JPH11116383A - エピタキシャル成長炉 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な構成の回転機構を有するエピタキシャ
ル成長炉を提供する。 【解決手段】 エピタキシャル成長炉が、ガス流形成手
段が炉内に形成させたガスの流れを利用して半導体ウエ
ハ基板を回転させる回転手段を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ基板
に単結晶薄膜を形成させるエピタキシャル成長炉に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体単結晶から切り出された半導体ウ
エハ基板に単結晶薄膜を成長させるエピタキシャル成長
は、一般に次のように行われている。

【０００３】まず、単結晶引き上げ法等により製造され
た半導体単結晶、例えばシリコン単結晶を一定の厚さに
スライシングして半導体ウエハとし、表面を研磨する。
そして、研磨により仕上げられた半導体ウエハを所定の
余熱温度（約６００〜８００℃）に加熱されたエピタキ
シャル成長炉内に挿入する。このとき半導体ウエハは、
エピタキシャル成長炉内のカーボン製サセプタなどの半
導体ウエハ基板を部分的に支持する基板支持台上に載置
される。

【０００４】エピタキシャル成長炉内には、予め定めら
れた基準ガス、例えば、水素ガスや窒素などの不活性ガ
スが充填されており、半導体ウエハ基板を炉内に挿入
後、エピタキシャル成長炉を予め定めた温度（約１００
０〜１２００℃）まで昇温して加熱する。これにより、
半導体ウエハ基板の表面に形成されている酸化膜が水素
による還元作用で除去される。

【０００５】その後、エピタキシャル成長炉内にＳｉＨ
₄、ＳｉＨＣｌ₃等のＳｉ（材料ガス）を含んだ反応ガス
を注入し、予め定めた反応温度（約１１００℃）で加熱
する。このとき、反応ガスによる還元又は熱分解によっ
て、半導体ウエハ基板上にシリコンが析出して単結晶薄
膜が成長し、エピタキシャル成長した半導体ウエハ（以
下、「エピタキシャルウエハ」という。）が製造され
る。

【０００６】現在、シリコンエピタキシャル成長法とし
て最も広く研究、応用されているのは、Ｈ−Ｓｉ−Ｃｌ
系ＣＶＤ（Chemical vapor deposition ）法である。こ
れは、高温に加熱されたシリコン基板上に水素キャリア
などの基準ガスによりシリコンソースガスなどの材料ガ
スを供給し、これらの反応ガス雰囲気中において基板上
でＨ−Ｓｉ−Ｃｌ系の反応を通じてシリコン単結晶を成
長させるものである。シリコンソースガスとしては、Ｓ
ｉＨ₄、ＳｉＨＣｌ₃ 、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂、ＳｉＣｌ₄が一般
的である。

【０００７】このようなエピタキシャル成長を行うエピ
タキシャル成長炉としては様々な方式のものが提案され
ている。その中の１つとしてハロゲンランプの輻射熱に
よりチャンバー内を加熱し、チャンバー内に設けた回転
可能なサセプタ上に半導体ウエハ基板を載置してサセプ
タを回転させた状態で、反応ガスをチャンバー内に送り
込むことによりエピタキシャル成長させる枚葉型のエピ
タキシャル成長炉が挙げられる。

【０００８】この枚葉型エピタキシャル成長炉は、エピ
タキシャル成長炉の中でも最高レベルの均一なエピタキ
シャル膜が得られるものであり、枚葉処理であるので反
応室自体をコンパクトにできる利点を有している。それ
だけでなく、均熱条件やガス流分布の設計が容易である
と共に、枚葉式なので大口径化にも有利なものである。
また、金属やパーティクルの付着などの汚染防止性、結
晶性からみても優れたものとして注目されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、枚葉型
エピタキシャル成長炉は、膜厚や抵抗率の面内均一性を
得るために、サセプタの裏面側に設けたモータなどの回
転機構によりサセプタを回転させて半導体ウエハ基板表
面に反応ガスを均一に接触させる構成であるため、サセ
プタの裏面側の構造が複雑となり、半導体ウエハ基板を
裏面側から加熱した際に均一に熱が半導体ウエハ基板に
伝わらないという問題がある。

