JPH11106296A - 単結晶光学素子およびその製造方法 - Google Patents
単結晶光学素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH11106296A JPH11106296A JP26668697A JP26668697A JPH11106296A JP H11106296 A JPH11106296 A JP H11106296A JP 26668697 A JP26668697 A JP 26668697A JP 26668697 A JP26668697 A JP 26668697A JP H11106296 A JPH11106296 A JP H11106296A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- knbo
- optical element
- pattern
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＫＮbＯ3単結晶光学素子の結晶方位が簡便に
識別できるパターンを有するＫＮbＯ3単結晶光学素子お
よびその製造方法を提供する。 【解決手段】 レーザー光の入出射面を有し、かつ入出
射面の側縁部に結晶方位を確認しうるパターンを有する
ことを特徴とするＫＮbＯ3単結晶光学素子。単分域化処
理したＫＮbＯ3単結晶を切断してＫＮbＯ3単結晶プレー
トを作製し、該ＫＮbＯ3単結晶プレートのレーザー光入
出射面を鏡面研磨したのち、ＫＮbＯ3単結晶プレートの
レーザー光入出射面を、レーザー光入出射面の側縁部に
結晶方位を確認しうるパターンを形成するように切断す
ることを特徴とするＫＮbＯ3単結晶光学素子の製造方
法。
識別できるパターンを有するＫＮbＯ3単結晶光学素子お
よびその製造方法を提供する。 【解決手段】 レーザー光の入出射面を有し、かつ入出
射面の側縁部に結晶方位を確認しうるパターンを有する
ことを特徴とするＫＮbＯ3単結晶光学素子。単分域化処
理したＫＮbＯ3単結晶を切断してＫＮbＯ3単結晶プレー
トを作製し、該ＫＮbＯ3単結晶プレートのレーザー光入
出射面を鏡面研磨したのち、ＫＮbＯ3単結晶プレートの
レーザー光入出射面を、レーザー光入出射面の側縁部に
結晶方位を確認しうるパターンを形成するように切断す
ることを特徴とするＫＮbＯ3単結晶光学素子の製造方
法。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、波長変換、光変調などに
使用されるＫＮbＯ3単結晶光学素子およびその製造方法
に関する。
使用されるＫＮbＯ3単結晶光学素子およびその製造方法
に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】ニオブ酸カリウム(ＫＮbＯ3)単結
晶は、非線形光学材料として、あるいは電気光学材料と
して、圧電材料として注目され、特に、８６０nmまたは
９８０nm近傍の単色光であるレーザー光をそれぞれ１／
２の高調波に変換するＳＨＧ（SecondHarmonic Generat
ion）特性が高いため、非線形光学材料をして注目され
ている。
晶は、非線形光学材料として、あるいは電気光学材料と
して、圧電材料として注目され、特に、８６０nmまたは
９８０nm近傍の単色光であるレーザー光をそれぞれ１／
２の高調波に変換するＳＨＧ（SecondHarmonic Generat
ion）特性が高いため、非線形光学材料をして注目され
ている。
【０００３】このＫＮbＯ3単結晶は、Ｔ．ＦＵＫＵＤ
Ａ、Ｙ．ＵＥＭＡＴＵ、Ｊ．Ｊ．Ａ．Ｐ．１１（１９７
３）１６３に記載されているように、炭酸カリウムと酸
化ニオブ(Ｎb2Ｏ5)との粉状混合物を１０５０℃以上の
温度に加熱溶融し、得られた融液に種結晶を浸し、融液
の温度を徐々に下げて成長させることができる。このよ
うにして得られたＫＮbＯ3単結晶を冷却すると、約４２
０℃で立方晶系から正方晶系に構造相転移を起こし、約
２１０℃で正方晶系から斜方晶系に構造相転移し、室温
では斜方晶系であって多分域状態のＫＮbＯ3単結晶が得
られる。
Ａ、Ｙ．ＵＥＭＡＴＵ、Ｊ．Ｊ．Ａ．Ｐ．１１（１９７
３）１６３に記載されているように、炭酸カリウムと酸
化ニオブ(Ｎb2Ｏ5)との粉状混合物を１０５０℃以上の
温度に加熱溶融し、得られた融液に種結晶を浸し、融液
