JPH11154823A - マイクロ波発振器 - Google Patents
マイクロ波発振器Info
- Publication number
- JPH11154823A JPH11154823A JP31940697A JP31940697A JPH11154823A JP H11154823 A JPH11154823 A JP H11154823A JP 31940697 A JP31940697 A JP 31940697A JP 31940697 A JP31940697 A JP 31940697A JP H11154823 A JPH11154823 A JP H11154823A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric resonator
- microwave oscillator
- dielectric
- support base
- dielectric substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体共振器を支持する筒形の支持台の内部
へ接着剤が浸入するのを防止し、温度変化による発振周
波数の変動を小さくすることのできるマイクロ波発振器
を提供する。 【解決手段】 上面を開口したシャーシ１内に配設した
誘電体基板３と、同誘電体基板３上に実装されたマイク
ロ波発振用ＦＥＴ４と、同ＦＥＴ４のゲート端子に接続
されたマイクロストリップライン５と、同マイクロスト
リップライン５に隣接し、誘電体基板３上に固着された
筒形の支持台６の上面に配設した誘電体共振器７とを有
する発振回路と、同発振回路を収納し、シャーシ１を被
うシールドカバー２と、誘電体共振器７の上面に対向
し、シールドカバー２を貫通し螺合したネジ８とから構
成され、同ネジ８と誘電体共振器７間の距離で発振周波
数を調整してなるマイクロ波発振器において、支持台６
の周壁に、同支持台６底面より上方に筒形の内外部を連
通する切欠き10を設けた。
へ接着剤が浸入するのを防止し、温度変化による発振周
波数の変動を小さくすることのできるマイクロ波発振器
を提供する。 【解決手段】 上面を開口したシャーシ１内に配設した
誘電体基板３と、同誘電体基板３上に実装されたマイク
ロ波発振用ＦＥＴ４と、同ＦＥＴ４のゲート端子に接続
されたマイクロストリップライン５と、同マイクロスト
リップライン５に隣接し、誘電体基板３上に固着された
筒形の支持台６の上面に配設した誘電体共振器７とを有
する発振回路と、同発振回路を収納し、シャーシ１を被
うシールドカバー２と、誘電体共振器７の上面に対向
し、シールドカバー２を貫通し螺合したネジ８とから構
成され、同ネジ８と誘電体共振器７間の距離で発振周波
数を調整してなるマイクロ波発振器において、支持台６
の周壁に、同支持台６底面より上方に筒形の内外部を連
通する切欠き10を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波発振器
の誘電体共振器用支持台の構造に関する。
の誘電体共振器用支持台の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロ波発振器は第５図に示す
ようなものであり、１は上面を開口し箱状に形成された
アルミダイキャスト等の金属からなるシャーシ本体、２
は同シャーシ１の開口部を被うアルミダイキャスト等の
金属からなるシールドカバー、3'はレジン等の材料から
なる誘電体基板、４は同誘電体基板3'上に実装されたＨ
ＥＭＴ等のマイクロ波発振用ＦＥＴ、５は一端を前記Ｆ
ＥＴ４のゲート端子に接続されたマイクロストリップラ
イン、6'は同マイクロスストリップライン５に隣接し、
前記誘電体基板3'上に固着された中空筒状のセラミック
等の絶縁物からなる支持台、７は同支持台6'の上面に接
着剤によって固着される誘電体共振器、８は同誘電体共
振器の上面に対向し、前記シールカバー２の貫通孔９を
貫通し螺合された発振周波数を調整する金属製の調整ネ
ジである。
ようなものであり、１は上面を開口し箱状に形成された
アルミダイキャスト等の金属からなるシャーシ本体、２
は同シャーシ１の開口部を被うアルミダイキャスト等の
金属からなるシールドカバー、3'はレジン等の材料から
なる誘電体基板、４は同誘電体基板3'上に実装されたＨ
ＥＭＴ等のマイクロ波発振用ＦＥＴ、５は一端を前記Ｆ
ＥＴ４のゲート端子に接続されたマイクロストリップラ
イン、6'は同マイクロスストリップライン５に隣接し、
前記誘電体基板3'上に固着された中空筒状のセラミック
等の絶縁物からなる支持台、７は同支持台6'の上面に接
着剤によって固着される誘電体共振器、８は同誘電体共
振器の上面に対向し、前記シールカバー２の貫通孔９を
貫通し螺合された発振周波数を調整する金属製の調整ネ
ジである。
【０００３】前記シールカバー２の上面より貫通し螺合
