JPH11162157A - Memory device and image generating device - Google Patents

Memory device and image generating device

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Publication number
JPH11162157A
JPH11162157A JP9328833A JP32883397A JPH11162157A JP H11162157 A JPH11162157 A JP H11162157A JP 9328833 A JP9328833 A JP 9328833A JP 32883397 A JP32883397 A JP 32883397A JP H11162157 A JPH11162157 A JP H11162157A
Authority
JP
Japan
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data
input
register
stored
read
Prior art date
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Pending
Application number
JP9328833A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Sarutani
武司 猿谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH11162157A publication Critical patent/JPH11162157A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an FIFO(first-in first-out) type memory device whose laitancy which is the number of waiting cycles from the application to the output of data is smaller and, further, provide a image processing device in which data can be transferred instantaneously by each processing means and hence a required image can be processed efficiently. SOLUTION: Separately from that data stored in an input register 110 are stored in a RAM 120, the data are shited successively in intermediate registers 131 and 132. Respective data in an output register 140 in which data read out of the respective registers and the RAM 120 are stored can be selected by a data selection circuit 150. When a read request is given at a time 1 cycle after the data input, 2 cycles after the data input, 3 cycles after the data input or 4 or more cycles after the data input, the data in the input register 110, the data in the 1st intermediate register 131, the data in the 2nd intermediate register 132 or the data in the output register 140 are respectively selected and outputted. With this constitution, the data can be outputted immediately in response to the read request.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、入力したデータを
直ちに読み出すことが可能な先入れ先出し形式(以降、
FIFO(First In First Out)形式と言う。)のメモリ
装置、および、そのFIFO形式のメモリ装置を用いて
3次元画像の生成を効率よく行うことのできる画像生成
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
It is called FIFO (First In First Out) format. The present invention relates to a memory device and an image generating device capable of efficiently generating a three-dimensional image using the FIFO memory device.

【0002】[0002]

【従来の技術】入力したデータを入力した順に読み出す
いわゆるFIFOメモリは、種々の電子回路において広
く使用されている。特に近年、あらゆる電子機器におい
て処理速度の向上が図られているため、結果的に各処理
部間でのデータの処理速度に差異が生じたり、適切に同
期をとってデータを転送することが難しくなるなどの問
題が生じており、これを解決するために、各処理部間に
緩衝手段としてFIFOメモリを設けることが多くなっ
ている。たとえば、CAD装置やゲーム機器などに用い
られる3次元画像を生成する画像処理装置などは、座標
変換やテクスチャマッピング、各画素に対する特殊効果
処理などの、多数の画素に対して所定の処理を高速に行
う各種の処理部が順次接続されて構成されている。そし
て、これらの各処理部の間におけるデータ転送を高速か
つ適切に行うために、FIFOメモリが多数使用されて
いる。
2. Description of the Related Art A so-called FIFO memory for reading input data in the order of input is widely used in various electronic circuits. In particular, in recent years, the processing speed has been improved in all electronic devices, and as a result, the processing speed of data between processing units may be different, or it may be difficult to transfer data in an appropriate synchronization. In order to solve this problem, a FIFO memory is frequently provided as a buffer between the processing units. For example, an image processing device that generates a three-dimensional image used for a CAD device, a game device, or the like performs a predetermined process on a large number of pixels at high speed, such as coordinate conversion, texture mapping, and special effect processing for each pixel. Various processing units to be performed are sequentially connected. A large number of FIFO memories are used to perform high-speed and appropriate data transfer between these processing units.

【0003】そのようなFIFOメモリには種々の構成
のものがあるが、比較的記憶段数の少ないもの、たとえ
ば記憶ワード数が4ワードとか8ワード程度のものは、
記憶素子としてレジスタが用いられる場合が多い。ま
た、それ以上の記憶段数、たとえば32ワードとか64
ワードとかの記憶容量を有するものは、記憶素子として
デュアルポートRAMなどのメモリを用いるものが多
い。たとえば、記憶素子としてデュアルポートRAMを
用いたそのようなFIFOメモリは、一般的には、入力
されるデータを一旦記憶する入力レジスタ、実際にデー
タを記憶するデュアルポートRAM、出力データを一旦
記憶する出力レジスタ、および、デュアルポートRAM
を制御する制御部などにより構成される。
There are various types of such FIFO memories, but those having relatively few storage stages, for example, those having a storage word number of about 4 words or about 8 words,
In many cases, a register is used as a storage element. Further, the number of storage stages larger than that, for example, 32 words or 64
Those having a storage capacity such as a word often use a memory such as a dual-port RAM as a storage element. For example, such a FIFO memory using a dual-port RAM as a storage element generally includes an input register for temporarily storing input data, a dual-port RAM for actually storing data, and a temporary storage for output data. Output register and dual port RAM
And a control unit that controls the

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、そのよ
うなFIFOメモリにおいては、通常、入力したデータ
を即座に読み出すことができないため、各処理装置間で
効率よく適切にデータの転送が行えない場合があるとい
う問題がある。
However, in such a FIFO memory, usually, input data cannot be read immediately, so that data cannot be efficiently and appropriately transferred between the processing devices. There is a problem that there is.

【0005】たとえば、前述したデュアルポートRAM
を用いたFIFOメモリにおいては、データを入力端子
に印加してから、次のサイクルで入力レジスタにデータ
がセットされ、2サイクル目でデュアルポートRAMに
データが記憶され、3サイクル目でそのデータが読み出
され、4サイクル目でそのデータが出力レジスタにセッ
トされて外部に出力される。したがって、FIFOメモ
リを介してデータの転送を行っている場合には、データ
がFIFOメモリの入力部に印加されてから、4サイク
ル目でなければ使用できないことになる。
[0005] For example, the aforementioned dual port RAM
In a FIFO memory using, data is applied to an input terminal, data is set in an input register in the next cycle, data is stored in a dual-port RAM in a second cycle, and the data is stored in a third cycle. The data is read, and the data is set in the output register and output to the outside in the fourth cycle. Therefore, when data is transferred via the FIFO memory, the data can be used only in the fourth cycle after the data is applied to the input portion of the FIFO memory.

【0006】データが相当数入力され、FIFOメモリ
に十分な数のデータが記憶されてからそのデータを読み
出すような場合には、このような待ちサイクル数(以
後、これをレイタンシーと言う。)は全く問題とならな
いが、入力されたデータを少しでも早く、即座に処理し
たい場合などには、データが入力されてから4サイクル
処理が待たされるということは大きな問題である。デー
タの読み出しが比較的に高速に行えてデータの入力が離
散的な場合には、このレイタンシーの値が大きいと、各
データを利用するごとに数サイクル待機しなければなら
ないことになり、処理の効率が悪くなるという問題も生
じる。また、このレイタンシーの値が大きいと、精密な
回路設計を行おうとすると、FIFOメモリから実際に
有効なデータを読み出せるタイミングを考慮する必要が
あり、回路設計が難しくなるという問題もある。
In a case where a considerable number of data are input and a sufficient number of data are stored in the FIFO memory and then the data is read out, such a wait cycle number (hereinafter referred to as latency) is used. There is no problem at all, but when it is desired to process the input data as soon as possible as soon as possible, it is a serious problem that the data is input and the four-cycle processing is waited. In the case where data reading can be performed at relatively high speed and data input is discrete, if the value of this latency is large, it is necessary to wait several cycles each time each data is used. There is also a problem that efficiency is deteriorated. In addition, if the value of the latency is large, it is necessary to consider the timing at which valid data can be actually read from the FIFO memory in order to perform a precise circuit design, which causes a problem that the circuit design becomes difficult.

【0007】前述したような画像生成装置においても、
大量の画素データをリアルタイムで処理する必要があ
り、前段の処理で生成されたデータに対して直ちに、そ
して効率よく処理を施す必要がある。しかしながら、レ
イタンシーの大きいFIFOメモリを各処理部の間のデ
ータ転送手段として用いた場合には、無駄なデータ待ち
時間が発生して効率よく所望の処理が行えなくなるとい
う問題が生じる。したがって、このような画像生成装置
においては特に、レイタンシーのより小さいFIFOメ
モリを用いたいという要望がある。
[0007] In the image generating apparatus as described above,
It is necessary to process a large amount of pixel data in real time, and it is necessary to immediately and efficiently process the data generated in the preceding processing. However, when a FIFO memory having a large latency is used as a data transfer unit between the processing units, a problem occurs that a wasteful data waiting time occurs and a desired process cannot be efficiently performed. Therefore, in such an image generating apparatus, there is a demand for using a FIFO memory having a lower latency.

【0008】したがって本発明の目的は、データが印加
されてから出力されるまでの待ちサイクル数であるレイ
タンシーがより小さいFIFO形式のメモリ装置を提供
することにある。また本発明の他の目的は、各処理手段
でのデータの転送が即座に行え、これにより所望の画像
処理を効率よく行えるような画像処理装置を提供するこ
とにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a FIFO type memory device in which the latency, which is the number of wait cycles from when data is applied to when it is output, is small. It is another object of the present invention to provide an image processing apparatus capable of immediately transferring data in each processing means and thereby efficiently performing desired image processing.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、メモリ回路にデータを印加してから読み出せるまで
の期間、そのデータを別のレジスタに記憶しておき、そ
のデータの読み出しが要求された場合には、そのレジス
タに記憶しているデータを出力するようにした。
In order to solve the above-mentioned problems, during a period from when data is applied to a memory circuit until the data can be read out, the data is stored in another register. Then, the data stored in the register is output.

【0010】したがって本発明のメモリ装置は、入力さ
れるデータを複数の記憶領域に順に記憶するメモリ回路
と、要求に応じてメモリ回路に記憶されたデータを入力
順に読み出すメモリ読み出し手段と、メモリ回路に記憶
対象のデータを印加してから読み出されるまでのサイク
ル数に基づく所定数のレジスタがメモリ回路に印加され
た記憶対象のデータを順にシフトさせるように接続され
たシフトレジスタと、要求に応じて入力されたデータが
入力順に直ちに出力されるように、前記入力されている
データ、前記シフトレジスタの各レジスタに記憶されて
いる各データ、または、前記メモリ回路より読み出され
たデータのいずれか1つを選択し出力する出力データ選
択手段とを有する。
Therefore, a memory device according to the present invention comprises: a memory circuit for sequentially storing input data in a plurality of storage areas; a memory reading means for reading data stored in the memory circuit in the order of input on demand; A shift register in which a predetermined number of registers based on the number of cycles from when the data to be stored is applied to when it is read out are connected so as to sequentially shift the data to be stored applied to the memory circuit; Any one of the input data, the data stored in each of the shift registers, or the data read from the memory circuit so that the input data is immediately output in the input order. Output data selection means for selecting and outputting one.

【0011】このようなメモリ装置においては、順次入
力されるデータをメモリ回路に記憶する一方で、メモリ
回路に記憶したデータが出力可能になるまでの間、その
データをシフトレジスタ中をシフトさせておく。そし
て、データの出力が要求された場合に、メモリ回路より
そのデータを即座に読み出すことが可能な時は、メモリ
読み出し手段により読み出されるそのメモリ回路からの
データがデータ選択手段により選択され出力される。ま
た、メモリ回路よりそのデータを即座に読み出すことが
できない時は、そのデータはシフトレジスタのいずれか
のレジスタに記憶されているので、そのデータがデータ
選択手段により選択され出力される。
In such a memory device, while sequentially input data is stored in the memory circuit, the data is shifted in the shift register until the data stored in the memory circuit can be output. deep. When data output is requested and the data can be immediately read from the memory circuit, data from the memory circuit read by the memory reading means is selected and output by the data selecting means. . When the data cannot be immediately read from the memory circuit, the data is stored in one of the shift registers, and the data is selected and output by the data selection means.

【0012】また本発明の他のメモリ装置は、入力され
るデータを記憶する入力レジスタと、各々、複数の記憶
領域を有し、独立にアクセス可能で、記憶対象のデータ
を印加した次のサイクルには当該データを出力すること
ができる第1のメモリ回路および第2のメモリ回路と、
入力レジスタに記憶されたデータを第1のメモリ回路ま
たは第2のメモリ回路のいずれか一方に記憶する記憶制
御手段と、要求に応じて第1のメモリ回路および第2の
メモリ回路に記憶されたデータを入力順に読み出す読み
出し制御手段と、その読み出されたデータを記憶する出
力レジスタとを有する。
Another memory device of the present invention has an input register for storing data to be input, and a plurality of storage areas, each of which is independently accessible and can be accessed in the next cycle after the data to be stored is applied. A first memory circuit and a second memory circuit capable of outputting the data,
Storage control means for storing the data stored in the input register in one of the first memory circuit and the second memory circuit, and storing the data stored in the first memory circuit and the second memory circuit as required. It has read control means for reading data in the order of input, and an output register for storing the read data.

【0013】このようなメモリ装置においては、入力さ
れるデータは一時的に入力レジスタに記憶され、その
後、第1のメモリ回路または第2のメモリ回路のいずれ
かに記憶制御手段により記憶される。第1のメモリ回路
または第2のメモリ回路に記憶されたデータは、データ
が印加されたサイクルの次のサイクル、すなわち、記憶
されたサイクルには直ちに読み出し可能である。したが
って、読み出し制御手段を介して読み出されたそのデー
タを一旦出力レジスタに記憶し出力したとしても、デー
タをメモリ装置に印加してから2サイクル目にはそのデ
ータは出力される。また、このメモリ装置は、第1およ
び第2の2つのメモリ回路を有しているので、記憶制御
手段および読み出し制御手段が各々異なるメモリ回路を
アクセスすることにより、データの記憶と再生が同時に
行われる。
In such a memory device, input data is temporarily stored in an input register, and then stored in either the first memory circuit or the second memory circuit by the storage control means. The data stored in the first memory circuit or the second memory circuit can be immediately read in the next cycle after the cycle to which the data is applied, that is, in the stored cycle. Therefore, even if the data read via the read control means is once stored and output in the output register, the data is output in the second cycle after the data is applied to the memory device. Further, since this memory device has the first and second memory circuits, the storage control means and the read control means access different memory circuits so that data storage and reproduction can be performed simultaneously. Will be

【0014】また、本発明の画像生成装置は、任意の3
次元立体モデルが少なくとも3次元位置情報を有する頂
点によって示される基本多角形の集合として示されてい
る3次元画像データのその基本多角形の頂点に対して所
定の座標変換を行う座標変換手段と、その頂点のデータ
に基づいて前記基本多角形の画素データを生成する画素
データ生成手段と、生成された画素データを順次記憶す
るFIFOメモリと、生成された各画素データを順次前
記FIFOメモリより読み出し、所望のテクスチャパタ
ンを用いてテクスチャマッピングし、表示用3次元画像
データを生成するテクスチャマッピング手段と、生成さ
れた表示用3次元画像データとして記憶する画像メモリ
と、記憶された表示用3次元画像データより所望の領域
のデータを読み出し表示用画面データとして出力する出
力手段とを有し、前記FIFOメモリとして、前記本発
明のメモリ装置を有する。
Further, the image generating apparatus of the present invention is capable of
Coordinate conversion means for performing a predetermined coordinate conversion on the vertices of the basic polygon of the three-dimensional image data in which the three-dimensional model is represented by a set of basic polygons indicated by vertices having at least three-dimensional position information; Pixel data generating means for generating the basic polygonal pixel data based on the data of the vertices, a FIFO memory for sequentially storing the generated pixel data, and sequentially reading each generated pixel data from the FIFO memory; Texture mapping means for performing texture mapping using a desired texture pattern to generate three-dimensional image data for display, an image memory for storing the generated three-dimensional image data for display, and stored three-dimensional image data for display Output means for reading out data of a more desired area and outputting it as screen data for display, As serial FIFO memory, having a memory device of the present invention.