の温度を徐々に下げて成長させることができる。このよ
うにして得られたＫＮbＯ3単結晶を冷却すると、約４２
０℃で立方晶系から正方晶系に構造相転移を起こし、約
２１０℃で正方晶系から斜方晶系に構造相転移し、室温
では斜方晶系であって多分域状態のＫＮbＯ3単結晶が得
られる。
【０００４】このようなＫＮbＯ3単結晶は、室温で斜方
晶系の対称性を持ち、たとえば８６０nmのＳＨＧでは、
ａ面の入射面に、ｂ軸と平行な偏光面を有する偏波光を
入射すると、ｃ軸に平行な偏光面を有するＳＨＧ波が得
られる。この入射レーザー偏光方向がｂ軸方向から傾く
と変換効率が低下する。このため、入射レーザーと結晶
軸は、入射方向と偏波方向とを特定な結晶方位に合わせ
る必要がある。
晶系の対称性を持ち、たとえば８６０nmのＳＨＧでは、
ａ面の入射面に、ｂ軸と平行な偏光面を有する偏波光を
入射すると、ｃ軸に平行な偏光面を有するＳＨＧ波が得
られる。この入射レーザー偏光方向がｂ軸方向から傾く
と変換効率が低下する。このため、入射レーザーと結晶
軸は、入射方向と偏波方向とを特定な結晶方位に合わせ
る必要がある。
【０００５】従来、ＫＮbＯ3単結晶を波長変換素子など
の光学素子として用いる場合には、図３に示すように、
鏡面研磨されたレーザー光入射面１１と出射面１１’の
法線方向、および側面１２，１３は、特定の結晶方位と
なっている。たとえば、８６０nmのＳＨＧ用途では、レ
ーザー光の入出射面１１，１１’がａ面で、他の面１
２，１３はｂ面とｃ面である。
の光学素子として用いる場合には、図３に示すように、
鏡面研磨されたレーザー光入射面１１と出射面１１’の
法線方向、および側面１２，１３は、特定の結晶方位と
なっている。たとえば、８６０nmのＳＨＧ用途では、レ
ーザー光の入出射面１１，１１’がａ面で、他の面１
２，１３はｂ面とｃ面である。
【０００６】このようなレーザー光の入出射面と他の面
の結晶方位を識別するため、結晶素子の側面に印を記入
したり、または結晶素子の角をサンドペーパなどで削っ
て目印にしたり、さらに結晶素子の長さを異ならせるな
ど方法が行われてきた。
の結晶方位を識別するため、結晶素子の側面に印を記入
したり、または結晶素子の角をサンドペーパなどで削っ
て目印にしたり、さらに結晶素子の長さを異ならせるな
ど方法が行われてきた。
【０００７】しかしながら、結晶素子の側面に印を記入
する方法および結晶素子の角を削る方法は、結晶素子の
大きさが１０×１０×１０mm程度であり、かつ処理する
結晶素子が少量である場合に有効な手段であるものの、
結晶素子が３×３×３mm程度の大きさになった場合、ま
たは結晶素子の処理量が多い場合には、作業が煩雑で、
非効率的であるという問題点があった。また、結晶素子
の側面に印を記入する方法では、ペイント材質が光学コ
ーティング中に蒸発して消えたり、デバイス使用時に蒸
発し、周辺環境を汚染する原因となることがあるなどの
欠点があった。
する方法および結晶素子の角を削る方法は、結晶素子の
大きさが１０×１０×１０mm程度であり、かつ処理する
結晶素子が少量である場合に有効な手段であるものの、
結晶素子が３×３×３mm程度の大きさになった場合、ま
たは結晶素子の処理量が多い場合には、作業が煩雑で、
非効率的であるという問題点があった。また、結晶素子
の側面に印を記入する方法では、ペイント材質が光学コ
ーティング中に蒸発して消えたり、デバイス使用時に蒸
発し、周辺環境を汚染する原因となることがあるなどの
欠点があった。
【０００８】さらに結晶素子の長さを異ならせる方法で
は、目視で判定できるのは、少なくとも０．３〜０．５
ｍｍ程度の素子長の違いが必要であり、それ以下の長さ
の違いでは、ノギスやマイクロメータなどの測長器が必
要となるなどの問題点があった。また限られた結晶から
の取れ数が少なくなり、採算性が良くないという欠点も
あった。
は、目視で判定できるのは、少なくとも０．３〜０．５
ｍｍ程度の素子長の違いが必要であり、それ以下の長さ
の違いでは、ノギスやマイクロメータなどの測長器が必
要となるなどの問題点があった。また限られた結晶から
の取れ数が少なくなり、採算性が良くないという欠点も
あった。
【０００９】
【発明の目的】本発明は、上記従来技術の問題点を解決
しようとするものであって、ＫＮbＯ3単結晶光学素子の
結晶方位を簡便に識別できるようなパターンを有するＫ