された調整ネジ８を回転させることによって調整ネジ８
の底面を前記誘電体共振器７の上面に接近させ、調整ネ
ジ８と誘電体共振器７の間隔を変化させることによっ
て、誘電体共振器７とマイクロストリップライン５との
結合容量を変化させ、誘電体共振器７の共振周波数が変
化し、マイクロ波発振回路の発振周波数を微調整するこ
とができる。
された調整ネジ８を回転させることによって調整ネジ８
の底面を前記誘電体共振器７の上面に接近させ、調整ネ
ジ８と誘電体共振器７の間隔を変化させることによっ
て、誘電体共振器７とマイクロストリップライン５との
結合容量を変化させ、誘電体共振器７の共振周波数が変
化し、マイクロ波発振回路の発振周波数を微調整するこ
とができる。
【０００４】しかしながら、支持台6'を誘電体基板3'に
接着剤11により固着する場合、接着剤11の塗布量が多す
ぎた時、接着剤11が支持台6'の筒内部に入って乾燥し硬
化し、この硬化した接着剤11により発振回路の温度係数
が変わり、周囲温度が変化した時ドリフトにより発振周
波数が変動してしまうという問題があった。
接着剤11により固着する場合、接着剤11の塗布量が多す
ぎた時、接着剤11が支持台6'の筒内部に入って乾燥し硬
化し、この硬化した接着剤11により発振回路の温度係数
が変わり、周囲温度が変化した時ドリフトにより発振周
波数が変動してしまうという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みなされたもので、誘電体共振器を支持する筒状の
支持台の内部へ接着剤が浸透するのを防止し、温度変化
による発振周波数の変動を小さくすることのできるマイ
クロ波発振器を提供することを目的としている。
に鑑みなされたもので、誘電体共振器を支持する筒状の
支持台の内部へ接着剤が浸透するのを防止し、温度変化
による発振周波数の変動を小さくすることのできるマイ
クロ波発振器を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するためなされたもので、上面を開口したシャーシ内
に配設した誘電体基板と、同誘電体基板上に実装された
マイクロ波発振用ＦＥＴと、同ＦＥＴのゲート端子に接
続されたマイクロストリップラインと、同マイクロスト
リップラインに隣接し、前記誘電体基板上に接着剤によ
り固着された筒状の支持台の上面に配設した誘電体共振
器とを有する発振回路と、同発振回路を収納し、前記シ
ャーシを被うシールドカバーと、前記誘電体共振器の上
面に対向し、前記シールドカバーを貫通し螺合した調整
ネジとから構成され、同調整ネジと前記誘電体共振器間
の距離で発振周波数を調整してなるマイクロ波発振器に
おいて、前記支持台の周壁下端部に、同支持台の底面よ
り上方に筒状の内外を連通する切欠きを設けた構成とな
っている。
決するためなされたもので、上面を開口したシャーシ内
に配設した誘電体基板と、同誘電体基板上に実装された
マイクロ波発振用ＦＥＴと、同ＦＥＴのゲート端子に接
続されたマイクロストリップラインと、同マイクロスト
リップラインに隣接し、前記誘電体基板上に接着剤によ
り固着された筒状の支持台の上面に配設した誘電体共振
器とを有する発振回路と、同発振回路を収納し、前記シ
ャーシを被うシールドカバーと、前記誘電体共振器の上
面に対向し、前記シールドカバーを貫通し螺合した調整
ネジとから構成され、同調整ネジと前記誘電体共振器間
の距離で発振周波数を調整してなるマイクロ波発振器に
おいて、前記支持台の周壁下端部に、同支持台の底面よ
り上方に筒状の内外を連通する切欠きを設けた構成とな
っている。
【０００７】また、前記切欠きを少なくとも１個以上設
けた構成となっている。
けた構成となっている。
【０００８】また、前記接着剤にエポキシ系樹脂の２液
混合熱硬化性のものを用いた構成となっている。
混合熱硬化性のものを用いた構成となっている。
【０００９】また、上面を開口したシャーシ内に配設し
た誘電体基板と、同誘電体基板上に実装されたマイクロ
波発振用ＦＥＴと、同ＦＥＴのゲート端子に接続された
マイクロストリップラインと、同マイクロストリップラ
インに隣接し、前記誘電体基板上に接着剤により固着さ
れた筒状の支持台の上面に配設した誘電体共振器とを有
する発振回路と、同発振回路を収納し、前記シャーシを
被うシールドカバーと、前記誘電体共振器の上面に対向
し、前記シールドカバーを貫通し螺合した調整ネジとか
ら構成され、同調整ネジと前記誘電体共振器間の距離で
発振周波数を調整してなるマイクロ波発振器において、
前記支持台下部の前記誘電体基板に溝を設けた構成とな
っている。
た誘電体基板と、同誘電体基板上に実装されたマイクロ
波発振用ＦＥＴと、同ＦＥＴのゲート端子に接続された
マイクロストリップラインと、同マイクロストリップラ
インに隣接し、前記誘電体基板上に接着剤により固着さ
れた筒状の支持台の上面に配設した誘電体共振器とを有
