JPH11121385A - Heater block, method of controlling wafer temperature using the same, and method of manufacturing the same - Google Patents
Heater block, method of controlling wafer temperature using the same, and method of manufacturing the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
設備とその製造方法及びその制御方法に係り、特に、ウ
ェハ加熱用ヒーターブロックとその製造方法及びその温
度制御方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing facility, a method of manufacturing the same, and a method of controlling the same, and more particularly, to a heater block for heating a wafer, a method of manufacturing the same and a method of controlling the temperature thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ウェハが大口径化するほど一枚のウェハ
で得られるチップの数は増加する。しかし、ウェハ製造
環境及びウェハ加工環境が変化する。2. Description of the Related Art As the diameter of a wafer increases, the number of chips obtained on one wafer increases. However, the wafer manufacturing environment and the wafer processing environment change.
【０００３】ウェハ上に形成される薄膜の厚さの均一性
は、薄膜が形成される時の反応チャンバ内の雰囲気、例
えばソースガス、ウェハ加熱用ヒーターブロックの状態
とその上に積層された積層物の状態にも影響を受ける。[0003] The uniformity of the thickness of the thin film formed on the wafer depends on the atmosphere in the reaction chamber when the thin film is formed, for example, the state of the source gas, the heater block for heating the wafer, and the lamination layer formed thereon. It is also affected by the state of things.
【０００４】ウェハが反応チャンバにローディングされ
た後、ウェハはヒーターブロックにより工程に必要な温
度で加熱される。ヒーターブロックの特性は、このよう
なヒーターブロックを使用してウェハ上に薄膜を形成す
る時とか特定物質層を成長させる時現れる形成率や成長
率で把握される。この時、ヒーターブロックの温度分布
が均一でなくてウェハの各領域上で薄膜の積層率や成長
率が変わりうる。従って、ヒーターブロックの太さを調
節したりサセプタのレベルを調節すべきであるが、この
ような作業は熟練した作業者や別の装置が必要なので経
済的な損失が伴う。また、作業者が直接ヒーターブロッ
クを加工したりサセプタをアプローチする場合に偏差が
ある。After the wafer is loaded into the reaction chamber, the wafer is heated by a heater block to a temperature required for the process. The characteristics of the heater block can be understood from the formation rate and growth rate that appear when a thin film is formed on a wafer or when a specific material layer is grown using such a heater block. At this time, the temperature distribution of the heater block is not uniform, and the lamination rate and growth rate of the thin film on each region of the wafer may vary. Therefore, it is necessary to adjust the thickness of the heater block or the level of the susceptor, but such operation requires a skilled operator and another device, and thus involves an economic loss. Further, there is a deviation when an operator directly processes the heater block or approaches the susceptor.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の技術
的課題は、前述した従来の技術に現れる問題点を解決す
るために温度分布を制御しやすいヒーターブロックを提
供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a heater block in which the temperature distribution can be easily controlled in order to solve the above-mentioned problems in the prior art.
【０００６】本発明の他の技術的課題は、前記ヒーター
ブロックを用いたウェハ温度制御方法を提供することに
ある。Another object of the present invention is to provide a method for controlling a wafer temperature using the heater block.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】前記の技術的課題を達成
するために、本発明によるヒーターブロックは少なくと
も３つ以上のレジスターブロックを具備し、前記レジス
ターブロックを独立して具備することを特徴とする。In order to achieve the above technical object, a heater block according to the present invention includes at least three or more register blocks, and the heater blocks are independently provided. I do.
【０００８】ここで、前記独立したレジスターブロック
のうち選択されたいずれか一つは、ヒーターブロックの
中央にあり、ぜんまい状である。前記独立したレジスタ
ーブロックのうち選択されない残りは互いに対して９０
゜または１２０゜の回転対称性を有する。また、選択さ
れない残りは同型で同サイズを有する。このようなレジ
スターブロックは、前記選択されたぜんまい状のレジス
ターブロックを取り囲むように配列されている。Here, one of the independent register blocks is located at the center of the heater block and has a spiral shape. The unselected rest of the independent register blocks are 90
It has a rotational symmetry of {or 120}. The rest not selected have the same shape and the same size. Such register blocks are arranged so as to surround the selected mainspring-like register block.
【０００９】しかし、前記回転対称性を有するレジスタ
ーブロックだけを備えるヒーターブロックがありうる。
前記レジスターブロックは扇状である。However, there may be a heater block including only the register block having the rotational symmetry.
The register block is fan-shaped.
【００１０】前記の他の技術的課題を達成するために、
本発明による前記ヒーターブロックを用いたウェハ温度
制御方法は次の通りである。少なくとも３つ以上のレジ
スターブロックと、前記各レジスターブロックに供給さ
れるエネルギーを調節する前記レジスターブロックと同
数のヒーターコントローラ及び熱電対と、を具備するヒ
ーターブロックを用いたウェハ温度制御方法において、
（ａ）前記熱電対を利用して前記各レジスターブロック
の温度を測定する。（ｂ）前記温度を基にして予め決め
られた温度の許容範囲から外れたレジスターブロックを
認識する。（ｃ）前記認識されたレジスターブロックと
接続された前記ヒーターコントローラを調節して前記認
識されたレジスターブロックに供給されるエネルギーを
調節する。[0010] In order to achieve the above other technical problems,
A method of controlling a wafer temperature using the heater block according to the present invention is as follows. In a wafer temperature control method using a heater block including at least three or more register blocks and the same number of heater controllers and thermocouples as the register blocks for adjusting energy supplied to each of the register blocks,
(A) The temperature of each of the register blocks is measured using the thermocouple. (B) Recognizing a register block which is out of a predetermined allowable temperature range based on the temperature. (C) adjusting the energy supplied to the recognized register block by adjusting the heater controller connected to the recognized register block.
