JPH11142273A - Pressure detecting device - Google Patents
Pressure detecting deviceInfo
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- JPH11142273A JPH11142273A JP30452997A JP30452997A JPH11142273A JP H11142273 A JPH11142273 A JP H11142273A JP 30452997 A JP30452997 A JP 30452997A JP 30452997 A JP30452997 A JP 30452997A JP H11142273 A JPH11142273 A JP H11142273A
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- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0055—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements bonded on a diaphragm
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力を検出する圧
力検出装置に関し、例えば車両における燃料噴射装置の
燃料圧やブレーキ装置のブレーキオイル圧等の高圧を検
出するのに用いて好適なるものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pressure detecting device for detecting pressure, which is suitable for detecting a high pressure such as a fuel pressure of a fuel injection device in a vehicle or a brake oil pressure of a brake device. is there.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種の圧力検出装置としては、
特開昭６２−７３１３１号公報に示されるものがある。
このものは、圧力導入孔の終端が薄肉部となっているセ
ンシングボディをハウジング内に収納し、センシングボ
ディの薄肉部に固定したセンサチップにより薄肉部の変
位を検出するとともに、このセンサチップからの電気信
号を回路基板にて信号処理するようにしている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a pressure detecting device of this kind,
Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-73131 discloses one.
In this sensor, a sensing body having a thin end at a pressure introducing hole is housed in a housing, a displacement of the thin portion is detected by a sensor chip fixed to the thin portion of the sensing body, and a displacement from the sensor chip is detected. The electric signal is processed by the circuit board.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ここで、上記した構成
において、回路基板として、表面及び内層に導電性のペ
ーストを印刷形成した積層セラミック基板を有して構成
し、この回路基板をハウジング内に収納して固定するこ
とが考えられる。この場合、回路基板はセンサチップと
ワイヤボンディング等によって電気接続されるので、回
路基板の位置決めが重要となる。また、回路基板上の取
り出し電極とコネクタターミナルとを電気溶接等により
電気接続する場合にも回路基板の位置決めが重要にな
る。Here, in the above construction, the circuit board is constituted by having a laminated ceramic substrate having a conductive paste printed on the surface and the inner layer, and this circuit board is mounted in the housing. It is conceivable to store and fix. In this case, since the circuit board is electrically connected to the sensor chip by wire bonding or the like, positioning of the circuit board is important. In addition, positioning of the circuit board is also important when the extraction electrode on the circuit board and the connector terminal are electrically connected by electric welding or the like.
【０００４】しかしながら、積層セラミック基板におい
ては、積層ばらつきや印刷焼成ずれによる配線ばらつき
があり、回路基板を固定する際の位置決め精度が悪くな
るという問題がある。本発明は上記問題に鑑みたもの
で、回路基板の位置決め精度を良好にすることを目的と
する。[0004] However, in the multilayer ceramic substrate, there is a wiring variation due to a lamination variation or a printing firing deviation, and there is a problem that positioning accuracy when fixing the circuit substrate is deteriorated. The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to improve the positioning accuracy of a circuit board.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１、２に記載の発明においては、積層セラミ
ック基板（７ａ）によって回路基板（７）を構成し、積
層セラミック基板（７ａ）のうちの１層を他の層より外
形を大きくし、この外形が大きい層を用いて回路基板
（７）をハウジング部（１）内に収納するときの位置決
めに用いるようにしたことを特徴としている。In order to achieve the above object, according to the first and second aspects of the present invention, a circuit board (7) is constituted by a multilayer ceramic substrate (7a), and a multilayer ceramic substrate (7a) is formed. One of the layers has a larger outer shape than the other layers, and the layer having the larger outer shape is used for positioning when the circuit board (7) is housed in the housing portion (1). I have.
【０００６】この場合、その位置決め精度は、外形が大
きい層の寸法ばらつきのみで決まるため、積層セラミッ
ク基板（７ａ）を高精度に位置決めすることができる。
請求項３に記載の発明においては、積層セラミック基板
（７ａ）のうち外形が大きくなっている層は、他の層よ
り内径が小さくなっていることを特徴としている。これ
によって、回路基板（７）とハウジング部（１）の間お
よび回路基板（７）とセンシングボディ部（２）の間の
位置決めを精度よく行うことができる。In this case, since the positioning accuracy is determined only by the dimensional variation of the layer having a large outer shape, the multilayer ceramic substrate (7a) can be positioned with high accuracy.
According to a third aspect of the present invention, a layer having a larger outer diameter in the multilayer ceramic substrate (7a) has a smaller inner diameter than other layers. Thereby, positioning between the circuit board (7) and the housing part (1) and between the circuit board (7) and the sensing body part (2) can be accurately performed.
【０００７】請求項４に記載の発明においては、積層セ
ラミック基板（７ａ）の最上層（７ａ1 ）を他の層（７
ａ2 〜７ａ4 ）より外形を大きくしたことを特徴として
いる。回路基板（７）を接着剤（１３）によりハウジン
グ部（１）に接着固定するときに、ハウジング部（１）
の内壁（１ｅ）と積層セラミック基板（７ａ）の間を接
着剤（１３）がはい上がり、接着剤（１３）が積層セラ
ミック基板（７ａ）の表面に付着するという問題が生じ
るが、最上層（７ａ1 ）の外形を他の層（７ａ 2 〜７ａ
4 ）より大きくすることによって、接着剤（１３）のは
い上がりを防止することができ、上記した問題をなくす
ことができる。According to the invention described in claim 4, the laminated cell is
The uppermost layer (7a) of the lamic substrate (7a)1) To other layers (7
aTwo~ 7aFour) Characterized by a larger outer shape
I have. The circuit board (7) is housed with the adhesive (13).
When adhesively fixing to the housing part (1), the housing part (1)
Between the inner wall (1e) and the multilayer ceramic substrate (7a).
The adhesive (13) rises and the adhesive (13) is laminated
The problem of adhesion to the surface of the mic substrate (7a) occurs.
But the uppermost layer (7a1) To the other layer (7a Two~ 7a
FourBy making it larger, the adhesive (13)
Rise can be prevented, eliminating the problems mentioned above.
be able to.
【０００８】請求項５に記載の発明においては、積層セ
ラミック基板（７ａ）のうちの１層を他の層より内径を
小さくし、この内径が小さい層を用いて、回路基板
（７）をセンシングボディ部（２）の回りのハウジング
部（１）の上面に固定するときの位置決めに用いるよう
にしたことを特徴としている。従って、この発明におい
ても、位置決め精度が内径が小さい層の寸法ばらつきの
みで決まるため、回路基板（７）とセンシングボディ部
（２）の間の位置決めを精度よく行うことができる。According to a fifth aspect of the present invention, one layer of the multilayer ceramic substrate (7a) has a smaller inner diameter than the other layers, and the circuit board (7) is sensed using the layer having a smaller inner diameter. It is characterized in that it is used for positioning when it is fixed to the upper surface of the housing part (1) around the body part (2). Therefore, also in the present invention, since the positioning accuracy is determined only by the dimensional variation of the layer having a small inner diameter, the positioning between the circuit board (7) and the sensing body (2) can be accurately performed.
【０００９】なお、上記した括弧内の符号は、後述する
実施形態記載の具体的手段との対応関係を示すものであ
る。Note that the reference numerals in parentheses indicate the correspondence with specific means described in the embodiments described later.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図１に、本発明の一実施形態を示す
圧力検出装置の断面構造を示す。この圧力検出装置は、
車両における燃料噴射装置の燃料圧やブレーキ装置のブ
レーキオイル圧等の高圧（例えば２０ＭＰａ）の流体の
圧力を測定するものである。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a cross-sectional structure of a pressure detecting device according to an embodiment of the present invention. This pressure detector is
It measures the pressure of a high-pressure (for example, 20 MPa) fluid such as a fuel pressure of a fuel injection device and a brake oil pressure of a brake device in a vehicle.
【００１１】図において、ハウジング１は、耐食性が良
好で溶接可能な金属（例えばＳＵＳ４３０）で構成され
ており、ねじ山１ａを有し、図示しない被検出体（例え
ば、燃料配管）にねじ締めで固定されるようになってい
る。センシングボディ２は、熱膨張率が小さい低熱膨張
率金属（例えばコバール等の線熱膨張係数がシリコンに
近い材質のもの）で構成され、内側に圧力導入孔２ａを
有し、その終端に受圧用ダイヤフラムをなす肉薄部２ｂ
が形成されている。図２に、センシングボディ２の外観
形状を示す。センシングボディ２は、円筒形状をしてお
り、その端部すなわち下端開口周縁部には段差部２ｃが
形成されている。In FIG. 1, a housing 1 is made of a metal having good corrosion resistance and weldable (for example, SUS430), has a screw thread 1a, and is screwed to an object to be detected (not shown) (for example, a fuel pipe). It is fixed. The sensing body 2 is made of a metal having a low coefficient of thermal expansion and a low coefficient of thermal expansion (for example, a material having a linear thermal expansion coefficient close to that of silicon such as Kovar), has a pressure introducing hole 2a on the inside, and a pressure receiving hole 2a at its end. Thin portion 2b forming a diaphragm
Are formed. FIG. 2 shows the appearance of the sensing body 2. The sensing body 2 has a cylindrical shape, and a step portion 2c is formed at an end thereof, that is, a peripheral edge of a lower opening.
【００１２】このセンシングボディ２は、ハウジング１
の内側空洞部に圧入され、段差部２ｃとハウジング１の
開口縁（端部）１ｂとが突き合わされ、その部分が電気
溶接等によって密着固定される。このようにして、セン
シングボディ２がハウジング１内に組付け固定され、ボ
ディ部が構成される。また、ハウジング１には、ねじ山
１ａの内側空洞部に段差部１ｂが形成されてているた
め、センシングボディ２がハウジング１内に組付け固定
されたとき、ハウジング１とセンシングボディ２の間
に、環状の隙間３が形成される。この隙間３により、ハ
ウジング１を被検出体に固定したときに生じる応力がセ
ンサチップ４に伝達するのを阻止することができる。The sensing body 2 includes a housing 1
Is press-fitted into the inner cavity, and the stepped portion 2c and the opening edge (end) 1b of the housing 1 abut against each other, and the portion is tightly fixed by electric welding or the like. In this way, the sensing body 2 is assembled and fixed in the housing 1 to form a body. Further, since the housing 1 is formed with the stepped portion 1b in the inner cavity of the screw thread 1a, when the sensing body 2 is assembled and fixed in the housing 1, it is located between the housing 1 and the sensing body 2. , An annular gap 3 is formed. The gap 3 can prevent the stress generated when the housing 1 is fixed to the detection target from being transmitted to the sensor chip 4.
【００１３】センシングボディ２における薄肉部２ｂの
上面、すなわち圧力導入側と反対側の面には、センサチ
ップ４が、絶縁体である低融点ガラス５により接合され
ている。図３に、センシングボディ２の先端部分の断面
斜視図を示す。図に示すように、Ｎ型単結晶のシリコン
基板４１に４つのＰ型の拡散ゲージ（歪ゲージ）４２ａ
〜４２ｄが形成されてセンサチップ４が構成されてお
り、薄肉部２ｂの変位に応じた電気信号を出力する。A sensor chip 4 is joined to the upper surface of the thin portion 2b of the sensing body 2, that is, the surface opposite to the pressure introduction side, by a low-melting glass 5 which is an insulator. FIG. 3 shows a cross-sectional perspective view of a tip portion of the sensing body 2. As shown in the figure, four P-type diffusion gauges (strain gauges) 42a are provided on an N-type single crystal silicon substrate 41.
To 42d are formed to form the sensor chip 4, and output an electric signal according to the displacement of the thin portion 2b.
【００１４】センシングボディ２の先端部の周囲には、
図１に示すように、回路基板７が配置されている。この
回路基板７は、センサチップ４からの電気信号を増幅し
て出力する増幅回路（センサの感度調整を行う調整回路
を含む）などの回路部を有しており、積層セラミック基
板７ａ、回路チップ７ｂ、およびポスト７ｃから構成さ
れている。Around the tip of the sensing body 2,
As shown in FIG. 1, a circuit board 7 is arranged. The circuit board 7 has a circuit section such as an amplifier circuit (including an adjustment circuit for adjusting the sensitivity of the sensor) that amplifies and outputs an electric signal from the sensor chip 4, and includes a multilayer ceramic substrate 7a and a circuit chip. 7b and a post 7c.
【００１５】積層セラミック基板７ａは、表面及び内層
に導電性のペーストを印刷し焼成して形成されたもの
で、接着剤によりハウジング１に固定されている。回路
チップ７ｂは、積層セラミック基板７ａ上に実装され、
ワイヤにより積層セラミック基板７ａの導電性ペースト
を焼成してなる導電体（配線の一部領域）と電気的に接
続されている。ポスト７ｃは、外部との電気接続を行う
ための取り出し電極となるもので、例えば４２アロイに
て構成されており、ろう付け等によりセラミック積層基
板７ａ上に接合されている。The multilayer ceramic substrate 7a is formed by printing and firing a conductive paste on the surface and the inner layer, and is fixed to the housing 1 with an adhesive. The circuit chip 7b is mounted on the multilayer ceramic substrate 7a,
The wire is electrically connected to a conductor (a partial region of the wiring) formed by firing the conductive paste of the multilayer ceramic substrate 7a. The post 7c serves as an extraction electrode for making electrical connection with the outside, and is made of, for example, 42 alloy, and is joined to the ceramic laminated substrate 7a by brazing or the like.
【００１６】図４に、積層セラミック基板７ａおよびポ
スト７ｃの構成を示す。（ａ）は上面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ断面図である。積層セラミック基板７ａ
は、例えば４層のセラミック基板７ａ1 〜７ａ4 が積層
して構成されており、最上層のセラミック基板７ａ1 の
上にポスト７ｃが接合されている。このポスト７ｃは、
電源線用、出力信号線用、接地線用の３本で構成されて
いる。また、図に示すように最上層のセラミック基板７
ａ1 は、外形が他の層７ａ2 〜７ａ4 より大きくなって
おり（φＤ＞φｄ）、また内径が他の層７ａ2 〜７ａ4
より小さくなっている（φＡ＞φａ）。FIG. 4 shows the structure of the multilayer ceramic substrate 7a and the posts 7c. (A) is a top view, (b) is an AA sectional view of (a). Multilayer ceramic substrate 7a
Has, for example, a four-layer ceramic substrate 7a 1 ~7a 4 is constructed by laminating, post 7c on the uppermost ceramic substrate 7a 1 is bonded. This post 7c
The power supply line, the output signal line, and the ground line are configured. Further, as shown in FIG.
a 1 is outer shape is larger than the other layers 7a 2 ~7a 4 (φD> φd ), also the inner diameter of other layers 7a 2 ~7a 4
It is smaller (φA> φa).
【００１７】積層セラミック基板７ａは、図１に示すよ
うに、センサチップ４がハウジング１内に挿入されて組
付けられたとき、センサチップ４とハウジング１の間に
形成されるスペースに収納固定されるが、このときの位
置決めに最上層のセラミック基板７ａ1 が利用される。
すなわち、最上層のセラミック基板７ａ1 の外形により
ハウジング１の内壁１ｅとの間で位置決めを行い、また
内側部分でセンサチップ４との間の位置決めを行う。こ
の場合、その位置決め精度は、最上層のセラミック基板
７ａ1 の寸法ばらつきのみで決まり、各層の印刷焼成す
れによるばらつきを無視することができるので、積層セ
ラミック基板７ａを高精度に位置決めすることができ
る。As shown in FIG. 1, when the sensor chip 4 is inserted into the housing 1 and assembled, the laminated ceramic substrate 7a is housed and fixed in a space formed between the sensor chip 4 and the housing 1. that is, the ceramic substrate 7a 1 of the top layer is used for positioning of the time.
That is, positioning is performed between the inner wall 1e of the housing 1 by the outer shape of the ceramic substrate 7a 1 of the top layer, also for positioning between the sensor chip 4 in the inner portion. In this case, the positioning accuracy is determined only by the dimensional variations of the ceramic substrate 7a 1 of the top layer, it is possible to ignore the variations due to them printing and baking of each layer, it is possible to position the laminated ceramic substrate 7a with high accuracy .
【００１８】このセラミック基板７ａの表面に形成され
た導電体とセンサチップ４とは、図１に示すように、隙
間３を跨いでワイヤ８（例えばφ３０〜５０μｍのＡｌ
線）により電気的に接続されている。また、センシング
ボディ２および積層セラミック基板７の上面（センサチ
ップ４およびワイヤ８の上を含む）には、腐食防止のた
めにコーティング材（例えばシリコーンゲル）９により
コーティングが施されている。As shown in FIG. 1, a conductor 8 formed on the surface of the ceramic substrate 7a and the sensor chip 4 are connected to a wire 8 (for example, a 30 to 50 μm Al
Line). The upper surfaces of the sensing body 2 and the multilayer ceramic substrate 7 (including the upper surface of the sensor chip 4 and the wires 8) are coated with a coating material (for example, silicone gel) 9 to prevent corrosion.
【００１９】セラミック積層基板７ａに接合されたポス
ト７ｃは、ターミナルアッセンブリ１０のコネクタター
ミナル１０ａと電気溶接等で接続されている。このター
ミナルアッセンブリ１０は、コネクタターミナル１０ａ
をＰＰＳ等の樹脂でインサート成形したものである。そ
して、ターミナルアッセンブリ１０と、ＰＰＳ等の樹脂
で成形されたコネクタケース１１は、Ｏリング１２を介
しハウジング１のかしめ部１ｄでハウジング１にかしめ
固定されている。The post 7c joined to the ceramic laminated substrate 7a is connected to the connector terminal 10a of the terminal assembly 10 by electric welding or the like. The terminal assembly 10 includes a connector terminal 10a.
Is insert-molded with a resin such as PPS. The terminal assembly 10 and the connector case 11 formed of a resin such as PPS are caulked and fixed to the housing 1 at the caulking portion 1 d of the housing 1 via an O-ring 12.
【００２０】上記したセンサチップ４および回路基板７
における回路部の電気結線図を図５に示す。歪ゲージ４
２ａ〜４２ｄは、図に示すようにブリッジ回路を構成し
ている。回路基板７における回路部は、ブリッジ回路か
らの電気信号を増幅する増幅回路７１の他、ブリッジ回
路に電源供給を行う電源回路７２を有している。そし
て、歪ゲージ４２ａ〜４２ｄにより構成されるブリッジ
回路は、薄肉部２ｂに加わる圧力に応じた電気信号を増
幅回路７１に出力し、増幅回路７１は、その信号を増幅
して、圧力に応じた電気信号を外部に出力する。The above-described sensor chip 4 and circuit board 7
FIG. 5 shows an electrical connection diagram of the circuit section in FIG. Strain gauge 4
2a to 42d constitute a bridge circuit as shown in the figure. The circuit section on the circuit board 7 includes a power supply circuit 72 for supplying power to the bridge circuit, in addition to an amplifier circuit 71 for amplifying an electric signal from the bridge circuit. The bridge circuit constituted by the strain gauges 42a to 42d outputs an electric signal corresponding to the pressure applied to the thin portion 2b to the amplifier circuit 71, and the amplifier circuit 71 amplifies the signal and responds to the pressure. Outputs an electric signal to the outside.
