JPH11121686A - Method of assembling multilayered chip - Google Patents

Method of assembling multilayered chip

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JPH11121686A JP9288279A JP28827997A JPH11121686A JP H11121686 A JPH11121686 A JP H11121686A JP 9288279 A JP9288279 A JP 9288279A JP 28827997 A JP28827997 A JP 28827997A JP H11121686 A JPH11121686 A JP H11121686A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method, which efficiently executes the assembling work of a multilayered chip and minimizes the no. of chip units to be discarded due to connection defects. SOLUTION: This method of assembling a multilayered chip A having a laminated structure of plural laminated chip units 1-4 comprises a preceding step of combining the chip units 1-4 and conductivity jointing them between joint planes to form integrated composite chips A1, A2 and following the steps of combining and jointing the composite chips A1, A2 so as to form a laminated structure of the plural chip units 1-4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本願発明は、複数のチップ単
体を多段積層化した構造を有する多層チップの組み立て
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for assembling a multilayer chip having a structure in which a plurality of single chips are stacked in multiple stages.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ICやLSIといった半導体チッ
プは、テープキャリアや樹脂基板上に単体で実装されて
いるのが一般的である。その実装構造としては、テープ
・オートメイテッド・ボンディング(TAB)方式やチ
ップ・オン・ボード(COB)方式によって実装された
構造があり、いろんな要因を勘案して最適な構造が選定
されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor chip such as an IC or an LSI is generally mounted alone on a tape carrier or a resin substrate. As the mounting structure, there is a structure mounted by a tape automated bonding (TAB) method or a chip-on-board (COB) method, and an optimum structure is selected in consideration of various factors.

【0003】このような実装構造の半導体チップに対し
て、チップ上に他のベアチップを積層するようにして接
合する、いわゆるチップ・オン・チップ方式(以下、略
称してCOCという)により組み立てられた積層構造が
あり、このようなCOCによる積層構造によれば高密度
化を容易に達成できることから、今後このようなCOC
による積層構造が小型電子機器や薄型の携帯端末、ある
いはICカードといった各種のものに採用されることが
考えられる。
A semiconductor chip having such a mounting structure is assembled by a so-called chip-on-chip method (hereinafter, abbreviated as COC) in which another bare chip is stacked on the chip and joined. There is a laminated structure. According to such a laminated structure using COC, high density can be easily achieved.
It is conceivable that the laminated structure of the above is adopted for various types of devices such as small electronic devices, thin portable terminals, and IC cards.

【0004】さらに、そのようなCOCによる積層構造
を発展させたものとして、3個以上のチップ単体を積層
化することにより多段積層構造とした多層チップという
ものが提案されている。このような多層チップの最下層
のチップ単体は、通常、テープキャリアや樹脂基板に接
合されることから、多層チップの組み立て方法として
は、最下層のチップ単体から最上層のチップ単体へと順
に組み立てていくのが一般的な方法と考えられる。この
ような組み立て方法において各チップ単体を互いに接合
するには、異方性導電接着フィルム(以下、略称してA
CFという)あるいは異方性導電接着ペーストを接着媒
体として、接合面上のバンプを介して導通接続させた状
態で導電接合する形態があり、一方、接合面間を導通さ
せることなく、単に非導電性の接着剤によって接合する
形態もある。
Further, as a development of such a laminated structure based on COC, there has been proposed a multilayer chip having a multi-stage laminated structure by laminating three or more single chips. Since the lowermost chip of such a multilayer chip is usually bonded to a tape carrier or a resin substrate, the method of assembling a multilayer chip is to assemble the lowermost chip alone to the uppermost chip alone. It is considered to be a general method. In order to join the individual chips to each other in such an assembling method, an anisotropic conductive adhesive film (hereinafter abbreviated as A
CF) or anisotropic conductive adhesive paste is used as an adhesive medium, and conductive bonding is performed in a state where conductive bonding is performed via bumps on the bonding surface. There is also a form of bonding with a hydrophilic adhesive.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の多
層チップの組み立て方法では、各チップ単体を最下層か
ら最上層へと接合するに際し、接合面間を導通接続とし
た導電接合と非導通接続とした接合とがあり、そのよう
な異なる種類の接合工程が交互に繰り返されると、組み
立て作業性としては能率が悪く、煩雑な組み立て作業と
なってしまうという不具合があった。また、先の工程で
接合面間を非導通接続により接合し、その接合により一
体化されたチップ複合体に対して別のチップ単体を導電
接合した場合、少なくとも3個のチップ単体が多段積層
化されることとなる。このような多段積層化された多層
チップに対して測定検査を行い接続不良と判定される
と、多段積層構造を構成するすべてのチップが不良であ
るとみなされ廃棄される。したがって、導電接合に関与
しないチップまでもが接続良否の判定結果によっては不
良品として廃棄処分されるので、多層チップを構成する
チップに無駄が生じるという不具合があった。
However, in the above-mentioned conventional method of assembling a multilayer chip, when each single chip is joined from the lowermost layer to the uppermost layer, a conductive junction and a non-conductive connection are made between the joining surfaces. When such different types of joining steps are alternately repeated, the assembling workability is inefficient, resulting in a troublesome assembling work. In addition, when the bonding surfaces are bonded by non-conductive connection in the previous step, and another chip unit is conductively bonded to the chip complex integrated by the bonding, at least three chip units are multi-layered. Will be done. When a measurement test is performed on such a multi-layer stacked multilayer chip and a connection failure is determined, all chips constituting the multi-layer structure are regarded as defective and are discarded. Therefore, even chips that do not participate in the conductive bonding are discarded as defective products depending on the determination result of the connection quality, and there is a problem that chips constituting the multilayer chip are wasted.

