JPH11144338A - Thin film forming apparatus to disk-shaped optical recording medium material and thin-film forming method - Google Patents

Thin film forming apparatus to disk-shaped optical recording medium material and thin-film forming method

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JPH11144338A
JPH11144338A JP32695497A JP32695497A JPH11144338A JP H11144338 A JPH11144338 A JP H11144338A JP 32695497 A JP32695497 A JP 32695497A JP 32695497 A JP32695497 A JP 32695497A JP H11144338 A JPH11144338 A JP H11144338A
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JP
Japan
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thin film
magnetic field
sputtering
optical recording
angle
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Application number
JP32695497A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuji Miura
裕司 三浦
Yasutomo Aman
康知 阿萬
Kiyoto Shibata
清人 柴田
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To lessen the occurrence of differences in film thickness at various parts in the formation of thin films when the revolution number of magnets is small and due to the differences in the position of the magnets in an initial period of sputtering, and the nonuniformity in the erosion of a target the thin film in a device for forming a thin film to a disk-shaped optical recording medium material. SOLUTION: This apparatus has a rotating means 8 which is mounted at a magnetic field generating means 6 and rotates the magnetic field generating means 6, number of revolution detecting means 9, 10, 11 which are mounted at the revolving shaft of the rotating means 8 and a control means 12 which controls the rotation of the rotating means 8 in such a manner that the number of revolutions at the time necessary for one time of thin film formation is a natural number and controls the rotation start angle of the magnetic field generating means 6 at every starting time of the sputtering so as deviate the angle by a prescribed angle from the start angle of the previous time. The rotation is so controlled that the number of revolutions of the rotating means 8 at the time necessary for one time of thin film formation attains the natural number.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、円盤状光学記録媒
体の製造方法に関し、特に、円盤状光学記録媒体の製造
における円盤状光学記録媒体の基材等の表面に反射層と
してスパッタリングで薄膜を形成する方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a disc-shaped optical recording medium, and more particularly, to a method for producing a disc-shaped optical recording medium by sputtering a thin film on a surface of a substrate or the like of the disc-shaped optical recording medium as a reflective layer. It relates to a method of forming.

【0002】[0002]

【従来の技術】円盤状光学記録媒体を製造するために
は、その基材等の表面にレーザー光の反射層を形成する
必要があり、そのために例えばCD(Compact
Disk)ではアルミニウムの100μm程度の蒸着が
行われている。ところが、例えば、記録可能なCD−R
(CD−Recordable)の場合には、記録層に
シアニン系色素やフタロシアニン系色素或いはアゾ系色
素のような有機色素を用いていること等から、その上に
形成する反射層としては有機色素と化合しにくい金を材
料として使用し、融点温度の高いこと等から蒸着ではな
くスパッタリングにより100μm程度の薄膜を形成す
るようにしている。ここで、CD−Rの構造を簡単に説
明すると、1.2mm程度の円盤上の透明で高強度のポ
リカーボネート等の高分子材料の片側の表面に形成され
た100μm程度の有機色素の薄膜を記録層が有り、そ
の上にスパッタリングで形成された100μm程度の金
の薄膜が反射層として有り、さらにその上に形成された
5μm程度の保護層が有る。従って、CD−Rへの記録
や読み出しは、上記の上記の記録層や反射層の形成され
ていない側から透明の高分子材料を通過したレーザ光等
で行われる。ところで、スパッタリングでは、放電によ
り飛び出したイオン等により正極のターゲット物質を負
極の基板等の表面に付着させて薄膜を形成できる技術で
あり、そのスパッタリングのチャンバーに磁界を印加す
ることで、ターゲーット物質の負極への付着速度を促進
できることが知られている。そのような磁界を印加する
マグネトロンスパッタリング装置では、マグネットが使
用されているが、固定されたマグネットの磁界では電子
等の運動領域が限定されてしまい、基板に付着するター
ゲット物質のスパッタリング薄膜の膜厚の分布が基板上
の各部で異なり、膜厚分布の均一性が悪いことが問題と
なり易い。基板上の薄膜の膜厚分布の均一性が悪いと、
基板全体で所定の反射特性を得るためにはもっとも膜厚
の薄い部分が所定の膜厚を満足するように薄膜を形成す
る必要があり、全体の平均膜厚は増加するので、1回の
スパッタリングにかかる時間は増加して生産効率を下が
る。また、スパッタリングのターゲット材料も多く必要
になるので高価な金の材料コストが増加する。更に、均
一性が悪いことから所定以上の膜圧が得られるように生
産工程を設定しても薄膜が部分的に所定の膜厚に達しな
い不良も発生しやすく、その点でも生産効率が下がるこ
とになる。その膜厚分布の均一性を改善するために、マ
グネットを回転できるようにしてスパッタリング中にマ
グネットを回転させることで、磁界の影響が基板内の特
定な領域だけに偏って生じないようにしてスパッタリン
グが行われるようになった。
2. Description of the Related Art In order to manufacture a disk-shaped optical recording medium, it is necessary to form a laser light reflecting layer on the surface of a substrate or the like. For this purpose, for example, a CD (Compact) is required.
Disk), about 100 μm of aluminum is deposited. However, for example, a recordable CD-R
In the case of (CD-Recordable), since the recording layer uses an organic dye such as a cyanine dye, a phthalocyanine dye, or an azo dye, the reflection layer formed thereon is compounded with an organic dye. Gold is used as a material, and a thin film of about 100 μm is formed by sputtering instead of vapor deposition because of its high melting point. Here, the structure of the CD-R will be briefly described. A thin film of an organic dye of about 100 μm formed on one surface of a transparent and high-strength polymer material such as polycarbonate on a disc of about 1.2 mm is recorded. There is a layer, a gold thin film of about 100 μm formed by sputtering is provided thereon as a reflective layer, and a protective layer of about 5 μm is formed thereon. Therefore, recording and reading to and from the CD-R are performed by a laser beam or the like that has passed through a transparent polymer material from the side where the above-mentioned recording layer and reflective layer are not formed. By the way, sputtering is a technique in which a thin film can be formed by attaching a target material of a positive electrode to the surface of a substrate of a negative electrode or the like by ions or the like ejected by discharge, and applying a magnetic field to the sputtering chamber to form a target material. It is known that the rate of attachment to the negative electrode can be increased. Magnets are used in magnetron sputtering apparatuses that apply such a magnetic field, but the magnetic field of the fixed magnet limits the range of movement of electrons and the like, and the thickness of the sputtering thin film of the target material attached to the substrate Is different at each part on the substrate, and the uniformity of the film thickness distribution tends to be problematic. If the uniformity of the film thickness distribution of the thin film on the substrate is poor,
In order to obtain a predetermined reflection characteristic over the entire substrate, it is necessary to form a thin film so that the thinnest portion satisfies the predetermined film thickness, and the average thickness of the entire film increases. Time increases and production efficiency decreases. In addition, a large amount of sputtering target material is required, so that the cost of expensive gold material increases. Further, even if the production process is set so as to obtain a film pressure higher than a predetermined value due to poor uniformity, a defect that the thin film partially does not reach the predetermined film thickness easily occurs, which also lowers the production efficiency. Will be. In order to improve the uniformity of the film thickness distribution, the magnet can be rotated and the magnet is rotated during sputtering, so that the influence of the magnetic field is not biased to a specific area within the substrate and sputtering is performed. Began to take place.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年に
なり生産効率の観点からは薄膜の形成時間の短縮が望ま
れ、生産コストの観点からは、薄膜の膜厚のさらなる均
一性を進めて、生産性向上と製造コスト削減が望まれる
ようになり、単にマグネットを回転させるだけではこれ
以上の改善は難しくなってきている。具体的には、例え
ば、薄膜の形成時間において時間短縮或いはマグネット
を回転させる手段(モータ等)の小型化や安価なモータ
の使用を可能にするということから1回のスパッタリン
グでのマグネットの回転数を削減したり、薄膜材料の金
の使用量削減のために薄膜の膜厚もさらに必要最小限の
厚みで均一に形成することが望まれている。上記マグネ
ットの回転数を少なくすることによる膜厚の課題を説明
するため一例を挙げる。例えば、1回のスパッタリング
に、99回転半だけマグネットを回転できる場合と、1
回転半しかマグネットを回転できない場合を考えると、
前者の99回転半の場合には、基板上に99回転分しか
マグネットを回転してスパッタリングしていない部分
と、100回転分マグネットが回転してスパッタリング
が行われた部分が半分ずつ存在することになる。それに
対して1回転半しかマグネットを回転できない場合に
は、基板上に1回転分しかマグネットを回転してスパッ
タリングしていない部分と、2回転分マグネットが回転
してスパッタリングが行われた部分が半分ずつ存在する
ことになる。基板上において、99回分のマグネットが
回転してスパッタリングが行われた部分と、100回分
のマグネットが回転してスパッタリングが行われた部分
では、1%の違いが1枚の基板上に存在することになる
が、1回分のマグネットが回転してスパッタリングが行
われた部分と、2回分のマグネットが回転してスパッタ
リングが行われた部分では、50%の違いが1枚の基板
上に存在することになる。即ち、マグネットの回転数が
少なくなると、マグネットの回転により掃引された部分
とされない部分では薄膜の形成で膜厚に違いを大きく生
じ、膜厚分布に対する影響が大きくなる。又、上記のよ
うに1回のスパッタリングに用いられるマグネットの回
転数が少なくなると、膜厚を均一にして薄膜を形成する
場合にスパッタリング開始時のマグネットの位置による
磁界が与える影響が大きくなる。更に、膜厚を均一にし
て薄膜を形成する場合の課題としては、スパッタリング
の放電電圧を安定制御することは難しく、特に放電初期
において高くなりやすく、スパッタリングで金等が付着
される基板の表面状態によっては放電初期の電圧は通常
の放電電圧よりも相当に高くなり、その放電初期のマグ
ネットの位置したところのターゲットの金等の減少量だ
け増加し、ターゲットのエロージョンの不均一化が起き
てしまう。本発明は、マグネットの回転数が少ない場合
の薄膜の形成で各部に生じる膜厚の違いを減らし、又、
スパッタリング初期におけるマグネットの位置によっ
て、薄膜の形成で膜厚に生じる違いが生じたり、ターゲ
ットのエロージョンの不均一化が起きることを減少させ
ることを課題とする。
However, in recent years, it has been desired to reduce the time for forming a thin film from the viewpoint of production efficiency, and from the viewpoint of production cost, it is necessary to further improve the uniformity of the film thickness of the thin film. There has been a demand for improved performance and reduced manufacturing costs, and it is becoming difficult to achieve further improvements by simply rotating the magnet. Specifically, for example, the number of rotations of the magnet in one sputtering is reduced because the time required for forming the thin film is reduced, or the means for rotating the magnet (such as a motor) can be reduced in size and an inexpensive motor can be used. It is desired that the thickness of the thin film be further reduced to the required minimum and uniform in order to reduce the amount of gold used in the thin film material. An example will be described to explain the problem of the film thickness caused by reducing the number of rotations of the magnet. For example, a case where the magnet can be rotated by 99 turns and a half in one sputtering,
Considering the case where only half a turn can rotate the magnet,
In the former case of 99 rotations and a half, there is a portion where the magnet is rotated and sputtered for only 99 rotations on the substrate and a half where the magnet is rotated and the sputtering is performed for 100 rotations half each. Become. On the other hand, when the magnet can be rotated only one and a half rotations, the part where the magnet is rotated and the sputtering is performed only one rotation on the substrate and the part where the magnet is rotated and the sputtering is performed two rotations are half. Will be present one by one. On the substrate, there is a 1% difference on one substrate between the portion where the magnet was rotated and sputtered 99 times and the portion where the magnet was rotated and sputtered 100 times. However, there is a 50% difference on one substrate between the part where the magnet is rotated for one time and the sputtering is performed and the part where the magnet is rotated and the sputtering for two times is performed. become. In other words, when the number of rotations of the magnet decreases, the difference in film thickness between the portion swept by the rotation of the magnet and the portion not swept due to the formation of the thin film greatly increases, and the influence on the film thickness distribution increases. Further, when the number of rotations of the magnet used for one sputtering is reduced as described above, the influence of the magnetic field due to the position of the magnet at the start of sputtering when forming a thin film with a uniform film thickness increases. Further, when forming a thin film with a uniform film thickness, it is difficult to stably control the discharge voltage of sputtering, and it tends to increase particularly in the initial stage of discharge, and the surface state of the substrate to which gold or the like is attached by sputtering. In some cases, the voltage at the beginning of discharge is considerably higher than the normal discharge voltage, and increases by the amount of reduction of gold or the like at the target where the magnet is located at the beginning of discharge, causing non-uniform erosion of the target. . The present invention reduces the difference in film thickness generated in each part in the formation of a thin film when the number of rotations of the magnet is small,
It is an object of the present invention to reduce the occurrence of a difference in film thickness when a thin film is formed and the occurrence of non-uniform erosion of a target depending on the position of a magnet in an early stage of sputtering.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明では、円盤状光学記録媒体材料の表面へ磁
界を発生させてスパッタリングを行うマグネトロンスパ
ッタリングを用いて薄膜を形成する薄膜形成装置におい
て、磁界発生手段に取り付けられて該磁界発生手段を回
転させるの回転手段と、1回の薄膜形成に必要な時間に
おける前記回転手段の回転数が自然数になるように回転
を制御する制御手段とを有することを特徴とする。その
制御手段における制御としては、該回転手段の回転数と
1回の薄膜形成に要する時間との積が自然数であるよう
に回転速度を制御するようにした。又、円盤状光学記録
媒体材料の表面へ磁界を発生させてスパッタリングを行
うマグネトロンスパッタリングを用いて薄膜を形成する
薄膜形成装置において、磁界発生手段に取り付けられて
該磁界発生手段を回転させるの回転手段と、スパッタリ
ングの開始時毎の前記磁界発生手段の回転開始角度を前
回の開始角度と所定角度ずらして開始するように制御す
る制御手段とを有することを特徴とする。上記のように
スパッタリングにおけるマグネットの回転速度とスパッ
タリング初期のマグネットの位置を制御することで、少
ない回転数の場合でも膜厚に違いを少なくし、スパッタ
リング開始時のターゲットの付着の偏りも少なくした薄
膜の形成が可能になる。
In order to achieve the above object, the present invention provides a thin film forming apparatus for forming a thin film using magnetron sputtering in which a magnetic field is generated on the surface of a disc-shaped optical recording medium material to perform sputtering. A rotating means attached to the magnetic field generating means for rotating the magnetic field generating means, and a control means for controlling the rotation so that the number of rotations of the rotating means in a time required for one thin film formation becomes a natural number. It is characterized by having. As the control by the control means, the rotation speed is controlled such that the product of the rotation number of the rotation means and the time required for one thin film formation is a natural number. Further, in a thin film forming apparatus for forming a thin film using magnetron sputtering for generating a magnetic field on the surface of a disc-shaped optical recording medium material and performing sputtering, a rotating means attached to the magnetic field generating means for rotating the magnetic field generating means And control means for controlling the rotation start angle of the magnetic field generation means at each start of sputtering to be shifted from the previous start angle by a predetermined angle. By controlling the rotation speed of the magnet in sputtering and the position of the magnet at the beginning of sputtering as described above, the difference in film thickness is reduced even at a small number of rotations, and the bias of the target adhesion at the start of sputtering is also reduced. Can be formed.

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】以下に図を用いて本発明の実施の
形態について説明する。図1は、本発明の円盤状光学記
録媒体材料への薄膜形成装置の一実施形態のマグネトロ
ンスパッタ装置の概略の構成を示す図である。尚、図1
では、本発明に関係する要部を中心に示し、薄膜形成装
置の動作上としては重要であっても、本発明にあまり関
係しない部分については図示を一部で省略している。ス
パッタ室1は、スパッタリングにおいて放電させて後述
するターゲットを基板に付着させて薄膜を形成させるた
めの空間(チャンバ)である。ターゲット2は、スパッ
タリングにおいて、薄膜の基となる材料であり、放電に
より発生した電子、陽電子がターゲットの材料にぶつか
ってスパッタ室1の空間にはじき出されて飛び出し、飛
び出したターゲット材料が後述する基板に付着して薄膜
となる。基板3は、その表面にターゲット材料の薄膜が
形成される円盤状光学記録媒体材料である。インナーマ
スク4は、スパッタリングで薄膜の形成を行わない基板
3上の中心部分をマスキングするマスキング材である。
アウターマスク5は、スパッタリングで薄膜の形成を行
わない基板3上の周辺部分をマスキングするマスキング
材である。マグネット6は、スパッタ室1に磁界を印加
してターゲット材料の付着速度を進めるためのものであ
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a magnetron sputtering apparatus according to one embodiment of the apparatus for forming a thin film on a disc-shaped optical recording medium material of the present invention. FIG.
Here, the main parts related to the present invention are mainly shown, and parts that are important for the operation of the thin film forming apparatus but are not so relevant to the present invention are partially omitted in the drawings. The sputter chamber 1 is a space (chamber) for forming a thin film by causing a discharge in sputtering and attaching a target described below to the substrate. The target 2 is a material serving as a base of a thin film in sputtering. Electrons and positrons generated by electric discharge collide with the material of the target and are repelled to the space of the sputtering chamber 1 to fly out. Adheres to a thin film. The substrate 3 is a disc-shaped optical recording medium material on which a thin film of a target material is formed. The inner mask 4 is a masking material for masking a central portion on the substrate 3 where a thin film is not formed by sputtering.
The outer mask 5 is a masking material for masking a peripheral portion on the substrate 3 where a thin film is not formed by sputtering. The magnet 6 is for applying a magnetic field to the sputtering chamber 1 to increase the attachment speed of the target material.

