JPH11124671A - Formation of coating onto inner circumferential face of guide bush - Google Patents
Formation of coating onto inner circumferential face of guide bushInfo
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- JPH11124671A JPH11124671A JP28322397A JP28322397A JPH11124671A JP H11124671 A JPH11124671 A JP H11124671A JP 28322397 A JP28322397 A JP 28322397A JP 28322397 A JP28322397 A JP 28322397A JP H11124671 A JPH11124671 A JP H11124671A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は中間層とこの中間層
の上面に形成する硬質カーボン膜とをガイドブッシュに
形成するための形成方法に関し、とくに開口部を有する
ガイドブッシュに中間層と硬質カーボン膜とを被膜形成
する方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming an intermediate layer and a hard carbon film formed on the upper surface of the intermediate layer in a guide bush. The present invention relates to a method for forming a film with a film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】硬質カーボン膜は黒色を有し、ダイヤモ
ンドによく似た性質をもつ。すなわち硬質カーボン膜
は、高い機械的硬度や低い摩擦係数や良好な電気的絶縁
性や高い熱伝導率や高い耐腐食性をもつ。そのため装飾
品や医療機器や磁気ヘッドや工具などに硬質カーボン膜
を被覆することが提案されている。2. Description of the Related Art A hard carbon film has a black color and has properties very similar to diamond. That is, the hard carbon film has high mechanical hardness, low coefficient of friction, good electrical insulation, high thermal conductivity, and high corrosion resistance. Therefore, it has been proposed to coat a hard carbon film on decorative articles, medical equipment, magnetic heads, tools, and the like.
【０００３】この硬質カーボン膜を密着性よく形成する
ため手段としては、たとえば特開昭５６−６９２０号公
報に、シリコンまたはシリコン化合物からなる中間層を
ガイドブッシュにスパッタリング法により形成後、この
中間層上に硬質カーボン膜を形成する方法が提案されて
いる。この公報に記載の従来技術における中間層の形成
方法を、図１１を用いて説明する。図１１は、従来技術
における硬質カーボン膜の下層に形成する中間層の形成
方法を示す断面図である。As means for forming this hard carbon film with good adhesion, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-6920 discloses an intermediate layer made of silicon or a silicon compound formed on a guide bush by sputtering. A method of forming a hard carbon film thereon has been proposed. A method for forming an intermediate layer in the prior art described in this publication will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view showing a method of forming an intermediate layer formed below a hard carbon film in the related art.
【０００４】図１１に示すように、中間層材料からなる
ターゲット５５と、開口を有しこの内周面に中間層を形
成するガイドブッシュ１１とをそれぞれ対向するよう
に、真空槽６１内に配置する。このガイドブッシュ１１
は接地電位に接続している。その後、図示しない排気手
段によって真空槽６１内を排気口６５から真空排気す
る。その後、ガス導入口６３からスパッタガスとしてア
ルゴン（Ａｒ）ガスを導入する。さらにその後、ターゲ
ット５５にはターゲット電源５７から負の直流電圧を印
加する。As shown in FIG. 11, a target 55 made of an intermediate layer material and a guide bush 11 having an opening and forming an intermediate layer on its inner peripheral surface are arranged in a vacuum chamber 61 so as to face each other. I do. This guide bush 11
Is connected to the ground potential. Thereafter, the inside of the vacuum chamber 61 is evacuated from the exhaust port 65 by exhaust means (not shown). Thereafter, an argon (Ar) gas is introduced as a sputtering gas from the gas introduction port 63. Thereafter, a negative DC voltage is applied to the target 55 from the target power supply 57.
【０００５】すると真空槽６１内にはプラズマが発生
し、プラズマ中のイオンによって中間層材料からなるタ
ーゲット５５表面をスパッタする。そしてこのターゲッ
ト５５表面からたたき出された中間層材料は、ガイドブ
ッシュ１１に付着し、シリコンやシリコン化合物からな
る中間層をガイドブッシュ１１に形成することができ
る。[0005] Then, plasma is generated in the vacuum chamber 61, and ions in the plasma sputter the surface of the target 55 made of an intermediate layer material. Then, the material of the intermediate layer that has been knocked out from the surface of the target 55 adheres to the guide bush 11, and an intermediate layer made of silicon or a silicon compound can be formed on the guide bush 11.
【０００６】その後、この中間層の上面に硬質カーボン
膜を形成する。つぎにこの硬質カーボン膜の形成方法
を、図１２を用いて説明する。図１２は従来技術におけ
る硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図である。なお
以下に説明する硬質カーボン膜の形成方法は、前述の公
開公報には記載されていない。Then, a hard carbon film is formed on the upper surface of the intermediate layer. Next, a method of forming the hard carbon film will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a hard carbon film according to a conventional technique. The method for forming a hard carbon film described below is not described in the above-mentioned publication.
【０００７】図１２に示すように、ガス導入口６３と排
気口６５とを有する真空槽６１内にガイドブッシュ１１
を配置する。そしてこのガイドブッシュ１１に中間層を
形成し、さらにこの中間層の上面に硬質カーボン膜を形
成するわけである。そして排気口６５から真空槽６１内
を、図示しない排気手段により真空排気する。その後、
ガス導入口６３から炭素を含むガスを真空槽６１内に導
入して、設定圧力になるように調整する。As shown in FIG. 12, a guide bush 11 is placed in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65.
Place. Then, an intermediate layer is formed on the guide bush 11, and a hard carbon film is formed on the upper surface of the intermediate layer. Then, the inside of the vacuum chamber 61 is evacuated from the exhaust port 65 by exhaust means (not shown). afterwards,
A gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber 61 from the gas inlet 63 and adjusted to a set pressure.
【０００８】その後、アノード７９にはアノード電源７
５から直流電圧を印加し、フィラメント８１にはフィラ
メント電源７７から交流電圧を印加する。さらにガイド
ブッシュ１１には、直流電源７３から直流電圧を印加す
る。そして真空槽６１内にプラズマを発生させて、ガイ
ドブッシュ１１に硬質カーボン膜を形成している。Thereafter, the anode 79 is connected to the anode power supply 7.
5, a DC voltage is applied to the filament 81, and an AC voltage is applied to the filament 81 from the filament power supply 77. Further, a DC voltage is applied to the guide bush 11 from a DC power supply 73. Then, plasma is generated in the vacuum chamber 61 to form a hard carbon film on the guide bush 11.
【０００９】この図１２に示す硬質カーボン膜の被膜形
成方法においては、ガイドブッシュ１１に印加する直流
電圧により発生するプラズマと、交流電圧を印加するフ
ィラメント８１と直流電圧を印加するアノード７９にて
発生するプラズマとが発生する。そして硬質カーボン膜
を形成するときの真空槽６１内の圧力により、ガイドブ
ッシュ１１周囲のプラズマか、フィラメント８１とアノ
ード７９近傍のプラズマかが主になって、硬質カーボン
膜を形成している。In the method for forming a hard carbon film shown in FIG. 12, a plasma generated by a DC voltage applied to the guide bush 11, a filament 81 to which an AC voltage is applied, and an anode 79 to which a DC voltage is applied are generated. Plasma is generated. Due to the pressure in the vacuum chamber 61 when the hard carbon film is formed, the plasma around the guide bush 11 or the plasma near the filament 81 and the anode 79 mainly forms the hard carbon film.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】図１２を用いて説明し
た硬質カーボン膜の形成方法においては、真空槽６１内
部の圧力が３×１０-3ｔｏｒｒ以上のときは、ガイドブ
ッシュ１１の周囲に発生するプラズマが主になって、炭
素を含むガスを分解して硬質カーボン膜を形成する。こ
のときガイドブッシュ１１の外周部には硬質カーボン膜
を均一性よく形成することができるが、ガイドブッシュ
１１の内周面に形成する硬質カーボン膜は密着性が悪
く、さらに硬度などの膜質が劣る。In the formation method of the invention Problems to be Solved] Figure 12 hard carbon film described with reference to, when the pressure inside the vacuum chamber 61 is not less than 3 × 10 -3 torr, generated around the guide bush 11 The generated plasma mainly decomposes the gas containing carbon to form a hard carbon film. At this time, a hard carbon film can be formed on the outer peripheral portion of the guide bush 11 with good uniformity, but the hard carbon film formed on the inner peripheral surface of the guide bush 11 has poor adhesion and further has poor film quality such as hardness. .
【００１１】これはガイドブッシュ１１には同じ電圧が
印加されており、開口内面は同電位の電極どうしが対向
している空間となり、その開口内面でのプラズマはホロ
ー放電と呼ばれる異常放電を発生する。このホロー放電
によって形成される硬質カーボン膜は、ポリマーライク
な密着性の悪い被膜であり、ガイドブッシュ１１から剥
離しやすく、しかもその硬度は低い。The same voltage is applied to the guide bush 11, the inner surface of the opening is a space where electrodes of the same potential face each other, and the plasma on the inner surface of the opening generates an abnormal discharge called hollow discharge. . The hard carbon film formed by the hollow discharge is a polymer-like film having poor adhesion, is easily peeled from the guide bush 11, and has a low hardness.
【００１２】これにたいして、真空槽６１内の圧力が３
×１０-3ｔｏｒｒより低いときは、ガイドブッシュ１１
周囲のプラズマより、硬質カーボン膜の形成はフィラメ
ント８１とアノード７９近傍に発生するプラズマがおも
に寄与する。このときガイドブッシュ１１の外周部には
硬質カーボン膜を均一性よく形成することができるが、
ガイドブッシュ１１の内周面に形成する硬質カーボン膜
はガイドブッシュ１１の長手方向で膜厚を均一に形成す
ることができない。On the other hand, when the pressure in the vacuum chamber 61 is 3
When it is lower than × 10 -3 torr, the guide bush 11
The plasma generated in the vicinity of the filament 81 and the anode 79 mainly contributes to the formation of the hard carbon film from the surrounding plasma. At this time, a hard carbon film can be formed on the outer peripheral portion of the guide bush 11 with good uniformity.
The hard carbon film formed on the inner peripheral surface of the guide bush 11 cannot have a uniform thickness in the longitudinal direction of the guide bush 11.
【００１３】ここで、フィラメント８１とアノード７９
近傍に発生するプラズマでイオン化された炭素イオン
は、ガイドブッシュ１１に印加する直流負電位に引っ張
られて堆積し、ガイドブッシュ１１に硬質カーボン膜の
被膜形成を行っている。Here, the filament 81 and the anode 79
The carbon ions ionized by the plasma generated in the vicinity are pulled by the DC negative potential applied to the guide bush 11 and deposited, thereby forming a hard carbon film on the guide bush 11.
【００１４】前述の真空槽６１内の圧力が３×１０-3ｔ
ｏｒｒより高いときは、硬質カーボン膜が化学気相成長
的に形成されるのにたいして、圧力が３×１０-3ｔｏｒ
ｒより低いときは、硬質カーボン膜が物理気相成長的に
形成される。このためにフィラメント８１とアノード７
９近傍に発生するプラズマがおもに寄与する硬質カーボ
ン膜形成のときは、真空蒸着法などの物理気相成長法と
同様に、ガイドブッシュ１１の内周面には開口端面から
開口奥側に向かう従って、硬質カーボン膜の膜厚が薄く
なる。この結果、ガイドブッシュ１１の内周面に形成す
る硬質カーボン膜はガイドブッシュ１１の長手方向で膜
厚を均一に形成することができない。The pressure in the vacuum chamber 61 is 3 × 10 −3 t.
When the pressure is higher than orr, the pressure is 3 × 10 −3 torr when the hard carbon film is formed by chemical vapor deposition.
When it is lower than r, a hard carbon film is formed by physical vapor deposition. For this purpose, the filament 81 and the anode 7
In the case of forming a hard carbon film in which the plasma generated in the vicinity of 9 mainly contributes, the inner peripheral surface of the guide bush 11 extends from the opening end face toward the back of the opening similarly to the physical vapor deposition method such as the vacuum evaporation method. The thickness of the hard carbon film is reduced. As a result, the hard carbon film formed on the inner peripheral surface of the guide bush 11 cannot have a uniform thickness in the longitudinal direction of the guide bush 11.
【００１５】さらに図１１に示す中間層の形成方法にお
いても、ガイドブッシュ１１の内周面には開口端面から
開口奥側に向かう従って、中間層の膜厚が薄くなる。こ
のガイドブッシュ内周面に形成する中間層の膜厚分布
を、図５のグラフを用いて説明する。図５のグラフは、
横軸はガイドブッシュの開口端からの距離を示し、縦軸
はガイドブッシュの内周面に形成する中間層の膜厚を示
す。そして曲線８７が、図１１に示す形成方法により形
成したときの中間層の膜厚状態を示す。Further, in the method of forming the intermediate layer shown in FIG. 11, the thickness of the intermediate layer becomes thinner on the inner peripheral surface of the guide bush 11 from the end face of the opening toward the inner side of the opening. The thickness distribution of the intermediate layer formed on the inner peripheral surface of the guide bush will be described with reference to the graph of FIG. The graph in FIG.
The horizontal axis indicates the distance from the opening end of the guide bush, and the vertical axis indicates the thickness of the intermediate layer formed on the inner peripheral surface of the guide bush. A curve 87 shows the state of the thickness of the intermediate layer when formed by the forming method shown in FIG.
【００１６】図５のグラフの曲線８７に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の中間層を形成
したとき、図１１に示す方法によって形成した中間層
は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位置では、
０．１μｍと極端に中間層の膜厚が薄くなっている。こ
の中間層の膜厚分布のばらつきが大きくなると、この中
間層の上面に硬質カーボン膜を形成したとき、ガイドブ
ッシュ１１の開口端領域近傍は密着性よく硬質カーボン
膜を形成することができるが、開口奥側の硬質カーボン
膜が剥離してしまう。As shown by a curve 87 in the graph of FIG. 5, when an intermediate layer having a thickness of 0.5 μm is formed at the open end of the guide bush, the intermediate layer formed by the method shown in FIG. At a position 30 mm into the back,
The thickness of the intermediate layer is extremely thin at 0.1 μm. When the variation in the film thickness distribution of the intermediate layer becomes large, when the hard carbon film is formed on the upper surface of the intermediate layer, the hard carbon film can be formed with good adhesion near the open end region of the guide bush 11, The hard carbon film on the back side of the opening peels off.
【００１７】これはガイドブッシュ開口奥側は、図５の
グラフを用いて説明したように、中間層の膜厚は薄く、
硬質カーボン膜のストレスに耐えきれず、硬質カーボン
膜が剥離してしまうためである。The reason for this is that, as described with reference to the graph of FIG.
This is because the hard carbon film cannot withstand the stress of the hard carbon film and the hard carbon film peels off.
【００１８】〔発明の目的〕本発明の目的は、上記問題
点を解決して、内周面に均一な膜厚で中間層を形成し、
そのうえ硬質カーボン膜を密着性よくしかも均一な膜厚
で形成することが可能なガイドブッシュ内周面への被膜
形成方法を提供することである。[Object of the Invention] An object of the present invention is to solve the above problems and form an intermediate layer with a uniform thickness on the inner peripheral surface,
In addition, it is an object of the present invention to provide a method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush that can form a hard carbon film with good adhesion and a uniform film thickness.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形成方法に
おいては、下記記載の手段を採用する。Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, a method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention employs the following means.
【００２０】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法においては、軸方向に貫通した中心開口を有しほ
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブ
ッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材
料からなる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを
真空槽内に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続す
るかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽
内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補
助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加してガイド
ブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生さ
せガイドブッシュの内周面に第１の中間層を形成し、そ
の後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直流
正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッ
シュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気したのち、ガ
ス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを
真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加
し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内
周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、ガイドブ
ッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接続す
る補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽内
に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含
むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧
を印加し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに
交流電圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシ
ュの内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。In the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush according to the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end in the longitudinal direction and an elasticity. An inner peripheral surface for holding a workpiece on an inner periphery of a portion where an outer tapered surface is formed, having a slit for forming a slit, and having a screw portion for attaching to a column of an automatic lathe at the other end. The workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe can be rotated and slid in the axial direction near the cutting tool by the inner peripheral surface that holds this workpiece. A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush to be held, wherein the guide bush is connected to an auxiliary electrode power supply in an opening of the guide bush and the guide bush is inserted into a vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode made of a first intermediate layer material. Place, The id bush is connected to ground potential or applies a DC negative voltage from a DC power supply, exhausts the inside of the vacuum chamber, introduces a sputtering gas from the gas inlet, and applies a DC negative voltage to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply. A plasma is generated around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush, and then an auxiliary electrode is connected to the ground potential or DC positive voltage on the inner surface of the guide bush opening. After placing the guide bush in the vacuum chamber so as to insert the electrodes and evacuating the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush. Then, a DC voltage is applied to the anode and an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, thereby forming a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and after exhausting the vacuum chamber, the gas containing carbon is introduced from the gas inlet. Introduce into the vacuum chamber, apply DC voltage to the guide bush, apply DC voltage to the anode, apply AC voltage to the filament to generate plasma, and form a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush It is characterized by.
【００２１】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法においては、軸方向に貫通した中心開口を有しほ
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブ
ッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材
料からなる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを
真空槽内に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続す
るかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽
内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補
助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加してガイド
ブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生さ
せガイドブッシュの内周面に第１の中間層を形成し、そ
の後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直流
正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッ
シュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気したのち、ガ
ス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを
真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加
し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内
周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、ガイドブ
ッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接続す
る補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の
中に配置し、真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭
素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高
周波電力を印加してプラズマを発生させてガイドブッシ
ュの内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。In the method for forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush according to the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end in the longitudinal direction and an elastic tapered surface. An inner peripheral surface for holding a workpiece on the inner periphery of a portion where an outer tapered surface is formed, having a slit for forming a slit, and having a screw portion for attaching to a column of an automatic lathe at the other end portion The workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe can be rotated and slid in the axial direction near the cutting tool by the inner peripheral surface holding this workpiece. A method for forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush to be held, wherein the guide bush is connected to an auxiliary electrode power supply in an opening of the guide bush and the guide bush is inserted into a vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode made of a first intermediate layer material. Place, The id bush is connected to ground potential or applies a DC negative voltage from a DC power supply, exhausts the inside of the vacuum chamber, introduces a sputtering gas from the gas inlet, and applies a DC negative voltage to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply. A plasma is generated around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush, and then an auxiliary electrode is connected to the ground potential or DC positive voltage on the inner surface of the guide bush opening. After placing the guide bush in the vacuum chamber so as to insert the electrodes and evacuating the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush. Then, a DC voltage is applied to the anode and an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, thereby forming a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. After that, the guide bush is arranged in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into an inner surface of the opening of the guide bush, and after evacuating the vacuum chamber, contains carbon from the gas inlet. A gas is introduced into the vacuum chamber, high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma, and a hard carbon film is formed on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００２２】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有しほぼ円筒状
の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面と
それに弾力をもたせるための摺り割りを形成し、他端部
に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有し、
外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保持す
るための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付けら
れることにより中心開口に挿入された被加工物を、この
被加工物を保持する内周面によって切削工具の近くにて
回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッシュ
内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュの開
口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料からなる
補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽内に
配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあるい
は直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電
源から直流負電圧を補助電極に印加してガイドブッシュ
の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させガイド
ブッシュの内周面に第１の中間層を形成し、その後、ガ
イドブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧に
接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真
空槽内に配置し、真空槽内を排気したのち、ガス導入口
からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを真空槽内
に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し、アノー
ドに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加し
てプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に第２
の中間層を形成し、さらにその後、ガイドブッシュの開
口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極
を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置
し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガス
を真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加
してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に硬
質カーボン膜を形成することを特徴とする。According to the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface and an elasticity at one end in the longitudinal direction. Form a slit for holding, and at the other end have a screw part for attaching to the column of the automatic lathe,
An inner peripheral surface for holding the workpiece is formed on the inner periphery of the portion where the outer peripheral taper surface is formed, and the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe is used as the workpiece. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush that holds the inner peripheral surface of the guide bush so that it can be rotated and slid in the axial direction near the cutting tool, and is connected to an auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply to evacuate the vacuum chamber. After that, a sputtering gas is introduced from the gas inlet, and a DC negative voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, and the plasma is generated on the inner peripheral surface of the guide bush. After forming the intermediate layer of No. 1, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. A gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament, and a plasma is generated to generate a plasma. The second on the inner circumference
After that, a guide bush is arranged in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into an inner surface of the opening of the guide bush, and after evacuation of the vacuum chamber, A gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma to form a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００２３】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有しほぼ円筒状
の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面と
それに弾力をもたせるための摺り割りを形成し、他端部
に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有し、
外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保持す
るための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付けら
れることにより中心開口に挿入された被加工物を、この
被加工物を保持する内周面によって切削工具の近くにて
回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッシュ
内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュの開
口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料からなる
補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽内に
配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあるい
は直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電
源から直流負電圧を補助電極に印加してガイドブッシュ
の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させガイド
ブッシュの内周面に第１の中間層を形成し、その後、ガ
イドブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧に
接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真
空槽の中に配置し、真空槽内を排気したのち、ガス導入
口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを真空槽
内に導入し、ガイドブッシュに高周波電力を印加してプ
ラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に第２の中
間層を形成し、さらにその後、ガイドブッシュの開口内
面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真
空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空
槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電力を印加して
プラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする。According to the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. Forming a slot for holding, having a screw part for attaching to the column of the automatic lathe at the other end,
An inner peripheral surface for holding the workpiece is formed on the inner periphery of the portion where the outer peripheral taper surface is formed, and the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe is used as the workpiece. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush that holds the inner peripheral surface of the guide bush so that it can be rotated and slid in the axial direction near the cutting tool, and is connected to an auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply to evacuate the vacuum chamber. After that, a sputtering gas is introduced from the gas inlet, and a DC negative voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, and the plasma is generated on the inner peripheral surface of the guide bush. After forming the intermediate layer, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. Introducing a gas containing silicon or germanium into the vacuum chamber from a gas inlet, applying high-frequency power to the guide bush to generate plasma, forming a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush, Thereafter, the guide bush is arranged in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. Is introduced into a vacuum chamber, and high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma to form a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００２４】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有しほぼ円筒状
の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面と
それに弾力をもたせるための摺り割りを形成し、他端部
に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有し、
外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保持す
るための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付けら
れることにより中心開口に挿入された被加工物を、この
被加工物を保持する内周面によって切削工具の近くにて
回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッシュ
内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュの開
口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料からなる
補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽内に
配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあるい
は直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電
源から直流負電圧を補助電極に印加してガイドブッシュ
の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させガイド
ブッシュの内周面に第１の中間層を形成し、その後、ガ
イドブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧に
接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真
空槽の中に配置し、真空槽内を排気したのち、ガス導入
口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを真空槽
内に導入し、ガイドブッシュに高周波電力を印加してプ
ラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に第２の中
間層を形成し、さらにその後、ガイドブッシュの開口内
面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空
槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽
内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し、アノ
ードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加
してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に硬
質カーボン膜を形成することを特徴とする。According to the method for forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface and an elasticity at one end in the longitudinal direction. Forming a slot for holding, having a screw part for attaching to the column of the automatic lathe at the other end,
An inner peripheral surface for holding the workpiece is formed on the inner periphery of the portion where the outer peripheral taper surface is formed, and the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe is used as the workpiece. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush that holds the inner peripheral surface of the guide bush so that it can be rotated and slid in the axial direction near the cutting tool, and is connected to an auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply to evacuate the vacuum chamber. After that, a sputtering gas is introduced from the gas inlet, and a DC negative voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, and the plasma is generated on the inner peripheral surface of the guide bush. After forming the intermediate layer, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. Introducing a gas containing silicon or germanium into the vacuum chamber from a gas inlet, applying high-frequency power to the guide bush to generate plasma, forming a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush, After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. It is introduced into a vacuum chamber, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and the guide bush is generated. And forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of the Interview.
【００２５】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有しほぼ円筒状
の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面と
それに弾力をもたせるための摺り割りを形成し、他端部
に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有し、
外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保持す
るための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付けら
れることにより中心開口に挿入された被加工物を、この
被加工物を保持する内周面によって切削工具の近くにて
回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッシュ
内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュの開
口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料からなる
補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽内に
配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあるい
は直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電
源から直流負電圧を補助電極に印加してガイドブッシュ
の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させガイド
ブッシュの内周面に第１の中間層を形成し、その後、ガ
イドブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧に
接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真
空槽の中に配置し、真空槽内を排気したのち、ガス導入
口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを真空槽
内に導入し、ガイドブッシュに高周波電力を印加してプ
ラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に第２の中
間層を形成し、さらにその後、ガイドブッシュの開口内
面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真
空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空
槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプ
ラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カー
ボン膜を形成することを特徴とする。According to the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface and an elasticity at one end in the longitudinal direction. Form a slit for holding, and at the other end have a screw part for attaching to the column of the automatic lathe,
An inner peripheral surface for holding the workpiece is formed on the inner periphery of the portion where the outer peripheral taper surface is formed, and the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe is used as the workpiece. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush that holds the inner peripheral surface of the guide bush so that it can be rotated and slid in the axial direction near the cutting tool, and is connected to an auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply to evacuate the vacuum chamber. After that, a sputtering gas is introduced from the gas inlet, and a DC negative voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, and the plasma is generated on the inner peripheral surface of the guide bush. After forming the intermediate layer, the guide bush is placed in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. Introducing a gas containing silicon or germanium into the vacuum chamber from a gas inlet, applying high-frequency power to the guide bush to generate plasma, forming a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush, Thereafter, the guide bush is arranged in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and after evacuation of the vacuum chamber, a gas containing carbon is introduced from a gas inlet. Is introduced into a vacuum chamber, a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma, and a hard carbon film is formed on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００２６】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有しほぼ円筒状
の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面と
それに弾力をもたせるための摺り割りを形成し、他端部
に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有し、
外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保持す
るための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付けら
れることにより中心開口に挿入された被加工物を、この
被加工物を保持する内周面によって切削工具の近くにて
回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッシュ
内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュの開
口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料からなる
補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽内に
配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあるい
は直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電
源から直流負電圧を補助電極に印加してガイドブッシュ
の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させガイド
ブッシュの内周面に第１の中間層を形成し、その後、ガ
イドブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧に
接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真
空槽の中に配置し、真空槽内を排気したのち、ガス導入
口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを真空槽
内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラ
ズマを発生させてガイドブッシュの内周面に第２の中間
層を形成し、さらにその後、ガイドブッシュの開口内面
に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿入
するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真空
槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽
内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラ
ズマを発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボ
ン膜を形成することを特徴とする。According to the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface and an elasticity at one end in the longitudinal direction. Forming a slot for holding, having a screw part for attaching to the column of the automatic lathe at the other end,
An inner peripheral surface for holding the workpiece is formed on the inner periphery of the portion where the outer peripheral taper surface is formed, and the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe is used as the workpiece. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush that holds the inner peripheral surface of the guide bush so that it can be rotated and slid in the axial direction near the cutting tool, and is connected to an auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply to evacuate the vacuum chamber. After that, a sputtering gas is introduced from the gas inlet, and a DC negative voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, and the plasma is generated on the inner peripheral surface of the guide bush. After forming the intermediate layer, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. Introducing a gas containing silicon or germanium into the vacuum chamber from a gas inlet, applying a DC voltage to the guide bush to generate plasma, forming a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush, Thereafter, the guide bush is arranged in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. Is introduced into a vacuum chamber, a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma, and a hard carbon film is formed on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００２７】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有しほぼ円筒状
の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面と
それに弾力をもたせるための摺り割りを形成し、他端部
に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有し、
外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保持す
るための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付けら
れることにより中心開口に挿入された被加工物を、この
被加工物を保持する内周面によって切削工具の近くにて
回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッシュ
内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュの開
口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料からなる
補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽内に
配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあるい
は直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電
源から直流負電圧を補助電極に印加してガイドブッシュ
の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させガイド
ブッシュの内周面に第１の中間層を形成し、その後、ガ
イドブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧に
接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真
空槽の中に配置し、真空槽内を排気したのち、ガス導入
口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを真空槽
内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラ
ズマを発生させてガイドブッシュの内周面に第２の中間
層を形成し、さらにその後、ガイドブッシュの開口内面
に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿入
するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真空
槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽
内に導入し、ガイドブッシュに高周波電力を印加してプ
ラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カー
ボン膜を形成することを特徴とする。According to the method for forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface and an elasticity at one end in the longitudinal direction. Forming a slot for holding, having a screw part for attaching to the column of the automatic lathe at the other end,
An inner peripheral surface for holding the workpiece is formed on the inner periphery of the portion where the outer peripheral taper surface is formed, and the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe is used as the workpiece. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush that holds the inner peripheral surface of the guide bush so that it can be rotated and slid in the axial direction near the cutting tool, and is connected to an auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply to evacuate the vacuum chamber. After that, a sputtering gas is introduced from the gas inlet, and a DC negative voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, and the plasma is generated on the inner peripheral surface of the guide bush. After forming the intermediate layer, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. Introducing a gas containing silicon or germanium into the vacuum chamber from a gas inlet, applying a DC voltage to the guide bush to generate plasma, forming a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush, Thereafter, the guide bush is arranged in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. Is introduced into a vacuum chamber, high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma, and a hard carbon film is formed on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００２８】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有しほぼ円筒状
の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面と
それに弾力をもたせるための摺り割りを形成し、他端部
に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有し、
外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保持す
るための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付けら
れることにより中心開口に挿入された被加工物を、この
被加工物を保持する内周面によって切削工具の近くにて
回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッシュ
内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュの開
口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料からなる
補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽内に
配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあるい
は直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電
源から直流負電圧を補助電極に印加してガイドブッシュ
の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させガイド
ブッシュの内周面に第１の中間層を形成し、その後、ガ
イドブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧に
接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真
空槽の中に配置し、真空槽内を排気したのち、ガス導入
口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを真空槽
内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラ
ズマを発生させてガイドブッシュの内周面に第２の中間
層を形成し、さらにその後、ガイドブッシュの開口内面
に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿入
するようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽
内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内
に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し、アノー
ドに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加し
てプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする。According to the method for forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. Form a slit for holding, and at the other end have a screw part for attaching to the column of the automatic lathe,
An inner peripheral surface for holding the workpiece is formed on the inner periphery of the portion where the outer peripheral taper surface is formed, and the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe is used as the workpiece. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush that holds the inner peripheral surface of the guide bush so that it can be rotated and slid in the axial direction near the cutting tool, and is connected to an auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply to evacuate the vacuum chamber. After that, a sputtering gas is introduced from the gas inlet, and a DC negative voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, and the plasma is generated on the inner peripheral surface of the guide bush. After forming the intermediate layer, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. Introducing a gas containing silicon or germanium into the vacuum chamber from a gas inlet, applying a DC voltage to the guide bush to generate plasma, forming a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush, After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. It is introduced into a vacuum chamber, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament, and plasma is generated to generate a guide bush. And forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of the.
【００２９】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
の内部に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続する
かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内
を排気後、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加
して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に第
１の中間層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内
面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空
槽内を排気した後、ガス導入口からシリコンまたはゲル
マニウムを含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシ
ュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧を印加しフ
ィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生させて
ガイドブッシュの内周面に第２の中間層を形成し、さら
にその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または
直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイド
ブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス
導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイド
ブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧を印
加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生
させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形成
することを特徴とする。According to the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end in the longitudinal direction and elasticity thereof. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer peripheral tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged inside the vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, After evacuating the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from an auxiliary electrode power source to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation, and then ground on the inner surface of the opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode connected to a potential or a DC positive voltage. After evacuation of the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced from a gas inlet. Into the vacuum chamber, apply a DC voltage to the guide bush, apply a DC voltage to the anode, apply an AC voltage to the filament to generate plasma, and form a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. After that, the guide bush is arranged in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and after evacuation of the vacuum chamber, carbon is introduced from the gas inlet. Is introduced into the vacuum chamber, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and a hard carbon film is formed on the inner peripheral surface of the guide bush. Is formed.
