JPH11163372A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH11163372A JPH11163372A JP9324499A JP32449997A JPH11163372A JP H11163372 A JPH11163372 A JP H11163372A JP 9324499 A JP9324499 A JP 9324499A JP 32449997 A JP32449997 A JP 32449997A JP H11163372 A JPH11163372 A JP H11163372A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal thin
- hole
- thin film
- resist
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属薄膜の表面上に塗布したレジストの除去
工程において、従来は、写真製版法（露光）を用いたた
め、高価なガラスマスクや精密マスクアライナが必要で
あり、又、位置合わせ作業が煩雑であるなどの課題があ
った。 【解決手段】 ガラス基板３に設けたスルーホール３ａ
内に金属薄膜電極４ａを形成する工程において、所定の
厚さの、スルーホール３ａを含むガラス基板３の表面に
形成された金属薄膜４の表面上に塗布したレジスト６
を、露光工程を省略し、スルーホール３ａ内に塗布され
た部分を残して除去するようにした。この結果、ガラス
マスク、マスクの位置合わせ等の作業、感光レジストの
使用が不要となり、製造プロセスの簡略化、製造設備及
び材料コストの削減を可能とした。
工程において、従来は、写真製版法（露光）を用いたた
め、高価なガラスマスクや精密マスクアライナが必要で
あり、又、位置合わせ作業が煩雑であるなどの課題があ
った。 【解決手段】 ガラス基板３に設けたスルーホール３ａ
内に金属薄膜電極４ａを形成する工程において、所定の
厚さの、スルーホール３ａを含むガラス基板３の表面に
形成された金属薄膜４の表面上に塗布したレジスト６
を、露光工程を省略し、スルーホール３ａ内に塗布され
た部分を残して除去するようにした。この結果、ガラス
マスク、マスクの位置合わせ等の作業、感光レジストの
使用が不要となり、製造プロセスの簡略化、製造設備及
び材料コストの削減を可能とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、シリコン基板の
両面に絶縁板を接合した半導体装置に関し、特に、絶縁
板に設けたスルーホールを介して金属薄膜電極を形成し
た半導体装置の製造方法に関するものである。
両面に絶縁板を接合した半導体装置に関し、特に、絶縁
板に設けたスルーホールを介して金属薄膜電極を形成し
た半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置としての半導体加速度センサ
は、電気機械式加速度センシング部（以下、加速度セン
シング部と記す）をシリコン基板内に形成し、該シリコ
ン基板を比較的厚いガラス基板でサンドイッチ状に挟み
込んだ構造を為し、一方のガラス基板にはスルーホール
が形成され、このスルーホール内における前記シリコン
基板上に外部との電気的接続のために金属薄膜電極が形
成されている。
は、電気機械式加速度センシング部（以下、加速度セン
シング部と記す）をシリコン基板内に形成し、該シリコ
ン基板を比較的厚いガラス基板でサンドイッチ状に挟み
込んだ構造を為し、一方のガラス基板にはスルーホール
が形成され、このスルーホール内における前記シリコン
基板上に外部との電気的接続のために金属薄膜電極が形
成されている。
【０００３】図２は従来の半導体加速度センサにおける
加速度センシング部の製造工程説明図である。図２Ａに
おいて、シリコン基板１にガラス基板２を接合し、図2
Ｂにおいて、シリコン基板１の酸化膜５における電極形
成を必要とする部位５ａ及びエッチングを必要とする部
位５ｂ、５ｃを写真製版により開口した後、この開口部
を含む酸化膜５の全表面にホトレジスト６を塗布し、ガ
ラスマスク７により選択的にマスクして、電極を形成す
る開口部５ａ及びその周縁部のホトレジスト６だけを露
光する。
加速度センシング部の製造工程説明図である。図２Ａに
おいて、シリコン基板１にガラス基板２を接合し、図2
Ｂにおいて、シリコン基板１の酸化膜５における電極形
成を必要とする部位５ａ及びエッチングを必要とする部
位５ｂ、５ｃを写真製版により開口した後、この開口部
を含む酸化膜５の全表面にホトレジスト６を塗布し、ガ
ラスマスク７により選択的にマスクして、電極を形成す
る開口部５ａ及びその周縁部のホトレジスト６だけを露
光する。
【０００４】次に、図2Ｃにおいて、現像により露光部
分、即ち、酸化膜５の開口部５ａ及びその周縁部のホト
レジスト６を除去し、図2Ｄにおいて、ホトレジスト６
を除去した酸化膜５の開口部５ａ及びその周縁部を含
め、ホトレジスト６の全面を金属薄膜４で被覆する。金
属薄膜４として、エッチング剤である加熱した水酸化カ
リウム溶液（以下、KOH溶液と記す）に耐えるクロム／
金（以下、Cr／Auと記す）多層薄膜を用いる。
