JP2003037474A - Surface acoustic wave device and manufacturing method therefor - Google Patents

Surface acoustic wave device and manufacturing method therefor

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JP2003037474A
JP2003037474A JP2001222885A JP2001222885A JP2003037474A JP 2003037474 A JP2003037474 A JP 2003037474A JP 2001222885 A JP2001222885 A JP 2001222885A JP 2001222885 A JP2001222885 A JP 2001222885A JP 2003037474 A JP2003037474 A JP 2003037474A
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electrode
bump
base substrate
hole
acoustic wave
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JP2001222885A
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Japanese (ja)
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Shingo Masuko
真吾 増子
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface acoustic wave device which can be mounted at high-density by enhancing the reliability on bump junctions. SOLUTION: This surface acoustic wave device has a piezoelectric substrate, a comb-toothed electrode and an electrode pad formed at one main surface of the piezoelectric substrate, a bump-formed on the electrode pad, an ultrathin sheet arranged in opposition to the one main surface of the piezoelectric substrate, a base substrate connected electrically with the bump and bonded to the ultra-thin sheet, a rear electrode arranged at the rear of the base substrate, and a top protective film arranged on the ultra-thin sheet and covering the face opposed to the side face and one main surface of the piezoelectric substrate. The ultra-thin sheet has a first hole piercing the bump and a second hole, forming specified space around the comb-toothed electrode. The base substrate is electrically connected to the bump piercing the first hole of the ultrathin sheet.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波装置及び
その製造方法に関わり、特に、フリップチップボンディ
ング工法を用いてベース基板の上に弾性表面波素子を実
装した弾性表面波装置及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a surface acoustic wave device in which a surface acoustic wave element is mounted on a base substrate using a flip chip bonding method and a method of manufacturing the same. Regarding

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電波を使用する電子機器のフィル
タ、遅延線、発振器等の素子として、多くの弾性表面波
装置が用いられている。また、移動体通信等の分野にお
いて使用される電子機器は、その大きさの縮小と高信頼
性が要求されており、この縮小のために弾性表面波装置
の小型化も要求される。
2. Description of the Related Art In recent years, many surface acoustic wave devices have been used as elements such as filters, delay lines, and oscillators of electronic devices that use radio waves. In addition, electronic devices used in the field of mobile communication and the like are required to be reduced in size and have high reliability, and due to this reduction, miniaturization of surface acoustic wave devices is also required.

【0003】弾性表面波素子は、例えば圧電性基板の上
に形成された櫛歯電極の入力インターデジタルトランス
ジューサに電気信号を印加し、これを弾性表面波に変換
して圧電性基板の上を伝達させ、さらにもう1つの櫛歯
電極の出力インターデジタルトランスジューサに到達し
た弾性表面波を再度電気信号に変換して外部に取り出す
ように構成されている。
The surface acoustic wave element applies an electric signal to an input interdigital transducer of a comb-shaped electrode formed on a piezoelectric substrate, converts it into a surface acoustic wave, and transmits it on the piezoelectric substrate. Then, the surface acoustic wave reaching the output interdigital transducer of the other comb-teeth electrode is converted into an electric signal again and taken out to the outside.

【0004】従来の弾性表面波装置はFDB(フェイス
ダウンボンディング)構造を有する。弾性表面波素子上
に、バンプボンディング装置を用いてバンプを形成す
る。そして、弾性表面波素子をフリップチップボンダ装
置を用いて従来のセラミックス製ベース基板に接合す
る。その後、キャップをセラミックス製ベース基板に接
合して、弾性表面波素子を封止する。このように構成さ
れた表面弾性破装置は、安価で大量生産に富むが、キャ
ップを接着する為の領域を確保するために素子面に水平
な方向のサイズ縮小に限界がある。
The conventional surface acoustic wave device has an FDB (face down bonding) structure. Bumps are formed on the surface acoustic wave element using a bump bonding apparatus. Then, the surface acoustic wave element is bonded to a conventional ceramic base substrate using a flip chip bonder device. After that, the cap is bonded to the ceramic base substrate to seal the surface acoustic wave element. The surface elastic breaking device configured as described above is inexpensive and rich in mass production, but there is a limit to size reduction in the direction horizontal to the element surface in order to secure a region for bonding the cap.

【0005】この問題点は、キャップの代わりに、熱硬
化性樹脂を用いて素子を封止することで解決される。図
5に示すように、バンプ53を用いて弾性表面波素子5
1を上記方法により平板状のセラミックス製ベース基板
55の表面に接合する。そして、弾性表面波素子51を
含むベース基板55の表面を、流動性のある樹脂材料5
8で覆い、この樹脂材料58を熱硬化させる。キャップ
を使わないことにより水平方向のサイズが縮小される。
また同時に、キャップが無い分、素子51面に垂直な方
向のサイズ縮小も実現される。
This problem is solved by using a thermosetting resin instead of the cap to seal the element. As shown in FIG. 5, the surface acoustic wave device 5 is formed by using the bumps 53.
1 is bonded to the surface of a flat ceramic base substrate 55 by the above method. Then, the surface of the base substrate 55 including the surface acoustic wave element 51 is covered with the fluid resin material 5
8 and the resin material 58 is thermally cured. The horizontal size is reduced by not using the cap.
At the same time, since there is no cap, size reduction in the direction perpendicular to the surface of the element 51 is also realized.

【0006】また、弾性表面波素子51の一主面には、
弾性表面波の励進及び検出のための櫛歯電極52aが形
成され、櫛歯電極52aの外側にはポリイミド樹脂製の
ダム60が形成されている。フリップチップボンディン
グを行うことにより、櫛歯電極52aの周囲がダム60
によって取り囲まれる。樹脂材料58はダム60により
食い止められ、櫛歯電極52aを被覆することがなく、
ダム60の内側に配置された櫛歯電極52aが保護され
る。ダム60に関しては、特開平5−55303号公報
において詳細に述べられている。
Further, on one main surface of the surface acoustic wave element 51,
A comb-tooth electrode 52a for exciting and detecting the surface acoustic wave is formed, and a dam 60 made of polyimide resin is formed outside the comb-tooth electrode 52a. By performing flip chip bonding, the area around the comb-teeth electrode 52a is dam 60.
Surrounded by. The resin material 58 is stopped by the dam 60 and does not cover the comb-teeth electrode 52a.
The comb-teeth electrode 52a arranged inside the dam 60 is protected. The dam 60 is described in detail in JP-A-5-55303.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のキャッ
プ或いは熱硬化性樹脂を用いた従来のパッケージ構造
は、何れもセラミックス製のベース基板55の使用を前
提としてものである。セラミックス製ベース基板55は
強度の面で技術的課題を抱え、その薄厚化には限界があ
った。
However, any of the conventional package structures using the cap or the thermosetting resin described above is based on the use of the ceramic base substrate 55. The ceramic base substrate 55 has a technical problem in terms of strength, and there is a limit to its thickness reduction.

【0008】また、セラミックス製ベース54はフレキ
シブル性がほとんどないため、バンプの形成工程及びバ
ンプを介した素子51のFDB工程において、バンプ5
5が応力などによって外れやすいという問題があった。
Further, since the ceramic base 54 has almost no flexibility, the bump 5 is formed in the bump forming process and the FDB process of the element 51 through the bump.
There was a problem that 5 was easy to come off due to stress or the like.

