JPH11162956A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH11162956A JPH11162956A JP9322686A JP32268697A JPH11162956A JP H11162956 A JPH11162956 A JP H11162956A JP 9322686 A JP9322686 A JP 9322686A JP 32268697 A JP32268697 A JP 32268697A JP H11162956 A JPH11162956 A JP H11162956A
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- JP
- Japan
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- processing chamber
- waveguide
- plasma
- microwave
- magnetic field
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32229—Waveguides
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/205—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32678—Electron cyclotron resonance
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】大面積で均一な高密度プラズマを容易に生成し
得、かつ、装置の小型化が図れるプラズマ処理装置を提
供する。 【解決手段】内部に被処理物が保持され、プラズマが生
成される処理室１００と、処理室に設けられたマイクロ
波導入部１５ａ，１５ｃに接続され、プラズマを生成す
るためのマイクロ波を導入する導波管と、導波管の外周
に設置され、導波管と処理室内の少なくとも一部で電子
サイクロトロン共鳴磁場強度を有すると共に、導波管内
でのマイクロ波の伝送方向に沿って磁場の向きが反転す
るカスプ磁場を形成する第１の永久磁石１７ａ，１７
ａ′，１７ａ″と、処理室の周囲に互いに極性を変えて
複数配置された第２の永久磁石１７ｂとを備えたプラズ
マ処理装置であって、マイクロ波を発信する発信器が１
つであり、発信器からのマイクロ波を導く導波管が処理
室に複数本、例えば４本接続されている。
得、かつ、装置の小型化が図れるプラズマ処理装置を提
供する。 【解決手段】内部に被処理物が保持され、プラズマが生
成される処理室１００と、処理室に設けられたマイクロ
波導入部１５ａ，１５ｃに接続され、プラズマを生成す
るためのマイクロ波を導入する導波管と、導波管の外周
に設置され、導波管と処理室内の少なくとも一部で電子
サイクロトロン共鳴磁場強度を有すると共に、導波管内
でのマイクロ波の伝送方向に沿って磁場の向きが反転す
るカスプ磁場を形成する第１の永久磁石１７ａ，１７
ａ′，１７ａ″と、処理室の周囲に互いに極性を変えて
複数配置された第２の永久磁石１７ｂとを備えたプラズ
マ処理装置であって、マイクロ波を発信する発信器が１
つであり、発信器からのマイクロ波を導く導波管が処理
室に複数本、例えば４本接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理装置に
係り、例えば半導体装置や液晶表示装置等の製造におけ
るプラズマエッチング，プラズマＣＶＤ等の如くプラズ
マを用いて基板を処理するものに好適なプラズマ処理装
置に関する。
係り、例えば半導体装置や液晶表示装置等の製造におけ
るプラズマエッチング，プラズマＣＶＤ等の如くプラズ
マを用いて基板を処理するものに好適なプラズマ処理装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の大規模集積回路（ＬＳＩ）や液
晶表示装置（ＬＣＤ）の量産工程で用いられる製造装置
には、単位時間あたりに多数枚の基板を処理すること、
及び大面積基板を均一に処理すること、かつ、設置面積
の小さいことが要求されている。
晶表示装置（ＬＣＤ）の量産工程で用いられる製造装置
には、単位時間あたりに多数枚の基板を処理すること、
及び大面積基板を均一に処理すること、かつ、設置面積
の小さいことが要求されている。
【０００３】この様な要求を満足するため、エッチング
やＣＶＤ等の基板処理装置にて用いられるプラズマ源に
対しては、高スループットの点からは高密度プラズマの
生成，大面積基板の均一処理からは大面積均一プラズマ
の生成，小設置面積からは小型化が要求されている。こ
こでいう高密度とは、概ね電子密度１×１０11cm-3以上
を指す。また、大面積基板とはＬＳＩの場合、直径は概
ね８インチ以上、LCDの場合、概ね６３０×５５０mm以
上の寸法の基板を指す。
やＣＶＤ等の基板処理装置にて用いられるプラズマ源に
対しては、高スループットの点からは高密度プラズマの
生成，大面積基板の均一処理からは大面積均一プラズマ
の生成，小設置面積からは小型化が要求されている。こ
こでいう高密度とは、概ね電子密度１×１０11cm-3以上
を指す。また、大面積基板とはＬＳＩの場合、直径は概
ね８インチ以上、LCDの場合、概ね６３０×５５０mm以
上の寸法の基板を指す。
【０００４】従来のプラズマ源は、例えば、文献「Karl
-Heinz Kretschmer, Karl Matl,Gehard Lorenz, Ingo K
essler, and Bernd Dumbacher著、“An Electron Cyclo
tron Resonace (ECR) Plasma Source”，SOLID STATE T
ECHNOLOGY, February, １９９０，第５３頁−５５頁」
に記載されており、これを図１７に示す。
-Heinz Kretschmer, Karl Matl,Gehard Lorenz, Ingo K
essler, and Bernd Dumbacher著、“An Electron Cyclo
tron Resonace (ECR) Plasma Source”，SOLID STATE T
ECHNOLOGY, February, １９９０，第５３頁−５５頁」
に記載されており、これを図１７に示す。
【０００５】図１７に示す従来技術では、マイクロ波発
信器からのマイクロ波を、マイクロ波導入端子，角型金
属容器，石英容器を介して基板の上部垂直方向１個所か
ら基板に対向してマイクロ波を導入し、かつ、容器の周
囲を取り囲むように配置された永久磁石で高エネルギー
電子を生成するための電子サイクロトロン共鳴領域を形
成するとともに、プラズマを閉じ込めるための磁場を形
成している。
信器からのマイクロ波を、マイクロ波導入端子，角型金
属容器，石英容器を介して基板の上部垂直方向１個所か
ら基板に対向してマイクロ波を導入し、かつ、容器の周
囲を取り囲むように配置された永久磁石で高エネルギー
電子を生成するための電子サイクロトロン共鳴領域を形
成するとともに、プラズマを閉じ込めるための磁場を形
成している。
【０００６】また、別の従来技術は、例えば「Hiroshi N
ishizato、他３名著、“DEPOSITIONOF SiOF FILM IN A
HIGH DENSITY PLASMA REACTOR”,PROCEEDINGS：THE FOU
RTHINTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SPUTTERING & PLASMA
PROCESSES, 〜ISSP'97〜,Kanazawa, Japan, １９９５，
第６１頁−第６６頁」に記載されており、これを図１８
に示す。
ishizato、他３名著、“DEPOSITIONOF SiOF FILM IN A
HIGH DENSITY PLASMA REACTOR”,PROCEEDINGS：THE FOU
RTHINTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SPUTTERING & PLASMA
PROCESSES, 〜ISSP'97〜,Kanazawa, Japan, １９９５，
第６１頁−第６６頁」に記載されており、これを図１８
に示す。
【０００７】本従来例は、基板を処理するための処理室
とは別にプラズマ生成室を設け、主コイルを用いて電子
サイクロトロン共鳴磁場を前記プラズマ生成室中に生成
し、マイクロ波を基板に対し上部垂直方向１個所から基
板に対向してマイクロ波を導入し、基板の下側には前記
主コイルによって生成された磁場の強度を前記基板上で
所定の値以下とするための補助コイルを設けたものであ
る。
とは別にプラズマ生成室を設け、主コイルを用いて電子
サイクロトロン共鳴磁場を前記プラズマ生成室中に生成
し、マイクロ波を基板に対し上部垂直方向１個所から基
板に対向してマイクロ波を導入し、基板の下側には前記
主コイルによって生成された磁場の強度を前記基板上で
所定の値以下とするための補助コイルを設けたものであ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図１７に示した従来技
術では、特に大面積基板を処理する場合、入射マイクロ
波の大半が、先ず基板に入射する。マイクロ波は基板か
らの反射後、永久磁石によって作られる電子サイクロト
ロン共鳴磁場に入射する。このため、基板の加熱が著し
い。また、主にチャンバ内を散乱するマイクロ波でプラ
