JPH11162937A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH11162937A JPH11162937A JP9324716A JP32471697A JPH11162937A JP H11162937 A JPH11162937 A JP H11162937A JP 9324716 A JP9324716 A JP 9324716A JP 32471697 A JP32471697 A JP 32471697A JP H11162937 A JPH11162937 A JP H11162937A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放電管の長寿命化を図り得るプラズマ処理装
置を提供する。 【解決手段】 誘電体で形成された放電管６の内部に反
応性ガスを導入し、放電管６の内部の反応性ガスにマイ
クロ波導波管２０を介してマイクロ波を照射してプラズ
マを発生させるようにしたプラズマ処理装置である。マ
イクロ波導波管２０は、横断面の外形が長方形を成す細
長の中空部材２１によって形成されており、中空部材２
１は、一対の長辺側の面１３及び一対の短辺側の面１４
を備えており、放電管６は一対の短辺側の面１４を垂直
に貫通している。
置を提供する。 【解決手段】 誘電体で形成された放電管６の内部に反
応性ガスを導入し、放電管６の内部の反応性ガスにマイ
クロ波導波管２０を介してマイクロ波を照射してプラズ
マを発生させるようにしたプラズマ処理装置である。マ
イクロ波導波管２０は、横断面の外形が長方形を成す細
長の中空部材２１によって形成されており、中空部材２
１は、一対の長辺側の面１３及び一対の短辺側の面１４
を備えており、放電管６は一対の短辺側の面１４を垂直
に貫通している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理装置に
係わり、特に、マイクロ波によって放電管の内部でプラ
ズマを発生させるようにしたプラズマ処理装置に関す
る。
係わり、特に、マイクロ波によって放電管の内部でプラ
ズマを発生させるようにしたプラズマ処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造用シリコンウエハや液晶ディ
スプレイ用ガラス基板といった被処理物を減圧雰囲気下
において処理するための装置として、マイクロ波プラズ
マを利用して被処理物の処理を行うマイクロ波プラズマ
処理装置がある。
スプレイ用ガラス基板といった被処理物を減圧雰囲気下
において処理するための装置として、マイクロ波プラズ
マを利用して被処理物の処理を行うマイクロ波プラズマ
処理装置がある。
【０００３】このマイクロ波プラズマ処理装置の一つ
に、処理室から分離して配置された放電室を備え、この
放電室においてマイクロ波プラズマを生成するようにし
た放電分離型ケミカルドライエッチング装置（以下、
「ＣＤＥ装置」と言う。）がある。
に、処理室から分離して配置された放電室を備え、この
放電室においてマイクロ波プラズマを生成するようにし
た放電分離型ケミカルドライエッチング装置（以下、
「ＣＤＥ装置」と言う。）がある。
【０００４】図５はＣＤＥ装置の概略を示した概略構成
図であり、図５に示したように従来のＣＤＥ装置は、処
理室２を内部に形成する真空容器１を備えており、この
真空容器１の内部には被処理物３を載置するための載置
台４が設けられている。
図であり、図５に示したように従来のＣＤＥ装置は、処
理室２を内部に形成する真空容器１を備えており、この
真空容器１の内部には被処理物３を載置するための載置
台４が設けられている。
【０００５】また、真空容器１にはガス導入管５の一端
が接続されており、このガス導入管５の他端には、誘電
体で形成された放電管６の一端が接続されている。放電
管６の内部には放電室１１が形成されている。
が接続されており、このガス導入管５の他端には、誘電
体で形成された放電管６の一端が接続されている。放電
管６の内部には放電室１１が形成されている。
【０００６】放電管６の他端側には反応性ガスを放電管
６の内部に導入するためのガス導入口７が設けられてお
り、さらに、放電管６には、放電管６の内部にマイクロ
波を供給するためのマイクロ波導波管８が接続されてい
る。
６の内部に導入するためのガス導入口７が設けられてお