【0009】本発明はこのような従来技術の問題点を解
決するために成されたものであり、その目的は、バンプ
の接合信頼性を向上させ、高密度実装が可能な弾性表面
波装置及びその製造方法を提供することである。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object thereof is to improve the bonding reliability of bumps and enable high-density mounting of a surface acoustic wave device. It is to provide the manufacturing method.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第1の特徴は、圧電基板と、圧電基板の一
主面に形成された櫛歯電極と、圧電基板の一主面に形成
され、櫛歯電極に接続された電極パッドと、電極パッド
の上に形成されたバンプと、圧電基板の一主面に対向し
て配置された極薄シートと、バンプに電気的に接続さ
れ、且つ極薄シートに接着されたベース基板と、ベース
基板のバンプが接続された面に対抗する面に配置され、
バンプに接続された裏面電極と、極薄シートの上に配置
され、圧電基板の側面及び一主面に対向する面を被覆す
る上面保護膜とを有する弾性表面波装置であることであ
る。ここで、極薄シートは、バンプを貫通させる第1の
穴と、櫛歯電極の周囲に所定の空間を形成する第2の穴
とを有する。また、ベース基板は、極薄シートの第1の
穴を貫通したバンプに電気的に接続されている。
In order to achieve the above object, the first feature of the present invention is to provide a piezoelectric substrate, comb-teeth electrodes formed on one main surface of the piezoelectric substrate, and one main surface of the piezoelectric substrate. Electrically connected to the bumps, the electrode pads connected to the comb-teeth electrodes, the bumps formed on the electrode pads, the ultra-thin sheet arranged to face one main surface of the piezoelectric substrate. And the base substrate adhered to the ultra-thin sheet, and arranged on the surface opposite to the surface to which the bumps of the base substrate are connected,
The surface acoustic wave device has a back electrode connected to the bump and a top surface protective film that is disposed on the ultrathin sheet and covers the side surface of the piezoelectric substrate and the surface facing the one main surface. Here, the ultra-thin sheet has a first hole for penetrating the bump and a second hole for forming a predetermined space around the comb-teeth electrode. In addition, the base substrate is electrically connected to the bumps that penetrate the first holes of the ultrathin sheet.

【0011】本発明の第1の特徴によれば、圧電基板と
ベース基板との間に極薄シートが配置されているため、
上面保護膜が、圧電基板の一主面に形成された櫛歯電極
を被覆することが無い。櫛歯電極は、極薄シートの第2
の穴により形成される所定の空間によって保護され、弾
性表面波装置の動作特性が損なわれることがない。
According to the first aspect of the present invention, since the ultrathin sheet is arranged between the piezoelectric substrate and the base substrate,
The upper surface protective film does not cover the comb-teeth electrode formed on the one main surface of the piezoelectric substrate. The comb-teeth electrode is the second thin sheet.
The surface of the surface acoustic wave device is protected by the predetermined space formed by the holes, and the operating characteristics of the surface acoustic wave device are not impaired.

【0012】また、上面保護膜が圧電基板の側面及び一
主面に対向する面を被覆しているため、バンプが外れる
惧れが無い。セラッミクス等のフレキシブル性がないベ
ース基板を使用した場合においても、製造工程ならびに
電気的素子の実装工程においての応力等によるバンプの
外れがなくなり接合信頼性をあげることができ、その上
パッケージサイズを縮小することができる。
Further, since the top surface protective film covers the side surface and the one main surface of the piezoelectric substrate, there is no fear that the bump will come off. Even when a base substrate that does not have flexibility such as ceramics is used, the bumps will not come off due to stress in the manufacturing process and the mounting process of electrical elements, and the bonding reliability can be improved, and the package size can be reduced. can do.

【0013】本発明の第2の特徴は、(1)圧電基板の
一主面に櫛歯電極及び電極パッドを含む金属パターンを
形成する工程と、(2)極薄シートに対して、電極パッ
ドに対応する位置に第1の穴を形成し、櫛歯電極に対応
する位置に第2の穴を形成する工程と、(3)極薄シー
トをベース基板の表面に接着する工程と、(4)ベース
基板の裏面に裏面電極を形成する工程と、(5)圧電基
板の一主面をベース基板の表面に対向させて配置し、第
1の穴を通じて、電極パッドとベース基板とをバンプを
介して電気的に接続する工程と、(6)高分子系材料を
用いて圧電基板の側面及び及び一主面に対向する面を被
覆する工程とを有する弾性表面波装置の製造方法である
ことである。
A second feature of the present invention is: (1) a step of forming a metal pattern including a comb-shaped electrode and an electrode pad on one main surface of the piezoelectric substrate; and (2) an electrode pad for an ultrathin sheet. A step of forming a first hole at a position corresponding to, and a second hole at a position corresponding to the comb-teeth electrode; (3) a step of adhering the ultrathin sheet to the surface of the base substrate; ) A step of forming a back electrode on the back surface of the base substrate, and (5) disposing one main surface of the piezoelectric substrate so as to face the front surface of the base substrate, and bumping the electrode pad and the base substrate through the first hole A method of manufacturing a surface acoustic wave device, which comprises a step of electrically connecting via a piezoelectric material and a step (6) of covering a side surface of the piezoelectric substrate and a surface facing the one main surface with a polymer material. Is.

【0014】本発明の第2の特徴によれば、圧電基板と
ベース基板との間に極薄シートが配置されているため、
高分子系材料が、圧電基板の一主面に形成された櫛歯電
極を被覆することが無い。櫛歯電極は、極薄シートの第
2の穴により形成される所定の空間によって保護され、
弾性表面波装置の動作特性が損なわれることがない。
According to the second aspect of the present invention, since the ultrathin sheet is arranged between the piezoelectric substrate and the base substrate,
The polymer material does not cover the comb-teeth electrode formed on the one main surface of the piezoelectric substrate. The comb-teeth electrode is protected by a predetermined space formed by the second hole of the ultrathin sheet,
The operating characteristics of the surface acoustic wave device are not impaired.

【0015】また、高分子系材料が圧電基板の側面及び
一主面に対向する面を被覆しているため、バンプが外れ
る惧れが無い。セラッミクス等のフレキシブル性がない
ベース基板を使用した場合においても、製造工程ならび
に電気的素子の実装工程においての応力等によるバンプ
の外れがなくなり接合信頼性をあげることができ、その
上パッケージサイズを縮小することができる。
Further, since the polymer material covers the side surface of the piezoelectric substrate and the surface facing the one main surface, there is no fear that the bump will come off. Even when a base substrate that does not have flexibility such as ceramics is used, the bumps will not come off due to stress in the manufacturing process and the mounting process of electrical elements, and the bonding reliability can be improved, and the package size can be reduced. can do.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施の形態を説明する。図面の記載において同一あるいは
類似部分には同一あるいは類似な符号を付している。た
だし、図面は模式的なものであり、層の厚みと幅との関
係、各層の厚みの比率などは現実のものとは異なること
に留意すべきである。また、図面の相互間においても互
いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていること
はもちろんである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between the thickness and width of layers, the ratio of the thickness of each layer, and the like are different from actual ones. Further, it is needless to say that the drawings include parts in which dimensional relationships and ratios are different from each other.

