JPH11118867A - Method and device for inspecting defective electrode on substrate - Google Patents

Method and device for inspecting defective electrode on substrate

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JPH11118867A
JPH11118867A JP9286921A JP28692197A JPH11118867A JP H11118867 A JPH11118867 A JP H11118867A JP 9286921 A JP9286921 A JP 9286921A JP 28692197 A JP28692197 A JP 28692197A JP H11118867 A JPH11118867 A JP H11118867A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To specify the position of a disconnection defect along the direction of length by use of an inexpensive device which allows conditions to be set easily and which requires only a short inspection time. SOLUTION: An inspection probe 8a and an inspection brush 8b which are made of conductors are provided in contact with each other, over electrodes 3 formed on a glass substrate 2, and are connected to an inspection circuit having a power supply E and a resistance R, to monitor a voltage V(=IR) where 1 is a current flowing in the circuit. When the inspection brush 8b moves over the lines of electrodes 3 toward the inspection probe 8a, a change in voltage V(=IR) occurs from a disconnection defect part 6. The site of the change is specified as the position of the disconnection defect part 6.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置のガ
ラス基板上などに形成される電極の欠陥を検査する基板
上の欠陥電極の検査方法と検査装置に関し、特に電極の
断線欠陥の位置を特定することができる基板上の欠陥電
極の検査方法と検査装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for inspecting a defective electrode on a substrate for inspecting a defect of an electrode formed on a glass substrate of a liquid crystal display device. The present invention relates to a method and an apparatus for inspecting a defective electrode on a substrate that can be specified.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、コンピュータなどに使用される表
示装置としてブラウン管を使用した表示装置に取って代
わって液晶を使用したマトリクスタイプの表示装置が多
く採用されてきている。このような装置は、画面上に一
度に表示できるデータを多くするために、大画面あるい
は高解像度な液晶表示装置の開発も進んでおり、基板上
に形成される電極がより小さなパターンになってきてい
る。そのため、歩留まりの低下で欠陥基板の発生が多く
なり、この欠陥基板の修復が行われている。また、液晶
表示装置のコスト削減のためにも欠陥基板の修復が行わ
れている。
2. Description of the Related Art In recent years, as a display device used in a computer or the like, a matrix type display device using a liquid crystal has been widely used in place of a display device using a cathode ray tube. In such devices, large-screen or high-resolution liquid crystal display devices have been developed to increase the amount of data that can be displayed on the screen at one time, and the electrodes formed on the substrate have become smaller patterns. ing. Therefore, the occurrence of defective substrates increases due to a decrease in yield, and the defective substrates are repaired. Further, in order to reduce the cost of the liquid crystal display device, a defective substrate is repaired.

【0003】上記のような液晶表示装置には、マトリク
スタイプの液晶基板が使用されている。通常のマトリク
スタイプの液晶基板は、2枚のガラス基板にそれぞれI
TOなどからなる透明なX電極、透明なY電極がエッチ
ング処理により形成され、各基板の電極形成面がマトリ
クス状に対向させて配置され、このガラス基板間に液晶
が封入されて形成される。
A liquid crystal display device as described above uses a matrix type liquid crystal substrate. An ordinary matrix type liquid crystal substrate has two glass substrates each having I
A transparent X electrode and a transparent Y electrode made of TO or the like are formed by an etching process, and the electrode forming surfaces of the respective substrates are arranged to face each other in a matrix, and liquid crystal is sealed between the glass substrates.

【0004】上記のように、電極をガラス基板に形成し
た場合、図7(B)および(C)に示す欠陥が生じるこ
とがある。このような欠陥は、エッチング処理時に異物
の混入やエッチング処理不良などが原因で発生し、図7
(A)の良品に対して、(B)は隣り合うラインの一部
が接している状態のショート欠陥、(C)は同一ライン
上の一部が欠損している状態の断線(オープン)欠陥を
示している。
When the electrodes are formed on a glass substrate as described above, the defects shown in FIGS. 7B and 7C may occur. Such a defect is caused by the inclusion of foreign matter during the etching process or a defective etching process.
(B) is a short-circuit defect in which a part of adjacent lines are in contact with each other, and (C) is a disconnection (open) defect in which a part of the same line is missing. Is shown.