【００１０】また、装置全体としても回転機構を備える
分だけ寸法が大きくなるので設置するためのスペースも
ある程度必要であり、また、サセプタを回転させるため
にモータを用いることから構造も複雑となり、コストも
高くなるという欠点もある。

【００１１】そこで、本発明は、簡単な構成の回転機構
を有するエピタキシャル成長炉を提供することを目的と
している。また、全体としてコンパクトなエピタキシャ
ル成長炉を提供することも本発明の別の目的である。さ
らに、大口径半導体ウエハ基板であっても全面均一に熱
を伝えることが可能なエピタキシャル成長炉を提供する
ことも本発明の別の目的である。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、請求項１に係る発明は、半導体ウエハ基板を材料ガ
スを含んだ反応ガス雰囲気中で予め定められた成長温度
に加熱した状態で維持することによりエピタキシャル成
長させるエピタキシャル成長炉において、前記ウエハ基
板を保持するサセプタと、該サセプタを回転自在に保持
する保持機構と、前記保持機構で保持される前記サセプ
タの裏面側に予め定めた方向のガス流を形成させるガス
流形成手段と、該ガス流形成手段からのガス流を受けて
前記サセプタを特定方向に回転させる回転羽部材とを備
え前記保持機構は、前記サセプタと接触する支持部に、
前記サセプタ回転時の摩擦抵抗を抑える摩擦低減手段を
備えていることを特徴としている。

【００１３】即ち、本発明では、半導体ウエハ基板を回
転させる手段として、ガス流形成手段により炉内に形成
されたガスの流れを受けて前記回転羽部材が前記サセプ
タを特定方向に回転させる構成とし、摩擦低減手段によ
りサセプタと保持機構との間に生じる摩擦を小さくする
ものとしている。尚、ここでの回転はウエハ面に対して
鉛直な軸を中心とするものである。

【００１４】そのような摩擦低減手段を備えることによ
り、サセプタの回転がスムーズになり、サセプタと保持
機構との間に摩擦が少ない分だけガス流の流圧を下げる
ことができるので少ない流体エネルギーでサセプタを回
転させることができ、回転効率が良好となる。

【００１５】ガス流形成手段は、回転羽部材によるサセ
プタの回転を実現できる程度の流体圧を備えたガス流を
炉内に生じさせるものであればよく、炉内に一方向の流
れを形成させる構成のものや、炉内に複数方向の流れを
形成させるものなどを採用することができる。好ましく
は、回転羽部材の形状又は構成との兼ね合いを考慮して
最も効率よく半導体ウエハ基板が回転するようにガス流
を形成させるものとするとよい。

【００１６】摩擦低減手段としては、サセプタを少ない
接触面積で保持する手段、例えば、複数の小突起部又は
ローラ軸受け部による点接触を利用した機構や、ガス噴
射ノズルによるガス噴射圧によりサセプタを保持機構か
ら一定距離だけ離した状態で固定する手段などが挙げら
れるが、請求項１の発明では特に限定しない。

【００１７】もちろん、本発明のエピタキシャル成長炉
は、電動モータなどの駆動機構が不要であり、構造が簡
単でコストもかからないものとなっている。

【００１８】また、請求項２に係る発明は、請求項１に
記載のエピタキシャル成長炉において、前記摩擦低減手
段は、前記保持機構の支持部のうち少なくとも前記サセ
プタの荷重がかかる接触部であって、該接触部は前記サ
セプタを略点接触で支持する複数の小突起部で構成され
ていることを特徴としている。

【００１９】即ち、本発明のエピタキシャル成長炉は、
摩擦低減手段が、サセプタを略点接触で支持する複数の
小突起部からなるものとすることによって、サセプタと
保持機構との間の接触面積を小さくして、両者間に生じ
る摩擦を低減して、サセプタの回転をスムーズにするも
のとしている。

【００２０】小突起部は、サセプタを略点接触で支持す
るものであればよく、微小な球体状に限らず、微小な矩
形状、微小な線状のものなど、その形は特に限定しな
い。好ましくは、小突起部がボール軸受けやローラ軸受
けなどのような回転軸受け構造のものとすれば、より一
層摩擦力を低減でき好ましい。