分、即ち、酸化膜５の開口部５ａ及びその周縁部のホト
レジスト６を除去し、図2Ｄにおいて、ホトレジスト６
を除去した酸化膜５の開口部５ａ及びその周縁部を含
め、ホトレジスト６の全面を金属薄膜４で被覆する。金
属薄膜４として、エッチング剤である加熱した水酸化カ
リウム溶液（以下、KOH溶液と記す）に耐えるクロム／
金（以下、Cr／Auと記す）多層薄膜を用いる。
【０００５】次に、図2Ｅにおいて、レジスト除去液を
用いてホトレジスト６を除去するが、その際、ホトレジ
スト６上に被覆された金属薄膜４も除去される。この結
果、酸化膜５の開口部５ａにおいて、シリコン基板１に
密着した金属薄膜だけが金属薄膜電極４ａとして残る。
上記のごとく、写真製版法によるリフトオフ法によりCr
／Auの金属薄膜電極４ａを形成する。
用いてホトレジスト６を除去するが、その際、ホトレジ
スト６上に被覆された金属薄膜４も除去される。この結
果、酸化膜５の開口部５ａにおいて、シリコン基板１に
密着した金属薄膜だけが金属薄膜電極４ａとして残る。
上記のごとく、写真製版法によるリフトオフ法によりCr
／Auの金属薄膜電極４ａを形成する。
【０００６】次に、図2Ｆにおいて、シリコンエッチン
グにより間隙１ｇ、空隙１ｈを形成し、固定電極部１ａ
〜外枠１ｃからなる加速度センシング部を形成し、図2
Ｇにおいて、シリコン基板１上の酸化膜５を除去し、シ
リコン基板１の表面に、予め、スルーホール３ａ及びザ
グリ３ｂが形成されたガラス基板３を、スルーホール３
ａが電極４ａと一致するように位置合わせを行って接合
することにより、シリコン基板１の両面をガラス基板
２、３でサンドイッチ状に挟持した加速度センシング部
が完成する。
グにより間隙１ｇ、空隙１ｈを形成し、固定電極部１ａ
〜外枠１ｃからなる加速度センシング部を形成し、図2
Ｇにおいて、シリコン基板１上の酸化膜５を除去し、シ
リコン基板１の表面に、予め、スルーホール３ａ及びザ
グリ３ｂが形成されたガラス基板３を、スルーホール３
ａが電極４ａと一致するように位置合わせを行って接合
することにより、シリコン基板１の両面をガラス基板
２、３でサンドイッチ状に挟持した加速度センシング部
が完成する。
【０００７】上記、従来の半導体装置としての半導体加
速度センサにおける加速度センシング部の製造方法は、
金属薄膜電極４ａの製造工程におけるホトレジスト６の
露光工程において、写真製版法を用いるため、高価なガ
ラスマスク７や精密マスクアライナ（図示せず）が必要
であり、製造設備コストがその分高くなる。又、シリコ
ン基板１の酸化膜５における電極形成を必要とする部位
５ａ及びエッチングを必要とする部位５ｂ、５ｃを写真
製版により開口するための位置合わせ作業が必要だが、
この作業は極めて煩雑である。
速度センサにおける加速度センシング部の製造方法は、
金属薄膜電極４ａの製造工程におけるホトレジスト６の
露光工程において、写真製版法を用いるため、高価なガ
ラスマスク７や精密マスクアライナ（図示せず）が必要
であり、製造設備コストがその分高くなる。又、シリコ
ン基板１の酸化膜５における電極形成を必要とする部位
５ａ及びエッチングを必要とする部位５ｂ、５ｃを写真
製版により開口するための位置合わせ作業が必要だが、
この作業は極めて煩雑である。
【０００８】又、金属薄膜電極４ａが形成された後のシ
リコン基板１に対して、スルーホール３ａが形成された
ガラス基板３を接合するための位置合わせを必要とし、
金属薄膜電極４ａを損傷しないように作業する必要があ
る。更に、KOH溶液でシリコンエッチングを行う前に、
金属薄膜電極４ａを形成するため、耐食性に優れたCr／
Au等の高価な金属を用いる必要がある。
リコン基板１に対して、スルーホール３ａが形成された
ガラス基板３を接合するための位置合わせを必要とし、
金属薄膜電極４ａを損傷しないように作業する必要があ
る。更に、KOH溶液でシリコンエッチングを行う前に、
金属薄膜電極４ａを形成するため、耐食性に優れたCr／
Au等の高価な金属を用いる必要がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の製
造方法は、以上の製造工程からなり、金属薄膜電極４ａ
の製造工程におけるホトレジスト６の露光工程におい
て、写真製版法を用いるため、高価なガラスマスクや精
密マスクアライナが必要であり、又、写真製版のための
位置合わせ作業が煩雑であり、製造コストの引下げが困
難であるなどの問題点があった。
造方法は、以上の製造工程からなり、金属薄膜電極４ａ
の製造工程におけるホトレジスト６の露光工程におい
て、写真製版法を用いるため、高価なガラスマスクや精
密マスクアライナが必要であり、又、写真製版のための
位置合わせ作業が煩雑であり、製造コストの引下げが困
難であるなどの問題点があった。
【００１０】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたものであり、金属薄膜電極を絶縁板に
設けたスルーホールに形成する際に、写真製版法によら
ずに形成することにより、製造コストの引下げの可能な
半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
るためになされたものであり、金属薄膜電極を絶縁板に
設けたスルーホールに形成する際に、写真製版法によら
ずに形成することにより、製造コストの引下げの可能な
半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る半導体
装置の製造方法は、シリコン基板と該シリコン基板上の
電極が形成される部位に対応させて予めスルーホールが
形成された所定の厚さの絶縁板とを接合する工程と、少
なくとも前記絶縁板の表面及び前記スルーホール内にお
ける電極が形成される部位に金属薄膜を形成し、該金属
薄膜の表面上にレジストを、その表面が略平坦となるよ
うにスルーホール内に厚く塗布する工程と、前記スルー
ホール内を除いて前記金属薄膜が露出するように、前記
スルーホール内の底部に残る程度に前記レジストを溶解
すべく、溶液に所定時間浸漬する工程と、露出している
前記金属薄膜を除去した後、前記スルーホール内に残っ
たレジストを除去する工程とを有し、前記スルーホール
内における前記シリコン基板上に金属薄膜電極を形成す
る方法である。
装置の製造方法は、シリコン基板と該シリコン基板上の
電極が形成される部位に対応させて予めスルーホールが
形成された所定の厚さの絶縁板とを接合する工程と、少
なくとも前記絶縁板の表面及び前記スルーホール内にお
ける電極が形成される部位に金属薄膜を形成し、該金属
薄膜の表面上にレジストを、その表面が略平坦となるよ
うにスルーホール内に厚く塗布する工程と、前記スルー
ホール内を除いて前記金属薄膜が露出するように、前記
スルーホール内の底部に残る程度に前記レジストを溶解
すべく、溶液に所定時間浸漬する工程と、露出している
前記金属薄膜を除去した後、前記スルーホール内に残っ
たレジストを除去する工程とを有し、前記スルーホール
内における前記シリコン基板上に金属薄膜電極を形成す
る方法である。
【００１２】第２の発明に係る半導体装置の製造方法
は、第１の発明に係る半導体装置の製造方法における、
金属薄膜の表面上にレジストを塗布する工程の後段に、
塗布された前記レジストをプリベークする工程を有し、
スルーホール内におけるシリコン基板上に金属薄膜電極
を形成する方法である。
は、第１の発明に係る半導体装置の製造方法における、
金属薄膜の表面上にレジストを塗布する工程の後段に、
塗布された前記レジストをプリベークする工程を有し、
スルーホール内におけるシリコン基板上に金属薄膜電極
を形成する方法である。
【００１３】第３の発明に係る半導体装置の製造方法
は、第１又は第２の発明に係る半導体装置の製造方法に
おいて、絶縁板として、３μm以上の厚さのものを準備
する工程を少なくとも有する方法である。
は、第１又は第２の発明に係る半導体装置の製造方法に
おいて、絶縁板として、３μm以上の厚さのものを準備
する工程を少なくとも有する方法である。
【００１４】
【発明の実施の形態】実施の形態１．この発明の実施の
形態１を図１に基づき説明する。図１は実施の形態１に
おける半導体装置としての半導体加速度センサーの製造
工程説明図である。図中、従来例と同じ符号で示された
ものは従来例のそれと同一若しくは同等なものを示す。
形態１を図１に基づき説明する。図１は実施の形態１に
おける半導体装置としての半導体加速度センサーの製造
工程説明図である。図中、従来例と同じ符号で示された
ものは従来例のそれと同一若しくは同等なものを示す。
【００１５】図１Ａにおいて、両面が鏡面研磨された厚
さ約２００μmのウエハ状のシリコン基板１の一方の面
に、シリコンエッチングにより深さ約100μmの空隙１ｆ
を形成し、この面側に絶縁板としての厚さ約４００μm
のガラス基板２を陽極接合する。陽極接合は、シリコン
ウエハとガラス基板とを数百度の高温環境下でシリコン
ウエハに約1000V近くの高電圧を印加することにより直
接接合する技術として知られている。
さ約２００μmのウエハ状のシリコン基板１の一方の面
に、シリコンエッチングにより深さ約100μmの空隙１ｆ
を形成し、この面側に絶縁板としての厚さ約４００μm
のガラス基板２を陽極接合する。陽極接合は、シリコン
ウエハとガラス基板とを数百度の高温環境下でシリコン
ウエハに約1000V近くの高電圧を印加することにより直
接接合する技術として知られている。
【００１６】次に、図１Ｂにおいて、シリコン基板１と
ガラス基板２との一体物におけるシリコン基板１に、シ
リコン異方性エッチングにより間隙１ｇ、空隙１ｈを形
成することにより、固定電極部１ａ〜外枠１ｃからなる
加速度センシング部を形成する。
ガラス基板２との一体物におけるシリコン基板１に、シ
リコン異方性エッチングにより間隙１ｇ、空隙１ｈを形
成することにより、固定電極部１ａ〜外枠１ｃからなる
加速度センシング部を形成する。
【００１７】次に、前記加速度センシング部を保護する
ために、シリコン基板１の表面に、予めスルーホール３
ａ及びザグリ３ｂが形成された絶縁板としての厚さ約４
００μmのガラス基板３を陽極接合する。この結果とし
て、シリコン基板１の両側を絶縁板としてのガラス基板
２、３でサンドイッチ状に挟持した構造となる。尚、前
記、ガラス基板２、３には、熱膨張係数がシリコン基板
１とほぼ等しい耐熱ガラス材を用いる。
ために、シリコン基板１の表面に、予めスルーホール３
ａ及びザグリ３ｂが形成された絶縁板としての厚さ約４