【００１１】本発明によるヒーターブロックは、３つ以
上の独立したレジスターブロックを具備しているだけで
なく前記各レジスターブロックに一対一に対応する独立
したヒーターコントローラが接続されている。従って、
前記ヒーターブロックの温度分布は、前記各レジスター
ブロックの温度を許容範囲内で同一にすることによって
全領域で均一に維持できる。たとえ、前記ヒーターブロ
ックを構成するあるレジスターブロックの温度が許容範
囲を外れたとしても問題のレジスターブロックと対応す
るヒーターコントローラを利用して前記問題のレジスタ
ーブロックに供給されるエネルギーを調節することによ
って前記ヒーターブロックの温度分布が均一に維持でき
る。この結果、前記ヒーターブロック上にローディング
されるサセプタの温度分布が全領域にかけて均一に維持
されうる。それで前記サセプタ上にローディングされる
ウェハ上に均一な厚さの薄膜が形成できる。ウェハの温
度は領域別に調節しうる。The heater block according to the present invention includes not only three or more independent register blocks but also an independent heater controller corresponding to each of the register blocks on a one-to-one basis. Therefore,
The temperature distribution of the heater block can be maintained uniform over the entire area by making the temperature of each register block the same within an allowable range. Even if the temperature of a certain register block constituting the heater block is out of an allowable range, the energy supplied to the register block in question may be adjusted by using a heater controller corresponding to the register block in question. The temperature distribution of the heater block can be maintained uniform. As a result, the temperature distribution of the susceptor loaded on the heater block can be maintained uniformly over the entire area. Thus, a thin film having a uniform thickness can be formed on the wafer loaded on the susceptor. The temperature of the wafer can be adjusted for each region.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の第
１乃至第３実施形態によるヒーターブロックを説明す
る。 〔第１実施形態〕図１は本発明の第１実施形態によるヒ
ーターブロックの平面図である。図１を参照すると、ヒ
ーターブロックは同一面上に３つのレジスターブロッ
ク、即ち、第１乃至第３レジスターブロック４０，４
２，４４を具備する。ここで、前記第３レジスターブロ
ック４４は、中心に開始点をおいて外側に終点をおく円
形に巻かれたぜんまい状のレジスターラインである。前
記開始点と終点は替わりうる。前記第１レジスターブロ
ック４４の開始点と終点との間に屈曲した部分４４ａが
存在する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a heater block according to first to third embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. [First Embodiment] FIG. 1 is a plan view of a heater block according to a first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the heater block includes three register blocks, that is, first to third register blocks 40 and 4 on the same surface.
2,44. Here, the third register block 44 is a spring-shaped register line wound in a circular shape with a start point at the center and an end point at the outside. The start point and the end point can be interchanged. A bent portion 44a exists between the start point and the end point of the first register block 44.
【００１３】前記第１及び第２レジスターブロック４
０，４２は、各々同じ形態でお互い所定の間隔だけ離隔
している。前記第１及び第２レジスターブロック４０，
４２は各々二重のレジスターラインよりなり、各レジス
ターブロックを構成する二重のレジスターラインの開始
点はお互い接触し、終点も互いに接触している。従っ
て、前記第１及び第２レジスターブロック４０，４２は
各々閉めたレジスターラインになる。前記第１及び第２
レジスターブロック４０，４２の開始点は同一線上にあ
り、終点も同じである。前記第１及び第２レジスターブ
ロック４０，４２の開始点を過ぎる線は平行する。しか
し、前記第１及び第２レジスターブロック４０，４２中
いずれかのレジスターブロック、例えば、第２レジスタ
ーブロック４２がいずれかの方向に所定の角ほど回転さ
れる場合、前記第２レジスターブロック４２の開始点と
終点は前記第１レジスターブロック４０の対応する方向
と並べて対応しない場合もある。このようになると、前
記第１及び第２レジスターブロック４０，４２の開始点
と終点が各々同じ線上にありうるが、この線はもう平行
しない。このような状況は前記第２レジスターブロック
４２の開始点と終点間の離隔した間隔が前記第１レジス
ターブロック４０の開始点と終点間の離隔した間隔と異
なる場合にも発生できる。The first and second register blocks 4
0 and 42 are separated from each other by a predetermined distance in the same form. The first and second register blocks 40,
Reference numeral 42 denotes a double register line. The start points of the double register lines constituting each register block are in contact with each other, and the end points are also in contact with each other. Accordingly, the first and second register blocks 40 and 42 are respectively closed register lines. The first and second
The start points of the register blocks 40 and 42 are on the same line, and the end points are also the same. The lines passing through the starting points of the first and second register blocks 40 and 42 are parallel. However, when one of the first and second register blocks 40 and 42, for example, the second register block 42 is rotated by a predetermined angle in any direction, the start of the second register block 42 is started. The point and the end point may not correspond to the corresponding direction of the first register block 40. In this case, the start point and the end point of the first and second register blocks 40 and 42 may be respectively on the same line, but the lines are no longer parallel. Such a situation may occur when the distance between the start point and the end point of the second register block 42 is different from the distance between the start point and the end point of the first register block 40.
【００１４】前記第１乃至第３レジスターブロック４
０，４２，４４には、それぞれの前記各レジスターブロ
ックに対応する第１乃至第３熱電対（図示せず）が接続
されている。また、前記第１乃至第３レジスターブロッ
ク４０，４２，４４に前記各レジスターブロックと一対
一に対応し、前記第１乃至第３レジスターブロック４
０，４２，４４に供給されるエネルギーを調節する第１
乃至第３ヒーターコントローラが接続されている。The first to third register blocks 4
The first to third thermocouples (not shown) corresponding to the respective register blocks are connected to 0, 42, and 44, respectively. Further, the first to third register blocks 40, 42, and 44 correspond to the register blocks in a one-to-one correspondence, and the first to third register blocks 4
0, 42, 44 to regulate the energy supplied to
To a third heater controller are connected.
