JPH11162783A - モールド形コンデンサ - Google Patents
モールド形コンデンサInfo
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- JPH11162783A JPH11162783A JP32745197A JP32745197A JPH11162783A JP H11162783 A JPH11162783 A JP H11162783A JP 32745197 A JP32745197 A JP 32745197A JP 32745197 A JP32745197 A JP 32745197A JP H11162783 A JPH11162783 A JP H11162783A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 11
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- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 2
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 コンデンサユニットと絶縁樹脂との接着面積
を大きくし、相互の接着力を増強して、部分放電や誘電
正接(tanδ)の悪化を防止する。また、電極とコン
デンサ素子の中心が多少ずれても、電界や応力が集中す
ることはなく、耐電圧不良、コロナ放電を防止して、製
品の歩留まりを向上する。 【解決手段】 円盤状の誘電体から成るコンデンサ素子
2と中間電極1を交互に積層して円柱状に形成し、当該
円柱形状の上面、下面にそれぞれ高圧電極3、低圧電極
4を配置し、円柱形状の周囲を絶縁樹脂6によりモール
ドしたモールド形コンデンサにおいて、中間電極1、高
圧電極3、低圧電極4の外径をコンデンサ素子2の外径
より大きくし、かつ電極の外周端部1a,3a,4aを
曲面若しくは面取り形状にする。
を大きくし、相互の接着力を増強して、部分放電や誘電
正接(tanδ)の悪化を防止する。また、電極とコン
デンサ素子の中心が多少ずれても、電界や応力が集中す
ることはなく、耐電圧不良、コロナ放電を防止して、製
品の歩留まりを向上する。 【解決手段】 円盤状の誘電体から成るコンデンサ素子
2と中間電極1を交互に積層して円柱状に形成し、当該
円柱形状の上面、下面にそれぞれ高圧電極3、低圧電極
4を配置し、円柱形状の周囲を絶縁樹脂6によりモール
ドしたモールド形コンデンサにおいて、中間電極1、高
圧電極3、低圧電極4の外径をコンデンサ素子2の外径
より大きくし、かつ電極の外周端部1a,3a,4aを
曲面若しくは面取り形状にする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数のコンデンサ
素子と電極を交互に積層してコンデンサユニットを形成
し、絶縁樹脂により一体形成したモールド形コンデンサ
に関する。
素子と電極を交互に積層してコンデンサユニットを形成
し、絶縁樹脂により一体形成したモールド形コンデンサ
に関する。
【0002】
【従来の技術】送配電設備や通信設備において、電圧検
出コンデンサや信号の結合コンデンサとして各種コンデ
ンサが使用されている。そして、これらのコンデンサは
開閉器や結合器等に内蔵される。特に、スペース等の制
約により、小型軽量で取り扱いが容易で、絶縁性能に優
れたエポキシ樹脂モールド形セラミックコンデンサが多
用されている。モールド形セラミックコンデンサは、単
一のコンデンサ素子では大きな静電容量を得られないた
め、複数のコンデンサ素子を直並列に接続し、所定の静
電容量を得るとともに、全体を絶縁樹脂によりモールド
した構成としている。
出コンデンサや信号の結合コンデンサとして各種コンデ
ンサが使用されている。そして、これらのコンデンサは
開閉器や結合器等に内蔵される。特に、スペース等の制
約により、小型軽量で取り扱いが容易で、絶縁性能に優
れたエポキシ樹脂モールド形セラミックコンデンサが多
用されている。モールド形セラミックコンデンサは、単
一のコンデンサ素子では大きな静電容量を得られないた
め、複数のコンデンサ素子を直並列に接続し、所定の静
電容量を得るとともに、全体を絶縁樹脂によりモールド
した構成としている。
【0003】図6は、従来のモールド形セラミックコン
デンサの縦断面図である。従来のモールド形セラミック
コンデンサは、円盤状の誘電体から成るコンデンサ素子
51と、円盤状の中間電極52とを相互に積層・接着