ズマを生成しているため、プラズマの生成効率が悪いも
のとなってしまう。従って、高密度プラズマの生成が困
難である。即ち、カットオフ以上の密度のプラズマを生
成できないため、真空容器内にマイクロ波の定在波分布
が生じ、プラズマが前記定在波分布の影響を受けるの
で、一様な大面積高密度プラズマの生成が困難であると
いう問題があった。
術では、特に大面積基板を処理する場合、入射マイクロ
波の大半が、先ず基板に入射する。マイクロ波は基板か
らの反射後、永久磁石によって作られる電子サイクロト
ロン共鳴磁場に入射する。このため、基板の加熱が著し
い。また、主にチャンバ内を散乱するマイクロ波でプラ
ズマを生成しているため、プラズマの生成効率が悪いも
のとなってしまう。従って、高密度プラズマの生成が困
難である。即ち、カットオフ以上の密度のプラズマを生
成できないため、真空容器内にマイクロ波の定在波分布
が生じ、プラズマが前記定在波分布の影響を受けるの
で、一様な大面積高密度プラズマの生成が困難であると
いう問題があった。
【０００９】また、図１８に示した従来技術は、主コイ
ルによって生成される電子サイクロトロン共鳴磁場に、
直接マイクロ波が入射するので、プラズマの生成効率が
高いという利点を有する。然し乍ら、大面積の電子サイ
クロトロン共鳴磁場領域の生成にコイルを用いているた
め、大面積基板を処理する場合、コイルが大型化すると
いう問題があり、かつ、補助コイルを用いたとしても、
基板上の磁場強度分布を一様にすることが困難である。
プラズマの密度分布は磁場強度分布に依存するため、一
様な大面積プラズマの生成が困難、すなわち、大面積基
板の均一処理が困難であるという問題を有する。更に
は、基板上での不均一磁場の存在により、デバイスダメ
ージが生じるという問題もある。
ルによって生成される電子サイクロトロン共鳴磁場に、
直接マイクロ波が入射するので、プラズマの生成効率が
高いという利点を有する。然し乍ら、大面積の電子サイ
クロトロン共鳴磁場領域の生成にコイルを用いているた
め、大面積基板を処理する場合、コイルが大型化すると
いう問題があり、かつ、補助コイルを用いたとしても、
基板上の磁場強度分布を一様にすることが困難である。
プラズマの密度分布は磁場強度分布に依存するため、一
様な大面積プラズマの生成が困難、すなわち、大面積基
板の均一処理が困難であるという問題を有する。更に
は、基板上での不均一磁場の存在により、デバイスダメ
ージが生じるという問題もある。
【００１０】本発明は上述の点に鑑みなされたもので、
その目的とするところは、大面積で均一な高密度プラズ
マを容易に生成し得、かつ、装置の小型化が図れるプラ
ズマ処理装置を提供するにある。
その目的とするところは、大面積で均一な高密度プラズ
マを容易に生成し得、かつ、装置の小型化が図れるプラ
ズマ処理装置を提供するにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明では上記目的を達
成するために、内部に被処理物が保持されている処理室
と、該処理室内に磁場を形成する磁場形成手段と、前記
処理室内にマイクロ波を導入する導波管とを備え、前記
導波管からのマイクロ波と磁場形成手段による磁場によ
り前記処理室内にプラズマを生成して前記被処理物を処
理するプラズマ処理装置であって、前記マイクロ波を発
信する発信器が１つであり、この発信器からのマイクロ
波を導く前記導波管が処理室に複数本接続されているこ
と、また、内部に被処理物が保持されていると共に、プ
ラズマが生成される処理室と、該処理室に接続され、プ
ラズマを生成するためのマイクロ波を導入する導波管
と、該導波管の外周に設置され、かつ、該導波管と前記
処理室内の少なくとも一部で電子サイクロトロン共鳴磁
場強度を有すると共に、導波管内でのマイクロ波の伝送
方向に沿って磁場の向きが反転するカスプ磁場を形成す
る第１の永久磁石と、前記処理室の周囲に互いに極性を
変えて複数配置された第２の永久磁石とを備えたプラズ
マ処理装置であって、前記マイクロ波を発信する発信器
が１つであり、この発信器からのマイクロ波を導く前記
導波管が処理室に複数本、例えば４本接続されているこ
とを特徴とする。
成するために、内部に被処理物が保持されている処理室
と、該処理室内に磁場を形成する磁場形成手段と、前記
処理室内にマイクロ波を導入する導波管とを備え、前記
導波管からのマイクロ波と磁場形成手段による磁場によ
り前記処理室内にプラズマを生成して前記被処理物を処
理するプラズマ処理装置であって、前記マイクロ波を発
信する発信器が１つであり、この発信器からのマイクロ
波を導く前記導波管が処理室に複数本接続されているこ
と、また、内部に被処理物が保持されていると共に、プ
ラズマが生成される処理室と、該処理室に接続され、プ
ラズマを生成するためのマイクロ波を導入する導波管
と、該導波管の外周に設置され、かつ、該導波管と前記
処理室内の少なくとも一部で電子サイクロトロン共鳴磁
場強度を有すると共に、導波管内でのマイクロ波の伝送
方向に沿って磁場の向きが反転するカスプ磁場を形成す
る第１の永久磁石と、前記処理室の周囲に互いに極性を
変えて複数配置された第２の永久磁石とを備えたプラズ
マ処理装置であって、前記マイクロ波を発信する発信器
が１つであり、この発信器からのマイクロ波を導く前記
導波管が処理室に複数本、例えば４本接続されているこ
とを特徴とする。
【００１２】更に、４本の導波管を処理室に接続する場
合には、１つの発信器からのマイクロ波を２つに分岐す
る第１のＴ分岐導波管と、該第１のＴ分岐導波管で２つ
に分岐されたそれぞれのマイクロ波を更に２つに分岐し
計４分岐する第２のＴ分岐導波管とを有し、この４分岐
されたマイクロ波をそれぞれ導く４本の導波管が前記処
理室に接続されるようにしたことを特徴とする。
合には、１つの発信器からのマイクロ波を２つに分岐す
る第１のＴ分岐導波管と、該第１のＴ分岐導波管で２つ
に分岐されたそれぞれのマイクロ波を更に２つに分岐し
計４分岐する第２のＴ分岐導波管とを有し、この４分岐
されたマイクロ波をそれぞれ導く４本の導波管が前記処
理室に接続されるようにしたことを特徴とする。
【００１３】また、１つの発信器からのマイクロ波を導
く前記導波管を処理室にＮ本接続すると共に、Ｎ−１本
の導波管に、該導波管内部のマイクロ波定在波分布を制
御する整合素子を設けたことを特徴とする。
く前記導波管を処理室にＮ本接続すると共に、Ｎ−１本
の導波管に、該導波管内部のマイクロ波定在波分布を制
御する整合素子を設けたことを特徴とする。
【００１４】例えば、処理室に４本の導波管が接続され
た場合には、１つの発振器から出射したマイクロ波はＴ
分岐導波管を２回経て、基板搬送方向に対し概略対称に
配置された導波管より前記処理室に入射すると、前記処
理室内部のマイクロ波入射部近傍に設けられた電子サイ
クロトロン共鳴磁場領域において、該マイクロ波により
高エネルギー電子が生成される。カスプ磁場において
は、前記処理室内の壁近傍から処理室中心部に向い、磁
場強度は急激に減少する。このため、壁近傍で局所的に
生成された高エネルギー電子は容易に前記処理室中心部
に拡散しながら、処理室全体に渡りプラズマを生成す
る。永久磁石により形成されたカスプ磁場を採用してい
るので、プラズマ閉じ込め領域における磁場強度は非常
に小さい。従って、均一なプラズマの形成が可能であ
る。特に４本以上の導波管を前記処理室に接続した場合
に大面積基板の均一処理に必要な一様なプラズマの生成
が可能となる。また、基板上の磁場強度を１０Gauss 以
下迄小さく出来るので、デバイスダメージの発生も無
い。
た場合には、１つの発振器から出射したマイクロ波はＴ
分岐導波管を２回経て、基板搬送方向に対し概略対称に
配置された導波管より前記処理室に入射すると、前記処
理室内部のマイクロ波入射部近傍に設けられた電子サイ
クロトロン共鳴磁場領域において、該マイクロ波により
高エネルギー電子が生成される。カスプ磁場において
は、前記処理室内の壁近傍から処理室中心部に向い、磁
場強度は急激に減少する。このため、壁近傍で局所的に
生成された高エネルギー電子は容易に前記処理室中心部
に拡散しながら、処理室全体に渡りプラズマを生成す
る。永久磁石により形成されたカスプ磁場を採用してい
るので、プラズマ閉じ込め領域における磁場強度は非常
に小さい。従って、均一なプラズマの形成が可能であ
る。特に４本以上の導波管を前記処理室に接続した場合
に大面積基板の均一処理に必要な一様なプラズマの生成
が可能となる。また、基板上の磁場強度を１０Gauss 以
下迄小さく出来るので、デバイスダメージの発生も無
い。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明のプラズマ処理装置
の一実施例を図１，図２、及び図３を用いて説明する。
の一実施例を図１，図２、及び図３を用いて説明する。
【００１６】該図に示す如く、処理室１００を構成する
天板１と側壁２は絶縁物３を介し接続され、側壁２は絶
縁物４を介しベースプレート５に接続される（ベースプ
レート５は電気的に基準電位に接続される）。ベースプ
レート５にはゲートバルブ６を介し基板１４が搬送され
る搬送室７が接続されていると共に、別のゲートバルブ
８を介して処理室１００内を真空排気する真空排気装置
９が接続されている。ベースプレート５には絶縁物１０
を介し、基板１４を保持する基板ホルダ１１が接続され
ている。図示はしていないが、搬送室７内に設けられた
搬送ロボットより基板１４が基板ホルダ１１に受け渡さ
れる。側壁２にはガス導入用のノズル１２ａ，１２ｂが
設けられている（ガス導入用のノズル１２ａ，１２ｂは
天板１に設けてもよい。また、ガス導入用のノズル１２
