JPH11163028A - Wire bonding device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップパッ
ケージの製造装置に係り、より詳しくは、ワイヤの湿気
除去のための発熱器具を含むワイヤボンディング装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor chip package manufacturing apparatus, and more particularly, to a wire bonding apparatus including a heating device for removing moisture from wires.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体チップパッケージの製造工程にお
いて、ワイヤボンディング工程とは、金ワイヤまたはア
ルミニウムワイヤにより半導体チップとパッケージ基板
（即ち、リードフレームまたは配線基板）とを電気的に
接続する工程である。また、ワイヤボンディング工程
は、ウェーハから分離された個々の半導体チップがパッ
ケージ基板に接着されるダイボンディング工程の後続工
程である。2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor chip package, a wire bonding step is a step of electrically connecting a semiconductor chip and a package substrate (that is, a lead frame or a wiring substrate) by a gold wire or an aluminum wire. The wire bonding process is a process subsequent to the die bonding process in which individual semiconductor chips separated from the wafer are bonded to a package substrate.
【０００３】典型的なワイヤボンディングは、金ワイヤ
を用いたボールウェッジボンディング（ball-wedge bon
ding）である。即ち、半導体チップのチップパッドには
ボールボンディングが、パッケージ基板にはウェッジボ
ンディングが行われる。また、ボンディングの進行中に
は、熱超音波または熱圧着が加わる。[0003] A typical wire bonding is ball-wedge bonding using a gold wire.
ding). That is, ball bonding is performed on the chip pads of the semiconductor chip, and wedge bonding is performed on the package substrate. During the bonding, thermosonic waves or thermocompression bonding is applied.
【０００４】図３乃至図１０は、一般的なワイヤボンデ
ィング工程、すなわちボールウェッジ工程を示す概略図
である。図３乃至図１０を参照すると、ワイヤ１０の先
端に形成されたワイヤボール１０ａが、チップパッド１
２に向くように、キャピラリ２１が半導体チップ（図示
せず）の上方に位置する（図３）。ここで、クランプ２
２は開いた状態である。そして、キャピラリ２１の下降
に従ってワイヤボール１０ａが圧着され、そのため、ワ
イヤボール１０ａはチップパッド１２に接着される。こ
の際、チップパッド１２には熱が加わり、熱超音波方式
の場合には、キャピラリ２１に超音波振動が加わる（図
４）。FIGS. 3 to 10 are schematic views showing a general wire bonding step, that is, a ball wedge step. Referring to FIGS. 3 to 10, a wire ball 10 a formed at the tip of the wire 10 is attached to the chip pad 1.
The capillary 21 is located above the semiconductor chip (not shown) so as to face the semiconductor chip 2 (FIG. 3). Here, clamp 2
2 is open. Then, as the capillary 21 descends, the wire ball 10a is pressed, so that the wire ball 10a is bonded to the chip pad 12. At this time, heat is applied to the chip pad 12, and in the case of the thermal ultrasonic method, ultrasonic vibration is applied to the capillary 21 (FIG. 4).
【０００５】ワイヤボール１０ａがチップパッド１２に
接着された後、キャピラリ２１は上昇し、クランプ２２
は開いた状態である（図５）。それから、キャピラリ２
１は、パッケージ基板のワイヤボンディング部、例え
ば、リードフレームのリード１３側に移動しつつ、ワイ
ヤループ１０ｂを形成する（図６）。続いて、キャピラ
リ２１の下降に従って、ワイヤ１０は、熱圧着によりリ
ード１３にボンディングされる。この際、ワイヤ１０の
ボンディング部分は、ウェッジ状になり、熱超音波方式
の場合、超音波振動が付加される（図７）。After the wire ball 10a is adhered to the chip pad 12, the capillary 21 is raised and the clamp 22
Is open (FIG. 5). Then, Capillary 2
1 forms the wire loop 10b while moving to the wire bonding portion of the package substrate, for example, the lead 13 side of the lead frame (FIG. 6). Subsequently, as the capillary 21 descends, the wire 10 is bonded to the lead 13 by thermocompression. At this time, the bonding portion of the wire 10 has a wedge shape, and in the case of the thermal ultrasonic method, ultrasonic vibration is added (FIG. 7).