【0015】そしてこの画像生成装置においては、任意
の3次元立体モデルの基本多角形の集合として示されて
いる3次元画像データに対して、まず座標変換手段にお
いて、その基本多角形の前記頂点に対して所望の座標変
換を行い、その座標変換された基本多角形の頂点のデー
タに基づいて画素データ生成手段において各画素データ
を生成する。その生成された画素データは、順次FIF
Oメモリを介してテクスチャマッピング手段に入力さ
れ、所望のテクスチャパタンを用いてテクスチャマッピ
ングされ、所定の画像メモリに記憶される。そして、記
憶された画像データより所望の領域のデータが読み出さ
れ、表示用に出力される。
In this image generating apparatus, first, coordinate conversion means applies three-dimensional image data represented as a set of basic polygons of an arbitrary three-dimensional solid model to the vertices of the basic polygon. A desired coordinate conversion is performed on the data, and each pixel data is generated by a pixel data generation unit based on the data of the vertices of the converted basic polygon. The generated pixel data is sequentially
The data is input to the texture mapping unit via the O memory, texture-mapped using a desired texture pattern, and stored in a predetermined image memory. Then, data in a desired area is read out from the stored image data and output for display.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】第1の実施の形態 本発明の第1の実施の形態について図1〜図3を参照し
て説明する。本第1の実施の形態においては、家庭用ゲ
ーム機などに適用される任意の3次元物体モデルに対す
る所望の3次元画像を、ディスプレイ上に高速に表示す
る3次元コンピュータグラフィックスシステムに、本発
明のFIFO形式のメモリ装置を適用した場合について
説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the first embodiment, the present invention relates to a three-dimensional computer graphics system for displaying a desired three-dimensional image of an arbitrary three-dimensional object model applied to a home game machine or the like at a high speed on a display. The case where the FIFO type memory device is applied will be described.

【0017】まず、その本発明のメモリ装置を適用す
る、3次元コンピュータグラフィックスシステムについ
て図1を参照して説明する。この3次元コンピュータグ
ラフィックスシステムは、立体モデルを単位図形である
三角形(ポリゴン)の張り合わせとして表現しておき、
このポリゴンを描画することで表示画面の各画素の色を
決定しディスプレイに表示するポリゴンレンダリング処
理を行うシステムである。また、3次元コンピュータグ
ラフィックスシステム1においては、平面を表わす
(x、y)座標のほかに、奥行きを表わすz座標を用い
て3次元物体を表わし、またこのx、y、zの3つの座
標で3次元空間内の任意の1点を特定する。
First, a three-dimensional computer graphics system to which the memory device of the present invention is applied will be described with reference to FIG. In this three-dimensional computer graphics system, a three-dimensional model is expressed as a combination of triangles (polygons) as unit figures,
This system performs a polygon rendering process of determining the color of each pixel on the display screen by drawing the polygon and displaying the color on the display. In addition, in the three-dimensional computer graphics system 1, a three-dimensional object is represented using z coordinates representing depth in addition to (x, y) coordinates representing a plane, and three coordinates of x, y, and z are used. Specifies an arbitrary point in the three-dimensional space.

【0018】図1は、その3次元コンピュータグラフィ
ックスシステム1の構成を示すブロック図である。3次
元コンピュータグラフィックスシステム1は、入力部
2、3次元画像生成装置3および表示装置4を有する。
また、3次元画像生成装置3は、ジオメトリ演算部3
2、パラメータ演算部33、画素発生部34、FIFO
メモリ装置100、マッピング部35、テクスチャメモ
リ36、メモリ制御部37、画像メモリ38およびディ
スプレイ制御部39を有する。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the three-dimensional computer graphics system 1. The three-dimensional computer graphics system 1 includes an input unit 2, a three-dimensional image generation device 3, and a display device 4.
Further, the three-dimensional image generation device 3 includes a geometry calculation unit 3
2. Parameter calculation unit 33, pixel generation unit 34, FIFO
It has a memory device 100, a mapping unit 35, a texture memory 36, a memory control unit 37, an image memory 38, and a display control unit 39.

【0019】まず、各部の構成・機能について説明す
る。入力部2は、3次元画像生成装置3に対して、表示
対象の立体モデルのデータを入力する。本実施の形態に
おいては、3次元コンピュータグラフィックスシステム
1は家庭用ゲーム機に適用されているので、入力部2
は、その家庭用ゲーム機のゲーム自体を制御する主制御
装置などに接続される。その主制御装置においては、ゲ
ームの進行状況などに基づいて表示する画面を決定し、
その画面表示に必要な立体モデルを選択し、その表示方
法の情報を生成する。したがって入力部2は、これらの
情報を、家庭用ゲーム機の主制御装置より受け取り、3
次元画像生成装置3へ入力するのに適した形態に変換す
るなどして3次元画像生成装置3に入力する。具体的に
は、入力部2は、前述したような表示する立体モデルの
ポリゴンデータを3次元画像生成装置3のジオメトリ演
算部32に入力する。また、その入力されるポリゴンの
データは、各頂点のx,y,z座標データおよびカラ
ー、透明度、テクスチャなどの付随データである。
First, the configuration and function of each unit will be described. The input unit 2 inputs data of a three-dimensional model to be displayed to the three-dimensional image generation device 3. In this embodiment, since the three-dimensional computer graphics system 1 is applied to a home game machine, the input unit 2
Is connected to a main controller for controlling the game itself of the home game machine. The main controller determines the screen to be displayed based on the progress of the game, etc.
A three-dimensional model required for the screen display is selected, and information on the display method is generated. Therefore, the input unit 2 receives the information from the main control device of the consumer game machine,
The image is converted into a form suitable for input to the three-dimensional image generation device 3 and input to the three-dimensional image generation device 3. Specifically, the input unit 2 inputs the polygon data of the three-dimensional model to be displayed as described above to the geometry calculation unit 32 of the three-dimensional image generation device 3. The input polygon data is x, y, z coordinate data of each vertex and accompanying data such as color, transparency, and texture.

【0020】ジオメトリ演算部32は、入力部2より入
力されたポリゴンを、3次元空間中の所望の位置に配置
させその位置におけるポリゴンデータを生成する。具体
的には、ポリゴンの各頂点(x、y、z)ごとに、並進
変換、平行変換および回転変換などの幾何学的変換処理
(ジオメトリ変換処理という場合もある)を行う。ジオ
メトリ変換処理を行ったポリゴンデータは、パラメータ
演算部33に出力される。
The geometry calculation unit 32 arranges the polygon input from the input unit 2 at a desired position in the three-dimensional space, and generates polygon data at that position. Specifically, for each vertex (x, y, z) of the polygon, a geometric transformation process (also referred to as a geometry transformation process) such as a translation transformation, a parallel transformation, and a rotation transformation is performed. The polygon data subjected to the geometry conversion processing is output to the parameter calculation unit 33.

【0021】パラメータ演算部33は、ジオメトリ演算
部32から入力されたポリゴンのデータ、すなわち、ポ
リゴンの各頂点のデータに基づいて、画素発生部34に
おいてポリゴン内部の画素データを発生するために必要
なパラメータを求め、画素発生部34に出力する。具体
的にはたとえば、カラー、奥行きおよびテクスチャの傾
きの情報などを求める。
The parameter calculator 33 is required for the pixel generator 34 to generate pixel data inside the polygon based on the polygon data input from the geometry calculator 32, that is, the data of each vertex of the polygon. The parameters are obtained and output to the pixel generator 34. Specifically, for example, information on color, depth, and texture inclination is obtained.

【0022】画素発生部34は、ジオメトリ演算部32
でジオメトリ変換処理が行われたポリゴンデータ、およ
び、パラメータ演算部33で求められたパラメータに基
づいて、ポリゴンの各頂点間を線型補間してポリゴン内
部およびエッジ部分の画素データを発生する。また画素
発生回路34は、画素データの表示に対応した所定の2
次元平面上でのアドレスの生成を行う。生成された画素
データおよびアドレスは順次FIFOメモリ装置100
に入力される。
The pixel generator 34 is provided with a geometry calculator 32.
Based on the polygon data subjected to the geometry conversion processing in step (1) and the parameters calculated by the parameter calculation unit 33, linear interpolation is performed between the vertices of the polygon to generate pixel data of the inside and the edge of the polygon. In addition, the pixel generation circuit 34 has a predetermined 2 corresponding to the display of the pixel data.
Generate addresses on a dimensional plane. The generated pixel data and addresses are sequentially stored in the FIFO memory device 100.
Is input to

【0023】FIFOメモリ装置100は、画素発生部
34で生成された画素データおよびアドレスを順次記憶
し、マッピング部35より入力順に順次読み出されるバ
ッファである。そして特にこのFIFOメモリ装置10
0は、画素発生部34からデータが入力された後の次の
サイクルより、直ちにマッピング部35よりそのデータ
の読み出しが可能な、レイタンシーが1のFIFOメモ
リ装置である。このFIFOメモリ装置100の構成に
ついては後に詳述する。
The FIFO memory device 100 is a buffer that sequentially stores pixel data and addresses generated by the pixel generator 34 and is sequentially read from the mapping unit 35 in the order of input. And especially this FIFO memory device 10
Reference numeral 0 denotes a FIFO memory device with a latency of 1 that can read the data from the mapping unit 35 immediately after the next cycle after the data is input from the pixel generation unit 34. The configuration of the FIFO memory device 100 will be described later in detail.

【0024】マッピング部35は、FIFOメモリ装置
100より画素発生部34で生成された画素データおよ
びアドレスを読み出し、その画素データに対して、テク
スチャメモリ36に格納されているテクスチャデータを
用いて、テクスチャマッピング処理を行う。テクスチャ
マッピング処理を行った画素データおよびアドレスは、
メモリ制御部37にに出力する。
The mapping unit 35 reads out the pixel data and the address generated by the pixel generation unit 34 from the FIFO memory device 100, and uses the texture data stored in the texture memory 36 for the pixel data. Perform mapping processing. The pixel data and address after the texture mapping process are
Output to the memory control unit 37.

【0025】テクスチャメモリ36は、マッピング部3
5でテクスチャマッピングする際に用いるテクスチャパ
タンを記憶しておくメモリである。
The texture memory 36 stores the mapping unit 3
5 is a memory for storing texture patterns used when performing texture mapping.

【0026】メモリ制御部37は、マッピング部35か
ら入力される画素データおよびアドレス、および、既に
画像メモリ38に記憶されている対応する画素データに
基づいて、新たな画素データを生成し、画像メモリ38
に記憶する。すなわち、メモリ制御部37は、マッピン
グ部35から入力されるアドレスに対応した画素データ
を画像メモリ38から読み出し、その画素データと、マ
ッピング部35から入力された画素データとを用いて、
所望の画素演算処理を行い、得られた画素データを画像
メモリ38へ書き込む。また、メモリ制御部37は、デ
ィスプレイ制御部39から表示領域が指定された場合に
は、その表示領域の画素データを、画像メモリ38から
読み出し、ディスプレイ制御部39に出力する。
The memory control unit 37 generates new pixel data based on the pixel data and address input from the mapping unit 35 and the corresponding pixel data already stored in the image memory 38, 38
To memorize. That is, the memory control unit 37 reads the pixel data corresponding to the address input from the mapping unit 35 from the image memory 38, and uses the pixel data and the pixel data input from the mapping unit 35,
A desired pixel calculation process is performed, and the obtained pixel data is written to the image memory 38. When a display area is designated by the display control unit 39, the memory control unit 37 reads out pixel data of the display area from the image memory 38 and outputs the pixel data to the display control unit 39.

【0027】画像メモリ38は、表示用の画像データを
記録するメモリであり、同時にアクセスすることができ
る2つのメモリバッファ、フレームバッファとZバッフ
ァを有する。フレームバッファには、各画素のカラー情
報であるフレームデータが格納される。また、Zバッフ
ァには、各画素の奥行き情報(Z値)であるZデータが
格納される。
The image memory 38 is a memory for recording image data for display, and has two memory buffers, a frame buffer and a Z buffer, which can be accessed simultaneously. Frame data, which is color information of each pixel, is stored in the frame buffer. The Z buffer stores Z data as depth information (Z value) of each pixel.

【0028】ディスプレイ制御部39は、メモリ制御部
37を介して画像メモリ38より読み出した表示領域の
画素データを、表示装置4により表示可能なたとえば所
定のアナログ信号に変換し、表示装置4に出力する。な
お、これに先立ちディスプレイ制御部39は、メモリ制
御部37に対して、表示すべき表示領域の画素データの
要求を行う。
The display control section 39 converts the pixel data of the display area read from the image memory 38 via the memory control section 37 into, for example, a predetermined analog signal which can be displayed on the display device 4 and outputs it to the display device 4. I do. Prior to this, the display control unit 39 requests the memory control unit 37 for pixel data of a display area to be displayed.

【0029】表示装置4は、本実施の形態においては、
通常家庭などで用いられているビデオ入力端子などを有
するテレビジョン受信機である。3次元画像生成装置3
のディスプレイ制御部39からは、ビデオ信号入力端子
を介してアナログビデオ信号が入力され、その信号に基
づいて3次元映像を画面上に表示する。
In the present embodiment, the display device 4 is
This is a television receiver having a video input terminal and the like generally used in homes and the like. 3D image generation device 3
An analog video signal is input from the display control unit 39 via a video signal input terminal, and a three-dimensional image is displayed on a screen based on the signal.

【0030】次に、この3次元コンピュータグラフィッ
クスシステム1の動作について説明する。まず、家庭用
ゲーム機のゲーム自体を制御する主制御装置などにおい
て、表示する3次元画像が決定されると、その画面表示
に必要な立体モデルの情報が入力部2に入力される。入
力部2はこの情報に基づいて、その画像を表示するため
の立体モデルのポリゴンデータを3次元画像生成装置3
に入力する。3次元画像生成装置3に入力された各ポリ
ゴンデータは、まず、ジオメトリ演算部32において、
画面表示のために3次元空間中の所望の位置に配置され
るように、並進変換、平行変換および回転変換などのジ
オメトリ変換処理が行われる。
Next, the operation of the three-dimensional computer graphics system 1 will be described. First, when a three-dimensional image to be displayed is determined in a main control device or the like that controls the game itself of the home-use game machine, information on a three-dimensional model required for displaying the screen is input to the input unit 2. Based on this information, the input unit 2 converts the polygon data of the three-dimensional model for displaying the image into a three-dimensional image generating device 3.
To enter. Each polygon data input to the three-dimensional image generation device 3 is first processed by the geometry calculation unit 32.
Geometry transformation processing such as translation, parallel transformation, and rotation transformation is performed so as to be arranged at a desired position in a three-dimensional space for screen display.

【0031】次に、座標変換の行われたポリゴンデータ
に対して、パラメータ演算部33においてポリゴン内部
の画素データを発生するために必要なパラメータが求め
られ、画素発生部34において、実際にポリゴンの各頂
点間を線型補間してポリゴン内部およびエッジ部分の画
素データが発生される。発生された画素データは、FI
FOメモリ装置100を介して順次マッピング部35に
入力され、マッピング部35において、テクスチャメモ
リ36に記録されているテクスチャパタンデータを参照
して、テクスチャマッピング処理が行われ、生成された
画素データがメモリ制御部37を介して画像メモリ38
に記憶される。
Next, for the polygon data subjected to the coordinate conversion, parameters necessary for generating pixel data inside the polygon are obtained in the parameter calculation unit 33, and the pixel generation unit 34 actually calculates the polygon data. Pixel data of the inside of the polygon and the edge portion is generated by linearly interpolating between the vertices. The generated pixel data is
The input pixel data is sequentially input to the mapping unit 35 via the FO memory device 100, and the mapping unit 35 performs texture mapping processing with reference to the texture pattern data recorded in the texture memory 36, and generates pixel data. Image memory 38 via control unit 37
Is stored.

【0032】画像メモリ38に記憶された画素データ
は、同様の経路により入力される他の画素データや任意
の制御データに基づいて適宜所望の処理が行われる。こ
れにより画像メモリ38には常に最新の画像データが格
納され、画面表示に供される。すなわち、表示装置4に
表示するための所定の領域のデータの出力の要求がディ
スプレイ制御部39からメモリ制御部37に対して行わ
れ、その領域の画素データが適宜画像メモリ38から読
み出され、ディスプレイ制御部39において画面表示用
の所定の信号に変換され、表示装置4に出力される。こ
れにより、表示装置4には、所望の画像が画面に表示さ
れる。
The pixel data stored in the image memory 38 is appropriately subjected to a desired process based on other pixel data input through a similar route or arbitrary control data. As a result, the latest image data is always stored in the image memory 38 and used for screen display. That is, a request to output data in a predetermined area to be displayed on the display device 4 is made from the display control unit 39 to the memory control unit 37, and pixel data in that area is read from the image memory 38 as appropriate. The display control section 39 converts the signal into a predetermined signal for screen display and outputs the signal to the display device 4. Thereby, a desired image is displayed on the screen of the display device 4.

