JPH1116677A - エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 - Google Patents
エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法Info
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- JPH1116677A JPH1116677A JP9168773A JP16877397A JPH1116677A JP H1116677 A JPH1116677 A JP H1116677A JP 9168773 A JP9168773 A JP 9168773A JP 16877397 A JP16877397 A JP 16877397A JP H1116677 A JPH1116677 A JP H1116677A
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Abstract
ンス素子、特に長時間の連続した安定な高輝度発光を実
現したエレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びに
その製造法を提供することにある。 【解決手段】 第1陽極、第1陰極及び該第1陽極と第
1陰極との間に配置した第1エレクトロ・ルミネセンス
物質を有する第1エレクトロ・ルミネセンス体、並び
に、該第1エレクトロ・ルミネセンス体と重なり合せて
設けた第2陽極、第2陰極及び該第2陽極と第2陰極と
の間に配置した第2エレクトロ・ルミネセンス物質を有
する第2エレクトロ・ルミネセンス体を有し、第1陽極
と第2陽極とを接続させ、第1陰極と第2陰極とを接続
させてなるエレクトロ・ルミネセンス素子。
Description
ネセンス素子及び装置、並びに、その製造法に関し、特
に、長時間に亙った安定で、且つ高輝度発光を実現した
有機エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びに、
その製造法に関する。
例えば特開平6−256759号公報、特開平6−13
6360号公報、特開平6−188074号公報、特開
平6−192654号公報や特開平8−41452号公
報に開示されたものが知られている。
ンスは、例えば特開平8−241048号公報に記載の
薄膜トランジスタによって駆動することが知られてい
る。
レクトロ・ルミネセンスの発光輝度は、ブラウン管に代
表されるCRT(冷陰極管)と比較して、充分ではなか
った。
特に僅かの水分を含む大気に晒されるだけで、発光時間
が大幅に短縮されてしまい、この事が実用化の上で、大
きな障害となっていた。
緑色及び青色の三原色の発光を必要とするため、それぞ
れの色を発光する3種の有機エレクトロ・ルミネセンス
膜を用意し、カラーフィルターの製造プロセス技術など
で使用されているフォトリソプロセスを採用することに
よって、所定のパターニングされた有機エレクトロ・ル
ミネセンス素子を作成することが行なわれていたが、フ
ォトリソプロセスは、大気中で実施することが必要であ
り、さらにこのプロセスは、湿式である場合が多いの
で、実質上、有機エレクトロ・ルミネセンスには、フォ
トリソプロセスによるパターニングを採用できない、と
いう問題点を有していた。
ることができるエレクトロ・ルミネセンス素子の実用化
は、なされていないのが現状であった。
レクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造
法を提供することにある。
レクトロ・ルミネセンスを同一基板上に形成することが
でき、同時に、長時間の連続した安定な高輝度発光を実
現したエレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びに
その製造法を提供することにある。
レクトロ・ルミネセンスを同一基板上に形成する時、全
工程にわたって、大気に晒すことなく、真空中、減圧空
間内又は乾燥窒素雰囲気中で、実施できる様になした有
機エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びに、そ
の製造法を提供することにある。
陽極、第1陰極及び該第1陽極と第1陰極との間に配置
した第1エレクトロ・ルミネセンス物質を有する第1エ
レクトロ・ルミネセンス体、並びに、該第1エレクトロ
・ルミネセンス体と重なり合せて設けた第2陽極、第2
陰極及び該第2陽極と第2陰極との間に配置した第2エ
レクトロ・ルミネセンス物質を有する第2エレクトロ・
ルミネセンス体を有し、第1陽極と第2陽極とを接続さ
せ、第1陰極と第2陰極とを接続させてなるエレクトロ
・ルミネセンス素子に、第1の特徴を有し、第2に、第
1電極、該第1電極に接続して配置した第1エレクトロ
・ルミネセンス物質及び該第1エレクトロ・ルミネセン
ス物質に接続して配置した第2電極を有する第1エレク
トロ・ルミネセンス体、並びに、該第1エレクトロ・ル
ミネセンス体の第2電極と絶縁層をはさんで重なり合せ
て設けた第3電極、該第3電極に接続させて配置した第
2エレクトロ・ルミネセンス物質及び該第2エレクトロ
・ルミネセンス物質に接続して配置した第4電極を有す
る第2エレクトロ・ルミネセンス体を有し、第1電極と
第3電極とを及び第2電極と第4電極とを接続させ、第
1電極と第4電極とを及び第2電極と第3電極とを絶縁
させてなるエレクトロ・ルミネセンス素子に、第2の特
徴を有し、第3に、複数の行及び複数の列に沿って配置
したエレクトロ・ルミネセンス素子を有するエレクトロ
・ルミネセンス装置であって、前記エレクトロ・ルミネ
センス素子は、第1電極、該第1電極に接続して配置し
た第1エレクトロ・ルミネセンス物質及び該第1エレク
トロ・ルミネセンス物質に接続して配置した第2電極を
有する第1エレクトロ・ルミネセンス体、並びに、該第
1エレクトロ・ルミネセンス体の第2電極と絶縁層をは
さんで重なり合せて設けた第3電極、該第3電極に接続
させて配置した第2エレクトロ・ルミネセンス物質及び
該第2エレクトロ・ルミネセンス物質に接続して配置し
た第4電極を有する第2エレクトロ・ルミネセンス体を
有し、第1電極と第3電極とを及び第2電極と第4電極
とを接続させ、第1電極と第4電極とを及び第2電極と
第3電極とを絶縁させてなる素子構造を有し、該装置
は、前記行上のエレクトロ・ルミネセンス素子の第1電
極を共通に接続させる第1配線及び該第1配線を駆動す
る第1駆動手段を有し、前記列上のエレクトロ・ルミネ
センス素子の第4電極を共通に接続させる第2配線及び
該第2配線を駆動する第2駆動手段を有するエレクトロ
・ルミネセンス装置に、第3の特徴を有し、第4に、複
数の行及び複数の列に沿って配置したエレクトロ・ルミ
ネセンス素子、該エレクトロ・ルミネセンス素子毎に接
続させて設けたスイッチング素子、行上スイッチング素
子のゲートを共通に接続させてなるゲート配線、並び
に、列上のスイッチング素子のソースを共通に接続させ
てなるソース配線を有するエレクトロ・ルミネセンス装
置であって、前記エレクトロ・ルミネセンス素子は、第
1電極、該第1電極に接続して配置した第1エレクトロ
・ルミネセンス物質及び該第1エレクトロルミネセンス
物質に接続して配置した第2電極を有する第1エレクト
ロ・ルミネセンス体、並びに、該第1エレクトロ・ルミ
ネセンス体の第2電極と絶縁層をはさんで重なり合せて
設けた第3電極、該第3電極に接続させて配置した第2
エレクトロ・ルミネセンス物質及び該第2エレクトロ・
ルミネセンス物質に接続して配置した第4電極を有する
