JP2003037473A - Surface acoustic wave device, and manufacturing method therefor - Google Patents

Surface acoustic wave device, and manufacturing method therefor

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JP2003037473A
JP2003037473A JP2001222883A JP2001222883A JP2003037473A JP 2003037473 A JP2003037473 A JP 2003037473A JP 2001222883 A JP2001222883 A JP 2001222883A JP 2001222883 A JP2001222883 A JP 2001222883A JP 2003037473 A JP2003037473 A JP 2003037473A
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JP
Japan
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comb
electrode
piezoelectric substrate
acoustic wave
coating material
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Application number
JP2001222883A
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Japanese (ja)
Inventor
Naoyuki Mishima
直之 三島
Shingo Masuko
真吾 増子
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface acoustic wave device, which enables high-density mounting by scaling down the package size, and to obtain high reliability of bump junctions. SOLUTION: This surface acoustic wave device has at least a piezoelectric substrate, a comb-toothed electrode which is made on one main surface of the piezoelectric substrate, a coating material layer which is arranged in a region where the comb-toothed electrode is not made out of one main surface of the piezoelectric substrate; a laminate film which is arranged on the coating material layer and is arranged at a specified interval above the comb-toothed electrode; a rear electrode which is arranged on the laminate film; and a bump, which connects the rear electrode with one main surface of the piezoelectric substrate, piercing the laminate film and the coating material layer. Specified space is formed above the comb-toothed electrode by the coating material layer and the laminate film, and also the comb-toothed electrode is sealed airtightly. The bump and the rear electrode are directly connected with each other.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波装置及び
その製造方法に関し、特に、バンプを介してフェイスダ
ウンボンディングされた弾性表面波装置及びその製造方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device and a method for manufacturing the same, and more particularly to a surface acoustic wave device that is face-down bonded via bumps and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電波を使用する電子機器のフィル
タ、遅延線、発振器等の素子として、多くの弾性表面波
装置が用いられている。また、移動体通信等の分野にお
いて使用される電子機器は、その大きさの縮小と高信頼
性が要求されており、この縮小のために弾性表面波装置
の小型化も要求される。
2. Description of the Related Art In recent years, many surface acoustic wave devices have been used as elements such as filters, delay lines, and oscillators of electronic devices that use radio waves. In addition, electronic devices used in the field of mobile communication and the like are required to be reduced in size and have high reliability, and due to this reduction, miniaturization of surface acoustic wave devices is also required.

【0003】弾性表面波素子は、例えば圧電性基板の上
に形成された櫛歯電極の入力インターデジタルトランス
ジューサに電気信号を印加し、これを弾性表面波に変換
して圧電性基板の上を伝達させ、さらにもう1つの櫛歯
電極の出力インターデジタルトランスジューサに到達し
た弾性表面波を再度電気信号に変換して外部に取り出す
ように構成されている。
The surface acoustic wave element applies an electric signal to an input interdigital transducer of a comb-shaped electrode formed on a piezoelectric substrate, converts it into a surface acoustic wave, and transmits it on the piezoelectric substrate. Then, the surface acoustic wave reaching the output interdigital transducer of the other comb-teeth electrode is converted into an electric signal again and taken out to the outside.

【0004】従来の弾性表面波装置はFDB(フェイス
ダウンボンディング)構造を有する。弾性表面波素子上
に、バンプボンディング装置を用いてバンプを形成す
る。そして、弾性表面波素子をフリップチップボンダ装
置を用いて従来のセラミックス製ベース基板に接合す
る。その後、キャップをセラミックス製ベース基板に接
合して、弾性表面波素子を封止する。このように構成さ
れた表面弾性破装置は、安価で大量生産に富むが、キャ
ップを接着する為の領域を確保するために素子面に水平
な方向のサイズ縮小に限界がある。
The conventional surface acoustic wave device has an FDB (face down bonding) structure. Bumps are formed on the surface acoustic wave element using a bump bonding apparatus. Then, the surface acoustic wave element is bonded to a conventional ceramic base substrate using a flip chip bonder device. After that, the cap is bonded to the ceramic base substrate to seal the surface acoustic wave element. The surface elastic breaking device configured as described above is inexpensive and rich in mass production, but there is a limit to size reduction in the direction horizontal to the element surface in order to secure a region for bonding the cap.