【0033】次に、FIFOメモリ装置100について
図2および図3を参照して説明する。前述したように、
3次元コンピュータグラフィックスシステム1において
は各構成部が順次所定の処理を行うことにより画面表示
用の所望の画像データを生成しているが、各構成部間に
おける、処理結果のデータの出力と処理対象のデータの
要求は、同期して行われているわけではない。具体的に
は、マッピング部35では画素発生部34で生成された
画素データに対してテクスチャマッピングの処理が施さ
れるが、画素発生部34で画素データを生成するタイミ
ングと、マッピング部35における処理対象の画素デー
タの要求タイミングとは、一致していない。そこで、こ
のタイミングの差を吸収するために、FIFOメモリ装
置100が画素発生部34とマッピング部35との間に
設けられている。
Next, the FIFO memory device 100 will be described with reference to FIGS. As previously mentioned,
In the three-dimensional computer graphics system 1, each component sequentially performs predetermined processing to generate desired image data for screen display. However, output and processing of processing result data between the components are performed. Requests for the data of interest are not made synchronously. Specifically, the mapping unit 35 performs the texture mapping process on the pixel data generated by the pixel generation unit 34. The timing at which the pixel generation unit 34 generates the pixel data and the processing performed by the mapping unit 35 The request timing of the target pixel data does not match. Therefore, in order to absorb the timing difference, the FIFO memory device 100 is provided between the pixel generator 34 and the mapping unit 35.

【0034】このような、3次元コンピュータグラフィ
ックスシステム1に適用して好適な、FIFOメモリ装
置100の構成を図2に示す。FIFOメモリ装置10
0は、入力レジスタ(REG1)110、デュアルポー
トRAM(Dport RAM)120、第1の中間レ
ジスタ(REG2)131、第2の中間レジスタ(RE
G3)132、出力レジスタ(REG4)140、選択
回路(MUX)150、ライトポインタ部(Wpointer)
160、ライトレディ信号生成部(WRDY Gen)17
0、リードポインタ部(Rpointer)180およびリード
レディ信号生成部(RRDY Gen)190を有する。
FIG. 2 shows a configuration of the FIFO memory device 100 suitable for application to such a three-dimensional computer graphics system 1. FIFO memory device 10
0 is an input register (REG1) 110, a dual-port RAM (Dport RAM) 120, a first intermediate register (REG2) 131, and a second intermediate register (RE
G3) 132, output register (REG4) 140, selection circuit (MUX) 150, write pointer unit (Wpointer)
160, write ready signal generation unit (WRDY Gen) 17
0, a read pointer section (Rpointer) 180 and a read ready signal generation section (RRDY Gen) 190.

【0035】まず、各部の構成・機能について説明す
る。入力レジスタ110は、FIFOメモリ装置100
に入力されるデータDATAinを一時的に記憶してお
くレジスタであり、ライトイネーブル信号WEがアクィ
ブ時のクロックCLKの立ち上がりタイミングで入力デ
ータDATAinを記憶する。入力レジスタ110に記
憶されたデータは、デュアルポートRAM120、第1
の中間レジスタ131および選択回路150に出力され
る。
First, the configuration and function of each unit will be described. The input register 110 stores the FIFO memory device 100
Is a register for temporarily storing the data DATAin input to the register, and stores the input data DATAin at the rising timing of the clock CLK when the write enable signal WE is active. The data stored in the input register 110 is stored in the dual port RAM 120, the first
Are output to the intermediate register 131 and the selection circuit 150.

【0036】デュアルポートRAM120は、32ビッ
ト×64ワード構成の同時に書き込みおよび読み出しが
可能なメモリであり、入力レジスタ110を介して入力
されるデータを順に記録する。デュアルポートRAM1
20には、そのデータ入力端子に入力レジスタ110に
記憶されたデータRAMinが印加されており、ライト
ポインタ部160からのライト制御信号に基づいて、そ
のデータがデュアルポートRAM120の記憶領域に順
に記憶される。また、デュアルポートRAM120に記
憶されたデータは、リードポインタ部180からのリー
ド制御信号に基づいて、記憶された順番にデータ出力端
子より読み出され出力される。
The dual-port RAM 120 is a 32-bit × 64-word memory capable of simultaneously writing and reading, and sequentially records data input through the input register 110. Dual port RAM1
The data RAM 20 stored in the input register 110 is applied to its data input terminal, and the data is sequentially stored in the storage area of the dual port RAM 120 based on a write control signal from the write pointer unit 160. You. The data stored in the dual port RAM 120 is read out and output from the data output terminals in the order in which they are stored, based on a read control signal from the read pointer unit 180.

【0037】デュアルポートRAM120においては、
これらの記憶動作および読み出し動作は、同じ時に全く
別個の独立した動作として行われる。なお、デュアルポ
ートRAM120において、印加したデータを直ちに出
力したとすると、データを印加した次のサイクルで記憶
が行われ、その次のサイクルで読み出される。すなわ
ち、デュアルポートRAM120は、レイタンシーが2
のメモリである。
In the dual port RAM 120,
These storage and read operations are performed at the same time as completely separate and independent operations. If the applied data is output immediately in the dual port RAM 120, the data is stored in the next cycle in which the data is applied, and is read out in the next cycle. That is, the dual port RAM 120 has a latency of 2
Memory.

【0038】第1の中間レジスタ131および第2の中
間レジスタ132は、入力レジスタ110に記憶されて
いるデータを順に記憶するレジスタである。図示のごと
く、第1の中間レジスタ131および第2の中間レジス
タ132は、入力レジスタ110に対して直列に接続さ
れ、入力レジスタ110とともにシフトレジスタを構成
している。したがって、入力レジスタ110に印加され
たデータは、順次第1の中間レジスタ131および第2
の中間レジスタ132にシフトされる。また、入力レジ
スタ110を含めて各レジスタの出力は選択回路150
にも出力されている。したがって、入力レジスタ110
に印加されたデータは、これらのシフトレジスタ中をシ
フトされることにより、入力レジスタ110に印加後3
サイクルまでは、これらのいずれかのレジスタを介して
選択回路150に対して出力される。
The first intermediate register 131 and the second intermediate register 132 are registers for sequentially storing the data stored in the input register 110. As shown, the first intermediate register 131 and the second intermediate register 132 are connected in series to the input register 110, and constitute a shift register together with the input register 110. Therefore, the data applied to the input register 110 is sequentially transmitted to the first intermediate register 131 and the second intermediate register 131.
Is shifted to the intermediate register 132. The output of each register including the input register 110 is supplied to the selection circuit 150.
Is also output. Therefore, input register 110
Is applied to the input register 110 by being shifted through these shift registers.
Until the cycle, the data is output to the selection circuit 150 via any of these registers.

【0039】出力レジスタ140は、リードポインタ部
180より出力されるリード制御信号に基づいてデュア
ルポートRAM120より読み出されたデータRAMo
utを記憶し、選択回路150に出力する。前述したよ
うに、デュアルポートRAM120のレイタンシーは2
なので、入力レジスタ110および出力レジスタ140
におけるデータ記憶サイクルを含めると、入力レジスタ
110にデータが印加されてから、デュアルポートRA
M120を介してそのデータが出力レジスタ140より
出力されるまでには、最短で4サイクルとなる。
The output register 140 stores the data RAMo read from the dual port RAM 120 based on the read control signal output from the read pointer section 180.
ut is stored and output to the selection circuit 150. As described above, the latency of the dual port RAM 120 is 2
Therefore, the input register 110 and the output register 140
, The data is applied to the input register 110 and then the dual port RA
It takes at least four cycles before the data is output from the output register 140 via M120.

【0040】選択回路150は、リードポインタ部18
0から入力される選択信号SELに基づいて、入力され
るデータのいずれか1つを選択し、FIFOメモリ装置
100からの出力データDATAoutとして出力す
る。選択回路150には、入力レジスタ110に記憶さ
れているデータ、第1の中間レジスタ131に記憶され
ているデータ、第2の中間レジスタ132に記憶されて
いるデータ、および、出力レジスタ140に記憶されて
いるデータが各々入力されている。それらの各データ
は、前述したように、入力レジスタ110に印加されて
から1サイクル後のデータ、2サイクル後のデータ、3
サイクル後のデータ、および、4サイクル後以降のデー
タである。したがって、選択回路150は、読み出しが
要求されたデータがFIFOメモリ装置100、すなわ
ち入力レジスタ110に印加された時に基づいて、それ
ら4個のデータのいずれかを選択し出力する。
The selection circuit 150 includes a read pointer unit 18
Based on the selection signal SEL input from 0, any one of the input data is selected and output as output data DATAout from the FIFO memory device 100. The selection circuit 150 stores the data stored in the input register 110, the data stored in the first intermediate register 131, the data stored in the second intermediate register 132, and the data stored in the output register 140. Are input. As described above, these data are data one cycle after being applied to the input register 110, data two cycles after, and
The data after the cycle and the data after four cycles. Therefore, the selection circuit 150 selects and outputs any of the four data based on when the data requested to be read is applied to the FIFO memory device 100, that is, the input register 110.

【0041】すなわち、要求されたデータが1サイクル
前に入力レジスタ110に印加されたばかりのデータの
時には入力レジスタ110から出力されるデータを選択
し、2サイクル前に入力レジスタ110に印加されたデ
ータの時には第1の中間レジスタ131から出力される
データを選択し、3サイクル前に入力レジスタ110に
印加されたデータの時には第2の中間レジスタ132か
ら出力されるデータを選択し、4サイクル前以前に入力
レジスタ110に印加されたデータの時には出力レジス
タ140から出力される通常にデュアルポートRAM1
20から読み出されたデータを選択する。
That is, when the requested data is the data just applied to the input register 110 one cycle before, the data output from the input register 110 is selected, and the data applied to the input register 110 two cycles before is selected. Sometimes, the data output from the first intermediate register 131 is selected, and when the data is applied to the input register 110 three cycles before, the data output from the second intermediate register 132 is selected. In the case of data applied to the input register 110, the normal dual port RAM 1 output from the output register 140
20. The data read from 20 is selected.

【0042】ライトポインタ部160は、FIFOメモ
リ装置100に入力されるライトイネーブル信号WEに
基づいて、デュアルポートRAM120に対する記憶制
御信号を生成し、デュアルポートRAM120へのデー
タの記憶を制御する。また、ライトポインタ部160
は、そのライトイネーブル信号WEに基づいて、入力レ
ジスタ110、第1の中間レジスタ131および第2の
中間レジスタ132に対するデータの記憶も制御する。
なお、ライトポインタ部160は、後述するライトレデ
ィ信号生成部170により書き込み可能状態となってい
る時のみ有効となる。
The write pointer section 160 generates a storage control signal for the dual port RAM 120 based on the write enable signal WE input to the FIFO memory device 100, and controls the storage of data in the dual port RAM 120. Also, the write pointer unit 160
Controls the storage of data in the input register 110, the first intermediate register 131, and the second intermediate register 132 based on the write enable signal WE.
Note that the write pointer section 160 is valid only when a write ready signal generation section 170 described later is in a writable state.

【0043】ライトレディ信号生成部170は、FIF
Oメモリ装置100にデータをさらに記憶することがで
きるか否かを示すライトレディ信号WRDYを生成する
回路である。ライトレディ信号生成部170は、ライト
ポインタ部160およびリードポインタ部180におい
て管理されているデュアルポートRAM120に対する
ライトアドレスおよびリードアドレス、および、それの
遷移状態に基づいて生成される。
The write ready signal generation unit 170
This is a circuit that generates a write ready signal WRDY indicating whether data can be further stored in the O memory device 100. The write ready signal generation unit 170 is generated based on the write address and the read address for the dual port RAM 120 managed by the write pointer unit 160 and the read pointer unit 180, and the transition state thereof.

【0044】リードポインタ部180は、FIFOメモ
リ装置100に入力される読み出し要求信号であるリー
ドイネーブル信号REに基づいて、デュアルポートRA
M120に対するリード制御信号を生成し、デュアルポ
ートRAM120に印加する。これにより、デュアルポ
ートRAM120から所望のデータが読み出され、出力
レジスタ140に出力される。なおリードポインタ部1
80は、後述するリードレディ信号生成部190により
読み出し可能状態となっている時、および、リードイネ
ーブル信号REがライトイネーブル信号WEと同時に入
力された時にのみ有効となる。
The read pointer section 180 receives a dual port RA based on a read enable signal RE which is a read request signal input to the FIFO memory device 100.
A read control signal for M120 is generated and applied to dual port RAM 120. Thereby, desired data is read from the dual port RAM 120 and output to the output register 140. Note that the read pointer unit 1
80 is valid only when a read-ready signal generation unit 190 described later is in a readable state and when the read enable signal RE is input simultaneously with the write enable signal WE.

【0045】また、リードポインタ部180は、リード
イネーブル信号REが入力されたサイクルと出力対象の
データがFIFOメモリ装置100に入力されたサイク
ルとの関係に基づいて、選択回路150に対する選択信
号SELを生成し、選択回路150に出力する。すなわ
ち、出力対象のデータが何サイクル前に入力レジスタ1
10に印加されたデータかに基づいて、入力レジスタ1
10、第1の中間レジスタ131、第2の中間レジスタ
132および出力レジスタ140のいずれかから出力さ
れるデータを選択する信号を選択回路150に印加す
る。
The read pointer unit 180 outputs a selection signal SEL to the selection circuit 150 based on the relationship between the cycle in which the read enable signal RE is input and the cycle in which the data to be output is input to the FIFO memory device 100. It is generated and output to the selection circuit 150. That is, how many cycles before the data to be output
10 based on whether the data applied to input register 1
10. A signal for selecting data output from one of the first intermediate register 131, the second intermediate register 132, and the output register 140 is applied to the selection circuit 150.

【0046】リードレディ信号生成部190は、FIF
Oメモリ装置100に読み出し対象のデータが存在する
か否かを示すリードレディ信号RRDYを生成する回路
である。リードレディ信号生成部190は、ライトポイ
ンタ部160およびリードポインタ部180において管
理されているデュアルポートRAM120に対するライ
トアドレスおよびリードアドレス、および、それの遷移
状態に基づいて生成される。
The read ready signal generation unit 190
This is a circuit for generating a read ready signal RRDY indicating whether or not there is data to be read in the O memory device 100. The read ready signal generation unit 190 is generated based on the write address and the read address for the dual port RAM 120 managed by the write pointer unit 160 and the read pointer unit 180, and the transition state thereof.

【0047】次に、FIFOメモリ装置100の動作に
ついて図3を参照して説明する。図3において、信号C
LKはFIFOメモリ装置100の動作クロック、信号
DATAinはFIFOメモリ装置100への入力デー
タであり入力レジスタ110に印加されているデータ、
信号WEはFIFOメモリ装置100に対するライトイ
ネーブル信号、信号RAMin(REGout)は入力
レジスタ110に記憶されデュアルポートRAM120
に印加さているデータ、信号REG2outは第1の中
間レジスタ131に記憶されているデータ、信号RET
3outは第2の中間レジスタ132に記憶されている
データ、信号REG4outはデュアルポートRAM1
20から読み出され出力レジスタ140に記憶されてい
るデータ、信号REはFIFOメモリ装置100に対す
るリードイネーブル信号、信号SELは選択回路150
の選択信号、信号DATAoutはFIFOメモリ装置
100からの出力信号である。なお、クロックCLKの
上の番号は、説明を容易にするために付した各サイクル
を示す番号である。
Next, the operation of the FIFO memory device 100 will be described with reference to FIG. In FIG. 3, the signal C
LK is an operation clock of the FIFO memory device 100, a signal DATAin is input data to the FIFO memory device 100 and data applied to the input register 110,
The signal WE is a write enable signal for the FIFO memory device 100, and the signal RAMin (REGout) is stored in the input register 110 and is stored in the dual port RAM 120.
And the signal REG2out is the data stored in the first intermediate register 131 and the signal RET.
3out is the data stored in the second intermediate register 132, and the signal REG4out is the dual port RAM1
Data read from the memory 20 and stored in the output register 140, a signal RE is a read enable signal for the FIFO memory device 100, and a signal SEL is a selection circuit 150.
And the signal DATAout are output signals from the FIFO memory device 100. It should be noted that the numbers above the clock CLK are numbers indicating the respective cycles added for ease of explanation.