【００２１】尚、本発明は、半導体ウエハ基板を横に載
置した状態でエピタキシャル成長させる、いわゆる横型
のエピタキシャル成長炉のみならず、特に荷重が一点に
集中してサセプタと保持機構との間の摩擦が大きくなり
易い、いわゆる縦型のエピタキシャル成長炉（即ち、半
導体ウエハ基板を縦に載置した状態でエピタキシャル成
長させるもの）に対しても有効である。

【００２２】特に、縦型の場合、サセプタを略点接触に
より支持した状態でガス流形成手段により下から上へ流
れる流れを形成させ、この流れによりサセプタを回転さ
せる構成とすれば、サセプタに対してガス流による浮力
も作用するため、サセプタが持ち上げられることとな
る。そのため、半導体ウエハ基板を保持するサセプタ
と、サセプタの位置を回転可能に固定する保持機構との
間に発生する摩擦が更に減少してサセプタがより一層ス
ムーズに回転するようになる。

【００２３】このように本発明のエピタキシャル成長炉
は、サセプタがスムーズに回転して半導体ウエハ基板表
面の雰囲気状態が均一になるため、均一なエピタキシャ
ル膜が得られる。

【００２４】また、請求項３に係る発明は、請求項１又
は請求項２に記載のエピタキシャル成長炉において、前
記摩擦低減手段は、前記保持機構の支持部において、前
記サセプタの荷重に逆らう方向に所定のガスを噴出させ
て前記サセプタに浮上力を与えるガス浮上手段を備えて
いることを特徴としている。

【００２５】即ち、請求項３の発明では、サセプタを支
持する支持部が、前記サセプタの荷重に逆らう方向に向
けて所定のガスを噴出させるガス浮上手段を備えている
が、これにより、サセプタの荷重（支持部に掛かる）が
減少する。好ましくは、このガス浮上手段によりサセプ
タを浮き上がらせて支持部との接触を断った状態でガス
流形成手段によりガス流を形成させて回転羽部材にサセ
プタを回転させることにより、サセプタと保持機構との
間の摩擦をほぼなくして、サセプタの回転をスムーズに
するものとしている。

【００２６】この浮上手段は、少なくとも支持部に掛か
るサセプタの荷重を減少させ、好ましくは、サセプタを
浮き上がらせて支持部との接触を断つものであり、例え
ば、サセプタを支持する支持部自体がサセプタの被噴射
面（支持面）に向かってガスを噴射してサセプタを浮き
上がらせる構成が挙げられる。この場合は、支持部をノ
ズルと兼用できる利点がある。また、支持部とは別に設
けられサセプタの被噴射面部と対峙する位置に単独又は
複数のガス噴射ノズルを備える構成が挙げられるが、ノ
ズルを自由に配置したり、改造が容易な利点がある。

【００２７】また、請求項４の発明は、請求項１〜３の
いずれか１項に記載のエピタキシャル成長炉において、
前記摩擦低減手段は、前記保持機構の支持部に回転軸受
け部を備えてなるものであることを特徴としている。

【００２８】即ち、請求項４の発明では、サセプタを支
持する支持部をボール軸受けやローラ軸受けなどのよう
な回転軸受け構造とすることにより、サセプタの回転時
に生じる摩擦をより一層低減できる。尚、この回転軸受
け部は、摩擦低減手段として単独で用いてもよいし、小
突起部又は／及び浮上手段と共に用いてもよい。

【００２９】また、請求項５の発明は、請求項１〜４の
いずれか１項に記載のエピタキシャル成長炉において、
前記保持機構はウエハ面が鉛直になるように前記サセプ
タを保持するものであり、前記ガス形成手段は、前記ウ
エハの裏面側に沿って下方から上方に向かってガス流を
形成させるものであり、前記摩擦低減手段は、前記保持
機構の支持部のうち、前記サセプタの側面に対峙する位
置に設けられていることを特徴としている。

【００３０】即ち、請求項５のエピタキシャル成長炉
は、保持機構が半導体ウエハ基板を縦にした状態となる
ようにサセプタを保持する、いわゆる縦型のものであ
り、縦型の成長炉は、重力の作用によりサセプタに係る
荷重がサセプタと保持機構との接触点に集中して摩擦が
大きくなり易い。本発明ではガス流形成手段が下方から
上方に向かって流れるガス流を形成させることにより、
サセプタに浮力を与えて前記摩擦を低減している。