り、さらに、放電管６には、放電管６の内部にマイクロ
波を供給するためのマイクロ波導波管８が接続されてい
る。
【０００７】ここで、放電管６を形成するための誘電体
としては、石英、アルミナ等を使用することができる。
としては、石英、アルミナ等を使用することができる。
【０００８】図６に示したようにマイクロ波導波管８
は、その管軸方向が放電管６の管軸方向と直交するよう
にして放電管６に接続されている。また、マイクロ波導
波管８はその横断面が長方形を成しており、長辺側の面
１３と短辺側の面１４とを備えている。そして、マイク
ロ波導波管８はその管軸方向が長辺側の面１３に対して
垂直に、短辺側の面１４に対して平行になるように配置
されており、放電管６がマイクロ波導波管８の長辺側の
面１３を貫通している。
は、その管軸方向が放電管６の管軸方向と直交するよう
にして放電管６に接続されている。また、マイクロ波導
波管８はその横断面が長方形を成しており、長辺側の面
１３と短辺側の面１４とを備えている。そして、マイク
ロ波導波管８はその管軸方向が長辺側の面１３に対して
垂直に、短辺側の面１４に対して平行になるように配置
されており、放電管６がマイクロ波導波管８の長辺側の
面１３を貫通している。
【０００９】そして、ガス導入口７から供給された反応
性ガスは、マイクロ波導波管８を介して放電管６の内部
に供給されたマイクロ波の照射を受けてプラズマ化さ
れ、これによって反応性ガス中に活性種が生成される。
この活性種はガス導入管５を介して真空容器１内の処理
室２に輸送され、載置台４の上に載置された被処理物３
の表面に供給され、これによって被処理物３の表面処理
が行われる。
性ガスは、マイクロ波導波管８を介して放電管６の内部
に供給されたマイクロ波の照射を受けてプラズマ化さ
れ、これによって反応性ガス中に活性種が生成される。
この活性種はガス導入管５を介して真空容器１内の処理
室２に輸送され、載置台４の上に載置された被処理物３
の表面に供給され、これによって被処理物３の表面処理
が行われる。
【００１０】なお、従来のマイクロ波プラズマ処理装置
は、被処理物表面の薄膜のエッチングや、被処理物表面
のレジストのアッシング等に使用されるものであり、例
えばエッチングを行う場合には反応性ガスとして酸素
（Ｏ2 ）ガス、或いは酸素にＣＦ4 、ＮＦ3 等のフッ素
系ガスを添加したガスが使用される。
は、被処理物表面の薄膜のエッチングや、被処理物表面
のレジストのアッシング等に使用されるものであり、例
えばエッチングを行う場合には反応性ガスとして酸素
（Ｏ2 ）ガス、或いは酸素にＣＦ4 、ＮＦ3 等のフッ素
系ガスを添加したガスが使用される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところが、誘電体で形
成された放電管はプラズマ発生部でプラズマによってエ
ッチングされる。放電管がエッチングされるとそこから
不純物が発生し、この不純物は被処理物の表面まで運ば
れて堆積してしまうという問題があり、また、途中のガ
ス導入管等の内面に堆積し活性種が被処理物のエッチン
グ速度等の特性に影響するという問題があった。
成された放電管はプラズマ発生部でプラズマによってエ
ッチングされる。放電管がエッチングされるとそこから
不純物が発生し、この不純物は被処理物の表面まで運ば
れて堆積してしまうという問題があり、また、途中のガ
ス導入管等の内面に堆積し活性種が被処理物のエッチン
グ速度等の特性に影響するという問題があった。
【００１２】また、エッチングによって放電管の肉厚が
薄くなることで放電特性が変化し、最終的には、真空状
態の放電管内部と大気圧の放電管外部との圧力差から生
じる応力によって放電管の破壊が起こってしまうという
問題があったそこで、従来においては、上述した問題を
回避するために放電管を定期的に交換している。
薄くなることで放電特性が変化し、最終的には、真空状
態の放電管内部と大気圧の放電管外部との圧力差から生
じる応力によって放電管の破壊が起こってしまうという
問題があったそこで、従来においては、上述した問題を
回避するために放電管を定期的に交換している。
【００１３】また、上述したように従来のプラズマ処理
装置においては、放電管の管軸方向がマイクロ波導波管
の長辺側の面に対して垂直に、短辺側の面に対して平行
になるようにして放電管が配置されているため、放電管