【0017】(第1の実施の形態)図1(a)は、本発
明の第1の実施の形態に係る弾性表面波装置を示す断面
図である。図1に示すように、弾性表面波装置は、圧電
基板1と、圧電基板1の一主面に形成された櫛歯電極2
と、圧電基板1の一主面に形成され、櫛歯電極2に接続
された電極パッド12と、電極パッド12の上に形成さ
れたバンプ3と、圧電基板1の一主面に対向して配置さ
れた極薄シート(ポリイミド製シート)4と、バンプ3
に電気的に接続され、且つ極薄シート4に接着されたベ
ース基板5と、ベース基板5のバンプ3が接続された面
に対抗する面に配置された裏面電極6と、極薄シート4
の上に配置され、圧電基板1の側面及び一主面に対向す
る面を被覆する上面保護膜8とを有する。極薄シート4
は、バンプ3を貫通させる第1の穴13と、櫛歯電極2
の周囲に所定の空間9を形成する第2の穴14とを有す
る。バンプ3は、極薄シート4の第1の穴13を貫通し
てベース基板5に接続されている。裏面電極6は、スル
ーホールを介してバンプ3に接続されている。
(First Embodiment) FIG. 1A is a sectional view showing a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the surface acoustic wave device includes a piezoelectric substrate 1 and a comb-teeth electrode 2 formed on one main surface of the piezoelectric substrate 1.
An electrode pad 12 formed on one main surface of the piezoelectric substrate 1 and connected to the comb-teeth electrode 2, a bump 3 formed on the electrode pad 12, and facing the one main surface of the piezoelectric substrate 1. Ultrathin sheet (polyimide sheet) 4 and bumps 3 placed
To the ultra-thin sheet 4, a base substrate 5 electrically connected to the ultra-thin sheet 4, a back electrode 6 arranged on the surface of the base substrate 5 opposite to the surface to which the bumps 3 are connected, and the ultra-thin sheet 4
And a top surface protective film 8 that covers the side surface of the piezoelectric substrate 1 and the surface facing the one main surface. Ultra thin sheet 4
Is the first hole 13 for penetrating the bump 3 and the comb-teeth electrode 2
And a second hole 14 that forms a predetermined space 9 around the. The bump 3 penetrates the first hole 13 of the ultrathin sheet 4 and is connected to the base substrate 5. The back surface electrode 6 is connected to the bump 3 via a through hole.

【0018】圧電基板1として、タンタル酸リチウム
(LiTaO)、ニオブ酸リチウム(LiNb
)、バリウム酸リチウム基板(LiB)、サ
ファイア、或いはクオーツ(SiO)などからなる単
結晶基板を使用することができる。若しくは、これらの
単結晶基板に代えて、チタン酸鉛(PbTiO)、チ
タン酸ジルコン酸鉛(PbZrTiO(PZT))、
或いはこれらの固溶体からなる圧電セラミックス基板を
用いることも可能である。
As the piezoelectric substrate 1, lithium tantalate (LiTaO 3 ) and lithium niobate (LiNb) are used.
A single crystal substrate made of O 3 ), a lithium barium oxide substrate (LiB 4 O 7 ), sapphire, quartz (SiO 2 ), or the like can be used. Alternatively, instead of these single crystal substrates, lead titanate (PbTiO 3 ), lead zirconate titanate (PbZrTiO 3 (PZT)),
Alternatively, it is also possible to use a piezoelectric ceramic substrate made of these solid solutions.

【0019】櫛歯電極2は、図示は省略するが、互いに
噛み合う2以上の櫛歯状の平面形状を有する金属電極で
ある。弾性表面波(SAW)は、櫛歯電極2によって励
振及び検出される。櫛歯電極2の入力インターデジタル
トランスジューサに電気信号を印加し、これを弾性表面
波に変換して圧電基板1の上を伝達させる。さらにもう
1つの櫛歯電極2の出力インターデジタルトランスジュ
ーサに到達した弾性表面波は再度電気信号に変換されて
外部に取り出すことができる。櫛歯電極2の材料となる
金属は、Al(アルミニウム)あるいはAlを主成分と
する合金からなる。後者の場合、添加物として銅(C
u)、シリコン(Si)等を使用できる。
Although not shown in the drawings, the comb-teeth electrode 2 is a metal electrode having two or more comb-teeth-like planar shapes that mesh with each other. The surface acoustic wave (SAW) is excited and detected by the comb-teeth electrode 2. An electric signal is applied to the input interdigital transducer of the comb-teeth electrode 2, which is converted into a surface acoustic wave and transmitted on the piezoelectric substrate 1. Further, the surface acoustic wave reaching the output interdigital transducer of the other comb-teeth electrode 2 is converted into an electric signal again and can be taken out to the outside. The metal used as the material of the comb-teeth electrode 2 is Al (aluminum) or an alloy containing Al as a main component. In the latter case, copper (C
u), silicon (Si), etc. can be used.

【0020】バンプ3は、櫛歯電極2の外側に配置さ
れ、電極パッド12とベース基板5上の内部配線(図示
せず)との間を接続している。電極パッド12は、櫛歯
電極2と共に圧電基板1上に形成された金属配線などに
より櫛歯電極2に接続されている。ここでは、バンプ4
として金(Au)を主成分とする金バンプを使用する。
The bumps 3 are arranged outside the comb-teeth electrode 2 and connect the electrode pads 12 to internal wiring (not shown) on the base substrate 5. The electrode pad 12 is connected to the comb-teeth electrode 2 together with the comb-teeth electrode 2 by a metal wiring or the like formed on the piezoelectric substrate 1. Here, bump 4
Is used as a gold bump having gold (Au) as a main component.

【0021】極薄シートとしては、ポリイミド製シート
4を使用する。ポリイミド製シート4は接着剤層15を
有し、接着剤層15によってベース基板5に接着されて
いる。ポリイミド製シート4に形成されている第1の穴
13は、電極パッド12の位置に対応して形成されてお
り、バンプ3を貫通させる為に十分な大きさを有する。
ポリイミド製シート4に形成されている第2の穴14
は、櫛歯電極2の位置に対向して形成されており、櫛歯
電極2の周囲に所定の空間9を形成する為に十分な大き
さを有する。
A polyimide sheet 4 is used as the ultrathin sheet. The polyimide sheet 4 has an adhesive layer 15 and is adhered to the base substrate 5 by the adhesive layer 15. The first hole 13 formed in the polyimide sheet 4 is formed corresponding to the position of the electrode pad 12, and has a size sufficient for penetrating the bump 3.
The second hole 14 formed in the polyimide sheet 4
Are formed so as to face the position of the comb-teeth electrode 2, and have a size sufficient to form a predetermined space 9 around the comb-teeth electrode 2.

【0022】ベース基板5は、電気信号の入出力を外部
とする役割を持ち、更に、外部からの力、湿気、水等の
液体から保護ならびに形体を形づくる為の基礎を為すも
のである。ベース基板5として、セラミックス製の基板
を使用する。図示は省略するが、ベース基板5上にはバ
ンプ3に接合された内部配線が形成されている。内部配
線は、ベース基板5の側面に形成されたスルーホールを
介して裏面電極6に接続されている。裏面電極6は金メ
ッキ膜である。
The base substrate 5 serves to externally input and output electric signals, and further serves as a basis for protecting the external force, liquids such as moisture and water, and forming a shape. A ceramic substrate is used as the base substrate 5. Although illustration is omitted, internal wiring joined to the bumps 3 is formed on the base substrate 5. The internal wiring is connected to the back surface electrode 6 through a through hole formed on the side surface of the base substrate 5. The back electrode 6 is a gold-plated film.

【0023】上面保護膜8は、圧電基板1、櫛歯電極2
及び電極パッド12等からなる弾性表面波素子を環境ス
トレス及び機械的ストレスから保護する機能を有する。
例えば、上面保護膜8として、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂、PP/EPR系ポリマーアロイ(PP/Ethylene
Propylene Rubber Blend)、TEX(東燃化学株式会社
製、ポリオレフィン系TPE(Polyolefine Thermoplas
tic Elastomer))、タフプレン(旭化成株式会社製、
SBS(Styrene-Butadiene-Styrene Block Copolyme
r))、マクスロイA(日本合成ゴム株式会社製)、X
−9(ユニチカ株式会社製、PA/PAR(PA/Polyary
late))、テナック(旭化成株式会社製、POM/TP
U(POM/Thermoplastic Polyurethane))などの高分子
系材料を使用することができる。
The upper surface protective film 8 is composed of the piezoelectric substrate 1 and the comb-teeth electrode 2.
It also has a function of protecting the surface acoustic wave element including the electrode pad 12 and the like from environmental stress and mechanical stress.
For example, as the upper surface protective film 8, epoxy resin, polyimide resin, PP / EPR polymer alloy (PP / Ethylene)
Propylene Rubber Blend), TEX (manufactured by Tonen Chemical Co., Ltd., polyolefin-based TPE (Polyolefine Thermoplas)
tic Elastomer)), Toughprene (manufactured by Asahi Kasei Corporation,
SBS (Styrene-Butadiene-Styrene Block Copolyme
r)), Maxloy A (manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.), X
-9 (PA / PAR (PA / Polyary manufactured by Unitika Ltd.
late)), Tenac (PAM / TP manufactured by Asahi Kasei Corporation)
Polymeric materials such as U (POM / Thermoplastic Polyurethane) can be used.