【００３１】それだけでなく、サセプタの荷重が掛かる
側面に対峙する位置に摩擦低減手段、言い換えるとサセ
プタを略点接触で保持する支持部又は／及びガス噴射に
よりサセプタを浮き上がらせる支持部を設ける構成とす
ることで、更に前記摩擦力を効果的に低減してサセプタ
をより一層スムーズに回転させることを可能としてい
る。

【００３２】特にガス噴射ノズルをサセプタの側面に対
峙する位置に設けた場合、好ましくは、サセプタが浮き
上がり、他との接触点を持たない状態となる。従って、
保持機構との摩擦がなくなるので、サセプタ他の回転が
より一層スムーズになる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
について、図示例とともに説明する。図１は、本発明を
縦型のエピタキシャル成長炉に適用した際の一実施形態
を示す概念図であり、図１（ａ）は側断面図、図１
（ｂ）は図１（ａ）におけるサセプタ部分の拡大図であ
る。図２は、この実施形態におけるサセプタ２と保持機
構であるガイド板３との接触状態を示す概略説明図であ
る。

【００３４】この実施形態では、図１（ａ）に示したよ
うに、成長炉内がサセプタ保持機構であるガイド板３に
より反応室４ａと回転室４ｂとに二分され、ガス流形成
手段であるガス供給機構６が、反応室４ａ内には基準ガ
スと材料ガスとからなる反応ガスをエピタキシャル成長
させるのに最も好ましい流速で供給して反応ガス流を形
成させ、回転室４ｂ内には基準ガスのみをサセプタ２の
回転速度がエピタキシャル成長させるのに最も好ましい
流速で供給して基準ガス流を形成させている。

【００３５】ガイド板３は、円形の孔部を有する板状部
材であり、この円形の孔部周縁には摩擦低減手段とし
て、サセプタを複数箇所で点接触で支持する複数のボー
ル軸受９ａ〜９ｌが設けられている。

【００３６】サセプタ２は、略円板状部材であり、一方
の面側に半導体ウエハ基板の載置面を有し、他方の面側
には回転羽部材である複数のフィン１ａ〜１ｈが向きを
揃えて周設されている。フィン１ａ〜１ｈは、図２に示
したように、「くの字」型の断面を有する構造であり、
サセプタ２がガイド板３の穴の中に回転可能に嵌め込ま
れたときに回転室４ｂ内に突出した状態で配される。

【００３７】このフィン１ａ〜１ｈは、断面が「くの
字」型であるため、図２での１ｅのようにフィンの裏面
がガス流と対面していれば、ガス流を最大限に受けて空
気抵抗が大きくなり、逆に図２での１ａのように表面が
ガス流と対面していれば、ガス流に逆らわずにガス流を
逃すので、空気抵抗が小さくなる。

【００３８】従って、これらフィン１ａ〜１ｈが受ける
空気抵抗は、ガス流に対する向きによりそれぞれ異な
り、サセプタ２は、これらフィン１ａ〜１ｈが夫々受け
る空気抵抗の相対的な差により矢印Ａ方向に回転する構
成となっている。

【００３９】また、サセプタの側面には、図１（ｂ）に
示したように溝８が設けられており、この溝８内にガイ
ド板３の孔部周縁が嵌め込まれる。このとき、孔部周縁
に設けられたボール軸受９ａ〜９ｌがそれぞれサセプタ
と点で接触して支持するので、図２に示したようにサセ
プタと孔部周縁との接触面積が極僅かとなり、また、サ
セプタの回転時に生じる摩擦を緩和する。

【００４０】このようなサセプタ支持状態で、ガス供給
機構６が回転室４ｂ内に矢印Ｂに示した下方から上方に
向かう基準ガスの流れを生じさせると、フィン１ａ〜１
ｈが夫々受ける空気抵抗の相対的な差によりサセプタが
矢印Ａ方向に回転するが、このとき摩擦による回転力の
損失が極力少なくなる。