ａ，１２ｂのうち、一方を省略してもよい）。
天板１と側壁２は絶縁物３を介し接続され、側壁２は絶
縁物４を介しベースプレート５に接続される（ベースプ
レート５は電気的に基準電位に接続される）。ベースプ
レート５にはゲートバルブ６を介し基板１４が搬送され
る搬送室７が接続されていると共に、別のゲートバルブ
８を介して処理室１００内を真空排気する真空排気装置
９が接続されている。ベースプレート５には絶縁物１０
を介し、基板１４を保持する基板ホルダ１１が接続され
ている。図示はしていないが、搬送室７内に設けられた
搬送ロボットより基板１４が基板ホルダ１１に受け渡さ
れる。側壁２にはガス導入用のノズル１２ａ，１２ｂが
設けられている（ガス導入用のノズル１２ａ，１２ｂは
天板１に設けてもよい。また、ガス導入用のノズル１２
ａ，１２ｂのうち、一方を省略してもよい）。
【００１７】また、図３には示していないが、側壁２に
はマイクロ波導入部１５ａ，１５ｂ、１５ｃ，１５ｄが
設けられ、それぞれに導波管２１ａ，２１ｂ,２１ｃ,２
１ｄが接続されている。図１にはマイクロ波導入部１５
ａ，１５ｃを含む処理室100の断面を示す。該図の如
く、導波管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄには夫々ス
タブチューナ３０１ａ,３０１ｂ,３０１ｃ,３０１ｄと
検波器３０２ａ,３０２ｂ，３０２ｃ，３０２ｄが接続
されている。マイクロ波導入部１５ａ，１５ｃの内部に
は誘電体１６ａ，１６ｃが設けられ、図示はしていない
が、マイクロ波導入部１５ｂ，１５ｄの内部にも誘電体
が設けられている。マイクロ波導入部１５ａ，１５ｂ，
１５ｃ，１５ｄと導波管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１
ｄの接続部には、真空封止用の誘電体２０１ａ，２０１
ｂ，２０１ｃ，２０１ｄが設けられている。勿論、誘電
体１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄと２０１ａ，２０１
ｂ，２０１ｃ，２０１ｄは一体でも良い。
はマイクロ波導入部１５ａ，１５ｂ、１５ｃ，１５ｄが
設けられ、それぞれに導波管２１ａ，２１ｂ,２１ｃ,２
１ｄが接続されている。図１にはマイクロ波導入部１５
ａ，１５ｃを含む処理室100の断面を示す。該図の如
く、導波管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄには夫々ス
タブチューナ３０１ａ,３０１ｂ,３０１ｃ,３０１ｄと
検波器３０２ａ,３０２ｂ，３０２ｃ，３０２ｄが接続
されている。マイクロ波導入部１５ａ，１５ｃの内部に
は誘電体１６ａ，１６ｃが設けられ、図示はしていない
が、マイクロ波導入部１５ｂ，１５ｄの内部にも誘電体
が設けられている。マイクロ波導入部１５ａ，１５ｂ，
１５ｃ，１５ｄと導波管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１
ｄの接続部には、真空封止用の誘電体２０１ａ，２０１
ｂ，２０１ｃ，２０１ｄが設けられている。勿論、誘電
体１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄと２０１ａ，２０１
ｂ，２０１ｃ，２０１ｄは一体でも良い。
【００１８】一方、側壁２及び天板１の周囲にはそれぞ
れ永久磁石１７ａ，１７ｂが設けられ、プラズマ閉じ込
め用のカスプ磁場を形成する。永久磁石１７ａの外周に
は強磁性体（ヨーク）１８ａが設けられている。特に、
マイクロ波導入部１５ａ，１５ｃの上下に設けられた永
久磁石１７ａ′，１７ａ″は同一極性を有し、誘電体１
６ａ，１６ｃの真空側に電子サイクロトロン共鳴磁場強
度以上の磁場領域を形成する。誘電体１６ａ,１６ｃ
は、付随して発生した前記導波管２１ａ,２１ｃ内の電
子サイクロトロン共鳴磁場強度領域に重ねて配置され
る。電子サイクロトロン共鳴磁場強度は入射マイクロ波
の周波数によって決まり、２.４５ＧＨｚ の場合は８７
５Gauss である。更に、天板１，側壁２，基板ホルダ１
１にはそれぞれ高周波電源１９ａ，１９ｂ，１９ｃが接
続されていると共に、夫々の位相を監視・制御する位相
調整器２０が設けられている。
れ永久磁石１７ａ，１７ｂが設けられ、プラズマ閉じ込
め用のカスプ磁場を形成する。永久磁石１７ａの外周に
は強磁性体（ヨーク）１８ａが設けられている。特に、
マイクロ波導入部１５ａ，１５ｃの上下に設けられた永
久磁石１７ａ′，１７ａ″は同一極性を有し、誘電体１
６ａ，１６ｃの真空側に電子サイクロトロン共鳴磁場強
度以上の磁場領域を形成する。誘電体１６ａ,１６ｃ
は、付随して発生した前記導波管２１ａ,２１ｃ内の電
子サイクロトロン共鳴磁場強度領域に重ねて配置され
る。電子サイクロトロン共鳴磁場強度は入射マイクロ波
の周波数によって決まり、２.４５ＧＨｚ の場合は８７
５Gauss である。更に、天板１，側壁２，基板ホルダ１
１にはそれぞれ高周波電源１９ａ，１９ｂ，１９ｃが接
続されていると共に、夫々の位相を監視・制御する位相
調整器２０が設けられている。
【００１９】図４にはマイクロ波導波管２１ｄ断面より
見た処理室１００を示す。但し、図４では搬送室７，ゲ
ートバルブ６の記載は省略した。
見た処理室１００を示す。但し、図４では搬送室７，ゲ
ートバルブ６の記載は省略した。
【００２０】図５にはマイクロ波回路の構成を示す。該
図において、マイクロ波発振器２４にはマイクロ波電源
４００が接続され、マイクロ波発振器２４より出射した
マイクロ波はアイソレータ２５，検波器２６を経てＴ分
岐導波管２７ａにより２分岐される。分岐された夫々の
マイクロ波は再度Ｔ分岐導波管２７ｂ，２７ｃにより２
分岐され、分岐された４本の導波管２１ａ，２１ｂ，２
１ｃ，２１ｄが、それぞれ処理室１００のマイクロ波導
入部１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄに接続されてい
る。
図において、マイクロ波発振器２４にはマイクロ波電源
４００が接続され、マイクロ波発振器２４より出射した
マイクロ波はアイソレータ２５，検波器２６を経てＴ分
岐導波管２７ａにより２分岐される。分岐された夫々の
マイクロ波は再度Ｔ分岐導波管２７ｂ，２７ｃにより２
分岐され、分岐された４本の導波管２１ａ，２１ｂ，２
１ｃ，２１ｄが、それぞれ処理室１００のマイクロ波導
入部１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄに接続されてい
る。
【００２１】図６には処理室１００の斜視図を示す。但
し、図６では簡単のため、搬送室７及びゲートバルブ６
の記載は省略した。また、スタブチューナ３０１ａ，30
1b，３０１ｃ，３０１ｄの例として手動３スタブチュー
ナを用いた。該図において、マイクロ波導入部１５ａ，
１５ｂ，１５ｃ，１５ｄに接続された導波管２１ａ，２
１ｂ，２１ｃ，２１ｄは、処理室１００から管内波長の
４倍以内の距離で鉛直方向に屈曲されるとともに、処理
室１００から管内波長の１０倍以内の距離に整合素子と
して例えば電動制御可能なスタブチューナ３０１ａ,３
０１ｂ,３０１ｃ，３０１ｄ、及び検波器３０２ａ，３
０２ｂ，３０２ｃ，３０２ｄがそれぞれ接続されてい
る。また、検波器２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄから
出力される進行波パワー，反射波パワー，反射係数，位
相を検知して前記スタブチューナ301a，３０１ｂ，３０
１ｃ，３０１ｄを制御するスタブチューナ制御器４２６
を備えている。
し、図６では簡単のため、搬送室７及びゲートバルブ６
の記載は省略した。また、スタブチューナ３０１ａ，30
1b，３０１ｃ，３０１ｄの例として手動３スタブチュー
ナを用いた。該図において、マイクロ波導入部１５ａ，
１５ｂ，１５ｃ，１５ｄに接続された導波管２１ａ，２
１ｂ，２１ｃ，２１ｄは、処理室１００から管内波長の
４倍以内の距離で鉛直方向に屈曲されるとともに、処理
室１００から管内波長の１０倍以内の距離に整合素子と
して例えば電動制御可能なスタブチューナ３０１ａ,３
０１ｂ,３０１ｃ，３０１ｄ、及び検波器３０２ａ，３
０２ｂ，３０２ｃ，３０２ｄがそれぞれ接続されてい
る。また、検波器２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄから
出力される進行波パワー，反射波パワー，反射係数，位
相を検知して前記スタブチューナ301a，３０１ｂ，３０
１ｃ，３０１ｄを制御するスタブチューナ制御器４２６
を備えている。
【００２２】発振器より出射したマイクロ波はアイソレ
ータを経た後、Ｔ分岐導波管を２回経て４分岐導波管に
導入される。４分岐された導波管の夫々にはスタブチュ
ーナと検波器が備えられており、導波管中の定在波の状
態を検知・制御することが可能である。４分岐された導
波管は夫々処理室に接続され、処理室には周方向４個所
からマイクロ波が導入される。処理室にマイクロ波が入
射すると、マイクロ波導入部近傍の電子サイクロトロン
共鳴領域にて高エネルギー電子が生成されると共に、生
成された高エネルギー電子と分子・原子との衝突により
プラズマが生成される。
ータを経た後、Ｔ分岐導波管を２回経て４分岐導波管に
導入される。４分岐された導波管の夫々にはスタブチュ
ーナと検波器が備えられており、導波管中の定在波の状
態を検知・制御することが可能である。４分岐された導
波管は夫々処理室に接続され、処理室には周方向４個所
からマイクロ波が導入される。処理室にマイクロ波が入