【００３０】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
の内部に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続する
かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内
を排気後、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加
して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に第
１の中間層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内
面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空
槽内を排気した後、ガス導入口からシリコンまたはゲル
マニウムを含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシ
ュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧を印加しフ
ィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生させて
ガイドブッシュの内周面に第２の中間層を形成し、さら
にそののち、ガイドブッシュの開口内面に接地電位また
は直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイ
ドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気後、
ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
イドブッシュに高周波電力を印加してプラズマを発生さ
せてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形成す
ることを特徴とする。According to the method for forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has one end in the longitudinal direction having an outer peripheral tapered surface and elasticity. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer peripheral tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged inside the vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, After evacuating the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from an auxiliary electrode power source to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation, and then ground on the inner surface of the opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode connected to a potential or a DC positive voltage. After evacuation of the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced from a gas inlet. Into the vacuum chamber, apply a DC voltage to the guide bush, apply a DC voltage to the anode, apply an AC voltage to the filament to generate plasma, and form a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. After that, furthermore, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and after evacuating the vacuum chamber,
A gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, and high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma, thereby forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００３１】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
の内部に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続する
かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内
を排気後、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加
して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に第
１の中間層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内
面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空
槽内を排気した後、ガス導入口からシリコンまたはゲル
マニウムを含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシ
ュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧を印加しフ
ィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生させて
ガイドブッシュの内周面に第２の中間層を形成し、さら
にそののち、ガイドブッシュの開口内面に接地電位また
は直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイ
ドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気後、
ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
イドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発生させ
てガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形成する
ことを特徴とする。According to the method for forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end in the longitudinal direction and elasticity thereof. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer peripheral tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged inside the vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, After evacuating the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from an auxiliary electrode power source to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation, and then ground on the inner surface of the opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode connected to a potential or a DC positive voltage. After evacuation of the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced from a gas inlet. Into the vacuum chamber, apply a DC voltage to the guide bush, apply a DC voltage to the anode, apply an AC voltage to the filament to generate plasma, and form a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. After that, furthermore, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and after evacuating the vacuum chamber,
A gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma to form a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００３２】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
の内部に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続する
かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内
を排気後、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加
して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に第
１の中間層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内
面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真
空槽内を排気したのち、ガス導入口からシリコンまたは
ゲルマニウムを含むガスを真空槽内部に導入し、ガイド
ブッシュに高周波電力を印加してプラズマを発生させて
ガイドブッシュの内周面に第２の中間層を形成し、さら
にその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または
直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイド
ブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気後、ガ
ス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイ
ドブッシュに高周波電力を印加してプラズマを発生させ
てガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形成する
ことを特徴とする。According to the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end in the longitudinal direction and elasticity thereof. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer peripheral tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged inside the vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, After evacuating the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from an auxiliary electrode power source to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation, and then ground on the inner surface of the opening of the guide bush. The guide bush is placed in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the electric potential or the DC positive voltage is inserted, and after evacuating the vacuum chamber, it contains silicon or germanium from the gas inlet. A gas is introduced into the vacuum chamber, a high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma, and a second intermediate layer is formed on the inner peripheral surface of the guide bush. Alternatively, the guide bush is placed in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the DC positive voltage is inserted, and after evacuation of the vacuum chamber, a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber through the gas inlet, and the guide bush is inserted. A hard carbon film is formed on the inner peripheral surface of the guide bush by applying high frequency power to the guide bush.
【００３３】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
の内部に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続する
かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内
を排気後、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加
して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に第
１の中間層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内
面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真
空槽内を排気したのち、ガス導入口からシリコンまたは
ゲルマニウムを含むガスを真空槽内部に導入し、ガイド
ブッシュに高周波電力を印加してプラズマを発生させて
ガイドブッシュの内周面に第２の中間層を形成し、さら
にその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または
直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイド
ブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス
導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイド
ブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧を印
加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生
させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形成
することを特徴とする。According to the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end in the longitudinal direction and elasticity thereof. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged inside the vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, After evacuating the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from an auxiliary electrode power source to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation, and then ground on the inner surface of the opening of the guide bush. The guide bush is placed in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the electric potential or the DC positive voltage is inserted, and after evacuating the vacuum chamber, it contains silicon or germanium from the gas inlet. A gas is introduced into the vacuum chamber, high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma, and a second intermediate layer is formed on the inner peripheral surface of the guide bush. Or, place the guide bush in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the DC positive voltage is inserted.After evacuating the vacuum chamber, introduce a gas containing carbon into the vacuum chamber from the gas inlet, and insert it into the guide bush. A DC voltage is applied to the anode, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and a hard carbon film is formed on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００３４】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
の内部に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続する
かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内
を排気後、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加
して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に第
１の中間層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内
面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真
空槽内を排気したのち、ガス導入口からシリコンまたは
ゲルマニウムを含むガスを真空槽内部に導入し、ガイド
ブッシュに高周波電力を印加してプラズマを発生させて
ガイドブッシュの内周面に第２の中間層を形成し、さら
にその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または
直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイド
ブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気後、ガ
ス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイ
ドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発生させて
ガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形成するこ
とを特徴とする。According to the method for forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end in the longitudinal direction and elasticity thereof. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged inside the vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, After evacuating the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from an auxiliary electrode power source to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation, and then ground on the inner surface of the opening of the guide bush. The guide bush is placed in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the electric potential or the DC positive voltage is inserted, and after evacuating the vacuum chamber, it contains silicon or germanium from the gas inlet. A gas is introduced into the vacuum chamber, high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma, and a second intermediate layer is formed on the inner peripheral surface of the guide bush. Or, place the guide bush in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the DC positive voltage is inserted, exhaust the vacuum chamber, introduce a gas containing carbon into the vacuum chamber from the gas inlet, A hard carbon film is formed on the inner peripheral surface of the guide bush by applying a DC voltage to the guide bush.
【００３５】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
の内部に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続する
かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内
を排気後、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加
して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に第
１の中間層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内
面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真
空槽内を排気したのち、ガス導入口からシリコンまたは
ゲルマニウムを含むガスを真空槽内部に導入し、ガイド
ブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発生させてガ
イドブッシュの内周面に第２の中間層を形成し、さらに
その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気後、ガス
導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイド
ブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発生させてガ
イドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形成すること
を特徴とする。According to the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and one end in the longitudinal direction has an outer peripheral tapered surface and elasticity. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged inside the vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, After evacuating the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from an auxiliary electrode power source to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation, and then ground on the inner surface of the opening of the guide bush. The guide bush is placed in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the electric potential or the DC positive voltage is inserted, and after evacuating the vacuum chamber, it contains silicon or germanium from the gas inlet. A gas is introduced into the vacuum chamber, a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma, and a second intermediate layer is formed on the inner peripheral surface of the guide bush. Or, place the guide bush in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the DC positive voltage is inserted, exhaust the vacuum chamber, introduce a gas containing carbon into the vacuum chamber from the gas inlet, A hard carbon film is formed on the inner peripheral surface of the guide bush by applying a DC voltage to the guide bush.
【００３６】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
の内部に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続する
かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内
を排気後、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加
して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に第
１の中間層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内
面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真
空槽内を排気したのち、ガス導入口からシリコンまたは
ゲルマニウムを含むガスを真空槽内部に導入し、ガイド
ブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発生させてガ
イドブッシュの内周面に第２の中間層を形成し、さらに
その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気後、ガス
導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイド
ブッシュに高周波電力を印加してプラズマを発生させて
ガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形成するこ
とを特徴とする。According to the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end in the longitudinal direction and elasticity thereof. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged inside the vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, After evacuating the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from an auxiliary electrode power source to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation, and then ground on the inner surface of the opening of the guide bush. The guide bush is placed in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the electric potential or the DC positive voltage is inserted, and after evacuating the vacuum chamber, it contains silicon or germanium from the gas inlet. A gas is introduced into the vacuum chamber, a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma, and a second intermediate layer is formed on the inner peripheral surface of the guide bush. Or, place the guide bush in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the DC positive voltage is inserted, exhaust the vacuum chamber, introduce a gas containing carbon into the vacuum chamber from the gas inlet, A hard carbon film is formed on the inner peripheral surface of the guide bush by applying high frequency power to the guide bush.
【００３７】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
の内部に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続する
かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内
を排気後、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加
して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に第
１の中間層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内
面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真
空槽内を排気したのち、ガス導入口からシリコンまたは
ゲルマニウムを含むガスを真空槽内部に導入し、ガイド
ブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発生させてガ
イドブッシュの内周面に第２の中間層を形成し、さらに
その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導
入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブ
ッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧を印加
しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生さ
せてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形成す
ることを特徴とする。According to the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end in the longitudinal direction and elasticity thereof. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer peripheral tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged inside the vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, After evacuating the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from an auxiliary electrode power source to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation, and then ground on the inner surface of the opening of the guide bush. The guide bush is placed in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the electric potential or the DC positive voltage is inserted, and after evacuating the vacuum chamber, it contains silicon or germanium from the gas inlet. A gas is introduced into the vacuum chamber, a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma, and a second intermediate layer is formed on the inner peripheral surface of the guide bush. Or, place the guide bush in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the DC positive voltage is inserted.After evacuating the vacuum chamber, introduce a gas containing carbon into the vacuum chamber from the gas inlet, and insert it into the guide bush. A DC voltage is applied to the anode, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and a hard carbon film is formed on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００３８】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒状の
形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面とそ
れに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他端部
に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有し、
外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保持す
るための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付けら
れることにより中心開口に挿入された被加工物を、この
被加工物を保持する内周面によって切削工具の近くにて
回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッシュ
内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュの開
口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料からなる
補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の内
部に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあ
るいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内を排
気後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極
電源から高周波電力を補助電極に印加してガイドブッシ
ュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させガイ
ドブッシュの内周面に第１の中間層を形成し、その後、
ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧
に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを
真空槽内に配置し、真空槽内を排気した後、ガス導入口
からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを真空槽内
に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し、アノー
ドに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加し
てプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に第２
の中間層を形成し、さらにその後、ガイドブッシュの開
口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極
を挿入するようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、
真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真
空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し、
アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を
印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面
に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。The method for forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush according to the present invention has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end in the longitudinal direction and an elastic tapered surface. Forming a slot and having a screw part at the other end for attaching to the column of the automatic lathe,
An inner peripheral surface for holding the workpiece is formed on the inner periphery of the portion where the outer peripheral taper surface is formed, and the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe is used as the workpiece. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush that holds the inner peripheral surface of the guide bush so that it can be rotated and slid in the axial direction near the cutting tool. A guide bush is arranged inside the vacuum chamber so as to insert the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, and the inside of the vacuum chamber is changed. After evacuation, a sputter gas is introduced from the gas inlet, and high-frequency power is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power source to generate plasma around the auxiliary electrode in the guide bush opening, and the inner periphery of the guide bush The first intermediate layer is formed, then
A guide bush is arranged in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into an inner surface of the guide bush, and after evacuating the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced from a gas inlet. Is introduced into a vacuum chamber, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and a second is applied to the inner peripheral surface of the guide bush.
After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the opening inner surface of the guide bush,
After evacuation of the vacuum chamber, a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush.
A DC voltage is applied to the anode and an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, thereby forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００３９】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
の内部に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続する
かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内
を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助
電極電源から高周波電力を補助電極に印加してガイドブ
ッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ
ガイドブッシュの内周面に第１の中間層を形成し、その
後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直流正
電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシ
ュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気したのち、ガス
導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを真
空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し、
アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を
印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面
に第２の中間層を形成し、さらにその後、ガイドブッシ
ュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補
助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の中に
配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含む
ガスを真空槽内部に導入し、ガイドブッシュに高周波電
力を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内
周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。According to the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end in the longitudinal direction and elasticity thereof. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer peripheral tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged inside the vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, After evacuation of the vacuum chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, and high-frequency power is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power source to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, thereby forming an inner periphery of the guide bush. A first intermediate layer is formed on the surface, and then the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. And, after evacuating the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium from the gas inlet is introduced into a vacuum chamber, applying a DC voltage to the guide bush,
A DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and a second intermediate layer is formed on the inner peripheral surface of the guide bush. A guide bush is placed in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the voltage is inserted. After evacuation of the vacuum chamber, a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber through a gas inlet, and high-frequency power is applied to the guide bush. Is applied to generate plasma to form a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００４０】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
の内部に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続する
かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内
を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助
電極電源から高周波電力を補助電極に印加してガイドブ
ッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ
ガイドブッシュの内周面に第１の中間層を形成し、その
後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直流正
電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシ
ュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気したのち、ガス
導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを真
空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し、
アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を
印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面
に第２の中間層を形成し、さらにその後、ガイドブッシ
ュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補
助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の中に
配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含む
ガスを真空槽内部に導入し、ガイドブッシュに直流電圧
を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周
面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。According to the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end in the longitudinal direction and elasticity thereof. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer peripheral tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged inside the vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, After evacuation of the vacuum chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, and high-frequency power is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power source to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, thereby forming an inner periphery of the guide bush. A first intermediate layer is formed on the surface, and then the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. And, after evacuating the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium from the gas inlet is introduced into a vacuum chamber, applying a DC voltage to the guide bush,
A DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and a second intermediate layer is formed on the inner peripheral surface of the guide bush. A guide bush is placed in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the voltage is inserted. After evacuation of the vacuum chamber, a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber through a gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush. Is applied to generate plasma to form a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００４１】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
の内部に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続する
かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内
を排気したのち、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から高周波電力を補助電極に印加して
ガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを
発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間層を形成
し、その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位また
は直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイ
ドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気した
のち、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含
むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電
力を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内
周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、ガイドブ
ッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接続す
る補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の
中に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を
含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波
電力を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの
内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。According to the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end in the longitudinal direction and elasticity thereof. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer peripheral tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged inside the vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, After evacuating the vacuum chamber, a sputter gas is introduced from a gas inlet, and high-frequency power is applied to the auxiliary electrode from an auxiliary electrode power source to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, thereby forming a plasma inside the guide bush. A first intermediate layer is formed on the peripheral surface, and then the guide bush is placed in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuating the inside of the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma, thereby generating an inner periphery of the guide bush. A second intermediate layer is formed on the surface, and then the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After exhausting the gas, a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma, and a hard carbon film is formed on the inner peripheral surface of the guide bush. And
【００４２】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
の内部に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続する
かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内
を排気したのち、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から高周波電力を補助電極に印加して
ガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを
発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間層を形成
し、その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位また
は直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイ
ドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽の内部を排気
後、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電力
を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周
面に第２の中間層を形成し、さらにその後、ガイドブッ
シュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接続する
補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽内に
配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を
印加し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交
流電圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュ
の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。According to the method for forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface and elasticity at one end in the longitudinal direction. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer peripheral tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged inside the vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, After evacuating the vacuum chamber, a sputter gas is introduced from a gas inlet, and high-frequency power is applied to the auxiliary electrode from an auxiliary electrode power source to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, thereby forming a plasma inside the guide bush. A first intermediate layer is formed on the peripheral surface, and then the guide bush is placed in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuation of the inside of the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma and generate an inner circumference of the guide bush. A second intermediate layer is formed on the surface, and then the guide bush is arranged in the vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuation, a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber through a gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, and an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, thereby generating a plasma. Is characterized in that a hard carbon film is formed on the inner peripheral surface.
【００４３】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
の内部に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続する
かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内
を排気したのち、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から高周波電力を補助電極に印加して
ガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを
発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間層を形成
し、その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位また
は直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイ
ドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気した
のち、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含
むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電
力を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内
周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、ガイドブ
ッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接続す
る補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の
中に配置し、真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭
素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直
流電圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュ
の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。According to the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end in the longitudinal direction and elasticity thereof. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged inside the vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted, and the guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, After evacuating the vacuum chamber, a sputter gas is introduced from a gas inlet, and high-frequency power is applied to the auxiliary electrode from an auxiliary electrode power source to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, thereby forming a plasma inside the guide bush. A first intermediate layer is formed on the peripheral surface, and then the guide bush is placed in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After exhausting the inside of the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma, thereby generating an inner periphery of the guide bush. A second intermediate layer is formed on the surface, and then the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After exhausting the gas, a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma to form a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush. Features.
【００４４】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
内に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあ
るいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内を排
気した後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助
電極電源から高周波電力を補助電極に印加してガイドブ
ッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ
ガイドブッシュの内周面に第１の中間層を形成し、その
後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直流正
電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシ
ュを真空槽のなかに配置し、真空槽内を排気した後、ガ
ス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを
真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し
てプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に第２
の中間層を形成し、さらにその後、ガイドブッシュの開
口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極
を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置
し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガス
を真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加
してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に硬
質カーボン膜を形成することを特徴とする。According to the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end in the longitudinal direction and elasticity thereof. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer peripheral tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted. The guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, and a vacuum is applied. After evacuation of the chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, high-frequency power is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply, and plasma is generated around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush and the inner periphery of the guide bush is generated. A first intermediate layer is formed on the surface, and then the guide bush is inserted into the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After arranging and evacuating the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma, and the inner surface of the guide bush is formed. Second
After that, a guide bush is arranged in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into an inner surface of the opening of the guide bush, and after evacuation of the vacuum chamber, A gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma to form a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００４５】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
内に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあ
るいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内を排
気した後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助
電極電源から高周波電力を補助電極に印加してガイドブ
ッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ
ガイドブッシュの内周面に第１の中間層を形成し、その
後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直流正
電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシ
ュを真空槽のなかに配置し、真空槽内を排気した後、ガ
ス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを
真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し
てプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に第２
の中間層を形成し、さらにその後、ガイドブッシュの開
口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極
を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置
し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガス
を真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電力を印
加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に
硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。According to the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and one end in the longitudinal direction has an outer peripheral tapered surface and elasticity. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted. The guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, and a vacuum is applied. After evacuation of the chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, high-frequency power is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply, and plasma is generated around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush and the inner periphery of the guide bush is generated. A first intermediate layer is formed on the surface, and then the guide bush is inserted into the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After arranging and evacuating the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma, and the inner surface of the guide bush is formed. Second
After that, the guide bush is arranged in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and after evacuation of the vacuum chamber, A gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, and high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma, thereby forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００４６】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、軸方向に貫通した中心開口を有するほぼ円筒
状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ面
とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し第１の中間層材料から
なる補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
内に配置し、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあ
るいは直流電源から直流負電圧を印加し、真空槽内を排
気した後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助
電極電源から高周波電力を補助電極に印加してガイドブ
ッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ
ガイドブッシュの内周面に第１の中間層を形成し、その
後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直流正
電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシ
ュを真空槽のなかに配置し、真空槽内を排気した後、ガ
ス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを
真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し
てプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に第２
の中間層を形成し、さらにその後、ガイドブッシュの開
口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極
を挿入するようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、
真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真
空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し、
アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を
印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面
に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。According to the method for forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, the guide bush has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and one end in the longitudinal direction has an outer peripheral tapered surface and elasticity. The other end has a screw portion for attaching to the column of the automatic lathe, and the inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the portion where the outer peripheral tapered surface is formed. Formed, the workpiece inserted into the center opening by being attached to the automatic lathe,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by an inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted. The guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, and a vacuum is applied. After evacuation of the chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, high-frequency power is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply, and plasma is generated around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush and the inner periphery of the guide bush is generated. A first intermediate layer is formed on the surface, and then the guide bush is inserted into the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After arranging and evacuating the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma, and the inner surface of the guide bush is formed. Second
After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the opening inner surface of the guide bush,
After evacuation of the vacuum chamber, a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush.
A DC voltage is applied to the anode and an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, thereby forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００４７】〔作用〕本発明のガイドブッシュ内周面へ
の被膜形成方法における第１の中間層の形成方法は、ガ
イドブッシュの開口内に第１の中間層材料からなる補助
電極を配置して、さらにガイドブッシュには接地電位ま
たは直流負電圧を印加し、補助電極と開口内面との間に
プラズマ発生させ、または抵抗加熱蒸着法によって、ガ
イドブッシュ内周面に第１の中間層を形成している。こ
のためガイドブッシュの内周面の全域にわたって均一な
膜厚で第１の中間層を形成することができる。したがっ
て第１の中間層の膜厚が薄膜化することに起因する硬質
カーボン膜のストレスは発生しない。[Operation] In the method of forming a first intermediate layer in the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush according to the present invention, an auxiliary electrode made of a first intermediate layer material is arranged in an opening of the guide bush. Further, a ground potential or a DC negative voltage is applied to the guide bush, plasma is generated between the auxiliary electrode and the inner surface of the opening, or a first intermediate layer is formed on the inner peripheral surface of the guide bush by a resistance heating vapor deposition method. ing. Therefore, the first intermediate layer can be formed with a uniform thickness over the entire inner peripheral surface of the guide bush. Therefore, the stress of the hard carbon film due to the reduction in the thickness of the first intermediate layer does not occur.
【００４８】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法においては、ガイドブッシュの開口内面の開口の
中央部に、接地電位または直流正電圧に接続する補助電
極を配置して第２の中間層を形成する。そして第２の中
間層を形成するガイドブッシュには、負の直流電圧また
は高周波電力を印加する。その結果、同じ電位の電極ど
うしが対向している開口内面に、接地電位または直流正
電圧に接続する補助電極を設けることとなり、同電位同
士が対向することがなくなる。In the method for forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is disposed at the center of the opening on the inner surface of the opening of the guide bush. Form a layer. Then, a negative DC voltage or high-frequency power is applied to the guide bush forming the second intermediate layer. As a result, an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is provided on the inner surface of the opening where electrodes of the same potential are opposed to each other, so that the same potential is not opposed to each other.
【００４９】このような電位状態は、プラスマ化学気相
成長法にとってもっとも望ましい状態であり、異常放電
であるホロー放電は発生しない。そのため、密着性の良
好な第２の中間層をガイドブッシュに形成することがで
きる。Such a potential state is the most desirable state for plasma enhanced chemical vapor deposition, and a hollow discharge, which is an abnormal discharge, does not occur. Therefore, the second intermediate layer having good adhesion can be formed on the guide bush.
【００５０】さらに本発明の第２の中間層の形成方法に
おいては、接地電位または直流正電圧に接続する補助電
極をガイドブッシュの開口内面に配置しており、ガイド
ブッシュの長手方向の開口内面で電位特性が均一にな
る。この結果、内周面に形成する第２の中間層の膜厚分
布の発生がなく、ガイドブッシュの開口端面と開口奥側
との全域にわたって均一な膜厚の第２の中間層を形成す
ることができるという効果ももつ。Further, in the second method of forming the intermediate layer according to the present invention, the auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is arranged on the inner surface of the opening of the guide bush, and the auxiliary electrode is formed on the inner surface of the opening in the longitudinal direction of the guide bush. Potential characteristics become uniform. As a result, there is no occurrence of a thickness distribution of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface, and the second intermediate layer having a uniform film thickness is formed over the entire area between the opening end face and the back side of the guide bush. Also has the effect of being able to.
【００５１】さらに本発明のガイドブッシュ内周面への
被膜形成方法においては、ガイドブッシュの内周面に配
置する補助電極に直流の正電圧を印加して第２の中間層
を形成する。このように直流正電圧を補助電極に印加す
ると、この補助電極の周囲領域に電子を集める効果を生
じ、補助電極の周囲領域は電子密度が高くなる。このよ
うに電子密度が高くなると、必然的に炭素を含むガス分
子と電子との衝突確率が増加して、ガス分子のイオン化
が促進されて、その補助電極の周囲領域のプラズマ密度
が高くなる。Further, in the method of forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, a DC positive voltage is applied to the auxiliary electrode disposed on the inner peripheral surface of the guide bush to form the second intermediate layer. When a DC positive voltage is applied to the auxiliary electrode in this manner, an effect of collecting electrons in a region around the auxiliary electrode occurs, and the region around the auxiliary electrode has a high electron density. When the electron density increases in this way, the collision probability between the gas molecules containing carbon and the electrons necessarily increases, and the ionization of the gas molecules is promoted, so that the plasma density in the region around the auxiliary electrode increases.
【００５２】このため補助電極に直流の正電圧を印加し
て第２の中間層を形成する実施形態においては、第２の
中間層の被膜形成速度は、補助電極にこのように直流の
正電圧を印加しないときと比らべて高くなる。For this reason, in the embodiment in which a DC positive voltage is applied to the auxiliary electrode to form the second intermediate layer, the film formation speed of the second intermediate layer depends on the DC positive voltage applied to the auxiliary electrode. Is higher than when no is applied.
【００５３】さらにガイドブッシュの開口の大きさが小
さくなり、開口内面と補助電極との隙間寸法が小さくな
ると、補助電極に直流の正電圧を印加しないで第２の中
間層を形成すると、ガイドブッシュの内周面にプラズマ
が発生せず、被膜形成ができない。Further, when the size of the opening of the guide bush is reduced and the gap between the inner surface of the opening and the auxiliary electrode is reduced, the second intermediate layer is formed without applying a DC positive voltage to the auxiliary electrode. No plasma is generated on the inner peripheral surface of the film, and a film cannot be formed.
【００５４】これにたいして補助電極に直流正電圧を印
加して第２の中間層を形成する方法においては、開口内
面に配置する補助電極に直流の電源から直流正電圧を印
加して電子を強制的に補助電極の周囲領域に集めること
ができる。このため、補助電極の周囲にプラズマを発生
させることができる。On the other hand, in the method of forming a second intermediate layer by applying a DC positive voltage to the auxiliary electrode, a DC positive voltage is applied from a DC power source to the auxiliary electrode disposed on the inner surface of the opening to force electrons. Can be collected in the area around the auxiliary electrode. Therefore, plasma can be generated around the auxiliary electrode.
【００５５】したがって、直流の正電圧を補助電極に印
加しないで第２の中間層を形成する方法で被膜形成がで
きない開口大きさが小さいガイドブッシュにも、直流正
電圧を印加する補助電極を用いて被膜形成する方法を適
用すれば、第２の中間層の膜形成が可能となる。Therefore, an auxiliary electrode for applying a DC positive voltage is used for a guide bush having a small opening size where a film cannot be formed by a method of forming a second intermediate layer without applying a DC positive voltage to the auxiliary electrode. If a method of forming a film by applying a film is applied, a film of the second intermediate layer can be formed.
【００５６】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法における硬質カーボン膜の形成方法では、ガイド
ブッシュの内周面の開口の中央部に、接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を配置して硬質カーボン膜
を形成する。そして硬質カーボン膜を形成するガイドブ
ッシュには、負の直流電圧または高周波電力を印加す
る。その結果、同電位の電極どうしが対向している開口
内面に、接地電位または直流正電圧に接続する補助電極
を設けることとなり、同電位同士が対向することがなく
なる。In the method for forming a hard carbon film in the method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention, an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is provided at the center of the opening on the inner peripheral surface of the guide bush. Arrange to form a hard carbon film. Then, a negative DC voltage or a high-frequency power is applied to the guide bush forming the hard carbon film. As a result, an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is provided on the inner surface of the opening where electrodes of the same potential are opposed to each other, so that the same potential is not opposed to each other.
【００５７】このような電位状態は、プラスマ化学気相
成長法にとってもっとも望ましい状態であり、異常放電
であるホロー放電は発生しない。そのため、密着性の良
好な硬質カーボン膜をガイドブッシュに形成することが
できる。Such a potential state is the most desirable state for plasma enhanced chemical vapor deposition, and a hollow discharge which is an abnormal discharge does not occur. Therefore, a hard carbon film having good adhesion can be formed on the guide bush.
【００５８】さらに本発明の硬質カーボン膜の形成方法
においては、接地電位または直流正電圧に接続する補助
電極をガイドブッシュの内周面に配置しており、ガイド
ブッシュの長手方向の開口内面で電位特性が均一にな
る。この結果、内周面に形成する硬質カーボン膜の膜厚
分布の発生がなく、ガイドブッシュの開口端面と開口奥
側との全域にわたって均一な膜厚の硬質カーボン膜を形
成することができるという効果ももつ。Further, in the method for forming a hard carbon film according to the present invention, the auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is disposed on the inner peripheral surface of the guide bush, and the potential is formed on the inner surface of the opening in the longitudinal direction of the guide bush. Characteristics become uniform. As a result, there is no thickness distribution of the hard carbon film formed on the inner peripheral surface, and a hard carbon film having a uniform film thickness can be formed over the entire area of the open end face and the back side of the guide bush. Also has.
【００５９】さらに本発明のガイドブッシュ内周面への
被膜形成方法においては、ガイドブッシュの内周面に配
置する補助電極に直流の正電圧を印加して硬質カーボン
膜を形成する。このように直流正電圧を補助電極に印加
すると、この補助電極の周囲領域に電子を集める効果を
生じ、補助電極の周囲領域は電子密度が高くなる。この
ように電子密度が高くなると、必然的に炭素を含むガス
分子と電子との衝突確率が増加して、ガス分子のイオン
化が促進されて、その補助電極の周囲領域のプラズマ密
度が高くなる。Further, in the method for forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, a DC positive voltage is applied to an auxiliary electrode disposed on the inner peripheral surface of the guide bush to form a hard carbon film. When a DC positive voltage is applied to the auxiliary electrode in this manner, an effect of collecting electrons in a region around the auxiliary electrode occurs, and the region around the auxiliary electrode has a high electron density. When the electron density increases in this way, the collision probability between the gas molecules containing carbon and the electrons necessarily increases, and the ionization of the gas molecules is promoted, so that the plasma density in the region around the auxiliary electrode increases.
【００６０】このため補助電極に直流の正電圧を印加し
て硬質カーボン膜を形成する実施形態においては、硬質
カーボン膜の被膜形成速度は、補助電極にこのように直
流の正電圧を印加しないときと比らべて高くなる。For this reason, in the embodiment in which a DC positive voltage is applied to the auxiliary electrode to form a hard carbon film, the film formation speed of the hard carbon film is determined when the DC positive voltage is not applied to the auxiliary electrode. It is higher than that.
【００６１】さらにガイドブッシュの開口の大きさが小
さくなり、開口内面と補助電極との隙間寸法が小さくな
ると、補助電極に直流の正電圧を印加しないで硬質カー
ボン膜を形成すると、ガイドブッシュの内周面にプラズ
マが発生せず、被膜形成ができない。When the size of the opening of the guide bush is further reduced and the gap between the inner surface of the opening and the auxiliary electrode is reduced, a hard carbon film is formed without applying a DC positive voltage to the auxiliary electrode. No plasma is generated on the peripheral surface, and a film cannot be formed.
【００６２】これにたいして補助電極に直流正電圧を印
加して硬質カーボン膜を形成する方法においては、開口
内面に配置する補助電極に直流の電源から直流正電圧を
印加して電子を強制的に補助電極の周囲領域に集めるこ
とができる。このため、補助電極の周囲にプラズマを発
生させることができる。On the other hand, in the method of forming a hard carbon film by applying a DC positive voltage to the auxiliary electrode, a DC positive voltage is applied from a DC power source to the auxiliary electrode disposed on the inner surface of the opening to forcibly assist the electrons. It can be collected in the area surrounding the electrodes. Therefore, plasma can be generated around the auxiliary electrode.
【００６３】したがって、直流の正電圧を補助電極に印
加しないで硬質カーボン膜を形成する方法で被膜形成が
できない開口大きさが小さいガイドブッシュにも、直流
正電圧を印加する補助電極を用いて被膜形成する方法を
適用すれば、硬質カーボン膜の膜形成が可能となる。こ
のような理由によって本発明の被膜形成方法において
は、ガイドブッシュに対する硬質カーボン膜の密着性が
良好となる。Therefore, a guide bush with a small opening size, which cannot be formed by a method of forming a hard carbon film without applying a DC positive voltage to the auxiliary electrode, cannot be formed by using the auxiliary electrode for applying a DC positive voltage. By applying the forming method, a hard carbon film can be formed. For this reason, in the film forming method of the present invention, the adhesion of the hard carbon film to the guide bush is improved.
【００６４】[0064]
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明を実施
するための最良の形態におけるガイドブッシュ内周面へ
の被膜形成方法を説明する。本発明の実施形態における
ガイドブッシュの内周面への中間層と硬質カーボン膜の
被膜形成方法を説明するまえに、このガイドブッシュを
適用する数値制御自動旋盤の主軸近傍を示す図８を用い
て、ガイドブッシュを適用するガイドブッシュ装置の構
成を説明する。図８はガイドブッシュ装置として、ガイ
ドブッシュを固定してこのガイドブッシュの内周面で被
加工物が回転する状態で使用する固定型のガイドブッシ
ュ装置を示す断面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush in the best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings. Before describing the method of forming the intermediate layer and the hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush in the embodiment of the present invention, FIG. 8 showing the vicinity of the main shaft of a numerically controlled automatic lathe to which this guide bush is applied will be described. The configuration of the guide bush device to which the guide bush is applied will be described. FIG. 8 is a sectional view showing a fixed type guide bush device which is used as a guide bush device in a state where the guide bush is fixed and a workpiece rotates on the inner peripheral surface of the guide bush.
【００６５】〔第１の自動旋盤説明：図８〕主軸台１７
は図示しない数値制御自動旋盤のベッド（図示せず）上
を、図８の左右方向に摺動可能となっている。この主軸
台１７には、軸受２１によって回転可能な状態で支持さ
れた主軸１９を設けている。そしてこの主軸１９の先端
部には、コレットチャック１３を取り付けている。[Description of First Automatic Lathe: FIG. 8] Headstock 17
Can slide on the bed (not shown) of the numerically controlled automatic lathe (not shown) in the left-right direction of FIG. The headstock 17 is provided with a spindle 19 rotatably supported by a bearing 21. The collet chuck 13 is attached to the tip of the spindle 19.
【００６６】このコレットチャック１３は、チャックス
リーブ４１の中心穴内に配置する。そしてコレットチャ
ック１３の先端の外周テーパ面１３ａと、チャックスリ
ーブ４１の内周テーパ面４１ａとが互いに面接触してい
る。The collet chuck 13 is disposed in the center hole of the chuck sleeve 41. The outer tapered surface 13a at the tip of the collet chuck 13 and the inner tapered surface 41a of the chuck sleeve 41 are in surface contact with each other.
【００６７】さらに中間スリーブ２９内のコレットチャ
ック１３の後端部にスプリング２５を設ける。そして、
このスプリング２５の弾性力の働きによって、中間スリ
ーブ２９内からコレットチャック１３を押し出すことが
できる。Further, a spring 25 is provided at the rear end of the collet chuck 13 in the intermediate sleeve 29. And
The collet chuck 13 can be pushed out of the intermediate sleeve 29 by the action of the elastic force of the spring 25.