【0005】この問題点は、キャップの代わりに、熱硬
化性樹脂を用いて素子を封止することで解決される。図
3(a)及び(b)に示すように、バンプ55を用いて
弾性表面波素子51を上記方法により平板状のセラミッ
クス製ベース基板54の表面に接合する。そして、弾性
表面波素子51を含むベース基板54の表面を、流動性
のある樹脂材料52で覆い、この樹脂材料52を熱硬化
させる。キャップを使わないことにより水平方向のサイ
ズが縮小される。また同時に、キャップが無い分、素子
51面に垂直な方向のサイズ縮小も実現される。
This problem is solved by using a thermosetting resin instead of the cap to seal the element. As shown in FIGS. 3A and 3B, the surface acoustic wave element 51 is bonded to the surface of the flat ceramic base substrate 54 by the above method using the bump 55. Then, the surface of the base substrate 54 including the surface acoustic wave element 51 is covered with a fluid resin material 52, and the resin material 52 is thermally cured. The horizontal size is reduced by not using the cap. At the same time, since there is no cap, size reduction in the direction perpendicular to the surface of the element 51 is also realized.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、キャップ或い
は熱硬化性樹脂を用いた従来のパッケージ構造は、何れ
もセラミックス製のベース基板54の使用を前提として
ものである。セラミックス製ベース基板54は強度の面
で技術的課題を抱え、その薄厚化には限界がある。
However, the conventional package structure using the cap or the thermosetting resin is based on the use of the ceramic base substrate 54. The ceramic base substrate 54 has a technical problem in terms of strength, and there is a limit to its thickness reduction.

【0007】また、セラミックス製ベース54はフレキ
シブル性がほとんどないため、バンプの形成工程及びバ
ンプを介した素子51のFDB工程において、バンプ5
5が応力などによって外れやすいという問題があった。
Further, since the ceramic base 54 has almost no flexibility, the bump 5 can be used in the bump forming process and the FDB process of the element 51 through the bump.
There was a problem that 5 was easy to come off due to stress or the like.

【0008】更に、近年の情報携帯機器の小型化は、素
子51面に垂直な方向(高さ方向)の縮小、いわゆる
「弾性表面波装置の低背化」を特に必要とし、薄厚化が
可能であり、且つ材質強度面の問題も少ない、従来のセ
ラミックスに代わる新たな材料が求められている。
Further, in recent years, the miniaturization of portable information equipment requires a reduction in the direction perpendicular to the surface of the element 51 (height direction), that is, so-called "reduction of the surface acoustic wave device", and the thickness can be reduced. In addition, there is a demand for a new material that replaces conventional ceramics and that has less problems in terms of material strength.

【0009】本発明はこのような従来技術の問題点を解
決するために成されたものであり、その目的は、パッケ
ージサイズを縮小し、バンプの高い接合信頼性が得ら
れ、高密度な実装を可能とする弾性表面波装置及びその
製造方法を提供することである。
The present invention has been made in order to solve the problems of the prior art, and its purpose is to reduce the package size, obtain high bonding reliability of bumps, and realize high-density mounting. It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device and a method for manufacturing the same.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第1の特徴は、圧電基板と、圧電基板の一
主面に形成された櫛歯電極と、圧電基板の一主面のう
ち、櫛歯電極が形成されてない領域に配置されたコート
材層と、コート材層の上に配置され、且つ櫛歯電極の上
方に所定の間隔をおいて配置されたラミネートフィルム
と、ラミネートフィルムの上に配置された裏面電極と、
ラミネートフィルム及びコート材層を貫通して、裏面電
極と圧電基板の一主面との間を接続するバンプとを少な
くとも有する弾性表面波装置であることである。
In order to achieve the above object, the first feature of the present invention is to provide a piezoelectric substrate, comb-teeth electrodes formed on one main surface of the piezoelectric substrate, and one main surface of the piezoelectric substrate. Among them, a coating material layer arranged in a region where the comb-teeth electrode is not formed, and a laminate film arranged on the coating material layer and arranged at a predetermined interval above the comb-teeth electrode, A back electrode arranged on the laminate film,
The surface acoustic wave device has at least a bump that penetrates the laminate film and the coating material layer and connects the back electrode and the one main surface of the piezoelectric substrate.

【0011】本発明の第1の特徴によれば、コート材層
及びラミネートフィルムによって、櫛歯電極の上に所定
の空間が形成され、且つ櫛歯電極が気密封止される。ま
た、バンプと裏面電極とが直接接続されているため、従
来のセラミックス製ベース基板を必要とせず、「弾性表
面波装置の低背化」が可能となる。
According to the first aspect of the present invention, the coating material layer and the laminate film form a predetermined space above the comb-teeth electrode and hermetically seal the comb-teeth electrode. In addition, since the bump and the back surface electrode are directly connected to each other, the conventional ceramic base substrate is not required, and “the height of the surface acoustic wave device can be reduced”.