第2エレクトロ・ルミネセンス体を有し、第1電極と第
3電極とを及び第2電極と第4電極とを接続させ、第1
電極と第4電極とを及び第2電極と第3電極とを絶縁さ
せてなる素子構造を有し、該装置は、前記スイッチング
素子のドレイン毎にエレクトロ・ルミネセンス素子の第
1電極を接続させ、前記エレクトロ・ルミネセンス素子
の第4電極を共通に接続させる共通配線を有するエレク
トロ・ルミネセンス装置に、第4の特徴を有し、第5
に、第1結晶シリコン基板の表面を多孔質化させ、第1
多孔質シリコン膜を形成し、該第1多孔質シリコン膜上
に第1導電膜を形成し、該第1導電膜上に第1エレクト
ロ・ルミネセンス膜を形成し、該第1エレクトロ・ルミ
ネセンス膜上に第2導電膜を形成する第1工程、第2結
晶シリコン基板の表面を多孔質化させ、第2多孔質シリ
コン膜を形成し、該第2多孔質シリコン膜上に第3導電
膜を形成し、該第3導電膜上に第2エレクトロ・ルミネ
センス膜を形成し、該第2エレクトロ・ルミネセンス膜
上に第4導電膜を形成する第2工程、該第1工程及び第
2工程で作成した第1結晶シリコン基板上の第2導電膜
と第2結晶シリコン基板上の第4導電膜とを絶縁体をは
さんで重ね合せ、第1導電膜と第3導電膜とを接続さ
せ、第2導電膜と第4導電膜とを接続させる第3工程、
第1導電層と、第1エレクトロ・ルミネセンス膜と、第
2導電膜、第3導電層と、第2エレクトロ・ルミネセン
ス膜と、第4導電膜との積層体を第1又は第2単結晶シ
リコン基板から剥離する工程、及び該積層体を第1基材
上に貼り付ける第5工程を有する特徴とするエレクトロ
・ルミネセンス素子の製造法に、第5の特徴を有する。
・ルミネセンス物質は、無機エレクトロ・ルミネセンス
物質又は有機エレクトロ・ルミネセンス物質であるのが
好ましい。
・ルミネセンス物質は、両方とも、有機エレクトロ・ル
ミネセンス物質であるのが好ましい。
・ルミネセンス物質は、両方とも、無機エレクトロ・ル
ミネセンス物質であるのが好ましい。
・ルミネセンス物質は、両方とも、同色エレクトロ・ル
ミネセンス物質であるのが好ましい。
・ルミネセンス物質は、両方とも、同色エレクトロ・ル
ミネセンス物質であって、赤色、緑色及び青色のうちの
一色を発光するのが好ましい。
2陰極に対して絶縁されているのが好ましい。
2陽極に対して絶縁されているのが好ましい。
極、第2陽極及び第2陰極のうちの一つは、反射性金属
によって形成してなり、他を透明導電体によって形成し
てなるのが好ましい。
極は、陽極に設定し、前記第2電極及び第4電極は陰極
に設定してなるのが好ましい。
極は、陰極に設定し、前記第2電極及び第4電極は陽極
に設定してなるのが好ましい。
金属によって形成してなり、第2電極、第3電極及び第
4電極は、透明導電体によって形成してなるのが好まし
い。
1配線に走査信号を印加する手段を有し、前記第2駆動
手段は、走査信号と同期させて、第2配線に情報に応じ
た情報信号を印加する手段を有するのが好ましい。
エレクトロ・ルミネセンス素子の第4電極を共通に接続
する複数の配線であるのが好ましい。
リコン基板の表面は、凹凸形状をなしているのが好まし
い。
シリコン膜は、結晶シリコン基板上に島状に分布されて
いるのが好ましい。
電膜が設けられ、該第5導電膜と前記積層体の第1又は
第4導電膜とを電気的に接続させる工程を有するのが好
ましい。
工程は、接着性導電材によってなされるのが好ましい。
ライプ形状をなしているのが好ましい。
電膜上に第1絶縁膜を設ける工程、第4導電膜上に第2
絶縁膜を設ける工程、及び第1絶縁膜と第2絶縁膜とを
静電的に接着させる工程を有するのが好ましい。
縁膜とを静電的に接着させる工程は、第1及び第2絶縁
膜のうちの少なくとも一方の絶縁膜に対してコロナ帯電
処理を施す工程を有するのが好ましい。
剥離されていない他の結晶シリコン基板を前記積層体か
ら剥離し、該積層体の露出導電膜を第2基材に貼り付け
る工程を有するのが好ましい。
出導電膜に接続する第6導電膜が設けられているのが好
ましい。
イプ形状をなしているのが好ましい。
ィブマトリクス駆動用薄膜トランジスタ回路を備えてい
るのが好ましい。
び第4導電膜のうちの一つは、反射性金属によって形成
し、他を透明導電体によって形成する工程を有するのが
好ましい。
る。以下、本明細書において、エレクトロ・ルミネセン
スを「EL」と記載する。
製造法においては、まず、図1に示すように、表面凹凸
形成した単結晶Si(シリコン)基板11を陽極化成
(陽極酸化)することにより多孔質Si層12を形成す
る。この陽極化成法による多孔質Si層12の形成方法
はよく知られており(例えば、応用物理第57巻、第1
1号、第1710頁(1988))、例えば、電流密度
を30mAとし、陽極化成溶液としてHF:H2O:C2
H5OH=1:1:1を用いた場合、得られる多孔質層
Si層12の厚さは5〜50μm、多孔度(poros
ity)は10〜50%である。この多孔質Si層12
の厚さは、単結晶Si基板11を繰り返し使用する観点
からは、この単結晶Si基板11の厚さの減少を少なく
し、使用可能回数を多くするために、可能な限り薄くす
ることが望ましく、好適には5〜15μm、例えば約1
0μmに選ばれる。また、単結晶Si基板11は、陽極
化成によりその上に多孔質Si層12を形成する観点か
らはp型であることが望ましいが、n型であっても、条
件設定によっては多孔質Si層12を形成することが可
能である。
L表示に適用した際の画素の大きさ、密度に対応させれ
ばよい。また、カラーEL素子に適用する場合には、凸
部のピッチを3倍長に設定すればよい。
厚の数値より大きい数値、好ましくは2倍〜20倍程度
に設定される。
2に図示す透明導電膜21を蒸着法により成膜する。こ
の際、この透明導電膜21としては、ITO、Sn
O2、ZnOなどによって形成するのがよい。
Si基板11を市販の蒸着装置(日本真空技術(株)
製)の基板ホルダに固定して、モリブデン製の抵抗加熱
ボートにN,N′−ビス(3−メチルフェニル)−N,
N′−ジフェニル〔1,1′−ビフェニル〕−4−4′
−ジアミン(TPD)を200mg入れ、また違うモリ
ブデン製ボートに4,4′−ビス(2,2′−ジフェニ
ルビニル)ビフェニル(DPVBi)を200mg入れ
て真空槽を1×10-4Paまで減圧した。その後、TP
D入りの上記ボートを215〜220℃まで加熱し、T
PDを蒸着速度0.1〜0.3nm/sでSi基板11
上に蒸着して、図3の膜厚60nmの正孔注入層31を
製膜した。このときの基板温度は室温であった。これを
真空槽から取り出すことなく、正孔注入層31の上に、
もう一つのボートよりDPVBiを発光層32として4
0nm積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が240℃
であり、蒸着速度は0.1〜0.3nm/s、基板温度
は室温であった。
ミニウム(Alq3)を1×10-4Paの真空槽内でA
lq3層33を0.01〜0.03nm/sの蒸着速度
で20nm蒸着した。
性金属膜21上にEL層3となる正孔注入層31、発光
層32とAlq3層33との積層体が形成された。
に代えて、無機EL層を用いることもできる。
1を常法によって設ける。透明導電膜41としては、I
TO、SnO2膜やZnO膜などを用いることができ
る。
ぞれ適した仕事関数の値となる様に適宜ドーピング剤
(例えば、ボロン、リン、ヒ素など)を添付することが
できる。
スパッタ法によってSiO2膜、Si3N4膜、TiO2膜
などの絶縁膜42が形成される。
図示したもので、図4に図示する絶縁膜42を設けた後
で、凸部表面を研磨することによって、その表面を平坦
化させた後の反射性金属膜12露出部51と透明導電膜
