JP3043670B2 - Method of forming hard carbon film on inner peripheral surface of guide bush - Google Patents

Method of forming hard carbon film on inner peripheral surface of guide bush

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JP3043670B2
JP3043670B2 JP9222851A JP22285197A JP3043670B2 JP 3043670 B2 JP3043670 B2 JP 3043670B2 JP 9222851 A JP9222851 A JP 9222851A JP 22285197 A JP22285197 A JP 22285197A JP 3043670 B2 JP3043670 B2 JP 3043670B2
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hard carbon
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、自動旋盤に装着
され、丸棒状の被加工物を切削工具(刃物)の近くで回
転及び軸方向に摺動可能に保持するガイドブッシュの被
加工物と摺接する内周面に硬質カーボン膜を形成する方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a guide bush, which is mounted on an automatic lathe and holds a round bar-shaped workpiece slidably and axially near a cutting tool (blade). The present invention relates to a method for forming a hard carbon film on an inner peripheral surface in sliding contact.

【0002】[0002]

【従来の技術】自動旋盤のコラムに装着され、丸棒状の
被加工物を切削工具の近くで回転可能に保持するガイド
ブッシュには、回転型と固定型とがある。回転型のもの
は常に被加工物と共に回転しながらその被加工物を軸方
向に摺動可能に保持し、固定型のものは回転せずに被加
工物を回転及び軸方向に摺動可能に保持する。
2. Description of the Related Art There are a rotary bush and a fixed bush mounted on a column of an automatic lathe and rotatably holding a round bar-shaped workpiece near a cutting tool. The rotary type keeps the workpiece slidable in the axial direction while always rotating with the workpiece, and the fixed type allows the workpiece to rotate and slide in the axial direction without rotating. Hold.

【0003】いずれの型のガイドブッシュも、外周テー
パ面と、それに弾力を持たせるための摺り割り、コラム
に取り付けるためのネジ部と、被加工物を保持する内周
面とを備えており、その内周面は常に被加工物と摺接す
るため摩耗しやすく、特に固定型の場合はその摩耗が激
しい。
[0003] Each type of guide bush has an outer tapered surface, a slit for making it elastic, a screw portion for attaching to a column, and an inner peripheral surface for holding a workpiece. The inner peripheral surface is always in sliding contact with the workpiece, so that the inner peripheral surface is liable to be worn. Particularly, in the case of the fixed type, the abrasion is severe.

【0004】そのため、この被加工物の回転や摺動によ
り被加工物と摺接するガイドブッシュの内周面に、超硬
合金やセラミックスをロー付けなどによって固着して設
けるものが、たとえば特開平4−141303号公報に
見られるように提案されている。このように、耐摩耗性
や耐熱性に優れた超硬合金やセラミックスをガイドブッ
シュの内周面に設けることにより、ある程度のその摩耗
を抑制する効果が認められる。
For this purpose, a hard metal or ceramic is fixed to the inner peripheral surface of a guide bush which is brought into sliding contact with the workpiece by rotation or sliding of the workpiece by brazing or the like. It has been proposed as seen in US Pat. As described above, by providing a cemented carbide or ceramic having excellent wear resistance and heat resistance on the inner peripheral surface of the guide bush, an effect of suppressing the wear to some extent is recognized.

【0005】しかしながら、このように超硬合金やセラ
ミックスを内周面に設けても、自動旋盤で切削量が大き
く加工速度が大きな重切削に対しては、超硬合金やセラ
ミックスも摩擦係数が大きく熱伝導率が低いため、被加
工物にキズが発生したり、ガイドブッシュと被加工物と
の直径方向の隙間寸法が減少して焼き付きが発生したり
するという問題があり、切削量及び加工速度を上げるこ
とができなかった。
[0005] However, even if the cemented carbide or ceramic is provided on the inner peripheral surface as described above, the friction coefficient of the cemented carbide or ceramic is large for heavy cutting in which the cutting amount is large and the machining speed is large with an automatic lathe. Since the thermal conductivity is low, there is a problem in that the workpiece is scratched, the gap between the guide bush and the workpiece in the diameter direction is reduced, and seizure occurs. Could not be raised.

【0006】固定型のガイドブッシュの方が、被加工物
をその軸心のブレがなく保持できるので、真円度が高く
精度のよい加工ができ、しかも騒音が少なく、自動旋盤
の構造も複雑にならずコンパクトにできるなどの利点が
ある。しかしながら、ガイドブッシュの内周面の摩耗
は、回転型の場合よりはるかに大きくなるため、一層切
削量及び加工速度を上げることが困難であるという問題
があった。
[0006] The fixed type guide bush can hold the workpiece without deviation of the axis of the workpiece, so that the processing can be performed with high roundness and high accuracy, the noise is small, and the structure of the automatic lathe is complicated. There are advantages such as being able to be compact without becoming unnecessary. However, since the inner peripheral surface of the guide bush wears much more than the rotary type, there is a problem that it is difficult to further increase the cutting amount and the processing speed.

【0007】この問題を解決するために、我々はこのよ
うなガイドブッシュにおける被加工物と摺接する内周面
に硬質カーボン膜を形成することにより、内周面の耐摩
耗性を飛躍的に高め、被加工物へのキズの発生や焼き付
きを発生することなく、自動旋盤による切削量及び加工
速度を上げることができるようにすることを提案した。
In order to solve this problem, we formed a hard carbon film on the inner peripheral surface of such a guide bush that is in sliding contact with the workpiece, thereby dramatically improving the wear resistance of the inner peripheral surface. It has been proposed that the amount of machining and the machining speed by an automatic lathe can be increased without causing scratches or seizure on a workpiece.

【0008】この硬質カーボン膜とは、水素化アモルフ
ァス・カーボン膜であり、ダイアモンドによく似た性質
をもつため、ダイアモンドライクカーボン(DLC)と
も云われるものである。この、硬質カーボン膜(DL
C)は、硬度が高く(ビッカース硬度で3000Hv以
上)、耐摩耗性に優れ、摩擦係数が小さく(超硬合金の
1/8位)、耐蝕性にも優れている。
[0008] The hard carbon film is a hydrogenated amorphous carbon film, which has properties very similar to diamond, and is also called diamond-like carbon (DLC). This hard carbon film (DL
C) has a high hardness (Vickers hardness of 3000 Hv or more), is excellent in wear resistance, has a small friction coefficient (about 1/8 of cemented carbide), and is excellent in corrosion resistance.

【0009】このガイドブッシュの内周面に硬質カーボ
ン膜を形成する方法として、たとえば、炭素を含むガス
の雰囲気中で被膜形成圧力である5×10-3torrに減圧
し、ガイドブッシュに直流電源からマイナス3kVの直
流電圧を印加してプラズマを発生させて、硬質カーボン
膜を形成するプラズマCVD法がある。
As a method of forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush, for example, the pressure is reduced to 5 × 10 −3 torr which is a film forming pressure in an atmosphere of a gas containing carbon, and a DC power supply is applied to the guide bush. There is a plasma CVD method in which a DC voltage of -3 kV is applied to generate plasma to form a hard carbon film.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このプ
ラズマCVD法では、ガイドブッシュの周囲領域に発生
するプラズマが主になって、炭素を含むガスを分解して
硬質カーボン膜を形成しているため、ガイドブッシュの
外周部には、硬質カーボン膜を均一性よく形成すること
ができるが、ガイドブッシュの内周面に形成する硬質カ
ーボン膜は密着性が悪く、さらに、硬度などの膜質が劣
る問題がある。
However, in this plasma CVD method, the plasma generated mainly in the peripheral region of the guide bush decomposes a gas containing carbon to form a hard carbon film. A hard carbon film can be formed on the outer periphery of the guide bush with good uniformity. However, the hard carbon film formed on the inner periphery of the guide bush has poor adhesion and further has a problem of poor film quality such as hardness. is there.

【0011】この原因は、ガイドブッシュの中心開口内
は、同電位の電極同士が対向している空間となっている
ため、その中心開口内でのプラズマはホロー放電と呼ば
れる異常放電を発生するからである。このホロー放電に
よって形成される硬質カーボン膜は、ポリマーライクな
密着性の悪い被膜であり、ガイドブッシュの内周面から
剥離しやすく、その硬度も低い。
This is because the inside of the center opening of the guide bush is a space in which electrodes of the same potential face each other, and the plasma in the center opening generates an abnormal discharge called hollow discharge. It is. The hard carbon film formed by the hollow discharge is a polymer-like film having poor adhesion, and is easily peeled from the inner peripheral surface of the guide bush, and has a low hardness.

【0012】また、上述した硬質カーボン膜の形成方法
においては、被膜形成圧力である5×10-3torrにて、
ガイドブッシュ11に直流電源73からマイナス3kV
の直流電圧を印加している。このような真空槽内の圧力
が5×10-3torr程度の状態では、真空槽内の空間に電
子などの電荷が多い状態となり、空間インピーダンスが
低い。このためプラズマ放電が開始する瞬間に、ガイド
ブッシュに異常放電であるアーク放電が発生しやすい。
Further, in the method for forming a hard carbon film described above, at a film forming pressure of 5 × 10 -3 torr,
-3 kV from DC power supply 73 to guide bush 11
DC voltage is applied. When the pressure in the vacuum chamber is about 5 × 10 −3 torr, the space in the vacuum chamber contains a large amount of charges such as electrons, and the spatial impedance is low. Therefore, an arc discharge, which is an abnormal discharge, is likely to occur in the guide bush at the moment when the plasma discharge starts.

【0013】さらに、このプラズマ放電の開始時という
のは、硬質カーボン膜の被膜形成初期でもあるため、こ
の被膜形成初期に形成される膜質によって、ガイドブッ
シュとの密着性が左右される。したがって、プラズマ放
電の最初期に、異常放電であるアーク放電が発生する
と、硬質カーボン膜の膜質及び密着性が低下し、ガイド
ブッシュの内周面から剥離するという問題点が発生す
る。
Furthermore, since the start of the plasma discharge is also at the initial stage of the formation of the hard carbon film, the adhesion to the guide bush depends on the quality of the film formed at the initial stage of the film formation. Therefore, when an arc discharge, which is an abnormal discharge, occurs in the initial stage of the plasma discharge, the film quality and adhesion of the hard carbon film deteriorate, and a problem occurs that the hard carbon film is separated from the inner peripheral surface of the guide bush.

【0014】この発明は、これらの問題を解決し、被加
工物と摺接するガイドブッシュの内周面に膜質及び密着
性がよい硬質カーボン膜を形成できるようにすることを
目的とする。
An object of the present invention is to solve these problems and to form a hard carbon film having good film quality and good adhesion on the inner peripheral surface of a guide bush that is in sliding contact with a workpiece.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成するため、軸方向に中心開口を有する略円筒状に形
成され、一端部に外周テーパ面と被加工物と摺接する内
周面と摺り割りとを有し、自動旋盤に装着されたとき、
前記中心開口に挿入された被加工物を切削工具の近くで
回転及び軸方向に摺動可能に保持するガイドブッシュの
内周面に、次の手順により硬質カーボン膜を形成する。
In order to achieve the above object, the present invention is formed in a substantially cylindrical shape having a central opening in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface at one end and an inner peripheral surface which is in sliding contact with a workpiece. And when it is mounted on an automatic lathe,
A hard carbon film is formed on the inner peripheral surface of a guide bush that holds the workpiece inserted into the center opening so as to be able to rotate and slide in the axial direction near the cutting tool by the following procedure.

【0016】前記ガイドブッシュを、ガス導入口と排気
口及びアノードとフィラメントとを備えた真空槽内に配
置し、そのガイドブッシュの内周面を形成する中心開口
内に補助電極を挿入して、それを接地電位にする。
The guide bush is disposed in a vacuum chamber provided with a gas inlet, an exhaust port, an anode and a filament, and an auxiliary electrode is inserted into a central opening forming an inner peripheral surface of the guide bush. Bring it to ground potential.

【0017】上記真空槽内を排気した後、前記ガス導入
口から炭素を含むガスを該真空槽内に導入し、上記ガイ
ドブッシュにリアクトルを介して直流電圧を印加すると
ともに、上記アノードに直流電圧を、フィラメントに交
流電圧をそれぞれ印加して、真空槽内にプラズマを発生
させ、プラズマCVD法によってそのガイドブッシュの
内周面に硬質カーボン膜を形成する。
After evacuating the vacuum chamber, a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber through the gas inlet, a DC voltage is applied to the guide bush via a reactor, and a DC voltage is applied to the anode. An AC voltage is applied to the filament to generate plasma in the vacuum chamber, and a hard carbon film is formed on the inner peripheral surface of the guide bush by a plasma CVD method.

【0018】なお、真空槽内でプラズマを発生させる方
法としては、真空槽内にアノード及びフィラメントを設
けずに、ガイドブッシュにリアクトルを介して直流電圧
を印加してプラズマを発生させるようにしてもよい。
As a method of generating plasma in a vacuum chamber, a plasma may be generated by applying a DC voltage to a guide bush via a reactor without providing an anode and a filament in the vacuum chamber. Good.

【0019】また、真空槽内に複数個のガイドブッシュ
を配置し、その各ガイドブッシュにそれぞれ補助電極を
挿入し、各ガイドブッシュにそれぞれリアクトルを介し
て直流電圧を印加して真空槽内にプラズマを発生させる
ことにより、一つの真空槽内で複数のガイドブッシュの
内周面に同時に硬質カーボン膜を形成することができ
る。この場合、複数個の各ガイドブッシュに単一のリア
クトルを介して直流電圧を印加してもよいし、それぞれ
個別のリアクトルを介して個別の直流電源あるいは共通
の直流電源から直流電圧を印加してもよい。
Also, a plurality of guide bushes are arranged in a vacuum chamber, auxiliary electrodes are inserted into the respective guide bushes, and a DC voltage is applied to each guide bush via a reactor to generate a plasma in the vacuum chamber. The hard carbon film can be simultaneously formed on the inner peripheral surfaces of the plurality of guide bushes in one vacuum chamber. In this case, a DC voltage may be applied to each of the plurality of guide bushes via a single reactor, or a DC voltage may be applied from an individual DC power supply or a common DC power supply via each individual reactor. Is also good.

【0020】このように、ガイドブッシュにリアクトル
を介して直流電圧を印加して、真空槽内にプラズマを発
生させることにより、ガイドブッシュの内周面に形成す
る硬質カーボン膜の膜質を左右する被膜形成初期に、異
常放電であるアーク放電が発生しなくなり、膜質及び密
着性がよい硬質カーボン膜を形成することができる。
As described above, by applying a DC voltage to the guide bush via the reactor to generate plasma in the vacuum chamber, a coating that affects the quality of the hard carbon film formed on the inner peripheral surface of the guide bush is determined. In the initial stage of formation, arc discharge, which is abnormal discharge, is not generated, and a hard carbon film having good film quality and adhesion can be formed.