する発振回路と、同発振回路を収納し、前記シャーシを
被うシールドカバーと、前記誘電体共振器の上面に対向
し、前記シールドカバーを貫通し螺合した調整ネジとか
ら構成され、同調整ネジと前記誘電体共振器間の距離で
発振周波数を調整してなるマイクロ波発振器において、
前記支持台下部の前記誘電体基板に溝を設けた構成とな
っている。
【００１０】また、前記溝を前記支持台の筒状の周壁の
内外部を連通するように形成した構成となっている。
内外部を連通するように形成した構成となっている。
【００１１】また、前記連通する溝を複数本設けた構成
となっている。
となっている。
【００１２】また、前記溝を前記支持台の内壁に沿って
円形状に形成した構成となっている。
円形状に形成した構成となっている。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を添付図
面図１〜図３の実施例に基づいて説明する。図におい
て、１は上面を開口し箱状に形成されたアルミダイキャ
スト等の金属からなるシャーシ本体、２は同シャーシ１
の開口部を被うアルミダイキャスト等の金属からなるシ
ールドカバー、３はレジン等の材料からなる誘電体基
板、４は同誘電体基板３上に実装されたＨＥＭＴ等のマ
イクロ波発振用ＦＥＴ、５は一端を前記ＦＥＴ４のゲー
ト端子に接続されたマイクロストリップライン、６は同
マイクロスストリップライン５に隣接し、前記誘電体基
板３上に固着された中空筒状のセラミック等の絶縁物か
らなる支持台、７は同支持台６の上面に接着剤によって
固着される誘電体共振器、８は同誘電体共振器の上面に
対向し、前記シールカバー２の貫通孔９を貫通し螺合さ
れた発振周波数を調整する金属製の調整ネジである。
面図１〜図３の実施例に基づいて説明する。図におい
て、１は上面を開口し箱状に形成されたアルミダイキャ
スト等の金属からなるシャーシ本体、２は同シャーシ１
の開口部を被うアルミダイキャスト等の金属からなるシ
ールドカバー、３はレジン等の材料からなる誘電体基
板、４は同誘電体基板３上に実装されたＨＥＭＴ等のマ
イクロ波発振用ＦＥＴ、５は一端を前記ＦＥＴ４のゲー
ト端子に接続されたマイクロストリップライン、６は同
マイクロスストリップライン５に隣接し、前記誘電体基
板３上に固着された中空筒状のセラミック等の絶縁物か
らなる支持台、７は同支持台６の上面に接着剤によって
固着される誘電体共振器、８は同誘電体共振器の上面に
対向し、前記シールカバー２の貫通孔９を貫通し螺合さ
れた発振周波数を調整する金属製の調整ネジである。
【００１４】以上のように構成されるマイクロ波発振回
路の動作について説明する。前記誘電体基板３上に実装
されたＨＥＭＴ４はドレイン端子をスタブ4aによって高
周波的に接地されており、ゲート端子には前記マイクロ
ストリップライン５の一端が接続されている。このマイ
クロストリップライン５の他端は図示しない終端抵抗に
よって接地されている。前記マイクロストリップライン
５と前記誘電体共振器７とを結合させることにより、安
定した発振周波数出力が前記マイクロ波発振用ＦＥＴ４
のソース端子4bにより得られる。
路の動作について説明する。前記誘電体基板３上に実装
されたＨＥＭＴ４はドレイン端子をスタブ4aによって高
周波的に接地されており、ゲート端子には前記マイクロ
ストリップライン５の一端が接続されている。このマイ
クロストリップライン５の他端は図示しない終端抵抗に
よって接地されている。前記マイクロストリップライン
５と前記誘電体共振器７とを結合させることにより、安
定した発振周波数出力が前記マイクロ波発振用ＦＥＴ４
のソース端子4bにより得られる。
【００１５】前記シールカバー２の上面より貫通し螺合
された調整ネジ８を回転させることによって調整ネジ８
の底面を前記誘電体共振器７の上面に接近させ、調整ネ
ジ８と誘電体共振器７の間隔を変化させることによっ
て、誘電体共振器７とマイクロストリップライン５との
結合容量を変化させ、誘電体共振器７の共振周波数が変
化し、マイクロ波発振回路の発振周波数を微調整するこ
とができる。
された調整ネジ８を回転させることによって調整ネジ８
の底面を前記誘電体共振器７の上面に接近させ、調整ネ
ジ８と誘電体共振器７の間隔を変化させることによっ
て、誘電体共振器７とマイクロストリップライン５との
結合容量を変化させ、誘電体共振器７の共振周波数が変
化し、マイクロ波発振回路の発振周波数を微調整するこ
とができる。
【００１６】図３に示すように、前記中空筒形の支持台
６は周壁に、支持台６の底面より上方に向け筒状の内外
を連通する少なくとも１個以上の切欠き10を設け、前記
誘電体基板３の上面に、前記切欠き部分以外の支持台６
の底面をエポキシ系樹脂の２液混合熱硬化性等の接着剤
11により固着した構成となっている。
６は周壁に、支持台６の底面より上方に向け筒状の内外
を連通する少なくとも１個以上の切欠き10を設け、前記
誘電体基板３の上面に、前記切欠き部分以外の支持台６
の底面をエポキシ系樹脂の２液混合熱硬化性等の接着剤
11により固着した構成となっている。
【００１７】上記構成により、支持台６を誘電体基板３
に接着剤11により固着する場合、接着剤11が支持台６の
筒内部に入っても熱硬化性の接着剤を使用すれば、乾燥
し硬化する前に切欠き10より支持台６の外部に流れ、筒
内部で接着剤11が固まることがない。この結果、温度変
化による接着剤11の温度係数の違いによる発振周波数の
変動を小さくすることのできるマイクロ波発振器とな
る。
に接着剤11により固着する場合、接着剤11が支持台６の
筒内部に入っても熱硬化性の接着剤を使用すれば、乾燥
し硬化する前に切欠き10より支持台６の外部に流れ、筒
内部で接着剤11が固まることがない。この結果、温度変
化による接着剤11の温度係数の違いによる発振周波数の
変動を小さくすることのできるマイクロ波発振器とな
る。
【００１８】図４は本発明による他の実施例を示すもの
で、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図で、支持台６の下
部の誘電体基板３に、支持台６の筒状の内外部を連通す
る溝12を少なくとも１本以上設けた構成とすることによ
り、上記実施例と同様に接着剤11が支持台６の筒内部に
入っても溝12から接着剤11は支持台６の外部に流れ、筒
内部で接着剤11が固まることがない。また、（Ｃ）に示
すように支持台６の内壁に沿って円形状に誘電体基板３
に溝13を設け、接着剤11が溝内部に流れ込むようにして
もよく、温度変化による接着剤11の温度係数による発振
周波数の変動を小さくすることのできるマイクロ波発振
器となる。
で、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図で、支持台６の下
部の誘電体基板３に、支持台６の筒状の内外部を連通す
る溝12を少なくとも１本以上設けた構成とすることによ
り、上記実施例と同様に接着剤11が支持台６の筒内部に
入っても溝12から接着剤11は支持台６の外部に流れ、筒
内部で接着剤11が固まることがない。また、（Ｃ）に示
すように支持台６の内壁に沿って円形状に誘電体基板３
に溝13を設け、接着剤11が溝内部に流れ込むようにして
もよく、温度変化による接着剤11の温度係数による発振
周波数の変動を小さくすることのできるマイクロ波発振
器となる。
【００１９】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によるれ
ば、誘電体共振器を支持する筒形の支持台の底面より上
方に向け筒状の内外を連通する切欠きを設けるか、また
は支持台下部の誘電体基板に溝を設けることにより、支
持台の内部へ接着剤が浸入するのを防止し、温度変化に
よる発振周波数の変動を小さくすることのできるマイク
ロ波発振器となる。
ば、誘電体共振器を支持する筒形の支持台の底面より上
方に向け筒状の内外を連通する切欠きを設けるか、また
は支持台下部の誘電体基板に溝を設けることにより、支
持台の内部へ接着剤が浸入するのを防止し、温度変化に
よる発振周波数の変動を小さくすることのできるマイク
ロ波発振器となる。
【図１】本発明によるマイクロ波発振器の一実施例の平
面図である。
面図である。
【図２】本発明によるマイクロ波発振器の要部断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の一実施例を示す誘電体共振器の拡大図
で、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は断面図である。
で、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は断面図である。
【図４】本発明による他の実施例を示すもので、（Ａ）
は断面図、（Ｂ）および（Ｃ）は上面から見た平面図で
ある。
は断面図、（Ｂ）および（Ｃ）は上面から見た平面図で
ある。
【図５】従来によるマイクロ波発振器の要部断面図であ
る。
る。
１ シャーシ ２ シールドカバー ３ 誘電体基板 ４ ＦＥＴ 4a スタブ 4b ソース端子 ５ マイクロストリップライン ６ 支持台 ７ 誘電体共振器 ８ 調整ネジ ９ 貫通孔 10 切欠き 11 接着剤 12 溝
Claims (7)
- 【請求項１】 上面を開口したシャーシ内に配設した誘
電体基板と、同誘電体基板上に実装されたマイクロ波発
振用ＦＥＴと、同ＦＥＴのゲート端子に接続されたマイ
クロストリップラインと、同マイクロストリップライン
に隣接し、前記誘電体基板上に接着剤により固着された
筒状の支持台の上面に配設した誘電体共振器とを有する
発振回路と、同発振回路を収納し、前記シャーシを被う
シールドカバーと、前記誘電体共振器の上面に対向し、
前記シールドカバーを貫通し螺合した調整ネジとから構
成され、同調整ネジと前記誘電体共振器間の距離で発振
周波数を調整してなるマイクロ波発振器において、 前記支持台の周壁下端部に、同支持台底面より上方に筒
状の内外部を連通する切欠きを設けたことを特徴とする
マイクロ波発振器。 - 【請求項２】 前記切欠きを少なくとも１個以上設けた
ことを特徴とする請求項１記載のマイクロ波発振器。 - 【請求項３】 前記接着剤にエポキシ系樹脂の２液混合
熱硬化性のものを用いたことを特徴とする請求項１記載
のマイクロ波発振器。 - 【請求項４】 上面を開口したシャーシ内に配設した誘
電体基板と、同誘電体基板上に実装されたマイクロ波発
振用ＦＥＴと、同ＦＥＴのゲート端子に接続されたマイ
クロストリップラインと、同マイクロストリップライン
に隣接し、前記誘電体基板上に接着剤で固着された筒状
の支持台の上面に配設した誘電体共振器とを有する発振
回路と、同発振回路を収納し、前記シャーシを被うシー
ルドカバーと、前記誘電体共振器の上面に対向し、前記
シールドカバーを貫通し螺合した調整ネジとから構成さ
れ、同調整ネジと前記誘電体共振器間の距離で発振周波
数を調整してなるマイクロ波発振器において、 前記支持台下部の前記誘電体基板に溝を設けたことを特
徴とするマイクロ波発振器。 - 【請求項５】 前記溝を前記支持台の筒状の周壁の内外
部に連通するように形成したことを特徴とする請求項４
記載のマイクロ波発振器。 - 【請求項６】 前記溝を複数本設けたことを特徴とする
請求項５記載のマイクロ波発振器。 - 【請求項７】 前記溝を前記支持台の内壁に沿って円形
状に形成したことを特徴とする請求項４記載のマイクロ
波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31940697A JPH11154823A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | マイクロ波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31940697A JPH11154823A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | マイクロ波発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11154823A true JPH11154823A (ja) | 1999-06-08 |
Family
ID=18109841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31940697A Pending JPH11154823A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11154823A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1317015A2 (en) * | 2001-11-28 | 2003-06-04 | Alps Electric Co., Ltd. | Dielectric resonance device with stabilized electric performance |
| US6906603B2 (en) | 2002-06-18 | 2005-06-14 | Alps Electric Co., Ltd. | High-frequency module for commonality of circuit board |
-
1997
- 1997-11-20 JP JP31940697A patent/JPH11154823A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1317015A2 (en) * | 2001-11-28 | 2003-06-04 | Alps Electric Co., Ltd. | Dielectric resonance device with stabilized electric performance |
| EP1317015A3 (en) * | 2001-11-28 | 2003-10-01 | Alps Electric Co., Ltd. | Dielectric resonance device with stabilized electric performance |
| US6906603B2 (en) | 2002-06-18 | 2005-06-14 | Alps Electric Co., Ltd. | High-frequency module for commonality of circuit board |
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