41の露出部52を形成させた状態を図示している。
基板1の凸部の表面にも、予め所定の高さに設定した小
さい凸部を設けておくのが好ましい。この所定の高さ
は、EL層3の膜厚と透明導電膜41の膜厚との合計値
の分だけ、露出部51に対応する凸部の高さを露出部5
2に対応する凸部の高さより高く設定するのがよい。
研磨工程や半導体素子の研磨工程で普通に用いられてい
る平坦化処理方法を適用することができる。
単結晶Si基板11と同一の単結晶Si基板61を作成
する。但し、該単結晶Si基板61で使用する一対の電
極としては、多孔質Si膜62側を反射性金属膜63を
一方の電極とし、外側を透明導電膜65を他方の電極と
するのがよい。
絶縁膜66、並びに、露出部67及び68は、前述と同
様の方法を繰返すことによって形成される。上述の反射
性金属膜63としては、AgとMgとの合金が適してい
る。
出部51と67とが及び露出部52と68とが電気的に
接続する様に、対向配置し、重ね合せる。この際、単結
晶Si基板11と61の絶縁膜42及び66に対して、
コロナ放電処理を施すことによって、一方を正とし、他
方負とした帯電電荷を生じさせると、両基板11と61
の接合を静電接着69によって一層強なものとすること
ができる。
晶Si基板11と61の状態から、単結晶Si基板61
を多孔質Si膜62を介して剥離した後の構造を図示し
ている。図7に図示する構造において、独立する2つの
EL層3と64とは、電気的には直列の状態で積層構造
となすものである。従って、EL層3と64の陽極を透
明導電膜21と透明導電膜65とし、陰極を透明導電膜
41と反射性金属膜63とすることができ、またその逆
であってもよい。
燥窒素チャンバ内に保持する。この際、基板81には、
予めストライプ形状の金属(銀、アルミニウム、金、プ
ラチナ、銅等)電極82が、前述において作成した凸部
の位置に対応させて配置させており、さらに各ストライ
プ形状の金属電極82の上に、前述の凸部のピッチと同
一ピッチで熱硬化性導電接着剤又は紫外線若しくは電子
線硬化性導電接着剤などの接着性電気接続体83が配置
されている。
フェノール系熱硬化接着剤又は紫外線若しくは電子性硬
化性接着剤中にカーボン粒子、銀粒子や銅粒子の様な導
電性粒子が分散含有された導電性接着剤を用い、これを
スクリーン印刷法、オフセット印刷法又はディスペンサ
ー塗布法などの採用によって、ストライプ状金属電極8
3の上に塗布、乾燥させることによって得られる。
増強するために、N−(2−アミノエチル)−3−アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノ
エチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3
−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロ
ピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤を含
有させることができる。
1を上述した貼合せ基板81がセットされている乾燥窒
素チャンバ内に真空チャンバから移動により搬入させ、
該乾燥窒素チャンバ内の所定位置に保持した。
けておいたアームに固定し、アームを移動させて、該ア
ームの位置を図8にて作成した貼合せ基板81に対し
て、図7の単結晶Si基板11の上の反射性金属膜63
と貼合せ基板81の上の接着性電気接続体83とが対向
配置する位置まで移動させ、次いで該Si基板11と該
貼合せ基板81とを密着重ね合せた。
両基板11と81との接着が所定の条件(熱印加又は紫
外線電子線照射)によってなされた。
が多孔質Si膜12を境にして剥離する様に、両基板1
1と81とに互いに平行方向に応力を印加した。この結
果、両基板11と81とは、多孔質Si膜12から剥離
し、貼合せ基板81の接着性電気接続体83の上に、反
射性金属膜63とEL層64と透明導電膜65との第1
のEL素子及び透明導電膜21、41とEL層3との第
2のEL素子からなる直列接続したタンデム構造EL素
子が図10の如く、貼合せ基板81の側に転写された。
この際、多孔質Si膜12には、剥離前にくさびを打ち
込んだりすることによって、剥離工程が容易に実施でき
る様に前処理を施するのが好ましい。
燥窒素を充填したメカニカル研磨室に搬入し、そこで剥
離後の反射性金属膜63上に残っていた多孔質Si膜を
研磨布をパッドに取り付けたメカニカル研磨機によって
除去した。
合せ基板91を乾燥窒素チャンバ内にセットした。この
対向貼合せ基板91には、剥離後の貼合せ基板81上の
研磨された透明導電膜21の位置が対向する位置で、前
述のストライプ形状金属膜82のストライプ長手方向と
交差する様に、ストライプ形状のITO膜92が予め設
けられている。
は、封用接着剤となるエポキシ系接着剤やフェノール系
接着剤がスクリーン印刷法又はディスペンサー塗布法な
どによって事前に塗布されている。
作成しておいたタンデム構造EL素子を備える貼合せ基
板81を搬入せしめ、所定のアーム動作によって、スト
ライプ形状ITO膜92と貼合せ基板81上に転写され
た透明導電膜21とが対向する様に、両板貼合せ基板8
1と91とを重ね合せ、両基板81と91とを加熱圧着
させて、封止用接着剤によって封止、貼合せた。
よって作成させた本発明の素子の断面図である。図10
の101は、上述した封止用接着剤である。
用EL装置を図11−図14に図示する駆動装置によっ
て駆動したところ、良好な動画発光EL表示が20日以
上の長期間に亙った200カンデラ/m2以上の高輝度
発光に基づいてなされた。
査信号線に印加する走査選択信号及び走査非選択信号、
並びに情報信号線に印加する発光信号及び非発光信号の
電圧波形を図示している。走査選択信号の第1位相は、
電圧2V0に設定し、第2位相は、電圧0に設定されて
いる。また、この際、第1位相電圧は、電圧2V0以上
であってもよい。走査非選択信号は、第1位相及び第2
位相において、電圧0に設定されている。この際、電圧
0に対して、順バイアス方向、又は逆バイアス方向にD
C成分を付与することもできる。また、第1位相電圧を
電圧0に設定し、第2位相電圧を電圧2V0に設定して
もよい。この際、図7の発光信号は、非発光信号として
機能し、また非発光信号は発光信号として機能すること
になる。
圧2V0パルスに同期して電圧−V0の発光誘発信号が設
定され、順バイアス方向の発光閾値電圧2V0以上の電
圧3V0がELに印加されて、発光状態を生じる。更
に、発光信号は、走査選択信号の第2位相の電圧0に同
期して、電圧V0が印加され、この時のELには、電圧
−V0が印加されるが、非発光状態となる。
圧及び第2位相電圧に同期して印加された時、それぞれ
電圧V0が印加され、非発光状態を生じる。
間)には、ELには、発光信号又は非発光信号の何れか
が情報信号線から受信されるので、発光信号及び非発光
信号を構成する電圧V0及び電圧−V0によって形成され
るAC電圧が印加されることになる。
じさせた時の走査選択信号、並びに発光信号及び非発光
信号のタイミング・チャートである。図14は、この時
の各交差部のELに印加される電圧のタイミング・チャ
ートであり、非選択期間中のELには、閾値電圧以下の
AC電圧が印加された状態を図示している。
の単結晶Si基板に代えて、平滑面の単結晶Si基板を
用い、多孔質Si膜形成用陽極化成時に凹部に対応する
位置のみにマスクを施し、凸部に対応する位置のみを陽
極化成し、多孔質膜を形成したほかは、実施例1と同様
の方法に沿って、単純マトリクス駆動用EL装置を作成
した。
光EL表示の20日以上の連続高輝度発光がなされた。
