JPH11123318A - 窒素酸化物を含むガスの浄化装置 - Google Patents
窒素酸化物を含むガスの浄化装置Info
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- JPH11123318A JPH11123318A JP10128006A JP12800698A JPH11123318A JP H11123318 A JPH11123318 A JP H11123318A JP 10128006 A JP10128006 A JP 10128006A JP 12800698 A JP12800698 A JP 12800698A JP H11123318 A JPH11123318 A JP H11123318A
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- B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 SCR 装置のランニングコストを十分低減する
ことができる窒素酸化物を含むガスの浄化装置を提供す
ること。 【解決手段】 窒素酸化物を含むガスを浄化するため
に、ガスは熱交換器(1) で予備加熱されバーナー(41)に
より再加熱され還元剤との混合した後、窒素酸化物を還
元するために還元触媒(60)に供給される一方、熱交換器
(1) は、触媒(60)を通過した脱窒素化ホットガスによっ
て加熱される。使用した熱交換器(1) は、セラミック製
蓄熱充填材(8,9) で満たされた少なくとも２つの蓄熱室
(6,7) を備えており、浄化されるガスは各蓄熱室(6,7)
の蓄熱充填材(8,9) によって交互に予備加熱されるが、
この蓄熱充填材(8,9) は、他の蓄熱室(7,6) に反して触
媒を通過したホットガスによって前段階で加熱されてい
る。
ことができる窒素酸化物を含むガスの浄化装置を提供す
ること。 【解決手段】 窒素酸化物を含むガスを浄化するため
に、ガスは熱交換器(1) で予備加熱されバーナー(41)に
より再加熱され還元剤との混合した後、窒素酸化物を還
元するために還元触媒(60)に供給される一方、熱交換器
(1) は、触媒(60)を通過した脱窒素化ホットガスによっ
て加熱される。使用した熱交換器(1) は、セラミック製
蓄熱充填材(8,9) で満たされた少なくとも２つの蓄熱室
(6,7) を備えており、浄化されるガスは各蓄熱室(6,7)
の蓄熱充填材(8,9) によって交互に予備加熱されるが、
この蓄熱充填材(8,9) は、他の蓄熱室(7,6) に反して触
媒を通過したホットガスによって前段階で加熱されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒素酸化物を含む
ガスを浄化する装置に関するものである。
ガスを浄化する装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】還元剤の付加による窒素酸化物の浄化
は、選択的触媒脱窒素化法あるいは還元法あるいはSCR
法として知られている。ガス中に含まれる窒素酸化物NO
X （主に一酸化窒素と二酸化窒素) は、還元剤とともに
触媒作用により窒素と水に分解される。還元剤としてア
ンモニアNH3 を使用する場合、次の化学反応が起こる。
は、選択的触媒脱窒素化法あるいは還元法あるいはSCR
法として知られている。ガス中に含まれる窒素酸化物NO
X （主に一酸化窒素と二酸化窒素) は、還元剤とともに
触媒作用により窒素と水に分解される。還元剤としてア
ンモニアNH3 を使用する場合、次の化学反応が起こる。
【０００３】
【化１】
【化２】
【化３】
【化４】
【０００４】触媒の使用により、170 〜450 ℃、NH3/NO
比0.5 〜１の条件下でNOX の還元が可能となる。アンモ
ニアは、ガスまたは水溶液として使用される。尿素、酢
酸アンモニウムあるいは炭化水素類などの他の還元剤を
使用することも可能である。還元剤は、未処理ガスが触
媒層に供給される前に注入される。最も頻繁に使用され
るSCR 触媒は、主成分（担体) として二酸化チタンが含
まれている。その他の成分は、五酸化バナジウム及びタ
ングステン化合物とモリブデン化合物である。例えば、
JP76-68907はTiO2担体上に活性物質としてV 及びNb化合
物を担持した触媒について記述されている。DE3 821 48
0 中に記述されている触媒は、TiO2,V,Mo,W 及びZnから
なる。DE 26 17 744は、更にSnを追加することを特徴と
している。
比0.5 〜１の条件下でNOX の還元が可能となる。アンモ
ニアは、ガスまたは水溶液として使用される。尿素、酢
酸アンモニウムあるいは炭化水素類などの他の還元剤を
使用することも可能である。還元剤は、未処理ガスが触
媒層に供給される前に注入される。最も頻繁に使用され
るSCR 触媒は、主成分（担体) として二酸化チタンが含
まれている。その他の成分は、五酸化バナジウム及びタ
ングステン化合物とモリブデン化合物である。例えば、
JP76-68907はTiO2担体上に活性物質としてV 及びNb化合
物を担持した触媒について記述されている。DE3 821 48
0 中に記述されている触媒は、TiO2,V,Mo,W 及びZnから
なる。DE 26 17 744は、更にSnを追加することを特徴と
している。
【０００５】一方、酸化物担体上のFe(EP 0 667 181 A
1) 、例えばCe(WO/17949)、Cu(DE 4413 359)、Ag及びPt
(EP 0 682 975 A1) などゼオライト担体上の各種活性成
分、あるいは例えばスピネルZnAl2O4(EP 0 676 232 A1)
などシンプルな金属酸化物など、その他の触媒成分も記
述されている。ダイオキシンあるいはフラン減少もまた
SCR 触媒により進行されえる(WO91/04780)。
1) 、例えばCe(WO/17949)、Cu(DE 4413 359)、Ag及びPt
(EP 0 682 975 A1) などゼオライト担体上の各種活性成
分、あるいは例えばスピネルZnAl2O4(EP 0 676 232 A1)
などシンプルな金属酸化物など、その他の触媒成分も記
述されている。ダイオキシンあるいはフラン減少もまた
SCR 触媒により進行されえる(WO91/04780)。
【０００６】更に、燃焼装置からの未処理エアには、触
媒上で三酸化硫黄に酸化される二酸化硫黄(SO2) がしば
しば含まれており、硫酸水素アンモニウムあるいは硫酸