【００１５】一方、前記各レジスターブロック４０，４
２，４４に印加された電圧状態を見ると、前記第３レジ
スターブロック４４の開始点に（＋）電圧が印加され、
終点に（−）電圧が印加されている。そして、前記第１
及び第２レジスターブロック４０，４２の開始点と終点
に各々（−）電圧と（＋）電圧が印加されている。前記
各レジスターに印加された電圧は替わりうる。例えば、
前記第２レジスターブロック４２の開始点に（＋）電圧
が印加され、終点に（−）電圧が印加される反面、前記
第１レジスターブロック４０の開始点に（−）電圧が印
加され、終点に（＋）電圧が印加されうる。On the other hand, each of the register blocks 40, 4
Looking at the voltage states applied to the second and fourth register blocks 44, a (+) voltage is applied to the start point of the third register block 44,
A (-) voltage is applied to the end point. And the first
A (-) voltage and a (+) voltage are applied to the start point and the end point of the second register blocks 40 and 42, respectively. The voltage applied to each of the registers may be changed. For example,
The (+) voltage is applied to the start point of the second register block 42 and the (-) voltage is applied to the end point, while the (-) voltage is applied to the start point of the first register block 40 and the end point. A (+) voltage can be applied.
【００１６】〔第２実施形態〕図２は本発明の第２実施
形態によるヒーターブロックの平面図である。具体的
に、ヒーターブロックは独立したレジスターブロック、
即ち第１乃至第４レジスターブロック４６，４８，５
０，５２を含む。前記第１乃至第４レジスターブロック
４６，４８，５０，５２は９０゜の回転対称性がある。
前記第１乃至第４レジスターブロック４６，４８，５
０，５２は同じ形態で同じサイズを有する。しかし、前
記第１乃至第４レジスターブロック４６，４８，５０，
５２の各々は必要に応じて違う形態であってもよい。例
えば、前記第１乃至第４レジスターブロック４６，４
８，５０，５２の各々は異なる形態であり、回転対称性
がない場合もある。前記第１乃至第４レジスターブロッ
ク４６，４８，５０，５２は各々扇状の開いたレジスタ
ーラインである。即ち、前記第１乃至第４レジスターブ
ロック４６，４８，５０，５２はジグザグ状のレジスタ
ーラインである。前記第１乃至第４レジスターブロック
４６，４８，５０，５２に第１乃至第４熱電対（図示せ
ず）が各々接続されているし、前記第１乃至第４レジス
ターブロック４６，４８，５０，５２に前記各レジスタ
ーブロックと一対一に対応し、前記第１乃至第４レジス
ターブロック４６，４８，５０，５２に供給されるエネ
ルギーを調節する第１乃至第４ヒーターコントローラが
接続されている。[Second Embodiment] FIG. 2 is a plan view of a heater block according to a second embodiment of the present invention. Specifically, the heater block is an independent register block,
That is, the first to fourth register blocks 46, 48, 5
0,52. The first to fourth register blocks 46, 48, 50 and 52 have a rotational symmetry of 90 °.
The first to fourth register blocks 46, 48, 5
0,52 have the same form and the same size. However, the first to fourth register blocks 46, 48, 50,
Each of the 52 may be in a different form as needed. For example, the first to fourth register blocks 46, 4
Each of 8, 50, 52 is a different form and may not have rotational symmetry. Each of the first to fourth register blocks 46, 48, 50, and 52 is a fan-shaped open register line. That is, the first to fourth register blocks 46, 48, 50 and 52 are zigzag register lines. First to fourth thermocouples (not shown) are connected to the first to fourth register blocks 46, 48, 50, 52, respectively, and the first to fourth register blocks 46, 48, 50, 52 is connected to first to fourth heater controllers which correspond to the register blocks in a one-to-one manner and adjust the energy supplied to the first to fourth register blocks 46, 48, 50, 52.
【００１７】前記第１乃至第４レジスターブロック４
６，４８，５０，５２の開始点に（−）電圧が印加さ
れ、終点に（＋）電圧が印加されている。しかし、前記
第１及び第３レジスターブロック４６，５０の開始点
（終点）に（−）電圧が印加されている反面、前記第２
及び第４レジスターブロック４８，５２の開始点（終
点）に（＋）電圧が印加されている場合もある。The first to fourth register blocks 4
The (-) voltage is applied to the start points of 6, 48, 50, and 52, and the (+) voltage is applied to the end points. However, while the (−) voltage is applied to the start point (end point) of the first and third register blocks 46 and 50, the second
In some cases, a (+) voltage is applied to the start point (end point) of the fourth register blocks 48 and 52.
【００１８】〔第３実施形態〕図３は本発明の第３実施
形態によるヒーターブロックの平面図である。図３を参
照すると、本発明の第３実施形態によるウェハ加熱用ヒ
ーターブロックは、第１乃至第５レジスターブロック５
４，５６，５８，６０，６２よりなっている。[Third Embodiment] FIG. 3 is a plan view of a heater block according to a third embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the heater block for heating a wafer according to the third embodiment of the present invention includes first to fifth register blocks 5.
4, 56, 58, 60 and 62.