【0006】そこで、本願発明は、上記した事情のもと
で考え出されたものであって、多層チップの組み立て作
業を効率よく進めることができるとともに、接続不良に
より廃棄されるべきチップ単体の個数を最小限にとどめ
ることができる多層チップの組み立て方法を提供するこ
とをその課題とする。
Accordingly, the present invention was conceived in view of the above-mentioned circumstances, and it is possible to efficiently assemble a multi-layer chip and to reduce the number of chips to be discarded due to poor connection. It is an object of the present invention to provide a method for assembling a multi-layer chip capable of minimizing the number of chips.

【0007】[0007]

【発明の開示】上記課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
DISCLOSURE OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention employs the following technical means.

【0008】すなわち、本願発明により提供される多層
チップの組み立て方法は、複数のチップ単体を多段積層
化した構造を有する多層チップの組み立て方法であっ
て、上記複数のチップ単体のうち、接合面間で導通接続
されるチップ単体を取り合わせて導電接合する工程を先
行工程とし、その後、導電接合により一体化された各チ
ップ複合体を取り合わせて接合することにより、上記複
数のチップ単体を多段積層化することを特徴としてい
る。
That is, the method for assembling a multi-layer chip provided by the present invention is a method for assembling a multi-layer chip having a structure in which a plurality of single chips are stacked in multiple stages. A step of combining and conducting conductive bonding of the chips connected in a conductive manner is a preceding step, and thereafter, by combining and bonding the respective chip composites integrated by conductive bonding, the plurality of chips are stacked in a multi-stage manner. It is characterized by:

【0009】上記技術的手段が講じられた本願発明によ
り提供される多層チップの組み立て方法では、先に行わ
れる先行工程において、多層チップの構成に必要な複数
のチップ単体のうち、接合面間で導通接続されるチップ
単体が取り合わされて導電接合される。このような導電
接合工程を経て接合された各チップ複合体は、複数のチ
ップ単体が一体化された構造のものである。たとえば、
各チップ複合体については、接続良否の判定を行うこと
ができる。このような判定により接続不良と判定された
場合、チップ複合体を構成する複数のチップ単体、すな
わち導電接合に関与するチップのみが廃棄処分などされ
ることとなる。さらに、上記導電接合工程の後、たとえ
ば接続良否の判定に合格した各チップ複合体は、互いに
取り合わされて接合される。これにより、必要とされる
すべてのチップが多段積層化され、チップ単体の接合に
よる組み立てが完了することとなる。
In the method of assembling a multi-layer chip provided by the present invention in which the above-mentioned technical means have been taken, in the preceding step performed in advance, among the plurality of single chips necessary for the configuration of the multi-layer chip, the bonding surface between the bonding surfaces is determined. The chips that are conductively connected are combined and conductively joined. Each chip composite joined through such a conductive joining step has a structure in which a plurality of single chips are integrated. For example,
For each chip complex, the quality of the connection can be determined. If it is determined that the connection is defective, only a plurality of chips constituting the chip composite, that is, only chips involved in conductive bonding are discarded. Further, after the conductive bonding step, for example, the respective chip composites that have passed the determination of the connection quality are assembled and bonded to each other. As a result, all the necessary chips are stacked in multiple stages, and the assembly by joining the chips alone is completed.

