JPH11154205A - 非接触データ転送装置及びメモリカード - Google Patents

非接触データ転送装置及びメモリカード

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JPH11154205A
JPH11154205A JP9321229A JP32122997A JPH11154205A JP H11154205 A JPH11154205 A JP H11154205A JP 9321229 A JP9321229 A JP 9321229A JP 32122997 A JP32122997 A JP 32122997A JP H11154205 A JPH11154205 A JP H11154205A
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JP
Japan
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data transfer
transfer device
signal
data
coils
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JP9321229A
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Yukio Sato
行夫 佐藤
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Oki Electric Industry Co Ltd
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TECHNO COLLAGE KK
Oki Electric Industry Co Ltd
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  • Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
  • Near-Field Transmission Systems (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 同一のコイル面積で例えば2倍の転送速度を
得ることができ、高速な非接触データ転送装置及びメモ
リカードを低価格で実現することができる非接触データ
転送装置を提供する。 【解決手段】 非接触データ転送装置は、4値に対応し
てAM変調でコイルを駆動するドライバ13、4値に対
応してAM変調で駆動されるコイル14A,14B,1
4C、電磁誘導により結合されたコイル15A,15
B、4値の信号レベルに対応したデジタルデータに変換
・増幅するディテクタ17、デジタルデータを復調する
ロウパスフィルタ18、復調したデジタルデータを2値
のシリアルデータに変換するデコーダ19、シフトレジ
スタ20,21を備え、ドライバ13が、4値のデジタ
ル信号からコイルの巻数比を変えることにより4値の信
号レベルを発生し、また、コイルの受信レベルをコンパ
レータ30,31,32において3種類の基準電圧で比
較することにより、4値の信号レベルを元の4値のデジ
タル信号に変換する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、非接触データ転送
装置及びメモリカードに係り、詳細には、耐環境性、耐
挿抜性にすぐれた非接触メモリカードにおける高速デー
タ転送装置及びメモリカードに関する。
【0002】
【従来の技術】近年メモリカードはパーソナルコンピュ
ータの増設メモリ、外部記憶メモリ、デジタルカメラ等
の小型AV機器のメモリとして需要が拡大している。メ
モリカードには接触式と非接触式がある。接触式は接点
がゴミや油等により汚染して接触不良になるという問題
があるが、非接触式は、接触不良等の問題点がなく、環
境の悪い所等各方面で使用されている。非接触式には送
受信の手段として、光や電波を用いたものがあり、コス
トの面から電磁結合方式が実用化されている。
【0003】従来のこの種のメモリカードにおける非接
触データ転送装置としては、例えば特開平7−2719
28号公報に開示されたものがある。
【0004】図7は非接触メモリカードシステムの全体
構成を示すブロック図である。
【0005】図7において、非接触メモリカードシステ
ムは、ICメモリカード用端末200と、ICメモリカ
ード300とから構成される。
【0006】ICメモリカード用端末200は、データ
処理回路201、コイル制御回路202、発振回路20
3、電源回路204及びコイル205から構成され、ま
た、ICメモリカード300は、コイル制御回路30
1、メモリコントローラ302、メモリ303、整流回
路304、定電圧回路305及びコイル206から構成
されている。
【0007】データ処理回路201から送出されるコマ
ンドによって、アドレスとデータの区別、及びリードと
ライトの区別を行う信号を送信し、アドレス及びデータ
はパラレルでコイル制御回路202に入力される。コイ
ル制御回路202は、シリアル出力でコイル205を駆
動する。
【0008】ICメモリカード300は、電磁結合によ
りコイル206から信号を受け取り、コイル制御回路3
01によりパラレル信号に変換して、メモリコントロー
ラ302を通して、メモリ303を駆動する。メモリ3
03から読み出されたデータは同様にして、ICメモリ
カード用端末200のデータ処理回路201に伝達され
る。
【0009】電源は発振回路203がコイル205を駆
動し、電磁結合により、コイル206から得られた発振
出力から整流を行い、定電圧回路305を通してICメ
モリカード300の電源として供給する。
【0010】図8は従来の電磁結合方式を用いた非接触
メモリカードシステムのICメモリカード用端末200
とICメモリカード300の間のデータ転送を行う部分
の回路図であり、例えば上記コイル制御回路202,3
01及びコイル205,206において、データ転送部
として用いられる。
【0011】図8において、データ転送部は、パラレル
入力をシリアル出力に変換するシフトレジスタ10、シ
リアル出力を駆動するドライバ13、電磁誘導により結
合されたコイル14,15、負電圧除去用ダイオード3
3、信号を増幅するディテクタ16、ロウパスフィルタ
18、シリアル入力をパラレル信号に変換するシフトレ
ジスタ20から構成される。
【0012】パラレルの入力はシフトレジスタ10に入
力され、入力されたデータはクロックに同期してシフト
レジスタ10よりシリアルに出力される。このシリアル
出力はドライバ13を通してAM変調によりプリント基
板上に形成されたコイル14を駆動する。電磁誘導で結
合したコイル15はコイル14から信号を受け取る。コ
イル15両端の信号はダイオード33により負電圧が除
去され、ディテクタ16に入力される。
【0013】ディテクタ16は受け取った信号を増幅
し、ロウパスフィルタ18により復調してシリアルにシ
フトレジスタ20に入力される。この入力された信号は
パラレル信号としてシフトレジスタ20より取り出され
る。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の非接触カードの転送装置にあっては、1対の
コイル間でデータのシリアル信号を“1”か“0”の2
値で転送を行っているため、以下のような課題があっ
た。
【0015】すなわち、データがシリアルであるため、
大量のデータを送ろうとすると、転送に時間がかかる。
【0016】また、コイルの数を増やして、並列に転送
を行えば、転送速度は速くなるがコイルを並べるため、
ΡCB(printed circuit board:プリント回路基板)
の面積が必要となり、小型のカード等では適用できな
い。
【0017】本発明では、同一のコイル面積で例えば2
倍の転送速度を得ることができ、高速な非接触データ転
送装置及びメモリカードを低価格で実現することができ
る非接触データ転送装置を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明に係る非接触デー
タ転送装置は、コイルの電磁結合によりデータ転送を行
う非接触データ転送装置において、データ転送信号を多
値化し、該多値化に対応した信号レベルを発生する多値
化手段と、多値化された信号レベルをコイルの電磁結合
により転送する転送手段と、転送された信号レベルを所
定の基準電圧と比較して多値化信号に戻し、該多値化信
号を元のデータ転送信号に変換する変換手段とを備えて
構成する。
【0019】上記多値化手段は、コイルの巻数比を変え
ることにより多値の信号レベルを発生するものであって
もよく、また、上記多値化手段は、コイルの駆動電圧の
レベルを変えることにより多値の信号レベルを発生する
ものであってもよい。
【0020】上記データ転送信号は、4値のデジタル信
号であってもよく、また、上記多値は、4値であっても
よい。
【0021】本発明に係るメモリカードは、メモリ部
と、コイルの電磁結合によりデータ転送を行う非接触デ
ータ転送部とを備え、非接触データ転送部によりアドレ
ス及びデータを送受信するメモリカードにおいて、非接
触データ転送部が、請求項1、2、3、4又は5に記載
の非接触データ転送装置であることを特徴とする。
【0022】
【発明の実施の形態】本発明に係る非接触データ転送装
置は、パーソナルコンピュータの増設メモリ、外部記憶
メモリ等のメモリカードのデータ転送部に適用すること
ができる。
【0023】図1は本発明の第1の実施形態に係る非接
触データ転送装置の構成を示す回路図である。なお、本
実施形態に係る非接触データ転送装置の説明にあたり図
8に示す非接触データ転送装置と同一構成部分には同一
符号を付している。
【0024】図1において、非接触データ転送装置は、
パラレルの奇数データをシリアル出力に変換するシフト
レジスタ10、パラレルの偶数データをシリアル出力に
変換するシフトレジスタ11、シフトレジスタ10のシ
リアル出力101とシフトレジスタ11のシリアル出力
102をデコードしデコード出力110〜113を出力
するデコーダ12、デコーダ12でデコードされた出力
110〜113が入力され、4値に対応してAM変調で
コイルを駆動するドライバ13、4値に対応してAM変
調で駆動されるコイル14A,14B,14C、コイル
14A,14B,14Cと電磁誘導により結合されたコ
イル15A,15B、負電圧除去用ダイオード33、4
値の信号レベルに対応したデジタルデータに変換・増幅
するディテクタ17、デジタルデータを復調するロウパ
スフィルタ18、ロウパスフィルタ18のデジタルデー
タ124〜126を2値のシリアルデータに変換するデ
コーダ19、2値のシリアルデータを奇数のパラレルデ
ータに変換するシフトレジスタ20、2値のシリアルデ
ータを偶数のパラレルデータに変換するシフトレジスタ
21から構成される。
【0025】上記シフトレジスタ10にはパラレルの奇
数データが入力され、シフトレジスタ11にはパラレル
の偶数データが入力される。シフトレジスタ10とシフ
トレジスタ11のシリアル出力はデコーダ12に入力さ
れ、デコーダ12でデコードされた出力はドライバ13
に入力される。
【0026】上記ドライバ13は、4値に対応してAM
変調でコイル14A、コイル14B及びコイル14Cを
駆動する。
【0027】上記コイル14A,14B,14Cと電磁
結合したコイル15A,15Bは、コイル14A,14
B,14Cからの信号を受け取り、受け取った信号は負
電圧除去用ダイオード33を介してディテクタ17に入
力される。
【0028】ここで、コイル14A,15Aはプリント
基板の片面に形成され、コイル14C、コイル15Bは
プリント基板の裏面に形成され、また、コイル14Bは
基板の中層に形成されている。
【0029】上記ディテクタ17は、3種類の基準電圧
VREF1〜3があり、この基準電圧VREF1〜3は
3個のコンパレータ30,31,32の一方の入力端子
に各々接続され、コンパレータ30,31,32の他方
の入力端子はコイル15A,15Bの出力に接続されて
いる。このディテクタ17により4値の信号レベルがそ
れに対応したデジタルデータに変換される。このデジタ
ルデータはロウパスフィルタ18により復調される。
【0030】復調されたデータはデコーダ19に入力さ
れ、デコーダ19で2値のシリアルデータに変換され
て、シフトレジスタ20,21に入力される。シフトレ
ジスタ20からは奇数のパラレルデータが、シフトレジ
スタ21からは偶数のパラレルデータが出力される。
【0031】このように、本実施形態に係る非接触デー
タ転送装置は、パラレルデータをシリアル出力に変換す
るシフトレジスタ10,11、シリアル出力をデコード
するデコーダ12、4値に対応してAM変調でコイルを
駆動するドライバ13、4値に対応してAM変調で駆動
されるコイル14A,14B,14C、電磁誘導により
結合されたコイル15A,15B、負電圧除去用ダイオ
ード33、4値の信号レベルに対応したデジタルデータ
に変換・増幅するディテクタ17、デジタルデータを復
調するロウパスフィルタ18、復調されたデジタルデー
タを2値のシリアルデータに変換するデコーダ19、2
値のシリアルデータをパラレルデータに変換するシフト
レジスタ20,21を備えた構成となっている。
【0032】本実施形態に係る非接触データ転送装置
は、例えば、前記図7に示す非接触メモリカードシステ
ムのICメモリカード用端末200とICメモリカード
300の間のデータ転送部であるコイル制御回路20
2,301及びコイル205,206において適用する
ことができる。一例を挙げると、非接触データ転送装置
のシフトレジスタ10,11、デコーダ12、ドライバ
13及びコイル14A,14B,14C部分が、前記図
7に示すICメモリカード用端末200のコイル制御回
路202及びコイル205に対応し、また、非接触デー
タ転送装置のコイル15A,15B、負電圧除去用ダイ
オード33、ディテクタ17、ロウパスフィルタ18、
デコーダ19及びシフトレジスタ20,21部分が、前
記図7に示すICメモリカード300のコイル206及
びコイル制御回路301に対応するように構成してもよ
い。
【0033】図2は上記ドライバ13の構成を示す回路
図である。
【0034】図2において、入力信号を駆動するトライ
ステートバッファ50〜53と、所定周波数の発振波形
を出力する発振器250とから構成され、トライステー
トバッファ50〜53は発振器250からの発振波形
を、制御端子に入力された4値の信号110〜113に
よりAM変調駆動する。
【0035】以下、上述のように構成された非接触デー
タ転送装置の動作を説明する。
【0036】図3は非接触データ転送装置の動作を説明
するためのタイミングチャートであり、図中の番号は図
1及び図2の各部の信号にそれぞれ対応する。
【0037】パラレルの奇数データがシフトレジスタ1
0に入力され、パラレルの偶数データがシフトレジスタ
11に入力された後、クロックがそれぞれのシフトレジ
スタ10,11に入力されると、シフトレジスタ10,
11は順次入力されたデータをシリアルに出力する。こ
のシリアル出力は、図3の101,102で示される。
【0038】このシリアル出力101,102はデコー
ダ12に入力され、デコーダ12は、シリアル出力10
1,102を基に、以下のようなデコードを行ってデコ
ード出力113、112、111、110を出力する。
【0039】すなわち、シリアル出力101が“1”
で、シリアル出力102が“1”のとき(これを(1、
1)と記載する。以下同様。)、デコーダ12の出力1
13、112、111、110に、この順にそれぞれ
(1、0、0、0)を出力する。同様にして、シリアル
出力101,102が(1、0)のとき、デコーダ12
の出力113、112、111、110に(0、1、
0、0)を、シリアル出力101,102が(0、1)
のとき、デコーダ12の出力113、112、111、
110に(0、0、1、0)を、シリアル出力101,
102が(0、0)のとき、デコーダ12の出力11
3、112、111、110に(0、0、0、1)をそ
れぞれデコード出力する。
【0040】これはデータでは、それぞれ、“3”、
“2”、“1”、“0”に対応している。
【0041】デコーダ12の出力に対応して、ドライバ
13は図2に示す回路により“3”の時、N3とGND
間を発振器250で決まる周波数の発振波形で駆動し、
“2”の時Ν2とGND間を上記発振波形で駆動し、
“1”の時はΝ1とGND間を上記発振波形で駆動し、
“0”の時はGNDになる。ドライバ13の出力N1,
N2,N3は図3で示される。
【0042】これにより、コイル14A,14B,14
Cと電磁結合したコイル15Aとコイル15Bには
“3”の時、電圧V1が、“2”の時、電圧V2が、
“1”の時、電圧V3が、“0”の時、GNDがそれぞ
れ発生する。“3”の時は1次側と2次側の巻数比が
1:3に、“2”の時は巻数比が1:1.5に、“1”
の時は巻数比が1:1になっているので、V1≒3×V
3、V2≒1.5×V3の関係が成り立つ。コイル15
A,15Bの出力はディテクタ17に入力される。
【0043】ここでV1>VREF1>V2>VREF
2>V3>VREF3>GNDになるように、各VRE
Fの値を設定してコンパレータ30,31,32の一方
の入力に接続し、コンパレータ30,31,32の他方
の入力をコイル15A,15Bの出力に接続する。これ
により、図3に示すようにコンパレータ30,31,3
2の出力121、122、123にはそれぞれ“3”の
時、(1、1、1)が、“2”の時、(0、1、1)
が、“1”の時、(0、0、1)が、“0”の時、
(0、0、0)がそれぞれ出力される。
【0044】このコンパレータ30,31,32の出力
は、図3に示すようにまだ発振波形であるので、ロウパ
スフィルタ18により発振波形成分を取り除いて復調し
てデコーダ19に入力し、デコーダ19の出力131、
132には“3”の時、(1、1)が、“2”の時、
(1、0)が、“1”の時、(0、1)が、“0”の
時、(0、0)がそれぞれ出力される。
【0045】この出力130、131はシフトレジスタ
20、21にクロックが入るたびにシリアルに順次入力
され、入力が完了した後、奇数のパラレルデータがシフ
トレジスタ20から、偶数のパラレルデータがシフトレ
ジスタ21から出力される。
【0046】以上説明したように、第1の実施形態に係
る非接触データ転送装置は、パラレルデータをシリアル
出力に変換するシフトレジスタ10,11、シリアル出
力をデコードするデコーダ12、4値に対応してAM変
調でコイルを駆動するドライバ13、4値に対応してA
M変調で駆動されるコイル14A,14B,14C、電
磁誘導により結合されたコイル15A,15B、負電圧
除去用ダイオード33、4値の信号レベルに対応したデ
ジタルデータに変換・増幅するディテクタ17、ディテ
クタ17内で3種類の基準電圧と比較する3個のコンパ
レータ30,31,32、デジタルデータを復調するロ
ウパスフィルタ18、ロウパスフィルタ18のデジタル
データを2値のシリアルデータに変換するデコーダ1
9、2値のシリアルデータをパラレルデータに変換する
シフトレジスタ20,21を備え、ドライバ13が、4
値のデジタル信号からコイルの巻数比を変えることによ
り4値の信号レベルを発生し、また、3種類の基準電圧
を用意し、この基準電圧とコイルの受信レベルをコンパ
レータ30,31,32で比較することにより、4値の
信号レベルを元の4値のデジタル信号に変換するように
したので、1対のコイルで4値の信号を転送することが
できるため、従来の2値で転送する方式に較べて同一の
コイル面積で2倍の転送速度を得ることができ、高速な
非接触データ転送装置を実現することができる。
【0047】また、本方式ではコイルはプリント基板に
パターンを形成するだけであるため、光で転送を行う方
式に較べて低価格で実現できるというメリットがある。
【0048】なお、本回路のみでは片方向の送受信しか
できないが、同一の回路を付け加えることにより双方向
の送受信も可能である。
【0049】図4は本発明の第2の実施形態に係る非接
触データ転送装置の構成を示す回路図である。なお、本
実施形態に係る非接触データ転送装置の説明にあたり図
1に示す非接触データ転送装置と同一構成部分には同一
符号を付して重複部分の説明を省略する。
【0050】図4において、非接触データ転送装置は、
パラレルの奇数データをシリアル出力に変換するシフト
レジスタ10、パラレルの偶数データをシリアル出力に
変換するシフトレジスタ11、シフトレジスタ10のシ
リアル出力101とシフトレジスタ11のシリアル出力
102をデコードしデコード出力110〜113を出力
するデコーダ12、デコーダ12でデコードされた出力
110〜113が入力され、4値に対応してAM変調で
コイルを駆動するドライバ13、4値に対応してAM変
調で駆動されるコイル14A,14B,14C、コイル
14A,14B,14Cと電磁誘導により結合されたコ
イル15A,15B15、負電圧除去用ダイオード3
3、4値の信号レベルに対応したデジタルデータに変換
・増幅するディテクタ17、ディテクタ17出力を3種
類の基準電圧と比較する3個のコンパレータ30,3
1,32、コンパレータ30,31,32のデジタルデ
ータを復調するロウパスフィルタ18、ロウパスフィル
タ18のデジタルデータ124〜126を2値のシリア
ルデータに変換するデコーダ19、2値のシリアルデー
タを奇数のパラレルデータに変換するシフトレジスタ2
0、2値のシリアルデータを偶数のパラレルデータに変
換するシフトレジスタ21から構成される。
【0051】ここで、コイル14A,15Aはプリント
基板の片面に形成し、コイル14B、コイル15Bはプ
リント基板の裏面に形成する。その他の構成は第1の実
施形態と同様である。
【0052】図5は上記ドライバ13の構成を示す回路
図である。
【0053】図5において、入力信号を駆動するアナロ
グスイッチ(トランスミッションゲート)61〜64、
電源電圧Vccレベルの発振波形を出力する発振器25
1、(2/3)Vccレベルの発振波形を出力する発振
器251、(1/3)Vccレベルの発振波形を出力す
る発振器252から構成され、アナログスイッチ61〜
64は発振器251〜253からの発振波形を、制御端
子に入力された4値の信号110〜113によりAM変
調駆動する。
【0054】以下、上述のように構成された非接触デー
タ転送装置の動作を説明する。
【0055】図6は非接触データ転送装置の動作を説明
するためのタイミングチャートであり、図中の番号は図
4及び図5の各部の信号にそれぞれ対応する。
【0056】パラレルの奇数データがシフトレジスタ1
0に入力され、パラレルの偶数データがシフトレジスタ
11に入力された後、クロックがそれぞれのシフトレジ
スタ10,11に入力されると、シフトレジスタ10,
11は順次入力されたデータをシリアルに出力する。こ
のシリアル出力は、図6の101,102で示される。
【0057】このシリアル出力101,102はデコー
ダ12に入力され、デコーダ12は、シリアル出力10
1,102を基に、第1の実施形態の場合と同様にし
て、シリアル出力101,102が(1、1)のとき、
デコーダ12の出力113、112、111、110に
(1、0、0、0)を、シリアル出力101,102が
(1、0)のとき、デコーダ12の出力113、11
2、111、110に(0、1、0、0)を、シリアル
出力101,102が(0、1)のとき、デコーダ12
の出力113、112、111、110に(0、0、
1、0)を、シリアル出力101,102が(0、0)
のとき、デコーダ12の出力113、112、111、
110に(0、0、0、1)をそれぞれデコード出力す
る。
【0058】これはデータでは、それぞれ、“3”、
“2”、“1”、“0”に対応している。
【0059】デコーダ12の出力に対応して、ドライバ
13は図5に示す回路を使用することにより“3”の
時、N1とGNDの間を発振器251によるVCCレベ
ルの発振波形で駆動し、“2”の時Ν1とGNDの間を
発振器252による2/3VCCレベルの発振波形で駆
動し、“1”の時はΝ1とGNDの間を発振器253に
よる1/3VCCレベルの発振波形で駆動し、“0”の
時Ν1をGNDにする(図6参照)。
【0060】これにより、コイル14A,14Bと電磁
結合したコイル15Aとコイル15Bには“3”の時、
電圧V1が、“2”の時、電圧V2が、“1”の時、電
圧V3が、“0”の時、GNDレベルがそれぞれ発生す
る。駆動電圧が“3”の時は“1”の時の3倍になって
いるので、V1≒3×V3、また、駆動電圧が“2”の
時は“1”の時の1.5倍になっているのでV2≒1.
5×V3の関係が成り立つ。コイル15A,15Bの出
力はディテクタ17に入力される。
【0061】ここでV1>VREF1>V2>VREF
2>V3>VREF3>GNDになるように、各VRE
Fの値を設定し、コンパレータ30,31,32の一方
の入力に接続し、コンパレータ30,31,32の他方
の入力をコイル15A,15Bの出力に接続することに
よりコンパレータ30,31,32の出力121、12
2、123にはそれぞれ“3”の時、(1、1、1)
が、“2”の時、(0、1、1)が、“1”の時、
(0、0、1)が、“0”の時、(0、0、0)がそれ
ぞれ出力される。
【0062】このコンパレータ30,31,32の出力
は、図6に示すようにまだ発振波形であるので、ロウパ
スフイルタ18により復調してデコーダ19に入力し、
デコーダの出力131、132には“3”の時、(1、
1)が、“2”の時、(1、0)が、“1”の時、
(0、1)が、“0”の時、(0、0)がそれぞれ出力
される。
【0063】この出力130、131は、シフトレジス
タ20、21にクロックが入るたびにシリアルに順次入
力され、入力が完了した後、奇数のパラレルデータがシ
フトレジスタ20から、偶数のパラレルデータがシフト
レジスタ21から出力される。
【0064】以上説明したように、第2の実施形態に係
る非接触データ転送装置は、ドライバ13が、4値のデ
ジタル信号からコイルの駆動電圧のレベルを変えること
により4値の信号レベルを発生し、また、3種類の基準
電圧を用意し、この基準電庄とコイルの受信レベルをコ
ンパレータ30,31,32で比較することにより、4
値の信号レベルを元の4値のデジタル信号に変換するよ
うにしたので、第1の実施形態と同様に、1対のコイル
で4値の信号を転送することができるため、従来の2値
で転送する方式に較べて同一のコイル面積で2倍の転送
速度を得ることができ、高速な非接触データ転送装置を
実現することができる。
【0065】また、第1の実施形態と同様に、同一の回
路を付け加えることにより双方向の送受信も可能であ
る。
【0066】このように、上記各実施形態に係る非接触
データ転送装置は、簡単な回路構成でありながら、転送
速度を大幅に向上させることができ、種々のデジタル回
路内部に搭載することができるという優れた特長を有す
る。
【0067】なお、上記実施形態では8ビットのデジタ
ル信号を転送する回路について述べたが、同様の方法に
より8ビット以外のデジタル信号であっても適用できる
ことは言うまでもない。
【0068】また、4値の信号レベルとしているが、勿
論これには限定されず、2値以外の例えば3値でもよ
い。また、信号のデコードはどのような方法でもよいこ
とは言うまでもない。
【0069】また、上記非接触データ転送装置は、メモ
リカード等の非接触データ転送部に適用することができ
るが、非接触データ転送を行うものであればどのような
装置にも適用できることは言うまでもない。また、本実
施形態に係る非接触データ転送装置が装置内部に組み込
まれて設置されていてもよいし、あるいは独立した装置
に適用してもよい。
【0070】さらに、上記非接触データ転送装置及びド
ライバを構成するレジスタやバッファの種類や個数、接
続状態等は上記各実施形態に限定されない。
【0071】
【発明の効果】本発明に係る非接触データ転送装置及び
メモリカードでは、データ転送信号を多値化し、該多値
化に対応した信号レベルを発生する多値化手段と、多値
化された信号レベルをコイルの電磁結合により転送する
転送手段と、転送された信号レベルを所定の基準電圧と
比較して多値化信号に戻し、該多値化信号を元のデータ
転送信号に変換する変換手段とを備えて構成したので、
同一のコイル面積で例えば2倍の転送速度を得ることが
でき、高速な非接触データ転送装置及びメモリカードを
低価格で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した第1の実施形態に係る非接触
データ転送装置の構成を示す回路図である。
【図2】上記非接触データ転送装置のドライバの構成を
示す回路図である。
【図3】上記非接触データ転送装置の動作を説明するた
めのタイミングチャートである。
【図4】本発明を適用した第2の実施形態に係る非接触
データ転送装置の構成を示す回路図である。
【図5】上記非接触データ転送装置のドライバの構成を
示す回路図である。
【図6】上記非接触データ転送装置の動作を説明するた
めのタイミングチャートである。
【図7】従来の非接触メモリカードシステムの全体構成
を示すブロック図である。
【図8】従来の電磁結合方式を用いた非接触メモリカー
ドシステムのコイル制御回路のデータ転送部の回路図で
ある。
【符号の説明】
10,11,20,21 シフトレジスタ、12,19
デコーダ、13 ドライバ、14A,14B,14
C,15A,15B コイル、17 ディテクタ、3
0,31,32 コンパレータ、33 負電圧除去用ダ
イオード、18 ロウパスフィルタ、50〜53 トラ
イステートバッファ、61〜64 アナログスイッチ、
250〜253 発振器

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コイルの電磁結合によりデータ転送を行
    う非接触データ転送装置において、 データ転送信号を多値化し、該多値化に対応した信号レ
    ベルを発生する多値化手段と、 多値化された信号レベルをコイルの電磁結合により転送
    する転送手段と、 転送された信号レベルを所定の基準電圧と比較して多値
    化信号に戻し、該多値化信号を元のデータ転送信号に変
    換する変換手段とを備えたことを特徴とする非接触デー
    タ転送装置。
  2. 【請求項2】 前記多値化手段は、 コイルの巻数比を変えることにより多値の信号レベルを
    発生することを特徴とする請求項1記載の非接触データ
    転送装置。
  3. 【請求項3】 前記多値化手段は、 コイルの駆動電圧のレベルを変えることにより多値の信
    号レベルを発生することを特徴とする請求項1記載の非
    接触データ転送装置。
  4. 【請求項4】 前記データ転送信号は、 4値のデジタル信号であることを特徴とする請求項1記
    載の非接触データ転送装置。
  5. 【請求項5】 前記多値は、 4値であることを特徴とする請求項1、2又は3の何れ
    かに記載の非接触データ転送装置。
  6. 【請求項6】 メモリ部と、コイルの電磁結合によりデ
    ータ転送を行う非接触データ転送部とを備え、前記非接
    触データ転送部によりアドレス及びデータを送受信する
    メモリカードにおいて、 前記非接触データ転送部は、請求項1、2、3、4又は
    5に記載の非接触データ転送装置であることを特徴とす
    るメモリカード。
JP9321229A 1997-11-21 1997-11-21 非接触データ転送装置及びメモリカード Withdrawn JPH11154205A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7190728B2 (en) 2000-10-05 2007-03-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Digital data transmitter, transmission line encoding method, and decoding method
JP2008277941A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Nec Electronics Corp インタフェース回路
US7621452B2 (en) 2004-09-06 2009-11-24 Oki Data Corporation Electronic apparatus

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