【0012】本発明の第2の特徴は、(1)圧電基板の
一主面に櫛歯電極を形成する工程と、(2)圧電基板の
一主面のうち、櫛歯電極が形成された領域及びバンプを
形成する領域を除いた領域に、選択的にコート材層を形
成する工程と、(3)コート材層の上に接着剤を用いて
ラミネートフィルムを接着すると同時に、櫛歯電極の上
方に所定の間隔をおいてラミネートフィルムを配置する
工程と、(4)バンプを形成する領域に表出した圧電基
板の一主面の上にバンプを形成する工程と、(5)ラミ
ネートフィルムの上に、バンプに接続される裏面電極を
形成する工程とを少なくとも有する弾性表面波装置の製
造方法であることである。
A second feature of the present invention is (1) a step of forming comb-teeth electrodes on one main surface of the piezoelectric substrate, and (2) formation of comb-teeth electrodes on one main surface of the piezoelectric substrate. The step of selectively forming a coating material layer in the area excluding the area and the area where the bumps are formed; and (3) adhering the laminate film to the coating material layer with an adhesive at the same time as forming the comb-teeth electrode. A step of arranging a laminate film at a predetermined interval above, (4) a step of forming bumps on one main surface of the piezoelectric substrate exposed in a region where bumps are formed, and (5) a laminate film. And a step of forming a back electrode connected to the bump on the surface of the surface acoustic wave device.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施の形態を説明する。図面の記載において同一あるいは
類似部分には同一あるいは類似な符号を付している。た
だし、図面は模式的なものであり、層の厚みと幅との関
係、各層の厚みの比率などは現実のものとは異なること
に留意すべきである。また、図面の相互間においても互
いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていること
はもちろんである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between the thickness and width of layers, the ratio of the thickness of each layer, and the like are different from actual ones. Further, it is needless to say that the drawings include parts in which dimensional relationships and ratios are different from each other.

【0014】(第1の実施の形態)図1(a)は、本発
明の第1の実施の形態に係る弾性表面波装置を示す断面
図である。図1(a)に示すように、弾性表面波装置
は、圧電基板1と、圧電基板1の一主面に形成された櫛
歯電極2と、圧電基板1の一主面のうち、櫛歯電極2が
形成されてない領域に配置されたコート材層(ソルダ−
レジスト層)4と、コート材層4の上に配置され、且つ
櫛歯電極2の上方に所定の間隔をおいて配置されたラミ
ネートフィルム5と、ラミネートフィルム5の上に配置
された裏面電極7と、ラミネートフィルム5及びコート
材層4を貫通して配置されたバンプ3とを少なくとも有
する。バンプ3は、裏面電極7と圧電基板1の一主面と
の間を接続している。
(First Embodiment) FIG. 1A is a sectional view showing a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1A, the surface acoustic wave device includes a piezoelectric substrate 1, comb-teeth electrodes 2 formed on one main surface of the piezoelectric substrate 1, and comb-teeth on one main surface of the piezoelectric substrate 1. A coating material layer (solder) arranged in a region where the electrode 2 is not formed.
Resist layer 4; a laminate film 5 arranged on the coating material layer 4 and above the comb-teeth electrode 2 at a predetermined distance; and a back electrode 7 arranged on the laminate film 5. And the bumps 3 arranged so as to penetrate the laminate film 5 and the coating material layer 4. The bump 3 connects between the back electrode 7 and one main surface of the piezoelectric substrate 1.

【0015】圧電体基板1として、タンタル酸リチウム
(LiTaO)、ニオブ酸リチウム(LiNb
)、バリウム酸リチウム基板(LiB)、サ
ファイア、或いはクオーツ(SiO)などからなる単
結晶基板を使用することができる。若しくは、これらの
単結晶基板に代えて、チタン酸鉛(PbTiO)、チ
タン酸ジルコン酸鉛(PbZrTiO(PZT))、
或いはこれらの固溶体からなる圧電セラミックス基板を
用いることも可能である。
As the piezoelectric substrate 1, lithium tantalate (LiTaO 3 ) and lithium niobate (LiNb) are used.
A single crystal substrate made of O 3 ), a lithium barium oxide substrate (LiB 4 O 7 ), sapphire, quartz (SiO 2 ), or the like can be used. Alternatively, instead of these single crystal substrates, lead titanate (PbTiO 3 ), lead zirconate titanate (PbZrTiO 3 (PZT)),
Alternatively, it is also possible to use a piezoelectric ceramic substrate made of these solid solutions.