【００４１】尚、本実施形態では、フィンの形状を「く
の字」型としたが、フィンの表裏で受ける空気抵抗が異
なる形状のものであればサセプタを回転させることがで
きるので、この実施形態に限らず採用することができ
る。例えば、図４に示すように、フィンの形状を「Ｕの
字」型とすることもできる。

【００４２】また、図５に示すように、サセプタ２の裏
面であって、周設されたフィンの内側に、円筒状部材１
１を設けても良い。この場合には、円筒状部材１１の下
部の壁面でガス流から浮上力を受けるため、サセプタ２
を浮上することが容易となる。

【００４３】また、このような円筒状部材１１を設けた
場合には、図５に示すようにフィンの形状を平板形状と
しても良い。この場合には、平板状のフィンと円筒状部
材１１の壁面のなす形状が、略「くの字」型となるた
め、図２でフィンの形状を「くの字」型とした場合と同
様に、フィン１ａ〜１ｈが夫々受ける空気抵抗の相対的
な差により、サセプタ２は矢印Ａ方向に回転する。

【００４４】図１には縦型のエピタキシャル成長炉に適
用した例を挙げているが勿論、これに限らず横型のエピ
タキシャル成長炉にも適用できることはいうまでもな
い。

【００４５】このようなエピタキシャル成長炉構成で
は、反応室４ａ内と回転室４ｂ内に基準ガスとして水素
ガスを充填させてから半導体ウエハ基板５をロボットハ
ンドのようなウエハ搬送手段（図示しない）によりサセ
プタ２にセットし、赤外線ヒータ７により炉内の温度を
約１０００℃まで上昇させる。この時、半導体ウエハ基
板５の裏面側には複雑な機構が存在しないので部分的に
熱伝導性が損なわれることなく半導体ウエハ基板５全体
にほぼ均一に熱を伝えることができる。

【００４６】炉内の温度が約１０００℃に達したら、エ
アーコンディショナー６が反応室４ａ内にはシリコンソ
ースガスを含んだ反応ガスをエピタキシャル成長に最も
適した流速で供給すると同時に回転室４ｂ内には、水素
ガスをサセプタ２の回転速度が最も好ましい速度となる
流速で供給する。これにより、膜厚及び面内の抵抗率が
均一なエピタキシャル膜が形成される。

【００４７】このとき、サセプタ回転の際に生じる摩擦
が極僅かであるので、ガス供給機構６が形成するガス流
を余分に強くするなどの必要がなく、ガス供給機構６に
かける負担を小さくすることができる。

【００４８】所望のエピタキシャル膜が得られたら、ロ
ボットハンドのようなウエハ搬送手段（図示しない）に
より炉内から取り出してウエハカセット（図示せず）内
に収める。

【００４９】また、図３は、サセプタ２とガイド部３と
の別の接触状態を示す概略説明図であり、図３（ａ）
は、サセプタを裏面側から見た概略図であり、図３
（ｂ）は、図３（ａ）の部分概略図である。尚、他の構
成部分は図１で説明したものと同様とする。

【００５０】この実施形態では、ガイド部３の円形の孔
部周縁に設ける支持部として複数の微小なガス噴射ノズ
ル１０ａ〜１０ｌを備えるものとし、このガス噴射ノズ
ルからガスが噴射されていないときには、ノズル部分が
点接触によってサセプタ２を支持するものとしている。

【００５１】ガス供給機構６からガスが供給されていな
いときは、サセプタは、図３（ａ）に示したように円形
の孔部下部領域のガス噴射ノズル１０ｂ〜１０ｆにより
点接触により支持されている。エピタキシャル成長の際
にガス供給機構６からガスが供給されると共に、ガス噴
射ノズル１０ａ〜１０ｌからガスが噴射されると、サセ
プタ２がガス噴射ノズルから噴射されたガス流により円
形の孔部周縁から浮き上がり、この状態で回転する。そ
のため、サセプタの回転時に生じる摩擦が生じず、摩擦
による回転力の損失がないという利点を有する。

【００５２】尚、この実施形態によるエピタキシャル成
長も、ガス供給機構６が回転室４ｂ内にエアを供給する
と同時にガス噴射ノズルからガスを噴射させる構成とす
る以外は、上述とほぼ同様の手順で行うことができる。