し、円柱状に形成する。そして、その円柱形状の上面、
下面にそれぞれ接触面が円形の高圧電極53、低圧電極
54を配置し、当該高圧電極53、低圧電極54と前記
中間電極52とをリード線55により直列及び並列に接
続し、全体を絶縁樹脂56によりモールドした構成にな
っている。
デンサの縦断面図である。従来のモールド形セラミック
コンデンサは、円盤状の誘電体から成るコンデンサ素子
51と、円盤状の中間電極52とを相互に積層・接着
し、円柱状に形成する。そして、その円柱形状の上面、
下面にそれぞれ接触面が円形の高圧電極53、低圧電極
54を配置し、当該高圧電極53、低圧電極54と前記
中間電極52とをリード線55により直列及び並列に接
続し、全体を絶縁樹脂56によりモールドした構成にな
っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
モールド形セラミックコンデンサは、コンデンサ素子5
1と中間電極52と、高圧電極53、低圧電極54の接
触面の外径がほぼ等しく構成されていたため、以下の不
都合を生じていた。 (1)コンデンサ素子51、中間電極52、高圧電極5
3及び低圧電極54から形成される円筒形状の円筒側面
はフラットであるため、絶縁樹脂56によりモールドし
た際に、絶縁樹脂と円筒側面との間で剥離が起きやす
く、部分放電や高周波損(誘電正接tanδ)の原因と
なり、製品の歩留まりを悪化させていた。 (2)また、コンデンサ素子51の円盤の中心、若しく
は中間電極52の円盤の中心が、円筒形状の中心軸から
ずれた場合には、円筒形状の側面に突起部を形成してし
まい、当該突起部に電界及び応力が集中し、耐電圧不
良、コロナ放電の原因となり、製品の歩留まりを悪化さ
せていた。
モールド形セラミックコンデンサは、コンデンサ素子5
1と中間電極52と、高圧電極53、低圧電極54の接
触面の外径がほぼ等しく構成されていたため、以下の不
都合を生じていた。 (1)コンデンサ素子51、中間電極52、高圧電極5
3及び低圧電極54から形成される円筒形状の円筒側面
はフラットであるため、絶縁樹脂56によりモールドし
た際に、絶縁樹脂と円筒側面との間で剥離が起きやす
く、部分放電や高周波損(誘電正接tanδ)の原因と
なり、製品の歩留まりを悪化させていた。 (2)また、コンデンサ素子51の円盤の中心、若しく
は中間電極52の円盤の中心が、円筒形状の中心軸から
ずれた場合には、円筒形状の側面に突起部を形成してし
まい、当該突起部に電界及び応力が集中し、耐電圧不
良、コロナ放電の原因となり、製品の歩留まりを悪化さ
せていた。
【0005】そこで本発明は、上述した不都合を解決
し、製品の歩留まりを向上できるモールド形コンデンサ
を提供しようとするものである。
し、製品の歩留まりを向上できるモールド形コンデンサ
を提供しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1記載の発明は、円盤状の誘電体から成るコ
ンデンサ素子と円盤状の中間電極を交互に積層して円柱
状に形成し、当該円柱形状の上面、下面にそれぞれ高圧
電極、低圧電極を配置し、円柱形状の周囲を絶縁樹脂に
よりモールドしたモールド形コンデンサにおいて、中間
電極の外径をコンデンサ素子の外径より大きくし、か
つ、中間電極の外周端部を曲面若しくは面取り形状にす
ることを特徴とする。
め、請求項1記載の発明は、円盤状の誘電体から成るコ
ンデンサ素子と円盤状の中間電極を交互に積層して円柱
状に形成し、当該円柱形状の上面、下面にそれぞれ高圧
電極、低圧電極を配置し、円柱形状の周囲を絶縁樹脂に
よりモールドしたモールド形コンデンサにおいて、中間
電極の外径をコンデンサ素子の外径より大きくし、か
つ、中間電極の外周端部を曲面若しくは面取り形状にす
ることを特徴とする。
【0007】請求項2記載の発明は、請求項1記載のモ
ールド形コンデンサにおいて、さらに、前記高圧電極、
低圧電極が前記コンデンサ素子に当接する面の外径を、
コンデンサ素子の外径より大きくし、かつ、前記当接す
る面の外周端部を曲面若しくは面取り形状にすることを
特徴とする。
ールド形コンデンサにおいて、さらに、前記高圧電極、
低圧電極が前記コンデンサ素子に当接する面の外径を、
コンデンサ素子の外径より大きくし、かつ、前記当接す
る面の外周端部を曲面若しくは面取り形状にすることを
特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、図に沿って本発明の実施形
態を説明する。図1は、実施形態の縦断面図である。実
施形態は、円盤状の中間電極1の外径を、誘電体からな