【００６８】コレットチャック１３の先端位置は、主軸
１９の先端にネジ固定するキャップナット２７に接触し
て、その位置を規制している。このキャップナット２７
を設けることによって、コレットチャック１３がスプリ
ング２５のバネ力によって、中間スリーブ２９から飛び
出すことを防止している。The position of the tip of the collet chuck 13 is in contact with a cap nut 27 screwed to the tip of the main shaft 19 to regulate the position. This cap nut 27
Is provided to prevent the collet chuck 13 from jumping out of the intermediate sleeve 29 due to the spring force of the spring 25.
【００６９】中間スリーブ２９の後端部には、この中間
スリーブ２９を介してチャック開閉機構３１を設ける。
そしてチャック開閉爪３３を開閉動作することにより、
コレットチャック１３は開閉し、被加工物５１を把持し
たり解放したりすることができる。すなわち、チャック
開閉機構３１のチャック開閉爪３３の先端部が相互に開
くように移動すると、チャック開閉爪３３の中間スリー
ブ２９の接触している部分が、図８の左方向に移動して
中間スリーブ２９を左方向に押す。この中間スリーブ２
９の左方向への移動により、中間スリーブ２９の左端に
接触しているチャックスリーブ４１が左方向に移動す
る。At the rear end of the intermediate sleeve 29, a chuck opening / closing mechanism 31 is provided via the intermediate sleeve 29.
By opening and closing the chuck opening / closing claw 33,
The collet chuck 13 opens and closes, and can grip and release the workpiece 51. That is, when the distal ends of the chuck opening / closing claws 33 of the chuck opening / closing mechanism 31 move so as to open each other, the portion of the chuck opening / closing claw 33 in contact with the intermediate sleeve 29 moves leftward in FIG. Press 29 to the left. This intermediate sleeve 2
9 moves to the left, the chuck sleeve 41 in contact with the left end of the intermediate sleeve 29 moves to the left.
【００７０】そしてコレットチャック１３は、前述のよ
うに主軸１９の先端にネジ止めしているキャップナット
２７により、主軸１９から前方に飛び出すことを防止し
ている。このため、このチャックスリーブ４１の左方向
への移動によって、コレットチャック１３の外周テーパ
１３ａと、チャックスリーブ４１の内周テーパ４１ａと
が強く押されてテーパ面に沿って移動することになる。
この結果、コレットチャック１３の内周面の直径寸法が
小さくなって、被加工物５１を把持することができる。The collet chuck 13 is prevented from protruding forward from the spindle 19 by the cap nut 27 screwed to the tip of the spindle 19 as described above. Therefore, by the movement of the chuck sleeve 41 to the left, the outer taper 13a of the collet chuck 13 and the inner taper 41a of the chuck sleeve 41 are strongly pushed and move along the tapered surface.
As a result, the diameter of the inner peripheral surface of the collet chuck 13 is reduced, and the workpiece 51 can be gripped.
【００７１】コレットチャック１３の内周面の直径寸法
を大きくして被加工物５１を解放するときは、チャック
開閉爪３３の先端部が相互に閉じるように移動すること
によって、チャックスリーブ４１を左方向に押す力を除
く。するとスプリング２５の復元力によって中間スリー
ブ２９とチャックスリーブ４１とが、図８の右方向に移
動する。このため、コレットチャック１３の外周テーパ
面１３ａと、チャックスリーブ４１の内周テーパ面４１
ａとの押圧力が除かれることになる。この結果、コレッ
トチャック１３は自己のもつ弾性力で内周面の直径が大
きくなり、被加工物５１を解放することができる。When the workpiece 51 is released by increasing the diameter of the inner peripheral surface of the collet chuck 13, the chuck sleeve 41 is moved to the left by moving the tips of the chuck opening / closing claws 33 so as to close each other. Excluding the pushing force in the direction. Then, the intermediate sleeve 29 and the chuck sleeve 41 move rightward in FIG. 8 by the restoring force of the spring 25. Therefore, the outer peripheral tapered surface 13a of the collet chuck 13 and the inner peripheral tapered surface 41 of the chuck sleeve 41
The pressing force with a is removed. As a result, the diameter of the inner peripheral surface of the collet chuck 13 is increased by its own elastic force, and the workpiece 51 can be released.
【００７２】さらに主軸台１７の前方位置には、コラム
３５の主軸中心線上に配置する固定型のガイドブッシュ
装置３７を設ける。図８に示すガイドブッシュ装置３７
は前述のように、ガイドブッシュ１１を固定して、この
ガイドブッシュ１１の内周面１１ｂにて被加工物５１を
回転する状態で使用する固定型のガイドブッシュ装置３
７であって、コラム３５に固定したホルダ３９の中心穴
には、ブッシュスリーブ２３を配置している。このブッ
シュスリーブ２３の先端部には、内周テーパ面２３ａを
設ける。Further, at the front position of the headstock 17, a fixed type guide bush device 37 arranged on the center line of the main shaft of the column 35 is provided. Guide bush device 37 shown in FIG.
As described above, the fixed guide bush device 3 is used in a state where the workpiece 51 is rotated while the guide bush 11 is fixed and the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11 is rotated.
The bush sleeve 23 is disposed in the center hole of the holder 39 fixed to the column 35. An inner peripheral tapered surface 23 a is provided at the tip of the bush sleeve 23.
【００７３】そしてこのブッシュスリーブ２３の中心穴
には、先端に外周テーパ面１１ａを形成したガイドブッ
シュ１１を配置している。In the center hole of the bush sleeve 23, a guide bush 11 having a tapered outer peripheral surface 11a at the end is disposed.
【００７４】ガイドブッシュ装置３７の後端部に設ける
調整ナット４３を回転することによって、ガイドブッシ
ュ１１の内径と被加工物５１の外形との隙間寸法を調整
することができる。これは調整ナット４３を回転させる
と、ブッシュスリーブ２３の内周テーパ面２３ａとガイ
ドブッシュ１１の外周テーパ面１１ａは、コレットチャ
ック１３と同様に内周テーパ面２３ａと外周テーパ面１
１ａとが相互に押圧されてガイドブッシュ１１の内径が
小さくなるためである。By rotating the adjustment nut 43 provided at the rear end of the guide bush device 37, the gap between the inner diameter of the guide bush 11 and the outer shape of the workpiece 51 can be adjusted. When the adjusting nut 43 is rotated, the inner peripheral taper surface 23a of the bush sleeve 23 and the outer peripheral taper surface 11a of the guide bush 11 become the inner peripheral taper surface 23a and the outer peripheral taper surface 1 similarly to the collet chuck 13.
1a are mutually pressed and the inner diameter of the guide bush 11 is reduced.
【００７５】ガイドブッシュ装置３７のさらに前方に
は、切削工具４５を設ける。そして、被加工物５１を主
軸１９のコレットチャック１３で把持し、ガイドブッシ
ュ装置３７で支持し、しかもこのガイドブッシュ装置３
７を貫通して加工領域に突き出した被加工物５１を、切
削工具４５の前進後退と主軸台１７の移動との合成運動
によって所定の切削加工を行う。A cutting tool 45 is provided further forward of the guide bush device 37. The workpiece 51 is gripped by the collet chuck 13 of the main shaft 19 and supported by the guide bush device 37.
The workpiece 51 that has penetrated through 7 and protruded into the machining area is subjected to predetermined cutting by a combined movement of the forward and backward movement of the cutting tool 45 and the movement of the headstock 17.
【００７６】〔第２の自動旋盤説明：図９〕つぎに被加
工物を把持するガイドブッシュを回転する状態で使用す
る回転型のガイドブッシュ装置の構成を、図９を用いて
説明する。図９は回転型のガイドブッシュ装置の構成を
示す断面図である。なお図９において、図８の構成と同
一箇所には同一符号を付けてある。[Description of Second Automatic Lathe: FIG. 9] Next, the configuration of a rotary type guide bush device used in a state where a guide bush for gripping a workpiece is rotated will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view showing a configuration of a rotary type guide bush device. In FIG. 9, the same parts as those in FIG. 8 are denoted by the same reference numerals.
【００７７】この回転型のガイドブッシュ装置として
は、コレットチャック１３とガイドブッシュ１１とが同
期して回転するガイドブッシュ装置と、同期しないで回
転するガイドブッシュ装置とがある。図９に示すガイド
ブッシュ装置３７は、コレットチャック１３とガイドブ
ッシュ１１とが同期して回転する回転型のガイドブッシ
ュ装置３７を示す。The rotary guide bush device includes a guide bush device in which the collet chuck 13 and the guide bush 11 rotate in synchronization, and a guide bush device in which the collet chuck 13 and the guide bush 11 rotate without synchronization. The guide bush device 37 shown in FIG. 9 is a rotary type guide bush device 37 in which the collet chuck 13 and the guide bush 11 rotate in synchronization.
【００７８】回転型のガイドブッシュ装置３７は、主軸
１９のキャップナット２７から突き出した回転駆動棒４
７によって、ガイドブッシュ装置３７を駆動する。この
回転駆動棒４７により駆動する他にも、歯車やベルトプ
ーリによってガイドブッシュ装置３７を駆動するものも
ある。The rotary type guide bush device 37 includes a rotary drive rod 4 protruding from the cap nut 27 of the main shaft 19.
7, the guide bush device 37 is driven. In addition to the drive by the rotary drive rod 47, there is also a drive in which the guide bush device 37 is driven by a gear or a belt pulley.
【００７９】この回転型のガイドブッシュ装置３７は、
コラム３５に固定するホルダ３９の中心穴に、軸受２１
を介して回転可能な状態にブッシュスリーブ２３を配置
している。さらに、このブッシュスリーブ２３の中心穴
にガイドブッシュ１１を配置している。ブッシュスリー
ブ２３とガイドブッシュ１１とは、図８を用いて説明し
た構成と同じ構造である。そしてガイドブッシュ装置３
７の後端部に設ける調整ナット４３を回転することによ
って、ガイドブッシュ１１の内径寸法を小さくして、ガ
イドブッシュ１１の内径と被加工物５１の外形との隙間
寸法を調整することができる。This rotary type guide bush device 37 is
The center hole of the holder 39 fixed to the column 35 is provided with the bearing 21.
The bush sleeve 23 is arranged so as to be rotatable via the. Further, the guide bush 11 is arranged in the center hole of the bush sleeve 23. The bush sleeve 23 and the guide bush 11 have the same structure as that described with reference to FIG. And the guide bush device 3
By rotating the adjustment nut 43 provided at the rear end of the guide bush 7, the inner diameter of the guide bush 11 can be reduced, and the clearance between the inner diameter of the guide bush 11 and the outer shape of the workpiece 51 can be adjusted.
【００８０】図９を用いて説明したガイドブッシュ装置
は、ガイドブッシュ装置３７が回転型である以外の構成
は、図８を用いて説明した構成と同じであるので、構成
とその動作の説明は省略する。The configuration of the guide bush device described with reference to FIG. 9 is the same as the configuration described with reference to FIG. 8 except that the guide bush device 37 is a rotary type. Omitted.
【００８１】〔ガイドブッシュ説明：図１０〕つぎに本
発明の実施形態における硬質カーボン膜を形成するガイ
ドブッシュの構造を図１０を用いて説明する。以上の説
明から明らかなように、固定型のガイドブッシュと回転
型のガイドブッシュとは、ほぼ同じ構造をもち、同じよ
うに動作する。図１０は本発明の実施形態におけるガイ
ドブッシュの構造を示す断面図であり、この図１０に示
すガイドブッシュは開いた自由な状態を示す。[Explanation of Guide Bush: FIG. 10] Next, the structure of the guide bush for forming the hard carbon film in the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. As is clear from the above description, the fixed type guide bush and the rotary type guide bush have substantially the same structure and operate in the same manner. FIG. 10 is a cross-sectional view showing the structure of the guide bush according to the embodiment of the present invention. The guide bush shown in FIG. 10 shows an open and free state.
【００８２】図７に示すように、ガイドブッシュ１１
は、長手方向の一端の端面部１１ｈ近傍の外周部に外周
テーパ面１１ａをもち、他端の外周部にネジ部１１ｆを
もつ。さらにガイドブッシュ１１の中心には開口径が異
なる貫通した開口を設ける。そして外周テーパ面１１ａ
を設ける側の内周に、被加工物５１を保持する内周面１
１ｂをもつ。そしてこの内周面１１ｂ以外の領域には、
内周面１１ｂの内径寸法より大きな内径寸法をもつ段差
部１１ｇとなっている。As shown in FIG. 7, the guide bush 11
Has an outer peripheral tapered surface 11a at an outer peripheral portion near an end surface portion 11h at one longitudinal end, and has a threaded portion 11f at an outer peripheral portion at the other end. Further, a penetrating opening having a different opening diameter is provided at the center of the guide bush 11. And the outer peripheral taper surface 11a
An inner peripheral surface 1 for holding a workpiece 51
1b. In the area other than the inner peripheral surface 11b,
The step 11g has an inner diameter larger than the inner diameter of the inner peripheral surface 11b.
【００８３】さらにガイドブッシュ１１には外周テーパ
面１１ａからバネ部１１ｄにまで、摺り割り１１ｃを設
ける。この摺り割り１１ｃは、角度１２０゜間隔で３箇
所に設けている。Further, the guide bush 11 is provided with a slit 11c from the outer peripheral tapered surface 11a to the spring portion 11d. The slits 11c are provided at three places at intervals of 120 °.
【００８４】そしてブッシュスリーブの内周テーパ面に
ガイドブッシュ１１の外周テーパ面１１ａを押圧するこ
とによって、バネ部１１ｄが撓み、内周面１１ｂと被加
工物５１との隙間寸法を調整することができる。By pressing the outer peripheral taper surface 11a of the guide bush 11 against the inner peripheral taper surface of the bush sleeve, the spring portion 11d bends, and the gap between the inner peripheral surface 11b and the workpiece 51 can be adjusted. it can.
【００８５】さらにガイドブッシュ１１には、バネ部１
１ｄとネジ部１１ｆとの間に嵌合部１１ｅを設ける。そ
してこの嵌合部１１ｅによって、ガイドブッシュ１１
は、主軸の中心線上でしかも主軸中心線に平行に配置す
ることができる。The guide bush 11 has a spring 1
A fitting portion 11e is provided between 1d and the screw portion 11f. The guide bush 11 is formed by the fitting portion 11e.
Can be arranged on the centerline of the spindle and parallel to the centerline of the spindle.
【００８６】このガイドブッシュ１１材料としては合金
工具鋼（ＳＫＳ）を用いる。そして外形形状と内形形状
とを形成後、焼き入れと焼きもどし処理とを行なってい
る。さらにガイドブッシュ１１の内周面１１ｂには、肉
厚が２ｍｍから５ｍｍの寸法を有する超硬部材をロウ付
け手段により固定して、超硬部材１２とする。この超硬
部材１２はタングステン（Ｗ）が８５％〜９０％と、炭
素（Ｃ）が５％〜７％と、バインダーとしてコバルト
（Ｃｏ）が３％〜１０％の組成のもの用いる。この超硬
部材１２はガイドブッシュ１１の用途によっては、内周
面１１ｂに設けないものもある。As the material of the guide bush 11, alloy tool steel (SKS) is used. After forming the outer shape and the inner shape, quenching and tempering are performed. Further, on the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11, a cemented carbide member having a thickness of 2 mm to 5 mm is fixed by brazing means to form a cemented carbide member 12. The cemented carbide member 12 has a composition of 85% to 90% of tungsten (W), 5% to 7% of carbon (C), and 3% to 10% of cobalt (Co) as a binder. Depending on the application of the guide bush 11, the super hard member 12 may not be provided on the inner peripheral surface 11b.
【００８７】そしてガイドブッシュ１１は、このガイド
ブッシュ１１が開いた状態では、内周面１１ｂと被加工
物５１との半径方向では５μｍから１０μｍの隙間を設
けている。このため被加工物５１が出入りすることによ
る、ガイドブッシュ１１の内周面１１ｂの摩耗が問題と
なる。さらにまたガイドブッシュ１１は、前述のように
内周面１１ｂと被加工物５１との間で高速摺動し、しか
も切削負荷による内周面１１ｂへの過大な被加工物５１
の押圧力によって焼き付きを発生させる問題点がある。When the guide bush 11 is open, a gap of 5 μm to 10 μm is provided in the radial direction between the inner peripheral surface 11b and the workpiece 51. For this reason, abrasion of the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11 due to entry and exit of the workpiece 51 poses a problem. Furthermore, the guide bush 11 slides at high speed between the inner peripheral surface 11b and the workpiece 51 as described above, and furthermore, the excessively large workpiece 51 on the inner peripheral surface 11b due to the cutting load.
There is a problem that image sticking occurs due to the pressing force of the above.
【００８８】そこで本発明の実施形態のガイドブッシュ
１１では、図１０に示すように、その内周面１１ｂに設
ける硬質カーボン膜１５は、内周面１１ｂの全域にわっ
て、中間層（図示せず）を介して硬質カーボン膜１５を
形成する。Therefore, in the guide bush 11 of the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 10, the hard carbon film 15 provided on the inner peripheral surface 11b has an intermediate layer (not shown) over the entire inner peripheral surface 11b. ) To form the hard carbon film 15.
【００８９】〔第１の中間層の形成方法：図１〕はじめ
に硬質カーボン膜の下層に形成する中間層の形成方法
を、図１を用いて説明する。図１は本発明の実施形態に
おける被膜形成方法における中間層の形成方法を示す断
面図である。以下の説明では、第１の中間層としてチタ
ン、第２の中間層としてシリコン膜をそれぞれ形成する
実施形態で説明する。[Method of Forming First Intermediate Layer: FIG. 1] First, a method of forming an intermediate layer formed below the hard carbon film will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a sectional view showing a method for forming an intermediate layer in a method for forming a film according to an embodiment of the present invention. In the following description, an embodiment will be described in which a titanium film is formed as a first intermediate layer and a silicon film is formed as a second intermediate layer.
【００９０】図１に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを備える真空槽６１の中に開口を有するガイド
ブッシュ１１を配置する。このガイドブッシュ１１は接
地電位に接続する。そしてこのガイドブッシュ１１の開
口内に、第１の中間層として形成するチタン材料からな
る補助電極７１を挿入するように配置する。この補助電
極７１には直流電圧を印加するための補助電極電源８３
ａを接続する。As shown in FIG. 1, a guide bush 11 having an opening is arranged in a vacuum chamber 61 having a gas introduction port 63 and an exhaust port 65. This guide bush 11 is connected to the ground potential. Then, an auxiliary electrode 71 made of a titanium material to be formed as a first intermediate layer is arranged to be inserted into the opening of the guide bush 11. An auxiliary electrode power supply 83 for applying a DC voltage to the auxiliary electrode 71.
Connect a.
【００９１】そして図示しない排気手段によって、真空
槽６１内を３×１０-5ｔｏｒｒの真空度になるまで真空
排気する。その後、ガス導入口６３からスパッタガスと
してアルゴンガスを真空槽６１内に導入して、真空度を
５×１０-3ｔｏｒｒになるように制御する。Then, the inside of the vacuum chamber 61 is evacuated to a vacuum degree of 3 × 10 -5 torr by an exhaust means (not shown). Thereafter, an argon gas is introduced into the vacuum chamber 61 as a sputtering gas from the gas inlet 63, and the degree of vacuum is controlled to 5 × 10 −3 torr.
【００９２】さらに補助電極電源８３ａからマイナス５
００Ｖの直流電圧を補助電極７１に印加する。するとガ
イドブッシュ１１の開口内でしかも補助電極７１周囲領
域にプラズマが発生して、プラズマ中のイオンによって
チタン材料からなる補助電極７１表面をスパッタする。
なおここでガイドブッシュ１１の開口内径の大きさは１
０ｍｍであり、チタンからなる補助電極７１の直径は２
ｍｍのものを使用している。なお補助電極７１の断面形
状は円形だけでなく、多角形状としてもよい。Further, minus 5 from the auxiliary electrode power supply 83a.
A DC voltage of 00 V is applied to the auxiliary electrode 71. Then, plasma is generated in the opening of the guide bush 11 and in the region around the auxiliary electrode 71, and ions in the plasma sputter the surface of the auxiliary electrode 71 made of a titanium material.
Here, the size of the inner diameter of the opening of the guide bush 11 is 1
0 mm, and the diameter of the auxiliary electrode 71 made of titanium is 2 mm.
mm. The sectional shape of the auxiliary electrode 71 is not limited to a circle, but may be a polygon.
【００９３】そしてこの補助電極７１表面からたたき出
された第１の中間層材料であるチタンは、ガイドブッシ
ュ１１に付着し、チタン材料からなる第１の中間層をガ
イドブッシュ１１の内周面に形成することができる。こ
のスパッタリング処理を時間３０分行ない、ガイドブッ
シュ１１の内周面に０．５μｍの厚さのチタン膜からな
る第１の中間層を形成する。The titanium, which is the first intermediate layer material that has been knocked out from the surface of the auxiliary electrode 71, adheres to the guide bush 11, and the first intermediate layer made of the titanium material is applied to the inner peripheral surface of the guide bush 11. Can be formed. This sputtering process is performed for 30 minutes to form a first intermediate layer made of a 0.5 μm thick titanium film on the inner peripheral surface of the guide bush 11.
【００９４】このように本発明の実施形態における第１
の中間層の形成方法においては、ガイドブッシュ１１の
開口内に第１の中間層材料からなる補助電極７１を配置
して補助電極７１とガイドブッシュ１１内周面との間に
プラズマ発生させ、ガイドブッシュ内周面に第１の中間
層を形成している。ガイドブッシュ１１の開口内に第１
の中間層材料からなる補助電極７１を配置して形成する
プラズマは、ガイドブッシュ１１の長手方向にて均一で
あるため、ガイドブッシュ１１の内周面に均一な膜厚で
第１の中間層を被膜形成することができる。As described above, the first embodiment of the present invention is described.
In the method of forming the intermediate layer described above, the auxiliary electrode 71 made of the first intermediate layer material is arranged in the opening of the guide bush 11 to generate plasma between the auxiliary electrode 71 and the inner peripheral surface of the guide bush 11, A first intermediate layer is formed on the inner peripheral surface of the bush. The first in the opening of the guide bush 11
Since the plasma formed by arranging the auxiliary electrode 71 made of the intermediate layer material is uniform in the longitudinal direction of the guide bush 11, the first intermediate layer having a uniform thickness is formed on the inner peripheral surface of the guide bush 11. A film can be formed.
【００９５】この図１に示す本発明の第１の中間層の形
成方法によって形成する第１の中間層の膜厚分布を図５
のグラフを用いて説明する。図５のグラフは、横軸はガ
イドブッシュの開口端からの距離を示し、縦軸はガイド
ブッシュの内周面に形成する第１の中間層の膜厚を示
す。そして曲線８５が、図１に示す本発明の第１の中間
層の形成方法によって形成したときの膜厚分布を示す。FIG. 5 shows the film thickness distribution of the first intermediate layer formed by the method for forming the first intermediate layer of the present invention shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. In the graph of FIG. 5, the horizontal axis represents the distance from the opening end of the guide bush, and the vertical axis represents the thickness of the first intermediate layer formed on the inner peripheral surface of the guide bush. A curve 85 indicates a film thickness distribution when the film is formed by the first method for forming an intermediate layer of the present invention shown in FIG.
【００９６】図５のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の第１の中間層
を形成したとき、図１に示す方法によって形成した第１
の中間層は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１
の開口全域にわたって均一な膜厚でチタン膜からなる第
１の中間層を形成することができる。As shown by the curve 85 in the graph of FIG. 5, when the first intermediate layer having a thickness of 0.5 μm was formed at the opening end of the guide bush, the first intermediate layer formed by the method shown in FIG.
The intermediate layer has almost no change in film thickness even at a position 30 mm from the opening end to the back side of the opening.
The first intermediate layer made of a titanium film can be formed with a uniform thickness over the entire area of the opening.
【００９７】〔第２の中間層の形成方法：図２、図３お
よび図４〕その後、第１の中間層を形成したガイドブッ
シュ１１に第２の中間層を形成する。そしてこの第２の
中間層の形成方法としては３つの手段があり、それぞれ
図２と図３と図４とを用いて説明する。はじめに図２を
用いて第２の中間層の形成方法を説明する。図２は本発
明の実施形態における被膜形成方法における第１の中間
層上面に形成する第２の中間層の形成方法を示す断面図
である。[Method of Forming Second Intermediate Layer: FIGS. 2, 3 and 4] Thereafter, a second intermediate layer is formed on the guide bush 11 on which the first intermediate layer is formed. There are three methods for forming the second intermediate layer, which will be described with reference to FIGS. 2, 3, and 4, respectively. First, a method for forming the second intermediate layer will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method for forming a second intermediate layer formed on the upper surface of the first intermediate layer in the method for forming a film according to the embodiment of the present invention.
【００９８】〔第２の中間層の形成方法：図２〕図２に
示すように、ガス導入口６３と排気口６５とを有する真
空槽６１内に、第２の中間層を形成するガイドブッシュ
１１を配置する。そして、このガイドブッシュ１１の内
周面には、接地電位に接続する補助電極７１を挿入する
ように設ける。このとき補助電極７１がガイドブッシュ
１１の開口中央部になるように配置する。[Method of Forming Second Intermediate Layer: FIG. 2] As shown in FIG. 2, a guide bush for forming a second intermediate layer in a vacuum chamber 61 having a gas introduction port 63 and an exhaust port 65. 11 is arranged. An auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner peripheral surface of the guide bush 11 so as to be inserted. At this time, the auxiliary electrode 71 is arranged so as to be located at the center of the opening of the guide bush 11.
【００９９】そして真空槽６１内を真空度が３×１０-5
ｔｏｒｒになるように排気口６５から、図示しない排気
手段によって真空排気する。その後、ガス導入口６３か
らシリコンを含むガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4 ）を
真空槽６１内に導入して、真空槽６１内の圧力を５×１
０-3ｔｏｒｒになるように制御する。Then, the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is 3 × 10 −5.
Vacuum is exhausted from the exhaust port 65 by an exhaust means (not shown) so that the pressure becomes torr. Thereafter, monosilane (SiH4) as a gas containing silicon is introduced into the vacuum chamber 61 from the gas inlet port 63, and the pressure in the vacuum chamber 61 is increased to 5.times.1.
It is controlled to be 0 -3 torr.
【０１００】そしてアノード７９にはアノード電源７５
から直流電圧を印加し、さらにフィラメント８１にはフ
ィラメント電源７７から交流電圧を印加する。このとき
アノード電源７５からアノード７９に印加する直流電圧
はプラス１０Ｖを印加する。さらにまたフィラメント電
源７７からフィラメント８１に印加する電圧は３０Ａの
電流が流れるように１０Ｖの交流電圧を印加する。そし
てガイドブッシュ１１には直流電源７３から直流電圧を
印加する。このときガイドブッシュ１１には直流電源７
３からマイナス３ｋＶを印加する。The anode 79 has an anode power supply 75.
, And an AC voltage is applied to the filament 81 from the filament power supply 77. At this time, the direct current voltage applied from the anode power supply 75 to the anode 79 is plus 10 V. Further, the voltage applied from the filament power supply 77 to the filament 81 is an AC voltage of 10 V so that a current of 30 A flows. Then, a DC voltage is applied to the guide bush 11 from a DC power supply 73. At this time, the guide bush 11 is
3 to -3 kV is applied.
【０１０１】そして真空槽６１内に配置するガイドブッ
シュ１１の周囲領域にプラズマを発生させて、ガイドブ
ッシュ１１に第２の中間層としてシリコン膜を０．５μ
ｍの膜厚で形成している。この図２に示す第２の中間層
の被膜形成方法においては、ガイドブッシュ１１の開口
内面に挿入するように配置し、接地電圧に接続する補助
電極７１により、ガイドブッシュ１１の外周部だけでな
く、ガイドブッシュ１１内周面にもプラズマを形成する
ことができる。Then, a plasma is generated in a region around the guide bush 11 arranged in the vacuum chamber 61, and a 0.5 μm thick silicon film is formed on the guide bush 11 as a second intermediate layer.
m. In the second method for forming the intermediate layer film shown in FIG. 2, not only the outer peripheral portion of the guide bush 11 but also the Also, plasma can be formed on the inner peripheral surface of the guide bush 11.
【０１０２】この図２に示す本発明の第２の中間層の形
成方法によって形成する第２の中間層の膜厚分布を図５
のグラフを用いて説明する。図５のグラフは、横軸はガ
イドブッシュの開口端からの距離を示し、縦軸はガイド
ブッシュの内周面に形成する第２の中間層の膜厚を示
す。そして曲線８５が、図２に示す本発明の第２の中間
層の形成方法によって形成したときの膜厚分布を示す。FIG. 5 shows the film thickness distribution of the second intermediate layer formed by the method for forming the second intermediate layer of the present invention shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. In the graph of FIG. 5, the horizontal axis represents the distance from the opening end of the guide bush, and the vertical axis represents the thickness of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface of the guide bush. A curve 85 shows a film thickness distribution when the film is formed by the second method for forming an intermediate layer of the present invention shown in FIG.
【０１０３】図５のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の第２の中間層
を形成したとき、図２に示す方法によって形成した第２
の中間層は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１
の開口全域にわたって均一な膜厚でシリコン膜からなる
第２の中間層を形成することができる。As shown by the curve 85 in the graph of FIG. 5, when the second intermediate layer having a thickness of 0.5 μm was formed at the open end of the guide bush, the second intermediate layer formed by the method shown in FIG.
The intermediate layer has almost no change in film thickness even at a position 30 mm from the opening end to the back side of the opening.
The second intermediate layer made of a silicon film can be formed with a uniform thickness over the entire area of the opening.
【０１０４】このように本発明の第２の中間層の形成方
法においては、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入す
る補助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。
このため同電位どうしが対向している開口内面に、接地
電位に接続する補助電極７１を設けることになり、異常
放電であるホロー放電の発生はなく、第１の中間層に対
する第２の中間層の密着性が向上する。さらにガイドブ
ッシュ１１の長手方向の開口内面で、その電位特性が均
一になり、内周面に形成する第２の中間層の膜厚分布の
発生がなく、開口端面と開口奥側とのガイドブッシュ１
１の開口全域にわたって均一な膜厚で形成することがで
きる。As described above, in the second method of forming the intermediate layer according to the present invention, the film forming process is performed by arranging the auxiliary electrode 71 inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11.
For this reason, the auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other, so that the hollow discharge which is an abnormal discharge does not occur, and the second intermediate layer with respect to the first intermediate layer. Adhesion is improved. Further, the potential characteristics become uniform on the inner surface of the opening in the longitudinal direction of the guide bush 11, the thickness distribution of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface is not generated, and the guide bush between the opening end face and the back side of the opening is formed. 1
One opening can be formed with a uniform film thickness.
【０１０５】そのうえ前述のように、第２の中間層の下
層に形成する第１の中間層も、ガイドブッシュ１１の開
口端面と開口奥側とで均一な膜厚で形成している。この
ため第２の中間層の剥離は発生しない。このような理由
によって本発明の第１の中間層と第２の中間層との形成
方法においては、ガイドブッシュ１１に対する密着性が
良好となる。Further, as described above, the first intermediate layer formed below the second intermediate layer is also formed with a uniform film thickness on the opening end face of the guide bush 11 and on the back side of the opening. For this reason, peeling of the second intermediate layer does not occur. For these reasons, in the method for forming the first intermediate layer and the second intermediate layer of the present invention, the adhesion to the guide bush 11 is improved.
【０１０６】この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０１０７】〔第２の中間層の形成方法：図３〕つぎに
以上の説明と異なる本発明の実施形態における第２の中
間層の形成方法を、図３を用いて説明する。図３は本発
明の実施形態における被膜形成方法における第１の中間
層上面に形成する第２の中間層の形成方法を示す断面図
である。[Method of Forming Second Intermediate Layer: FIG. 3] Next, a method of forming a second intermediate layer according to an embodiment of the present invention, which is different from the above description, will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method for forming a second intermediate layer formed on the upper surface of the first intermediate layer in the method for forming a film according to the embodiment of the present invention.
【０１０８】図３に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、内周面に第１の中間
層を形成してあり、そして第１の中間層上面に第２の中
間層を形成するガイドブッシュ１１を配置する。そし
て、このガイドブッシュ１１の開口内には、接地電位に
接続する補助電極７１を挿入するように設ける。このと
き補助電極７１は、ガイドブッシュ１１の開口中央部に
なるように配置する。As shown in FIG. 3, in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65, a first intermediate layer is formed on the inner peripheral surface, and a first intermediate layer is formed on the upper surface of the first intermediate layer. The guide bush 11 forming the second intermediate layer is arranged. An auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided in the opening of the guide bush 11. At this time, the auxiliary electrode 71 is arranged so as to be at the center of the opening of the guide bush 11.
【０１０９】そして排気口６５から真空槽６１内を図示
しない排気手段により、その真空度が３×１０-5ｔｏｒ
ｒになるように真空排気する。その後、ガス導入口６３
からシリコンを含むガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4 ）
を真空槽６１内に導入し、真空度を０．１ｔｏｒｒにな
るように調整する。そしてガイドブッシュ１１には、マ
ッチング回路６７を介して１３．５６ＭＨｚの発振周波
数を有する高周波電源２１から高周波電力を４００Ｗ印
加する。Then, the inside of the vacuum chamber 61 is exhausted from the exhaust port 65 to a degree of vacuum of 3 × 10 −5 torr by an exhaust means (not shown).
Evacuate to r. Then, the gas inlet 63
Monosilane (SiH4) as a gas containing silicon from
Is introduced into the vacuum chamber 61, and the degree of vacuum is adjusted to 0.1 torr. Then, 400 W of high frequency power is applied to the guide bush 11 from the high frequency power supply 21 having an oscillation frequency of 13.56 MHz via the matching circuit 67.