【0016】櫛歯電極2は、図示は省略するが、互いに
噛み合う2以上の櫛歯状の平面形状を有する金属電極で
ある。弾性表面波(SAW)は、櫛歯電極2によって励
振及び検出される。櫛歯電極2の入力インターデジタル
トランスジューサに電気信号を印加し、これを弾性表面
波に変換して圧電基板1の上を伝達させる。さらにもう
1つの櫛歯電極2の出力インターデジタルトランスジュ
ーサに到達した弾性表面波は再度電気信号に変換されて
外部に取り出すことができる。櫛歯電極2の材料となる
金属は、Al(アルミニウム)あるいはAlを主成分と
する合金からなる。後者の場合、添加物として銅(C
u)、シリコン(Si)等を使用できる。
Although not shown in the drawings, the comb-teeth electrode 2 is a metal electrode having two or more comb-teeth-like planar shapes that mesh with each other. The surface acoustic wave (SAW) is excited and detected by the comb-teeth electrode 2. An electric signal is applied to the input interdigital transducer of the comb-teeth electrode 2, which is converted into a surface acoustic wave and transmitted on the piezoelectric substrate 1. Further, the surface acoustic wave reaching the output interdigital transducer of the other comb-teeth electrode 2 is converted into an electric signal again and can be taken out to the outside. The metal used as the material of the comb-teeth electrode 2 is Al (aluminum) or an alloy containing Al as a main component. In the latter case, copper (C
u), silicon (Si), etc. can be used.

【0017】コート材層としてソルダーレジスト層4を
使用する。ソルダーレジスト層4は、櫛歯電極2が形成
された領域には配置されていない。またソルダ−レジス
ト層4は、櫛歯電極2の上に所定の空間9を形成するた
めに十分な厚さを有する。櫛歯電極2の上の所定の空間
9は、櫛歯電極2に弾性表面波が安定して励振され検出
されるために必要なものである。
The solder resist layer 4 is used as the coating material layer. The solder resist layer 4 is not arranged in the region where the comb-teeth electrode 2 is formed. Further, the solder-resist layer 4 has a sufficient thickness to form a predetermined space 9 on the comb-teeth electrode 2. The predetermined space 9 above the comb-teeth electrode 2 is necessary for the surface acoustic waves to be stably excited and detected in the comb-teeth electrode 2.

【0018】ラミネートフィルム5は、エポキシ樹脂6
などの接着剤を介してソルダーレジスト層4に接着され
ている。また同時に、ラミネートフィルム5は、櫛歯電
極2の上方に所定の空間9を介して配置されている。即
ち、櫛歯電極2は、ソルダーレジスト層4及びラミネー
トフィルム5によって気密封止されている。
The laminated film 5 is made of epoxy resin 6
It is adhered to the solder resist layer 4 via an adhesive such as. At the same time, the laminate film 5 is arranged above the comb-teeth electrode 2 via a predetermined space 9. That is, the comb-teeth electrode 2 is hermetically sealed by the solder resist layer 4 and the laminate film 5.

【0019】バンプ3は、櫛歯電極2の外側に配置さ
れ、櫛歯電極2と裏面電極7との間を接続している。図
示は省略したが、バンプ3は、圧電基板1の一主面上に
形成された電極パッドなどに接続され、電極パッドは、
櫛歯電極2と共に圧電基板1上に形成された金属配線な
どにより櫛歯電極2に接続されている。
The bump 3 is arranged outside the comb-teeth electrode 2 and connects the comb-teeth electrode 2 and the back surface electrode 7. Although not shown, the bump 3 is connected to an electrode pad or the like formed on one main surface of the piezoelectric substrate 1, and the electrode pad is
The comb-teeth electrode 2 and the comb-teeth electrode 2 are connected to the comb-teeth electrode 2 by metal wiring or the like formed on the piezoelectric substrate 1.

【0020】図1(b)は、図1(a)に示した弾性表
面波装置の透過斜視図である。図1(a)においては圧
電基板1の上にソルダーレジスト層4、ラミネートフィ
ルム5、そして裏面電極7が順次配置された状態を示し
た。これに対して、図1(b)においては、上下を逆に
配置して、ラミネートフィルム5の上にソルダーレジス
ト4、圧電基板1が順次配置された状態を示す。また、
裏面電極7を省略し、ソルダーレジスト層4と圧電基板
1の一主面との界面の構成を示すため、圧電基板1及び
櫛歯電極2を透過させた状態を示した。
FIG. 1 (b) is a transparent perspective view of the surface acoustic wave device shown in FIG. 1 (a). FIG. 1A shows a state where the solder resist layer 4, the laminate film 5, and the back surface electrode 7 are sequentially arranged on the piezoelectric substrate 1. On the other hand, FIG. 1B shows a state in which the solder resist 4 and the piezoelectric substrate 1 are sequentially arranged on the laminate film 5 by arranging them upside down. Also,
The back electrode 7 is omitted, and in order to show the structure of the interface between the solder resist layer 4 and one main surface of the piezoelectric substrate 1, the piezoelectric substrate 1 and the comb-teeth electrode 2 are shown in a transparent state.

【0021】図1(b)に示すように、圧電基板1の一
主面に面するソルダーレジスト層4の中央には、櫛歯電
極2の周囲に空間9を形成するための穴が形成されてい
る。この穴の底面には、エポキシ樹脂6を介してラミネ
ートフィルム5が配置されている。空間9を形成するた
めの穴の周りには、合計6個のバンプ3が配置されてい
る。これらのバンプ3を介して、入力信号、出力信号、
或いは接地電位が裏面電極7から弾性表面波素子へ供給
される。これらのバンプ3はそれぞれ裏面電極7に接続
されており、装置外部からの信号の入出力が可能となっ
ている。また、弾性表面波素子(チップ)に対して、ソ
ルダーレジスト4、エポキシ樹脂6、及びラミネートフ
ィルム5はそれぞれ同一の平面形状を有している。
As shown in FIG. 1B, a hole for forming a space 9 around the comb-teeth electrode 2 is formed in the center of the solder resist layer 4 facing one main surface of the piezoelectric substrate 1. ing. A laminate film 5 is arranged on the bottom surface of this hole with an epoxy resin 6 interposed therebetween. A total of 6 bumps 3 are arranged around the hole for forming the space 9. Through these bumps 3, an input signal, an output signal,
Alternatively, the ground potential is supplied from the back surface electrode 7 to the surface acoustic wave element. Each of these bumps 3 is connected to the back surface electrode 7, and signals can be input and output from the outside of the device. Further, with respect to the surface acoustic wave element (chip), the solder resist 4, the epoxy resin 6, and the laminate film 5 have the same planar shape.

【0022】図2(a)乃至(d)の各分図は、図1
(a)及び(b)に示した弾性表面波装置の製造方法を
示す工程断面図である。
2A to 2D are schematic diagrams of FIG.
FIG. 6 is a process cross-sectional view showing the method of manufacturing the surface acoustic wave device shown in FIGS.

【0023】(イ)まず、図2(a)に示すように、圧
電基板1の一主面に、櫛歯電極2、電極パッド、櫛歯電
極2と電極パッドの間を接続する配線などを含む金属パ
ターンを形成することによって、弾性表面波素子を作製
する。具体的には、マグネトロン型スパッタリング装置
を用いて、圧電基板1上に膜厚数百nm程度の金属膜
(Al膜)を成膜する。この金属膜の上にレジスト膜を
形成し、ホトリソグラフィ法でレジスタ膜を露光・現像
する。そして、このレジスト膜をマスクとして金属膜を
反応性イオンエッチング(RIE)法で選択的にエッチ
ングし、金属パターンを形成する。
(A) First, as shown in FIG. 2 (a), the comb-teeth electrode 2, the electrode pad, the wiring connecting the comb-teeth electrode 2 and the electrode pad, etc. are provided on one main surface of the piezoelectric substrate 1. A surface acoustic wave element is manufactured by forming a metal pattern containing the element. Specifically, a metal film (Al film) having a film thickness of about several hundreds nm is formed on the piezoelectric substrate 1 by using a magnetron type sputtering device. A resist film is formed on this metal film, and the resist film is exposed and developed by photolithography. Then, using this resist film as a mask, the metal film is selectively etched by a reactive ion etching (RIE) method to form a metal pattern.

【0024】(ロ)次に、図2(b)に示すように、圧
電基板1の一主面のうち、櫛歯電極2が形成された領域
及びバンプ3を形成する領域を除いた領域に選択的にコ
ート材層(ソルダーレジスト層)4を形成する。具体的
には、櫛歯電極2が形成された領域及びバンプ3を形成
する領域に選択的に金属マスク8を形成する。そして、
圧電基板1の一主面のうち、金属マスク8が形成されて
いない領域に選択的にソルダーレジスト層4を形成す
る。その後、金属マスク8を選択的に除去する。
(B) Next, as shown in FIG. 2 (b), in one main surface of the piezoelectric substrate 1, a region except the region where the comb-teeth electrode 2 is formed and the region where the bump 3 is formed is excluded. A coating material layer (solder resist layer) 4 is selectively formed. Specifically, the metal mask 8 is selectively formed in the region where the comb-teeth electrode 2 is formed and the region where the bump 3 is formed. And
The solder resist layer 4 is selectively formed on a region of the main surface of the piezoelectric substrate 1 where the metal mask 8 is not formed. After that, the metal mask 8 is selectively removed.

【0025】(ハ)次に、図2(c)に示すように、ソ
ルダーレジスト層4の上に接着剤(エポキシ樹脂)6を
用いてラミネートフィルム5を接着すると同時に、櫛歯
電極2の上方に所定の間隔をおいてラミネートフィルム
5を配置する。具体的には、極薄のシートから成るラミ
ネートフィルム5に対して、予め、バンプ3が形成され
る部分に穴を形成する。そして、ラミネートフィルム5
の接着面にエポキシ樹脂6を塗布してソルダーレジスト
層4に接着する。その結果、ラミネートフィルム5はソ
ルダーレジスト層4に接着され、ラミネートフィルム5
は櫛歯電極2に接することなく、両者の間に所定の空間
9が形成される。また、バンプ3が形成される部分に形
成された穴からは圧電基板1の一主面(電極パッド)が
表出している。
(C) Next, as shown in FIG. 2 (c), the laminate film 5 is adhered onto the solder resist layer 4 using an adhesive (epoxy resin) 6 and, at the same time, above the comb-teeth electrode 2. Laminate film 5 is arranged at a predetermined interval. Specifically, holes are formed in advance in the portions where the bumps 3 are formed in the laminated film 5 made of an extremely thin sheet. And the laminated film 5
Epoxy resin 6 is applied to the bonding surface of and is bonded to the solder resist layer 4. As a result, the laminated film 5 is adhered to the solder resist layer 4, and the laminated film 5
Does not contact the comb-teeth electrode 2, and a predetermined space 9 is formed therebetween. Further, one main surface (electrode pad) of the piezoelectric substrate 1 is exposed from the hole formed in the portion where the bump 3 is formed.

【0026】(ニ)次に、図2(d)に示すように、バ
ンプ3を形成する領域に表出した圧電基板1の一主面の
上にバンプ3を形成する。具体的には、メッキ法を用い
て、銅(Cu)をラミネートフィルム5の上に堆積する
と同時にバンプ3を形成する為の穴に埋め込む。そし
て、ラッピングなどの平坦化処理を施して、バンプ3形
成用穴に埋め込まれた銅メッキの残し、ラミネートフィ
ルム5の上に堆積された銅メッキを選択的に除去する。
(D) Next, as shown in FIG. 2D, the bump 3 is formed on one main surface of the piezoelectric substrate 1 exposed in the region where the bump 3 is formed. Specifically, a plating method is used to deposit copper (Cu) on the laminate film 5 and at the same time, to fill the holes for forming the bumps 3. Then, a flattening process such as lapping is performed to selectively remove the copper plating deposited on the laminate film 5 while leaving the copper plating buried in the holes for forming the bumps 3.

【0027】(ホ)最後に、ラミネートフィルム5の上
に、バンプ3に接続される裏面電極7を形成する。具体
的には、メッキ法を用いて、ラミネートフィルム5の上
に銅を堆積する。銅メッキの上に金(Au)をメッキす
る。銅メッキ及び金メッキを同時にパターニングして、
所定の形状を有する裏面電極7を形成する。この際、ソ
ルダーレジスト層4とラミネートフィルム5によって、
櫛歯電極2の上部に空間9が形成されている為、櫛歯電
極2は保護され、弾性表面波装置の特性を損なわれな
い。
(E) Finally, the back surface electrode 7 connected to the bump 3 is formed on the laminate film 5. Specifically, copper is deposited on the laminate film 5 by using a plating method. Gold (Au) is plated on the copper plating. Simultaneously patterning copper plating and gold plating,
The back electrode 7 having a predetermined shape is formed. At this time, by the solder resist layer 4 and the laminate film 5,
Since the space 9 is formed above the comb-teeth electrode 2, the comb-teeth electrode 2 is protected and the characteristics of the surface acoustic wave device are not impaired.

【0028】以上説明したように、本発明の第1の実施
の形態によれば、圧電基板1の上に形成されるソルダー
レジスト層4及びラミネートフィルム5によって、櫛歯
電極2の上に所定の空間9が形成されるため、弾性表面
波装置の特性が損なわれることがない。また、櫛歯電極
2はソルダーレジスト層4及びラミネートフィルム5に
よって気密封止されているため、櫛歯電極2を外部環境
から保護することができる。
As described above, according to the first embodiment of the present invention, the solder resist layer 4 and the laminate film 5 formed on the piezoelectric substrate 1 form a predetermined pattern on the comb-teeth electrode 2. Since the space 9 is formed, the characteristics of the surface acoustic wave device are not impaired. Moreover, since the comb-teeth electrode 2 is hermetically sealed by the solder resist layer 4 and the laminate film 5, the comb-teeth electrode 2 can be protected from the external environment.