【００１９】前記第３実施形態は前記第１及び第２実施
形態を組み合わせたものである。即ち、前記第５レジス
ターブロック６２は、前記第１実施形態の第３レジスタ
ーブロック（図１の４４）と同一である。前記第５レジ
スターブロック６２と所定の距離ほど離隔している前記
第１乃至第４レジスターブロック５４，５６，５８，６
０は、前記第５レジスターブロック６２のまわりを取り
囲む形態に配列されているし、各々は９０゜の回転対称
性を有している。具体的に、前記第１乃至第４レジスタ
ーブロック５４，５６，５８，６０は各々同じ円弧上に
形成されている。また、前記各レジスターブロックは、
二重の閉じた形態のレジスターラインよりなっている。
前記第１乃至第４レジスターブロック５４，５６，５
８，６０は各々開始点に（＋）電圧または（−）電圧が
印加され、終点に反対電圧が印加されている。The third embodiment is a combination of the first and second embodiments. That is, the fifth register block 62 is the same as the third register block (44 in FIG. 1) of the first embodiment. The first to fourth register blocks 54, 56, 58, 6, which are separated from the fifth register block 62 by a predetermined distance.
The zeros are arranged in a form surrounding the fifth register block 62, each having a 90 ° rotational symmetry. Specifically, the first to fourth register blocks 54, 56, 58, 60 are formed on the same arc. Further, each of the register blocks includes:
It consists of a double closed register line.
The first to fourth register blocks 54, 56, 5
8, 60 each have a (+) voltage or a (-) voltage applied to the start point and an opposite voltage applied to the end point.
【００２０】前記第１乃至第３実施形態は、本発明によ
るヒーターブロックの一例に過ぎない。従って、前記実
施の形態の他に多様な実施の形態がさらにありうる。例
えば、第３実施形態の第３レジスターブロック６２を第
２実施形態の第１乃至第４レジスターブロック４６，４
８，５０，５２に置き換えた形態もありうる。また、前
記第２実施形態で前記第１乃至第４レジスターブロック
４６，４８，５０，５２の代わりに１２０゜の回転対称
性を有する３つのレジスターブロックよりなったヒータ
ーブロックもありうる。The first to third embodiments are merely examples of the heater block according to the present invention. Therefore, there may be various embodiments other than the above-described embodiment. For example, the third register block 62 of the third embodiment is replaced with the first to fourth register blocks 46 and 4 of the second embodiment.
There may be a form in which the values are replaced with 8, 50, 52. Also, in the second embodiment, instead of the first to fourth register blocks 46, 48, 50, and 52, there may be a heater block including three register blocks having a rotational symmetry of 120 °.
【００２１】このように前記ヒーターブロックを少なく
とも３つ以上の独立したレジスターブロックより構成す
ることによって、前記ヒーターブロック上にローディン
グされたサセプタ（図１参照）の領域別加熱温度を均一
にできる。従って、前記サセプタ上にローディングされ
るウェハを領域別に均一に加熱して前記ウェハ上に均一
な厚さの薄膜が形成できる。As described above, by forming the heater block from at least three or more independent register blocks, the susceptor (see FIG. 1) loaded on the heater block can have a uniform heating temperature for each region. Therefore, the wafer loaded on the susceptor can be uniformly heated for each region to form a thin film having a uniform thickness on the wafer.
【００２２】次に、本発明の実施の形態によるヒーター
ブロックの製造方法を説明する。具体的に、図１を参照
すると、本発明の第１実施形態によるヒーターブロック
製造方法は、同一面上に第１乃至第３レジスターブロッ
ク４０，４２，４４を形成するが、前記第１及び第２レ
ジスターブロック４０，４２は閉じた形態に形成し、前
記第３レジスターブロック４４は開いた形態に形成す
る。前記第１及び第２レジスターブロック４０，４２
は、前記第３レジスターブロック４４を取り囲む形態に
順次に形成する。前記第３レジスターブロック４４は、
中央の開始点から外側の終点まで円形に巻かれたぜんま
い状に形成する。前記第１及び第２レジスターブロック
４０，４２はサイズは相異なるが、同じ形態に形成す
る。即ち、前記第１及び第２レジスターブロック４０，
４２は二重のレジスターラインよりなされるが、前記二
重のレジスターラインの開始点と終点を接触させて閉じ
たレジスターラインになるように形成する。図１に示し
たように、前記第１及び第２レジスターブロック４０，
４２は、前記第３レジスターブロック４４を取り囲む形
態に形成する。この時、前記第１及び第２レジスターブ
ロック４０，４２の各開始点と終点が所定間隔離隔する
ように形成する。また、前記第１及び第２レジスターブ
ロック４０，４２の各開始点及び終点が各々同一線上に
位置するように形成する。Next, a method of manufacturing a heater block according to an embodiment of the present invention will be described. Specifically, referring to FIG. 1, in the method of manufacturing a heater block according to the first embodiment of the present invention, first to third register blocks 40, 42, and 44 are formed on the same surface. The two register blocks 40 and 42 are formed in a closed shape, and the third register block 44 is formed in an open shape. The first and second register blocks 40 and 42
Are sequentially formed so as to surround the third register block 44. The third register block 44 includes:
It is formed in the shape of a spiral wound spirally from the center starting point to the outer end point. The first and second register blocks 40 and 42 have different sizes but are formed in the same shape. That is, the first and second register blocks 40,
Reference numeral 42 denotes a double register line, which is formed by bringing the start point and the end point of the double register line into contact to form a closed register line. As shown in FIG. 1, the first and second register blocks 40,
Reference numeral 42 denotes a shape surrounding the third register block 44. At this time, the start and end points of the first and second register blocks 40 and 42 are formed to be separated by a predetermined distance. The start and end points of the first and second register blocks 40 and 42 are formed so as to be located on the same line.
【００２３】図２を参照すると、本発明の第２実施形態
によるヒーターブロック製造方法は、同一面上に第１乃
至第４レジスターブロック４６，４８，５０，５２を形
成する。この時、前記第１乃至第４レジスターブロック
４６，４８，５０，５２が回転対称性を有するように形
成する。例えば、前記第３レジスターブロック５０は、
前記第１レジスターブロック４６を時計反対方向に９０
゜回転して形成し、前記第４レジスターブロック５２
は、前記第２レジスターブロック４８を９０゜回転して
形成する。従って、前記第１乃至第４レジスターブロッ
ク４６，４８，５０，５２の各々は、同型で同じサイズ
を有するように形成することが望ましい。Referring to FIG. 2, in a method of manufacturing a heater block according to a second embodiment of the present invention, first to fourth register blocks 46, 48, 50 and 52 are formed on the same surface. At this time, the first to fourth register blocks 46, 48, 50, 52 are formed to have rotational symmetry. For example, the third register block 50 includes:
Move the first register block 46 90 degrees clockwise.
゜ Rotating and forming the fourth register block 52
Is formed by rotating the second register block 48 by 90 °. Accordingly, it is preferable that each of the first to fourth register blocks 46, 48, 50, and 52 is formed to have the same shape and the same size.
【００２４】引続き、前記第１乃至第４レジスターブロ
ック４６，４８，５０，５２がどのような形態に形成さ
れるかについて説明する。前記第１レジスターブロック
４６は、全体的な外観が扇状になるように形成する。具
体的に、前記第１レジスターブロック４６が形成される
面の中心から外側にジグザグ状にレジスターラインを形
成する。このようにして前記第１レジスターブロック４
６を形成し、前記第１レジスターブロック４６を９０゜
程度に回転して前記第２乃至第４レジスターブロック４
８，５０，５２を順次に形成する。前記各レジスターブ
ロックを形成することにおいて、回転対称性を維持する
ことが望ましい。Next, a description will be given of how the first to fourth register blocks 46, 48, 50, 52 are formed. The first register block 46 is formed to have a fan-shaped overall appearance. Specifically, register lines are formed in a zigzag shape outward from the center of the surface on which the first register block 46 is formed. Thus, the first register block 4
6, and the first register block 46 is rotated by about 90 ° to rotate the second to fourth register blocks 4.
8, 50 and 52 are sequentially formed. In forming each of the register blocks, it is desirable to maintain rotational symmetry.
【００２５】図３を参照すると、本発明の第３実施形態
によるヒーターブロック製造方法は、同一面上の中央に
第５レジスターブロック６２を形成し、そのまわりに第
１乃至第４レジスターブロック５４，５６，５８，６０
を形成する。この時、前記第１乃至第４レジスターブロ
ック５４，５６，５８，６０と前記第５レジスターブロ
ック６２間に所定の間隔をおく。また、前記第１乃至第
４レジスターブロック５４，５６，５８，６０間にも円
弧に沿って所定の間隔をおく。この時、前記第１乃至第
４レジスターブロック５４，５６，５８，６０間の間隔
は同じことが望ましいが、異なっていてもよい。前記第
５レジスターブロック６２は、前記第１実施形態の第３
レジスターブロック（図１の４４）に準じて形成する。
それから前記第１乃至第４レジスターブロック５４，５
６，５８，６０は９０゜の回転対称性を有するように形
成する。しかし、前記第２実施形態のレジスターブロッ
クが開いた形態である反面、前記第１乃至第４レジスタ
ーブロック５４，５６，５８，６０は閉じた形態に形成
する。前記ヒーターブロックの製造方法はその他多様な
方法がさらにありうる。Referring to FIG. 3, in a method of manufacturing a heater block according to a third embodiment of the present invention, a fifth register block 62 is formed at the center on the same surface, and first to fourth register blocks 54, 56, 58, 60
To form At this time, a predetermined interval is provided between the first to fourth register blocks 54, 56, 58, 60 and the fifth register block 62. Also, a predetermined interval is provided between the first to fourth register blocks 54, 56, 58, 60 along an arc. At this time, the intervals between the first to fourth register blocks 54, 56, 58, 60 are preferably the same, but may be different. The fifth register block 62 is the third register block of the first embodiment.
It is formed according to the register block (44 in FIG. 1).
Then, the first to fourth register blocks 54, 5
6, 58, 60 are formed to have 90 ° rotational symmetry. However, while the register block of the second embodiment is open, the first to fourth register blocks 54, 56, 58, and 60 are closed. The heater block may be manufactured in various other ways.
【００２６】従って、前述したような構成要素を有する
ヒーターブロックを用いてウェハ上に薄膜を形成する場
合、ウェハの全領域にわたって均一な厚さの薄膜を得り
うる。Therefore, when a thin film is formed on a wafer using the heater block having the above-described components, a thin film having a uniform thickness can be obtained over the entire area of the wafer.