【０１１０】さらにガイドブッシュ１１の内周面で、し
かも開口中央部には、接地電圧を接続する補助電極７１
を挿入するように配置して、プラズマを発生させる。こ
のようにして第２の中間層として、膜厚が０．５μｍの
シリコン膜をチタン膜上に形成する。Further, an auxiliary electrode 71 for connecting a ground voltage is provided on the inner peripheral surface of the guide bush 11 and at the center of the opening.
To generate a plasma. Thus, a silicon film having a thickness of 0.5 μm is formed on the titanium film as the second intermediate layer.
【０１１１】この図３に示す本発明の第２の中間層の形
成方法によって形成する第２の中間層の膜厚分布を図５
のグラフを用いて説明する。図５のグラフは、横軸はガ
イドブッシュの開口端からの距離を示し、縦軸はガイド
ブッシュの内周面に形成する第２の中間層の膜厚を示
す。そして曲線８５が、図３に示す本発明の第２の中間
層の形成方法によって形成したときの膜厚分布を示す。
図５のグラフの曲線８５に示すように、ガイドブッシュ
開口端に０．５μｍの膜厚の第２の中間層を形成したと
き、図３に示す方法によって形成した第２の中間層は、
開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位置でも膜厚の
変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１の開口全域に
わたって均一な膜厚でシリコン膜からなる第２の中間層
を形成することができる。FIG. 5 shows the film thickness distribution of the second intermediate layer formed by the method for forming the second intermediate layer of the present invention shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. In the graph of FIG. 5, the horizontal axis represents the distance from the opening end of the guide bush, and the vertical axis represents the thickness of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface of the guide bush. A curve 85 shows a film thickness distribution when the film is formed by the second method for forming an intermediate layer of the present invention shown in FIG.
As shown by the curve 85 in the graph of FIG. 5, when the second intermediate layer having a thickness of 0.5 μm is formed at the opening end of the guide bush, the second intermediate layer formed by the method shown in FIG.
There is almost no change in the film thickness even at a position 30 mm from the opening end to the back side of the opening, and the second intermediate layer made of a silicon film can be formed with a uniform film thickness over the entire opening of the guide bush 11.
【０１１２】この図３に示す第２の中間層の被膜形成方
法においては、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入す
るように配置し、接地電圧に接続する補助電極７１によ
り、ガイドブッシュ１１の外周部だけでなく、ガイドブ
ッシュ１１開口内面にもプラズマを形成することができ
る。In the method for forming the second intermediate layer film shown in FIG. 3, the outer peripheral portion of the guide bush 11 is arranged so as to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11 and is connected to the ground voltage by the auxiliary electrode 71. In addition, plasma can be formed also on the inner surface of the guide bush 11 opening.
【０１１３】このように本発明の第２の中間層の形成方
法においては、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入す
る補助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。
このため同電位どうしが対向している開口内面に、接地
電位に接続する補助電極を設けることになり、異常放電
であるホロー放電の発生はなく、第１の中間層にたいす
る第２の中間層の密着性が向上する。As described above, in the second method of forming the intermediate layer according to the present invention, the film forming process is performed by arranging the auxiliary electrode 71 inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11.
For this reason, an auxiliary electrode connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other, and there is no occurrence of a hollow discharge which is an abnormal discharge, and the second intermediate layer has the same structure as the first intermediate layer. The adhesion is improved.
【０１１４】さらにガイドブッシュ１１の長手方向の内
周面で、その電位特性が均一になって、内周面に形成す
る第２の中間層の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開
口奥側とのガイドブッシュ１１の開口全域にわたって均
一な膜厚を形成することができる。そのうえ前述のよう
に、第２の中間層の下層に形成する第１の中間層も、ガ
イドブッシュ１１の開口端面と開口奥側とで均一な膜厚
を形成することができる。このため第２の中間層の剥離
は発生しない。このような理由によって本発明の第１の
中間層と第２の中間層との形成方法においては、ガイド
ブッシュ１１に対する第１の中間層と第２の中間層の密
着性が良好となる。Further, the potential characteristics are uniform on the inner circumferential surface of the guide bush 11 in the longitudinal direction, and the thickness distribution of the second intermediate layer formed on the inner circumferential surface does not occur. A uniform film thickness can be formed over the entire opening of the guide bush 11 with the side. In addition, as described above, the first intermediate layer formed below the second intermediate layer can also have a uniform film thickness between the opening end surface of the guide bush 11 and the back side of the opening. For this reason, peeling of the second intermediate layer does not occur. For this reason, in the method for forming the first intermediate layer and the second intermediate layer of the present invention, the adhesion between the first intermediate layer and the second intermediate layer with respect to the guide bush 11 is improved.
【０１１５】なお補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０１１６】〔第２の中間層の形成方法：図４〕つぎに
以上の説明と異なる本発明の実施形態における第２の中
間層の形成方法を、図４を用いて説明する。図４は本発
明の実施形態における被膜形成方法における第１の中間
層上面に形成する第２の中間層の形成方法を示す断面図
である。[Method of Forming Second Intermediate Layer: FIG. 4] Next, a method of forming a second intermediate layer according to an embodiment of the present invention which is different from the above description will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a method for forming a second intermediate layer formed on the upper surface of the first intermediate layer in the method for forming a film according to the embodiment of the present invention.
【０１１７】図４に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、内周面に第１の中間
層を形成してあり、この第１の中間層の上面に第２の中
間層を形成するガイドブッシュ１１を配置する。そして
このガイドブッシュ１１の開口内面には、接地電位に接
続する補助電極７１を挿入するように設ける。このとき
補助電極７１がガイドブッシュ１１の開口中央部になる
ように配置する。As shown in FIG. 4, in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65, a first intermediate layer is formed on the inner peripheral surface. , A guide bush 11 forming the second intermediate layer is disposed. An auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening of the guide bush 11. At this time, the auxiliary electrode 71 is arranged so as to be located at the center of the opening of the guide bush 11.
【０１１８】そして真空槽６１内を真空度が３×１０-5
ｔｏｒｒになるように排気口６５から、図示しない排気
手段によって真空排気する。その後、ガス導入口６３か
らシリコンを含むガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4 ）を
真空槽６１内に導入して、この真空槽６１内の真空度が
０．１ｔｏｒｒになるように制御する。そして、ガイド
ブッシュ１１には直流電源７３から直流電圧を印加す
る。このときガイドブッシュ１１には直流電源７３から
マイナス６００Ｖを印加する。The degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is 3 × 10 −5.
Vacuum is exhausted from the exhaust port 65 by an exhaust means (not shown) so that the pressure becomes torr. Thereafter, monosilane (SiH4) as a gas containing silicon is introduced into the vacuum chamber 61 through the gas inlet 63, and the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is controlled to be 0.1 torr. Then, a DC voltage is applied to the guide bush 11 from a DC power supply 73. At this time, −600 V is applied to the guide bush 11 from the DC power supply 73.
【０１１９】そしてガイドブッシュ１１には直流電源７
３から直流電圧を印加する。このときガイドブッシュ１
１には直流電源７３からマイナス６００Ｖを印加する。
このようにして第２の中間層として、厚さが０．５μｍ
のシリコン膜をチタン膜上に形成する。The guide bush 11 has a DC power source 7.
From step 3, a DC voltage is applied. At this time, guide bush 1
1 is applied with −600 V from the DC power supply 73.
Thus, the thickness of the second intermediate layer is 0.5 μm
Is formed on the titanium film.
【０１２０】この図４に示す本発明の第２の中間層の形
成方法によって形成する第２の中間層の膜厚分布を図５
のグラフを用いて説明する。図５のグラフは、横軸はガ
イドブッシュの開口端からの距離を示し、縦軸はガイド
ブッシュの内周面に形成する第２の中間層の膜厚を示
す。そして曲線８５が、図４に示す本発明の第２の中間
層の形成方法によって形成したときの膜厚分布を示す。FIG. 5 shows the film thickness distribution of the second intermediate layer formed by the method for forming the second intermediate layer of the present invention shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. In the graph of FIG. 5, the horizontal axis represents the distance from the opening end of the guide bush, and the vertical axis represents the thickness of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface of the guide bush. A curve 85 shows a film thickness distribution when the film is formed by the second method for forming an intermediate layer according to the present invention shown in FIG.
【０１２１】図５のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の第２の中間層
を形成したとき、図４に示す方法によって形成した第２
の中間層は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１
の開口全域にわたって均一な膜厚でシリコン膜からなる
第２の中間層を形成することができる。As shown by the curve 85 in the graph of FIG. 5, when the second intermediate layer having a thickness of 0.5 μm was formed at the open end of the guide bush, the second intermediate layer formed by the method shown in FIG.
The intermediate layer has almost no change in film thickness even at a position 30 mm from the opening end to the back side of the opening.
The second intermediate layer made of a silicon film can be formed with a uniform thickness over the entire area of the opening.
【０１２２】この図４に示す第２の中間層の被膜形成方
法においては、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入す
るように配置し、接地電圧に接続する補助電極７１によ
り、ガイドブッシュ１１の外周部だけでなく、ガイドブ
ッシュ１１内周面にもプラズマを形成することができ
る。In the method for forming the second intermediate layer film shown in FIG. 4, the outer peripheral portion of the guide bush 11 In addition, plasma can be formed on the inner peripheral surface of the guide bush 11 as well.
【０１２３】このように本発明の第２の中間層の形成方
法においては、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入す
る補助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。
このため同電位どうしが対向している開口内面に、接地
電位に接続する補助電極を設けることになり、異常放電
であるホロー放電の発生はなく、第１の中間層に対する
第２の中間層の密着性が向上する。As described above, in the second method of forming the intermediate layer according to the present invention, the film forming process is performed by arranging the auxiliary electrode 71 to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11.
For this reason, an auxiliary electrode connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other. The adhesion is improved.
【０１２４】さらに、ガイドブッシュ１１の長手方向の
内周面で、その電位特性が均一になり、内周面に形成す
る第２の中間層の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開
口奥側とで均一な膜厚を形成することができる。そのう
え第２の中間層の下層に形成する第１の中間層も、前述
のようにガイドブッシュ１１の開口端面と開口奥側とで
均一な膜厚を形成することができる。このため第２の中
間層の剥離は発生しない。このような理由により本発明
の第１の中間層と第２の中間層との形成方法において
は、ガイドブッシュ１１に対する密着性が良好となる。Further, the potential characteristics are uniform on the inner circumferential surface of the guide bush 11 in the longitudinal direction, and the thickness distribution of the second intermediate layer formed on the inner circumferential surface does not occur. A uniform film thickness can be formed on the sides. In addition, the first intermediate layer formed below the second intermediate layer can also have a uniform film thickness at the opening end face of the guide bush 11 and at the back of the opening as described above. For this reason, peeling of the second intermediate layer does not occur. For this reason, in the method for forming the first intermediate layer and the second intermediate layer of the present invention, the adhesion to the guide bush 11 is improved.
【０１２５】この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０１２６】〔硬質カーボン膜の形成方法：図２、図３
および図４〕その後、第２の中間層を形成したガイドブ
ッシュ１１に硬質カーボン膜を形成する。そしてこの硬
質カーボン膜の形成方法としては３つの手段があり、そ
れぞれ図２と図３と図４とを用いて説明する。はじめに
図２を用いて硬質カーボン膜の形成方法を説明する。図
２は本発明の実施形態における被膜形成方法における第
１の中間層と第２の中間層の上面に形成する硬質カーボ
ン膜の形成方法を示す断面図である。[Method of forming hard carbon film: FIGS. 2 and 3
And FIG. 4] Thereafter, a hard carbon film is formed on the guide bush 11 on which the second intermediate layer is formed. There are three methods for forming the hard carbon film, which will be described with reference to FIGS. 2, 3, and 4, respectively. First, a method for forming a hard carbon film will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method for forming a hard carbon film formed on the upper surfaces of the first intermediate layer and the second intermediate layer in the method for forming a film according to the embodiment of the present invention.
【０１２７】〔硬質カーボン膜の形成方法：図２〕図２
に示すように、ガス導入口６３と排気口６５とを有する
真空槽６１内に、硬質カーボン膜を形成するガイドブッ
シュ１１を配置する。そしてこのガイドブッシュ１１の
開口内面には、接地電位に接続する補助電極７１を挿入
するように設ける。このとき補助電極７１がガイドブッ
シュ１１の開口中央部になるように配置する。[Method of forming hard carbon film: FIG. 2] FIG.
As shown in the figure, a guide bush 11 for forming a hard carbon film is disposed in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65. An auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening of the guide bush 11. At this time, the auxiliary electrode 71 is arranged so as to be located at the center of the opening of the guide bush 11.
【０１２８】そして真空槽６１内を真空度が３×１０-5
ｔｏｒｒになるように排気口６５から、図示しない排気
手段により真空排気する。その後、ガス導入口６３から
炭素を含むガスとしてベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）を真空槽６
１内に導入して、真空槽６１内の圧力を５×１０-3ｔｏ
ｒｒになるように制御する。Then, the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is set to 3 × 10 −5.
Vacuum is exhausted from the exhaust port 65 by an exhaust means (not shown) so that the pressure becomes torr. Thereafter, benzene (C6 H6) as a gas containing carbon is supplied from the gas inlet port 63 to the vacuum chamber 6.
1 and the pressure in the vacuum chamber 61 is increased to 5 × 10 −3 to
rr.
【０１２９】そしてアノード７９にはアノード電源７５
から直流電圧を印加し、さらにフィラメント８１にはフ
ィラメント電源７７から交流電圧を印加する。このとき
アノード電源７５からアノード７９に印加する直流電圧
はプラス１０Ｖを印加する。さらにまたフィラメント電
源７７からフィラメント８１に印加する電圧は３０Ａの
電流が流れるように１０Ｖの交流電圧を印加する。The anode 79 has an anode power supply 75.
, And an AC voltage is applied to the filament 81 from the filament power supply 77. At this time, the direct current voltage applied from the anode power supply 75 to the anode 79 is plus 10 V. Further, the voltage applied from the filament power supply 77 to the filament 81 is an AC voltage of 10 V so that a current of 30 A flows.
【０１３０】そしてガイドブッシュ１１には直流電源７
３から直流電圧を印加する。このときガイドブッシュ１
１には直流電源７３からマイナス３ｋＶを印加する。そ
して真空槽６１内に配置するガイドブッシュ１１の周囲
領域にプラズマを発生させ、ガイドブッシュ１１に硬質
カーボン膜を形成している。この硬質カーボン膜の形成
膜厚は１μｍから５μｍとする。The guide bush 11 has a DC power supply 7
From step 3, a DC voltage is applied. At this time, guide bush 1
1 is applied with −3 kV from the DC power supply 73. Then, a plasma is generated in a region around the guide bush 11 arranged in the vacuum chamber 61, and a hard carbon film is formed on the guide bush 11. The formed film thickness of this hard carbon film is 1 μm to 5 μm.
【０１３１】この図２に示す硬質カーボン膜の被膜形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入するよ
うに配置し、接地電圧に接続する補助電極７１により、
ガイドブッシュ１１の外周部だけでなく、ガイドブッシ
ュ１１内周面にもプラズマを形成することができる。In the method for forming a hard carbon film shown in FIG. 2, the auxiliary bush 71 is disposed so as to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11 and connected to the ground voltage.
Plasma can be formed not only on the outer peripheral portion of the guide bush 11 but also on the inner peripheral surface of the guide bush 11.
【０１３２】このように本発明の硬質カーボン膜の形成
方法においては、ガイドブッシュ１１の内周面に挿入す
る補助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。
このため同電位どうしが対向している開口内面に、接地
電位に接続する補助電極７１を設けることになり、異常
放電であるホロー放電の発生はなく、硬質カーボン膜の
密着性が向上する。As described above, in the method of forming a hard carbon film according to the present invention, the film forming process is performed by arranging the auxiliary electrode 71 inserted on the inner peripheral surface of the guide bush 11.
For this reason, the auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other, so that the hollow discharge which is an abnormal discharge does not occur, and the adhesion of the hard carbon film is improved.
【０１３３】さらにガイドブッシュ１１の長手方向の開
口内面で、その電位特性が均一になり、内周面に形成す
る硬質カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と
開口奥側とのガイドブッシュ１１の開口全域にわたって
均一な膜厚で形成することができる。そのうえ前述のよ
うに硬質カーボン膜の下層に形成する第１の中間層と第
２の中間層も、ガイドブッシュ１１の開口端面と開口奥
側とで均一な膜厚で形成することができる。このために
ストレスに起因する硬質カーボン膜の剥離は発生しな
い。このような理由により本発明の第１の中間層と第２
の中間層と硬質カーボン膜との形成方法においては、ガ
イドブッシュ１１に対する硬質カーボン膜の密着性が良
好となる。Further, the electric potential characteristic becomes uniform on the inner surface of the opening of the guide bush 11 in the longitudinal direction, the thickness distribution of the hard carbon film formed on the inner peripheral surface does not occur, and the guide between the opening end surface and the back side of the opening is formed. The bush 11 can be formed with a uniform film thickness over the entire opening. In addition, as described above, the first intermediate layer and the second intermediate layer formed below the hard carbon film can also be formed with a uniform thickness on the open end face of the guide bush 11 and on the back side. Therefore, peeling of the hard carbon film due to stress does not occur. For this reason, the first intermediate layer and the second
In the method of forming the intermediate layer and the hard carbon film, the adhesion of the hard carbon film to the guide bush 11 is improved.
【０１３４】この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０１３５】〔硬質カーボン膜の形成方法：図３〕つぎ
に以上の説明と異なる本発明の実施形態における硬質カ
ーボン膜の形成方法を、図３を用いて説明する。図３は
本発明の実施形態における被膜形成方法における第２の
中間層上面に形成する硬質カーボン膜の形成方法を示す
断面図である。[Method of Forming Hard Carbon Film: FIG. 3] Next, a method of forming a hard carbon film according to an embodiment of the present invention, which is different from the above description, will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method for forming a hard carbon film formed on the upper surface of the second intermediate layer in the film forming method according to the embodiment of the present invention.
【０１３６】図３に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、内周面に第１の中間
層と第２の中間層を形成してあり、そして第２の中間層
上面に硬質カーボン膜を形成するガイドブッシュ１１を
配置する。As shown in FIG. 3, a first intermediate layer and a second intermediate layer are formed on the inner peripheral surface in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65. A guide bush 11 for forming a hard carbon film is disposed on the upper surface of the intermediate layer 2.
【０１３７】そしてこのガイドブッシュ１１の開口内に
は、接地電位に接続する補助電極７１を挿入するように
設ける。このとき補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口中央部になるように配置する。そして排気口６５
から真空槽６１内を図示しない排気手段により、その真
空度が３×１０-5ｔｏｒｒになるように真空排気する。In the opening of the guide bush 11, an auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided so as to be inserted. At this time, the auxiliary electrode 71 is
Is arranged at the center of the opening. And the exhaust port 65
Then, the inside of the vacuum chamber 61 is evacuated by an exhaust means (not shown) so that the degree of vacuum becomes 3 × 10 −5 torr.
【０１３８】その後、ガス導入口６３から炭素を含むガ
スとしてメタン（ＣＨ4 ）を真空槽６１内に導入して、
真空度を０．１ｔｏｒｒになるように調整する。そして
ガイドブッシュ１１には、マッチング回路６７を介して
１３．５６ＭＨｚの発振周波数を有する高周波電源２１
から高周波電力を４００Ｗ印加する。Thereafter, methane (CH4) as a gas containing carbon was introduced into the vacuum chamber 61 from the gas inlet 63,
Adjust the degree of vacuum to 0.1 torr. A high-frequency power supply 21 having an oscillation frequency of 13.56 MHz is provided to the guide bush 11 via a matching circuit 67.
, 400 W of high frequency power is applied.
【０１３９】さらにガイドブッシュ１１の開口内面で、
しかも開口中央部には、接地電圧を接続する補助電極７
１を挿入するように配置して、プラズマを発生させる。
このようにして第２の中間層上に１μｍから５μｍの膜
厚の硬質カーボン膜を形成する。Further, on the inner surface of the opening of the guide bush 11,
In addition, an auxiliary electrode 7 for connecting a ground voltage is provided at the center of the opening.
1 is inserted to generate plasma.
Thus, a hard carbon film having a thickness of 1 μm to 5 μm is formed on the second intermediate layer.
【０１４０】この図３に示す硬質カーボン膜の被膜形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入するよ
うに配置し、接地電圧に接続する補助電極７１により、
ガイドブッシュ１１の外周部だけでなく、ガイドブッシ
ュ１１内周面にもプラズマを形成することができる。In the method for forming a hard carbon film shown in FIG. 3, the auxiliary electrode 71 is arranged so as to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11 and connected to the ground voltage.
Plasma can be formed not only on the outer peripheral portion of the guide bush 11 but also on the inner peripheral surface of the guide bush 11.
【０１４１】このように本発明の硬質カーボン膜の形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入する補
助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。この
ため同電位どうしが対向している内周面に、接地電位に
接続する補助電極を設けることになり、異常放電である
ホロー放電の発生はなく、硬質カーボン膜の密着性が向
上する。As described above, in the method for forming a hard carbon film according to the present invention, the film forming process is performed by arranging the auxiliary electrode 71 to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11. For this reason, an auxiliary electrode connected to the ground potential is provided on the inner peripheral surface where the same potentials are opposed to each other, so that the hollow discharge which is an abnormal discharge does not occur, and the adhesion of the hard carbon film is improved.
【０１４２】さらにガイドブッシュ１１の長手方向の開
口内面で、その電位特性が均一になり、内周面に形成す
る硬質カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と
開口奥側とのガイドブッシュ１１の開口全域にわたって
均一な膜厚を形成することができる。Further, the electric potential characteristics are uniform on the inner surface of the opening in the longitudinal direction of the guide bush 11, the thickness distribution of the hard carbon film formed on the inner peripheral surface does not occur, and the guide between the opening end surface and the back side of the opening is formed. A uniform film thickness can be formed over the entire opening of the bush 11.
【０１４３】そのうえ前述のように硬質カーボン膜の下
層に形成する第１の中間層と第２の中間層も、ガイドブ
ッシュ１１の開口端面と開口奥側とで均一な膜厚を形成
することができる。このためストレスに起因する硬質カ
ーボン膜の剥離は発生しない。このような理由によって
本発明の第１の中間層と第２の中間層と硬質カーボン膜
との形成方法においては、ガイドブッシュ１１に対する
硬質カーボン膜の密着性が良好となる。In addition, as described above, the first intermediate layer and the second intermediate layer formed below the hard carbon film can also be formed to have a uniform thickness on the open end face of the guide bush 11 and on the back side. it can. Therefore, peeling of the hard carbon film due to stress does not occur. For these reasons, in the method of forming the first intermediate layer, the second intermediate layer, and the hard carbon film of the present invention, the adhesion of the hard carbon film to the guide bush 11 is improved.
【０１４４】なお補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０１４５】〔硬質カーボン膜の形成方法：図４〕つぎ
に以上の説明と異なる本発明の実施形態における硬質カ
ーボン膜の形成方法を、図４を用いて説明する。図４は
本発明の実施形態における被膜形成方法における第１の
中間層上面に形成する硬質カーボン膜の形成方法を示す
断面図である。[Method of Forming Hard Carbon Film: FIG. 4] Next, a method of forming a hard carbon film according to an embodiment of the present invention which is different from the above description will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a method for forming a hard carbon film formed on the upper surface of the first intermediate layer in the method for forming a film according to the embodiment of the present invention.
【０１４６】図４に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、内周面に第１の中間
層と第２の中間層を形成してあり、この第２の中間層の
上面に硬質カーボン膜を形成するガイドブッシュ１１を
配置する。そしてこのガイドブッシュ１１の開口内面に
は、接地電位に接続する補助電極７１を挿入するように
設ける。このとき補助電極７１がガイドブッシュ１１の
開口中央部になるように配置する。As shown in FIG. 4, a first intermediate layer and a second intermediate layer are formed on the inner peripheral surface in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65. A guide bush 11 for forming a hard carbon film is disposed on the upper surface of the second intermediate layer. An auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening of the guide bush 11. At this time, the auxiliary electrode 71 is arranged so as to be located at the center of the opening of the guide bush 11.
【０１４７】そして真空槽６１内を真空度が３×１０-5
ｔｏｒｒになるように排気口６５から、図示しない排気
手段によって真空排気する。その後、ガス導入口６３か
ら炭素を含むガスとしてメタン（ＣＨ4 ）を真空槽６１
内に導入して、真空槽６１内の真空度が０．１ｔｏｒｒ
になるように制御する。そしてガイドブッシュ１１には
直流電源７３から直流電圧を印加する。このときガイド
ブッシュ１１には直流電源７３からマイナス６００Ｖを
印加する。このようにして膜厚が１μｍから５μｍの硬
質カーボン膜を第２の中間層上に形成する。The degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is 3 × 10 −5.
Vacuum is exhausted from the exhaust port 65 by an exhaust means (not shown) so that the pressure becomes torr. Thereafter, methane (CH4) as a gas containing carbon is supplied from the gas inlet 63 to the vacuum chamber 61.
And the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is 0.1 torr.
Control so that Then, a DC voltage is applied to the guide bush 11 from a DC power supply 73. At this time, −600 V is applied to the guide bush 11 from the DC power supply 73. Thus, a hard carbon film having a thickness of 1 μm to 5 μm is formed on the second intermediate layer.
【０１４８】この図４に示す硬質カーボン膜の被膜形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入するよ
うに配置し、接地電圧に接続する補助電極７１により、
ガイドブッシュ１１の外周部だけでなく、ガイドブッシ
ュ１１開口内面にもプラズマを形成することができる。In the method of forming a hard carbon film shown in FIG. 4, the auxiliary bushing 71 is disposed so as to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11 and connected to the ground voltage.
Plasma can be formed not only on the outer peripheral portion of the guide bush 11 but also on the inner surface of the guide bush 11 opening.
【０１４９】このように本発明の硬質カーボン膜の形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入する補
助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。この
ため同電位どうしが対向している開口内面に、接地電位
に接続する補助電極を設けることになり、異常放電であ
るホロー放電の発生はなく、硬質カーボン膜の密着性が
向上する。As described above, in the method for forming a hard carbon film according to the present invention, the film forming process is performed by arranging the auxiliary electrode 71 inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11. Therefore, an auxiliary electrode connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other, so that the hollow discharge which is an abnormal discharge does not occur, and the adhesion of the hard carbon film is improved.
【０１５０】さらにガイドブッシュ１１の長手方向の開
口内面で、その電位特性が均一になり、内周面に形成す
る硬質カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と
開口奥側とで均一な膜厚を形成することができる。その
うえ、硬質カーボン膜の下層に形成する第１の中間層と
第２の中間層も、前述のようにガイドブッシュ１１の開
口端面と開口奥側とで均一な膜厚を形成することができ
る。このためストレスに起因する硬質カーボン膜の剥離
は発生しない。このような理由によって本発明の第１の
中間層と第２の中間層と硬質カーボン膜との形成方法に
おいては、ガイドブッシュ１１に対する硬質カーボン膜
の密着性が良好となる。Further, the potential characteristics are uniform on the inner surface of the opening in the longitudinal direction of the guide bush 11, and there is no thickness distribution of the hard carbon film formed on the inner peripheral surface. A large film thickness can be formed. In addition, the first intermediate layer and the second intermediate layer formed below the hard carbon film can also have a uniform thickness on the opening end face of the guide bush 11 and on the back side of the opening as described above. Therefore, peeling of the hard carbon film due to stress does not occur. For these reasons, in the method of forming the first intermediate layer, the second intermediate layer, and the hard carbon film of the present invention, the adhesion of the hard carbon film to the guide bush 11 is improved.
【０１５１】この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０１５２】〔第１の中間層の形成方法：図６〕つぎに
以上の説明と異なる実施形態におけるガイドブッシュ内
周面への第１の中間層の形成方法を、図６を用いて説明
する。図６は本発明の被膜形成方法における第１の中間
層の形成方法を示す断面図である。この図６を用いて説
明する実施形態においては、抵抗加熱蒸着法によって、
第１の中間層を形成する場合である。[Method of Forming First Intermediate Layer: FIG. 6] Next, a method of forming the first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush in an embodiment different from that described above will be described with reference to FIG. . FIG. 6 is a cross-sectional view showing a method for forming the first intermediate layer in the film forming method of the present invention. In the embodiment described with reference to FIG. 6, the resistance heating evaporation method is used.
This is the case where the first intermediate layer is formed.
【０１５３】図６に示すように、排気口６５を備える真
空槽６１内に開口を有するガイドブッシュ１１を配置す
る。このガイドブッシュ１１は接地電位に接続する。そ
してこのガイドブッシュ１１の開口内に、第１の中間層
として形成するチタン材料からなる補助電極７１を挿入
するように配置する。この補助電極７１の両端には交流
電圧を印加するための補助電極電源８３ｂを接続する。As shown in FIG. 6, a guide bush 11 having an opening is arranged in a vacuum chamber 61 having an exhaust port 65. This guide bush 11 is connected to the ground potential. Then, an auxiliary electrode 71 made of a titanium material to be formed as a first intermediate layer is arranged to be inserted into the opening of the guide bush 11. An auxiliary electrode power supply 83b for applying an AC voltage is connected to both ends of the auxiliary electrode 71.
【０１５４】そして図示しない排気手段によって、真空
槽６１内を３×１０-5ｔｏｒｒの真空度になるように真
空排気する。さらに補助電極電源８３ｂから交流電圧
を、電流が２Ａ流れるように補助電極７１に印加する。
するとガイドブッシュ１１の開口内に配置する補助電極
７１表面は溶融して、真空槽６１内の真空度が高いた
め、チタン分子が蒸発する。このようにしてガイドブッ
シュ１１の内周面に抵抗加熱蒸着法により、チタン材料
からなる第１の中間層を形成することができる。Then, the inside of the vacuum chamber 61 is evacuated to a degree of vacuum of 3 × 10 −5 torr by an evacuation unit (not shown). Further, an AC voltage is applied from the auxiliary electrode power supply 83b to the auxiliary electrode 71 so that a current of 2 A flows.
Then, the surface of the auxiliary electrode 71 disposed in the opening of the guide bush 11 is melted, and the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is high, so that titanium molecules evaporate. In this manner, the first intermediate layer made of the titanium material can be formed on the inner peripheral surface of the guide bush 11 by the resistance heating evaporation method.
【０１５５】補助電極７１への交流電圧の印加を時間３
０分間行い、ガイドブッシュ１１の内周面に０．５μｍ
の厚さのチタン膜からなる第１の中間層を形成する。な
おここでガイドブッシュ１１の開口内径の大きさは１０
ｍｍであり、チタンからなる補助電極７１の直径は２ｍ
ｍのものを使用している。なお補助電極７１の断面形状
は円形状だけでなく、多角形状としてもよい。The application of the AC voltage to the auxiliary electrode 71 is performed for the time 3
Perform for 0 minutes, and apply 0.5 μm
A first intermediate layer made of a titanium film having a thickness of 5 nm is formed. Here, the size of the inner diameter of the opening of the guide bush 11 is 10
mm, and the diameter of the auxiliary electrode 71 made of titanium is 2 m.
m. The sectional shape of the auxiliary electrode 71 is not limited to a circular shape but may be a polygonal shape.
【０１５６】このように本発明の実施形態における第１
の中間層の形成方法では、ガイドブッシュ１１の開口内
に第１の中間層材料からなる補助電極７１を配置して、
この補助電極７１表面を溶融させる抵抗加熱蒸着法によ
り、ガイドブッシュ内周面に第１の中間層を形成してい
る。補助電極７１表面の溶融状態は、ガイドブッシュ１
１の長手方向で均一であるため、ガイドブッシュ１１の
内周面に均一な膜厚で第１の中間層を形成することがで
きる。Thus, the first embodiment of the present invention
In the method of forming an intermediate layer, the auxiliary electrode 71 made of the first intermediate layer material is arranged in the opening of the guide bush 11,
The first intermediate layer is formed on the inner peripheral surface of the guide bush by the resistance heating vapor deposition method for melting the surface of the auxiliary electrode 71. The molten state of the surface of the auxiliary electrode 71 is determined by the guide bush 1
1, the first intermediate layer can be formed on the inner peripheral surface of the guide bush 11 with a uniform thickness.
【０１５７】この図６に示す抵抗加熱蒸着法を適用する
本発明の第１の中間層の形成方法によって形成する第１
の中間層の膜厚分布を図５のグラフを用いて説明する。
図５のグラフにおいては、横軸はガイドブッシュの開口
端からの距離を示し、縦軸はガイドブッシュの内周面に
形成する第１の中間層の膜厚を示す。そして曲線８５
が、図６に示す本発明の第１の中間層の形成方法によっ
て形成したときの膜厚分布を示す。The first intermediate layer formed by the first method of forming an intermediate layer according to the present invention employing the resistance heating evaporation method shown in FIG.
The thickness distribution of the intermediate layer will be described with reference to the graph of FIG.
In the graph of FIG. 5, the horizontal axis represents the distance from the opening end of the guide bush, and the vertical axis represents the thickness of the first intermediate layer formed on the inner peripheral surface of the guide bush. And curve 85
Shows a film thickness distribution when formed by the method for forming the first intermediate layer of the present invention shown in FIG.
【０１５８】図５のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の第１の中間層
を形成したとき、図６に示す方法によって形成した第１
の中間層は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１
の開口全域にわたって均一な膜厚でチタン膜からなる第
１の中間層を形成することができる。As shown by the curve 85 in the graph of FIG. 5, when the first intermediate layer having a thickness of 0.5 μm was formed at the opening end of the guide bush, the first intermediate layer formed by the method shown in FIG.