射すると、マイクロ波導入部近傍の電子サイクロトロン
共鳴領域にて高エネルギー電子が生成されると共に、生
成された高エネルギー電子と分子・原子との衝突により
プラズマが生成される。
【００２３】処理室の外周に極性を順次変えて配置され
た永久磁石により、処理室内部にはカスプ磁場が形成さ
れる。永久磁石は、残留磁束密度の大きい(約１１００
０Ｇ)サマリウム・コバルト等から成る。このように形
成されたカスプ磁場は、処理室内壁近傍では数百ガウス
以上の強度を有するが、壁から離れるに従い急速に減少
し、処理室中心部では０となる。即ち、数１０ガウス以
下の非常に弱い磁場領域にプラズマを閉じ込めることが
できるので、均一な分布のプラズマの生成が可能であ
る。又、電子サイクロトロン共鳴領域においてはマイク
ロ波の吸収は非常に高効率（８０％以上）であり、か
つ、側壁近傍の電子サイクロトロン共鳴領域で生成され
た高エネルギー電子、及びプラズマは容器中心方向に容
易に拡散するので、高密度・均一・大面積プラズマの生
成が可能となる。
た永久磁石により、処理室内部にはカスプ磁場が形成さ
れる。永久磁石は、残留磁束密度の大きい(約１１００
０Ｇ)サマリウム・コバルト等から成る。このように形
成されたカスプ磁場は、処理室内壁近傍では数百ガウス
以上の強度を有するが、壁から離れるに従い急速に減少
し、処理室中心部では０となる。即ち、数１０ガウス以
下の非常に弱い磁場領域にプラズマを閉じ込めることが
できるので、均一な分布のプラズマの生成が可能であ
る。又、電子サイクロトロン共鳴領域においてはマイク
ロ波の吸収は非常に高効率（８０％以上）であり、か
つ、側壁近傍の電子サイクロトロン共鳴領域で生成され
た高エネルギー電子、及びプラズマは容器中心方向に容
易に拡散するので、高密度・均一・大面積プラズマの生
成が可能となる。
【００２４】実験データを基に、以上述べた記述を具体
的に説明する。先ず、本プラズマ処理装置中に圧力０.
２Ｐａ のアルゴンガスを導入し、４分岐導波管形より
マイクロ波を投入し、プラズマを生成した。生成された
プラズマの電子密度の測定結果を図７に示す。図７から
わかるように、マイクロ波導入部の高さ位置において、
電子密度１×１０11個以上の高密度プラズマが生成でき
た。また、基板上２２mmの高さにおいて、処理室中心か
ら±１００mmに渡り±５％以下の均一性を有するプラズ
マが生成できている。
的に説明する。先ず、本プラズマ処理装置中に圧力０.
２Ｐａ のアルゴンガスを導入し、４分岐導波管形より
マイクロ波を投入し、プラズマを生成した。生成された
プラズマの電子密度の測定結果を図７に示す。図７から
わかるように、マイクロ波導入部の高さ位置において、
電子密度１×１０11個以上の高密度プラズマが生成でき
た。また、基板上２２mmの高さにおいて、処理室中心か
ら±１００mmに渡り±５％以下の均一性を有するプラズ
マが生成できている。
【００２５】次に、本発明の有効性を実証するために、
本プラズマ処理装置を二酸化ケイ素の成膜に適用した。
直径８インチのシリコン基板を搬送室７から基板ホルダ
１１上に搬送する。次に、アルゴンガス，酸素ガス，モ
ノシランガスをノズル１２ａ，１２ｂから処理室中に導
入し、マイクロ波を４分岐導波管より導入する。電子サ
イクロトロン共鳴領域にて生成された高エネルギー電子
は、ガス分子と衝突してこれを電離して高密度均一プラ
ズマを形成すると共に、一部のガス分子はプラズマ中の
衝突現象により活性種（ラジカル）となる。モノシラン
のラジカルは酸素と結合し、基板上にて二酸化ケイ素膜
を形成する。形成された二酸化ケイ素膜の分布を図８に
示す。
本プラズマ処理装置を二酸化ケイ素の成膜に適用した。
直径８インチのシリコン基板を搬送室７から基板ホルダ
１１上に搬送する。次に、アルゴンガス，酸素ガス，モ
ノシランガスをノズル１２ａ，１２ｂから処理室中に導
入し、マイクロ波を４分岐導波管より導入する。電子サ
イクロトロン共鳴領域にて生成された高エネルギー電子
は、ガス分子と衝突してこれを電離して高密度均一プラ
ズマを形成すると共に、一部のガス分子はプラズマ中の
衝突現象により活性種（ラジカル）となる。モノシラン
のラジカルは酸素と結合し、基板上にて二酸化ケイ素膜
を形成する。形成された二酸化ケイ素膜の分布を図８に
示す。
【００２６】図８中のｕ１，ｕ２,ｕ３,ｕ４はマイクロ
波の入射方向を示す。又、３１０Ｗ，３００Ｗ等は各導
波管よりプラズマ中に吸収されるマイクロ波パワーを示
す。図８からわかるように、４分岐導波管系を適用する
ことにより、直径８インチのシリコン基板上に成膜レー
ト５００ｎｍ／分という高い成膜速度で、±１.６％
（１σ）という非常に均一性の良い二酸化シリコン膜が
形成できた。本実験例では基板の直径は８インチである
が、処理室の一層の大型化等により、更に大型の基板の
処理への対応も容易である。
波の入射方向を示す。又、３１０Ｗ，３００Ｗ等は各導
波管よりプラズマ中に吸収されるマイクロ波パワーを示
す。図８からわかるように、４分岐導波管系を適用する
ことにより、直径８インチのシリコン基板上に成膜レー
ト５００ｎｍ／分という高い成膜速度で、±１.６％
（１σ）という非常に均一性の良い二酸化シリコン膜が
形成できた。本実験例では基板の直径は８インチである
が、処理室の一層の大型化等により、更に大型の基板の
処理への対応も容易である。
【００２７】参考のために、２分岐導波管系を前述の二
酸化ケイ素膜の形成プロセスに適用した場合を図９
（ａ），図１０（ａ）に、分岐無し導波管系を適用した
場合を図９（ｂ），図１０（ｂ）に示す。図９（ａ）は
適用した２分岐導波管の構成を、図１０（ａ）は膜厚分
布を示す。導波管は対向配置とした。図１０（ａ）から
わかるように、対向して配置された導波管を結ぶ直線上
の成膜速度が大きく、これに垂直な方向の成膜速度は小
さい。このため、膜厚均一性は１σで±６％に低下す
る。また、図９（ｂ）に示す分岐無しの１個所入射系の
膜厚分布は、図１０（ｂ）に示すように、マイクロ波の
入射位置に対応して、基板上１個所のみが厚くなる。こ
のため、均一性は±２０％迄低下する。
酸化ケイ素膜の形成プロセスに適用した場合を図９
（ａ），図１０（ａ）に、分岐無し導波管系を適用した
場合を図９（ｂ），図１０（ｂ）に示す。図９（ａ）は
適用した２分岐導波管の構成を、図１０（ａ）は膜厚分
布を示す。導波管は対向配置とした。図１０（ａ）から
わかるように、対向して配置された導波管を結ぶ直線上
の成膜速度が大きく、これに垂直な方向の成膜速度は小
さい。このため、膜厚均一性は１σで±６％に低下す
る。また、図９（ｂ）に示す分岐無しの１個所入射系の
膜厚分布は、図１０（ｂ）に示すように、マイクロ波の
入射位置に対応して、基板上１個所のみが厚くなる。こ
のため、均一性は±２０％迄低下する。
【００２８】図８〜図１０では天板及び基板ホルダに高
周波電圧を印加していないが、基板のエッチングが必要
な場合は、基板ホルダに高周波電圧を印加する。この場
合でも、全く同様に、分岐無し導波管，二分岐導波管よ
りも四分岐導波管のほうが均一性の良い膜厚分布が得ら
れる。
周波電圧を印加していないが、基板のエッチングが必要
な場合は、基板ホルダに高周波電圧を印加する。この場
合でも、全く同様に、分岐無し導波管，二分岐導波管よ
りも四分岐導波管のほうが均一性の良い膜厚分布が得ら
れる。
【００２９】以上述べたように、４分岐導波管系を適用
することにより、極めて均一性の良い膜厚分布を得るこ
とができる。
することにより、極めて均一性の良い膜厚分布を得るこ
とができる。
【００３０】次に、４分岐導波管の制御性について説明
する。図１１には各導波管内の進行波を５１１ｆ〜５１
７ｆで、反射波を５１１ｒ〜５１７ｒで示す。図１１か
らわかるように、４分岐導波管系では、任意の一つの導
波管から処理室に入射したマイクロ波の一部が反射され
ると、この反射波はＴ分岐導波管を経由して別の導波管
から進行波としてプラズマに入射する。このため、分岐
導波管を処理室に接続しただけでは、各導波管からプラ
ズマに吸収されるマイクロ波パワーを制御することが難
しい。
する。図１１には各導波管内の進行波を５１１ｆ〜５１
７ｆで、反射波を５１１ｒ〜５１７ｒで示す。図１１か
らわかるように、４分岐導波管系では、任意の一つの導
波管から処理室に入射したマイクロ波の一部が反射され
ると、この反射波はＴ分岐導波管を経由して別の導波管
から進行波としてプラズマに入射する。このため、分岐
導波管を処理室に接続しただけでは、各導波管からプラ
ズマに吸収されるマイクロ波パワーを制御することが難
しい。
【００３１】これを解決する手段として、本実施例で
は、４分岐導波管の夫々に導波管内のマイクロ波進行波
パワーと反射波パワーと反射係数とその位相、乃至は導
波管内の定在波分布を検出するための検波器３０２ａ，
３０２ｂ，３０２ｃ，３０２ｄを設けると共に、４分岐
導波管の少なくとも３本に整合素子を設けた。整合素子
としては例えばスタブチューナを用いる。この様な構成
として、検波器からの信号を基に、スタブチューナのス
タブの導波管中への挿入距離を変えることにより、各導
波管からプラズマに吸収されるマイクロ波エネルギーを
調整することが出来る。例えば、発振器からの出射パワ
ーが１.５ｋＷ の時、夫々の導波管からプラズマに吸収
されるマイクロ波パワーを３００Ｗ〜３１０Ｗとするこ
とが出来る。即ち、効率８０％以上で、かつ、夫々の導
波管からプラズマに吸収されるパワーを概略均等にする
ことが出来る。発振器からの出射パワーの８０％以上を
プラズマに吸収させることができれば、実用上は十分で
ある。また本構成によれば、発振器からの出射パワーが
１.５ｋＷ の時、ある一本の導波管での進行波パワーと
