JPH11145091A - Ｃｍｐ装置およびそれを用いた研磨方法ならびに半導体装置の製造方法 - Google Patents
Ｃｍｐ装置およびそれを用いた研磨方法ならびに半導体装置の製造方法Info
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- JPH11145091A JPH11145091A JP30297497A JP30297497A JPH11145091A JP H11145091 A JPH11145091 A JP H11145091A JP 30297497 A JP30297497 A JP 30297497A JP 30297497 A JP30297497 A JP 30297497A JP H11145091 A JPH11145091 A JP H11145091A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高性能でしかも高信頼度のＣＭＰ処理ができ
るＣＭＰ装置およびそれを用いた研磨方法ならびに半導
体集積回路装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 ＣＭＰ装置は、ＣＭＰプロセス室５と廃
液処理機能部７に連結されている廃液排出管８の途中に
検知用廃液排出口９が設けられており、検知用廃液排出
口９に廃液検知センサ１０が取り付けられているもので
ある。また、このＣＭＰ装置を用いた研磨方法は、ウエ
ハ１における絶縁膜または金属層を研磨すると共に絶縁
膜または金属層のＣＭＰ処理の加工終了判定を、廃液検
知センサ１０によって行うものである。
るＣＭＰ装置およびそれを用いた研磨方法ならびに半導
体集積回路装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 ＣＭＰ装置は、ＣＭＰプロセス室５と廃
液処理機能部７に連結されている廃液排出管８の途中に
検知用廃液排出口９が設けられており、検知用廃液排出
口９に廃液検知センサ１０が取り付けられているもので
ある。また、このＣＭＰ装置を用いた研磨方法は、ウエ
ハ１における絶縁膜または金属層を研磨すると共に絶縁
膜または金属層のＣＭＰ処理の加工終了判定を、廃液検
知センサ１０によって行うものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＭＰ装置および
それを用いた研磨方法ならびに半導体装置の製造方法に
関し、特に、高性能でしかも高信頼度のＣＭＰ処理がで
きるＣＭＰ装置およびそれを用いた研磨方法ならびに半
導体集積回路装置の製造方法に関するものである。
それを用いた研磨方法ならびに半導体装置の製造方法に
関し、特に、高性能でしかも高信頼度のＣＭＰ処理がで
きるＣＭＰ装置およびそれを用いた研磨方法ならびに半
導体集積回路装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ところで、本発明者は、半導体集積回路
装置の製造方法などに使用されているＣＭＰ（Chemical
Mechanical Polishing 、化学機械研磨）処理技術につ
いて検討した。以下は、本発明者によって検討された技
術であり、その概要は次のとおりである。
装置の製造方法などに使用されているＣＭＰ（Chemical
Mechanical Polishing 、化学機械研磨）処理技術につ
いて検討した。以下は、本発明者によって検討された技
術であり、その概要は次のとおりである。
【０００３】すなわち、ＬＳＩ（Large Scale Integrat
ed Circuit）などの半導体集積回路装置は、高集積化、
高速化および高性能化が推進されており、それに伴い半
導体素子が形成されている半導体基板の上の段差が増大
の一途をたどっていることにより、その平坦化技術とし
てＣＭＰ処理技術がＬＳＩなどの半導体集積回路装置の
製造歩留りおよび信頼度などを高めるための必須な技術
となっている。
ed Circuit）などの半導体集積回路装置は、高集積化、
高速化および高性能化が推進されており、それに伴い半
導体素子が形成されている半導体基板の上の段差が増大
の一途をたどっていることにより、その平坦化技術とし
てＣＭＰ処理技術がＬＳＩなどの半導体集積回路装置の
製造歩留りおよび信頼度などを高めるための必須な技術
となっている。
【０００４】そして、ＣＭＰ処理の加工終了判定は、Ｃ
ＭＰ装置の回転機構のトルク（回転によって発生する力
であり、研磨力である）が処理の前半と後半において変
化する現象を利用した方法や、研磨している膜の膜厚を
インサイチュ（in-situ ）膜厚モニタで測定する方法が
検討されたり適用されている。
ＭＰ装置の回転機構のトルク（回転によって発生する力
であり、研磨力である）が処理の前半と後半において変
化する現象を利用した方法や、研磨している膜の膜厚を
インサイチュ（in-situ ）膜厚モニタで測定する方法が
検討されたり適用されている。
【０００５】なお、ＣＭＰ処理技術やＣＭＰ装置につい
て記載されている文献としては、例えば１９９６年５月
１日、工業調査会発行の「電子材料１９９６年５月号」
ｐ２８〜ｐ３２に記載されているものがある。
て記載されている文献としては、例えば１９９６年５月
１日、工業調査会発行の「電子材料１９９６年５月号」
ｐ２８〜ｐ３２に記載されているものがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述したＣ
ＭＰ処理の加工終了判定におけるＣＭＰ装置の回転機構
のトルクが処理の前半と後半において変化する現象を利
用した方法において、トルク判定は、薄膜厚との対応が
悪いことにより、アンダーポリッシングおよびオーバー
ポリッシングを起こしてしまうので、ＣＭＰ処理の加工
終了判定が不完全となっている。
ＭＰ処理の加工終了判定におけるＣＭＰ装置の回転機構
のトルクが処理の前半と後半において変化する現象を利
用した方法において、トルク判定は、薄膜厚との対応が
悪いことにより、アンダーポリッシングおよびオーバー
ポリッシングを起こしてしまうので、ＣＭＰ処理の加工
終了判定が不完全となっている。
【０００７】また、ＣＭＰ処理の加工終了判定における
研磨している膜の膜厚をインサイチュ膜厚モニタで測定
する方法において、研磨している膜の膜厚の測定は、感
度的には良いが光学式のため、受光部の汚れにより感度
が経時的変化しやすくなることにより、アンダーポリッ
シングおよびオーバーポリッシングを起こしてしまうの
で、ＣＭＰ処理の加工終了判定が不完全となっている。
研磨している膜の膜厚をインサイチュ膜厚モニタで測定
する方法において、研磨している膜の膜厚の測定は、感
度的には良いが光学式のため、受光部の汚れにより感度
が経時的変化しやすくなることにより、アンダーポリッ
シングおよびオーバーポリッシングを起こしてしまうの
で、ＣＭＰ処理の加工終了判定が不完全となっている。
【０００８】さらに、前述したＣＭＰ処理の加工終了判
定を使用しているＣＭＰ装置において、ＣＭＰ処理の加
工終了判定を行う部分のメンテナンス時にＣＭＰ装置本
体の大規模な分解を伴うことにより、ＣＭＰ装置の稼働
率が低下するという問題点が発生している。
定を使用しているＣＭＰ装置において、ＣＭＰ処理の加
工終了判定を行う部分のメンテナンス時にＣＭＰ装置本
体の大規模な分解を伴うことにより、ＣＭＰ装置の稼働
率が低下するという問題点が発生している。
【０００９】本発明の目的は、高性能でしかも高信頼度
のＣＭＰ処理ができるＣＭＰ装置およびそれを用いた研
磨方法ならびに半導体集積回路装置の製造方法を提供す
ることにある。
のＣＭＰ処理ができるＣＭＰ装置およびそれを用いた研
磨方法ならびに半導体集積回路装置の製造方法を提供す
ることにある。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１２】すなわち、本発明のＣＭＰ装置は、ＣＭＰ
プロセス室と廃液処理機能部に連結されている廃液排出
管の途中に検知用廃液排出口が設けられており、検知用
廃液排出口に廃液検知センサが取り付けられているもの
である。
プロセス室と廃液処理機能部に連結されている廃液排出
管の途中に検知用廃液排出口が設けられており、検知用
廃液排出口に廃液検知センサが取り付けられているもの
である。
【００１３】また、本発明の研磨方法は、前記のＣＭＰ
装置を使用して、ウエハにおける絶縁膜または金属層を
研磨すると共に絶縁膜または金属層のＣＭＰ処理の加工
終了判定を、廃液検知センサによって行うものである。
装置を使用して、ウエハにおける絶縁膜または金属層を
研磨すると共に絶縁膜または金属層のＣＭＰ処理の加工
終了判定を、廃液検知センサによって行うものである。
【００１４】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
前記の研磨方法を使用して、ウエハにおける絶縁膜また
は金属層を研磨して、絶縁膜または金属層を平坦化する
製造工程を有するものである。
前記の研磨方法を使用して、ウエハにおける絶縁膜また
は金属層を研磨して、絶縁膜または金属層を平坦化する
製造工程を有するものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。
【００１６】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１であるＣＭＰ装置を一部断面化して示す概略側面
図である。
形態１であるＣＭＰ装置を一部断面化して示す概略側面
図である。
【００１７】図１に示すように、本実施の形態のＣＭＰ
装置は、定盤３の上に配置されているウエハホルダ２に
セットされているウエハ１に、ＣＭＰ処理を行うもので
ある。
装置は、定盤３の上に配置されているウエハホルダ２に
セットされているウエハ１に、ＣＭＰ処理を行うもので
ある。
【００１８】ＣＭＰ処理は、室壁４に囲まれているＣＭ
Ｐプロセス室５に配置されている回転機能部６を使用し
て行われている。すなわち、研磨剤としてスラリーを使
用して、回転機能部６に取り付けてある研磨パッドで、
ウエハ１をＣＭＰ処理している。
Ｐプロセス室５に配置されている回転機能部６を使用し
て行われている。すなわち、研磨剤としてスラリーを使
用して、回転機能部６に取り付けてある研磨パッドで、
ウエハ１をＣＭＰ処理している。
【００１９】本実施の形態のＣＭＰ装置の特徴は、ＣＭ
Ｐプロセス室５と廃液処理機能部７に連結されている廃
液排出管８の途中に検知用廃液排出口９が設けられてお
り、その検知用廃液排出口９に廃液検知センサ１０が差
し込み方式を用いて取り付けられていることにある。
Ｐプロセス室５と廃液処理機能部７に連結されている廃
液排出管８の途中に検知用廃液排出口９が設けられてお
り、その検知用廃液排出口９に廃液検知センサ１０が差
し込み方式を用いて取り付けられていることにある。
【００２０】この場合、廃液検知センサ１０は、研磨剤
としてのスラリーの性質変化を検知する廃液検知センサ
であり、バイオセンサなどのｐＨ（水素イオン指数）検
知センサまたは金属イオン含有値検知センサが適用され
ている。
としてのスラリーの性質変化を検知する廃液検知センサ
であり、バイオセンサなどのｐＨ（水素イオン指数）検
知センサまたは金属イオン含有値検知センサが適用され
ている。
【００２１】本実施の形態のＣＭＰ装置によれば、ＣＭ
Ｐプロセス室５と廃液処理機能部７に連結されている廃
液排出管８の途中に検知用廃液排出口９が設けられてお
り、その検知用廃液排出口９に廃液検知センサ１０が差
し込み方式を用いて取り付けられていることにより、検
知用廃液排出口９に廃液検知センサ１０を取り付けたり
取り外したりする際の着脱作業が廃液排出管８を分解す
ることなく行うことができるので、簡単な作業でしかも
短い交換時間によって行うことができる。
Ｐプロセス室５と廃液処理機能部７に連結されている廃
液排出管８の途中に検知用廃液排出口９が設けられてお
り、その検知用廃液排出口９に廃液検知センサ１０が差
し込み方式を用いて取り付けられていることにより、検
知用廃液排出口９に廃液検知センサ１０を取り付けたり
取り外したりする際の着脱作業が廃液排出管８を分解す
ることなく行うことができるので、簡単な作業でしかも
短い交換時間によって行うことができる。
【００２２】したがって、廃液検知センサ１０が廃液に
よって汚染されて、感度が劣化したり、故障が発生した
りした場合、別の廃液検知センサ（交換用の廃液検知セ
ンサ）１０を検知用廃液排出口９に簡単でしかも迅速に
取り付けることができることにより、メンテナンス時間
が少なくできるので、ＣＭＰ装置の稼働率を向上するこ
とができる。その結果、ＴＡＴ（Turn Around Turn）を
短縮することができることによって、ＣＭＰ処理を行う
場合のコストの低減化ができる。また、高性能でしかも
高信頼度のＣＭＰ処理ができるＣＭＰ装置とすることが
できる。
よって汚染されて、感度が劣化したり、故障が発生した
りした場合、別の廃液検知センサ（交換用の廃液検知セ
ンサ）１０を検知用廃液排出口９に簡単でしかも迅速に
取り付けることができることにより、メンテナンス時間
が少なくできるので、ＣＭＰ装置の稼働率を向上するこ
とができる。その結果、ＴＡＴ（Turn Around Turn）を
短縮することができることによって、ＣＭＰ処理を行う
場合のコストの低減化ができる。また、高性能でしかも
高信頼度のＣＭＰ処理ができるＣＭＰ装置とすることが
できる。
【００２３】本実施の形態のＣＭＰ装置を用いた研磨方
法は、前述したＣＭＰ装置を使用して、ウエハ１におけ
る絶縁膜または金属層を研磨すると共にその絶縁膜また
は金属層のＣＭＰ処理の加工終了判定を、廃液検知セン
サ１０によって行うものである。
法は、前述したＣＭＰ装置を使用して、ウエハ１におけ
る絶縁膜または金属層を研磨すると共にその絶縁膜また
は金属層のＣＭＰ処理の加工終了判定を、廃液検知セン
サ１０によって行うものである。
【００２４】そして、本実施の形態のＣＭＰ装置を用い
た研磨方法は、ウエハ１における絶縁膜が酸化シリコン
膜である場合、廃液検知センサ１０として、ｐＨ検知セ
ンサを適用している。
た研磨方法は、ウエハ１における絶縁膜が酸化シリコン
膜である場合、廃液検知センサ１０として、ｐＨ検知セ
ンサを適用している。
【００２５】また、本実施の形態のＣＭＰ装置を用いた
研磨方法は、ウエハ１における金属層が銅層、アルミニ
ウム層またはタングステン層である場合、廃液検知セン
サ１０として、金属イオン含有値検知センサを適用して
いる。
研磨方法は、ウエハ１における金属層が銅層、アルミニ
ウム層またはタングステン層である場合、廃液検知セン
サ１０として、金属イオン含有値検知センサを適用して
いる。
【００２６】本実施の形態のＣＭＰ装置およびそれを用
いた研磨方法において、廃液としてのスラリー（研磨
剤）にウエハ１における絶縁膜または金属層（この場合
の絶縁膜または金属層は被研磨物である）の材料が混ざ
ることにより、スラリーの性質が変化する。
いた研磨方法において、廃液としてのスラリー（研磨
剤）にウエハ１における絶縁膜または金属層（この場合
の絶縁膜または金属層は被研磨物である）の材料が混ざ
ることにより、スラリーの性質が変化する。
【００２７】本実施の形態のＣＭＰ装置を用いた研磨方
法によれば、前述したスラリーの性質の変化は、酸化シ
リコン膜などの絶縁膜を加工した場合は、ｐＨ値が変化
することにより、その変化をｐＨ検知センサにより高精
度に測定することができ、銅、アルミニウムまたはタン
グステンなどの金属層を加工した場合は、金属イオン含
有量が変化することにより、その変化を金属イオン含有
値検知センサにより高精度に測定することができる。
法によれば、前述したスラリーの性質の変化は、酸化シ
リコン膜などの絶縁膜を加工した場合は、ｐＨ値が変化
することにより、その変化をｐＨ検知センサにより高精
度に測定することができ、銅、アルミニウムまたはタン
グステンなどの金属層を加工した場合は、金属イオン含
有量が変化することにより、その変化を金属イオン含有
値検知センサにより高精度に測定することができる。
【００２８】また、スラリーの性質の変化は、絶縁膜ま
たは金属層からなる被研磨物のＣＭＰ処理による研磨量
に対応していることにより、絶縁膜または金属層からな
る被研磨物の設計仕様に応じた研磨量を廃液検地センサ
１０を使用して高精度に検知できるので、絶縁膜または
金属層からなる被研磨物のＣＭＰ法を使用して加工する
加工精度を高精度化することができる。また、ＣＭＰ処
理の加工終了点を高感度に検知できることにより、アン
ダーポリッシングおよびオーバーポリッシングによる加
工時間延長が防止できるので、スループット低下を防止
することができる。
たは金属層からなる被研磨物のＣＭＰ処理による研磨量
に対応していることにより、絶縁膜または金属層からな
る被研磨物の設計仕様に応じた研磨量を廃液検地センサ
１０を使用して高精度に検知できるので、絶縁膜または
金属層からなる被研磨物のＣＭＰ法を使用して加工する
加工精度を高精度化することができる。また、ＣＭＰ処
理の加工終了点を高感度に検知できることにより、アン
ダーポリッシングおよびオーバーポリッシングによる加
工時間延長が防止できるので、スループット低下を防止
することができる。
【００２９】したがって、本実施の形態のＣＭＰ装置を
用いた研磨方法によれば、高性能でしかも高信頼度のＣ
ＭＰ処理を行うことができる。また、本実施の形態のＣ
ＭＰ装置を用いた研磨方法を使用して製造する半導体装
置の半導体素子の損傷を防止できることにより、半導体
装置の製造歩留りの低下を防止することができる。
用いた研磨方法によれば、高性能でしかも高信頼度のＣ
ＭＰ処理を行うことができる。また、本実施の形態のＣ
ＭＰ装置を用いた研磨方法を使用して製造する半導体装
置の半導体素子の損傷を防止できることにより、半導体
装置の製造歩留りの低下を防止することができる。
【００３０】（実施の形態２）図２〜図１０は、本発明
の実施の形態２である半導体集積回路装置の製造工程を
示す断面図である。同図を用いて、本実施の形態の半導
体集積回路装置の製造方法について説明する。
の実施の形態２である半導体集積回路装置の製造工程を
示す断面図である。同図を用いて、本実施の形態の半導
体集積回路装置の製造方法について説明する。
【００３１】まず、例えばｐ型のシリコン単結晶からな
る半導体基板（ウエハ）１１の素子分離領域に熱酸化処
理を用いて酸化シリコン膜からなるフィールド絶縁膜１
２を形成する。次に、半導体基板１１の素子形成領域
に、ＭＯＳＦＥＴを形成する（図２）。
る半導体基板（ウエハ）１１の素子分離領域に熱酸化処
理を用いて酸化シリコン膜からなるフィールド絶縁膜１
２を形成する。次に、半導体基板１１の素子形成領域
に、ＭＯＳＦＥＴを形成する（図２）。
【００３２】すなわち、半導体基板（ウエハ）１１の素
子分離領域に熱酸化処理を用いて酸化シリコン膜からな
るフィールド絶縁膜１２を形成した後、半導体基板１１
の上に、例えば酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜１
３を形成した後、その上にゲート電極１４としての例え
ば不純物としてリンが含まれている多結晶シリコン膜を
形成し、その上に例えば酸化シリコン膜からなる絶縁膜
１５を形成した後、リソグラフィ技術と選択エッチング
技術とを使用してゲート電極などのパターンを形成す
る。
子分離領域に熱酸化処理を用いて酸化シリコン膜からな
るフィールド絶縁膜１２を形成した後、半導体基板１１
の上に、例えば酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜１
３を形成した後、その上にゲート電極１４としての例え
ば不純物としてリンが含まれている多結晶シリコン膜を
形成し、その上に例えば酸化シリコン膜からなる絶縁膜
１５を形成した後、リソグラフィ技術と選択エッチング
技術とを使用してゲート電極などのパターンを形成す
る。
【００３３】その後、半導体基板１１の上に、ＣＶＤ
（Chemical Vapor Deposition ）法を使用して、酸化シ
リコン膜（絶縁膜）を形成した後、リソグラフィ技術と
選択エッチング技術とを使用して、ゲート電極１４の側
壁にサイドウォールスペーサ１６を形成する。次にゲー
ト電極１４などからなるゲート領域をマスクとして、イ
オン注入法を使用して、例えばリンなどのｎ型の不純物
を半導体基板１１にイオン打ち込みした後、熱拡散処理
を行って、ソースおよびドレインとなる半導体領域１７
を形成する。
（Chemical Vapor Deposition ）法を使用して、酸化シ
リコン膜（絶縁膜）を形成した後、リソグラフィ技術と
選択エッチング技術とを使用して、ゲート電極１４の側
壁にサイドウォールスペーサ１６を形成する。次にゲー
ト電極１４などからなるゲート領域をマスクとして、イ
オン注入法を使用して、例えばリンなどのｎ型の不純物
を半導体基板１１にイオン打ち込みした後、熱拡散処理
を行って、ソースおよびドレインとなる半導体領域１７
を形成する。
【００３４】次に、半導体基板１１の上に、酸化シリコ
ン膜（絶縁膜）１８をＣＶＤ法を使用して形成する（図
３）。この場合、半導体基板１１の上にゲート電極１４
などが形成されているので、酸化シリコン膜１８の表面
には段差部が形成されている。
ン膜（絶縁膜）１８をＣＶＤ法を使用して形成する（図
３）。この場合、半導体基板１１の上にゲート電極１４
などが形成されているので、酸化シリコン膜１８の表面
には段差部が形成されている。
【００３５】その後、前述した実施の形態１のＣＭＰ装
置を用いた研磨方法を使用して、酸化シリコン膜１８の
研磨を行い、酸化シリコン膜１８の平面を平坦化して、
平坦化された酸化シリコン膜１８を形成する（図４）。
置を用いた研磨方法を使用して、酸化シリコン膜１８の
研磨を行い、酸化シリコン膜１８の平面を平坦化して、
平坦化された酸化シリコン膜１８を形成する（図４）。
【００３６】この場合、研磨剤としてシリカ系スラリー
を使用し、廃液検知センサ１０として、ｐＨ検知センサ
を適用している。また、ＣＭＰ処理の加工終了判定の際
のｐＨ値は、試作的に行った結果を利用している。
を使用し、廃液検知センサ１０として、ｐＨ検知センサ
を適用している。また、ＣＭＰ処理の加工終了判定の際
のｐＨ値は、試作的に行った結果を利用している。
【００３７】その結果、前述した実施の形態１のＣＭＰ
装置を用いた研磨方法を使用していることにより、酸化
シリコン膜１８の設計仕様に応じた研磨量を廃液検地セ
ンサ１０を使用して高精度に検知できるので、酸化シリ
コン膜１８からなる被研磨物のＣＭＰ法を使用して加工
する加工精度を高精度化することができる。また、ＣＭ
Ｐ処理の加工終了点を高感度に検知できることにより、
アンダーポリッシングおよびオーバーポリッシングによ
る加工時間延長が防止できるので、スループット低下を
防止することができる。したがって、高性能でしかも高
信頼度のＣＭＰ処理を行うことができる。
装置を用いた研磨方法を使用していることにより、酸化
シリコン膜１８の設計仕様に応じた研磨量を廃液検地セ
ンサ１０を使用して高精度に検知できるので、酸化シリ
コン膜１８からなる被研磨物のＣＭＰ法を使用して加工
する加工精度を高精度化することができる。また、ＣＭ
Ｐ処理の加工終了点を高感度に検知できることにより、
アンダーポリッシングおよびオーバーポリッシングによ
る加工時間延長が防止できるので、スループット低下を
防止することができる。したがって、高性能でしかも高
信頼度のＣＭＰ処理を行うことができる。
【００３８】次に、リソグラフィ技術と選択エッチング
技術とを使用して、酸化シリコン膜１８にスルーホール
（接続孔）１９を形成する（図５）。
技術とを使用して、酸化シリコン膜１８にスルーホール
（接続孔）１９を形成する（図５）。
【００３９】次に、半導体基板１１の上に、タングステ
ン層（金属層）２０をＣＶＤ法を使用して形成する（図
６）。この場合、酸化シリコン膜１８にスルーホール１
９が形成されているので、タングステン層２０の表面に
は段差部が形成されている。
ン層（金属層）２０をＣＶＤ法を使用して形成する（図
６）。この場合、酸化シリコン膜１８にスルーホール１
９が形成されているので、タングステン層２０の表面に
は段差部が形成されている。
【００４０】その後、前述した実施の形態１のＣＭＰ装
置を用いた研磨方法を使用して、タングステン層２０の
研磨を行い、酸化シリコン膜１８の上のタングステン層
２０を取り除いて、スルーホール１９に埋め込まれてい
るタングステン層２０からなるプラグ２１を形成する
（図７）。
置を用いた研磨方法を使用して、タングステン層２０の
研磨を行い、酸化シリコン膜１８の上のタングステン層
２０を取り除いて、スルーホール１９に埋め込まれてい
るタングステン層２０からなるプラグ２１を形成する
（図７）。
【００４１】この場合、研磨剤としてアルミナスラリー
を使用し、廃液検知センサ１０として、金属イオン含有
値検知センサを適用している。また、ＣＭＰ処理の加工
終了判定の際の金属イオン含有値は、試作的に行った結
果を利用している。
を使用し、廃液検知センサ１０として、金属イオン含有
値検知センサを適用している。また、ＣＭＰ処理の加工
終了判定の際の金属イオン含有値は、試作的に行った結
果を利用している。
【００４２】その結果、前述した実施の形態１のＣＭＰ
装置を用いた研磨方法を使用していることにより、プラ
グ２１を形成するためのタングステン層２０の設計仕様
に応じた研磨量を廃液検地センサ１０を使用して高精度
に検知できるので、タングステン層２０からなる被研磨
物のＣＭＰ法を使用して加工する加工精度を高精度化す
ることができる。また、ＣＭＰ処理の加工終了点を高感
度に検知できることにより、アンダーポリッシングおよ
びオーバーポリッシングによる加工時間延長が防止でき
るので、スループット低下を防止することができる。し
たがって、高性能でしかも高信頼度のＣＭＰ処理を行う
ことができる。
装置を用いた研磨方法を使用していることにより、プラ
グ２１を形成するためのタングステン層２０の設計仕様
に応じた研磨量を廃液検地センサ１０を使用して高精度
に検知できるので、タングステン層２０からなる被研磨
物のＣＭＰ法を使用して加工する加工精度を高精度化す
ることができる。また、ＣＭＰ処理の加工終了点を高感
度に検知できることにより、アンダーポリッシングおよ
びオーバーポリッシングによる加工時間延長が防止でき
るので、スループット低下を防止することができる。し
たがって、高性能でしかも高信頼度のＣＭＰ処理を行う
ことができる。
【００４３】次に、半導体基板１１の上に、配線層とし
ての銅層（金属層）２２をスパッタリング法を使用して
形成する（図８）。この場合、スパッタリング法の条件
やスパッタリング装置の動作状態などによって、銅層２
２の表面には微細な凹凸からなる段差部が形成されてい
る。また、配線層としての金属層は、銅層２２とは別の
態様であるアルミニウム層を適用することができる。
ての銅層（金属層）２２をスパッタリング法を使用して
形成する（図８）。この場合、スパッタリング法の条件
やスパッタリング装置の動作状態などによって、銅層２
２の表面には微細な凹凸からなる段差部が形成されてい
る。また、配線層としての金属層は、銅層２２とは別の
態様であるアルミニウム層を適用することができる。
【００４４】その後、前述した実施の形態１のＣＭＰ装
置を用いた研磨方法を使用して、銅層２２の研磨を行
い、銅層２２の平面を平坦化して、平坦化された銅層２
２を形成する（図９）。
置を用いた研磨方法を使用して、銅層２２の研磨を行
い、銅層２２の平面を平坦化して、平坦化された銅層２
２を形成する（図９）。
【００４５】この場合、研磨剤としてアルミナスラリー
を使用し、廃液検知センサ１０として、金属イオン含有
値検知センサを適用している。また、ＣＭＰ処理の加工
終了判定の際の金属イオン含有値は、試作的に行った結
果を利用している。
を使用し、廃液検知センサ１０として、金属イオン含有
値検知センサを適用している。また、ＣＭＰ処理の加工
終了判定の際の金属イオン含有値は、試作的に行った結
果を利用している。
【００４６】その結果、前述した実施の形態１のＣＭＰ
装置を用いた研磨方法を使用していることにより、配線
層を形成するための銅層２２の設計仕様に応じた研磨量
を廃液検地センサ１０を使用して高精度に検知できるの
で、銅層２２からなる被研磨物のＣＭＰ法を使用して加
工する加工精度を高精度化することができる。また、Ｃ
ＭＰ処理の加工終了点を高感度に検知できることによ
り、アンダーポリッシングおよびオーバーポリッシング
による加工時間延長が防止できるので、スループット低
下を防止することができる。したがって、高性能でしか
も高信頼度のＣＭＰ処理を行うことができる。
装置を用いた研磨方法を使用していることにより、配線
層を形成するための銅層２２の設計仕様に応じた研磨量
を廃液検地センサ１０を使用して高精度に検知できるの
で、銅層２２からなる被研磨物のＣＭＰ法を使用して加
工する加工精度を高精度化することができる。また、Ｃ
ＭＰ処理の加工終了点を高感度に検知できることによ
り、アンダーポリッシングおよびオーバーポリッシング
による加工時間延長が防止できるので、スループット低
下を防止することができる。したがって、高性能でしか
も高信頼度のＣＭＰ処理を行うことができる。
【００４７】次に、リソグラフィ技術と選択エッチング
技術とを使用して、銅層２２に配線層としてのパターン
を形成して、パターン化された配線層としての銅層２２
を形成する（図１０）。
技術とを使用して、銅層２２に配線層としてのパターン
を形成して、パターン化された配線層としての銅層２２
を形成する（図１０）。
【００４８】その後、前述した絶縁膜としての酸化シリ
コン膜１８の製造工程と配線層としての銅層２２の製造
工程などを使用して、半導体基板１１の上に、必要に応
じて層間絶縁膜と配線層とを積層させた後、パシベーシ
ョン膜を形成することにより、半導体集積回路装置の製
造工程を終了する。
コン膜１８の製造工程と配線層としての銅層２２の製造
工程などを使用して、半導体基板１１の上に、必要に応
じて層間絶縁膜と配線層とを積層させた後、パシベーシ
ョン膜を形成することにより、半導体集積回路装置の製
造工程を終了する。
【００４９】前述した本実施の形態の半導体集積回路装
置の製造方法によれば、前述した実施の形態１のＣＭＰ
装置を用いた研磨方法を使用して、絶縁膜としての酸化
シリコン膜１８およびプラグ２１を形成するためのタン
グステン層２０ならびに配線層を形成するための銅層２
２を平坦化する製造工程を有することにより、高性能で
しかも高信頼度のＣＭＰ処理を行うことができるので、
絶縁膜としての酸化シリコン膜１８およびプラグ２１を
形成するためのタングステン層２０ならびに配線層を形
成するための銅層２２を高精度に平坦化することができ
る。
置の製造方法によれば、前述した実施の形態１のＣＭＰ
装置を用いた研磨方法を使用して、絶縁膜としての酸化
シリコン膜１８およびプラグ２１を形成するためのタン
グステン層２０ならびに配線層を形成するための銅層２
２を平坦化する製造工程を有することにより、高性能で
しかも高信頼度のＣＭＰ処理を行うことができるので、
絶縁膜としての酸化シリコン膜１８およびプラグ２１を
形成するためのタングステン層２０ならびに配線層を形
成するための銅層２２を高精度に平坦化することができ
る。
【００５０】したがって、本実施の形態の半導体集積回
路装置の製造方法によれば、前述した実施の形態１のＣ
ＭＰ装置を用いた研磨方法を使用していることにより、
必要以上の研磨を防止できるので、ＭＯＳＦＥＴなどの
半導体素子の損傷を防止できると共に酸化シリコン膜１
８などの被研磨物の不良も防止できることによって、半
導体集積回路装置などの半導体装置の製造歩留りの低下
を防止することができる。
路装置の製造方法によれば、前述した実施の形態１のＣ
ＭＰ装置を用いた研磨方法を使用していることにより、
必要以上の研磨を防止できるので、ＭＯＳＦＥＴなどの
半導体素子の損傷を防止できると共に酸化シリコン膜１
８などの被研磨物の不良も防止できることによって、半
導体集積回路装置などの半導体装置の製造歩留りの低下
を防止することができる。
【００５１】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
【００５２】例えば、本発明のＣＭＰ装置を用いた研磨
方法は、半導体集積回路装置などの半導体装置の製造方
法以外に、ＬＣＤ（リキッド クリスタール デバイ
ス）製品の製造方法などに適用できる。
方法は、半導体集積回路装置などの半導体装置の製造方
法以外に、ＬＣＤ（リキッド クリスタール デバイ
ス）製品の製造方法などに適用できる。
【００５３】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体素子を形成する半導体基板をＳＯＩ（Silicon on
Insulator）基板などの基板に変更することができ、そ
れらの基板に、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴおよびバ
イポーラトランジスタなどの種々の半導体素子を組み合
わせた態様の半導体集積回路装置の製造方法とすること
ができる。
半導体素子を形成する半導体基板をＳＯＩ（Silicon on
Insulator）基板などの基板に変更することができ、そ
れらの基板に、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴおよびバ
イポーラトランジスタなどの種々の半導体素子を組み合
わせた態様の半導体集積回路装置の製造方法とすること
ができる。
【００５４】さらに、本発明の半導体装置の製造方法
は、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴ、ＢｉＣＭＯＳＦＥ
Ｔなどを構成要素とするＤＲＡＭ（Dynamic Random Acc
ess Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memor
y ）などのメモリ系、あるいはロジック系などを有する
種々の半導体集積回路装置の製造方法に適用できる。
は、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴ、ＢｉＣＭＯＳＦＥ
Ｔなどを構成要素とするＤＲＡＭ（Dynamic Random Acc
ess Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memor
y ）などのメモリ系、あるいはロジック系などを有する
種々の半導体集積回路装置の製造方法に適用できる。
【００５５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００５６】（１）．本発明のＣＭＰ装置によれば、Ｃ
ＭＰプロセス室と廃液処理機能部に連結されている廃液
排出管の途中に検知用廃液排出口が設けられており、そ
の検知用廃液排出口に廃液検知センサが差し込み方式を
用いて取り付けられていることにより、検知用廃液排出
口に廃液検知センサを取り付けたり取り外したりする際
の着脱作業が廃液排出管を分解することなく行うことが
できるので、簡単な作業でしかも短い交換時間によって
行うことができる。
ＭＰプロセス室と廃液処理機能部に連結されている廃液
排出管の途中に検知用廃液排出口が設けられており、そ
の検知用廃液排出口に廃液検知センサが差し込み方式を
用いて取り付けられていることにより、検知用廃液排出
口に廃液検知センサを取り付けたり取り外したりする際
の着脱作業が廃液排出管を分解することなく行うことが
できるので、簡単な作業でしかも短い交換時間によって
行うことができる。
【００５７】したがって、廃液検知センサが廃液によっ
て汚染されて、感度が劣化したり、故障が発生したりし
た場合、別の廃液検知センサ（交換用の廃液検知セン
サ）を検知用廃液排出口に簡単でしかも迅速に取り付け
ることができることにより、メンテナンス時間が少なく
できるので、ＣＭＰ装置の稼働率を向上することができ
る。その結果、ＴＡＴを短縮することができることによ
って、ＣＭＰ処理を行う場合のコストの低減化ができ
る。また、高性能でしかも高信頼度のＣＭＰ処理ができ
るＣＭＰ装置とすることができる。
て汚染されて、感度が劣化したり、故障が発生したりし
た場合、別の廃液検知センサ（交換用の廃液検知セン
サ）を検知用廃液排出口に簡単でしかも迅速に取り付け
ることができることにより、メンテナンス時間が少なく
できるので、ＣＭＰ装置の稼働率を向上することができ
る。その結果、ＴＡＴを短縮することができることによ
って、ＣＭＰ処理を行う場合のコストの低減化ができ
る。また、高性能でしかも高信頼度のＣＭＰ処理ができ
るＣＭＰ装置とすることができる。
【００５８】（２）．本発明のＣＭＰ装置を用いた研磨
方法によれば、研磨剤としてのスラリーの性質の変化
は、酸化シリコン膜などの絶縁膜を加工した場合は、ｐ
Ｈ値が変化することにより、その変化をｐＨ検知センサ
により高精度に測定することができ、銅、アルミニウム
またはタングステンなどの金属層を加工した場合は、金
属イオン含有量が変化することにより、その変化を金属
イオン含有値検知センサにより高精度に測定することが
できる。
方法によれば、研磨剤としてのスラリーの性質の変化
は、酸化シリコン膜などの絶縁膜を加工した場合は、ｐ
Ｈ値が変化することにより、その変化をｐＨ検知センサ
により高精度に測定することができ、銅、アルミニウム
またはタングステンなどの金属層を加工した場合は、金
