JPH1093863A - 固体撮像素子及びその駆動方法、並びにスチルカメラ - Google Patents

固体撮像素子及びその駆動方法、並びにスチルカメラ

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JPH1093863A
JPH1093863A JP8246553A JP24655396A JPH1093863A JP H1093863 A JPH1093863 A JP H1093863A JP 8246553 A JP8246553 A JP 8246553A JP 24655396 A JP24655396 A JP 24655396A JP H1093863 A JPH1093863 A JP H1093863A
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line
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horizontal
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JP8246553A
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Mamoru Yasaka
守 家坂
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 増幅型の固体撮像素子における縦筋状の固定
パターンノイズ(FPN)とシェーディングの発生を抑
える。 【解決手段】 複数の画素22を有し、画素リセット前
の画素22からの第1の信号と、画素リセット後の画素
22からの第2の信号との差分を出力信号とする固体撮
像素子であって、同一の信号出力線30から1水平ライ
ン分の第1の信号と1水平ライン分の第2の信号を交互
に出力する手段(23,28,29,31)と、1水平
ライン分の第1の信号又は第2の信号のいずれか一方を
遅延させる遅延手段36と、遅延後に第1の信号と第2
の信号の差分を出力する差動手段37を備えて成る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子及び
その駆動方法に関する。
【0002】さらに、本発明は、固体撮像素子を備えた
スチルカメラに関する。
【0003】
【従来の技術】近年、固体撮像素子の高解像度化の要求
に従って、スミアが無く、微細画素の実現が可能である
増幅型固体撮像素子が開発されている。
【0004】この増幅型固体撮像素子は、光電変換で得
られた電荷を画素に蓄積し、この蓄積された電荷による
画素ポテンシャルの変調を信号として取り出すように構
成されている。
【0005】増幅型固体撮像素子は、能動素子(例えば
MOS型トランジスタ)で画素を構成しているため、能
動素子のバラツキがそのまま映像信号に乗ってしまう。
このバラツキは、画素それぞれに固定の値を持つため撮
像画での固定パターンノイズ(これ以降FPNと称す
る)として現われる。
【0006】このFPNは、入射光に対する感度のバラ
ツキではなく、画素のしきい値のバラツキが入射光に応
じた信号量に加算される性質のものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このようなFPNをど
のように除去するか、図8の比較例に係る増幅型固体撮
像素子1を用いて説明する。
【0008】図8において、2は単位画素(セル)を構
成する受光素子、本例では画素MOSトランジスタを示
し、複数の画素MOSトランジスタ2が行列状に配列さ
れる。3は各行毎の画素MOSトランジスタ2の制御電
極、即ちゲートに接続された垂直選択線、4は垂直選択
線3に垂直走査信号、即ち垂直走査パルスφV〔φ
1 ,‥‥φVm ,φVm+1 ,‥‥〕を順次与える垂直
走査回路である。
【0009】画素MOSトランジスタ2の一方の主電
極、即ちソースは各列毎に垂直信号線5に接続され、他
方の主電極、即ちそのドレインが電源VD に接続され
る。
【0010】各垂直信号線5には、第1の動作MOSス
イッチ7を介して信号電圧(電荷)を保持する第1の負
荷容量素子8が接続され、その接続点が第1の水平MO
Sスイッチ9を介して第1の信号出力線、即ち水平出力
線10に接続される。さらに、上記同じ列の垂直信号線
5に第2の動作MOSスイッチ7′を介して第2の負荷
容量素子8′が接続され、その接続点が第2の水平MO
Sスイッチ9′を介して第2の信号出力線、即ち水平出
力線11に接続される。各負荷容量素子8,8′は垂直
信号線5と接地電位との間に接続される。
【0011】第1の動作MOSスイッチ7のゲートには
第1の動作パルスφOPS が印加され、第2の動作MOS
スイッチ7′のゲートには第2の動作パルスφOPN が印
加される。
【0012】第1の水平MOSスイッチ9及び第2の水
平MOSスイッチ9′のゲートは、共通接続されて水平
走査回路12に接続され、この水平走査回路12より水
平MOSスイッチ9,9′に順次水平走査信号、即ち水
平走査パルスφH〔φH1 ,‥‥φHn ,φHn+1 ,‥
‥〕が供給される。
【0013】尚、図示せざるも、垂直信号線5には、負
荷容量素子8,8′及び垂直信号線5を初期電圧にリセ
ットするためのリセットMOSスイッチが接続される。
即ち、このリセットMOSスイッチのソースが垂直信号
線5に接続され、そのドレインにリセットバイアス電圧
RBが与えられ、そのゲートにリセットパルスφVRST
供給されるようになされる。
【0014】第1及び第2の水平出力線10及び11の
出力端には出力回路(例えば電荷検出回路)13及び1
3′が接続されると共に、第1の出力回路13及び第2
の出力回路13′の各出力端、即ち信号用の出力端tS
とノイズ用の出力端tN が減算処理するための差動増幅
器等からなる差動回路14に接続される。
【0015】この図8の増幅型固体撮像素子1では、入
射光により蓄積された信号電荷に応じて画素MOSトラ
ンジスタの主電極から出てくる信号(即ち、画素リセッ
ト前の信号=光電変換による信号+画素の固定パターン
ノイズ)が、垂直信号線5から第1の動作MOSスイッ
チを介して第1の負荷容量素子8に送られ保持される。
【0016】さらに、同様に同じ画素MOSトランジス
タ2をリセットした後、画素MOSトランジスタ2の主
電極から出てくる信号(即ち、画素リセット後の信号=
画素の固定パターンノイズのみ)が垂直信号線5から第
2の動作MOSスイッチ7′を介して第2の負荷容量素
子8′に送られ保持される。
【0017】第1の負荷容量素子8と第2の負荷容量素
子8′に夫々保持された画素リセット前の信号と画素リ
セット後の信号は、第1の水平MOSスイッチ9と第2
の水平MOSスイッチ9′を導通状態にすることで、夫
々第1の水平出力線10と第2の水平出力線11を通じ
て、第1の出力回路13と第2の出力回路13′から出
力端tS と出力端tN に出力される。即ち、この時、水
平出力線10及び11は、ある同一水平ライン上にある
画素からの画素リセット前の信号と、画素リセット後の
信号を同時に出力する。その後、差動回路14の減算処
理によりFPNを除去し、出力端子tout から出力信号
を得ていた。
【0018】しかし乍ら、このような構成の増幅型固体
撮像素子1においては、画素MOSトランジスタ2から
発生するFPNは除去できても、画素リセット前と後の
信号を出力させる水平出力線10及び11が互いに別々
のものであるため、これら2本の水平出力線10及び1
1の間の微妙な特性の違いにより、撮像画面上で縦筋状
のFPNとシェーディングが発生する問題があった。
【0019】ここで、これら2本の水平出力線10及び
11間で特性が微妙に異なる原因としては、2本の水平
出力線10及び11に別々に各垂直信号線5、即ち、動
作スイッチ7、負荷容量素子8、水平スイッチ9のライ
ンと、動作スイッチ7′、負荷容量素子8′、水平スイ
ッチ9′のラインが別々につながっていることに起因し
ていると考えられる。そして、撮像特性上問題の無いレ
ベルまで、これら2本の水平出力線10及び11の特性
を同じにすることは、実際の固体撮像素子の製作上困難
と考えられる。
【0020】本発明は、上述の点に鑑み、撮像画面上で
縦筋状のFPNとシェーディングを取り除くことができ
る増幅型の固体撮像素子及びその駆動方法を提供するも
のである。
【0021】また、本発明は、かかる固体撮像素子を備
えたスチルカメラを提供するものである。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明は、同一の信号出
力線から1水平ライン分の画素リセット前の信号と1水
平ライン分の画素リセット後の信号を交互に出力し、そ
のいずれか一方の信号を遅延して後、上記両信号の差分
を出力するようにする。
【0023】画素リセット前の信号と画素リセット後の
信号を同一の信号出力線により出力するので、比較例で
示した2本の信号出力線の微妙な特性差に起因した縦筋
状のFPNとシェーディングを抑えることができる。
【0024】
【発明の実施の形態】本発明に係る固体撮像素子は、複
数の画素を有し、画素リセット前の画素からの第1の信
号と、画素リセット後の画素からの第2の信号との差分
を出力信号とする固体撮像素子であって、同一の信号出
力線から1水平ライン分の上記第1の信号と、1水平ラ
イン分の上記第2の信号を交互に出力する手段と、1水
平ライン分の第1の信号又は第2の信号のいずれか一方
を遅延させる遅延手段と、遅延後に第1の信号と第2の
信号の差分を出力する差動手段を備えた構成とする。
【0025】本発明は、上記固体撮像素子において、信
号出力線を1本のみとした構成とする。
【0026】本発明に係る固体撮像素子の駆動方法は、
画素リセット前の画素からの第1の信号と、画素リセッ
ト後の画素からの第2の信号の差分を出力信号とする駆
動方法であって、同一の信号出力線から1水平ライン分
の第1の信号と、1水平ライン分の第2の信号を交互に
出力し、1水平ライン分の第1の信号又は第2の信号の
いずれか一方を遅延させて後、第1の信号と第2の信号
の差を出力信号とする。
【0027】本発明に係るスチルカメラは、上記の固体
撮像素子を備えた構成とする。
【0028】以下、図面を参照して本発明の実施例につ
いて説明する。
【0029】図1は、本発明による増幅型固体撮像素子
の一実施例を示す。
【0030】図1において、22は単位画素(セル)を
構成する画素トランジスタ、例えば画素MOSトランジ
スタを示し、複数の画素MOSトランジスタ22が行列
状に配列される。23は同一行の画素MOSトランジス
タ22を制御し選択するためのシフトレジスタ等から構
成される垂直走査回路、24はその同一行の画素MOS
トランジスタ22の制御電極、即ちゲートを共通に接続
した垂直選択線を示す。各行の垂直選択線24には垂直
走査回路23から順次垂直選択パルスφV〔φV1 ,‥
‥φVm ,φVm+1 ,‥‥〕が印加される。
【0031】同一列の画素MOSトランジスタ22の一
方の主電極、例えばソースは垂直信号線25に接続さ
れ、その他方の主電極、例えばドレインは電源VD が供
給される電源線26に接続される。
【0032】垂直信号線25には、動作パルスφOPS
より制御される動作スイッチ(例えばMOSスイッチ)
28を介して画素MOSトランジスタ22からの信号を
保持する負荷容量素子29が接続される。負荷容量素子
29は垂直信号線25と接地間に接続される。
【0033】負荷容量素子29と信号出力線、即ち水平
出力線30との間にシフトレジスタ等からなる水平走査
回路31からの水平走査パルスφH〔φH1 ,‥‥φH
n ,φHn+1 ,‥‥〕により制御される水平スイッチ
(例えばMOSスイッチ)32が接続される。
【0034】尚、垂直信号線25には、垂直信号線25
のリセットと負荷容量素子29のリセットを兼ねるリセ
ットスイッチ(例えばMOSスイッチ)33が接続され
る。リセットスイッチ33のソースは、垂直信号線25
に接続され、そのドレインにリセットバイアス電圧φ
VRB が与えられ、そのゲートにリセットパルスφRST
与えられるようになされる。
【0035】本例においては、特に、水平出力線30を
1本のみとする。そして、この水平出力線30の出力端
に出力回路(例えば電荷検出回路等)35が接続される
と共に、その出力回路35の出力端子TOLが切換スイッ
チSW の一方のスイッチSSを介して遅延回路36に接
続され、さらに遅延回路36の出力端子TS が差動増幅
器等からなる差動回路37に接続される。また出力回路
35の出力端子TOLは切換スイッチSW の他方のスイッ
チSN を介して差動回路37に接続される。
【0036】図2は、単位画素(即ち画素MOSトラン
ジスタ)22の半導体構造を示す断面図である。
【0037】この画素MOSトランジスタ22は、第1
導電型例えばp型のシリコン半導体基板52上に第2導
電型即ちn型の半導体領域、即ちオーバーフローバリア
領域53及びp型の半導体ウエル領域54が形成され、
このp型半導体ウエル領域54上に例えばSiO2 等に
よるゲート絶縁膜55を介して光を透過しうる環状のゲ
ート電極56が形成され、その環状のゲート電極56の
内側及び外側に対応するp型半導体ウエル領域54にゲ
ート電極56をマスクとするセルファラインにて夫々n
型のソース領域57及びドレイン領域58が形成されて
成る。
【0038】この画素MOSトランジスタ22では、図
示するように、環状のゲート電極56を透過した光がシ
リコン中で光電変換して電子−ホールを発生し、このう
ちの一方の電荷、この例ではホールhが信号電荷として
環状のゲート電極56下のp型半導体ウエル領域54に
蓄積される。この蓄積されたホールhによって、読み出
し動作時における表面チャネル電位が変調を受けるの
で、その表面チャネル電位の変化量が信号出力となる。
【0039】本実施例の増幅型固体撮像素子21の基本
的な動作は、同一の水平出力線30から1水平ライン分
の画素リセット前の信号と同じ画素における1水平ライ
ン分の画素リセット後の信号を交互に、即ち線順次に出
力し、画素リセット前の信号又は画素リセット後の信号
のいずれか一方の信号を1水平ライン分遅延させた上
で、画素リセット前の信号と画素リセット後の差分信号
を出力させる。
【0040】この場合、1水平ライン分の同一画素MO
Sトランジスタ22からの画素リセット前の信号と画素
リセット後の信号を合わせた線順次信号を1水平繰り返
し周期内で出力するようになされる。
【0041】本実施例の動作に係る駆動タイミングの一
例を図3に示す。
【0042】各画素MOSトランジスタ22において
は、入射光により光電変換が行われ、この光電変換によ
り得られた信号電荷が蓄積される。
【0043】図3に示すように、水平ブランキング期間
BLK で例えばm行目の水平ラインの画素MOSトラン
ジスタ22が垂直選択パルスφVm によって選択され
る。そして、水平ブランキング期間HBLK 内のリセット
期間T1 でリセットパルスφRST が高レベルになり、リ
セットスイッチ33がオンし、また動作パルスφOPS
高レベルとなり動作スイッチ28がオン状態となる。こ
れにより、負荷容量素子29はリセットバイアス電圧V
RBにリセットされ、同時に垂直信号線25がリセットバ
イアス電圧VRBにリセットされる。
【0044】次に、動作スイッチ28がオン状態にある
第1の読み出し期間T2 において、画素MOSトランジ
スタ22の蓄積電荷に応じた信号電圧(即ち画素リセッ
ト前の信号)が負荷容量素子29に保持される。
【0045】次いで、動作スイッチ28がオフした後、
負荷容量素子に保持された1水平ライン分の信号電圧が
水平有効走査期間TA の前半の期間TA1中に水平走査パ
ルスφH〔φH1 ,‥‥φHn ,φHn+1 ,‥‥〕で順
次水平スイッチ32がオンされることにより、信号電荷
として水平出力線30に流れ、出力回路35を通じてそ
の出力端子TOLに1水平ライン分の画素リセット前の信
号(以下S信号という)が出力される。
【0046】このとき、切換スイッチSW が一方のスイ
ッチS1 側がスイッチオンされていることによって、こ
の1水平ライン分のS信号が遅延回路36を通じてさら
に差動回路37に供給される。
【0047】次に、水平有効期間TA の中間の期間TB
(これは水平ブランキング期間に相当する期間)で、再
びm行目の水平ラインの画素MOSトランジスタが垂直
走査パルスφVm によってオンされる。この期間TB
おける前段の画素リセット期間T3 で基板パルスφV
sub が撮像素子の基板に印加されて、画素MOSトラン
ジスタに蓄積されていた電荷(本例ではホール)が基板
を通じて排出され画素リセットがなされる。
【0048】次いで、第2の読み出し期間T4 におい
て、動作パルスφOPS によって動作スイッチ28が再び
オン状態となり、m行目の水平ラインの画素リセット後
の信号電圧が負荷容量素子29に保持される。
【0049】次に、動作スイッチ28がオフした後、負
荷容量素子29に保持された1水平ライン分の画素リセ
ット後の信号電圧が水平走査期間TA の後半の期間TA2
中に水平走査パルスφH〔φH1 ,‥‥φHn ,φH
n+1 ,‥‥〕で順次水平スイッチ32がオンすることに
よって、水平出力線30に信号電荷として流れ出力回路
35を通じて画素リセット後の信号(以下N信号とい
う)として出力される。
【0050】このとき、切換スイッチSW のスイッチS
N 側がスイッチオンされることにより、1水平ライン分
のN信号は差動回路37に供給される。
【0051】差動回路37では、N信号と、遅延回路3
6を通じて遅延されたS信号とが同期して供給され、両
信号が減算処理されて、その差分信号(Sm −Nm
号)が出力端子TS-N より出力される。
【0052】本実施例では、出力端子TS-N から出力さ
れる差分の出力信号が無信号期間を挟んで断続的に出力
されることになる。このため、動画を撮像する通常のビ
デオカメラ用途として本例を適用する場合は、差分の出
力信号を更に所定の出力タイミング形式に変換する必要
がある。
【0053】一方、出力タイミング形式に自由度のある
スチルカメラ用途に本例を適用する場合には、必ずしも
出力タイミングの変換は必要ない。
【0054】次に、スチルカメラ及びビデオカメラに適
用した場合の例を説明する。
【0055】スチルカメラに適用した場合には、図4の
システム回路ブロック図に示すように、差動回路37の
出力側にさらに例えばサンプリングホールド回路等を備
えて波形成形等の信号処理するための、その他信号処理
回路41、アナログ/デジタル変換回路42、メモリ回
路43、デジタル/アナログ変換回路44及び出力装置
45が順次接続される。
【0056】この図4のスチルカメラに適用した場合に
は、図5に示すように、出力回路35の出力端子TOL
水平ライン毎のSm-1 信号、Nm-1 信号、Sm 信号、N
m 信号、‥‥のいわゆるSN線順次信号が出力される。
このSN線順次信号が切換スイッチSW の各スイッチS
S ,SN のオン・オフ制御により、遅延回路36の出力
端子TS とスイッチSN の出力端子TN に、夫々互いに
同期したS信号〔‥‥Sm-1 ,Sm ,Sm+1 ,‥‥〕と
N信号〔‥‥Nm-1 ,Nm ,Nm+1 ,‥‥〕が出力さ
れ、之等両信号が差動回路37に供給され、その出力端
子TS-N に差分信号(Sm-1 −Nm-1 )、(Sm
m )、(Sm+1 −Nm+1 )、‥‥が出力される。この
差分信号は無信号期間を挟んで断続的に出力される。
【0057】この差分信号がその他信号処理回路41で
波形成形等の信号処理がなされ、アナログ/デジタル変
換回路42を通じてメモリ回路43にメモリされる。こ
のメモリ回路43では複数フレーム分の信号がメモリさ
れる。このメモリ回路43からの出力がデジタル/アナ
ログ変換回路44を通じて出力装置45に供給され、ス
チル画像として読み出される。
【0058】次に、ビデオカメラに適用した場合には、
図6のシステム回路ブロック図に示すように、差動回路
37の出力側に連続処理回路47、その他信号処理回路
48及びモニタ49が順次接続される。
【0059】この図6のビデオカメラに適用した場合に
は、図7に示すように、差動回路37の出力端子TS-N
からの無信号期間を挟んで断続的に出力される差動信号
(S m-1 −Nm-1 )、(Sm −Nm )、(Sm+1 −N
m+1 )‥‥が連続処理回路47で所定の出力タイミング
形式に変換され、その出力端子T′S-N において、例え
ば1水平有効走査期間TA に対応するような連続差分信
号(Sm-1 −Nm-1 )′、(Sm −Nm )′、(Sm+1
−Nm+1 )′‥‥が出力される。この連続差分信号がモ
ニタ49に供給されることにより、動画像が得られる。
【0060】上述の本実施例によれば、1本の水平出力
線30から1水平ライン分の画素リセット前の信号(S
信号)と1水平ライン分の画素リセット後の信号(N信
号)を交互に、即ち線順次に出力させて、そのいずれか
一方の信号、本例ではS信号を遅延させた上で、S信号
とN信号の差分信号を出力するようにしたことにより、
比較例で示す2本の水平出力線間における微妙な特性の
違いに起因した縦筋状のFPNとシェーディングの発生
を抑えることができる。本実施例では、特に出力タイミ
ング形式に自由度のある、即ち出力タイミングの変換を
必要としないスチルカメラ用途に適するものである。
【0061】なお、本実施例が適用される撮像素子とし
ては、同一画素からS信号とN信号を読み出し、これら
の差分信号を出力するものに適用される。具体的にはC
MD(Charge Modulation Device)やBCMD(Bulk C
harge Modulated Device)などの固体撮像素子があげら
れる。
【0062】また、実施例の遅延回路と差動回路は撮像
素子内部に内蔵されている必要はなく、これら回路を素
子外部で構成しても良い。そして、遅延回路は遅延線を
主体とした回路でも良いし、メモリ素子を主体とした回
路でも良い。
【0063】更に、実施例では、水平出力線は1本だけ
としたが、出力スピードの高速化を図るため、同様の構
成の水平出力線を複数本有していても良い。
【0064】
【発明の効果】本発明によれば、同一の信号出力線から
1水平ライン分の画素リセット前の第1の信号と、1水
平ライン分の画素リセット後の第2の信号を交互に出力
し、一方の信号を遅延させた後、第1及び第2の信号の
差分を出力することにより、比較例の固体撮像素子で問
題とした信号出力線における微妙な特性の違いに起因し
た縦筋状のFPNとシェーディングの発生を抑えること
ができ、画質のよい画像が得られる。
【0065】信号出力線を1本のみとするときには、全
画素について同一の信号出力線から第1及び第2の信号
を出力することができ、より確実に縦筋状のFPNとシ
ェーディングの発生を抑えることができる。
【0066】本発明のスチルカメラによれば、上記固体
撮像素子を備えることによって、画質のよいスチル画像
を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る固体撮像素子の一例を示す構成図
である。
【図2】図1の固体撮像素子の画素の半導体構造の断面
図である。
【図3】本発明に係る駆動タイミングの一例を示す駆動
タイミング図である。
【図4】本発明をスチルカメラに適用した場合の構成図
である。
【図5】スチルカメラに適用した場合の出力信号の説明
図である。
【図6】本発明を動画用カメラに適用した場合の構成図
である。
【図7】動画用カメラに適用した場合の出力信号の説明
図である。
【図8】比較例の固体撮像素子の構成図である。
【符号の説明】
21 増幅型固体撮像素子、 22 画素、 23 垂
直走査回路、 24垂直選択線、 25 垂直信号線、
28 動作スイッチ、 29 負荷容量素子、 30
水平出力線、31 水平走査回路、 32 水平スイ
ッチ、 35出力回路、 SW 切換スイッチ、 36
遅延回路、 37 差動回路、41 その他信号処理
回路、 42 アナログ/デジタル変換回路、 43
メモリ回路、44 デジタル/アナログ変換回路、 4
5 出力装置、 47 連続処理装置、 48 その他
信号処理回路、 49 モニタ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の画素を有し、画素リセット前の画
    素からの第1の信号と、画素リセット後の前記画素から
    の第2の信号との差分を出力信号とする固体撮像素子で
    あって、 同一の信号出力線から1水平ライン分の前記第1の信号
    と、1水平ライン分の前記第2の信号を交互に出力する
    手段と、 前記1水平ライン分の第1の信号又は第2の信号のいず
    れか一方を遅延させる遅延手段と、 遅延後に前記第1の信号と第2の信号の差分を出力する
    差動手段を備えて成ることを特徴とする固体撮像素子。
  2. 【請求項2】 前記信号出力線は1本のみ有することを
    特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
  3. 【請求項3】 画素リセット前の画素からの第1の信号
    と、画素リセット後の前記画素からの第2の信号の差を
    出力信号とする駆動方法であって、 同一の信号出力線から1水平ライン分の前記第1の信号
    と、1水平ライン分の前記第2の信号を交互に出力し、 前記1水平ライン分の第1の信号又は第2の信号のいず
    れか一方を遅延させて後、前記第1の信号と前記第2の
    信号の差分を出力信号とすることを特徴とする固体撮像
    素子の駆動方法。
  4. 【請求項4】 請求項1の固体撮像素子を備えたことを
    特徴とするスチルカメラ。
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