【0005】上記(B)のショート欠陥に対しては、従
来から使用されている検査装置により、ショート欠陥が
どのラインの電極で発生し、そのラインのどの位置で発
生しているか特定することができた。一方、(C)の断
線欠陥に対しては、画像処理装置や作業者の目視に頼っ
ていた。
[0005] With respect to the short-circuit defect (B), it is possible to specify the line of the short-circuit defect and the position of the line where the short-circuit defect occurs by using a conventionally used inspection device. did it. On the other hand, for the disconnection defect of (C), the visual processing of an image processing apparatus or an operator relies.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
7(C)の断線欠陥に対しては、どのラインの電極で断
線欠陥が発生しているかは特定できるものの、長さ方向
の位置は測定原理上特定できなかった。そのため、電極
3のライン上をカメラとモニターとを用いて画像処理
による方法で監視したり、作業者が目視で監視したり
していた。
However, for the disconnection defect shown in FIG. 7C, it is possible to specify which line of the electrode has the disconnection defect, but the position in the length direction is determined by the measurement principle. Could not be identified. Therefore, the line on the electrode 3 is monitored by a method based on image processing using a camera and a monitor, or an operator visually monitors the line.

【0007】上記の画像処理による場合には、専用の
カメラやモニタを使用するため装置自体が非常に高価で
あり、基板を照らす照明などの条件設定が容易でなく、
さらには投資金額の割には処理が遅いなどの問題があっ
た。また、液晶の電極パターンというのは非常に微細な
パターンで形成されているため、上記の目視による場
合には、検査を行うのに非常に多くの時間を必要としな
ければならず、また欠陥を見落とす危険があり確実性に
欠けるものであった。さらには上記のような検査は非常
に神経を使うものであり作業者へかなりの負担が強いら
れるという問題があった。
In the case of the above image processing, the apparatus itself is very expensive because a dedicated camera or monitor is used, and it is not easy to set conditions such as illumination for illuminating the substrate.
Furthermore, there is a problem that processing is slow for the investment amount. In addition, since the liquid crystal electrode pattern is formed with a very fine pattern, the above-described visual inspection requires a very long time to perform the inspection, and also causes defects. There was a risk of oversight and lack of certainty. Further, the above-described inspection is extremely nervous, and has a problem that a considerable burden is imposed on an operator.

【0008】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたものであり、断線欠陥の長さ方向の位置を、条件設
定が容易で且つ検査の所要時間が短い安価な装置により
特定することができる基板上の欠陥電極の検査方法と検
査装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problem, and it is possible to specify the position in the length direction of a disconnection defect by using an inexpensive apparatus which can easily set conditions and has a short inspection time. It is an object of the present invention to provide a method and an apparatus for inspecting a defective electrode on a substrate that can be performed.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の基板上の欠陥電
極の検査方法は、基板上に形成された電極の断線欠陥の
場所を特定する基板上の欠陥電極の検査方法であって、
電極のラインの一方に第1の導体、他方に第2の導体を
接触させ、前記第1の導体と第2の導体との間の電流値
または電圧値を監視して、欠陥の生じている電極を特定
することを特徴とするものである。
A method for inspecting a defective electrode on a substrate according to the present invention is a method for inspecting a defective electrode on a substrate for identifying the location of a disconnection defect of an electrode formed on the substrate.
A first conductor is brought into contact with one of the electrode lines, and a second conductor is brought into contact with the other, and a current value or a voltage value between the first conductor and the second conductor is monitored, and a defect is generated. It is characterized by specifying the electrode.

【0010】上記手段により、電極の長さ方向の一端に
第1の導体が接触されるとともに他端に第2の導体が接
触されて電極上の両導体間の導通性が検査される。この
とき、電極に断線欠陥が発生していれば両導体間には電
流は流れず、一方電極に断線欠陥が発生していなければ
両導体間に電流が流れるようになり、この導通の変化を
回路内に発生する電流値または電圧値によって監視する
ことによりどのラインの電極で断線欠陥が発生している
か特定することができる。
By the above means, the first conductor is brought into contact with one end in the length direction of the electrode, and the second conductor is brought into contact with the other end, and the conductivity between the two conductors on the electrode is inspected. At this time, if a disconnection defect occurs in the electrode, no current flows between the two conductors, and if a disconnection defect does not occur in the electrode, current flows between the two conductors. By monitoring the current value or the voltage value generated in the circuit, it is possible to specify which line of the electrode has the disconnection defect.

【0011】また、少なくとも一方の導体を欠陥のある
電極に沿って移動させ、このときの前記電流値または電
圧値の変化を監視して、電極上での欠陥箇所を特定する
ことが可能である。
In addition, it is possible to move at least one of the conductors along the defective electrode, and monitor a change in the current value or the voltage value at this time to specify a defective portion on the electrode. .