【００２１】図６に、図１に示す主要部品の分解断面図
を示し、図７乃至図１０にそれらを組付けて圧力検出装
置を製造する工程を示す。なお、図７乃至図１０に示す
各工程図において、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図を
示す。 〔図７の工程〕まず、センシングボディ２にペースト状
のガラス５を印刷しセンサチップ４を焼成により接合す
る。次に、ハウジング１をセンシングボディ２にかぶ
せ、センシングボディ２をハウジング１内に圧入し、ハ
ウジング１の端部１ｂとセンシングボディ２の段差部２
ｃとを突き合わせ、その突き合わせ部を電気溶接等で密
着固定する。 〔図８の工程〕次に、センシングボディ２の回りのハウ
ジング１の上面に接着剤をスタンプ等により薄く均一に
塗布し、その上に、回路チップ７ｂが実装された積層セ
ラミック基板７ａをセットして接着を行う。そして、積
層セラミック基板７ａの導電体とセンサチップ４、回路
チップ７ｂをワイヤ８により超音波ボンディングして電
気接続する。この後、コーティング材９によりコーティ
ングを施す。 〔図９の工程〕次に、ターミナルアッセンブリ１０のコ
ネクタターミナル１０ａと積層セラミック基板７のポス
ト７ａを合わせ、電気溶接等で接合する。 〔図１０の工程〕この後、コネクタケース１１とＯリン
グ１２をハウジング１にセットし、ハウジング１のかし
め部１ｄをかしめることにより、コネクタケース１１と
ハウジング１の内部をシールし固定する。このようにし
て図１に示す圧力検出装置が構成される。FIG. 6 is an exploded cross-sectional view of the main components shown in FIG. 1, and FIGS. 7 to 10 show steps of assembling them to produce a pressure detecting device. In each of the process diagrams shown in FIGS. 7 to 10, (a) shows a top view and (b) shows a cross-sectional view. [Step in FIG. 7] First, a paste glass 5 is printed on the sensing body 2 and the sensor chip 4 is joined by firing. Next, the housing 1 is put on the sensing body 2, the sensing body 2 is press-fitted into the housing 1, and the end 1 b of the housing 1 and the step 2 of the sensing body 2
c, and the butted portion is tightly fixed by electric welding or the like. [Step of FIG. 8] Next, an adhesive is thinly and uniformly applied to the upper surface of the housing 1 around the sensing body 2 by a stamp or the like, and the multilayer ceramic substrate 7a on which the circuit chip 7b is mounted is set thereon. Bonding. Then, the conductor of the multilayer ceramic substrate 7a, the sensor chip 4, and the circuit chip 7b are electrically connected by ultrasonic bonding using wires 8. Thereafter, coating is performed with the coating material 9. [Step in FIG. 9] Next, the connector terminal 10a of the terminal assembly 10 and the post 7a of the multilayer ceramic substrate 7 are aligned and joined by electric welding or the like. [Step in FIG. 10] Thereafter, the connector case 11 and the O-ring 12 are set in the housing 1 and the caulking portion 1d of the housing 1 is swaged to seal and fix the inside of the connector case 11 and the housing 1. Thus, the pressure detecting device shown in FIG. 1 is configured.
【００２２】なお、上記した図８の工程において、図１
１に示すように、ハウジング１の上面に接着剤１３を塗
布して、その上に積層セラミック基板７ａを接着固定す
るとき、接着剤１３がハウジング１の内壁１ｅをはい上
がり、それが積層セラミック基板７ａの表面に付着する
と回路チップ７ｂなどのワイヤボンディングがうまくで
きなくなるが、本実施形態では、積層セラミック基板７
ａにおける最上層のセラミック基板７ａ1 の外形を他の
層７ａ2 〜７ａ4 より大きくしているので、接着剤１３
のはい上がりを防止し、上記した問題をなくすことがで
きる。In the process of FIG.
As shown in FIG. 1, when the adhesive 13 is applied to the upper surface of the housing 1 and the multilayer ceramic substrate 7a is bonded and fixed thereon, the adhesive 13 goes up the inner wall 1e of the housing 1, and the adhesive 13 7A, the wire bonding of the circuit chip 7b or the like cannot be performed well.
Since the external shape of the ceramic substrate 7a 1 of the top layer is made larger than the other layers 7a 2 ~7a 4 in a, the adhesive 13
In addition, it is possible to prevent the rise and eliminate the above-mentioned problem.
【００２３】上記した実施形態では、最上層のセラミッ
ク基板７ａ1 の外形を大きくし内径を小さくしている
が、接着剤１３のはい上がりという問題等がなければ図
１２（ａ）、（ｂ）に示すように最上層以外の他の１つ
の層の外形を大きくし内径を小さくするようにしてもよ
い。また、１つの層の外形および内径の両方を他の層と
異なるようにしなくても十分な位置決め精度がでるので
あれば、そのうちのいずれか一方のみとしてもよい。[0023] In the above embodiment, although a smaller inside diameter to increase the external shape of the ceramic substrate 7a 1 of the top layer, if there is such a problem that wicking of the adhesive 13 FIG 12 (a), (b) As shown in (1), the outer shape of one layer other than the uppermost layer may be made larger and the inner diameter may be made smaller. Further, if sufficient positioning accuracy can be obtained without making both the outer shape and inner diameter of one layer different from those of the other layers, only one of them may be used.
【００２４】また、上記実施形態では、ハウジング１と
センシングボディ２を別体にて構成するものを示した
が、図１３に示すように、ハウジング１とセンシングボ
ディ２を一体にて構成したものであってもよい。また、
センサチップ４としては、上記実施形態で示すような半
導体式のものに限らず、センシングボディ２の上に絶縁
膜を介して金属の歪ゲージを蒸着等で形成したものであ
ってもよい。In the above embodiment, the housing 1 and the sensing body 2 are formed as separate bodies. However, as shown in FIG. 13, the housing 1 and the sensing body 2 are integrally formed. There may be. Also,
The sensor chip 4 is not limited to the semiconductor type as described in the above embodiment, and may be a sensor in which a metal strain gauge is formed on the sensing body 2 via an insulating film by vapor deposition or the like.
【図１】本発明の一実施形態にかかる圧力検出装置の断
面図である。FIG. 1 is a sectional view of a pressure detecting device according to an embodiment of the present invention.
【図２】センシングボディ２の外観形状を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing an external shape of a sensing body 2. FIG.
【図３】センシングボディ２とセンサチップ４の構成を
示す部分断面斜視図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional perspective view showing a configuration of a sensing body 2 and a sensor chip 4.
【図４】積層セラミック基板７ａとポスト７ｃの構成を
示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a multilayer ceramic substrate 7a and a post 7c.
【図５】センサチップ４および回路基板７における増幅
回路の電気結線図である。FIG. 5 is an electrical connection diagram of an amplifier circuit in the sensor chip 4 and the circuit board 7.
【図６】図１に示す主要部品の分解断面図である。FIG. 6 is an exploded sectional view of main components shown in FIG.
【図７】図１に示す圧力検出装置を製造する工程を示す
図である。FIG. 7 is a diagram showing a step of manufacturing the pressure detecting device shown in FIG.
【図８】図７に続く工程を示す図である。FIG. 8 is a view showing a step following the step shown in FIG. 7;
【図９】図８に続く工程を示す図である。FIG. 9 is a view showing a step following the step shown in FIG. 8;
【図１０】図９に続く工程を示す図である。FIG. 10 is a view showing a step following the step shown in FIG. 9;
【図１１】積層セラミック基板７ａにおける最上層のセ
ラミック基板７ａ1 の外形を他の層７ａ2 〜７ａ4 より
大きくした場合の効果を説明するための説明図である。11 is an explanatory diagram for explaining the effect of the uppermost layer of the outer shape of the ceramic substrate 7a 1 in the laminated ceramic substrate 7a is made larger than the other layers 7a 2 ~7a 4.
【図１２】積層セラミック基板７ａの他の構成を示す図
である。FIG. 12 is a diagram showing another configuration of the multilayer ceramic substrate 7a.
【図１３】本発明の他の実施形態にかかる圧力検出装置
の断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view of a pressure detection device according to another embodiment of the present invention.
【符号の説明】 １…ハウジング、２…センシングボディ、２ａ…圧力導
入孔、２ｂ…肉薄部、３…隙間、４…センサチップ、５
…低融点ガラス、７…回路基板、７ａ…積層セラミック
基板、８…ワイヤ、９…コーティング材、１０…ターミ
ナルアッセンブリ、１０ａ…コネクタターミナル、１１
…コネクタケース、１２…Ｏリング。[Description of Signs] 1 ... Housing, 2 ... Sensing body, 2a ... Pressure introduction hole, 2b ... Thin section, 3 ... Gap, 4 ... Sensor chip, 5
... Low melting glass, 7 ... Circuit board, 7a ... Laminated ceramic board, 8 ... Wire, 9 ... Coating material, 10 ... Terminal assembly, 10a ... Connector terminal, 11
... Connector case, 12 ... O-ring.