反射波パワーの差を４５０Ｗ、他の導波管で２５０Ｗ〜
２６０Ｗとすることが出来るなど、各導波管からプラズ
マに吸収されるマイクロ波パワーを制御できる。
は、４分岐導波管の夫々に導波管内のマイクロ波進行波
パワーと反射波パワーと反射係数とその位相、乃至は導
波管内の定在波分布を検出するための検波器３０２ａ，
３０２ｂ，３０２ｃ，３０２ｄを設けると共に、４分岐
導波管の少なくとも３本に整合素子を設けた。整合素子
としては例えばスタブチューナを用いる。この様な構成
として、検波器からの信号を基に、スタブチューナのス
タブの導波管中への挿入距離を変えることにより、各導
波管からプラズマに吸収されるマイクロ波エネルギーを
調整することが出来る。例えば、発振器からの出射パワ
ーが１.５ｋＷ の時、夫々の導波管からプラズマに吸収
されるマイクロ波パワーを３００Ｗ〜３１０Ｗとするこ
とが出来る。即ち、効率８０％以上で、かつ、夫々の導
波管からプラズマに吸収されるパワーを概略均等にする
ことが出来る。発振器からの出射パワーの８０％以上を
プラズマに吸収させることができれば、実用上は十分で
ある。また本構成によれば、発振器からの出射パワーが
１.５ｋＷ の時、ある一本の導波管での進行波パワーと
反射波パワーの差を４５０Ｗ、他の導波管で２５０Ｗ〜
２６０Ｗとすることが出来るなど、各導波管からプラズ
マに吸収されるマイクロ波パワーを制御できる。
【００３２】従って、本４分岐導波管の制御性は実用上
十分に半導体等の量産装置適用に十分なものである。ま
た、前記検波器は必ずしも分岐導波管の最終分岐部分
（４分岐導波管ならば、処理室に接続される４本の導波
管部分）に無くても良い。例えば、図１２に示すよう
に、４分岐導波管の内の３個所に検波器を設け、かつ、
検波器を設けない導波管の、上流側の分岐前の導波管部
に検波器３０２ｅを設けても良い。また、図１におい
て、処理室からコーナー導波管部までの間にスタブチュ
ーナ及び検波器を設けても良い。又、これまで、導波管
は基板に対して概略平行に入射しているが、必ずしも平
行である必要はない。また、良好な均一性を保つために
は、処理室に接続される４分岐導波管の夫々の間の角度
を９０度±３０度程度以内にしなければならない。ま
た、導波管は基板搬送方向に対して概略対称系であり、
かつ、発振器から出射したマイクロ波が処理室に到達す
るまでの距離は各分岐導波管で概略一致しているが、必
ずしも、これらは必要ではない。但し、発振器から分岐
導波管を経由して、前記処理室に到達する迄の距離の、
各分岐導波管間の差をマイクロ波の管内波長以下とすれ
ば、マイクロ波に関して良好な制御性が得られる。
十分に半導体等の量産装置適用に十分なものである。ま
た、前記検波器は必ずしも分岐導波管の最終分岐部分
（４分岐導波管ならば、処理室に接続される４本の導波
管部分）に無くても良い。例えば、図１２に示すよう
に、４分岐導波管の内の３個所に検波器を設け、かつ、
検波器を設けない導波管の、上流側の分岐前の導波管部
に検波器３０２ｅを設けても良い。また、図１におい
て、処理室からコーナー導波管部までの間にスタブチュ
ーナ及び検波器を設けても良い。又、これまで、導波管
は基板に対して概略平行に入射しているが、必ずしも平
行である必要はない。また、良好な均一性を保つために
は、処理室に接続される４分岐導波管の夫々の間の角度
を９０度±３０度程度以内にしなければならない。ま
た、導波管は基板搬送方向に対して概略対称系であり、
かつ、発振器から出射したマイクロ波が処理室に到達す
るまでの距離は各分岐導波管で概略一致しているが、必
ずしも、これらは必要ではない。但し、発振器から分岐
導波管を経由して、前記処理室に到達する迄の距離の、
各分岐導波管間の差をマイクロ波の管内波長以下とすれ
ば、マイクロ波に関して良好な制御性が得られる。
【００３３】因みに、本成膜結果は４分岐導波管系を用
いなくとも、４個所の導波管夫々に整合素子，検波器，
アイソレータ及び発振器を接続した分岐無しの導波管系
を適用しても得られる。特に、分岐無しの４本導波管系
を用いれば、分岐に伴う導波管間の相互作用がなくなる
ので、発振器からのマイクロ波パワーをより容易にプラ
ズマに吸収させることが出来るので、より高効率な処理
装置を構成できる。
いなくとも、４個所の導波管夫々に整合素子，検波器，
アイソレータ及び発振器を接続した分岐無しの導波管系
を適用しても得られる。特に、分岐無しの４本導波管系
を用いれば、分岐に伴う導波管間の相互作用がなくなる
ので、発振器からのマイクロ波パワーをより容易にプラ
ズマに吸収させることが出来るので、より高効率な処理
装置を構成できる。
【００３４】これまで、導波管の数を４本として本発明
の実施例を説明したが、勿論、導波管の数が４本以上で
も均一な成膜が得られる。この場合、処理室に接続され
る導波管の数をＮ本とすると、マイクロ波の制御性を確
保するために、少なくとも、Ｎ−１本の導波管に整合素
子を設けることが望ましい。
の実施例を説明したが、勿論、導波管の数が４本以上で
も均一な成膜が得られる。この場合、処理室に接続され
る導波管の数をＮ本とすると、マイクロ波の制御性を確
保するために、少なくとも、Ｎ−１本の導波管に整合素
子を設けることが望ましい。
【００３５】また、基板処理後には、処理室の内壁面上
に膜や異物が付着するので、これを除去するためのクリ
ーニング工程が必要となる。前述した従来例では、ＮＦ
3 ，Ｃ2Ｆ6，ＣＣｌ4 等のガスを処理室に導入し、基板
ホルダに高周波電圧を印加している。これに対し、本発
明では基板ホルダのみならず天板及び側壁に高周波電圧
を印加し、かつ、それらの位相を変えることが出来るの
で、処理室内壁全面に渡り効率的なエッチングが可能と
なり、従って、更に高速のクリーニングが可能となる。
に膜や異物が付着するので、これを除去するためのクリ
ーニング工程が必要となる。前述した従来例では、ＮＦ
3 ，Ｃ2Ｆ6，ＣＣｌ4 等のガスを処理室に導入し、基板
ホルダに高周波電圧を印加している。これに対し、本発
明では基板ホルダのみならず天板及び側壁に高周波電圧
を印加し、かつ、それらの位相を変えることが出来るの
で、処理室内壁全面に渡り効率的なエッチングが可能と
なり、従って、更に高速のクリーニングが可能となる。
【００３６】図１３は本発明を適用した第二の実施例で
ある。本実施例は概ね第一の実施例と同様であるが、永
久磁石４１０を導波管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ
の外周に設けた点が異なる。この様な磁石構成としても
同様の性能を得ることが出来る。
ある。本実施例は概ね第一の実施例と同様であるが、永
久磁石４１０を導波管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ
の外周に設けた点が異なる。この様な磁石構成としても
同様の性能を得ることが出来る。
【００３７】図１４は本発明を適用した第三の実施例で
ある。本実施例は概ね第一の実施例と同一であるが、マ
イクロ波導入部１５ａ，１５ｃの周囲に巻線２１０ａ，
210cを設け、巻線用電源２２０ａ，２２０ｃによりこれ
らに電流を流して電子サイクロトロン共鳴磁場領域を形
成し、かつ、巻線２１０ａ，２１０ｃの外周に強磁性体
２１１ａ，２１１ｃを配置した点が異なる。
ある。本実施例は概ね第一の実施例と同一であるが、マ
イクロ波導入部１５ａ，１５ｃの周囲に巻線２１０ａ，
210cを設け、巻線用電源２２０ａ，２２０ｃによりこれ
らに電流を流して電子サイクロトロン共鳴磁場領域を形
成し、かつ、巻線２１０ａ，２１０ｃの外周に強磁性体
２１１ａ，２１１ｃを配置した点が異なる。
【００３８】この様な構成とすることによっても同様の
性能のプラズマ処理装置を構成できる。特に、マイクロ
波導入部を矩形とし、短い方の辺長を５mm〜２０mmとす
れば、マイクロ波の電界による絶縁破壊の心配無しに電
子サイクロトロン共鳴磁場を形成するのに必要なコイル
電流値を小さくすることが出来るので、小型のコイルを
構成できる。また、マイクロ波導入部１５ａ，１５ｃ内
にはフェライト等のマイクロ波透過性の磁性体を設けて
も良い。また、巻線用電源２２０ａ，２２０ｃによりコ
イル電流値を制御することにより、各導波管からプラズ
マに吸収されるマイクロ波パワーを制御することが出来
る。このコイル電流値と前記整合素子を連動して制御す
るコイル電流制御器２３０を設ければ、更に制御性の良
いプラズマ処理装置を構成できる。尚、図１４には示さ
れていないが、他に２本のマイクロ波導入部１５ｃ，１
５ｄが接続される。図１５にはマイクロ波導入部１５ｄ
から見た処理室側面図を示す。
性能のプラズマ処理装置を構成できる。特に、マイクロ
波導入部を矩形とし、短い方の辺長を５mm〜２０mmとす
れば、マイクロ波の電界による絶縁破壊の心配無しに電
子サイクロトロン共鳴磁場を形成するのに必要なコイル
電流値を小さくすることが出来るので、小型のコイルを
構成できる。また、マイクロ波導入部１５ａ，１５ｃ内
にはフェライト等のマイクロ波透過性の磁性体を設けて
も良い。また、巻線用電源２２０ａ，２２０ｃによりコ
イル電流値を制御することにより、各導波管からプラズ
マに吸収されるマイクロ波パワーを制御することが出来
る。このコイル電流値と前記整合素子を連動して制御す
るコイル電流制御器２３０を設ければ、更に制御性の良
いプラズマ処理装置を構成できる。尚、図１４には示さ
れていないが、他に２本のマイクロ波導入部１５ｃ，１
５ｄが接続される。図１５にはマイクロ波導入部１５ｄ
から見た処理室側面図を示す。
【００３９】図１６は本発明を適用した第四の実施例で