【００２７】図４を参照すると、前記本発明の第３実施
形態によるヒーターブロックを構成する第１乃至第５レ
ジスターブロック５４，５６，５８，６０，６２は、第
１乃至第５ケーブルＣ４，Ｃ５，Ｃ６，Ｃ８，Ｃ９によ
り第１乃至第５ヒーターコントローラ６４，６６，６
８，７０，７２と接続される。図４に示すヒーターブロ
ックは、前記第１実施形態または第２実施形態によるヒ
ーターブロックと同一な構造を有することもできる。前
記熱電対（図示せず）は前記ヒーターブロックの下方向
に第１乃至第５熱電対が前記第１乃至第５レジスターブ
ロック５４，５６，５８，６０，６２と一対一に対応す
るように備わっている。前記第１乃至第５ヒーターコン
トローラ６４，６６，６８，７０，７２は各々独立した
ものであり、前記第１乃至第５レジスターブロック５
４，５６，５８，６０，６２と一対一に対応する。従っ
て、前記ヒーターブロックを構成する第１乃至第５レジ
スターブロック５４，５６，５８，６０，６２は、各々
独立的に温度調節が可能になる。前記ヒーターブロック
に前記第１乃至第５レジスターブロック５４，５６，５
８，６０，６２の共通電源７４が第６ケーブルＣ１０を
通じて接続されている。Referring to FIG. 4, the first to fifth register blocks 54, 56, 58, 60 and 62 constituting the heater block according to the third embodiment of the present invention include first to fifth cables C4 and C5. , C6, C8, C9, the first to fifth heater controllers 64, 66, 6
8, 70, 72. The heater block shown in FIG. 4 may have the same structure as the heater block according to the first embodiment or the second embodiment. The thermocouples (not shown) are provided such that first to fifth thermocouples correspond to the first to fifth register blocks 54, 56, 58, 60, and 62 in a downward direction of the heater block. ing. The first to fifth heater controllers 64, 66, 68, 70, 72 are independent of each other, and the first to fifth register blocks 5
4, 56, 58, 60, and 62 correspond one-to-one. Accordingly, the first to fifth register blocks 54, 56, 58, 60, and 62 constituting the heater block can independently control the temperature. The first to fifth register blocks 54, 56, 5 are provided in the heater block.
8, 60, 62 common power supply 74 is connected through a sixth cable C10.
【００２８】一方、前記サセプタの全領域の温度が均一
な場合、その上にローディングされるウェハの温度もや
はり全領域で均一になる。この結果、前記ウェハ上に均
一な厚さの薄膜が形成される。ところが、前記サセプタ
の温度均一性は前記ヒーターブロックの温度均一性によ
り決まる。従って、ヒーターブロックの温度分布を均一
にすることが望ましい。On the other hand, when the temperature of the entire region of the susceptor is uniform, the temperature of the wafer loaded thereon is also uniform over the entire region. As a result, a thin film having a uniform thickness is formed on the wafer. However, the temperature uniformity of the susceptor is determined by the temperature uniformity of the heater block. Therefore, it is desirable to make the temperature distribution of the heater block uniform.
【００２９】図５を参照して、前記本発明によるヒータ
ーブロックを用いたウェハ温度制御方法を説明する。ま
ず、独立したレジスターブロックの温度は、それに独立
的に接続された熱電対を利用して測定する（８０）。こ
のように測定された前記レジスターブロックの温度分布
に対するデータは、前記第１乃至第５ヒーターコントロ
ーラ６４，６６，６８，７０，７２を管理するメインコ
ントローラに送られる。前記メーンコントローラで前記
各レジスターブロックうち決まった温度偏差から外れた
問題のレジスターブロックが認識される（８２）。前記
メーンコントローラは、前記データを基にして前記問題
のレジスターブロックの温度を上げたり下げたりする。
このようにして前記問題のレジスターブロックの温度を
許容偏差内で残りのレジスターブロックと同一になるよ
うにする。前記問題のレジスターブロックの温度を下げ
たり上げたりすることは、前記問題のレジスターブロッ
クと一対一に対応されるヒーターコントローラを調節す
ることによって、前記問題のレジスターブロックに供給
されるエネルギーが調節されてなされる（８４）。Referring to FIG. 5, a method of controlling a wafer temperature using the heater block according to the present invention will be described. First, the temperature of an independent register block is measured using a thermocouple independently connected to it (80). Data on the temperature distribution of the register block measured in this way is sent to the main controller that manages the first to fifth heater controllers 64, 66, 68, 70, 72. The main controller recognizes a problematic register block out of the determined temperature deviation among the register blocks (82). The main controller raises or lowers the temperature of the register block in question based on the data.
In this way, the temperature of the register block in question is made the same as the remaining register blocks within the allowable deviation. Decreasing or increasing the temperature of the register block in question may include adjusting the heater controller corresponding to the register block in question to adjust the energy supplied to the register block in question. This is done (84).
【００３０】例えば、前記第３レジスターブロック５８
の温度が残りのレジスターブロックの温度より高い場
合、このような事実が前記メーンコントローラに認識さ
れた後、前記メーンコントローラにより前記第３レジス
ターブロック５８に接続された第３ヒーターコントロー
ラ６８に制御信号が送られる。前記制御信号を受けた前
記第３ヒーターコントローラ６８により前記第３レジス
ターブロック５８に供給されるエネルギーが減り、その
結果、前記第３レジスターブロック５８の温度は下が
る。前記第３レジスターブロック５８の温度が残りのレ
ジスターブロックの温度と許容偏差内で同じになると、
前記第３レジスターブロック５８に供給されるエネルギ
ーは一定の水準に維持される。For example, the third register block 58
If the temperature is higher than the temperature of the remaining register blocks, after the fact is recognized by the main controller, the main controller sends a control signal to the third heater controller 68 connected to the third register block 58. Sent. The energy supplied to the third register block 58 by the third heater controller 68 receiving the control signal decreases, and as a result, the temperature of the third register block 58 decreases. When the temperature of the third register block 58 becomes the same as the temperature of the remaining register blocks within an allowable deviation,
The energy supplied to the third register block 58 is maintained at a constant level.
【００３１】このように、レジスターブロックの温度分
布が均一になると、サセプタの温度分布が全領域にわた
って均一になり、前記サセプタ上にローディングされる
ウェハの温度分布が均一になる。この結果、前記ウェハ
上に均一な厚さの薄膜が形成されうる。As described above, when the temperature distribution of the register block becomes uniform, the temperature distribution of the susceptor becomes uniform over the entire area, and the temperature distribution of the wafer loaded on the susceptor becomes uniform. As a result, a thin film having a uniform thickness can be formed on the wafer.
【００３２】[0032]
【発明の効果】前述したように、本発明によるヒーター
ブロックは少なくとも３つ以上の独立したレジスターブ
ロックを具備しているだけでなく、独立した熱電対及び
ヒーターコントローラが一対一に前記レジスターブロッ
クに接続されている。従って、前記ヒーターブロックの
温度分布が均一にできるので、前記ヒーターブロックを
構成するレジスターブロックの温度が許容範囲を外れて
も問題のレジスターブロックに接続されたヒーターコン
トローラを利用して前記問題のレジスターブロックに供
給されるエネルギーを調節することによって前記ヒータ
ーブロックの温度分布を均一に維持できる。この結果、
前記ヒーターブロック上にローディングされるサセプタ
の温度分布を短時間に全領域にかけて均一に維持して前
記サセプタ上にローディングされるウェハ上に均一な厚
さの薄膜を成長させたり形成できるので、経済的で便利
になるだけでなく、ウェハの温度分布も領域別に精密に
調節できる。As described above, the heater block according to the present invention not only has at least three or more independent register blocks, but also has an independent thermocouple and a heater controller connected to the register block one-to-one. Have been. Accordingly, since the temperature distribution of the heater block can be uniform, even if the temperature of the register block constituting the heater block is out of the allowable range, the heater block connected to the register block in question may be used by using the heater controller. By adjusting the energy supplied to the heater block, the temperature distribution of the heater block can be maintained uniform. As a result,
Since the temperature distribution of the susceptor loaded on the heater block is uniformly maintained over the entire area in a short time, a thin film having a uniform thickness can be grown or formed on the wafer loaded on the susceptor, so that it is economical. In addition to being convenient, the temperature distribution of the wafer can be precisely adjusted for each area.
【図１】 本発明の第１実施形態によるヒーターブロッ
クの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a heater block according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の第２実施形態によるヒーターブロッ
クの平面図である。FIG. 2 is a plan view of a heater block according to a second embodiment of the present invention.
【図３】 本発明の第３実施形態によるヒーターブロッ
クの平面図である。FIG. 3 is a plan view of a heater block according to a third embodiment of the present invention.
【図４】 本発明の第３実施形態によるヒーターブロッ
クとヒーターコントローラ間の接続関係を示す平面図で
ある。FIG. 4 is a plan view showing a connection relationship between a heater block and a heater controller according to a third embodiment of the present invention.
【図５】 本発明によるヒーターブロックの温度制御方
法を段階別に示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram illustrating a method of controlling a temperature of a heater block according to the present invention.
４０ 第１レジスターブロック ４２ 第２レジスターブロック ４４ 第３レジスターブロック ４４ａ 屈曲部 ４６ 第１レジスターブロック ４８ 第２レジスターブロック ５０ 第３レジスターブロック ５２ 第４レジスターブロック ５４ 第１レジスターブロック ５６ 第２レジスターブロック ５８ 第３レジスターブロック ６０ 第４レジスターブロック ６２ 第５レジスターブロック 40 first register block 42 second register block 44 third register block 44a bent portion 46 first register block 48 second register block 50 third register block 52 fourth register block 54 first register block 56 second register block 58th 3 register block 60 4th register block 62 5th register block
Claims (24)
クが備わっており、前記各レジスターブロックが独立的
に備わっていることを特徴とするヒーターブロック。1. A heater block comprising at least three or more register blocks, wherein each of the register blocks is independently provided.
ロックは、お互い独立的に備わった第１乃至第３レジス
ターブロックであり、前記第３レジスターブロックは中
央に、前記第１及び第２レジスターブロックは前記第３
レジスターブロックを同心円形態に取り囲むことを特徴
とする請求項１に記載のヒーターブロック。2. The at least three or more register blocks are first to third register blocks provided independently of each other, wherein the third register block is located at the center, and the first and second register blocks are located at the center. Third
The heater block according to claim 1, wherein the register block is surrounded by a concentric circle.
前記各レジスターブロックと一対一に対応する第１乃至
第３熱電対が連結されていることを特徴とする請求項２
に記載のヒーターブロック。3. The thermocouple according to claim 2, wherein the first to third register blocks are connected to first to third thermocouples respectively corresponding to the respective register blocks.
The heater block according to 1.
前記各レジスターブロックと一対一に対応し、前記第１
乃至第３レジスターブロックに供給されるエネルギーを
調節する第１乃至第３ヒーターコントローラが連結され
ていることを特徴とする請求項２に記載のヒーターブロ
ック。4. The first to third register blocks correspond one-to-one with each of the register blocks, and
The heater block according to claim 2, further comprising first to third heater controllers for controlling energy supplied to the third to third register blocks.
称性を有する第１乃至第４レジスターブロックであるこ
とを特徴とする請求項１に記載のヒーターブロック。5. The heater block according to claim 1, wherein the independent register blocks are first to fourth register blocks having symmetry.
１乃至第５レジスターブロックであることを特徴とする
請求項１に記載のヒーターブロック。6. The heater block according to claim 1, wherein the independent register blocks are first to fifth register blocks.
２０゜の回転対称性を有することを特徴とする請求項１
に記載のヒーターブロック。7. The independent register block comprises:
2. The method according to claim 1, wherein said mirror has a rotational symmetry of 20 degrees.
The heater block according to 1.
レジスターラインであり、前記第１及び第２レジスター
ブロック中選択されたいずれか一つは閉まったレジスタ
ーラインであることを特徴とする請求項２に記載のヒー
ターブロック。8. The method of claim 2, wherein the third register block is an open register line, and one selected from the first and second register blocks is a closed register line. The heater block according to 1.
い形態に巻かれたレジスターラインであることを特徴と
する請求項２に記載のヒーターブロック。9. The heater block according to claim 2, wherein the third register block is a register line wound in a mainspring form.
は、サイズの異なる同型であることを特徴とする請求項
２に記載のヒーターブロック。10. The heater block according to claim 2, wherein the first and second register blocks have the same shape but different sizes.
は、各々二重のレジスターラインよりなっており、前記
各レジスターラインを構成する二重のレジスターの開始
点と終点が各々接触して閉まった形態であることを特徴
とする請求項２に記載のヒーターブロック。11. The first and second register blocks each include a double register line, and a start point and an end point of each of the double registers constituting each register line are closed by contact. The heater block according to claim 2, wherein
は、全て同じサイズで同型であることを特徴とする請求
項５に記載のヒーターブロック。12. The heater block according to claim 5, wherein all of the first to fourth register blocks have the same size and the same shape.
は、各々隣接したレジスターブロックに対して９０゜の
回転対称性を有することを特徴とする請求項５に記載の
ヒーターブロック。13. The heater block according to claim 5, wherein each of the first to fourth register blocks has a 90 ° rotational symmetry with respect to an adjacent register block.
に前記各レジスターブロックと一対一に対応する第１乃
至第４熱電対が連結されていることを特徴とする請求項
５に記載のヒーターブロック。14. The heater block according to claim 5, wherein first to fourth thermocouples corresponding to the respective register blocks are connected to the first to fourth register blocks in a one-to-one correspondence.
に前記各レジスターブロックと一対一に対応し、前記第
１乃至第４レジスターブロックに供給されるエネルギー
を調節する第１乃至第４ヒーターコントローラが連結さ
れていることを特徴とする請求項５に記載のヒーターブ
ロック。15. The first to fourth register blocks are connected to the first to fourth register blocks in a one-to-one correspondence with the first to fourth register blocks, and are connected to first to fourth heater controllers for controlling energy supplied to the first to fourth register blocks. The heater block according to claim 5, wherein the heater block is provided.
中選択されたいずれか一つは、うちわ状の開いたレジス
ターラインであることを特徴とする請求項５に記載のヒ
ーターブロック。16. The heater block according to claim 5, wherein any one selected from the first to fourth register blocks is a fan-shaped open register line.
第１乃至第４レジスターブロックの中心に位置している
し開いた形態であり、前記第１乃至第４レジスターブロ
ックは、前記第５レジスターブロックのまわりに位置し
ているし各々閉まった形態であることを特徴とする請求
項６に記載のヒーターブロック。17. The fifth register block is located at the center of the first to fourth register blocks and is open. The first to fourth register blocks are the same as the fifth register block. 7. The heater block according to claim 6, wherein the heater block is located around and each in a closed configuration.
に巻かれたぜんまい形態であり、前記第１乃至第４レジ
スターブロックは、各々同一サイズで同型であることを
特徴とする請求項１７に記載のヒーターブロック。18. The device of claim 17, wherein the fifth register block has a shape of a spirally wound mainspring, and the first to fourth register blocks have the same size and the same shape. Heater block.
は、各々お互いに対して９０゜の回転対称性を有するこ
とを特徴とする請求項１８に記載のヒーターブロック。19. The heater block of claim 18, wherein each of the first to fourth register blocks has a 90 ° rotational symmetry with respect to each other.
ックと前記各レジスターブロックに供給されるエネルギ
ーを調節する前記レジスターブロックと同数のヒーター
コントローラ及び熱電対を具備するヒーターブロックを
用いたウェハ温度制御方法において、 （ａ）前記熱電対を利用して前記各レジスターブロック
の温度を測定する段階と、 （ｂ）前記測定された温度を基にして前記各レジスター
ブロック中決まった許容範囲の温度を外れるレジスター
ブロックを認識する段階と、 （ｃ）前記認識されたレジスターブロックに連結された
ヒーターコントローラを調節して前記認識されたレジス
ターブロックに供給されるエネルギーを調節する段階
と、を含むことを特徴とするウェハ温度制御方法。20. A method of controlling a wafer temperature using at least three or more register blocks and heater blocks having the same number of heater controllers and thermocouples as the number of the register blocks for adjusting energy supplied to each of the register blocks, (A) measuring the temperature of each of the register blocks using the thermocouple; and (b) determining a register block that deviates from a predetermined allowable temperature in each of the register blocks based on the measured temperature. Recognizing; and (c) adjusting the energy supplied to the recognized register block by adjusting a heater controller connected to the recognized register block. Control method.
３つ乃至５つのレジスターブロックを含むことを特徴と
する請求項２０に記載のウェハ温度制御方法。21. The independent register block,
21. The method according to claim 20, comprising three to five register blocks.
同型で同じサイズであることを特徴とする請求項２１に
記載のウェハ温度制御方法。22. The independent register block,
22. The wafer temperature control method according to claim 21, wherein the wafers have the same shape and the same size.
９０゜または１２０゜の回転対称性を有することを特徴
とする請求項２１に記載のウェハ温度制御方法。23. The independent register block,
22. The method according to claim 21, wherein the wafer has a rotational symmetry of 90 [deg.] Or 120 [deg.].
９０゜の回転対称性を有するうちわ状であることを特徴
とする請求項２３に記載のウェハ温度制御方法。24. The independent register block,
24. The wafer temperature control method according to claim 23, wherein the wafer has a fan shape having a rotational symmetry of 90 [deg.].
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