【0048】FIFOメモリ装置100に対しては、た
とえばサイクル1のように、ライトイネーブル信号WE
をハイにし、記憶すべきデータD0を入力端子に印加す
ることによりデータが記憶される。この入力されたデー
タD0は、サイクル1とサイクル2の間のクロックCL
Kの立ち上がり時に入力レジスタ110に記憶され、サ
イクル2の期間ではデュアルポートRAM120、第1
の中間レジスタ131および選択回路150に対して出
力される。そして、次のサイクル3において、この入力
レジスタ110に記憶されているデータD0が、デュア
ルポートRAM120に記憶される。
For FIFO memory device 100, as in cycle 1, for example, write enable signal WE
Is set high, and data D0 to be stored is applied to the input terminal, whereby data is stored. The input data D0 is the clock CL between cycle 1 and cycle 2.
At the rise of K, the data is stored in the input register 110.
Are output to the intermediate register 131 and the selection circuit 150. Then, in the next cycle 3, the data D0 stored in the input register 110 is stored in the dual port RAM 120.

【0049】また、この入力レジスタ110に記憶され
たデータD0は、デュアルポートRAM120に記憶さ
れると同時に、サイクル3で第1の中間レジスタ131
にシフトされる。そしてさらに、この第1の中間レジス
タ131に記憶されたデータD0は、サイクル4で第2
の中間レジスタ132にシフトされる。一方、サイクル
3でデュアルポートRAM120に記憶されたデータ
は、サイクル4ではデュアルポートRAM120から読
み出されて出力レジスタ140に印加され、サイクル5
で出力レジスタ140に記憶されて出力レジスタ140
より選択回路150に対して出力される。
The data D0 stored in the input register 110 is stored in the dual port RAM 120 at the same time as the first intermediate register 131 in cycle 3.
Is shifted to Further, the data D0 stored in the first intermediate register 131 is supplied to the second
Is shifted to the intermediate register 132. On the other hand, the data stored in the dual port RAM 120 in cycle 3 is read out from the dual port RAM 120 in cycle 4 and applied to the output register 140, and the data stored in cycle 5
And stored in the output register 140
It is output to the selection circuit 150.

【0050】したがって、選択回路150においては、
サイクル2においては入力レジスタ110の出力とし
て、サイクル3においては第1の中間レジスタ131の
出力として、サイクル4においては第2の中間レジスタ
132の出力として、サイクル5においては出力レジス
タ140の出力として、いずれもデータD0を選択可能
となる。出力レジスタ140に記憶されているデータ
は、リードイネーブル信号REに応じて順次デュアルポ
ートRAM120より読み出され更新されるデータであ
るから、リードイネーブル信号REにより読み出さない
限りは出力レジスタ140からはサイクル6以降もデー
タD0が出力され続けることになる。すなわち、FIF
Oメモリ装置100にデータD0が印加された後の次の
ステップ以降はいつでも、選択回路150はデータD0
を選択して出力することが可能な状態となっている。
Therefore, in the selection circuit 150,
In cycle 2, as the output of the input register 110, in cycle 3, as the output of the first intermediate register 131, in cycle 4, as the output of the second intermediate register 132, and in cycle 5, as the output of the output register 140, In any case, the data D0 can be selected. The data stored in the output register 140 is data that is sequentially read from the dual-port RAM 120 and updated according to the read enable signal RE. Thereafter, the data D0 continues to be output. That is, FIF
At any time after the next step after the data D0 is applied to the O memory device 100, the selection circuit 150 outputs the data D0.
Can be selected and output.

【0051】なお、サイクル2においては、データD1
がFIFOメモリ装置100に印加されているが、ライ
トイネーブル信号WEがローレベルになっているので、
このデータD1は入力レジスタ110には実質的に入力
されない。サイクル3以降は、再びライトイネーブル信
号WEがアクティブになっているので、順次入力される
データD2,D3,D4・・・は、前述したのと同様
に、まず入力レジスタ110に記憶され、デュアルポー
トRAM120に記憶されると同時に、第1の中間レジ
スタ131、第2の中間レジスタ132を順にシフトさ
れる。
In cycle 2, data D1
Is applied to the FIFO memory device 100, but since the write enable signal WE is at a low level,
The data D1 is not substantially input to the input register 110. Since the write enable signal WE is active again after cycle 3, the sequentially input data D2, D3, D4,... Are first stored in the input register 110 in the same manner as described above. At the same time as being stored in the RAM 120, the first intermediate register 131 and the second intermediate register 132 are sequentially shifted.

【0052】このように順次データが記憶される状態
で、たとえばサイクル1のように、データ読み出し信号
であるリードイネーブル信号REがFIFOメモリ装置
100に入力される。すると、リードポインタ部180
が、このリードイネーブル信号REに基づいて、出力す
べきデータが記憶されているレジスタを検出し、そのレ
ジスタからの出力データを選択するような選択信号SE
Lを選択回路150に出力する。なお、出力すべきデー
タとは、FIFOメモリ装置100に入力された未だ読
み出されていないデータの中で、最先に入力されたデー
タであり、この場合は、サイクル1において入力対象の
データとしてFIFOメモリ装置100に印加されてい
るデータD0である。
In the state where data is sequentially stored in this manner, a read enable signal RE which is a data read signal is input to the FIFO memory device 100, for example, in cycle 1. Then, the read pointer unit 180
Detects a register in which data to be output is stored based on the read enable signal RE, and selects a selection signal SE for selecting output data from the register.
L is output to the selection circuit 150. The data to be output is the data that has been input first among the data that has not been read yet that has been input to the FIFO memory device 100. In this case, the data to be input in cycle 1 This is the data D0 applied to the FIFO memory device 100.

【0053】このサイクル1で入力されたリードイネー
ブル信号REに対しては、リードポインタ部180はサ
イクル2でそのデータD0が記憶されているレジスタ、
すなわち入力レジスタ110を選択するような選択信号
SELを生成し、選択回路150に出力する。その結
果、サイクル2において、入力レジスタ110に記憶さ
れているデータD0が選択回路150により選択され、
FIFOメモリ装置100より出力される。
In response to the read enable signal RE input in the cycle 1, the read pointer unit 180 controls the register in which the data D0 is stored in the cycle 2,
That is, a selection signal SEL for selecting the input register 110 is generated and output to the selection circuit 150. As a result, in cycle 2, the data D0 stored in the input register 110 is selected by the selection circuit 150,
Output from the FIFO memory device 100.

【0054】以降、同様に、リードイネーブル信号RE
が入力されると、リードポインタ部180が、そのリー
ドイネーブル信号REの入力サイクルと出力すべきデー
タの入力サイクルとの関係に基づいて選択信号SELを
生成し、選択回路150においてそのデータが選択され
る。たとえば、サイクル4で入力されるリードイネーブ
ル信号REに対しては、第1の中間レジスタ131が選
択回路150において選択され、サイクル5において、
その記憶されているデータD2が出力される。また、サ
イクル5で入力されるリードイネーブル信号REに対し
ては、同じく第1の中間レジスタ131が選択され、サ
イクル6において、その記憶されているデータD3が出
力される。
Thereafter, similarly, read enable signal RE
Is input, the read pointer unit 180 generates a selection signal SEL based on the relationship between the input cycle of the read enable signal RE and the input cycle of data to be output, and the selection circuit 150 selects the data. You. For example, for read enable signal RE input in cycle 4, first intermediate register 131 is selected by selection circuit 150, and in cycle 5,
The stored data D2 is output. In addition, the first intermediate register 131 is similarly selected for the read enable signal RE input in cycle 5, and the stored data D3 is output in cycle 6.

【0055】さらに、サイクル7およびサイクル8で各
々入力されたリードイネーブル信号REに対しては、第
2の中間レジスタ132が選択され、記憶されているデ
ータD4、D5がサイクル8およびサイクル9で出力さ
れる。また、サイクル9でリードイネーブル信号REが
一旦無効にされた結果、以後のサイクル10およびサイ
クル11で各々入力されるリードイネーブル信号REに
対しては、出力レジスタ140が選択され、デュアルポ
ートRAM120から読み出され出力レジスタ140に
記憶されているデータD6,D7が出力される。その結
果、以後のサイクルでは、デュアルポートRAM120
に十分データが蓄積されている限りにおいて、読み出さ
れるデータは必ずFIFOメモリ装置100に印加され
てから4サイクル以上経たデータとなるので、選択回路
150では必ず出力レジスタ140が選択され、デュア
ルポートRAM120から読み出されたデータが出力さ
れる。
Further, for read enable signal RE input in cycles 7 and 8, respectively, second intermediate register 132 is selected, and stored data D4 and D5 are output in cycles 8 and 9. Is done. In addition, as a result of the read enable signal RE being invalidated once in cycle 9, the output register 140 is selected for the read enable signal RE input in each of the subsequent cycles 10 and 11, and the read register 140 is read from the dual port RAM 120. The data D6 and D7 output and stored in the output register 140 are output. As a result, in the subsequent cycles, the dual port RAM 120
As long as enough data is stored, the read data is always data that has passed four or more cycles after being applied to the FIFO memory device 100. Therefore, the output register 140 is always selected by the selection circuit 150, and the data is read from the dual port RAM 120. The read data is output.

【0056】このように、第1の実施の形態のFIFO
メモリ装置100は、データをFIFOメモリ装置10
0に印加した次のサイクルに直ちにそのデータを出力さ
せることができ、レイタンシーが1のFIFOメモリと
なっている。したがって、入力したデータを即座に読み
出して、所望の処理に供することができ、後段の処理部
などに待ち時間無しで効率よくデータを提供することが
できる。また、そのように記憶したデータを直ちに読み
出すことができるので、回路設計時などに、複雑なデー
タの入出力のタイミングを考慮する必要がなく、回路設
計が容易になる。
As described above, the FIFO of the first embodiment
The memory device 100 stores data in the FIFO memory device 10.
The data can be immediately output in the next cycle applied to 0, and the FIFO memory has a latency of 1. Therefore, the input data can be immediately read and provided for a desired process, and the data can be efficiently provided to a subsequent processing unit without waiting time. Further, since the data thus stored can be read out immediately, there is no need to consider the timing of input / output of complicated data at the time of circuit design, and the circuit design becomes easy.

【0057】そして、このような構成のFIFOメモリ
装置100を、たとえば前述したような3次元コンピュ
ータグラフィックスシステム1の3次元画像生成装置3
に適用する、具体的にはたとえば、画素発生部34で生
成された画素データを、FIFOメモリ装置100を介
してマッピング部35に入力するようにすれば、画素発
4部34で画素データが生成され始めたら、マッピング
部35は直ちにそのデータを用いてテクスチャマッピン
グを行うことができる。すなわち、画素データ生成開始
直後のマッピング部35における待機時間をなくすこと
ができ、効率よくテクスチャマッピングを行うことがで
き、ひいては効率よく所望の画像の生成ができる。
Then, the FIFO memory device 100 having such a configuration is connected to the three-dimensional image generation device 3 of the three-dimensional computer graphics system 1 as described above.
Specifically, for example, if the pixel data generated by the pixel generating unit 34 is input to the mapping unit 35 via the FIFO memory device 100, the pixel data is generated by the pixel generating unit 34. When the mapping is started, the mapping unit 35 can immediately perform texture mapping using the data. That is, the waiting time in the mapping unit 35 immediately after the start of the pixel data generation can be eliminated, the texture mapping can be performed efficiently, and the desired image can be efficiently generated.

【0058】第2の実施の形態 本発明のメモリ装置の具体的構成は、第1の実施の形態
のFIFOメモリ装置100に限られるものではなく、
他にも種々の構成が可能である。その本発明に係わるメ
モリ装置の他の構成例を、以下、第2の実施の形態〜第
7の実施の形態として具体的に例示する。なお、以下に
示す各実施の形態のメモリ装置は、第1の実施の形態の
FIFOメモリ装置100と同様に、いずれも3次元コ
ンピュータグラフィックスシステム1の画素発生部34
とマッピング部35との間に設けて使用することが可能
なメモリ装置である。したがって、各メモリ装置につい
てはその適用例の説明は省略し、各メモリ装置について
のみ説明を行う。また、各実施の形態においては、同一
の機能・構成の構成部には同一の符号を付して、その説
明は省略する。
Second Embodiment The specific structure of the memory device according to the present invention is not limited to the FIFO memory device 100 according to the first embodiment.
Various other configurations are possible. Other configuration examples of the memory device according to the present invention will be specifically illustrated below as second to seventh embodiments. The memory devices according to the following embodiments are all similar to the FIFO memory device 100 according to the first embodiment.
This is a memory device that can be provided and used between the memory device and the mapping unit 35. Therefore, the description of the application example of each memory device will be omitted, and only each memory device will be described. In each embodiment, the same reference numerals are given to components having the same functions and configurations, and description thereof will be omitted.

【0059】まず、本発明のメモリ装置の第2の実施の
形態について図4を参照して説明する。第2の実施の形
態のFIFOメモリ装置101は、外部からみると第1
の実施の形態のFIFOメモリ装置100と同じ動作を
するものであるが、そのデータの選択方法などが第1の
実施例とは異なるFIFOメモリである。FIFOメモ
リ装置101は、入力レジスタ(REG1)110、デ
ュアルポートRAM(Dport RAM)120、第
1の中間レジスタ(REG2)131、選択回路(MU
X)150b、出力レジスタ(REG4)141、ライ
トポインタ部(Wpointer)160、ライトレディ信号生
成部(WRDY Gen)170、リードポインタ部(Rpoi
nter)181およびリードレディ信号生成部(RRDY
Gen)190を有する。入力レジスタ110、デュアル
ポートRAM120、第1の中間レジスタ131、ライ
トポインタ部160、ライトレディ信号生成部170お
よびリードレディ信号生成部190は、第1の実施の形
態と全く同じ機能を有し、同じ動作をするので、その説
明は省略する。
First, a second embodiment of the memory device according to the present invention will be described with reference to FIG. The FIFO memory device 101 according to the second embodiment has the first
The operation is the same as that of the FIFO memory device 100 of the second embodiment, but the FIFO memory device is different from the first embodiment in the data selection method and the like. The FIFO memory device 101 includes an input register (REG1) 110, a dual port RAM (Dport RAM) 120, a first intermediate register (REG2) 131, and a selection circuit (MU).
X) 150b, output register (REG4) 141, write pointer unit (Wpointer) 160, write ready signal generation unit (WRDY Gen) 170, read pointer unit (Rpoi)
nter) 181 and a read ready signal generator (RRDY)
Gen) 190. The input register 110, the dual port RAM 120, the first intermediate register 131, the write pointer unit 160, the write ready signal generation unit 170, and the read ready signal generation unit 190 have exactly the same functions as those of the first embodiment, and Since the operation is performed, the description is omitted.

【0060】選択回路150bは、第1の実施の形態の
選択回路150と同じ機能を有し同じ動作をするもので
あるが、入出力されるデータが第1の実施の形態とは異
なる。選択回路150bにおいては、第1の実施の形態
の選択回路150に入力されていた入力レジスタ110
に記憶されたデータ、第1の中間レジスタ131に記憶
されたデータ、第2の中間レジスタ132に記憶された
データ、および、デュアルポートRAM120より読み
出された後出力レジスタ140に記憶されたデータの各
データの各々1サイクル前のデータ、すなわち、入力レ
ジスタ110に印加されているデータ、入力レジスタ1
10に記憶されたデータ、第1の中間レジスタ131に
記憶されたデータ、および、デュアルポートRAM12
0より読み出されたデータが入力される。そして、選択
回路150bは、この中のいずれか1つのデータを、リ
ードポインタ部181より入力される選択信号SELに
基づいて選択する。
The selection circuit 150b has the same function and performs the same operation as the selection circuit 150 of the first embodiment, but the input / output data is different from that of the first embodiment. In the selection circuit 150b, the input register 110 input to the selection circuit 150 of the first embodiment is used.
, The data stored in the first intermediate register 131, the data stored in the second intermediate register 132, and the data stored in the output register 140 after being read from the dual port RAM 120. One cycle before each data, that is, the data applied to the input register 110, the input register 1
10, the data stored in the first intermediate register 131, and the dual port RAM 12
Data read from 0 is input. Then, the selection circuit 150b selects any one of the data based on the selection signal SEL input from the read pointer unit 181.