ある。該図に示す実施例は、金属製容器６０１内に、温
調された誘電体よりなり真空を保持する処理室６０４を
設けるとともに、処理室６０４の外周に極性を順次互い
違い変えて永久磁石６０２を配置して、処理室６０４内
部にカスプ磁場を形成するとともに、導波管６０３ａ，
６０３ｃによりマイクロ波は前記処理室６０４内に導入
される。図１６には示していないが、他に２本の導波管
６０３ｂ，６０３ｄが接続されている。又、温調に係わ
る手段の記載は省略した。導波管に隣接する永久磁石の
極性は同一とし、処理室内に電子サイクロトロン共鳴領
域が形成される。
ある。該図に示す実施例は、金属製容器６０１内に、温
調された誘電体よりなり真空を保持する処理室６０４を
設けるとともに、処理室６０４の外周に極性を順次互い
違い変えて永久磁石６０２を配置して、処理室６０４内
部にカスプ磁場を形成するとともに、導波管６０３ａ，
６０３ｃによりマイクロ波は前記処理室６０４内に導入
される。図１６には示していないが、他に２本の導波管
６０３ｂ，６０３ｄが接続されている。又、温調に係わ
る手段の記載は省略した。導波管に隣接する永久磁石の
極性は同一とし、処理室内に電子サイクロトロン共鳴領
域が形成される。
【００４０】エッチング装置やＣＶＤ装置では壁面に付
着する異物を低減するために、壁温を摂氏数百度に上昇
させる場合が有る。この場合でも、上記の構成とするこ
とにより、第一の実施例と同様の性能のプラズマ処理装
置を構成できる。
着する異物を低減するために、壁温を摂氏数百度に上昇
させる場合が有る。この場合でも、上記の構成とするこ
とにより、第一の実施例と同様の性能のプラズマ処理装
置を構成できる。
【００４１】第四の実施例においては、図１３と同様に
導波管６０３ａ,６０３ｂ,６０３ｃ，６０３ｄの周囲に
同一極性の永久磁石を配置しても良いし、第三の実施例
と同様に、処理室６０４の接続部との導波管６０３ａ，
６０３ｂ,６０３ｃ,６０３ｄの周囲に巻線を巻いて電流
を流すとともに、前記巻線の周囲に強磁性体を配置して
も良い。
導波管６０３ａ,６０３ｂ,６０３ｃ，６０３ｄの周囲に
同一極性の永久磁石を配置しても良いし、第三の実施例
と同様に、処理室６０４の接続部との導波管６０３ａ，
６０３ｂ,６０３ｃ,６０３ｄの周囲に巻線を巻いて電流
を流すとともに、前記巻線の周囲に強磁性体を配置して
も良い。
【００４２】以上では、全て円形の基板処理を例にとっ
て説明したが、直方体状の処理室を用いて、全く同様に
導波管を配置することにより、液晶表示装置の製造で用
いられる矩形状の大型基板の均一処理が可能となる。特
に、四隅よりマイクロ波を導入することにより、均一処
理に顕著な効果が得られる。
て説明したが、直方体状の処理室を用いて、全く同様に
導波管を配置することにより、液晶表示装置の製造で用
いられる矩形状の大型基板の均一処理が可能となる。特
に、四隅よりマイクロ波を導入することにより、均一処
理に顕著な効果が得られる。
【００４３】
【発明の効果】以上説明した本発明のプラズマ処理装置
によれば、内部に被処理物が保持されている処理室と、
該処理室内に磁場を形成する磁場形成手段と、前記処理
室内にマイクロ波を導入する導波管とを備え、前記導波
管からのマイクロ波と磁場形成手段による磁場により前
記処理室内にプラズマを生成して前記被処理物を処理す
るプラズマ処理装置であって、前記マイクロ波を発信す
る発信器が１つであり、この発信器からのマイクロ波を
導く前記導波管が処理室に複数本接続されていたり、或
いは、内部に被処理物が保持されていると共に、プラズ
マが生成される処理室と、該処理室に接続され、プラズ
マを生成するためのマイクロ波を導入する導波管と、該
導波管の外周に設置され、かつ、該導波管と前記処理室
内の少なくとも一部で電子サイクロトロン共鳴磁場強度
を有すると共に、導波管内でのマイクロ波の伝送方向に
沿って磁場の向きが反転するカスプ磁場を形成する第１
の永久磁石と、前記処理室の周囲に互いに極性を変えて
複数配置された第２の永久磁石とを備えたプラズマ処理
装置であって、前記マイクロ波を発信する発信器が１つ
であり、この発信器からのマイクロ波を導く前記導波管
が処理室に複数本、例えば４本接続されているものであ
るから、壁近傍で局所的に生成された高エネルギー電子
は容易に処理室中心部に拡散しながら、処理室全体に渡
りプラズマを生成でき、さらに永久磁石により形成され
たカスプ磁場を採用しているので、プラズマ閉じ込め領
域における磁場強度は非常に小さいため、均一なプラズ
マの形成が可能である。
によれば、内部に被処理物が保持されている処理室と、
該処理室内に磁場を形成する磁場形成手段と、前記処理
室内にマイクロ波を導入する導波管とを備え、前記導波
管からのマイクロ波と磁場形成手段による磁場により前
記処理室内にプラズマを生成して前記被処理物を処理す
るプラズマ処理装置であって、前記マイクロ波を発信す
る発信器が１つであり、この発信器からのマイクロ波を
導く前記導波管が処理室に複数本接続されていたり、或
いは、内部に被処理物が保持されていると共に、プラズ
マが生成される処理室と、該処理室に接続され、プラズ
マを生成するためのマイクロ波を導入する導波管と、該
導波管の外周に設置され、かつ、該導波管と前記処理室
内の少なくとも一部で電子サイクロトロン共鳴磁場強度
を有すると共に、導波管内でのマイクロ波の伝送方向に
沿って磁場の向きが反転するカスプ磁場を形成する第１
の永久磁石と、前記処理室の周囲に互いに極性を変えて
複数配置された第２の永久磁石とを備えたプラズマ処理
装置であって、前記マイクロ波を発信する発信器が１つ
であり、この発信器からのマイクロ波を導く前記導波管
が処理室に複数本、例えば４本接続されているものであ
るから、壁近傍で局所的に生成された高エネルギー電子
は容易に処理室中心部に拡散しながら、処理室全体に渡
りプラズマを生成でき、さらに永久磁石により形成され
たカスプ磁場を採用しているので、プラズマ閉じ込め領
域における磁場強度は非常に小さいため、均一なプラズ
マの形成が可能である。
【００４４】特に４本以上の導波管を処理室に接続した
場合には、大面積基板の均一処理に必要な一様なプラズ
マの生成が可能となるので、大面積で均一な高密度プラ
ズマを容易に生成し得、かつ、装置の小型化が図れ、従
って、プラズマＣＶＤやエッチングに応用することによ
り、小型で、かつ、処理能力の高いプラズマ処理装置を
提供できる。
場合には、大面積基板の均一処理に必要な一様なプラズ
マの生成が可能となるので、大面積で均一な高密度プラ
ズマを容易に生成し得、かつ、装置の小型化が図れ、従
って、プラズマＣＶＤやエッチングに応用することによ
り、小型で、かつ、処理能力の高いプラズマ処理装置を
提供できる。
【図１】本発明のプラズマ処理装置の第一の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１に示したプラズマ処理装置の平面図であ
る。
る。
【図３】本発明のプラズマ処理装置の第一の実施例を示
し、図１とは角度を変えて断面した断面図である。
し、図１とは角度を変えて断面した断面図である。
【図４】図１に示したプラズマ処理装置の正面図であ
る。
る。
【図５】本発明のプラズマ処理装置の第一の実施例にお
けるマイクロ波回路を示す構成図である。
けるマイクロ波回路を示す構成図である。
【図６】図１に示した本発明のプラズマ処理装置の第一
の実施例を示す斜視図である。
の実施例を示す斜視図である。
【図７】本発明の一実施例によるアルゴンプラズマ中の
電子密度分布を示す特性図である。
電子密度分布を示す特性図である。
【図８】本発明の一実施例を適用して二酸化ケイ素膜を
形成した際の膜厚分布を示す図である。
形成した際の膜厚分布を示す図である。
【図９】（ａ）は二酸化ケイ素膜の形成プロセスに２分
岐導波管系を使用した場合、（ｂ）は分岐無し導波管系
を使用した場合の構成を示す図である。
岐導波管系を使用した場合、（ｂ）は分岐無し導波管系
を使用した場合の構成を示す図である。
【図１０】（ａ）は二酸化ケイ素膜の形成プロセスに２
分岐導波管系を使用した際の膜厚分布を、（ｂ）は分岐
無し導波管系を使用した際の膜厚分布を示す図である。
分岐導波管系を使用した際の膜厚分布を、（ｂ）は分岐
無し導波管系を使用した際の膜厚分布を示す図である。
【図１１】本発明における分岐導波管内のマイクロ波の
進行波と反射波の様子を示す図である。
進行波と反射波の様子を示す図である。
【図１２】本発明の一実施例における検波器の設置個所
を示す図である。
を示す図である。
【図１３】本発明のプラズマ処理装置の第二の実施例を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図１４】本発明のプラズマ処理装置の第三の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１５】図１４の側面図である。
【図１６】本発明のプラズマ処理装置の第四の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１７】プラズマ処理装置の第一の従来例を示す図で
ある。
ある。
【図１８】プラズマ処理装置の第二の従来例を示す図で
ある。
ある。
１…天板、２…側壁、３，４，１０…絶縁物、５…ベー
スプレート、６，８…ゲートバルブ、７…搬送室、９…
真空排気装置、１１…基板ホルダ、１２ａ，１２ｂ，６
０５…ノズル、１４…基板、１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，