Si基板に代えて単結晶Si基板表面に絶縁膜SiO2
を作成した上に多結晶Si膜を形成した基板を用いたほ
かは、実施例1と同様の方法に沿って、単純マトリクス
駆動用EL装置を作成した。
光EL表示が20日以上の連続高輝度発光にもとづいて
なされた。
結晶Si基板の凸部ピッチを3倍長に設定し、赤色発光
用EL(REL)、緑色発光用EL(GEL)及び青色
発光用EL(BEL)をそれぞれ用い、実施例1の工程
を3回繰返すことによってREL、GEL及びBEL三
原色発光ELを備えた単純マトリクス駆動用EL装置を
作成した。
ーEL発光による動画表示を行なったところ、20日以
上の連続高輝度表示が得られた。
図示する単結晶Si基板と同一のものを作成し、これを
乾燥窒素チャンバ内にアームに載せて搬入させた。該チ
ャンバ内には、予め図15に図示する貼合せ基板151
がセットされている。
板の凸部と対応する位置に透孔152が設けられてい
る。そして、これら透孔152毎に接着剤性電気接続体
となる導電ペースト剤161が上下とも図16の如く山
なり状に注入配置されている。
とが相対向する様に、この貼合せ基板151と図15に
図示する単結晶Si基板とを重ね合せ、両基板を圧着加
熱した。
板11上の多孔質Si膜12から剥離し、貼合せ基板1
51の側に、透明導電膜21とEL層3と透明導電膜4
1とからなる第1EL素子及び反射性金属膜63と、E
L層64と透明導電膜65とからなる第2EL素子とで
構成した直列接続のタンデム構造のEL素子を転写させ
た。
しておいた図17−図20のTFT基板のドレイン電極
パッド毎に接着性電気接続体161(導電ペースト剤)
を設けた。このTFT基板上の接着性電気接続体161
と上述の貼合せ基板151の下面162上の導電ペース
ト剤161とが相対向する様に、貼合せ基板151とT
FT基板とを重ね合せ圧着加熱し、両基板を接着性電気
接続体161を通して固着した。
示する貼合せ基板91と同一のものを装填しておいた。
この貼合せ基板91の周囲には封止用接着剤211が塗
布されており、この貼合せ基板91上のストライプ状I
TO膜92とTFT基板に貼合せた貼合せ基板151の
上面163側に転写されたタンデム構造物の透明導電膜
21とが相対向する様に、両基板を重ね合せ圧着加熱し
て固定封止(封止用接着剤211)した。
EL素子の概略図を示す。各画素の素子は2つのTFT
と記憶コンデンサとEL素子とを含む。4端子方式の主
な特徴はEL励起信号からのアドレッシング信号を分離
する能力である。EL素子は論理TFT(T1)を介し
て選択され、EL素子に対する励起電力は電力TFT
(T2)により制御される。記憶コンデンサはそれがい
ったん選択されたアドレスされたEL素子に励起電力を
留めることを可能にする。斯くして回路はEL素子がア
ドレッシングに対して割り当てられた時間を無視して1
00%に近いデュティサイクルで動作することを許容す
る。
640本、1120本などの様に多数本数配線し、順次
ゲートパルスが印加される。ゲートパルスは、インター
レース走査またはノン・インタレース走査の何れであっ
てもよい。
好ましくは840本、1280本などの様に多数本数配
線し、ゲートパルスと同期させて、映像データに応じて
設定した電圧の情報信号パルスが印加される。
色発光EL、BELは青色発光ELで、ソースラインX
j には赤色の情報信号パルス、Xj+1 には緑色情報パル
ス、Xj+2 には赤色情報パルスが印加される。これによ
ってフルカラー表示が行なわれる。
表例を示す平面図である。TFT1は図17のT1に対
応し、TFT2は図17のT2に対応し、コンデンサ1
82は図17のCsに対応し、ドレイン電極パッド18
3は図17の各EL毎のT2のドレイン接続電極に対応
している。
る。図20は、図18のB−B′断面図である。
ては、ガラス基板196上のソースバス191をn+ ポ
リシリコンに接続し、ドレインをn+ ポリシリコンに接
続し、I型ポリシリコン膜をはさんで配置したゲート絶
縁膜にPECVD(プラズマ増強CVD)192−Si
O2 膜194を配置し、ゲートバス193をn+ ポリシ
リコンに接続したトランジスタ構造を採用した。さら
に、パシベーション膜195がドレイン電極パッド18
3の接続部位以外を覆って配置された。
定されることなく、アモルファスシリコンC微結晶シリ
コン半導体を用いたスタガー構造又はコプレナー構造の
何れをも適用することができる。
OI(シリコン・オン・インシュレータ)構造のMOS
トランジスタに適用することができる。
ンサ電極201と202及び該一対のコンデンサ電極間
に設けたSiO2 膜154によって形成される。コンデ
ンサ電極は、Al等によって成膜され、グランドバスと
接続配線され、コンデンサ電極202はn+ ポリシリコ
ン膜によって成膜され、TFT2のドレインに接続され
る。
は、クロム/アルミ積層配線が好ましく用いられる。
CVDによってチッ化シリコン膜が適している。
性能を持たせるために、アルミニウム、銀などの金属膜
を用いることができるが、ITOやZnOの様な透明導
電膜であってもよい。
いたEL装置の断面図を表わしている。図中の212
は、上述したタンデム構造のEL素子である。
駆動用EL装置は、表示のための駆動を実施したとこ
ろ、20日以上に亙る200カンデラ/m2以上の連続
発光に基づく動画表示を実現した。
Lの他に、他のEL、特に有機ELが好ましく、特にR
EL、GEL及びBELを構成するものが配置される。
に列挙するが、本発明はこれらに限定されるものではな
く、また有機ELの代わりに無機ELを適用することも
できる。
afavaのEPA349,265(1990);Ta
ngのアメリカ特許第4,356,429号;VanS
lyke等のアメリカ特許第4,539,507号;V
anSlyke等のアメリカ特許第4,720,43
2;Tang等のアメリカ特許第4,769,292
号;Tang等のアメリカ特許第4,885,211
号;Perry等のアメリカ特許第4,950,95
0;Littman等のアメリカ特許第5,059,8
61号;VanSlykeのアメリカ特許第5,04
7,687号;Scozzafava等のアメリカ特許
第5,073,446号;VanSlyke等のアメリ
カ特許第5,059,862号;VanSlyke等の
アメリカ特許第5,061,617号;VanSlyk
eのアメリカ特許第5,151,629号;Tang等
のアメリカ特許第5,294,869号;Tang等の
アメリカ特許第5,294,870号)に開示のものを
用いることができる。EL層は陽極と接触する有機ホー
ル注入及び移動帯と、有機ホール注入及び移動帯と接合
を形成する電子注入及び移動帯とからなる。ホール注入
及び移動帯は単一の材料又は複数の材料から形成され
え、陽極及び、ホール注入層と電子注入及び移動帯の間
に介装される連続的なホール移動層と接触するホール注
入層からなる。同様に電子注入及び移動帯は単一材料又
は複数の材料から形成されえ、陽極及び、電子注入層と
ホール注入及び移動帯の間に介装される連続的な電子移
動層と接触する電子注入層からなる。ホールと電子の再
結合とルミネセンスは電子注入及び移動帯とホール注入
及び移動帯の接合に隣接する電子注入及び移動帯内で発
生する。有機EL層を形成する化合物は典型的には蒸着
により堆積されるが、他の従来技術によりまた堆積され
うる。
有機材料は以下のような一般的な式を有する:
ような置換器を含む不飽和六員環を共に満たす。好まし
いアルキル部分は約1から6の炭素原子を含む一方でフ
ェニルは好ましいアリル部分を構成する。
第三アミンである。芳香族第三アミンの好ましいサブク
ラスは以下の式を有するテトラアリルジアミンを含む:
から4の整数であり、Ar、R7 ,R8 ,R9 はそれぞ
れ選択されたアリル群である。好ましい実施例ではルミ
ネセンス、電子注入及び移動帯は金属オキシノイド(o
xinoid)化合物を含む。金属オキシノイド化合物
の好ましい例は以下の一般的な式を有する:
す。他の好ましい実施例では金属オキシノイド化合物は
以下の式を有する:
であり、L1−L5は集中的に12又はより少ない炭素
原子を含み、それぞれ別々に1から12の炭素原子の水
素又は炭水化物群を表し、L1,L2は共に、又はL
2,L3は共に連合されたベンゾ環を形成しうる。他の
好ましい実施例では金属オキシノイド化合物は以下の式
である。
可能性を表す。上記例は単にエレクトロルミネセンス層
内で用いられるある好ましい有機材料を表すのみであ
る。それらは本発明の視野を制限することを意図するも
のではなく、これは一般に有機エレクトロルミネセンス
層を指示するものである。上記例からわかるように有機
EL材料は有機リガンドを有する配位化合物を含む。
発光輝度に対して約2倍の発光輝度を実現し、日中での
良好な表示を達成した。
L装置、及びTFTを用いたアクティブマトリクス駆動
用EL装置を大気に晒さずに連続させて製造させること
ができ、これによって、長時間の連続した高輝度発光を
達成できた。
トロ・ルミネセンスを大気に晒すことなく、真空中、減
圧空間中又は乾燥窒素雰囲気中において、同一基板上に
形成することができ、これによって、長時間の連続した
安定な高輝度発光を実現したエレクトロ・ルミネセンス
素子を提供することができた。
晶シリコン基板の断面図である。
の態様を図示する断面図である。
時の態様を図示する断面図である。
させた時の態様を図示する断面図である。
結晶シリコン基板の貼り合せ状態を示す断面図である。
リコン基板と、その上のタンデム構造のEL素子を示す
断面図である。
る。
示する斜視図である。
面図である。
ブロック図である。
形を示す駆動波形図である。
ト電圧波形図である。
ング・チャート電圧波形図である。
示する斜視図である。
る。
装置の等価回路図である。
動用EL装置の断面図である。
Claims (50)
- 【請求項1】 第1陽極、第1陰極及び該第1陽極と第
1陰極との間に配置した第1エレクトロ・ルミネセンス
物質を有する第1エレクトロ・ルミネセンス体、並び
に、該第1エレクトロ・ルミネセンス体と重なり合せて
設けた第2陽極、第2陰極及び該第2陽極と第2陰極と
の間に配置した第2エレクトロ・ルミネセンス物質を有
する第2エレクトロ・ルミネセンス体を有し、第1陽極
と第2陽極とを接続させ、第1陰極と第2陰極とを接続
させてなるエレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項2】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセンス
物質は、無機エレクトロ・ルミネセンス物質又は有機エ
レクトロ・ルミネセンス物質である請求項1記載のエレ
クトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項3】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセンス
物質は、両方とも、有機エレクトロ・ルミネセンス物質
である請求項1記載のエレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項4】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセンス
物質は、両方とも、無機エレクトロ・ルミネセンス物質
である請求項1記載のエレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項5】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセンス
物質は、両方とも、同色エレクトロ・ルミネセンス物質
である請求項1記載のエレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項6】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセンス
物質は、両方とも、同色エレクトロ・ルミネセンス物質
であって、赤色、緑色及び青色のうちの一色を発光する
請求項1記載のエレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項7】 前記第1陽極は、前記第2陰極に対して
絶縁されている請求項1記載のエレクトロ・ルミネセン
ス素子。 - 【請求項8】 前記第1陰極は、前記第2陽極に対して
絶縁されている請求項1記載のエレクトロ・ルミネセン
ス素子。 - 【請求項9】 前記第1陽極、第1陰極、第2陽極及び
第2陰極のうちの一つは、反射性金属によって形成して
なり、他を透明導電体によって形成してなる請求項1記
載のエレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項10】 第1電極、該第1電極に接続して配置
した第1エレクトロ・ルミネセンス物質及び該第1エレ
クトロ・ルミネセンス物質に接続して配置した第2電極
を有する第1エレクトロ・ルミネセンス体、並びに、該
第1エレクトロ・ルミネセンス体の第2電極と絶縁層を
はさんで重なり合せて設けた第3電極、該第3電極に接
続させて配置した第2エレクトロ・ルミネセンス物質及
び該第2エレクトロ・ルミネセンス物質に接続して配置
した第4電極を有する第2エレクトロ・ルミネセンス体
を有し、第1電極と第3電極とを及び第2電極と第4電
極とを接続させ、第1電極と第4電極とを及び第2電極
と第3電極とを絶縁させてなるエレクトロ・ルミネセン
ス素子。 - 【請求項11】 前記第1電極及び第3電極は、陽極に
設定し、前記第2電極及び第4電極は陰極に設定してな
る請求項10記載のエレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項12】 前記第1電極及び第3電極は、陰極に
設定し、前記第2電極及び第4電極は陽極に設定してな
る請求項10記載のエレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項13】 前記第1電極は、反射性金属によって
形成してなり、第2電極、第3電極及び第4電極は、透
明導電体によって形成してなる請求項10記載のエレク
トロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項14】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセン
ス物質は、無機エレクトロ・ルミネセンス物質又は有機
エレクトロ・ルミネセンス物質である請求項10記載の
エレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項15】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセン
ス物質は、両方とも、有機エレクトロ・ルミネセンス物
質である請求項10記載のエレクトロ・ルミネセンス素
子。 - 【請求項16】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセン
ス物質は、両方とも、無機エレクトロ・ルミネセンス物
質である請求項10記載のエレクトロ・ルミネセンス素
子。 - 【請求項17】 複数の行及び複数の列に沿って配置し