００μmのガラス基板３を陽極接合する。この結果とし
て、シリコン基板１の両側を絶縁板としてのガラス基板
２、３でサンドイッチ状に挟持した構造となる。尚、前
記、ガラス基板２、３には、熱膨張係数がシリコン基板
１とほぼ等しい耐熱ガラス材を用いる。
【００１８】次に、図１Ｃにおいて、スルーホール３ａ
を含めたガラス基板３の表面の全面に金属薄膜４を被覆
する。尚、金属薄膜電極材料としてはシリコン半導体の
配線材料として広範に用いられている厚さ数μmのアル
ミニウム薄膜、又はアルミニユムを主成分とする合金薄
膜を用い、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ蒸
着などの方法により被覆する。
を含めたガラス基板３の表面の全面に金属薄膜４を被覆
する。尚、金属薄膜電極材料としてはシリコン半導体の
配線材料として広範に用いられている厚さ数μmのアル
ミニウム薄膜、又はアルミニユムを主成分とする合金薄
膜を用い、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ蒸
着などの方法により被覆する。
【００１９】次に、金属薄膜４で電気的に短絡されてい
る個々のスルーホール３ａにおける電極を分離するため
に、スルーホール３ａを含めたガラス表面全面に被覆さ
れた金属薄膜４上にホトレジスト６をスピン塗布する。
ガラス基板３のスルーホール３ａの深さはガラス基板３
の厚みと同じく約４００μmであるため、ホトレジスト
６は平坦なガラス基板３の表面よりもスルーホール３ａ
内において厚く塗布される。次に、塗布されたホトレジ
スト６をプリベークして半固化させる。
る個々のスルーホール３ａにおける電極を分離するため
に、スルーホール３ａを含めたガラス表面全面に被覆さ
れた金属薄膜４上にホトレジスト６をスピン塗布する。
ガラス基板３のスルーホール３ａの深さはガラス基板３
の厚みと同じく約４００μmであるため、ホトレジスト
６は平坦なガラス基板３の表面よりもスルーホール３ａ
内において厚く塗布される。次に、塗布されたホトレジ
スト６をプリベークして半固化させる。
【００２０】次に、図１Ｄにおいて、溶剤としての現像
液に所定時間、浸漬して現像することにより半固化され
たホトレジスト６を溶解するが、その際、ガラス基板３
における平坦部のホトレジスト６は完全に溶解するが、
厚く塗布されたスルーホール３ａのレジストは溶解し切
らずに残る程度に溶解する。この状態でスルーホール３
ａに残ったホトレジスト６ａをポストベークし、完全固
化させる。
液に所定時間、浸漬して現像することにより半固化され
たホトレジスト６を溶解するが、その際、ガラス基板３
における平坦部のホトレジスト６は完全に溶解するが、
厚く塗布されたスルーホール３ａのレジストは溶解し切
らずに残る程度に溶解する。この状態でスルーホール３
ａに残ったホトレジスト６ａをポストベークし、完全固
化させる。
【００２１】実施の形態１においては、プリベーク後の
ホトレジスト６に対して露光する工程が不要である。即
ち、平坦部のホトレジスト６の厚さは数μm程度であ
り、スルーホール３ａにおけるレジストの厚さに比較し
て極めて薄いので、ホトレジスト６に対する露光工程を
省いても、プリベークによる半固化後、現像液に所定時
間浸漬し、金属薄膜４の平面上に塗布されたホトレジス
ト６が完全に除去された時点において、スルーホール３
ａ内には必要十分な厚さのホトレジスト６を残すことが
できる。
ホトレジスト６に対して露光する工程が不要である。即
ち、平坦部のホトレジスト６の厚さは数μm程度であ
り、スルーホール３ａにおけるレジストの厚さに比較し
て極めて薄いので、ホトレジスト６に対する露光工程を
省いても、プリベークによる半固化後、現像液に所定時
間浸漬し、金属薄膜４の平面上に塗布されたホトレジス
ト６が完全に除去された時点において、スルーホール３
ａ内には必要十分な厚さのホトレジスト６を残すことが
できる。
【００２２】次に、図１Ｅにおいて、金属薄膜４を選択
エッチングしてホトレジスト６ａで保護されたスルーホ
ール３ａ内にのみ金属薄膜４を残し、図１Ｆにおいて、
ホトレジスト６ａを除去液で除去し、最後にシンタリン
グしてシリコン表面と金属薄膜の密着力を高めることに
より金属薄膜電極４ａの形成を完了する。
エッチングしてホトレジスト６ａで保護されたスルーホ
ール３ａ内にのみ金属薄膜４を残し、図１Ｆにおいて、
ホトレジスト６ａを除去液で除去し、最後にシンタリン
グしてシリコン表面と金属薄膜の密着力を高めることに
より金属薄膜電極４ａの形成を完了する。
【００２３】以上のように、実施の形態１においては、
ガラス基板３のスルーホール３ａの深さが約４００μm
もあり、ホトレジスト６が平坦なガラス基板３の表面よ
りもスルーホール３ａ内において厚く塗布されることに
着目し、プリベーク後のホトレジスト６の露光工程を省
略した。即ち、金属薄膜４上にホトレジスト６をスピン
塗布し、プリベークして半固化させた後、ガラス基板３
における平坦部のホトレジスト６は溶解するが、厚く塗
布されたスルーホール３ａでは溶解しきれずに残る程度
に溶解し、スルーホール３ａに残ったホトレジスト６ａ
をポストベークした。
ガラス基板３のスルーホール３ａの深さが約４００μm
