JPH1112785A - Electroplating device - Google Patents

Electroplating device

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Publication number
JPH1112785A
JPH1112785A JP16715097A JP16715097A JPH1112785A JP H1112785 A JPH1112785 A JP H1112785A JP 16715097 A JP16715097 A JP 16715097A JP 16715097 A JP16715097 A JP 16715097A JP H1112785 A JPH1112785 A JP H1112785A
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JP
Japan
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substrate
discharge
anode
plating
plated
Prior art date
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Pending
Application number
JP16715097A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuyuki Nakai
靖行 中居
Yoshiaki Tomari
慶明 泊
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
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Priority to JP16715097A priority Critical patent/JPH1112785A/en
Publication of JPH1112785A publication Critical patent/JPH1112785A/en
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  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make the film thickness distribution and film quality of a plating film uniform on a large-area substrate by adopting the constitution to arrange an anode between a substrate to be plated and a discharge/suction mechanism and integral this discharge/suction mechanism with the anode. SOLUTION: The substrate 4 to be plated is so formed that the substrate can be oscillated vertically or laterally on the same plane inclusive of its surface by an oscillating device, etc., and simultaneously this substrate itself acts as a cathode at the time of electroplating. The meshed anode 6 is integrated with the plating liquid discharge/suction mechanism 5 as a unit. This unit is so supported as to move vertically along rails 7 disposed in parallel with the surface of the substrate 4 to be plated. A discharge side pipe 8 and a suction side pipe 9 are connected by Tygon tubing to the discharge/suction mechanism 5. The substrate 4 to be plated and the anode 6 are held in a parallel state by such constitution, by which the application of a uniform voltage and current on the substrate 4 to be plated is made possible and the uniform plating of the large area is made possible.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路基板を製
造する際に、被メッキ基板の面に対して平行に移動操作
される陽極と、前記被メッキ基板の面に対してほぼ鉛直
な方向からメッキ液を吐出し、また、吸入する吐出吸入
機構とを具備する電気メッキ装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an anode which is moved in parallel with a surface of a substrate to be plated when manufacturing an electronic circuit board, and a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate to be plated. The present invention relates to an electroplating apparatus having a discharge and suction mechanism for discharging and sucking a plating solution from the apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】プリント電子回路基板を製造する技術と
して、今までに様々な方法が提唱されている。例えば、
メッキ槽内で被メッキ基板に揺動を与えたり、あるい
は、気泡をメッキ槽の底辺部から発生させ、液循環を行
って、被メッキ基板(プリント配線基板)上に、より均
一なメッキを行う手法が、古くから現在に至るまで、広
く行われている。また、高速メッキ手法として、メッキ
液を噴流状態にして、これを被メッキ基板の面に射出
し、メッキする手法も提案されている(特公昭57−6
0788号公報、あるいは、特公昭58−759号公報
を参照)。
2. Description of the Related Art Various techniques have been proposed as techniques for manufacturing printed electronic circuit boards. For example,
The substrate to be plated is shaken in the plating tank, or bubbles are generated from the bottom of the plating tank, and the liquid is circulated to perform more uniform plating on the substrate to be plated (printed wiring board). The method has been widely used since ancient times. Further, as a high-speed plating method, there has been proposed a method in which a plating solution is jetted, ejected onto a surface of a substrate to be plated, and plated (Japanese Patent Publication No. 57-6 / 1982).
0788 or JP-B-58-759).

【0003】また、従来の手法では、プリント基板上の
スルーホール内まで含めた均一なメッキを行うことが困
難であるという事情から、近年では、メッキ液を噴流状
態にして、被メッキ基板に射出する際に、併せて、基板
に揺動力を与えたり、あるいは、陽極を動作して、スル
ーホールに対するメッキ液の接触を高め、メッキする手
法も提案されている。
In addition, it is difficult to perform uniform plating including the inside of a through-hole on a printed circuit board by a conventional method. In recent years, a plating solution has been jetted and injected onto a substrate to be plated. At the same time, there has been proposed a method of applying a oscillating power to a substrate or operating an anode to increase the contact of a plating solution with a through hole to perform plating.

