JPH11135392A - ウェーハ認識システムを具備するマルチ反応チャンバシステムとこれを用いたウェーハ加工方法 - Google Patents

ウェーハ認識システムを具備するマルチ反応チャンバシステムとこれを用いたウェーハ加工方法

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JPH11135392A
JPH11135392A JP10234634A JP23463498A JPH11135392A JP H11135392 A JPH11135392 A JP H11135392A JP 10234634 A JP10234634 A JP 10234634A JP 23463498 A JP23463498 A JP 23463498A JP H11135392 A JPH11135392 A JP H11135392A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェーハ認識システムを具備するマルチ反応
チャンバシステムとこれを用いたウェーハ加工方法を提
供する。 【解決手段】 ウェーハの認識はウェーハ認識システム
５６によりなされ、ウェーハ加工反応チャンバ４８，５
０はウェーハ認識システム５６と連結された反応チャン
バ４８，５０のシステムコントローラにより選定され
る。このような一連の過程で発生されるデータはウェー
ハ別にデータが管理される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハ認識システ
ムを具備するマルチ反応チャンバシステム及びこれを用
いたウェーハ加工方法に係り、光学文字認識(Optical C
haracter Recognition:以下、OCRという)システムを具
備したマルチ反応チャンバシステム及びこれを用いたウ
ェーハ加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置が高集積化され、その製造工
程が複雑になる状況下で、半導体装置の生産性は反応チ
ャンバシステムを単一チャンバシステムからマルチ反応
チャンバシステムに転換することによって高まる。
【０００３】従来の技術によるマルチ反応チャンバシス
テムは図1に示したように、トランスファチャンバ10とこ
れに連結された多数の他のチャンバを具備している。具
体的に、トランスファチャンバ10、第1及び第2ロードロ
ックチャンバ12、14、アラインチャンバ16が連結してい
る。アラインチャンバ16にウェーハの整列に用いられる
アライナ16aが備わっている。トランスファチャンバ10の
さらに他の方向に第1及び第2反応チャンバ18、20が連結
されている。前記各チャンバはウェーハが待機中に露出
されることを防止するために密閉されている。
【０００４】図1において、実線Aと一点鎖線B及び点線C
はチャンバ間のウェーハの移動経路を示す。第1及び第2
ロードロックチャンバ12、14中から選択されたいずれか
一つのチャンバ、例えば第1ロードロックチャンバ12に
ローディングされたウェーハはアラインチャンバ16に移
送される。アラインチャンバ16でウェーハの整列が成さ
れた後、第1及び第2反応チャンバ18、20中選択されたい
ずれか一つのチャンバ、例えば第1反応チャンバ18にウ
ェーハが移送される。第1反応チャンバ18でウェーハの
加工が実施される。以後、ウェーハはトランスファチャ
ンバ10を経て第1ロードロックチャンバ12に移送され
る。引続き前記第1及び第2ロードロックチャンバ12、14
にローディングされた他のウェーハも最初に選択された
ウェーハと同じ過程を経て加工される。
【０００５】例えば、ウェーハ加工工程中、第1反応チ
ャンバ18に障害が発生してウェーハ加工が正常に行われ
ない場合には、第1反応チャンバ18の使用を中止して第2
反応チャンバ20を使用する必要がある。ところが、従来
の技術によるマルチ反応チャンバシステムを使用した場
合には、単純に加工すべきウェーハを反応チャンバでロ
ーディングして加工した後、また元来の位置に戻す過程
を反復する方法を採っている。従って、どのウェーハが
どの反応チャンバで加工されたか記憶も判断もされてお
らず、全く分からない。従って、加工されたウェーハの
中で不良ウェーハが発見されるまでウェーハ加工工程は
継続して進行される。さらに不良ウェーハが発見された
としても、どの反応チャンバで加工されたかがわからな
いので、これを発見するまで長時間がかかるので半導体
装置の生産性が低下する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明が達成し
ようとする技術的課題は前述した従来の技術に現れる問
題点を解決するために、ウェーハと反応チャンバをマッ
チングさせてどのウェーハがどの反応チャンバで加工さ
れたかを容易に把握できるウェーハ認識システムを具備
するマルチ反応チャンバシステムを提供することにあ
る。本発明が達成しようとする他の技術的課題は前記マ
ルチ反応チャンバシステムを用いたウェーハ加工方法を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記の技術的課題を達成
するために、本発明によるマルチ反応チャンバシステム
はトランスファチャンバ、前記トランスファチャンバの
相異なる位置に連結されたロードロックチャンバとアラ
インチャンバと、複数個の反応チャンバを備えるマルチ
反応チャンバシステムにおいて、前記アラインチャンバ
にウェーハと前記ウェーハが加工される反応チャンバが
認識できるウェーハ認識システムが具備されている。
【０００８】前記ウェーハのパターンが形成されていな
い領域、例えばフラットゾーンに認識コードがある。前
記認識コードは数字、文字及び数字と文字とが組合わせ
た群の中から選択されたいずれか一つである。前記認識
コードはバーコードである場合もある。前記ウェーハ認
識システムは前記アラインチャンバに付着されたウェー
ハ認識ユニットと、前記ウェーハ認識ユニットと連結さ
れたOCRコントローラと、前記OCRコントローラの第1信
号出力端子に順次に連結された第1及び第2インタフェー
スボード及び、前記OCRコントローラの第2信号出力端子
に連結されたモニターよりなるOCRシステムである。
【０００９】前記ウェーハ認識ユニットは光放出手段と
受光手段とを具備する。前記の他の技術的な課題を達成
するために、本発明は次のようなウェーハ加工方法を提
供する。即ち、(a) ウェーハに認識コードを形成する。
(b) 前記認識コードを通じてウェーハを認識する。(c)
前記認識されたウェーハを加工する反応チャンバを決定
する。(d) 前記決定された反応チャンバでウェーハを加
工する。(e) 前記加工されたウェーハを検査する。
【００１０】前記認識コードは数字、文字及び数字と文
字とが組合わせた群の中選択されたいずれか一つを前記
ウェーハのフラットゾーンに陽刻または陰刻して形成す
る。また、前記認識コードとして判子を押すように前記
ウェーハのフラットゾーンにバーコードを形成できる。
前記認識コードはアラインチャンバに備わったウェーハ
認識システムを使用して認識する。
【００１１】本発明はアラインチャンバでウェーハ認識
と前記ウェーハを加工するための反応チャンバが決まる
マルチ反応チャンバシステム及びこれを用いたウェーハ
加工方法を提供する。ウェーハ認識はウェーハ認識シス
テムによりなされ、ウェーハ加工反応チャンバは前記ウ
ェーハ認識システムと連結された反応チャンバのシステ
ムコントローラにより選定される。また、このような一
連の過程で発生されるデータはウェーハ別、反応チャン
バ別にデータが管理される。従って加工工程中どのウェ
ーハがどの反応チャンバで加工されたかを正確に分かり
うる。これに基づき障害を起こした反応チャンバでウェ
ーハが加工されることを防止して不要な作業が増加する
ことを防止できる。従って、半導体装置の信頼度及び生
産性を高められる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の望ましい実施の形態に対して詳細に説明する。
【００１３】図2を参照すると、本発明の実施の形態に
よるマルチ反応チャンバシステムは、トランスファチャ
ンバ40を中心として第1及び第2ロードロックチャンバ4
2、44とアラインチャンバ46及び複数個の反応チャン
バ、例えば第1及び第2反応チャンバ48、50が備わってい
る。前記トランスファチャンバ40に前記第1及び第2反応
チャンバ48、50外に他の反応チャンバ、例えば第3及び
第4反応チャンバがさらに連結されていることができる。
前記第1及び第2ロードロックチャンバ42、44に各々ウェ
ーハカセット(図示せず)がローディングされている。前
記各ウェーハカセットのスロットに前記第1及び第2反応
チャンバ48、50で加工されるウェーハが積載されてい
る。前記ウェーハには固有の認識コードが彫られてい
る。この認識コードは、ウェーハのパターンが形成され
ない部分、例えばプレートゾーンに彫られている。
【００１４】前記アラインチャンバ46にウェーハの整列
のためのアライナ54とウェーハを認識する時に用いられ
るウェーハ認識ユニット52が備わっている。前記ウェー
ハ認識ユニット52は認識されるウェーハに対するデータ
を管理するシステム(56:以下、"ウェーハ認識システム"
という)と連結されている。前記ウェーハ認識ユニット5
2は円内に示したように、ウェーハWに彫った認識コード
52aを認識する手段であって、前記認識コード52aを認識
する方式によって多様な形態と多様な構成を有すること
ができる。例えば、前記ウェーハ認識ユニット52は光学
方式で前記認識コード52aを認識する手段、即ち光学文
字認識装置OCRの認識部であっても良い。この時、前記ウ
ェーハ認識ユニット52は前記認識コード52aに光を照射
する発光部52bと前記認識コード52aから反射される光を
受光する受光部52cより構成される。望ましくは、前記
発光部52bは発光ダイオードである。また、前記受光部5
2cはCCDカメラである。前記発光部52bと受光部52cは各
々前記ウェーハ認識システム56に連結されている。前記
ウェーハ認識システム56は光学文字認識システムに連結
される。
【００１５】図示しなかったが、前記ウェーハ認識シス
テム56は前記マルチ反応チャンバシステムのコントロー
ラと連結されているし、これは工場ホスト（工場のホス
トコンピュータ等）に連結されている。従って前記アラ
インチャンバ46にローディングされてウェーハが認識さ
れると、認識されたデータは前記システムコントローラ
に伝送され、システムコントローラで前記認識されたウ
ェーハが加工される反応チャンバが決まる。このような
情報は、前記工場ホストに移送されて分析され貯蔵さ
れ、計測設備にフィードバックされて前記加工工程が進
行される反応チャンバが区分される。言わば、どのウェ
ーハがどの反応チャンバで加工されるかが区分できる。
【００１６】このように前記認識されたウェーハと認識
されたウェーハが加工される反応チャンバが管理される
ことによって、前記第1及び第2ロードロックチャンバ4
2、44にローディングされたウェーハ中どのウェーハが
どの反応チャンバで加工されるかが容易に分かる。従っ
て、前記第1及び第2反応チャンバ48、50のうちいずれか
の反応チャンバの加工能力が低下した場合、加工された
ウェーハに対して貯蔵されたデータを分析して加工能力
が低下した反応チャンバを探して加工能力が低下した反
応チャンバがわからずにそのまま継続して使われるのを
防止する。この結果、ウェーハの加工生産性を高め、ウ
ェーハの収率が改善できる。
【００１７】図2で実線と一点鎖線として示した矢印D、
Eは各々前記第1または第2ロードロックチャンバ42、44
から他のチャンバにウェーハが移動する経路を示す。
【００１８】図3を参照すると、ウェーハ認識システム6
0に認識されたウェーハに関するデータはケーブルを通
じてマルチ反応チャンバシステムコントローラ62に伝送
される。ここで前記ウェーハの認識コードを確認した
後、前記ウェーハが加工される反応チャンバが決まる。
前記決まった反応チャンバに前記ウェーハが移送されて
加工される。前記反応チャンバシステムコントローラ62
に加工されているウェーハの認識コードが現れる。ま
た、反応チャンバで進行された結果がウェーハ別に貯蔵
される。このような前記システムコントローラ62に貯蔵
されるデータは、さらに、工場ホスト64に移送されて分
析されて貯蔵された後、計測設備にフィードバックされ
てマルチ反応チャンバシステム66に送られる。この結
果、どのウェーハがどの反応チャンバで加工されたかが
分かる。
【００１９】図4を参照すると、前記ウェーハ認識シス
テム(図2の56)はウェーハに彫られた認識コードを読む
ウェーハ認識ユニット70と、これに連結されたOCRコン
トローラ72と前記コントローラ72の第1信号出力端子に
順次に連結された第1及び第2インターフェースボード7
6、78と、前記OCRコントローラ72の第2信号出力端子に
連結されたモニター74よりなる。前記第2信号出力端子に
ビデオ信号が出力される。前記ウェーハ認識ユニット70
で認識されたデータは前記OCRコントローラ72を通じて
前記第1及び第2インタフェースボード76、78に伝送され
て反応チャンバのシステムコントローラ(図示せず)に伝
送される。前記システムコントローラに伝送された資料
を基に前記アラインチャンバ(図2の46)にローディング
されて認識されたウェーハが加工される反応チャンバが
決まる。また、前記OCRコントローラ72から前記モニタ
ー74にウェーハ認識データが伝送されて、モニター74を
通じて前記認識されたウェーハを確認できる。
【００２０】前記ウェーハ認識ユニット70はウェーハW
に彫られた認識コードCに光を照射する発光手段70aと前
記認識コードCから反射された光を受光する受光手段70b
よりなっている。前記認識コードCはバーコード、文字
コード、数字コード及び文字と数字とが組合わせたコー
ドよりなる群の中から選択されたいずれか一つである。
前記文字コードとして英文字であることが望ましいが、
他の文字でも関係ない。前記認識コードCはウェーハの
素子が形成されない領域、例えばフラットゾーンに形成
されている。この時、前記認識コードCは前記フラット
ゾーンにコーティング方式で形成されていたり、陽刻ま
たは陰刻されている。前記発光手段70aは光を照射でき
ることであればなんでも可能であり、前記のように発光
ダイオードはその一例になりうる。前記受光手段70bは
光を受光できる手段であれば良く、前記のようにCCDカ
メラはその一例である。
【００２１】前記ウェーハ認識システム72はOCRコント
ローラ72aと前記発光手段70aに電源を供給する電源供給
器72bよりなっている。前記OCRコントローラ72aの外部
信号入力端子に前記受光手段70bがケーブルを通じて連
結されている。前記OCRコントローラ72aの信号出力端子
にモニター74が連結されていて、前記ウェーハ認識ユニ
ット70により認識されたウェーハをモニターできる。前
記ウェーハ認識システム72は操作パネルを具備し、リモ
ートコントローラ73も備わっている。従って、遠距離操
作が可能である。図4で前記リモコン73は有線方式で示
されているが、無線方式の場合もある。前記OCRコント
ローラ72aに前記認識コードCに対するデータが伝送され
る第1及び第2インターフェースボード76、78が連結され
ている。前記第2インターフェースボード78は前記の反
応チャンバシステムコントローラ(図示せず)と連結され
ている。
【００２２】前述したようなマルチ反応チャンバシステ
ムは化学気相蒸着システムやスパッタシステム等であ
る。前記マルチ反応チャンバシステムを利用してウェー
ハを加工する段階を添付された図面を参照して詳細に説
明する。前記マルチ反応チャンバシステムとして前記CV
Dシステムやスパッタシステムが使われうる。
【００２３】図2及び図5を参照すると、第1段階80はウ
ェーハ認識コードを形成する段階を示す。具体的には、
ウェーハを個別的に認識するためにウェーハ中におい
て、パターンが形成されない領域、例えば、トップやフ
ラットゾーン領域に認識コードを形成する。前記認識コ
ードはバーコード、数字コード、文字コード及び数字と
文字とが組合わせたコードよりなる一群中選択されたい
ずれか一つより形成する。前記認識コードは前記ウェー
ハのうちパターンが形成されない領域にコーティング
（例えば蒸着法により蒸着）したり、陽刻（文字部分が
凸になるように蝕刻して形成する）または陰刻（文字部
分が凹になるように蝕刻して形成する）して形成する。
【００２４】第2段階82はウェーハローディング段階を
示す。具体的にウェーハカセットに積載した後、前記ウ
ェーハカセットをマルチ反応チャンバシステムの第1ま
たは第2ロードロックチャンバ42、44中選択されたいず
れか一つのチャンバにローディングする。
【００２５】第3段階84はウェーハ整列及び認識段階を
示す。具体的には前記第1及び第2ロードロックチャンバ
42、44にローディングされたウェーハ中からされたいず
れか一つを前記アラインチャンバ46にローディングす
る。次いで前記ローディングされたウェーハを後続ウェ
ーハ加工チャンバでウェーハ加工用電極に正確に整列さ
せるための整列を実施する。次いで、前記ウェーハ認識
システム(図4参照)のウェーハ認識ユニット70を通じて
前記アラインチャンバ46にローディングされたウェーハ
の認識コードを認識する。
【００２６】第4段階86はウェーハ加工用チャンバを選
定する段階である。具体的には前記認識されたウェーハ
の認識コードは前記ウェーハ認識システム(図4参照)のO
CRコントローラ72で認識され、この結果は前記マルチ反
応チャンバシステムコントローラ(図3参照)に伝送され
て、前記認識されたウェーハの認識コードが確認され加
工される反応チャンバが決まる。
【００２７】第5段階88はウェーハ加工段階を示す。具
体的には前記認識されたウェーハを加工する反応チャン
バが決まると、前記アラインチャンバ46にローディング
されたウェーハが前記決まった反応チャンバ、例えば第
1反応チャンバ48にローディングされ、ウェーハ加工が
進行される。前記第1反応チャンバ48で最初にローディ
ングされたウェーハが加工される間に前記第1または第2
ロードロックチャンバ(図2の42、44)で二番目のウェー
ハが前記アラインチャンバ46にローディングされ、前記
最初にローディングされたウェーハが経た過程と同じ過
程を経てウェーハの認識と反応チャンバの割当がなされ
る。ところが、前記第1反応チャンバ48で最初のウェー
ハが加工されているので、前記二番目のウェーハは前記
第2反応チャンバ50にローディングされてウェーハの加
工工程が進行される。前記第1反応チャンバ48で加工が完
了されたウェーハは前記第1または第2ロードロックチャ
ンバ42、44に移送されてウェーハカセットに積載され
る。前記第1または第2ロードロックチャンバ42、44に積
載されている他のウェーハの加工工程は前記最初及び二
番目のウェーハの加工工程と同じ過程を経る。前記ウェ
ーハ加工工程は乾式蝕刻工程である。
【００２８】第6段階90はウェーハ検査段階を示す。具
体的に、前記ウェーハ加工工程を終えたウェーハを検査
してウェーハ加工、例えばウェーハの蝕刻が正しくなさ
れたかを検査して前記反応チャンバの加工能力の異常の
無を判断する。この時、ウェーハの蝕刻が正常に行われ
ない場合、該当ウェーハが加工された反応チャンバの加
工能力が低下したものと判断されて、ウェーハの加工工
程は問題を起こした反応チャンバを除いた、他の反応チ
ャンバで進行されるようにする。
【００２９】前記のように、従来の技術によるマルチ反
応チャンバの場合、マルチ反応チャンバシステムのどこ
にもウェーハを個別的に認識できる手段が備わっていな
い。従っていずれか一つの反応チャンバの加工能力が低
下した場合には、ウェーハがどの反応チャンバで加工さ
れたかを調べるのに長時間かかり、作業工数も増加する
ことが分かった。
【００３０】これに対して、本発明によるマルチ反応チ
ャンバはOCRシステムと同じウェーハ認識システムを具
備しているし、このシステムは反応チャンバシステムコ
ントローラ及び工場ホストと連結されていて、アライン
チャンバにローディングされたウェーハの整列と共にウ