もあり、ホトレジスト６が平坦なガラス基板３の表面よ
りもスルーホール３ａ内において厚く塗布されることに
着目し、プリベーク後のホトレジスト６の露光工程を省
略した。即ち、金属薄膜４上にホトレジスト６をスピン
塗布し、プリベークして半固化させた後、ガラス基板３
における平坦部のホトレジスト６は溶解するが、厚く塗
布されたスルーホール３ａでは溶解しきれずに残る程度
に溶解し、スルーホール３ａに残ったホトレジスト６ａ
をポストベークした。
【００２４】上記のごとく、プリベーク後のホトレジス
ト６に対して露光する工程を不要としたので、ガラスマ
スクを使った写真製版が不要となり、レジスト塗布の不
均一性を考慮する必要がなく、かつ、自己整合的とな
り、マスクが不要であるからマスクの位置合わせ等の作
業も不要であり、マスクずれなどの心配も皆無である。
即ち、従来例と比較して、高価な精密マスクアライナや
ガラスマスクが不要となり、更に、溶液としての現像液
に所定時間浸漬することによりホトレジスト６を除去す
るようにしたので、プラズマアッシャー等の高価な設備
が不要であり、製造工程が省力化されるだけでなく、設
備コストを低減でき、半導体装置としての半導体加速度
センサーをより安価に製造できる。
ト６に対して露光する工程を不要としたので、ガラスマ
スクを使った写真製版が不要となり、レジスト塗布の不
均一性を考慮する必要がなく、かつ、自己整合的とな
り、マスクが不要であるからマスクの位置合わせ等の作
業も不要であり、マスクずれなどの心配も皆無である。
即ち、従来例と比較して、高価な精密マスクアライナや
ガラスマスクが不要となり、更に、溶液としての現像液
に所定時間浸漬することによりホトレジスト６を除去す
るようにしたので、プラズマアッシャー等の高価な設備
が不要であり、製造工程が省力化されるだけでなく、設
備コストを低減でき、半導体装置としての半導体加速度
センサーをより安価に製造できる。
【００２５】尚、実施の形態１においては、金属薄膜４
の表面上に塗布するレジストとしてホトレジスト６を用
いたが、露光工程を省略したので、ネガホトレジスト、
ポジホトレジスト等の感光レジストを必ずしも必要とせ
ず、より安価なレジストを利用できる。従って、レジス
トの除去には必ずしも現像液を必要とはせず、より安価
なレジスト溶剤を用いることができる。
の表面上に塗布するレジストとしてホトレジスト６を用
いたが、露光工程を省略したので、ネガホトレジスト、
ポジホトレジスト等の感光レジストを必ずしも必要とせ
ず、より安価なレジストを利用できる。従って、レジス
トの除去には必ずしも現像液を必要とはせず、より安価
なレジスト溶剤を用いることができる。
【００２６】又、実施の形態１においては、金属薄膜４
の表面上に塗布したレジスト６を現像液に所定時間浸漬
する工程の前段に、ホトレジスト６をプリベイクする工
程を有する。レジスト材料の選択によりプリベイクを省
略することも可能ではあるが、プリベイクすることによ
り、塗布直後のレジストが半固化し、その後のハンドリ
ング作業、溶液への浸漬時間管理等が極めて容易かつ確
実となる。
の表面上に塗布したレジスト６を現像液に所定時間浸漬
する工程の前段に、ホトレジスト６をプリベイクする工
程を有する。レジスト材料の選択によりプリベイクを省
略することも可能ではあるが、プリベイクすることによ
り、塗布直後のレジストが半固化し、その後のハンドリ
ング作業、溶液への浸漬時間管理等が極めて容易かつ確
実となる。
【００２７】又、実施の形態１においては、加速度セン
シング部を形成したシリコン基板１にガラス基板３を陽
極接合後、スルーホール３ａを含めたガラス基板３の表
面に金属薄膜４を被覆するようにしたので、後工程にシ
リコンエッチング工程がなく、従って、電極となる金属
薄膜４としては、従来例に示した、Cr／Auのごとき高価
な電極材料は不要であり、シリコン半導体の配線材料と
して広範に用いられている厚さ数μmのアルミニウム薄
膜、又はアルミニユムを主成分とする合金薄膜を、抵抗
加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ蒸着などの方法に
より被覆することができ、又、シリコン基板１に金属薄
膜電極を形成する前に、シリコン基板１とガラス基板３
とを陽極接合したので、このシリコン基板１とガラス基
板３との位置合わせ作業が容易であり、製造コストを大
幅に下げることができる。
シング部を形成したシリコン基板１にガラス基板３を陽
極接合後、スルーホール３ａを含めたガラス基板３の表
面に金属薄膜４を被覆するようにしたので、後工程にシ
リコンエッチング工程がなく、従って、電極となる金属
薄膜４としては、従来例に示した、Cr／Auのごとき高価
な電極材料は不要であり、シリコン半導体の配線材料と
して広範に用いられている厚さ数μmのアルミニウム薄
膜、又はアルミニユムを主成分とする合金薄膜を、抵抗
加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ蒸着などの方法に
より被覆することができ、又、シリコン基板１に金属薄
膜電極を形成する前に、シリコン基板１とガラス基板３
とを陽極接合したので、このシリコン基板１とガラス基
板３との位置合わせ作業が容易であり、製造コストを大
