JPH11112283A - Surface acoustic wave element and its manufacture - Google Patents
Surface acoustic wave element and its manufactureInfo
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- JPH11112283A JPH11112283A JP29151397A JP29151397A JPH11112283A JP H11112283 A JPH11112283 A JP H11112283A JP 29151397 A JP29151397 A JP 29151397A JP 29151397 A JP29151397 A JP 29151397A JP H11112283 A JPH11112283 A JP H11112283A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波素子およ
びその製造方法に関する。The present invention relates to a surface acoustic wave device and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】弾性表面波素子（共振子、フィルタ等）
は、励振する電極面を中空かつ気密にするため、セラミ
ック等のパッケージを用いて溶接により封止している。
セラミックパッケージ等は高価なため部品としてのコス
トの大きな割合を占め、又パッケージを使用するとチッ
プ状態で処理する必要があるため、ウエハ上で処理する
よりも大きな工数が必要となる。2. Description of the Related Art Surface acoustic wave devices (resonators, filters, etc.)
Are sealed by welding using a package of ceramic or the like in order to make the exciting electrode surface hollow and airtight.
A ceramic package or the like is expensive and occupies a large proportion of the cost as a component. Further, when a package is used, it is necessary to perform processing in a chip state, so that a larger number of steps are required than processing on a wafer.
【０００３】また、図１１に示したように、１チップの
弾性表面波素子２５を１つのセラミックパッケージ２２
に入れる場合には、セラミックパッケージ２２の大きさ
により部品の大きさが決定されるので小型化が困難であ
り、又弾性表面波素子２５の電極２６とパッケージ電極
２４とを接続するボンディングワイヤ２３とキャップ２
１とが接触しないように、十分な厚さが必要であり、部
品の薄型化にも制約があった。As shown in FIG. 11, one chip surface acoustic wave element 25 is connected to one ceramic package 22.
In this case, since the size of the component is determined by the size of the ceramic package 22, miniaturization is difficult, and a bonding wire 23 for connecting the electrode 26 of the surface acoustic wave element 25 and the package electrode 24 is required. Cap 2
A sufficient thickness is required so as not to come into contact with 1, and there is also a limitation in making the parts thinner.
【０００４】また、弾性表面波素子を他のＩＣ回路等と
共に封止する場合には、封止用の樹脂が励振する電極表
面に触れると所望の電気特性を満足することはできなく
なるので、励振する電極面が露出している弾性表面波素
子をそのままＩＣ回路等と共に樹脂で封止する方法を採
ることもできないという問題があった。When the surface acoustic wave element is sealed together with other IC circuits or the like, if the sealing resin touches the surface of the electrode to be excited, desired electrical characteristics cannot be satisfied. There is also a problem that it is not possible to employ a method of sealing a surface acoustic wave element having an exposed electrode surface with a resin together with an IC circuit or the like.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の問題点であるパッケージの使用に伴う部品の大型
化やパッケージングによって工数がかかるという問題を
解決し、小型であってしかも低コストで製造できる弾性
表面波素子およびその製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the problems of the prior art, that is, the problem that the man-hours are required due to the increase in the size and packaging of the components due to the use of the package, and that the size and the size are reduced. It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device that can be manufactured at low cost and a method for manufacturing the same.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは、少なくとも弾性表面波の励振および
伝搬部分上に、弾性表面波の励振および伝搬を妨げず弾
性表面波が励振かつ伝搬可能な厚さ（数ミクロン程度）
の窒化シリコン保護膜を形成し、その窒化シリコン膜を
覆うポリシリコン層であって弾性表面波の励振および伝
搬部分上の窒化シリコン保護膜上に弾性表面波が振動可
能な中空空間を有するポリシリコン層のカバー膜を設け
た構造とすれば、パッケージが不要となり、また、この
ような構造はチップ化する前のウエハ上で作成できるの
で、工数が少なくなり低コストで製造できるということ
を見いだした。Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, the present inventors have proposed that at least the surface acoustic wave is excited and propagated without disturbing the surface acoustic wave excitation and propagation. Thickness that can be propagated (about several microns)
Polysilicon having a hollow space in which a surface acoustic wave can be oscillated on a silicon nitride protective film on a surface acoustic wave excitation and propagation portion, wherein the silicon nitride protective film is formed and a polysilicon layer covering the silicon nitride film is formed. If a structure with a layer of cover film is provided, no package is required, and since such a structure can be formed on a wafer before being formed into chips, it has been found that the number of steps can be reduced and the device can be manufactured at low cost. .
【０００７】さらに、このような構造の弾性表面波素子
は、以下の方法で好ましく製造されることを見いだし
た。まず、圧電基板上にすだれ状電極（ＩＤＴ：Inter-
Digital Transducer）と反射器もしくはＩＤＴのみから
なる弾性表面波素子を作成する。次に、基板全体に弾性
表面波の励振および伝搬を妨げない程度（数ミクロン）
の窒化シリコンを堆積させる。さらに、弾性表面波共振
子のパターンを覆い隠すように金属酸化膜をパターニン
グ形成し、その後ポリシリコンを基板全体に堆積させ
る。電極のボンディングパッド部分に対応する部分に窓
開けを行い、先に堆積させた金属酸化膜のみを選択的に
ウェットエッチングによりエッチング除去し弾性表面波
の励振部分に空間を持たせる。この素子を使用する際に
は、素子を回路基板にダイボンディング、ワイヤボンデ
ィングした後、ボンディングパッド部を樹脂で覆うこと
で素子の気密性を保つ。Further, it has been found that the surface acoustic wave device having such a structure is preferably manufactured by the following method. First, an interdigital electrode (IDT: Inter-
A surface acoustic wave element comprising only a digital transducer and a reflector or an IDT is created. Next, the degree that does not hinder the excitation and propagation of surface acoustic waves over the entire substrate (several microns)
Is deposited. Further, a metal oxide film is formed by patterning so as to cover the pattern of the surface acoustic wave resonator, and then polysilicon is deposited on the entire substrate. A window is opened in a portion corresponding to the bonding pad portion of the electrode, and only the previously deposited metal oxide film is selectively removed by wet etching to leave a space in the surface acoustic wave excitation portion. When using this element, the element is die-bonded and wire-bonded to a circuit board, and then the bonding pad portion is covered with resin to maintain the airtightness of the element.
【０００８】本発明は以上の知見に基づくものであり、
請求項１によれば、圧電基板の一主面上に形成された電
極を持つ弾性表面波素子において、前記一主面上におけ
る弾性表面波の励振および伝搬部分に設けられた保護膜
であって弾性表面波が励振かつ伝搬可能な厚さの前記保
護膜と、前記保護膜を覆って前記一主面上に設けられた
薄膜層であって、前記保護膜上に弾性表面波が振動可能
な中空空間を有する前記薄膜層と、を備えることを特徴
とする弾性表面波素子が提供される。[0008] The present invention is based on the above findings,
According to claim 1, in a surface acoustic wave device having electrodes formed on one main surface of a piezoelectric substrate, a protective film is provided on an excitation and propagation portion of the surface acoustic wave on the one main surface. A protective film having a thickness capable of exciting and propagating a surface acoustic wave, and a thin film layer provided on the one main surface to cover the protective film, wherein the surface acoustic wave can vibrate on the protective film. A surface acoustic wave element comprising: the thin film layer having a hollow space.
【０００９】このように、弾性表面波が励振かつ伝搬可
能な厚さの保護膜と、弾性表面波が振動可能な中空空間
を有する薄膜層とを備える構造とすれば、パッケージが
不要となるので小型化が可能となり、また、これら保護
膜や薄膜層は、チップ化する前の圧電基板上で作成でき
るので、工数が少なくなり低コストで製造できる。As described above, if the structure is provided with the protective film having a thickness capable of exciting and propagating the surface acoustic wave and the thin film layer having the hollow space in which the surface acoustic wave can vibrate, the package becomes unnecessary. It is possible to reduce the size, and since these protective films and thin film layers can be formed on the piezoelectric substrate before being formed into chips, the number of steps can be reduced and the manufacturing can be performed at low cost.
【００１０】請求項２によれば、圧電基板の一主面上に
電極を形成する工程と、その後、少なくとも前記一主面
における弾性表面波の励振および伝搬部分上に弾性表面
波が励振かつ伝搬可能な厚さの保護膜を形成する工程
と、その後、前記一主面における弾性表面波の励振およ
び伝搬部分に、前記保護膜とエッチング速度が異なる絶
縁膜を選択的に形成する工程と、その後、前記保護膜お
よび前記絶縁膜を覆って前記一主面上に前記絶縁膜とエ
ッチング速度が異なる薄膜層を形成する工程と、その
後、前記絶縁膜の一部を露出する開口を前記薄膜層に形
成する工程と、その後、前記開口を介して前記絶縁膜を
選択的にエッチング除去することにより、前記一主面に
おける弾性表面波の励振および伝搬部分上の前記保護膜
上に弾性表面波が振動可能な中空空間を形成する工程
と、を備えることを特徴とする弾性表面波素子の製造方
法が提供される。According to the second aspect, a step of forming an electrode on one principal surface of the piezoelectric substrate, and thereafter, the surface acoustic wave is excited and propagated on at least the excitation and propagation portion of the surface acoustic wave on the one principal surface. A step of forming a protective film of a possible thickness, and thereafter, a step of selectively forming an insulating film having an etching rate different from that of the protective film on the excitation and propagation portion of the surface acoustic wave on the one main surface, Forming a thin film layer having an etching rate different from that of the insulating film on the one main surface by covering the protective film and the insulating film; and thereafter, forming an opening exposing a part of the insulating film in the thin film layer. Forming and then selectively etching away the insulating film through the opening, so that the surface acoustic wave vibrates on the protective film on the surface acoustic wave excitation and propagation portion on the one main surface. Forming a capability hollow space, a method for manufacturing a surface acoustic wave device characterized in that it comprises is provided.
【００１１】請求項３によれば、圧電基板の一主面上に
電極を形成する工程と、その後、前記一主面の全面に弾
性表面波の励振および伝搬を妨げない厚さの窒化シリコ
ンからなる保護膜を形成する工程と、その後、前記電極
のボンディングパッドを露出する第１の開口を前記保護
膜に形成する工程と、その後、前記一主面における弾性
表面波の励振および伝搬部分のみに、金属酸化膜を選択
的に形成する工程と、その後、前記窒化シリコン保護膜
および前記金属酸化膜を覆って前記一主面上にポリシリ
コンからなる薄膜層を形成する工程と、その後、前記電
極のボンディングパッドに対応する位置において前記金
属酸化膜を露出する第２の開口を前記薄膜層に形成する
工程と、その後、前記第２の開口を介して前記金属酸化
膜を選択的にエッチング除去することにより、前記一主
面における弾性表面波の励振および伝搬部分上の前記保
護膜上に弾性表面波が振動可能な中空空間を形成する工
程と、を備えることを特徴とする弾性表面波素子の製造
方法が提供される。According to the third aspect, a step of forming an electrode on one main surface of the piezoelectric substrate, and thereafter, the entire surface of the one main surface is made of silicon nitride having a thickness that does not hinder the excitation and propagation of surface acoustic waves. Forming a first opening exposing the bonding pad of the electrode in the protective film, and then forming only a portion of the one main surface where the surface acoustic wave is excited and propagated. Selectively forming a metal oxide film, and thereafter forming a thin film layer made of polysilicon on the one main surface, covering the silicon nitride protective film and the metal oxide film, and then forming the electrode Forming a second opening in the thin film layer to expose the metal oxide film at a position corresponding to the bonding pad, and then selectively etching the metal oxide film through the second opening. Forming a hollow space in which the surface acoustic wave can vibrate on the protective film on a portion where the surface acoustic wave is excited and propagated on the one main surface by removing the surface. A method for manufacturing a wave element is provided.
【００１２】これらの製造方法によれば、弾性表面波が
励振かつ伝搬可能な厚さの保護膜又は弾性表面波の励振
および伝搬を妨げない厚さの窒化シリコンからなる保護
膜と、弾性表面波が振動可能な中空空間を有する薄膜層
とを備える構造をチップ化する前の圧電基板上で作成で
きるので、工数が少なくなり低コストで製造できるよう
になる。また、このような構造にして製造される弾性表
面波素子においては、パッケージが不要となるので小型
化が可能となる。According to these manufacturing methods, a protective film having a thickness capable of exciting and propagating the surface acoustic wave or a protective film made of silicon nitride having a thickness which does not hinder the excitation and propagation of the surface acoustic wave; Since a structure including a thin film layer having a hollow space capable of vibrating can be formed on a piezoelectric substrate before being chipped, the number of steps can be reduced and the manufacturing can be performed at low cost. Further, in the surface acoustic wave device manufactured with such a structure, a package is not required, so that the size can be reduced.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１４】図１〜図８は、本発明の一実施の形態の弾
性表面波素子およびその製造方法を説明するために製造
工程順に示した概略縦部分断面図であり、図９、図１０
は、本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造方法
を説明するためのフローチャートである。FIGS. 1 to 8 are schematic vertical partial sectional views showing a surface acoustic wave element according to an embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same in the order of manufacturing steps. FIGS.
5 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
【００１５】まず、本実施の形態の弾性表面波素子の製
造方法を工程順に説明する。First, a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present embodiment will be described in the order of steps.
【００１６】工程１） 弾性表面波素子作成工程 まず、図１に示すように、ＬｉＮｂＯ3 等の圧電材料か
らなる圧電基板３１上に金（Ａｕ）３２００オングスト
ロームの電極３２を形成した弾性表面波素子が３インチ
ウエハ内に約２００チップある基板を用意した。Step 1) Step of Making Surface Acoustic Wave Element First, as shown in FIG. 1, a surface acoustic wave element in which an electrode 32 of 3200 Å of gold (Au) is formed on a piezoelectric substrate 31 made of a piezoelectric material such as LiNbO 3. Prepared a substrate having about 200 chips in a 3-inch wafer.
【００１７】より詳細には、図９に示すように、まず、
３インチウエハの圧電基板３１を洗浄し、その後圧電基
板３１上に金電極３２を蒸着する。次に、圧電基板３１
上にフォトレジストを塗布しプリベークを行う。その
後、露光、現像し、ポストベークを行う。次に、フォト
レジストをマスクにして金電極３２を選択的にエッチン
グし、その後、レジストを剥離する。More specifically, as shown in FIG.
The piezoelectric substrate 31 of a 3-inch wafer is washed, and then a gold electrode 32 is deposited on the piezoelectric substrate 31. Next, the piezoelectric substrate 31
A photoresist is applied on top and pre-baked. Thereafter, exposure, development, and post-baking are performed. Next, the gold electrode 32 is selectively etched using the photoresist as a mask, and then the resist is stripped.
【００１８】工程２） 窒化シリコン保護膜形成 次に、図２に示すように、ウエハ全体に保護膜として窒
化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）膜３３をスパッタにより１μｍ
堆積させる。Step 2) Formation of Silicon Nitride Protective Film Next, as shown in FIG. 2, a silicon nitride (Si 3 N 4 ) film 33 is formed as a protective film on the entire wafer to a thickness of 1 μm by sputtering.
Deposit.
【００１９】工程３） 素子のボンディングパッド部上
への配線用の窓開け 次に、図３に示すように、弾性表面波素子のボンディン
グパッド部３７を露出する開口３８を窒化シリコン膜３
３に設ける。Step 3) Opening a window for wiring on the bonding pad portion of the device Next, as shown in FIG. 3, an opening 38 exposing the bonding pad portion 37 of the surface acoustic wave device is formed in the silicon nitride film 3.
3 is provided.
【００２０】より詳細には、図９に示すように、窒化シ
リコン膜上にフォトレジストを塗布しプリベークを行
う。その後、露光、現像し、ポストベークを行う。次
に、フォトレジストをマスクにして窒化シリコン膜を選
択的にウェットエッチングし、その後、レジストを剥離
する。More specifically, as shown in FIG. 9, a photoresist is applied on the silicon nitride film and prebaked. Thereafter, exposure, development, and post-baking are performed. Next, the silicon nitride film is selectively wet-etched using the photoresist as a mask, and then the resist is removed.
【００２１】工程４） 酸化亜鉛膜形成 次に、図４に示すように、ウエハ全体に酸化亜鉛膜３４
をスパッタにより堆積させる。Step 4) Formation of Zinc Oxide Film Next, as shown in FIG.
Is deposited by sputtering.
【００２２】工程５） 酸化亜鉛膜のパターニング 次に、図５に示すように、弾性表面波が励振され、かつ
伝搬する部分だけ酸化亜鉛膜３４が残るように酸化亜鉛
膜３４をパターニングする。Step 5) Patterning of Zinc Oxide Film Next, as shown in FIG. 5, the zinc oxide film 34 is patterned so that only the portion where the surface acoustic wave is excited and propagates remains.
【００２３】より詳細には、図９に示すように、酸化亜
鉛膜上にフォトレジストを塗布しプリベークを行う。そ
の後、露光、現像し、ポストベークを行う。次に、フォ
トレジストをマスクにして酸化亜鉛膜を選択的にエッチ
ングし、その後、レジストを剥離する。More specifically, as shown in FIG. 9, a photoresist is applied on the zinc oxide film and prebaked. Thereafter, exposure, development, and post-baking are performed. Next, the zinc oxide film is selectively etched using the photoresist as a mask, and then the resist is stripped.
【００２４】工程６） ポリシリコンのカバー層形成 次に、図６に示すように、ウエハ全面にポリシリコンの
カバー層３５を形成する。Step 6) Forming Polysilicon Cover Layer Next, as shown in FIG. 6, a polysilicon cover layer 35 is formed on the entire surface of the wafer.
【００２５】工程７） ボンディングパッド部窓開け 次に、図７に示すように、素子のボンディングパッド部
３７上においてポリシリコンのカバー層３５に窓開けを
行い、酸化亜鉛膜３４を露出する開口３９を形成する。Step 7) Opening the bonding pad portion window Next, as shown in FIG. 7, a window is opened in the polysilicon cover layer 35 on the bonding pad portion 37 of the element, and an opening 39 exposing the zinc oxide film 34 is formed. To form
【００２６】より詳細には、図１０に示すように、ポリ
シリコンのカバー層上にフォトレジストを塗布しプリベ
ークを行う。その後、露光、現像し、ポストベークを行
う。次に、フォトレジストをマスクにしてポリシリコン
のカバー層を選択的にエッチングし、その後、レジスト
を剥離する。More specifically, as shown in FIG. 10, a photoresist is applied on a polysilicon cover layer and prebaked. Thereafter, exposure, development, and post-baking are performed. Next, the polysilicon cover layer is selectively etched using the photoresist as a mask, and then the resist is stripped.
【００２７】工程８） 振動空間形成 次に、図８に示すように、開口３９を介して酸化亜鉛膜
３４をウェットエッチングにより選択的に除去して、振
動用空間３６を形成すると共に開口３８を介して素子の
ボンディングパッド部３７を露出する。Step 8) Formation of Vibration Space Next, as shown in FIG. 8, the zinc oxide film 34 is selectively removed by wet etching through the opening 39 to form the vibration space 36 and the opening 38. The bonding pad portion 37 of the element is exposed through the device.
【００２８】このようにして製造された弾性表面波素子
においては、弾性表面波の励振および伝搬部分上に弾性
表面波の励振および伝搬を妨げず、弾性表面波が励振か
つ伝搬可能な厚さの窒化シリコンからなる保護膜が形成
され、さらに、弾性表面波が振動可能な中空空間３６を
有するポリシリコン層３５が弾性表面波素子を覆って形
成されるので、弾性表面波素子の特性を確保するために
セラミックパッケージ等が不要となって小型化が可能と
なり、また、チップ化する前のウエハの状態で作成でき
るので、工数が少なくなり低コストで製造できる。In the surface acoustic wave device manufactured in this manner, the thickness of the surface acoustic wave element is set so that the surface acoustic wave can be excited and propagated without hindering the surface acoustic wave excitation and propagation on the surface acoustic wave excitation and propagation portion. A protective film made of silicon nitride is formed, and a polysilicon layer 35 having a hollow space 36 in which surface acoustic waves can oscillate is formed so as to cover the surface acoustic wave element, thereby ensuring the characteristics of the surface acoustic wave element. This eliminates the need for a ceramic package or the like, thereby enabling downsizing. In addition, since it can be made in the state of a wafer before being formed into chips, the number of steps can be reduced and manufacturing can be performed at low cost.
【００２９】なお、ボンディングパッド部３７を露出す
る開口３８、３９はボンディングパッド部３７への配線
のために使用される。The openings 38 and 39 exposing the bonding pad 37 are used for wiring to the bonding pad 37.
【００３０】また、本実施の形態の弾性表面波素子を使
用する際には、素子を回路基板にダイボンディング、ワ
イヤボンディングした後、ボンディングパッド部を樹脂
で覆うことで素子の気密性を保つ。When the surface acoustic wave device according to the present embodiment is used, the device is die-bonded and wire-bonded to a circuit board, and then the bonding pad portion is covered with resin to maintain the airtightness of the device.
【００３１】[0031]
【発明の効果】本発明によれば、セラミックや缶パッケ
ージを使用することなく弾性表面波素子を製造すること
が可能である。またウエハ単位のバッチ処理により素子
の表面に振動用の空間を形成するため、従来に比べ後工
程の工程数を大幅に少なくすることができる。以上よ
り、大幅なコスト削減が可能である。さらに、パッケー
ジを使用する必要がないので、素子の小型化が可能であ
る。According to the present invention, it is possible to manufacture a surface acoustic wave device without using a ceramic or a can package. Further, since a space for vibration is formed on the surface of the element by batch processing for each wafer, the number of post-processes can be significantly reduced as compared with the related art. As described above, significant cost reduction is possible. Further, since there is no need to use a package, the size of the device can be reduced.
【図１】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための概略縦部分断面図である。FIG. 1 is a schematic vertical partial sectional view for explaining a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための概略縦部分断面図である。FIG. 2 is a schematic vertical partial cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための概略縦部分断面図である。FIG. 3 is a schematic vertical partial sectional view for explaining a method of manufacturing the surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための概略縦部分断面図である。FIG. 4 is a schematic vertical partial sectional view for explaining a method of manufacturing the surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
【図５】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための概略縦部分断面図である。FIG. 5 is a schematic vertical partial sectional view for explaining a method of manufacturing the surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
【図６】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための概略縦部分断面図である。FIG. 6 is a schematic vertical partial cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
【図７】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための概略縦部分断面図である。FIG. 7 is a schematic vertical partial cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
【図８】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子および
その製造方法を説明するための概略縦部分断面図であ
る。FIG. 8 is a schematic vertical partial cross-sectional view for explaining a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same.
【図９】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するためのフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製
造方法を説明するためのフローチャートである。FIG. 10 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
【図１１】従来の弾性表面波素子のパッケージングを説
明するための縦断面図である。FIG. 11 is a longitudinal sectional view for explaining packaging of a conventional surface acoustic wave element.
３１…圧電基板 ３２…電極 ３３…窒化シリコン膜 ３４…酸化亜鉛膜 ３５…ポリシリコン ３６…振動空間 ３７…ボンディングパッド部 ３８、３９…開口 ２１…パッケージのキャップ ２２…セラミックパッケージ ２３…ボンディングワイヤ ２４…パッケージ電極 ２５…弾性表面波素子 ２６…電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 31 ... Piezoelectric substrate 32 ... Electrode 33 ... Silicon nitride film 34 ... Zinc oxide film 35 ... Polysilicon 36 ... Vibration space 37 ... Bonding pad 38, 39 ... Opening 21 ... Package cap 22 ... Ceramic package 23 ... Bonding wire 24 ... Package electrode 25: Surface acoustic wave element 26: Electrode
Claims (3)
つ弾性表面波素子において、 前記一主面上における弾性表面波の励振および伝搬部分
に設けられた保護膜であって弾性表面波が励振かつ伝搬
可能な厚さの前記保護膜と、 前記保護膜を覆って前記一主面上に設けられた薄膜層で
あって、前記保護膜上に弾性表面波が振動可能な中空空
間を有する前記薄膜層と、 を備えることを特徴とする弾性表面波素子。1. A surface acoustic wave device having electrodes formed on one principal surface of a piezoelectric substrate, wherein said protective film is provided on a portion of said one principal surface where said surface acoustic wave is excited and propagates. A protective film having a thickness capable of exciting and propagating a wave; and a thin film layer provided on the one main surface so as to cover the protective film, and a hollow space in which a surface acoustic wave can vibrate on the protective film. And a thin film layer having the following.
と、 その後、少なくとも前記一主面における弾性表面波の励
振および伝搬部分上に弾性表面波が励振かつ伝搬可能な
厚さの保護膜を形成する工程と、 その後、前記一主面における弾性表面波の励振および伝
搬部分に、前記保護膜とエッチング速度が異なる絶縁膜
を選択的に形成する工程と、 その後、前記保護膜および前記絶縁膜を覆って前記一主
面上に前記絶縁膜とエッチング速度が異なる薄膜層を形
成する工程と、 その後、前記絶縁膜の一部を露出する開口を前記薄膜層
に形成する工程と、 その後、前記開口を介して前記絶縁膜を選択的にエッチ
ング除去することにより、前記一主面における弾性表面
波の励振および伝搬部分上の前記保護膜上に弾性表面波
が振動可能な中空空間を形成する工程と、 を備えることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。2. A step of forming an electrode on one principal surface of a piezoelectric substrate, and thereafter, at least on a portion where the surface acoustic wave is excited and propagated on the one principal surface, has a thickness capable of exciting and propagating the surface acoustic wave. A step of forming a protective film, and thereafter, a step of selectively forming an insulating film having a different etching rate from that of the protective film in a portion where the surface acoustic wave is excited and propagated on the one main surface. Forming a thin film layer having a different etching rate from the insulating film on the one main surface over the insulating film, and then forming an opening in the thin film layer to expose a part of the insulating film; Thereafter, the insulating film is selectively removed by etching through the opening, so that the hollow space in which the surface acoustic wave can vibrate on the protective film on the portion where the surface acoustic wave is excited and propagated on the one main surface. Method of manufacturing a surface acoustic wave element for forming, comprising: a.
と、 その後、前記一主面の全面に弾性表面波の励振および伝
搬を妨げない厚さの窒化シリコンからなる保護膜を形成
する工程と、 その後、前記電極のボンディングパッドを露出する第１
の開口を前記保護膜に形成する工程と、 その後、前記一主面における弾性表面波の励振および伝
搬部分のみに、金属酸化膜を選択的に形成する工程と、 その後、前記窒化シリコン保護膜および前記金属酸化膜
を覆って前記一主面上にポリシリコンからなる薄膜層を
形成する工程と、 その後、前記電極のボンディングパッドに対応する位置
において前記金属酸化膜を露出する第２の開口を前記薄
膜層に形成する工程と、 その後、前記第２の開口を介して前記金属酸化膜を選択
的にエッチング除去することにより、前記一主面におけ
る弾性表面波の励振および伝搬部分上の前記保護膜上に
弾性表面波が振動可能な中空空間を形成する工程と、を
備えることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。3. A step of forming electrodes on one main surface of the piezoelectric substrate, and thereafter, forming a protective film made of silicon nitride having a thickness that does not hinder excitation and propagation of surface acoustic waves on the entire main surface of the piezoelectric substrate. And a first step of exposing a bonding pad of the electrode.
Forming an opening in the protective film, and then selectively forming a metal oxide film only on the excitation and propagation portion of the surface acoustic wave on the one main surface. Forming a thin film layer made of polysilicon on the one main surface to cover the metal oxide film; and then forming a second opening exposing the metal oxide film at a position corresponding to a bonding pad of the electrode. Forming the thin film layer, and then selectively etching away the metal oxide film through the second opening, thereby forming the protective film on the surface acoustic wave excitation and propagation portion on the one main surface. Forming a hollow space in which a surface acoustic wave can vibrate, the method for manufacturing a surface acoustic wave element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29151397A JPH11112283A (en) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | Surface acoustic wave element and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29151397A JPH11112283A (en) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | Surface acoustic wave element and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112283A true JPH11112283A (en) | 1999-04-23 |
Family
ID=17769869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29151397A Withdrawn JPH11112283A (en) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | Surface acoustic wave element and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11112283A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109728790A (en) * | 2019-01-16 | 2019-05-07 | 厦门云天半导体科技有限公司 | A kind of wafer level packaging structure and its technique of filter |
-
1997
- 1997-10-08 JP JP29151397A patent/JPH11112283A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109728790A (en) * | 2019-01-16 | 2019-05-07 | 厦门云天半导体科技有限公司 | A kind of wafer level packaging structure and its technique of filter |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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