【0024】図1(b)は、図1(a)に示した弾性表
面波装置の透過斜視図である。図1(b)においては、
ポリイミド製シート4と圧電基板1の一主面との間の平
面構成を示すため、弾性表面波素子(1、2、12)及
び上面保護膜8を透過させて、バンプ3、第1の穴1
3、第2の穴14、空間9の平面配置を示した。また、
図1(a)は、図1(b)のA−A’切断面に沿った断
面図である。図1(b)に示すように、ポリイミド製シ
ート4の中央部分には、櫛歯電極2の周囲に空間9を形
成して保護する為の第2の穴14が配置されている。第
2の穴14の底面にはベース基板5が表出している。第
2の穴14の外側に合計6個の第1の穴13及び第1の
穴13を貫通するバンプ3が配置されている。これらの
バンプ3を介して、入力信号、出力信号、或いは接地電
位が裏面電極6から弾性表面波素子へ供給される。これ
らのバンプ3はそれぞれ裏面電極6に接続されている。
また、ポリイミド製シート4及びベース基板5は方形状
を有し、四隅には裏面電極6と内部配線とを接続するス
ルーホール7が形成されている。
FIG. 1 (b) is a transparent perspective view of the surface acoustic wave device shown in FIG. 1 (a). In FIG. 1 (b),
In order to show a planar configuration between the polyimide sheet 4 and the one main surface of the piezoelectric substrate 1, the surface acoustic wave elements (1, 2, 12) and the upper surface protective film 8 are made to penetrate, and the bumps 3, the first holes are formed. 1
3, the plane arrangement of the second hole 14 and the space 9 is shown. Also,
FIG. 1A is a cross-sectional view taken along the section line AA ′ of FIG. As shown in FIG. 1B, a second hole 14 for forming and protecting a space 9 around the comb-teeth electrode 2 is arranged in the central portion of the polyimide sheet 4. The base substrate 5 is exposed on the bottom surface of the second hole 14. A total of six first holes 13 and bumps 3 penetrating the first holes 13 are arranged outside the second holes 14. An input signal, an output signal, or a ground potential is supplied from the back surface electrode 6 to the surface acoustic wave element via these bumps 3. Each of these bumps 3 is connected to a back surface electrode 6.
Further, the polyimide sheet 4 and the base substrate 5 have a rectangular shape, and through holes 7 that connect the back surface electrode 6 and the internal wiring are formed at the four corners.

【0025】図2(a)乃至(c)は、図1(a)及び
(b)に示した弾性表面波装置の製造方法を示す主要な
工程断面図である。
FIGS. 2A to 2C are cross-sectional views of main steps showing a method of manufacturing the surface acoustic wave device shown in FIGS. 1A and 1B.

【0026】(イ)まず、圧電基板1の一主面に、櫛歯
電極2、電極パッド12、櫛歯電極2と電極パッド12
の間を接続する配線などを含む金属パターンを形成する
ことによって、弾性表面波素子を作製する。具体的に
は、マグネトロン型スパッタリング装置を用いて、圧電
基板1上に膜厚数百nm程度の金属膜(Al膜)を成膜
する。この金属膜の上にレジスト膜を形成し、ホトリソ
グラフィ法でレジスタ膜を露光・現像する。そして、こ
のレジスト膜をマスクとして金属膜を反応性イオンエッ
チング(RIE)法で選択的にエッチングし、金属パタ
ーンを形成する。
(A) First, the comb-teeth electrode 2, the electrode pad 12, the comb-teeth electrode 2 and the electrode pad 12 are formed on one main surface of the piezoelectric substrate 1.
A surface acoustic wave element is manufactured by forming a metal pattern including a wiring connecting between the elements. Specifically, a metal film (Al film) having a film thickness of about several hundreds nm is formed on the piezoelectric substrate 1 by using a magnetron type sputtering device. A resist film is formed on this metal film, and the resist film is exposed and developed by photolithography. Then, using this resist film as a mask, the metal film is selectively etched by a reactive ion etching (RIE) method to form a metal pattern.

【0027】(ハ)次に、バンプボンディング法を用い
て、電極パッド12の上にバンプ3を形成する。具体的
には、バンプ3を超音波で振動させながら電極パッド1
2に圧着する。この際に、電極パッド12付近を加熱す
ることにより、バンプ3と電極パッド12との接着性を
向上させることができる。前述したように、バンプ3と
して金(Au)バンプを使用する。金(Au)バンプ
は、電極パッド12に対する接着性が良好であり、接触
部分での電気抵抗も低い。バンプ3の高さは20乃至5
0μm程度が好ましい。
(C) Next, the bumps 3 are formed on the electrode pads 12 by the bump bonding method. Specifically, the electrode pad 1 is used while vibrating the bump 3 with ultrasonic waves.
Crimp to 2. At this time, by heating the vicinity of the electrode pad 12, the adhesiveness between the bump 3 and the electrode pad 12 can be improved. As described above, gold (Au) bumps are used as the bumps 3. The gold (Au) bump has good adhesiveness to the electrode pad 12, and has low electric resistance at the contact portion. The height of the bump 3 is 20 to 5
About 0 μm is preferable.

【0028】(ニ)一方、ベース基板5と接着させるた
めの接着剤層15を有するポリイミド製の極薄シート4
を用意する。そして、図2(a)に示すように、ポリイ
ミド製シート4に対して、電極パッド12の上に形成さ
れたバンプ3を貫通させる為に、電極パッド12に対応
する位置に第1の穴13を形成する。同様に、ポリイミ
ド製シート4に対して、櫛歯電極2に対応する位置に第
2の穴14を形成する。
(D) On the other hand, the polyimide ultrathin sheet 4 having the adhesive layer 15 for adhering to the base substrate 5
To prepare. Then, as shown in FIG. 2A, in order to penetrate the bumps 3 formed on the electrode pads 12 through the polyimide sheet 4, the first holes 13 are formed at positions corresponding to the electrode pads 12. To form. Similarly, the second hole 14 is formed in the polyimide sheet 4 at a position corresponding to the comb electrode 2.

【0029】(ホ)次に、接着剤層15を介してポリイ
ミド製シート4をベース基板5の表面に接着する。
(E) Next, the polyimide sheet 4 is adhered to the surface of the base substrate 5 via the adhesive layer 15.

【0030】(へ)次に、ベース基板5の裏面に裏面電
極6を形成する。具体的には、ベース基板5の裏面に、
メッキ法などを用いて、金(Au)メッキ膜を形成す
る。そして、所定のパターニングを行うことで、各バン
プ3に対応した裏面電極6が形成される。
(V) Next, the back surface electrode 6 is formed on the back surface of the base substrate 5. Specifically, on the back surface of the base substrate 5,
A gold (Au) plating film is formed by using a plating method or the like. Then, the back electrode 6 corresponding to each bump 3 is formed by performing a predetermined patterning.

【0031】(ト)次に、図2(b)に示すように、圧
電基板1の一主面をベース基板5の表面に対向させて配
置し、第1の穴13を通じて、電極パッド12とベース
基板5とをバンプ3を介して電気的に接続する。即ち、
ポリイミド製シート4に形成されている第1の穴13を
通じて、フリップチップボンディング法を用いて弾性表
面波素子をベース基板5に実装する。具体的には、バン
プ3が形成された弾性表面波素子について、櫛歯電極2
が形成された面をベース基板5のポリイミド製シート4
が形成された面に対向して配置する。そして、バンプ3
に加熱振動を加えながら、バンプ3を第1の穴13を通
じてベース基板5に圧着する。このフリップチップボン
ディングを行うことにより、弾性表面波素子(電極パッ
ド12)とベース基板5との間がバンプ3を介して電気
的に接続される(図2(c)参照)。また、櫛歯電極2
に対応する位置に形成された第2の穴14によって、櫛
歯電極2の周囲に空間9が形成される。また、櫛歯電極
2の周囲には、ポリイミド製シート4によってダムが形
成されている。
(G) Next, as shown in FIG. 2B, one main surface of the piezoelectric substrate 1 is arranged so as to face the surface of the base substrate 5, and the electrode pad 12 and the electrode pad 12 are formed through the first holes 13. The base substrate 5 is electrically connected via the bumps 3. That is,
The surface acoustic wave device is mounted on the base substrate 5 using the flip chip bonding method through the first hole 13 formed in the polyimide sheet 4. Specifically, regarding the surface acoustic wave element on which the bump 3 is formed, the comb-teeth electrode 2
The surface on which is formed the polyimide sheet 4 of the base substrate 5
It is arranged so as to face the surface on which is formed. And bump 3
The bumps 3 are pressure-bonded to the base substrate 5 through the first holes 13 while applying heating vibration to. By performing this flip chip bonding, the surface acoustic wave element (electrode pad 12) and the base substrate 5 are electrically connected via the bumps 3 (see FIG. 2C). Also, the comb-teeth electrode 2
A space 9 is formed around the comb-teeth electrode 2 by the second hole 14 formed at a position corresponding to. Further, a dam is formed around the comb-teeth electrode 2 by the polyimide sheet 4.

【0032】なお、弾性表面波素子とベース基板5との
間にはポリイミド製シート4が配置され、弾性表面波素
子とベース基板5との間隔は、ポリイミド製シート4の
厚さによって決定される。よって、通常のフリップチッ
プボンディングのように、バンプ3の高さによって高分
子系ベース基板5と圧電基板1との間隔が決定されるこ
とはない。従って、前述したようにバンプ3の高さは2
0乃至50μm程度が好ましいが、この範囲に限定され
るものではない。
A polyimide sheet 4 is arranged between the surface acoustic wave element and the base substrate 5, and the distance between the surface acoustic wave element and the base substrate 5 is determined by the thickness of the polyimide sheet 4. . Therefore, unlike normal flip-chip bonding, the distance between the polymer-based substrate 5 and the piezoelectric substrate 1 is not determined by the height of the bump 3. Therefore, the height of the bump 3 is 2 as described above.
The thickness is preferably about 0 to 50 μm, but is not limited to this range.

【0033】(チ)最後に、高分子系材料を用いて圧電
基板1の側面及び及び一主面に対向する面(裏面)を被
覆する。具体的には、熱硬化性の樹脂材料(高分子系材
料)を圧電基板1及びベース基板5の上に塗布する。そ
して、所定の熱処理を加えて、塗布した樹脂材料を硬化
させることで、弾性表面波素子を封止(パッケージ)す
る。その際、圧電基板1とベース基板5との間にはポリ
イミド製シート4が配置されているため、樹脂材料は、
圧電基板1とベース基板5との隙間に入り込むことがな
い。従って、圧電基板1の側面及び裏面のみが樹脂材料
によって被覆され、櫛歯電極2などが形成された圧電基
板1の一主面は被覆されない。即ち、櫛歯電極2の周囲
に形成されるダムによって、樹脂材料は櫛歯電極2の周
囲の空間9に入り込んでくることが無く、弾性表面波素
子の動作特性が保護される。以上の工程を経て図1
(a)及び(b)に示した弾性表面波装置を製造するこ
とができる。
(H) Finally, the side surface of the piezoelectric substrate 1 and the surface (back surface) facing the one main surface are covered with a polymer material. Specifically, a thermosetting resin material (polymer material) is applied on the piezoelectric substrate 1 and the base substrate 5. Then, the surface acoustic wave element is sealed (packaged) by applying a predetermined heat treatment to cure the applied resin material. At that time, since the polyimide sheet 4 is arranged between the piezoelectric substrate 1 and the base substrate 5, the resin material is
It does not enter the gap between the piezoelectric substrate 1 and the base substrate 5. Therefore, only the side surface and the back surface of the piezoelectric substrate 1 are covered with the resin material, and one main surface of the piezoelectric substrate 1 on which the comb-teeth electrode 2 and the like are formed is not covered. That is, the dam formed around the comb-teeth electrode 2 prevents the resin material from entering the space 9 around the comb-teeth electrode 2 and protects the operating characteristics of the surface acoustic wave element. Through the above steps, FIG.
The surface acoustic wave device shown in (a) and (b) can be manufactured.

【0034】以上説明したように、圧電基板1とベース
基板5との間にポリイミド製シート4が配置されている
ため、高分子系材料が圧電基板1とベース基板5との隙
間に入り込んでくることが無い。即ち、上面保護膜8
が、圧電基板の一主面に形成された櫛歯電極を被覆する
ことが無い。櫛歯電極2は、ポリイミド製シート4の第
2の穴により形成される所定の空間9によって保護さ
れ、弾性表面波装置の動作特性が損なわれることがな
い。
As described above, since the polyimide sheet 4 is arranged between the piezoelectric substrate 1 and the base substrate 5, the polymer material enters the gap between the piezoelectric substrate 1 and the base substrate 5. There is nothing. That is, the upper surface protective film 8
However, it does not cover the comb-teeth electrode formed on the main surface of the piezoelectric substrate. The comb-teeth electrode 2 is protected by the predetermined space 9 formed by the second hole of the polyimide sheet 4, and the operating characteristics of the surface acoustic wave device are not impaired.

【0035】また、上面保護膜8が圧電基板1の側面及
び一主面に対向する面を被覆しているため、バンプ3が
外れる惧れが無い。セラッミクス等のフレキシブル性が
ないベース基板を使用した場合においても、セラッミク
ス製ベース基板のフレキシブル性がない欠点を補い、製
造工程ならびに電気的素子の実装工程においての応力等
によるバンプ3の外れがなくなり接合信頼性をあげるこ
とができ、その上パッケージサイズを縮小することがで
きる。
Further, since the upper surface protective film 8 covers the side surface of the piezoelectric substrate 1 and the surface facing the one main surface, the bump 3 is not likely to come off. Even when a base substrate having no flexibility such as ceramics is used, the defect that the base substrate made of ceramics is not flexible is compensated, and the bumps 3 are not detached due to stress or the like in the manufacturing process and the mounting process of the electric element, and the bonding is performed. The reliability can be increased and the package size can be reduced.

【0036】更に、櫛歯電極52aの周囲は、空間9を
形成する第2の穴14によって取り囲まれている。即
ち、櫛歯電極52aの周囲には、ポリイミド製シート4
から成るダムが形成されていることになる。従って、従
来のように、櫛歯電極52aの外側にはポリイミド樹脂
製のダム60を形成する必要が無くなり、工程削減、コ
スト低減などの効果が得られる。
Further, the periphery of the comb-teeth electrode 52a is surrounded by the second hole 14 forming the space 9. That is, the polyimide sheet 4 is formed around the comb-teeth electrode 52a.
A dam consisting of Therefore, unlike the conventional case, it is not necessary to form the dam 60 made of polyimide resin on the outer side of the comb-teeth electrode 52a, and it is possible to obtain effects such as a reduction in processes and a reduction in cost.

【0037】なお、第1の実施の形態においては、バン
プ4として金(Au)を主成分とする金バンプを使用し
たが、金バンプの代わりにハンダボールを用いることも
可能である。
In the first embodiment, the gold bumps containing gold (Au) as the main component are used as the bumps 4, but solder balls may be used instead of the gold bumps.

【0038】(第2の実施の形態)本発明の第2の実施
の形態においては、電極パッド12とベース基板5との
バンプ接続を、溶融したハンダから成る埋め込み電極に
よって行う場合について図3(a)及び(b)を参照し
て説明する。
(Second Embodiment) In the second embodiment of the present invention, FIG. 3 shows a case where the bump connection between the electrode pad 12 and the base substrate 5 is performed by an embedded electrode made of molten solder. This will be described with reference to a) and (b).

【0039】図3(a)に示すように、第2の実施の形
態に係る弾性表面波装置は、図1(a)に示したバンプ
3の代わりに、第1の穴13に埋め込まれ、電極パッド
12とベース基板5との間を電気的に接続する埋め込み
電極10を有する。埋め込み電極10は、ハンダボール
或いはハンダメッキからなる。押しつぶされたバンプ3
とは異なり、埋め込み電極10は、底面にベース基板
(内部配線)5が表出した第1の穴13を埋め戻し、電
極パッド12に接合されている。従って、第1の穴13
の内部は埋め込み電極10によって満たされている。
As shown in FIG. 3A, the surface acoustic wave device according to the second embodiment is embedded in the first hole 13 instead of the bump 3 shown in FIG. It has a buried electrode 10 for electrically connecting the electrode pad 12 and the base substrate 5. The embedded electrode 10 is made of solder balls or solder plating. Crushed bump 3
Unlike the above, the embedded electrode 10 is bonded to the electrode pad 12 by filling back the first hole 13 exposed by the base substrate (internal wiring) 5 on the bottom surface. Therefore, the first hole 13
The inside of is filled with the embedded electrode 10.

【0040】図3(b)に示すように、第2の穴14の
外側に6個の第1の穴13が配置され、各第1の穴13
には埋め込み電極10が埋め込まれている。その他の構
成は、図1(a)及び(b)に示した弾性表面波装置と
同様であり詳細な説明を省略する。
As shown in FIG. 3B, six first holes 13 are arranged outside the second holes 14, and each of the first holes 13 is formed.
An embedded electrode 10 is embedded in the. Other configurations are similar to those of the surface acoustic wave device shown in FIGS. 1A and 1B, and detailed description thereof will be omitted.

【0041】図3(a)及び(b)に示した弾性表面波
装置は以下の方法により製造することができる。
The surface acoustic wave device shown in FIGS. 3A and 3B can be manufactured by the following method.

【0042】(イ)まず、圧電基板1の上に櫛歯電極
2、電極パッド12などからなる金属パターンを形成す
ることで、弾性表面波素子を作製する。なお、バンプボ
ンディング法によるバンプ3の形成は行わない。
(A) First, a surface acoustic wave element is manufactured by forming a metal pattern composed of the comb-teeth electrode 2, the electrode pad 12 and the like on the piezoelectric substrate 1. The bumps 3 are not formed by the bump bonding method.

【0043】(ロ)一方、ポリイミド製シート4に第1
の穴13及び第2の穴14を形成する。そして、接着剤
層15を介してベース基板5に接着する。ベース基板5
の裏面に裏面電極(金メッキ膜)6を形成する。
(B) On the other hand, the first polyimide sheet 4
Hole 13 and second hole 14 are formed. Then, it is adhered to the base substrate 5 via the adhesive layer 15. Base substrate 5
A back surface electrode (gold plated film) 6 is formed on the back surface of.

【0044】(ハ)次に、ポリイミド製シート4の第1
の穴13にハンダボールを埋め込む。或いは第1の穴1
3の内部にハンダをメッキ処理する。そして、圧電基板
1の一主面をポリイミド製シート4に押し当てる。この
とき、圧電基板1上の電極パッド12が第1の穴13の
直上に来るように配置する。そして、ハンダを溶融させ
て電極パッド12にハンダを接合させる。
(C) Next, the first polyimide sheet 4
A solder ball is embedded in the hole 13 of the. Or the first hole 1
The inside of 3 is plated with solder. Then, one main surface of the piezoelectric substrate 1 is pressed against the polyimide sheet 4. At this time, the electrode pad 12 on the piezoelectric substrate 1 is arranged so as to be directly above the first hole 13. Then, the solder is melted and joined to the electrode pad 12.

【0045】(ニ)最後に、上面保護膜8を形成して、
図3(a)及び(b)に示した弾性表面波装置を製造す
ることができる。
(D) Finally, the upper surface protective film 8 is formed,
The surface acoustic wave device shown in FIGS. 3A and 3B can be manufactured.

【0046】(第3の実施の形態)本発明の第3の実施
の形態においては、図1(a)及び(b)に示した弾性
表面波装置に対して、第1の穴13に埋め込まれ、バン
プ12と共に電極パッド12とベース基板5との間を電
気的に接続する導電性ペーストを更に有する場合につい
て図4(a)及び(b)を参照して説明する。
(Third Embodiment) In the third embodiment of the present invention, the surface acoustic wave device shown in FIGS. 1A and 1B is embedded in the first hole 13. A case will be described with reference to FIGS. 4A and 4B in which the bump 12 and the conductive paste for electrically connecting the electrode pad 12 and the base substrate 5 are further provided.

【0047】図4(a)に示すように、第2の穴13の
内部には、電極パッド12とベース基板5とを電気的に
接続するバンプ3が配置されている。第1の穴13の内
部は、導電性ペースト11によって埋め戻されている。
即ち、バンプ3の周囲は導電性ペースト11によって満
たされている。導電性ペースト11は、バンプ3と同様
に電極パッド12とベース基板5とを電気的に接続する
機能を有し、バンプ3による電気的な接続及び機械的な
接続の信頼性を補完する役割を果たしている。ここで、
電気的な接続の信頼性の補完とは、電極パッド12とベ
ース基板5間の接続抵抗の低減を示し、機械的な接続の
信頼性の補完とは、電極パッド12とベース基板5間の
接続強度の向上を示す。導電性ペースト11として、銀
ペーストなどを使用することができる。
As shown in FIG. 4A, bumps 3 for electrically connecting the electrode pads 12 and the base substrate 5 are arranged inside the second holes 13. The inside of the first hole 13 is backfilled with the conductive paste 11.
That is, the periphery of the bump 3 is filled with the conductive paste 11. The conductive paste 11 has a function of electrically connecting the electrode pad 12 and the base substrate 5 similarly to the bump 3, and plays a role of complementing the reliability of electrical connection and mechanical connection by the bump 3. Is playing. here,
Complementary reliability of electrical connection means reduction of connection resistance between the electrode pad 12 and the base substrate 5, and supplementary reliability of mechanical connection means connection between the electrode pad 12 and the base substrate 5. Shows improved strength. As the conductive paste 11, a silver paste or the like can be used.

【0048】図4(b)に示すように、第2の穴14の
外側に6個の第1の穴13が配置され、各第1の穴13
の内部には、バンプ3が配置されていると同時に、導電
性ペースト11が埋め込まれている。その他の構成は、
図1(a)及び(b)に示した弾性表面波装置と同様で
あり詳細な説明を省略する。
As shown in FIG. 4B, six first holes 13 are arranged outside the second holes 14, and each of the first holes 13 is formed.
At the same time as the bumps 3 are arranged inside, the conductive paste 11 is embedded. Other configurations are
Since it is similar to the surface acoustic wave device shown in FIGS. 1A and 1B, detailed description thereof will be omitted.

【0049】図4(a)及び(b)に示した弾性表面波
装置は以下の方法により製造することができる。
The surface acoustic wave device shown in FIGS. 4A and 4B can be manufactured by the following method.

【0050】(イ)まず、圧電基板1の上に櫛歯電極
2、電極パッド12などからなる金属パターンを形成す
ることで、弾性表面波素子を作製する。そして、バンプ
ボンディング法を用いて電極パッド12上にバンプ3を
形成する。
(A) First, a surface acoustic wave element is manufactured by forming a metal pattern composed of the comb-teeth electrode 2, the electrode pad 12 and the like on the piezoelectric substrate 1. Then, the bump 3 is formed on the electrode pad 12 using the bump bonding method.

【0051】(ロ)一方、ポリイミド製シート4に第1
の穴13及び第2の穴14を形成する。そして、接着剤
層15を介してベース基板5に接着する。ベース基板5
の裏面に裏面電極(金メッキ膜)6を形成する。
(B) On the other hand, the first polyimide sheet 4
Hole 13 and second hole 14 are formed. Then, it is adhered to the base substrate 5 via the adhesive layer 15. Base substrate 5
A back surface electrode (gold plated film) 6 is formed on the back surface of.

【0052】(ハ)次に、ポリイミド製シート4の第1
の穴13に導電性ペースト(銀ペースト)11を埋め込
む。そして、フリップチップボンディング法を用いて弾
性表面波素子をベース基板5に実装する。具体的には、
バンプ3が形成された弾性表面波素子について、櫛歯電
極2が形成された面をベース基板5のポリイミド製シー
ト4が形成された面に対向して配置する。そして、バン
プ3に加熱振動を加えながら、バンプ3を第1の穴13
を通じてベース基板5に圧着する。また同時に、導電性
ペースト11も加熱されてペースト中の有機溶剤が揮発
して硬化する。これにより、電極パッド12とベース基
板5の間が導電性ペースト11によっても接続する。
(C) Next, the first polyimide sheet 4
A conductive paste (silver paste) 11 is embedded in the hole 13 of the. Then, the surface acoustic wave element is mounted on the base substrate 5 by using the flip chip bonding method. In particular,
Regarding the surface acoustic wave element having the bumps 3, the surface on which the comb-teeth electrode 2 is formed is arranged so as to face the surface of the base substrate 5 on which the polyimide sheet 4 is formed. Then, the bump 3 is attached to the first hole 13 while applying heating vibration to the bump 3.
It is pressure-bonded to the base substrate 5 through. At the same time, the conductive paste 11 is also heated and the organic solvent in the paste is volatilized and hardened. As a result, the electrode pad 12 and the base substrate 5 are also connected by the conductive paste 11.

【0053】(ニ)最後に、上面保護膜8を形成して、
図4(a)及び(b)に示した弾性表面波装置を製造す
ることができる。
(D) Finally, the upper surface protective film 8 is formed,
The surface acoustic wave device shown in FIGS. 4A and 4B can be manufactured.

【0054】以上説明したように、導電性ペースト11
を用いることにより、電極パッド12とベース基板5間
の接続抵抗の低減し、電極パッド12とベース基板5間
の接続強度を向上させることができる。
As described above, the conductive paste 11
By using, the connection resistance between the electrode pad 12 and the base substrate 5 can be reduced, and the connection strength between the electrode pad 12 and the base substrate 5 can be improved.

【0055】(その他の実施の形態)上記のように、本
発明は、第1乃至第3の実施の形態によって記載した
が、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限
定するものであると理解すべきではない。この開示から
当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術
が明らかとなろう。
(Other Embodiments) As described above, the present invention has been described by the first to third embodiments, but the description and drawings forming a part of this disclosure limit the present invention. Should not be understood. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.

【0056】本発明の第1乃至第3の実施の形態におい
ては、電極パッド12とベース基板5間の電気的な接続
手段として、金バンプ、ハンダボール、ハンダメッキ、
銀ペーストなどを用いた場合について示したが、本発明
はこれに限定されるものではない。これらの他に、金メ
ッキ材、銅、銅メッキ材、アルミニウムなどを材料とす
るバンプ、メッキ、導電性ペーストなどの導電性物質を
用いることもできる。
In the first to third embodiments of the present invention, gold bumps, solder balls, solder plating, are used as electrical connection means between the electrode pads 12 and the base substrate 5.
Although the case where silver paste or the like is used is shown, the present invention is not limited to this. In addition to these, a conductive substance such as a gold-plated material, copper, a copper-plated material, a bump made of aluminum or the like, plating, a conductive paste, or the like can be used.

【0057】以上、電子部品装置として弾性表面波装置
を例に取り説明したが、本発明は、バンプボンディング
方式を用いる他の電子部品装置においても同様に適用す
ることができる。
Although the surface acoustic wave device has been described as an example of the electronic component device, the present invention can be similarly applied to other electronic component devices using the bump bonding method.

【0058】このように、本発明はここでは記載してい
ない様々な実施の形態等を包含するということを理解す
べきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な
特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ限定さ
れるものである。
As described above, it should be understood that the present invention includes various embodiments and the like not described here. Therefore, the present invention is limited only by the matters specifying the invention according to the scope of claims appropriate from this disclosure.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
バンプの接合信頼性を向上させ、高密度実装が可能な弾
性表面波装置及びその製造方法を提供することができ
る。
As described above, according to the present invention,
It is possible to provide a surface acoustic wave device capable of improving the bonding reliability of bumps and enabling high-density mounting, and a method for manufacturing the same.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1(a)は、本発明の第1の実施の形態に係
る弾性表面波装置を示す断面図である。図1(b)は、
図1(a)に示した弾性表面波装置の透過斜視図であ
る。
FIG. 1A is a sectional view showing a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention. Figure 1 (b) shows
FIG. 2 is a transparent perspective view of the surface acoustic wave device shown in FIG.

【図2】図2(a)乃至(c)の各分図は、図1(a)
及び(b)に示した弾性表面波装置の製造方法を示す主
要な工程断面図である。
2A to 2C are schematic diagrams of FIG. 2A to FIG.
FIG. 6 is a main step sectional view showing the method of manufacturing the surface acoustic wave device shown in FIGS.

【図3】図3(a)は、本発明の第2の実施の形態に係
る弾性表面波装置を示す断面図である。図3(b)は、
図3(a)に示した弾性表面波装置の透過斜視図であ
る。
FIG. 3A is a sectional view showing a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention. Figure 3 (b) shows
FIG. 4 is a transparent perspective view of the surface acoustic wave device shown in FIG.

【図4】図4(a)は、本発明の第3の実施の形態に係
る弾性表面波装置を示す断面図である。図4(b)は、
図4(a)に示した弾性表面波装置の透過斜視図であ
る。
FIG. 4A is a sectional view showing a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention. Figure 4 (b) shows
FIG. 5 is a transparent perspective view of the surface acoustic wave device shown in FIG.

【図5】ダムを有する従来技術に係る弾性表面波装置を
示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a conventional surface acoustic wave device having a dam.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 圧電基板 2 櫛歯電極 3 バンプ 4 ポリイミド製シート(極薄シート) 5 ベース基板 6 裏面電極 7 スルーホール 8 上面保護膜 9 空間 10 埋め込み電極 11 導電性ペースト 12 電極パッド 13 第1の穴 14 第2の穴 15 接着剤層 1 Piezoelectric substrate 2 comb electrodes 3 bumps 4 Polyimide sheet (ultra-thin sheet) 5 base board 6 Back electrode 7 through holes 8 Top surface protective film 9 space 10 Embedded electrode 11 Conductive paste 12 electrode pads 13 first hole 14 second hole 15 Adhesive layer

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 圧電基板と、 前記圧電基板の一主面に形成された櫛歯電極と、 前記圧電基板の前記一主面に形成され、前記櫛歯電極に
接続された電極パッドと、 前記電極パッドの上に形成されたバンプと、 前記圧電基板の前記一主面に対向して配置され、前記バ
ンプを貫通させる第1の穴と、前記櫛歯電極の周囲に所
定の空間を形成する第2の穴とを有する極薄シートと、 前記極薄シートの前記第1の穴を貫通した前記バンプに
電気的に接続され、且つ前記極薄シートに接着されたベ
ース基板と、 前記ベース基板の前記バンプが接続された面に対抗する
面に配置され、当該バンプに接続された裏面電極と、 前記極薄シートの上に配置され、前記圧電基板の側面及
び前記一主面に対向する面を被覆する上面保護膜とを有
することを特徴とする弾性表面波装置。
1. A piezoelectric substrate, a comb-teeth electrode formed on one main surface of the piezoelectric substrate, an electrode pad formed on the one main surface of the piezoelectric substrate and connected to the comb-teeth electrode, A bump formed on the electrode pad, a first hole facing the one main surface of the piezoelectric substrate and penetrating the bump, and a predetermined space formed around the comb electrode. An ultra-thin sheet having a second hole; a base substrate electrically connected to the bump penetrating the first hole of the ultra-thin sheet and bonded to the ultra-thin sheet; Of the back electrode connected to the surface to which the bump is connected, the back electrode connected to the bump, and the surface of the piezoelectric substrate, the surface facing the side surface and the one main surface. And a top surface protective film for covering The surface acoustic wave device.
【請求項2】 前記ベース基板は、セラミックス製の基
板であることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波装
置。
2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the base substrate is a ceramic substrate.
【請求項3】 前記極薄シートは、ポリイミド製のシー
トであることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波装
置。
3. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the ultra-thin sheet is a sheet made of polyimide.
【請求項4】 前記バンプの代わりに、前記第1の穴に
埋め込まれ、前記電極パッドと前記ベース基板との間を
電気的に接続する埋め込み電極を有することを特徴とす
る請求項1記載の弾性表面波装置。
4. A buried electrode, which is buried in the first hole and electrically connects the electrode pad and the base substrate, instead of the bump. Surface acoustic wave device.
【請求項5】 前記第1の穴に埋め込まれ、前記バンプ
と共に前記電極パッドと前記ベース基板との間を電気的
に接続する導電性ペーストを更に有することを特徴とす
る請求項1記載の弾性表面波装置。
5. The elasticity according to claim 1, further comprising a conductive paste embedded in the first hole and electrically connecting the electrode pad and the base substrate together with the bump. Surface wave device.
【請求項6】 圧電基板の一主面に櫛歯電極及び電極パ
ッドを含む金属パターンを形成する工程と、 極薄シートに対して、前記電極パッドに対応する位置に
第1の穴を形成し、前記櫛歯電極に対応する位置に第2
の穴を形成する工程と、 前記極薄シートをベース基板の表面に接着する工程と、 前記ベース基板の裏面に裏面電極を形成する工程と、 前記圧電基板の前記一主面を前記ベース基板の表面に対
向させて配置し、前記第1の穴を通じて、前記電極パッ
ドと前記ベース基板とをバンプを介して電気的に接続す
る工程と、 高分子系材料を用いて前記圧電基板の側面及び及び前記
一主面に対向する面を被覆する工程とを有することを特
徴とする弾性表面波装置の製造方法。
6. A step of forming a metal pattern including a comb-shaped electrode and an electrode pad on one main surface of a piezoelectric substrate, and forming a first hole at a position corresponding to the electrode pad on an ultrathin sheet. , A second position corresponding to the comb-teeth electrode
Forming a hole, a step of adhering the ultrathin sheet to the surface of a base substrate, a step of forming a back electrode on the back surface of the base substrate, and a step of forming the one main surface of the piezoelectric substrate on the base substrate. And a step of electrically connecting the electrode pad and the base substrate via a bump through the first hole, the side surface of the piezoelectric substrate using a polymer material, and And a step of coating a surface facing the one main surface.
【請求項7】 前記圧電基板の前記一主面を前記ベース
基板の表面に対向させて配置し、前記第1の穴を通じ
て、前記電極パッドと前記ベース基板とをバンプを介し
て電気的に接続する工程は、 バンプボンディング法を用いて前記電極パッドの上に前
記バンプを形成する行為と、 フリップチップボンディング法を用いて前記バンプを前
記ベース基板の上に接合させる行為とを具備することを
特徴とする請求項6記載の弾性表面波装置の製造方法。
7. The one main surface of the piezoelectric substrate is arranged so as to face the surface of the base substrate, and the electrode pad and the base substrate are electrically connected via a bump through the first hole. The step of forming comprises the steps of forming the bumps on the electrode pads using a bump bonding method and bonding the bumps to the base substrate using a flip chip bonding method. The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 6.
【請求項8】 前記圧電基板の前記一主面を前記ベース
基板の表面に対向させて配置し、前記第1の穴を通じ
て、前記電極パッドと前記ベース基板とをバンプを介し
て電気的に接続する工程は、 前記極薄シートの前記第1の穴にハンダを埋め込む行為
と、 前記圧電基板の前記一主面を前記極薄シートに押し当て
る行為と、 前記ハンダを溶融させて前記電極パッドに当該ハンダを
接合させる行為とを具備することを特徴とする請求項6
記載の弾性表面波装置の製造方法。
8. The one main surface of the piezoelectric substrate is arranged so as to face the surface of the base substrate, and the electrode pad and the base substrate are electrically connected via a bump through the first hole. The step of: embedding solder in the first hole of the ultra-thin sheet; pressing the one main surface of the piezoelectric substrate against the ultra-thin sheet; melting the solder to the electrode pad; 7. The act of joining the solder is provided.
A method for manufacturing the surface acoustic wave device according to claim 1.
【請求項9】 前記圧電基板の前記一主面を前記ベース
基板の表面に対向させて配置し、前記第1の穴を通じ
て、前記電極パッドと前記ベース基板とをバンプを介し
て電気的に接続する工程は、 バンプボンディング法を用いて前記電極パッドの上に前
記バンプを形成する行為と、 前記極薄シートの前記第1の穴に導電性ペーストを埋め
込む行為と、 フリップチップボンディング法を用いて前記バンプを前
記ベース基板の上に接合させると同時に、前記導電性ペ
ーストを硬化させて前記電極パッドに接続させる行為と
を具備することを特徴とする請求項6記載の弾性表面波
装置の製造方法。
9. The one main surface of the piezoelectric substrate is arranged so as to face the surface of the base substrate, and the electrode pad and the base substrate are electrically connected via a bump through the first hole. The step of forming is to form the bumps on the electrode pads using a bump bonding method, to embed a conductive paste in the first holes of the ultrathin sheet, and to use a flip chip bonding method. 7. The method of manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 6, further comprising the step of bonding the bump onto the base substrate and simultaneously curing the conductive paste to connect to the electrode pad. .
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006217226A (en) * 2005-02-03 2006-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd Surface acoustic wave element and manufacturing method thereof
JP2007104458A (en) * 2005-10-06 2007-04-19 Ube Ind Ltd Thin-film piezo-resonator device and its manufacturing method
JP2008147811A (en) * 2006-12-07 2008-06-26 Ngk Insulators Ltd Sealed electronic component

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