【0061】出力レジスタ141は、選択回路150b
で選択されたデータを一時的に記憶しFIFOメモリ装
置101からの出力データDATAoutとして出力す
るためのレジスタである。
The output register 141 is connected to the selection circuit 150b.
Is a register for temporarily storing the data selected in step (1) and outputting it as output data DATAout from the FIFO memory device 101.

【0062】リードポインタ部181は、第1の実施の
形態のリードポインタ部180と同様に、リードイネー
ブル信号REに基づいてデュアルポートRAM120を
制御し、またリードイネーブル信号REが入力されたサ
イクルと出力対象のデータがFIFOメモリ装置100
に入力されたサイクルとの関係に基づいて、選択回路1
50に対する選択信号SELを生成する。しかしなが
ら、リードポインタ部180は、リードイネーブル信号
REが入力された次のサイクルに選択信号SELを出力
していたが、リードポインタ部181では、同じ選択信
号をリードイネーブル信号REが入力された同じサイク
ルに選択回路150に対して出力するようになってい
る。これにより、前述した選択回路150bに対する入
力データが1サイクル早くなっていることに対応してい
る。
The read pointer section 181 controls the dual port RAM 120 based on the read enable signal RE, similarly to the read pointer section 180 of the first embodiment, and also controls the cycle in which the read enable signal RE is input and the output. If the target data is the FIFO memory device 100
Selection circuit 1 based on the relationship with the cycle input to
Generate a select signal SEL for 50. However, the read pointer section 180 outputs the selection signal SEL in the cycle next to the input of the read enable signal RE, but the read pointer section 181 outputs the same selection signal to the same cycle in which the read enable signal RE is input. To the selection circuit 150. This corresponds to the earlier input data to the selection circuit 150b being one cycle earlier.

【0063】このような構成のFIFOメモリ装置10
1においては、前述したように、選択回路150bに入
力される各データが選択回路150より1サイクル早い
ものになっているが、選択信号SELもそれに対応して
1サイクル早く出力されるようになっているので、結
局、選択回路150bでは、FIFOメモリ装置100
の選択回路150と同じデータが、それより1サイクル
前に選択されることになる。そして、この選択されたデ
ータを、出力レジスタ141で一度受けて出力している
ので、結局データの出力タイミングは、FIFOメモリ
装置100と同じになる。すなわち、外部から見た場
合、FIFOメモリ装置101は第1の実施の形態のF
IFOメモリ装置100と全く同じ動作をする。
The FIFO memory device 10 having such a configuration
1, the data input to the selection circuit 150b is one cycle earlier than the selection circuit 150 as described above, but the selection signal SEL is also output one cycle earlier correspondingly. Therefore, in the end, the selection circuit 150b includes the FIFO memory device 100
The same data as the selection circuit 150 is selected one cycle earlier. Since the selected data is received and output once by the output register 141, the output timing of the data becomes the same as that of the FIFO memory device 100 after all. That is, when viewed from the outside, the FIFO memory device 101 is the F / F of the first embodiment.
The operation is exactly the same as that of the IFO memory device 100.

【0064】したがって、当然このFIFOメモリ装置
101もレイタンシー1となっており、入力されたデー
タを即座に読み出すことが可能となっている。また、こ
の第2の実施の形態のFIFOメモリ装置101は、第
1の実施の形態のFIFOメモリ装置100と比べて、
第2の中間レジスタ132の分だけレジスタが1つ少な
い構成となっている。従って、より簡単な回路で同等の
機能を有するメモリ装置を構成することができる。
Therefore, the FIFO memory device 101 also has the latency 1 so that the input data can be read immediately. Further, the FIFO memory device 101 of the second embodiment is different from the FIFO memory device 100 of the first embodiment in that:
The configuration is such that the number of registers is smaller by one for the second intermediate register 132. Therefore, a memory device having the same function can be configured with a simpler circuit.

【0065】さらに、このFIFOメモリ装置101
は、出力レジスタ141により一度記憶したデータを直
接出力データDATAoutとして出力しているので、
出力データに対する後段のパスがクリティカルなパスで
ある場合などに有効である。逆に、入力データDATA
inは、選択回路150bを経た後出力レジスタ141
に記憶しているので、この入力側の遅延などが大きく、
セットアップタイムが十分確保できない場合には好まし
くない。しかし、そのような場合は、入力されたデータ
を直ちに入力レジスタ110で受けている第1の実施の
形態のFIFOメモリ装置100が好適である。すなわ
ち、、第1の実施の形態のFIFOメモリ装置100
と、第2の実施の形態のFIFOメモリ装置101と
は、前後の回路の特性に応じて適宜使い分ければよい。
Further, the FIFO memory device 101
Output the data once stored by the output register 141 directly as output data DATAout,
This is effective when the subsequent path to the output data is a critical path. Conversely, input data DATA
in is the output register 141 after passing through the selection circuit 150b.
Since the delay on the input side is large,
It is not preferable if the setup time cannot be sufficiently secured. However, in such a case, the FIFO memory device 100 of the first embodiment in which the input data is immediately received by the input register 110 is preferable. That is, the FIFO memory device 100 of the first embodiment
And the FIFO memory device 101 of the second embodiment may be properly used depending on the characteristics of the circuits before and after.

【0066】第3の実施の形態 本発明の第3の実施の形態について図5および図6を参
照して説明する。第3の実施の形態においては、第1の
実施の形態のFIFOメモリ装置100を2個接続して
形成したより容量の大きいFIFOメモリ装置200に
ついて説明する。図5は、そのFIFOメモリ装置20
0の構成を示す図であり、図6はFIFOメモリ装置2
00の動作を説明するためのタイミングチャートであ
る。
Third Embodiment A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the third embodiment, a description will be given of a larger capacity FIFO memory device 200 formed by connecting two FIFO memory devices 100 of the first embodiment. FIG. 5 shows the FIFO memory device 20.
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of the FIFO memory device 2.
10 is a timing chart for explaining the operation of the control unit 00.

【0067】FIFOメモリ装置200は、第1のFI
FOメモリ装置100-1と、第2のFIFOメモリ装置
100-2が図示のごとく接続された構成である。すなわ
ち、第1のFIFOメモリ装置100-1の出力データを
そのまま第2のFIFOメモリ装置100-2の入力デー
タとして入力するようにした。また、第1のFIFOメ
モリ装置100-1のリードレディ信号RRDYを、第2
のFIFOメモリ装置100-2に対するライトイネーブ
ル信号WEとして接続し、第2のFIFOメモリ装置1
00-2のライトレディ信号WRDYを第1のFIFOメ
モリ装置100-1のリードイネーブル信号REとして接
続した。各FIFOメモリ装置100-1,100-2の構
成は、前述した第1の実施の形態のFIFOメモリ装置
100と全く同じである。
The FIFO memory device 200 stores the first FI
In this configuration, the FO memory device 100-1 and the second FIFO memory device 100-2 are connected as shown. That is, so as to input the output data of the first FIFO memory device 100 -1 directly as input data of the second FIFO memory device 100 2. Further, the read ready signal RRDY the first FIFO memory device 100 -1, the second
Connect the write enable signal WE for the FIFO memory device 100 -2 second FIFO memory device 1
00 -2 write ready signal WRDY connected as a read enable signal RE of the first FIFO memory device 100 -1. The configuration of each of the FIFO memory devices 100 -1 and 100 -2 is exactly the same as the FIFO memory device 100 of the first embodiment described above.

【0068】このような構成のFIFOメモリ装置20
0においては、図6に示すように、まず第1のFIFO
メモリ装置100-1にデータDATAinが入力される
と、第1のFIFOメモリ装置100-1には、第2のF
IFOメモリ装置100-2のライトレディ信号WRDY
_2がリードイネーブル信号として入力されているの
で、第1のFIFOメモリ装置100-1では直ちにその
データの読み出し処理が行われる。その結果、第1のF
IFOメモリ装置100-1のレイタンシーは1なので、
次のサイクルには既にそのデータが第1のFIFOメモ
リ装置100-1のデータ出力として第2のFIFOメモ
リ装置100-2に対して出力される。
The FIFO memory device 20 having such a configuration
0, first, as shown in FIG.
When the data DATAin to the memory device 100 -1 is input, the first FIFO memory device 100 -1, the second F
IFO memory device 100 -2 write ready signal WRDY
Since _2 is input as the read enable signal, the first FIFO memory device 100-1 immediately performs the data read process. As a result, the first F
Reitanshi of IFO memory device 100 -1 1, so
The next cycle already the data is output to the second FIFO memory device 100 -2 as the data output of the first FIFO memory device 100 -1.

【0069】またこの時には、第1のFIFOメモリ装
置100-1のリードレディ信号であり第2のFIFOメ
モリ装置100-2のライトイネーブル信号である信号R
RDY_1も出力されるので、第2のFIFOメモリ装
置100-2において、直ちにそのデータの記憶処理が行
われる。そして、第2のFIFOメモリ装置100-2
レイタンシーも1なので、仮に第2のFIFOメモリ装
置100-2に対してリードイネーブル信号REが入力さ
れたとすると、その次のサイクルにはそのデータが第2
のFIFOメモリ装置100-2より出力できる。
[0069] Also at this time, a read ready signal of the first FIFO memory device 100 -1, which is the second FIFO memory device 100 -2 write enable signal of the signal R
RDY_1 since also output, in the second FIFO memory device 100 -2, immediately the process of storing data. Then, since the latency of the second FIFO memory device 100 -2 is also 1, if the read enable signal RE is input to the second FIFO memory device 100 -2 , the data is transmitted in the next cycle. 2
From the FIFO memory device 100-2 .

【0070】また、第2のFIFOメモリ装置100-2
の記憶容量がフルになった時には、第2のFIFOメモ
リ装置100-2のライトレディ信号WRDYがノットレ
ディになり、第1のFIFOメモリ装置100-1に対す
るリードイネーブル信号REが無効となるので、以後、
第1のFIFOメモリ装置100-1から第2のFIFO
メモリ装置100-2へのデータの転送は停止される。
Further, the second FIFO memory device 100 -2
When the storage capacity is full, the write ready signal WRDY of the second FIFO memory device 100 -2 becomes not ready, since the read enable signal RE for the first FIFO memory device 100 -1 becomes invalid, Since then
The first FIFO memory device 100-1 to the second FIFO memory
The transfer of data to the memory device 100-2 is stopped.

【0071】このようなFIFOメモリ装置200は、
レイタンシーが2であり、デュアルポートRAMを用い
た同じ構成のFIFOメモリ装置(レイタンシー4)と
比べれば、そのレイタンシーは1/2になっている。す
なわち、このFIFOメモリ装置200においても、入
力したデータをより早いサイクルで読み出し、利用する
ことができる。
Such a FIFO memory device 200 is
Latency is 2, and the latency is 1 / compared to the FIFO memory device (latency 4) having the same configuration using the dual port RAM. That is, also in the FIFO memory device 200, the input data can be read and used in an earlier cycle.

【0072】また、FIFOメモリの記憶容量を増やす
場合に、たとえばデュアルポートRAMの容量を単純に
増やすと、アクセス時間が長くかかかり、高速処理がで
きなくなるという問題が生じる場合がある。しかしなが
ら、このように所定の容量のFIFOメモリ装置100
を接続していく方法で容量を増やせば、高速動作を維持
することができ好適である。この時に、FIFOメモリ
装置100を1個接続するごとにFIFOメモリ装置全
体としてのレイタンシーは1ずつ大きくなることになる
が、4個以内であれば従来よりもレイタンシーは小さい
ので、従来よりも効率よいFIFOメモリ装置が構成で
きる。また、レイタンシーが延びることは許容しても、
高速動作を維持したい場合などにも、このFIFOメモ
リ装置200は有効である。
When the storage capacity of the FIFO memory is increased, for example, if the capacity of the dual port RAM is simply increased, there may be a problem that it takes a long access time and high-speed processing cannot be performed. However, as described above, the FIFO memory device 100 having a predetermined capacity is used.
It is preferable that the capacity be increased by a method of connecting to a device, because high-speed operation can be maintained. At this time, each time one FIFO memory device 100 is connected, the latency of the FIFO memory device as a whole increases by one. A FIFO memory device can be configured. Also, while allowing for increased latency,
The FIFO memory device 200 is also effective when maintaining high-speed operation.

【0073】第4の実施の形態 本発明の第4の実施の形態について図7〜図9を参照し
て説明する。第4の実施の形態としては、記憶素子にシ
ングルポートRAMを用い、これによりレイタンシーを
小さくしたFIFOメモリ装置について説明する。図7
は、そのFIFOメモリ装置102の構成を示すブロッ
ク図である。FIFOメモリ装置102は、入力レジス
タ(REG1)110、第1のシングルポートRAM
(SportRAM0)121、第2のシングルポート
RAM(SportRAM1)122、選択回路(SELE
CTOR)152、出力レジスタ(REG4)141、ライ
トポインタ部(Wpointer)162、ライトレディ信号生
成部(WRDY Gen)170、リードポインタ部(Rpoi
nter)182およびリードレディ信号生成部(RRDY
Gen)190を有する。入力レジスタ110、出力レジ
スタ141、ライトレディ信号生成部170、およびリ
ードレディ信号生成部190は、前述した各実施の形態
と全く同じ機能を有し、同じ動作をするので、その説明
は省略する。
Fourth Embodiment A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. As a fourth embodiment, a FIFO memory device using a single-port RAM as a storage element and thereby reducing the latency will be described. FIG.
2 is a block diagram showing a configuration of the FIFO memory device 102. The FIFO memory device 102 includes an input register (REG1) 110, a first single-port RAM.
(SportRAM0) 121, a second single-port RAM (SportRAM1) 122, and a selection circuit (SELE).
CTOR) 152, output register (REG4) 141, write pointer unit (Wpointer) 162, write ready signal generation unit (WRDY Gen) 170, read pointer unit (Rpoi)
nter) 182 and a read ready signal generator (RRDY)
Gen) 190. The input register 110, the output register 141, the write ready signal generation section 170, and the read ready signal generation section 190 have exactly the same functions and perform the same operations as in each of the above-described embodiments, and a description thereof will be omitted.

【0074】第1のシングルポートRAM121および
第2のシングルポートRAM122は、各々32ビット
×32ワードの構成の通常のDRAMであり、入力レジ
スタ110を介して入力されるデータを、ライトポイン
タ部162から入力される制御信号に基づいて、順に記
憶する。この時、データは、いずれか一方のRAMに記
憶される。また、第1のシングルポートRAM121ま
たは第2のシングルポートRAM122に記憶されたデ
ータは、リードポインタ部182からのリード制御信号
に基づいて、記憶された順番に順次読み出され、選択回
路152に出力される。なお、これらのシングルポート
RAM121,122は、1サイクルに入力または出力
のいずれか一方の動作しか行えないが、データ書き込み
中は、その書き込みデータが出力端子より出力される。
The first single-port RAM 121 and the second single-port RAM 122 are ordinary DRAMs each having a configuration of 32 bits × 32 words, and transfer data input via the input register 110 from the write pointer unit 162 to the write pointer unit 162. The information is sequentially stored based on the input control signal. At this time, the data is stored in one of the RAMs. Data stored in the first single-port RAM 121 or the second single-port RAM 122 is sequentially read out in the order of storage based on a read control signal from the read pointer unit 182 and output to the selection circuit 152. Is done. Note that these single-port RAMs 121 and 122 can perform only one of input and output operations in one cycle, but during data writing, the write data is output from the output terminal.

【0075】選択回路152は、リードポインタ部18
2より入力されるリードRAM選択信号に基づいて、第
1のシングルポートRAM121または第2のシングル
ポートRAM122のいずれかを選択し、そのRAMよ
り出力されるデータを出力レジスタ141に出力する。
The selection circuit 152 includes the read pointer unit 18
The first single-port RAM 121 or the second single-port RAM 122 is selected based on the read RAM selection signal input from the second and the data output from the RAM is output to the output register 141.

