JPH11138360A - 精密パレット及びその製造方法 - Google Patents
精密パレット及びその製造方法Info
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- JPH11138360A JPH11138360A JP31911497A JP31911497A JPH11138360A JP H11138360 A JPH11138360 A JP H11138360A JP 31911497 A JP31911497 A JP 31911497A JP 31911497 A JP31911497 A JP 31911497A JP H11138360 A JPH11138360 A JP H11138360A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微小パーツを高精度に位置決めして供給する
ことが出来る精密パレットを提供する。 【解決手段】 微小パーツの供給作業に使用されるパレ
ットであって、その上面には微小パーツを収容する複数
の凹部（１）が配列されている。各凹部（１）の壁面
（１Ａ）は順勾配の傾斜面に形成され、各凹部（１）の
底面（１Ｂ）には微小パーツを真空吸着するためのスリ
ット（２）が形成されている。
ことが出来る精密パレットを提供する。 【解決手段】 微小パーツの供給作業に使用されるパレ
ットであって、その上面には微小パーツを収容する複数
の凹部（１）が配列されている。各凹部（１）の壁面
（１Ａ）は順勾配の傾斜面に形成され、各凹部（１）の
底面（１Ｂ）には微小パーツを真空吸着するためのスリ
ット（２）が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、精密パレット及び
その製造方法に関し、詳しくは、微小パーツを高精度に
位置決めして供給することが出来る精密パレット及び当
該精密パレットを高精度に且つ安価に製造することが出
来る精密パレットの製造方法に関する。
その製造方法に関し、詳しくは、微小パーツを高精度に
位置決めして供給することが出来る精密パレット及び当
該精密パレットを高精度に且つ安価に製造することが出
来る精密パレットの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】微小パーツを組付ける自動組立ラインに
おいて、微小パーツは、組立て用ロボットによりパレッ
ト上に載置され、また、組立て用ロボットによりパレッ
ト上からピックアップされる。なお、特開平８−３２３
５５１号公報には、「微小部品用パレット」が記載され
ている。
おいて、微小パーツは、組立て用ロボットによりパレッ
ト上に載置され、また、組立て用ロボットによりパレッ
ト上からピックアップされる。なお、特開平８−３２３
５５１号公報には、「微小部品用パレット」が記載され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来使用さ
れているパレットは、各微小パーツをパレット上の所定
位置に高精度に位置決めすることが出来ないため、微小
パーツをパレット上に載置し、また、パレット上からピ
ックアップするための組立用ロボットに対する制御命令
が複雑になるという問題がある。また、従来のパレット
は、金属材料に精密機械加工を施したものであり、製造
コストが嵩み、かつ、製品精度にバラツキが生じ易いと
いう問題がある。
れているパレットは、各微小パーツをパレット上の所定
位置に高精度に位置決めすることが出来ないため、微小
パーツをパレット上に載置し、また、パレット上からピ
ックアップするための組立用ロボットに対する制御命令
が複雑になるという問題がある。また、従来のパレット
は、金属材料に精密機械加工を施したものであり、製造
コストが嵩み、かつ、製品精度にバラツキが生じ易いと
いう問題がある。
【０００４】本発明は、前記の実情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、微小パーツを高精度に位置決め
して供給することが出来る精密パレット及び当該精密パ
レットを高精度に且つ安価に製造することが出来る精密
パレットの製造方法を提供することにある。
のであり、その目的は、微小パーツを高精度に位置決め
して供給することが出来る精密パレット及び当該精密パ
レットを高精度に且つ安価に製造することが出来る精密
パレットの製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る精密パレットは、微小パーツの供給作
業に使用されるパレットであって、その上面には微小パ
ーツを収容する複数の凹部が配列されており、各凹部の
壁面は順勾配の傾斜面に形成され、各凹部の底面には前
記微小パーツを真空吸着するための孔が形成されている
ことを特徴とする。
め、本発明に係る精密パレットは、微小パーツの供給作
業に使用されるパレットであって、その上面には微小パ
ーツを収容する複数の凹部が配列されており、各凹部の
壁面は順勾配の傾斜面に形成され、各凹部の底面には前
記微小パーツを真空吸着するための孔が形成されている
ことを特徴とする。
【０００６】本発明の精密パレットは、凹部の壁面を構
成する複数の開口が形成されたシリコン基板から成る上
部プレートと、凹部の底面を構成し且つ複数のスリット
が形成されたシリコン基板から成る下部プレートとを上
下に接合して構成することが出来る。この場合、上部プ
レートは（１００）結晶方位のシリコン基板から成り、
下部プレートは（１１０）結晶方位のシリコン基板から
成るのが好ましい。また、上部プレートの開口および下
部プレートのスリットは、それぞれ所定ピッチで形成さ
れているのが好ましい。
成する複数の開口が形成されたシリコン基板から成る上
部プレートと、凹部の底面を構成し且つ複数のスリット
が形成されたシリコン基板から成る下部プレートとを上
下に接合して構成することが出来る。この場合、上部プ
レートは（１００）結晶方位のシリコン基板から成り、
下部プレートは（１１０）結晶方位のシリコン基板から
成るのが好ましい。また、上部プレートの開口および下
部プレートのスリットは、それぞれ所定ピッチで形成さ
れているのが好ましい。
【０００７】また、本発明に係る精密パレットの製造方
法は、上部プレート製造工程と、下部プレート製造工程
と、プレート接合工程と、ダイシング工程とを備え、上
部プレート製造工程では、表面に保護膜を有するシリコ
ン基板にフォトレジストパターンを施して複数の開口に
対応する部分の保護膜をエッチングし、得られた保護膜
のマスクパターンを使用してシリコン基板に前記複数の
開口をエッチングし、下部プレート製造工程では、表面
に保護膜を有するシリコン基板にフォトレジストパター
ンを施して複数のスリットに対応する部分の保護膜をエ
ッチングし、得られた保護膜のマスクパターンを使用し
てシリコン基板に前記複数のスリットをエッチングし、
プレート接合工程では、各凹部の底面にスリットを位置
合せして上部プレートと下部プレートとを接合し、ダイ
シング工程では、接合された上部プレート及び下部プレ
ートを所定形状にダイシング加工してパレットを得るこ
とを特徴とする。
法は、上部プレート製造工程と、下部プレート製造工程
と、プレート接合工程と、ダイシング工程とを備え、上
部プレート製造工程では、表面に保護膜を有するシリコ
ン基板にフォトレジストパターンを施して複数の開口に
対応する部分の保護膜をエッチングし、得られた保護膜
のマスクパターンを使用してシリコン基板に前記複数の
開口をエッチングし、下部プレート製造工程では、表面
に保護膜を有するシリコン基板にフォトレジストパター
ンを施して複数のスリットに対応する部分の保護膜をエ
ッチングし、得られた保護膜のマスクパターンを使用し
てシリコン基板に前記複数のスリットをエッチングし、
プレート接合工程では、各凹部の底面にスリットを位置
合せして上部プレートと下部プレートとを接合し、ダイ
シング工程では、接合された上部プレート及び下部プレ
ートを所定形状にダイシング加工してパレットを得るこ
とを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る精密パレット及びその製造方法を説明する。図１は精
密パレットの平面図、図２は精密パレットの縦断面図、
図３は精密パレットの製造工程を示すフローチャート、
図４は上部プレートの平面図、図５は下部プレートの平
面図である。
る精密パレット及びその製造方法を説明する。図１は精
密パレットの平面図、図２は精密パレットの縦断面図、
図３は精密パレットの製造工程を示すフローチャート、
図４は上部プレートの平面図、図５は下部プレートの平
面図である。
【０００９】図１に示す様に、本発明の精密パレット
（Ｐ）は、微小パーツの供給作業に使用されるパレット
であって、その上面には微小パーツを収容する同一形状
の複数の凹部（１）が所定ピッチで配列されている。各
凹部（１）の深さ方向の壁面（１Ａ）は、図２に示す様
に、順勾配の傾斜面に形成されている。また、各凹部
（１）の底面（１Ｂ）には、微小パーツを真空吸着する
ための孔としてのスリット（２）が形成されている。な
お、前記傾斜面は、逆勾配でない限り、略垂直に近い傾
斜面であってもよい。
（Ｐ）は、微小パーツの供給作業に使用されるパレット
であって、その上面には微小パーツを収容する同一形状
の複数の凹部（１）が所定ピッチで配列されている。各
凹部（１）の深さ方向の壁面（１Ａ）は、図２に示す様
に、順勾配の傾斜面に形成されている。また、各凹部
（１）の底面（１Ｂ）には、微小パーツを真空吸着する
ための孔としてのスリット（２）が形成されている。な
お、前記傾斜面は、逆勾配でない限り、略垂直に近い傾
斜面であってもよい。
【００１０】図２に示す様に、精密パレット（Ｐ）は、
凹部（１）の壁面（１Ａ）を構成する複数の開口が所定
ピッチで形成された（１００）結晶方位のシリコン基板
から成る上部プレート（Ｐ１）と、凹部（１）の底面
（１Ｂ）を構成し且つスリット（２）が所定ピッチで形
成された（１１０）結晶方位のシリコン基板から成る下
部プレート（Ｐ２）とを上下に接合して構成されてい
る。
凹部（１）の壁面（１Ａ）を構成する複数の開口が所定
ピッチで形成された（１００）結晶方位のシリコン基板
から成る上部プレート（Ｐ１）と、凹部（１）の底面
（１Ｂ）を構成し且つスリット（２）が所定ピッチで形
成された（１１０）結晶方位のシリコン基板から成る下
部プレート（Ｐ２）とを上下に接合して構成されてい
る。
【００１１】前記精密パレット（Ｐ）は、図１に示す様
に、平面形状が一辺１０〜２０ｍｍ程度の正方形に設定
され、厚さは０．５〜１．０ｍｍ程度に設定されてい
る。そして、精密パレット（Ｐ）の上面には、１２００
μｍ程度のピッチで縦横それぞれ８〜１６列に各凹部
（１）が配列されている。
に、平面形状が一辺１０〜２０ｍｍ程度の正方形に設定
され、厚さは０．５〜１．０ｍｍ程度に設定されてい
る。そして、精密パレット（Ｐ）の上面には、１２００
μｍ程度のピッチで縦横それぞれ８〜１６列に各凹部
（１）が配列されている。
【００１２】各凹部（１）は、例えば、縦１１１０μ
ｍ、横８７０μｍの四角形に開口されている。凹部
（１）の壁面（１Ａ）は、（１００）結晶方位のシリコ
ン基板における（１１１）結晶方位面である約５４．７
°に形成されている。
ｍ、横８７０μｍの四角形に開口されている。凹部
（１）の壁面（１Ａ）は、（１００）結晶方位のシリコ
ン基板における（１１１）結晶方位面である約５４．７
°に形成されている。
【００１３】各スリット（２）は、１００μｍ程度の幅
に設定され、１２００μｍ程度のピッチで相互に平行に
８〜１６列に配列されている。そして、各スリット
（２）は、凹部（１）の底面（１Ｂ）の中央部を横切っ
て配置されている。
に設定され、１２００μｍ程度のピッチで相互に平行に
８〜１６列に配列されている。そして、各スリット
（２）は、凹部（１）の底面（１Ｂ）の中央部を横切っ
て配置されている。
【００１４】斯かる精密パレット（Ｐ）を使用する微小
パーツは、通常、１ｍｍ以下のパーツであり、例えば、
レーザダイオードチップ等のパーツである。
パーツは、通常、１ｍｍ以下のパーツであり、例えば、
レーザダイオードチップ等のパーツである。
【００１５】次に、本発明に係る精密パレット（Ｐ）の
製造方法を説明する。この製造方法は、図３のフローチ
ャートに示す様に、上部プレート製造工程（Ｓ１）と、
下部プレート製造工程（Ｓ２）と、プレート接合工程
（Ｓ３）と、プレート乾燥工程（Ｓ４）と、ダイシング
工程（Ｓ５）とを備えている。
製造方法を説明する。この製造方法は、図３のフローチ
ャートに示す様に、上部プレート製造工程（Ｓ１）と、
下部プレート製造工程（Ｓ２）と、プレート接合工程
（Ｓ３）と、プレート乾燥工程（Ｓ４）と、ダイシング
工程（Ｓ５）とを備えている。
【００１６】上部プレート製造工程（Ｓ１）では、先
ず、表面に保護膜としての酸化シリコン膜を有する（１
００）結晶方位のシリコン基板を洗浄し、乾燥させる
（Ｓ１１）。洗浄は、アルコール等による有機溶剤洗
浄、フッ酸などによる酸洗浄および純水洗浄を順次行う
のが好ましい。なお、保護膜は、半導体製造プロセスで
使用される窒化シリコン膜などの絶縁膜であってもよ
い。
ず、表面に保護膜としての酸化シリコン膜を有する（１
００）結晶方位のシリコン基板を洗浄し、乾燥させる
（Ｓ１１）。洗浄は、アルコール等による有機溶剤洗
浄、フッ酸などによる酸洗浄および純水洗浄を順次行う
のが好ましい。なお、保護膜は、半導体製造プロセスで
使用される窒化シリコン膜などの絶縁膜であってもよ
い。
【００１７】続いて、シリコン基板の表面にフォトレジ
ストを塗布して熱処理した後、シリコン基板の表面にフ
ォトレジストパターンを形成し、同様に裏面についても
パターンを形成する（Ｓ１２）。フォトレジストパター
ンは、前記複数の凹部（１）の開口に対応した格子状の
パターンである。
ストを塗布して熱処理した後、シリコン基板の表面にフ
ォトレジストパターンを形成し、同様に裏面についても
パターンを形成する（Ｓ１２）。フォトレジストパター
ンは、前記複数の凹部（１）の開口に対応した格子状の
パターンである。
【００１８】次に、フォトレジストパターンが形成され
たシリコン基板をエッチング液に浸漬し、複数の凹部
（１）の開口に対応する部分の酸化シリコン膜をエッチ
ングする（Ｓ１３）。その後、フォトレジストパターン
を除去して酸化シリコン膜のマスクパターンを得る（Ｓ
１４）。エッチング液としては、フッ酸とフッ化アンモ
ニウム水溶液との混合液が使用される。
たシリコン基板をエッチング液に浸漬し、複数の凹部
（１）の開口に対応する部分の酸化シリコン膜をエッチ
ングする（Ｓ１３）。その後、フォトレジストパターン
を除去して酸化シリコン膜のマスクパターンを得る（Ｓ
１４）。エッチング液としては、フッ酸とフッ化アンモ
ニウム水溶液との混合液が使用される。
【００１９】続いて、酸化シリコン膜のマスクパターン
が形成されたシリコン基板をエッチング液に浸漬し、前
記凹部（１）の壁面（１Ａ）を構成する複数の開口をエ
ッチング形成する（Ｓ１５）。エッチング液としては、
水酸化カリウム水溶液、ＴＭＡＨ（tetramethyl ammoni
um hydroxide）等のアルカリ性エッチャントを使用する
ことが出来る。
が形成されたシリコン基板をエッチング液に浸漬し、前
記凹部（１）の壁面（１Ａ）を構成する複数の開口をエ
ッチング形成する（Ｓ１５）。エッチング液としては、
水酸化カリウム水溶液、ＴＭＡＨ（tetramethyl ammoni
um hydroxide）等のアルカリ性エッチャントを使用する
ことが出来る。
【００２０】一方、下部プレート製造工程（Ｓ２）で
は、表面に保護膜としての酸化シリコン膜を有する（１
１０）結晶方位のシリコン基板を洗浄し、乾燥させる
（Ｓ２１）。洗浄は、ステップ（Ｓ１１）と同様に有機
溶剤洗浄、酸洗浄、純水洗浄を順次行うのが好ましい。
は、表面に保護膜としての酸化シリコン膜を有する（１
１０）結晶方位のシリコン基板を洗浄し、乾燥させる
（Ｓ２１）。洗浄は、ステップ（Ｓ１１）と同様に有機
溶剤洗浄、酸洗浄、純水洗浄を順次行うのが好ましい。
【００２１】続いて、シリコン基板の表面にフォトレジ
ストを塗布して熱処理した後、シリコン基板の表面にフ
ォトレジストパターンを形成し、同様に裏面についても
パターンを形成する（Ｓ２２）。フォトレジストパター
ンは、前記複数のスリット（２）に対応したパターンで
ある。
ストを塗布して熱処理した後、シリコン基板の表面にフ
ォトレジストパターンを形成し、同様に裏面についても
パターンを形成する（Ｓ２２）。フォトレジストパター
ンは、前記複数のスリット（２）に対応したパターンで
ある。
【００２２】次に、フォトレジストパターンが形成され
たシリコン基板をエッチング液に浸漬し、複数のスリッ
ト（２）に対応する部分の酸化シリコン膜をエッチング
する（Ｓ２３）。その後、フォトレジストパターンを除
去して酸化シリコン膜のマスクパターンを得る（Ｓ２
４）。エッチング液としては、フッ酸とフッ化アンモニ
ウム水溶液との混合液が使用される。
たシリコン基板をエッチング液に浸漬し、複数のスリッ
ト（２）に対応する部分の酸化シリコン膜をエッチング
する（Ｓ２３）。その後、フォトレジストパターンを除
去して酸化シリコン膜のマスクパターンを得る（Ｓ２
４）。エッチング液としては、フッ酸とフッ化アンモニ
ウム水溶液との混合液が使用される。
【００２３】続いて、酸化シリコン膜のマスクパターン
が形成されたシリコン基板をエッチング液に浸漬し、前
記複数のスリット（２）をエッチング形成する（Ｓ２
５）。エッチング液としては、水酸化カリウム水溶液、
ＴＭＡＨ（tetramethyl ammonium hydroxide）等のアル
カリ性エチャントを使用することが出来る。
が形成されたシリコン基板をエッチング液に浸漬し、前
記複数のスリット（２）をエッチング形成する（Ｓ２
５）。エッチング液としては、水酸化カリウム水溶液、
ＴＭＡＨ（tetramethyl ammonium hydroxide）等のアル
カリ性エチャントを使用することが出来る。
【００２４】そして、プレート接合工程（Ｓ３）では、
先ず、上部プレート製造工程（Ｓ１）で製造された図４
に示す上部プレート（Ｐ１）及び下部プレート製造工程
（Ｓ２）で製造された図５に示す下部プレート（Ｐ２）
を洗浄する（Ｓ３１）。洗浄は、フッ酸系の洗浄液を使
用して行うのが好ましい。
先ず、上部プレート製造工程（Ｓ１）で製造された図４
に示す上部プレート（Ｐ１）及び下部プレート製造工程
（Ｓ２）で製造された図５に示す下部プレート（Ｐ２）
を洗浄する（Ｓ３１）。洗浄は、フッ酸系の洗浄液を使
用して行うのが好ましい。
【００２５】続いて、水中において、各凹部（１）の底
面（１Ｂ）にスリット（２）を位置合せして上部プレー
ト（Ｐ１）と下部プレート（Ｐ２）とを密着状態に接合
する（Ｓ３２）。なお、上部プレート（Ｐ１）と下部プ
レート（Ｐ２）との接合は、その洗浄直後であれば大気
中でも行うことが出来る。
面（１Ｂ）にスリット（２）を位置合せして上部プレー
ト（Ｐ１）と下部プレート（Ｐ２）とを密着状態に接合
する（Ｓ３２）。なお、上部プレート（Ｐ１）と下部プ
レート（Ｐ２）との接合は、その洗浄直後であれば大気
中でも行うことが出来る。
【００２６】プレート乾燥工程（Ｓ４）では、プレート
接合工程（Ｓ３）で仮接合された上部プレート（Ｐ１）
及び下部プレート（Ｐ２）を高温下で乾燥させて本接合
する（Ｓ４１）。乾燥温度は１００〜７００°程度であ
る。その後、ダイシング工程（Ｓ５）では、接合された
上部プレート（Ｐ１）及び下部プレート（Ｐ２）を所定
寸法にダイシング加工し、精密パレット（Ｐ）を得る。
接合工程（Ｓ３）で仮接合された上部プレート（Ｐ１）
及び下部プレート（Ｐ２）を高温下で乾燥させて本接合
する（Ｓ４１）。乾燥温度は１００〜７００°程度であ
る。その後、ダイシング工程（Ｓ５）では、接合された
上部プレート（Ｐ１）及び下部プレート（Ｐ２）を所定
寸法にダイシング加工し、精密パレット（Ｐ）を得る。
【００２７】なお、前述のプレート接合工程（Ｓ３）に
おいては、接着剤等を使用して上部プレート（Ｐ１）と
下部プレート（Ｐ２）とを接合してもよい。この場合、
上部プレート（Ｐ１）及び下部プレート（Ｐ２）を高温
下で乾燥させる必要はなく、プレート乾燥工程（Ｓ４）
自体も省略することが出来る。
おいては、接着剤等を使用して上部プレート（Ｐ１）と
下部プレート（Ｐ２）とを接合してもよい。この場合、
上部プレート（Ｐ１）及び下部プレート（Ｐ２）を高温
下で乾燥させる必要はなく、プレート乾燥工程（Ｓ４）
自体も省略することが出来る。
【００２８】斯かる製造方法は、金属材料を精密機械加
工する場合に比べて安価に精密パレット（Ｐ）を製造す
ることが出来る。また、この製造方法によれば、フォト
レジストパターンの成形精度、エッチング条件、シリコ
ン基板の結晶方位を適切に選定することにより、精密パ
レット（Ｐ）の寸法精度を高精度化することが出来、個
々の寸法のバラツキも小さくすることが出来る。
工する場合に比べて安価に精密パレット（Ｐ）を製造す
ることが出来る。また、この製造方法によれば、フォト
レジストパターンの成形精度、エッチング条件、シリコ
ン基板の結晶方位を適切に選定することにより、精密パ
レット（Ｐ）の寸法精度を高精度化することが出来、個
々の寸法のバラツキも小さくすることが出来る。
【００２９】そして、本発明の精密パレット（Ｐ）は、
例えば、レーザダイオードチップ等の微小パーツを収容
する複数の凹部（１）が所定ピッチで配列されており、
各凹部（１）の底面（１Ｂ）には微小パーツを真空吸着
するためのスリット（２）が形成されているため、微小
パーツを高精度に位置決めして供給することが出来る。
しかも、微小パーツを収容する複数の凹部（１）は、そ
の壁面（１Ａ）が順勾配の傾斜面に形成されているた
め、微小パーツの収容、取出し作業を円滑に行うことが
出来る。従って、微小パーツを精密パレット（Ｐ）上に
載置し、また、精密パレット（Ｐ）上からピックアップ
するための組立用ロボットに対する制御命令をパレタイ
ズ命令として簡略化することが出来る。
例えば、レーザダイオードチップ等の微小パーツを収容
する複数の凹部（１）が所定ピッチで配列されており、
各凹部（１）の底面（１Ｂ）には微小パーツを真空吸着
するためのスリット（２）が形成されているため、微小
パーツを高精度に位置決めして供給することが出来る。
しかも、微小パーツを収容する複数の凹部（１）は、そ
の壁面（１Ａ）が順勾配の傾斜面に形成されているた
め、微小パーツの収容、取出し作業を円滑に行うことが
出来る。従って、微小パーツを精密パレット（Ｐ）上に
載置し、また、精密パレット（Ｐ）上からピックアップ
するための組立用ロボットに対する制御命令をパレタイ
ズ命令として簡略化することが出来る。
【００３０】なお、各凹部（１）の壁面（１Ａ）の傾斜
角度は、上部プレート（Ｐ１）として使用するシリコン
基板の結晶方位を適宜変更することにより、調整するこ
とが出来る。
角度は、上部プレート（Ｐ１）として使用するシリコン
基板の結晶方位を適宜変更することにより、調整するこ
とが出来る。
【００３１】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の精密パレッ
トによれば、微小パーツを収容する複数の凹部が所定ピ
ッチで配列されており、各凹部の底面には微小パーツを
真空吸着するためのスリットが形成されているため、微
小パーツを高精度に位置決めして供給することが出来
る。そして、凹部の壁面が順勾配の傾斜面に形成されて
いるため、微小パーツの収容、取出し作業を円滑に行う
ことが出来る。
トによれば、微小パーツを収容する複数の凹部が所定ピ
ッチで配列されており、各凹部の底面には微小パーツを
真空吸着するためのスリットが形成されているため、微
小パーツを高精度に位置決めして供給することが出来
る。そして、凹部の壁面が順勾配の傾斜面に形成されて
いるため、微小パーツの収容、取出し作業を円滑に行う
ことが出来る。
【００３２】また、本発明の精密パレットの製造方法に
よれば、フォトレジストパターンの成形精度、エッチン
グ条件、シリコン基板の結晶方位を適切に選定すること
により、精密パレットの寸法精度を高精度化することが
出来、個々の寸法のバラツキも小さくすることが出来
る。そして、本発明の製造方法によれば、金属材料を精
密機械加工する場合に比べて安価に精密パレットを製造
することが出来る。
よれば、フォトレジストパターンの成形精度、エッチン
グ条件、シリコン基板の結晶方位を適切に選定すること
により、精密パレットの寸法精度を高精度化することが
出来、個々の寸法のバラツキも小さくすることが出来
る。そして、本発明の製造方法によれば、金属材料を精
密機械加工する場合に比べて安価に精密パレットを製造
することが出来る。
【図１】本発明に係る精密パレットの平面図である。
【図２】精密パレットの縦断面図である。
【図３】精密パレットの製造工程を示すフローチャート
である。
である。
【図４】上部プレートの平面図である。
【図５】下部プレートの平面図である。
Ｐ ：精密パレット Ｐ１：上部プレート Ｐ２：下部プレート １ ：凹部 １Ａ：壁面 １Ｂ：底面 ２ ：スリット
Claims (4)
- 【請求項１】 微小パーツの供給作業に使用されるパレ
ットであって、その上面には微小パーツを収容する複数
の凹部が配列されており、各凹部の壁面は順勾配の傾斜
面に形成され、各凹部の底面には前記微小パーツを真空
吸着するための孔が形成されていることを特徴とする精
密パレット。 - 【請求項２】 凹部の壁面を構成する複数の開口が形成
されたシリコン基板から成る上部プレートと、凹部の底
面を構成し且つ複数のスリットが形成されたシリコン基
板から成る下部プレートとを上下に接合して構成されて
いる請求項１に記載の精密パレット。 - 【請求項３】 上部プレートが（１００）結晶方位のシ
リコン基板から成り、下部プレートが（１１０）結晶方
位のシリコン基板から成る請求項２に記載の精密パレッ
ト。 - 【請求項４】 請求項２に記載の精密パレットの製造方
法であって、上部プレート製造工程と、下部プレート製
造工程と、プレート接合工程と、ダイシング工程とを備
え、上部プレート製造工程では、表面に保護膜を有する
シリコン基板にフォトレジストパターンを施して複数の
開口に対応する部分の保護膜をエッチングし、得られた
保護膜のマスクパターンを使用してシリコン基板に前記
複数の開口をエッチングし、下部プレート製造工程で
は、表面に保護膜を有するシリコン基板にフォトレジス
トパターンを施して複数のスリットに対応する部分の保
護膜をエッチングし、得られた保護膜のマスクパターン
を使用してシリコン基板に前記複数のスリットをエッチ
ングし、プレート接合工程では、各凹部の底面にスリッ
トを位置合せして上部プレートと下部プレートとを接合
し、ダイシング工程では、接合された上部プレート及び
下部プレートを所定形状にダイシング加工してパレット
を得ることを特徴とする精密パレットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31911497A JPH11138360A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | 精密パレット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31911497A JPH11138360A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | 精密パレット及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11138360A true JPH11138360A (ja) | 1999-05-25 |
Family
ID=18106628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31911497A Withdrawn JPH11138360A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | 精密パレット及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11138360A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7698800B2 (en) | 2004-01-21 | 2010-04-20 | Sony Corporation | Element arrangement method |
| CN114114492A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-01 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 硅基狭缝组件及将其装配到光路中的方法 |
-
1997
- 1997-11-05 JP JP31911497A patent/JPH11138360A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7698800B2 (en) | 2004-01-21 | 2010-04-20 | Sony Corporation | Element arrangement method |
| CN114114492A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-01 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 硅基狭缝组件及将其装配到光路中的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050201 |