ェーハの認識が個別的になされ、認識されたウェーハを
加工するために割当された反応チャンバも記録される。
従ってどのウェーハがどの反応チャンバで加工されるか
を容易に分かるので、加工中に反応チャンバの加工能力
が落ちる場合、加工されたウェーハを検査して該当反応
チャンバの継続的な使用を中止できる。
【００３１】尚、本発明は前記実施の形態に限らず、多
くの変形が本発明の技術的思想内で当分野の通常の知識
を有する者によって実施可能である。
【００３２】
【発明の効果】このように、ウェーハ加工工程にウェー
ハ認識システムを具備するマルチ反応チャンバシステム
を使用することによってウェーハ別加工工程を容易に把
握できる。従ってウェーハ加工工程中に資料を分析し反
応チャンバの加工能力を分析して、加工能力が低下した
反応チャンバが継続して用いられるのを防止できる。こ
の結果、ウェーハ加工工程で反応チャンバの加工能力を
分析するのに必要な作業時間を減らしうるだけでなくウ
ェーハの収率低下を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の技術によるマルチ反応チャンバシステ
ムを示す平面図である。
【図２】 本発明の実施の形態によるマルチ反応チャン
バシステムの平面図である。
【図３】 本発明の実施の形態によるマルチ反応チャン
バシステムと関連設備のブロック図である。
【図４】 本発明の実施の形態によるマルチ反応チャン
バシステムに備わったウェーハ認識システムの概略的な
構成図である。
【図５】 本発明の実施の形態によるウェーハ加工方法
を段階別に示すブロック図である。
【符号の説明】
40 トランスファチャンバ 42、44 第1及び第2ロードロックチャンバ 46 アラインチャンバ 48、50 第1及び第2反応チャンバ 52 ウェーハ認識ユニット 52a 認識コード 52b 発光部 52c 受光部 54 アライナ 56 ウェーハ認識システム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丁 光鎭 大韓民国京畿道城南市盆唐區野塔洞207番 地梅花住公アパート310棟303號

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 トランスファチャンバ、前記トランスフ
    ァチャンバの相異なる位置にロードロックチャンバとア
    ラインチャンバと複数個の反応チャンバとが全て連結し
    ているマルチ反応チャンバシステムにおいて、 ウェーハ認識と認識されたウェーハが加工される反応チ
    ャンバが認識できるウェーハ認識装置が前記アラインチ
    ャンバに備わっていることを特徴とするマルチ反応チャ
    ンバシステム。
  2. 【請求項２】 前記ウェーハ認識のための認識コードが
    前記ウェーハのフラットゾーンに形成されていることを
    特徴とする請求項1に記載のマルチ反応チャンバシステ
    ム。
  3. 【請求項３】 前記認識コードは数字コード、文字コー
    ド及び数字と文字とが組合わせたコードよりなる群のう
    ちから選択されたいずれか一つであることを特徴とする
    請求項2に記載のマルチ反応チャンバシステム。
  4. 【請求項４】 前記認識コードはバーコードであること
    を特徴とする請求項2に記載のマルチ反応チャンバシス
    テム。
  5. 【請求項５】 前記ウェーハ認識システムは光学的方式
    で前記認識コードを認識する光学文字認識システムであ
    ることを特徴とする請求項2に記載のマルチ反応チャン
    バシステム。
  6. 【請求項６】 前記光学文字認識システムは前記アライ
    ンチャンバに付着されたウェーハ認識ユニットと、 前記ウェーハ認識ユニットと連結され、遠距離操作手段
    が備えられているOCRコントローラと、 前記OCRコントローラの第1信号出力端子に順次に連結さ
    れた第1インタフェースボード及び第2インタフェースボ
    ードと、 前記OCRコントローラの第2信号出力端子に連結されたモ
    ニターよりなることを特徴とする請求項5に記載のマル
    チ反応チャンバシステム。
  7. 【請求項７】 前記第2インターフェースボードにマルチ
    反応チャンバシステムコントローラが連結され、前記マ
    ルチ反応チャンバシステムコントローラに工場ホストが
    連結されていることを特徴とする請求項6に記載のマル
    チ反応チャンバシステム。
  8. 【請求項８】 前記ウェーハ認識ユニットは前記ウェー
    ハの認識コードに光を照射する光放出手段と前記認識コ
    ードから反射された光を受光する受光手段を具備するこ
    とを特徴とする請求項６に記載のマルチ反応チャンバシ
    ステム。
  9. 【請求項９】 前記マルチ反応チャンバシステムコント
    ローラはCVDシステムコントローラまたはスパッタシス
    テムコントローラであることを特徴とする請求項7に記
    載のマルチ反応チャンバシステム。
  10. 【請求項１０】 前記光放出手段は発光ダイオードであ
    ることを特徴とする請求項8に記載のマルチ反応チャン
    バシステム。
  11. 【請求項１１】 前記受光手段はCCDカメラであることを
    特徴とする請求項8に記載のマルチ反応チャンバシステ
    ム。
  12. 【請求項１２】 (a) ウェーハに認識コードを形成する
    段階と、 (b) 前記ウェーハをロードロックチャンバにローディン
    グする段階と、 (c) 前記ウェーハをアラインチャンバにローディングす
    る段階と、 (d) 前記ウェーハを整列して認識した後、前記認識され
    たウェーハを加工する反応チャンバを決定する段階と、 (e) 前記決定された反応チャンバでウェーハを加工する
    段階と、 (f) 前記加工されたウェーハを検査する段階とを含むこ
    とを特徴とするウェーハ加工方法。
  13. 【請求項１３】 前記認識コードは前記ウェーハのフラ
    ットゾーンに形成されることを特徴とする請求項12に記
    載のウェーハ加工方法。
  14. 【請求項１４】 前記認識コードは数字コード、文字コ
    ード及び数字と文字とが組合わせたコードよりなる群の
    中から選択されたいずれか一つであることを特徴とする
    請求項12に記載のウェーハ加工方法。
  15. 【請求項１５】 前記認識コードはバーコードであるこ
    とを特徴とする請求項12に記載のウェーハ加工方法。
  16. 【請求項１６】 前記ウェーハを認識するにおいて前記
    アラインチャンバに備わったウェーハ認識システムを使
    用することを特徴とする請求項12に記載のウェーハ加工
    方法。
  17. 【請求項１７】 前記認識コードは前記数字コード、文
    字コード及び数字と文字とが組合わせたコードよりなる
    群の中から選択されたいずれか一つを陽刻または陰刻し
    て形成することを特徴とする請求項14に記載のウェーハ
    加工方法。
  18. 【請求項１８】 前記ウェーハ認識システムで前記認識
    コードに光を照射する光放出手段と前記認識コードから
    反射された光を受光する受光手段を具備するウェーハ認
    識ユニットと、前記ウェーハ認識ユニットと連結された
    遠距離操作手段が備えられているOCRコントローラと、
    前記OCRコントローラの第1信号出力端子に順次に連結さ
    れた第1インタフェースボード及び第2インタフェースボ
    ード、及び前記OCRコントローラの第2信号出力端子に連
    結されたモニターを具備するOCRシステムを使用するこ
    とを特徴とする請求項16に記載のウェーハ加工方法。
  19. 【請求項１９】 前記ウェーハは前記ウェーハ認識シス
    テムに連結されるマルチ反応チャンバシステムコントロ
    ーラで決定される反応チャンバで加工されることを特徴
    とする請求項16に記載のウェーハ加工方法。
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