JPH1087859A - 配向膜およびその製造方法 - Google Patents
配向膜およびその製造方法Info
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- JPH1087859A JPH1087859A JP26359996A JP26359996A JPH1087859A JP H1087859 A JPH1087859 A JP H1087859A JP 26359996 A JP26359996 A JP 26359996A JP 26359996 A JP26359996 A JP 26359996A JP H1087859 A JPH1087859 A JP H1087859A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- light
- linearly polarized
- substrate
- electric field
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Moulding By Coating Moulds (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】直線偏光の照射によって選択的光反応が誘起さ
れる材料を用いた、液晶ディスプレイ用配向膜および、
その製造方法。 【解決手段】直線偏光性の紫外線を照射すると、その電
界の振動方向に配列した感光成分の間のみで、選択的に
光反応する高分子材料２を、基板１上に塗布する方式で
製膜する。ランプ４で発生した紫外線は、光学素子３を
透過する過程で直線偏光７に変換された後で、高分子材
料２の膜に照射される。化学式１で与えられる側鎖が、
直線偏光７の電界振動方向に配列している部位のみで、
光２量化による架橋反応が選択的に進む。直線偏光７の
電界振動方向に配列していないため、光反応しなかった
側鎖は、該光照射の終了後の分子運動によって、光反応
した部分と同じ方向に配向する。その結果、高分子材料
２の膜中の全て側鎖が、直線偏光７の電界振動方向に配
向する。
れる材料を用いた、液晶ディスプレイ用配向膜および、
その製造方法。 【解決手段】直線偏光性の紫外線を照射すると、その電
界の振動方向に配列した感光成分の間のみで、選択的に
光反応する高分子材料２を、基板１上に塗布する方式で
製膜する。ランプ４で発生した紫外線は、光学素子３を
透過する過程で直線偏光７に変換された後で、高分子材
料２の膜に照射される。化学式１で与えられる側鎖が、
直線偏光７の電界振動方向に配列している部位のみで、
光２量化による架橋反応が選択的に進む。直線偏光７の
電界振動方向に配列していないため、光反応しなかった
側鎖は、該光照射の終了後の分子運動によって、光反応
した部分と同じ方向に配向する。その結果、高分子材料
２の膜中の全て側鎖が、直線偏光７の電界振動方向に配
向する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、感光性の側鎖型高
分子液晶の膜に、直線偏光性の紫外線を照射することに
よって、液晶パネルに封入した液晶の配向を促進する高
分子膜を提供し、液晶ディスプレイの製造方法の改良に
役立つものである。
分子液晶の膜に、直線偏光性の紫外線を照射することに
よって、液晶パネルに封入した液晶の配向を促進する高
分子膜を提供し、液晶ディスプレイの製造方法の改良に
役立つものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶を配向させる光学素子の材料
として、ポリイミド、ポリビニルアルコールなどの高分
子化合物が使われている。図２に示すように、例えば、
高分子化合物ポリイミド８を基板１に塗布後、その表面
をラビング用ドラム９で一定の方向に擦り、該高分子化
合物を配列させるか、微細な傷の配列を形成することに
よって、これらと接する液晶を配向させていた。液晶を
配向させる光学素子の材料として、酸化珪素などの無機
化合物が使われ、これらに異方性を付与しつつ、基板上
に蒸着する方法などで、液晶ディスプレイ用の配向膜が
作製されていた。
として、ポリイミド、ポリビニルアルコールなどの高分
子化合物が使われている。図２に示すように、例えば、
高分子化合物ポリイミド８を基板１に塗布後、その表面
をラビング用ドラム９で一定の方向に擦り、該高分子化
合物を配列させるか、微細な傷の配列を形成することに
よって、これらと接する液晶を配向させていた。液晶を
配向させる光学素子の材料として、酸化珪素などの無機
化合物が使われ、これらに異方性を付与しつつ、基板上
に蒸着する方法などで、液晶ディスプレイ用の配向膜が
作製されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ポリイミドなどの高分
子化合物を用いる方法は簡便であるが、表面を物理的に
擦ることによって、塵芥が生じたり、静電気が発生する
ため、液晶ディスプレイの製造工程に支障があった。酸
化珪素などの無機化合物を蒸着させる方法では、良質の
配向膜を得難いことや、プロセスが大掛かりになること
に問題があった。これらの従来法では、同一の基板内に
おける膜の配向方向は一定であり、同一の基板内の数種
の領域に、それぞれの配向方向が異なる膜を作製できな
かった。
子化合物を用いる方法は簡便であるが、表面を物理的に
擦ることによって、塵芥が生じたり、静電気が発生する
ため、液晶ディスプレイの製造工程に支障があった。酸
化珪素などの無機化合物を蒸着させる方法では、良質の
配向膜を得難いことや、プロセスが大掛かりになること
に問題があった。これらの従来法では、同一の基板内に
おける膜の配向方向は一定であり、同一の基板内の数種
の領域に、それぞれの配向方向が異なる膜を作製できな
かった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記の課題に鑑み、本発
明では、化学式１で表される繰り返し単位を、側鎖に１
種以上含む高分子であり、該単位の単独重合体または共
重合体を用いた配向膜および、その製造方法を提供す
る。
明では、化学式１で表される繰り返し単位を、側鎖に１
種以上含む高分子であり、該単位の単独重合体または共
重合体を用いた配向膜および、その製造方法を提供す
る。
【化１】 これらは，ビフェニル，ターフェニル，フェニルベンゾ
エート、アゾベンゼン基など、側鎖型の液晶性高分子に
多用される置換基と、光反応性基として桂皮酸（また
は、その誘導体）基を、これらの置換基に結合した構造
を側鎖に有し、メタクリレート、アクリレートなどの構
造を主鎖に有する高分子である。このような高分子に紫
外線を照射すると、桂皮酸（または、その誘導体）基の
部分が、反応式１に示すようにシクロプロパン結合を形
成する２量化によって架橋し、配向膜を形成し得る。こ
の解決手段によって、塵芥や静電気の発生、大掛かりな
プロセス、一方向のみへの配向など、従来技術の難点が
次のように解決される。
エート、アゾベンゼン基など、側鎖型の液晶性高分子に
多用される置換基と、光反応性基として桂皮酸（また
は、その誘導体）基を、これらの置換基に結合した構造
を側鎖に有し、メタクリレート、アクリレートなどの構
造を主鎖に有する高分子である。このような高分子に紫
外線を照射すると、桂皮酸（または、その誘導体）基の
部分が、反応式１に示すようにシクロプロパン結合を形
成する２量化によって架橋し、配向膜を形成し得る。こ
の解決手段によって、塵芥や静電気の発生、大掛かりな
プロセス、一方向のみへの配向など、従来技術の難点が
次のように解決される。
【化２】 反応式（１）中に記した長方形は、側鎖型高分子液晶に
おいて、高分子の主鎖と桂皮酸（感光）基を繋ぐ分子鎖
であり、液晶成分と屈曲成分を含む。
おいて、高分子の主鎖と桂皮酸（感光）基を繋ぐ分子鎖
であり、液晶成分と屈曲成分を含む。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の配向膜は、化学式１で表
される繰り返し単位を１種以上、側鎖に含む高分子（単
独重合体あるいは共重合体）の溶液を基板上に塗布（ス
ピンコート）して製膜する工程と、この膜に直線偏光を
照射して桂皮酸基の部分を２量化することによって、該
高分子を架橋する工程で、作製されることに特徴を有す
る。本発明の配向膜用高分子は、基板上に塗布して製膜
した時点では配向しておらず、化学式１で与えられる側
鎖部分は、特定方向を向いていない。しかし、この膜に
直線偏光を照射すると、化学式１で与えられる側鎖部分
が、直線偏光の電界振動方向にそって配向している部位
で、光２量化反応が選択的に起こる。この光反応に先駆
けて、該基板を熱処理しても構わないことは言うまでも
ない。また、該光２量化反応を進めるには、化学式１の
桂皮酸基の部分が反応し得る波長を持った直線偏光の照
射を要する。この波長は、化学式１に表示された-R3 〜
-R 7の種類によっても異なるが、一般に200 〜 500nmで
あり、その中でも特に250 〜 450nmの有効性が高い場合
が多い。
される繰り返し単位を１種以上、側鎖に含む高分子（単
独重合体あるいは共重合体）の溶液を基板上に塗布（ス
ピンコート）して製膜する工程と、この膜に直線偏光を
照射して桂皮酸基の部分を２量化することによって、該
高分子を架橋する工程で、作製されることに特徴を有す
る。本発明の配向膜用高分子は、基板上に塗布して製膜
した時点では配向しておらず、化学式１で与えられる側
鎖部分は、特定方向を向いていない。しかし、この膜に
直線偏光を照射すると、化学式１で与えられる側鎖部分
が、直線偏光の電界振動方向にそって配向している部位
で、光２量化反応が選択的に起こる。この光反応に先駆
けて、該基板を熱処理しても構わないことは言うまでも
ない。また、該光２量化反応を進めるには、化学式１の
桂皮酸基の部分が反応し得る波長を持った直線偏光の照
射を要する。この波長は、化学式１に表示された-R3 〜
-R 7の種類によっても異なるが、一般に200 〜 500nmで
あり、その中でも特に250 〜 450nmの有効性が高い場合
が多い。
【０００６】直線偏光性の紫外線を照射すると、その電
界振動方向に配列した感光基（桂皮酸基など）の間での
み、選択的に光反応して架橋し得る高分子材料２を、図
１に示すように、基板１上に塗布する。他方において、
電源５を用いて紫外線ランプ４を点灯し、電界の振動方
向が無秩序な自然光状態の紫外線６を発生させる。次い
で、自然光を直線偏光に変換する光学素子（例えばグラ
ンテーラープリズム）３を用いて、紫外線６を直線偏光
７に変換後、高分子材料２の膜を照射すると、直線偏光
７の電界の振動方向に配列した感光基の間で、光２量化
による架橋反応が誘起され、側鎖の配向状態は、この方
向に固定される。直線偏光７の電界の振動方向に配列し
ていないため、光反応しなかった側鎖は、該光照射の終
了後の分子運動によって、光反応した側鎖と同じ方向に
配列する。その結果、高分子材料２の膜において、全て
の側鎖が、直線偏光７の電界の振動方向に配向する。
界振動方向に配列した感光基（桂皮酸基など）の間での
み、選択的に光反応して架橋し得る高分子材料２を、図
１に示すように、基板１上に塗布する。他方において、
電源５を用いて紫外線ランプ４を点灯し、電界の振動方
向が無秩序な自然光状態の紫外線６を発生させる。次い
で、自然光を直線偏光に変換する光学素子（例えばグラ
ンテーラープリズム）３を用いて、紫外線６を直線偏光
７に変換後、高分子材料２の膜を照射すると、直線偏光
７の電界の振動方向に配列した感光基の間で、光２量化
による架橋反応が誘起され、側鎖の配向状態は、この方
向に固定される。直線偏光７の電界の振動方向に配列し
ていないため、光反応しなかった側鎖は、該光照射の終
了後の分子運動によって、光反応した側鎖と同じ方向に
配列する。その結果、高分子材料２の膜において、全て
の側鎖が、直線偏光７の電界の振動方向に配向する。
【０００７】この光照射の前に、基板を加熱し、該側鎖
の分子運動性を予め高めておくと、未反応側鎖の再配列
が促進される。基板の加熱温度は、光反応した部分の軟
化点より低く、光反応しなかった部分の軟化点より高い
ことが望ましいが、本発明の高分子の軟化点前後で、該
光反応を実施することも可能である。その場合には、化
学式１で示される側鎖において、照射した直線偏光の電
界振動方向に配向した部位で光２量化反応が進みつつ、
未反応部位が再配列する。次いで、この膜を、常温（該
高分子の軟化点以下）まで冷却すると、これらの分子配
向が凍結され、本発明の配向膜が得られる。
の分子運動性を予め高めておくと、未反応側鎖の再配列
が促進される。基板の加熱温度は、光反応した部分の軟
化点より低く、光反応しなかった部分の軟化点より高い
ことが望ましいが、本発明の高分子の軟化点前後で、該
光反応を実施することも可能である。その場合には、化
学式１で示される側鎖において、照射した直線偏光の電
界振動方向に配向した部位で光２量化反応が進みつつ、
未反応部位が再配列する。次いで、この膜を、常温（該
高分子の軟化点以下）まで冷却すると、これらの分子配
向が凍結され、本発明の配向膜が得られる。
【０００８】本発明の高分子材料２は、化学式１で示し
た構造を含むと共に、液晶性を有すると、未反応部位が
再配列し易い。また、本発明において、基板に対して斜
め方向から直線偏光を照射することによって、該高分子
の側鎖を、基板面に対して立体的に配向させることもで
きる。このような観点から、良質の配向膜を作製するに
は、化学式１において、ｋは２以上であり、ｍは１〜10
（出来得ればｍ＝１〜６）が望ましい。高分子材料２の
原料化合物の合成方法を、以下に記す。
た構造を含むと共に、液晶性を有すると、未反応部位が
再配列し易い。また、本発明において、基板に対して斜
め方向から直線偏光を照射することによって、該高分子
の側鎖を、基板面に対して立体的に配向させることもで
きる。このような観点から、良質の配向膜を作製するに
は、化学式１において、ｋは２以上であり、ｍは１〜10
（出来得ればｍ＝１〜６）が望ましい。高分子材料２の
原料化合物の合成方法を、以下に記す。
【０００９】高分子材料２の原料化合物に関する合成方
法を以下に記す。 （化合物１）4,4-ビフェニルジオールと2-クロロエタノ
ールを、アルカリ性の条件下で加熱することにより、4-
ヒドロキシ-4'-ヒドロキシエトキシビフェニルを合成し
た。この生成物に、アルカリ性の条件下で1,6-ジブロモ
ヘキサンを反応させ、4-（6-ブロモヘキシルオキシ）-
4'-ヒドロキシエトキシビフェニルを合成した。次いで
リチウムメタクリレートを反応させ、4-ヒドロキシエト
キシ-4'-（6'- ビフェニルオキシヘキシル）メタクリレ
ートを合成した。最後に塩基性の条件下において、塩化
シンナモイルを加え、化学式M1によって表記されるメタ
クリル酸エステルを合成した。この化合物をテトラヒド
ロフラン中に溶解し、反応開始剤としてAIBN（アゾビス
イソブチロニトリル）を添加して重合することによっ
て、化合物１を得た。この化合物は、89〜134 ℃の温度
領域において、液晶性を呈した。
法を以下に記す。 （化合物１）4,4-ビフェニルジオールと2-クロロエタノ
ールを、アルカリ性の条件下で加熱することにより、4-
ヒドロキシ-4'-ヒドロキシエトキシビフェニルを合成し
た。この生成物に、アルカリ性の条件下で1,6-ジブロモ
ヘキサンを反応させ、4-（6-ブロモヘキシルオキシ）-
4'-ヒドロキシエトキシビフェニルを合成した。次いで
リチウムメタクリレートを反応させ、4-ヒドロキシエト
キシ-4'-（6'- ビフェニルオキシヘキシル）メタクリレ
ートを合成した。最後に塩基性の条件下において、塩化
シンナモイルを加え、化学式M1によって表記されるメタ
クリル酸エステルを合成した。この化合物をテトラヒド
ロフラン中に溶解し、反応開始剤としてAIBN（アゾビス
イソブチロニトリル）を添加して重合することによっ
て、化合物１を得た。この化合物は、89〜134 ℃の温度
領域において、液晶性を呈した。
【化３】
【００１０】（化合物２）4,4-ビフェニルジオールと6-
ブロモヘキサノールを、アルカリ性の条件下で加熱する
ことによって、4-ヒドロキシ-4'-ヒドロキシヘキシルオ
キシビフェニルを合成した。この生成物に、アルカリ性
の条件下で1,6-ジブロモヘキサンを加え、4-(6- ブロモ
ヘキシルオキシ)-4'- ヒドロキシヘキシルオキシビフェ
ニルを合成した。次いでリチウムメタクリレートを反応
させ、4-ヒドロキシヘキシルオキシ-4'-(6'-ビフェニル
オキシヘキシル）メタクリレートを合成した。最後に塩
基性の条件下で、塩化シンナモイルを反応させ、化学式
M2で表記されるメタクリル酸エステルを合成した。この
化合物をテトラヒドロフラン中に溶解し、反応開始剤と
してAIBNを添加して重合することによって、化合物２を
得た。この化合物は、82〜108 ℃の温度領域において、
液晶性を呈した。
ブロモヘキサノールを、アルカリ性の条件下で加熱する
ことによって、4-ヒドロキシ-4'-ヒドロキシヘキシルオ
キシビフェニルを合成した。この生成物に、アルカリ性
の条件下で1,6-ジブロモヘキサンを加え、4-(6- ブロモ
ヘキシルオキシ)-4'- ヒドロキシヘキシルオキシビフェ
ニルを合成した。次いでリチウムメタクリレートを反応
させ、4-ヒドロキシヘキシルオキシ-4'-(6'-ビフェニル
オキシヘキシル）メタクリレートを合成した。最後に塩
基性の条件下で、塩化シンナモイルを反応させ、化学式
M2で表記されるメタクリル酸エステルを合成した。この
化合物をテトラヒドロフラン中に溶解し、反応開始剤と
してAIBNを添加して重合することによって、化合物２を
得た。この化合物は、82〜108 ℃の温度領域において、
液晶性を呈した。
【化４】
【００１１】（化合物３）4,4 ビフェニルジオールと6-
ブロモヘキサノールを、アルカリ性の条件下で加熱する
ことによって、4-ヒドロキシ-4'-ヒドロキシヘキシルオ
キシビフェニルを合成した。この生成物に、アルカリ性
の条件下で1,6-ジブロモヘキサンを加え、4-(6- ブロモ
ヘキシルオキシ)-4'- ヒドロキシヘキシルオキシビフェ
ニルを合成した。次いでリチウムメタクリレートを反応
させ、4-ヒドロキシヘキシルオキシ-4'-(6'-ビフェニル
オキシヘキシル）メタクリレートを合成した。最後に塩
基性の条件下で、2-メトキシ塩化シンナモイルを加え、
化学式M3によって表記されるメタクリル酸エステルを合
成した。この化合物をテトラヒドロフランに溶解後、反
応開始剤としてAIBNを加えて重合し、化合物３を得た。
この化合物も、液晶性を呈した。
ブロモヘキサノールを、アルカリ性の条件下で加熱する
ことによって、4-ヒドロキシ-4'-ヒドロキシヘキシルオ
キシビフェニルを合成した。この生成物に、アルカリ性
の条件下で1,6-ジブロモヘキサンを加え、4-(6- ブロモ
ヘキシルオキシ)-4'- ヒドロキシヘキシルオキシビフェ
ニルを合成した。次いでリチウムメタクリレートを反応
させ、4-ヒドロキシヘキシルオキシ-4'-(6'-ビフェニル
オキシヘキシル）メタクリレートを合成した。最後に塩
基性の条件下で、2-メトキシ塩化シンナモイルを加え、
化学式M3によって表記されるメタクリル酸エステルを合
成した。この化合物をテトラヒドロフランに溶解後、反
応開始剤としてAIBNを加えて重合し、化合物３を得た。
この化合物も、液晶性を呈した。
【化５】
【００１２】
【実施例】以下に記す実施例に従って、本発明を更に詳
しく説明する。 （実施例１）化合物１をクロロホルムに溶解し、ITO(イ
ンジウム錫酸化物）で覆った基板上に約 100nmの厚さで
スピンコートした。こうして調製した樹脂膜に、グラン
テーラープリズムを用いて直線偏光に変換した紫外線
を、室温で30分間照射した。該基板を150 ℃まで加熱
し、100 ℃まで冷却して10分間保持後、更に室温まで冷
却した。この基板上にメルクジャパン（株）製の液晶E7
をコートした結果、照射した直線偏光の電界振動方向に
配列した。このような基板を２枚作製し、液晶E7を挟持
して、厚さ12μm のTN( 捩れネマティック）型液晶セル
を組み立てた。このTN型液晶セルの駆動電圧は、2Vであ
った。
しく説明する。 （実施例１）化合物１をクロロホルムに溶解し、ITO(イ
ンジウム錫酸化物）で覆った基板上に約 100nmの厚さで
スピンコートした。こうして調製した樹脂膜に、グラン
テーラープリズムを用いて直線偏光に変換した紫外線
を、室温で30分間照射した。該基板を150 ℃まで加熱
し、100 ℃まで冷却して10分間保持後、更に室温まで冷
却した。この基板上にメルクジャパン（株）製の液晶E7
をコートした結果、照射した直線偏光の電界振動方向に
配列した。このような基板を２枚作製し、液晶E7を挟持
して、厚さ12μm のTN( 捩れネマティック）型液晶セル
を組み立てた。このTN型液晶セルの駆動電圧は、2Vであ
った。
【００１３】（実施例２）化合物２をクロロホルムに溶
解し、ITO 基板上に厚さ約 100nmでスピンコートした。
こうして調製した樹脂膜に、グランテーラープリズムを
用いて直線偏光に変換した紫外線を、室温で30分間照射
した。該基板を 150℃まで加熱し、 100℃まで冷却して
10分間保持後、更に室温まで冷却した。該基板上に液晶
E7をコートした結果、照射した直線偏光の電界振動方向
に配列した。このような基板を２枚作製して液晶E7を挟
持することにより、厚さ12μm のTN型液晶セルを組み立
てた。このTN型液晶セルの駆動電圧は、2Vであった。
解し、ITO 基板上に厚さ約 100nmでスピンコートした。
こうして調製した樹脂膜に、グランテーラープリズムを
用いて直線偏光に変換した紫外線を、室温で30分間照射
した。該基板を 150℃まで加熱し、 100℃まで冷却して
10分間保持後、更に室温まで冷却した。該基板上に液晶
E7をコートした結果、照射した直線偏光の電界振動方向
に配列した。このような基板を２枚作製して液晶E7を挟
持することにより、厚さ12μm のTN型液晶セルを組み立
てた。このTN型液晶セルの駆動電圧は、2Vであった。
【００１４】（実施例３）化合物３をクロロホルムに溶
解し、ITO 基板上に厚さ約 100nmでスピンコートした。
こうして調製した樹脂膜に、グランテーラープリズムを
用いて直線偏光に変換した紫外線を、室温で30分間照射
した。この基板を 160℃まで加熱し、85℃まで冷却して
10分間保持後、更に室温まで冷却した。該基板上に液晶
E7をコートした結果、照射した直線偏光の電界振動方向
に配列した。このような基板を２枚作り、液晶E7を挟持
することによって、厚さ12μm のTN型液晶セルを組み立
てた。このTN型液晶セルの駆動電圧は、2Vであった。
解し、ITO 基板上に厚さ約 100nmでスピンコートした。
こうして調製した樹脂膜に、グランテーラープリズムを
用いて直線偏光に変換した紫外線を、室温で30分間照射
した。この基板を 160℃まで加熱し、85℃まで冷却して
10分間保持後、更に室温まで冷却した。該基板上に液晶
E7をコートした結果、照射した直線偏光の電界振動方向
に配列した。このような基板を２枚作り、液晶E7を挟持
することによって、厚さ12μm のTN型液晶セルを組み立
てた。このTN型液晶セルの駆動電圧は、2Vであった。
【００１５】（実施例４）化合物２をクロロホルムに溶
解し、ITO 基板上に厚さ約 100nmでスピンコートした。
こうして調製した樹脂膜に、グランテーラープリズムを
用いて直線偏光に変換した紫外線を、 150℃で10分間照
射後、室温まで徐冷した。該基板上に液晶E7をコートし
た結果、照射した直線偏光の電界振動方向に配列した。
このような基板を２枚作製し、液晶E7を挟持することに
よって、厚さ12μm のTN型液晶セルを組み立てた。この
TN型液晶セルの駆動電圧は、2Vであった。
解し、ITO 基板上に厚さ約 100nmでスピンコートした。
こうして調製した樹脂膜に、グランテーラープリズムを
用いて直線偏光に変換した紫外線を、 150℃で10分間照
射後、室温まで徐冷した。該基板上に液晶E7をコートし
た結果、照射した直線偏光の電界振動方向に配列した。
このような基板を２枚作製し、液晶E7を挟持することに
よって、厚さ12μm のTN型液晶セルを組み立てた。この
TN型液晶セルの駆動電圧は、2Vであった。
【００１６】（実施例５）化合物３をクロロホルムに溶
解し、ITO 基板上に厚さ約 100nmでスピンコートした。
こうして調製した樹脂膜に、グランテーラープリズムを
用いて直線偏光に変換した紫外線を、 120℃で10分間照
射後、室温まで徐冷した。該基板上に液晶E7をコートし
た結果、照射した直線偏光の電界振動方向に配列した。
このような基板を２枚作製し、液晶E7を挟持することに
よって、厚さ12μm のTN型液晶セルを組み立てた。この
TN型液晶セルの駆動電圧は、2Vであった。
解し、ITO 基板上に厚さ約 100nmでスピンコートした。
こうして調製した樹脂膜に、グランテーラープリズムを
用いて直線偏光に変換した紫外線を、 120℃で10分間照
射後、室温まで徐冷した。該基板上に液晶E7をコートし
た結果、照射した直線偏光の電界振動方向に配列した。
このような基板を２枚作製し、液晶E7を挟持することに
よって、厚さ12μm のTN型液晶セルを組み立てた。この
TN型液晶セルの駆動電圧は、2Vであった。
【００１７】（比較例１）日産化学（株）製の液晶配向
膜材料溶液（サンエバーSE-2170 ）を、スピンコート法
により 100nmの厚さで ITOガラス基板上に製膜後、210
℃で30分間加熱することによって該被膜を完全にポリイ
ミド化した。次に、ベルベット製のラビング布を用い
て、この基板の表面を、圧力約10kg/cm 2 で３回、一定
方向に擦り、ラビングされた基板を調製した。スペーサ
を介して該基板を貼り合わせた後で、液晶E7を注入し、
厚さ12μm のTN型液晶セルを組み立てた。該液晶セルの
駆動電圧は、2Vであったが、布でラビングした際の欠陥
が数箇所認められた。
膜材料溶液（サンエバーSE-2170 ）を、スピンコート法
により 100nmの厚さで ITOガラス基板上に製膜後、210
℃で30分間加熱することによって該被膜を完全にポリイ
ミド化した。次に、ベルベット製のラビング布を用い
て、この基板の表面を、圧力約10kg/cm 2 で３回、一定
方向に擦り、ラビングされた基板を調製した。スペーサ
を介して該基板を貼り合わせた後で、液晶E7を注入し、
厚さ12μm のTN型液晶セルを組み立てた。該液晶セルの
駆動電圧は、2Vであったが、布でラビングした際の欠陥
が数箇所認められた。
【００１８】
【発明の効果】以上に記述したように、本発明によれ
ば、光反応によって配向膜が得られると共に、この膜を
液晶ディスプレイ用の配向膜に応用できる。また、本発
明では、電界振動方向が異なる直線偏光群の活用によっ
て、分子の配向方向が異なる膜を同一の基板内に作製す
ることもできる。更に、本発明によれば、ラビングな
ど、液晶分子を配向させる操作が不要な配向膜が調製さ
れるので、液晶ディスプレイの組み立て工程で生じる欠
陥が著しく低減される。
ば、光反応によって配向膜が得られると共に、この膜を
液晶ディスプレイ用の配向膜に応用できる。また、本発
明では、電界振動方向が異なる直線偏光群の活用によっ
て、分子の配向方向が異なる膜を同一の基板内に作製す
ることもできる。更に、本発明によれば、ラビングな
ど、液晶分子を配向させる操作が不要な配向膜が調製さ
れるので、液晶ディスプレイの組み立て工程で生じる欠
陥が著しく低減される。
【００１９】
【図１】本発明の配向膜の製造方法を示す概念図。
【図２】従来の配向膜の製造方法を示す例図。
１・・・基板 ２・・・本発明に用いる高分子材料 ３・・・自然光を直線偏光に変換する光学素子（グラン
テーラープリズム） ４・・・紫外線ランプ ５・・・電源 ６・・・紫外線ランプ４から照射される紫外線（自然
光） ７・・・光学素子３によって直線偏光に変換された紫外
線 ８・・・ポリイミド（高分子化合物） ９・・・ラビング用ドラム
テーラープリズム） ４・・・紫外線ランプ ５・・・電源 ６・・・紫外線ランプ４から照射される紫外線（自然
光） ７・・・光学素子３によって直線偏光に変換された紫外
線 ８・・・ポリイミド（高分子化合物） ９・・・ラビング用ドラム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｂ２９Ｋ 55:00 Ｂ２９Ｌ 7:00
Claims (2)
- 【請求項１】化学式１で表される繰り返し単位を１種以
上含む、単独重合体または共重合体を基板上に塗布する
工程および、塗布された化合物に直線偏光を照射する操
作を含む工程で、作製されることを特徴とする、配向膜
および、その製造方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の化学式１で表される繰り
返し単位を１種以上含む、単独重合体あるいは共重合体
を基板上に塗布する工程、塗布された化合物に直線偏光
を照射する工程および、基板を加熱ならびに冷却する工
程で、作製されることを特徴とする、配向膜および、そ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26359996A JPH1087859A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 配向膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26359996A JPH1087859A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 配向膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1087859A true JPH1087859A (ja) | 1998-04-07 |
Family
ID=17391788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26359996A Pending JPH1087859A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 配向膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1087859A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002060517A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-02-26 | Hayashi Telempu Co Ltd | 液晶性材料を配向させる機能を有する膜およびその製造方法 |
| JP2003505561A (ja) * | 1999-07-23 | 2003-02-12 | ロリク アーゲー | 化合物 |
| KR100441154B1 (ko) * | 2001-07-11 | 2004-07-19 | 엘지전선 주식회사 | 2개 이상의 광활성 그룹을 갖는 광배향성 고분자 조성물,이 조성물을 포함 하는 액정배향막 및 이 배향막을 사용한액정표시소자 |
| KR100468398B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-01-27 | 엘지전선 주식회사 | 공중합에 의한 폴리아크릴계 감광성 고분자 액정 배향제조성물, 이를 이용한 감광성 고분자 액정 배향막의제조방법 및 상기 액정 배향막을 이용하는 액정 소자 |
| JP2006299100A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 液晶性モノマー、液晶性オリゴマー、液晶性ポリマーおよびその製造方法 |
| WO2010087281A1 (ja) | 2009-01-30 | 2010-08-05 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| WO2010087280A1 (ja) | 2009-01-30 | 2010-08-05 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7795361B2 (en) | 2005-01-05 | 2010-09-14 | Lg Chem, Ltd. | Photoreactive polymer and process of making the same |
| KR20130111325A (ko) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | 소니 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| US8696950B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-04-15 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| US9146425B2 (en) | 2011-06-29 | 2015-09-29 | Sony Corporation | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
-
1996
- 1996-09-13 JP JP26359996A patent/JPH1087859A/ja active Pending
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003505561A (ja) * | 1999-07-23 | 2003-02-12 | ロリク アーゲー | 化合物 |
| JP2002060517A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-02-26 | Hayashi Telempu Co Ltd | 液晶性材料を配向させる機能を有する膜およびその製造方法 |
| KR100441154B1 (ko) * | 2001-07-11 | 2004-07-19 | 엘지전선 주식회사 | 2개 이상의 광활성 그룹을 갖는 광배향성 고분자 조성물,이 조성물을 포함 하는 액정배향막 및 이 배향막을 사용한액정표시소자 |
| KR100468398B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-01-27 | 엘지전선 주식회사 | 공중합에 의한 폴리아크릴계 감광성 고분자 액정 배향제조성물, 이를 이용한 감광성 고분자 액정 배향막의제조방법 및 상기 액정 배향막을 이용하는 액정 소자 |
| US7795361B2 (en) | 2005-01-05 | 2010-09-14 | Lg Chem, Ltd. | Photoreactive polymer and process of making the same |
| USRE45219E1 (en) * | 2005-01-05 | 2014-10-28 | Lg Chem, Ltd. | Photoreactive polymer and process of making the same |
| JP2006299100A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 液晶性モノマー、液晶性オリゴマー、液晶性ポリマーおよびその製造方法 |
| EP2383605A2 (en) | 2009-01-30 | 2011-11-02 | Sony Corporation | Liquid crystal display device with adjusted pretilt angles for the liquid crystal molecules and method for manufacturing the display device |
| WO2010087281A1 (ja) | 2009-01-30 | 2010-08-05 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR20110113733A (ko) | 2009-01-30 | 2011-10-18 | 소니 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2010087280A1 (ja) | 2009-01-30 | 2010-08-05 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| EP2388643A2 (en) | 2009-01-30 | 2011-11-23 | Sony Corporation | Liquid crystal display device having polymeric alignment films and method for manufacturing same |
| US9523889B2 (en) | 2009-01-30 | 2016-12-20 | Sony Corporation | Liquid crystal display unit and method of manufacturing the same |
| US9507210B2 (en) | 2009-01-30 | 2016-11-29 | Sony Corporation | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| KR20110103439A (ko) | 2009-01-30 | 2011-09-20 | 소니 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US8945692B2 (en) | 2009-01-30 | 2015-02-03 | Sony Corporation | Liquid crystal display unit and method of manufacturing the same |
| US9470929B2 (en) | 2009-01-30 | 2016-10-18 | Sony Corporation | Liquid crystal display unit and method of manufacturing the same |
| US9366910B2 (en) | 2009-01-30 | 2016-06-14 | Sony Corporation | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US8696950B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-04-15 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| US9541795B2 (en) | 2010-07-30 | 2017-01-10 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| US9146425B2 (en) | 2011-06-29 | 2015-09-29 | Sony Corporation | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US8993074B2 (en) | 2012-03-30 | 2015-03-31 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| KR20130111325A (ko) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | 소니 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
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