【００５３】

【発明の効果】このように、本発明では、簡単な構成の
回転機構で半導体ウエハ基板を回転できるエピタキシャ
ル成長炉が得られる。また、構造が簡単であることか
ら、半導体ウエハ基板を裏面側から加熱した際にも均一
に熱が伝わり易いので、大口径半導体ウエハ基板であっ
ても全面均一に熱を伝えることができるという利点もあ
る。更に、回転機構が反応室内に収まる程度にできるの
でコンパクトなエピタキシャル成長炉が得られる。

【００５４】また、半導体ウエハ基板を回転させるため
に、例えば、モータなどの機械的手段が不要であるの
で、機械的手段からの金属やパーティクルなどによる汚
染の心配もないという効果もある。

【００５５】さらに、サセプタと保持機構との間に生じ
る摩擦を小さくする摩擦低減手段を備えているため、サ
セプタの回転がスムーズであり、摩擦による回転力の損
失が少ないだけでなく、摩擦が少ない分だけガス流の流
圧を下げることができるので少ない流体エネルギーでサ
セプタを回転させることができ、回転効率が良好とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を縦型のエピタキシャル成長炉に適用し
た際の一実施形態を示す概念図である。

【図２】図１の実施形態におけるサセプタ２とガイド部
３との接触状態を示す概略説明図である。

【図３】サセプタ２とガイド部３との別の接触状態を示
す概略説明図である。

【図４】Ｕ字型のフィンを有するサセプタの概略構成図
である。

【図５】平板形状のフィン及びフィンの内側に円筒状部
材及びのガス流遮断部を有するサセプタの概略構成図で
ある。

【符号の説明】

１ａ〜１ｈ フィン ２ サセプタ ３ ガイド ４ａ 反応室 ４ｂ 回転室 ５ 半導体ウエハ基板 ６ ガス供給機構 ７ 赤外線ヒータ ８ 溝 ９ａ〜９ｌ ボール軸受 １０ａ〜１０ｌ ガス噴射ノズル １１ 円筒状部材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 和俊 群馬県安中市中野谷555番地の１ 株式会 社スーパーシリコン研究所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハ基板を材料ガスを含んだ反
   応ガス雰囲気中で予め定められた成長温度に加熱した状
   態で維持することによりエピタキシャル成長させるエピ
   タキシャル成長炉において、 前記ウエハ基板を保持するサセプタと、 該サセプタを回転自在に保持する保持機構と、 前記保持機構で保持される前記サセプタの裏面側に予め
   定めた方向のガス流を形成させるガス流形成手段と、 該ガス流形成手段からのガス流を受けて前記サセプタを
   特定方向に回転させる回転羽部材とを備え前記保持機構
   は、前記サセプタと接触する支持部に、前記サセプタ回
   転時の摩擦抵抗を抑える摩擦低減手段を備えていること
   を特徴とするエピタキシャル成長炉。
2. 【請求項２】 前記摩擦低減手段は、前記保持機構の支
   持部のうち少なくとも前記サセプタの荷重がかかる接触
   部であって、該接触部は前記サセプタを略点接触で支持
   する複数の小突起部で構成されていることを特徴とする
   請求項１に記載のエピタキシャル成長炉。
3. 【請求項３】 前記摩擦低減手段は、前記保持機構の支
   持部において、前記サセプタの荷重に逆らう方向に所定
   のガスを噴出させて前記サセプタに浮上力を与えるガス
   浮上手段を備えていることを特徴とする請求項１又は２
   に記載のエピタキシャル成長炉。
4. 【請求項４】 前記摩擦低減手段は、前記保持機構の支
   持部に回転軸受け部を備えてなるものであることを特徴
   とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のエピタキシ
   ャル成長炉。
5. 【請求項５】 前記保持機構はウエハ面が鉛直になるよ
   うに前記サセプタを保持するものであり、 前記ガス形成手段は、前記ウエハの裏面側に沿って下方
   から上方に向かってガス流を形成させるものであり、 前記摩擦低減手段は、前記保持機構の支持部のうち、前
   記サセプタの側面に対峙する位置に設けられていること
   を特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のエピ
   タキシャル成長炉。