Claims (5)
端が薄肉部（２ｂ）となっているセンシングボディ部
（２）と、このセンシングボディ部（２）の外側にあっ
て被検出体に取り付けられるハウジング部（１）とを有
するボディ部材（１、２）と、 前記薄肉部（２ｂ）の圧力導入側と反対側に固定され前
記薄肉部（２ｂ）の変位に応じた電気信号を出力するセ
ンサチップ（４）と、 前記ハウジング部（１）内にその内壁（１ｅ）との間で
位置決めされて収納固定されており、前記センサチップ
（４）とワイヤ（８）により電気接続されて前記センサ
チップ（４）からの電気信号を信号処理する回路基板
（７）とを備え、 前記回路基板（７）は、積層セラミック基板（７ａ）を
有して構成されており、そのうちの１層が他の層より外
形が大きくなっていることを特徴とする圧力検出装置。1. A sensing body (2) having a pressure introducing hole (2a) inside and a terminating end having a thin portion (2b), and a sensing body outside the sensing body (2) to be detected. A body member (1, 2) having a housing part (1) attached to a body; and an electric signal fixed to a side of the thin part (2b) opposite to a pressure introduction side and corresponding to a displacement of the thin part (2b). A sensor chip (4) that outputs a signal, and is positioned and housed and fixed between an inner wall (1e) of the housing portion (1) and electrically connected to the sensor chip (4) by a wire (8). And a circuit board (7) for processing an electric signal from the sensor chip (4). The circuit board (7) is configured to include a multilayer ceramic substrate (7a), of which One layer is larger than other layers A pressure detecting device characterized by being crisp.
筒状のものであって、前記回路基板（７）は、前記セン
シングボディ部（２）の回りの前記ハウジング部（１）
の上面に固定されていることを特徴とする請求項１に記
載の圧力検出装置。2. The sensing body part (2) has a cylindrical tip, and the circuit board (7) includes the housing part (1) around the sensing body part (2).
The pressure detecting device according to claim 1, wherein the pressure detecting device is fixed to an upper surface of the pressure sensor.
層より内径が小さくなっていることを特徴とする請求項
１又２に記載の圧力検出装置。3. The pressure detecting device according to claim 1, wherein the layer having the larger outer shape has a smaller inner diameter than the other layers.
より前記ハウジング部（１）に接着固定されており、前
記積層セラミック基板（７ａ）の最上層（７ａ1 ）が他
の層（７ａ2 〜７ａ4 ）より外形が大きくなっているこ
とを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
圧力検出装置。4. The circuit board (7) is adhered and fixed to the housing part (1) by an adhesive (13), and the uppermost layer (7a 1 ) of the multilayer ceramic substrate (7a) is replaced by another layer (7). 7a 2 ~7a 4) pressure detection device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that from the outer shape becomes large.
端が薄肉部（２ｂ）となっているセンシングボディ部
（２）と、このセンシングボディ部（２）の外側にあっ
て被検出体に取り付けられるハウジング部（１）とを有
するボディ部材（１、２）と、 前記薄肉部（２ｂ）の圧力導入側と反対側に固定され前
記薄肉部（２ｂ）の変位に応じた電気信号を出力するセ
ンサチップ（４）と、 前記センシングボディ部（２）の回りの前記ハウジング
部（１）の上面に固定されており、前記センサチップ
（４）とワイヤ（８）により電気接続されて前記センサ
チップ（４）からの電気信号を信号処理する回路基板
（７）とを備え、 前記回路基板（７）は、積層セラミック基板（７ａ）を
有して構成されており、そのうちの１層が他の層より内
径が小さくなっていることを特徴とする圧力検出装置。5. A sensing body (2) having a pressure introducing hole (2a) inside and a terminating end having a thin portion (2b), and a sensing body outside the sensing body (2) to be detected. A body member (1, 2) having a housing part (1) attached to a body; and an electric signal fixed to a side of the thin part (2b) opposite to a pressure introduction side and corresponding to a displacement of the thin part (2b). And a sensor chip (4) that outputs the sensor chip (4), and is fixed to the upper surface of the housing part (1) around the sensing body part (2), and is electrically connected to the sensor chip (4) by a wire (8). A circuit board (7) for processing an electric signal from the sensor chip (4), wherein the circuit board (7) is configured to include a multilayer ceramic substrate (7a), and one of the layers is provided. Has smaller inside diameter than other layers A pressure detecting device characterized by being reduced.
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