【０００６】ワイヤ１０が、ウェッジボンディング方式
によりリードフレームのリード１３にボンディングされ
た後（１０ｃ）、キャピラリ２１は上昇し、クランプ２
２は閉まる。そこで、ワイヤ１０はクランプ２２により
固定され、ウェッジボッディング１０ｃ部分で切られる
（図８）。また、ワイヤ１０の先端にトーチ２３で熱を
加えることによりワイヤボール１０ａを形成する（図
９）。その後、チップパッド１２ａに対するボールボン
ディングを行う（図１０）。ついで、前述した一連の過
程（図４乃至図９）を繰り返す。After the wire 10 is bonded to the lead 13 of the lead frame by the wedge bonding method (10c), the capillary 21 is raised and the clamp 2 is moved.
2 closes. Then, the wire 10 is fixed by the clamp 22 and cut at the wedge boarding 10c (FIG. 8). Further, a wire ball 10a is formed by applying heat to the tip of the wire 10 with a torch 23 (FIG. 9). Thereafter, ball bonding is performed on the chip pad 12a (FIG. 10). Then, the above-described series of processes (FIGS. 4 to 9) are repeated.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ワイヤボンディング
は、各々のチップパッド１２及びリード１３に対して一
つずつ連続的に実施されるが、只一つのワイヤ１０にで
も不良が発生すると、半導体チップ全体の動作に影響を
及ぼすので、ワイヤ１０の不良は致命的である。特に、
ワイヤボール１０ａの変形は、代表的なワイヤ不良の一
例である。ワイヤボール１０ａが完全に形成されない
と、チップパッド１２に対するボンディング力は弱化す
る。さらに、半導体チップのチップパッド１２から部分
的にずれるので、隣接するチップパッドとの電気的短絡
等のような不良をもたらすことがある。ここで、「完全
に形成される」とは、ワイヤボール１０ａが真の球形状
に形成された状態をいう。Wire bonding is performed continuously for each chip pad 12 and lead 13 one by one. However, if a defect occurs in only one wire 10, the entire semiconductor chip is damaged. In this case, the defect of the wire 10 is fatal. In particular,
The deformation of the wire ball 10a is an example of a typical wire defect. If the wire ball 10a is not completely formed, the bonding force to the chip pad 12 will be weakened. Furthermore, since the semiconductor chip is partially displaced from the chip pad 12 of the semiconductor chip, a defect such as an electric short circuit with an adjacent chip pad may be caused. Here, "completely formed" refers to a state in which the wire ball 10a is formed in a true spherical shape.
【０００８】ワイヤボール１０ａの変形原因は種々であ
るが、特に、ワイヤ１０の湿気が主な原因になる。ワイ
ヤ１０に湿気が含有されていると、トーチ２３によりワ
イヤ１０に熱を加えても、ワイヤ１０が完全に溶融され
ないため、ワイヤボール１０ａは完全には形成されなく
なる。Although there are various causes of deformation of the wire ball 10a, in particular, the main cause is moisture of the wire 10. If the wire 10 contains moisture, even if heat is applied to the wire 10 by the torch 23, the wire 10 is not completely melted, so that the wire ball 10a is not completely formed.
【０００９】そこで、本発明の目的は、ワイヤの湿気を
除去することにより、ワイヤボールの変形を防止すると
共に、ワイヤボンディング工程の信頼性を高め、ひいて
は、半導体チップパッケージ製品の信頼度を高めること
にある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to prevent the deformation of a wire ball by removing moisture from a wire, to enhance the reliability of a wire bonding process, and to enhance the reliability of a semiconductor chip package product. It is in.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によるワイヤボンディング装置は、半導体チ
ップとパッケージ基板とをワイヤにより接続するための
ものであって、ワイヤが巻回されているスプールと、ス
プールから供給されるワイヤを固定するためのクランプ
と、クランプの下部に位置し、且つワイヤが通過する貫
通孔を有するキャピラリと、キャピラリを通過したワイ
ヤの先端に熱を加えてワイヤボールを形成するトーチと
を含む。In order to achieve the above object, a wire bonding apparatus according to the present invention is for connecting a semiconductor chip and a package substrate with a wire, and includes a spool around which the wire is wound. A clamp for fixing a wire supplied from a spool, a capillary located at a lower portion of the clamp and having a through hole through which the wire passes, and applying heat to a tip of the wire passing through the capillary to remove a wire ball. Forming torch.