る円盤状のコンデンサ素子2の外径より大きくし、か
つ、電極の上下の外周端部1aをR形状(曲面形状)若
しくは面取り形状にする。さらに、高圧電極3、及び低
圧電極4がコンデンサ素子2に当接する面(円形状であ
る)の外径を、コンデンサ素子2の外径より大きくし、
かつ、前記当接する面の外周端部3a,4aをR形状
(曲面形状)若しくは面取り形状にすることを特徴とす
る。
態を説明する。図1は、実施形態の縦断面図である。実
施形態は、円盤状の中間電極1の外径を、誘電体からな
る円盤状のコンデンサ素子2の外径より大きくし、か
つ、電極の上下の外周端部1aをR形状(曲面形状)若
しくは面取り形状にする。さらに、高圧電極3、及び低
圧電極4がコンデンサ素子2に当接する面(円形状であ
る)の外径を、コンデンサ素子2の外径より大きくし、
かつ、前記当接する面の外周端部3a,4aをR形状
(曲面形状)若しくは面取り形状にすることを特徴とす
る。
【0009】実施形態のコンデンサ素子2としては、コ
スト、特性、使用状態、原料の調合、焼成などを勘案し
て、チタン酸ストロンチウム系セラミック誘電体を採用
する。
スト、特性、使用状態、原料の調合、焼成などを勘案し
て、チタン酸ストロンチウム系セラミック誘電体を採用
する。
【0010】中間電極1、高圧電極3、低圧電極4は金
属製であるため、その外周端部1a,3a,4aを切削
加工することは、硬脆材料である誘電体の加工に比べ、
容易である。したがって、中間電極1、高圧電極3、低
圧電極4の外径をコンデンサ素子2の外径より大きく
し、各中間電極1、3、4の外周端部を切削加工により
R形状若しくは面取り形状とした。
属製であるため、その外周端部1a,3a,4aを切削
加工することは、硬脆材料である誘電体の加工に比べ、
容易である。したがって、中間電極1、高圧電極3、低
圧電極4の外径をコンデンサ素子2の外径より大きく
し、各中間電極1、3、4の外周端部を切削加工により
R形状若しくは面取り形状とした。
【0011】そして、コンデンサ素子2と各中間電極1
を交互に積層し、導電性接着剤により接着する。次に、
中間電極1と、高圧電極3若しくは低圧電極4とをリー
ド線5により直並列接続し、所定の静電容量(実施形態
では10000pF)を得る。最後に、このコンデンサ
ユニットを金型にセットし、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂
6を注形し、硬化させる。本実施形態によれば、コンデ
ンサユニットの組立時や金型セット時にコンデンサ素子
2がずれるのを防止する調整作業が必要ないため、作業
性は格段に向上する。
を交互に積層し、導電性接着剤により接着する。次に、
中間電極1と、高圧電極3若しくは低圧電極4とをリー
ド線5により直並列接続し、所定の静電容量(実施形態
では10000pF)を得る。最後に、このコンデンサ
ユニットを金型にセットし、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂
6を注形し、硬化させる。本実施形態によれば、コンデ
ンサユニットの組立時や金型セット時にコンデンサ素子
2がずれるのを防止する調整作業が必要ないため、作業
性は格段に向上する。
【0012】実施形態の信頼性試験を実施した。図2〜
図5に結果を示す。図中、白丸は実施形態の測定値を示
し、黒丸は従来製品の測定値を示す。図2は、周波数変
化に対する静電容量の変化率を示したものである。図3
は、周波数に対する誘電正接(tanδ)を示したもの
である。図4は、印加電圧に対する静電容量の変化率を
示したものである。図5は、印加電圧に対する誘電正接
を示したものである。図2〜図5から、本実施形態は従
来製品以上の性能を有することを確認できた。
図5に結果を示す。図中、白丸は実施形態の測定値を示
し、黒丸は従来製品の測定値を示す。図2は、周波数変
化に対する静電容量の変化率を示したものである。図3
は、周波数に対する誘電正接(tanδ)を示したもの
である。図4は、印加電圧に対する静電容量の変化率を
示したものである。図5は、印加電圧に対する誘電正接
を示したものである。図2〜図5から、本実施形態は従
来製品以上の性能を有することを確認できた。
【0013】
【発明の効果】以上のように請求項1、または2記載の
発明によれば、コンデンサユニットと絶縁樹脂との接着
面積が大きくなり、相互の接着力を増強することがで
き、部分放電や誘電正接(tanδ)の悪化を防止する
ことができる。また、電極とコンデンサ素子の中心が多
少ずれても、電界や応力が集中することはなく、耐電圧
不良、コロナ放電を防止することができ、製品の歩留ま
りを向上することができる。
発明によれば、コンデンサユニットと絶縁樹脂との接着
面積が大きくなり、相互の接着力を増強することがで
き、部分放電や誘電正接(tanδ)の悪化を防止する
ことができる。また、電極とコンデンサ素子の中心が多
少ずれても、電界や応力が集中することはなく、耐電圧
不良、コロナ放電を防止することができ、製品の歩留ま
りを向上することができる。
【図1】実施形態の縦断面図である。
【図2】周波数変化に対する静電容量の変化率を示した
図である。
図である。
【図3】周波数に対する誘電正接(tanδ)を示した
図である。
図である。
【図4】印加電圧に対する静電容量の変化率を示した図
である。
である。
【図5】印加電圧に対する誘電正接を示した図である。
【図6】従来の樹脂モールド形セラミックコンデンサの
縦断面図である。
縦断面図である。
1 中間電極 2 コンデンサ素子 3 高圧電極 4 低圧電極 5 リード線 6 絶縁樹脂 1a、3a、4a 外周端部
Claims (2)
- 【請求項1】 円盤状の誘電体から成るコンデンサ素子
と円盤状の中間電極を交互に積層して円柱状に形成し、
当該円柱形状の上面、下面にそれぞれ高圧電極、低圧電
極を配置し、円柱形状の周囲を絶縁樹脂によりモールド
したモールド形コンデンサにおいて、 中間電極の外径をコンデンサ素子の外径より大きくし、
かつ、中間電極の外周端部を曲面若しくは面取り形状に
することを特徴とするモールド形コンデンサ。 - 【請求項2】 請求項1記載のモールド形コンデンサに
おいて、 さらに、前記高圧電極、低圧電極が前記コンデンサ素子
に当接する面の外径を、コンデンサ素子の外径より大き
くし、かつ、前記当接する面の外周端部を曲面若しくは
面取り形状にすることを特徴とするモールド形コンデン
サ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32745197A JPH11162783A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | モールド形コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32745197A JPH11162783A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | モールド形コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11162783A true JPH11162783A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18199317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32745197A Pending JPH11162783A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | モールド形コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11162783A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012088690A1 (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | 西安交通大学 | 一种发电机局部放电在线监测高压陶瓷电容传感器 |
-
1997
- 1997-11-28 JP JP32745197A patent/JPH11162783A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012088690A1 (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | 西安交通大学 | 一种发电机局部放电在线监测高压陶瓷电容传感器 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20051114 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051226 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060315 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |