JPH1092657A - Thin film chip parts and its manufacturing method - Google Patents
Thin film chip parts and its manufacturing methodInfo
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- JPH1092657A JPH1092657A JP26035796A JP26035796A JPH1092657A JP H1092657 A JPH1092657 A JP H1092657A JP 26035796 A JP26035796 A JP 26035796A JP 26035796 A JP26035796 A JP 26035796A JP H1092657 A JPH1092657 A JP H1092657A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜チップ部品と
その薄膜チップ部品を製造する方法に係り、特にスクラ
イブ入りセラミックス基板表面を印刷用ガラスでチップ
サイズエリア内にブロック状に平坦化処理を施し、平坦
化部に薄膜素子を形成し、保護膜及び端子加工に厚膜印
刷法を用いたことに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin-film chip component and a method of manufacturing the thin-film chip component, and more particularly, to a method of flattening a surface of a scribed ceramic substrate in a chip size area in a block shape with printing glass. A thin film element is formed on a flattened portion, and a thick film printing method is used for processing a protective film and terminals.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の薄膜チップ部品の製造方法は、例
えば、セラミックス基板を用いる場合、耐熱樹脂等をス
ピンコートし、キュアすることにより基板全面を平坦化
処理した後、薄膜形成、フォトリソ加工及びエッチング
加工等により薄膜素子を形成し、耐熱樹脂で薄膜素子を
保護コートし、かつ、ダイシングソーを用いてスリット
加工をし、端子部も半田メッキ下地に金属薄膜を両面に
形成し、更にダイシングソーを用いてチップ分割すると
共に半田メッキをしてチップ部品を製造する方法であっ
た。2. Description of the Related Art In a conventional method of manufacturing a thin film chip component, for example, when a ceramic substrate is used, the entire surface of the substrate is flattened by spin-coating a heat-resistant resin or the like, followed by thin film formation, photolithography, and the like. Form a thin-film element by etching, etc., protect the thin-film element with heat-resistant resin, perform slit processing using a dicing saw, and form a metal thin film on both sides of the terminals under the solder plating base. In this method, a chip component is manufactured by splitting a chip and performing solder plating.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】この製造方法では、平
坦化処理が基板全面によるため、ダイシングソーによる
スリット加工及びチップ分割時に端子部の薄膜が剥離し
やすい欠点が有り、歩留まりが悪かった。In this manufacturing method, since the flattening process is performed on the entire surface of the substrate, there is a disadvantage that the thin film of the terminal portion is easily peeled at the time of slitting with a dicing saw and chip division, and the yield is poor.
【0004】また、前記の加工時に剥離が生じない場合
でも、半田メッキ時にバレルメッキ方法をとるためその
際に剥離等によるメッキ不良が発生する欠点を有する。
更に、金属薄膜をイオンミリング等でエッチング加工し
た場合、エッチング残りが生じやすく、結果的に端子間
のショートにつながる欠点を有する。In addition, even if the peeling does not occur at the time of the above-mentioned processing, the barrel plating method is used at the time of solder plating, so that there is a disadvantage that plating failure due to peeling or the like occurs at that time.
Further, when the metal thin film is etched by ion milling or the like, there is a disadvantage that etching residue is apt to occur, resulting in a short circuit between terminals.
【0005】また、従来の方法においては平坦化処理及
び保護膜に耐熱樹脂を用いるため、400°C以上の高
温工程がある場合、この工程を使用することができない
欠点があり、更に、前記のような方法ではスクライブラ
インが入った基板を使用できないから製造コストが高く
なる欠点があった。Further, in the conventional method, since a heat-resistant resin is used for the flattening process and the protective film, if there is a high-temperature step of 400 ° C. or more, there is a disadvantage that this step cannot be used. In such a method, there is a disadvantage that the manufacturing cost is increased because a substrate having scribe lines cannot be used.