内の狭い範囲で高密度のプラズマが発生し、放電管のエ
ッチング速度が局部的に速くなる。このため、放電管の
交換が必要となるまでの期間が短くなり、放電管の寿命
が短くなってしまう。
装置においては、放電管の管軸方向がマイクロ波導波管
の長辺側の面に対して垂直に、短辺側の面に対して平行
になるようにして放電管が配置されているため、放電管
内の狭い範囲で高密度のプラズマが発生し、放電管のエ
ッチング速度が局部的に速くなる。このため、放電管の
交換が必要となるまでの期間が短くなり、放電管の寿命
が短くなってしまう。
【００１４】本発明は上述した種々の問題点に鑑みてな
されたものであって、放電管の長寿命化を図り得るプラ
ズマ処理装置を提供することを目的とする。
されたものであって、放電管の長寿命化を図り得るプラ
ズマ処理装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明によるプラズマ処
理装置は、誘電体で形成された放電管の内部に反応性ガ
スを導入し、前記放電管の内部の前記反応性ガスにマイ
クロ波導波管を介してマイクロ波を照射してプラズマを
発生させるようにしたプラズマ処理装置において、前記
マイクロ波導波管は、横断面の外形が長方形を成す細長
の中空部材によって形成されており、前記中空部材は、
一対の長辺側の面及び一対の短辺側の面を備えており、
前記放電管は前記一対の短辺側の面を垂直に貫通してい
ることを特徴とする。
理装置は、誘電体で形成された放電管の内部に反応性ガ
スを導入し、前記放電管の内部の前記反応性ガスにマイ
クロ波導波管を介してマイクロ波を照射してプラズマを
発生させるようにしたプラズマ処理装置において、前記
マイクロ波導波管は、横断面の外形が長方形を成す細長
の中空部材によって形成されており、前記中空部材は、
一対の長辺側の面及び一対の短辺側の面を備えており、
前記放電管は前記一対の短辺側の面を垂直に貫通してい
ることを特徴とする。
【００１６】本発明によるプラズマ処理装置は、誘電体
で形成された放電管の内部に反応性ガスを導入し、前記
放電管の内部の前記反応性ガスにマイクロ波導波管を介
してマイクロ波を照射してプラズマを発生させるように
したプラズマ処理装置において、前記放電管はその管軸
方向が前記マイクロ波導波管の管軸方向に対して平行に
なるように配置されており、前記マイクロ波導波管は、
前記放電管の内部にマイクロ波を導入するための開口部
を備え、前記開口部は前記マイクロ波導波管の管軸方向
に沿って細長状に形成されていることを特徴とする。
で形成された放電管の内部に反応性ガスを導入し、前記
放電管の内部の前記反応性ガスにマイクロ波導波管を介
してマイクロ波を照射してプラズマを発生させるように
したプラズマ処理装置において、前記放電管はその管軸
方向が前記マイクロ波導波管の管軸方向に対して平行に
なるように配置されており、前記マイクロ波導波管は、
前記放電管の内部にマイクロ波を導入するための開口部
を備え、前記開口部は前記マイクロ波導波管の管軸方向
に沿って細長状に形成されていることを特徴とする。
【００１７】本発明によるプラズマ処理装置は、前記放
電管の内部の放電室から分離して形成された処理室を備
え、被処理物を載置するための載置台を前記処理室の内
部に設け、前記載置台に直流電圧又は高周波電圧を印加
するようにしたことを特徴とする。
電管の内部の放電室から分離して形成された処理室を備
え、被処理物を載置するための載置台を前記処理室の内
部に設け、前記載置台に直流電圧又は高周波電圧を印加
するようにしたことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】第１実施形態 以下、本発明の第１実施形態によるプラズマ処理装置に
ついて図１及び図２を参照して説明する。なお、本実施
形態によるプラズマ処理装置は、放電分離型ケミカルド
ライエッチング装置（ＣＤＥ装置）であり、図５に示し
た従来のＣＤＥ装置と同一の構成要素には同一の符号を
付して説明する。
ついて図１及び図２を参照して説明する。なお、本実施
形態によるプラズマ処理装置は、放電分離型ケミカルド
ライエッチング装置（ＣＤＥ装置）であり、図５に示し
た従来のＣＤＥ装置と同一の構成要素には同一の符号を
付して説明する。
【００１９】図１は本実施形態によるプラズマ処理装置
の概略を示した概略構成図であり、図１に示したように