幅に下げることができる。
【００２８】尚、実施の形態１においては、絶縁板とし
て、厚さ約４００μmのガラス基板２、３を用いたが、
必ずしも約４００μmのガラス厚さを必要とするもので
はなく、ハンドリング上、問題なければ、即ち、金属薄
膜４の表面上に塗布したレジストの剥離に写真製版（露
光）を省略するだけの目的のためには、３μm以上の厚
さがあればよい。
て、厚さ約４００μmのガラス基板２、３を用いたが、
必ずしも約４００μmのガラス厚さを必要とするもので
はなく、ハンドリング上、問題なければ、即ち、金属薄
膜４の表面上に塗布したレジストの剥離に写真製版（露
光）を省略するだけの目的のためには、３μm以上の厚
さがあればよい。
【００２９】又、実施の形態１においては、絶縁板とし
て、熱膨張係数がシリコン基板１とほぼ等しい耐熱性の
ガラス基板２、３を用いたが、耐熱性のガラス材に限定
されるものではなく、シリコン基板１に形成された加速
度センシング部を機械的に保護すると共に電気的に絶縁
する、無機若しくは有機の絶縁材であってもよく、ガラ
ス基板２に関しては、シリコン基板１との接合面が絶縁
された金属板であってもよい。
て、熱膨張係数がシリコン基板１とほぼ等しい耐熱性の
ガラス基板２、３を用いたが、耐熱性のガラス材に限定
されるものではなく、シリコン基板１に形成された加速
度センシング部を機械的に保護すると共に電気的に絶縁
する、無機若しくは有機の絶縁材であってもよく、ガラ
ス基板２に関しては、シリコン基板１との接合面が絶縁
された金属板であってもよい。
【００３０】尚、実施の形態１においては、半導体加速
度センサにおける加速度センシング部の製造方法を例と
して説明したが、本発明は上記半導体加速度センサにお
ける加速度センシング部の製造方法に限定されるもので
はなく、シリコン基板に所定の厚さを有し、予めスルー
ホールが形成された絶縁板が接合され、該スルーホール
内に前記シリコン基板と外部との接続用電極を形成する
タイプの半導体装置の製造方法全般に適用できる。
度センサにおける加速度センシング部の製造方法を例と
して説明したが、本発明は上記半導体加速度センサにお
ける加速度センシング部の製造方法に限定されるもので
はなく、シリコン基板に所定の厚さを有し、予めスルー
ホールが形成された絶縁板が接合され、該スルーホール
内に前記シリコン基板と外部との接続用電極を形成する
タイプの半導体装置の製造方法全般に適用できる。
【００３１】
【発明の効果】第１の発明によれば、絶縁板の表面にお
けるスルーホール内に金属薄膜電極を形成する工程にお
いて、前記スルーホールを含む絶縁板の表面に形成され
た前記金属薄膜の表面上に塗布したレジストの露光工程
を省略し、溶液に所定時間浸漬することにより前記スル
ーホール内の底部を除いて前記レジストを除去するよう
にしたので、ガラスマスク等が不要であると共に、マス
クの位置合わせ等の作業も不要であり、かつ、感光レジ
ストを必要とせず、製造プロセスが簡略化されると共に
設備投資の削減や材料費用の節減が可能な半導体装置の
製造方法が得られる効果がある。
けるスルーホール内に金属薄膜電極を形成する工程にお
いて、前記スルーホールを含む絶縁板の表面に形成され
た前記金属薄膜の表面上に塗布したレジストの露光工程
を省略し、溶液に所定時間浸漬することにより前記スル
ーホール内の底部を除いて前記レジストを除去するよう
にしたので、ガラスマスク等が不要であると共に、マス
クの位置合わせ等の作業も不要であり、かつ、感光レジ
ストを必要とせず、製造プロセスが簡略化されると共に
設備投資の削減や材料費用の節減が可能な半導体装置の
製造方法が得られる効果がある。
【００３２】又、第２の発明によれば、第１の発明にお
ける、金属薄膜の表面上にレジストを塗布する工程の後
段に、塗布された前記レジストをプリベークする工程を
加えたので、塗布レジストが半固化し、その後のハンド
リング作業、溶液への浸漬時間管理等が極めて容易かつ
確実となる効果が得られる。
ける、金属薄膜の表面上にレジストを塗布する工程の後
段に、塗布された前記レジストをプリベークする工程を
加えたので、塗布レジストが半固化し、その後のハンド
リング作業、溶液への浸漬時間管理等が極めて容易かつ
確実となる効果が得られる。
【００３３】又、第３の発明によれば、第１又は第２の
発明における半導体装置の製造方法において、スルーホ
ールが形成され絶縁板の厚さを３μm以上の厚さとする
ことにより前記スルーホール内における前記レジストの
厚さを絶縁板の厚さ相当分厚くしたので、前記スルーホ
ール内だけを残して前記レジストを除去する作業が更に
容易かつ確実となる効果が得られる。
発明における半導体装置の製造方法において、スルーホ
ールが形成され絶縁板の厚さを３μm以上の厚さとする
ことにより前記スルーホール内における前記レジストの
厚さを絶縁板の厚さ相当分厚くしたので、前記スルーホ
ール内だけを残して前記レジストを除去する作業が更に
容易かつ確実となる効果が得られる。
【図１】 第１〜第３の発明の実施の形態１としての半
導体加速度センサにおける電気機械式加速度センシング
部の製造工程説明図である。
導体加速度センサにおける電気機械式加速度センシング
部の製造工程説明図である。