【００１１】特に、本発明によるワイヤボンディング装
置は、スプールとクランプとの間に位置し、ワイヤが通
過する貫通孔が形成された金属円筒と金属円筒の外面に
巻回され且つ電源部に連結されるコイルとを備える発熱
器具をさらに含む。従って、コイルで発生した熱が、金
属円筒を介してワイヤに伝達されることにより、ワイヤ
の湿気を除去する。そのため、トーチからワイヤに熱が
加わる際、ワイヤボールをより完全に形成することがで
きる。In particular, a wire bonding apparatus according to the present invention is located between a spool and a clamp, is wound around an outer surface of a metal cylinder having a through-hole through which a wire passes, and is connected to a power supply unit. The heating device further includes a coil. Therefore, the heat generated in the coil is transmitted to the wire through the metal cylinder, thereby removing moisture from the wire. Therefore, when heat is applied to the wire from the torch, the wire ball can be formed more completely.
【００１２】本発明によるワイヤボンディング装置の発
熱器具は、優れた電気絶縁性と熱伝達特性とを有する被
覆層が金属円筒の外面に形成されることが好ましく、金
属円筒は、銅または銅合金系列の金属からなり、被覆層
は、テフロンからなることが好ましい。[0012] In the heating apparatus of the wire bonding apparatus according to the present invention, it is preferable that a coating layer having excellent electric insulation and heat transfer characteristics is formed on an outer surface of the metal cylinder, and the metal cylinder is made of a copper or copper alloy series. And the coating layer is preferably made of Teflon.
【００１３】また、本発明によるワイヤボンディング装
置の発熱器具は、所定のガスをワイヤに噴射することに
より、ワイヤの湿気を除去することができるガス噴射ノ
ズルをさらに含むことができる。ガス噴射ノズルから噴
射されるガスとしては、窒素ガスが用いられる。[0013] The heating apparatus of the wire bonding apparatus according to the present invention may further include a gas injection nozzle capable of removing moisture from the wire by injecting a predetermined gas to the wire. Nitrogen gas is used as the gas injected from the gas injection nozzle.
【００１４】なお、発熱器具は、約２００℃の熱を発す
ることが好ましい。本発明によるワイヤボンディング装
置は、半導体チップとパッケージ基板とを支持し、且つ
半導体チップとパッケージ基板とに熱を加えるためのヒ
ーターブロックと、キャピラリに連結されて、キャピラ
リに超音波振動を加えるための振動子とをさらに含むこ
とができる。そして、ワイヤは、金ワイヤまたはアルミ
ニウムワイヤであり、パッケージ基板は、リードフレー
ムまたは配線基板である。It is preferable that the heat-generating device generates heat of about 200 ° C. A wire bonding apparatus according to the present invention supports a semiconductor chip and a package substrate, and has a heater block for applying heat to the semiconductor chip and the package substrate, and is connected to the capillary to apply ultrasonic vibration to the capillary. And a vibrator. The wire is a gold wire or an aluminum wire, and the package substrate is a lead frame or a wiring substrate.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の実施例をより詳しく説明する。図面全体において、同
一符号は、同一構成要素を示す。図１は、本発明の一実
施例による発熱器具４０を含むワイヤボンディング装置
３０を示す概略図である。図１を参照すると、ワイヤボ
ンディング装置３０は、ワイヤ１０により半導体チップ
１１のチップパッド１２とリードフレームのリード１３
とを電気的に接続する装置であり、特に、ワイヤ１０の
湿気を除去して、ワイヤボール１０ａを完全に形成する
発熱器具４０を含む。ワイヤ１０としては、金ワイヤま
たはアルミニウムワイヤが用いられる。この際、リード
フレームのリード１３だけではなく、配線基板のような
パッケージ基板も、半導体チップ１１のチップパッド１
２にワイヤボンディングされることができる。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. The same reference numerals denote the same components throughout the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a wire bonding apparatus 30 including a heating device 40 according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a wire bonding apparatus 30 includes a wire 10 and a chip pad 12 of a semiconductor chip 11 and a lead 13 of a lead frame.