このプラズマ処理装置は、処理室２を内部に形成する真
空容器１を備えており、この真空容器１の内部には被処
理物３を載置するための載置台４が設けられている。
の概略を示した概略構成図であり、図１に示したように
このプラズマ処理装置は、処理室２を内部に形成する真
空容器１を備えており、この真空容器１の内部には被処
理物３を載置するための載置台４が設けられている。
【００２０】ここで、被処理物３は、半導体製造用のシ
リコンウエハ、液晶表示用のガラス基板等である。
リコンウエハ、液晶表示用のガラス基板等である。
【００２１】また、真空容器１にはガス導入管５の一端
が接続されており、このガス導入管５の他端には、誘電
体で形成された放電管６の一端が接続されている。放電
管６の内部には放電室１１が形成されている。このよう
に真空容器１内部の処理室２は、放電管６内部の放電室
１１から分離して形成されている。
が接続されており、このガス導入管５の他端には、誘電
体で形成された放電管６の一端が接続されている。放電
管６の内部には放電室１１が形成されている。このよう
に真空容器１内部の処理室２は、放電管６内部の放電室
１１から分離して形成されている。
【００２２】放電管６の他端側には反応性ガスを放電管
６の内部に導入するためのガス導入口７が設けられてお
り、さらに、放電管６には、マイクロ波を放電管６の内
部に供給するためのマイクロ波（方形波）導波管２０が
接続されている。
６の内部に導入するためのガス導入口７が設けられてお
り、さらに、放電管６には、マイクロ波を放電管６の内
部に供給するためのマイクロ波（方形波）導波管２０が
接続されている。
【００２３】ここで、放電管６を形成するための誘電体
としては、石英、アルミナ等を使用することができる。
としては、石英、アルミナ等を使用することができる。
【００２４】また、真空容器１の底部には排気口９が形
成されており、この排気口９を介して真空容器１の内部
を真空ポンプ（図示せず）によって真空排気することが
できる。
成されており、この排気口９を介して真空容器１の内部
を真空ポンプ（図示せず）によって真空排気することが
できる。
【００２５】また、処理室２内の載置台４に、直流電源
（図示せず）又は高周波電源（図示せず）によって直流
電圧又は高周波電圧を印加するようにすることもでき
る。
（図示せず）又は高周波電源（図示せず）によって直流
電圧又は高周波電圧を印加するようにすることもでき
る。
【００２６】図２に示したようにマイクロ波導波管２０
は、横断面の外形が長方形を成した細長の中空部材２１
によって形成されており、この中空部材２１は一対の長
辺側の面１３と一対の短辺側の面１４とを備えている。
また、マイクロ波導波管２０を形成する中空部材２１は
その管軸方向が放電管６の管軸方向と直交するようにし
て放電管６に接続されている。
は、横断面の外形が長方形を成した細長の中空部材２１
によって形成されており、この中空部材２１は一対の長
辺側の面１３と一対の短辺側の面１４とを備えている。
また、マイクロ波導波管２０を形成する中空部材２１は
その管軸方向が放電管６の管軸方向と直交するようにし
て放電管６に接続されている。
【００２７】そして、本実施形態によるプラズマ処理装
置においては、放電管６はその管軸方向が中空部材２１
の長辺側の面１３に対して平行に、短辺側の面１４に対
して垂直になるように配置されており、放電管６が中空
部材２１の一対の短辺側の面１４を垂直に貫通してい
る。
置においては、放電管６はその管軸方向が中空部材２１
の長辺側の面１３に対して平行に、短辺側の面１４に対
して垂直になるように配置されており、放電管６が中空
部材２１の一対の短辺側の面１４を垂直に貫通してい
る。
【００２８】そして、ガス導入口７から供給された反応
性ガスは、マイクロ波導波管２０を介して放電管６の内
部に供給されたマイクロ波の照射を受けてプラズマ化さ
れ、これによって反応性ガス中に活性種が生成される。
この活性種はガス導入管５を介して真空容器１内の処理
室２に輸送され、載置台４の上に載置された被処理物３
の表面に供給され、これによって被処理物３の表面処理
が行われる。
性ガスは、マイクロ波導波管２０を介して放電管６の内
部に供給されたマイクロ波の照射を受けてプラズマ化さ
れ、これによって反応性ガス中に活性種が生成される。
この活性種はガス導入管５を介して真空容器１内の処理