１５ｄ…マイクロ波導入部、１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，
１６ｄ，２０１ａ,２０１ｂ,２０１ｃ，２０１ｄ…誘電
体、１７ａ，１７ｂ，１７ａ′，１７ａ″，１１７，１
１８，１１９，１２０，１２１，４１０，６０２…永久
磁石、１８ａ，１８ｂ…ヨーク、１９ａ，１９ｂ，１９
ｃ…高周波電源、２０…位相調整器、２１ａ，２１ｂ，
２１ｃ，２１ｄ，６０３ａ，６０３ｂ，６０３ｃ，６０
３ｄ…導波管、２４…マイクロ波発振器、２５…アイソ
レータ、２６，２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ，２８
ｅ，３０２ａ，３０２ｂ，３０２ｃ，３０２ｄ…検波
器、２７ａ，２７ｂ，２７ｃ…Ｔ分岐導波管、２９ａ，
２９ｂ，２９ｃ，２９ｄ,３０１ａ,３０１ｂ，３０１
ｃ，３０１ｄ…スタブチューナ、１００，６０４，６０
６…処理室、２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃ，２１０ｄ
…巻線、２２０ａ,２２０ｂ,２２０ｃ，２２０ｄ…巻線
用電源、２３０…コイル電流制御器、２１１ａ，２１１
ｂ，２１１ｃ，２１１ｄ…強磁性体、４００…マイクロ
波電源、４２６…スタブチューナ制御器、５１１ｆ，５
１２ｆ，５１３ｆ，５１４ｆ，５１５ｆ，５１６ｆ，５
１７ｆ…進行波、５１１ｒ，５１２ｒ,５１３ｒ,５１４
ｒ,５１５ｒ,５１６ｒ，５１７ｒ…反射波、６０１…金
属製容器。
スプレート、６，８…ゲートバルブ、７…搬送室、９…
真空排気装置、１１…基板ホルダ、１２ａ，１２ｂ，６
０５…ノズル、１４…基板、１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，
１５ｄ…マイクロ波導入部、１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，
１６ｄ，２０１ａ,２０１ｂ,２０１ｃ，２０１ｄ…誘電
体、１７ａ，１７ｂ，１７ａ′，１７ａ″，１１７，１
１８，１１９，１２０，１２１，４１０，６０２…永久
磁石、１８ａ，１８ｂ…ヨーク、１９ａ，１９ｂ，１９
ｃ…高周波電源、２０…位相調整器、２１ａ，２１ｂ，
２１ｃ，２１ｄ，６０３ａ，６０３ｂ，６０３ｃ，６０
３ｄ…導波管、２４…マイクロ波発振器、２５…アイソ
レータ、２６，２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ，２８
ｅ，３０２ａ，３０２ｂ，３０２ｃ，３０２ｄ…検波
器、２７ａ，２７ｂ，２７ｃ…Ｔ分岐導波管、２９ａ，
２９ｂ，２９ｃ，２９ｄ,３０１ａ,３０１ｂ，３０１
ｃ，３０１ｄ…スタブチューナ、１００，６０４，６０
６…処理室、２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃ，２１０ｄ
…巻線、２２０ａ,２２０ｂ,２２０ｃ，２２０ｄ…巻線
用電源、２３０…コイル電流制御器、２１１ａ，２１１
ｂ，２１１ｃ，２１１ｄ…強磁性体、４００…マイクロ
波電源、４２６…スタブチューナ制御器、５１１ｆ，５
１２ｆ，５１３ｆ，５１４ｆ，５１５ｆ，５１６ｆ，５
１７ｆ…進行波、５１１ｒ，５１２ｒ,５１３ｒ,５１４
ｒ,５１５ｒ,５１６ｒ，５１７ｒ…反射波、６０１…金
属製容器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｃ Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者 内川 貞夫 茨城県日立市大みか町七丁目２番１号 株 式会社日立製作所電力・電機開発本部内 (72)発明者 瀬戸山 英嗣 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内 (72)発明者 石黒 浩二 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内 (72)発明者 村上 元 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (13)
- 【請求項１】内部に被処理物が保持されている処理室
と、該処理室内に磁場を形成する磁場形成手段と、前記
処理室内にマイクロ波を導入する導波管とを備え、前記
導波管からのマイクロ波と磁場形成手段による磁場によ
り前記処理室内にプラズマを生成して前記被処理物を処
理するプラズマ処理装置において、 前記マイクロ波を発信する発信器が１つであり、この発
信器からのマイクロ波を導く前記導波管が処理室に複数
本接続されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】内部に被処理物が保持されていると共に、
プラズマが生成される処理室と、該処理室に接続され、
プラズマを生成するためのマイクロ波を導入する導波管
と、該導波管の外周に設置され、かつ、該導波管と前記
処理室内の少なくとも一部で電子サイクロトロン共鳴磁
場強度を有すると共に、導波管内でのマイクロ波の伝送
方向に沿って磁場の向きが反転するカスプ磁場を形成す
る第１の永久磁石と、前記処理室の周囲に互いに極性を
変えて複数配置された第２の永久磁石とを備えたプラズ
マ処理装置において、 前記マイクロ波を発信する発信器が１つであり、この発
信器からのマイクロ波を導く前記導波管が処理室に複数
本接続されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】内部に被処理物が保持されていると共に、
プラズマが生成される処理室と、該処理室に接続され、
プラズマを生成するためのマイクロ波を導入する導波管
と、該導波管の外周に設置され、かつ、該導波管と前記
処理室内の少なくとも一部で電子サイクロトロン共鳴磁
場強度を有すると共に、導波管内でのマイクロ波の伝送
方向に沿って磁場の向きが反転するカスプ磁場を形成す
る第１の永久磁石と、前記処理室の周囲に互いに極性を
変えて複数配置された第２の永久磁石とを備えたプラズ
マ処理装置において、 前記マイクロ波を発信する発信器が１つであり、この発
信器からのマイクロ波を導く前記導波管が処理室に４本
接続されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項４】前記発信器からのマイクロ波は、分岐導波
管を介して前記導波管に導かれていることを特徴とする
請求項１，２、又は３記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】内部に被処理物が保持されていると共に、
プラズマが生成される処理室と、該処理室に接続され、
プラズマを生成するためのマイクロ波を導入する導波管
と、該導波管の外周に設置され、かつ、該導波管と前記
処理室内の少なくとも一部で電子サイクロトロン共鳴磁
場強度を有すると共に、導波管内でのマイクロ波の伝送
方向に沿って磁場の向きが反転するカスプ磁場を形成す
る第１の永久磁石と、前記処理室の周囲に互いに極性を
変えて複数配置された第２の永久磁石とを備えたプラズ
マ処理装置において、 前記マイクロ波を発信する発信器が１つであり、この発
信器からのマイクロ波を２つに分岐する第１のＴ分岐導
波管と、該第１のＴ分岐導波管で２つに分岐されたそれ
ぞれのマイクロ波を更に２つに分岐し計４分岐する第２
のＴ分岐導波管とを有し、この４分岐されたマイクロ波
をそれぞれ導く４本の導波管が前記処理室に接続されて
いることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項６】前記４本の導波管の少なくとも３本に、該
導波管内部のマイクロ波定在波分布を制御する整合素子
を設けたことを特徴とする請求項３、又は５記載のプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項７】前記導波管は、処理室の側壁に前記被処理
物の面とほぼ平行な方向にマイクロ波が導かれるように
接続されていることを特徴とする請求項１，２，３、又
は５記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項８】前記導波管内のマイクロ波定在波分布を検
出する検出手段、若しくは前記導波管内のマイクロ波進
行波と反射波のパワーをそれぞれ検出する検出手段を該
導波管に設けると共に、この検出手段により検出された
各導波管内のマイクロ波定在波分布、若しくはマイクロ
波進行波と反射波のパワーが該導波管内に出現しないよ
うに前記整合素子を制御する制御手段を設けたことを特
徴とする請求項６記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項９】前記整合素子をスタブとし、所定のマイク
ロ波パワーが各導波管より前記処理室内のプラズマに吸
収され、かつ、過大な進行波パワー及び反射波パワーが
前記導波管内に出現しないように前記各導波管のマイク
ロ波定在波分布、若しくは進行波パワーと反射波パワー
に応じて、各導波管に設けられた前記スタブの位置を調
整する調整手段を有することを特徴とする請求項８記載
のプラズマ処理装置。 - 【請求項１０】内部に被処理物が保持されていると共
に、プラズマが生成される処理室と、該処理室に接続さ
れ、プラズマを生成するためのマイクロ波を導入する導
波管と、該導波管の外周に設置され、かつ、該導波管と
前記処理室内の少なくとも一部で電子サイクロトロン共
鳴磁場強度を有すると共に、導波管内でのマイクロ波の
伝送方向に沿って磁場の向きが反転するカスプ磁場を形
成する第１の永久磁石と、前記処理室の周囲に互いに極
性を変えて複数配置された第２の永久磁石とを備えたプ