【0012】上記のようにして断線欠陥が存在している
電極のライン方向の位置が特定されると、第1あるいは
第2の導体の少なくとも一方が、電極上を摺動しながら
移動する。上記両導体が断線欠陥を境にして異なる側に
存在すると電流値または電圧値に変化は見られず、さら
にこのブラシ形状の導体が移動して両導体が同じ側に存
在すると両導体間が導通して電流値または電圧値が変化
する。上記のようにして、欠陥電極の正確な位置が特定
される。
When the position in the line direction of the electrode having the disconnection defect is specified as described above, at least one of the first and second conductors moves while sliding on the electrode. If the two conductors are present on different sides from the disconnection defect, there is no change in the current value or voltage value, and if the brush-shaped conductor moves and both conductors are on the same side, conduction between the two conductors occurs. As a result, the current value or the voltage value changes. As described above, the exact position of the defective electrode is specified.

【0013】この場合に、前記電極に沿って移動させる
導体が、隣合う電極のラインにまたがる幅広のブラシ形
状であることが好ましい。
In this case, it is preferable that the conductor to be moved along the electrode has a wide brush shape extending over a line of an adjacent electrode.

【0014】液晶表示基板に形成される電極は非常に微
細であるため、欠陥電極の検査時に移動可能な側の導体
が針状の導体であると、移動時に導体が電極のラインか
ら外れるなどして検査ミスが発生し、欠陥位置の特定が
確実に行われず、そのため基板の位置決めにかなり高精
度な補正装置が必要であったが、上記のように一方の導
体をブラシ形状に形成し、且つ隣り合う電極にまたがる
ように形成することにより、基板の位置決めに高精度な
補正装置を必要とせず、検査ミスを防止することができ
るものである。
Since the electrodes formed on the liquid crystal display substrate are very fine, if the movable conductor at the time of inspection of a defective electrode is a needle-like conductor, the conductor may come off the electrode line during the movement. Inspection errors occurred, and the position of the defect was not reliably specified. Therefore, a considerably high-precision correction device was required for positioning the substrate. However, as described above, one conductor was formed in a brush shape, and By forming so as to straddle adjacent electrodes, a high-precision correction device is not required for positioning the substrate, and an inspection error can be prevented.

【0015】また本発明は、基板上に形成された電極の
断線欠陥の位置を特定する基板上の欠陥電極の検査装置
であって、断線欠陥のある電極のラインの一端に接触す
る第1の導体と、ラインの他端に接触する第2の導体
と、第1の導体と第2の導体の少なくとも一方を電極に
沿って移動させる移動装置と、両導体間の電流または電
圧を監視する検査回路と、を有することを特徴とするも
のである。
Further, the present invention is an inspection apparatus for a defective electrode on a substrate for specifying the position of a disconnection defect of an electrode formed on the substrate, wherein the first electrode is in contact with one end of a line of an electrode having a disconnection defect. A conductor, a second conductor in contact with the other end of the line, a moving device for moving at least one of the first conductor and the second conductor along the electrode, and a test for monitoring current or voltage between the two conductors And a circuit.

【0016】上記装置により、高価な装置を使用するこ
となく安価な装置で構成することができるとともに、確
実に素早く検査することができるものである。
According to the above-mentioned apparatus, an inexpensive apparatus can be constituted without using an expensive apparatus, and an inspection can be surely and quickly performed.

【0017】なお、本発明の基板は、液晶表示装置のガ
ラス基板に代表されるが、他のIC搭載基板などであっ
てもよく、また電極は、液晶表示装置の場合にはITO
などの透明電極であるが、他の銅箔や金箔電極であって
もよい。
The substrate of the present invention is typified by a glass substrate of a liquid crystal display device, but may be another IC mounting substrate or the like.
Etc., but other copper foil or gold foil electrodes may be used.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の基板上の欠陥電極
の検査方法を図1および図2を示して説明する。図1
は、基板の検査から修復までの装置全体を示す説明図で
あり、図2(A)は基板と検査装置との位置関係を示す
上面図、(B)はその側面図および回路図である。通
常、液晶表示装置に使用される基板は、図7に示すよう
に、ガラス基板2上にITOなどの材料からなるX電極
あるいはY電極3が等間隔でライン状にエッチング処理
により形成されている。前記エッチング処理による電極
形成時に異物が混入するなどして、電極3には図7
(C)にあるような断線欠陥部6が生じることがある。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for inspecting a defective electrode on a substrate according to the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG.
FIG. 2A is an explanatory view showing the entire device from inspection to repair of the substrate, FIG. 2A is a top view showing the positional relationship between the substrate and the inspection device, and FIG. 2B is a side view and a circuit diagram thereof. Normally, as shown in FIG. 7, a substrate used in a liquid crystal display device has an X electrode or a Y electrode 3 made of a material such as ITO formed on a glass substrate 2 by etching at regular intervals in a line shape. . As shown in FIG.
A disconnection defect 6 as shown in FIG.