【図２】 従来の半導体加速度センサにおける電気機械
式加速度センシング部の製造工程説明図である。
式加速度センシング部の製造工程説明図である。
１ シリコン基板、１ａ 固定電極部、１ｂ 質量体、
１ｃ 外枠、１ｆ 空隙、１ｇ 間隙、１ｈ 空隙、
２、３ ガラス基板、３ａ スルーホール、３ｂザグ
リ、４ 金属薄膜、４ａ 金属薄膜電極、６ ホトレジ
スト
１ｃ 外枠、１ｆ 空隙、１ｇ 間隙、１ｈ 空隙、
２、３ ガラス基板、３ａ スルーホール、３ｂザグ
リ、４ 金属薄膜、４ａ 金属薄膜電極、６ ホトレジ
スト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 深浦 輝也 福岡県福岡市西区今宿東一丁目１番１号 福菱セミコンエンジニアリング株式会社内 (72)発明者 石橋 清志 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコン基板と該シリコン基板上の電極
が形成される部位に対応させて予めスルーホールが形成
された所定の厚さの絶縁板とを接合する工程と、少なく
とも前記絶縁板の表面及び前記スルーホール内における
電極が形成される部位に金属薄膜を形成し、該金属薄膜
の表面上にレジストを、その表面が略平坦となるように
スルーホール内に厚く塗布する工程と、前記スルーホー
ル内を除いて前記金属薄膜が露出するように、前記スル
ーホール内の底部に残る程度に前記レジストを溶解すべ
く、溶液に所定時間浸漬する工程と、露出している前記
金属薄膜を除去した後、前記スルーホール内に残ったレ
ジストを除去する工程とを有し、前記スルーホール内に
おける前記シリコン基板上に金属薄膜電極を形成するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 シリコン基板と該シリコン基板上の電極
が形成される部位に対応させて予めスルーホールが形成
された所定の厚さの絶縁板とを接合する工程と、少なく
とも前記絶縁板の表面及び前記スルーホール内における
電極が形成される部位に金属薄膜を形成し、該金属薄膜
の表面上にレジストを、その表面が略平坦となるように
スルーホール内に厚く塗布する工程と、塗布された前記
レジストをプリベークする工程と、前記スルーホール内
を除いて前記金属薄膜が露出するように、前記スルーホ
ール内の底部に残る程度に前記レジストを溶解すべく、
溶液に所定時間浸漬する工程と、露出している前記金属
薄膜を除去した後、前記スルーホール内に残ったレジス
トを除去する工程とを有し、前記スルーホール内におけ
る前記シリコン基板上に金属薄膜電極を形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の半導体装置
の製造方法において、絶縁板として、３μm以上の厚さ
のものを準備する工程を少なくとも有することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32449997A JP3570183B2 (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32449997A JP3570183B2 (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163372A true JPH11163372A (ja) | 1999-06-18 |
| JP3570183B2 JP3570183B2 (ja) | 2004-09-29 |
Family
ID=18166497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32449997A Expired - Lifetime JP3570183B2 (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3570183B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2098362A1 (en) * | 2006-12-27 | 2009-09-09 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Engraved plate and base material having conductor layer pattern using the engraved plate |
| CN116246994A (zh) * | 2023-05-11 | 2023-06-09 | 广东鸿浩半导体设备有限公司 | 一种半导体片临时键合防溢胶的方法 |
-
1997
- 1997-11-26 JP JP32449997A patent/JP3570183B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2098362A1 (en) * | 2006-12-27 | 2009-09-09 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Engraved plate and base material having conductor layer pattern using the engraved plate |