ラズマ処理装置において、 前記マイクロ波を発信する発信器が１つであり、この発
信器からのマイクロ波を導く前記導波管を処理室にＮ本
接続すると共に、Ｎ−１本の導波管に、該導波管内部の
マイクロ波定在波分布を制御する整合素子を設けたこと
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項１１】内部に被処理物が保持されていると共
に、プラズマが生成される処理室と、該処理室に接続さ
れ、プラズマを生成するためのマイクロ波を導入する導
波管と、該導波管の外周に設置され、電流を流すことに
より前記マイクロ波の周波数に対して電子サイクロトロ
ン共鳴磁場以上の強度の磁場を前記処理室内に生成する
巻線と、該巻線の外周に配置された磁性体と、前記処理
室の周囲に互いに極性を変えて複数個配置されカスプ磁
場を形成する永久磁石とを備え、 前記マイクロ波を発信する発信器が１つであり、この発
信器からのマイクロ波を導く前記導波管が処理室に複数
本接続されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項１２】誘電体により形成され真空が保持されて
いる処理室と、該処理室内に被処理物を保持する保持手
段と、前記処理室内に磁場を形成する磁場形成手段と、
前記処理室内にマイクロ波を導入する導波管と、前記処
理室を取り囲む金属製容器とを備え、前記磁場形成手段
による磁場強度は、前記マイクロ波に対して電子サイク
ロトロン共鳴磁場強度以上の強さを有すると共に、前記
マイクロ波により前記処理室内にプラズマを生成して前
記被処理物を処理するプラズマ処理装置において、 前記処理室の外周に極性を順次互い違いに変えて配置さ
れ、カスプ磁場を形成する永久磁石を有すると共に、前
記導波管を処理室に複数本接続し、該導波管と処理室と
の接続部近傍に電子サイクロトロン共鳴磁場強度以上の
磁場を形成することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項１３】内部に被処理物が保持されていると共
に、プラズマが生成される処理室と、該処理室に接続さ
れ、プラズマを生成するためのマイクロ波を導入する導
波管と、該導波管の外周に設置され、かつ、該導波管と
前記処理室内の少なくとも一部で電子サイクロトロン共
鳴磁場強度を有すると共に、導波管内でのマイクロ波の
伝送方向に沿って磁場の向きが反転するカスプ磁場を形
成する第１の永久磁石と、前記処理室の周囲に互いに極
性を変えて複数配置された第２の永久磁石とを備えたプ
ラズマ処理装置において、 前記導波管を処理室に複数本接続すると共に、それぞれ
の導波管の他端がマイクロ波を発信する各々の発信器に
接続されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9322686A JPH11162956A (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | プラズマ処理装置 |
| TW087117269A TW396404B (en) | 1997-11-25 | 1998-10-19 | Plasma treatment device |
| KR1019980050363A KR19990045516A (ko) | 1997-11-25 | 1998-11-24 | 플라즈마 처리장치 |
| DE19854198A DE19854198A1 (de) | 1997-11-25 | 1998-11-24 | Plasmabearbeitungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9322686A JPH11162956A (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11162956A true JPH11162956A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18146495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9322686A Pending JPH11162956A (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | プラズマ処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11162956A (ja) |
| KR (1) | KR19990045516A (ja) |
| DE (1) | DE19854198A1 (ja) |
| TW (1) | TW396404B (ja) |
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
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| KR100733393B1 (ko) | 2004-12-29 | 2007-06-29 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 마이크로 웨이브 출력 측정 수단을 포함하는 건식 식각장치 |
| JP2008032528A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 導波管内の定在波測定部および定在波測定方法、電磁波利用装置、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| CN102751399A (zh) * | 2012-07-17 | 2012-10-24 | 大连理工常州研究院有限公司 | 采用金属基片制备垂直GaN基LED芯片的设备 |
| WO2013027470A1 (ja) * | 2011-08-23 | 2013-02-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、マイクロ波導入装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2018534769A (ja) * | 2015-12-30 | 2018-11-22 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッドＭａｔｔｓｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ． | ミリ秒アニールシステムのためのガスフロー制御 |
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|---|---|---|---|---|
| KR101108575B1 (ko) * | 2010-02-12 | 2012-01-30 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 갭필 방법 |
| EP3002996B1 (en) | 2011-06-09 | 2020-03-25 | Korea Basic Science Institute | Neutral particle beam source including belt-type magnets and microwave irradiating equipment |
| DE102011111884B3 (de) * | 2011-08-31 | 2012-08-30 | Martin Weisgerber | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von thermodynamisch kaltem Mikrowellenplasma |
| TWI471894B (zh) * | 2012-04-28 | 2015-02-01 | Korea Basic Science Inst | A plasma generating source including a ribbon magnet, and a thin film deposition system using the same |
| DE102013215252A1 (de) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | Eeplasma Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Prozessgasen in einem Plasma angeregt durch elektromagnetische Wellen hoher Frequenz |
-
1997
- 1997-11-25 JP JP9322686A patent/JPH11162956A/ja active Pending
-
1998
- 1998-10-19 TW TW087117269A patent/TW396404B/zh not_active IP Right Cessation
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- 1998-11-24 KR KR1019980050363A patent/KR19990045516A/ko not_active Application Discontinuation
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