ＮbＯ3単結晶光学素子およびその製造方法を提供するこ
とを目的としている。
しようとするものであって、ＫＮbＯ3単結晶光学素子の
結晶方位を簡便に識別できるようなパターンを有するＫ
ＮbＯ3単結晶光学素子およびその製造方法を提供するこ
とを目的としている。
【００１０】
【発明の概要】本発明に係るＫＮbＯ3単結晶光学素子
は、レーザー光の入出射面を有し、かつ入出射面の側縁
部に結晶方位を確認しうるパターンを有することを特徴
としている。
は、レーザー光の入出射面を有し、かつ入出射面の側縁
部に結晶方位を確認しうるパターンを有することを特徴
としている。
【００１１】前記パターンは、ＫＮbＯ3単結晶プレート
を切断してＫＮbＯ3単結晶光学素子を製造する際に形成
されたドメインパターンまたはチッピングであることが
好ましい。
を切断してＫＮbＯ3単結晶光学素子を製造する際に形成
されたドメインパターンまたはチッピングであることが
好ましい。
【００１２】また、前記パターンの幅は、が０.５mm以
下であることが好ましい。本発明に係るＫＮbＯ3単結晶
光学素子は、単分域化処理したＫＮbＯ3単結晶を切断し
てＫＮbＯ3単結晶プレートを作製し、該ＫＮbＯ3単結晶
プレートのレーザー光入出射面を鏡面研磨したのち、Ｋ
ＮbＯ3単結晶プレートのレーザー光入出射面を、レーザ
ー光入出射面の側縁部に結晶方位を確認しうるパターン
を形成するように切断することを特徴とすしている。
下であることが好ましい。本発明に係るＫＮbＯ3単結晶
光学素子は、単分域化処理したＫＮbＯ3単結晶を切断し
てＫＮbＯ3単結晶プレートを作製し、該ＫＮbＯ3単結晶
プレートのレーザー光入出射面を鏡面研磨したのち、Ｋ
ＮbＯ3単結晶プレートのレーザー光入出射面を、レーザ
ー光入出射面の側縁部に結晶方位を確認しうるパターン
を形成するように切断することを特徴とすしている。
【００１３】
【発明の具体的説明】以下、本発明に係る単結晶光学素
子およびその製造方法について具体的に説明する。
子およびその製造方法について具体的に説明する。
【００１４】［ＫＮbＯ3単結晶光学素子］まず、本発明
に係るＫＮbＯ3単結晶光学素子を図面を用いて具体的に
説明する。
に係るＫＮbＯ3単結晶光学素子を図面を用いて具体的に
説明する。
【００１５】本発明に係るＫＮbＯ3単結晶光学素子は、
たとえば図１に示すようにＫＮbＯ3単結晶のａ面２をレ
ーザー光の入出射面、側面をそれぞれｂ面３とｃ面４と
すると、ａ面２の側縁部５に、結晶方位を確認しうるパ
ターン６を有している。
たとえば図１に示すようにＫＮbＯ3単結晶のａ面２をレ
ーザー光の入出射面、側面をそれぞれｂ面３とｃ面４と
すると、ａ面２の側縁部５に、結晶方位を確認しうるパ
ターン６を有している。
【００１６】本発明に係るＫＮbＯ3単結晶光学素子に使
用されるＫＮbＯ3単結晶としては、たとえばＴＳＳＧ
（Top Seeded Solution Growth）法により製造し、所定
の結晶方位に切り出したＫＮbＯ3単結晶が用いられる。
このようなＫＮbＯ3単結晶は、通常、単分域化処理した
ものが使用される。
用されるＫＮbＯ3単結晶としては、たとえばＴＳＳＧ
（Top Seeded Solution Growth）法により製造し、所定
の結晶方位に切り出したＫＮbＯ3単結晶が用いられる。
このようなＫＮbＯ3単結晶は、通常、単分域化処理した
ものが使用される。
【００１７】なお、本明細書では、互いに分極方向の異
なるドメインが隣接した複数のドメインをマルチドメイ
ンといい、このようなマルチドメインが形成されている
状態を多分域状態という。また、この多分域状態にある
単結晶を、分域方向が一様に揃ったモノドメイン状態に
することを単分域化処理という。
なるドメインが隣接した複数のドメインをマルチドメイ
ンといい、このようなマルチドメインが形成されている
状態を多分域状態という。また、この多分域状態にある
単結晶を、分域方向が一様に揃ったモノドメイン状態に
することを単分域化処理という。
【００１８】側縁部５のパターン６は、ＫＮbＯ3単結晶
プレートを切断してＫＮbＯ3単結晶光学素子を製造する
際に形成されたドメインパターンまたはチッピングであ
ることが好ましい。
プレートを切断してＫＮbＯ3単結晶光学素子を製造する
際に形成されたドメインパターンまたはチッピングであ
ることが好ましい。
【００１９】ドメインパターンは、ＫＮbＯ3単結晶プレ