【0021】また、カイドブッシュの中心開口内に接地
電位にした補助電極を挿入した状態で、真空槽内に炭素
を含むガスを導入すると共にプラズマを発生させること
により、ガイドブッシュの内周面に速く且つ開口端側か
ら奥側まで均一な膜厚で硬質カーボン膜を形成すること
ができる。さらに、ガイドブッシュの内周面に密着性を
高める中間層を設けた後に上記方法で硬質カーボン膜を
形成するとよい。
Further, by introducing a gas containing carbon into the vacuum chamber and generating plasma with the auxiliary electrode at the ground potential inserted into the center opening of the guide bush, the inner peripheral surface of the guide bush is formed. A hard carbon film can be formed quickly and with a uniform thickness from the opening end side to the back side. Further, it is preferable to form a hard carbon film by the above-described method after providing an intermediate layer for improving the adhesion on the inner peripheral surface of the guide bush.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。 〔ガイドブッシュを用いる自動旋盤の説明〕先ず、この
発明の方法を適用して、被加工物と摺接する内周面に硬
質カーボン膜を形成したガイドブッシュを用いる自動旋
盤の構造について簡単に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. [Description of Automatic Lathe Using Guide Bush] First, the structure of an automatic lathe using a guide bush in which a hard carbon film is formed on an inner peripheral surface in sliding contact with a workpiece by applying the method of the present invention will be briefly described. .

【0023】図23は、数値制御自動旋盤の主軸近傍の
みを示す断面図である。この自動旋盤は、ガイドブッシ
ュ11を固定して、その内周面11bで被加工物51
(仮想線で示す)を回転自在に保持する状態で使用す
る、固定型のガイドブッシュ装置37を設けたものであ
る。主軸台17は、この数値制御自動旋盤の図示しない
ベッド上を、図で左右方向に摺動可能になっている。
FIG. 23 is a sectional view showing only the vicinity of the spindle of the numerically controlled automatic lathe. In this automatic lathe, a guide bush 11 is fixed, and a workpiece 51 is fixed on an inner peripheral surface 11b thereof.
(Shown by phantom lines) is provided with a fixed type guide bush device 37 which is used in a state of being rotatably held. The headstock 17 is slidable on the bed (not shown) of the numerically controlled automatic lathe in the left-right direction in the figure.

【0024】この主軸台17には、軸受21によって回
転可能な状態で支持された主軸19を設けている。そし
て主軸19の先端部には、コレットチャック13を取り
付けている。このコレットチャック13は、チャックス
リーブ41の中心孔内に配置する。そしてコレットチャ
ック13の先端の外周テーパ面13aと、チャックスリ
ーブ41の内周テーパ面41aとが互いに面接触してい
る。
The headstock 17 is provided with a main shaft 19 rotatably supported by bearings 21. The collet chuck 13 is attached to the tip of the spindle 19. The collet chuck 13 is disposed in the center hole of the chuck sleeve 41. The outer tapered surface 13a at the tip of the collet chuck 13 and the inner tapered surface 41a of the chuck sleeve 41 are in surface contact with each other.

【0025】さらに、中間スリーブ29内のコレットチ
ャック13の後端部に、帯状のバネ材をコイル状にした
スプリング25を設けている。そして、このスプリング
25の働きによって、中間スリーブ29内からコレット
チャック13を押し出すことができる。コレットチャッ
ク13の先端位置は、主軸19の先端にネジ固定するキ
ャップナット27に接触して位置を規制している。この
ため、コレットチャック13がスプリング25のバネ力
によって、中間スリーブ29から飛び出すことを防止し
ている。
Further, at the rear end of the collet chuck 13 in the intermediate sleeve 29, there is provided a spring 25 made of a band-shaped spring material in a coil shape. Then, the collet chuck 13 can be pushed out of the intermediate sleeve 29 by the action of the spring 25. The tip position of the collet chuck 13 is in contact with a cap nut 27 screwed to the tip of the main shaft 19 to regulate the position. Therefore, the collet chuck 13 is prevented from jumping out of the intermediate sleeve 29 due to the spring force of the spring 25.

【0026】中間スリーブ29の後端部には、この中間
スリーブ29を介してチャック開閉機構31を設ける。
そしてチャック開閉爪33を開閉することによって、コ
レットチャック13は開閉し、被加工物51を把持した
り解放したりする。すなわち、チャック開閉機構31の
チャック開閉爪33の先端部が相互に開くように移動す
ると、チャック開閉爪33の中間スリーブ29と接触し
ている部分が、図23で左方向に移動して中間スリーブ
29を左方向に押す。この中間スリーブ29の左方向へ
の移動により、中間スリーブ29の左端に接触している
チャックスリーブ41が左方向に移動する。
At the rear end of the intermediate sleeve 29, a chuck opening / closing mechanism 31 is provided via the intermediate sleeve 29.
By opening and closing the chuck opening / closing claws 33, the collet chuck 13 opens and closes, and grips and releases the workpiece 51. That is, when the distal ends of the chuck opening / closing claws 33 of the chuck opening / closing mechanism 31 move so as to open each other, the portion of the chuck opening / closing claw 33 that is in contact with the intermediate sleeve 29 moves leftward in FIG. Press 29 to the left. As the intermediate sleeve 29 moves leftward, the chuck sleeve 41 that is in contact with the left end of the intermediate sleeve 29 moves leftward.

【0027】そして、コレットチャック13は、主軸1
9の先端にネジ止めしているキャップナット27によっ
て、主軸19から飛び出すのを防止されている。このた
め、このチャックスリーブ41の左方向への移動によっ
て、コレットチャック13の摺り割りが形成されている
部分の外周テーパ面13aと、チャックスリーブ41の
内周テーパ面41aとが強く押されて、互いにテーパ面
に沿って移動することになる。
The collet chuck 13 is connected to the spindle 1
The cap nut 27 screwed to the tip of the nut 9 prevents the spindle 9 from jumping out of the main shaft 19. Therefore, by the movement of the chuck sleeve 41 to the left, the outer peripheral tapered surface 13a of the portion where the slit of the collet chuck 13 is formed and the inner peripheral tapered surface 41a of the chuck sleeve 41 are strongly pushed, They will move along the tapered surfaces.

【0028】その結果、コレットチャック13の内周面
の直径が小さくなり、被加工物51を把持することがで
きる。コレットチャック13の内周面の直径を大きくし
て被加工物51を解放するときは、チャック開閉爪33
の先端部が相互に閉じるように移動することにより、チ
ャックスリーブ41を左方向に押す力を除く。するとス
プリング25の復元力によって中間スリーブ29とチャ
ックスリーブ41とが、図で右方向に移動する。
As a result, the diameter of the inner peripheral surface of the collet chuck 13 is reduced, and the workpiece 51 can be gripped. When the workpiece 51 is released by increasing the diameter of the inner peripheral surface of the collet chuck 13, the chuck opening / closing claw 33 is used.
Are moved to close each other, thereby removing the force for pushing the chuck sleeve 41 to the left. Then, the intermediate sleeve 29 and the chuck sleeve 41 move rightward in the drawing due to the restoring force of the spring 25.

【0029】このため、コレットチャック13の外周テ
ーパ面13aと、チャックスリーブ41の内周テーパ面
41aとの押圧力が除かれることになる。それによっ
て、コレットチャック13は自己のもつ弾性力で内周面
の直径が大きくなり、被加工物51を解放することがで
きる。さらに、主軸台17の前方にはコラム35が設け
られており、そこに、ガイドブッシュ装置37をその中
心軸線を主軸中心線と一致させるようにして配置してい
る。
Therefore, the pressing force between the outer tapered surface 13a of the collet chuck 13 and the inner tapered surface 41a of the chuck sleeve 41 is eliminated. Thereby, the diameter of the inner peripheral surface of the collet chuck 13 is increased by its own elastic force, and the workpiece 51 can be released. Further, a column 35 is provided in front of the headstock 17, and the guide bush device 37 is arranged there so that the center axis of the guide bush device 37 coincides with the center axis of the spindle.

【0030】このガイドブッシュ装置37は、ガイドブ
ッシュ11を固定して、このガイドブッシュ11の内周
面11bで被加工物51を回転可能な状態で保持する固
定型のガイドブッシュ装置37である。コラム35に固
定したホルダ39の中心孔に、ブッシュスリーブ23を
嵌入し、そのブッシュスリーブ23の先端部には内周テ
ーパ面23aを設けている。
The guide bush device 37 is a fixed type guide bush device 37 that fixes the guide bush 11 and holds the workpiece 51 in a rotatable state on the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11. The bush sleeve 23 is fitted into the center hole of the holder 39 fixed to the column 35, and the inner peripheral taper surface 23 a is provided at the tip of the bush sleeve 23.

【0031】そして、このブッシュスリーブ23の中心
孔に、先端部に外周テーパ面11a及び摺り割り11c
を形成したガイドブッシュ11を嵌入させて配置してい
る。ガイドブッシュ装置37の後端部に、ガイドブッシ
ュ11のネジ部に螺着して設けた調整ナット43を回転
することによって、ガイドブッシュ11の内径と被加工
物51の外形との隙間寸法を調整することができる。
The outer peripheral tapered surface 11a and the slit 11c
The guide bush 11 formed with is fitted and arranged. The gap between the inner diameter of the guide bush 11 and the outer shape of the workpiece 51 is adjusted by rotating an adjustment nut 43 provided at the rear end of the guide bush device 37 by screwing the screw portion of the guide bush 11. can do.

【0032】すなわち、調整ナット43を右回転させる
と、ブッシュスリーブ23に対してガイドブッシュ11
が図で右方向に移動し、コレットチャック13の場合と
同様に、ブッシュスリーブ23の内周テーパ面23aと
ガイドブッシュ11の外周テーパ面11aとが相互に押
圧されて、ガイドブッシュ11の先端部の内径が小さく
なるためである。
That is, when the adjustment nut 43 is rotated clockwise, the guide bush 11
Moves rightward in the figure, and similarly to the case of the collet chuck 13, the inner peripheral tapered surface 23 a of the bush sleeve 23 and the outer peripheral tapered surface 11 a of the guide bush 11 are pressed against each other, and the leading end of the guide bush 11 is moved. This is because the inner diameter of the becomes smaller.

【0033】ガイドブッシュ装置37のさらに前方に
は、切削工具(刃物)45を設けている。そして、被加工
物51を主軸19のコレットチャック13で把持すると
共に、ガイドブッシュ装置37で支持し、しかもこのガ
イドブッシュ装置37を貫通して加工領域に突き出した
被加工物51を、切削工具45の前進後退と主軸台17
の移動との合成運動によって所定の切削加工を行なう。
In front of the guide bush device 37, a cutting tool (blade) 45 is provided. The workpiece 51 is gripped by the collet chuck 13 of the spindle 19 and supported by the guide bush device 37, and the workpiece 51 protruding into the processing area through the guide bush device 37 is removed by the cutting tool 45. Forward and backward and headstock 17
A predetermined cutting process is performed by a combined motion with the movement of the object.

【0034】つぎに、被加工物を把持するガイドブッシ
ュ11を回転する状態で使用する回転型のガイドブッシ
ュ装置について、図24によって説明する。この図24
において、図23と対応する部分には同一の符号を付し
ている。この回転型のガイドブッシュ装置としては、コ
レットチャック13とガイドブッシュ11とが同期して
回転するガイドブッシュ装置と、同期しないで回転する
ガイドブッシュ装置とがある。この図に示すガイドブッ
シュ装置37は、コレットチャック13とガイドブッシ
ュ11とが同期して回転するものである。
Next, a description will be given of a rotary guide bush device used in a state where the guide bush 11 for gripping a workpiece is rotated, with reference to FIG. This FIG.
In FIG. 23, portions corresponding to those in FIG. 23 are denoted by the same reference numerals. The rotary guide bush device includes a guide bush device in which the collet chuck 13 and the guide bush 11 rotate in synchronization, and a guide bush device in which the collet chuck 13 and the guide bush rotate without synchronization. In the guide bush device 37 shown in this figure, the collet chuck 13 and the guide bush 11 rotate in synchronization.

【0035】この回転型のガイドブッシュ装置37は、
主軸19のキャップナット27から突き出した回転駆動
棒47によって、ガイドブッシュ装置37を駆動する。
この回転駆動棒47に代えて、歯車やベルトプーリによ
ってガイドブッシュ装置37を駆動するものもある。
This rotary type guide bush device 37 is
The guide bush device 37 is driven by a rotation drive rod 47 protruding from the cap nut 27 of the main shaft 19.
In some cases, the guide bush device 37 is driven by a gear or a belt pulley instead of the rotary drive rod 47.

【0036】この回転型のガイドブッシュ装置37は、
コラム35に固定するホルダ39の中心孔に、軸受21
を介して回転可能な状態にブッシュスリーブ23を嵌入
させて配置している。さらに、このブッシュスリーブ2
3の中心孔にガイドブッシュ11を嵌入させて配置して
いる。
This rotary type guide bush device 37 is
The bearing 21 is fixed to the center hole of the holder 39 fixed to the column 35.
The bush sleeve 23 is fitted and arranged so as to be rotatable via the. Furthermore, this bush sleeve 2
The guide bush 11 is fitted into the center hole 3 and arranged.

【0037】ブッシュスリーブ23とガイドブッシュ1
1とは、図23によって説明したものと同様な構成であ
る。そしてガイドブッシュ装置37の後端部に、ガイド
ブッシュ11のネジ部に螺着して設けた調整ナット43
を回転することによって、ガイドブッシュ11の内径を
小さくして、ガイドブッシュ11の内径と被加工物51
の外形との隙間寸法を調整することができる。ガイドブ
ッシュ装置37が回転型である以外の構成は、図23に
よって説明した自動旋盤の構成と同じであるのでそれら
の説明は省略する。
Bush sleeve 23 and guide bush 1
1 has the same configuration as that described with reference to FIG. An adjusting nut 43 is provided at the rear end of the guide bush device 37 by screwing the screw portion of the guide bush 11.
The inner diameter of the guide bush 11 is reduced by rotating the
The gap size with the outer shape of the device can be adjusted. Except for the configuration in which the guide bush device 37 is a rotary type, the configuration is the same as that of the automatic lathe described with reference to FIG.

【0038】〔この発明を適用したガイドブッシュの説
明〕つぎに、この発明を適用して内周面に硬質カーボン
膜を形成したガイドブッシュの構成を説明する。図1は
そのガイドブッシュの一例を示す縦断面図であり、図2
はその外観を示す斜視図である。
[Description of Guide Bush to which the Present Invention is Applied] Next, the configuration of a guide bush in which a hard carbon film is formed on the inner peripheral surface by applying the present invention will be described. FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of the guide bush, and FIG.
Is a perspective view showing its appearance.

【0039】これらの図に示すガイドブッシュ11は、
先端部が開いた自由な状態を示している。このガイドブ
ッシュ11は、軸方向に中心開口11jを有する略円筒
状に形成され、長手方向の一端部に外周テーパ面11a
を形成し、他端部にネジ部11fを有する。
The guide bush 11 shown in these figures is
This shows a free state in which the tip is open. The guide bush 11 is formed in a substantially cylindrical shape having a central opening 11j in the axial direction, and has an outer peripheral tapered surface 11a at one end in the longitudinal direction.
And has a screw portion 11f at the other end.

【0040】そして、このガイドブッシュ11の中心開
口11jは、外周テーパ面11aを設けた一端部の内側
に、被加工物51を保持する内周面11bを形成し、こ
の内周面11b以外の領域には、内周面11bの内径よ
り大きな内径をもつ段差部11gを形成している。ま
た、このガイドブッシュ11は、外周テーパ面11aか
らバネ部11dにまで、外周テーパ面11aを円周方向
に3等分するように摺り割り11cを、120°間隔で
3箇所に設けている。
The central opening 11j of the guide bush 11 forms an inner peripheral surface 11b for holding the workpiece 51 inside one end portion provided with the outer tapered surface 11a. In the region, a step portion 11g having an inner diameter larger than the inner diameter of the inner peripheral surface 11b is formed. The guide bush 11 is provided with three slits 11c at 120 ° intervals from the outer peripheral tapered surface 11a to the spring portion 11d so as to divide the outer peripheral tapered surface 11a into three equal parts in the circumferential direction.

【0041】そして、前述したブッシュスリーブの内周
テーパ面にこのガイドブッシュ11の外周テーパ面11
aを押圧することによって、バネ部11dが撓み、内周
面11bと図1に仮想線で示す被加工物51との隙間寸
法を調整することができる。さらに、このガイドブッシ
ュ11には、バネ部11dとネジ部11fとの間に嵌合
部11eを設けている。そして、この嵌合部11eを図
23及び図24に示したブッシュスリーブ23の中心孔
に嵌合させることによって、ガイドブッシュ11を主軸
の中心線上で、しかも主軸中心線に平行に配置すること
ができる。
The outer peripheral taper surface 11 of the guide bush 11 is formed on the inner peripheral taper surface of the bush sleeve.
By pressing a, the spring portion 11d bends, and the gap size between the inner peripheral surface 11b and the workpiece 51 indicated by a virtual line in FIG. 1 can be adjusted. Further, the guide bush 11 is provided with a fitting portion 11e between the spring portion 11d and the screw portion 11f. By fitting the fitting portion 11e into the center hole of the bush sleeve 23 shown in FIGS. 23 and 24, the guide bush 11 can be arranged on the center line of the main shaft and parallel to the main shaft center line. it can.

【0042】このガイドブッシュ11の材料としては、
合金工具鋼(SKS)を用い、外形形状と内形形状とを
形成した後、焼き入れ処理と焼き戻し処理とを行なう。
さらに、好ましくはこのガイドブッシュ11の内周面1
1bに、図3に示すように超硬部材12をロウ付け手段
により固定するとよい。この超硬部材12としては、タ
ングステン(W)が85%〜90%、炭素(C)が5%
〜7%、バインダとしてコバルト(Co)が3%〜10
%の組成のものを用いる。
The material of the guide bush 11 is as follows.
After forming an outer shape and an inner shape using alloy tool steel (SKS), a quenching process and a tempering process are performed.
Furthermore, preferably, the inner peripheral surface 1 of the guide bush 11
As shown in FIG. 3, the super hard member 12 may be fixed to 1b by brazing means. As the super hard member 12, tungsten (W) is 85% to 90%, and carbon (C) is 5%.
~ 7%, Cobalt (Co) as binder 3% ~ 10
% Is used.

【0043】しかし、このガイドブッシュ11は、外周
テーパ面11aが閉じた状態で、内周面11bと被加工
物51との間に半径方向で5μm〜10μmの隙間を設
けている。それにより、被加工物51が出入りして内周
面11bと摺接するため、その摩耗が問題となる。
However, the guide bush 11 has a gap of 5 μm to 10 μm in the radial direction between the inner peripheral surface 11b and the workpiece 51 with the outer peripheral tapered surface 11a closed. As a result, the workpiece 51 comes in and out and comes into sliding contact with the inner peripheral surface 11b, so that its wear becomes a problem.

【0044】さらに、図23に示したような固定型のガ
イドブッシュ装置に使用する場合は、固定されたガイド
ブッシュ11に保持され被加工物51が高速で回転して
加工されるため、内周面11bと被加工物51との間で
高速摺動し、しかも切削負荷による内周面11bへの過
大な被加工物51の押圧力によって、焼き付きを発生さ
せる問題がある。
Further, when used in a fixed type guide bush device as shown in FIG. 23, the workpiece 51 held by the fixed guide bush 11 rotates at a high speed and is processed. There is a problem that sliding occurs between the surface 11b and the workpiece 51 at a high speed, and furthermore, seizure occurs due to excessive pressing force of the workpiece 51 against the inner peripheral surface 11b due to a cutting load.

【0045】そのため、このガイドブッシュ11の内周
面11bに、前述した硬質カーボン膜(DLC)15を
設けている。その硬質カーボン膜15の膜厚は1μmか
ら5μmとする。図1の例では、ガイドブッシュ11の
基材(合金工具鋼)上に後述する中間層を介して硬質カ
ーボン膜15を形成し、図3の例では、超硬部材12上
に直接あるいは後述する中間層を介して硬質カーボン膜
15を形成する。
Therefore, the above-mentioned hard carbon film (DLC) 15 is provided on the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11. The thickness of the hard carbon film 15 is 1 μm to 5 μm. In the example of FIG. 1, a hard carbon film 15 is formed on the base material (alloy tool steel) of the guide bush 11 via an intermediate layer described later, and in the example of FIG. The hard carbon film 15 is formed via the intermediate layer.

【0046】この硬質カーボン膜は、ダイアモンドとよ
く似た性質をもつ。すなわち機械的強度が高く、摩擦係
数が小さく潤滑性があり、さらに良好な電気的絶縁性や
高い熱伝導率をもち、腐食性にも優れているという特徴
点を備えている。
This hard carbon film has properties very similar to diamond. That is, it is characterized by high mechanical strength, low coefficient of friction, lubricity, good electrical insulation, high thermal conductivity, and excellent corrosion.

【0047】そのため、内周面11bに硬質カーボン膜
15を設けたこのガイドブッシュ11は、耐摩耗性が飛
躍的に向上し、長期間の使用や重切削加工においても、
被加工物51と接触する内周面11bの摩耗を抑えるこ
とができる。また、被加工物51へのキズの発生を抑え
ることも可能になり、ガイドブッシュ11と被加工物5
1との焼き付きの発生を抑制することもできる。
Therefore, the guide bush 11 provided with the hard carbon film 15 on the inner peripheral surface 11b has remarkably improved abrasion resistance, and can be used for a long time or in heavy cutting.
Wear of the inner peripheral surface 11b that comes into contact with the workpiece 51 can be suppressed. In addition, it is possible to suppress the occurrence of scratches on the workpiece 51, and the guide bush 11 and the workpiece 5
The occurrence of image sticking with 1 can also be suppressed.

【0048】それ故、このガイドブッシュ11は、長期
間の使用に対する信頼性を格段に向上させることがで
き、固定型のガイドブッシュ装置にも充分使用できる。
ここで、このガイドブッシュ11の内周面11bの硬質
カーボン膜15を形成した部分の各種の構成例を、図1
及び図33に円Aで囲んだ部分に相当する拡大断面図で
ある図4乃至図7と、その図5の一部を拡大して中間層
の構成例を示す図8を参照して説明する。
Therefore, the reliability of the guide bush 11 for long-term use can be remarkably improved, and the guide bush 11 can be sufficiently used for a fixed type guide bush device.
Here, various configuration examples of the portion of the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11 where the hard carbon film 15 is formed are shown in FIG.
4 to 7 which are enlarged cross-sectional views corresponding to a portion surrounded by a circle A in FIG. 33, and FIG. 8 which shows a configuration example of an intermediate layer by enlarging a part of FIG. .

【0049】図4は図1のA部の拡大図に相当し、ガイ
ドブッシュ11の内周面11bの基材(合金工具鋼)上
に、密着性を高めるための中間層16を介して、硬質カ
ーボン膜を1μmから5μmの膜厚で形成したものであ
る。なお、ガイドブッシュ11の基材の材質によって
は、中間層16を介さずに直接その表面に硬質カーボン
膜を形成することも可能である。
FIG. 4 corresponds to an enlarged view of a portion A in FIG. 1, and is disposed on a base material (alloy tool steel) of the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11 via an intermediate layer 16 for improving adhesion. The hard carbon film is formed with a thickness of 1 μm to 5 μm. Depending on the material of the base material of the guide bush 11, it is also possible to form a hard carbon film directly on the surface without the intermediate layer 16.

【0050】図5及び図6は図3のA部の拡大図に相当
し、いずれもガイドブッシュ11の内周面11bの基材
上に、肉厚が2mm〜5mmの超硬部材12をロー付け
等によって固着し、その内周面に硬質カーボン膜15を
形成している。このようにすれば、ガイドブッシュ11
の耐久性が一層向上する。図5に示した例では、超硬部
材12の内周面にさらに密着性を高める中間層16を介
して、硬質カーボン膜15を形成している。
FIGS. 5 and 6 correspond to enlarged views of the portion A in FIG. 3. In both cases, the super hard member 12 having a thickness of 2 mm to 5 mm is fixed on the base material of the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11. The hard carbon film 15 is formed on the inner peripheral surface of the substrate. By doing so, the guide bush 11
Is further improved in durability. In the example shown in FIG. 5, the hard carbon film 15 is formed on the inner peripheral surface of the super hard member 12 via the intermediate layer 16 for further improving the adhesion.

【0051】これらの例において、硬質カーボン膜15
の下層に設ける超硬部材12として、タングステンカー
バイト(WC)などの超硬合金や、シリコンカーバイト
(SiC)などのセラミクスの焼結体を使用することも
できる。セラミックスの焼結に際しては、通常Cr,N
i,Coなどをバインダとして添加するが、その添加が
少ない場合には、中間層16を介さずに硬質カーボン膜
15を直接その超硬部材12上に形成することもでき
る。
In these examples, the hard carbon film 15
A cemented carbide such as tungsten carbide (WC) or a sintered body of ceramics such as silicon carbide (SiC) can be used as the cemented carbide member 12 provided in the lower layer. When sintering ceramics, Cr, N
Although i, Co and the like are added as a binder, when the addition is small, the hard carbon film 15 can be formed directly on the super hard member 12 without the intermediate layer 16.

【0052】図7は、ガイドブッシュ11の内周面11
bに超硬部材12を設ける代わりに、ガイドブッシュ1
1の内周面11b付近の基材に浸炭層11kを形成し、
その浸炭層11kによる内周面11bに硬質カーボン膜
15を形成した例を示している。
FIG. 7 shows the inner peripheral surface 11 of the guide bush 11.
b, the guide bush 1
1 to form a carburized layer 11k on the base material near the inner peripheral surface 11b,
An example in which a hard carbon film 15 is formed on the inner peripheral surface 11b by the carburized layer 11k is shown.

【0053】浸炭とは、鋼材の表面硬化法のひとつで、
表層は硬化させ、深部は強靭な性質のままに保つ公知の
処理である。例えば、メタン(CH4)やエチレン(C2
4)などの炭素を含む浸炭性ガスと窒素(N2)のキャ
リアガスとの混合ガス雰囲気中で、次のような条件で浸
炭処理を行なう。
Carburization is one of the methods of hardening steel materials.
This is a well-known process in which the surface layer is hardened and the deep portion remains tough. For example, methane (CH 4 ) or ethylene (C 2
Carburizing is performed under the following conditions in a mixed gas atmosphere of a carburizing gas containing carbon such as H 4 ) and a carrier gas of nitrogen (N 2 ).

【0054】(浸炭条件) 温 度 1100℃ 時 間 30分 浸炭深さ 0.5mm(Carburizing conditions) Temperature 1100 ° C. Time 30 minutes Carburizing depth 0.5 mm

【0055】このようにして、ガイドブッシュ11の内
周面11bの表層に浸炭層11kを形成した場合は、そ
の表面に直接硬質カーボン膜15を形成することができ
るが、その表面にさらに密着性を高める中間層16を形
成し、その中間層16を介して硬質カーボン膜15を形
成するようにするとなおよい。
When the carburized layer 11k is formed on the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11 as described above, the hard carbon film 15 can be formed directly on the surface, but the adhesion is further improved on the surface. It is more preferable to form an intermediate layer 16 for increasing the hardness, and to form the hard carbon film 15 via the intermediate layer 16.

【0056】この中間層16としては、周期律表第IV
b族のシリコン(Si)やゲルマニウム(Ge)、ある
いはシリコンやゲルマニウムの化合物でもよい。あるい
はシリコンカーバイト(SiC)やチタンカーバイト
(TiC)のような炭素を含む化合物でもよい。また、
この中間層16として、チタン(Ti)やタングステン
(W)やモリブデン(Mo)あるいはタンタル(Ta)
とシリコン(Si)との化合物も適用できる。
The intermediate layer 16 is made of a material of the Periodic Table IV.
Group b silicon (Si) or germanium (Ge) or a compound of silicon or germanium may be used. Alternatively, a compound containing carbon such as silicon carbide (SiC) or titanium carbide (TiC) may be used. Also,
As the intermediate layer 16, titanium (Ti), tungsten (W), molybdenum (Mo), or tantalum (Ta) is used.
And a compound of silicon (Si).

【0057】さらに、この中間層16を、第8図に示す
ように、チタン(Ti)又はクロム(Cr)による下層
16aと、シリコン(Si)又はゲルマニウム(Ge)
による上層16bとの2層膜に形成してもよい。このよ
うにすると、中間層16の下層16aのチタンやクロム
はガイドブッシュ11の基材との密着性を保つ役割を果
たし、上層16bのシリコンやゲルマニウムは硬質カー
ボン膜15と共有結合して、この硬質カーボン膜15と
強く結合する役割を果たす。
Further, as shown in FIG. 8, the intermediate layer 16 is made of a lower layer 16a of titanium (Ti) or chromium (Cr) and silicon (Si) or germanium (Ge).
May be formed as a two-layer film with the upper layer 16b. In this case, the titanium and chromium of the lower layer 16a of the intermediate layer 16 play a role of maintaining the adhesion to the base material of the guide bush 11, and the silicon and germanium of the upper layer 16b are covalently bonded to the hard carbon film 15, and It plays a role of strongly bonding to the hard carbon film 15.

【0058】さらにまた、この中間層16としては、チ
タン化合物又はクロム化合物の下層とシリコン化合物又
はゲルマニウム化合物の上層との2層膜で形成してもよ
い。あるいは、チタン又はクロムの下層とシリコン化合
物又はゲルマニウム化合物の上層との2層膜で形成して
もよい。さらに、チタン化合物又はクロム化合物の下層
とシリコン又はゲルマニウムの上層との2層膜としても
よい。
Further, the intermediate layer 16 may be formed of a two-layer film of a lower layer of a titanium compound or a chromium compound and an upper layer of a silicon compound or a germanium compound. Alternatively, a two-layer film of a lower layer of titanium or chromium and an upper layer of a silicon compound or a germanium compound may be used. Further, a two-layer film of a lower layer of a titanium compound or a chromium compound and an upper layer of silicon or germanium may be used.

【0059】〔中間層の形成方法の例〕上記中間層16
の形成方法としては、スパッタリング法やイオンプレー
ティング法、あるいは化学気相成長(CVD)法や溶射
法を適用すればよい。以下に、スパッタリング法を用い
た中間層16の形成方法について、図9を用いて説明す
る。
[Example of Method for Forming Intermediate Layer] The intermediate layer 16
May be applied by a sputtering method, an ion plating method, a chemical vapor deposition (CVD) method, or a thermal spraying method. Hereinafter, a method for forming the intermediate layer 16 using a sputtering method will be described with reference to FIGS.

【0060】図9に示すように、真空槽91の一壁面9
1aの内側にターゲットカバー96を固着して設け、そ
こに中間層の材料であるターゲット90を配置する。そ
して、このターゲット90に対向するように、ガイドブ
ッシュ11をその内周面11bを有する側の端部を向け
て配置する。このときガイドブッシュ11の中心開口1
1jの軸線がターゲット90の表面に対して垂直になる
ように配置する。
As shown in FIG. 9, one wall 9 of the vacuum chamber 91 is provided.
A target cover 96 is fixedly provided inside 1a, and a target 90, which is a material of an intermediate layer, is disposed there. Then, the guide bush 11 is disposed so as to face the target 90 with the end on the side having the inner peripheral surface 11b facing the target. At this time, the center opening 1 of the guide bush 11
The axis 1j is arranged so as to be perpendicular to the surface of the target 90.

【0061】ここでのターゲット90は、前述の中間層
16の材料として挙げたチタン(Ti)、クロム(C
r)、シリコン(Si)、シリコンカーバイト(Si
C)、またはタングステンカーバイト(WC)などであ
る。そして、ガイドブッシュ11は直流電源92に接続
する。ターゲット90はターゲット電源97に接続す
る。そして図示しない排気手段によって真空槽91内を
真空度が3×10-5torr以下になるように排気口9
5から真空排気する。
The target 90 here is made of titanium (Ti) or chromium (C
r), silicon (Si), silicon carbide (Si
C) or tungsten carbide (WC). Then, the guide bush 11 is connected to a DC power supply 92. The target 90 is connected to a target power supply 97. Then, the exhaust port 9 is evacuated by an exhaust means (not shown) so that the degree of vacuum in the vacuum chamber 91 becomes 3 × 10 −5 torr or less.
Evacuate from 5

【0062】その後、ガス導入口93からスパッタガス
としてアルゴン(Ar)ガスを導入して、真空槽91内
の真空度が3×10-3torrになるように調整する。
さらにその後、ガイドブッシュ11には直流電源92か
らマイナス50Vの直流負電圧を印加し、ターゲット9
0にはターゲット電源97からマイナス600Vの直流
電圧を印加する。すると真空槽91内にはプラズマが発
生し、プラズマ中のイオンによってターゲット90の表
面をスパッタする。
Thereafter, argon (Ar) gas is introduced as a sputtering gas from the gas inlet 93 to adjust the degree of vacuum in the vacuum chamber 91 to 3 × 10 −3 torr.
After that, a negative DC voltage of −50 V is applied to the guide bush 11 from a DC power supply 92 to
A DC voltage of -600 V is applied to 0 from the target power supply 97. Then, plasma is generated in the vacuum chamber 91, and the surface of the target 90 is sputtered by ions in the plasma.

【0063】それによって、このターゲット90の表面
から叩きだされた中間層の材料が、ガイドブッシュ11
のカバー部材94に覆われていない部分に付着し、図4
によって説明した中間層16を形成する。あるいは図5
に示したように、ガイドブッシュ11の内周面11bに
固着した超硬部材12上に中間層16を形成することも
できる。この中間層16の形成膜厚としては、0.5μ
m程度とする。
As a result, the material of the intermediate layer struck from the surface of the target 90 is transferred to the guide bush 11.
4 adheres to a portion not covered by the cover member 94 of FIG.
Is formed. Or Figure 5
As shown in (1), the intermediate layer 16 can be formed on the superhard member 12 fixed to the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11. The thickness of the intermediate layer 16 is 0.5 μm.
m.

【0064】ただし、図8に示したように、中間層16
を下層16aと上層16bの2層膜に形成する場合は、
ターゲット90として始めは下層の材料(例えばチタン
又はクロム)を使用して0.5μm程度の下層16aを
形成し、次にターゲット90として上層の材料(例えば
シリコン又はゲルマニウム)を使用して0.5μm程度
の上層16bを形成する。
However, as shown in FIG.
Is formed in a two-layer film of the lower layer 16a and the upper layer 16b,
First, the lower layer 16a having a thickness of about 0.5 μm is formed using a lower layer material (eg, titanium or chromium) as the target 90, and then the lower layer 16a is formed using the upper layer material (eg, silicon or germanium) as the target 90. The upper layer 16b is formed.

【0065】この中間層を形成する際に、図9に示すよ
うに、ガイドブッシュ11の外周面をアルミニウム箔な
どのカバー部材94によって覆っておけば、ガイドブッ
シュ11の内面にのみ中間層を形成することができる。
When the intermediate layer is formed, as shown in FIG. 9, if the outer peripheral surface of the guide bush 11 is covered with a cover member 94 such as aluminum foil, the intermediate layer is formed only on the inner surface of the guide bush 11. can do.

【0066】なお、前述した超硬部材12としてシリコ
ンカーバイト(SiC)を用いる場合には、この中間層
16の形成を省略することができる。なぜなら、シリコ
ンカーバイトは周期律表の第IVb族のシリコンと炭素
との化合物であり、その表面に形成される硬質カーボン
膜15と共有結合して、高い密着性が得られるからであ
る。
In the case where silicon carbide (SiC) is used as the super hard member 12, the formation of the intermediate layer 16 can be omitted. This is because silicon carbide is a compound of silicon and carbon belonging to Group IVb of the periodic table and is covalently bonded to the hard carbon film 15 formed on the surface thereof, thereby obtaining high adhesion.

【0067】〔ガイドブッシュの内周面に硬質カーボン
膜を形成する方法の説明〕つぎに、この発明によるガイ
ドブッシュの内周面への硬質カーボン膜の形成方法の各
種の実施形態を説明する。まず、図3に示したガイドブ
ッシュ11を例に、その内周面11bに硬質カーボン膜
を形成する前のガイドブッシュの作成工程を説明する。
[Description of Method for Forming Hard Carbon Film on Inner Peripheral Surface of Guide Bush] Next, various embodiments of the method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush according to the present invention will be described. First, using the guide bush 11 shown in FIG. 3 as an example, a process of forming the guide bush before forming a hard carbon film on the inner peripheral surface 11b will be described.

【0068】このガイドブッシュ11は、合金工具鋼
(SKS)を用いて切削加工を行なって、外周テーパ面
11aとバネ部11dと嵌合部11eとネジ部11f
と、中心開口11jによる内周面11bとそれより内径
が大きい段差部11gとを形成する。その後、円筒形状
の超硬部材12をこのガイドブッシュ11の内周面11
bに、ロウ付けにより接合して固着する。
The guide bush 11 is formed by cutting using alloy tool steel (SKS) to form an outer tapered surface 11a, a spring portion 11d, a fitting portion 11e, and a screw portion 11f.
Then, an inner peripheral surface 11b formed by the center opening 11j and a step portion 11g having a larger inner diameter than the inner peripheral surface 11b are formed. Thereafter, the cylindrical super hard member 12 is moved to the inner peripheral surface 11 of the guide bush 11.
b, and is fixedly joined by brazing.

【0069】そして、放電加工を行なって、このガイド
ブッシュ11の外周テーパ面11a側に120゜間隔で
摺り割り11cを形成する。さらに研磨加工を行なっ
て、内周面11bと外周テーパ面11aと嵌合部11e
との研磨を行ない、硬質カーボン膜を形成する前のガイ
ドブッシュ11を得る。その後、図9によって説明した
方法などによって、1層あるい2層の中間層を形成する
のが望ましい。
Then, electric discharge machining is performed to form a slit 11c at an interval of 120 ° on the outer peripheral tapered surface 11a side of the guide bush 11. Polishing is further performed to form an inner peripheral surface 11b, an outer peripheral tapered surface 11a, and a fitting portion 11e.
Is performed to obtain the guide bush 11 before the hard carbon film is formed. Thereafter, it is desirable to form one or two intermediate layers by the method described with reference to FIG.

【0070】〔第1の実施形態:図10〕つぎに、図1
0によって、この発明によるガイドブッシュの内周面に
硬質カーボン膜を形成する方法の第1の実施形態を説明
する。図10において、61は、ガス導入口63と排気
口65とを有する真空槽で、その中の中央上部に、アノ
ード79とフィラメント78が配設されている。
[First Embodiment: FIG. 10] Next, FIG.
0 describes a first embodiment of a method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention. In FIG. 10, reference numeral 61 denotes a vacuum chamber having a gas inlet 63 and an exhaust port 65, in which an anode 79 and a filament 78 are provided at the upper center.

【0071】この真空槽61内の中央下部に、前述した
ガイドブッシュ11を絶縁支持具80によって下部を固
定して垂直に配置する。そして、このガイドブッシュ1
1の中心開口11j内には、真空槽61を介して接地電
位に接続される細いロッド状の補助電極71を挿入する
ように配設する。このとき、補助電極71がガイドブッ
シュ11の中心開口11jの中央部(略軸線上)に位置
するようにする。
The above-described guide bush 11 is vertically arranged at the lower center in the vacuum chamber 61 with the lower portion fixed by an insulating support 80. And this guide bush 1
In one central opening 11j, a thin rod-shaped auxiliary electrode 71 connected to the ground potential via a vacuum chamber 61 is arranged to be inserted. At this time, the auxiliary electrode 71 is positioned at the center (substantially on the axis) of the center opening 11j of the guide bush 11.

【0072】なお、この補助電極71はステンレス等の
金属材料で作られる。そして、この補助電極71は、そ
の先端がガイドブッシュ11の開口端面11hから突出
しないように、1mm程度内側に配置されるようにする
のが望ましい。そして、真空槽61内を真空度が3×1
0-5torrになるように、排気口65から真空排気する。
さらに、ガス導入口63から炭素を含むガスとしてベン
ゼンを真空槽61内に導入して、真空槽61内の圧力を
5×10-3torrになるように制御する。
The auxiliary electrode 71 is made of a metal material such as stainless steel. It is desirable that the auxiliary electrode 71 be disposed about 1 mm inward so that its tip does not protrude from the opening end face 11h of the guide bush 11. Then, the degree of vacuum in the vacuum chamber 61 is 3 × 1.
0 such that the 5 torr, evacuated from the exhaust port 65.
Further, benzene is introduced into the vacuum chamber 61 as a gas containing carbon from the gas inlet port 63, and the pressure in the vacuum chamber 61 is controlled to be 5 × 10 −3 torr.

【0073】その後、このガイドブッシュ11に直流電
源73からリアクトル74を介して負の直流電圧を印加
し、アノード79にはアノード電源75から正の直流電
圧を印加し、さらにフィラメント78にはフィラメント
電源77から交流電圧を印加して、真空槽61内にプラ
ズマを発生させ、プラズマCVD法によって、ガイドブ
ッシュ11の内周面11bに、水素化アモルファス・カ
ーボンによる硬質カーボン膜を形成する。
Thereafter, a negative DC voltage is applied to the guide bush 11 from the DC power supply 73 via the reactor 74, a positive DC voltage is applied to the anode 79 from the anode power supply 75, and a filament power supply is applied to the filament 78. An AC voltage is applied from 77 to generate plasma in the vacuum chamber 61, and a hard carbon film made of hydrogenated amorphous carbon is formed on the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11 by a plasma CVD method.

【0074】このとき、直流電源73からガイドブッシ
ュ11に印加する直流電圧はマイナス3kV、アノード
電源75からアノード79に印加する直流電圧はプラス
50V程度とする。また、フィラメント電源77からフ
ィラメント78に印加する交流電圧は、30Aの電流が
流れるように10V程度の交流電圧をとする。リアクト
ル74は、磁性材料からなるコアに銅線を巻回して構成
し、そのリアクタンス値を100mH程度に設定する。
At this time, the DC voltage applied from the DC power supply 73 to the guide bush 11 is -3 kV, and the DC voltage applied from the anode power supply 75 to the anode 79 is about +50 V. The AC voltage applied from the filament power supply 77 to the filament 78 is an AC voltage of about 10 V so that a current of 30 A flows. The reactor 74 is configured by winding a copper wire around a core made of a magnetic material, and sets the reactance value to about 100 mH.

【0075】このようにして、ガイドブッシュ11に直
流電源73からリアクトル74を介して負の直流電圧を
印加することにより、真空槽61内に配置したガイドブ
ッシュ11の周囲領域に安定したプラズマを発生させる
ことができる。また、硬質カーボン膜の膜質を左右する
被膜形成初期に、異常放電であるアーク放電がガイドブ
ッシュ11に発生しないため、硬質カーボン膜の膜質及
び密着性が向上する。
As described above, by applying a negative DC voltage to the guide bush 11 from the DC power supply 73 via the reactor 74, stable plasma is generated in a region around the guide bush 11 arranged in the vacuum chamber 61. Can be done. In addition, since an arc discharge, which is an abnormal discharge, does not occur in the guide bush 11 in the initial stage of film formation that affects the film quality of the hard carbon film, the film quality and adhesion of the hard carbon film are improved.

【0076】さらに、ガイドブッシュ11の中心開口1
1j内に挿入するように補助電極71を接地して設けた
ことにより、ガイドブッシュ11の外周部だけでなく、
中心開口11j内にも充分にプラズマを発生させること
ができる。また、これによって異常放電であるホロー放
電が発生することがなくなり、ガイドブッシュ11の内
周面11bへの硬質カーボン膜の密着性が向上する。
Further, the center opening 1 of the guide bush 11
1j, the auxiliary electrode 71 is provided to be grounded, so that not only the outer peripheral portion of the guide bush 11 but also
Plasma can be sufficiently generated also in the center opening 11j. In addition, the hollow discharge, which is an abnormal discharge, does not occur, thereby improving the adhesion of the hard carbon film to the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11.

【0077】さらに、ガイドブッシュ11の内周面の長
手方向で電位特性が均一になるので、内周面11bに形
成する硬質カーボン膜の膜厚分布が均一になる。しか
も、成膜速度が速くなるため、開口端面11h側から奥
側まで均一な膜厚の硬質カーボン膜を、短時間の処理で
形成することができる。
Further, since the potential characteristics become uniform in the longitudinal direction of the inner peripheral surface of the guide bush 11, the thickness distribution of the hard carbon film formed on the inner peripheral surface 11b becomes uniform. Moreover, since the film formation speed is increased, a hard carbon film having a uniform thickness from the opening end surface 11h side to the back side can be formed in a short time.

【0078】この補助電極71の径は、ガイドブッシュ
11の中心開口11jの径より小さければよいが、好ま
しくは硬質カーボン膜を形成する内周面11bに対して
5mm程度の隙間、すなわちプラズマ形成領域を設ける
ようにするのが望ましい。この補助電極71の径とガイ
ドブッシュ11の開口径との比を1/10以下にするの
が望ましく、補助電極71を細くする場合は線状にする
こともできる。そして、この補助電極71はステンレス
で形成すると説明したが、タングステン(W)やタンタ
ル(Ta)のような高融点の金属材料で作成してもよ
い。また、この補助電極71の断面形状は円形とする。
The diameter of the auxiliary electrode 71 may be smaller than the diameter of the center opening 11j of the guide bush 11, but is preferably about 5 mm from the inner peripheral surface 11b on which the hard carbon film is formed, that is, the plasma forming region. Is desirably provided. It is desirable that the ratio between the diameter of the auxiliary electrode 71 and the opening diameter of the guide bush 11 be 1/10 or less. When the auxiliary electrode 71 is made thinner, it can be made linear. Although the auxiliary electrode 71 is described as being formed of stainless steel, it may be formed of a high melting point metal material such as tungsten (W) or tantalum (Ta). The cross-sectional shape of the auxiliary electrode 71 is circular.

【0079】〔絶縁支持具の具体的構造例:図11〕こ
こで、図10で簡略化して図示しているガイドブッシュ
11と補助電極71を支持するための絶縁支持具80の
具体的な構造の例を、図11に示す。この絶縁支持具8
0は、図11に示すように、ガイドブッシュ11と電気
的に接続するための第1の電極板85を有し、その露出
面を、セラミックスや樹脂材料からなる第1の絶縁部材
87と第2の絶縁部材88とで覆う。この第1の電極板
85は、リアクトル74を介して直流電源73に接続さ
れる。
[Specific structural example of insulating support: FIG. 11] Here, a specific structure of the insulating support 80 for supporting the guide bush 11 and the auxiliary electrode 71 shown in a simplified form in FIG. 11 is shown in FIG. This insulating support 8
0, as shown in FIG. 11, has a first electrode plate 85 for electrically connecting to the guide bush 11, and has an exposed surface formed with a first insulating member 87 made of ceramics or a resin material. And the second insulating member 88. This first electrode plate 85 is connected to a DC power supply 73 via a reactor 74.

【0080】また、ガイドブッシュ11の内周面11b
に硬質カーボン膜を形成するときに、この内周面11b
の近傍の段差部11gに起因する段差をなくす役割をも
つ導電性の挿入部材83をガイドブッシュ11の中心開
口11jの内面に配置する。この挿入部材83の内径寸
法は、ガイドブッシュ11の内周面11bの開口寸法と
ほぼ同じにする。また挿入部材83の外形形状は、ガイ
ドブッシュ11の中心開口11jの内周面11bの近傍
の内面形状に合わせるようにする。
The inner peripheral surface 11b of the guide bush 11
When a hard carbon film is formed on the inner peripheral surface 11b
Is disposed on the inner surface of the center opening 11j of the guide bush 11 having a role of eliminating a step caused by the step 11g near the center. The inner diameter of the insertion member 83 is substantially the same as the opening of the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11. The outer shape of the insertion member 83 is adapted to the inner surface shape near the inner peripheral surface 11b of the center opening 11j of the guide bush 11.

【0081】さらに、この挿入部材83を受ける第1の
ガイシ81と、その第1のガイシ81を受ける第2のガ
イシ82とをガイドブッシュ11の中心開口11j内の
段差部11gに配置する。この第1のガイシ81と第2
のガイシ82とは、いずれもセラミックスからなる絶縁
材料で構成する。
Further, the first insulator 81 for receiving the insertion member 83 and the second insulator 82 for receiving the first insulator 81 are arranged on the step 11g in the center opening 11j of the guide bush 11. The first insulator 81 and the second insulator
The insulator 82 is made of an insulating material made of ceramic.

【0082】そして、この第1のガイシ81と第2のガ
イシ82とに、補助電極71と、この補助電極71を嵌
入させて支持する補助電極支持部材72を挿入する貫通
孔を設け、さらに第2のガイシ82にはガイドブッシュ
11から突き出すような突出部82aを設けている。補
助電極71は補助電極支持部材72によって、ガイドブ
ッシュ11の中心開口11j内の中央部に配置されるよ
うに支持される。
The first insulator 81 and the second insulator 82 are provided with a through hole for inserting an auxiliary electrode 71 and an auxiliary electrode support member 72 for supporting the auxiliary electrode 71 by being fitted therein. The second insulator 82 is provided with a protruding portion 82a protruding from the guide bush 11. The auxiliary electrode 71 is supported by the auxiliary electrode support member 72 so as to be disposed at the center of the center opening 11j of the guide bush 11.

【0083】第1のガイシ81には、補助電極71を
0.01mmから0.05mm程度の隙間寸法をもって
通す小径の孔部81aと、補助電極支持部材72の太径
部72aを位置決めする大径の孔部81bとを設ける。
すなわち第1のガイシ81には段付きの孔部を設けてい
る。これに対して、第2のガイシ82には、補助電極支
持部材72の太径部72aと細径部72bとを位置決め
する段付き孔部82bを設ける。この第2のガイシ82
の前述した突出部82aは、第1の電極板85の孔部8
5aに嵌入する。
The first insulator 81 has a small-diameter hole portion 81a through which the auxiliary electrode 71 passes with a gap of about 0.01 mm to 0.05 mm, and a large-diameter portion for positioning the large-diameter portion 72a of the auxiliary electrode support member 72. Hole 81b.
That is, the first insulator 81 is provided with a stepped hole. On the other hand, the second insulator 82 is provided with a stepped hole portion 82b for positioning the large-diameter portion 72a and the small-diameter portion 72b of the auxiliary electrode support member 72. This second insulator 82
The aforementioned protruding portion 82 a is formed in the hole 8 of the first electrode plate 85.
5a.

【0084】さらに、ガイドブッシュ11のネジ部11
fの雄ネジに、雌ネジを設けたガイドブッシュ受け84
を螺着する。このガイドブッシュ受け84は、第1のガ
イシ81と第2のガイシ82が、ガイドブッシュ11の
中心開口11j内から脱落するのを防止する役割をも
つ。このガイドブッシュ受け84はステンレスのような
金属材料で構成される。第1の絶縁部材87には、この
ガイドブッシュ受け84の外形寸法に合致する開口部8
7aを設けている。
Further, the screw portion 11 of the guide bush 11
guide bush receiver 84 provided with a female screw on a male screw of f
Screw. The guide bush receiver 84 has a role of preventing the first insulator 81 and the second insulator 82 from dropping out of the center opening 11j of the guide bush 11. The guide bush receiver 84 is made of a metal material such as stainless steel. The first insulating member 87 has an opening 8 corresponding to the outer dimensions of the guide bush receiver 84.
7a is provided.

【0085】ガイドブッシュ受け84の底面部が第1の
電極板85の上面と接触しているため、ガイドブッシュ
11と第1の電極板85との接触面積が大きくなる。こ
のため直流電源73からリアクトル74を介して直流負
電圧を安定して印加することができ、硬質カーボン膜の
膜厚や膜質のばらつきを抑制することができる。
Since the bottom surface of the guide bush receiver 84 is in contact with the upper surface of the first electrode plate 85, the contact area between the guide bush 11 and the first electrode plate 85 increases. Therefore, a DC negative voltage can be stably applied from the DC power supply 73 via the reactor 74, and variations in the thickness and quality of the hard carbon film can be suppressed.

【0086】一方、第2の絶縁部材88を載置する第3
の絶縁部材89に凹部89aを設け、そこに第2の電極
板86を嵌合させて面一に保持している。そして、補助
電極支持部材72の細径部72bは、第2のガイシ82
から下方に突出して、第2の絶縁部材88を貫通し、第
2の電極板86の中心孔86aに嵌入している。
On the other hand, when the third insulating member 88 is placed on the third
The insulating member 89 is provided with a concave portion 89a, and the second electrode plate 86 is fitted therein and held flush. The small-diameter portion 72b of the auxiliary electrode support member 72 is
, Penetrates through the second insulating member 88, and fits into the center hole 86 a of the second electrode plate 86.

【0087】この第2の電極板86の裏面に当接するよ
うに、第3の絶縁部材89に嵌入する複数の金属製の脚
部100が垂直に設けられており、それが図10に示し
た導電材料からなる真空槽61の底面に載置される。し
たがって、補助電極71は、補助電極支持部材72,第
2の電極板86,脚部100,及び真空槽61を介して
接地されることになる。
A plurality of metal legs 100 which are fitted into the third insulating member 89 are provided vertically so as to be in contact with the back surface of the second electrode plate 86, as shown in FIG. It is placed on the bottom of a vacuum chamber 61 made of a conductive material. Therefore, the auxiliary electrode 71 is grounded via the auxiliary electrode support member 72, the second electrode plate 86, the leg 100, and the vacuum chamber 61.

【0088】このように、ガイドブッシュ11の段差部
11gに、第1のガイシ81と第2のガイシ82を介し
て補助電極71と補助電極支持部材72を配置すること
により、ガイドブッシュ11の中心開口11jの中心に
正確に補助電極71を配置することができる。補助電極
71がガイドブッシュ11の中心開口11jの中心から
ずれて配置されると、補助電極71とガイドブッシュ1
1の内周面11bとの間のプラズマ放電のバランスがく
ずれ、硬質カーボン膜の膜厚や膜質にばらつきが生じ
る。
As described above, by disposing the auxiliary electrode 71 and the auxiliary electrode support member 72 on the step portion 11g of the guide bush 11 via the first insulator 81 and the second insulator 82, the center of the guide bush 11 is formed. The auxiliary electrode 71 can be accurately arranged at the center of the opening 11j. When the auxiliary electrode 71 is displaced from the center of the center opening 11j of the guide bush 11, the auxiliary electrode 71 and the guide bush 1
The balance of the plasma discharge with the inner peripheral surface 11b of the hard carbon film is lost, and the thickness and quality of the hard carbon film vary.

【0089】そこで、ガイドブッシュ11の段差部11
gの内径寸法に合うように第1のガイシ81と第2のガ
イシ82を挿入し、さらにこのガイシ81,82の孔部
81a,81b,82bで補助電極71を位置規制する
ことにより、ガイドブッシュ11の中心開口11jの中
心に補助電極71を正確に配置することができる。その
ため、内周面11bに形成される硬質カーボン膜の膜厚
や膜質にばらつきが発生しない。
Therefore, the step 11 of the guide bush 11
The first bushing 81 and the second bushing 82 are inserted so as to match the inner diameter of the guide bush g, and the position of the auxiliary electrode 71 is regulated by the holes 81a, 81b, 82b of the bushings 81, 82, so that the guide bushing is formed. The auxiliary electrode 71 can be accurately arranged at the center of the 11 central opening 11j. Therefore, the thickness and quality of the hard carbon film formed on the inner peripheral surface 11b do not vary.

【0090】さらに、第2のガイシ82のガイドブッシ
ュ11から突き出す突出部82aが、前述のように第1
の電極板85の孔部85aに嵌合するので、この突出部
82aによって、ガイドブッシュ11と補助電極71と
の絶縁分離を完全に行うことができる。
Further, the projecting portion 82a of the second insulator 82 projecting from the guide bush 11 has the first
The protrusion 82a allows the guide bush 11 and the auxiliary electrode 71 to be completely insulated and separated from each other.

【0091】〔第2の実施形態:図12〕つぎに、図1
2によって、この発明によるガイドブッシュの内周面に
硬質カーボン膜を形成する方法の第2の実施形態を説明
する。この第2の実施形態およびこれに続いて説明する
第3,第4の実施形態は、図10に示したのと同様な真
空槽内に複数個のガイドブッシュを配置し、それらの各
内周面に同時に硬質カーボン膜を形成する実施形態であ
る。
[Second Embodiment: FIG. 12] Next, FIG.
2, a second embodiment of a method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention will be described. In the second embodiment and the third and fourth embodiments to be described subsequently, a plurality of guide bushes are arranged in a vacuum chamber similar to that shown in FIG. This is an embodiment in which a hard carbon film is simultaneously formed on a surface.

【0092】図12に示す第2の実施形態は、真空槽6
1内に2個のガイドブッシュ11A,11Bを配置し、
その各中心開口11jの中央部にそれぞれ補助電極71
A,71Bを挿入する。2個のガイドブッシュ11A,
11Bは、補助電極71A,71Bを通す開口55a,
55bを有する導電板55上に、それぞれ補助電極71
A,71Bを各中心開口11jの中央部に位置させるよ
うに載置される。
The second embodiment shown in FIG.
Arrange two guide bushes 11A and 11B in one,
An auxiliary electrode 71 is provided at the center of each central opening 11j.
A, 71B are inserted. Two guide bushes 11A,
11B is an opening 55a through which the auxiliary electrodes 71A and 71B pass,
Each of the auxiliary electrodes 71 on the conductive plate 55 having the
A and 71B are placed so as to be located at the center of each central opening 11j.

【0093】補助電極71A,71Bは、導電材料から
なる真空槽61の底面に垂直に固設され、その真空槽6
1を介して接地される。導電板55は、絶縁材料で作ら
れた脚部56によって、真空槽61の底面に絶縁して載
置される。
The auxiliary electrodes 71A and 71B are vertically fixed to the bottom of a vacuum chamber 61 made of a conductive material.
1 is grounded. The conductive plate 55 is insulated and placed on the bottom surface of the vacuum chamber 61 by legs 56 made of an insulating material.

【0094】そして、この導電板55に直流電源73か
らリアクトル74を介して負の直流電圧が印加され、そ
の負の直流電圧が各ガイドブッシュ11A,11Bに印
加される。すなわち、この実施例では、2個のガイドブ
ッシュ11A,11Bに単一のリアクトルを介して直流
電圧を印加することになる。また、その他の条件は図1
0によって説明し第1の実施形態の場合と同じであり、
真空槽61内にプラズマを発生させて、プラズマCVD
法によって、各ガイトブッシュ11A,11Bの内周面
11bに、同時に硬質カーボン膜を形成する。
Then, a negative DC voltage is applied to the conductive plate 55 from the DC power supply 73 via the reactor 74, and the negative DC voltage is applied to each of the guide bushes 11A and 11B. That is, in this embodiment, a DC voltage is applied to the two guide bushes 11A and 11B via a single reactor. Other conditions are shown in FIG.
0 and the same as in the first embodiment,
Plasma is generated in the vacuum chamber 61 by plasma CVD.
By the method, a hard carbon film is simultaneously formed on the inner peripheral surface 11b of each of the guide bushes 11A and 11B.

【0095】〔第3の実施形態:図13〕つぎに、図1
3によって、この発明によるガイドブッシュの内周面に
硬質カーボン膜を形成する方法の第3の実施形態を説明
する。
[Third Embodiment: FIG. 13] Next, FIG.
3, a third embodiment of the method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention will be described.

【0096】この第3の実施形態において、前述の第2
の実施形態と異なる点は、図13に示すように、2個の
カイドブッシュ11A,11Bを、それぞれ真空槽61
内の底面に脚部56A,56Bを介して設置された個別
の導電板55A,55B上に載置し、個別の直流電源7
3A,73Bから個別のリアクトル74A,74Bと導
電板55A,55Bを介して、各カイドブッシュ11
A,11Bにそれぞれ個別に負の直流電圧を印加するよ
うにした点だけである。リアクトル74A,74Bのリ
アクタンス値は、共に100mH程度に設定する。
In the third embodiment, the second
The difference from the third embodiment is that, as shown in FIG. 13, two guide bushes 11A and 11B are respectively
Are placed on individual conductive plates 55A and 55B installed on the bottom surface of the inside via legs 56A and 56B,
Each guide bush 11 is connected to each of the guide bushes 11 from the respective reactors 3A, 73B via the individual reactors 74A, 74B and the conductive plates 55A, 55B.
The only difference is that negative DC voltages are individually applied to A and 11B. The reactance values of the reactors 74A and 74B are both set to about 100 mH.

【0097】この実施形態によれば、複数のガイドブッ
シュ11A,11B間においてプラズマ放電の独立性を
高めることが可能になる。したがって、それぞれのプラ
ズマ放電間の干渉が発生せず、プラズマ放電が安定し、
膜質が良好で密着性がよい硬質カーボン膜を各ガイドブ
ッシュ11A,11Bの内周面11bに形成することが
できる。
According to this embodiment, the independence of the plasma discharge between the plurality of guide bushes 11A and 11B can be improved. Therefore, no interference occurs between the respective plasma discharges, and the plasma discharge is stabilized,
A hard carbon film having good film quality and good adhesion can be formed on the inner peripheral surface 11b of each guide bush 11A, 11B.

【0098】〔第4の実施形態:図14〕つぎに、図1
4によって、この発明によるガイドブッシュの内周面に
硬質カーボン膜を形成する方法の第4の実施形態を説明
する。この第4の実施形態において、前述の第3の実施
形態と異なる点は、図14に示すように、2個のカイド
ブッシュ11A,11Bに、それぞれ共通の直流電源7
3から個別のリアクトル74A,74Bと導電板55
A,55Bを介して負の直流電圧を印加するようにした
点だけである。
[Fourth Embodiment: FIG. 14] Next, FIG.
4, a fourth embodiment of the method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention will be described. The fourth embodiment differs from the third embodiment in that, as shown in FIG. 14, a common DC power supply 7 is connected to two guide bushes 11A and 11B.
3 and the individual reactors 74A and 74B and the conductive plate 55
The only difference is that a negative DC voltage is applied via A and 55B.

【0099】この実施形態によれば、複数のガイドブッ
シュ11A,11B間においてプラズマ放電の独立性を
高めながら、直流電源73を共通にすることによって、
装置のコストを低減することができる。
According to this embodiment, the DC power supply 73 is shared while increasing the independence of the plasma discharge between the plurality of guide bushes 11A and 11B.
The cost of the device can be reduced.

【0100】〔第5の実施形態:図15〕つぎに、図1
5によって、この発明によるガイドブッシュの内周面に
硬質カーボン膜を形成する方法の第5の実施形態を説明
する。図15において、図10と対応する部分には同一
の符号を付し、それらの説明は省略する。この実施形態
に使用する真空槽61内には、図10に示したアノード
79及びフィラメント78を設けていない。
[Fifth Embodiment: FIG. 15] Next, FIG.
5, a fifth embodiment of the method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention will be described. 15, parts corresponding to those in FIG. 10 are given the same reference numerals, and descriptions thereof will be omitted. The anode 79 and the filament 78 shown in FIG. 10 are not provided in the vacuum chamber 61 used in this embodiment.

【0101】この第5の実施形態において、図10に示
した第1の実施形態による硬質カーボン膜の形成方法と
相違する点は、真空槽61内に接地された補助電極を挿
入して配置したガイドブッシュ11に、直流電源73′
からリアクトル74を介してマイナス600Vの直流電
圧だけを印加するようにした点と、炭素を含むガスとし
て、メタン(CH4)ガスを真空槽61内に導入し、真空
度が0.1 Torrになるように調整するようにした点だけ
である。
The fifth embodiment is different from the method for forming a hard carbon film according to the first embodiment shown in FIG. 10 in that an auxiliary electrode grounded is inserted and arranged in a vacuum chamber 61. A DC power supply 73 ′ is connected to the guide bush 11.
And a methane (CH 4 ) gas is introduced into the vacuum chamber 61 as a carbon-containing gas, and the degree of vacuum is reduced to 0.1 Torr. The only difference is that it is adjusted so that

【0102】このようにしても、ガイドブッシュ11の
外周面側だけでなく内周面側にも安定したプラズマが発
生し、ガイドブッシュ11の全面に膜質及び密着性のよ
い硬質カーボン膜が形成される。特に、補助電極71と
対向する内周面11bに、全長に亘って略均一な膜厚の
硬質カーボン膜15を短時間で形成することができる。
Even in this case, stable plasma is generated not only on the outer peripheral surface side but also on the inner peripheral surface side of the guide bush 11, and a hard carbon film having good film quality and adhesion is formed on the entire surface of the guide bush 11. You. In particular, the hard carbon film 15 having a substantially uniform thickness over the entire length can be formed on the inner peripheral surface 11b facing the auxiliary electrode 71 in a short time.

【0103】〔第6の実施形態:図16〕つぎに、図1
6によって、この発明によるガイドブッシュの内周面に
硬質カーボン膜を形成する方法の第6の実施形態を説明
する。
[Sixth Embodiment: FIG. 16] Next, FIG.
6, a sixth embodiment of the method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention will be described.

【0104】この第6の実施形態およびこれに続いて説
明する第7,第8の実施形態は、図12図乃至図14に
よって説明した第2乃至第4の実施形態と同様に、真空
槽内に複数個のガイドブッシュを配置し、それらの各内
周面に同時に硬質カーボン膜を形成する実施形態であ
る。図16において、図12と同じ部分には同一の符号
を付してあり、それらの説明は省略する。
The sixth embodiment and the seventh and eighth embodiments to be described subsequently are similar to the second to fourth embodiments described with reference to FIG. 12 to FIG. In this embodiment, a plurality of guide bushes are arranged, and a hard carbon film is simultaneously formed on each inner peripheral surface thereof. 16, the same parts as those in FIG. 12 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0105】この図16に示す第6の実施形態におい
て、図12に示した第2の実施形態と異なる点は、図1
5に示した第5の実施形態と同様に、アノード79及び
フィラメント81を設けていない真空槽61を使用し、
その内部に配置した2個のガイドブッシュ11A,11
Bに、直流電源73′から単一のリアクトル74を介し
てマイナス600Vの直流電圧を印加するだけで、真空
槽61内にプラズマを発生させるようにした点だけであ
る。この方法によっても、前述した第2の実施形態と同
様な効果が得られる。
The sixth embodiment shown in FIG. 16 differs from the second embodiment shown in FIG.
5, a vacuum chamber 61 without an anode 79 and a filament 81 is used,
The two guide bushes 11A, 11
The only difference is that plasma is generated in the vacuum chamber 61 by simply applying a DC voltage of −600 V to DC from the DC power supply 73 ′ via the single reactor 74. According to this method, the same effect as in the above-described second embodiment can be obtained.

【0106】〔第7の実施形態:図17〕つぎに、図1
7によって、この発明によるガイドブッシュの内周面に
硬質カーボン膜を形成する方法の第7の実施形態を説明
する。図17において、図13と同じ部分には同一の符
号を付してあり、それらの説明は省略する。
[Seventh Embodiment: FIG. 17] Next, FIG.
7, a seventh embodiment of the method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention will be described. 17, the same parts as those in FIG. 13 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0107】この図17に示す第7実施例において、図
13に示した第3の実施形態と異なる点は、図15に示
した第5の実施形態と同様に、アノード79及びフィラ
メント78を設けていない真空槽61を使用し、その内
部に配置した2個のガイドブッシュ11A,11Bに、
それぞれ個別の直流電源73A′,73B′から個別の
リアクトル74A,74Bを介してマイナス600Vの
直流電圧を印加するだけで、真空槽61内にプラズマを
発生させるようにした点だけである。この方法によって
も、前述した第3の実施形態と同様な効果が得られる。
The seventh embodiment shown in FIG. 17 is different from the third embodiment shown in FIG. 13 in that an anode 79 and a filament 78 are provided similarly to the fifth embodiment shown in FIG. The vacuum chamber 61 is used, and two guide bushes 11A and 11B arranged inside the vacuum chamber 61,
The only difference is that plasma is generated in the vacuum chamber 61 only by applying a DC voltage of minus 600 V from the individual DC power supplies 73A 'and 73B' via the individual reactors 74A and 74B. According to this method, the same effect as in the third embodiment can be obtained.

【0108】〔第8の実施形態:図18〕つぎに、図1
8によって、この発明によるガイドブッシュの内周面に
硬質カーボン膜を形成する方法の第8の実施形態を説明
する。図18において、図14と同じ部分には同一の符
号を付してあり、それらの説明は省略する。
[Eighth Embodiment: FIG. 18] Next, FIG.
8, an eighth embodiment of the method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention will be described. In FIG. 18, the same portions as those in FIG. 14 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0109】この図18に示す第8の実施形態におい
て、図14に示した第4の実施形態と異なる点は、図1
5に示した第5の実施形態と同様に、アノード79及び
フィラメント78を設けていない真空槽61を使用し、
その内部に配置した2個のガイドブッシュ11A,11
Bに、共通の直流電源73′からそれぞれ個別のリアク
トル74A,74Bを介してマイナス600Vの直流電
圧を印加するだけで、真空槽61内にプラズマを発生さ
せるようにした点だけである。この方法によっても、前
述した第4の実施形態と同様な効果が得られる。
The eighth embodiment shown in FIG. 18 differs from the fourth embodiment shown in FIG.
As in the fifth embodiment shown in FIG. 5, the vacuum chamber 61 without the anode 79 and the filament 78 is used,
The two guide bushes 11A, 11
The only difference is that plasma is generated in the vacuum chamber 61 by simply applying a DC voltage of −600 V to B through the individual reactors 74A and 74B from the common DC power supply 73 ′. According to this method, effects similar to those of the fourth embodiment can be obtained.

【0110】〔第9の実施形態:図19〕以上の説明に
おいては、ガイドブッシュ11の外周面と内周面の両方
に硬質カーボン膜を形成するようにしたが、内周面にの
み硬質カーボン膜を形成するようにすることもできる。
その場合の実施形態を図19にょつて説明する。この図
19において図10と相違する点は、ガイドブッシュ1
1の外周部をアルミニウム箔などのカバー部材67で覆
っている点だけである。
[Ninth Embodiment: FIG. 19] In the above description, the hard carbon film is formed on both the outer circumferential surface and the inner circumferential surface of the guide bush 11, but the hard carbon film is formed only on the inner circumferential surface. A film may be formed.
An embodiment in that case will be described with reference to FIG. The difference between FIG. 19 and FIG. 10 is that the guide bush 1
The only difference is that the outer peripheral portion 1 is covered with a cover member 67 such as an aluminum foil.

【0111】このようにすれば、ガイドブッシュ11の
内周面11bを含む中心開口11j内の面にのみ硬質カ
ーボン膜を強固に形成することができる。このようにす
れば、ガイドブッシュの外形の寸法精度を高く保つこと
ができ、またガイドブッシュの全周面に硬質カーボン膜
が形成されることによる摺り割りを形成した部分の靭性
が低下するのを防ぐこともできる。
In this way, the hard carbon film can be firmly formed only on the surface inside the central opening 11j including the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11. By doing so, the dimensional accuracy of the outer shape of the guide bush can be kept high, and the toughness of the slit formed by the formation of the hard carbon film on the entire peripheral surface of the guide bush is reduced. It can also be prevented.

【0112】〔第10の実施形態:図20,図21〕つ
ぎに、図20および図21によって、この発明によるガ
イドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形成する方法
の第10の実施形態を説明する。図20において、図1
0と同じ部分には同一の符号を付してあり、それらの説
明は省略する。
[Tenth Embodiment: FIGS. 20 and 21] Next, referring to FIGS. 20 and 21, a tenth embodiment of a method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention will be described. explain. In FIG. 20, FIG.
The same portions as 0 are denoted by the same reference numerals, and their description will be omitted.

【0113】この図20において図10と相違する点
は、、ガイドブッシュ11の内周面11bの径と略同じ
内径をもつ図21に示すようなリング状のダミー部材5
3を使用する点だけである。このダミー部材53も、補
助電極71と同様にステンレスによって形成する。この
ダミー部材53の外径寸法は、ガイドブッシュ11の開
口端面11hの大きさと略同じ大きさとする。
20 is different from FIG. 10 in that a ring-shaped dummy member 5 having an inner diameter substantially equal to the diameter of the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11 as shown in FIG.
The only difference is the use of 3. This dummy member 53 is also made of stainless steel, like the auxiliary electrode 71. The outer diameter of the dummy member 53 is substantially the same as the size of the opening end face 11h of the guide bush 11.

【0114】そして、図20に示すように、ガス導入口
63と排気口65とを有する真空槽61内に、硬質カー
ボン膜を形成するガイドブッシュ11を配置する。そし
て、ガイドブッシュ11の開口端面11h上にダミー部
材53を載置する。このとき、ガイドブッシュ11の内
周面11bとダミー部材53の内周面とが一致するよう
にする。
Then, as shown in FIG. 20, a guide bush 11 for forming a hard carbon film is arranged in a vacuum chamber 61 having a gas inlet 63 and an exhaust port 65. Then, the dummy member 53 is placed on the opening end face 11h of the guide bush 11. At this time, the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11 and the inner peripheral surface of the dummy member 53 match.

【0115】このガイドブッシュ11の内周面11bに
は、前述のように予め硬質材料を固着したり、中間層を
形成しておくとよい。そして、図10の場合と同様に、
このガイドブッシュ11の中心開口11j内の中心に、
接地電位の補助電極71を挿入するように設ける。この
とき、補助電極71の先端がダミー部材53の上端面か
ら突出せず、幾分内側に位置するようにするのがよい。
As described above, a hard material may be fixed to the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11 or an intermediate layer may be formed on the inner peripheral surface 11b. And, as in the case of FIG.
At the center of the center opening 11j of the guide bush 11,
The auxiliary electrode 71 having the ground potential is provided so as to be inserted. At this time, it is preferable that the tip of the auxiliary electrode 71 does not protrude from the upper end surface of the dummy member 53 and is located slightly inside.

【0116】その他については図10によって説明した
方法と同様であるが、念のため説明すると、真空槽61
内を真空度が3×10-5torrになるように、排気口65
から真空排気する。その後、ガス導入口63から炭素を
含むガスとしてベンゼン(C66)を真空槽61内に導
入して、真空槽61内の圧力を5×10-3torrになるよ
うに制御する。
The rest is the same as the method described with reference to FIG.
The inner as vacuum is 3 × 10- 5 torr, exhaust port 65
Evacuate from. Thereafter, benzene (C 6 H 6 ) as a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber 61 from the gas inlet port 63, and the pressure in the vacuum chamber 61 is controlled to 5 × 10 −3 torr.

【0117】そして、ガイドブッシュ11に直流電源7
3からリアクトル74を介してマイナス3kVの直流電
圧を印加し、アノード79にはアノード電源75からプ
ラス50Vの直流電圧を、フィラメント78にはフィラ
メント電源77から30Aの電流が流れるように10V
の交流電圧をそれぞれ印加する。それによって、真空槽
61内のガイドブッシュ11の周囲領域にプラズマを発
生させて、プラズマCVD法によってガイドブッシュ1
1の内周面11bを含む表面に硬質カーボン膜を形成す
る。
The guide bush 11 is connected to the DC power source 7.
-3 is applied from the anode power supply 75 to the anode 79, a +50 V DC voltage is applied from the anode power supply 75, and the filament 78 is supplied with a 10 V voltage so that a current of 30 A flows from the filament power supply 77.
Are applied. As a result, plasma is generated in a region around the guide bush 11 in the vacuum chamber 61, and the guide bush 1 is formed by plasma CVD.
A hard carbon film is formed on the surface including the inner peripheral surface 11b.

【0118】その際の補助電極の作用は前述の第1実施
例の場合と同様であるが、ダミー部材53は次のような
作用をなす。すなわち、このようなガイドブッシュ11
に硬質カーボン膜を形成する方法においては、ガイドブ
ッシュ11の内面と外周部とにプラズマが発生する。そ
して、ガイドブッシュ11の端面は電荷が集中しやす
く、内面に比べて開口端面領域は電位が高い状態、いわ
ゆるエッジ効果が発生する。ここでガイドブッシュ11
の開口端面11hの近傍のプラズマ強度は他の領域より
大きく、しかも不安定でもある。
The function of the auxiliary electrode at this time is the same as that of the first embodiment, but the dummy member 53 has the following function. That is, such a guide bush 11
In the method of forming a hard carbon film on the inside, plasma is generated on the inner surface and the outer peripheral portion of the guide bush 11. Then, the charges are easily concentrated on the end face of the guide bush 11, and the open end face area has a higher potential than the inner face, that is, a so-called edge effect occurs. Here the guide bush 11
The plasma intensity in the vicinity of the opening end face 11h is larger than that in other areas, and is also unstable.

【0119】さらに、ガイドブッシュ11の端部領域
は、内面のプラズマと外周部のプラズマとの双方のプラ
ズマの影響を受けることになる。そして、このような状
態で硬質カーボン膜を形成すると、ガイドブッシュ11
の開口端面から数mm奥側の領域と他の領域とでは、硬
質カーボン膜の密着性が若干異なり、さらに膜質も若干
異なる。
Further, the end region of the guide bush 11 is affected by both the plasma on the inner surface and the plasma on the outer periphery. When the hard carbon film is formed in such a state, the guide bush 11
The adhesiveness of the hard carbon film is slightly different between the region several millimeters behind the opening end face and the other region, and the film quality is also slightly different.

【0120】そこで、図20に示すように、ガイドブッ
シュ11の開口端面11h上にダミー部材53を配置し
て硬質カーボン膜を形成すれば、この膜質や密着性が異
なる領域はガイドブッシュ11の内面に形成されず、ダ
ミー部材53の開口内面に形成されることになる。実験
によれば、図10に示した方法でガイドブッシュ11に
硬質カーボン膜を形成した場合には、ガイドブッシュ1
1の開口端面から4mm程度奥側に、幅寸法が1mmか
ら2mmの膜質や密着性が若干異なる領域が形成され
た。
Therefore, as shown in FIG. 20, if a hard carbon film is formed by arranging a dummy member 53 on the open end surface 11h of the guide bush 11, the region having a different film quality and adhesion is formed on the inner surface of the guide bush 11. And is formed on the inner surface of the opening of the dummy member 53. According to an experiment, when a hard carbon film is formed on the guide bush 11 by the method shown in FIG.
A region having a width of 1 mm to 2 mm and slightly different film quality and adhesion was formed about 4 mm behind the opening end face of No. 1.

【0121】しかし、図20に示すように、ガイドブッ
シュ11の開口寸法とほぼ同じ開口寸法をもち、長さ寸
法が10mmのダミー部材53をガイドブッシュ11の
開口端面11h上に載置して、前述の硬質カーボン膜の
形成条件で被膜形成を行なった結果、膜質や密着性が異
なる領域はダミー部材53の内周面に形成され、ガイド
ブッシュ11の内周面11bには膜質や密着性が異なる
領域は全く形成されなかった。
However, as shown in FIG. 20, a dummy member 53 having an opening dimension substantially equal to that of the guide bush 11 and having a length of 10 mm is placed on the opening end face 11h of the guide bush 11. As a result of forming the film under the above-described conditions for forming the hard carbon film, regions having different film quality and adhesion are formed on the inner peripheral surface of the dummy member 53, and the inner surface 11b of the guide bush 11 has the film quality and adhesion. No different regions were formed.

【0122】〔第11の実施形態:図22〕つぎに、図
22によって、この発明によるガイドブッシュの内周面
に硬質カーボン膜を形成する方法の第11の実施形態を
説明する。図22において、図15と同じ部分には同一
の符号を付してあり、それらの説明は省略する。
[Eleventh Embodiment: FIG. 22] Next, an eleventh embodiment of a method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 22, the same portions as those in FIG. 15 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0123】この第11の実施形態は、図15と同じア
ノードとフィラメントが設けられていない真空槽61を
使用し、ガイドブッシュ11の開口端面11h上にダミ
ー部材を載置して、硬質カーボン膜の形成を行なうよう
にした点だけである。この実施例によっても、前述の第
10実施例と同様な作用効果を得ることができる。
In the eleventh embodiment, a dummy member is placed on the open end face 11h of the guide bush 11 using the same vacuum chamber 61 as shown in FIG. The only difference is that the formation of is performed. According to this embodiment, the same operation and effect as those of the tenth embodiment can be obtained.

【0124】〔他の実施例〕前述の用に、真空槽内に複
数個のガイドブッシュ11を配置して、その各内周面1
1bに同時に硬質カーボン膜を形成する方法において
も、その各ガイドブッシュ11の開口端面11h上にダ
ミー部材53を載置して、硬質カーボン膜を形成するよ
うにしてもよい。
[Other Embodiments] As described above, a plurality of guide bushes 11 are arranged in a vacuum chamber,
Also in the method of forming a hard carbon film on 1b at the same time, a dummy member 53 may be placed on the open end face 11h of each guide bush 11 to form the hard carbon film.

【0125】また、上述の各実施例では、1つの真空槽
内に1個あるいは2個のガイドブッシュを配置してその
各内周面に硬質カーボン膜を形成する場合について説明
してきたが、3個以上のガイドブッシュを配置してその
各内周面に同時に硬質カーボン膜を形成することもでき
る。
In each of the embodiments described above, a case has been described in which one or two guide bushes are arranged in one vacuum chamber and a hard carbon film is formed on each inner peripheral surface thereof. It is also possible to arrange more than one guide bush and simultaneously form a hard carbon film on each inner peripheral surface thereof.

【0126】さらに、いずれの実施例においても、ガイ
ドブッシュを硬質カーボン膜形成用の真空槽内に配置す
る前に、図9によって説明したような方法により、その
ガイドブッシュの内周面11bに、硬質カーボン膜との
密着性を高める中間層を形成する工程を有するようにす
るとよい。その場合には、上述した各実施例におけるプ
ラズマCVD法によって硬質カーボン膜を形成する工程
では、ガイドブッシュ11の内周面11bの中間層上に
硬質カーボン膜を形成する。
Further, in any of the embodiments, before the guide bush is disposed in the vacuum chamber for forming the hard carbon film, the guide bush is formed on the inner peripheral surface 11b by the method described with reference to FIG. It is preferable to include a step of forming an intermediate layer that enhances adhesion to the hard carbon film. In that case, in the step of forming the hard carbon film by the plasma CVD method in each of the above-described embodiments, the hard carbon film is formed on the intermediate layer on the inner peripheral surface 11b of the guide bush 11.

【0127】また、上述したこの発明によるガイドブッ
シュの内周面に硬質カーボン膜を形成する方法の各実施
例では、炭素を含むガスとしてメタン(CH4)あるい
はベンゼン(C66)を用いる例で説明したが、エチレ
ン(C24)やヘキサン(C614)などを使用するこ
ともできる。さらに、これらの炭素を含むガスを、アル
ゴン(Ar)などの電離電圧の低い不活性ガスで希釈し
て使用することもできる。その場合、ガイドブッシュの
円筒内のプラズマが更に安定する効果がある。
In each embodiment of the method of forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush according to the present invention, methane (CH 4 ) or benzene (C 6 H 6 ) is used as a gas containing carbon. As described in the example, ethylene (C 2 H 4 ) and hexane (C 6 H 14 ) can be used. Further, these carbon-containing gases may be used after being diluted with an inert gas having a low ionization voltage such as argon (Ar). In that case, there is an effect that the plasma in the cylinder of the guide bush is further stabilized.

【0128】あるいはまた、硬質カーボン膜の生成時に
少量(1%以下)の添加物を加えることにより、潤滑性
や硬度を高めることができる。例えば、フッ素(F)又
はボロン(B)を添加すると潤滑性が増し、クロム(C
r),モリブデン(Mo)又はタングステン(W)を添
加すると硬度が増す。
Alternatively, lubricity and hardness can be increased by adding a small amount (1% or less) of an additive during the formation of the hard carbon film. For example, when fluorine (F) or boron (B) is added, lubricity increases, and chromium (C
When r), molybdenum (Mo) or tungsten (W) is added, the hardness increases.

【0129】また、真空槽内にガイドブッシュを配置し
た後、硬質カーボン膜を形成する前に、アルゴン(A
r)や窒素(N2)などのプラズマを発生させてガイド
ブッシュの円筒内面をボンバードし、その後メタンやベ
ンゼンなどの炭素を含むガスによるプラズマを発生させ
て、硬質カーボン膜を形成するとよい。
Further, after the guide bush is arranged in the vacuum chamber and before the hard carbon film is formed, argon (A)
r) or nitrogen (N 2 ) is generated to bombard the inner surface of the cylinder of the guide bush, and then a plasma is generated by a gas containing carbon such as methane and benzene to form a hard carbon film.

【0130】このように、不活性ガスによるボンバード
の前処理を行なうことにより、ガイドブッシュの円筒内
壁の温度が上昇して活性状態となる。同時に円筒内壁の
表面の不純物がたたき出され、表面がクリーニングされ
る。これらの効果により、ガイドブッシュの内周面に形
成される硬質カーボン膜の密着性が一層向上する。
As described above, by performing the pretreatment of the bombard with the inert gas, the temperature of the inner wall of the cylinder of the guide bush is increased to be activated. At the same time, impurities on the surface of the inner wall of the cylinder are knocked out, and the surface is cleaned. Due to these effects, the adhesion of the hard carbon film formed on the inner peripheral surface of the guide bush is further improved.

【0131】[0131]

【発明の効果】以上説明してきたように、この発明によ
れば、ガイドブッシュにリアクトルを介して直流電圧を
印加して、真空槽内にプラズマを発生させることによ
り、ガイドブッシュの内周面に形成する硬質カーボン膜
の膜質を左右する被膜形成初期に、異常放電であるアー
ク放電が発生しなくなり、膜質及び密着性がよい硬質カ
ーボン膜を形成することができる。
As described above, according to the present invention, a DC voltage is applied to the guide bush via the reactor to generate plasma in the vacuum chamber, so that the inner peripheral surface of the guide bush is An arc discharge, which is an abnormal discharge, does not occur in the initial stage of film formation that affects the film quality of the formed hard carbon film, and a hard carbon film having good film quality and good adhesion can be formed.

【0132】また、カイドブッシュの中心開口内に接地
電位にした補助電極を挿入した状態で、真空槽内に炭素
を含むガスを導入すると共にプラズマを発生させること
により、ガイドブッシュの内周面に速く且つ開口端側か
ら奥側まで均一な膜厚で硬質カーボン膜を形成すること
ができる。
Further, by introducing a gas containing carbon into the vacuum chamber and generating plasma with the auxiliary electrode at the ground potential inserted in the center opening of the guide bush, the inner peripheral surface of the guide bush is formed. A hard carbon film can be formed quickly and with a uniform thickness from the opening end side to the back side.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明を適用したガイドブッシュの一例を示
す縦断面図である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of a guide bush to which the present invention is applied.

【図2】同じくその外観を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the appearance of the same.

【図3】この発明を適用したガイドブッシュの他の例を
示す縦断面図である。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing another example of a guide bush to which the present invention is applied.

【図4】図1に円Aで囲んで示す部分に相当する拡大断
面図である。
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view corresponding to a portion surrounded by a circle A in FIG.

【図5】図3に円Aで囲んで示す部分に相当する拡大断
面図である。
FIG. 5 is an enlarged sectional view corresponding to a portion surrounded by a circle A in FIG.

【図6】図3に円Aで囲んで示す部分に相当する他の例
の拡大断面図である。
FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of another example corresponding to a portion shown by a circle A in FIG.

【図7】図1に円Aで囲んで示す部分に相当する他の例
の拡大断面図である。
FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of another example corresponding to a portion shown by a circle A in FIG.

【図8】図5の一部をさらに拡大して中間層の構成例を
示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a configuration example of an intermediate layer by further enlarging a part of FIG. 5;

【図9】ガイドブッシュの内周面に中間層を形成する方
法の一例を説明するための装置の概略断面図である。
FIG. 9 is a schematic sectional view of an apparatus for explaining an example of a method for forming an intermediate layer on an inner peripheral surface of a guide bush.

【図10】この発明によるガイドブッシュの内周面に硬
質カーボン膜を形成する方法の第1の実施形態を説明す
るための装置の概略断面図である。
FIG. 10 is a schematic sectional view of an apparatus for explaining a first embodiment of a method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention.

【図11】図10に示した絶縁体支持具80の具体的な
構造例を示す断面図である。
11 is a cross-sectional view showing a specific example of the structure of the insulator supporter 80 shown in FIG.

【図12】この発明によるガイドブッシュの内周面に硬
質カーボン膜を形成する方法の第2の実施形態を説明す
るための装置の概略断面図である。
FIG. 12 is a schematic sectional view of an apparatus for explaining a second embodiment of a method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention.

【図13】この発明によるガイドブッシュの内周面に硬
質カーボン膜を形成する方法の第3の実施形態を説明す
るための装置の概略断面図である。
FIG. 13 is a schematic sectional view of an apparatus for explaining a third embodiment of a method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention.

【図14】この発明によるガイドブッシュの内周面に硬
質カーボン膜を形成する方法の第4の実施形態を説明す
るための装置の概略断面図である。
FIG. 14 is a schematic sectional view of an apparatus for explaining a fourth embodiment of a method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention.

【図15】この発明によるガイドブッシュの内周面に硬
質カーボン膜を形成する方法の第5の実施形態を説明す
るための装置の概略断面図である。
FIG. 15 is a schematic sectional view of an apparatus for explaining a fifth embodiment of a method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention.

【図16】この発明によるガイドブッシュの内周面に硬
質カーボン膜を形成する方法の第6の実施形態を説明す
るための装置の概略断面図である。
FIG. 16 is a schematic sectional view of an apparatus for explaining a sixth embodiment of the method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention.

【図17】この発明によるガイドブッシュの内周面に硬
質カーボン膜を形成する方法の第7の実施形態を説明す
るための装置の概略断面図である。
FIG. 17 is a schematic sectional view of an apparatus for explaining a seventh embodiment of a method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention.

【図18】この発明によるガイドブッシュの内周面に硬
質カーボン膜を形成する方法の第8の実施形態を説明す
るための装置の概略断面図である。
FIG. 18 is a schematic sectional view of an apparatus for explaining an eighth embodiment of a method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush according to the present invention.

【図19】図10の実施形態に被覆部材を追加した場合
の図10と同様な断面図である。
FIG. 19 is a cross-sectional view similar to FIG. 10 when a covering member is added to the embodiment of FIG. 10;

【図20】ダミー部材を使用してガイドブッシュの内周
面に硬質カーボン膜を形成する方法の実施形態を説明す
るための装置の図10と同様な概略断面図である。
FIG. 20 is a schematic sectional view similar to FIG. 10 of an apparatus for describing an embodiment of a method for forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush using a dummy member.

【図21】図20の実施形態で使用するダミー部材の斜
視図である。
FIG. 21 is a perspective view of a dummy member used in the embodiment of FIG.

【図22】ダミー部材を使用してガイドブッシュの内周
面に硬質カーボン膜を形成する方法の他の実施形態を説
明するための装置の図15と同様な概略断面図である。
FIG. 22 is a schematic sectional view similar to FIG. 15 of an apparatus for describing another embodiment of a method of forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of a guide bush using a dummy member.

【図23】この発明を適用したガイドブッシュを用いる
固定型のガイドブッシュ装置を設けた自動旋盤の主軸近
傍のみを示す断面図である。
FIG. 23 is a cross-sectional view showing only the vicinity of the main shaft of an automatic lathe provided with a fixed type guide bush device using a guide bush to which the present invention is applied.

【図24】この発明を適用したガイドブッシュを用いる
回転型のガイドブッシュ装置を設けた自動旋盤の主軸近
傍のみを示す断面図である。
FIG. 24 is a cross-sectional view showing only the vicinity of a main spindle of an automatic lathe provided with a rotary type guide bush device using a guide bush to which the present invention is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11:ガイドブッシュ 11a:外周テーパ面 11b:内周面 11c:すり割 11d:バネ部 11e:嵌合部 11f:ネジ部 11g:段差部 11h:端面 11j:中心開口 15:硬質カーボン膜 16:中間層 53:ダミー部材 61:真空槽 63:ガス導入孔 65:排気孔 67:マッチング回路 69:高周波電源 71:補助電極 73,73′:直流電源 74,74A,74B:リアクトル 75:アノード電源 78:フィラメント電源 79:アノード 80:絶縁支持具 81:フィラメント 11: guide bush 11a: outer peripheral taper surface 11b: inner peripheral surface 11c: slot 11d: spring portion 11e: fitting portion 11f: screw portion 11g: step portion 11h: end surface 11j: center opening 15: hard carbon film 16: intermediate Layer 53: Dummy member 61: Vacuum tank 63: Gas introduction hole 65: Exhaust hole 67: Matching circuit 69: High frequency power supply 71: Auxiliary electrode 73, 73 ': DC power supply 74, 74A, 74B: Reactor 75: Anode power supply 78: Filament power supply 79: Anode 80: Insulation support 81: Filament

フロントページの続き (72)発明者 戸井田 孝志 埼玉県所沢市大字下富字武野840番地 シチズン時計株式会社所沢事業所内 (72)発明者 関根 敏一 東京都田無市本町6丁目1番12号 シチ ズン時計株式会社田無製造所内 (56)参考文献 特開 昭62−182278(JP,A) 特開 平7−88709(JP,A) 国際公開96/28270(WO,A1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 16/00 - 16/56 B23B 13/12 INSPEC(DIALOG)Continued on the front page (72) Inventor Takashi Toida 840 Takeno, Shimotomi, Tokorozawa-shi, Saitama Citizen Watch Co., Ltd. Tokorozawa Office (72) Inventor Shunichi Sekine 6-11-12 Honcho, Tanashi-shi, Tokyo SHICHI Dun Watch Co., Ltd. Tanashi Factory (56) References JP-A-62-182278 (JP, A) JP-A-7-88709 (JP, A) International Publication 96/28270 (WO, A1) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) C23C 16/00-16/56 B23B 13/12 INSPEC (DIALOG)

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 軸方向に中心開口を有する略円筒状に形
成され、一端部に外周テーパ面と被加工物と摺接する内
周面と摺り割りとを有し、自動旋盤に装着されたとき、
前記中心開口に挿入された被加工物を切削工具の近くで
回転及び軸方向に摺動可能に保持するガイドブッシュの
内周面に硬質カーボン膜を形成する方法であって、 前記ガイドブッシュを、ガス導入口と排気口及びアノー
ドとフィラメントとを備えた真空槽内に配置し、 そのガイドブッシュの前記内周面を形成する中心開口内
に補助電極を挿入して、それを接地電位にし、 前記真空槽内を排気した後、前記ガス導入口から炭素を
含むガスを該真空槽内に導入し、 前記ガイドブッシュにリアクトルを介して直流電圧を印
加するとともに、前記アノードに直流電圧を印加し、前
記フィラメントに交流電圧を印加して、前記真空槽内に
プラズマを発生させ、プラズマCVD法によって前記ガ
イドブッシュの前記内周面に水素化アモルファス・カー
ボンによる硬質カーボン膜を形成することを特徴とする
ガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形成する方
法。
1. When mounted on an automatic lathe, it is formed in a substantially cylindrical shape having a central opening in the axial direction, has an outer tapered surface at one end, an inner peripheral surface in sliding contact with a workpiece, and a slit. ,
A method of forming a hard carbon film on an inner peripheral surface of a guide bush that holds a workpiece inserted into the center opening slidably and axially close to a cutting tool, wherein the guide bush is It is arranged in a vacuum chamber provided with a gas inlet and an exhaust port and an anode and a filament, and an auxiliary electrode is inserted into a central opening forming the inner peripheral surface of the guide bush, and the auxiliary electrode is set to a ground potential, After evacuating the vacuum chamber, a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush via a reactor, and a DC voltage is applied to the anode. An AC voltage is applied to the filament to generate plasma in the vacuum chamber, and a hydrogenated amorphous carbon is applied to the inner peripheral surface of the guide bush by a plasma CVD method. Forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush, wherein the hard carbon film is formed by using a hard carbon film.
【請求項2】 軸方向に中心開口を有する略円筒状に形
成され、一端部に外周テーパ面と被加工物と摺接する内
周面と摺り割りとを有し、自動旋盤に装着されたとき、
前記中心開口に挿入された被加工物を切削工具の近くで
回転及び軸方向に摺動可能に保持するガイドブッシュの
内周面に硬質カーボン膜を形成する方法であって、 前記ガイドブッシュを、ガス導入口と排気口を備えた真
空槽内に配置し、 そのガイドブッシュの前記内周面を形成する中心開口内
に補助電極を挿入して、それを接地電位にし、 前記真空槽内を排気した後、前記ガス導入口から炭素を
含むガスを該真空槽内に導入し、 前記ガイドブッシュにリアクトルを介して直流電圧を印
加して前記真空槽内にプラズマを発生させ、プラズマC
VD法によって前記ガイドブッシュの前記内周面に水素
化アモルファス・カーボンによる硬質カーボン膜を形成
することを特徴とするガイドブッシュの内周面に硬質カ
ーボン膜を形成する方法。
2. When mounted on an automatic lathe, it is formed in a substantially cylindrical shape having a central opening in the axial direction, has an outer peripheral tapered surface at one end, an inner peripheral surface in sliding contact with a workpiece, and a slit. ,
A method of forming a hard carbon film on an inner peripheral surface of a guide bush that holds a workpiece inserted in the center opening slidably and axially near a cutting tool, wherein the guide bush is It is arranged in a vacuum chamber provided with a gas inlet and an exhaust port, an auxiliary electrode is inserted into a central opening forming the inner peripheral surface of the guide bush, and the auxiliary electrode is set to a ground potential, and the vacuum chamber is evacuated. After that, a gas containing carbon is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet, and a DC voltage is applied to the guide bush via a reactor to generate plasma in the vacuum chamber.
A method of forming a hard carbon film on the inner peripheral surface of the guide bush, wherein a hard carbon film made of hydrogenated amorphous carbon is formed on the inner peripheral surface of the guide bush by a VD method.
【請求項3】 請求項1又は2記載のガイドブッシュの
内周面に硬質カーボン膜を形成する方法において、 前記真空槽内に前記ガイドブッシュを複数個配置し、 前記各ガイドブッシュの前記中心開口内にそれぞれ補助
電極を挿入して、その各補助電極を接地電位にし、 前記各ガイドブッシュに単一のリアクトルを介して直流
電圧を印加することを特徴とするガイドブッシュの内周
面に硬質カーボン膜を形成する方法。
3. The method for forming a hard carbon film on an inner peripheral surface of a guide bush according to claim 1, wherein a plurality of the guide bushes are arranged in the vacuum chamber, and the central opening of each guide bush is provided. The auxiliary electrode is inserted into each of the guide bushes, the respective auxiliary electrodes are set to the ground potential, and a DC voltage is applied to each of the guide bushes through a single reactor. A method of forming a film.
【請求項4】 請求項1又は2記載のガイドブッシュの
内周面に硬質カーボン膜を形成する方法において、 前記真空槽内に前記ガイドブッシュを複数個配置し、 前記各ガイドブッシュの前記中心開口内にそれぞれ補助
電極を挿入して、その各補助電極を接地電位にし、 前記各ガイドブッシュにそれぞれ個別の電源から個別の
リアクトルを介して直流電圧を印加することを特徴とす
るガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形成する
方法。
4. The method for forming a hard carbon film on an inner peripheral surface of a guide bush according to claim 1, wherein a plurality of the guide bushes are arranged in the vacuum chamber, and the central opening of each guide bush is provided. An auxiliary electrode is inserted into the inside of the guide bush, and a DC voltage is applied to each of the guide bushes from an individual power supply via an individual reactor to each of the guide bushes. A method of forming a hard carbon film on a surface.
【請求項5】 請求項1又は2記載のガイドブッシュの
内周面に硬質カーボン膜を形成する方法において、 前記真空槽内に前記ガイドブッシュを複数個配置し、 前記各ガイドブッシュの前記中心開口内にそれぞれ補助
電極を挿入して、その各補助電極を接地電位にし、 前記各ガイドブッシュにそれぞれ共通の電源から個別の
リアクトルを介して直流電圧を印加することを特徴とす
るガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形成する
方法。
5. The method for forming a hard carbon film on an inner peripheral surface of a guide bush according to claim 1, wherein a plurality of the guide bushes are arranged in the vacuum chamber, and the central opening of each guide bush is provided. Auxiliary electrodes are inserted into the inside of each of the guide bushes, and each auxiliary electrode is set to the ground potential, and a DC voltage is applied to each of the guide bushes from a common power source via an individual reactor. A method of forming a hard carbon film on a surface.
【請求項6】 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の
ガイドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形成する方
法において、 前記ガイドブッシュを前記真空槽内に配置する前に、該
ガイドブッシュの前記内周面に前記硬質カーボン膜との
密着性を高める中間層を形成する工程を有し、 前記プラズマCVD法により硬質カーボン膜を形成する
工程では、前記ガイドブッシュの内周面の前記中間層上
に前記硬質カーボン膜を形成することを特徴とするガイ
ドブッシュの内周面に硬質カーボン膜を形成する方法。
6. The method of forming a hard carbon film on an inner peripheral surface of a guide bush according to claim 1, wherein the guide bush is arranged before the guide bush is arranged in the vacuum chamber. A step of forming an intermediate layer on the inner peripheral surface of the bush to enhance adhesion with the hard carbon film, wherein the step of forming the hard carbon film by the plasma CVD method comprises: A method for forming a hard carbon film on an inner peripheral surface of a guide bush, wherein the hard carbon film is formed on an intermediate layer.
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