【0019】上記のような断線欠陥部6の位置を特定す
るための装置が図2に示す検査装置8である。前記検査
装置8は、第1の導体としての検査プローブ8a、第2
の導体としての検査ブラシ8b、検査回路8cから構成
されているものである。電極3が形成されたガラス基板
2は、図1に示すテーブル12に載置され、電極3の検
査が行われる。ガラス基板2が位置決めされた後、2本
の導体からなる検査プローブ8aおよび検査ブラシ8b
が電極3のラインの両端に配置される。なお、必要であ
れば、テーブル12をX−Y方向あるいはθ方向に移動
させてガラス基板2の位置を微調整することができる。
An apparatus for specifying the position of the disconnection defect 6 as described above is an inspection apparatus 8 shown in FIG. The inspection device 8 includes an inspection probe 8a as a first conductor,
The inspection brush 8b and the inspection circuit 8c as conductors. The glass substrate 2 on which the electrodes 3 are formed is placed on the table 12 shown in FIG. 1 and the inspection of the electrodes 3 is performed. After the glass substrate 2 is positioned, an inspection probe 8a and an inspection brush 8b composed of two conductors
Are arranged at both ends of the line of the electrode 3. If necessary, the position of the glass substrate 2 can be finely adjusted by moving the table 12 in the XY direction or the θ direction.

【0020】また、前記検査プローブ8aはその先端が
針状に形成されている。また、前記検査ブラシ8bは、
隣り合う電極3のラインにまたがるように幅広に形成さ
れており、このため検査ブラシ8bが電極3のラインか
ら多少ずれたとしても検査ミスが起こることはない。な
お、前記検査ブラシ8bは、電極3を損傷させることが
ないように、軟らかな毛先を有する導電性ブラシを用い
ることが好ましい。前記検査プローブ8aと検査ブラシ
8bとは検査回路8cに接続されている。この検査回路
8cには、電源E、抵抗R、および抵抗Rに流れる電圧
Vを計測する電圧計を有しており、この検査回路8cの
両端が前記検査プローブ8aと検査ブラシ8bとにそれ
ぞれ接続されている。なお、前記抵抗Rは、電極3より
も十分に大きい抵抗のものが使用されている。
The tip of the inspection probe 8a is formed in a needle shape. The inspection brush 8b is
It is formed wide so as to straddle the line of the adjacent electrode 3, so that even if the inspection brush 8 b is slightly shifted from the line of the electrode 3, an inspection error does not occur. It is preferable to use a conductive brush having a soft tip so that the electrode 3 is not damaged. The inspection probe 8a and the inspection brush 8b are connected to an inspection circuit 8c. The test circuit 8c has a power supply E, a resistor R, and a voltmeter for measuring a voltage V flowing through the resistor R. Both ends of the test circuit 8c are connected to the test probe 8a and the test brush 8b, respectively. Have been. The resistor R has a resistance sufficiently larger than that of the electrode 3.

【0021】電極3が正常に形成されている場合には、
電極3間に電流Iが流れて回路が導通し、抵抗Rには電
圧V(=IR)が発生する。一方、電極3に断線欠陥部
6が存在している場合には、回路全体が導通せず、抵抗
Rには電流が流れないため電圧は発生しない。この電圧
値(V)の有無をモニター上で監視することにより、断
線欠陥部6が電極3のどのラインで発生しているのかを
特定することができる。続いて、電極3の長さ方向の欠
陥位置の特定が行われる。
When the electrode 3 is formed normally,
A current I flows between the electrodes 3 to make the circuit conductive, and a voltage V (= IR) is generated at the resistor R. On the other hand, when the disconnection defect portion 6 exists in the electrode 3, the entire circuit does not conduct, and no current flows through the resistor R, so that no voltage is generated. By monitoring the presence or absence of this voltage value (V) on a monitor, it is possible to specify in which line of the electrode 3 the disconnection defect 6 occurs. Subsequently, the defect position in the length direction of the electrode 3 is specified.

【0022】図2(A)および(B)に示すように、検
査ブラシ8bが検査プローブ8aの方向すなわちから
の方向へ移動を開始して断線欠陥部6が発生している
場所を検査する。この場合の検査ブラシ8bは、電極3
上を摺動しながら移動する。このとき断線欠陥部6の手
前に位置する状態では抵抗Rには電圧は発生せず、断
線欠陥部6を越えた時点の状態で電圧が発生し、断線
欠陥部6を境にして電圧変化が起こり、断線欠陥部6の
位置が特定される。上記のようにして、断線欠陥部6が
どのラインで発生し、しかもラインのどの場所であるか
までが正確に特定されるようになっている。
As shown in FIGS. 2A and 2B, the inspection brush 8b starts moving in the direction of the inspection probe 8a, that is, from the inspection probe 8a, and inspects the location where the disconnection defect portion 6 is generated. In this case, the inspection brush 8b is
Move while sliding on top. At this time, no voltage is generated in the resistor R in a state located before the disconnection defect portion 6, and a voltage is generated at a point in time when the resistance R exceeds the disconnection defect portion 6. Then, the position of the disconnection defect 6 is specified. As described above, the line in which the disconnection defect portion 6 occurs and the location of the line can be accurately specified.

【0023】図1に示すように、上記検査装置8は、移
動装置13cおよび制御装置11に接続されており、前
記移動装置13cにより検査プローブ8aおよび検査ブ
ラシ8bを移動させることができ、制御装置11により
上記動作が制御され、さらに断線欠陥部6の位置データ
が保存され、このデータが次の修復のための装置へ送ら
れる。図1は、電極3が形成されたガラス基板2の検査
から修復までの装置全体を示し、検査装置8、転写装置
4、加熱装置5および制御装置11から構成されている
ものである。
As shown in FIG. 1, the inspection device 8 is connected to a moving device 13c and a control device 11, and can move the inspection probe 8a and the inspection brush 8b by the moving device 13c. The operation is controlled by 11 and the position data of the disconnection defect 6 is stored, and this data is sent to the next device for restoration. FIG. 1 shows the entire apparatus from inspection to repair of the glass substrate 2 on which the electrodes 3 are formed, and is composed of an inspection device 8, a transfer device 4, a heating device 5, and a control device 11.

【0024】上述した方法、装置により断線欠陥部6が
特定されると、次に転写装置4が作動するようになって
いる。前記転写装置4は、転写プローブ4a、移動装置
13aおよび版ペースト1cから構成されており、転写
プローブ4aが断線欠陥部6との間を適切に移動できる
ように制御装置11により制御されている。また、前記
版ペースト1cは基台4dと版枠4cとで形成されてお
り、その版枠4c内にペースト1が流し込まれ、スキー
ジなどによって平坦にならされて版ペースト1cとして
形成されている。また、前記加熱装置5は、半導体レー
ザー5aと移動装置13bとから構成されているもので
ある。
When the disconnection defect portion 6 is specified by the above-described method and apparatus, the transfer device 4 is operated next. The transfer device 4 includes a transfer probe 4a, a moving device 13a, and a plate paste 1c. The transfer device 4 is controlled by the control device 11 so that the transfer probe 4a can appropriately move between the transfer probe 4a and the disconnection defect portion 6. The plate paste 1c is formed of a base 4d and a plate frame 4c, and the paste 1 is poured into the plate frame 4c and is flattened by a squeegee or the like to form a plate paste 1c. The heating device 5 includes a semiconductor laser 5a and a moving device 13b.

【0025】図3は、断線欠陥部6を有する基板の修復
工程を示したものである。前記転写プローブ4aにより
断線欠陥部6にペースト1が転写され、続いて半導体レ
ーザー5aによりペースト1に対しての焼成が行われ
る。この半導体レーザー5aは、移動装置13bに接続
されており、断線欠陥部6に形成されたペースト1の上
部へ自由に移動可能となるように制御装置11により制
御されている。
FIG. 3 shows a process of repairing the substrate having the disconnection defect portion 6. The paste 1 is transferred to the disconnection defect portion 6 by the transfer probe 4a, and then the paste 1 is baked by the semiconductor laser 5a. The semiconductor laser 5a is connected to the moving device 13b, and is controlled by the control device 11 so that the semiconductor laser 5a can freely move to the upper part of the paste 1 formed in the disconnection defect portion 6.

【0026】前記転写プローブ4aの動作を図4を用い
て説明すると、転写プローブ4aはまず初期状態(i)
から版ペースト1c上へと移動され(ii)、降下され
る(iii)。次いで、転写プローブ4aは版ペースト
1cの底部に到達するまで押し込まれ、転写プローブ4
aを上昇させることにより、一定量のペースト1が転写
プローブ4aの先端部に転写される。このとき、図5
(A)に示すように、転写プローブ4aの内部には弾性
体としてコイルばね7が配設されており、転写プローブ
4aが版ペースト1cの底部に到達されると、コイルば
ね7の付勢力に抗して転写プローブ4aの上部から力F
で押圧されるようになっている。次いで、転写プローブ
4aは、断線欠陥部6上に移動され(iv)、降下され
る(v)。そして、転写プローブ4aを上昇させること
によりペースト1が転写プローブ4aと分離されて、前
記ペースト1が断線欠陥部6に転写させられ、初期状態
(i)へと戻る(vi)。
The operation of the transfer probe 4a will be described with reference to FIG. 4. First, the transfer probe 4a is in the initial state (i).
Is moved onto the plate paste 1c from (ii) and lowered (iii). Next, the transfer probe 4a is pushed in until it reaches the bottom of the plate paste 1c.
By raising a, a certain amount of paste 1 is transferred to the tip of the transfer probe 4a. At this time, FIG.
As shown in (A), a coil spring 7 is provided as an elastic body inside the transfer probe 4a, and when the transfer probe 4a reaches the bottom of the plate paste 1c, the biasing force of the coil spring 7 is reduced. Against the force F from the top of the transcription probe 4a
Is pressed. Next, the transfer probe 4a is moved onto the disconnection defect portion 6 (iv) and lowered (v). Then, by raising the transfer probe 4a, the paste 1 is separated from the transfer probe 4a, the paste 1 is transferred to the disconnection defect portion 6, and returns to the initial state (i) (vi).

