.０２となるように添加しているが，
Ｃ4Ｆ８から解離する過剰なＦをスカベンジするために
は，ＳｉＨ4の対Ｃ4Ｆ８流量比として，０.００５〜０.
１の範囲であれば同様の効果がある。
るガス流量比が０.０２となるように添加しているが，
Ｃ4Ｆ８から解離する過剰なＦをスカベンジするために
は，ＳｉＨ4の対Ｃ4Ｆ８流量比として，０.００５〜０.
１の範囲であれば同様の効果がある。
【００２３】ここで，その他のエッチング条件（全ガス
圧，基板温度）についても上記した数値に限定されるこ
とはなく，エッチング装置及び試料に応じて調整し，最
適化を図ることは可能である。
圧，基板温度）についても上記した数値に限定されるこ
とはなく，エッチング装置及び試料に応じて調整し，最
適化を図ることは可能である。
【００２４】また，上記一実施例ではＣ4Ｆ８及びＳｉ
Ｈ4によりＢＰＳＧ膜２０３の全膜厚をエッチングして
いるが，窒化ケイ素膜２０２に対する高い選択比が要求
されるのは，少なくとも窒化ケイ素膜２０２及び半導体
基板２００近傍のＢＰＳＧ膜２０３をエッチングすると
き及び引き続くオーバー・エッチングのときである。
Ｈ4によりＢＰＳＧ膜２０３の全膜厚をエッチングして
いるが，窒化ケイ素膜２０２に対する高い選択比が要求
されるのは，少なくとも窒化ケイ素膜２０２及び半導体
基板２００近傍のＢＰＳＧ膜２０３をエッチングすると
き及び引き続くオーバー・エッチングのときである。
【００２５】従って， ＢＰＳＧ膜２０３の最初のエッ
チングはＳｉＨ4無添加のＣ4Ｆ８系ガスでエッチングを
行い，窒化ケイ素膜２０２及び半導体基板２００近傍の
ＢＰＳＧ膜２０３をエッチングする工程及びオーバー・
エッチング工程のみＳｉＨ4を添加することでも上述し
た効果は得られる。
チングはＳｉＨ4無添加のＣ4Ｆ８系ガスでエッチングを
行い，窒化ケイ素膜２０２及び半導体基板２００近傍の
ＢＰＳＧ膜２０３をエッチングする工程及びオーバー・
エッチング工程のみＳｉＨ4を添加することでも上述し
た効果は得られる。
【００２６】また，本一実施例では， Ｃ4Ｆ８及びＳｉ
Ｈ4を用いてエッチングしているが，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａ
ｒ，Ｋｒ，及びＸｅガス等の希ガスを併せて添加しても
同様の効果がある。
Ｈ4を用いてエッチングしているが，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａ
ｒ，Ｋｒ，及びＸｅガス等の希ガスを併せて添加しても
同様の効果がある。
【００２７】また，本一実施例では， Ｃ4Ｆ８及びＳｉ
Ｈ4を用いてエッチングしているが，フルオロカーボン
系ガスとして，ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８， Ｃ4Ｆ８
の一つ以上を含め，水素化ケイ素ガスとしてＳｉＨ4，
Ｓｉ２Ｈ６の少なくとも一つ以上を含めたガス系を用い
ても同様の効果がある。
Ｈ4を用いてエッチングしているが，フルオロカーボン
系ガスとして，ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８， Ｃ4Ｆ８
の一つ以上を含め，水素化ケイ素ガスとしてＳｉＨ4，
Ｓｉ２Ｈ６の少なくとも一つ以上を含めたガス系を用い
ても同様の効果がある。
【００２８】本一実施例では，ＢＰＳＧ膜２０３をエッ
チングしているが，他の酸化ケイ素膜がＰＳＧ，ＳｉＯ
2膜或いは該積層膜であっても同様の効果がある。ま
た，窒化ケイ素膜１０２についてもＳｉ3Ｎ4膜の他に，
Ｈ或いはＯを僅かに含有するＳｉＮ膜であっても同様の
効果がある。
チングしているが，他の酸化ケイ素膜がＰＳＧ，ＳｉＯ
2膜或いは該積層膜であっても同様の効果がある。ま
た，窒化ケイ素膜１０２についてもＳｉ3Ｎ4膜の他に，
Ｈ或いはＯを僅かに含有するＳｉＮ膜であっても同様の
効果がある。
【００２９】また、本一実施例では有磁場マイクロ波エ
ッチング装置を用いているが、他のプラズマエッチング
装置、例えばＩＣＰ(Inductively Coupled Plasma)エッ
チング装置或いは平行平板電極を用いた高周波エッチン
グ装置であっても同様の効果が得られる。
ッチング装置を用いているが、他のプラズマエッチング
装置、例えばＩＣＰ(Inductively Coupled Plasma)エッ
チング装置或いは平行平板電極を用いた高周波エッチン
グ装置であっても同様の効果が得られる。
【００３０】
【発明の効果】本発明を用いると、ＢＰＳＧ膜等の酸化
ケイ素膜をエッチングするときに，ＣＯガスのように毒
性の高いプロセスガスを用いることなく，下地にある窒
化ケイ素膜に対して高い選択比を確保できる。
ケイ素膜をエッチングするときに，ＣＯガスのように毒
性の高いプロセスガスを用いることなく，下地にある窒
化ケイ素膜に対して高い選択比を確保できる。
【００３１】従って，窒化ケイ素膜をＢＰＳＧ膜エッチ
ング時のエッチング・ストッパー層として活かすことが
可能であり，自己整合的なコンタクト孔の形成プロセス
等に適用できる。その結果，量産工場において半導体素
子の高集積化，高性能化を進めることが可能になる。
ング時のエッチング・ストッパー層として活かすことが
可能であり，自己整合的なコンタクト孔の形成プロセス
等に適用できる。その結果，量産工場において半導体素
子の高集積化，高性能化を進めることが可能になる。
【図１】本発明の一実施例の工程図である。
【図２】本発明の他の実施例の工程図である。
１００…半導体基板、１０１…ゲート、１０２…窒化ケ
イ素膜、１０３…ＢＰＳＧ膜、１０４…レジストマス
ク、１０５…コンタクト孔、２００…半導体基板、２０
１…ゲート、２０２…窒化ケイ素膜、２０３… ＢＰＳ
Ｇ膜、２０４…レジストマスク、２０５…コンタクト
孔。
イ素膜、１０３…ＢＰＳＧ膜、１０４…レジストマス
ク、１０５…コンタクト孔、２００…半導体基板、２０
１…ゲート、２０２…窒化ケイ素膜、２０３… ＢＰＳ
Ｇ膜、２０４…レジストマスク、２０５…コンタクト
孔。
Claims (10)
- 【請求項１】半導体基板上に形成したレジストマスク開
孔部から露出した酸化ケイ素膜をエッチングする工程
が，フルオロカーボン系ガスと水素化ケイ素ガスを含む
ガスを用いてプラズマエッチングを行う工程を含むこと
を特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】半導体基板上に形成したレジストマスク開