属イオン含有量が変化することにより、その変化を金属
イオン含有値検知センサにより高精度に測定することが
できる。
【００５９】また、スラリーの性質の変化は、絶縁膜ま
たは金属層からなる被研磨物のＣＭＰ処理による研磨量
に対応していることにより、絶縁膜または金属層からな
る被研磨物の設計仕様に応じた研磨量を廃液検地センサ
を使用して高精度に検知できるので、絶縁膜または金属
層からなる被研磨物のＣＭＰ法を使用して加工する加工
精度を高精度化することができる。また、ＣＭＰ処理の
加工終了点を高感度に検知できることにより、アンダー
ポリッシングおよびオーバーポリッシングによる加工時
間延長が防止できるので、スループット低下を防止する
ことができる。
たは金属層からなる被研磨物のＣＭＰ処理による研磨量
に対応していることにより、絶縁膜または金属層からな
る被研磨物の設計仕様に応じた研磨量を廃液検地センサ
を使用して高精度に検知できるので、絶縁膜または金属
層からなる被研磨物のＣＭＰ法を使用して加工する加工
精度を高精度化することができる。また、ＣＭＰ処理の
加工終了点を高感度に検知できることにより、アンダー
ポリッシングおよびオーバーポリッシングによる加工時
間延長が防止できるので、スループット低下を防止する
ことができる。
【００６０】したがって、本発明のＣＭＰ装置を用いた
研磨方法によれば、高性能でしかも高信頼度のＣＭＰ処
理を行うことができる。また、本発明のＣＭＰ装置を用
いた研磨方法を使用して製造する半導体装置の半導体素
子の損傷を防止できることにより、半導体装置の製造歩
留りの低下を防止することができる。
研磨方法によれば、高性能でしかも高信頼度のＣＭＰ処
理を行うことができる。また、本発明のＣＭＰ装置を用
いた研磨方法を使用して製造する半導体装置の半導体素
子の損傷を防止できることにより、半導体装置の製造歩
留りの低下を防止することができる。
【００６１】（３）．本発明の半導体装置の製造方法に
よれば、前記のＣＭＰ装置を用いた研磨方法を使用し
て、絶縁膜としての酸化シリコン膜およびプラグを形成
するためのタングステン層ならびに配線層を形成するた
めの銅層などの被研磨物を平坦化する製造工程を有する
ことにより、高性能でしかも高信頼度のＣＭＰ処理を行
うことができるので、絶縁膜としての酸化シリコン膜お
よびプラグを形成するためのタングステン層ならびに配
線層を形成するための銅層などの被研磨物を高精度に平
坦化することができる。
よれば、前記のＣＭＰ装置を用いた研磨方法を使用し
て、絶縁膜としての酸化シリコン膜およびプラグを形成
するためのタングステン層ならびに配線層を形成するた
めの銅層などの被研磨物を平坦化する製造工程を有する
ことにより、高性能でしかも高信頼度のＣＭＰ処理を行
うことができるので、絶縁膜としての酸化シリコン膜お
よびプラグを形成するためのタングステン層ならびに配
線層を形成するための銅層などの被研磨物を高精度に平
坦化することができる。
【００６２】したがって、本発明の半導体装置の製造方
法によれば、前記のＣＭＰ装置を用いた研磨方法を使用
していることにより、必要以上の研磨を防止できるの
で、ＭＯＳＦＥＴなどの半導体素子の損傷を防止できる
と共に酸化シリコン膜などの被研磨物の不良も防止でき
ることによって、半導体集積回路装置などの半導体装置
の製造歩留りの低下を防止することができる。
法によれば、前記のＣＭＰ装置を用いた研磨方法を使用
していることにより、必要以上の研磨を防止できるの
で、ＭＯＳＦＥＴなどの半導体素子の損傷を防止できる
と共に酸化シリコン膜などの被研磨物の不良も防止でき
ることによって、半導体集積回路装置などの半導体装置
の製造歩留りの低下を防止することができる。
【図１】本発明の実施の形態１であるＣＭＰ装置を一部
断面化して示す概略側面図である。
断面化して示す概略側面図である。
【図２】本発明の実施の形態２である半導体集積回路装
置の製造工程を示す断面図である。
置の製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２である半導体集積回路装
置の製造工程を示す断面図である。
置の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態２である半導体集積回路装
置の製造工程を示す断面図である。
置の製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２である半導体集積回路装
置の製造工程を示す断面図である。
置の製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２である半導体集積回路装
置の製造工程を示す断面図である。
置の製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２である半導体集積回路装
置の製造工程を示す断面図である。
置の製造工程を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態２である半導体集積回路装
置の製造工程を示す断面図である。
置の製造工程を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２である半導体集積回路装
置の製造工程を示す断面図である。
置の製造工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２である半導体集積回路
装置の製造工程を示す断面図である。
装置の製造工程を示す断面図である。
１ ウエハ ２ ウエハホルダ ３ 空盤 ４ 室壁 ５ ＣＭＰプロセス室 ６ 回転機能部 ７ 廃液処理機能部 ８ 廃液排出管 ９ 検知用廃液排出口 １０ 廃液検知センサ １１ 半導体基板（ウエハ） １２ フィールド絶縁膜 １３ ゲート絶縁膜 １４ ゲート電極 １５ 絶縁膜 １６ サイドウォールスペーサ １７ 半導体領域 １８ 酸化シリコン膜（絶縁膜） １９ スルーホール ２０ タングステン層（金属層） ２１ プラグ ２２ 銅層（金属層）
Claims (9)
- 【請求項１】 ＣＭＰプロセス室と廃液処理機能部に連
結されている廃液排出管の途中に検知用廃液排出口が設
けられており、前記検知用廃液排出口に廃液検知センサ