And a heating device 40 that removes moisture from the wire 10 to completely form the wire ball 10a. As the wire 10, a gold wire or an aluminum wire is used. At this time, not only the leads 13 of the lead frame but also the package substrate such as a wiring
2 can be wire bonded.
【００１６】より詳しく説明すると、ワイヤ１０は、ス
プール３４に巻回されており、スプール３４から供給さ
れるワイヤ１０は、クランプ３２の間を通過して、クラ
ンプ３２の下部に位置するキャピラリ３１を通過する。
クランプ３２は、ボンディング済みのワイヤ１０を切断
するためにワイヤを固定する手段である（図８参照）。
キャピラリ３１は、ワイヤ１０が通過する貫通孔３１ａ
を含む。そして、キャピラリ３１に超音波振動を加える
振動子３５を、キャピラリ３１に連結することができ
る。トーチ３３は、キャピラリ３１の下部に位置し、キ
ャピラリ３１を通過したワイヤ１０の先端に熱を加えて
ワイヤボール１０ａを形成するためのものである。More specifically, the wire 10 is wound around a spool 34, and the wire 10 supplied from the spool 34 passes between the clamps 32 to pass through the capillary 31 located below the clamp 32. pass.
The clamp 32 is a means for fixing the wire 10 in order to cut the bonded wire 10 (see FIG. 8).
The capillary 31 has a through hole 31a through which the wire 10 passes.
including. Then, the vibrator 35 for applying ultrasonic vibration to the capillary 31 can be connected to the capillary 31. The torch 33 is located below the capillary 31 and is for applying heat to the tip of the wire 10 that has passed through the capillary 31 to form a wire ball 10a.
【００１７】ワイヤボンディングは、異種金属間の接合
であるので、その工程は、高温を要する。そこで、半導
体チップ１１とリード１３との下部に位置するヒーター
ブロック３６は、半導体チップ１１とリード１３とを支
持するだけでなく、これらに熱を加える役割をもする。
前述の振動子３５が、キャピラリ３１に超音波振動を加
えることにより、ワイヤボンディング工程は、より効果
的に行われることができる。ワイヤが通過しているキャ
ピラリ３１に超音波振動が加わると、ワイヤボンディン
グが容易になり、そのため、ワイヤボンディングの工程
温度を下げることができる。Since wire bonding is a bonding between dissimilar metals, the process requires a high temperature. Therefore, the heater block 36 located below the semiconductor chip 11 and the leads 13 not only supports the semiconductor chip 11 and the leads 13 but also plays a role of applying heat thereto.
The wire bonding step can be performed more effectively by applying the ultrasonic vibration to the capillary 31 by the vibrator 35 described above. When ultrasonic vibration is applied to the capillary 31 through which the wire passes, wire bonding is facilitated, so that the process temperature of the wire bonding can be reduced.
【００１８】本発明による発熱器具４０は、スプール３
４とクランプ３２との間に形成され、スプール３４から
供給されたワイヤ１０の湿気を除去してキャピラリ３１
を通過させるので、ワイヤボール１０ａがより完全に形
成される。即ち、発熱器具４０によりワイヤ１０の湿気
が除去されるので、ワイヤ１０の先端にトーチ３３から
熱を加えると、ワイヤボール１０ａがより完全に形成さ
れる。The heating device 40 according to the present invention comprises a spool 3
4 and the clamp 32, and removes the moisture of the wire 10 supplied from the spool 34 to remove the moisture from the capillary 31.