【0006】マグネット回転軸7は、マグネットを回転
させるためのものであり、マグネット6が編心して取り
付けられる。モータ8は、マグネット回転軸7と接続し
てマグネットを回転させるためのモータで、例えば、ス
テッピングモータのように所定の角度制御が可能なモー
タである。エンコーダ9は、マグネット回転軸7に取り
付けられて、後述する半導体レーザ10の光の通過と阻
止によりパルス化して出力しモータ8の回転角や回転速
度を知るためのものである。半導体レーザ10は、エン
コーダ9でパルス信号化されて後述する受光部11へ供
給されるレーザ信号の光源である。受光部11は、エン
コーダ9でモータ8の回転により信号化されたパルス信
号を受信するものである。エンコーダ信号処理および回
転数制御機器12は、エンコーダ9の出力信号からマグ
ネットの位置や回転数を検出し、モータ8の位置や回転
数の制御用の信号を出力するためのものである。モータ
駆動機器13は、エンコーダ信号処理および回転数制御
機器12からの制御用信号に基づいてモータ8の駆動用
の信号や電力を供給する。スパッタ条件管理機器14
は、他の諸条件と共にエンコーダ信号処理および回転数
制御機器12からのマグネットの位置や回転数の信号に
より、スパッタリングの開始から終了までの時間を決定
する。
The magnet rotating shaft 7 is for rotating the magnet, and the magnet 6 is attached in a braided manner. The motor 8 is a motor connected to the magnet rotating shaft 7 for rotating the magnet, and is a motor capable of controlling a predetermined angle like a stepping motor, for example. The encoder 9 is attached to the magnet rotating shaft 7 and outputs a pulse formed by passing and blocking light of a semiconductor laser 10 described later to know the rotation angle and the rotation speed of the motor 8. The semiconductor laser 10 is a light source of a laser signal that is converted into a pulse signal by the encoder 9 and supplied to the light receiving unit 11 described below. The light receiving unit 11 receives a pulse signal converted into a signal by the rotation of the motor 8 by the encoder 9. The encoder signal processing and rotation speed control device 12 detects the position and rotation speed of the magnet from the output signal of the encoder 9 and outputs a signal for controlling the position and rotation speed of the motor 8. The motor drive device 13 supplies a drive signal and power for the motor 8 based on the encoder signal processing and the control signal from the rotation speed control device 12. Sputter condition management equipment 14
Determines the time from the start to the end of the sputtering based on the encoder signal processing and the signal of the magnet position and the rotation speed from the rotation speed control device 12 together with other conditions.

【0007】上記の構成において、エンコーダ9でパル
ス化された半導体レーザ10の光源を受光部11で受信
した信号は、エンコーダ信号処理および回転数制御機器
12でマグネットの位置や回転数の信号となり、モータ
駆動機器13とスパッタ条件管理機器14へ入力され
る。スパッタ条件管理機器14へ入力された信号により
マグネットの位置を予め設定された角度だけずらすよう
にする。そのための信号をエンコーダ信号処理および回
転数制御機器12にフィードバックで返してモータ駆動
機器13でモータ8を駆動してマグネット6を移動させ
る。マグネットの位置をずらす量としては、ターゲット
のエロージョンの不均一化を防ぐことが目的であるの
で、モータ8のステッピングとエンコーダ9の分解能と
エンコーダ信号処理および回転数制御機器12で処理可
能なモータ8の制御可能な角度から、例えば、エンコー
ダ信号処理および回転数制御機器12に持たせた乱数表
を用いてランダムにスパッタリングの開始位置を選択す
ることで偏ったターゲットのエロージョンを防ぐことが
可能となる。又、別の方法としては、スパッタリングの
開始角度をエンコーダ信号処理および回転数制御機器1
2に持たすか外部に接続した不揮発性の記憶手段に記憶
させておき、エンコーダ信号処理および回転数制御機器
12で統計処理を行って、最もスパッタリングの開始実
績の少ない角度を選ぶことで偏ったターゲットのエロー
ジョンを防ぐことが可能となる。更に、上記の両方の方
法を組み合わせて、偏ったターゲットのエロージョンを
防ぐこともできる。
In the above configuration, the signal received by the light receiving section 11 from the light source of the semiconductor laser 10 pulsed by the encoder 9 becomes a signal of the position and the number of rotations of the magnet by the encoder signal processing and rotation number control device 12. The data is input to the motor driving device 13 and the sputtering condition management device 14. The position of the magnet is shifted by a preset angle in accordance with a signal input to the sputtering condition management device 14. A signal for this is returned to the encoder signal processing and rotation speed control device 12 by feedback, and the motor 8 is driven by the motor driving device 13 to move the magnet 6. Since the amount of shifting the position of the magnet is to prevent uneven erosion of the target, stepping of the motor 8, resolution of the encoder 9, encoder signal processing, and a motor 8 that can be processed by the rotation speed control device 12 are performed. It is possible to prevent biased target erosion by randomly selecting the sputtering start position from the controllable angle by using, for example, a random number table provided in the encoder signal processing and the rotation speed control device 12. . Further, as another method, the start angle of sputtering is determined by encoder signal processing and rotation speed control equipment 1.
2 or stored in a non-volatile storage means connected externally, and subjected to statistical processing by the encoder signal processing and the rotation speed control device 12 to select an angle with the smallest start record of sputtering. Erosion can be prevented. Furthermore, the erosion of a biased target can be prevented by combining the above two methods.

【0008】一方、モータ駆動機器13に入力するエン
コーダ信号処理および回転数制御機器12からの回転数
の信号は、マグネットの回転速度をr[rpm ]、1回の
スパッタリングに必要な時間をt[sec ]とすると、r
/60×t=N(Nは自然数)の式を満足するようにフ
ィードバック制御される。この式は、 rが毎分毎の回
転数を示すことから、r/60は毎秒毎の回転数を示
し、1回のスパッタリングに必要なt秒での全回転数が
N(Nは自然数)となるように制御する、即ち、1回の
スパッタリングにおける開始角度と終了角度が同じであ
る自然数の回転数で終了するように制御するということ
を意味している。ここでの制御方法も、上記のマグネッ
トの始動位置の制御と同様な構成で行われる。更に、そ
の構成において、エンコーダ9でパルス化された半導体
レーザ10の光源を受光部11で受信した信号が、エン
コーダ信号処理および回転数制御機器12でマグネット
の位置や回転数の信号となり、モータ駆動機器13とス
パッタ条件管理機器14へ入力されるところまでは、ほ
ぼ上記のマグネットの始動位置の制御と同様である。ス
パッタ条件管理機器14へ入力された信号は、予め設定
されたスパッタリングに必要な時間と共に処理されて、
回転数が自然数で終了するように制御する信号が、エン
コーダ信号処理および回転数制御機器12を経由してモ
ータ駆動機器13へフィードバックされてモータ8の回
転が駆動制御される。モータ8が駆動制御されるので、
結果的にモータ8に接続したマグネット6の回転角度も
モータ8の制御された角度に制御され、スパッタリング
の開始時のマグネットの角度と終了時の角度を同じにし
て、回転数が自然数(正の正数)となるように制御する
ことができる。
On the other hand, the encoder signal processing input to the motor driving device 13 and the rotation speed signal from the rotation speed control device 12 indicate that the rotation speed of the magnet is r [rpm] and the time required for one sputtering is t [ sec], r
Feedback control is performed so as to satisfy the expression of / 60 × t = N (N is a natural number). In this formula, since r indicates the number of rotations per minute, r / 60 indicates the number of rotations per second, and the total number of rotations at t seconds required for one sputtering is N (N is a natural number) That is, it means that the control is performed such that the sputtering is completed at a natural number of revolutions having the same start angle and end angle in one sputtering. The control method here is also performed in the same configuration as the control of the starting position of the magnet described above. Further, in this configuration, the signal received by the light receiving unit 11 of the light source of the semiconductor laser 10 pulsed by the encoder 9 becomes a signal of the position and the number of rotations of the magnet by the encoder signal processing and rotation number control device 12, Up to the point of input to the device 13 and the sputtering condition management device 14, the control of the starting position of the magnet is substantially the same as that described above. The signal input to the sputtering condition management device 14 is processed together with a preset time necessary for sputtering,
A signal for controlling the rotation speed to end at a natural number is fed back to the motor driving device 13 via the encoder signal processing and the rotation speed control device 12, so that the rotation of the motor 8 is drive-controlled. Since the drive of the motor 8 is controlled,
As a result, the rotation angle of the magnet 6 connected to the motor 8 is also controlled to the controlled angle of the motor 8 so that the angle of the magnet at the start of sputtering and the angle at the end thereof are the same, and the rotation number is a natural number (positive number). (Positive number).

【0009】図2は、本発明の回転を制御した場合と、
従来の回転制御を行わない場合とで、スパッタリングさ
れた基板上の各角度における薄膜の膜厚の違いを示す図
である。図2(a)の横軸は、スパッタリングされる基
板の中心からの角度を示し、縦軸は、各角度におけるス
パッタリングされた薄膜の膜厚を示している。図2
(a)中で点線で従来の回転制御されない膜厚、実線で
本発明の回転制御された膜圧が示され、従来は180°
と270°の間に大きな膜厚の減少する角度が有り、逆
に360°近くでは膜厚の増加する角度が有る。この従
来の膜厚の変化は、ほとんどの原因がマグネットのスパ
ッタリング開始時と終了時の位置によるもので、本発明
によりマグネットの位置制御を行った場合の図2(a)
の実線では、従来のような大きな膜厚の変化は見受けら
れない。図2(b)は、スパッタリングされた基板の中
心からの角度θと、図2(a)の薄膜の膜厚の測定位置
を説明する図である。図2(b)において、角度θを0
°から初めて、モータ8の制御可能な角度毎に測定位置
(外周に近い円周部分)での薄膜の膜厚を測定を行い、
その結果を連続させたものが図2(a)である。
FIG. 2 shows the case where the rotation of the present invention is controlled,
FIG. 7 is a diagram showing a difference in film thickness of a thin film at each angle on a sputtered substrate when a conventional rotation control is not performed. The horizontal axis in FIG. 2A shows the angle from the center of the substrate to be sputtered, and the vertical axis shows the thickness of the sputtered thin film at each angle. FIG.
In (a), the dotted line indicates the film thickness not controlled by the conventional rotation, and the solid line indicates the film pressure controlled by the rotation of the present invention.
And 270 °, there is a large angle at which the film thickness decreases, and conversely, near 360 °, there is an angle at which the film thickness increases. This conventional change in film thickness is mostly due to the position of the magnet at the start and end of sputtering, and FIG. 2 (a) when the position of the magnet is controlled according to the present invention.
In the solid line, there is no large change in the film thickness as in the prior art. FIG. 2B is a diagram illustrating an angle θ from the center of the sputtered substrate and a measurement position of the thin film thickness in FIG. 2A. In FIG. 2B, the angle θ is set to 0.
Starting from °, the thickness of the thin film at the measurement position (circumferential portion close to the outer periphery) is measured at each controllable angle of the motor 8,
FIG. 2A shows a series of the results.

【0010】図3は、図2の本発明と従来の薄膜の膜厚
の違いを示す図で、更に内周部と外周部における膜厚差
を求めるための測定位置を示す図である。円盤状光学記
録媒体の基板上で測定ラインを0°から60°毎に測定
ライン1〜6の6本の測定ラインを設定し、それぞれの
ライン毎に内周部と中周部と外周部の3カ所の測定ポイ
ントを設定する。このように測定ポイントを設定するこ
とで、内周部と中周部及び外周部の膜厚に差が生じるか
否かを判定することができる。表1は、図3の各測定ポ
イントにおけるグルーブ反射率の測定で膜圧が所定の膜
厚に達しているか否かを評価した結果を示す。尚、表1
中では、グルーブ反射率の所定の規格値を満足した場合
を○とし、規格値に達していない場合を×で示した。
FIG. 3 is a diagram showing the difference in film thickness between the present invention and the conventional thin film shown in FIG. 2, and is a diagram showing measurement positions for obtaining a film thickness difference between an inner peripheral portion and an outer peripheral portion. On the substrate of the disc-shaped optical recording medium, six measurement lines are set as measurement lines 1 to 6 every 0 ° to 60 °, and an inner peripheral portion, a middle peripheral portion, and an outer peripheral portion are set for each line. Set three measurement points. By setting the measurement points in this way, it is possible to determine whether or not there is a difference in the film thickness between the inner peripheral portion, the middle peripheral portion, and the outer peripheral portion. Table 1 shows the results of evaluating whether or not the film pressure has reached a predetermined film thickness by measuring the groove reflectance at each measurement point in FIG. Table 1
Among them, the case where a predetermined standard value of the groove reflectance was satisfied was indicated by ○, and the case where the standard value was not reached was indicated by ×.

【0011】[0011]

【表1】 従来の回転制御を行わない基板では測定ライン1では中
周部と外周部で膜厚が不足しており、測定ライン2では
外周部で膜厚が不足していることが判断できる。この不
足部が、図2(a)の従来の膜厚の落ち込み部分に相当
する。それに対して、本発明の回転制御を行った基板で
は、全てのラインで膜厚が初手位置に達していることが
判断できる。このように、本発明の円盤状光学記録媒体
材料への薄膜形成装置を用いることで、基板上の膜厚を
均一にすることができる。尚、本実施形態では、モータ
の回転角度の検出にエンコーダと光学的な検出手段を用
いたが、本発明はこれに限られるものではなく機械的な
検出や磁気的な検出手段を用いても本発明の実施が可能
である。
[Table 1] It can be determined that the thickness of the measurement line 1 is insufficient at the middle and outer circumferences of the substrate on which conventional rotation control is not performed, and that the thickness of the measurement line 2 is insufficient at the outer circumference. This lacking portion corresponds to the portion where the conventional film thickness falls in FIG. 2A. On the other hand, in the substrate on which the rotation control of the present invention has been performed, it can be determined that the film thickness has reached the initial position in all the lines. As described above, by using the apparatus for forming a thin film on a disc-shaped optical recording medium material of the present invention, the film thickness on the substrate can be made uniform. In the present embodiment, the encoder and the optical detecting means are used for detecting the rotation angle of the motor. However, the present invention is not limited to this, and mechanical detection or magnetic detecting means may be used. Implementation of the present invention is possible.

【0012】[0012]

【発明の効果】以上のように本発明に係る円盤状光学記
録媒体材料への薄膜形成装置では、スパッタリングにお
けるマグネットの回転速度とスパッタリング初期のマグ
ネットの位置を制御することで、マグネットの回転数が
少ない場合の薄膜の形成で各部に生じる膜厚の違いを減
らし、又、スパッタリング初期におけるマグネットの位
置によるスパッタリング開始時のターゲットの付着の偏
りも少なくし、薄膜の形成時の膜厚に生じる違いや、タ
ーゲットのエロージョンの不均一化が起きることを減少
させることができる。従って、スパッタリングでの高速
な薄膜の形成でも、膜厚の分布を均一にすることがで
き、ターゲット材料も必要最小限で希望する特性を満足
する円盤状光学記録媒体を得ることができる。
As described above, in the apparatus for forming a thin film on a disc-shaped optical recording medium material according to the present invention, the number of rotations of the magnet is controlled by controlling the rotation speed of the magnet in sputtering and the position of the magnet at the beginning of sputtering. In the case of thin film formation, the difference in film thickness that occurs in each part due to the formation of the thin film is reduced, and the bias of the attachment of the target at the start of sputtering due to the position of the magnet in the early stage of sputtering is also reduced. In addition, non-uniformity of target erosion can be reduced. Therefore, even when a high-speed thin film is formed by sputtering, the distribution of the film thickness can be made uniform, and a disk-shaped optical recording medium that satisfies desired characteristics can be obtained with a minimum necessary target material.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の円盤状光学記録媒体材料への薄膜形成
装置の一実施形態のマグネトロンスパッタ装置の概略の
構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a magnetron sputtering apparatus of one embodiment of a thin film forming apparatus for a disc-shaped optical recording medium material according to the present invention.

【図2】(a)及び(b)は本発明の回転を制御した場
合と、従来の回転制御を行わない場合で、スパッタリン
グされた円盤状光学記録媒体上の各角度における薄膜の
膜厚の違いを示す図である。
FIGS. 2 (a) and (b) show the case where the rotation is controlled according to the present invention and the case where the conventional rotation control is not performed. It is a figure showing a difference.

【図3】図2の本発明と従来の薄膜の膜厚の違いを示す
図で、更に内周部と外周部における膜厚差を求めるため
の測定位置を示す図である。
3 is a diagram showing a difference in film thickness between a thin film of the present invention and a conventional thin film in FIG. 2, and further shows a measurement position for obtaining a film thickness difference between an inner peripheral portion and an outer peripheral portion.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・スパッタ室、 2・・・ターゲット、 3・・
・基板、 4・・・インナーマスク、 5・・・アウタ
ーマスク、 6・・・マグネット、 7・・・マグネッ
ト回転軸、 8・・・モータ、 9・・・エンコーダ、
10・・・半導体レーザ、 11・・・受光部、 1
2・・・エンコーダ信号処理および回転数制御機器、
13・・・モータ駆動機器、 14・・・スパッタ条件
管理機器
1 ... sputter chamber, 2 ... target, 3 ...
・ Substrate, 4 ・ ・ ・ Inner mask, 5 ・ ・ ・ Outer mask, 6 ・ ・ ・ Magnet, 7 ・ ・ ・ Magnet rotating shaft, 8 ・ ・ ・ Motor, 9 ・ ・ ・ Encoder,
10: semiconductor laser, 11: light receiving unit, 1
2 ... Encoder signal processing and rotation speed control device
13 ... motor drive equipment, 14 ... sputter condition management equipment

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁界を発生させてスパッタリングを行う
マグネトロンスパッタリングを用いて円盤状光学記録媒
体材料の表面へ薄膜を形成する薄膜形成装置において、 磁界発生手段に取り付けられて該磁界発生手段を回転さ
せるの回転手段と、 1回の薄膜形成に必要な時間における前記回転手段の回
転数が自然数になるように回転を制御する制御手段と、 を有することを特徴とする円盤状光学記録媒体材料への
薄膜形成装置。
1. A thin film forming apparatus for forming a thin film on the surface of a disc-shaped optical recording medium material by using magnetron sputtering for generating a magnetic field and performing sputtering, the thin film forming apparatus being attached to a magnetic field generating means and rotating the magnetic field generating means. A rotating means, and a control means for controlling the rotation so that the number of rotations of the rotating means in a time required for one thin film formation becomes a natural number. Thin film forming equipment.
【請求項2】 前記制御手段は、マグネットの回転速度
をr [rpm]として1回の薄膜形成に必要な時間をt
[sec]とした時に、毎秒毎の回転数と時間tとの積
の式r/60×tが自然数Nとなるように制御すること
を特徴とする請求項1に記載の円盤状光学記録媒体材料
への薄膜形成装置。
2. The control means sets the time required for one thin film formation to t [rotational speed] of the magnet as r [rpm].
2. The disk-shaped optical recording medium according to claim 1, wherein when [sec] is set, a formula r / 60 × t of the product of the number of rotations per second and the time t is controlled to be a natural number N. Equipment for forming thin films on materials.
【請求項3】 前記回転手段の回転軸部に回転角度の検
出手段を有し、前記制御手段は、該検出手段の検出信号
により回転数を求めて制御することを特徴とする請求項
1又は2に記載の円盤状光学記録媒体材料への薄膜形成
装置。
3. The apparatus according to claim 1, further comprising a rotation angle detecting means provided on a rotating shaft of said rotating means, wherein said control means obtains and controls the number of rotations based on a detection signal of said detecting means. 3. The apparatus for forming a thin film on a disc-shaped optical recording medium material according to item 2.
【請求項4】 前記制御手段は、前記1回の薄膜形成に
必要な時間を設定することにより、前記磁界発生手段の
回転数を決定して制御することを特徴とする請求項2に
記載の円盤状光学記録媒体材料への薄膜形成装置。
4. The apparatus according to claim 2, wherein said control means determines and controls the rotation speed of said magnetic field generating means by setting a time required for said one thin film formation. An apparatus for forming thin films on disc-shaped optical recording medium materials.
【請求項5】 磁界を発生させてスパッタリングを行う
マグネトロンスパッタリングを用いて円盤状光学記録媒
体材料の表面へ薄膜を形成する薄膜形成装置において、 磁界発生手段に取り付けられて該磁界発生手段を回転さ
せるの回転手段と、 スパッタリングの開始時毎の前記磁界発生手段の回転開
始角度を前回の開始角度と所定角度ずらして開始するよ
うに制御する制御手段と、 を有することを特徴とする円盤状光学記録媒体材料への
薄膜形成装置。
5. A thin film forming apparatus for forming a thin film on the surface of a disc-shaped optical recording medium material by using magnetron sputtering for generating a magnetic field and performing sputtering, the thin film forming apparatus being attached to a magnetic field generating means and rotating the magnetic field generating means. And a control means for controlling the rotation start angle of the magnetic field generating means at each start of sputtering to be shifted by a predetermined angle from the previous start angle, and a disk-shaped optical recording characterized by comprising: Equipment for forming thin films on media materials.
【請求項6】 前記回転手段の回転軸部に回転角度の検
出手段を有し、 前記制御手段は、スパッタリングの開始時毎の前記磁界
発生手段の回転開始角度を前記検出手段の検出信号によ
り前回の開始角度と所定角度ずらして開始するように制
御することを特徴とする請求項5に記載の円盤状光学記
録媒体材料への薄膜形成装置。
6. A rotating shaft portion of said rotating means has a rotating angle detecting means, and said control means determines a rotation starting angle of said magnetic field generating means at each time of starting of sputtering by a detection signal of said detecting means at a previous time. The apparatus for forming a thin film on a disc-shaped optical recording medium material according to claim 5, wherein the apparatus is controlled so as to start at a predetermined angle from the start angle of the optical recording medium.
【請求項7】 前記制御手段は、スパッタリングの開始
時毎の前記磁界発生手段の回転開始角度を、第1のスパ
ッタリングと第2のスパッタリングの間の待機時間に、
前回の開始角度と所定角度ずらすように制御することを
特徴とする請求項5に記載の円盤状光学記録媒体材料へ
の薄膜形成装置。
7. The control unit sets a rotation start angle of the magnetic field generation unit at each start of sputtering to a standby time between the first sputtering and the second sputtering,
The apparatus for forming a thin film on a disc-shaped optical recording medium material according to claim 5, wherein the apparatus is controlled so as to be shifted by a predetermined angle from a previous start angle.
【請求項8】 前記制御手段でずらされる所定角度は、
前記回転手段で制御可能な回転角度からランダムに選ば
れることを特徴とする請求項7に記載の円盤状光学記録
媒体材料への薄膜形成装置。
8. The predetermined angle shifted by the control means,
The apparatus for forming a thin film on a disc-shaped optical recording medium material according to claim 7, wherein the apparatus is randomly selected from rotation angles that can be controlled by the rotation means.
【請求項9】 前記制御手段でずらされる所定角度は、
前記回転手段で制御可能な回転角度からスパッタリング
で使用された実績のある開始角度を統計処理した最も実
績の少ない角度が選ばれることを特徴とする請求項7に
記載の円盤状光学記録媒体材料への薄膜形成装置。
9. The predetermined angle shifted by the control means,
8. The disc-shaped optical recording medium material according to claim 7, wherein an angle having the least performance obtained by statistically processing a start angle used in sputtering is selected from a rotation angle controllable by the rotating means. Thin film forming equipment.
【請求項10】 磁界発生手段を回転させてマグネトロ
ンスパッタリングを行い円盤状光学記録媒体材料へ薄膜
を形成する方法において、 磁界発生手段の回転角度を検出し、 1回の薄膜形成における各回転角度での磁界強度の積分
値が全回転角で均一になるように演算し、 前記演算結果に従い、前記磁界発生手段の回転を制御す
ることを特徴とする円盤状光学記録媒体材料への薄膜形
成方法。
10. A method of forming a thin film on a disc-shaped optical recording medium material by magnetron sputtering by rotating a magnetic field generating means, wherein a rotation angle of the magnetic field generating means is detected, and each rotation angle in one thin film formation is used. A method for forming a thin film on a disc-shaped optical recording medium material, wherein the integrated value of the magnetic field strength is calculated so as to be uniform at all rotation angles, and the rotation of the magnetic field generating means is controlled according to the calculation result.
【請求項11】 磁界発生手段を回転させてマグネトロ
ンスパッタリングを行い円盤状光学記録媒体材料へ薄膜
を形成する方法において、 磁界発生手段の回転角度を検出し、 検出した前記回転角度の変移と時間から回転速度を求
め、1回の薄膜形成において角回転角における磁界発生
手段の通過時間の積分値が全ての検出された回転角度で
均一になるように回転速度と回転角度を演算し、 前記演算結果に従い、前記磁界発生手段の回転を制御す
ることを特徴とする円盤状光学記録媒体材料への薄膜形
成方法。
11. A method for forming a thin film on a disc-shaped optical recording medium material by rotating a magnetic field generating means to perform magnetron sputtering, comprising detecting a rotation angle of the magnetic field generating means, and detecting a change in the detected rotation angle and time. The rotational speed is determined, and the rotational speed and the rotational angle are calculated such that the integral value of the passage time of the magnetic field generating means at the angular rotational angle in one thin film formation is uniform at all the detected rotational angles. And controlling the rotation of said magnetic field generating means according to the following.
【請求項12】 磁界発生手段に取り付けられて該磁界
発生手段を回転させるの回転手段と、該回転手段の回転
数と1回の薄膜形成に要する時間との積が自然数となる
ように回転速度を制御する制御手段とを有し、円盤状光
学記録媒体材料の表面へ磁界を発生させてスパッタリン
グを行うマグネトロンスパッタリングを用いて薄膜を形
成する薄膜形成装置により製造された円盤状光学記録媒
体。
12. A rotating means attached to the magnetic field generating means for rotating the magnetic field generating means, and a rotating speed such that the product of the number of rotations of the rotating means and the time required for one thin film formation becomes a natural number. A disk-shaped optical recording medium manufactured by a thin film forming apparatus that forms a thin film using magnetron sputtering that generates a magnetic field on the surface of a disk-shaped optical recording medium material and performs sputtering.
JP32695497A 1997-11-12 1997-11-12 Thin film forming apparatus to disk-shaped optical recording medium material and thin-film forming method Pending JPH11144338A (en)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1109166A1 (en) * 1999-12-14 2001-06-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Recording medium and method of manufacturing same
US8585873B2 (en) * 2004-10-16 2013-11-19 Aviza Technology Limited Methods and apparatus for sputtering
US8663432B2 (en) 2008-02-13 2014-03-04 Shibaura Mechatronics Corporation Magnetron sputtering apparatus and magnetron sputtering method
CN106868465A (en) * 2017-02-23 2017-06-20 北京创世威纳科技有限公司 A kind of device for vacuum chamber magnetron sputtering
CN106906448A (en) * 2017-02-23 2017-06-30 北京创世威纳科技有限公司 A kind of heater for vacuum chamber
JP2019019376A (en) * 2017-07-18 2019-02-07 株式会社アルバック Film deposition method, and sputtering apparatus

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