が取り付けられていることを特徴とするＣＭＰ装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のＣＭＰ装置であって、前
記廃液検知センサは、研磨剤としてのスラリーの性質変
化を検知する廃液検知センサであることを特徴とするＣ
ＭＰ装置。 - 【請求項３】 請求項２記載のＣＭＰ装置であって、前
記廃液検知センサは、ｐＨ検知センサであることを特徴
とするＣＭＰ装置。 - 【請求項４】 請求項２記載のＣＭＰ装置であって、前
記廃液検知センサは、金属イオン含有値検知センサであ
ることを特徴とするＣＭＰ装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載のＣ
ＭＰ装置を使用して、ウエハにおける絶縁膜または金属
層を研磨すると共に前記絶縁膜または金属層のＣＭＰ処
理の加工終了判定を、前記廃液検知センサによって行う
ことを特徴とする研磨方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の研磨方法であって、前記
絶縁膜は、酸化シリコン膜であり、前記廃液検知センサ
は、ｐＨ検知センサであることを特徴とする研磨方法。 - 【請求項７】 請求項５記載の研磨方法であって、前記
金属層は、銅層、アルミニウム層またはタングステン層
であり、前記廃液検知センサは、金属イオン含有値検知
センサであることを特徴とする研磨方法。 - 【請求項８】 請求項５〜７のいずれか１項に記載の研
磨方法を使用して、ウエハにおける絶縁膜または金属層
を研磨して、前記絶縁膜または金属層を平坦化する工程
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の半導体装置の製造方法で
あって、前記絶縁膜は、酸化シリコン膜からなる絶縁膜
であり、前記金属層は、銅またはアルミニウムからなる
配線層あるいはタングステン層からなるプラグであるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30297497A JPH11145091A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | Ｃｍｐ装置およびそれを用いた研磨方法ならびに半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30297497A JPH11145091A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | Ｃｍｐ装置およびそれを用いた研磨方法ならびに半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145091A true JPH11145091A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=17915412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30297497A Pending JPH11145091A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | Ｃｍｐ装置およびそれを用いた研磨方法ならびに半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11145091A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6251784B1 (en) * | 1998-12-08 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | Real-time control of chemical-mechanical polishing processing by monitoring ionization current |
| JP2007520083A (ja) * | 2004-01-26 | 2007-07-19 | ティービーダブリュ インダストリーズ，インコーポレーテッド | 現場調整プロセスを使用する化学機械的平坦化プロセス制御 |
| WO2021220787A1 (ja) * | 2020-04-27 | 2021-11-04 | コニカミノルタ株式会社 | 研磨システム |
| CN115443206B (zh) * | 2020-04-27 | 2024-06-04 | 柯尼卡美能达株式会社 | 研磨系统 |
-
1997
- 1997-11-05 JP JP30297497A patent/JPH11145091A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6251784B1 (en) * | 1998-12-08 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | Real-time control of chemical-mechanical polishing processing by monitoring ionization current |
| JP2007520083A (ja) * | 2004-01-26 | 2007-07-19 | ティービーダブリュ インダストリーズ，インコーポレーテッド | 現場調整プロセスを使用する化学機械的平坦化プロセス制御 |
| WO2021220787A1 (ja) * | 2020-04-27 | 2021-11-04 | コニカミノルタ株式会社 | 研磨システム |
| CN115443206A (zh) * | 2020-04-27 | 2022-12-06 | 柯尼卡美能达株式会社 | 研磨系统 |
| TWI801842B (zh) * | 2020-04-27 | 2023-05-11 | 日商柯尼卡美能達股份有限公司 | 研磨系統 |
| CN115443206B (zh) * | 2020-04-27 | 2024-06-04 | 柯尼卡美能达株式会社 | 研磨系统 |
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