【0027】また、上記転写プローブ4aは、その材質
をベリリウム−銅とすることが好ましく、また図5
(B)に示すように、その先端部が平坦形状4bとされ
ることが、転写を容易にする点において好ましい。上記
のような転写プローブ4aを使用することにより、高精
度な位置決めなどの機構や制御が不要になる。また、転
写するペースト1の量を変える場合には、版ペースト1
cの深さを変更することにより容易に対応することがで
きる。
The material of the transfer probe 4a is preferably beryllium-copper.
As shown in (B), it is preferable that the tip portion has a flat shape 4b in terms of facilitating transfer. The use of the above-described transfer probe 4a eliminates the need for a highly accurate positioning mechanism or control. When changing the amount of paste 1 to be transferred, plate paste 1
This can be easily handled by changing the depth of c.

【0028】前記金属の有機化合物からなるペースト1
は、金粉をベースとした金ペーストではなく、金原子が
有機物と結合して形成されたものであり、全体が液状の
ペーストで形成されたものである。このようなペースト
1としては、金レジネートをベースとしたMOD(メタ
ロオーガニックデポジション)タイプの金ペーストを使
用することが好ましく、且つその中でも低温焼成用のも
のが好ましい。上記のようにして断線欠陥部6に転写さ
れたペースト1からなる修復前基板10は、図3(B)
の工程へと送られ、そこでペースト1の焼成が行われ
る。
Paste 1 comprising an organic compound of the metal
Is not a gold paste based on gold powder, but is formed by bonding gold atoms to an organic substance, and is entirely formed of a liquid paste. As such a paste 1, it is preferable to use a MOD (metallo organic deposition) type gold paste based on a gold resinate, and among them, a paste for low-temperature firing is preferable. The pre-repair substrate 10 made of the paste 1 transferred to the disconnection defect portion 6 as described above is shown in FIG.
, Where the paste 1 is fired.

【0029】この焼成で使用される加熱装置5の加熱源
としては、半導体レーザー5aが用いられ、またその波
長は810nm近傍の近赤外線を照射することにより焼
成が行われる。なお、前記半導体レーザー5aは、図示
していないが、複数の半導体素子をユニット化したもの
であり、それぞれの素子から発射されるレーザー光がガ
ラスファイバーを使用して束ねられ、レンズユニットに
より集光されて対象物に光を照射できるように形成され
ている。
A semiconductor laser 5a is used as a heating source of the heating device 5 used in the firing, and firing is performed by irradiating near infrared rays having a wavelength of about 810 nm. Although not shown, the semiconductor laser 5a is obtained by unitizing a plurality of semiconductor elements, and laser light emitted from each element is bundled using a glass fiber and condensed by a lens unit. It is formed so that the object can be irradiated with light.

【0030】上記のような半導体レーザー5aを使用し
た場合、図3(B)の矢印で示されているように、ペー
スト1に照射される部分はレーザー光が吸収されて発熱
が起こり加熱されるが、それ以外の部分はレーザー光は
吸収されず、電極3およびガラス基板2を通り抜けてし
まう。すなわち、この半導体レーザー5aは近赤外線が
発射される素子を使用しており、上記で例示したペース
ト1はそのペーストの色が黒色であるため、近赤外線は
吸収される。したがって、転写されたペースト1の部分
のみ加熱処理が行われ、それ以外のガラス基板2の部分
には発熱は起こらず、ガラス基板2が損傷することがな
い。また、この半導体レーザー5aは、レーザー光の出
力強度を容易にコントロールすることができ、それによ
って断線欠陥部6が、ペースト1の焼成において、高品
質な焼成部として得ることができる。
When the above-described semiconductor laser 5a is used, as shown by the arrow in FIG. 3B, the portion irradiated to the paste 1 absorbs the laser beam, generates heat, and is heated. However, the other portions are not absorbed by the laser beam and pass through the electrode 3 and the glass substrate 2. That is, the semiconductor laser 5a uses an element that emits near-infrared light, and since the paste 1 exemplified above has a black color, the near-infrared light is absorbed. Therefore, only the portion of the transferred paste 1 is subjected to the heat treatment, and the other portion of the glass substrate 2 does not generate heat, and the glass substrate 2 is not damaged. Further, in the semiconductor laser 5a, the output intensity of the laser light can be easily controlled, whereby the disconnection defect portion 6 can be obtained as a high quality fired portion in firing the paste 1.