孔部から露出した酸化ケイ素膜をエッチングし該酸化ケ
イ素膜の直下にエッチング停止層によりエッチングを停
止する工程が，フルオロカーボン系ガスと水素化ケイ素
ガスを含むガスを用いてプラズマエッチングを行う工程
を含むことを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項３】半導体基板上に形成したレジストマスク開
孔部から露出した酸化ケイ素膜をエッチングし該酸化ケ
イ素膜の直下にある窒化ケイ素膜によりエッチングを停
止する工程が，フルオロカーボン系ガスと水素化ケイ素
ガスを含むガスを用いてプラズマエッチングを行う工程
を含むことを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項４】半導体基板上に形成したレジストマスク開
孔部から露出した酸化ケイ素膜をエッチングする工程
が，フルオロカーボン系ガス，水素化ケイ素ガス及び，
希ガスを含むガスを用いてプラズマエッチングを行う工
程を含むことを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項５】半導体基板上に形成したレジストマスク開
孔部から露出した酸化ケイ素膜をエッチングし該酸化ケ
イ素膜の直下にあるエッチング停止層によりエッチング
を停止する工程が，フルオロカーボン系ガス，水素化ケ
イ素ガス及び，希ガスを含むガスを用いてプラズマエッ
チングを行う工程を含むことを特徴とするエッチング方
法。 - 【請求項６】半導体基板上に形成したレジストマスク開
孔部から露出した酸化ケイ素膜をエッチングし該酸化ケ
イ素膜の直下にある窒化ケイ素膜によりエッチングを停
止する工程が，フルオロカーボン系ガス，水素化ケイ素
ガス及び，希ガスを含むガスを用いてプラズマエッチン
グを行う工程を含むことを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項７】前記水素化ケイ素ガスとフルオロカーボン
系ガスの流量比が０.００５〜０.１の範囲にあることを
特徴とする請求項１及び請求項４記載のエッチング方
法。 - 【請求項８】前記フルオロカーボン系ガスがＣＦ４，Ｃ
２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８，Ｃ4Ｆ８の少なくとも一つ以上から
なり，水素化ケイ素ガスがＳｉＨ4， Ｓｉ２Ｈ６の少な
くとも一つ以上からなることを特徴とする請求項１乃至
請求項３記載のエッチング方法。 - 【請求項９】前記希ガスがＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，及
びＸｅガスの少なくとも一つ以上からなることを特徴と
する請求項４乃至請求項６記載のエッチング方法。 - 【請求項１０】前記酸化ケイ素膜がＢＰＳＧ，ＰＳＧ，
ＳｉＯ2膜の何れかを含んでおり，前記窒化ケイ素膜が
Ｓｉ3Ｎ4膜であることを特徴とする請求項３及び請求項
６記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16562097A JPH1116887A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16562097A JPH1116887A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116887A true JPH1116887A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15815830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16562097A Pending JPH1116887A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1116887A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003107410A3 (en) * | 2002-06-14 | 2004-04-15 | Lam Res Corp | METHOD FOR ENGRAVING DIELECTRIC LAYERS WITH A RESERVE LAYER AND / OR AN ENGRAVING PROFILE HAVING IMPROVED CHARACTERISTICS |
| GB2562498A (en) * | 2017-05-16 | 2018-11-21 | Novanta Tech Uk Limited | Machining spindles with AC induction motors and shafts for such spindles |
-
1997
- 1997-06-23 JP JP16562097A patent/JPH1116887A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2003107410A3 (en) * | 2002-06-14 | 2004-04-15 | Lam Res Corp | METHOD FOR ENGRAVING DIELECTRIC LAYERS WITH A RESERVE LAYER AND / OR AN ENGRAVING PROFILE HAVING IMPROVED CHARACTERISTICS |
| US7547635B2 (en) | 2002-06-14 | 2009-06-16 | Lam Research Corporation | Process for etching dielectric films with improved resist and/or etch profile characteristics |
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| GB2562498A (en) * | 2017-05-16 | 2018-11-21 | Novanta Tech Uk Limited | Machining spindles with AC induction motors and shafts for such spindles |
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