, The wire ball 10a is more completely formed. That is, since the moisture of the wire 10 is removed by the heating device 40, when heat is applied to the tip of the wire 10 from the torch 33, the wire ball 10a is more completely formed.
【００１９】図２は、本発明の一実施例による発熱器具
を示す概略図である。図２に示したように、発熱器具４
０は、ワイヤ１０を通過させるために中央部に貫通孔４
３が形成された金属円筒４１と、外壁に形成された被覆
層４２とを含む。被覆層４２の外面には、コイル４４が
巻回されており、電源部４５に連結されたコイル４４か
ら熱が発生される。金属円筒４１は、熱電導性に優れた
銅または銅合金系列の金属からなる。そして、被覆層４
２は、優れた電気絶縁性と熱伝達特性とを有するテフロ
ンのような樹脂が好ましい。FIG. 2 is a schematic view showing a heating device according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG.
0 is a through hole 4 in the center to allow the wire 10 to pass through.
3 includes a metal cylinder 41 formed thereon and a coating layer 42 formed on an outer wall. A coil 44 is wound around the outer surface of the coating layer 42, and heat is generated from the coil 44 connected to the power supply unit 45. The metal cylinder 41 is made of copper or a copper alloy-based metal having excellent thermal conductivity. And the coating layer 4
2 is preferably a resin such as Teflon having excellent electric insulation and heat transfer characteristics.
【００２０】金属円筒４１の貫通孔４３を介してワイヤ
１０が通過する際、コイル４４から生ずる熱は、被覆層
４２と金属円筒４１を介してワイヤ１０に伝達される。
そのため、ワイヤ１０の湿気は除去される。この発熱器
具４０は、約２００℃の熱をワイヤ１０に加えることに
より、ワイヤ１０の湿気を除去することができる。さら
に、発熱器具４０は、ヒーターブロックからチップとリ
ードとに加わるワイヤボンディング温度と類似する工程
条件を供給して、工程の信頼性を向上させることができ
る。When the wire 10 passes through the through hole 43 of the metal cylinder 41, the heat generated from the coil 44 is transmitted to the wire 10 via the coating layer 42 and the metal cylinder 41.
Therefore, the moisture of the wire 10 is removed. The heating device 40 can remove moisture from the wire 10 by applying heat of about 200 ° C. to the wire 10. Further, the heating device 40 can supply process conditions similar to the wire bonding temperature applied to the chip and the lead from the heater block, thereby improving process reliability.
【００２１】また、発熱器具４０は、ワイヤ１０に所定
のガスを噴射することにより、ワイヤの湿気除去が可能
なガス噴射ノズル４６をさらに含むことができる。ガス
噴射ノズル４６は、コイル４４が巻回されている金属円
筒４１でワイヤ１０の湿気を除去することとは別に、ガ
ス噴射により湿気を蒸発させることにより、ワイヤの湿
気をより効率的に除去することができる。ここで、噴射
ガスとしては、窒素ガス等が用いられ、ガスの噴射速度
は、ワイヤ１０が切られない程度であればよい。ガス噴
射ノズル４６は、金属円筒４１の上下部のいずれにも形
成可能である。The heating device 40 may further include a gas injection nozzle 46 capable of removing moisture from the wire by injecting a predetermined gas into the wire 10. The gas injection nozzle 46 removes the moisture of the wire 10 by the gas cylinder separately from removing the moisture of the wire 10 by the metal cylinder 41 around which the coil 44 is wound, thereby removing the moisture of the wire more efficiently. be able to. Here, nitrogen gas or the like is used as the injection gas, and the injection speed of the gas may be such that the wire 10 is not cut. The gas injection nozzle 46 can be formed in any of the upper and lower portions of the metal cylinder 41.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によるワ
イヤボンディング装置は、ワイヤの湿気が除去できる発
熱器具を含むため、完全なワイヤボールの形成を図るこ
とができる。従って、ワイヤボールの変形によるワイヤ
ボンディングの不良を防止することができる。As described above, since the wire bonding apparatus according to the present invention includes a heating device capable of removing moisture from the wire, a complete wire ball can be formed. Therefore, it is possible to prevent wire bonding failure due to deformation of the wire ball.