【0031】前述した高品質な焼成部を得るための一例
として、図6に示すプロファイルを挙げることができ
る。すなわち、最初に、所定の出力まで上昇した後(0
〜8秒)、一定時間段階的(8〜16秒、16〜24
秒)に低出力が保持され、このとき予備焼成が行われて
液体であるペースト1中の溶剤分が飛ばされる。その後
一定時間(24〜34秒)高出力が保持されることによ
り、本焼成が行われて金属成分の析出が行われ、焼成完
了後は徐々に出力を下げて(34〜42秒)冷却が行わ
れる。上記のような工程を経ることにより、断線欠陥部
6に形成された金属の析出部が、ひび割れのない且つ緻
密である高品質な金属薄膜1aを得ることができる。な
お、上記プロファイルは一例であり、ペースト1の転写
量等によって適宜変更することができる。
As an example for obtaining the above-mentioned high-quality fired portion, a profile shown in FIG. 6 can be mentioned. That is, after first increasing to a predetermined output (0
88 seconds), fixed time stepwise (8 to 16 seconds, 16 to 24)
(Second), a low output is maintained, and at this time, preliminary firing is performed to remove the solvent in the liquid paste 1. After that, by maintaining the high output for a certain period of time (24 to 34 seconds), the main firing is performed to deposit the metal component, and after the firing is completed, the output is gradually lowered (34 to 42 seconds) to cool down. Done. Through the above-described steps, a high-quality metal thin film 1a in which the deposited portion of the metal formed in the disconnection defect portion 6 has no crack and is dense can be obtained. Note that the above profile is an example, and can be changed as appropriate depending on the transfer amount of the paste 1 and the like.

【0032】上記のようにして、断線欠陥部6が修復さ
れ、図3(C)に示すような金属の析出物による金属薄
膜1aが得られ、修復された基板10aが得られるもの
である。上記のように、ガラス基板2上の電極3に生じ
た断線欠陥部6に対して、転写装置4により金属の有機
化合物からなるペースト1が転写され、そのペースト1
の部分が半導体レーザー5aからなる加熱装置5によっ
て焼成され、ペースト1中の金属成分のみを析出させて
欠陥部の修復が行われるものである。
As described above, the disconnection defect portion 6 is repaired, a metal thin film 1a made of a metal precipitate as shown in FIG. 3C is obtained, and the repaired substrate 10a is obtained. As described above, the transfer device 4 transfers the paste 1 made of a metal organic compound to the disconnection defect 6 generated in the electrode 3 on the glass substrate 2, and the paste 1
Is burned by the heating device 5 composed of the semiconductor laser 5a, and only the metal component in the paste 1 is precipitated to repair the defective portion.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明の基板上の欠陥電極の検査方法
は、基板上の欠陥電極の位置の特定をライン方向の特定
にとどまること無く、ライン上の位置まで特定すること
ができる。
According to the method of inspecting a defective electrode on a substrate of the present invention, the position of the defective electrode on the substrate can be specified not only in the line direction but also on the line.

【0034】また、本発明の検査装置は、2本の移動可
能な導体と簡単な検査回路という安価な装置で構成する
ことができるとともに、確実に素早く検査することがで
きるものである。さらに、上記検査装置を使用すること
により、作業者は欠陥を見落とすことなく確実に欠陥を
発見することができるとともに、非常に神経を要する作
業が必要でなくなることにより作業者への負担を軽減す
ることができるものである。
The inspection apparatus of the present invention can be constituted by an inexpensive apparatus including two movable conductors and a simple inspection circuit, and can surely and quickly inspect. Further, by using the above-described inspection device, the worker can surely find the defect without overlooking the defect, and reduce the burden on the worker by eliminating the need for extremely nervous work. Is what you can do.