ートを切断する際、切断面に近いＫＮbＯ3単結晶が多分
域状態に変化することによって形成される。また、チッ
ピングは、ＫＮbＯ3単結晶プレートを切断する際に形成
された切断面の欠けである。
ートを切断する際、切断面に近いＫＮbＯ3単結晶が多分
域状態に変化することによって形成される。また、チッ
ピングは、ＫＮbＯ3単結晶プレートを切断する際に形成
された切断面の欠けである。
【００２０】たとえば、図１に示されるＫＮbＯ3単結晶
光学素子の場合、パターンは、ｃ面４の側縁部で縁に平
行なライン状となり、ｂ面３の側縁部で縁に垂直なライ
ン状となる。このようなパターンの幅は、０.５mm以
下、好ましくは０.３mm以下であることが望ましい。
光学素子の場合、パターンは、ｃ面４の側縁部で縁に平
行なライン状となり、ｂ面３の側縁部で縁に垂直なライ
ン状となる。このようなパターンの幅は、０.５mm以
下、好ましくは０.３mm以下であることが望ましい。
【００２１】また、本発明に係る単結晶光学素子では、
ＫＮbＯ3単結晶のａ面以外の面をレーザー光の入出射面
とすることもできる。たとえば、図２に示すように、ａ
ｂ軸面内でａ軸から６０°の方向を垂線とする６０°ａ
ｂ面７をレーザー光の入出射面、３０°ａｂ面８および
ｃ面９を側面とすることもできる。
ＫＮbＯ3単結晶のａ面以外の面をレーザー光の入出射面
とすることもできる。たとえば、図２に示すように、ａ
ｂ軸面内でａ軸から６０°の方向を垂線とする６０°ａ
ｂ面７をレーザー光の入出射面、３０°ａｂ面８および
ｃ面９を側面とすることもできる。
【００２２】この場合、パターンは、ｃ面の側縁部１０
で３角形状であり、３０°ａｂ面の側縁部１０にはパタ
ーンは形成されない。このように、本発明に係る単結晶
光学素子は、レーザー光の入出射面の側縁部に、結晶方
位を確認しうるパターンを有しているので、側縁部を観
察することにより、側面（たとえば、ｂ面とｃ面）の識
別を容易に行うことができる。
で３角形状であり、３０°ａｂ面の側縁部１０にはパタ
ーンは形成されない。このように、本発明に係る単結晶
光学素子は、レーザー光の入出射面の側縁部に、結晶方
位を確認しうるパターンを有しているので、側縁部を観
察することにより、側面（たとえば、ｂ面とｃ面）の識
別を容易に行うことができる。
【００２３】［ＫＮbＯ3単結晶光学素子の製造方法］次
に、本発明に係るＫＮbＯ3単結晶光学素子の製造方法に
ついて説明する。まず、本発明では、単分域化処理した
ＫＮbＯ3単結晶を切断してＫＮbＯ3単結晶プレートを作
製する。
に、本発明に係るＫＮbＯ3単結晶光学素子の製造方法に
ついて説明する。まず、本発明では、単分域化処理した
ＫＮbＯ3単結晶を切断してＫＮbＯ3単結晶プレートを作
製する。
【００２４】なお、ＫＮbＯ3単結晶の単分域化処理は、
ＫＮbＯ3単結晶のｃ面に、銀粉末あるいはカーボン粉末
などの導電性粉末を含む導電性ペーストを塗布するか、
あるいは金などを蒸着して、正極および負極を形成し、
次いで２００℃で１ｋＶ／ｃｍ以上の電界をＫＮbＯ3単
結晶の正負両極間に印加することによって行うことがで
きる。このような単分域化処理では、ＫＮbＯ3単結晶と
電極との間に半絶縁性物質層を設けてもよい。
ＫＮbＯ3単結晶のｃ面に、銀粉末あるいはカーボン粉末
などの導電性粉末を含む導電性ペーストを塗布するか、
あるいは金などを蒸着して、正極および負極を形成し、
次いで２００℃で１ｋＶ／ｃｍ以上の電界をＫＮbＯ3単
結晶の正負両極間に印加することによって行うことがで
きる。このような単分域化処理では、ＫＮbＯ3単結晶と
電極との間に半絶縁性物質層を設けてもよい。
【００２５】ＫＮbＯ3単結晶の切断方法としては、特に
限定されるものではなく、たとえば、ダイヤモンドが埋
め込まれた回転刃などを使用することができる。次に、
得られたＫＮbＯ3単結晶プレートは、鏡面研磨して、レ
ーザー光入出射面を形成する。
限定されるものではなく、たとえば、ダイヤモンドが埋
め込まれた回転刃などを使用することができる。次に、
得られたＫＮbＯ3単結晶プレートは、鏡面研磨して、レ
ーザー光入出射面を形成する。
【００２６】鏡面研磨は、ピッチャクロスを定盤にし
て、酸化セリウム、アルミナまたはシリカなどの微粒子
を研磨材に用いて行われる。鏡面研磨後のＫＮbＯ3単結
晶プレートは、レーザー光入出射面の側縁部に結晶方位
を確認しうるパターンを形成するように、レーザー光入