The intermediate layer has almost no change in film thickness even at a position 30 mm from the opening end to the back side of the opening.
The first intermediate layer made of a titanium film can be formed with a uniform thickness over the entire area of the opening.
【０１５９】なおこの図６を用いて説明した第１の中間
層の形成方法において、図示しないガス導入口から真空
槽６１内にアルゴンガスを導入して、プラズマを発生さ
せるイオンプレーティング法によっても、チタンからな
る第１の中間層を形成することができる。In the method of forming the first intermediate layer described with reference to FIG. 6, an ion plating method in which an argon gas is introduced into a vacuum chamber 61 from a gas inlet (not shown) to generate plasma. , A first intermediate layer made of titanium can be formed.
【０１６０】〔第２の中間層の形成方法：図２、図３お
よび図４〕その後、第１の中間層を形成したガイドブッ
シュ１１に第２の中間層を形成する。そしてこの第２の
中間層の形成方法としては３つの手段があり、それぞれ
図２と図３と図４とを用いて説明する。はじめに図２を
用いて第２の中間層の形成方法を説明する。図２は本発
明の実施形態における被膜形成方法における第１の中間
層上面に形成する第２の中間層の形成方法を示す断面図
である。[Method of Forming Second Intermediate Layer: FIGS. 2, 3 and 4] Thereafter, a second intermediate layer is formed on the guide bush 11 on which the first intermediate layer has been formed. There are three methods for forming the second intermediate layer, which will be described with reference to FIGS. 2, 3, and 4, respectively. First, a method for forming the second intermediate layer will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method for forming a second intermediate layer formed on the upper surface of the first intermediate layer in the method for forming a film according to the embodiment of the present invention.
【０１６１】〔第２の中間層の形成方法：図２〕図２に
示すように、ガス導入口６３と排気口６５とを有する真
空槽６１内に、第２の中間層を形成するガイドブッシュ
１１を配置する。そしてこのガイドブッシュ１１の開口
内面には、接地電位に接続する補助電極７１を挿入する
ように設ける。このとき、補助電極７１がガイドブッシ
ュ１１の開口中央部になるように配置する。[Method of Forming Second Intermediate Layer: FIG. 2] As shown in FIG. 2, a guide bush for forming a second intermediate layer is provided in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65. 11 is arranged. An auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening of the guide bush 11. At this time, the auxiliary electrode 71 is arranged so as to be at the center of the opening of the guide bush 11.
【０１６２】そして真空槽６１内を真空度が３×１０-5
ｔｏｒｒになるように排気口６５から、図示しない排気
手段によって真空排気する。その後、ガス導入口６３か
らシリコンを含むガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4 ）を
真空槽６１内に導入して、真空槽６１内の圧力を５×１
０-3ｔｏｒｒになるように制御する。Then, the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is 3 × 10 −5.
Vacuum is exhausted from the exhaust port 65 by an exhaust means (not shown) so that the pressure becomes torr. Thereafter, monosilane (SiH4) as a gas containing silicon is introduced into the vacuum chamber 61 from the gas inlet port 63, and the pressure in the vacuum chamber 61 is increased to 5.times.1.
It is controlled to be 0 -3 torr.
【０１６３】そしてアノード７９にはアノード電源７５
から直流電圧を印加し、さらにフィラメント８１にはフ
ィラメント電源７７から交流電圧を印加する。このとき
アノード電源７５からアノード７９に印加する直流電圧
はプラス１０Ｖを印加する。さらにまたフィラメント電
源７７からフィラメント８１に印加する電圧は３０Ａの
電流が流れるように１０Ｖの交流電圧を印加する。そし
てガイドブッシュ１１には直流電源７３から直流電圧を
印加する。このときガイドブッシュ１１には直流電源７
３からマイナス３ｋＶを印加する。The anode 79 has an anode power supply 75.
, And an AC voltage is applied to the filament 81 from the filament power supply 77. At this time, the direct current voltage applied from the anode power supply 75 to the anode 79 is plus 10 V. Further, the voltage applied from the filament power supply 77 to the filament 81 is an AC voltage of 10 V so that a current of 30 A flows. Then, a DC voltage is applied to the guide bush 11 from a DC power supply 73. At this time, the guide bush 11 is
3 to -3 kV is applied.
【０１６４】そして真空槽６１内に配置するガイドブッ
シュ１１の周囲領域にプラズマを発生させて、ガイドブ
ッシュ１１に第２の中間層としてシリコン膜を０．５μ
ｍの膜厚で形成している。この図２に示す第２の中間層
の被膜形成方法においては、ガイドブッシュ１１の開口
内面に挿入するように配置して、接地電圧に接続する補
助電極７１により、ガイドブッシュ１１の外周部だけで
なく、ガイドブッシュ１１開口内面にもプラズマを形成
することができる。Then, a plasma is generated in a region around the guide bush 11 disposed in the vacuum chamber 61, and a 0.5 μm silicon film is formed on the guide bush 11 as a second intermediate layer.
m. In the second method for forming a film of the intermediate layer shown in FIG. 2, the guide bush 11 is disposed so as to be inserted into the inner surface of the opening, and the auxiliary electrode 71 connected to the ground voltage allows only the outer periphery of the guide bush 11 to be used. Also, plasma can be formed on the inner surface of the guide bush 11 opening.
【０１６５】この図２に示す本発明の第２の中間層の形
成方法によって形成する第２の中間層の膜厚分布を図５
のグラフを用いて説明する。図５のグラフは、横軸はガ
イドブッシュの開口端からの距離を示し、縦軸はガイド
ブッシュの内周面に形成する第２の中間層の膜厚を示
す。そして曲線８５が、図２に示す本発明の第２の中間
層の形成方法によって形成したときの膜厚分布を示す。FIG. 5 shows the film thickness distribution of the second intermediate layer formed by the method for forming the second intermediate layer of the present invention shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. In the graph of FIG. 5, the horizontal axis represents the distance from the opening end of the guide bush, and the vertical axis represents the thickness of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface of the guide bush. A curve 85 shows a film thickness distribution when the film is formed by the second method for forming an intermediate layer of the present invention shown in FIG.
【０１６６】図５のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の第２の中間層
を形成したとき、図２に示す方法によって形成した第２
の中間層は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１
の開口全域にわたって均一な膜厚でシリコン膜からなる
第２の中間層を形成することができる。As shown by the curve 85 in the graph of FIG. 5, when the second intermediate layer having a thickness of 0.5 μm was formed at the open end of the guide bush, the second intermediate layer formed by the method shown in FIG.
The intermediate layer has almost no change in film thickness even at a position 30 mm from the opening end to the back side of the opening.
The second intermediate layer made of a silicon film can be formed with a uniform thickness over the entire area of the opening.
【０１６７】このように本発明の第２の中間層の形成方
法においては、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入す
る補助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。
このため同電位どうしが対向している開口内面に、接地
電位に接続する補助電極７１を設けることになり、異常
放電であるホロー放電の発生はなく、第１の中間層に対
する第２の中間層の密着性が向上する。As described above, in the second method for forming an intermediate layer according to the present invention, the film forming process is performed by arranging the auxiliary electrode 71 to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11.
For this reason, the auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other, so that the hollow discharge which is an abnormal discharge does not occur, and the second intermediate layer with respect to the first intermediate layer. Adhesion is improved.
【０１６８】さらにガイドブッシュ１１の長手方向の開
口内面で、その電位特性が均一になり、内周面に形成す
る第２の中間層の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開
口奥側とのガイドブッシュ１１の開口全域にわたって均
一な膜厚で形成することができる。Further, the potential characteristics become uniform on the inner surface of the opening in the longitudinal direction of the guide bush 11, there is no occurrence of the thickness distribution of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface, The guide bush 11 can be formed with a uniform film thickness over the entire opening.
【０１６９】そのうえ前述のように、第２の中間層の下
層に形成する第１の中間層も、ガイドブッシュ１１の開
口端面と開口奥側とで均一な膜厚で形成している。この
ため第２の中間層の剥離は発生しない。このような理由
によって本発明の第１の中間層と第２の中間層との形成
方法においては、ガイドブッシュ１１に対する密着性が
良好となる。Further, as described above, the first intermediate layer formed below the second intermediate layer is also formed with a uniform film thickness on the opening end face of the guide bush 11 and on the back side of the opening. For this reason, peeling of the second intermediate layer does not occur. For these reasons, in the method for forming the first intermediate layer and the second intermediate layer of the present invention, the adhesion to the guide bush 11 is improved.
【０１７０】この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０１７１】〔第２の中間層の形成方法：図３〕つぎに
以上の説明と異なる本発明の実施形態における第２の中
間層の形成方法を、図３を用いて説明する。図３は本発
明の実施形態における被膜形成方法における第１の中間
層上面に形成する第２の中間層の形成方法を示す断面図
である。[Method of Forming Second Intermediate Layer: FIG. 3] Next, a method of forming a second intermediate layer in an embodiment of the present invention which is different from the above description will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method for forming a second intermediate layer formed on the upper surface of the first intermediate layer in the method for forming a film according to the embodiment of the present invention.
【０１７２】図３に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、内周面に第１の中間
層を形成してあり、そして第１の中間層上面に第２の中
間層を形成するガイドブッシュ１１を配置する。そして
このガイドブッシュ１１の開口内には、接地電位に接続
する補助電極７１を挿入するように設ける。このとき、
補助電極７１は、ガイドブッシュ１１の開口中央部にな
るように配置する。As shown in FIG. 3, in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65, a first intermediate layer is formed on the inner peripheral surface, and a first intermediate layer is formed on the upper surface of the first intermediate layer. The guide bush 11 forming the second intermediate layer is arranged. In the opening of the guide bush 11, an auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided so as to be inserted. At this time,
The auxiliary electrode 71 is arranged so as to be located at the center of the opening of the guide bush 11.
【０１７３】そして排気口６５から真空槽６１内を図示
しない排気手段により、その真空度が３×１０-5ｔｏｒ
ｒになるように真空排気する。その後、ガス導入口６３
からシリコンを含むガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4 ）
を真空槽６１内に導入し、真空度を０．１ｔｏｒｒにな
るように調整する。そしてガイドブッシュ１１には、マ
ッチング回路６７を介して１３．５６ＭＨｚの発振周波
数を有する高周波電源２１から高周波電力を４００Ｗ印
加する。Then, the degree of vacuum is set to 3 × 10 −5 torr from the exhaust port 65 to the inside of the vacuum chamber 61 by exhaust means (not shown).
Evacuate to r. Then, the gas inlet 63
Monosilane (SiH4) as a gas containing silicon from
Is introduced into the vacuum chamber 61, and the degree of vacuum is adjusted to 0.1 torr. Then, 400 W of high frequency power is applied to the guide bush 11 from the high frequency power supply 21 having an oscillation frequency of 13.56 MHz via the matching circuit 67.
【０１７４】さらにガイドブッシュ１１の開口内面で、
しかも開口中央部には、接地電圧を接続する補助電極７
１を挿入するように配置して、プラズマを発生させる。
このようにして第２の中間層として、膜厚が０．５μｍ
のシリコン膜をチタン膜上に形成する。Further, on the inner surface of the opening of the guide bush 11,
In addition, an auxiliary electrode 7 for connecting a ground voltage is provided at the center of the opening.
1 is inserted to generate plasma.
Thus, the thickness of the second intermediate layer is 0.5 μm
Is formed on the titanium film.
【０１７５】この図３に示す本発明の第２の中間層の形
成方法によって形成する第２の中間層の膜厚分布を図５
のグラフを用いて説明する。図５のグラフは、横軸はガ
イドブッシュの開口端からの距離を示し、縦軸はガイド
ブッシュの内周面に形成する第２の中間層の膜厚を示
す。そして曲線８５が、図３に示す本発明の第２の中間
層の形成方法によって形成したときの膜厚分布を示す。FIG. 5 shows the film thickness distribution of the second intermediate layer formed by the method for forming the second intermediate layer of the present invention shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. In the graph of FIG. 5, the horizontal axis represents the distance from the opening end of the guide bush, and the vertical axis represents the thickness of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface of the guide bush. A curve 85 shows a film thickness distribution when the film is formed by the second method for forming an intermediate layer of the present invention shown in FIG.
【０１７６】図５のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の第２の中間層
を形成したとき、図３に示す方法によって形成した第２
の中間層は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１
の開口全域にわたって均一な膜厚でシリコン膜からなる
第２の中間層を形成することができる。As shown by the curve 85 in the graph of FIG. 5, when the second intermediate layer having a thickness of 0.5 μm was formed at the open end of the guide bush, the second intermediate layer formed by the method shown in FIG.
The intermediate layer has almost no change in film thickness even at a position 30 mm from the opening end to the back side of the opening.
The second intermediate layer made of a silicon film can be formed with a uniform thickness over the entire area of the opening.
【０１７７】この図３に示す第２の中間層の被膜形成方
法においては、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入す
るように配置し、接地電圧に接続する補助電極７１によ
り、ガイドブッシュ１１の外周部だけでなく、ガイドブ
ッシュ１１内周面にもプラズマを形成することができ
る。In the method for forming the second intermediate layer film shown in FIG. 3, the outer peripheral portion of the guide bush 11 is arranged so as to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11 and connected to the ground voltage by the auxiliary electrode 71. In addition, plasma can be formed on the inner peripheral surface of the guide bush 11 as well.
【０１７８】このように本発明の第２の中間層の形成方
法においては、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入す
る補助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。
このため同電位どうしが対向している開口内面に、接地
電位に接続する補助電極を設けることになり、異常放電
であるホロー放電の発生はなく、第１の中間層にたいす
る第２の中間層の密着性が向上する。As described above, in the second method of forming the intermediate layer according to the present invention, the film forming process is performed by disposing the auxiliary electrode 71 to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11.
For this reason, an auxiliary electrode connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other, and there is no occurrence of a hollow discharge which is an abnormal discharge, and the second intermediate layer has the same structure as the first intermediate layer. The adhesion is improved.
【０１７９】さらにガイドブッシュ１１の長手方向の開
口内面で、その電位特性が均一になり、内周面に形成す
る第２の中間層の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開
口奥側とのガイドブッシュ１１の開口全域にわたって均
一な膜厚を形成することができる。Further, the potential characteristics are uniform on the inner surface of the opening in the longitudinal direction of the guide bush 11, the thickness distribution of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface is not generated, and the opening end surface and the inner side of the opening are not covered. A uniform film thickness can be formed over the entire area of the opening of the guide bush 11.
【０１８０】そのうえ前述のように、第２の中間層の下
層に形成する第１の中間層も、ガイドブッシュ１１の開
口端面と開口奥側とで均一な膜厚を形成することができ
る。このため第２の中間層の剥離は発生しない。このよ
うな理由によって本発明の第１の中間層と第２の中間層
との形成方法においては、ガイドブッシュ１１に対する
第１の中間層と第２の中間層の密着性が良好となる。In addition, as described above, the first intermediate layer formed below the second intermediate layer can also have a uniform film thickness at the opening end face of the guide bush 11 and at the back of the opening. For this reason, peeling of the second intermediate layer does not occur. For this reason, in the method for forming the first intermediate layer and the second intermediate layer of the present invention, the adhesion between the first intermediate layer and the second intermediate layer with respect to the guide bush 11 is improved.
【０１８１】なお補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０１８２】〔第２の中間層の形成方法：図４〕つぎに
以上の説明と異なる本発明の実施形態における第２の中
間層の形成方法を、図４を用いて説明する。図４は本発
明の実施形態における被膜形成方法における第１の中間
層上面に形成する第２の中間層の形成方法を示す断面図
である。[Method of Forming Second Intermediate Layer: FIG. 4] Next, a method of forming a second intermediate layer according to an embodiment of the present invention, which is different from the above description, will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a method for forming a second intermediate layer formed on the upper surface of the first intermediate layer in the method for forming a film according to the embodiment of the present invention.
【０１８３】図４に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、内周面に第１の中間
層を形成してあり、この第１の中間層の上面に第２の中
間層を形成するガイドブッシュ１１を配置する。そして
このガイドブッシュ１１の開口内面には、接地電位に接
続する補助電極７１を挿入するように設ける。このと
き、補助電極７１がガイドブッシュ１１の開口中央部に
なるように配置する。As shown in FIG. 4, a first intermediate layer is formed on the inner peripheral surface in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65, and an upper surface of the first intermediate layer is formed. , A guide bush 11 forming the second intermediate layer is disposed. An auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening of the guide bush 11. At this time, the auxiliary electrode 71 is arranged so as to be at the center of the opening of the guide bush 11.
【０１８４】そして真空槽６１内を真空度が３×１０-5
ｔｏｒｒになるように排気口６５から、図示しない排気
手段によって真空排気する。その後、ガス導入口６３か
らシリコンを含むガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4 ）を
真空槽６１内に導入して、この真空槽６１内の真空度が
０．１ｔｏｒｒになるように制御する。そして、ガイド
ブッシュ１１には直流電源７３から直流電圧を印加す
る。このときガイドブッシュ１１には直流電源７３から
マイナス６００Ｖを印加する。Then, the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is set to 3 × 10 −5.
Vacuum is exhausted from the exhaust port 65 by an exhaust means (not shown) so that the pressure becomes torr. Thereafter, monosilane (SiH4) as a gas containing silicon is introduced into the vacuum chamber 61 through the gas inlet 63, and the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is controlled to be 0.1 torr. Then, a DC voltage is applied to the guide bush 11 from a DC power supply 73. At this time, −600 V is applied to the guide bush 11 from the DC power supply 73.
【０１８５】そしてガイドブッシュ１１には直流電源７
３から直流電圧を印加する。このときガイドブッシュ１
１には直流電源７３からマイナス６００Ｖを印加する。
このようにして第２の中間層として、厚さが０．５μｍ
のシリコン膜をチタン膜上に形成する。The guide bush 11 has a DC power source 7
From step 3, a DC voltage is applied. At this time, guide bush 1
1 is applied with −600 V from the DC power supply 73.
Thus, the thickness of the second intermediate layer is 0.5 μm
Is formed on the titanium film.
【０１８６】この図４に示す本発明の第２の中間層の形
成方法によって形成する第２の中間層の膜厚分布を図５
のグラフを用いて説明する。図５のグラフは、横軸はガ
イドブッシュの開口端からの距離を示し、縦軸はガイド
ブッシュの内周面に形成する第２の中間層の膜厚を示
す。そして曲線８５が、図４に示す本発明の第２の中間
層の形成方法によって形成したときの膜厚分布を示す。FIG. 5 shows the film thickness distribution of the second intermediate layer formed by the method for forming the second intermediate layer of the present invention shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. In the graph of FIG. 5, the horizontal axis represents the distance from the opening end of the guide bush, and the vertical axis represents the thickness of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface of the guide bush. A curve 85 shows a film thickness distribution when the film is formed by the second method for forming an intermediate layer according to the present invention shown in FIG.
【０１８７】図５のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の第２の中間層
を形成したとき、図４に示す方法によって形成した第２
の中間層は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１
の開口全域にわたって均一な膜厚でシリコン膜からなる
第２の中間層を形成することができる。As shown by the curve 85 in the graph of FIG. 5, when the second intermediate layer having a thickness of 0.5 μm was formed at the open end of the guide bush, the second intermediate layer formed by the method shown in FIG.
The intermediate layer has almost no change in film thickness even at a position 30 mm from the opening end to the back side of the opening.
The second intermediate layer made of a silicon film can be formed with a uniform thickness over the entire area of the opening.
【０１８８】この図４に示す第２の中間層の被膜形成方
法においては、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入す
るように配置し、接地電圧に接続する補助電極７１によ
り、ガイドブッシュ１１の外周部だけでなく、ガイドブ
ッシュ１１開口内面にもプラズマを形成することができ
る。In the method for forming the second intermediate layer film shown in FIG. 4, the outer peripheral portion of the guide bush 11 is arranged so as to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11 and connected to the ground voltage by the auxiliary electrode 71. In addition, plasma can be formed also on the inner surface of the guide bush 11 opening.
【０１８９】このように本発明の第２の中間層の形成方
法においては、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入す
る補助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。
このため同電位どうしが対向している開口内面に、接地
電位に接続する補助電極を設けることになり、異常放電
であるホロー放電の発生はなく、第１の中間層に対する
第２の中間層の密着性が向上する。As described above, in the second method for forming an intermediate layer according to the present invention, the film forming process is performed by arranging the auxiliary electrode 71 to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11.
For this reason, an auxiliary electrode connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other. The adhesion is improved.
【０１９０】さらにガイドブッシュ１１の長手方向の開
口内面で、その電位特性が均一になり、内周面に形成す
る第２の中間層の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開
口奥側とで均一な膜厚を形成することができる。そのう
え第２の中間層の下層に形成する第１の中間層も、前述
のようにガイドブッシュ１１の開口端面と開口奥側とで
均一な膜厚を形成することができる。このため第２の中
間層の剥離は発生しない。このような理由により本発明
の第１の中間層と第２の中間層との形成方法において
は、ガイドブッシュ１１に対する密着性が良好となる。Furthermore, the potential characteristics are uniform on the inner surface of the opening in the longitudinal direction of the guide bush 11, and there is no occurrence of the thickness distribution of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface. Thus, a uniform film thickness can be formed. In addition, the first intermediate layer formed below the second intermediate layer can also have a uniform film thickness at the opening end face of the guide bush 11 and at the back of the opening as described above. For this reason, peeling of the second intermediate layer does not occur. For this reason, in the method for forming the first intermediate layer and the second intermediate layer of the present invention, the adhesion to the guide bush 11 is improved.
【０１９１】この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０１９２】〔硬質カーボン膜の形成方法：図２、図３
および図４〕その後、第２の中間層を形成したガイドブ
ッシュ１１に硬質カーボン膜を形成する。そしてこの硬
質カーボン膜の形成方法としては３つの手段があり、そ
れぞれ図２と図３と図４とを用いて説明する。はじめに
図２を用いて硬質カーボン膜の形成方法を説明する。図
２は本発明の実施形態における被膜形成方法における第
１の中間層と第２の中間層の上面に形成する硬質カーボ
ン膜の形成方法を示す断面図である。[Method of forming hard carbon film: FIGS. 2 and 3
And FIG. 4] Thereafter, a hard carbon film is formed on the guide bush 11 on which the second intermediate layer is formed. There are three methods for forming the hard carbon film, which will be described with reference to FIGS. 2, 3, and 4, respectively. First, a method for forming a hard carbon film will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method for forming a hard carbon film formed on the upper surfaces of the first intermediate layer and the second intermediate layer in the method for forming a film according to the embodiment of the present invention.
【０１９３】〔硬質カーボン膜の形成方法：図２〕図２
に示すように、ガス導入口６３と排気口６５とを有する
真空槽６１内に、硬質カーボン膜を形成するガイドブッ
シュ１１を配置する。そしてこのガイドブッシュ１１の
内周面には、接地電位に接続する補助電極７１を挿入す
るように設ける。このとき、補助電極７１がガイドブッ
シュ１１の開口中央部になるように配置する。[Method for Forming Hard Carbon Film: FIG. 2] FIG.
As shown in the figure, a guide bush 11 for forming a hard carbon film is disposed in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65. An auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner peripheral surface of the guide bush 11 so as to be inserted. At this time, the auxiliary electrode 71 is arranged so as to be at the center of the opening of the guide bush 11.
【０１９４】そして真空槽６１内を真空度が３×１０-5
ｔｏｒｒになるように排気口６５から、図示しない排気
手段により真空排気する。その後、ガス導入口６３から
炭素を含むガスとしてベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）を真空槽６
１内に導入して、真空槽６１内の圧力を５×１０-3ｔｏ
ｒｒになるように制御する。Then, the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is 3 × 10 −5.
Vacuum is exhausted from the exhaust port 65 by an exhaust means (not shown) so that the pressure becomes torr. Thereafter, benzene (C6 H6) as a gas containing carbon is supplied from the gas inlet port 63 to the vacuum chamber 6.
1 and the pressure in the vacuum chamber 61 is increased to 5 × 10 −3 to
rr.
【０１９５】そしてアノード７９にはアノード電源７５
から直流電圧を印加し、さらにフィラメント８１にはフ
ィラメント電源７７から交流電圧を印加する。このとき
アノード電源７５からアノード７９に印加する直流電圧
はプラス１０Ｖを印加する。さらにまたフィラメント電
源７７からフィラメント８１に印加する電圧は３０Ａの
電流が流れるように１０Ｖの交流電圧を印加する。An anode power supply 75 is connected to the anode 79.
, And an AC voltage is applied to the filament 81 from the filament power supply 77. At this time, the direct current voltage applied from the anode power supply 75 to the anode 79 is plus 10 V. Further, the voltage applied from the filament power supply 77 to the filament 81 is an AC voltage of 10 V so that a current of 30 A flows.
【０１９６】そしてガイドブッシュ１１には直流電源７
３から直流電圧を印加する。このときガイドブッシュ１
１には直流電源７３からマイナス３ｋＶを印加する。そ
して真空槽６１内に配置するガイドブッシュ１１の周囲
領域にプラズマを発生させ、ガイドブッシュ１１に硬質
カーボン膜を形成している。この硬質カーボン膜の形成
膜厚は１μｍから５μｍとする。The guide bush 11 has a DC power source 7
From step 3, a DC voltage is applied. At this time, guide bush 1
1 is applied with −3 kV from the DC power supply 73. Then, a plasma is generated in a region around the guide bush 11 arranged in the vacuum chamber 61, and a hard carbon film is formed on the guide bush 11. The formed film thickness of this hard carbon film is 1 μm to 5 μm.
【０１９７】この図２を用いて説明した硬質カーボン膜
の被膜形成方法においては、ガイドブッシュ１１の開口
内面に挿入するように配置し、接地電圧に接続する補助
電極７１により、ガイドブッシュ１１の外周部だけでな
く、ガイドブッシュ１１開口内面にもプラズマを形成す
ることができる。In the method for forming a hard carbon film described with reference to FIG. 2, the outer periphery of the guide bush 11 is arranged so as to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11 and connected to the ground voltage by the auxiliary electrode 71. Plasma can be formed not only on the portion but also on the inner surface of the opening of the guide bush 11.
【０１９８】このように本発明の硬質カーボン膜の形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入する補
助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。この
ため同電位どうしが対向している開口内面に、接地電位
に接続する補助電極７１を設けることになり、異常放電
であるホロー放電の発生はなく、硬質カーボン膜の密着
性が向上する。As described above, in the method for forming a hard carbon film according to the present invention, the film forming process is performed by disposing the auxiliary electrode 71 to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11. For this reason, the auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other, so that the hollow discharge which is an abnormal discharge does not occur, and the adhesion of the hard carbon film is improved.
【０１９９】さらにガイドブッシュ１１の長手方向の開
口内面で、その電位特性が均一になり、内周面に形成す
る硬質カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と
開口奥側とのガイドブッシュ１１の開口全域にわたって
均一な膜厚で形成することができる。Further, the potential characteristics are uniform on the inner surface of the opening in the longitudinal direction of the guide bush 11, the thickness distribution of the hard carbon film formed on the inner peripheral surface does not occur, and the guide between the opening end surface and the back side of the opening is formed. The bush 11 can be formed with a uniform film thickness over the entire opening.
【０２００】そのうえ前述のように硬質カーボン膜の下
層に形成する第１の中間層と第２の中間層も、ガイドブ
ッシュ１１の開口端面と開口奥側とで均一な膜厚で形成
することができる。このためにストレスに起因する硬質
カーボン膜の剥離は発生しない。このような理由により
本発明の第１の中間層と第２の中間層と硬質カーボン膜
との形成方法においては、ガイドブッシュ１１に対する
硬質カーボン膜の密着性が良好となる。In addition, as described above, the first intermediate layer and the second intermediate layer formed below the hard carbon film can also be formed to have a uniform thickness on the open end face of the guide bush 11 and on the back side thereof. it can. Therefore, peeling of the hard carbon film due to stress does not occur. For this reason, in the method for forming the first intermediate layer, the second intermediate layer, and the hard carbon film of the present invention, the adhesion of the hard carbon film to the guide bush 11 is improved.
【０２０１】この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０２０２】〔硬質カーボン膜の形成方法：図３〕つぎ
に以上の説明と異なる本発明の実施形態における硬質カ
ーボン膜の形成方法を、図３を用いて説明する。図３は
本発明の実施形態における被膜形成方法における第２の
中間層上面に形成する硬質カーボン膜の形成方法を示す
断面図である。[Method of Forming Hard Carbon Film: FIG. 3] Next, a method of forming a hard carbon film according to an embodiment of the present invention, which is different from the above description, will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method for forming a hard carbon film formed on the upper surface of the second intermediate layer in the film forming method according to the embodiment of the present invention.
【０２０３】図３に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、内周面に第１の中間
層と第２の中間層を形成してあり、そして第２の中間層
上面に硬質カーボン膜を形成するガイドブッシュ１１を
配置する。As shown in FIG. 3, a first intermediate layer and a second intermediate layer are formed on the inner peripheral surface in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65. A guide bush 11 for forming a hard carbon film is disposed on the upper surface of the intermediate layer 2.
【０２０４】そしてこのガイドブッシュ１１の開口内に
は、接地電位に接続する補助電極７１を挿入するように
設ける。このとき補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口中央部になるように配置する。そして排気口６５
から真空槽６１内を図示しない排気手段により、その真
空度が３×１０-5ｔｏｒｒになるように真空排気する。An auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided in the opening of the guide bush 11. At this time, the auxiliary electrode 71 is
Is arranged at the center of the opening. And the exhaust port 65
Then, the inside of the vacuum chamber 61 is evacuated by an exhaust means (not shown) so that the degree of vacuum becomes 3 × 10 −5 torr.
【０２０５】その後、ガス導入口６３から炭素を含むガ
スとしてメタン（ＣＨ4 ）を真空槽６１内に導入して、
真空度を０．１ｔｏｒｒになるように調整する。そして
ガイドブッシュ１１には、マッチング回路６７を介して
１３．５６ＭＨｚの発振周波数を有する高周波電源２１
から高周波電力を４００Ｗ印加する。Thereafter, methane (CH4) as a gas containing carbon was introduced into the vacuum chamber 61 from the gas inlet 63,
Adjust the degree of vacuum to 0.1 torr. A high-frequency power supply 21 having an oscillation frequency of 13.56 MHz is provided to the guide bush 11 via a matching circuit 67.
, 400 W of high frequency power is applied.
【０２０６】さらにガイドブッシュ１１の開口内面で、
しかも開口中央部には、接地電圧を接続する補助電極７
１を挿入するように配置して、プラズマを発生させる。
このようにして第２の中間層上に１μｍから５μｍの膜
厚の硬質カーボン膜を形成する。Further, on the inner surface of the opening of the guide bush 11,
In addition, an auxiliary electrode 7 for connecting a ground voltage is provided at the center of the opening.
1 is inserted to generate plasma.
Thus, a hard carbon film having a thickness of 1 μm to 5 μm is formed on the second intermediate layer.
【０２０７】この図３を用いて説明した硬質カーボン膜
の被膜形成方法においては、ガイドブッシュ１１の開口
内面に挿入するように配置し、接地電圧に接続する補助
電極７１により、ガイドブッシュ１１の外周部だけでな
く、ガイドブッシュ１１開口内面にもプラズマを形成す
ることができる。In the method of forming a hard carbon film described with reference to FIG. 3, the outer periphery of the guide bush 11 is arranged so as to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11 and connected to the ground voltage by the auxiliary electrode 71. Plasma can be formed not only on the portion but also on the inner surface of the opening of the guide bush 11.
【０２０８】このように本発明の硬質カーボン膜の形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入する補
助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。この
ため同電位どうしが対向している開口内面に、接地電位
に接続する補助電極を設けることになり、異常放電であ
るホロー放電の発生はなく、硬質カーボン膜の密着性が
向上する。As described above, in the method for forming a hard carbon film according to the present invention, the film forming process is performed by disposing the auxiliary electrode 71 to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11. Therefore, an auxiliary electrode connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other, so that the hollow discharge which is an abnormal discharge does not occur, and the adhesion of the hard carbon film is improved.
【０２０９】さらにガイドブッシュ１１の長手方向の開
口内面で、その電位特性が均一になり、内周面に形成す
る硬質カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と
開口奥側とのガイドブッシュ１１の開口全域にわたって
均一な膜厚を形成することができる。Further, the potential characteristics become uniform on the inner surface of the opening in the longitudinal direction of the guide bush 11, the thickness distribution of the hard carbon film formed on the inner peripheral surface does not occur, and the guide between the opening end surface and the back side of the opening is formed. A uniform film thickness can be formed over the entire opening of the bush 11.
【０２１０】そのうえ前述のように硬質カーボン膜の下
層に形成する第１の中間層と第２の中間層も、ガイドブ
ッシュ１１の開口端面と開口奥側とで均一な膜厚を形成
することができる。このためストレスに起因する硬質カ
ーボン膜の剥離は発生しない。このような理由によって
本発明の第１の中間層と第２の中間層と硬質カーボン膜
との形成方法においては、ガイドブッシュ１１に対する
硬質カーボン膜の密着性が良好となる。In addition, as described above, the first intermediate layer and the second intermediate layer formed below the hard carbon film can also be formed to have a uniform thickness on the open end face of the guide bush 11 and on the back side. it can. Therefore, peeling of the hard carbon film due to stress does not occur. For these reasons, in the method of forming the first intermediate layer, the second intermediate layer, and the hard carbon film of the present invention, the adhesion of the hard carbon film to the guide bush 11 is improved.
【０２１１】なお補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０２１２】〔硬質カーボン膜の形成方法：図４〕つぎ
に以上の説明と異なる本発明の実施形態における硬質カ
ーボン膜の形成方法を、図４を用いて説明する。図４は
本発明の実施形態における被膜形成方法における第１の
中間層上面に形成する硬質カーボン膜の形成方法を示す
断面図である。[Method of Forming Hard Carbon Film: FIG. 4] Next, a method of forming a hard carbon film according to an embodiment of the present invention which is different from the above description will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a method for forming a hard carbon film formed on the upper surface of the first intermediate layer in the method for forming a film according to the embodiment of the present invention.
【０２１３】図４に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、内周面に第１の中間
層と第２の中間層を形成してあり、この第２の中間層の
上面に硬質カーボン膜を形成するガイドブッシュ１１を
配置する。そしてこのガイドブッシュ１１の開口内面に
は、接地電位に接続する補助電極７１を挿入するように
設ける。このとき、補助電極７１がガイドブッシュ１１
の開口中央部になるように配置する。As shown in FIG. 4, a first intermediate layer and a second intermediate layer are formed on the inner peripheral surface in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65. A guide bush 11 for forming a hard carbon film is disposed on the upper surface of the second intermediate layer. An auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening of the guide bush 11. At this time, the auxiliary electrode 71 is
Is arranged at the center of the opening.
【０２１４】そして真空槽６１内を真空度が３×１０-5
ｔｏｒｒになるように排気口６５から、図示しない排気
手段によって真空排気する。その後、ガス導入口６３か
ら炭素を含むガスとしてメタン（ＣＨ4 ）を真空槽６１
内に導入して、真空槽６１内の真空度が０．１ｔｏｒｒ
になるように制御する。そしてガイドブッシュ１１には
直流電源７３から直流電圧を印加する。このときガイド
ブッシュ１１には直流電源７３からマイナス６００Ｖを
印加する。このようにして膜厚が１μｍから５μｍの硬
質カーボン膜を第２の中間層上に形成する。Then, the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is set to 3 × 10 −5.
Vacuum is exhausted from the exhaust port 65 by an exhaust means (not shown) so that the pressure becomes torr. Thereafter, methane (CH4) as a gas containing carbon is supplied from the gas inlet 63 to the vacuum chamber 61.
And the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is 0.1 torr.
Control so that Then, a DC voltage is applied to the guide bush 11 from a DC power supply 73. At this time, −600 V is applied to the guide bush 11 from the DC power supply 73. Thus, a hard carbon film having a thickness of 1 μm to 5 μm is formed on the second intermediate layer.
【０２１５】この図４を用いて説明した硬質カーボン膜
の被膜形成方法においては、ガイドブッシュ１１の開口
内面に挿入するように配置し、接地電圧に接続する補助
電極７１により、ガイドブッシュ１１の外周部だけでな
く、ガイドブッシュ１１開口内面にもプラズマを形成す
ることができる。In the method for forming the hard carbon film described with reference to FIG. 4, the outer periphery of the guide bush 11 is arranged so as to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11 and connected to the ground voltage by the auxiliary electrode 71. Plasma can be formed not only on the portion but also on the inner surface of the opening of the guide bush 11.
【０２１６】このように本発明の硬質カーボン膜の形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入する補
助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。この
ため同電位どうしが対向している開口内面に、接地電位
に接続する補助電極を設けることになり、異常放電であ
るホロー放電の発生はなく、硬質カーボン膜の密着性が
向上する。As described above, in the method of forming a hard carbon film according to the present invention, the film forming process is performed by arranging the auxiliary electrode 71 to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11. Therefore, an auxiliary electrode connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other, so that the hollow discharge which is an abnormal discharge does not occur, and the adhesion of the hard carbon film is improved.
【０２１７】さらにガイドブッシュ１１の長手方向の開
口内面で、その電位特性が均一になり、内周面に形成す
る硬質カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と
開口奥側とで均一な膜厚を形成することができる。その
うえ硬質カーボン膜の下層に形成する第１の中間層と第
２の中間層も、前述のようにガイドブッシュ１１の開口
端面と開口奥側とで均一な膜厚を形成することができ
る。このためストレスに起因する硬質カーボン膜の剥離
は発生しない。このような理由によって、本発明の第１
の中間層と第２の中間層と硬質カーボン膜との形成方法
においては、ガイドブッシュ１１に対する硬質カーボン
膜の密着性が良好となる。Furthermore, the potential characteristics are uniform on the inner surface of the opening in the longitudinal direction of the guide bush 11, and there is no thickness distribution of the hard carbon film formed on the inner peripheral surface. A large film thickness can be formed. In addition, the first intermediate layer and the second intermediate layer formed below the hard carbon film can also have a uniform thickness on the open end face of the guide bush 11 and on the back side of the opening as described above. Therefore, peeling of the hard carbon film due to stress does not occur. For this reason, the first aspect of the present invention
In the method of forming the intermediate layer, the second intermediate layer, and the hard carbon film, the adhesion of the hard carbon film to the guide bush 11 is improved.
【０２１８】この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０２１９】〔第１の中間層の形成方法：図７〕つぎに
以上の説明と異なる実施形態におけるガイドブッシュ内
周面への第１の中間層の形成方法を、図７を用いて説明
する。図７は本発明の被膜形成方法における第１の中間
層の形成方法を示す断面図である。[Method of Forming First Intermediate Layer: FIG. 7] Next, a method of forming the first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush in an embodiment different from that described above will be described with reference to FIG. . FIG. 7 is a cross-sectional view showing a method for forming the first intermediate layer in the film forming method of the present invention.
【０２２０】図７に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを備える真空槽６１の中に開口を有するガイド
ブッシュ１１を配置する。このガイドブッシュ１１は接
地電位に接続する。そしてこのガイドブッシュ１１の開
口内に、第１の中間層として形成するチタン材料からな
る補助電極７１を挿入するように配置する。この補助電
極７１にはマッチング回路６７を介して高周波電力を印
加するための補助電極電源８３を接続する。As shown in FIG. 7, a guide bush 11 having an opening is arranged in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65. This guide bush 11 is connected to the ground potential. Then, an auxiliary electrode 71 made of a titanium material to be formed as a first intermediate layer is arranged to be inserted into the opening of the guide bush 11. The auxiliary electrode 71 is connected to an auxiliary electrode power supply 83 for applying high frequency power via a matching circuit 67.
【０２２１】そして図示しない排気手段によって、真空
槽６１内を３×１０-5ｔｏｒｒの真空度になるまで真空
排気する。その後、ガス導入口６３からスパッタガスと
してアルゴンガスを真空槽６１内に導入して、真空度を
５×１０-3ｔｏｒｒになるように制御する。Then, the inside of the vacuum chamber 61 is evacuated to a vacuum degree of 3 × 10 −5 torr by an exhaust means (not shown). Thereafter, an argon gas is introduced into the vacuum chamber 61 as a sputtering gas from the gas inlet 63, and the degree of vacuum is controlled to 5 × 10 −3 torr.
【０２２２】さらに、補助電極電源８３から４００Ｗの
高周波電力を補助電極７１に印加する。するとガイドブ
ッシュ１１の開口内でしかも補助電極７１周囲領域にプ
ラズマが発生して、プラズマ中のイオンによりチタン材
料からなる補助電極７１表面をスパッタする。そしてこ
の補助電極７１表面からたたき出された第１の中間層材
料は、ガイドブッシュ１１に付着し、チタン材料からな
る第１の中間層をガイドブッシュ１１の内周面に形成す
ることができる。このスパッタリング処理を３０分間行
い、ガイドブッシュ１１の内周面に０．５μｍの厚さの
チタン膜からなる第１の中間層を形成する。Further, high frequency power of 400 W is applied to the auxiliary electrode 71 from the auxiliary electrode power supply 83. Then, plasma is generated in the opening of the guide bush 11 and in a region around the auxiliary electrode 71, and ions in the plasma sputter the surface of the auxiliary electrode 71 made of a titanium material. Then, the first intermediate layer material that has been knocked out from the surface of the auxiliary electrode 71 adheres to the guide bush 11, and the first intermediate layer made of a titanium material can be formed on the inner peripheral surface of the guide bush 11. This sputtering process is performed for 30 minutes to form a first intermediate layer made of a titanium film having a thickness of 0.5 μm on the inner peripheral surface of the guide bush 11.
【０２２３】なおここでガイドブッシュ１１の開口内径
の大きさは１０ｍｍであり、チタンからなる補助電極７
１の直径は２ｍｍのものを使用している。なお補助電極
７１の断面形状は円形だけでなく、多角形状としてもよ
い。Here, the size of the inner diameter of the opening of the guide bush 11 is 10 mm, and the auxiliary electrode 7 made of titanium is used.
The diameter of 1 is 2 mm. The sectional shape of the auxiliary electrode 71 is not limited to a circle, but may be a polygon.
【０２２４】このように本発明の実施形態における第１
の中間層の形成方法では、ガイドブッシュ１１の開口内
に第１の中間層材料からなる補助電極７１を配置して、
この補助電極７１とガイドブッシュ１１開口内面との間
にプラズマ発生させ、ガイドブッシュ内周面に第１の中
間層を形成している。ガイドブッシュ１１の開口内に第
１の中間層材料からなる補助電極７１を配置して形成す
るプラズマは、ガイドブッシュ１１の長手方向にて均一
であるため、ガイドブッシュ１１の内周面に均一な膜厚
で第１の中間層を被膜形成することができる。As described above, the first embodiment of the present invention is described.
In the method of forming an intermediate layer, the auxiliary electrode 71 made of the first intermediate layer material is arranged in the opening of the guide bush 11,
Plasma is generated between the auxiliary electrode 71 and the inner surface of the opening of the guide bush 11 to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. Since the plasma formed by arranging the auxiliary electrode 71 made of the first intermediate layer material in the opening of the guide bush 11 is uniform in the longitudinal direction of the guide bush 11, the plasma is uniform on the inner peripheral surface of the guide bush 11. The first intermediate layer can be formed with a film thickness.
【０２２５】この図７に示す本発明の第１の中間層の形
成方法によって形成する第１の中間層の膜厚分布を図５
のグラフを用いて説明する。図５のグラフは、横軸はガ
イドブッシュの開口端からの距離を示し、縦軸はガイド
ブッシュの内周面に形成する第１の中間層の膜厚を示
す。そして曲線８５が、図７に示す本発明の第１の中間
層の形成方法によって形成したときの膜厚分布を示す。FIG. 5 shows the film thickness distribution of the first intermediate layer formed by the method for forming the first intermediate layer of the present invention shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. In the graph of FIG. 5, the horizontal axis represents the distance from the opening end of the guide bush, and the vertical axis represents the thickness of the first intermediate layer formed on the inner peripheral surface of the guide bush. A curve 85 shows a film thickness distribution when the film is formed by the first method for forming an intermediate layer according to the present invention shown in FIG.
【０２２６】図５のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の第１の中間層
を形成したとき、図７に示す方法によって形成した第１
の中間層は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１
の開口全域にわたって均一な膜厚でチタン膜からなる第
１の中間層を形成することができる。As shown by the curve 85 in the graph of FIG. 5, when the first intermediate layer having a thickness of 0.5 μm was formed at the opening end of the guide bush, the first intermediate layer formed by the method shown in FIG.
The intermediate layer has almost no change in film thickness even at a position 30 mm from the opening end to the back side of the opening.
The first intermediate layer made of a titanium film can be formed with a uniform thickness over the entire area of the opening.
【０２２７】〔第２の中間層の形成方法：図２、図３お
よび図４〕その後、第１の中間層を形成したガイドブッ
シュ１１に第２の中間層を形成する。そしてこの第２の
中間層の形成方法としては３つの手段があり、それぞれ
図２と図３と図４とを用いて説明する。はじめに図２を
用いて第２の中間層の形成方法を説明する。図２は本発
明の実施形態における被膜形成方法における第１の中間
層上面に形成する第２の中間層の形成方法を示す断面図
である。[Method of forming second intermediate layer: FIGS. 2, 3 and 4] Thereafter, a second intermediate layer is formed on the guide bush 11 on which the first intermediate layer is formed. There are three methods for forming the second intermediate layer, which will be described with reference to FIGS. 2, 3, and 4, respectively. First, a method for forming the second intermediate layer will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method for forming a second intermediate layer formed on the upper surface of the first intermediate layer in the method for forming a film according to the embodiment of the present invention.
【０２２８】〔第２の中間層の形成方法：図２〕図２に
示すように、ガス導入口６３と排気口６５とを有する真
空槽６１内に、第２の中間層を形成するガイドブッシュ
１１を配置する。そしてこのガイドブッシュ１１の開口
内面には、接地電位に接続する補助電極７１を挿入する
ように設ける。このとき、補助電極７１がガイドブッシ
ュ１１の開口中央部になるように配置する。[Method of Forming Second Intermediate Layer: FIG. 2] As shown in FIG. 2, a guide bush for forming a second intermediate layer is provided in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65. 11 is arranged. An auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening of the guide bush 11. At this time, the auxiliary electrode 71 is arranged so as to be at the center of the opening of the guide bush 11.
【０２２９】そして真空槽６１内を真空度が３×１０-5
ｔｏｒｒになるように排気口６５から、図示しない排気
手段によって真空排気する。その後、ガス導入口６３か
らシリコンを含むガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4 ）を
真空槽６１内に導入して、真空槽６１内の圧力を５×１
０-3ｔｏｒｒになるように制御する。Then, the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is 3 × 10 −5.
Vacuum is exhausted from the exhaust port 65 by an exhaust means (not shown) so that the pressure becomes torr. Thereafter, monosilane (SiH4) as a gas containing silicon is introduced into the vacuum chamber 61 from the gas inlet port 63, and the pressure in the vacuum chamber 61 is increased to 5.times.1.
It is controlled to be 0 -3 torr.
【０２３０】そしてアノード７９にはアノード電源７５
から直流電圧を印加し、さらにフィラメント８１にはフ
ィラメント電源７７から交流電圧を印加する。このとき
アノード電源７５からアノード７９に印加する直流電圧
はプラス１０Ｖを印加する。さらにまたフィラメント電
源７７からフィラメント８１に印加する電圧は３０Ａの
電流が流れるように１０Ｖの交流電圧を印加する。そし
てガイドブッシュ１１には直流電源７３から直流電圧を
印加する。このときガイドブッシュ１１には直流電源７
３からマイナス３ｋＶを印加する。The anode 79 has an anode power supply 75.
, And an AC voltage is applied to the filament 81 from the filament power supply 77. At this time, the direct current voltage applied from the anode power supply 75 to the anode 79 is plus 10 V. Further, the voltage applied from the filament power supply 77 to the filament 81 is an AC voltage of 10 V so that a current of 30 A flows. Then, a DC voltage is applied to the guide bush 11 from a DC power supply 73. At this time, the guide bush 11 is
3 to -3 kV is applied.
【０２３１】そして真空槽６１内に配置するガイドブッ
シュ１１の周囲領域にプラズマを発生させて、ガイドブ
ッシュ１１に第２の中間層としてシリコン膜を０．５μ
ｍの膜厚で形成している。この図２に示す第２の中間層
の被膜形成方法においては、ガイドブッシュ１１の開口
内面に挿入するように配置し、接地電圧に接続する補助
電極７１により、ガイドブッシュ１１の外周部だけでな
く、ガイドブッシュ１１開口内面にもプラズマを形成す
ることができる。Then, a plasma is generated in a region around the guide bush 11 arranged in the vacuum chamber 61, and a 0.5 μm thick silicon film is formed on the guide bush 11 as a second intermediate layer.
m. In the second intermediate layer coating method shown in FIG. 2, not only the outer peripheral portion of the guide bush 11 but also the auxiliary electrode 71 connected to the ground voltage is disposed so as to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11. Also, plasma can be formed on the inner surface of the guide bush 11 opening.
【０２３２】この図２に示す本発明の第２の中間層の形
成方法によって形成する第２の中間層の膜厚分布を図５
のグラフを用いて説明する。図５のグラフは、横軸はガ
イドブッシュの開口端からの距離を示し、縦軸はガイド
ブッシュの内周面に形成する第２の中間層の膜厚を示
す。そして曲線８５が、図２に示す本発明の第２の中間
層の形成方法によって形成したときの膜厚分布を示す。The film thickness distribution of the second intermediate layer formed by the method for forming the second intermediate layer of the present invention shown in FIG. 2 is shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. In the graph of FIG. 5, the horizontal axis represents the distance from the opening end of the guide bush, and the vertical axis represents the thickness of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface of the guide bush. A curve 85 shows a film thickness distribution when the film is formed by the second method for forming an intermediate layer of the present invention shown in FIG.
【０２３３】図５のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の第２の中間層
を形成したとき、図２に示す方法によって形成した第２
の中間層は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１
の開口全域にわたって均一な膜厚でシリコン膜からなる
第２の中間層を形成することができる。As shown by the curve 85 in the graph of FIG. 5, when the second intermediate layer having a thickness of 0.5 μm was formed at the open end of the guide bush, the second intermediate layer formed by the method shown in FIG.
The intermediate layer has almost no change in film thickness even at a position 30 mm from the opening end to the back side of the opening.
The second intermediate layer made of a silicon film can be formed with a uniform thickness over the entire area of the opening.
【０２３４】このように本発明の第２の中間層の形成方
法においては、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入す
る補助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。
このため同電位どうしが対向している開口内面に、接地
電位に接続する補助電極７１を設けることになり、異常
放電であるホロー放電の発生はなく、第１の中間層に対
する第２の中間層の密着性が向上する。As described above, in the second method for forming an intermediate layer according to the present invention, the film forming process is performed by arranging the auxiliary electrode 71 to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11.
For this reason, the auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other, so that the hollow discharge which is an abnormal discharge does not occur, and the second intermediate layer with respect to the first intermediate layer. Adhesion is improved.
【０２３５】さらにガイドブッシュ１１の長手方向の開
口内面で、その電位特性が均一になり、内周面に形成す
る第２の中間層の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開
口奥側とのガイドブッシュ１１の開口全域にわたって均
一な膜厚で形成することができる。Further, the potential characteristics become uniform on the inner surface of the opening in the longitudinal direction of the guide bush 11, the thickness distribution of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface does not occur, and the opening end surface and the inner side of the opening are different. The guide bush 11 can be formed with a uniform film thickness over the entire opening.
【０２３６】そのうえ前述のように、第２の中間層の下
層に形成する第１の中間層も、ガイドブッシュ１１の開
口端面と開口奥側とで均一な膜厚で形成している。この
ため第２の中間層の剥離は発生しない。このような理由
によって本発明の第１の中間層と第２の中間層との形成
方法においては、ガイドブッシュ１１に対する密着性が
良好となる。In addition, as described above, the first intermediate layer formed below the second intermediate layer is also formed with a uniform thickness on the open end face of the guide bush 11 and on the back side of the open. For this reason, peeling of the second intermediate layer does not occur. For these reasons, in the method for forming the first intermediate layer and the second intermediate layer of the present invention, the adhesion to the guide bush 11 is improved.
【０２３７】この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０２３８】〔第２の中間層の形成方法：図３〕つぎに
以上の説明と異なる本発明の実施形態における第２の中
間層の形成方法を、図３を用いて説明する。図３は本発
明の実施形態における被膜形成方法における第１の中間
層上面に形成する第２の中間層の形成方法を示す断面図
である。[Method of Forming Second Intermediate Layer: FIG. 3] Next, a method of forming a second intermediate layer according to an embodiment of the present invention which is different from the above description will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method for forming a second intermediate layer formed on the upper surface of the first intermediate layer in the method for forming a film according to the embodiment of the present invention.
【０２３９】図３に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、内周面に第１の中間
層を形成してあり、そして第１の中間層上面に第２の中
間層を形成するガイドブッシュ１１を配置する。そして
このガイドブッシュ１１の開口内には、接地電位に接続
する補助電極７１を挿入するように設ける。このとき補
助電極７１は、ガイドブッシュ１１の開口中央部になる
ように配置する。As shown in FIG. 3, in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65, a first intermediate layer is formed on the inner peripheral surface, and the first intermediate layer is formed on the upper surface of the first intermediate layer. The guide bush 11 forming the second intermediate layer is arranged. In the opening of the guide bush 11, an auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided so as to be inserted. At this time, the auxiliary electrode 71 is arranged so as to be at the center of the opening of the guide bush 11.
【０２４０】そして排気口６５から真空槽６１内を図示
しない排気手段により、その真空度が３×１０-5ｔｏｒ
ｒになるように真空排気する。その後、ガス導入口６３
からシリコンを含むガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4 ）
を真空槽６１内に導入し、真空度を０．１ｔｏｒｒにな
るように調整する。そしてガイドブッシュ１１には、マ
ッチング回路６７を介して１３．５６ＭＨｚの発振周波
数を有する高周波電源２１から高周波電力を４００Ｗ印
加する。Then, the degree of vacuum is set to 3 × 10 −5 torr by the exhaust means (not shown) from the exhaust port 65 to the inside of the vacuum chamber 61.
Evacuate to r. Then, the gas inlet 63
Monosilane (SiH4) as a gas containing silicon from
Is introduced into the vacuum chamber 61, and the degree of vacuum is adjusted to 0.1 torr. Then, 400 W of high frequency power is applied to the guide bush 11 from the high frequency power supply 21 having an oscillation frequency of 13.56 MHz via the matching circuit 67.
【０２４１】さらにガイドブッシュ１１の開口内面で、
しかも開口中央部には、接地電圧を接続する補助電極７
１を挿入するように配置して、プラズマを発生させる。
このようにして第２の中間層として、膜厚が０．５μｍ
のシリコン膜をチタン膜上に形成する。Further, the inner surface of the opening of the guide bush 11
In addition, an auxiliary electrode 7 for connecting a ground voltage is provided at the center of the opening.
1 is inserted to generate plasma.
Thus, the thickness of the second intermediate layer is 0.5 μm
Is formed on the titanium film.
【０２４２】この図３に示す本発明の第２の中間層の形
成方法によって形成する第２の中間層の膜厚分布を図５
のグラフを用いて説明する。図５のグラフは、横軸はガ
イドブッシュの開口端からの距離を示し、縦軸はガイド
ブッシュの内周面に形成する第２の中間層の膜厚を示
す。そして曲線８５が、図３に示す本発明の第２の中間
層の形成方法によって形成したときの膜厚分布を示す。FIG. 5 shows the film thickness distribution of the second intermediate layer formed by the method for forming the second intermediate layer of the present invention shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. In the graph of FIG. 5, the horizontal axis represents the distance from the opening end of the guide bush, and the vertical axis represents the thickness of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface of the guide bush. A curve 85 shows a film thickness distribution when the film is formed by the second method for forming an intermediate layer of the present invention shown in FIG.
【０２４３】図５のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の第２の中間層
を形成したとき、図３に示す方法によって形成した第２
の中間層は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１
の開口全域にわたって均一な膜厚でシリコン膜からなる
第２の中間層を形成することができる。As shown by the curve 85 in the graph of FIG. 5, when the second intermediate layer having a thickness of 0.5 μm was formed at the opening end of the guide bush, the second intermediate layer formed by the method shown in FIG.
The intermediate layer has almost no change in film thickness even at a position 30 mm from the opening end to the back side of the opening.
The second intermediate layer made of a silicon film can be formed with a uniform thickness over the entire area of the opening.
【０２４４】この図３に示す第２の中間層の被膜形成方
法においては、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入す
るように配置し、接地電圧に接続する補助電極７１によ
り、ガイドブッシュ１１の外周部だけでなく、ガイドブ
ッシュ１１開口内面にもプラズマを形成することができ
る。In the method for forming the second intermediate layer film shown in FIG. 3, the outer peripheral portion of the guide bush 11 is arranged so as to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11 and connected to the ground voltage by the auxiliary electrode 71. In addition, plasma can be formed also on the inner surface of the guide bush 11 opening.
【０２４５】このように本発明の第２の中間層の形成方
法においては、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入す
る補助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。
このため同電位どうしが対向している開口内面に、接地
電位に接続する補助電極を設けることになり、異常放電
であるホロー放電の発生はなく、第１の中間層にたいす
る第２の中間層の密着性が向上する。As described above, in the second method for forming an intermediate layer according to the present invention, the film forming process is performed by disposing the auxiliary electrode 71 to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11.
For this reason, an auxiliary electrode connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other, and there is no occurrence of a hollow discharge which is an abnormal discharge, and the second intermediate layer has the same structure as the first intermediate layer. The adhesion is improved.
【０２４６】さらにガイドブッシュ１１の長手方向の開
口内面で、その電位特性が均一になり、内周面に形成す
る第２の中間層の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開
口奥側とのガイドブッシュ１１の開口全域にわたって均
一な膜厚を形成することができる。Further, the potential characteristics are uniform on the inner surface of the opening in the longitudinal direction of the guide bush 11, and there is no occurrence of the thickness distribution of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface. A uniform film thickness can be formed over the entire area of the opening of the guide bush 11.
【０２４７】そのうえ前述のように、第２の中間層の下
層に形成する第１の中間層も、ガイドブッシュ１１の開
口端面と開口奥側とで均一な膜厚を形成することができ
る。このため第２の中間層の剥離は発生しない。このよ
うな理由によって本発明の第１の中間層と第２の中間層
との形成方法においては、ガイドブッシュ１１に対する
第１の中間層と第２の中間層の密着性が良好となる。In addition, as described above, the first intermediate layer formed below the second intermediate layer can also be formed to have a uniform film thickness at the opening end face of the guide bush 11 and at the back of the opening. For this reason, peeling of the second intermediate layer does not occur. For this reason, in the method for forming the first intermediate layer and the second intermediate layer of the present invention, the adhesion between the first intermediate layer and the second intermediate layer with respect to the guide bush 11 is improved.
【０２４８】なお補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０２４９】〔第２の中間層の形成方法：図４〕つぎに
以上の説明と異なる本発明の実施形態における第２の中
間層の形成方法を、図４を用いて説明する。図４は本発
明の実施形態における被膜形成方法における第１の中間
層上面に形成する第２の中間層の形成方法を示す断面図
である。[Method of Forming Second Intermediate Layer: FIG. 4] Next, a method of forming a second intermediate layer according to an embodiment of the present invention which is different from the above description will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a method for forming a second intermediate layer formed on the upper surface of the first intermediate layer in the method for forming a film according to the embodiment of the present invention.
【０２５０】図４に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、内周面に第１の中間
層を形成してあり、この第１の中間層の上面に第２の中
間層を形成するガイドブッシュ１１を配置する。そして
このガイドブッシュ１１の開口内面には、接地電位に接
続する補助電極７１を挿入するように設ける。このと
き、補助電極７１がガイドブッシュ１１の開口中央部に
なるように配置する。As shown in FIG. 4, in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65, a first intermediate layer is formed on the inner peripheral surface. , A guide bush 11 forming the second intermediate layer is disposed. An auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening of the guide bush 11. At this time, the auxiliary electrode 71 is arranged so as to be at the center of the opening of the guide bush 11.
【０２５１】そして真空槽６１内を真空度が３×１０-5
ｔｏｒｒになるように排気口６５から、図示しない排気
手段によって真空排気する。その後、ガス導入口６３か
らシリコンを含むガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4 ）を
真空槽６１内に導入して、この真空槽６１内の真空度が
０．１ｔｏｒｒになるように制御する。そして、ガイド
ブッシュ１１には直流電源７３から直流電圧を印加す
る。このとき、ガイドブッシュ１１には直流電源７３か
らマイナス６００Ｖを印加する。Then, the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is 3 × 10 −5.
Vacuum is exhausted from the exhaust port 65 by an exhaust means (not shown) so that the pressure becomes torr. Thereafter, monosilane (SiH4) as a gas containing silicon is introduced into the vacuum chamber 61 through the gas inlet 63, and the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is controlled to be 0.1 torr. Then, a DC voltage is applied to the guide bush 11 from a DC power supply 73. At this time, −600 V is applied to the guide bush 11 from the DC power supply 73.
【０２５２】そしてガイドブッシュ１１には直流電源７
３から直流電圧を印加する。このときガイドブッシュ１
１には直流電源７３からマイナス６００Ｖを印加する。
このようにして第２の中間層として、厚さが０．５μｍ
のシリコン膜をチタン膜上に形成する。The guide bush 11 has a DC power source 7
From step 3, a DC voltage is applied. At this time, guide bush 1
1 is applied with −600 V from the DC power supply 73.
Thus, the thickness of the second intermediate layer is 0.5 μm
Is formed on the titanium film.
【０２５３】この図４に示す本発明の第２の中間層の形
成方法によって形成する第２の中間層の膜厚分布を図５
のグラフを用いて説明する。図５のグラフは、横軸はガ
イドブッシュの開口端からの距離を示し、縦軸はガイド
ブッシュの内周面に形成する第２の中間層の膜厚を示
す。そして曲線８５が、図４に示す本発明の第２の中間
層の形成方法によって形成したときの膜厚分布を示す。The film thickness distribution of the second intermediate layer formed by the method for forming the second intermediate layer of the present invention shown in FIG. 4 is shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. In the graph of FIG. 5, the horizontal axis represents the distance from the opening end of the guide bush, and the vertical axis represents the thickness of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface of the guide bush. A curve 85 shows a film thickness distribution when the film is formed by the second method for forming an intermediate layer according to the present invention shown in FIG.
【０２５４】図５のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の第２の中間層
を形成したとき、図４に示す方法によって形成した第２
の中間層は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１
の開口全域にわたって均一な膜厚でシリコン膜からなる
第２の中間層を形成することができる。As shown by the curve 85 in the graph of FIG. 5, when the second intermediate layer having a thickness of 0.5 μm was formed at the open end of the guide bush, the second intermediate layer formed by the method shown in FIG.
The intermediate layer has almost no change in film thickness even at a position 30 mm from the opening end to the back side of the opening.
The second intermediate layer made of a silicon film can be formed with a uniform thickness over the entire area of the opening.
【０２５５】この図４に示す第２の中間層の被膜形成方
法においては、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入す
るように配置し、接地電圧に接続する補助電極７１によ
り、ガイドブッシュ１１の外周部だけでなく、ガイドブ
ッシュ１１開口内面にもプラズマを形成することができ
る。In the method for forming the second intermediate layer film shown in FIG. 4, the outer peripheral portion of the guide bush 11 is arranged so as to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11 and connected to the ground voltage by the auxiliary electrode 71. In addition, plasma can be formed also on the inner surface of the guide bush 11 opening.
【０２５６】このように本発明の第２の中間層の形成方
法においては、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入す
る補助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。
このため同電位どうしが対向している開口内面に、接地
電位に接続する補助電極を設けることになり、異常放電
であるホロー放電の発生はなく、第１の中間層に対する
第２の中間層の密着性が向上する。As described above, in the second method for forming the intermediate layer according to the present invention, the film forming process is performed by arranging the auxiliary electrode 71 to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11.
For this reason, an auxiliary electrode connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other. The adhesion is improved.
【０２５７】さらにガイドブッシュ１１の長手方向の開
口内面で、その電位特性が均一になり、内周面に形成す
る第２の中間層の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開
口奥側とで均一な膜厚を形成することができる。そのう
え第２の中間層の下層に形成する第１の中間層も、前述
のようにガイドブッシュ１１の開口端面と開口奥側とで
均一な膜厚を形成することができる。このため第２の中
間層の剥離は発生しない。このような理由により本発明
の第１の中間層と第２の中間層との形成方法において
は、ガイドブッシュ１１に対する密着性が良好となる。Further, the potential characteristics are uniform on the inner surface of the opening in the longitudinal direction of the guide bush 11, the thickness distribution of the second intermediate layer formed on the inner peripheral surface does not occur, and the opening end surface and the inner side of the opening are different. Thus, a uniform film thickness can be formed. In addition, the first intermediate layer formed below the second intermediate layer can also have a uniform film thickness at the opening end face of the guide bush 11 and at the back of the opening as described above. For this reason, peeling of the second intermediate layer does not occur. For this reason, in the method for forming the first intermediate layer and the second intermediate layer of the present invention, the adhesion to the guide bush 11 is improved.
【０２５８】この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０２５９】〔硬質カーボン膜の形成方法：図２、図３
および図４〕その後、第２の中間層を形成したガイドブ
ッシュ１１に硬質カーボン膜を形成する。そしてこの硬
質カーボン膜の形成方法としては３つの手段があり、そ
れぞれ図２と図３と図４とを用いて説明する。はじめに
図２を用いて硬質カーボン膜の形成方法を説明する。図
２は本発明の実施形態における被膜形成方法における第
１の中間層と第２の中間層の上面に形成する硬質カーボ
ン膜の形成方法を示す断面図である。[Method of Forming Hard Carbon Film: FIGS. 2 and 3
And FIG. 4] Thereafter, a hard carbon film is formed on the guide bush 11 on which the second intermediate layer is formed. There are three methods for forming the hard carbon film, which will be described with reference to FIGS. 2, 3, and 4, respectively. First, a method for forming a hard carbon film will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method for forming a hard carbon film formed on the upper surfaces of the first intermediate layer and the second intermediate layer in the method for forming a film according to the embodiment of the present invention.
【０２６０】〔硬質カーボン膜の形成方法：図２〕図２
に示すように、ガス導入口６３と排気口６５とを有する
真空槽６１内に、硬質カーボン膜を形成するガイドブッ
シュ１１を配置する。そしてこのガイドブッシュ１１の
内周面には、接地電位に接続する補助電極７１を挿入す
るように設ける。このとき補助電極７１がガイドブッシ
ュ１１の開口中央部になるように配置する。[Method of forming hard carbon film: FIG. 2] FIG.
As shown in the figure, a guide bush 11 for forming a hard carbon film is disposed in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65. An auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner peripheral surface of the guide bush 11 so as to be inserted. At this time, the auxiliary electrode 71 is arranged so as to be located at the center of the opening of the guide bush 11.
【０２６１】そして真空槽６１内を真空度が３×１０-5
ｔｏｒｒになるように排気口６５から、図示しない排気
手段により真空排気する。その後、ガス導入口６３から
炭素を含むガスとしてベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）を真空槽６
１内に導入して、真空槽６１内の圧力を５×１０-3ｔｏ
ｒｒになるように制御する。Then, the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is 3 × 10 −5.
Vacuum is exhausted from the exhaust port 65 by an exhaust means (not shown) so that the pressure becomes torr. Thereafter, benzene (C6 H6) as a gas containing carbon is supplied from the gas inlet port 63 to the vacuum chamber 6.
1 and the pressure in the vacuum chamber 61 is increased to 5 × 10 −3 to
rr.
【０２６２】そしてアノード７９にはアノード電源７５
から直流電圧を印加し、さらにフィラメント８１にはフ
ィラメント電源７７から交流電圧を印加する。このとき
アノード電源７５からアノード７９に印加する直流電圧
はプラス１０Ｖを印加する。さらにまたフィラメント電
源７７からフィラメント８１に印加する電圧は３０Ａの
電流が流れるように１０Ｖの交流電圧を印加する。The anode 79 has an anode power supply 75.
, And an AC voltage is applied to the filament 81 from the filament power supply 77. At this time, the direct current voltage applied from the anode power supply 75 to the anode 79 is plus 10 V. Further, the voltage applied from the filament power supply 77 to the filament 81 is an AC voltage of 10 V so that a current of 30 A flows.
【０２６３】そしてガイドブッシュ１１には直流電源７
３から直流電圧を印加する。このときガイドブッシュ１
１には直流電源７３からマイナス３ｋＶを印加する。そ
して真空槽６１内に配置するガイドブッシュ１１の周囲
領域にプラズマを発生させ、ガイドブッシュ１１に硬質
カーボン膜を形成している。この硬質カーボン膜の形成
膜厚は１μｍから５μｍとする。The guide bush 11 has a DC power source 7
From step 3, a DC voltage is applied. At this time, guide bush 1
1 is applied with −3 kV from the DC power supply 73. Then, a plasma is generated in a region around the guide bush 11 arranged in the vacuum chamber 61, and a hard carbon film is formed on the guide bush 11. The formed film thickness of this hard carbon film is 1 μm to 5 μm.
【０２６４】この図２を用いて説明した硬質カーボン膜
の被膜形成方法においては、ガイドブッシュ１１の開口
内面に挿入するように配置し、接地電圧に接続する補助
電極７１により、ガイドブッシュ１１の外周部だけでな
く、ガイドブッシュ１１開口内面にもプラズマを形成す
ることができる。In the method for forming a hard carbon film coating described with reference to FIG. 2, the outer periphery of the guide bush 11 is arranged so as to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11 and connected to the ground voltage by the auxiliary electrode 71. Plasma can be formed not only on the portion but also on the inner surface of the opening of the guide bush 11.
【０２６５】このように本発明の硬質カーボン膜の形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入する補
助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。この
ため同電位どうしが対向している開口内面に、接地電位
に接続する補助電極７１を設けることになり、異常放電
であるホロー放電の発生はなく、硬質カーボン膜の密着
性が向上する。As described above, in the method for forming a hard carbon film of the present invention, the film forming process is performed by arranging the auxiliary electrode 71 to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11. For this reason, the auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other, so that the hollow discharge which is an abnormal discharge does not occur, and the adhesion of the hard carbon film is improved.
【０２６６】さらにガイドブッシュ１１の長手方向の開
口内面で、その電位特性が均一になり、内周面に形成す
る硬質カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と
開口奥側とのガイドブッシュ１１の開口全域にわたって
均一な膜厚で形成することができる。Further, the potential characteristics are uniform on the inner surface of the guide bush 11 in the longitudinal direction, the thickness distribution of the hard carbon film formed on the inner peripheral surface does not occur, and the guide between the end face of the opening and the back side of the opening is formed. The bush 11 can be formed with a uniform film thickness over the entire opening.
【０２６７】そのうえ前述のように硬質カーボン膜の下
層に形成する第１の中間層と第２の中間層も、ガイドブ
ッシュ１１の開口端面と開口奥側とで均一な膜厚で形成
することができる。このためストレスに起因する硬質カ
ーボン膜の剥離は発生しない。このような理由によっ
て、本発明の第１の中間層と第２の中間層と硬質カーボ
ン膜との形成方法においては、ガイドブッシュ１１に対
する硬質カーボン膜の密着性が良好となる。In addition, as described above, the first intermediate layer and the second intermediate layer formed below the hard carbon film can also be formed to have a uniform thickness on the open end face of the guide bush 11 and on the back side thereof. it can. Therefore, peeling of the hard carbon film due to stress does not occur. For this reason, in the method of forming the first intermediate layer, the second intermediate layer, and the hard carbon film of the present invention, the adhesion of the hard carbon film to the guide bush 11 is improved.
【０２６８】この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０２６９】〔硬質カーボン膜の形成方法：図３〕つぎ
に以上の説明と異なる本発明の実施形態における硬質カ
ーボン膜の形成方法を、図３を用いて説明する。図３は
本発明の実施形態における被膜形成方法における第２の
中間層上面に形成する硬質カーボン膜の形成方法を示す
断面図である。[Method of Forming Hard Carbon Film: FIG. 3] Next, a method of forming a hard carbon film according to an embodiment of the present invention, which is different from the above description, will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method for forming a hard carbon film formed on the upper surface of the second intermediate layer in the film forming method according to the embodiment of the present invention.
【０２７０】図３に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、内周面に第１の中間
層と第２の中間層を形成してあり、そして第２の中間層
上面に硬質カーボン膜を形成するガイドブッシュ１１を
配置する。As shown in FIG. 3, a first intermediate layer and a second intermediate layer are formed on the inner peripheral surface in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65. A guide bush 11 for forming a hard carbon film is disposed on the upper surface of the intermediate layer 2.
【０２７１】そして、このガイドブッシュ１１の開口内
には、接地電位に接続する補助電極７１を挿入するよう
に設ける。このとき補助電極７１は、ガイドブッシュ１
１の開口中央部になるように配置する。そして排気口６
５から真空槽６１内を図示しない排気手段により、その
真空度が３×１０-5ｔｏｒｒになるように真空排気す
る。An auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided in the opening of the guide bush 11. At this time, the auxiliary electrode 71 is
1 so that it is located at the center of the opening. And exhaust port 6
From 5, the inside of the vacuum chamber 61 is evacuated by evacuation means (not shown) so that the degree of vacuum becomes 3 × 10 -5 torr.
【０２７２】その後、ガス導入口６３から炭素を含むガ
スとしてメタン（ＣＨ4 ）を真空槽６１内に導入して、
真空度を０．１ｔｏｒｒになるように調整する。そして
ガイドブッシュ１１には、マッチング回路６７を介して
１３．５６ＭＨｚの発振周波数を有する高周波電源２１
から高周波電力を４００Ｗ印加する。Thereafter, methane (CH 4) as a gas containing carbon was introduced into the vacuum chamber 61 from the gas inlet 63,
Adjust the degree of vacuum to 0.1 torr. A high-frequency power supply 21 having an oscillation frequency of 13.56 MHz is provided to the guide bush 11 via a matching circuit 67.
, 400 W of high frequency power is applied.
【０２７３】さらにガイドブッシュ１１の開口内面で、
しかも開口中央部には、接地電圧を接続する補助電極７
１を挿入するように配置して、プラズマを発生させる。
このようにして第２の中間層上に１μｍから５μｍの膜
厚の硬質カーボン膜を形成する。Further, on the inner surface of the opening of the guide bush 11,
In addition, an auxiliary electrode 7 for connecting a ground voltage is provided at the center of the opening.
1 is inserted to generate plasma.
Thus, a hard carbon film having a thickness of 1 μm to 5 μm is formed on the second intermediate layer.
【０２７４】この図３を用いて説明した硬質カーボン膜
の被膜形成方法においては、ガイドブッシュ１１の開口
内面に挿入するように配置し、接地電圧に接続する補助
電極７１により、ガイドブッシュ１１の外周部だけでな
く、ガイドブッシュ１１開口内面にもプラズマを形成す
ることができる。In the method for forming a hard carbon film described with reference to FIG. 3, the outer periphery of the guide bush 11 is arranged so as to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11 and connected to the ground voltage by the auxiliary electrode 71. Plasma can be formed not only on the portion but also on the inner surface of the opening of the guide bush 11.
【０２７５】このように本発明の硬質カーボン膜の形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入する補
助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。この
ため同電位どうしが対向している開口内面に、接地電位
に接続する補助電極を設けることになり、異常放電であ
るホロー放電の発生はなく、硬質カーボン膜の密着性が
向上する。As described above, in the method of forming a hard carbon film according to the present invention, the film forming process is performed by arranging the auxiliary electrode 71 to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11. Therefore, an auxiliary electrode connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other, so that the hollow discharge which is an abnormal discharge does not occur, and the adhesion of the hard carbon film is improved.
【０２７６】さらにガイドブッシュ１１の長手方向の開
口内面で、その電位特性が均一になり、内周面に形成す
る硬質カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と
開口奥側とのガイドブッシュ１１の開口全域にわたって
均一な膜厚を形成することができる。Further, the potential characteristics are uniform on the inner surface of the opening of the guide bush 11 in the longitudinal direction, the thickness distribution of the hard carbon film formed on the inner peripheral surface is not generated, and the guide between the opening end surface and the back side of the opening is formed. A uniform film thickness can be formed over the entire opening of the bush 11.
【０２７７】そのうえ前述のように硬質カーボン膜の下
層に形成する第１の中間層と第２の中間層も、ガイドブ
ッシュ１１の開口端面と開口奥側とで均一な膜厚を形成
することができる。このためストレスに起因する硬質カ
ーボン膜の剥離は発生しない。このような理由によって
本発明の第１の中間層と第２の中間層と硬質カーボン膜
との形成方法においては、ガイドブッシュ１１に対する
硬質カーボン膜の密着性が良好となる。In addition, as described above, the first intermediate layer and the second intermediate layer formed below the hard carbon film can also be formed to have a uniform film thickness at the opening end face of the guide bush 11 and at the back of the opening. it can. Therefore, peeling of the hard carbon film due to stress does not occur. For these reasons, in the method of forming the first intermediate layer, the second intermediate layer, and the hard carbon film of the present invention, the adhesion of the hard carbon film to the guide bush 11 is improved.
【０２７８】なお補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０２７９】〔硬質カーボン膜の形成方法：図４〕つぎ
に以上の説明と異なる本発明の実施形態における硬質カ
ーボン膜の形成方法を、図４を用いて説明する。図４は
本発明の実施形態における被膜形成方法における第１の
中間層上面に形成する硬質カーボン膜の形成方法を示す
断面図である。[Method of Forming Hard Carbon Film: FIG. 4] Next, a method of forming a hard carbon film according to an embodiment of the present invention which is different from the above description will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a method for forming a hard carbon film formed on the upper surface of the first intermediate layer in the method for forming a film according to the embodiment of the present invention.
【０２８０】図４に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、内周面に第１の中間
層と第２の中間層を形成してあり、この第２の中間層の
上面に硬質カーボン膜を形成するガイドブッシュ１１を
配置する。そしてこのガイドブッシュ１１の開口内面に
は、接地電位に接続する補助電極７１を挿入するように
設ける。このとき、補助電極７１がガイドブッシュ１１
の開口中央部になるように配置する。As shown in FIG. 4, a first intermediate layer and a second intermediate layer are formed on the inner peripheral surface in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65. A guide bush 11 for forming a hard carbon film is disposed on the upper surface of the second intermediate layer. An auxiliary electrode 71 connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening of the guide bush 11. At this time, the auxiliary electrode 71 is
Is arranged at the center of the opening.
【０２８１】そして真空槽６１内を真空度が３×１０-5
ｔｏｒｒになるように排気口６５から、図示しない排気
手段によって真空排気する。その後、ガス導入口６３か
ら炭素を含むガスとしてメタン（ＣＨ4 ）を真空槽６１
内に導入して、真空槽６１内の真空度が０．１ｔｏｒｒ
になるように制御する。そしてガイドブッシュ１１には
直流電源７３から直流電圧を印加する。このときガイド
ブッシュ１１には直流電源７３からマイナス６００Ｖを
印加する。このようにして膜厚が１μｍから５μｍの硬
質カーボン膜を第２の中間層上に形成する。Then, the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is set to 3 × 10 −5.
Vacuum is exhausted from the exhaust port 65 by an exhaust means (not shown) so that the pressure becomes torr. Thereafter, methane (CH4) as a gas containing carbon is supplied from the gas inlet 63 to the vacuum chamber 61.
And the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is 0.1 torr.
Control so that Then, a DC voltage is applied to the guide bush 11 from a DC power supply 73. At this time, −600 V is applied to the guide bush 11 from the DC power supply 73. Thus, a hard carbon film having a thickness of 1 μm to 5 μm is formed on the second intermediate layer.
【０２８２】この図４を用いて説明した硬質カーボン膜
の被膜形成方法においては、ガイドブッシュ１１の開口
内面に挿入するように配置し、接地電圧に接続する補助
電極７１により、ガイドブッシュ１１の外周部だけでな
く、ガイドブッシュ１１開口内面にもプラズマを形成す
ることができる。In the method of forming a hard carbon film coating described with reference to FIG. 4, the outer periphery of the guide bush 11 is arranged so as to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11 and connected to the ground voltage by the auxiliary electrode 71. Plasma can be formed not only on the portion but also on the inner surface of the opening of the guide bush 11.
【０２８３】このように本発明の硬質カーボン膜の形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入する補
助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。この
ため同電位どうしが対向している開口内面に、接地電位
に接続する補助電極を設けることになり、異常放電であ
るホロー放電の発生はなく、硬質カーボン膜の密着性が
向上する。As described above, in the method for forming a hard carbon film according to the present invention, the auxiliary electrode 71 to be inserted into the inner surface of the opening of the guide bush 11 is disposed to perform the film forming process. Therefore, an auxiliary electrode connected to the ground potential is provided on the inner surface of the opening where the same potentials are opposed to each other, so that the hollow discharge which is an abnormal discharge does not occur, and the adhesion of the hard carbon film is improved.
【０２８４】さらにガイドブッシュ１１の長手方向の開
口内面で、その電位特性が均一になり、内周面に形成す
る硬質カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と
開口奥側とで均一な膜厚を形成することができる。その
うえ硬質カーボン膜の下層に形成する第１の中間層と第
２の中間層も、前述のようにガイドブッシュ１１の開口
端面と開口奥側とで均一な膜厚を形成することができ
る。このためストレスに起因する硬質カーボン膜の剥離
は発生しない。このような理由によって本発明の第１の
中間層と第２の中間層と硬質カーボン膜との形成方法に
おいては、ガイドブッシュ１１に対する硬質カーボン膜
の密着性が良好となる。Further, the potential characteristics are uniform on the inner surface of the opening in the longitudinal direction of the guide bush 11, and there is no occurrence of a film thickness distribution of the hard carbon film formed on the inner peripheral surface. A large film thickness can be formed. In addition, the first intermediate layer and the second intermediate layer formed below the hard carbon film can also have a uniform thickness on the open end face of the guide bush 11 and on the back side of the opening as described above. Therefore, peeling of the hard carbon film due to stress does not occur. For these reasons, in the method of forming the first intermediate layer, the second intermediate layer, and the hard carbon film of the present invention, the adhesion of the hard carbon film to the guide bush 11 is improved.
【０２８５】この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにす
る。さらに補助電極７１は、ガイドブッシュ１１に補助
電極７１を挿入したとき開口長さとほぼ同じにするか、
あるいはガイドブッシュ１１の開口端面から内側に２ｍ
ｍから３ｍｍ短くするか、あるいはガイドブッシュ１１
より補助電極７１を突出するように構成する。The auxiliary electrode 71 is connected to the guide bush 11
It is sufficient that the gap is smaller than the opening size, and a gap of about 4 mm, that is, a plasma forming region is provided. Furthermore, when the auxiliary electrode 71 is inserted into the guide bush 11 and has an opening length substantially the same as that of the auxiliary electrode 71,
Alternatively, 2 m inward from the open end face of the guide bush 11
3 mm shorter than m or guide bush 11
The auxiliary electrode 71 is configured to protrude more.
【０２８６】以上、図１と図６と図７とを用いて説明し
た本発明の実施形態における第１の中間層の形成方法お
いては、ガイドブッシュ１１は接地電位に接続する実施
形態で説明したが、ガイドブッシュ１１には直流電源を
用いて直流負電圧を印加してもよい。そしてこのときも
以上の説明と同じように、第１の中間層の膜厚を開口端
部と開口奥側とで均一な膜厚に形成することができる。In the method of forming the first intermediate layer according to the embodiment of the present invention described above with reference to FIGS. 1, 6 and 7, the description is made in the embodiment where the guide bush 11 is connected to the ground potential. However, a DC negative voltage may be applied to the guide bush 11 using a DC power supply. Also in this case, as in the above description, the thickness of the first intermediate layer can be formed to be uniform at the opening end and at the back of the opening.
【０２８７】以上、図１と図６と図７とを用いて説明し
た本発明の実施形態における第１の中間層の形成方法お
いては、第１の中間層としてチタン膜で構成する例で説
明したが、クロム膜やアルミニウム膜も第１の中間層材
料として適用することができる。さらに第１の中間層と
して、チタン−シリコン合金や、カーボン−シリコン合
金や、クロム−シリコン合金や、チタン−ゲルマニウム
合金や、クロム−ゲルマニウム合金や、あるいはアルミ
ニウム−シリコン合金も、第１の中間層材料として適用
することができる。In the method of forming the first intermediate layer according to the embodiment of the present invention described above with reference to FIGS. 1, 6, and 7, an example in which the first intermediate layer is formed of a titanium film. Although described, a chromium film or an aluminum film can also be applied as the first intermediate layer material. Further, as the first intermediate layer, a titanium-silicon alloy, a carbon-silicon alloy, a chromium-silicon alloy, a titanium-germanium alloy, a chromium-germanium alloy, or an aluminum-silicon alloy may be used as the first intermediate layer. Can be applied as material.
【０２８８】さらに第２の中間層の形成方法において、
シリコンを含むガスとしてモノシランを使用する実施形
態で説明したが、ジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）も適用するこ
とができる。さらにモノシランやジシランなどのシリコ
ンを含むガスに水素（Ｈ2 ）やヘリウム（Ｈｅ）やアル
ゴン（Ａｒ）を添加してもよい。さらに、モノシランや
ジシランなどのシリコンを含むガスにメタンやエチレン
などの炭素を含むガスを混合してもよい。この場合は第
２の中間層として、シリコン−カーボン合金膜が形成で
きる。さらにまた第２の中間層としてはシリコン以外に
ゲルマニウムも適用することができる。Further, in the second method for forming the intermediate layer,
Although the embodiment using monosilane as the gas containing silicon has been described, disilane (Si2 H6) can also be applied. Further, hydrogen (H2), helium (He), or argon (Ar) may be added to a silicon-containing gas such as monosilane or disilane. Further, a gas containing carbon such as methane or ethylene may be mixed with a gas containing silicon such as monosilane or disilane. In this case, a silicon-carbon alloy film can be formed as the second intermediate layer. Furthermore, germanium can be applied as the second intermediate layer in addition to silicon.
【０２８９】このように２層膜構造の中間層を採用する
と、下層の第１の中間層であるチタンやクロムやアルミ
ニウムはガイドブッシュ１１との密着性を保つ役割をも
ち、上層の第２の中間層であるシリコンやゲルマニウム
は硬質カーボン膜と共有結合して、この硬質カーボン膜
と強く結合する役割をもつ。When the intermediate layer having the two-layer film structure is employed, titanium, chromium, and aluminum, which are the lower first intermediate layers, have a function of maintaining the adhesion to the guide bush 11, and the upper second layer. Silicon and germanium, which are intermediate layers, are covalently bonded to the hard carbon film and have a role of strongly bonding to the hard carbon film.
【０２９０】図２から図４を用いて説明した本発明の硬
質カーボン膜の形成方法における以上の説明において
は、硬質カーボン膜はガイドブッシュ１１の外周部と開
口内面とにプラズマが形成されることから、ガイドブッ
シュ１１の外周部と開口内面とに形成される。しかし以
下に記載する手段を用いれば、ガイドブッシュ１１の内
周面にのみに硬質カーボン膜を形成するすることができ
る。In the above description of the method for forming a hard carbon film of the present invention described with reference to FIGS. 2 to 4, the hard carbon film is formed on the outer peripheral portion of the guide bush 11 and on the inner surface of the opening. Therefore, it is formed on the outer peripheral portion of the guide bush 11 and the inner surface of the opening. However, if the means described below is used, a hard carbon film can be formed only on the inner peripheral surface of the guide bush 11.
【０２９１】そのときは、ガイドブッシュ１１の外周部
に被覆部材を配置する方法や、簡易的にはアルミニウム
箔をガイドブッシュ１１の外周部に巻き付けるように形
成する方法を採用する。In this case, a method of arranging a covering member on the outer peripheral portion of the guide bush 11 or a method of simply forming an aluminum foil around the outer peripheral portion of the guide bush 11 is adopted.
【０２９２】さらに図１から図４と図６と図７を用いて
説明した本発明の第１の中間層と第２の中間層と硬質カ
ーボン膜の形成方法においては、第１の中間層と第２の
中間層と硬質カーボン膜とは、別の装置で形成する方法
と、同一の装置を用いて連続して形成する方法とのいず
れかの被膜形成を採用すればよい。Further, in the method of forming the first intermediate layer, the second intermediate layer, and the hard carbon film of the present invention described with reference to FIGS. 1 to 4, 6 and 7, the first intermediate layer The second intermediate layer and the hard carbon film may be formed by any one of a method of forming the second intermediate layer and the hard carbon film by another apparatus or a method of continuously forming the same using the same apparatus.
【０２９３】図２と図３と図４とを用いて説明した本発
明の第２の中間層と硬質カーボン膜との形成方法におけ
る以上の実施形態の説明においては、ガイドブッシュ１
１の開口内に配置する補助電極には接地電位に接続する
形態で説明した。しかし補助電極７１に直流電源から直
流の正電圧を印加して硬質カーボン膜を形成する方法を
採用してもよい。このようにガイドブッシュ１１の開口
内面に配置する補助電極７１に直流の正電圧を印加して
第２の中間層と硬質カーボン膜を形成すると、以下に記
載する効果をもつ。In the description of the above embodiment of the method of forming the second intermediate layer and the hard carbon film of the present invention described with reference to FIG. 2, FIG. 3, and FIG.
In the description, the auxiliary electrode arranged in one opening is connected to the ground potential. However, a method of applying a DC positive voltage from a DC power supply to the auxiliary electrode 71 to form a hard carbon film may be employed. Applying a DC positive voltage to the auxiliary electrode 71 disposed on the inner surface of the opening of the guide bush 11 to form the second intermediate layer and the hard carbon film as described above has the following effects.
【０２９４】すなわち直流正電圧を補助電極７１に印加
すると、この補助電極７１の周囲領域に電子を集める効
果を生じ、補助電極７１の周囲領域は電子密度が高くな
る。このように電子密度が高くなると、必然的に炭素を
含む分子と電子との衝突確率が増え、ガス分子のイオン
化が促進され、その補助電極７１の周囲領域のプラズマ
密度が高くなる。That is, when a DC positive voltage is applied to the auxiliary electrode 71, an effect of collecting electrons in the region around the auxiliary electrode 71 is produced, and the region around the auxiliary electrode 71 has a high electron density. When the electron density is increased in this way, the collision probability between the molecule including carbon and the electrons is inevitably increased, ionization of gas molecules is promoted, and the plasma density in the region around the auxiliary electrode 71 is increased.
【０２９５】このため補助電極７１に直流の正電圧を印
加して第２の中間層と硬質カーボン膜を形成する実施形
態においては、第２の中間層と硬質カーボン膜の被膜形
成速度は、補助電極７１にこのように直流の正電圧を印
加しないときと比らべて高くなる。さらにガイドブッシ
ュ１１の開口の大きさが小さくなり、開口内面と補助電
極７１との隙間寸法が小さくなると、補助電極７１に直
流の正電圧を印加しないで第２の中間層と硬質カーボン
膜を形成すると、ガイドブッシュ１１の開口内面にプラ
ズマが発生せず、被膜形成ができない。For this reason, in the embodiment in which a DC positive voltage is applied to the auxiliary electrode 71 to form the second intermediate layer and the hard carbon film, the film forming speed of the second intermediate layer and the hard carbon film is limited by the auxiliary speed. In this case, the voltage is higher than when no DC positive voltage is applied to the electrode 71. Further, when the size of the opening of the guide bush 11 is reduced and the gap between the inner surface of the opening and the auxiliary electrode 71 is reduced, the second intermediate layer and the hard carbon film are formed without applying a DC positive voltage to the auxiliary electrode 71. Then, no plasma is generated on the inner surface of the opening of the guide bush 11 and a film cannot be formed.
【０２９６】これに対して補助電極７１に直流正電圧を
印加して硬質カーボン膜と第２の中間層を形成する実施
形態においては、開口内面に配置する補助電極７１に直
流の電源から直流正電圧を印加して電子を強制的に補助
電極７１の周囲領域に集めることができる。このため、
補助電極７１の周囲にプラズマを発生させることができ
る。On the other hand, in the embodiment in which a DC positive voltage is applied to the auxiliary electrode 71 to form the hard carbon film and the second intermediate layer, a DC power supply is applied to the auxiliary electrode 71 disposed on the inner surface of the opening. By applying a voltage, electrons can be forcibly collected in a region around the auxiliary electrode 71. For this reason,
Plasma can be generated around the auxiliary electrode 71.
【０２９７】したがって、直流の正電圧を補助電極７１
に印加しないで硬質カーボン膜を形成する実施形態で被
膜形成ができない開口大きさが小さいガイドブッシュ１
１にも、直流正電圧を印加する補助電極７１を用いて被
膜形成する実施形態を適用すれば、第２の中間層と硬質
カーボン膜の膜形成が可能となる。Therefore, a DC positive voltage is applied to the auxiliary electrode 71.
Guide bush 1 having a small opening size in which a hard carbon film cannot be formed in the embodiment in which a hard carbon film is formed without being applied
If the embodiment in which a film is formed using the auxiliary electrode 71 to which a DC positive voltage is applied is applied to 1, the film formation of the second intermediate layer and the hard carbon film becomes possible.
【０２９８】そして好ましくは、同一の装置を用いて連
続して第１の中間層と第２の中間層と硬質カーボン膜と
を形成する方法を採用するほうがよい。この理由は、こ
の第１の中間層と第２の中間層と硬質カーボン膜との被
膜の相互の密着性が向上するためである。そして同一の
装置を用いて連続して第１の中間層と第２の中間層と硬
質カーボン膜とを形成するときは、第１の中間層を形成
後、補助電極７１を接地電位とし、ガイドブッシュ１１
に直流負電圧または高周波電力を印加し、さらにガス導
入口６３から導入するガスを炭素を含むガスに変えれば
よい。Preferably, a method in which the first intermediate layer, the second intermediate layer, and the hard carbon film are successively formed using the same apparatus is more preferable. The reason for this is that the mutual adhesion between the first intermediate layer, the second intermediate layer, and the hard carbon film is improved. When the first intermediate layer, the second intermediate layer, and the hard carbon film are successively formed by using the same apparatus, the auxiliary electrode 71 is set to the ground potential after the formation of the first intermediate layer, and the guide is formed. Bush 11
, A DC negative voltage or a high-frequency power may be applied, and the gas introduced from the gas inlet 63 may be changed to a gas containing carbon.
【０２９９】さらに図２から図４を用いて説明した本発
明の硬質カーボン膜の形成方法における以上の実施形態
の説明においては、炭素を含むガスとしてメタンガスや
ベンゼンガスを用いる実施形態で説明したが、メタン以
外にエチレンなどの炭素を含むガスや、あるいはヘキサ
ンなどの炭素を含む液体の蒸発蒸気も使用することがで
きる。In the above description of the embodiment of the method for forming a hard carbon film of the present invention described with reference to FIGS. 2 to 4, the embodiment using methane gas or benzene gas as the gas containing carbon has been described. Alternatively, a gas containing carbon such as ethylene in addition to methane, or a vapor of a liquid containing carbon such as hexane may be used.
【０３００】[0300]
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
被膜形成方法における硬質カーボン膜と第２の中間層の
形成方法では、ガイドブッシュの開口内面の開口の中央
部に、接地電位に接続する補助電極を配置して硬質カー
ボン膜と第２の中間層を被膜形成する。そして第２の中
間層と硬質カーボン膜を形成するガイドブッシュには、
負の直流電圧または高周波電力を印加する。As is apparent from the above description, in the method for forming the hard carbon film and the second intermediate layer in the method for forming a film according to the present invention, the ground potential is applied to the center of the opening on the inner surface of the opening of the guide bush. An auxiliary electrode to be connected is arranged, and a hard carbon film and a second intermediate layer are formed. And the guide bush forming the second intermediate layer and the hard carbon film includes:
Apply a negative DC voltage or high-frequency power.
【０３０１】その結果、同電位の電極どうしが対向して
いるガイドブッシュ開口内面に、接地電位に接続する補
助電極を設けることとなり、同電位同士が対向すること
がなくなる。このような電位状態は、プラスマ化学気相
成長法にとってもっとも望ましい状態であり、異常放電
であるホロー放電は発生しない。そのために、密着性の
良好な第２の中間層と硬質カーボン膜とをガイドブッシ
ュの内周面に被膜形成することができる。As a result, an auxiliary electrode connected to the ground potential is provided on the inner surface of the guide bush opening where the electrodes of the same potential face each other, and the same potential does not face each other. Such a potential state is the most desirable state for plasma enhanced chemical vapor deposition, and an abnormal discharge, ie, a hollow discharge, does not occur. Therefore, the second intermediate layer having good adhesion and the hard carbon film can be formed on the inner peripheral surface of the guide bush.
【０３０２】さらに本発明の被膜形成方法における硬質
カーボン膜と第２の中間層の形成方法においては、接地
電位に接続する補助電極をガイドブッシュの開口内面に
配置しており、ガイドブッシュの長手方向の開口内面で
電位特性が均一になる。この結果、内周面に形成する第
２の中間層と硬質カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、
ガイドブッシュの開口端面と開口奥側との全域にわたっ
て均一な膜厚を形成することができるという効果もも
つ。Further, in the method for forming the hard carbon film and the second intermediate layer in the method for forming a coating film according to the present invention, the auxiliary electrode connected to the ground potential is disposed on the inner surface of the opening of the guide bush, and the longitudinal direction of the guide bush is The potential characteristics become uniform on the inner surface of the opening. As a result, there is no thickness distribution between the second intermediate layer and the hard carbon film formed on the inner peripheral surface,
This also has the effect that a uniform film thickness can be formed over the entire area between the opening end face of the guide bush and the back side of the opening.
【０３０３】さらに本発明のガイドブッシュ内周面への
被膜形成方法においては、ガイドブッシュの開口内面に
配置する補助電極に直流の正電圧を印加して硬質カーボ
ン膜と第２の中間層を形成している。このように直流正
電圧を補助電極に印加すると、この補助電極の周囲領域
に電子を集める効果を生じ、補助電極の周囲領域は電子
密度が高くなる。このように電子密度が高くなると、必
然的に炭素やシリコンを含むガス分子と電子との衝突確
率が増えて、ガス分子のイオン化が促進され、その補助
電極の周囲領域のプラズマ密度が高くなる。Further, in the method for forming a coating on the inner peripheral surface of the guide bush of the present invention, a DC positive voltage is applied to the auxiliary electrode disposed on the inner surface of the opening of the guide bush to form the hard carbon film and the second intermediate layer. doing. When a DC positive voltage is applied to the auxiliary electrode in this manner, an effect of collecting electrons in a region around the auxiliary electrode occurs, and the region around the auxiliary electrode has a high electron density. When the electron density is increased as described above, the probability of collision between electrons and gas molecules including carbon and silicon is inevitably increased, ionization of the gas molecules is promoted, and the plasma density in the region around the auxiliary electrode is increased.
【０３０４】このため補助電極に直流の正電圧を印加し
て硬質カーボン膜と第２の中間層を形成する実施形態で
は、硬質カーボン膜と第２の中間層の被膜形成速度は、
補助電極にこのように直流の正電圧を印加しないときと
比らべて高くなる。さらにガイドブッシュの開口の大き
さが小さくなり、開口内面と補助電極との隙間寸法が小
さくなると、補助電極に直流の正電圧を印加しないで第
２野中間層や硬質カーボン膜を形成すると、ガイドブッ
シュの開口内面にプラズマが発生せず、被膜形成ができ
ない。Therefore, in the embodiment in which a DC positive voltage is applied to the auxiliary electrode to form the hard carbon film and the second intermediate layer, the film forming speed of the hard carbon film and the second intermediate layer is:
In this case, the voltage is higher than when no DC positive voltage is applied to the auxiliary electrode. Further, when the size of the opening of the guide bush is reduced and the gap between the inner surface of the opening and the auxiliary electrode is reduced, the second intermediate layer or the hard carbon film is formed without applying a DC positive voltage to the auxiliary electrode. Plasma is not generated on the inner surface of the opening of the bush, and a film cannot be formed.
【０３０５】これに対して補助電極に直流正電圧を印加
して硬質カーボン膜や第２の中間層を形成する方法にお
いては、開口内面に配置する補助電極に直流の電源から
直流正電圧を印加して電子を強制的に補助電極の周囲領
域に集めることができる。このため、補助電極の周囲に
プラズマを発生させることができる。したがって直流の
正電圧を補助電極に印加しないで硬質カーボン膜や第２
の中間層を形成する方法で被膜形成ができない開口大き
さが小さいガイドブッシュにも、直流正電圧を印加する
補助電極を用いて被膜形成する方法を適用すれば、硬質
カーボン膜や第２の中間層の膜形成が可能となる。On the other hand, in the method in which a DC positive voltage is applied to the auxiliary electrode to form the hard carbon film or the second intermediate layer, a DC positive voltage is applied from a DC power source to the auxiliary electrode disposed on the inner surface of the opening. As a result, the electrons can be forcibly collected in the region around the auxiliary electrode. Therefore, plasma can be generated around the auxiliary electrode. Therefore, without applying a DC positive voltage to the auxiliary electrode,
If a method of forming a film using an auxiliary electrode for applying a positive DC voltage is applied to a guide bush having a small opening size, which cannot form a film by the method of forming an intermediate layer, a hard carbon film or a second intermediate film can be formed. It becomes possible to form a layer.
【０３０６】さらにまた本発明の被膜形成方法における
第１の中間層の形成方法では、ガイドブッシュの開口内
に第１の中間層材料からなる補助電極を配置して、補助
電極と開口内面との間にプラズマ発生させ、あるいは抵
抗加熱蒸着法によって、ガイドブッシュ内周面に第１の
中間層を形成している。このためガイドブッシュの内周
面の全域にわって均一な膜厚分布で第１の中間層を形成
することができる。このため第１の中間層の膜厚が薄膜
化することに起因する硬質カーボン膜の剥離は発生しな
い。Further, in the method of forming a first intermediate layer in the method of forming a coating film of the present invention, an auxiliary electrode made of a first intermediate layer material is disposed in the opening of the guide bush, and the auxiliary electrode and the inner surface of the opening are formed. A first intermediate layer is formed on the inner peripheral surface of the guide bush by generating plasma during the heating or by a resistance heating evaporation method. Therefore, the first intermediate layer can be formed with a uniform film thickness distribution over the entire inner peripheral surface of the guide bush. Therefore, the hard carbon film does not peel off due to the thinning of the first intermediate layer.
【０３０７】このように本発明の被膜形成方法において
は、ガイドブッシュに対する硬質カーボン膜の密着性が
良好となる。As described above, in the film forming method of the present invention, the adhesion of the hard carbon film to the guide bush is improved.
【図１】本発明の実施形態におけるガイドブッシュ内周
面への被膜形成方法のうち第１の中間層の形成方法を示
す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a first intermediate layer in a method of forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施形態におけるガイドブッシュ内周
面への被膜形成方法のうち第２の中間層と硬質カーボン
膜の形成方法を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a second intermediate layer and a hard carbon film in a method of forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施形態におけるガイドブッシュ内周
面への被膜形成方法のうち第２の中間層と硬質カーボン
膜の形成方法を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a second intermediate layer and a hard carbon film in a method of forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush according to an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施形態におけるガイドブッシュ内周
面への被膜形成方法のうち第２の中間層と硬質カーボン
膜の形成方法を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a second intermediate layer and a hard carbon film in the method of forming a film on the inner peripheral surface of the guide bush according to the embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施形態と従来技術により形成した被
膜の膜厚と開口端からの距離との関係を示すグラフであ
る。FIG. 5 is a graph showing the relationship between the thickness of a film formed according to an embodiment of the present invention and a conventional technique and the distance from an opening end.
【図６】本発明の実施形態におけるガイドブッシュ内周
面への被膜形成方法のうち第１の中間層の形成方法を示
す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a first intermediate layer among methods of forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush according to the embodiment of the present invention.
【図７】本発明の実施形態におけるガイドブッシュ内周
面への被膜形成方法のうち第１の中間層の形成方法を示
す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a first intermediate layer among methods of forming a film on the inner peripheral surface of the guide bush according to the embodiment of the present invention.
【図８】本発明の実施形態におけるガイドブッシュを使
用する旋盤の主軸近傍を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing the vicinity of a main shaft of a lathe using a guide bush according to the embodiment of the present invention.
【図９】本発明の実施形態におけるガイドブッシュを使
用する旋盤の主軸近傍を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing the vicinity of a main shaft of a lathe using a guide bush according to the embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の実施形態におけるその内周面に被膜
形成方法するガイドブッシュを示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a guide bush for forming a film on the inner peripheral surface according to the embodiment of the present invention.
【図１１】従来技術におけるガイドブッシュ内周面への
被膜形成方法のうち中間層の形成方法を示す断面図であ
る。FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a method of forming an intermediate layer in a method of forming a coating film on an inner peripheral surface of a guide bush in the related art.
【図１２】従来技術におけるガイドブッシュ内周面への
被膜形成方法のうち硬質カーボン膜の形成方法を示す断
面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a method of forming a hard carbon film in a method of forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush according to a conventional technique.
１１ ガイドブッシュ ５１ 被加工物 ６１ 真空槽 ６３ ガス導入口 ６５ 排気口 ６７ マッチング回路 ６９ 高周波電源 ７１ 補助電極 ７３ 直流電源 ７５ アノード電源 ７７ フィラメント電源 ７９ アノード ８１ フィラメント ８３ａ 補助電極電源 11 Guide Bush 51 Workpiece 61 Vacuum Chamber 63 Gas Inlet 65 Exhaust Port 67 Matching Circuit 69 High Frequency Power Supply 71 Auxiliary Electrode 73 DC Power Supply 75 Anode Power Supply 77 Filament Power Supply 79 Anode 81 Filament 83a Auxiliary Electrode Power Supply
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 戸井田 孝志 埼玉県所沢市大字下富字武野840番地 シ チズン時計株式会社所沢事業所内 (72)発明者 関根 敏一 東京都田無市本町６丁目１番12号 シチズ ン時計株式会社田無製造所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Takashi Toida 840 Takeno, Shimotomi, Tokorozawa-shi, Saitama Citizen Watch Co., Ltd. No. 12 Citizen Watch Co., Ltd. Tanashi Factory
Claims (27)
筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ
面とそれに弾力をもたせるための摺り割りを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、ガイドブッシュは接地電位
に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを
導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加
してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズ
マを発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間層を
形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気したのち、
ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガス
を真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加
し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内
周面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、
ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
イドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧
を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。1. A substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, an outer peripheral tapered surface formed at one end in a longitudinal direction and a slit for providing elasticity thereto, and a slit at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. Workpiece inserted into the opening,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by the inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted. The guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, and a vacuum is applied. After evacuation of the chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, and a DC negative voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power source to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, thereby forming an inner periphery of the guide bush. A first intermediate layer is formed on the surface, and then the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. , After evacuating the vacuum chamber,
A gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and a plasma is generated. Forming a second intermediate layer on the inner peripheral surface, and further arranging the guide bush in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush; After exhausting the inside,
A gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and the inner periphery of the guide bush is generated. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush, comprising forming a hard carbon film on the surface.
筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ
面とそれに弾力をもたせるための摺り割りを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、ガイドブッシュは接地電位
に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを
導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加
してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズ
マを発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間層を
形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気したのち、
ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガス
を真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加
し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内
周面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに高周波電力を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。2. A substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. Workpiece inserted into the opening,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by the inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted. The guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, and a vacuum is applied. After evacuation of the chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, and a DC negative voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power source to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, thereby forming an inner periphery of the guide bush. A first intermediate layer is formed on the surface, and then the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. , After evacuating the vacuum chamber,
A gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and a plasma is generated. A second intermediate layer is formed on the inner peripheral surface, and then the guide bush is arranged in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuation of the chamber, introducing a gas containing carbon from the gas inlet into the vacuum chamber, applying high-frequency power to the guide bush to generate plasma, and forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush A method for forming a film on the inner peripheral surface of a guide bush, characterized by the following.
筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ
面とそれに弾力をもたせるための摺り割りを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、ガイドブッシュは接地電位
に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを
導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加
してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズ
マを発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間層を
形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気したのち、
ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガス
を真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加
し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内
周面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発
生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜
形成方法。3. It has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. Workpiece inserted into the opening,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by the inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted. The guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, and a vacuum is applied. After evacuation of the chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, and a DC negative voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power source to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, thereby forming an inner periphery of the guide bush. A first intermediate layer is formed on the surface, and then the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. , After evacuating the vacuum chamber,
A gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and a plasma is generated. A second intermediate layer is formed on the inner peripheral surface, and then the guide bush is arranged in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuation of the chamber, a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma to form a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush. A method for forming a film on the inner peripheral surface of a guide bush, characterized by the following.
筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ
面とそれに弾力をもたせるための摺り割りを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、ガイドブッシュは接地電位
に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを
導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加
してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズ
マを発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間層を
形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気したの
ち、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電力
を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周
面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに高周波電力を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。4. A substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, an outer peripheral tapered surface and a slit for providing elasticity are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. Workpiece inserted into the opening,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by the inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted. The guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, and a vacuum is applied. After evacuation of the chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, and a DC negative voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power source to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, thereby forming an inner periphery of the guide bush. Forming a first intermediate layer on the surface, and then disposing the guide bush in the vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuation of the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, and high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma, thereby forming a plasma on the inner peripheral surface of the guide bush. Then, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. A guide characterized in that a gas containing carbon is introduced into a vacuum chamber from a gas inlet, high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma, and a hard carbon film is formed on the inner peripheral surface of the guide bush. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of the bush.
筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ
面とそれに弾力をもたせるための摺り割りを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、ガイドブッシュは接地電位
に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを
導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加
してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズ
マを発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間層を
形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気したの
ち、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電力
を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周
面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、
ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
イドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧
を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。5. A substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, an outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity to the tapered surface are formed at one end in the longitudinal direction, and the other end is formed at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. Workpiece inserted into the opening,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by the inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted. The guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, and a vacuum is applied. After evacuation of the chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, and a DC negative voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power source to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, thereby forming an inner periphery of the guide bush. Forming a first intermediate layer on the surface, and then disposing the guide bush in the vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuation of the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, and high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma, thereby forming a plasma on the inner peripheral surface of the guide bush. After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush.
A gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and the inner periphery of the guide bush is generated. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush, comprising forming a hard carbon film on the surface.
筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ
面とそれに弾力をもたせるための摺り割りを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、ガイドブッシュは接地電位
に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを
導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加
してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズ
マを発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間層を
形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気したの
ち、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電力
を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周
面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発
生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜
形成方法。6. A substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. Workpiece inserted into the opening,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by the inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted. The guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, and a vacuum is applied. After evacuation of the chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, and a DC negative voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power source to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, thereby forming an inner periphery of the guide bush. Forming a first intermediate layer on the surface, and then disposing the guide bush in the vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuation of the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, and high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma, thereby forming a plasma on the inner peripheral surface of the guide bush. Then, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. A guide characterized by introducing a gas containing carbon into a vacuum chamber from a gas inlet, applying a DC voltage to the guide bush to generate plasma, and forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of the bush.
筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ
面とそれに弾力をもたせるための摺り割りを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、ガイドブッシュは接地電位
に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを
導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加
してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズ
マを発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間層を
形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気したの
ち、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を
印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面
に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発
生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜
形成方法。7. A substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. Workpiece inserted into the opening,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by the inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted. The guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, and a vacuum is applied. After evacuation of the chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, and a DC negative voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power source to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, thereby forming an inner periphery of the guide bush. Forming a first intermediate layer on the surface, and then disposing the guide bush in the vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage into the inner surface of the opening of the guide bush. After exhausting the inside of the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma, thereby forming a plasma on the inner peripheral surface of the guide bush. Then, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. A guide characterized by introducing a gas containing carbon into a vacuum chamber from a gas inlet, applying a DC voltage to the guide bush to generate plasma, and forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of the bush.
筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ
面とそれに弾力をもたせるための摺り割りを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、ガイドブッシュは接地電位
に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを
導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加
してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズ
マを発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間層を
形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気したの
ち、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を
印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面
に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに高周波電力を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。8. A substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, an outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. Workpiece inserted into the opening,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by the inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted. The guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, and a vacuum is applied. After evacuation of the chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, and a DC negative voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power source to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, thereby forming an inner periphery of the guide bush. Forming a first intermediate layer on the surface, and then disposing the guide bush in the vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage into the inner surface of the opening of the guide bush. After exhausting the inside of the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma, thereby forming a plasma on the inner peripheral surface of the guide bush. Then, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. A guide characterized in that a gas containing carbon is introduced into a vacuum chamber from a gas inlet, high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma, and a hard carbon film is formed on the inner peripheral surface of the guide bush. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of the bush.
筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テーパ
面とそれに弾力をもたせるための摺り割りを形成し、他
端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ部を有
し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工物を保
持するための内周面を形成しており、自動旋盤に取り付
けられることにより中心開口に挿入された被加工物を、
この被加工物を保持する内周面によって切削工具の近く
にて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイドブッ
シュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、ガイドブッシュは接地電位
に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを
導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加
してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズ
マを発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間層を
形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気したの
ち、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を
印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面
に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、
ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
イドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧
を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。9. A substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, an outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. Workpiece inserted into the opening,
A method of forming a coating on an inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece so as to be rotatable and axially slidable near a cutting tool by the inner peripheral surface, the auxiliary electrode being provided in an opening of the guide bush. A guide bush is arranged in a vacuum chamber so as to be connected to a power supply and an auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted. The guide bush is connected to a ground potential or a DC negative voltage is applied from a DC power supply, and a vacuum is applied. After evacuation of the chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, and a DC negative voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power source to generate plasma around the auxiliary electrode in the opening of the guide bush, thereby forming an inner periphery of the guide bush. Forming a first intermediate layer on the surface, and then disposing the guide bush in the vacuum chamber so as to insert an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage into the inner surface of the opening of the guide bush. After exhausting the inside of the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma, thereby forming a plasma on the inner peripheral surface of the guide bush. After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush.
A gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and the inner periphery of the guide bush is generated. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush, comprising forming a hard carbon film on the surface.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の内部に配置し、ガイドブッシュは接地
電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印
加し、真空槽内を排気後、補助電極電源から交流電圧を
補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシ
ュの内周面に第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気したのち、
ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガス
を真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加
し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内
周面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、
ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
イドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧
を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。10. A substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, an outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged inside the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is connected to the auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush, and the guide bush is connected to the ground potential or A DC negative voltage is applied from a power supply, and after evacuation of the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation. After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and after evacuating the vacuum chamber,
A gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and a plasma is generated. Forming a second intermediate layer on the inner peripheral surface, and further arranging the guide bush in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush; After exhausting the inside,
A gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and the inner periphery of the guide bush is generated. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush, comprising forming a hard carbon film on the surface.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の内部に配置し、ガイドブッシュは接地
電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印
加し、真空槽内を排気後、補助電極電源から交流電圧を
補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシ
ュの内周面に第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気したのち、
ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガス
を真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加
し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内
周面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに高周波電力を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。11. It has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged inside the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is connected to the auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush, and the guide bush is connected to the ground potential or A DC negative voltage is applied from a power supply, and after evacuation of the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation. After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and after evacuating the vacuum chamber,
A gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and a plasma is generated. A second intermediate layer is formed on the inner peripheral surface, and then the guide bush is arranged in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuation of the chamber, introducing a gas containing carbon from the gas inlet into the vacuum chamber, applying high-frequency power to the guide bush to generate plasma, and forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush A method for forming a film on the inner peripheral surface of a guide bush, characterized by the following.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の内部に配置し、ガイドブッシュは接地
電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印
加し、真空槽内を排気後、補助電極電源から交流電圧を
補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシ
ュの内周面に第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気したのち、
ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガス
を真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加
し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内
周面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発
生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜
形成方法。12. It has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged inside the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is connected to the auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush, and the guide bush is connected to the ground potential or A DC negative voltage is applied from a power supply, and after evacuation of the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation. After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and after evacuating the vacuum chamber,
A gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and a plasma is generated. A second intermediate layer is formed on the inner peripheral surface, and then the guide bush is arranged in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuation of the chamber, a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma to form a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush. A method for forming a film on the inner peripheral surface of a guide bush, characterized by the following.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の内部に配置し、ガイドブッシュは接地
電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印
加し、真空槽内を排気後、補助電極電源から交流電圧を
補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシ
ュの内周面に第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気したの
ち、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電力
を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周
面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに高周波電力を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。13. A substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged inside the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is connected to the auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush, and the guide bush is connected to the ground potential or A DC negative voltage is applied from a power supply, and after evacuation of the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation. After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. A gas containing germanium is introduced into the vacuum chamber, and high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma to form a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. The guide bush is placed in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the ground potential or DC positive voltage is inserted into the vacuum chamber.After evacuation of the vacuum chamber, the gas containing carbon is supplied from the gas inlet. Was introduced into an empty vessel, the film forming method of the guide bushing inner circumferential surface, characterized in that by applying a high frequency power to the guide bush to form the hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush by generating plasma.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の内部に配置し、ガイドブッシュは接地
電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印
加し、真空槽内を排気後、補助電極電源から交流電圧を
補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシ
ュの内周面に第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気したの
ち、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電力
を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周
面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、
ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
イドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧
を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。14. It has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged inside the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is connected to the auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush, and the guide bush is connected to the ground potential or A DC negative voltage is applied from a power supply, and after evacuation of the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation. After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. A gas containing germanium is introduced into the vacuum chamber, and high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma to form a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. The guide bush is placed in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the ground potential or DC positive voltage is inserted into the vacuum chamber.
A gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and the inner periphery of the guide bush is generated. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush, comprising forming a hard carbon film on the surface.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の内部に配置し、ガイドブッシュは接地
電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印
加し、真空槽内を排気後、補助電極電源から交流電圧を
補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシ
ュの内周面に第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気したの
ち、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電力
を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周
面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発
生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜
形成方法。15. It has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral tapered surface and a slit for making it elastic are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged inside the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is connected to the auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush, and the guide bush is connected to the ground potential or A DC negative voltage is applied from a power supply, and after evacuation of the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation. After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. A gas containing germanium is introduced into the vacuum chamber, and high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma to form a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. The guide bush is placed in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the ground potential or DC positive voltage is inserted into the vacuum chamber.After evacuation of the vacuum chamber, the gas containing carbon is supplied from the gas inlet. Was introduced into an empty vessel, the film formation method to the guide bush peripheral surface, characterized in that by applying a DC voltage to the guide bush to form the hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush by generating plasma.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の内部に配置し、ガイドブッシュは接地
電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印
加し、真空槽内を排気後、補助電極電源から交流電圧を
補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシ
ュの内周面に第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気したの
ち、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を
印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面
に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発
生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜
形成方法。16. A substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, an outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and the other end is formed at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged inside the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is connected to the auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush, and the guide bush is connected to the ground potential or A DC negative voltage is applied from a power supply, and after evacuation of the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation. After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. A gas containing germanium is introduced into the vacuum chamber, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma to form a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. The guide bush is placed in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the ground potential or DC positive voltage is inserted into the vacuum chamber. After evacuation of the vacuum chamber, the gas containing carbon is evacuated from the gas inlet. Was introduced into the bath, the film formation method to the guide bush peripheral surface, characterized in that by applying a DC voltage to the guide bush to form the hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush by generating plasma.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の内部に配置し、ガイドブッシュは接地
電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印
加し、真空槽内を排気後、補助電極電源から交流電圧を
補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシ
ュの内周面に第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気したの
ち、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を
印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面
に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに高周波電力を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。17. It has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral taper surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged inside the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is connected to the auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush, and the guide bush is connected to the ground potential or A DC negative voltage is applied from a power supply, and after evacuation of the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation. After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. A gas containing germanium is introduced into the vacuum chamber, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma to form a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. The guide bush is placed in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the ground potential or DC positive voltage is inserted into the vacuum chamber. After evacuation of the vacuum chamber, the gas containing carbon is evacuated from the gas inlet. Was introduced into the bath, the film formation method of the guide bushing inner circumferential surface, characterized in that by applying a high frequency power to the guide bush to form the hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush by generating plasma.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の内部に配置し、ガイドブッシュは接地
電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印
加し、真空槽内を排気後、補助電極電源から交流電圧を
補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシ
ュの内周面に第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気したの
ち、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を
印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面
に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、
ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
イドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧
を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。18. It has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged inside the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is connected to the auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush, and the guide bush is connected to the ground potential or A DC negative voltage is applied from a power supply, and after evacuation of the vacuum chamber, an AC voltage is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush by resistance heating evaporation. After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. A gas containing germanium is introduced into the vacuum chamber, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma to form a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. The guide bush is placed in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the ground potential or DC positive voltage is inserted into the vacuum chamber.
A gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and the inner periphery of the guide bush is generated. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush, comprising forming a hard carbon film on the surface.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の内部に配置し、ガイドブッシュは接地
電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印
加し、真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガス
を導入し、補助電極電源から高周波電力を補助電極に印
加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラ
ズマを発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間層
を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気したのち、
ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガス
を真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加
し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内
周面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、
ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
イドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧
を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。19. It has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface formed at one end in the longitudinal direction and a slit for providing elasticity to the outer peripheral tapered surface, and another end formed at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged inside the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is connected to the auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush, and the guide bush is connected to the ground potential or A DC negative voltage is applied from a power supply, and after evacuation of the vacuum chamber, a sputter gas is introduced from a gas inlet, and a high-frequency power is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to surround the auxiliary electrode in the guide bush opening. A plasma is generated in the guide bush to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. Then, the guide bush is evacuated so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuating the vacuum chamber,
A gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and a plasma is generated. Forming a second intermediate layer on the inner peripheral surface, and further arranging the guide bush in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush; After exhausting the inside,
A gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and the inner periphery of the guide bush is generated. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush, comprising forming a hard carbon film on the surface.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の内部に配置し、ガイドブッシュは接地
電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印
加し、真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガス
を導入し、補助電極電源から高周波電力を補助電極に印
加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラ
ズマを発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間層
を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気したのち、
ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガス
を真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加
し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内
周面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに高周波電力を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。20. It has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged inside the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is connected to the auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush, and the guide bush is connected to the ground potential or A DC negative voltage is applied from a power supply, and after evacuation of the vacuum chamber, a sputter gas is introduced from a gas inlet, and a high-frequency power is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to surround the auxiliary electrode in the guide bush opening. A plasma is generated in the guide bush to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. Then, the guide bush is evacuated so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuating the vacuum chamber,
A gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and a plasma is generated. A second intermediate layer is formed on the inner peripheral surface, and then the guide bush is arranged in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuation of the chamber, introducing a gas containing carbon from the gas inlet into the vacuum chamber, applying high-frequency power to the guide bush to generate plasma, and forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush A method for forming a film on the inner peripheral surface of a guide bush, characterized by the following.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の内部に配置し、ガイドブッシュは接地
電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印
加し、真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガス
を導入し、補助電極電源から高周波電力を補助電極に印
加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラ
ズマを発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間層
を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気したのち、
ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガス
を真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加
し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内
周面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発
生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜
形成方法。21. A substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, an outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged inside the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is connected to the auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush, and the guide bush is connected to the ground potential or A DC negative voltage is applied from a power supply, and after evacuation of the vacuum chamber, a sputter gas is introduced from a gas inlet, and a high-frequency power is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply to surround the auxiliary electrode in the opening of the guide bush. A plasma is generated in the guide bush to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. Then, the guide bush is evacuated so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuating the vacuum chamber,
A gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from a gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament, and a plasma is generated to generate a plasma. A second intermediate layer is formed on the inner peripheral surface, and then the guide bush is arranged in a vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuation of the chamber, a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma to form a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush. A method for forming a film on the inner peripheral surface of a guide bush, characterized by the following.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の内部に配置し、ガイドブッシュは接地
電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印
加し、真空槽内を排気したのち、ガス導入口からスパッ
タガスを導入し、補助電極電源から高周波電力を補助電
極に印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させガイドブッシュの内周面に第１の
中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気したの
ち、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電力
を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周
面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに高周波電力を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。22. It has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end in the longitudinal direction and a slit for giving elasticity thereto, and a slit at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged inside the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is connected to the auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush, and the guide bush is connected to the ground potential or After applying a negative DC voltage from the power supply and evacuating the vacuum chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, high-frequency power is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply, and the auxiliary electrode in the guide bush opening is opened. A first intermediate layer is formed on the inner peripheral surface of the guide bush by generating plasma around it, and then the guide bush is evacuated so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuating the vacuum chamber, introducing a gas containing silicon or germanium into the vacuum chamber from the gas inlet, applying high-frequency power to the guide bush to generate plasma, and A second intermediate layer is formed on the inner peripheral surface, and then an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After placing the gas bush in the vacuum chamber and evacuating the vacuum chamber, a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and high-frequency power is applied to the guide bush to generate plasma, thereby generating a plasma. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush, comprising forming a hard carbon film on the inner peripheral surface.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の内部に配置し、ガイドブッシュは接地
電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印
加し、真空槽内を排気したのち、ガス導入口からスパッ
タガスを導入し、補助電極電源から高周波電力を補助電
極に印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させガイドブッシュの内周面に第１の
中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽の内部を排気後、
ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガス
を真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電力を印
加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に
第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、
ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
イドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧
を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。23. It has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged inside the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is connected to the auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush, and the guide bush is connected to the ground potential or After applying a negative DC voltage from the power supply and evacuating the vacuum chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, high-frequency power is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply, and the auxiliary electrode in the guide bush opening is opened. A first intermediate layer is formed on the inner peripheral surface of the guide bush by generating plasma around it, and then the guide bush is evacuated so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuating the inside of the vacuum tank,
A gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and plasma is generated by applying high-frequency power to the guide bush to form a second intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. The guide bush is arranged in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and after evacuation of the vacuum chamber,
A gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and the inner periphery of the guide bush is generated. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush, comprising forming a hard carbon film on the surface.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の内部に配置し、ガイドブッシュは接地
電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印
加し、真空槽内を排気したのち、ガス導入口からスパッ
タガスを導入し、補助電極電源から高周波電力を補助電
極に印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させガイドブッシュの内周面に第１の
中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気したの
ち、ガス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電力
を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュの内周
面に第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発
生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜
形成方法。24. It has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral tapered surface and a slit for making it elastic are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged inside the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is connected to the auxiliary electrode power supply in the opening of the guide bush, and the guide bush is connected to the ground potential or After applying a negative DC voltage from the power supply and evacuating the vacuum chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, high-frequency power is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply, and the auxiliary electrode in the guide bush opening is opened. A first intermediate layer is formed on the inner peripheral surface of the guide bush by generating plasma around it, and then the guide bush is evacuated so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a positive DC voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After evacuating the vacuum chamber, introducing a gas containing silicon or germanium into the vacuum chamber from the gas inlet, applying high-frequency power to the guide bush to generate plasma, and A second intermediate layer is formed on the inner peripheral surface, and then an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After placing the gas bush in the vacuum chamber and evacuating the vacuum chamber, a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma and generate a plasma. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush, comprising forming a hard carbon film on the inner peripheral surface.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、ガイドブッシュは接地電位
に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加
し、真空槽内を排気した後、ガス導入口からスパッタガ
スを導入し、補助電極電源から高周波電力を補助電極に
印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプ
ラズマを発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間
層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽のなかに配置し、真空槽内を排気後、ガ
ス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを
真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し
てプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に第２
の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発
生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜
形成方法。25. It has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted into the opening of the guide bush and connected to the auxiliary electrode power supply, and the guide bush is connected to the ground potential or After applying a negative DC voltage from the source and evacuating the vacuum chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, high frequency power is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply, and the periphery of the auxiliary electrode in the opening of the guide bush. A plasma is generated in the guide bush to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. Then, the guide bush is evacuated so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After exhausting the inside of the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma and generate an inner circumference of the guide bush. Second on face
After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and after evacuation of the vacuum chamber, A guide bush characterized by introducing a gas containing carbon into a vacuum chamber from a gas inlet, applying a DC voltage to the guide bush to generate plasma, and forming a hard carbon film on an inner peripheral surface of the guide bush. A method for forming a coating on the inner peripheral surface.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、ガイドブッシュは接地電位
に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加
し、真空槽内を排気した後、ガス導入口からスパッタガ
スを導入し、補助電極電源から高周波電力を補助電極に
印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプ
ラズマを発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間
層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽のなかに配置し、真空槽内を排気後、ガ
ス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを
真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し
てプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に第２
の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに高周波電力を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。26. It has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted into the opening of the guide bush and connected to the auxiliary electrode power supply, and the guide bush is connected to the ground potential or After applying a negative DC voltage from the source and evacuating the vacuum chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, high frequency power is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply, and the periphery of the auxiliary electrode in the opening of the guide bush. A plasma is generated in the guide bush to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. Then, the guide bush is evacuated so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After exhausting the inside of the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma and generate an inner circumference of the guide bush. Second on face
After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and after evacuation of the vacuum chamber, A guide bush characterized by introducing a gas containing carbon into a vacuum chamber from a gas inlet, applying high-frequency power to the guide bush to generate plasma, and forming a hard carbon film on an inner peripheral surface of the guide bush. A method for forming a coating on the inner peripheral surface.
ぼ円筒状の形状をもち、その長手方向の一端部に外周テ
ーパ面とそれに弾力をもたせるための摺り割りとを形成
し、他端部に自動旋盤のコラムに取り付けるためのネジ
部を有し、外周テーパ面を形成した部分の内周に被加工
物を保持するための内周面を形成しており、自動旋盤に
取り付けられることにより中心開口に挿入された被加工
物を、この被加工物を保持する内周面によって切削工具
の近くにて回転および軸方向に摺動可能に保持するガイ
ドブッシュ内周面への被膜形成方法であって、 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し第１の
中間層材料からなる補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、ガイドブッシュは接地電位
に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加
し、真空槽内を排気した後、ガス導入口からスパッタガ
スを導入し、補助電極電源から高周波電力を補助電極に
印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプ
ラズマを発生させガイドブッシュの内周面に第１の中間
層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽のなかに配置し、真空槽内を排気後、ガ
ス導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを
真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し
てプラズマを発生させてガイドブッシュの内周面に第２
の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
イドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、
ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
イドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧
を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを
発生させてガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
膜形成方法。27. It has a substantially cylindrical shape having a central opening penetrating in the axial direction. An outer peripheral tapered surface and a slit for giving elasticity thereto are formed at one end in the longitudinal direction, and at the other end. It has a screw part for attaching to the column of the automatic lathe, and has an inner peripheral surface for holding the workpiece on the inner periphery of the part where the outer peripheral taper surface is formed. A method for forming a film on an inner peripheral surface of a guide bush in which a workpiece inserted into an opening is held by an inner peripheral surface holding the workpiece so as to be rotatable and slidable in the axial direction near a cutting tool. The guide bush is arranged in the vacuum chamber so that the auxiliary electrode made of the first intermediate layer material is inserted into the opening of the guide bush and connected to the auxiliary electrode power supply, and the guide bush is connected to the ground potential or After applying a negative DC voltage from the source and evacuating the vacuum chamber, a sputter gas is introduced from the gas inlet, high frequency power is applied to the auxiliary electrode from the auxiliary electrode power supply, and the periphery of the auxiliary electrode in the opening of the guide bush. A plasma is generated in the guide bush to form a first intermediate layer on the inner peripheral surface of the guide bush. Then, the guide bush is evacuated so that an auxiliary electrode connected to a ground potential or a DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush. After exhausting the inside of the vacuum chamber, a gas containing silicon or germanium is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush to generate plasma and generate an inner circumference of the guide bush. Second on face
After that, the guide bush is arranged in the vacuum chamber so that an auxiliary electrode connected to the ground potential or the DC positive voltage is inserted into the inner surface of the opening of the guide bush, and after evacuation of the vacuum chamber,
A gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush, a DC voltage is applied to the anode, an AC voltage is applied to the filament to generate plasma, and the inner periphery of the guide bush is generated. A method for forming a coating on the inner peripheral surface of a guide bush, comprising forming a hard carbon film on the surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28322397A JPH11124671A (en) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | Formation of coating onto inner circumferential face of guide bush |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28322397A JPH11124671A (en) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | Formation of coating onto inner circumferential face of guide bush |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11124671A true JPH11124671A (en) | 1999-05-11 |
Family
ID=17662695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28322397A Pending JPH11124671A (en) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | Formation of coating onto inner circumferential face of guide bush |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11124671A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000226658A (en) * | 1999-02-02 | 2000-08-15 | Mitsubishi Chemicals Corp | Cvd device and production of magnetic recording medium |
| JP2010082701A (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Tsugami Corp | Collet chuck |
| JP2010082702A (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Tsugami Corp | Guide bush |
-
1997
- 1997-10-16 JP JP28322397A patent/JPH11124671A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000226658A (en) * | 1999-02-02 | 2000-08-15 | Mitsubishi Chemicals Corp | Cvd device and production of magnetic recording medium |
| JP2010082701A (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Tsugami Corp | Collet chuck |
| JP2010082702A (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Tsugami Corp | Guide bush |
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