【図１】本発明の一実施例による発熱器具を含むワイヤ
ボンディング装置を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing a wire bonding apparatus including a heating device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例による発熱器具を示す概略図
である。FIG. 2 is a schematic view showing a heating device according to an embodiment of the present invention.
【図３】一般的なワイヤボンディング過程を概略的に説
明するための図である（その１）。FIG. 3 is a view schematically illustrating a general wire bonding process (part 1).
【図４】一般的なワイヤボンディング過程を概略的に説
明するための図である（その２）。FIG. 4 is a view schematically illustrating a general wire bonding process (part 2).
【図５】一般的なワイヤボンディング過程を概略的に説
明するための図である（その３）。FIG. 5 is a view schematically illustrating a general wire bonding process (part 3).
【図６】一般的なワイヤボンディング過程を概略的に説
明するための図である（その４）。FIG. 6 is a view schematically illustrating a general wire bonding process (part 4).
【図７】一般的なワイヤボンディング過程を概略的に説
明するための図である（その５）。FIG. 7 is a view schematically illustrating a general wire bonding process (part 5).
【図８】一般的なワイヤボンディング過程を概略的に説
明するための図である（その６）。FIG. 8 is a view schematically illustrating a general wire bonding process (part 6).
【図９】一般的なワイヤボンディング過程を概略的に説
明するための図である（その７）。FIG. 9 is a view schematically illustrating a general wire bonding process (part 7).
【図１０】一般的なワイヤボンディング過程を概略的に
説明するための図である（その８）。FIG. 10 is a view schematically illustrating a general wire bonding process (part 8).
１０：ワイヤ １０ａ：ワイヤボール １１：半導体チップ １２：チップパッド １３：リード ３０：ワイヤボンディング装置 ３１：キャピラリ ３２：クランプ ３３：トーチ ３４：スプール ３５：振動子 ３６：ヒーターブロック ４０：発熱器具 ４１：金属円筒 ４２：被覆層 ４３：貫通孔 ４４：コイル ４６：ガス噴射ノズル 10: Wire 10a: Wire Ball 11: Semiconductor Chip 12: Chip Pad 13: Lead 30: Wire Bonding Device 31: Capillary 32: Clamp 33: Torch 34: Spool 35: Vibrator 36: Heater Block 40: Heating Device 41: Metal Cylinder 42: coating layer 43: through hole 44: coil 46: gas injection nozzle
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金 載 學 大韓民国忠清南道天安市新▲ダン▼洞377 −10番地調承アパート101棟511号 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kim Nak-gong 377-10, New-Dang-Dong-dong, Cheonan-si, Chungcheongnam-do, South Korea
Claims (11)
ヤにより電気的に接続するためのワイヤボンディング装
置において、 前記ワイヤが巻回されているスプールと、 前記スプールから供給される前記ワイヤを固定するため
のクランプと、 前記クランプの下部に位置し、且つ前記ワイヤが通過す
る貫通孔を有するキャピラリと、 前記キャピラリを通過した前記ワイヤの先端に熱を加え
てワイヤボールを形成するトーチと、 前記スプールと前記クランプとの間に位置し、前記ワイ
ヤが通過する貫通孔が形成された金属円筒と前記金属円
筒の外面に巻回され、電源部に連結されるコイルとを備
える発熱器具とを含み、 前記コイルで発生した熱を前記金属円筒を介して前記ワ
イヤに伝達して前記ワイヤの湿気を除去することを特徴
とするワイヤボンディング装置。1. A wire bonding apparatus for electrically connecting a semiconductor chip and a package substrate by wires, comprising: a spool on which the wires are wound; and a wire for fixing the wires supplied from the spools. A clamp, a capillary located below the clamp, and having a through-hole through which the wire passes; a torch for applying heat to the tip of the wire that has passed through the capillary to form a wire ball; A heating device including a metal cylinder having a through-hole through which the wire is formed and a coil wound around an outer surface of the metal cylinder and connected to a power supply unit, wherein the coil is connected to a clamp. Wherein the heat generated in the step (c) is transmitted to the wire via the metal cylinder to remove moisture from the wire. Binding device.
