JPH1085969A - レーザービームのエネルギー及び/又はエネルギー密度の監視装置 - Google Patents
レーザービームのエネルギー及び/又はエネルギー密度の監視装置Info
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- JPH1085969A JPH1085969A JP9209647A JP20964797A JPH1085969A JP H1085969 A JPH1085969 A JP H1085969A JP 9209647 A JP9209647 A JP 9209647A JP 20964797 A JP20964797 A JP 20964797A JP H1085969 A JPH1085969 A JP H1085969A
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- detector
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Lasers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザービーム(10)を窓(14)を過し
て室の中に向けられて基板(16)を照射するレーザー
装置において、ビーム分離用の特別のハーフミラー等の
装置を用いることなく、レーザーのエネルギー及びエネ
ルギー密度を監視する。 【解決手段】 レーザービームの軸線(A)に対して窓
(14)を斜めに配向することにより、ビーム部分(4
0)はレーザービームから分離されて検出器(18)に
向けられる。
て室の中に向けられて基板(16)を照射するレーザー
装置において、ビーム分離用の特別のハーフミラー等の
装置を用いることなく、レーザーのエネルギー及びエネ
ルギー密度を監視する。 【解決手段】 レーザービームの軸線(A)に対して窓
(14)を斜めに配向することにより、ビーム部分(4
0)はレーザービームから分離されて検出器(18)に
向けられる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザービームが
室の窓を透過して基板に向けられ、レーザービームから
ビームの一部分が分離されてエネルギー検出器に供給さ
れるレーザービームのエネルギー及び/又はエネルギー
密度の監視装置に関する。
室の窓を透過して基板に向けられ、レーザービームから
ビームの一部分が分離されてエネルギー検出器に供給さ
れるレーザービームのエネルギー及び/又はエネルギー
密度の監視装置に関する。
【0002】
【従来の技術】エキシマーレーザーは多数の工業的製造
過程で使用される。このような過程では基板の化学的及
び/又は物理的変化を実現するために、ビームの成形の
後に光学装置により基板に向けられる。この場合、一連
の処理を受けるとき基板は室の中に配置され、レーザー
ビームは外部から窓を透過して室のなかに入射されて基
板へ向けられる。例えば室の中は真空であることもあ
る。例えばガラス基板に装着されているアモルファスシ
リコン層をアニーリングするためにエキシマーレーザー
が使用されるとき、このように行われる。これを実現す
るために、エキシマーレーザーから放射されたビームは
光学装置により断面が細い線にされる。1つの基板(又
は同時に複数の基板)の照射は、真空室を外部雰囲気か
ら分離する石英窓を透過して行われる。
過程で使用される。このような過程では基板の化学的及
び/又は物理的変化を実現するために、ビームの成形の
後に光学装置により基板に向けられる。この場合、一連
の処理を受けるとき基板は室の中に配置され、レーザー
ビームは外部から窓を透過して室のなかに入射されて基
板へ向けられる。例えば室の中は真空であることもあ
る。例えばガラス基板に装着されているアモルファスシ
リコン層をアニーリングするためにエキシマーレーザー
が使用されるとき、このように行われる。これを実現す
るために、エキシマーレーザーから放射されたビームは
光学装置により断面が細い線にされる。1つの基板(又
は同時に複数の基板)の照射は、真空室を外部雰囲気か
ら分離する石英窓を透過して行われる。
【0003】冒頭に記載の多数のプロセスにおいて、基
板に向けられるビームのエネルギー及び/又はエネルギ
ー密度をプロセスの間にわたり監視することが必要であ
る。
板に向けられるビームのエネルギー及び/又はエネルギ
ー密度をプロセスの間にわたり監視することが必要であ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、小さ
い装置コストで信頼性の高いエネルギー測定を可能にす
る、室窓を透過して基板に向けられるレーザービームの
エネルギー及び/又はエネルギー密度の監視装置を提供
することにある。
い装置コストで信頼性の高いエネルギー測定を可能にす
る、室窓を透過して基板に向けられるレーザービームの
エネルギー及び/又はエネルギー密度の監視装置を提供
することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によ
り、窓が透過レーザービームの光学軸線に対して斜めに
配向され、すなわち90゜とは異なる角度を光学軸線に
対して形成し、検出器に向けられるビーム部分が窓で反
射されることにより解決される。
り、窓が透過レーザービームの光学軸線に対して斜めに
配向され、すなわち90゜とは異なる角度を光学軸線に
対して形成し、検出器に向けられるビーム部分が窓で反
射されることにより解決される。
【0006】本発明が利用する知見は、例えば真空室等
の窓と透過する光は、反射防止コーティングされていな
い窓表面ではいずれにせよ部分的に反射されることにあ
る。波長308nmのレーザー光は石英製の窓におい
て、例えばコーティングされていない窓表面では入射ビ
ームの約4%が反射される。従来の技術ではレーザービ
ームは窓平面に対して垂直に窓を透過する。ビームの一
部分がビーム路から分離され、検出器に供給される場
合、これを実現するために従来の技術では特別の手段、
例えば部分透過鏡(ハーフミラー)等が必要である。
の窓と透過する光は、反射防止コーティングされていな
い窓表面ではいずれにせよ部分的に反射されることにあ
る。波長308nmのレーザー光は石英製の窓におい
て、例えばコーティングされていない窓表面では入射ビ
ームの約4%が反射される。従来の技術ではレーザービ
ームは窓平面に対して垂直に窓を透過する。ビームの一
部分がビーム路から分離され、検出器に供給される場
合、これを実現するために従来の技術では特別の手段、
例えば部分透過鏡(ハーフミラー)等が必要である。
【0007】本発明の基礎となる思想は、検出器に向け
られるビームの一部分の分離が簡単に、窓が透過レーザ
ービームの光学軸線に対して斜めに配向され、従って簡
単にビームの一部分をエネルギー測定のために分離でき
ることにより可能となることにある。この場合、窓とビ
ーム軸線との間の「斜め配向」は両者(窓とビーム軸
線)の間の相対的関係を意味するにすぎない。レーザー
ビームの窓への配向はレーザービーム軸線が窓平面に対
して斜めに位置する、すなわちビーム軸線が窓平面に対
して垂直でなく位置するように定める。
られるビームの一部分の分離が簡単に、窓が透過レーザ
ービームの光学軸線に対して斜めに配向され、従って簡
単にビームの一部分をエネルギー測定のために分離でき
ることにより可能となることにある。この場合、窓とビ
ーム軸線との間の「斜め配向」は両者(窓とビーム軸
線)の間の相対的関係を意味するにすぎない。レーザー
ビームの窓への配向はレーザービーム軸線が窓平面に対
して斜めに位置する、すなわちビーム軸線が窓平面に対
して垂直でなく位置するように定める。
【0008】レーザービーム軸線と窓平面との間の角度
は好適には1゜〜15゜である。
は好適には1゜〜15゜である。
【0009】本発明の別の1つの有利な実施の形態で
は、窓の室に対して外側の表面が反射防止コーティング
され、窓の内側の表面は反射防止コーティングされてい
ない。本発明のこの実施の形態の1つの利点は、窓の外
面の反射防止コーティングに起因して僅かなビーム損失
しか発生せず、これに対して窓の内面では、検出器に向
かうビームの一部分が分離されることにある。多くの用
途において窓の内面はしばしば清浄化されなければなら
ない。窓の内面に反射防止コーティングをすると清浄化
の妨げとなる。
は、窓の室に対して外側の表面が反射防止コーティング
され、窓の内側の表面は反射防止コーティングされてい
ない。本発明のこの実施の形態の1つの利点は、窓の外
面の反射防止コーティングに起因して僅かなビーム損失
しか発生せず、これに対して窓の内面では、検出器に向
かうビームの一部分が分離されることにある。多くの用
途において窓の内面はしばしば清浄化されなければなら
ない。窓の内面に反射防止コーティングをすると清浄化
の妨げとなる。
【0010】本発明の別の1つの有利な実施の形態で
は、検出器は少なくとも近似的に、レーザービームを基
板に写像する光学装置の他の像平面の中に設けられてい
る。
は、検出器は少なくとも近似的に、レーザービームを基
板に写像する光学装置の他の像平面の中に設けられてい
る。
【0011】一部の用途では、エキシマーレーザーの出
力ビームの横断面が方形の最初のビームが光学装置によ
り鋭い線の形に変換される。これを実現するために従来
の技術ではとりわけアナモルフィック光学装置が使用さ
れる。この場合に窓は、分離されたビーム部分も線形断
面を有するようにビーム路の中に(光学軸線に対して斜
めに)配向される。
力ビームの横断面が方形の最初のビームが光学装置によ
り鋭い線の形に変換される。これを実現するために従来
の技術ではとりわけアナモルフィック光学装置が使用さ
れる。この場合に窓は、分離されたビーム部分も線形断
面を有するようにビーム路の中に(光学軸線に対して斜
めに)配向される。
【0012】この場合、本発明の1つの有利な実施の形
態では、検出器のエネルギー密度を測定する有効表面も
細長(線形)であり、従ってビームのエネルギー密度は
線形の長さにわたり測定でき、この測定は例えば、分離
された線形のビーム部分の長手延在に沿って複数の場所
に設けられているシャッタにより行われる。
態では、検出器のエネルギー密度を測定する有効表面も
細長(線形)であり、従ってビームのエネルギー密度は
線形の長さにわたり測定でき、この測定は例えば、分離
された線形のビーム部分の長手延在に沿って複数の場所
に設けられているシャッタにより行われる。
【0013】この場合、検出器は有利には、いわゆる検
出器アレイの細長形状を有する。これによりエネルギー
密度の測定はビームの異なる個所で可能となる。全エネ
ルギーは(ビーム横断面全体にわたる)積分によっても
測定可能である。
出器アレイの細長形状を有する。これによりエネルギー
密度の測定はビームの異なる個所で可能となる。全エネ
ルギーは(ビーム横断面全体にわたる)積分によっても
測定可能である。
【0014】本発明の別の1つの有利な実施の形態で
は、レーザービームにより照射され基板に結像される間
隙が、ビーム横断面の長手軸線が斜めに配向されている
窓の平面の中に位置するように配向される。
は、レーザービームにより照射され基板に結像される間
隙が、ビーム横断面の長手軸線が斜めに配向されている
窓の平面の中に位置するように配向される。
【0015】
【発明の実施の形態】次に本発明を実施の形態に基づき
図を用いて詳細に説明する。
図を用いて詳細に説明する。
【0016】図はレーザービームのエネルギー及び/又
はエネルギー密度の監視装置を概略的に示す。
はエネルギー密度の監視装置を概略的に示す。
【0017】エキシマーレーザーのビーム10は図示の
矢印の方向に進む。エキシマーレーザービームは通常は
方形であり、長い横断面軸線と短い横断面軸線とを有す
る。長い横断面軸線の方向ではビームは台形のエネルギ
ー分布(「フラットトップ」)を有し、短いビーム軸線
の方向では実質的にガウス曲線に従うエネルギー分布を
有する。図は短い軸線の方向でのビーム路の断面を示
す。ビームエキスパンダー、均一化光学装置及びその他
の写像光学装置は図には示されていない。これらの装置
は選択的に従来の技術に従って使用できる。
矢印の方向に進む。エキシマーレーザービームは通常は
方形であり、長い横断面軸線と短い横断面軸線とを有す
る。長い横断面軸線の方向ではビームは台形のエネルギ
ー分布(「フラットトップ」)を有し、短いビーム軸線
の方向では実質的にガウス曲線に従うエネルギー分布を
有する。図は短い軸線の方向でのビーム路の断面を示
す。ビームエキスパンダー、均一化光学装置及びその他
の写像光学装置は図には示されていない。これらの装置
は選択的に従来の技術に従って使用できる。
【0018】図は、本発明に関連して重要な構成要素の
みを示す。レーザービーム10は円柱レンズ12の形の
光学装置を介して、加工する基板16に集束される。円
柱レンズ12の長手軸線は図面平面に垂直に位置する。
みを示す。レーザービーム10は円柱レンズ12の形の
光学装置を介して、加工する基板16に集束される。円
柱レンズ12の長手軸線は図面平面に垂直に位置する。
【0019】基板16(例えばアニーリングするアモル
ファスシリコン層)は真空室の中に配置されている。図
には真空室の壁が破線22により示されており、真空室
の内部は参照番号24により示されている。
ファスシリコン層)は真空室の中に配置されている。図
には真空室の壁が破線22により示されており、真空室
の内部は参照番号24により示されている。
【0020】窓14の真空室の内部空間24に対して外
側の表面14aは反射防止層が設けられている。これに
対して窓14の内面14bは反射防止コーティングをさ
れていない。従って窓14を透過する際にビームの一部
(例えば数パーセント、例えば2〜4%)はビーム部分
20として分離され、このビーム部分20はエネルギー
検出器18に向けられる。
側の表面14aは反射防止層が設けられている。これに
対して窓14の内面14bは反射防止コーティングをさ
れていない。従って窓14を透過する際にビームの一部
(例えば数パーセント、例えば2〜4%)はビーム部分
20として分離され、このビーム部分20はエネルギー
検出器18に向けられる。
【0021】図にはレーザービームの軸線Aに対する窓
14の相対的な斜め位置が誇張されて示されている。窓
の斜め位置はビーム軸線に対して垂直位置(90゜)か
ら角度αだけ偏向しており、角度αは検出器18の位置
決めに依存して数度、例えば2〜10゜の大きさであ
る。更に図示のように検出器18はこの実施の形態で
は、基板16の写像光学装置12の他の像平面16aの
場所に取付けられている。従って基板16と検出器18
とは窓14の内面14bから同一の間隔を有する。
14の相対的な斜め位置が誇張されて示されている。窓
の斜め位置はビーム軸線に対して垂直位置(90゜)か
ら角度αだけ偏向しており、角度αは検出器18の位置
決めに依存して数度、例えば2〜10゜の大きさであ
る。更に図示のように検出器18はこの実施の形態で
は、基板16の写像光学装置12の他の像平面16aの
場所に取付けられている。従って基板16と検出器18
とは窓14の内面14bから同一の間隔を有する。
【0022】真空室の空間24の中での材料加工に起因
してとりわけ窓14の内側が汚れることがあり、これに
より、レーザービームの基板16に当たるエネルギーが
変化することがある。この変化は、真空室の外部に設け
られている装置によってでは殆ど測定できない。これに
対して本発明の装置により窓14自身の特性も監視で
き、とりわけ、反射されるビーム部分20に影響する窓
の内面14bの汚れを監視できる。ビームは基板16に
当たる直前に監視され、従ってビーム監視の際のシステ
ム的な誤り源はほぼ除去される。
してとりわけ窓14の内側が汚れることがあり、これに
より、レーザービームの基板16に当たるエネルギーが
変化することがある。この変化は、真空室の外部に設け
られている装置によってでは殆ど測定できない。これに
対して本発明の装置により窓14自身の特性も監視で
き、とりわけ、反射されるビーム部分20に影響する窓
の内面14bの汚れを監視できる。ビームは基板16に
当たる直前に監視され、従ってビーム監視の際のシステ
ム的な誤り源はほぼ除去される。
【0023】図には間隙28が概略的に示され、間隙2
8をレーザービームが通り、その像は基板16に結像さ
れる。細長間隙28は、図に示されているより以上に円
柱レンズ12から離されている。
8をレーザービームが通り、その像は基板16に結像さ
れる。細長間隙28は、図に示されているより以上に円
柱レンズ12から離されている。
【0024】横断面が線形のビームの長手軸線は図面平
面に垂直で、従ってビームは窓14に当たると、同様に
図面平面に垂直な線を形成し、この線は検出器18に結
像される。従って検出器18も細長であり、検出器の有
効な細長面の長手軸線も図面平面に対して垂直に位置す
る。これは窓14の平面にも当てはまる。この幾何学的
形状により線形ビームの全長にわたるエネルギー分布を
検出器1により測定することが可能となり、例えば選択
的に参照番号26のシャッタが窓14と検出器18との
間に配置され、これらのシャッタが線形ビームの所望の
部分を検出器18に透過させることにより可能となる。
面に垂直で、従ってビームは窓14に当たると、同様に
図面平面に垂直な線を形成し、この線は検出器18に結
像される。従って検出器18も細長であり、検出器の有
効な細長面の長手軸線も図面平面に対して垂直に位置す
る。これは窓14の平面にも当てはまる。この幾何学的
形状により線形ビームの全長にわたるエネルギー分布を
検出器1により測定することが可能となり、例えば選択
的に参照番号26のシャッタが窓14と検出器18との
間に配置され、これらのシャッタが線形ビームの所望の
部分を検出器18に透過させることにより可能となる。
【図1】レーザービームのエネルギー及び/又はエネル
ギー密度の監視装置の概略図である。
ギー密度の監視装置の概略図である。
10 ビーム 12 円柱レンズ 14 窓 14a 窓の外側表面 14b 窓の内側表面 16 基板 18 検出器 20 ビーム部分 22 真空室の壁 24 真空室の内部空間 α 窓の傾斜角
Claims (6)
- 【請求項1】 レーザービーム(10)が室の窓(1
4)を透過して基板(16)に向けられ、前記レーザー
ビーム(10)からビームの一部分(20)が分離され
てエネルギー検出器(18)に供給される前記レーザー
ビーム(10)のエネルギー及び/又はエネルギー密度
の監視装置において、 前記窓(14)が透過レーザービーム(10)の光学軸
線(A)に対して斜めに配向され、前記検出器(18)
に向けられる前記ビームの一部分(20)が前記窓(1
4)で反射されることを特徴とするレーザービームのエ
ネルギー及び/又はエネルギー密度の監視装置。 - 【請求項2】 窓(14)の室に対して外側の表面(1
4a)が反射防止コーティングされ、前記窓(14)の
内側の表面(14b)は反射防止コーティングされてい
ないことを特徴とする請求項1に記載のレーザービーム
のエネルギー及び/又はエネルギー密度の監視装置。 - 【請求項3】 検出器(18)が少なくとも近似的に、
レーザービーム(10)を基板(16)に結像する光学
装置(12)の他の像平面(16a)の中に設けられて
いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のレ
ーザービームのエネルギー及び/又はエネルギー密度の
監視装置。 - 【請求項4】 レーザービーム(10)が線形で、とり
わけアナモルフィックに基板(16)に結像され、 検出器(18)が細長形状、とりわけ検出器アレイの形
を有することを特徴とする請求項1から請求項3のうち
のいずれか1つの請求項に記載のレーザービームのエネ
ルギー及び/又はエネルギー密度の監視装置。 - 【請求項5】 窓(14)と検出器(18)との間に少
なくとも1つのシャッタ(26)設けられていることを
特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1つ
の請求項に記載のレーザービームのエネルギー及び/又
はエネルギー密度の監視装置。 - 【請求項6】 レーザービーム(10)により照射され
窓を通って基板(16)に結像される間隙(28)が、
ビーム横断面の長手軸線が斜めに配向されている窓(1
4)の平面の中に位置するように、配向されていること
を特徴とする請求項4又は請求項5に記載のレーザービ
ームのエネルギー及び/又はエネルギー密度の監視装
置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19630607.8 | 1996-07-29 | ||
DE19630607A DE19630607C1 (de) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | Vorrichtung zum Überwachen der Energie eines Laserstrahls |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1085969A true JPH1085969A (ja) | 1998-04-07 |
Family
ID=7801203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9209647A Pending JPH1085969A (ja) | 1996-07-29 | 1997-07-18 | レーザービームのエネルギー及び/又はエネルギー密度の監視装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1085969A (ja) |
DE (1) | DE19630607C1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008272830A (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Eo Technics Co Ltd | レーザ加工装置 |
JP2020527291A (ja) * | 2017-07-12 | 2020-09-03 | スリーディー システムズ インコーポレーテッド | 直接金属レーザ溶融で用いられる高出力密度レーザを直接校正するためのセンサシステム |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007053632B4 (de) * | 2007-11-08 | 2017-12-14 | Primes Gmbh | Verfahren zur koaxialen Strahlanalyse an optischen Systemen |
DE102011007176B4 (de) | 2011-04-12 | 2015-06-25 | Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg | Vorrichtung zur Fokussierung eines Laserstrahls und Verfahren zum Überwachen einer Laserbearbeitung |
DE202012102794U1 (de) | 2012-07-25 | 2012-08-28 | Highyag Lasertechnologie Gmbh | Optik für Strahlvermessung |
DE102012106779B4 (de) | 2012-07-25 | 2014-04-03 | Highyag Lasertechnologie Gmbh | Optik für Strahlvermessung |
DE102013227031B4 (de) * | 2013-12-20 | 2017-11-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zum Analysieren eines auf ein Substrat auftreffenden Lichtstrahls und zum Korrigieren einer Brennweitenverschiebung |
DE102014207604A1 (de) * | 2014-04-23 | 2015-10-29 | Robert Bosch Gmbh | Schutzvorrichtung für einen Oberflächenspiegel eines optischen Messsystems |
DE102015001421B4 (de) | 2015-02-06 | 2016-09-15 | Primes GmbH Meßtechnik für die Produktion mit Laserstrahlung | Vorrichtung und Verfahren zur Strahldiagnose an Laserbearbeitungs-Optiken (PRl-2015-001) |
DE102017131224A1 (de) | 2017-12-22 | 2019-06-27 | Precitec Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zur Erfassung einer Fokuslage eines Laserstrahls |
DE102018105319A1 (de) | 2018-03-08 | 2019-09-12 | Precitec Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur Bestimmung einer Fokuslage in einem Laserbearbeitungssystem, Laserbearbeitungssystem mit derselben und Verfahren zur Bestimmung einer Fokuslage in einem Laserbearbeitungssystem |
DE102018105364B4 (de) | 2018-03-08 | 2020-06-25 | Precitec Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur Bestimmung einer Fokuslage eines Laserstrahls in einem Laserbearbeitungssystem, Laserbearbeitungssystem mit derselben und Verfahren zur Bestimmung einer Fokuslage eines Laserstrahls in einem Laserbearbeitungssystem |
US11491730B2 (en) | 2018-06-28 | 2022-11-08 | 3D Systems, Inc. | Three-dimensional printing system with laser calibration system |
DE102019109795B4 (de) * | 2019-04-12 | 2023-11-30 | Precitec Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen einer Fokuslage sowie zugehöriger Laserbearbeitungskopf |
DE102022111572A1 (de) | 2022-05-10 | 2023-11-16 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Messvorrichtung zum Vermessen eines Laserlinienstrahls |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5483037A (en) * | 1993-12-01 | 1996-01-09 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Multiple target laser ablation system |
-
1996
- 1996-07-29 DE DE19630607A patent/DE19630607C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-07-18 JP JP9209647A patent/JPH1085969A/ja active Pending
Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
JP2008272830A (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Eo Technics Co Ltd | レーザ加工装置 |
JP2020527291A (ja) * | 2017-07-12 | 2020-09-03 | スリーディー システムズ インコーポレーテッド | 直接金属レーザ溶融で用いられる高出力密度レーザを直接校正するためのセンサシステム |
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Publication number | Publication date |
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DE19630607C1 (de) | 1997-10-23 |
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