【0076】ライトポインタ部160は、FIFOメモ
リ装置102に入力されるライトイネーブル信号WEに
基づいて、第1のシングルポートRAM121および第
2のシングルポートRAM122に対する記憶制御信号
を生成し、入力されたデータを入力レジスタ110を介
して、第1のシングルポートRAM121または第2の
シングルポートRAM122のいずれかに記憶する。本
実施の形態においては、ライトポインタ部160は、順
次入力されるデータを、第1のシングルポートRAM1
21と第2のシングルポートRAM122に交互に記憶
する。なお、ライトポインタ部160は、ライトレディ
信号生成部170により書き込み可能状態(ライトレデ
ィ)となっている時のみ有効となる。
Write pointer section 160 generates a storage control signal for first single-port RAM 121 and second single-port RAM 122 based on write enable signal WE input to FIFO memory device 102, Is stored in either the first single-port RAM 121 or the second single-port RAM 122 via the input register 110. In the present embodiment, the write pointer unit 160 stores the sequentially input data in the first single-port RAM 1.
21 and the second single port RAM 122 alternately. The write pointer unit 160 is valid only when the write ready signal generation unit 170 is in a writable state (write ready).

【0077】リードポインタ部180は、FIFOメモ
リ装置100に入力される読み出し要求信号であるリー
ドイネーブル信号REに基づいて、未だ読み出されてい
ない最先に記憶されたデータを出力するように、第1の
シングルポートRAM121、第2のシングルポートR
AM122および選択回路152を制御する。すなわ
ち、その読み出し対象のデータが、第1のシングルポー
トRAM121および第2のシングルポートRAM12
2のいずれのRAMに記憶されているかを検出し、その
データを読み出すように第1のシングルポートRAM1
21および第2のシングルポートRAM122に対して
リード制御信号を印加する。また、その読み出したデー
タが選択回路152で適切に選択されるように、選択回
路152に対するリードRAM選択信号を生成する。な
お、リードポインタ部180は、リードレディ信号生成
部190により読み出し可能状態(リードレディ)とな
っている時にのみ有効となる。
The read pointer section 180 outputs the first stored data which has not been read yet based on the read enable signal RE which is a read request signal input to the FIFO memory device 100. 1 single port RAM 121, 2nd single port R
The AM 122 and the selection circuit 152 are controlled. That is, the data to be read is stored in the first single-port RAM 121 and the second single-port RAM 12.
2 is stored in the first single-port RAM 1 so that the data is read out.
A read control signal is applied to the 21st and the second single port RAM 122. Further, a read RAM selection signal for the selection circuit 152 is generated so that the read data is appropriately selected by the selection circuit 152. Note that the read pointer section 180 is valid only when the read ready signal generation section 190 is in a readable state (read ready).

【0078】このようなFIFOメモリ装置102の動
作について図8および図9を参照して説明する。図8
は、FIFOメモリ装置102の内部の動作を説明する
ためのタイミングチャートである。なおここでは、FI
FOメモリ装置102に順次連続してデータが入力さ
れ、またそれと平行して順次データが読み出される場合
のFIFOメモリ装置102の動作について説明する。
The operation of the FIFO memory device 102 will be described with reference to FIGS. FIG.
5 is a timing chart for explaining the internal operation of the FIFO memory device 102. Here, FI
The operation of the FIFO memory device 102 when data is sequentially and continuously input to the FO memory device 102 and data is sequentially read out in parallel with the data is described.

【0079】図8に示すように、たとえばサイクル1に
おいてFIFOメモリ装置102に印加されたデータD
0は、サイクル2で入力レジスタ110に記憶され(R
EG1out)、サイクル3でライトポインタ部162
の制御によりまず第1のシングルポートRAM121に
記憶される(RAM0in)。この時に、記憶されたデ
ータは第1のシングルポートRAM121の出力端子に
出力される(RAM0out)。したがって、リードイ
ネーブル信号REが入力されていれば、その第1のシン
グルポートRAM121から出力されているデータが選
択回路152で選択され、直ちに出力レジスタ141に
記憶され、FIFOメモリ装置102からの出力データ
DATAoutとして出力される(REG4out)。
As shown in FIG. 8, for example, data D applied to FIFO memory device 102 in cycle 1
0 is stored in the input register 110 in cycle 2 (R
EG1out), the write pointer unit 162 in cycle 3
Is first stored in the first single-port RAM 121 (RAM0in). At this time, the stored data is output to the output terminal of the first single port RAM 121 (RAM 0 out). Therefore, if the read enable signal RE is input, the data output from the first single-port RAM 121 is selected by the selection circuit 152, immediately stored in the output register 141, and the output data from the FIFO memory device 102 is output. It is output as DATAout (REG4out).

【0080】まあ、サイクル2でFIFOメモリ装置1
02に印加されたデータD1は、サイクル3で入力レジ
スタ110に記憶され、ライトポインタ部162の制御
により、今度は第2のシングルポートRAM122に記
憶される(サイクル4)。そして、リードポインタ部1
82からのリードRAM選択信号に基づいて、サイクル
4においては選択回路152において第2のシングルポ
ートRAM122が選択され、出力データD1が出力レ
ジスタ141に記憶される。出力レジスタ141に記憶
されたデータは、サイクル5において、FIFOメモリ
装置102より出力される。
Well, in cycle 2, the FIFO memory device 1
The data D1 applied to 02 is stored in the input register 110 in cycle 3 and then stored in the second single-port RAM 122 under the control of the write pointer unit 162 (cycle 4). Then, the read pointer unit 1
Based on the read RAM selection signal from 82, in cycle 4, the second single-port RAM 122 is selected by the selection circuit 152, and the output data D1 is stored in the output register 141. The data stored in the output register 141 is output from the FIFO memory device 102 in cycle 5.

【0081】以後同様に、入力されたデータは、順次第
1のシングルポートRAM121と第2のシングルポー
トRAM122に交互に記憶される。また、データの読
み出しは、データの記憶動作が行われていない方のシン
グルポートRAMより順に、、すなわち第2のシングル
ポートRAM122と第1のシングルポートRAM12
1とを交互にアクセスして順に行われる。
Thereafter, similarly, the input data is sequentially and alternately stored in the first single-port RAM 121 and the second single-port RAM 122. Data is read out in order from the single-port RAM in which the data storage operation is not performed, that is, the second single-port RAM 122 and the first single-port RAM 12.
1 and 1 are alternately accessed, and are sequentially performed.

【0082】このように、第4の実施の形態のFIFO
メモリ装置102においては、シングルポートRAMを
2つ具備し、1つのシングルポートRAMに対して記憶
と読み出しを同時に行わないようにデータの記憶および
読み出しを制御することにより、記憶または読み出しを
同時に行えないシングルポートRAMを用いて、データ
の記憶および読み出しを同時に行えるFIFOメモリ装
置を構成した。一般に、同一の記憶容量の場合、デュア
ルポートRAMはシングルポートRAMの2倍近い回路
規模となる。したがって、FIFOメモリ装置102
は、デュアルポートRAMを用いた同等のFIFOメモ
リ装置に比べて、その回路規模を大幅に小さくすること
ができる。これは特に、このFIFOメモリ装置を集積
回路上に構成する場合などに有効である。
As described above, the FIFO of the fourth embodiment
The memory device 102 includes two single-port RAMs, and cannot control storage and readout simultaneously by controlling data storage and readout so that storage and readout are not performed simultaneously for one single-port RAM. Using a single port RAM, a FIFO memory device capable of simultaneously storing and reading data was constructed. Generally, for the same storage capacity, a dual-port RAM has a circuit size nearly twice that of a single-port RAM. Therefore, the FIFO memory device 102
Can significantly reduce the circuit scale as compared with an equivalent FIFO memory device using a dual port RAM. This is particularly effective when the FIFO memory device is formed on an integrated circuit.

【0083】また、一般に、シングルポートRAMはデ
ュアルポートRAMよりAC特性が良いので、高速動作
が可能である。すなわち、FIFOメモリ装置102
は、デュアルポートRAMを用いた同等のFIFOメモ
リ装置に比べて、より高速に動作させることができる。
また、前述したように、シングルポートRAMはデータ
記憶中にそのデータが出力端子に現れているので、記憶
したデータを直ちに読み出すという点において、シング
ルポートRAM自体のレイタンシーは1である。したが
って、FIFOメモリ装置102のレイタンシーは3と
なり、デュアルポートRAMを用いてFIFOメモリ装
置を構成した場合と比べて、レイタンーを小さくするこ
とができる。その結果、入力されたデータをより早く読
み出し、所望の処理に供することができる。
In general, a single-port RAM has better AC characteristics than a dual-port RAM, so that high-speed operation is possible. That is, the FIFO memory device 102
Can operate faster than an equivalent FIFO memory device using a dual port RAM.
Further, as described above, since the single-port RAM has its data appearing at the output terminal during data storage, the latency of the single-port RAM itself is 1 in that the stored data is immediately read. Therefore, the latency of the FIFO memory device 102 is 3, and the latency can be reduced as compared with the case where the FIFO memory device is configured using the dual port RAM. As a result, it is possible to read out the input data more quickly and provide the desired processing.

【0084】なお、本実施の形態においては、ライトポ
インタ部162は、2つのシングルポートRAMに交互
にデータを記憶するように、そのデータの記憶を制御し
たが、このシングルポートRAMの選択方法は任意であ
る。たとえば、データの読み出しを優先させて、データ
が読み出されていない方のシングルポートRAMにデー
タを記憶するというような方法により、データを記憶す
るシングルポートRAMを選択してもよい。
In the present embodiment, the write pointer unit 162 controls the storage of the data so as to store the data alternately in the two single-port RAMs. Optional. For example, a single-port RAM for storing data may be selected by giving priority to data reading and storing data in a single-port RAM from which data has not been read.

【0085】第5の実施の形態 本発明の第5の実施の形態について図9を参照して説明
する。第5の実施の形態として、第4の実施の形態のF
IFOメモリ装置102を2個接続して形成したより容
量の大きいFIFOメモリ装置203を例示する。FI
FOメモリ装置203は、第1のFIFOメモリ装置1
02-1と、第2のFIFOメモリ装置102-2が図示の
ごとく接続された構成である。この接続方法は、デュア
ルポートRAMを用いたFIFOメモリ装置を2つ接続
して構成した第3の実施の形態のFIFOメモリ装置2
00の場合と全く同じである。また、このFIFOメモ
リ装置203の動作も、第3の実施の形態のFIFOメ
モリ装置200とほぼ同じである。
Fifth Embodiment A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. As a fifth embodiment, F of the fourth embodiment
A larger capacity FIFO memory device 203 formed by connecting two IFO memory devices 102 is illustrated. FI
The FO memory device 203 is the first FIFO memory device 1
02 -1, the second FIFO memory device 102 -2 are connected to each as shown. This connection method uses the FIFO memory device 2 of the third embodiment configured by connecting two FIFO memory devices using a dual-port RAM.
It is exactly the same as 00. The operation of the FIFO memory device 203 is almost the same as that of the FIFO memory device 200 of the third embodiment.

【0086】第4の実施の形態のFIFOメモリ装置1
02は、このような形態で用いてもよい。このようなF
IFOメモリ装置203においては、小さな回路規模
で、高速処理を維持した状態で、FIFOメモリの記憶
容量を増やすことができる。特に、集積回路上に高速で
比較的容量の大きなFIFOメモリを構成する場合、す
なわち、たとえば前述したような3次元画像生成装置を
集積回路上に形成する場合に、その内部に用いるFIF
OメモリとしてはこのようなFIFOメモリ装置203
が好適である。このような形態のFIFOメモリ装置2
03も、本願発明の範囲内である。
The FIFO memory device 1 according to the fourth embodiment
02 may be used in such a form. Such F
In the FIFO memory device 203, the storage capacity of the FIFO memory can be increased while maintaining high-speed processing with a small circuit scale. In particular, when a high-speed and relatively large-capacity FIFO memory is formed on an integrated circuit, that is, for example, when the above-described three-dimensional image generating apparatus is formed on an integrated circuit, a FIFO used therein is used.
As the O memory, such a FIFO memory device 203 is used.
Is preferred. FIFO memory device 2 of such a form
03 is also within the scope of the present invention.

【0087】第6の実施の形態 本発明の第6の実施の形態について図10を参照して説
明する。第6の実施の形態のFIFOメモリ装置104
は、第4の実施の形態のFIFOメモリ装置102に対
して、第1の実施の形態のFIFOメモリ装置100の
ような第1の中間レジスタ131および選択回路150
を設け、そのレイタンシーを1にしたFIFOメモリ装
置である。FIFOメモリ装置104は、入力レジスタ
(REG1)110、第1のシングルポートRAM(S
port RAM0)121、第2のシングルポートR
AM(Sport RAM1)122、第1の中間レジ
スタ(REG2)131、選択回路(SELECTOR)15
2、出力レジスタ(REG4)141、選択回路(MU
X)154、ライトポインタ部(Wpointer)162、ラ
イトレディ信号生成部(WRDY Gen)170、リード
ポインタ部(Rpointer)182およびリードレディ信号
生成部(RRDY Gen)190を有する。なお、これら
各部の構成・動作は各々前述した実施の形態と同じであ
る。
Sixth Embodiment A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIFO memory device 104 of the sixth embodiment
Is different from the FIFO memory device 102 of the fourth embodiment in that the first intermediate register 131 and the selection circuit 150 are the same as those of the FIFO memory device 100 of the first embodiment.
And the latency is set to 1. The FIFO memory device 104 includes an input register (REG1) 110, a first single-port RAM (S
port RAM 0) 121, second single port R
AM (Sport RAM1) 122, first intermediate register (REG2) 131, selection circuit (SELECTOR) 15
2. Output register (REG4) 141, selection circuit (MU)
X) 154, a write pointer unit (Wpointer) 162, a write ready signal generation unit (WRDY Gen) 170, a read pointer unit (Rpointer) 182, and a read ready signal generation unit (RRDY Gen) 190. The configuration and operation of these units are the same as those of the above-described embodiment.

【0088】このFIFOメモリ装置104において
は、出力データを選択する選択回路154は、入力レジ
スタ110に記憶されたデータ、第1の中間レジスタ1
31に記憶されたデータ、および、第1のシングルポー
トRAM121または入力端末12より読み出され出力
レジスタ141に記憶されたデータの3つのデータより
1のデータを選択するようになっている。これは、第4
の実施の形態のFIFOメモリ装置102が、そもそも
レイタンシーが3のFIFOメモリ装置なので、入力さ
れたデータを中間レジスタを用いて3サイクル遅延させ
るパスが不要だからである。したがって、第1の実施の
形態のFIFOメモリ装置100と比較して、第2の中
間レジスタ132が不要になり、選択回路154がより
簡単なセレクタで構成可能となっている。
In the FIFO memory device 104, the selection circuit 154 for selecting the output data uses the data stored in the input register 110, the first intermediate register 1
One data is selected from the three data stored in the output register 141 and the data read from the first single-port RAM 121 or the input terminal 12 and stored in the output register 141. This is the fourth
This is because the FIFO memory device 102 according to the embodiment is originally a FIFO memory device having a latency of 3, so that a path for delaying input data by 3 cycles using an intermediate register is unnecessary. Therefore, as compared with the FIFO memory device 100 of the first embodiment, the second intermediate register 132 is not required, and the selection circuit 154 can be configured with a simpler selector.

【0089】したがって、このFIFOメモリ装置10
4は、記憶素子がシングルポートRAMであることも合
わせると、より簡単な回路構成で、高速動作が可能で、
レイタンシーが1であるFIFOメモリ装置となってい
る。
Therefore, the FIFO memory device 10
4 has a simpler circuit configuration and can operate at high speed when the storage element is a single-port RAM.
The FIFO memory device has a latency of 1.

【0090】第7の実施の形態 本発明の第7の実施の形態について図11を参照して説
明する。第7の実施の形態のFIFOメモリ装置105
は、第4の実施の形態のFIFOメモリ装置102に対
して、第2の実施の形態のFIFOメモリ装置101の
ような構成を適用し、レイタンシーを1にしたFIFO
メモリ装置である。FIFOメモリ装置105は、入力
レジスタ(REG1)110、第1のシングルポートR
AM(Sport RAM0)121、第2のシングル
ポートRAM(Sport RAM1)122、選択回
路(SELECTOR)152、選択回路(MUX)154b、
出力レジスタ(REG4)141、ライトポインタ部
(Wpointer)162、ライトレディ信号生成部(WRD
Y Gen)170、リードポインタ部(Rpointer)182
およびリードレディ信号生成部(RRDY Gen)190
を有する。なお、これら各部の構成・動作は各々前述し
た実施の形態と同じである。
Seventh Embodiment A seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIFO memory device 105 of the seventh embodiment
Applies a configuration similar to that of the FIFO memory device 101 of the second embodiment to the FIFO memory device 102 of the fourth embodiment, and sets the latency to 1.
It is a memory device. The FIFO memory device 105 includes an input register (REG1) 110, a first single port R
AM (Sport RAM0) 121, second single-port RAM (Sport RAM1) 122, selection circuit (SELECTOR) 152, selection circuit (MUX) 154b,
Output register (REG4) 141, write pointer unit (Wpointer) 162, write ready signal generation unit (WRD)
Y Gen) 170, read pointer section (Rpointer) 182
And read ready signal generation unit (RRDY Gen) 190
Having. The configuration and operation of these units are the same as those of the above-described embodiment.