たエレクトロ・ルミネセンス素子を有するエレクトロ・
ルミネセンス装置であって、前記エレクトロ・ルミネセ
ンス素子は、第1電極、該第1電極に接続して配置した
第1エレクトロ・ルミネセンス物質及び該第1エレクト
ロルミネセンス物質に接続して配置した第2電極を有す
る第1エレクトロ・ルミネセンス体、並びに、該第1エ
レクトロ・ルミネセンス体の第2電極と絶縁層をはさん
で重なり合せて設けた第3電極、該第3電極に接続させ
て配置した第2エレクトロ・ルミネセンス物質及び該第
2エレクトロ・ルミネセンス物質に接続して配置した第
4電極を有する第2エレクトロ・ルミネセンス体を有
し、第1電極と第3電極とを及び第2電極と第4電極と
を接続させ、第1電極と第4電極とを及び第2電極と第
3電極とを絶縁させてなる素子構造を有し、該装置は、
前記行上のエレクトロ・ルミネセンス素子の第1電極を
共通に接続させる第1配線及び該第1配線を駆動する第
1駆動手段を有し、前記列上のエレクトロ・ルミネセン
ス素子の第4電極を共通に接続させる第2配線及び該第
2配線を駆動する第2駆動手段を有するエレクトロ・ル
ミネセンス装置。 - 【請求項18】 前記第1駆動手段は、第1配線に走査
信号を印加する手段を有し、前記第2駆動手段は、走査
信号と同期させて、第2配線に情報に応じた情報信号を
印加する手段を有する請求項17記載のエレクトロ・ル
ミネセンス装置。 - 【請求項19】 前記第1電極及び第3電極は、陽極に
設定し、前記第2電極及び第4電極は陰極に設定してな
る請求項17記載のエレクトロ・ルミネセンス装置。 - 【請求項20】 前記第1電極及び第3電極は、陰極に
設定し、前記第2電極及び第4電極は陽極に設定してな
る請求項17記載のエレクトロ・ルミネセンス装置。 - 【請求項21】 前記第1電極は、反射性金属によって
形成してなり、第2電極、第3電極及び第4電極は、透
明導電体によって形成してなる請求項17記載のエレク
トロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項22】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセン
ス物質は、無機エレクトロ・ルミネセンス物質又は有機
エレクトロ・ルミネセンス物質である請求項17記載の
エレクトロ・ルミネセンス装置。 - 【請求項23】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセン
ス物質は、両方とも、有機エレクトロ・ルミネセンス物
質である請求項17記載のエレクトロ・ルミネセンス装
置。 - 【請求項24】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセン
ス物質は、両方とも、無機エレクトロ・ルミネセンス物
質である請求項17記載のエレクトロ・ルミネセンス装
置。 - 【請求項25】 複数の行及び複数の列に沿って配置し
たエレクトロ・ルミネセンス素子、該エレクトロ・ルミ
ネセンス素子毎に接続させて設けたスイッチング素子、
行上スイッチング素子のゲートを共通に接続させてなる
ゲート配線、並びに、列上のスイッチング素子のソース
を共通に接続させてなるソース配線を有するエレクトロ
・ルミネセンス装置であって、前記エレクトロ・ルミネ
センス素子は、第1電極、該第1電極に接続して配置し
た第1エレクトロ・ルミネセンス物質及び該第1エレク
トロルミネセンス物質に接続して配置した第2電極を有
する第1エレクトロ・ルミネセンス体、並びに、該第1
エレクトロ・ルミネセンス体の第2電極と絶縁層をはさ
んで重なり合せて設けた第3電極、該第3電極に接続さ
せて配置した第2エレクトロ・ルミネセンス物質及び該
第2エレクトロ・ルミネセンス物質に接続して配置した
第4電極を有する第2エレクトロ・ルミネセンス体を有
し、第1電極と第3電極とを及び第2電極と第4電極と
を接続させ、第1電極と第4電極とを及び第2電極と第
3電極とを絶縁させてなる素子構造を有し、該装置は、
前記スイッチング素子のドレイン毎にエレクトロ・ルミ
ネセンス素子の第1電極を接続させ、前記エレクトロ・
ルミネセンス素子の第4電極を共通に接続させる共通配
線を有するエレクトロ・ルミネセンス装置。 - 【請求項26】 前記共通配線は、行毎にエレクトロ・
ルミネセンス素子の第4電極を共通に接続する複数の配
線である請求項25記載のエレクトロ・ルミネセンス装
置。 - 【請求項27】 前記第1電極及び第3電極は、陽極に
設定し、前記第2電極及び第4電極は陰極に設定してな
る請求項25記載のエレクトロ・ルミネセンス装置。 - 【請求項28】 前記第1電極及び第3電極は、陰極に
設定し、前記第2電極及び第4電極は陽極に設定してな
る請求項25記載のエレクトロ・ルミネセンス装置。 - 【請求項29】 前記第1電極は、反射性金属によって
形成してなり、第2電極、第3電極及び第4電極は、透
明導電体によって形成してなる請求項25記載のエレク
トロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項30】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセン
ス物質は、無機エレクトロ・ルミネセンス物質又は有機
エレクトロ・ルミネセンス物質である請求項25記載の
エレクトロ・ルミネセンス装置。 - 【請求項31】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセン
ス物質は、両方とも、有機エレクトロ・ルミネセンス物
質である請求項25記載のエレクトロ・ルミネセンス装
置。 - 【請求項32】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセン
ス物質は、両方とも、無機エレクトロ・ルミネセンス物
質である請求項25記載のエレクトロ・ルミネセンス装
置。 - 【請求項33】 第1結晶シリコン基板の表面を多孔質
化させ、第1多孔質シリコン膜を形成し、該第1多孔質
シリコン膜上に第1導電膜を形成し、該第1導電膜上に
第1エレクトロ・ルミネセンス膜を形成し、該第1エレ
クトロ・ルミネセンス膜上に第2導電膜を形成する第1
工程、第2結晶シリコン基板の表面を多孔質化させ、第
2多孔質シリコン膜を形成し、該第2多孔質シリコン膜
上に第3導電膜を形成し、該第3導電膜上に第2エレク
トロ・ルミネセンス膜を形成し、該第2エレクトロ・ル
ミネセンス膜上に第4導電膜を形成する第2工程、該第
1工程及び第2工程で作成した第1結晶シリコン基板上
の第2導電膜と第2結晶シリコン基板上の第4導電膜と
を絶縁体をはさんで重ね合せ、第1導電膜と第3導電膜
とを接続させ、第2導電膜と第4導電膜とを接続させる
第3工程、第1導電層と、第1エレクトロ・ルミネセン
ス膜と、第2導電膜、第3導電層と、第2エレクトロ・
ルミネセンス膜と、第4導電膜との積層体を第1又は第
2単結晶シリコン基板から剥離する工程、及び該積層体
を第1基材上に貼り付ける第5工程を有する特徴とする
エレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。 - 【請求項34】 前記第1及び第2結晶シリコン基板の
表面は、凹凸形状をなしている請求項33記載のエレク
トロ・ルミネセンス素子の製造法。 - 【請求項35】 前記第1及び第2多孔質シリコン膜
は、結晶シリコン基板上に島状に分布されている請求項
33記載のエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。 - 【請求項36】 前記第1基材は、第5導電膜が設けら
れ、該第5導電膜と前記積層体の第1又は第4導電膜と
を電気的に接続させる工程を有する請求項33載のエレ
クトロ・ルミネセンス素子の製造法。 - 【請求項37】 前記電気的に接続させる工程は、接着
性導電材によってなされる請求項33記載のエレクトロ
・ルミネセンス素子の製造法。 - 【請求項38】 前記第5導電膜は、ストライプ形状を
なしている請求項36記載のエレクトロ・ルミネセンス
素子の製造法。 - 【請求項39】 前記第3工程は、第2導電膜上に第1
絶縁膜を設ける工程、第4導電膜上に第2絶縁膜を設け
る工程、及び第1絶縁膜と第2絶縁膜とを静電的に接着
させる工程を有する請求項33記載のエレクトロ・ルミ
ネセンス素子の製造法。 - 【請求項40】 前記第1絶縁膜と第2絶縁膜とを静電
的に接着させる工程は、第1及び第2絶縁膜のうちの少
なくとも一方の絶縁膜に対してコロナ帯電処理を施す工
程を有する請求項39記載のエレクトロ・ルミネセンス
素子の製造法。 - 【請求項41】 前記第5工程終了後に、剥離されてい
ない他の結晶シリコン基板を前記積層体から剥離し、該
積層体の露出導電膜を第2基材に貼り付ける工程を有す
る請求項33記載のエレクトロ・ルミネセンス素子の製
造法。 - 【請求項42】 前記第2基材は、前記露出導電膜に接
続する第6導電膜が設けられている請求項41記載のエ
レクトロ・ルミネセンス素子の製造法。 - 【請求項43】 前記第6導電膜はストライプ形状をな
している請求項33記載のエレクトロ・ルミネセンス素
子の製造法。 - 【請求項44】 前記第1基材は、アクティブマトリク
ス駆動用薄膜トランジスタ回路を備えている請求項33
記載のエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。 - 【請求項45】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセン
ス膜は、無機エレクトロ・ルミネセンス物質膜又は有機
エレクトロ・ルミネセンス物質膜である請求項33記載
のエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。 - 【請求項46】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセン
ス膜は、両方とも、有機エレクトロ・ルミネセンス物質
膜である請求項33記載のエレクトロ・ルミネセンス素
子の製造法。 - 【請求項47】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセン
ス膜は、両方とも、無機エレクトロ・ルミネセンス物質
膜である請求項33記載のエレクトロ・ルミネセンス素
子の製造法。 - 【請求項48】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセン
ス膜は、両方とも、同色エレクトロ・ルミネセンス物質
膜である請求項33記載のエレクトロ・ルミネセンス素
子の製造法。 - 【請求項49】 第1及び第2エレクトロ・ルミネセン
ス膜は、両方とも、同色エレクトロ・ルミネセンス物質
膜であって、赤色、緑色及び青色のうちの一色を発光す
る請求項33載のエレクトロ・ルミネセンス素子の製造
法。 - 【請求項50】 前記第1、第2、第3及び第4導電膜
のうちの一つは、反射性金属によって形成し、他を透明
導電体によって形成する工程を有する請求項33記載の
エレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16877397A JP3492153B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
US09/092,868 US6215244B1 (en) | 1997-06-16 | 1998-06-08 | Stacked organic light emitting device with specific electrode arrangement |
EP98304717A EP0886329A3 (en) | 1997-06-16 | 1998-06-15 | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16877397A JP3492153B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1116677A true JPH1116677A (ja) | 1999-01-22 |
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ID=15874202
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3492153B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000231347A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2001202827A (ja) * | 1999-11-10 | 2001-07-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 透明導電性基板、発光素子、平面発光板、平面発光板の製造方法、平面蛍光ランプ、プラズマディスプレイ |
JP2002082633A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-03-22 | Seiko Epson Corp | 有機el表示体及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
KR100426964B1 (ko) * | 2002-03-20 | 2004-04-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
JP2004521466A (ja) * | 2001-03-22 | 2004-07-15 | マイクロエミッシブ ディスプレイズ リミテッド | エレクトロルミネセンス装置の製法 |
KR100464864B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2005-01-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
KR100482166B1 (ko) * | 2002-08-26 | 2005-04-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
US7772760B2 (en) | 2003-09-23 | 2010-08-10 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Active matrix organic light emitting device |
US7838883B2 (en) | 1999-09-30 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
JP2013101364A (ja) * | 2012-12-19 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
JP2014238589A (ja) * | 2014-07-09 | 2014-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
JP2016021067A (ja) * | 2015-07-24 | 2016-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
JP2016186633A (ja) * | 2016-04-25 | 2016-10-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57105995A (en) * | 1980-12-22 | 1982-07-01 | Omron Tateisi Electronics Co | Method of producing field effect light emitting device |
JPS57132189A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-16 | Fujitsu Ltd | Indicator |
JPS62270990A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-25 | 松下電器産業株式会社 | El表示装置 |
JPH06176870A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-24 | Fuji Electric Co Ltd | 有機薄膜発光素子 |
JPH06310275A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | El素子及びelパネル |
JPH0757873A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機発光素子および画像表示装置 |
JPH09199276A (ja) * | 1996-01-17 | 1997-07-31 | Nec Corp | 有機薄膜el素子 |
-
1997
- 1997-06-25 JP JP16877397A patent/JP3492153B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57105995A (en) * | 1980-12-22 | 1982-07-01 | Omron Tateisi Electronics Co | Method of producing field effect light emitting device |
JPS57132189A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-16 | Fujitsu Ltd | Indicator |
JPS62270990A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-25 | 松下電器産業株式会社 | El表示装置 |
JPH06176870A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-24 | Fuji Electric Co Ltd | 有機薄膜発光素子 |
JPH06310275A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | El素子及びelパネル |
JPH0757873A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機発光素子および画像表示装置 |
JPH09199276A (ja) * | 1996-01-17 | 1997-07-31 | Nec Corp | 有機薄膜el素子 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000231347A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
US7838883B2 (en) | 1999-09-30 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
US9853235B2 (en) | 1999-09-30 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
US8772766B2 (en) | 1999-09-30 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
US8426876B2 (en) | 1999-09-30 | 2013-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
JP2001202827A (ja) * | 1999-11-10 | 2001-07-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 透明導電性基板、発光素子、平面発光板、平面発光板の製造方法、平面蛍光ランプ、プラズマディスプレイ |
JP2002082633A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-03-22 | Seiko Epson Corp | 有機el表示体及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2004521466A (ja) * | 2001-03-22 | 2004-07-15 | マイクロエミッシブ ディスプレイズ リミテッド | エレクトロルミネセンス装置の製法 |
KR100426964B1 (ko) * | 2002-03-20 | 2004-04-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
KR100464864B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2005-01-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
KR100482166B1 (ko) * | 2002-08-26 | 2005-04-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
US7772760B2 (en) | 2003-09-23 | 2010-08-10 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Active matrix organic light emitting device |
JP2013101364A (ja) * | 2012-12-19 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
JP2014238589A (ja) * | 2014-07-09 | 2014-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
JP2016021067A (ja) * | 2015-07-24 | 2016-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
JP2016186633A (ja) * | 2016-04-25 | 2016-10-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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