アンモニウムによる腐食あるいはクロッギングを引き起
こす。このため、NOx 浄化触媒開発における一つの焦点
は、SO2 の酸化を抑制させることである。SCR 装置は、
いわゆる"high-dust" 回路の形成においてガス浄化シス
テム中に挿入されるか、あるいはフィルタ及び脱硫装置
の後段に設置される。
媒上で三酸化硫黄に酸化される二酸化硫黄(SO2) がしば
しば含まれており、硫酸水素アンモニウムあるいは硫酸
アンモニウムによる腐食あるいはクロッギングを引き起
こす。このため、NOx 浄化触媒開発における一つの焦点
は、SO2 の酸化を抑制させることである。SCR 装置は、
いわゆる"high-dust" 回路の形成においてガス浄化シス
テム中に挿入されるか、あるいはフィルタ及び脱硫装置
の後段に設置される。
【０００７】"high-dust" 回路の場合において、SCR 装
置はタンクに直接接続される。このアセンブリの利点
は、簡単な構造と熱ロスの少なさにある。しかしなが
ら、スモークガスの損害を与える付加成分、特にダスト
の濃度レベルが、触媒寿命に極めて重大な影響を与え
る。このように難易度は、ガス燃料からオイル燃料を経
て石炭燃料の順に増加する。SCR 装置が、ダストを除去
するフィルタ装置及び脱硫装置の後段に配置される場
合、未処理ガスは脱硫装置において冷却される。冷却さ
れた未処理ガスは、脱窒素化のために再び加熱されなけ
ればならないので、このアセンブリは多くのエネルギを
必要とする。
置はタンクに直接接続される。このアセンブリの利点
は、簡単な構造と熱ロスの少なさにある。しかしなが
ら、スモークガスの損害を与える付加成分、特にダスト
の濃度レベルが、触媒寿命に極めて重大な影響を与え
る。このように難易度は、ガス燃料からオイル燃料を経
て石炭燃料の順に増加する。SCR 装置が、ダストを除去
するフィルタ装置及び脱硫装置の後段に配置される場
合、未処理ガスは脱硫装置において冷却される。冷却さ
れた未処理ガスは、脱窒素化のために再び加熱されなけ
ればならないので、このアセンブリは多くのエネルギを
必要とする。
【０００８】この熱エネルギの少なくとも一部を回収す
るために、通常触媒を通過し脱窒素化されたホットガス
が、浄化される未処理ガスを予備加熱するスチール熱交
換器が利用されている。しかしながらこのようなチュー
ブ式熱交換器は、未処理ガス流により高い圧力損失を与
えられる。そのため、装置運転のために相応の能力を有
するファンを使用しなければならない。更に、このよう
な熱交換器の熱交換率が不十分であるため、既設設備で
は相応の高いエネルギコストが必要となっている。更
に、この種の熱交換器は清掃が難しく、またスチール製
であるために腐食の問題に曝されている。
るために、通常触媒を通過し脱窒素化されたホットガス
が、浄化される未処理ガスを予備加熱するスチール熱交
換器が利用されている。しかしながらこのようなチュー
ブ式熱交換器は、未処理ガス流により高い圧力損失を与
えられる。そのため、装置運転のために相応の能力を有
するファンを使用しなければならない。更に、このよう
な熱交換器の熱交換率が不十分であるため、既設設備で
は相応の高いエネルギコストが必要となっている。更
に、この種の熱交換器は清掃が難しく、またスチール製
であるために腐食の問題に曝されている。
【０００９】EP-A 0 472 605は、セラミック製蓄熱充填
材で満たされた二つの蓄熱層においてガスが交互に加熱
冷却される、有機炭素化合物を含むガスの浄化のための
蓄熱燃焼装置について述べられている。蓄熱充填材によ
り加熱されたガスは、燃焼室内において有機炭素化合物
の燃焼熱によって更に加熱され、ヒータにより再加熱さ
れる。蓄熱充填材は、プリズム形蓄熱体から構成されて
おり、ガスの流れ方向にプリズムの主要な軸をあせて配
置されている。また、プリズムの主要な軸に平行且つ直
線的な連続した複数のチャンネルを持っていて、プリズ
ム両端面にその孔が開いている。押出し成形された蓄熱
体は、複数の層に配置されている。
材で満たされた二つの蓄熱層においてガスが交互に加熱
冷却される、有機炭素化合物を含むガスの浄化のための
蓄熱燃焼装置について述べられている。蓄熱充填材によ
り加熱されたガスは、燃焼室内において有機炭素化合物
の燃焼熱によって更に加熱され、ヒータにより再加熱さ
れる。蓄熱充填材は、プリズム形蓄熱体から構成されて
おり、ガスの流れ方向にプリズムの主要な軸をあせて配
置されている。また、プリズムの主要な軸に平行且つ直
線的な連続した複数のチャンネルを持っていて、プリズ
ム両端面にその孔が開いている。押出し成形された蓄熱
体は、複数の層に配置されている。
【００１０】EP-A 0 472 605は、各蓄熱室のいくつかの
蓄熱充填材を同様のチャンネルを備えた還元触媒体に置
換することが可能であるとも記述している。蓄熱燃焼装
置において、蓄熱充填材は800 ℃を越える温度と極端な
熱衝撃に曝される。しかしながら、特に金属酸化物から
なる還元触媒は低い温度耐性、及び、特に低い耐温度衝
撃性を有している。ガス入口側の温度は比較的低温度な
ので、蓄熱燃焼装置の蓄熱室に配置可能かどうかガス入
口側部分に触媒を配置することにより、問題を解決する
ための試みが実施されてきた。しかしながら、触媒は短
期間後置換されなければならない。
蓄熱充填材を同様のチャンネルを備えた還元触媒体に置
換することが可能であるとも記述している。蓄熱燃焼装
置において、蓄熱充填材は800 ℃を越える温度と極端な
熱衝撃に曝される。しかしながら、特に金属酸化物から
なる還元触媒は低い温度耐性、及び、特に低い耐温度衝
撃性を有している。ガス入口側の温度は比較的低温度な
ので、蓄熱燃焼装置の蓄熱室に配置可能かどうかガス入
口側部分に触媒を配置することにより、問題を解決する
ための試みが実施されてきた。しかしながら、触媒は短
期間後置換されなければならない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
従来の問題点を解決して、SCR 装置のランニングコスト
を十分低減することができる窒素酸化物を含むガスの浄
化装置を提供することを目的として完成されたものであ
る。
従来の問題点を解決して、SCR 装置のランニングコスト
を十分低減することができる窒素酸化物を含むガスの浄
化装置を提供することを目的として完成されたものであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めになされた本発明の窒素酸化物を含むガスの浄化装置
は、各蓄熱室の一端に未処理ガスの供給ダクト及び蓄熱
室により冷却される脱窒素化ガスの排気ダクトを接続
し、また各蓄熱室の他端に各蓄熱室により予備加熱され
た未処理ガスの排気ダクトあるいは脱窒素化ホットガス
の供給ダクトを接続しているとともに、２つのメイン遮
断装置を備えており、これら各メイン遮断装置は、上部
壁、下部壁及び各部屋を各々２つの小部屋に仕切る仕切
壁が上部壁及び下部壁間に設けられた部屋から構成され
ていて、各小部屋には、上部壁と下部壁に各1 個開閉可
能な開孔があり、各小部屋の２個一対の開孔を開閉する
ためにダンパーディスクを操作するコントロールユニッ
トが設けられており、前記メイン遮断装置の小部屋は蓄
熱室と未処理ガスの供給ダクトを接続しているととも
に、他方の小部屋は他の蓄熱室と冷却された脱窒素化ガ
スの排気ダクトを接続しており、一方、他のメイン遮断
装置の小部屋は蓄熱室と予備加熱された未処理ガスの排
気ダクトを接続しているとともに、他方の小部屋は他の
蓄熱室と脱窒素化ホットガスの供給ダクトを接続してい
る窒素酸化物を含むガスの浄化装置であって、窒素酸化
物を含む未処理ガスは、予備加熱するために蓄熱体を充
填した２つの蓄熱室に交互に供給されてバーナーにより
再加熱され、還元剤と混合された後、窒素酸化物を還元
するために還元触媒に供給される一方、触媒を通過し脱
窒素化されたガスは、反対に他の蓄熱室の蓄熱体を加熱
し、更に、未処理ガスを蓄熱室に供給し脱窒素化したガ
スを他の蓄熱室に交互に供給するために、各蓄熱室の一
端は未処理ガスの吸引ダクトと冷却された脱硝済みガス
の排気ダクトと交互に接続され、各蓄熱室の他端は予備
加熱された未処理ガスの排気ダクトと脱窒素化ホットガ
スの供給ダクトと交互に接続されていることを特徴とす
るものである。
めになされた本発明の窒素酸化物を含むガスの浄化装置
は、各蓄熱室の一端に未処理ガスの供給ダクト及び蓄熱
室により冷却される脱窒素化ガスの排気ダクトを接続
し、また各蓄熱室の他端に各蓄熱室により予備加熱され
た未処理ガスの排気ダクトあるいは脱窒素化ホットガス
の供給ダクトを接続しているとともに、２つのメイン遮
断装置を備えており、これら各メイン遮断装置は、上部
壁、下部壁及び各部屋を各々２つの小部屋に仕切る仕切
壁が上部壁及び下部壁間に設けられた部屋から構成され
ていて、各小部屋には、上部壁と下部壁に各1 個開閉可
能な開孔があり、各小部屋の２個一対の開孔を開閉する
ためにダンパーディスクを操作するコントロールユニッ
トが設けられており、前記メイン遮断装置の小部屋は蓄
熱室と未処理ガスの供給ダクトを接続しているととも
に、他方の小部屋は他の蓄熱室と冷却された脱窒素化ガ
スの排気ダクトを接続しており、一方、他のメイン遮断
装置の小部屋は蓄熱室と予備加熱された未処理ガスの排
気ダクトを接続しているとともに、他方の小部屋は他の
蓄熱室と脱窒素化ホットガスの供給ダクトを接続してい
る窒素酸化物を含むガスの浄化装置であって、窒素酸化
物を含む未処理ガスは、予備加熱するために蓄熱体を充
填した２つの蓄熱室に交互に供給されてバーナーにより
再加熱され、還元剤と混合された後、窒素酸化物を還元
するために還元触媒に供給される一方、触媒を通過し脱
窒素化されたガスは、反対に他の蓄熱室の蓄熱体を加熱
し、更に、未処理ガスを蓄熱室に供給し脱窒素化したガ
スを他の蓄熱室に交互に供給するために、各蓄熱室の一
端は未処理ガスの吸引ダクトと冷却された脱硝済みガス
の排気ダクトと交互に接続され、各蓄熱室の他端は予備
加熱された未処理ガスの排気ダクトと脱窒素化ホットガ
スの供給ダクトと交互に接続されていることを特徴とす
るものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照しつつ本発明
の好ましい実施の形態を示す。本発明装置において、浄
化されるガスを還元触媒を通過し脱窒素化したホットガ
スにより予備加熱するために使用される熱交換器は、セ
ラミック製蓄熱充填材により満たされた少なくとも２つ
の蓄熱室を有する装置である。触媒を通過し脱窒素化し
たホットガスは、各蓄熱室の蓄熱充填材を加熱するため
に、各蓄熱室に対して交互に供給される。ある蓄熱室
が、その蓄熱充填材を加熱するために脱窒素化したホッ
トガスを供給されるのに対して、熱交換器の他方の蓄熱
室は先に蓄熱充填材が加熱されており、予備加熱するた
めに浄化される未処理ガスが供給される。
の好ましい実施の形態を示す。本発明装置において、浄
化されるガスを還元触媒を通過し脱窒素化したホットガ
スにより予備加熱するために使用される熱交換器は、セ
ラミック製蓄熱充填材により満たされた少なくとも２つ
の蓄熱室を有する装置である。触媒を通過し脱窒素化し
たホットガスは、各蓄熱室の蓄熱充填材を加熱するため
に、各蓄熱室に対して交互に供給される。ある蓄熱室
が、その蓄熱充填材を加熱するために脱窒素化したホッ
トガスを供給されるのに対して、熱交換器の他方の蓄熱
室は先に蓄熱充填材が加熱されており、予備加熱するた
めに浄化される未処理ガスが供給される。
【００１４】セラミック製蓄熱充填材は、押し出し成形
されたセラミック製のプリズム形蓄熱体であって、ガス
の流れ方向に沿って引き延ばされた、複数のガスチャン
ネリングを有することが望ましい。このような装置は、
例えば90％あるいはそれ以上の高い熱交換率を低圧力損
失で達成することが可能である。更に、セラミック製蓄
熱体は、耐腐食性に非常に優れている。
されたセラミック製のプリズム形蓄熱体であって、ガス
の流れ方向に沿って引き延ばされた、複数のガスチャン
ネリングを有することが望ましい。このような装置は、
例えば90％あるいはそれ以上の高い熱交換率を低圧力損
失で達成することが可能である。更に、セラミック製蓄
熱体は、耐腐食性に非常に優れている。
【００１５】蓄熱体は、長さ0.2m〜0.6mであって、且つ
直径は0.1m〜0.3mであることが望ましい。チャンネルの
径は、２mm〜８mmであることが望ましく、チャンネル間
の壁の厚さは、0.5mm 〜1.5mm であることが望ましい。
蓄熱体の比表面積は、例えば500 〜1,000m2/m3が可能で
ある。この蓄熱体は、例えばポーセライン、ムライトあ
るいはコージェライトから製造される。
直径は0.1m〜0.3mであることが望ましい。チャンネルの
径は、２mm〜８mmであることが望ましく、チャンネル間
の壁の厚さは、0.5mm 〜1.5mm であることが望ましい。
蓄熱体の比表面積は、例えば500 〜1,000m2/m3が可能で
ある。この蓄熱体は、例えばポーセライン、ムライトあ
るいはコージェライトから製造される。
【００１６】蓄熱体は、一般に複数層配置される。層間
距離は、５〜50mmであることが望ましい。このため、セ
ラミック脚として形成される層間ピースを使用する。蓄
熱体をスチールバスケット中に配置することも可能であ
る。蓄熱室の内側を十分に利用するため、蓄熱層の内壁
と蓄熱充填材の間には、同時に断熱材としてもはたらく
シールが備えられており、該シールは例えばセラミック
ファイバーあるいはセラミックタイルから構成されてい
る。
距離は、５〜50mmであることが望ましい。このため、セ
ラミック脚として形成される層間ピースを使用する。蓄
熱体をスチールバスケット中に配置することも可能であ
る。蓄熱室の内側を十分に利用するため、蓄熱層の内壁
と蓄熱充填材の間には、同時に断熱材としてもはたらく
シールが備えられており、該シールは例えばセラミック
ファイバーあるいはセラミックタイルから構成されてい
る。
【００１７】本発明装置は、同時に未処理ガスから特に
フラン類及びダイオキシン類など、有機性不純物を除去
するために使用されることも可能である。この目的のた
めに還元触媒は、未処理ガスの流れ方向に対して酸化触
媒の前段に配置される。還元剤が、還元触媒上で消費さ
れるので、必要な酸化環境は、酸化触媒のエリアに存在
する。この還元触媒は、最初に述べた方法において製造
され、また酸化触媒も同様に製造される。本発明装置に
おいて使用される還元剤は、アンモニアが望ましく、例
えば尿素の分解や水酸化アンモニウムの蒸発によっても
形成され得る。
フラン類及びダイオキシン類など、有機性不純物を除去
するために使用されることも可能である。この目的のた
めに還元触媒は、未処理ガスの流れ方向に対して酸化触
媒の前段に配置される。還元剤が、還元触媒上で消費さ
れるので、必要な酸化環境は、酸化触媒のエリアに存在
する。この還元触媒は、最初に述べた方法において製造
され、また酸化触媒も同様に製造される。本発明装置に
おいて使用される還元剤は、アンモニアが望ましく、例
えば尿素の分解や水酸化アンモニウムの蒸発によっても
形成され得る。
【００１８】SCR 装置における問題は、アンモニアスリ
ップと呼ばれる。即ち、触媒上で変化されなかった微量
のアンモニアが、そのまま装置を通過することである。
合法的な規則は、排出したガス中に僅かな量のアンモニ
アだけが含まれるかもしれないことを条件として要求す
る。本発明の装置は、このようなアンモニアスリップな
しに高い脱窒素化率を達成する。この目的のために、バ
ーナーにより再加熱された未処理ガスの分流は、本発明
に従って分岐され、予備混合室中にて還元試薬と混合さ
れることが望ましい。予備希釈された還元剤は、その後
メイン混合室中にてメイン未処理ガス流と混合される。
還元剤を予備希釈するために使用される未処理ガス分流
は、未処理ガス総流量の２〜20 vol％、特に５〜10 vol
％であることが望ましい。
ップと呼ばれる。即ち、触媒上で変化されなかった微量
のアンモニアが、そのまま装置を通過することである。
合法的な規則は、排出したガス中に僅かな量のアンモニ
アだけが含まれるかもしれないことを条件として要求す
る。本発明の装置は、このようなアンモニアスリップな
しに高い脱窒素化率を達成する。この目的のために、バ
ーナーにより再加熱された未処理ガスの分流は、本発明
に従って分岐され、予備混合室中にて還元試薬と混合さ
れることが望ましい。予備希釈された還元剤は、その後
メイン混合室中にてメイン未処理ガス流と混合される。
還元剤を予備希釈するために使用される未処理ガス分流
は、未処理ガス総流量の２〜20 vol％、特に５〜10 vol
％であることが望ましい。
【００１９】還元剤と混合するための未処理ガス分流
は、最大温度(350〜500 ℃) を持つようにバーナーのフ
レームエリアより分流される。この目的のために、バー
ナーのフレームエリアから予備混合室に接続された枝ダ
クトが与えられている。未処理ガスの分流が高い圧力で
予備混合室に供給されるように、この枝ダクト中にファ
ンが設置されている。
は、最大温度(350〜500 ℃) を持つようにバーナーのフ
レームエリアより分流される。この目的のために、バー
ナーのフレームエリアから予備混合室に接続された枝ダ
クトが与えられている。未処理ガスの分流が高い圧力で
予備混合室に供給されるように、この枝ダクト中にファ
ンが設置されている。
【００２０】予備混合室は、テーパー状端を備えたシリ
ンダーからなることが望ましい。未処理ガスの分流はシ
リンダーに対して接線方向から供給され、一方、還元剤
は中間あるいは軸エリアに注入されることが望ましい。
予備希釈された還元剤は、その後テーパー状端を経てメ
イン混合室に流れる。未処理ガスの分流を接線方向から
供給することは、予備混合室の内壁上にホット未処理ガ
ス層を形成し、還元剤の均一な渦巻きを引き起こす要因
となる。もし還元剤が、水溶液として加えられた場合、
同時に液体の滴が予備混合室の内壁上に堆積することを
防ぐ。
ンダーからなることが望ましい。未処理ガスの分流はシ
リンダーに対して接線方向から供給され、一方、還元剤
は中間あるいは軸エリアに注入されることが望ましい。
予備希釈された還元剤は、その後テーパー状端を経てメ
イン混合室に流れる。未処理ガスの分流を接線方向から
供給することは、予備混合室の内壁上にホット未処理ガ
ス層を形成し、還元剤の均一な渦巻きを引き起こす要因
となる。もし還元剤が、水溶液として加えられた場合、
同時に液体の滴が予備混合室の内壁上に堆積することを
防ぐ。
【００２１】未処理ガスの分流を、望ましくは少なくと
も15m/sec の高速度で予備混合室に供給するために、未
処理ガス分流用枝ダクトにファンが設置されている。溶
液の方が加圧されたアンモニアガスよりも取扱が容易で
あるので、還元剤としては、気体アンモニアよりも水酸
化アンモニウムあるいは尿素水溶液が望ましい。水酸化
アンモニウムあるいは尿素水溶液が使用されるとき、予
備混合室中の水は、例えば400 ℃のホット未処理ガスに
より直ちに蒸発される。同時に尿素はアンモニアに分解
される。この方法により、高均一なアンモニア／未処理
ガスの混合ガスが予備混合室中で形成される。
も15m/sec の高速度で予備混合室に供給するために、未
処理ガス分流用枝ダクトにファンが設置されている。溶
液の方が加圧されたアンモニアガスよりも取扱が容易で
あるので、還元剤としては、気体アンモニアよりも水酸
化アンモニウムあるいは尿素水溶液が望ましい。水酸化
アンモニウムあるいは尿素水溶液が使用されるとき、予
備混合室中の水は、例えば400 ℃のホット未処理ガスに
より直ちに蒸発される。同時に尿素はアンモニアに分解
される。この方法により、高均一なアンモニア／未処理
ガスの混合ガスが予備混合室中で形成される。
【００２２】予備希釈されたアンモニアは、その後メイ
ン混合室に供給される。この目的のために、メインガス
流の流れ方向に沿って配置されたパイプからなる熊手状
散布管がメイン混合室中に設置されている。パイプに
は、希釈されたアンモニアガスがメイン未処理ガス流の
流れ方向に対して垂直に注入されるように、少なくとも
全長の一部円周上にノズルが与えられている。予備希釈
アンモニアがメインガス流に供給される速度は、少なく
とも30m/sec 、好ましくは40〜60m/sec である。
ン混合室に供給される。この目的のために、メインガス
流の流れ方向に沿って配置されたパイプからなる熊手状
散布管がメイン混合室中に設置されている。パイプに
は、希釈されたアンモニアガスがメイン未処理ガス流の
流れ方向に対して垂直に注入されるように、少なくとも
全長の一部円周上にノズルが与えられている。予備希釈
アンモニアがメインガス流に供給される速度は、少なく
とも30m/sec 、好ましくは40〜60m/sec である。
【００２３】この目的のために、予備希釈されたアンモ
ニアは、少なくとも20mbの加圧により熊手状散布管に供
給される。この加圧は、バーナーと予備混合室を接続す
る枝ダクト中に設置された前述のファンによって与えら
れえる。この方法において、メイン混合室中にて、アン
モニアと窒素酸化物を含む未処理ガスの均一な混合が達
成され、アンモニアスリップを防止する。
ニアは、少なくとも20mbの加圧により熊手状散布管に供
給される。この加圧は、バーナーと予備混合室を接続す
る枝ダクト中に設置された前述のファンによって与えら
れえる。この方法において、メイン混合室中にて、アン
モニアと窒素酸化物を含む未処理ガスの均一な混合が達
成され、アンモニアスリップを防止する。
【００２４】アンモニアスリップを防止するための更な
る手段、即ち、還元触媒上においてアンモニアを完全に
消費するための手段として、アンモニアは化学当量で供
給されるのが望ましい。即ち、NH3/NOX モル比は１以下
が望ましく、通常は少なくとも0.5 である。
る手段、即ち、還元触媒上においてアンモニアを完全に
消費するための手段として、アンモニアは化学当量で供
給されるのが望ましい。即ち、NH3/NOX モル比は１以下
が望ましく、通常は少なくとも0.5 である。
【００２５】未処理ガスは、蓄熱器において約250 〜40
0 ℃に予備加熱される。バーナーは、更に例えば10〜50
℃再加熱することが可能であって、未処理ガスの分流が
分岐されるバーナーのフレームエリアにおける温度は、
バーナーの外部温度と比較して約50〜150 ℃高くなる。
バーナーによる再加熱は、処理ガスを触媒によって脱窒
素化するために必要な温度を与えるだけではない。例え
ば、煙突を通過して大気に放出するまで、温度勾配を類
似にし、且つ装置内におけるガス流速を類似に保つ。
0 ℃に予備加熱される。バーナーは、更に例えば10〜50
℃再加熱することが可能であって、未処理ガスの分流が
分岐されるバーナーのフレームエリアにおける温度は、
バーナーの外部温度と比較して約50〜150 ℃高くなる。
バーナーによる再加熱は、処理ガスを触媒によって脱窒
素化するために必要な温度を与えるだけではない。例え
ば、煙突を通過して大気に放出するまで、温度勾配を類
似にし、且つ装置内におけるガス流速を類似に保つ。
【００２６】以下に、本発明を図面とともに詳細に説明
する。図１に示すように、窒素酸化物を含むガスを浄化
するための装置は、蓄熱式熱交換器１、メイン混合室２
及びSCR 反応装置３を備えている。窒素酸化物を含む未
処理ガスは、排出源４からダクト５を経て熱交換器１に
流れる。この目的のために、ファン（図示せず）は、ダ
クト５中に設置されている。
する。図１に示すように、窒素酸化物を含むガスを浄化
するための装置は、蓄熱式熱交換器１、メイン混合室２
及びSCR 反応装置３を備えている。窒素酸化物を含む未
処理ガスは、排出源４からダクト５を経て熱交換器１に
流れる。この目的のために、ファン（図示せず）は、ダ
クト５中に設置されている。
【００２７】図４に示すように、熱交換器１は、蓄熱充
填材８、９が配置された２つの蓄熱室６、７からなる。
蓄熱充填材８、９は、上述のように複数のガスチャンネ
ルが配列された立方形あるいはプリズム形蓄熱体からな
る。２つのメイン遮断装置１１、１１' は２つの蓄熱室
６、７の間のスペース１０に設置される。図６に示すよ
うに、各メイン遮断装置１１、１１' は、上部壁１３、
下部壁１４及び上下部壁１３、１４間に配置された仕切
壁１５を備えた部屋１２から構成される。
填材８、９が配置された２つの蓄熱室６、７からなる。
蓄熱充填材８、９は、上述のように複数のガスチャンネ
ルが配列された立方形あるいはプリズム形蓄熱体からな
る。２つのメイン遮断装置１１、１１' は２つの蓄熱室
６、７の間のスペース１０に設置される。図６に示すよ
うに、各メイン遮断装置１１、１１' は、上部壁１３、
下部壁１４及び上下部壁１３、１４間に配置された仕切
壁１５を備えた部屋１２から構成される。
【００２８】仕切壁１５は、斜めに配置されており、部
屋１２を２つの小部屋１６、１７に分割している。各小
部屋１６、１７は、その上部壁１３及び下部壁１４上に
ダンパーディスク１８、１９により閉じられる孔２０、
２１；２２、２３を有する。それ故各小部屋１６、１７
は、各小部屋１６、１７に割り当てられたダンパーディ
スク１８、１９により開閉される両壁面に２つの孔２
０、２１；２２、２３を有している。各ダンパーディス
ク１８、１９は、この目的のために空圧あるいは油圧ピ
ストン／シリンダーユニットとして形成されるコントロ
ールユニット２４ａ、２４ｂに固定されている。
屋１２を２つの小部屋１６、１７に分割している。各小
部屋１６、１７は、その上部壁１３及び下部壁１４上に
ダンパーディスク１８、１９により閉じられる孔２０、
２１；２２、２３を有する。それ故各小部屋１６、１７
は、各小部屋１６、１７に割り当てられたダンパーディ
スク１８、１９により開閉される両壁面に２つの孔２
０、２１；２２、２３を有している。各ダンパーディス
ク１８、１９は、この目的のために空圧あるいは油圧ピ
ストン／シリンダーユニットとして形成されるコントロ
ールユニット２４ａ、２４ｂに固定されている。
【００２９】メイン遮断装置１１の上下壁１３、１４
は、それぞれ予備室２５、２６に接続されている。上部
メイン遮断装置１１' も、同様に形成されている。それ
故、対応する部品には同じ参照番号を付与して' をつけ
てある。下部メイン遮断装置１１の予備室２６に未処理
ガス吸引ダクト５が接続されている。浄化される未処理
ガスは、予備室２６から開孔２０を通過してメイン遮断
装置１１の小部屋１６に流れ、そこから矢印２８に示さ
れるように、蓄熱室７の分散室３０に流れる。更にサポ
ートグリッド３０' を通過し、前段階でSCR 反応装置３
より排出された脱窒素化ホットガスにより加熱されたセ
ラミック製蓄熱充填材９を通過する。
は、それぞれ予備室２５、２６に接続されている。上部
メイン遮断装置１１' も、同様に形成されている。それ
故、対応する部品には同じ参照番号を付与して' をつけ
てある。下部メイン遮断装置１１の予備室２６に未処理
ガス吸引ダクト５が接続されている。浄化される未処理
ガスは、予備室２６から開孔２０を通過してメイン遮断
装置１１の小部屋１６に流れ、そこから矢印２８に示さ
れるように、蓄熱室７の分散室３０に流れる。更にサポ
ートグリッド３０' を通過し、前段階でSCR 反応装置３
より排出された脱窒素化ホットガスにより加熱されたセ
ラミック製蓄熱充填材９を通過する。
【００３０】蓄熱充填材９より排出された、例えば300
℃に予備加熱された未処理ガスは、矢印３８に示される
ように、蓄熱充填材９上部のスペース３４を通過し小部
屋１６' に流れ、そこから更に開孔２１' を経て上部メ
イン遮断装置１１' の予備室２５' に流れる。脱窒素化
ホットガスは、SCR 反応装置３からダクト３２（図１参
照）を経て、上部メイン遮断装置１１' の予備室２６'
に供給される。そこから更に矢印３５に示されるように
開孔２２' を経て、他の蓄熱室６における蓄熱充填材８
上部のスペース３３に流れる。
℃に予備加熱された未処理ガスは、矢印３８に示される
ように、蓄熱充填材９上部のスペース３４を通過し小部
屋１６' に流れ、そこから更に開孔２１' を経て上部メ
イン遮断装置１１' の予備室２５' に流れる。脱窒素化
ホットガスは、SCR 反応装置３からダクト３２（図１参
照）を経て、上部メイン遮断装置１１' の予備室２６'
に供給される。そこから更に矢印３５に示されるように
開孔２２' を経て、他の蓄熱室６における蓄熱充填材８
上部のスペース３３に流れる。
【００３１】蓄熱充填材８を通過するときに脱窒素化ホ
ットガスは、その熱を蓄熱充填材８に放出し、矢印３７
に示されるように、冷却されたガスとしてスペース２９
から小部屋１７（図６参照）を経た後、開孔２３を通過
し下部メイン遮断装置１１の上部予備室２５に流れる。
なお、図１に示されるように、ダクト３６は予備室２５
と煙突を接続している。
ットガスは、その熱を蓄熱充填材８に放出し、矢印３７
に示されるように、冷却されたガスとしてスペース２９
から小部屋１７（図６参照）を経た後、開孔２３を通過
し下部メイン遮断装置１１の上部予備室２５に流れる。
なお、図１に示されるように、ダクト３６は予備室２５
と煙突を接続している。
【００３２】蓄熱室７の蓄熱充填材９が、その熱を浄化
される窒素酸化物を含むガスに放出したとき、浄化され
るガスは、その間に脱窒素化ホットガスにより加熱され
ていた蓄熱室６の蓄熱充填材８に供給される。一方、脱
窒素化ホットガスは、蓄熱充填材９を再加熱するために
蓄熱室７に供給される。この目的のため、孔２２を開
け、孔２３を閉じるためにダンパーディスク１９をコン
トロールユニット２４ａにより操作する。そして、孔２
１を開け、孔２０を閉じるためにダンパーディスク１８
をコントロールユニット２４ｂにより操作する。更に、
孔２３' を開け、孔２２' を閉じるためにダンパーディ
スク１９'をコントロールユニット２４ａ' により操作
する。そして、孔２０' を開け、孔２１' を閉じるため
にダンパーディスク１８' をコントロールユニット２４
ｂ'により操作する。
される窒素酸化物を含むガスに放出したとき、浄化され
るガスは、その間に脱窒素化ホットガスにより加熱され
ていた蓄熱室６の蓄熱充填材８に供給される。一方、脱
窒素化ホットガスは、蓄熱充填材９を再加熱するために
蓄熱室７に供給される。この目的のため、孔２２を開
け、孔２３を閉じるためにダンパーディスク１９をコン
トロールユニット２４ａにより操作する。そして、孔２
１を開け、孔２０を閉じるためにダンパーディスク１８
をコントロールユニット２４ｂにより操作する。更に、
孔２３' を開け、孔２２' を閉じるためにダンパーディ
スク１９'をコントロールユニット２４ａ' により操作
する。そして、孔２０' を開け、孔２１' を閉じるため
にダンパーディスク１８' をコントロールユニット２４
ｂ'により操作する。
【００３３】これにより浄化されるガスは２つの蓄熱室
６、７に交互に供給され、脱窒素化されたホットガス
は、逆に他の蓄熱室７、６を通過する。実施されている
交互ガス供給を可能にするために、蓄熱室６、７の一端
は、未処理ガス吸引ダクト５及び蓄熱充填材８、９を通
過した冷却済みガス用の排気ダクト３６と交互に接続さ
れている。一方、蓄熱室６、７の他端は、予備加熱され
た未処理ガスの排気ダクト４０あるいは脱窒素化ホット
ガス用の供給ダクト３２と交互に接続されている。
６、７に交互に供給され、脱窒素化されたホットガス
は、逆に他の蓄熱室７、６を通過する。実施されている
交互ガス供給を可能にするために、蓄熱室６、７の一端
は、未処理ガス吸引ダクト５及び蓄熱充填材８、９を通
過した冷却済みガス用の排気ダクト３６と交互に接続さ
れている。一方、蓄熱室６、７の他端は、予備加熱され
た未処理ガスの排気ダクト４０あるいは脱窒素化ホット
ガス用の供給ダクト３２と交互に接続されている。
【００３４】蓄熱充填材８、９は、蓄熱室６、７の壁３
９とシール材６２によりシールされているとともに、同
時に断熱されている。予備加熱された未処理ガス用の排
気ダクト４０（図１参照）は、上部メイン遮断装置１
１' の予備室２５' とメイン混合室２のフロントエリア
に配置されたバーナー４１間に接続されている。バーナ
ー４１は、例えば300 ℃に予備加熱された未処理ガスを
例えば更に20〜30℃再加熱する。未処理ガス総流量の例
えば５〜10％が、約400 ℃に加熱されているバーナー４
１のフレームゾーン４２より枝ダクト４３を経て分流さ
れる。この目的のために、枝ダクト中にファン４４が設
置される。この分岐された加熱未処理ガス分流は予備混
合室４５に流れるとともに、この予備混合室４５内でパ
イプ４６を経て注入される還元剤と混合される。なお、
この予備混合室４５は、図２に示すように、シリンダー
４７とテーパー状下端４８からなる。
９とシール材６２によりシールされているとともに、同
時に断熱されている。予備加熱された未処理ガス用の排
気ダクト４０（図１参照）は、上部メイン遮断装置１
１' の予備室２５' とメイン混合室２のフロントエリア
に配置されたバーナー４１間に接続されている。バーナ
ー４１は、例えば300 ℃に予備加熱された未処理ガスを
例えば更に20〜30℃再加熱する。未処理ガス総流量の例
えば５〜10％が、約400 ℃に加熱されているバーナー４
１のフレームゾーン４２より枝ダクト４３を経て分流さ
れる。この目的のために、枝ダクト中にファン４４が設
置される。この分岐された加熱未処理ガス分流は予備混
合室４５に流れるとともに、この予備混合室４５内でパ
イプ４６を経て注入される還元剤と混合される。なお、
この予備混合室４５は、図２に示すように、シリンダー
４７とテーパー状下端４８からなる。
【００３５】加熱された未処理ガス分流は、ダクト４３
を経て側面接線方向からシリンダー４７に供給される。
一方、例えば尿素水溶液などの還元剤は、パイプ４６か
らテーパー状端４８の反対側面５０上の中央軸エリアよ
り注入される。螺旋状の矢印５５により示されるよう
に、未処理ガス分流を接線方向からの供給することによ
り、予備混合室４５中に渦巻きが形成され、シリンダー
壁４７上にホットガス層を導く。高速なホットガス層
は、尿素水溶液中の水を直ちに蒸発させ、尿素をアンモ
ニアに分解する。同時にホットガスとアンモニアを十分
混合する。
を経て側面接線方向からシリンダー４７に供給される。
一方、例えば尿素水溶液などの還元剤は、パイプ４６か
らテーパー状端４８の反対側面５０上の中央軸エリアよ
り注入される。螺旋状の矢印５５により示されるよう
に、未処理ガス分流を接線方向からの供給することによ
り、予備混合室４５中に渦巻きが形成され、シリンダー
壁４７上にホットガス層を導く。高速なホットガス層
は、尿素水溶液中の水を直ちに蒸発させ、尿素をアンモ
ニアに分解する。同時にホットガスとアンモニアを十分
混合する。
【００３６】テーパー状端４８から、未処理ガス分流に
より予備希釈されたアンモニアがパイプ５１を経てメイ
ン混合室２に供給される。パイプ５１に接続された熊手
状散布管５２は、メイン混合室２中のバーナー４１の後
段に配置されている。熊手状散布管５２は、図３に示す
ように、矢印５６によるメインガス流の向きに対して横
切り、バーナー方向に引き延ばされた複数のパイプ５３
からなる。パイプ５３には、例えば20mbに加圧された希
釈アンモニアを、例えば約60m/sec の流速で、矢印６２
で示されるメイン未処理ガス流の流れ方向５７に対して
約90度の角度で供給するよう、全長にわたり両面にノズ
ル５７が配置されている。
より予備希釈されたアンモニアがパイプ５１を経てメイ
ン混合室２に供給される。パイプ５１に接続された熊手
状散布管５２は、メイン混合室２中のバーナー４１の後
段に配置されている。熊手状散布管５２は、図３に示す
ように、矢印５６によるメインガス流の向きに対して横
切り、バーナー方向に引き延ばされた複数のパイプ５３
からなる。パイプ５３には、例えば20mbに加圧された希
釈アンモニアを、例えば約60m/sec の流速で、矢印６２
で示されるメイン未処理ガス流の流れ方向５７に対して
約90度の角度で供給するよう、全長にわたり両面にノズ
ル５７が配置されている。
【００３７】予備混合室４５とメイン混合室２による２
段階混合は、還元剤と浄化されるガスを十分均一に混合
する。更に、混合状態を高めるためにクロスプレートあ
るいは類似した邪魔板からなる静的ミキサー５８が、ガ
スを渦巻くために熊手状散布管５２の後段に配置されて
いる。SCR 反応装置３は、メイン混合室２の後段に配置
されており、処理ガス中に含まれるNOX を注入したアン
モニアにより窒素と水に還元処理する還元触媒の層６０
を含んでいる。
段階混合は、還元剤と浄化されるガスを十分均一に混合
する。更に、混合状態を高めるためにクロスプレートあ
るいは類似した邪魔板からなる静的ミキサー５８が、ガ
スを渦巻くために熊手状散布管５２の後段に配置されて
いる。SCR 反応装置３は、メイン混合室２の後段に配置
されており、処理ガス中に含まれるNOX を注入したアン
モニアにより窒素と水に還元処理する還元触媒の層６０
を含んでいる。
【００３８】ガスは、その後、同じ触媒であるが酸化触
媒として作用する触媒層６１を通過する。層６１におい
て、特にダイオキシン類及びフラン類などの有機化合物
が酸化される。還元剤の供給量は、吸引ダクト５中にお
けるNOX 濃度と吸引風量を連続的に測定し、NOX 濃度と
吸引風量からアンモニアの必要な量を算出することによ
り可能となる。
媒として作用する触媒層６１を通過する。層６１におい
て、特にダイオキシン類及びフラン類などの有機化合物
が酸化される。還元剤の供給量は、吸引ダクト５中にお
けるNOX 濃度と吸引風量を連続的に測定し、NOX 濃度と
吸引風量からアンモニアの必要な量を算出することによ
り可能となる。
【００３９】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明はSCR 装置のランニングコストを十分低減することが
できるものである。よって本発明は従来の問題点を一掃
した窒素酸化物を含むガスの浄化装置として、産業の発
展に寄与するところは極めて大である。
明はSCR 装置のランニングコストを十分低減することが
できるものである。よって本発明は従来の問題点を一掃
した窒素酸化物を含むガスの浄化装置として、産業の発
展に寄与するところは極めて大である。
【図１】本発明の実施の形態を示す全体概略図である。
【図２】予備混合室を示す断面図である。
【図３】メイン混合室を示す断面図である。
【図４】蓄熱式熱交換器を示す横断面図である。
【図５】蓄熱式熱交換器を示す縦断面図である。
【図６】メイン遮断装置の透視状態をを示す斜視図であ
る。
る。
５ 未処理ガスの供給ダクト ６ 蓄熱室 ７ 蓄熱室 ８ 蓄熱充填材 ９ 蓄熱充填材 11 メイン遮断装置 12 部屋 13 上部壁 14 下部壁 15 仕切壁 16 小部屋 17 小部屋 18 ダンパーディスク 19 ダンパーディスク 20 開孔 21 開孔 22 開孔 23 開孔 24a コントロールユニット 24b コントロールユニット 32 脱窒素化ホットガスの供給ダクト 36 脱窒素化ホットガスの排気ダクト 60 還元触媒 61 酸化触媒
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スカドラー ヨハネ オーストリア国 Ａ−8042グラーツ市 シ ュミードルシュトラーセ10 ケミッシュ サーミシェ プロセステクニック社内 (72)発明者 タルハマー ヘイモ オーストリア国 Ａ−8042グラーツ市 シ ュミードルシュトラーセ10 ケミッシュ サーミシェ プロセステクニック社内
Claims (15)
- 【請求項１】 各蓄熱室(6,7) の一端に未処理ガスの供
給ダクト(5) 及び蓄熱室(6,7) により冷却される脱窒素
化ガスの排気ダクト(36)を接続し、また各蓄熱室(6,7)
の他端に各蓄熱室(6,7) により予備加熱された未処理ガ
スの排気ダクト(40)あるいは脱窒素化ホットガスの供給
ダクト(32)を接続しているとともに、２つのメイン遮断
装置(11,11')を備えており、これら各メイン遮断装置(1
1,11')は、上部壁(13,13')、下部壁(14,14')及び各部屋
(12,12')を各々２つの小部屋(16,16',17,17') に仕切る
仕切壁(15,15')が上部壁(13,13')及び下部壁(14,14')間
に設けられた部屋(12,12')から構成されていて、各小部
屋(16,16',17,17') には、上部壁(13,13')と下部壁(14,
14')に各1 個開閉可能な開孔(20,20',21,21',22,22',2
3,23') があり、各小部屋(16,16',17,17') の２個一対
の開孔(20,20',21,21',22,22',23,23') を開閉するため
にダンパーディスク(18,18',19,19') を操作するコント
ロールユニット(24a,24a',24b,24b') が設けられてお
り、前記メイン遮断装置(11)の小部屋(16,17) は蓄熱室
(6,7) と未処理ガスの供給ダクト(5) を接続していると
ともに、他方の小部屋(17,16) は他の蓄熱室(7,6) と冷
却された脱窒素化ガスの排気ダクト(36)を接続してお
り、一方、他のメイン遮断装置(11') の小部屋(16',1
7') は蓄熱室(6,7) と予備加熱された未処理ガスの排気
ダクト(40)を接続しているとともに、他方の小部屋(1
7',16') は他の蓄熱室(7,6) と脱窒素化ホットガスの供
給ダクト(32)を接続している窒素酸化物を含むガスの浄
化装置であって、窒素酸化物を含む未処理ガスは、予備
加熱するために蓄熱体を充填した２つの蓄熱室に交互に
供給されてバーナーにより再加熱され、還元剤と混合さ
れた後、窒素酸化物を還元するために還元触媒に供給さ
れる一方、触媒を通過し脱窒素化されたガスは、反対に
他の蓄熱室の蓄熱体を加熱し、更に、未処理ガスを蓄熱
室に供給し脱窒素化したガスを他の蓄熱室に交互に供給
するために、各蓄熱室の一端は未処理ガスの吸引ダクト
と冷却された脱硝済みガスの排気ダクトと交互に接続さ
れ、各蓄熱室の他端は予備加熱された未処理ガスの排気
ダクトと脱窒素化ホットガスの供給ダクトと交互に接続
されていることを特徴とする窒素酸化物を含むガスの浄
化装置。 - 【請求項２】 メイン遮断装置(11,11')が、２つの蓄熱
室(6,7) 間のスペース(10)に配置されている請求項１記
載の窒素酸化物を含むガスの浄化装置。 - 【請求項３】 未処理ガス分流用の枝ダクト(43)が、バ
ーナーのフレームゾーン(42)から還元剤が供給される予
備混合室(45)に接続されている請求項１または２記載の
窒素酸化物を含むガスの浄化装置。 - 【請求項４】 枝ダクト(43)にファン(44)を備えた請求
項３記載の窒素酸化物を含むガスの浄化装置。 - 【請求項５】 予備混合室(45)が、テーパー状端(48)を
有したシリンダー(47)からなり、未処理ガスの分流が該
シリンダー(47)に対して接線方向から供給されるととも
に、還元剤がシリンダー(47)の中央軸部分より供給さ
れ、テーパー状端(48)が、未処理ガスの分流により予備
希釈された還元剤をメイン未処理ガス流に供給するため
のダクト(51)と接続されている請求項３記載の窒素酸化
物を含むガスの浄化装置。 - 【請求項６】 未処理ガス分流により予備希釈された還
元剤が、メイン未処理ガス流と混合されるメイン混合室
(2) を備えている請求項１または２または３または４ま
たは５記載の窒素酸化物を含むガスの浄化装置。 - 【請求項７】 メイン未処理ガスの流れ方向(56)に沿っ
て配置されたパイプ(53)からなる熊手状散布管(52)をメ
イン混合室(2) に設けるとともに、このパイプ(53)には
予備希釈した還元剤をメイン未処理ガス流の流れ方向(5
6)に対して垂直に供給するようパイプ(53)の長手方向に
ノズル(57)が設けられている請求項６記載の窒素酸化物
を含むガスの浄化装置。 - 【請求項８】 触媒が、還元触媒(60)及びダイオキシ
ン、フラン類を酸化するための酸化触媒(61)の両方から
なる請求項１記載の窒素酸化物を含むガスの浄化装置。 - 【請求項９】 全未処理ガス量の２〜20vol ％を全未処
理ガスから枝ダクト(43)に分流する請求項３記載の窒素
酸化物を含むガスの浄化装置。 - 【請求項１０】 還元剤が、尿素水溶液あるいは水酸化
アンモニウムあるいはアンモニアガスからなる請求項１
記載の窒素酸化物を含むガスの浄化装置。 - 【請求項１１】 予備加熱された未処理ガスが、バーナ
ーにより更に10〜50℃昇温加熱される請求項１または２
または３または４または５または６または７または８ま
たは９または１０に記載の窒素酸化物を含むガスの浄化
装置。 - 【請求項１２】 未処理ガス分流が分岐されるバーナー
(41)のフレームゾーン(42)の温度が、350 〜500 ℃であ
る請求項１１記載の窒素酸化物を含むガスの浄化装置。 - 【請求項１３】 蓄熱充填材(8,9) が、ガスの流れ方向
に沿って配置される多数のガスチャンネルを有するよう
に成形されたセラミック蓄熱体からなる請求項１に記載
の窒素酸化物を含むガスの浄化装置。 - 【請求項１４】 蓄熱体が、セラミックピースにより５
〜50mmの間隔をもって積み重ねられている請求項１３記
載の窒素酸化物を含むガスの浄化装置。 - 【請求項１５】 蓄熱充填材(8,9) と蓄熱室(6,7) の内
壁(39)間に、断熱シール(62)を備えた請求項１３または
１４記載の窒素酸化物を含むガスの浄化装置。
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