【0029】また、従来のセラミックス製のベース基板
を使わずに、バンプ3と裏面電極7とを直接接続させる
ことができるため、バンプ3の製造工程ならびにフリッ
プチップボンディング工程においてバンプ3に加わる応
力が無くなり、バンプ3の接合信頼性をあげることがで
きる。更に、セラミックス製のベース基板が不要となる
ことにより、素子51面に垂直な方向(高さ方向)の縮
小、いわゆる「弾性表面波装置の低背化」が可能とな
り、パッケージサイズを縮小することができる。
Further, since the bumps 3 and the back surface electrodes 7 can be directly connected without using the conventional ceramic base substrate, stress applied to the bumps 3 in the bump 3 manufacturing process and the flip chip bonding process is reduced. It can be eliminated and the bonding reliability of the bump 3 can be improved. Further, by eliminating the need for a ceramic base substrate, it becomes possible to reduce the vertical direction (height direction) to the surface of the element 51, that is, to reduce the height of the surface acoustic wave device, thus reducing the package size. You can

【0030】(その他の実施の形態)上記のように、本
発明は、第1の実施の形態によって記載したが、この開
示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するもの
であると理解すべきではない。この開示から当業者には
様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかと
なろう。
(Other Embodiments) As described above, the present invention has been described according to the first embodiment, but it is assumed that the discussion and drawings forming a part of this disclosure limit the present invention. Should not be understood. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.

【0031】第1の実施の形態においては、コート材層
として、ソルダーレジスト層4を用いた場合について示
した。本発明はこれに限定されることなく、コート材層
として、高分子系材料、或いはエポキシ樹脂等を使用す
ることができる。
The first embodiment shows the case where the solder resist layer 4 is used as the coating material layer. The present invention is not limited to this, and a polymer material, an epoxy resin, or the like can be used as the coating material layer.

【0032】また、裏面電極7に使用される電極材料と
して、銅メッキ材を用いた場合について示したが、本発
明はこれに限定されるものではない。銅メッキ材の代わ
りに、金、金メッキ材、銅などの他の導電性物質を用い
ることができる。
Although the case where a copper plating material is used as the electrode material used for the back surface electrode 7 has been shown, the present invention is not limited to this. Instead of the copper plating material, other conductive materials such as gold, gold plating material, and copper can be used.

【0033】更に、バンプ3が、銅メッキ及び金メッキ
の2層構造を有する場合について示したが、これに限定
されることなく、金、銅、ハンダボール、ハンダメッ
キ、金バンプ、アルミニウム、導電性ペースト、等の他
の導電性物質を用いることができ、これらの導電性物質
を複数組合わせて使用することも可能である。
Further, the case where the bump 3 has a two-layer structure of copper plating and gold plating is shown, but the present invention is not limited to this, and gold, copper, solder balls, solder plating, gold bumps, aluminum, and conductivity are used. Other conductive materials such as paste can be used, and it is also possible to use a combination of a plurality of these conductive materials.

【0034】また更に、電子部品装置として弾性表面波
装置を例に取り説明したが、本発明は、バンプボンディ
ング方式を用いる他の電子部品装置においても同様に適
用することができる。
Further, although the surface acoustic wave device has been described as an example of the electronic component device, the present invention can be similarly applied to other electronic component devices using the bump bonding method.

【0035】このように、本発明はここでは記載してい
ない様々な実施の形態等を包含するということを理解す
べきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な
特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ限定さ
れるものである。
As described above, it should be understood that the present invention includes various embodiments and the like not described here. Therefore, the present invention is limited only by the matters specifying the invention according to the scope of claims appropriate from this disclosure.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パッケージサイズを縮小し、バンプの高い接合信頼性が
得られ、高密度な実装を可能とする弾性表面波装置及び
その製造方法を提供することができる。
As described above, according to the present invention,
It is possible to provide a surface acoustic wave device that can reduce the package size, obtain high bonding reliability of bumps, and enable high-density mounting, and a method for manufacturing the same.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1(a)は、本発明の第1の実施の形態に係
る弾性表面波装置を示す断面図である。図1(b)は、
図1(a)に示した弾性表面波装置の透過斜視図であ
る。
FIG. 1A is a sectional view showing a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention. Figure 1 (b) shows
FIG. 2 is a transparent perspective view of the surface acoustic wave device shown in FIG.

【図2】図2(a)乃至(d)の各分図は、図1(a)
及び(b)に示した弾性表面波装置の製造方法を示す主
要な工程断面図である。
FIG. 2 is a schematic diagram of each of FIGS. 2 (a) to 2 (d).
FIG. 6 is a main step sectional view showing the method of manufacturing the surface acoustic wave device shown in FIGS.

【図3】図3(a)は、従来技術に係る弾性表面波装置
の透過斜視図である。図3(b)は、図3(a)に示し
た弾性表面波素子のB−B’切断面に沿った断面図であ
る。
FIG. 3A is a transparent perspective view of a surface acoustic wave device according to a conventional technique. FIG. 3B is a cross-sectional view of the surface acoustic wave device shown in FIG. 3A, taken along the line BB ′.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 圧電基板 2 櫛歯電極 3 バンプ 4 ソルダーレジスト層 5 ラミネートフィルム 6 エポキシ樹脂 7 裏面電極 8 金属マスク 9 空間 1 Piezoelectric substrate 2 comb electrodes 3 bumps 4 Solder resist layer 5 Laminated film 6 Epoxy resin 7 Back electrode 8 metal mask 9 space

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 圧電基板と、 当該圧電基板の一主面に形成された櫛歯電極と、 前記圧電基板の前記一主面のうち、前記櫛歯電極が形成
されてない領域に配置されたコート材層と、 前記コート材層の上に配置され、且つ前記櫛歯電極の上
方に所定の間隔をおいて配置されたラミネートフィルム
と、 前記ラミネートフィルムの上に配置された裏面電極と、 前記ラミネートフィルム及び前記コート材層を貫通し
て、前記裏面電極と前記圧電基板の前記一主面との間を
接続するバンプとを少なくとも有することを特徴とする
弾性表面波装置。
1. A piezoelectric substrate, a comb-tooth electrode formed on one main surface of the piezoelectric substrate, and a piezoelectric substrate, which is arranged in a region of the one main surface of the piezoelectric substrate where the comb-tooth electrode is not formed. A coating material layer, a laminate film arranged on the coating material layer, and arranged at a predetermined interval above the comb-teeth electrode; a back electrode arranged on the laminate film; A surface acoustic wave device comprising at least a bump penetrating the laminate film and the coating material layer to connect the back surface electrode and the one main surface of the piezoelectric substrate.
【請求項2】 前記コート材層は、ソルダーレジスト層
であることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波装
置。
2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the coating material layer is a solder resist layer.
【請求項3】 圧電基板の一主面に櫛歯電極を形成する
工程と、 前記圧電基板の前記一主面のうち、前記櫛歯電極が形成
された領域及びバンプを形成する領域を除いた領域に、
選択的にコート材層を形成する工程と、 前記コート材層の上に接着剤を用いてラミネートフィル
ムを接着すると同時に、前記櫛歯電極の上方に所定の間
隔をおいて当該ラミネートフィルムを配置する工程と、 前記バンプを形成する領域に表出した前記圧電基板の前
記一主面の上に前記バンプを形成する工程と、 前記ラミネートフィルムの上に、前記バンプに接続され
る裏面電極を形成する工程とを少なくとも有することを
特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
3. A step of forming comb-teeth electrodes on one main surface of a piezoelectric substrate, and a region of the one main surface of the piezoelectric substrate where the comb-teeth electrodes are formed and a region where bumps are formed are excluded. In the area,
A step of selectively forming a coating material layer, and at the same time adhering a laminating film on the coating material layer with an adhesive, at the same time arranging the laminating film above the comb-teeth electrode at a predetermined interval. A step of forming the bump on the one main surface of the piezoelectric substrate exposed in a region where the bump is formed, and forming a back surface electrode connected to the bump on the laminate film. A method for manufacturing a surface acoustic wave device, comprising:
【請求項4】 前記コート材層を形成する工程は、 前記櫛歯電極が形成された領域及び前記バンプを形成す
る領域に選択的に金属マスクを形成する行為と、 前記圧電基板の前記一主面のうち、前記金属マスクが形
成されていない領域に選択的に前記コート材層を形成す
る行為とを具備することを特徴とする請求項3記載の弾
性表面波装置の製造方法。
4. The step of forming the coating material layer includes the act of selectively forming a metal mask in a region where the comb-teeth electrode is formed and a region where the bump is formed; 4. The method of manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 3, further comprising the act of selectively forming the coating material layer on a region of the surface where the metal mask is not formed.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007195145A (en) * 2005-11-02 2007-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic component package
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