【0004】数例を提示すると、メッキ槽に底部に吸入
機構、メッキ槽上部に吐出機構を持ち、かつ、被メッキ
基板の揺動を行うスルーホール用メッキ装置(特公昭6
1−47918号公報を参照)、吐出機構自身が往復移
行するスルーホール用メッキ装置(特公昭57−390
79号公報を参照)、メッキ液噴射管に同期して移動す
る陽極を具備したスルーホール用メッキ装置(特公昭5
8−21840号公報を参照)などが提案されている。
[0004] To give a few examples, a plating apparatus for through holes which has a suction mechanism at the bottom of a plating tank and a discharge mechanism at the top of the plating tank and swings a substrate to be plated (Japanese Patent Publication No.
No. 1-47918), a through-hole plating apparatus in which the discharge mechanism itself reciprocates (Japanese Patent Publication No. 57-390).
No. 79), a through-hole plating apparatus equipped with an anode that moves in synchronization with a plating solution spray tube (Japanese Patent Publication No. Sho.
No. 8-21840) has been proposed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
揺動方式では、ゆるやか速度(1m/min程度)で被
メッキ基板を動かしていたので、メッキに際して水素発
生を抑制する効果のある撹拌が実現されるが、被メッキ
基板の最表面にできる金属イオンの濃度勾配を解消させ
るには到らない。
However, in the conventional oscillating system, the substrate to be plated is moved at a slow speed (about 1 m / min), so that agitation having an effect of suppressing hydrogen generation during plating is realized. However, this does not solve the problem of the concentration gradient of metal ions formed on the outermost surface of the substrate to be plated.

【0006】また、メッキ液の噴流によるスルーホール
メッキの場合、スルーホールへの液の廻りが効果的にな
るが、ライン幅が数十ミクロン以下の配線パターンを、
アディティブ方式でメッキする場合には、配線のエッジ
部に投入電力が集中してしまい、エッジ部が異常に成長
し、断面が、所謂、M字形になる状態が多発する。この
ように、断面がM字形の形状になると、配線幅が細くな
る程、線の内側に圧縮応力が発生して、製造後、被メッ
キ基板から配線が剥離する。そのため、配線形状の断面
が台形若しくは長方形になるようにすることが望まれ
る。
[0006] In the case of through-hole plating by a jet of a plating solution, the circulation of the solution to the through-holes is effective, but a wiring pattern having a line width of several tens of microns or less can be formed.
In the case of plating by the additive method, the input power is concentrated on the edge of the wiring, the edge grows abnormally, and the cross section often becomes a so-called M-shape. As described above, when the cross section has an M-shape, as the wiring width becomes narrower, a compressive stress is generated inside the wire, and the wiring peels off from the substrate to be plated after manufacturing. Therefore, it is desired that the cross section of the wiring shape be trapezoidal or rectangular.

【0007】また、メッキ内部に発生する応力は、形状
からくるもののみならず、メッキ膜自体の組成構造から
由来するものも考慮に入れる必要がある。つまり、メッ
キ膜の応力低減のためには、柔らかいメッキ膜(例え
ば、ヴィッカース硬さ:Hv=50程度)にすることも
考えられる。そこで、前述のように、断面が台形若しく
は長方形となる配線を、メッキにて、容易に形成するた
めには、また、メッキ膜自体の組成構造を抑制するため
には、そのメッキ手法自体を変革することが必要であ
る。
In addition, it is necessary to take into account not only stress generated from the shape but also stress derived from the composition structure of the plating film itself. That is, in order to reduce the stress of the plating film, a soft plating film (for example, Vickers hardness: about Hv = 50) may be used. Therefore, as described above, in order to easily form wiring having a trapezoidal or rectangular cross section by plating, and to suppress the composition structure of the plating film itself, the plating method itself has been changed. It is necessary to.

【0008】一方、上述の従来例では、100mm角程
度の大きさの被メッキ基板であるならば、メッキ膜厚や
組成構造も、充分に均一化を図ることができるが、大面
積な基板、例えば、400mm角以上の基板の場合、基
板全体に対して、均一メッキを施すのは非常に困難であ
る。即ち、従来の基板揺動によるメッキでは、大面積の
場合、基板中心部の電流密度が下がってしまうので、ど
うしても、基板中心部の膜厚が薄くなる(電流密度が高
い部分でメッキが先行してしまう)。
On the other hand, in the above-mentioned conventional example, if the substrate to be plated has a size of about 100 mm square, the plating film thickness and the composition structure can be sufficiently uniformized. For example, in the case of a substrate of 400 mm square or more, it is very difficult to apply uniform plating to the entire substrate. That is, in the conventional plating by swinging the substrate, in the case of a large area, the current density in the central portion of the substrate is reduced. Therefore, the film thickness in the central portion of the substrate is inevitably reduced. ).

【0009】また、噴流を用いたスルーホールメッキ装
置やアノード電極と同一面上に噴流口があるメッキ装置
であっても、大きな面積に亘ってメッキ配線パターンを
作製する場合、矢張り、配線断面形状が、剥離応力を持
つような、M字形などの異形になったり、膜厚分布のバ
ラツキが被メッキ基板上にできてしまう。
Further, even in a through-hole plating apparatus using a jet or a plating apparatus having a jet port on the same surface as an anode electrode, when a plated wiring pattern is to be formed over a large area, it is difficult to form a wiring pattern. The shape may have an irregular shape such as an M-shape having peeling stress, or a variation in film thickness distribution may be formed on the substrate to be plated.

【0010】これは、今後の、壁掛けテレビなどのフラ
ットパネルディスプレー対応の配線技術など、大面積へ
の配線を行う際に問題となる点で、どうしても、メッキ
技術として、均一な膜厚、膜質のメッキ膜を得ることが
不可欠となる。
This is a problem when wiring to a large area such as a wiring technology for a flat panel display such as a wall-mounted television in the future. It is essential to obtain a plating film.

【0011】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
ので、その目的とするところは、大面積基板上での、メ
ッキ膜の膜厚分布および膜質の均一化を達成した電気メ
ッキ装置を提供するにある。
The present invention has been made based on the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an electroplating apparatus which achieves a uniform film thickness distribution and film quality on a large-area substrate. To be.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、被メッキ基板の面に対して平行に移動
操作される陽極と、前記被メッキ基板の面に対してほぼ
鉛直な方向からメッキ液を吐出し、また、吸入する吐出
吸入機構とを具備する電気メッキ装置において、前記陽
極は、前記被メッキ基板と前記吐出吸入機構との間に配
置され、かつ、前記吐出吸入機構が前記陽極に一体化し
た構成であることを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, according to the present invention, there is provided an anode which is moved parallel to a surface of a substrate to be plated, and an anode which is substantially perpendicular to the surface of the substrate to be plated. In the electroplating apparatus including a discharge suction mechanism that discharges a plating solution from the apparatus, the anode is disposed between the substrate to be plated and the discharge suction mechanism, and the discharge suction mechanism is It is characterized in that it is integrated with the anode.

【0013】この場合、前記吐出吸入機構は、前記陽極
の移動方向に関して、その吐出口及び吸入口が、交互配
列されていることが好ましい。また、前記陽極は、メッ
シュ状であり、前記吐出吸入機構から吐出されるメッキ
液の一部は、前記陽極のメッシュを介して通過するよう
に構成されているとよい。更に、前記被メッキ基板は、
その表面もしくはその一部に金属成分を密着させたガラ
ス製基板であり、該基板上の金属成分の部位に、メッキ
による配線パターンを形成するのである。
[0013] In this case, it is preferable that the discharge ports and the suction ports of the discharge / suction mechanism are alternately arranged in the moving direction of the anode. The anode may have a mesh shape, and a part of the plating solution discharged from the discharge and suction mechanism may be configured to pass through the mesh of the anode. Further, the substrate to be plated is
It is a glass substrate having a metal component adhered to its surface or a part thereof, and a wiring pattern is formed by plating on a portion of the metal component on the substrate.

【0014】このような構成では、従来のスルーホール
メッキでは得られなかった、大面積の配線パターンメッ
キを行うことが可能となった。また、陽極(アノード電
極)を基板と吐出吸入機構の間に置くことにより、基板
と電極と間の距離を短くすることができ、高い電流密度
を実現できるので、メッキ条件について、そのマージン
幅を大きくとることができる。また、従来の噴流メッキ
の場合、陽極を基板から離したところへ設置するのが一
般的であったが、陽極可動方式を用いること、そして、
吐出吸入機構が陽極と一体化した機構をとることで、被
メッキ基板と電極が平行状態になっているため、被メッ
キ基板に対して均等な電圧及び電流を与えることが可能
となり、大面積の均一メッキが可能となる。
With this configuration, it is possible to perform wiring pattern plating of a large area, which cannot be obtained by conventional through-hole plating. In addition, by placing the anode (anode electrode) between the substrate and the discharge / suction mechanism, the distance between the substrate and the electrode can be shortened, and a high current density can be realized. Can be large. Also, in the case of conventional jet plating, it was common to install the anode away from the substrate, but using an anode movable method, and
Since the discharge / suction mechanism has a mechanism integrated with the anode, the substrate to be plated and the electrodes are in a parallel state, so that a uniform voltage and current can be given to the substrate to be plated, and a large area can be obtained. Uniform plating becomes possible.

【0015】また、本発明の電気メッキ装置を用いるこ
とで、ガラス基板上にパターン配線が可能となり、無機
物の基板上に配線が形成されたガラス製配線基板の製造
が可能となる。しかも、従来の噴流メッキは、スルーホ
ールメッキや高速メッキとして、有効でも、大面積の基
板上のパターンを形成するのには、前述のように、異形
状となり、応力が大きくなり、密着性が悪いなどの問題
点があったが、本発明の電気メッキ装置を使うことによ
り、ガラス基板上に密着させた金属成分上に良好な配線
断面形状、メッキ膜組成、メッキ膜厚分布について均一
な配線メッキが可能となる。
Also, by using the electroplating apparatus of the present invention, pattern wiring can be performed on a glass substrate, and a glass wiring substrate having wiring formed on an inorganic substrate can be manufactured. Moreover, conventional jet plating is effective as through-hole plating or high-speed plating, but as described above, it has an irregular shape, large stress, and poor adhesion to form a pattern on a large-area substrate. Although there were problems such as bad, by using the electroplating apparatus of the present invention, a uniform wiring with good wiring cross-sectional shape, plating film composition, plating film thickness distribution on the metal component adhered on the glass substrate Plating becomes possible.

【0016】また、本発明の電気メッキ装置では、吐出
吸入機構から吐出されるメッキ液の一部がメッシュ状陽
極を通過する構造をとるので、吐出口から吐出したメッ
キ液はメッシュ電極のメッシュを通過して被メッキ基板
に射出されるが、このときの陽極の幅よりも吐出口の配
列領域が広く形成されていることにより、メッキが形成
される陽極幅よりも少し広い領域で、噴流が基板に当た
る。つまり、この状態では、陽極の移動と共に吐出吸入
機構が移動し、絶えず、メッキされる領域(陽極の幅)
の両側において、金属イオンの高い状態を維持して、噴
射が可能となり、均一メッキが可能となる。しかも、メ
ッシュ状陽極を使うことにより、被メッキ基板と吐出吸
入機構との間に陽極を設置でき、被メッキ基板に近づけ
ることができるため、微弱電流から大電流までの広い幅
で電流を流すことができ、メッキ条件のマージンを増や
すことが可能となる。
Further, in the electroplating apparatus of the present invention, since a part of the plating solution discharged from the discharge and suction mechanism passes through the mesh anode, the plating solution discharged from the discharge port is applied to the mesh of the mesh electrode. It passes through and is ejected to the substrate to be plated, but since the arrangement area of the discharge ports is formed wider than the width of the anode at this time, the jet flows in a region slightly wider than the anode width where plating is formed. Hit the substrate. In other words, in this state, the discharge and suction mechanism moves with the movement of the anode, and is constantly plated (the width of the anode).
On both sides of the substrate, the high state of the metal ions is maintained, the injection becomes possible, and the uniform plating becomes possible. In addition, by using a mesh anode, the anode can be installed between the substrate to be plated and the discharge / suction mechanism and can be close to the substrate to be plated. And the margin of plating conditions can be increased.

【0017】なお、この時、好ましい実施の形態として
は、メッシュの径が細かすぎると、液抵抗が大きくなる
めため、メッシュは、ラス種別記号で1004以上であ
ることが望ましい。これにより、メッキ膜の均一性とメ
ッキ配線の配線断面を、応力のない、好ましい形状にす
ることが可能となる。
At this time, in a preferred embodiment, if the diameter of the mesh is too small, the liquid resistance increases, so that the mesh is desirably 1004 or more as a lath type symbol. Thereby, the uniformity of the plating film and the wiring cross section of the plating wiring can be formed in a preferable shape without stress.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施の形態に係
わる、ガラス基板上に配線を設ける際の、縦型電気メッ
キ装置を示している。該電気メッキ装置は、内槽1と外
槽2からなる二重構造になっており、実際には、メッキ
液3が内槽1底部より押し出されて、そのオーバーフロ
ーした分が、外槽2に流れ込む仕組みになっている。
FIG. 1 shows a vertical electroplating apparatus for providing wiring on a glass substrate according to an embodiment of the present invention. The electroplating apparatus has a double structure composed of an inner tank 1 and an outer tank 2. In practice, the plating solution 3 is pushed out from the bottom of the inner tank 1, and the overflowed amount is transferred to the outer tank 2. It is a mechanism that flows in.

【0019】被メッキ基板4は、例えば、揺動装置(図
示せず)により、その被メッキ基板の面を含む同一平面
上で、上下あるいは左右の揺動ができるようになってお
り、同時に、それ自体が電気メッキの際の陰極となるよ
うに構成されている。また、図1において、符号5はメ
ッキ液の吐出吸入機構であり、メッシュ状の陽極6がメ
ッキ液吐出吸入機構5と一体化されている(以下、陽極
付吐出吸入機構ユニットと称す)。 この陽極付吐出吸
入機構ユニットは、基板面と平行に設けられたレール7
に沿って上下に移動するように支持されており、そし
て、その吐出吸入機構5には、タイゴンチューブ(図示
せず)にて、吐出側パイプ8と吸入側パイプ9とが接続
されている。また、メッキ液を吸入側パイプ9から吐出
側パイプ8へ循環するポンプ10は、外部に設置されて
いる。
The substrate 4 to be plated can be swung up and down or left and right on the same plane including the surface of the substrate to be plated by, for example, a swinging device (not shown). It is configured to be a cathode itself during electroplating. In FIG. 1, reference numeral 5 denotes a plating solution discharge / suction mechanism, and a mesh-shaped anode 6 is integrated with the plating solution discharge / suction mechanism 5 (hereinafter, referred to as an anode-equipped discharge / suction mechanism unit). The discharge / suction mechanism unit with the anode is provided with a rail 7 provided in parallel with the substrate surface.
The discharge side pipe 8 and the suction side pipe 9 are connected to the discharge and suction mechanism 5 by a Tygon tube (not shown). Further, a pump 10 for circulating the plating solution from the suction side pipe 9 to the discharge side pipe 8 is provided outside.

【0020】また、外槽2のメッキ液を内槽1に循環す
るために、外槽2および内槽1のそれぞれの底部には、
パイプ13、14が接続してあり、これらは、ポンプ1
2とこれに直列のフィルター11とを介して、互いに接
続されている。しかして、オーバーフローしたメッキ液
は、フィルター11で清浄され、ポンプ12の働きで、
内槽1へと戻される。
In order to circulate the plating solution in the outer tank 2 to the inner tank 1, the bottom of each of the outer tank 2 and the inner tank 1 is
Pipes 13 and 14 are connected and these are pump 1
2 and a filter 11 connected in series with each other. Then, the overflowing plating solution is cleaned by the filter 11 and the pump 12 works.
It is returned to the inner tank 1.

【0021】次に、本発明の要部である陽極付吐出吸入
機構ユニットについて説明する。図2は、陽極付吐出吸
入機構ユニットの外観斜視図である。なお、図中、符号
20はメッキ液の吐出口、21はメッキ液の吸入口であ
り、陽極6はユニット筐体126の正面に、所定間隔
で、並行に配置されている。吐出口20及び吸入口21
は、それぞれ、横に1列に並んだ状態で、その列が、陽
極6の移動方向(即ち、レール7に沿ったユニットの上
下の移動方向)に関して、交互配列となるようにユニッ
ト筐体の正面に配列され、その内の何列かを覆うよう
に、陽極6の面が対向している。
Next, a description will be given of a discharge / suction mechanism unit with an anode, which is a main part of the present invention. FIG. 2 is an external perspective view of the discharge and suction mechanism unit with anode. In the drawing, reference numeral 20 denotes a plating liquid discharge port, 21 denotes a plating liquid suction port, and the anodes 6 are arranged in parallel on the front of the unit housing 126 at predetermined intervals. Discharge port 20 and suction port 21
Are arranged side by side in a row, and the rows of the unit housings are arranged alternately with respect to the moving direction of the anode 6 (that is, the moving direction of the unit up and down along the rail 7). The anodes 6 are arranged on the front, and the surfaces of the anodes 6 are opposed to each other so as to cover some of the rows.

【0022】しかして、陽極付吐出吸入機構ユニットの
吐出口20から吐出されたメッキ液は、直接に、あるい
は、メッシュ陽極22のメッシュ開口部を通過し、被メ
ッキ基板4の正面に射出される。この時、メッシュ状の
陽極6のメッシュが、通過抵抗となり、吐出流速を低下
させる。なお、このメッシュが遮蔽板(邪魔板)に近い
働きをする場合には敢えて吐出口に対向する個所におい
て、メッシュ状陽極22に適当な大きさの開口部を設け
てもよい。
Thus, the plating solution discharged from the discharge port 20 of the discharge / suction mechanism unit with an anode is injected directly or through the mesh opening of the mesh anode 22 to the front of the substrate 4 to be plated. . At this time, the mesh of the mesh-shaped anode 6 becomes a passage resistance, and reduces the discharge flow velocity. When the mesh functions like a shielding plate (baffle plate), an opening of an appropriate size may be provided in the mesh anode 22 at a location facing the discharge port.

【0023】図3は、陽極付吐出吸入機構ユニットの内
部配水管の断面模式図であり、ここでは、符号24が吐
出系、符号25が吸入系の配水管の配置を示している。
これらはユニット筐体26中に格納されており、各吐出
口20および吸入口1に連通している。そして、パイプ
8および9に連通されていて、噴射のための循環を行っ
ている。なお、この実施の形態で配慮されるのは、各吐
出口20および吸入口21の正負の水圧を均一化して、
吐出されるメッキ液の流量を、なるべく均等にすること
である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the internal water pipe of the discharge / inhalation mechanism unit with the anode. In this figure, reference numeral 24 denotes the arrangement of the discharge system and reference numeral 25 denotes the arrangement of the suction system.
These are stored in the unit housing 26 and communicate with the respective discharge ports 20 and the suction ports 1. And it is connected to the pipes 8 and 9 and circulates for injection. It should be noted that in this embodiment, the positive and negative water pressures of each discharge port 20 and suction port 21 are made uniform,
The purpose is to make the flow rate of the discharged plating solution as uniform as possible.

【0024】[0024]

【実施例】【Example】

(実施例1)次に、本発明の電気メッキ装置でメッキを
具体的に行った事例について説明する。本実施例とし
て、ガラス基板上に銅配線する場合を述べる。まず、は
じめに青板ガラスの基板を酸及びアルカリで洗浄し、こ
の基板上に無電解メッキにて、パラジウム(以下Pdと
記述)を0.1μm付ける。その後、基板上にフォトリ
ソグラフィーにより、配線のパターニングを行った。こ
のときのパターンの線幅は50μmとした。
(Embodiment 1) Next, a case where plating is specifically performed by the electroplating apparatus of the present invention will be described. This embodiment describes a case where copper wiring is provided on a glass substrate. First, a blue glass substrate is washed with an acid and an alkali, and palladium (hereinafter referred to as Pd) is applied to the substrate by 0.1 μm by electroless plating. Thereafter, wiring was patterned on the substrate by photolithography. The line width of the pattern at this time was 50 μm.

【0025】このパターニング方法は以下の通りであ
る。Pdをつけた基板上に、ポジ型レジスト(東京応化
製工業製OFPR−800)をスピンコートし、露光現
像の後、混酸(硝酸、塩酸、酢酸の混合液)にてエッチ
ングを行い、その後、レジストを剥離し、ガラス基板上
にPd配線パターンを形成した。次に、酸・アルカリに
よるPdの活性化処理を行った後、図1に示した本発明
の電気メッキ装置内(内槽1内)に設置した。メッキ液
は、硝酸銅溶液(硫酸銅:50g/リットル、硫酸:1
90g/リットル)を用い、3A/dm2にてメッキを
行った。このとき、陽極付吐出吸入機構ユニットの移動
速度は3cm/secとした。その結果、この際の30
0mm角の基板内での膜厚分布は、5μm±0.4μm
とすることができ、かつ、形成される断面形状も、台形
形状をしていて、メッキ膜は、基板との密着力の高い
(応力の低い)ものであった。
This patterning method is as follows. A positive resist (OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is spin-coated on the substrate with Pd, and after exposure and development, etching is performed with a mixed acid (a mixed solution of nitric acid, hydrochloric acid, and acetic acid). The resist was peeled off, and a Pd wiring pattern was formed on the glass substrate. Next, after performing an activation treatment of Pd with an acid / alkali, it was installed in the electroplating apparatus of the present invention shown in FIG. 1 (in the inner tank 1). The plating solution is a copper nitrate solution (copper sulfate: 50 g / liter, sulfuric acid: 1)
(90 g / liter) and plating was performed at 3 A / dm 2 . At this time, the moving speed of the discharge / suction mechanism unit with the anode was 3 cm / sec. As a result, 30
The film thickness distribution in a 0 mm square substrate is 5 μm ± 0.4 μm
The cross-sectional shape to be formed was also trapezoidal, and the plating film had high adhesion (low stress) to the substrate.

【0026】(実施例2)この実施例における本発明の
陽極付吐出吸入機構ユニットは、実施例1のように、垂
直に立てた基板に対して、平行に上下可動する機構では
なく、基板を地面に対して平行に配置し、該陽極付吐出
吸入機構ユニットを基板の下側に設置し、メッキ液を吐
出する際、上方へ吹き上げる構成であるが、これは、基
板に平行に設置されていれば、その機能、効果に変化は
ないのである。本実施例では、このような水平方式によ
り、基板を搬送する際、水平搬送が可能となり、メッキ
ラインを作って、基板の洗浄から基板の最終乾燥までの
一貫した生産の際、構造的に効力を発揮することができ
る。
(Embodiment 2) The discharge / suction mechanism unit with an anode according to the present invention in this embodiment is not a mechanism that can move up and down in parallel to a vertically laid substrate as in Embodiment 1, It is arranged parallel to the ground, and the discharge and suction mechanism unit with the anode is installed below the substrate, and when discharging the plating solution, it is blown up upward, but this is installed parallel to the substrate. If so, there is no change in its functions and effects. In the present embodiment, such a horizontal method allows horizontal transfer when transferring a substrate, and makes a plating line, which is structurally effective during integrated production from cleaning of the substrate to final drying of the substrate. Can be demonstrated.

【0027】(実施例3)この実施例における本発明の
陽極付吐出吸入機構ユニットは、基板を地面に対して平
行に設置してはいるが、実施例2とは反対に、基板の上
側に設置していて、メッキ液を吐出する際、下方へ吹き
出す構成である。このような水平方式は、実施例2と同
様に、基板を搬送する際、水平搬送が可能となり、メッ
キラインを作って、基板の洗浄から基板の最終乾燥まで
の一貫した生産の際、構造的に効力を発揮することがで
きる。
(Embodiment 3) In the discharge / suction mechanism unit with an anode according to the present invention in this embodiment, the substrate is installed in parallel with the ground, however, contrary to the embodiment 2, the substrate is disposed above the substrate. When the plating solution is discharged, it is blown downward. Such a horizontal method enables horizontal transfer when transferring a substrate, as in the second embodiment, forms a plating line, and performs structural production during integrated production from cleaning of the substrate to final drying of the substrate. Can be effective.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被メッキ基板の面に対して平行に移動操作される陽極
と、前記被メッキ基板の面に対してほぼ鉛直な方向から
メッキ液を吐出し、また、吸入する吐出吸入機構とを具
備する電気メッキ装置において、前記陽極は、前記被メ
ッキ基板と前記吐出吸入機構との間に配置され、かつ、
前記吐出吸入機構が前記陽極に一体化した構成である。
As described above, according to the present invention,
Electroplating comprising: an anode that is moved in parallel with the surface of the substrate to be plated; and a discharge and suction mechanism that discharges and sucks a plating solution from a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate to be plated. In the apparatus, the anode is disposed between the substrate to be plated and the discharge / suction mechanism, and
The discharge / suction mechanism is integrated with the anode.

【0029】従って、メッキによる配線パターンを、大
面積でありながら、均一な膜質、膜厚、そして、膜応力
が低く、基板との密着力を十分に持つ構成にすることが
できる。このため、例えば、ガラスの基板上に配線パタ
ーンを容易に作製することができ、壁掛けテレビなど
に、必要なガラスなどの無機質により構成される大型の
配線基板を提供することができる。
Therefore, the wiring pattern formed by plating can be configured to have a uniform film quality, a uniform film thickness, a low film stress, and a sufficient adhesion to the substrate while having a large area. For this reason, for example, a wiring pattern can be easily formed on a glass substrate, and a large-sized wiring substrate made of an inorganic material such as glass can be provided for a wall-mounted television or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態を示す電気メッキ装置の概
念図である。
FIG. 1 is a conceptual diagram of an electroplating apparatus showing an embodiment of the present invention.

【図2】同じく、陽極付液吐出吸入機構ユニットの斜視
図である。
FIG. 2 is a perspective view of the liquid discharge / inhalation mechanism unit with anode.

【図3】同じく、ユニット筐体の内部に設けられる配水
管の断面の模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram of a cross section of a water distribution pipe provided inside a unit housing.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 内槽 2 外槽 3 メッキ液 4 被メッキ基板 5 メッキ液吐出吸入機構 6 メッシュ状陽極 7 レール 8 吐出側パイプ 9 吸入側パイプ 10 ポンプ 11 フィルター 12 ポンプ 13 配管 14 配管 21 メッキ液の吐出口 22 メッキ液の吸入口 24 吐出系の配水管 25 吸入系の配水管 26 ユニット筐体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Inner tank 2 Outer tank 3 Plating solution 4 Substrate to be plated 5 Plating solution discharge / suction mechanism 6 Mesh anode 7 Rail 8 Discharge side pipe 9 Suction side pipe 10 Pump 11 Filter 12 Pump 13 Piping 14 Piping 21 Plating liquid discharge port 22 Plating solution inlet 24 Discharge system water pipe 25 Suction system water pipe 26 Unit housing

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被メッキ基板の面に対して平行に移動操
作される陽極と、前記被メッキ基板の面に対してほぼ鉛
直な方向からメッキ液を吐出し、また、吸入する吐出吸
入機構とを具備する電気メッキ装置において、前記陽極
は、前記被メッキ基板と前記吐出吸入機構との間に配置
され、かつ、前記吐出吸入機構が前記陽極に一体化した
構成であることを特徴とする電気メッキ装置。
An anode which is operated to move in parallel with the surface of the substrate to be plated, and a discharge and suction mechanism which discharges and sucks a plating solution from a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate to be plated. Wherein the anode is disposed between the substrate to be plated and the discharge and suction mechanism, and the discharge and suction mechanism is integrated with the anode. Plating equipment.
【請求項2】 前記吐出吸入機構は、前記陽極の移動方
向に関して、その吐出口及び吸入口が、交互配列されて
いることを特徴とする、請求項1に記載の電気メッキ装
置。
2. The electroplating apparatus according to claim 1, wherein the discharge port and the suction port of the discharge / suction mechanism are alternately arranged in the moving direction of the anode.
【請求項3】 前記陽極は、メッシュ状であり、前記吐
出吸入機構から吐出されるメッキ液の一部は、前記陽極
のメッシュを介して通過するように構成されていること
を特徴とする、請求項1もしくは2に記載の電気メッキ
装置。
3. The method according to claim 1, wherein the anode has a mesh shape, and a part of the plating solution discharged from the discharge suction mechanism is configured to pass through the mesh of the anode. The electroplating apparatus according to claim 1.
【請求項4】 前記被メッキ基板は、その表面もしくは
その一部に金属成分を密着させたガラス製基板であり、
該基板上の金属成分の部位に、メッキによる配線パター
ンを形成することを特徴とする、請求項1〜3の何れか
に記載の電気メッキ装置。
4. The substrate to be plated is a glass substrate having a metal component adhered to the surface or a part thereof,
The electroplating apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein a wiring pattern is formed by plating on a portion of the metal component on the substrate.
JP16715097A 1997-06-24 1997-06-24 Electroplating device Pending JPH1112785A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003532793A (en) * 2000-01-03 2003-11-05 セミトゥール・インコーポレイテッド A microelectronic workpiece processing tool with a processing reactor having a paddle assembly for agitating a processing fluid near a workpiece
JP2018111859A (en) * 2017-01-11 2018-07-19 三菱電機株式会社 Plating apparatus and plating method
US20220170161A1 (en) * 2020-11-30 2022-06-02 Hojin Platech Co., Ltd. Substrate plating apparatus including hybrid paddle that simultaneously circulates and stirs plating solution and removes air bubbles

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