室２に輸送され、載置台４の上に載置された被処理物３
の表面に供給され、これによって被処理物３の表面処理
が行われる。
【００２９】このように本実施形態によるプラズマ処理
装置によれば、放電管６がマイクロ波導波管２０を形成
する中空部材２１の一対の短辺側の面１４を垂直に貫通
するようにしたので、放電管６内に発生するプラズマの
領域が広くなる。したがって、放電管６の内面でプラズ
マに曝される領域（表面積）も広くなり、ひいては、同
じマイクロ波電力を投入した場合の放電管６のエッチン
グ速度が遅くなる。これにより、放電管６の交換までの
期間（周期）が長くなり、放電管６の長寿命化が達成さ
れる。
装置によれば、放電管６がマイクロ波導波管２０を形成
する中空部材２１の一対の短辺側の面１４を垂直に貫通
するようにしたので、放電管６内に発生するプラズマの
領域が広くなる。したがって、放電管６の内面でプラズ
マに曝される領域（表面積）も広くなり、ひいては、同
じマイクロ波電力を投入した場合の放電管６のエッチン
グ速度が遅くなる。これにより、放電管６の交換までの
期間（周期）が長くなり、放電管６の長寿命化が達成さ
れる。
【００３０】さらに、放電範囲が広がることによって、
同じマイクロ波電力を投入した場合の単位面積当たりの
エネルギーが小さくなり、放電管６から発生する不純物
の量が減少する。
同じマイクロ波電力を投入した場合の単位面積当たりの
エネルギーが小さくなり、放電管６から発生する不純物
の量が減少する。
【００３１】第２実施形態 次に、本発明の第２実施形態によるプラズマ処理装置に
ついて図３及び図４を参照して説明する。なお、本実施
形態によるプラズマ処理装置は、放電分離型ケミカルド
ライエッチング装置（ＣＤＥ装置）であり、図５に示し
た従来のＣＤＥ装置と同一の構成要素には同一の符号を
付して説明する。
ついて図３及び図４を参照して説明する。なお、本実施
形態によるプラズマ処理装置は、放電分離型ケミカルド
ライエッチング装置（ＣＤＥ装置）であり、図５に示し
た従来のＣＤＥ装置と同一の構成要素には同一の符号を
付して説明する。
【００３２】図３は本実施形態によるプラズマ処理装置
の概略を示した概略構成図であり、図３に示したように
このプラズマ処理装置は、処理室２を内部に形成する真
空容器１を備えており、この真空容器１の内部には被処
理物３を載置するための載置台４が設けられている。
の概略を示した概略構成図であり、図３に示したように
このプラズマ処理装置は、処理室２を内部に形成する真
空容器１を備えており、この真空容器１の内部には被処
理物３を載置するための載置台４が設けられている。
【００３３】ここで、被処理物３は、半導体製造用のシ
リコンウエハ、液晶表示用のガラス基板等である。
リコンウエハ、液晶表示用のガラス基板等である。
【００３４】また、真空容器１にはガス導入管５の一端
が接続されており、このガス導入管５の他端には、誘電
体で形成された放電管６の一端が接続されている。放電
管６の内部には放電室１１が形成されている。このよう
に真空容器１内部の処理室２は、放電管６内部の放電室
１１から分離して形成されている。
が接続されており、このガス導入管５の他端には、誘電
体で形成された放電管６の一端が接続されている。放電
管６の内部には放電室１１が形成されている。このよう
に真空容器１内部の処理室２は、放電管６内部の放電室
１１から分離して形成されている。
【００３５】放電管６の他端側には反応性ガスを放電管
６の内部に導入するためのガス導入口７が設けられてお
り、さらに、放電管６には、マイクロ波を放電管６の内
部に供給するためのマイクロ波（方形波）導波管３０が
接続されている。
６の内部に導入するためのガス導入口７が設けられてお
り、さらに、放電管６には、マイクロ波を放電管６の内
部に供給するためのマイクロ波（方形波）導波管３０が
接続されている。
【００３６】ここで、放電管６を形成するための誘電体
としては、石英、アルミナ等を使用することができる。
としては、石英、アルミナ等を使用することができる。
【００３７】また、真空容器１の底部には排気口９が形
成されており、この排気口９を介して真空容器１の内部
を真空ポンプ（図示せず）によって真空排気することが
できる。
成されており、この排気口９を介して真空容器１の内部
を真空ポンプ（図示せず）によって真空排気することが
できる。
【００３８】また、処理室２内の載置台４に、直流電源
（図示せず）又は高周波電源（図示せず）によって直流
電圧又は高周波電圧を印加するようにすることもでき
る。
（図示せず）又は高周波電源（図示せず）によって直流
電圧又は高周波電圧を印加するようにすることもでき
る。
【００３９】そして、図４に示したように本実施形態に
よるプラズマ処理装置においては、放電管６はその管軸
方向がマイクロ波導波管３０の管軸方向に対して平行に
なるように配置されている。さらに、マイクロ波導波管
３０は、その放電管６に隣接する面に、放電管６の内部
にマイクロ波を導入するための開口部１０を備えてお
り、この開口部１０はマイクロ波導波管３０の管軸方向
に沿って細長状（スリット状）に形成されている。
よるプラズマ処理装置においては、放電管６はその管軸
方向がマイクロ波導波管３０の管軸方向に対して平行に
なるように配置されている。さらに、マイクロ波導波管
３０は、その放電管６に隣接する面に、放電管６の内部
にマイクロ波を導入するための開口部１０を備えてお
り、この開口部１０はマイクロ波導波管３０の管軸方向
に沿って細長状（スリット状）に形成されている。
【００４０】そして、ガス導入口７から供給された反応
性ガスは、マイクロ波導波管３０を介して放電管６の内
部に供給されたマイクロ波の照射を受けてプラズマ化さ
れ、これによって反応性ガス中に活性種が生成される。
この活性種はガス導入管５を介して真空容器１内の処理
室２に輸送され、載置台４の上に載置された被処理物３
の表面に供給され、これによって被処理物３の表面処理
が行われる。
性ガスは、マイクロ波導波管３０を介して放電管６の内
部に供給されたマイクロ波の照射を受けてプラズマ化さ
れ、これによって反応性ガス中に活性種が生成される。
この活性種はガス導入管５を介して真空容器１内の処理
室２に輸送され、載置台４の上に載置された被処理物３
の表面に供給され、これによって被処理物３の表面処理
が行われる。
【００４１】このように本実施形態によるプラズマ処理
装置によれば、放電管６をその管軸方向がマイクロ波導
波管３０の管軸方向に対して平行になるように配置する
と共に、マイクロ波導波管３０に、放電管６の内部にマ
イクロ波を導入するための開口部１０を管軸方向に沿っ
て細長状に形成したので、放電管６内に発生するプラズ
マの領域が広くなる。したがって、放電管６の内面でプ
ラズマに曝される領域（表面積）も広くなり、ひいて
は、同じマイクロ波電力を投入した場合の放電管６のエ
ッチング速度が遅くなる。これにより、放電管６の交換
までの期間（周期）が長くなり、放電管６の長寿命化が
達成される。
装置によれば、放電管６をその管軸方向がマイクロ波導
波管３０の管軸方向に対して平行になるように配置する
と共に、マイクロ波導波管３０に、放電管６の内部にマ
イクロ波を導入するための開口部１０を管軸方向に沿っ
て細長状に形成したので、放電管６内に発生するプラズ
マの領域が広くなる。したがって、放電管６の内面でプ
ラズマに曝される領域（表面積）も広くなり、ひいて
は、同じマイクロ波電力を投入した場合の放電管６のエ
ッチング速度が遅くなる。これにより、放電管６の交換
までの期間（周期）が長くなり、放電管６の長寿命化が
達成される。
【００４２】さらに、放電範囲が広がることによって、
同じマイクロ波電力を投入した場合の単位面積当たりの
エネルギーが小さくなり、放電管６から発生する不純物
の量が減少する。
同じマイクロ波電力を投入した場合の単位面積当たりの
エネルギーが小さくなり、放電管６から発生する不純物
の量が減少する。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたように本発明によるプラズマ
処理装置によれば、放電管とマイクロ波導波管との結合
方法を最適化することによって、放電管のエッチング速
度を低減し、放電管の長寿命化を図ることができる。
処理装置によれば、放電管とマイクロ波導波管との結合
方法を最適化することによって、放電管のエッチング速
度を低減し、放電管の長寿命化を図ることができる。
【図１】本発明の第１実施形態によるプラズマ処理装置
の概略を示した概略構成図。
の概略を示した概略構成図。
【図２】本発明の第１実施形態によるプラズマ処理装置
のマイクロ波導波管及び放電管の部分を示した斜視図。
のマイクロ波導波管及び放電管の部分を示した斜視図。
【図３】本発明の第２実施形態によるプラズマ処理装置
の概略を示した概略構成図。
の概略を示した概略構成図。
【図４】本発明の第２実施形態によるプラズマ処理装置
のマイクロ波導波管及び放電管の部分を示した斜視図。
のマイクロ波導波管及び放電管の部分を示した斜視図。
【図５】従来のプラズマ処理装置の概略を示した概略構
成図。
成図。
【図６】従来のプラズマ処理装置のマイクロ波導波管及
び放電管の部分を示した斜視図。
び放電管の部分を示した斜視図。
１ 真空容器 ２ 処理室 ３ 被処理物 ４ 載置台 ５ ガス導入管 ６ 放電管 ７ ガス導入口 ９ 排気口 １０ 開口部 １１ 放電室 １３ 長辺側の面 １４ 短辺側の面 ２０、３０ マイクロ波導波管 ２１ 中空部材
Claims (3)
- 【請求項１】誘電体で形成された放電管の内部に反応性
ガスを導入し、前記放電管の内部の前記反応性ガスにマ
イクロ波導波管を介してマイクロ波を照射してプラズマ
を発生させるようにしたプラズマ処理装置において、 前記マイクロ波導波管は、横断面の外形が長方形を成す
細長の中空部材によって形成されており、前記中空部材
は、一対の長辺側の面及び一対の短辺側の面を備えてお
り、前記放電管は前記一対の短辺側の面を垂直に貫通し
ていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】誘電体で形成された放電管の内部に反応性
ガスを導入し、前記放電管の内部の前記反応性ガスにマ
イクロ波導波管を介してマイクロ波を照射してプラズマ
を発生させるようにしたプラズマ処理装置において、 前記放電管はその管軸方向が前記マイクロ波導波管の管
軸方向に対して平行になるように配置されており、 前記マイクロ波導波管は、前記放電管の内部にマイクロ
波を導入するための開口部を備え、前記開口部は前記マ
イクロ波導波管の管軸方向に沿って細長状に形成されて
いることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】前記放電管の内部の放電室から分離して形
成された処理室を備え、被処理物を載置するための載置
台を前記処理室の内部に設け、前記載置台に直流電圧又
は高周波電圧を印加するようにしたことを特徴とする請
求項１又は請求項２に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9324716A JPH11162937A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9324716A JPH11162937A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11162937A true JPH11162937A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18168919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9324716A Withdrawn JPH11162937A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11162937A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT504487B1 (de) * | 2007-06-13 | 2008-06-15 | Ulrich Dipl Ing Dr Traxlmayr | Vorrichtung zur erzeugung von plasma oder radikalen mittels mikrowellen |
-
1997
- 1997-11-26 JP JP9324716A patent/JPH11162937A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT504487B1 (de) * | 2007-06-13 | 2008-06-15 | Ulrich Dipl Ing Dr Traxlmayr | Vorrichtung zur erzeugung von plasma oder radikalen mittels mikrowellen |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050201 |