| EP2098362A4 (en) * | 2006-12-27 | 2012-07-18 | Hitachi Chemical Co Ltd | ENGRAVED PLATE AND BASE MATERIAL WITH CONCRETE STRUCTURE AND ENGRAVED PLATE |
| US8673428B2 (en) | 2006-12-27 | 2014-03-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Engraved plate and substrate with conductor layer pattern using the same |
| CN116246994A (zh) * | 2023-05-11 | 2023-06-09 | 广东鸿浩半导体设备有限公司 | 一种半导体片临时键合防溢胶的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3570183B2 (ja) | 2004-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4272561A (en) | Hybrid process for SBD metallurgies | |
| JP3570183B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0580070A (ja) | 歪ゲージ素子及びその製造方法 | |
| JPH02253628A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0681173A (ja) | 金属膜パターン形成方法 | |
| JPS60206192A (ja) | 薄膜ハイブリツド回路およびその製造方法 | |
| JP2006229271A (ja) | 振動体デバイスの製造方法 | |
| JP3387352B2 (ja) | インクジェット式記録ヘッド、これを用いたインクジェット式記録装置、並びに、インクジェット式記録ヘッドの製造方法 | |
| JPH05283412A (ja) | 半導体装置，およびその製造方法 | |
| US7189625B2 (en) | Micromachine and manufacturing method | |
| JP2004012668A (ja) | 光スイッチ装置及びその製造方法 | |
| JP3745756B2 (ja) | 光スイッチ素子の製造方法 | |
| JPS61141158A (ja) | バンプ電極形成方法 | |
| JPH02267941A (ja) | 突起電極の形成方法 | |
| JP2007251063A (ja) | 配線パターンの形成方法 | |
| JP2929882B2 (ja) | 半導体装置用キャリアテープおよびその製造方法 | |
| US20210175261A1 (en) | Method of fabricating array substrate, array substrate, and display apparatus thereof | |
| JP4390195B2 (ja) | パターニング方法 | |
| JPH08116150A (ja) | 電極配線および抵抗素子の形成方法 | |
| JP2005302816A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH05238011A (ja) | サーマルインクジェットヘッド | |
| JPH0234966A (ja) | アモルファス半導体薄膜上の金属電極のパターニング法 | |
| JPH0828403B2 (ja) | 金属突起の形成方法および転写方法 | |
| JPH05218212A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6321831A (ja) | パタ−ン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040309 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040316 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040601 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040614 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070702 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080702 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090702 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100702 Year of fee payment: 6 |