熱伝達特性とに優れた被覆層が形成されることを特徴と
する請求項１に記載のワイヤボンディング装置。2. The wire bonding apparatus according to claim 1, wherein a coating layer having excellent electrical insulation and heat transfer characteristics is formed on an outer surface of the metal cylinder.
金属からなることを特徴とする請求項１に記載のワイヤ
ボンディング装置。3. The wire bonding apparatus according to claim 1, wherein the metal cylinder is made of copper or a copper alloy-based metal.
らなることを特徴とする請求項２に記載のワイヤボンデ
ィング装置。4. The wire bonding apparatus according to claim 2, wherein the coating layer is made of Teflon (registered trademark).
に含み、前記噴射ノズルから所定のガスを前記ワイヤに
噴射することにより前記ワイヤの湿気を除去することを
特徴とする請求項１に記載のワイヤボンディング装置。5. The apparatus according to claim 1, wherein the heating device further includes a gas injection nozzle, and removes moisture from the wire by injecting a predetermined gas from the injection nozzle to the wire. Wire bonding equipment.
は、窒素ガスであることを特徴とする請求項５に記載の
ワイヤボンディング装置。6. The wire bonding apparatus according to claim 5, wherein the gas injected from the gas injection nozzle is a nitrogen gas.
ることを特徴とする請求項１に記載のワイヤボンディン
グ装置。7. The wire bonding apparatus according to claim 1, wherein the heating device generates heat of about 200 ° C.
導体チップと前記パッケージ基板とを支持し、且つ前記
半導体チップと前記パッケージ基板とに熱を加えるため
のヒーターブロックをさらに含むことを特徴とする請求
項１に記載のワイヤボンディング装置。8. The wire bonding apparatus according to claim 1, further comprising a heater block for supporting the semiconductor chip and the package substrate and applying heat to the semiconductor chip and the package substrate. 2. The wire bonding apparatus according to 1.
ャピラリに連結され、前記キャピラリに超音波振動を加
えるための振動子をさらに含むことを特徴とする請求項
８に記載のワイヤボンディング装置。9. The wire bonding apparatus according to claim 8, wherein the wire bonding apparatus further includes a vibrator connected to the capillary for applying ultrasonic vibration to the capillary.
ニウムワイヤであることを特徴とする請求項１に記載の
ワイヤボンディング装置。10. The wire bonding apparatus according to claim 1, wherein the wire is a gold wire or an aluminum wire.
ムまたは配線基板であることを特徴とする請求項１に記
載のワイヤボンディング装置。11. The wire bonding apparatus according to claim 1, wherein the package substrate is a lead frame or a wiring substrate.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1997P-58178 | 1997-11-05 | ||
| KR1019970058178A KR100252005B1 (en) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | Wire bonding apparatus having heater for removing moisture of wire |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163028A true JPH11163028A (en) | 1999-06-18 |
Family
ID=19524178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10136567A Pending JPH11163028A (en) | 1997-11-05 | 1998-05-19 | Wire bonding device |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11163028A (en) |
| KR (1) | KR100252005B1 (en) |
| TW (1) | TW368709B (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6595400B2 (en) * | 2000-08-22 | 2003-07-22 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Wire bonding apparatus |
-
1997
- 1997-11-05 KR KR1019970058178A patent/KR100252005B1/en not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-03-07 TW TW087103355A patent/TW368709B/en not_active IP Right Cessation
- 1998-05-19 JP JP10136567A patent/JPH11163028A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6595400B2 (en) * | 2000-08-22 | 2003-07-22 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Wire bonding apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100252005B1 (en) | 2000-04-15 |
| KR19990038453A (en) | 1999-06-05 |
| TW368709B (en) | 1999-09-01 |
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