出射面を切断してＫＮbＯ3単結晶光学素子を作製する。
て、酸化セリウム、アルミナまたはシリカなどの微粒子
を研磨材に用いて行われる。鏡面研磨後のＫＮbＯ3単結
晶プレートは、レーザー光入出射面の側縁部に結晶方位
を確認しうるパターンを形成するように、レーザー光入
出射面を切断してＫＮbＯ3単結晶光学素子を作製する。
【００２７】ＫＮbＯ3単結晶プレートの切断方法として
は特に限定されるものではなく、たとえば、ダイヤモン
ドが埋め込まれた回転刃などを用いて行われる。このと
き、切断箇所から０．５ｍｍ以下の幅のパターンが形成
されるように、レーザー光入出射面を切断することが好
ましい。
は特に限定されるものではなく、たとえば、ダイヤモン
ドが埋め込まれた回転刃などを用いて行われる。このと
き、切断箇所から０．５ｍｍ以下の幅のパターンが形成
されるように、レーザー光入出射面を切断することが好
ましい。
【００２８】得られたＫＮbＯ3単結晶光学素子は、必要
に応じて、洗浄などを行ってもよい。
に応じて、洗浄などを行ってもよい。
【００２９】
【発明の効果】本発明に係るＫＮbＯ3単結晶光学素子に
よれば、容易に結晶方位の識別を行うことができる。こ
のため、デバイスの組み立て時に、結晶方位の間違いに
よる不良率を低減させることができる。特に、素子の整
列を自動化する際、素子の側縁部のパターン認識で結晶
方位を確認できるため、大量生産に好適である。
よれば、容易に結晶方位の識別を行うことができる。こ
のため、デバイスの組み立て時に、結晶方位の間違いに
よる不良率を低減させることができる。特に、素子の整
列を自動化する際、素子の側縁部のパターン認識で結晶
方位を確認できるため、大量生産に好適である。
【００３０】本発明に係るＫＮbＯ3単結晶光学素子の製
造方法によれば、パターンの作成工程をＫＮbＯ3単結晶
光学素子の切断工程と同一に行うことができる。
造方法によれば、パターンの作成工程をＫＮbＯ3単結晶
光学素子の切断工程と同一に行うことができる。
【００３１】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３２】
【実施例１】ＫＮbＯ3単結晶は、ＴＳＳＧ法で育成し
た。すなわち、平均直径８０ｍｍ、深さ８０ｍｍの白金
ルツボにカリウム分が過剰のＫＮbＯ3粉末を入れ、抵抗
加熱によりＫＮbＯ3粉末を溶融した。次いでこの溶融液
の表面にシード付けを行い、ＫＮbＯ3単結晶を成長させ
た。こうして得られた４０×４０×２０ｍｍのＫＮbＯ3
単結晶から、１０×１０×１０ｍｍの大きさの結晶ブロ
ックを切り出し、単分域化処理を行った。単分域化処理
は、ＫＮbＯ3単結晶のｃ面に金を蒸着して正極および負
極を形成し、次いで２００℃で１kＶ／cmの電界をＫＮb
Ｏ3単結晶の正負電極間に印加することによって行っ
た。単分域化処理後、ｃ面を軽く鏡面研磨することによ
って、蒸着させた金を除去した。
た。すなわち、平均直径８０ｍｍ、深さ８０ｍｍの白金
ルツボにカリウム分が過剰のＫＮbＯ3粉末を入れ、抵抗
加熱によりＫＮbＯ3粉末を溶融した。次いでこの溶融液
の表面にシード付けを行い、ＫＮbＯ3単結晶を成長させ
た。こうして得られた４０×４０×２０ｍｍのＫＮbＯ3
単結晶から、１０×１０×１０ｍｍの大きさの結晶ブロ
ックを切り出し、単分域化処理を行った。単分域化処理
は、ＫＮbＯ3単結晶のｃ面に金を蒸着して正極および負
極を形成し、次いで２００℃で１kＶ／cmの電界をＫＮb
Ｏ3単結晶の正負電極間に印加することによって行っ
た。単分域化処理後、ｃ面を軽く鏡面研磨することによ
って、蒸着させた金を除去した。
【００３３】単分域化した結晶ブロックから、１０×１
０×３ｍｍのａ面プレート（１０×１０ｍｍの面がａ
面）を切り出し、ａ面プレートの両面を鏡面研磨した。
鏡面研磨後、鏡面研磨面を３×３ｍｍに切断して、ＫＮ
bＯ3単結晶光学素子を作製した。
０×３ｍｍのａ面プレート（１０×１０ｍｍの面がａ
面）を切り出し、ａ面プレートの両面を鏡面研磨した。
鏡面研磨後、鏡面研磨面を３×３ｍｍに切断して、ＫＮ
bＯ3単結晶光学素子を作製した。
【００３４】得られた素子９個の鏡面側縁部のドメイン
およびチッピングを５０倍の光学顕微鏡で観察したとこ
ろ、容易に、ＫＮbＯ3単結晶光学素子のｃ面とｂ面とを
識別できることがわかった。
およびチッピングを５０倍の光学顕微鏡で観察したとこ