【0010】したがって、本願発明により提供される多
層チップの組み立て方法によれば、接合面間を導通接続
とした導電接合工程を行った後、その導電接合により一
体化されたチップ複合体が互いに接合されるので、チッ
プ単体、チップ複合体、および多層チップといった一連
の順に同種の接合工程が行われることから、多層チップ
の組み立て作業を効率よく進めることができる。その
上、導電接合工程後、導電接合された複数のチップ単体
からなるチップ複合体について接続良否の判定を行うこ
とができるので、仮にその時点で接続不良と判定されて
も導電接合にのみ関与するチップが不良品として廃棄処
分などされることから、多層チップを構成するチップに
無駄が生じることなく、接続不良により廃棄されるべき
チップ単体の個数を最小限にとどめることができる。
Therefore, according to the method for assembling a multi-layer chip provided by the present invention, after performing a conductive bonding step in which the bonding surfaces are conductively connected, the chip composites integrated by the conductive bonding are bonded to each other. Therefore, since the same kind of bonding process is performed in a series of order such as a single chip, a chip composite, and a multilayer chip, the assembly operation of the multilayer chip can be efficiently performed. In addition, after the conductive bonding step, it is possible to determine whether the connection is good or defective with respect to the chip composite composed of a plurality of conductively bonded chips, so that even if the connection is determined to be defective at that time, only the conductive bonding is involved. Since the chip is discarded as a defective product, the number of chips to be discarded due to poor connection can be minimized without waste of the chips constituting the multilayer chip.

【0011】なお、チップとしては、メモリ機能を有す
るROMやRAM、または演算・制御機能を有するCP
Uなどの半導体チップが適用可能であるが、とくにその
ような機能の半導体チップに限ることはなく、他の機能
を有する半導体チップ、あるいは各種機能を複合的に有
するような半導体チップであってもよいことはいうまで
もない。
The chip may be a ROM or RAM having a memory function, or a CP having an operation / control function.
A semiconductor chip such as U is applicable, but is not particularly limited to a semiconductor chip having such a function, and may be a semiconductor chip having other functions or a semiconductor chip having various functions in combination. It goes without saying that it is good.

【0012】導電接合の形態としては、各チップ単体の
接合面に形成されたバンプを対峙させた状態で、ACF
や異方性導電接着ペーストを接合面間に挟んで圧着させ
る形態が好適であるが、その他ピン結合やはんだ融着に
よる接合形態などであってもよい。さらには、チップ単
体の両方または一方がウエハ状態で導電接合してもよ
い。この場合、ウエハ自体をスクライブ加工することに
よって導電接合された状態のチップ複合体を切り出すこ
とができる。
As a form of conductive bonding, an ACF is formed with bumps formed on the bonding surface of each chip unit facing each other.
It is preferable to press and bond anisotropic conductive adhesive paste between the bonding surfaces, but other bonding modes such as pin bonding or solder fusion may be used. Further, both or one of the chips may be conductively bonded in a wafer state. In this case, the chip composite in a conductively bonded state can be cut out by scribing the wafer itself.

【0013】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照して具体的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.

【0015】図1ないし図4は、本願発明にかかる多層
チップの組み立て方法の一実施形態において、各工程に
おける断面を示した工程断面図、特に、図4は、最終的
に組み立て完成された状態における多層チップの断面構
造が示されている。
FIGS. 1 to 4 are process sectional views showing cross sections in respective steps in an embodiment of a method of assembling a multilayer chip according to the present invention. In particular, FIG. 2 shows a cross-sectional structure of the multilayer chip.

【0016】図4によく示されるように、本実施形態に
よって組み立て完成される多層チップAは、4個の半導
体ベアチップの単体1〜4(以下、第1ないし第4のチ
ップ単体という)を多段積層化した、いわゆるCOCに
よる積層構造を有するものである。このような多層チッ
プAは、最終的にポリイミドフィルムなどでできたテー
プキャリア5に搭載接合された状態とされる。また、各
チップ単体1〜4は、他のチップ単体あるいはテープキ
ャリア5上のリード端子5aと導通接続されることか
ら、一方の接合面には、接続端子となるバンプ1a〜4
aがエッチング処理などによって形成されている。この
ようなバンプ1a〜4aが形成された接合面を導電接合
面という。これに対し、導電接合面の反対面は、他のチ
ップ単体などと導通することなく接合されることから、
単純接合面という。
As shown in FIG. 4, a multilayer chip A assembled and completed according to the present embodiment is composed of four semiconductor bare chips 1 to 4 (hereinafter referred to as first to fourth chips) in multiple stages. It has a laminated structure of so-called COC. Such a multilayer chip A is finally mounted and joined to a tape carrier 5 made of a polyimide film or the like. Further, since each chip unit 1 to 4 is electrically connected to another chip unit or the lead terminal 5 a on the tape carrier 5, bumps 1 a to 4 serving as connection terminals are provided on one joint surface.
a is formed by an etching process or the like. The bonding surface on which such bumps 1a to 4a are formed is called a conductive bonding surface. On the other hand, the opposite surface of the conductive bonding surface is bonded without conducting to another chip alone, etc.,
It is called a simple joint surface.

【0017】上記したような多層チップAを組み立てる
方法は、図1に示すように、第1および第2のチップ単
体1,2を取り合わせて導電接合させることにより、一
体化された第1のチップ複合体A1を作製する第1の導
電接合工程、図2に示すように、上記第1の導電接合工
程と同様にして、第3および第4のチップ単体3,4を
取り合わせて第2のチップ複合体A2を作製する第2の
導電接合工程、図3に示すように、第1および第2のチ
ップ複合体A1,A2を互いに導通させることなく接合
して多層チップAを完成させる単純接合工程、および、
図4に示すように、ワイヤ・ボンディングによって所定
の端子をワイヤ接続するワイヤ・ボンディング工程を具
備して概略構成されている。
The method of assembling the above-described multilayer chip A is as shown in FIG. 1 by combining the first and second chip units 1 and 2 and electrically connecting them to form an integrated first chip. In the first conductive bonding step for producing the composite A1, as shown in FIG. 2, the third and fourth chips 3 and 4 are combined in the same manner as in the first conductive bonding step. A second conductive bonding step for producing the composite A2, a simple bonding step for completing the multilayer chip A by bonding the first and second chip composites A1 and A2 without conducting each other as shown in FIG. ,and,
As shown in FIG. 4, it is schematically configured to include a wire bonding step of connecting predetermined terminals by wire bonding.

【0018】各工程順にしたがって詳細に説明すると、
図1に示す第1の導電接合工程においては、第1のチッ
プ単体1は、その単純接合面を真空吸着コレット6に吸
着された状態で、導電接合面が第2のチップ単体2の導
電接合面に向かい合う姿勢をもって位置合わせされる。
この際、両接合面上の所定のバンプ1a,2aは、互い
に対峙するように位置合わせされる。また、第2のチッ
プ単体2の中央付近には、その中央寄りのバンプ2aを
覆い隠すような状態であらかじめACF7aが仮圧着さ
れている。このACF7aとは、熱硬化性や熱可塑性、
あるいはこれら混合系の樹脂を母材とする接着剤中に金
属粒子を分散混入して薄膜化したものである。さらに、
第2のチップ単体2は、図示しない搬送テーブルなどに
載置された状態とされている。このようにして位置合わ
せされた状態から、第1および第2のチップ単体1,2
は、互いの導電接合面間にACF7aを挟んだ状態で熱
圧着される。これにより、ACF7aを接着媒体として
第1および第2のチップ単体1,2が一体化され、これ
ら第1および第2のチップ単体1,2よりなる積層構造
の第1のチップ複合体A1が作製される。そして、第1
および第2のチップ単体1,2の導電接合面間に挟まれ
た状態のACF7aは、その電気的な特性として、導電
接合面間の厚み方向、つまり両チップ単体1,2のバン
プ1a,2a間にのみ導通性を有し、その導通接合面に
対して水平方向には絶縁性を保つ。これにより、第1お
よび第2のチップ単体1,2は、導電接合面間でバンプ
1a,2aを介して導通接続された状態となっている。
The details will be described in the order of each step.
In the first conductive bonding step shown in FIG. 1, the first chip unit 1 has its simple bonding surface adsorbed by the vacuum suction collet 6 and the conductive bonding surface is the conductive bonding surface of the second chip unit 2. They are aligned with their faces facing each other.
At this time, the predetermined bumps 1a and 2a on both bonding surfaces are aligned so as to face each other. In the vicinity of the center of the second chip unit 2, an ACF 7 a is preliminarily pressure-bonded in advance so as to cover the bump 2 a near the center. This ACF7a is thermosetting or thermoplastic,
Alternatively, a metal film is dispersed and mixed in an adhesive containing a resin of the mixed system as a base material to form a thin film. further,
The second chip unit 2 is placed on a transfer table or the like (not shown). From the state thus aligned, the first and second chips 1, 2
Are thermocompression-bonded in a state where the ACF 7a is sandwiched between the conductive bonding surfaces. As a result, the first and second chips 1 and 2 are integrated using the ACF 7a as an adhesive medium, and a first chip composite A1 having a laminated structure including the first and second chips 1 and 2 is manufactured. Is done. And the first
The ACF 7a sandwiched between the conductive bonding surfaces of the second chip units 1 and 2 has an electrical characteristic in the thickness direction between the conductive bonding surfaces, that is, the bumps 1a and 2a of the two chip units 1 and 2. It has conductivity only between the two, and maintains insulation in the horizontal direction with respect to the conductive joint surface. As a result, the first and second chips 1 and 2 are electrically connected between the conductive bonding surfaces via the bumps 1a and 2a.

【0019】次に、図2に示す第2の導電接合工程にお
いては、上記第1の導電接合工程と同様にして第2のチ
ップ複合体A2が作製される。すなわち、第3のチップ
単体3は、その単純接合面を真空吸着コレット6に吸着
された状態で、導電接合面が第4のチップ単体4の導電
接合面に向かい合う姿勢をもって位置合わせされる。こ
の際、両接合面上の所定のバンプ3a,4aは、互いに
対峙するように位置合わせされ、第4のチップ単体4の
中央付近には、その中央寄りのバンプ4aを覆い隠すよ
うな状態であらかじめACF7bが仮圧着されている。
このACF7bは、上記第1の導電接合工程において用
いられたACF7aと同様のものである。また、第4の
チップ単体4は、図示しない搬送テーブルなどに載置さ
れた状態とされている。このようにして位置合わせされ
た状態から、第3および第4のチップ単体3,4は、互
いの導電接合面間にACF7bを挟んだ状態で熱圧着さ
れる。これにより、ACF7bを接着媒体として第3お
よび第4のチップ単体3,4が一体化され、これら第3
および第4のチップ単体3,4よりなる積層構造の第2
のチップ複合体A2が作製される。これにより、第3お
よび第4のチップ単体3,4は、導電接合面間でバンプ
3a,4aを介して導通接続された状態となっている。
Next, in a second conductive bonding step shown in FIG. 2, a second chip composite A2 is produced in the same manner as in the first conductive bonding step. In other words, the third chip unit 3 is aligned with the simple bonding surface being sucked by the vacuum suction collet 6, with the conductive bonding surface facing the conductive bonding surface of the fourth chip unit 4. At this time, the predetermined bumps 3a, 4a on both bonding surfaces are aligned so as to face each other, and are positioned near the center of the fourth chip unit 4 in such a manner as to cover the bump 4a near the center. ACF7b is preliminarily crimped in advance.
The ACF 7b is similar to the ACF 7a used in the first conductive bonding step. The fourth chip 4 is placed on a transfer table (not shown) or the like. From the aligned state, the third and fourth chips 3 and 4 are thermocompression-bonded with the ACF 7b sandwiched between the conductive bonding surfaces. Thus, the third and fourth chips 3 and 4 are integrated with the ACF 7b as an adhesive medium, and the third and fourth chips 3 and 4 are integrated.
And a second laminated structure composed of the fourth chip units 3 and 4
Is prepared. As a result, the third and fourth chips 3 and 4 are in a state of being conductively connected between the conductive bonding surfaces via the bumps 3a and 4a.

【0020】このような第1および第2の導電接合工程
を経て作製された第1および第2のチップ複合体A1,
A2については、さらに次の工程である単純接合工程前
に、接続良否の判定検査が個別に行われる。この判定検
査では、従来より周知の接続検査装置を使用して行われ
るため、特に図示しない。この判定検査によりいずれか
のチップ複合体A1,A2が接続不良と判定された場
合、次の単純接合工程に先だって、該当するチップ複合
体A1,A2が廃棄処分されることとなる。これによ
り、導電接合に関与したチップ、たとえば第1のチップ
複合体A1のみが接続不良と判定された場合、第1およ
び第2のチップ単体1,2のみが廃棄されることとな
り、他の第2のチップ複合体A2については、そのまま
次の工程処理へと進められる。
The first and second chip composites A1 and A2 manufactured through the first and second conductive bonding steps are manufactured.
Regarding A2, before and after the simple bonding step, which is the next step, a connection inspection for quality of connection is individually performed. Since this judgment inspection is performed using a conventionally known connection inspection device, it is not particularly shown. If any of the chip composites A1 and A2 is determined to be poorly connected by this determination test, the corresponding chip composites A1 and A2 are discarded prior to the next simple joining step. Thereby, when only the chip involved in the conductive bonding, for example, only the first chip composite A1 is determined to be defective, only the first and second chips 1 and 2 are discarded, and the other first and second chips are discarded. The second chip complex A2 proceeds to the next process as it is.

【0021】そうして、接続良否の判定にともに合格し
た第1および第2のチップ複合体A1,A2は、さらに
次の図3に示す単純接合工程へと導かれて互いに接合さ
れる。この単純接合工程においては、第1のチップ複合
体A1は、上部一体となった第1のチップ単体1の単純
接合面を真空吸着コレット6に吸着された状態とされ
る。そして、第1のチップ複合体A1において下部一体
となった第2のチップ単体2の単純接合面が第2のチッ
プ複合体A2に向かい合う姿勢をもって位置合わせされ
る。この際、第1および第2のチップ複合体A1,A2
の単純接合面が互いに対面した姿勢とされるが、両単純
接合面間は導通接続されないことから、上記した導電接
合に比べて位置合わせ精度が高精度に要求されることは
ない。また、第2のチップ複合体A2は、図示しない搬
送テーブルなどに載置された状態とされている。さら
に、第1のチップ複合体A1は、第2のチップ複合体A
2において上部一体となった第3のチップ単体3の単純
接合面に対して位置合わせされることとなる。その後、
位置合わせされた状態から、第1および第2のチップ複
合体A1,A2は、互いの単純接合面間に図示しない非
導電性の接着剤を挟んだ状態で接合される。これによ
り、必要とされるすべてのチップ単体1〜4が多段積層
化され、多層チップAが完成されることとなる。
Then, the first and second chip composites A1 and A2, both of which have passed the determination of the connection quality, are further joined to the simple joining step shown in FIG. In the simple bonding step, the first chip composite A1 is in a state where the simple bonding surface of the first chip unit 1 integrated with the upper part is sucked by the vacuum suction collet 6. Then, the simple bonding surface of the second chip unit 2 integrated in the lower part of the first chip composite A1 is aligned with the posture facing the second chip composite A2. At this time, the first and second chip composites A1, A2
Are positioned so that they face each other. However, since the two simple bonding surfaces are not electrically connected, the positioning accuracy is not required to be higher than that of the above-described conductive bonding. The second chip composite A2 is placed on a transfer table (not shown) or the like. Further, the first chip complex A1 is
In 2, the alignment is performed with respect to the simple bonding surface of the third chip unit 3 integrated in the upper part. afterwards,
From the aligned state, the first and second chip composites A1 and A2 are joined with a non-conductive adhesive (not shown) sandwiched between their simple joining surfaces. As a result, all the required chips 1 to 4 are stacked in a multi-stage manner, and the multilayer chip A is completed.

【0022】最終的に、図4に示すワイヤ・ボンディン
グ工程において、多層チップAは、テープキャリア5上
に搭載接合された状態で、そのテープキャリア5のリー
ド端子5aにワイヤ8を介して導通接続される。すなわ
ち、先の導電接合工程においてその導電接合に関与しな
かったバンプ、図に示す状態では、第4のチップ単体4
の導電接合面において端寄りに形成されたバンプ4aと
リード端子5aとがワイヤ8を介して接続されることと
なる。これにより、第2のチップ複合体A2がワイヤ8
およびリード端子5aを介してチップ外部と導通接続さ
れた状態となる。また、多層チップAにおける第1のチ
ップ複合体A1は、それ自体単独ではチップ外部と導通
接続されないことから、ワイヤ9を介して第2のチップ
複合体A2に導通接続される。すなわち、先の導電接合
工程においてその導電接合に関与しなかったバンプ、図
に示す状態では、第2のチップ単体2の導電接合面にお
いて端寄りに形成されたバンプ2aと、上記第4のチッ
プ単体4のバンプ4aと同様ではあるが、別位置にあっ
て図示されないバンプとがワイヤ9を介して接続されて
いる。これにより、第1のチップ複合体A1は、第2の
チップ複合体A2の内部回路などを介してチップ外部と
導通接続された状態となる。
Finally, in the wire bonding step shown in FIG. 4, the multilayer chip A is electrically connected to the lead terminals 5a of the tape carrier 5 via the wires 8 while being mounted and joined on the tape carrier 5. Is done. That is, the bumps which did not participate in the conductive bonding in the previous conductive bonding step, and in the state shown in FIG.
The bumps 4a formed near the ends on the conductive bonding surface are connected to the lead terminals 5a via the wires 8. As a result, the second chip composite A2 is connected to the wire 8
And a state in which it is electrically connected to the outside of the chip via the lead terminal 5a. Further, the first chip composite A1 in the multilayer chip A is not conductively connected to the outside of the chip by itself, and is therefore conductively connected to the second chip composite A2 via the wire 9. That is, the bump which did not participate in the conductive bonding in the previous conductive bonding step, the bump 2a formed near the end on the conductive bonding surface of the second chip unit 2 in the state shown in FIG. The bump 4 a is the same as the single unit 4, but is connected to a bump (not shown) at another position via a wire 9. As a result, the first chip complex A1 is electrically connected to the outside of the chip via the internal circuit of the second chip complex A2.

【0023】次に、上記構成を有する多層チップAの組
み立て方法における要点について、図面を参照しつつ説
明する。
Next, the main points in the method for assembling the multilayer chip A having the above configuration will be described with reference to the drawings.

【0024】図1および図2に示すように、多層チップ
Aを完成させるに際し、先に行われる先行工程として、
第1および第2の導電接合工程があり、これらの工程に
よって多層チップAの構成に必要な4個のチップ単体1
〜4のうち、導電接合面を互いに導電接合される第1お
よび第2のチップ単体1,2の組と、第3および第4の
チップ単体3,4の組とが個別に導電接合される。
As shown in FIGS. 1 and 2, when completing the multi-layer chip A, as a preceding step performed earlier,
There are first and second conductive bonding steps, and these steps enable four single chips 1 required for the configuration of the multilayer chip A.
4, the set of the first and second chip units 1 and 2 and the set of the third and fourth chip units 3 and 4 whose conductive bonding surfaces are conductively joined to each other are individually conductively joined. .

【0025】そうして、導電接合により得られた第1お
よび第2のチップ複合体A1,A2については、次の図
3に示す単純接合工程前に接続良否の判定を行うことが
できる。このような判定により接続不良と判定された場
合、チップ複合体を構成する複数のチップ単体、たとえ
ば、第1のチップ複合体A1が接続不良とすると、第1
および第2のチップ単体1,2のみが廃棄処分などされ
ることとなる。
Thus, for the first and second chip composites A1 and A2 obtained by the conductive bonding, the quality of the connection can be determined before the simple bonding step shown in FIG. When the connection is determined to be defective by such a determination, if the plurality of chips constituting the chip composite, for example, the first chip composite A1 is defective, the first
And only the second chips 1 and 2 are discarded.

【0026】さらに、上記導電接合工程の後、接続良否
の判定に合格した各チップ複合体A1,A2は、互いに
取り合わされて接合される。これにより、必要とされる
4個すべてのチップ単体1〜4が多段積層化され、第1
および第4のチップ単体1〜4の接合による組み立てが
完了することとなる。
Further, after the conductive bonding step, the chip composites A1 and A2 that have passed the judgment of the connection quality are assembled and bonded to each other. As a result, all the required four chips 1 to 4 are stacked in a multi-stage,
Then, the assembly by joining the fourth chips 1 to 4 is completed.

【0027】したがって、本実施形態にかかる多層チッ
プAの組み立て方法によれば、導電接合面間を導通接続
とした導電接合工程を行った後、その導電接合により一
体化された第1および第2のチップ複合体A1,A2が
互いに接合されるので、チップ単体1〜4、チップ複合
体A1,A2、および多層チップAといった一連の順に
同種の接合工程が行われることから、多層チップAの組
み立て作業を効率よく進めることができる。
Therefore, according to the method of assembling the multilayer chip A according to the present embodiment, after performing the conductive bonding step in which the conductive bonding surfaces are conductively connected, the first and second integrated by the conductive bonding are performed. Since the chip composites A1 and A2 are bonded to each other, the same type of bonding process is performed in a series of the order of the chips 1 to 4, the chip composites A1 and A2, and the multilayer chip A, so that the multilayer chip A is assembled. Work can proceed efficiently.

【0028】その上、導電接合工程後、導電接合された
2個のチップ単体からなるチップ複合体A1,A2につ
いて個別に接続良否の判定を行うことができるので、仮
にその時点で接続不良と判定されても導電接合にのみ関
与するチップが不良品として廃棄処分などされることか
ら、多層チップAを構成するチップに無駄が生じること
なく、接続不良により廃棄されるべきチップ単体の個数
を最小限にとどめることができる。
In addition, after the conductive bonding step, the quality of the connection can be determined individually for the chip composites A1 and A2 composed of two conductively bonded single chips, so that it is temporarily determined that the connection is defective. Even though the chip is involved only in the conductive bonding, it is discarded as a defective product, so that the chip constituting the multilayer chip A is not wasted and the number of chips to be discarded due to poor connection is minimized. Can be stopped.

【0029】なお、本実施形態においては、4個のチッ
プ単体1〜4によって多層チップAを構成するとした
が、特に4個に限るものではなく、少なくとも3個以上
のチップ単体によって多層チップを構成するものであれ
ばよい。
In this embodiment, the multilayer chip A is composed of four single chips 1 to 4. However, the number of chips is not particularly limited to four, and the multilayer chip is composed of at least three or more single chips. Anything should do.

【0030】また、単純接合工程においては、上下のチ
ップを導通接続することなく互いに接合させるとした
が、これら上下のチップの基板電位を同一とするとき、
その基板面となる互いの接合面を導通させた状態であっ
てもよい。
In the simple joining step, the upper and lower chips are joined to each other without conducting connection. However, when the upper and lower chips have the same substrate potential,
It may be in a state where the bonding surfaces of the substrates are electrically connected to each other.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本願発明にかかる多層チップの組み立て方法の
一実施形態において、第1の導電接合工程における断面
を示した工程断面図である。
FIG. 1 is a process cross-sectional view showing a cross section in a first conductive bonding step in an embodiment of a method of assembling a multilayer chip according to the present invention.

【図2】図1に示す工程に続いて、第2の導電接合工程
における断面を示した工程断面図である。
FIG. 2 is a process cross-sectional view showing a cross section in a second conductive bonding step following the step shown in FIG. 1;

【図3】図2に示す工程に続いて、単純接続工程におけ
る断面を示した工程断面図である。
FIG. 3 is a process cross-sectional view showing a cross section in a simple connection step following the step shown in FIG. 2;

【図4】図3に示す工程に続いて、ワイヤ・ボンディン
グ工程における断面を示した工程断面図である。
FIG. 4 is a process cross-sectional view showing a cross section in a wire bonding step following the step shown in FIG. 3;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1のチップ単体 2 第2のチップ単体 3 第3のチップ単体 4 第4のチップ単体 1a〜4a バンプ 7a,7b 異方性導電接着フィルム(ACF) 8,9 ワイヤ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st chip single unit 2 2nd chip single unit 3 3rd chip single unit 4 4th chip single unit 1a-4a Bump 7a, 7b Anisotropic conductive adhesive film (ACF) 8,9 wire

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のチップ単体を多段積層化した構造
を有する多層チップの組み立て方法であって、 上記複数のチップ単体のうち、接合面間で導通接続され
るチップ単体を取り合わせて導電接合する工程を先行工
程とし、その後、導電接合により一体化された各チップ
複合体を取り合わせて接合することにより、上記複数の
チップ単体を多段積層化することを特徴とする、多層チ
ップの組み立て方法。
1. A method for assembling a multi-layer chip having a structure in which a plurality of single chips are stacked in a multi-stage manner, wherein the plurality of single chips are connected and electrically conductively connected between bonding surfaces. A method for assembling a multi-layer chip, wherein a plurality of single chips are stacked in a multi-stage manner by combining a plurality of chip composites integrated by conductive bonding and then bonding them, with a step as a preceding step.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009038266A (en) * 2007-08-03 2009-02-19 Spansion Llc Semiconductor device and its manufacturing method

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