【0006】本発明の目的は、前記のような従来の欠点
を解消し、薄膜によりチップ部品を製造する際、薄膜素
子形成エリアにのみガラスによる平坦化処理を施し、か
つ、薄膜素子部に保護膜としてガラスを用いていること
により耐熱性に優れ、しかも、チップ分割の際にブレイ
ク性が失われず、薄膜の膜剥離を防止することができる
薄膜チップ部品とその製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional drawbacks, and when manufacturing a chip component using a thin film, only a flattening process using glass is performed on a thin film element forming area, and the thin film element portion is protected. It is an object of the present invention to provide a thin-film chip component which is excellent in heat resistance by using glass as a film, does not lose breakability at the time of chip division, and can prevent peeling of a thin film, and a method for manufacturing the same. .
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜チップ
部品は、平坦化処理部及び保護膜にガラスを用いている
ことを特徴とする。A thin-film chip component according to the present invention is characterized in that glass is used for a flattening section and a protective film.
【0008】これにより、平坦化部の薄膜の剥離はな
く、また、対環境性に優れたものとなる。As a result, the thin film on the flattened portion is not peeled off, and is excellent in environmental protection.
【0009】本発明に係る薄膜チップ部品の製造方法
は、請求項2記載のものにおいては、薄膜チップ部品の
製造方法において、セラミックス基板を平坦化処理する
に際し、スクライブ入り厚膜印刷用セラミックス基板の
表面をガラスペーストで印刷法を用いてブロック状に平
坦化処理することを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a thin film chip component, the method comprising the steps of: It is characterized in that the surface is flattened in a block shape by a printing method using a glass paste.
【0010】これにより、薄膜素子形成エリアにのみガ
ラスによる平坦化処理が施されるから耐熱性に優れると
共にチップ分割の際にブレイク性が失われず、薄膜の膜
剥離が防止される。As a result, the flattening process using glass is performed only on the thin film element formation area, so that the heat resistance is excellent, the breakability is not lost during chip division, and the thin film is prevented from peeling.
【0011】請求項3記載のものにおいては、ブロック
状に平坦化処理したセラミックス基板に薄膜を形成し、
チップ部品分割個所に格子パターンを形成する工程を設
けたことを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, a thin film is formed on a ceramic substrate which has been planarized in a block shape,
The method is characterized in that a step of forming a lattice pattern is provided at a chip component dividing position.
【0012】これにより、従来のように、ダイシングソ
ーによるスリット加工及びチップ分割時の端子部の薄膜
の剥離等は生じない。As a result, unlike the prior art, there is no occurrence of slitting with a dicing saw and peeling of the thin film of the terminal portion at the time of chip division.
【0013】請求項4記載のものにおいては、薄膜素子
部分にガラスペーストで印刷法を用いて保護膜を形成す
ることを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, a protective film is formed on the thin film element portion by using a printing method with a glass paste.
【0014】これにより、対環境性に優れた薄膜チップ
部品が得られる。Thus, a thin-film chip component excellent in environmental friendliness can be obtained.
【0015】請求項5記載のものにおいては、請求項2
〜4記載の薄膜チップ部品の製造方法において、厚膜形
成工程及び薄膜形成工程を混在させたことを特徴とす
る。According to the fifth aspect, the second aspect is provided.
In the method of manufacturing a thin film chip component according to any one of the first to fourth aspects, a thick film forming step and a thin film forming step are mixed.
【0016】これにより、各工程の設定が容易であり、
優れた薄膜チップ部品を容易に製造することができる。This makes it easy to set each step,
Excellent thin-film chip components can be easily manufactured.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】図1は、本発明に係る薄膜チップ
部品の製造過程におけるブロック状の平坦化個所を示
し、(A)は平面図、(B)は断面図、図2は格子パタ
ーンをフォトレジストで形成し、除去する際の様子を示
す断面図である。1A and 1B show a block-like flattening portion in a process of manufacturing a thin film chip component according to the present invention. FIG. 1A is a plan view, FIG. 1B is a cross-sectional view, and FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which is formed with a photoresist and removed.
【0018】例えば、スクライブ入りの厚膜用セラミッ
ク基板1に対し、ブロック状にガラスペーストをスクリ
ーン印刷し、かつ、焼成して所望のブロック状に平坦化
処理を施して平坦化部2とする。さらに金属薄膜4を基
板全面に薄膜形成装置にて形成する前にフォトレジスト
3を用い、セラミイクス基板の露出箇所をメインに格子
状にパターンを形成する。但し、パターン形成後のベー
ク温度はリフトオフ性をよくするためにプレベーク温度
と同じにする。For example, a glass paste is screen-printed in a block shape on the scribed thick-film ceramic substrate 1 and fired to be subjected to a flattening process in a desired block shape to form a flattened portion 2. Further, before the metal thin film 4 is formed on the entire surface of the substrate by the thin film forming apparatus, a pattern is formed in a lattice pattern mainly using the exposed portions of the ceramics substrate using the photoresist 3. However, the baking temperature after pattern formation is the same as the pre-bake temperature in order to improve the lift-off property.
【0019】その後、薄膜形成装置(スパッタ法、蒸着
法、CVD法等)で金属薄膜(Cr/Cu/Cr,Al
等)4を全面に形成する。その後、有機溶剤中で超音波
にてリフトオフ加工を施す。この際のリフトオフ加工
は、エッチング残りの防止となる。また、格子状のパタ
ーンの箇所には金属薄膜はない状態となる。このことに
より端子間のショートも事前に防げることとなる。更
に、フォトレジストにより所望のパターンを形成し、イ
オンミリング等でエッチング加工し、レジスト除去す
る。Thereafter, a metal thin film (Cr / Cu / Cr, Al) is formed by a thin film forming apparatus (sputtering method, vapor deposition method, CVD method, etc.).
Etc.) 4 is formed on the entire surface. Thereafter, lift-off processing is performed by ultrasonic waves in an organic solvent. The lift-off process at this time prevents the remaining etching. Further, there is no metal thin film at the location of the lattice pattern. As a result, a short circuit between the terminals can be prevented in advance. Further, a desired pattern is formed by a photoresist, and the resist is removed by etching by ion milling or the like.
【0020】次に、絶縁膜(二酸化シリコン等)を薄膜
形成装置にて形成し、リアクティブイオンエッチングに
よりエッチング加工し、レジスト除去する。更に、金属
薄膜を形成するが、この場合も前記のように格子状のパ
ターンを形成した後、金属薄膜を形成する。その後、部
分メッキパターンをフォトレジストにより形成し、電気
メッキ法等で所望の膜厚に金等をメッキし、その後、フ
ォトレジストを除去する。このとき、格子状パターンも
有機溶剤中で超音波により除去され、これにより格子状
パターン部分もリフトオフされる。このことによりエッ
チング残り等を事前に防ぐ。その後、イオンミリング等
でメッキパターン以外の箇所をエッチングする。このよ
うにして薄膜素子を形成した後、保護膜としてガラスペ
ーストを用いてスクリーン印刷にて形成し、仮焼成後、
スクライブラインに沿って短冊状に割りとりを行い、チ
ップ端子部にメッキ下地として金属ペーストを表裏及び
両端面にディップコートする。その後、焼成し、スクラ
イブラインに沿ってチップ分割し、バレルメッキ法によ
り、Ni及び半田をメッキする。以上のような工程で薄
膜チップ部品化する。Next, an insulating film (such as silicon dioxide) is formed by a thin film forming apparatus, etched by reactive ion etching, and the resist is removed. Further, a metal thin film is formed. In this case as well, a metal thin film is formed after forming a lattice pattern as described above. Thereafter, a partial plating pattern is formed by a photoresist, and gold or the like is plated to a desired film thickness by an electroplating method or the like, and then, the photoresist is removed. At this time, the lattice pattern is also removed by ultrasonic waves in the organic solvent, whereby the lattice pattern portion is also lifted off. This prevents etching residue and the like in advance. Thereafter, portions other than the plating pattern are etched by ion milling or the like. After forming the thin film element in this way, a protective film is formed by screen printing using a glass paste, and after calcination,
A strip is formed along the scribe line, and a metal paste is dip-coated on the front and back surfaces and both end surfaces as a plating base on the chip terminal portion. Then, it is baked, divided into chips along scribe lines, and plated with Ni and solder by a barrel plating method. A thin-film chip component is formed by the above steps.
【0021】以上のような方法で製造することにより、
平坦化処理をブロック状に施しているから、チップ分割
時のブレイク性が失われず、かつ、平坦化部の薄膜の剥
離は全くなく、また、チップ端子部は薄膜が直接セラミ
ック表面に形成されているので付着強度が非常に強く、
膜はがれを起こすことがなく、しかも、バレルメッキ
(半田メッキ)時の膜はがれもない。By manufacturing according to the above method,
Since the flattening process is performed in a block shape, the breakability at the time of chip division is not lost, and there is no peeling of the thin film at the flattened part, and the thin film is directly formed on the ceramic surface at the chip terminal part. Very strong adhesion strength,
The film does not peel off, and the film does not peel off during barrel plating (solder plating).
【0022】また、基板上ではチップが一様にレイアウ
トされ、隣同士のチップとチップの間はセラミック表面
が露出しているがフォトレジストを格子状に形成するた
め、金属薄膜は直接付着しない。そのことにより、チッ
プ端子間のショートの原因であるエッチング残りは解消
できる。しかも薄膜素子がガラスにて保護されているの
で対環境性に優れる。In addition, the chips are laid out uniformly on the substrate, and the ceramic surface is exposed between adjacent chips, but the photoresist is formed in a lattice shape, so that the metal thin film does not directly adhere. As a result, the etching residue, which is the cause of the short circuit between chip terminals, can be eliminated. Moreover, since the thin-film element is protected by glass, it is excellent in environmental protection.
【0023】[0023]
【発明の効果】本発明の薄膜チップ部品によれば、平坦
化部の薄膜の剥離はなく、また、対環境性に優れたもの
とすることができる。According to the thin-film chip component of the present invention, the thin film in the flattened portion does not peel off, and the thin-film chip component is excellent in environmental friendliness.
【0024】本発明に係る薄膜チップ部品の製造方法に
よれば、請求項2記載のものにおいては、薄膜素子形成
エリアにのみガラスによる平坦化処理が施されるから耐
熱性に優れると共にチップ分割の際にブレイク性が失わ
れず、薄膜の膜剥離をなくすことができる。According to the method of manufacturing a thin-film chip component according to the present invention, in the device of the second aspect, only the thin-film element forming area is flattened with glass, so that it has excellent heat resistance and can be used for chip division. In this case, the breakability is not lost, and the peeling of the thin film can be eliminated.
【0025】請求項3記載のものにおいては、従来のよ
うに、ダイシングソーによるスリット加工及びチップ分
割時の端子部の薄膜の剥離等は生じない。According to the third aspect of the present invention, the slit processing by the dicing saw and the peeling of the thin film of the terminal portion at the time of chip division do not occur as in the prior art.
【0026】請求項4記載のものにおいては、対環境性
に優れた薄膜チップ部品を容易に製造することができ
る。According to the fourth aspect of the present invention, a thin-film chip component excellent in environmental friendliness can be easily manufactured.
【0027】請求項5記載のものにおいては、各工程の
設定が容易であり、優れた薄膜チップ部品を容易に製造
することができる。According to the fifth aspect, setting of each step is easy, and an excellent thin-film chip component can be easily manufactured.
【0028】以上のように、本発明の製造方法によれ
ば、スクライブ入り厚膜印刷用セラミックス基板に薄膜
素子を形成することができ、さらに安価な材料コストで
すむ。また、チップ部品の端子間のショートを解消で
き、さらに膜剥離がないから、歩留まりが大幅に向上す
る。しかもスクライブ入り基板を使用できるから、製造
コストを大幅に下げることができる。As described above, according to the manufacturing method of the present invention, a thin film element can be formed on a scribed ceramic substrate for thick film printing, and the material cost can be further reduced. In addition, the short circuit between the terminals of the chip component can be eliminated, and the film peeling does not occur, so that the yield is greatly improved. Moreover, since a scribed substrate can be used, the manufacturing cost can be significantly reduced.
【図1】本発明に係る薄膜チップ部品の製造方法におけ
るブロック状平坦化部分とフォトレジストによる格子パ
ターンの概要を示し、(A)は平面図、(B)は断面
図。FIG. 1 shows an outline of a block-shaped flattened portion and a lattice pattern formed by a photoresist in a method of manufacturing a thin-film chip component according to the present invention, wherein (A) is a plan view and (B) is a cross-sectional view.
【図2】格子パターンをフォトレジストで形成し、除去
する際の様子を示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in which a lattice pattern is formed of a photoresist and removed.
1 セラミックス基板 2 平坦化部分 3 フォトレジスト 4 金属薄膜 Reference Signs List 1 ceramic substrate 2 flattened part 3 photoresist 4 metal thin film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 根本 馨 長野県上伊那郡箕輪町大字中箕輪8692番地 株式会社タッド電子内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Kaoru Nemoto 8682 Nakaminowa, Minowa-machi, Kamiina-gun, Nagano Prefecture Tad Electronics Co., Ltd.
Claims (5)
ていることを特徴とする薄膜チップ部品。1. A thin-film chip component wherein glass is used for a flattening section and a protective film.
ラミックス基板を平坦化処理するに際し、スクライブ入
り厚膜印刷用セラミックス基板の表面をガラスペースト
で印刷法を用いてブロック状に平坦化処理することを特
徴とする薄膜チップ部品の製造方法。2. A method of manufacturing a thin-film chip component, comprising: flattening a surface of a scribed thick film printing ceramic substrate into a block shape using a glass paste by a printing method when the ceramic substrate is flattened. Characteristic method of manufacturing thin film chip components.
ス基板に薄膜を形成し、チップ部品分割個所に格子パタ
ーンを形成する工程を設けたことを特徴とする薄膜チッ
プ部品の製造方法。3. A method for manufacturing a thin-film chip component, comprising the steps of: forming a thin film on a ceramic substrate that has been planarized in a block shape; and forming a grid pattern at a chip component division.
を用いて保護膜を形成することを特徴とする薄膜チップ
部品の製造方法。4. A method of manufacturing a thin-film chip component, comprising forming a protective film on a thin-film element portion using a glass paste by a printing method.
膜形成工程及び薄膜形成工程を混在させたことを特徴と
する請求項2〜4記載の薄膜チップ部品の製造方法。5. The method of manufacturing a thin-film chip part according to claim 2, wherein a step of forming a thin film and a step of forming a thin film are mixed in the step of manufacturing the thin-film chip part.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26035796A JPH1092657A (en) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | Thin film chip parts and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26035796A JPH1092657A (en) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | Thin film chip parts and its manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1092657A true JPH1092657A (en) | 1998-04-10 |
Family
ID=17346833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26035796A Pending JPH1092657A (en) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | Thin film chip parts and its manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1092657A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG95694A1 (en) * | 2001-05-21 | 2003-04-23 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer planarization apparatus |
-
1996
- 1996-09-09 JP JP26035796A patent/JPH1092657A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG95694A1 (en) * | 2001-05-21 | 2003-04-23 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer planarization apparatus |
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