【0035】また、このような安価な検査装置を使用
し、しかも作業スピードを上げることにより、液晶表示
基板のコストダウンを図ることができるものである。
Further, the cost of the liquid crystal display substrate can be reduced by using such an inexpensive inspection device and increasing the working speed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の検査装置と、それに伴う修復装置とで
構成される装置全体を示す説明図、
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an entire apparatus including an inspection apparatus of the present invention and a repair apparatus associated therewith;

【図2】(A)検査装置の配置を示す平面図、(B)そ
の側面図と検査装置に接続される回路図、
2A is a plan view showing an arrangement of the inspection apparatus, FIG. 2B is a side view thereof, and a circuit diagram connected to the inspection apparatus;

【図3】(A)(B)(C)は、欠陥電極の修正方法を
示す工程図、
FIGS. 3A, 3B, and 3C are process diagrams showing a method for repairing a defective electrode; FIGS.

【図4】転写プローブの動作を示す説明図、FIG. 4 is an explanatory diagram showing the operation of a transfer probe.

【図5】(A)は転写プローブの構造を示す正面図、
(B)は拡大図、
FIG. 5 (A) is a front view showing the structure of a transcription probe,
(B) is an enlarged view,

【図6】焼成における時間と出力の関係を示すプロファ
イル、
FIG. 6 is a profile showing the relationship between time and output in firing,

【図7】基板上に形成された電極を表す平面図であり、
(A)は正常、(B)はショート欠陥、(C)は断線欠
陥を示す、
FIG. 7 is a plan view illustrating an electrode formed on a substrate,
(A) indicates normal, (B) indicates a short-circuit defect, (C) indicates a disconnection defect,

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 ガラス基板 3 電極 6 断線欠陥部 8 検査装置 8a 検査プローブ 8b 検査ブラシ 8c 検査回路 E 電源 R 抵抗 V 電圧 I 電流 2 Glass substrate 3 Electrode 6 Disconnection defect 8 Inspection device 8a Inspection probe 8b Inspection brush 8c Inspection circuit E Power supply R Resistance V Voltage I Current

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に形成された電極の断線欠陥の場
所を特定する基板上の欠陥電極の検査方法であって、電
極のラインの一方に第1の導体、他方に第2の導体を接
触させ、前記第1の導体と第2の導体との間の電流値ま
たは電圧値を監視して、欠陥の生じている電極を特定す
ることを特徴とする基板上の欠陥電極の検査方法。
1. A method for inspecting a defective electrode on a substrate for identifying the location of a disconnection defect of an electrode formed on the substrate, wherein a first conductor is provided on one of the electrode lines and a second conductor is provided on the other. A method for inspecting a defective electrode on a substrate, comprising: contacting and monitoring a current value or a voltage value between the first conductor and the second conductor to identify a defective electrode.
【請求項2】 少なくとも一方の導体を欠陥のある電極
に沿って移動させ、このときの前記電流値または電圧値
の変化を監視して、電極上での欠陥箇所を特定する請求
項1記載の基板上の欠陥電極の検査方法。
2. The method according to claim 1, wherein at least one of the conductors is moved along the defective electrode, and a change in the current value or the voltage value at this time is monitored to identify a defective portion on the electrode. An inspection method for defective electrodes on a substrate.
【請求項3】 前記電極に沿って移動させる導体が、隣
合う電極のラインにまたがる幅広のブラシ形状である請
求項2記載の基板上の欠陥電極の検査方法。
3. The method for inspecting a defective electrode on a substrate according to claim 2, wherein the conductor moved along the electrode has a wide brush shape extending over a line of an adjacent electrode.
【請求項4】 基板上に形成された電極の断線欠陥の位
置を特定する基板上の欠陥電極の検査装置であって、断
線欠陥のある電極のラインの一端に接触する第1の導体
と、ラインの他端に接触する第2の導体と、第1の導体
と第2の導体の少なくとも一方を電極に沿って移動させ
る移動装置と、両導体間の電流または電圧を監視する検
査回路と、を有することを特徴とする基板上の欠陥電極
の検査装置。
4. An inspection apparatus for a defective electrode on a substrate for specifying a position of a disconnection defect of an electrode formed on the substrate, comprising: a first conductor contacting one end of a line of an electrode having a disconnection defect; A second conductor that contacts the other end of the line, a moving device that moves at least one of the first conductor and the second conductor along the electrode, a test circuit that monitors a current or voltage between the two conductors, An inspection apparatus for a defective electrode on a substrate, comprising:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006071519A (en) * 2004-09-03 2006-03-16 Hioki Ee Corp Circuit board inspection method and circuit board inspection apparatus
JP2007127659A (en) * 2002-11-30 2007-05-24 Oht Inc Circuit pattern inspection device and circuit pattern inspection method
KR20150015156A (en) * 2013-07-31 2015-02-10 주식회사 엘지화학 Apparatus for continuously measuring electric conductivity

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