【0091】このFIFOメモリ装置105において
は、中間レジスタを一切必要とせずにレイタンシーを1
にしており、なお一層回路構成が簡単になっている。記
憶素子部分のレイタンシーがもともと1であり、データ
の入力側のセットアップタイムが十分確保できる場合な
どには、このような構成をとることができる。またFI
FOメモリ装置105は、第2の実施の形態と同様に、
出力レジスタ141により一度記憶したデータを直接出
力データDATAoutとして出力しているので、出力
データに対する後段のパスがクリティカルなパスである
場合などに有効である。
In the FIFO memory device 105, the latency is reduced to 1 without any need for an intermediate register.
And the circuit configuration is further simplified. Such a configuration can be adopted when the latency of the storage element portion is originally 1 and a sufficient setup time on the data input side can be ensured. Also FI
The FO memory device 105 is, as in the second embodiment,
Since the data once stored by the output register 141 is directly output as the output data DATAout, it is effective when the subsequent path to the output data is a critical path.

【0092】なお、本発明は前述した実施の形態に限ら
れるものではなく、さらに種々の改変が可能である。た
とえば、図2を参照して説明した第1の実施の形態のF
IFOメモリ装置100、および、図4を参照して説明
した第2の実施の形態のFIFOメモリ装置101に適
用されているデュアルポートRAM120は、書き込ん
だデータは次のサイクルでしか読み出せないレイタンシ
ーが2のRAMであったが、同じサイクル中に書き込ん
だデータを読み出せるようなRAMを用いてもよい。そ
のような構成にした場合には、第1の実施の形態のFI
FOメモリ装置100においては第2の中間レジスタ1
32が、第2の実施の形態のFIFOメモリ装置101
においては第1の中間レジスタ131が、各々不要とな
り、より構成を簡単にすることができる。また、そのデ
ュアルポートRAM120として、データおよびアドレ
ス入力にラッチがついているような構成のRAMを用い
てもよい。そのような場合には、高速動作をする場合に
も入力レジスタ110が不要となり、これもまた、より
構成を簡単にすることができる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made. For example, F of the first embodiment described with reference to FIG.
The dual port RAM 120 applied to the FIFO memory device 100 and the FIFO memory device 101 according to the second embodiment described with reference to FIG. Although two RAMs are used, a RAM that can read data written in the same cycle may be used. In such a configuration, the FI of the first embodiment is used.
In the FO memory device 100, the second intermediate register 1
32 is a FIFO memory device 101 according to the second embodiment.
In the above, the first intermediate register 131 is not required, and the configuration can be further simplified. As the dual port RAM 120, a RAM having a configuration in which data and address inputs are latched may be used. In such a case, the input register 110 is not required even in the case of high-speed operation, and the configuration can be further simplified.

【0093】また、本実施の形態においては、FIFO
メモリ装置100の適用例として、3次元画像生成装置
を例示したが、このFIFOメモリ装置は通常のFIF
Oメモリとして、任意好適な装置に適用可能である。
In the present embodiment, the FIFO
As an application example of the memory device 100, a three-dimensional image generation device has been illustrated.
The O memory can be applied to any suitable device.

【0094】[0094]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のメモリ装
置によれば、FIFO形式のメモリ装置において、デー
タが印加されてから出力されるまでのレイタンシーをよ
り小さくすることができ、入力されたデータを即座に読
み出し後段の処理に供給することができる。また、本発
明の画像生成装置によれば、各処理手段の間のデータの
転送に供されるFIFO形式のメモリ装置のレイタンシ
ーをより小さくすることができるので、入力されたデー
タを即座に読み出し後段の処理に供給することができ、
これにより所望の画像処理を効率よく行うことができ
る。
As described above, according to the memory device of the present invention, in the FIFO type memory device, the latency from the time when data is applied to the time when data is output can be further reduced, and the input of data can be reduced. The data can be read immediately and supplied to the subsequent processing. Further, according to the image generating apparatus of the present invention, the latency of the FIFO type memory device used for data transfer between the processing means can be further reduced, so that the input data is immediately read and the Can be supplied to the processing of
Thereby, desired image processing can be performed efficiently.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態であって、本発明のメモ
リ装置を適用する3次元コンピュータグラフィックスシ
ステム1の構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of a three-dimensional computer graphics system 1 to which an embodiment of the present invention is applied, to which a memory device of the present invention is applied.

【図2】図1に示したFIFOメモリ装置であって、本
発明の第1の実施の形態のFIFOメモリ装置の構成を
示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of the FIFO memory device shown in FIG. 1 and according to the first embodiment of the present invention;

【図3】図2に示したFIFOメモリ装置の動作を説明
するためのタイミングチャートである。
FIG. 3 is a timing chart for explaining an operation of the FIFO memory device shown in FIG. 2;

【図4】本発明の第2の実施の形態のFIFOメモリ装
置の構成を示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram illustrating a configuration of a FIFO memory device according to a second embodiment of this invention;

【図5】本発明の第3の実施の形態のFIFOメモリ装
置の構成を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a FIFO memory device according to a third embodiment of the present invention.

【図6】図5に示したFIFOメモリ装置の動作を説明
するためのタイミングチャートである。
FIG. 6 is a timing chart for explaining an operation of the FIFO memory device shown in FIG. 5;

【図7】本発明の第4の実施の形態のFIFOメモリ装
置の構成を示すブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram illustrating a configuration of a FIFO memory device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図8】図7に示したFIFOメモリ装置の動作を説明
するためのタイミングチャートである。
FIG. 8 is a timing chart for explaining an operation of the FIFO memory device shown in FIG. 7;

【図9】本発明の第5の実施の形態のFIFOメモリ装
置の構成を示すブロック図である。
FIG. 9 is a block diagram illustrating a configuration of a FIFO memory device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第6の実施の形態のFIFOメモリ
装置の構成を示すブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration of a FIFO memory device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第7の実施の形態のFIFOメモリ
装置の構成を示すブロック図である。
FIG. 11 is a block diagram showing a configuration of a FIFO memory device according to a seventh embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…3次元コンピュータグラフィックスシステム、2…
入力部、3…3次元画像生成装置、4…表示装置、32
…ジオメトリ演算部、33…パラメータ演算部、34…
画素発生部、35…マッピング部、36…テクスチャメ
モリ、37…メモリ制御部、38…画像メモリ、39…
ディスプレイ制御部、100,101,102,10
4,105…FIFOメモリ装置、110…入力レジス
タ、120…デュアルポートRAM、121…第1のシ
ングルポートRAM、122…第2のシングルポートR
AM、131…第1の中間レジスタ、132…第2の中
間レジスタ、140,141…出力レジスタ、150,
152,154…選択回路、160,162…ライトポ
インタ部、170…ライトレディ信号生成部、180,
181,182…リードポインタ部、190…リードレ
ディ信号生成部、200…FIFOメモリ装置
1. 3D computer graphics system 2.
Input unit, 3 ... 3D image generation device, 4 ... Display device, 32
... Geometry calculation unit, 33 ... Parameter calculation unit, 34 ...
Pixel generation unit, 35 mapping unit, 36 texture memory, 37 memory control unit, 38 image memory, 39 ...
Display control unit, 100, 101, 102, 10
4, 105 FIFO memory device, 110 input register, 120 dual port RAM, 121 first single port RAM, 122 second single port R
AM, 131: first intermediate register, 132: second intermediate register, 140, 141 ... output register, 150,
152, 154 selection circuit, 160, 162 write pointer section, 170 write ready signal generation section, 180
181, 182: read pointer unit; 190: read ready signal generation unit; 200: FIFO memory device

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】入力されるデータを複数の記憶領域に順に
記憶するメモリ回路と、 要求に応じて、前記メモリ回路に記憶されたデータを、
前記入力された順に読み出すメモリ読み出し手段と、 前記メモリ回路に記憶対象のデータを印加してから当該
データが読み出されるまでのサイクル数に基づく所定数
のレジスタが、前記メモリ回路に印加された記憶対象の
データを順にシフトさせるように接続されたシフトレジ
スタと、 要求に応じて、前記入力されたデータが該入力の順に当
該要求に応じて直ちに出力されるように、前記入力され
ているデータ、前記シフトレジスタの各レジスタに記憶
されている各データ、または、前記メモリ回路より読み
出されたデータのいずれか1つを選択し出力する出力デ
ータ選択手段とを有するメモリ装置。
1. A memory circuit for sequentially storing input data in a plurality of storage areas, and upon request, data stored in the memory circuit.
A memory reading unit that reads the order of input, and a predetermined number of registers based on the number of cycles from application of data to be stored to the memory circuit to reading of the data, A shift register connected so as to sequentially shift the data of the input data, so that the input data is output immediately in response to the request in the order of the input, as required. Output data selecting means for selecting and outputting any one of data stored in each shift register or data read from the memory circuit.
【請求項2】前記入力されるデータを記憶する入力レジ
スタと、 前記入力レジスタに記憶されたデータを複数の記憶領域
に順に記憶する前記メモリ回路と、 要求に応じて、前記メモリ回路に記憶されたデータを、
前記入力された順に読み出す前記メモリ読み出し手段
と、 前記メモリ回路より読み出されたデータを記憶する出力
レジスタと、 前記メモリ回路に記憶対象のデータを印加してから読み
出されるまでの最小のサイクル数に相当する数のレジス
タが、前記入力レジスタに記憶されたデータを順にシフ
トさせるように、該入力レジスタに対して直列に接続さ
れた前記シフトレジスタと、 要求に応じて、前記入力されたデータが該入力の順に当
該要求に応じて直ちに出力されるように、前記入力レジ
スタに記憶されているデータ、前記シフトレジスタの各
レジスタに記憶されている各データ、または、前記出力
レジスタに記憶されているデータのいずれか1つを選択
し出力する前記出力データ選択手段とを有する請求項1
記載のメモリ装置。
2. An input register for storing the input data; a memory circuit for sequentially storing the data stored in the input register in a plurality of storage areas; Data
The memory reading means for reading in the input order; an output register for storing data read from the memory circuit; and a minimum number of cycles from application of data to be stored to the memory circuit to reading. The shift registers serially connected to the input register so that a corresponding number of registers sequentially shift the data stored in the input register; and The data stored in the input register, the data stored in each register of the shift register, or the data stored in the output register so that the data is immediately output in response to the request in the order of input. And output data selecting means for selecting and outputting any one of the following.
A memory device as described.
【請求項3】前記メモリ回路は、データを印加してから
2サイクル目で当該印加したデータを読み出すことがで
きるメモリ回路であり、 前記シフトレジスタは、第1のレジスタおよび第2のレ
ジスタの2個のレジスタが、前記入力レジスタに当該順
に直列に接続されたシフトレジスタであり、 前記出力データ選択手段は、データ選択時のサイクル
が、出力が要求されているデータが記憶対象のデータと
して前記入力レジスタに印加された後の次のサイクルで
あれば前記入力レジスタに記憶されているデータを選択
し、前記印加された後の2サイクル目であれば前記第1
のレジスタに記憶されているデータを選択し、前記印加
された後の3サイクル目であれば前記第2のレジスタに
記憶されているデータを選択し、前記印加された後の4
サイクル目以降であれば前記出力レジスタに記憶されて
いるデータを選択する請求項2記載のメモリ装置。
3. The memory circuit is a memory circuit capable of reading the applied data in a second cycle after the application of the data. The shift register includes a first register and a second register. Registers are serially connected to the input register in this order in a shift register. In the next cycle after the application to the register, the data stored in the input register is selected, and in the second cycle after the application, the first cycle is selected.
The data stored in the second register is selected, and if it is the third cycle after the application, the data stored in the second register is selected.
3. The memory device according to claim 2, wherein the data stored in said output register is selected in a cycle or later.
【請求項4】前記メモリ回路は、データの記憶と読み出
しを同サイクル中に行うことができるデュアルポートメ
モリである請求項3記載のメモリ装置。
4. The memory device according to claim 3, wherein said memory circuit is a dual port memory capable of storing and reading data in the same cycle.
【請求項5】前記入力されるデータを記憶する入力レジ
スタと、 前記入力レジスタに記憶されたデータを複数の記憶領域
に順に記憶する前記メモリ回路と、 要求に応じて、前記メモリ回路に記憶されたデータを、
前記入力された順に読み出す前記メモリ読み出し手段
と、 前記メモリ回路に記憶対象のデータを印加してから読み
出されるまでの最小のサイクル数から1を減じた数に相
当する数のレジスタが、前記入力レジスタに記憶された
データを順にシフトさせるように、該入力レジスタに対
して直列に接続された前記シフトレジスタと、 要求に応じて、前記入力されたデータが該入力の順に当
該要求に応じて直ちに出力されるように、前記入力レジ
スタに印加されている記憶対象のデータ、前記入力レジ
スタに記憶されているデータ、前記シフトレジスタの各
レジスタに記憶されている各データ、または、前記メモ
リ読み出し手段により読み出されたデータのいずれか1
つを選択する前記出力データ選択手段と、 前記選択されたデータを記憶する出力レジスタとを有す
る請求項1記載のメモリ装置。
5. An input register for storing the input data; a memory circuit for sequentially storing data stored in the input register in a plurality of storage areas; and a memory stored in the memory circuit on demand. Data
The memory read means for reading in the order of input, and a number of registers corresponding to a number obtained by subtracting 1 from a minimum number of cycles from application of data to be stored to the memory circuit to readout, The shift register serially connected to the input register so as to shift the data stored in the input register in order; and upon request, the input data is immediately output in the order of the input in response to the request Data to be stored applied to the input register, data stored in the input register, data stored in each register of the shift register, or read by the memory reading means. Any one of the issued data
The memory device according to claim 1, further comprising: an output data selection unit that selects one of the output data; and an output register that stores the selected data.
【請求項6】前記メモリ回路は、データを印加してから
2サイクル目で当該印加したデータを読み出すことがで
きるメモリ回路であり、 前記シフトレジスタは、1個のレジスタが前記入力レジ
スタに対して直列に接続されたレジスタであり、 前記出力データ選択手段は、データ選択時のサイクル
が、出力が要求されているデータが記憶対象のデータと
して前記入力レジスタに印加されているサイクルであれ
ば前記入力レジスタに印加されているデータを選択し、
前記印加された後の次のサイクルであれば当該入力レジ
スタに記憶されているデータを選択し、前記印加された
後の2サイクル目であれば前記シフトレジスタのレジス
タに記憶されているデータを選択し、前記印加された後
の3サイクル目であれば前記メモリ読み出し手段により
読み出されたデータを選択する請求項5記載のメモリ装
置。
6. The shift circuit according to claim 1, wherein the memory circuit is capable of reading the applied data in a second cycle after the application of the data. The output data selection means is a register connected in series, and if the cycle at the time of data selection is a cycle in which data whose output is requested is applied to the input register as data to be stored, Select the data applied to the register,
In the next cycle after the application, the data stored in the input register is selected, and in the second cycle after the application, the data stored in the register of the shift register is selected. 6. The memory device according to claim 5, wherein in a third cycle after the application, the data read by said memory reading means is selected.
【請求項7】前記メモリ回路は、データの記憶と読み出
しを同サイクル中に行うことができるデュアルポートメ
モリである請求項6記載のメモリ装置。
7. The memory device according to claim 6, wherein said memory circuit is a dual port memory capable of storing and reading data in the same cycle.
【請求項8】記憶要求信号とともに入力されるデータを
複数の記憶領域に順に記憶するメモリ回路と、 読み出し要求信号に基づいて、前記メモリ回路に記憶さ
れたデータを、前記入力された順に読み出すメモリ読み
出し手段と、 前記メモリ回路に記憶対象のデータを印加してから当該
データが読み出されるまでのサイクル数に基づく所定数
のレジスタが、前記メモリ回路に印加された記憶対象の
データを順にシフトさせるように接続されたシフトレジ
スタと、 前記入力されたデータを該入力の順に、読み出し要求信
号の入力に応じて直ちに出力するように、前記入力され
ているデータ、前記シフトレジスタの各レジスタに記憶
されている各データ、または、前記メモリ回路より読み
出されたデータのいずれか1つを選択し出力する出力デ
ータ選択手段と、 前記メモリ回路に、前記記憶され未だ読み出されていな
いデータが存在することを示すリードレディ信号を生成
するリードレディ信号生成手段と、 前記メモリ回路に、新たにデータを記憶可能な領域が存
在することを示すライトレディ信号を生成するライトレ
ディ信号生成手段とを有するメモリ装置を複数有し、 当該複数のメモリ装置が、前段のメモリ装置の出力デー
タを後段のメモリ装置に対して記憶対象のデータとして
入力し、前段のメモリ装置の前記リードレディ信号を後
段のメモリ装置に対して前記記憶要求信号として入力
し、後段のメモリ装置の前記ライトレディ信号を前段の
メモリ装置に対して前記読み出し要求信号として入力す
るように順に接続されたメモリ装置。
8. A memory circuit for sequentially storing data input together with a storage request signal in a plurality of storage areas, and a memory for reading data stored in the memory circuit in the order of input based on a read request signal. Reading means, and a predetermined number of registers based on the number of cycles from when the data to be stored is applied to the memory circuit until the data is read out, sequentially shifts the data to be stored applied to the memory circuit. A shift register connected to the input data and stored in each register of the shift register so as to immediately output the input data in the order of the input in response to the input of the read request signal. Output data for selecting and outputting each of the data stored in the memory circuit or one of the data read from the memory circuit. Selecting means; read-ready signal generating means for generating a read-ready signal indicating that the stored and not-yet-read data exists in the memory circuit; and capable of newly storing data in the memory circuit. A plurality of write-ready signal generating means for generating a write-ready signal indicating that a region exists; and a plurality of memory devices, each of which outputs the output data of the preceding memory device to the succeeding memory device. Input as data to be stored, input the read ready signal of the preceding memory device as the storage request signal to the subsequent memory device, and input the write ready signal of the subsequent memory device to the preceding memory device. A memory device sequentially connected so as to input the read request signal.
【請求項9】入力されるデータを記憶する入力レジスタ
と、 前記入力レジスタに記憶されたデータを複数の記憶領域
に順に記憶するメモリ回路であって、記憶対象のデータ
を印加した次のサイクルには当該データを出力すること
ができるメモリ回路と、 要求に応じて、前記メモリ回路に記憶されたデータを、
前記入力された順に読み出すメモリ読み出し手段と、 要求に応じて、前記入力されたデータが該入力の順に当
該要求に応じて直ちに出力されるように、前記入力レジ
スタに印加されている記憶対象のデータまたは前記メモ
リ読み出し手段により読み出されたデータのいずれか1
つを選択する出力データ選択手段と、 前記選択されたデータを記憶する出力レジスタとを有す
るメモリ装置。
9. An input register for storing data to be input, and a memory circuit for sequentially storing data stored in the input register in a plurality of storage areas, wherein the memory circuit stores data in a next cycle in which data to be stored is applied. Is a memory circuit capable of outputting the data, and upon request, the data stored in the memory circuit is
Memory reading means for reading in the order of input, and, as required, data to be stored applied to the input register so that the input data is immediately output in the order of input in response to the request. Or any one of the data read by the memory reading means.
A memory device comprising: output data selecting means for selecting one; and an output register for storing the selected data.
【請求項10】記憶要求信号とともに入力されるデータ
を記憶する入力レジスタと、 前記入力レジスタに記憶されたデータを複数の記憶領域
に順に記憶するメモリ回路であって、記憶対象のデータ
を印加した次のサイクルには当該データを出力すること
ができるメモリ回路と、 読み出し要求信号に応じて、前記メモリ回路に記憶され
たデータを、前記入力された順に読み出すメモリ読み出
し手段と、 前記入力されたデータを該入力の順に、読み出し要求信
号に応じて直ちに出力するように、前記入力レジスタに
印加されている記憶対象のデータまたは前記メモリ読み
出し手段により読み出されたデータのいずれか1つを選
択する出力データ選択手段と、 前記選択されたデータを記憶し出力する出力レジスタ
と、 前記メモリ回路に、前記記憶され未だ読み出されていな
いデータが存在することを示すリードレディ信号を生成
するリードレディ信号生成手段と、 前記メモリ回路に、新たにデータを記憶可能な領域が存
在することを示すライトレディ信号を生成するライトレ
ディ信号生成手段とを有するメモリ装置を複数有し、 当該複数のメモリ装置が、前段のメモリ装置の出力デー
タを後段のメモリ装置に対して記憶対象のデータとして
入力し、前段のメモリ装置の前記リードレディ信号を後
段のメモリ装置に対して前記記憶要求信号として入力
し、後段のメモリ装置の前記ライトレディ信号を前段の
メモリ装置に対して前記読み出し要求信号として入力す
るように順に接続されたメモリ装置。
10. An input register for storing data input together with a storage request signal, and a memory circuit for sequentially storing data stored in the input register in a plurality of storage areas, wherein data to be stored is applied. In the next cycle, a memory circuit capable of outputting the data, a memory read means for reading data stored in the memory circuit in the order of input in response to a read request signal, and the input data To select any one of the data to be stored applied to the input register or the data read by the memory read means, so that the data is immediately output in response to the read request signal in the order of the inputs. Data selection means, an output register for storing and outputting the selected data, and the memory circuit Read-ready signal generation means for generating a read-ready signal indicating that data which has not been read yet exists; and a write-ready signal indicating that there is an area in which data can be newly stored in the memory circuit. A plurality of memory devices having write-ready signal generating means for generating, and the plurality of memory devices input output data of the preceding memory device as data to be stored to the succeeding memory device, and The read-ready signal of the device is input to the subsequent memory device as the storage request signal, and the write-ready signal of the subsequent memory device is sequentially input to the preceding memory device as the read request signal. Memory device.
【請求項11】入力されるデータを記憶する入力レジス
タと、 各々、複数の記憶領域を有し、独立にアクセス可能で、
記憶対象のデータを印加した次のサイクルには当該デー
タを出力することができる第1のメモリ回路および第2
のメモリ回路と、 前記入力レジスタに記憶されたデータを、前記第1のメ
モリ回路または前記第2のメモリ回路のいずれか一方に
記憶する記憶制御手段と、 要求に応じて、前記第1のメモリ回路および前記第2の
メモリ回路に記憶されたデータを、前記入力された順に
読み出す読み出し制御手段と、 前記読み出されたデータを記憶する出力レジスタとを有
するメモリ装置。
11. An input register for storing data to be input, each of which has a plurality of storage areas and is independently accessible,
In the next cycle to which the data to be stored is applied, the first memory circuit and the second memory circuit capable of outputting the data are provided.
A memory control means for storing data stored in the input register in one of the first memory circuit and the second memory circuit; and A memory device, comprising: a read control unit that reads out data stored in a circuit and the second memory circuit in the order of input, and an output register that stores the read data.
【請求項12】前記記憶制御手段は、順次入力されるデ
ータを、前記第1のメモリ回路および前記第2のメモリ
回路に交互に記憶する請求項11記載のメモリ装置。
12. The memory device according to claim 11, wherein said storage control means stores sequentially input data in said first memory circuit and said second memory circuit alternately.
【請求項13】前記読み出し制御手段は、 前記第1のメモリ回路に記憶されたデータを、前記入力
された順に読み出す第1のメモリ回路読み出し手段と、 前記第2のメモリ回路に記憶されたデータを、前記入力
された順に読み出す第2のメモリ回路読み出し手段と、 前記第1のメモリ回路読み出し手段で読み出されたデー
タ、または、前記第2のメモリ回路読み出し手段で読み
出されたデータの、いずれか先に入力された方のデータ
を選択する読み出しデータ選択手段とを有する請求項1
2記載のメモリ装置。
13. The first memory circuit reading means for reading the data stored in the first memory circuit in the order of the input, and the data stored in the second memory circuit. A second memory circuit reading means for reading the data in the order of input, and a data read by the first memory circuit reading means or a data read by the second memory circuit reading means. 2. A read data selecting means for selecting any one of the previously inputted data.
3. The memory device according to 2.
【請求項14】前記第1のメモリ回路および前記第2の
メモリ回路は、各々シングルポートメモリである請求項
13記載のメモリ装置。
14. The memory device according to claim 13, wherein each of said first memory circuit and said second memory circuit is a single port memory.
【請求項15】前記入力レジスタ、前記第1のメモリ回
路、前記第2のメモリ回路、前記記憶制御手段および前
記読み出し制御手段は、集積回路として構成されている
請求項14記載のメモリ装置。
15. The memory device according to claim 14, wherein said input register, said first memory circuit, said second memory circuit, said storage control means and said read control means are configured as an integrated circuit.
【請求項16】前記入力レジスタに記憶されたデータを
記憶する第2のレジスタと、 要求に応じて、前記入力されたデータが該入力の順に当
該要求に応じて直ちに出力されるように、前記入力レジ
スタに記憶されているデータ、前記第2のレジスタに記
憶されているデータ、または、前記出力レジスタに記憶
されているデータのいずれか1つを選択し出力する出力
データ選択手段をさらに有する請求項12記載のメモリ
装置。
16. A second register for storing data stored in the input register, wherein the input data is output in the order of the input and immediately in response to the request. An output data selecting means for selecting and outputting any one of data stored in an input register, data stored in the second register, and data stored in the output register. Item 13. The memory device according to Item 12.
【請求項17】要求に応じて、前記入力されたデータが
該入力の順に当該要求に応じて直ちに出力されるよう
に、前記入力レジスタに印加されている記憶対象のデー
タまたは前記読み出し制御手段により読み出されたデー
タのいずれか1つを選択する出力データ選択手段をさら
に有し、 前記出力レジスタは、前記出力データ選択手段により選
択されたデータを記憶する請求項13記載のメモリ装
置。
17. The data to be stored applied to the input register or the read control means so that the input data is output immediately in response to the request in response to the request. 14. The memory device according to claim 13, further comprising an output data selection unit that selects any one of the read data, wherein the output register stores the data selected by the output data selection unit.
【請求項18】前記読み出しデータ選択手段と、前記出
力データ選択手段は、1の選択回路により構成されてい
る請求項17記載のメモリ装置。
18. The memory device according to claim 17, wherein said read data selection means and said output data selection means are constituted by one selection circuit.
【請求項19】記憶要求信号とともに入力されるデータ
を記憶する入力レジスタと、 各々、複数の記憶領域を有し、独立にアクセス可能で、
記憶対象のデータを印加した次のサイクルには当該デー
タを出力することができる第1のメモリ回路および第2
のメモリ回路と、 前記入力レジスタに記憶されたデータを、前記第1のメ
モリ回路または前記第2のメモリ回路のいずれか一方に
記憶する記憶制御手段と、 読み出し要求信号に応じて、前記第1のメモリ回路およ
び前記第2のメモリ回路に記憶されたデータを、前記入
力された順に読み出す読み出し制御手段と、前記読み出
されたデータを記憶し出力する出力レジスタと、 前記第1のメモリ回路または前記第2のメモリ回路に、
前記記憶され未だ読み出されていないデータが存在する
ことを示すリードレディ信号を生成するリードレディ信
号生成手段と、 前記第1のメモリ回路または前記第2のメモリ回路に、
新たにデータを記憶可能な領域が存在することを示すラ
イトレディ信号を生成するライトレディ信号生成手段と
を有するメモリ装置を複数有し、 当該複数のメモリ装置が、前段のメモリ装置の出力デー
タを後段のメモリ装置に対して記憶対象のデータとして
入力し、前段のメモリ装置の前記リードレディ信号を後
段のメモリ装置に対して前記記憶要求信号として入力
し、後段のメモリ装置の前記ライトレディ信号を前段の
メモリ装置に対して前記読み出し要求信号として入力す
るように順に接続されているメモリ装置。
19. An input register for storing data input together with a storage request signal, each of which has a plurality of storage areas and is independently accessible,
In the next cycle to which the data to be stored is applied, the first memory circuit and the second memory circuit capable of outputting the data are provided.
A memory circuit for storing the data stored in the input register in one of the first memory circuit and the second memory circuit; and Read control means for reading out the data stored in the memory circuit and the second memory circuit in the order of input, an output register for storing and outputting the read out data, the first memory circuit or In the second memory circuit,
A read-ready signal generating unit that generates a read-ready signal indicating that the stored data that has not been read exists; and wherein the first memory circuit or the second memory circuit includes:
A plurality of write-ready signal generating means for generating a write-ready signal indicating that a new data-storable area exists; and the plurality of memory devices output data from the preceding memory device. The memory device of the subsequent stage is inputted as data to be stored, the read ready signal of the memory device of the preceding stage is inputted as the storage request signal to the memory device of the subsequent stage, and the write ready signal of the memory device of the subsequent stage is inputted. A memory device sequentially connected to a preceding memory device so as to input the read request signal.
【請求項20】任意の3次元立体モデルが、少なくとも
3次元位置情報を有する頂点によって示される基本多角
形の集合として示されている3次元画像データの、当該
基本多角形の前記頂点に対して所定の座標変換を行う座
標変換手段と、 前記基本多角形の頂点のデータに基づいて、当該基本多
角形の画素データを生成する画素データ生成手段と、 前記生成された画素データを順次記憶するFIFOメモ
リと、 前記生成された各画素データを順次前記FIFOメモリ
より読み出し、所望のテクスチャパタンを用いてテクス
チャマッピングし、表示用3次元画像データを生成する
テクスチャマッピング手段と、 前記生成された表示用3次元画像データとして記憶する
画像メモリと、 前記記憶された表示用3次元画像データより所望の領域
のデータを読み出し表示用画面データとして出力する出
力手段とを有し、 前記FIFOメモリは、 順次入力される画素データを複数の記憶領域に順に記憶
するメモリ回路と、 要求に応じて、前記メモリ回路に記憶された画素データ
を、前記入力された順に読み出すメモリ読み出し手段
と、 前記メモリ回路に記憶対象の画素データを印加してから
当該データが読み出されるまでのサイクル数に基づく所
定数のレジスタが、前記メモリ回路に印加された記憶対
象の画素データを順にシフトさせるように接続されたシ
フトレジスタと、 要求に応じて、前記入力された画素データが該入力の順
に当該要求に応じて直ちに出力されるように、前記入力
されている画素データ、前記シフトレジスタの各レジス
タに記憶されている各画素データ、または、前記メモリ
回路より読み出された画素データのいずれか1つを選択
する出力データ選択手段とを有し、前記選択された画素
データを前記テクスチャマッピング手段に出力する画像
生成装置。
20. A three-dimensional image data in which an arbitrary three-dimensional solid model is shown as a set of basic polygons indicated by vertices having at least three-dimensional position information, with respect to the vertices of the basic polygon. Coordinate conversion means for performing predetermined coordinate conversion; pixel data generation means for generating pixel data of the basic polygon based on data of vertices of the basic polygon; FIFO for sequentially storing the generated pixel data A memory; texture mapping means for sequentially reading the generated pixel data from the FIFO memory; performing texture mapping using a desired texture pattern; and generating display three-dimensional image data; An image memory for storing as three-dimensional image data, and a desired area from the stored three-dimensional image data for display. Output means for reading out data as display screen data, the FIFO memory comprising: a memory circuit for sequentially storing pixel data sequentially inputted in a plurality of storage areas; Memory reading means for reading the pixel data stored in the memory in the order of input, and a predetermined number of registers based on the number of cycles from the application of the pixel data to be stored to the memory circuit until the data is read out, A shift register connected to sequentially shift the pixel data to be stored applied to the memory circuit, and upon request, the input pixel data is immediately output in the order of the input in response to the request As described above, the input pixel data, each pixel data stored in each register of the shift register, or And an output data selection means for selecting one of the pixel data read from the memory circuit, an image generating device for outputting the selected pixel data to the texture mapping unit.
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JP9328833A Pending JPH11162157A (en) 1997-11-28 1997-11-28 Memory device and image generating device

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JP (1) JPH11162157A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11127439B2 (en) 2019-03-25 2021-09-21 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device including first-in first-out circuit

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