ろ、容易に、ＫＮbＯ3単結晶光学素子のｃ面とｂ面とを
識別できることがわかった。
【００３５】
【実施例２】実施例１で作製した１０×１０×１０ｍｍ
の大きさの単分域化した結晶ブロックから、入出射面法
線方向がａｂ軸面内でａ軸から６０°の方向になるよう
にして、３ｍｍ厚で結晶プレートを切り出した。切り出
した結晶プレートの両面を鏡面研磨し、その後、３×３
ｍｍに切断し、洗浄して、ＫＮbＯ3単結晶光学素子を作
製した。
の大きさの単分域化した結晶ブロックから、入出射面法
線方向がａｂ軸面内でａ軸から６０°の方向になるよう
にして、３ｍｍ厚で結晶プレートを切り出した。切り出
した結晶プレートの両面を鏡面研磨し、その後、３×３
ｍｍに切断し、洗浄して、ＫＮbＯ3単結晶光学素子を作
製した。
【００３６】得られた素子９個の鏡面側縁部のドメイン
およびチッピングを５０倍の光学顕微鏡で観察したとこ
ろ、容易に、ＫＮbＯ3単結晶光学素子のｃ面とａｂ面と
を識別できることがわかった。
およびチッピングを５０倍の光学顕微鏡で観察したとこ
ろ、容易に、ＫＮbＯ3単結晶光学素子のｃ面とａｂ面と
を識別できることがわかった。
【図１】本発明に係るＫＮbＯ3単結晶光学素子の一例を
説明するための図面である。
説明するための図面である。
【図２】本発明に係るＫＮbＯ3単結晶光学素子の他の一
例を説明するための図面である。
例を説明するための図面である。
【図３】本発明に係るＫＮbＯ3単結晶光学素子の概略を
説明するための図面である。
説明するための図面である。
２ …レーザー光の入出射面（ａ面） ３ …ｂ面 ４，９ …ｃ面 ５ …側縁部 ６，１０…パターン ７ …レーザー光の入出射面（６０°ａｂ面） ８ …３０°ａｂ面 １１ …レーザー光の入出射面 １２，１３…側面
Claims (4)
- 【請求項１】レーザー光の入出射面を有し、かつ入出射
面の側縁部に結晶方位を確認しうるパターンを有するこ
とを特徴とするＫＮbＯ3単結晶光学素子。 - 【請求項２】前記パターンが、ＫＮbＯ3単結晶プレート
を切断してＫＮbＯ3単結晶光学素子を製造する際に形成
されたドメインパターンまたはチッピングであることを
特徴とする請求項１に記載のＫＮbＯ3単結晶光学素子。 - 【請求項３】前記パターンの幅が０.５mm以下であるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載のＫＮbＯ3単結
晶光学素子。 - 【請求項４】単分域化処理したＫＮbＯ3単結晶を切断し
てＫＮbＯ3単結晶プレートを作製し、 該ＫＮbＯ3単結晶プレートのレーザー光入出射面を鏡面
研磨したのち、 ＫＮbＯ3単結晶プレートのレーザー光入出射面を、レー
ザー光入出射面の側縁部に結晶方位を確認しうるパター
ンを形成するように切断することを特徴とするＫＮbＯ3
単結晶光学素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26668697A JP3849996B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 単結晶光学素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26668697A JP3849996B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 単結晶光学素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11106296A true JPH11106296A (ja) | 1999-04-20 |
| JP3849996B2 JP3849996B2 (ja) | 2006-11-22 |
Family
ID=17434295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26668697A Expired - Fee Related JP3849996B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 単結晶光学素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3849996B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003096124A1 (de) * | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Linse aus kristallmaterial |
| US7126765B2 (en) | 2001-05-15 | 2006-10-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective with fluoride crystal lenses |
| US7239447B2 (en) | 2001-05-15 | 2007-07-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective with crystal lenses |
| US7292388B2 (en) | 2002-05-08 | 2007-11-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Lens made of a crystalline material |
| WO2021253589A1 (zh) * | 2020-06-19 | 2021-12-23 | 齐鲁工业大学 | 一种钽铌酸钾单晶基片元件的加工制作方法 |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP26668697A patent/JP3849996B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7126765B2 (en) | 2001-05-15 | 2006-10-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective with fluoride crystal lenses |
| US7145720B2 (en) | 2001-05-15 | 2006-12-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective with fluoride crystal lenses |
| US7180667B2 (en) | 2001-05-15 | 2007-02-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective with fluoride crystal lenses |
| US7239447B2 (en) | 2001-05-15 | 2007-07-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective with crystal lenses |
| US7382536B2 (en) | 2001-05-15 | 2008-06-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective with fluoride crystal lenses |
| WO2003096124A1 (de) * | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Linse aus kristallmaterial |
| CN1327294C (zh) * | 2002-05-08 | 2007-07-18 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 用晶体材料制造透镜 |
| US7292388B2 (en) | 2002-05-08 | 2007-11-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Lens made of a crystalline material |
| US7672044B2 (en) | 2002-05-08 | 2010-03-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Lens made of a crystalline material |
| WO2021253589A1 (zh) * | 2020-06-19 | 2021-12-23 | 齐鲁工业大学 | 一种钽铌酸钾单晶基片元件的加工制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3849996B2 (ja) | 2006-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nassau et al. | Ferroelectric lithium niobate. 1. Growth, domain structure, dislocations and etching | |
| JPH10503602A (ja) | パターン付分極化誘電構造体と装置の製造 | |
| US5315432A (en) | Thin film of lithium niobate single crystal | |
| Wu et al. | Domain structure and polarization reversal in films of ferroelectric bismuth titanate | |
| EP0444209A1 (en) | Thin film of lithium niobate single crystal and production thereof | |
| US20020092823A1 (en) | Thin film lithium niobate structure and method of making the same | |
| JP3511204B2 (ja) | 光機能素子、該素子用単結晶基板、およびその使用方法 | |
| JP3849996B2 (ja) | 単結晶光学素子の製造方法 | |
| JPH1010348A (ja) | 光導波路デバイスの製造方法 | |
| US6747787B2 (en) | Optically functional device, single crystal substrate for the device and method for its use | |
| JP3512480B2 (ja) | ニオブ酸カリウム単結晶の製造方法 | |
| CN101535887B (zh) | 光波导基板的制造方法 | |
| JP3424125B2 (ja) | タンタル酸リチウム単結晶の強誘電分極反転を利用した光機能素子 | |
| JP2007033489A (ja) | 強誘電体結晶の製造方法および電気光学素子 | |
| JPH10246900A (ja) | 強誘電体単結晶基板の微小構造の製造方法 | |
| JP2009092712A (ja) | 光機能素子の製造方法及びタンタル酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| JP2001287999A (ja) | タンタル酸リチウム単結晶、およびその光素子、およびその製造方法 | |
| JPH05313033A (ja) | 光導波路、製造方法、および光素子 | |
| JP2002348195A (ja) | ニオブ酸カリウム単結晶の単分域化処理方法 | |
| JP3963404B2 (ja) | 積層体及びその成膜方法 | |
| JPH06174908A (ja) | 導波路型回折格子の製造方法 | |
| JP3010881B2 (ja) | 単結晶育成方法 | |
| JP3909845B2 (ja) | 光機能素子の製造方法 | |
| Mizell et al. | Growth, properties, and applications of potassium niobate single crystals | |
| JP4569911B2 (ja) | タンタル酸リチウム単結晶からなる波長変換素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060531 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20060728 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060823 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060828 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |