JPH1083978A - Method and device for mounting semiconductor wafer on polishing block - Google Patents

Method and device for mounting semiconductor wafer on polishing block

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JPH1083978A
JPH1083978A JP13824997A JP13824997A JPH1083978A JP H1083978 A JPH1083978 A JP H1083978A JP 13824997 A JP13824997 A JP 13824997A JP 13824997 A JP13824997 A JP 13824997A JP H1083978 A JPH1083978 A JP H1083978A
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JP
Japan
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polishing block
adhesive
block
polishing
heater
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP13824997A
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Japanese (ja)
Inventor
Daniel M Harris
ダレル・エム・ハリス
Harold E Hall Jr
ハロルド・イー・ホール・ジュニア
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SunEdison Inc
Original Assignee
SunEdison Inc
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Filing date
Publication date
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Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to use water-based adhesive agent without adverse effects on the flatness of a semiconductor wafer, by applying the water-based adhesive agent on the surface of a polishing block, and heating the wafer by radiation using a radiation heater in a dry environment, thereby drying the water-based adhesive agent quickly and softening the wafer at the low cost. SOLUTION: A door 26 is lifted, and a polishing block B having the coating of water-based adhesive agent, which is applied on the upper surface, is arranged on a holder. The door 26 is closed, a lamp unit is operated and infrared-ray energy is radiated upward toward the bottom surface of the block B from a heater. Here, when the specified temperature sufficient for softening the water- based adhesive agent is detected with a pyrometer, the lamp unit is stopped, the door 26 is lifted and the block B is removed from the holder. At this time, it is recommendable that the lamp unit is stopped when the pyrometer has detected 75 deg.C. In this way, the semiconductor water is bonded to the softened adhesive agent after the water-based adhesive agent has been softened.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、概略、半導体ウェ
ーハを研磨(ポリッシング)ブロックに取り付けて該ウ
ェーハを研磨中に保持するための方法と装置に関する。
特に、本発明は、ウェーハが研磨ブロックに一時的に接
着されるように、研磨ブロックを加熱して上記ブロック
に塗布された接着剤を軟らかくするための赤外線ヒータ
に関する。
The present invention relates generally to a method and apparatus for attaching a semiconductor wafer to a polishing (polishing) block and holding the wafer during polishing.
In particular, the present invention relates to an infrared heater for heating a polishing block to soften an adhesive applied to the polishing block so that the wafer is temporarily bonded to the polishing block.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウェーハの両面はその製造中に研
磨されて、非常に平滑な仕上がりと表面の平坦性が付与
される。半導体ウェーハは、電子ビームリソグラフィ又
はフォトリソグラフィによって該ウェーハ上に電気回路
を印刷する前に、極めて平坦かつスムーズであるように
研磨されなければならない。平坦度は、1ミクロン以下
の印刷線の解像度を保つために重要である。しかし、ウ
ェーハは薄いので、該ウェーハの全域でしっかりと支持
されていなければ研磨中に曲がったり、必要な表面平坦
度と仕上がりが得られないことがある。そのために、研
磨中にウェーハはその全域で支持されることが重要であ
る。
2. Description of the Related Art Both sides of a semiconductor wafer are polished during its manufacture to provide a very smooth finish and surface flatness. Semiconductor wafers must be polished to be very flat and smooth before printing electrical circuits on the wafer by electron beam lithography or photolithography. Flatness is important to maintain print line resolution of 1 micron or less. However, since the wafer is thin, it may bend during polishing and may not have the required surface flatness and finish if not firmly supported across the wafer. Therefore, it is important that the wafer be supported throughout its area during polishing.

【0003】研磨用にウェーハを準備するために、ウェ
ーハは接着剤又はワックスを用いて平坦な研磨ブロック
上に設けられ、上記接着剤又はワックスはウェーハをし
っかりと掴んで正確に支持する。上記接着剤は研磨ブロ
ックの片面に薄膜状に塗布され、そのブロックと接着剤
は上記接着剤が乾燥しかつ軟らかくなるように加熱され
る。ウェーハは上記軟らかくなった接着剤に対して押さ
れ、接着剤は冷えるにしたがってウェーハをしっかりと
保持し、これによりウェーハは研磨処理中にブロックか
ら容易に引き抜かれたりはぎ取られたりすることがな
い。また、接着剤は冷却するにしたがって固まり、これ
により接着剤は研磨処理中にウェーハをしっかりと支持
し、必要な表面平坦度と仕上がりが得られる。
[0003] To prepare a wafer for polishing, the wafer is mounted on a flat polishing block using an adhesive or wax, which adhesive or wax firmly grips and accurately supports the wafer. The adhesive is applied to one side of the polishing block in a thin film, and the block and the adhesive are heated so that the adhesive dries and softens. The wafer is pressed against the softened adhesive, which holds the wafer firmly as it cools, so that the wafer is not easily pulled or stripped from the block during the polishing process . Also, the adhesive solidifies as it cools, so that the adhesive firmly supports the wafer during the polishing process and provides the required surface flatness and finish.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来、スチームポット
として知られている装置が、接着剤の塗布されている研
磨ブロックを加熱するために使用されていた。その名前
が意味するように、スチームポットは沸騰水を収容する
容器である。ブロックを加熱するために、該ブロック
は、接着剤と反対側のブロック側部が容器内の蒸気に晒
されるように、スチームポット上部の開口部に設置され
る。対流と伝熱によって蒸気がブロックを加熱する。ブ
ロックは蒸気に晒された側部から接着剤が塗布されてい
る側部へと熱を伝導し、これにより接着剤を乾燥して軟
らかくする。しかし、ブロックは蒸気よりも冷たいの
で、蒸気に晒された側部で水が凝縮する。接着剤を有す
るブロックの側部はスチームポットの内部に面していな
いので、水が時折接着剤に接触する。ウェーハが接着剤
に接触すると接着剤に痘痕ができ、それにより小さなウ
ェーハの特定部分が不適当に保持されて支持される。そ
の結果、研磨ブロックがスチームポットで加熱されてブ
ロック上で水が凝縮又は跳ね返ると、水が接着剤に接触
するのを防止するために、次の処理の前に研磨ブロック
を乾燥しなければならない。
Conventionally, an apparatus known as a steam pot has been used to heat a polishing block to which an adhesive has been applied. As the name implies, a steam pot is a container for boiling water. To heat the block, the block is placed in an opening at the top of the steam pot such that the side of the block opposite the adhesive is exposed to the vapor in the container. The steam heats the block by convection and heat transfer. The block conducts heat from the exposed side to the side to which the adhesive is applied, thereby drying and softening the adhesive. However, since the block is cooler than the steam, water condenses on the side exposed to the steam. Since the side of the block with the adhesive does not face the interior of the steam pot, water occasionally contacts the adhesive. When the wafer comes into contact with the adhesive, a small mark is formed on the adhesive, whereby certain portions of the small wafer are improperly held and supported. As a result, if the polishing block is heated in a steam pot and water condenses or bounces on the block, the polishing block must be dried before further processing to prevent water from contacting the adhesive. .

【0005】従来は溶剤としてトリクロルエチレンを含
む接着剤がよく使用された。しかし、トリクロルエチレ
ンは環境に悪影響を及ぼしかねないことが明らかになっ
たことから、トリクロルエチレンを含まない別の接着剤
が紹介されている。例えば、水系接着剤が開発されてき
た。しかし、これらの「グリーン」水系接着剤は極めて
水に分散しやすいので、スチームポット中で加熱される
と、十分に機能しない。かくて、水滴が接着剤に接触す
ると、大きな空隙が生じると共にウェーハは適正に支持
又は保持されない。
Conventionally, an adhesive containing trichloroethylene as a solvent has been often used. However, it has been found that trichlorethylene can have an adverse effect on the environment, so other adhesives that do not contain trichlorethylene have been introduced. For example, water-based adhesives have been developed. However, these "green" waterborne adhesives are very dispersible in water and do not perform well when heated in a steam pot. Thus, when water droplets come into contact with the adhesive, large voids are created and the wafer is not properly supported or held.

【0006】水の跳ね返りを減少する一つの試みでは、
スチームポットに供給される電力量が減少されたが、こ
れは蒸気の生成量を減少し、ブロックを十分に加熱する
ための時間が長くなった。長い加熱時間は製造時間と費
用を上昇するので好ましくない。製造をスピードアップ
するために、ブロックを高温まで加熱しなくてもよいよ
うに、より軟らかい接着剤が使用されてきた。これによ
り、より低い電力設定とより短い加熱時間を用いること
ができる。しかし、軟らかい接着剤はべとべとしてお
り、そのために研磨後にウェーハを簡単に解放できず、
軟らかい接着剤を用いた場合に得られる製造上の利点を
相殺するものであった。
[0006] In one attempt to reduce water bounce,
The amount of power supplied to the steam pot was reduced, which reduced the amount of steam produced and increased the time to sufficiently heat the block. Long heating times are undesirable because they increase production time and costs. To speed up manufacturing, softer adhesives have been used so that the blocks do not have to be heated to high temperatures. This allows lower power settings and shorter heating times to be used. However, the soft adhesive is sticky, so it is not easy to release the wafer after polishing,
This offsets the manufacturing advantages obtained with soft adhesives.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、接着剤
を素早くかつ安価に乾燥し軟らかくするために研磨ブロ
ックを加熱できる方法と装置を提供すること、半導体ウ
ェーハの平坦度及び表面仕上がりに悪影響を与えること
なく水系接着剤が使用される方法と装置を提供するこ
と、研磨ブロック、半導体ウェーハ及び接着剤が水と接
触することのない方法と装置を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method and apparatus for heating a polishing block to dry and soften an adhesive quickly and inexpensively, and to improve the flatness and surface finish of a semiconductor wafer. It is to provide a method and apparatus in which a water-based adhesive is used without adverse effects, and a method and apparatus in which a polishing block, a semiconductor wafer and an adhesive do not come into contact with water.

【0008】本発明の方法は、研磨中に半導体ウェーハ
を保持するために、研磨ブロック上に半導体ウェーハを
取り付けるために使用される。概略、上記方法は、半導
体ウェーハを取り付けるための表面を有する研磨ブロッ
クを提供し、上記研磨ブロック表面に接着剤を塗布し、
研磨ブロックと接着剤を放射加熱して上記接着剤を軟ら
かくし、そして半導体ウェーハを軟らかくなった接着剤
に接着する工程を有する。研磨ブロックと接着剤を放射
加熱する工程は乾燥した環境で放射ヒータにより行われ
る。
The method of the present invention is used to mount a semiconductor wafer on a polishing block to hold the semiconductor wafer during polishing. In general, the method provides a polishing block having a surface for mounting a semiconductor wafer, applying an adhesive to the polishing block surface,
Radiating the polishing block and the adhesive to soften the adhesive, and bonding the semiconductor wafer to the softened adhesive. The step of radiatively heating the polishing block and the adhesive is performed by a radiant heater in a dry environment.

【0009】他の形態において、本発明は、研磨ブロッ
クと接着剤を加熱して上記接着剤を軟らかくする上述の
工程を達成するための装置である。概略、上記装置は、
研磨ブロックを受け入れて保持するように構成された研
磨ブロックホルダと、上記研磨ブロックを加熱するため
に上記研磨ブロックホルダにより受け入れられて保持さ
れた上記研磨ブロックに向けて放熱エネルギを注ぐ放射
ヒータとを備えている。
In another aspect, the invention is an apparatus for accomplishing the above-described process of heating a polishing block and an adhesive to soften the adhesive. In general, the device is
A polishing block holder configured to receive and hold a polishing block; and a radiant heater that pours heat radiation energy toward the polishing block received and held by the polishing block holder to heat the polishing block. Have.

【0010】本発明の他の実施形態では、半導体ウェー
ハ取り付け装置は、接着剤塗布装置と、放射ヒータと、
装着装置と、コントローラとを有する。接着剤塗布装置
は離型性接着剤を研磨ブロックの一表面に塗布する。放
射ヒータは接着剤が塗布されている研磨ブロックに向け
て放熱エネルギを注いで研磨ブロックと接着剤を加熱す
る。装着装置は半導体ウェーハの片面を研磨ブロック面
に載せる。コントローラは接着剤塗布装置、放射ヒー
タ、及び装着装置の動作を制御する。
[0010] In another embodiment of the present invention, a semiconductor wafer mounting apparatus includes: an adhesive application apparatus; a radiant heater;
It has a mounting device and a controller. The adhesive application device applies a release adhesive to one surface of the polishing block. The radiant heater applies heat radiation energy to the polishing block to which the adhesive has been applied to heat the polishing block and the adhesive. The mounting device places one surface of the semiconductor wafer on the polishing block surface. The controller controls the operation of the adhesive application device, the radiation heater, and the mounting device.

【0011】本発明のその他の目的と特徴は一部は明ら
かで又一部は以下に指摘する。
Other objects and features of the invention will in part be obvious and will in part be pointed out hereinafter.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】図面、まず図1を参照すると、研
磨ブロックを加熱する第1の好適な実施形態の装置は、
その全体が参照符号20で示してある。フレーム22に
支持された装置20は垂直部材22aと横部材22bを
有する。上記フレームは、フロントパネル24a、リヤ
パネル24b、サイドパネル24c、トップパネル24
d、及びスライドドア26を支持しており、上記スライ
ドドアは装置に研磨ブロックBを入れたり出したりする
ために開放できる。制御パネル28は、装置の動作を監
視し制御するために器械を備えている。装置20は、概
略符号30(図6)で示す研磨ブロックホルダと、概略
符号32(図2,3)で示す赤外線ヒータとを備えてい
る。上記ホルダ30とヒータ32はテーブル34の下に
設けてある。テーブルは研磨ブロックBを受け入れる大
きさの開口部36を有する。以下に詳細に説明するよう
に、第1実施形態のホルダ30は、テーブル34の下の
開口部36に延びる冷却水パイプの円い突出部により形
成されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Referring first to the drawings and first to FIG. 1, an apparatus for heating a polishing block according to a first preferred embodiment comprises:
The whole is indicated by reference numeral 20. The device 20 supported on the frame 22 has a vertical member 22a and a horizontal member 22b. The frame includes a front panel 24a, a rear panel 24b, a side panel 24c, and a top panel 24.
d, and supports a sliding door 26, which can be opened to put the polishing block B in and out of the device. Control panel 28 includes instruments for monitoring and controlling the operation of the device. The apparatus 20 includes a polishing block holder generally indicated by reference numeral 30 (FIG. 6) and an infrared heater generally indicated by reference numeral 32 (FIGS. 2 and 3). The holder 30 and the heater 32 are provided below the table 34. The table has an opening 36 sized to receive the polishing block B. As described in detail below, the holder 30 of the first embodiment is formed by a round protrusion of a cooling water pipe extending to an opening 36 below the table 34.

【0013】図2と3は、パネル24a−24d、スラ
イドドア26及び制御パネル28を有する装置が示して
ある。制御パネルは、ヒータ32のような内部構成要素
が見えるように、フレーム22から除去されている。赤
外線ヒータ32の内部構造は、図8−10を参照するこ
とでより明らかになる。ヒータは、概略符号42で示さ
れた3つの並列に配置された赤外線ランプユニットを収
容するハウジング40を備えている。各ランプユニット
42は、本体44と、ランプユニットを電気的に絶縁す
るためにハウジング40の底部上で本体をハウジングか
ら離す4つの絶縁体46を備えている。各本体44の端
部近傍に配置されているのは5つの中空サポート50
で、これらは本体の上面に形成された反射溝54(図
9)の近傍で環状の赤外線エミッタ又はランプ52を支
持している。
FIGS. 2 and 3 show an apparatus having panels 24a-24d, a sliding door 26 and a control panel 28. FIG. The control panel has been removed from frame 22 so that internal components such as heater 32 are visible. The internal structure of the infrared heater 32 will become more apparent with reference to FIGS. The heater includes a housing 40 that houses three parallel arranged infrared lamp units indicated generally by the reference numeral 42. Each lamp unit 42 includes a main body 44 and four insulators 46 on the bottom of the housing 40 separating the main body from the housing to electrically insulate the lamp unit. Disposed near the end of each body 44 are five hollow supports 50.
These support an annular infrared emitter or lamp 52 near a reflective groove 54 (FIG. 9) formed on the top surface of the body.

【0014】ランプユニット42は、ホルダ30の下
で、ハウジング40の中を前から後ろにランプ52に延
びるように配置されている。5つのランプ52は中央ラ
ンプユニット42のサポート50に設けてあるが、僅か
3つのランプだけが別のユニット上に設けてある。ホル
ダから最も離れたランプはホルダ中に保持されたブロッ
クBを効率的に加熱することがないので、ホルダ30に
最も近いサポート50に3つのランプ52が配置されて
いる。各ランプ52はワイヤリード54を備えており、
これはランプ端部から中空サポート50を介して下方に
延び、サポートの底部近傍に設けたコモンバス56に到
達している。バス56は、装置の外部に設けたプログラ
マブル論理コントローラ58b(図12)によって制御
される外部電源(図示せず)に接続されている。ランプ
52は、6キロワットの電力を得るために、480ボル
ト、60アンペアの電流がそれぞれ供給される。最も好
適な実施形態では、ランプユニット42は、ミネソタ州
ミネアポリスのリサーチ社により製造された型式509
0−10−01高密度赤外線ヒータ部品で、ランプ52
はリサーチ社により製造されたQ6MT3/CL/HT
クオーツ式赤外線エミッタである。しかし、その他の形
式の放射ヒータランプユニットやランプが、本発明の範
囲から逸脱することなく使用できる。
The lamp unit 42 is disposed below the holder 30 so as to extend from the front to the rear in the housing 40 to the lamp 52. Five lamps 52 are provided on the support 50 of the central lamp unit 42, but only three lamps are provided on another unit. Since the lamp furthest from the holder does not efficiently heat the block B held in the holder, three lamps 52 are located on the support 50 closest to the holder 30. Each lamp 52 has a wire lead 54,
It extends downwardly from the end of the lamp via the hollow support 50 and reaches a common bus 56 provided near the bottom of the support. The bus 56 is connected to an external power supply (not shown) controlled by a programmable logic controller 58b (FIG. 12) provided outside the device. The lamps 52 are each supplied with 480 volts and 60 amps of current to obtain 6 kilowatts of power. In the most preferred embodiment, the lamp unit 42 is a model 509 manufactured by Research, Minneapolis, MN.
0-10-01 high-density infrared heater parts, lamp 52
Is Q6MT3 / CL / HT manufactured by Research
It is a quartz type infrared emitter. However, other types of radiant heater lamp units and lamps can be used without departing from the scope of the present invention.

【0015】各本体44はその下側に2つの溝付きポー
ト60(図8)を有する。図9と10に示すように、各
本体44は互いに連結された冷却通路62を有する。こ
れらの冷却通路は本体を通り一方のポートから他方のポ
ートに伸びている。冷却水は図8に示すように右側ユニ
ット42の後部ポートに搬送される。右側ユニット42
の後部ポート60aに送られた冷却水は右側ユニットの
通路62を通り搬送され、該ユニットの前部ポートから
出て、そこでチューブ64を介して中央ユニットの前部
ユニットに進む。同様に、水は中央ユニットを通り、第
2のチューブ65を介して搬送される前に後部ポートか
ら出る。第2のチューブは中央ユニットと左側ユニット
の後部ポートを接続している。水は左側ユニットを介し
て搬送され、後部ポート60bを介して出る。したがっ
て、第1のユニットに入る水は第2のユニットに送ら
れ、第2のユニットから第3のユニットに搬送される。
短いニップル66(同様に図9を参照)はハウジング4
0を通り前部左側と後部右側のポート60a,60bを
冷却水回路に接続するために、これらポートからハウジ
ング40を介して伸びている。
Each body 44 has two grooved ports 60 (FIG. 8) on its lower side. As shown in FIGS. 9 and 10, each body 44 has a cooling passage 62 connected thereto. These cooling passages extend through the body from one port to the other. The cooling water is conveyed to the rear port of the right unit 42 as shown in FIG. Right unit 42
The cooling water sent to the rear port 60a is conveyed through the passage 62 of the right unit, exits the front port of the unit, and proceeds there via the tube 64 to the front unit of the central unit. Similarly, water exits the rear port before passing through the central unit and through the second tube 65. A second tube connects the center unit and the rear port of the left unit. Water is conveyed through the left unit and exits through rear port 60b. Thus, water entering the first unit is sent to the second unit and transported from the second unit to the third unit.
The short nipple 66 (see also FIG. 9)
0, the front left and rear right ports 60a, 60b extend through the housing 40 from these ports for connection to the cooling water circuit.

【0016】空気はハウジング底部の2つの孔(一方だ
けを部分的に図8に示す。)を介してハウジング40に
導入される。空気はユニット42とハウジング底部との
間を通り、ユニット端部近傍の中空ランプサポート50
に移動する。空気はサポート50を通り上方に移動する
とともに各ユニット42の中央部に向けて移動し、そこ
でユニットに沿って中央部に配置された複数のチューブ
72により、空気はチューブ72を通り下方に移動して
ハウジング40の底部に取り付けたプレナム(図示せ
ず)に入る。図2、3に戻り、排気チューブ74は高温
空気をプレナムから装置20外に配置した排気設備(図
示せず)に排気する。排気設備はハウジング40を介し
て空気を吸引して排気チューブ74から排出してヒータ
32を冷却するためのブロワを含む。以下に詳細に説明
するように、冷却流量が不十分な場合にヒータ32が停
止するように、チューブを通じて吸引される空気流量を
測定するために、排気チューブ74に流量センサ(図示
せず)が配置されている。
Air is introduced into the housing 40 through two holes (only one is partially shown in FIG. 8) in the bottom of the housing. Air passes between the unit 42 and the bottom of the housing and the hollow lamp support 50 near the end of the unit.
Go to The air moves upward through the support 50 and toward the center of each unit 42, where a plurality of tubes 72 disposed centrally along the unit allow air to move downward through the tubes 72. Into a plenum (not shown) attached to the bottom of the housing 40. Returning to FIGS. 2 and 3, the exhaust tube 74 exhausts the hot air from the plenum to an exhaust facility (not shown) located outside the apparatus 20. The exhaust system includes a blower for sucking air through the housing 40 and discharging the air from the exhaust tube 74 to cool the heater 32. As will be described in detail below, a flow sensor (not shown) is provided in the exhaust tube 74 to measure the air flow drawn through the tube so that the heater 32 shuts down if the cooling flow is insufficient. Are located.

【0017】テーブル34とホルダ30の冷却装置は冷
却水マニホールド80を含むように示してある。このマ
ニホールドはフレーム22の右側に設けられ、マニホー
ルドの後端部に接続された供給ライン82(図3)から
マニホールドの上部に接続されたフレキシブルな冷却水
ライン84a−84eに冷却水を分配する。供給ライン
82は、マニホールド80に冷却水を供給するために、
外部冷却水源(図示せず)に接続されている。ソレノイ
ドバルブ86と流量センサ88は供給ライン82に配置
されており、ヒータ32とその他の冷却通路への水量を
制御し監視する。ライン84aは図8に示す後部右側ポ
ート60と関係するニップル66に伸びており、冷却水
をランプユニット冷却通路62に送る。
The cooling system for table 34 and holder 30 is shown to include a cooling water manifold 80. This manifold is provided on the right side of the frame 22 and distributes cooling water from a supply line 82 (FIG. 3) connected to the rear end of the manifold to flexible cooling water lines 84a-84e connected to the upper part of the manifold. The supply line 82 is used to supply cooling water to the manifold 80.
It is connected to an external cooling water source (not shown). A solenoid valve 86 and a flow sensor 88 are located on the supply line 82 to control and monitor the amount of water to the heater 32 and other cooling passages. The line 84 a extends to the nipple 66 associated with the rear right port 60 shown in FIG. 8 and sends cooling water to the lamp unit cooling passage 62.

【0018】ライン84b−84dは、テーブル34下
に配置された上部と下部の冷却板100、102(図
4)に伸びている。図4に示すように、テーブル34
は、ステンレス鋼からなる1/16インチ厚の板からな
る。1/4インチ厚の2つのアルミニウム板が、1/4
インチの間隔をもって、テーブル34の下に配置された
冷却板100、102を形成している。図5、6に示す
ように、銅配管の2つの部分104、106が上部と下
部の冷却板100、102の間に配置され、ステンレス
鋼配管の部分108が下部冷却板の下に配置されてい
る。配管部分104、106は、テーブル34を冷却す
るために曲がりくねった冷却通路に形成されている。ラ
イン84bと84c(図2と3)はマニホールド80か
ら伸びており、冷却水を配管部分104、106にそれ
ぞれ送る。図6に示すように、ステンレス鋼の配管部分
108には内側に向けてテーブル開口部36に突出する
丸い突出部110が形成されている。また、丸い突出部
110は第1の実施形態のブロックホルダ30を形成し
ている。マニホールド80から伸びるライン84d(図
2、3)は、ホルダ30を冷却すべく該ホルダに水を送
るために、ステンレス鋼の配管部分108に接続されて
いる。
Lines 84b-84d extend to upper and lower cooling plates 100, 102 (FIG. 4) located below table 34. As shown in FIG.
Consists of a 1/16 inch thick plate of stainless steel. Two 1/4 inch thick aluminum plates are 1/4
The cooling plates 100 and 102 disposed below the table 34 are formed at intervals of inches. As shown in FIGS. 5 and 6, two portions 104, 106 of the copper tubing are located between the upper and lower cooling plates 100, 102 and a portion 108 of the stainless steel tubing is located below the lower cooling plate. I have. The piping portions 104 and 106 are formed in a winding cooling passage for cooling the table 34. Lines 84b and 84c (FIGS. 2 and 3) extend from manifold 80 and deliver cooling water to piping sections 104 and 106, respectively. As shown in FIG. 6, the stainless steel pipe portion 108 is formed with a round protrusion 110 protruding inward from the table opening 36. Further, the round protrusion 110 forms the block holder 30 of the first embodiment. A line 84d (FIGS. 2, 3) extending from the manifold 80 is connected to a stainless steel tubing section 108 for sending water to the holder 30 to cool it.

【0019】図7は、ヒータ32の回りのフレーム22
に、ハウジング40の各側面近傍に一つづつ設けた4つ
の板112とチューブ112を示す。これらの板112
は分かり易くするために図2、3では除かれている。冷
却水はライン84eを介してチューブ114に送られ
る。チューブ114は、板112から上記チューブ11
4を介して移送される冷却水に熱が伝達されるのを促進
するために、曲がりくねった形状をしている。装置20
の一面に沿って移動した後、水は装置側面近傍の同様の
チューブと板に移動し、4つのすべての側面周りを移動
する。
FIG. 7 shows the frame 22 around the heater 32.
4 shows four plates 112 and tubes 112 provided one by one in the vicinity of each side surface of the housing 40. These plates 112
Are omitted in FIGS. 2 and 3 for clarity. The cooling water is sent to the tube 114 via the line 84e. The tube 114 is separated from the plate 112 by the tube 11.
It has a serpentine shape to facilitate the transfer of heat to the cooling water transported through 4. Device 20
After moving along one side, the water travels to similar tubes and plates near the side of the device and travels around all four sides.

【0020】再び図2、3に戻り、フレーム22の左側
に配置されているのは、マニホールド80と同様の冷却
水返送マニホールド120である。返送マニホールド1
20はマニホールド上部の5つの入口ポート121(図
2にはそのうち一つだけを示す)からマニホールド後端
部の出口ポート(図示せず)に冷却水を導く。排水ライ
ン122はマニホールド120の出口ポートと外部排水
設備(図示せず)との間に接続されている。5つのフレ
キシブルな冷却水出口ライン124a−124eがそれ
ぞれのマニホールド入口ポート121に接続されてい
る。ライン124aは図8に示すヒータ32の前部左側
ポート60に関係するニップル66から伸びて、使用さ
れた冷却水を排水設備に送る。ライン124b−124
eは配管部分104、106、108及び114の下流
端部にそれぞれ接続され、それらの通路から使用済みの
冷却水を排水する。
Returning to FIGS. 2 and 3, disposed on the left side of the frame 22 is a cooling water return manifold 120 similar to the manifold 80. Return manifold 1
Numeral 20 guides cooling water from five inlet ports 121 (only one of which is shown in FIG. 2) at the top of the manifold to an outlet port (not shown) at the rear end of the manifold. The drain line 122 is connected between an outlet port of the manifold 120 and an external drain facility (not shown). Five flexible cooling water outlet lines 124a-124e are connected to respective manifold inlet ports 121. A line 124a extends from the nipple 66 associated with the front left port 60 of the heater 32 shown in FIG. 8 to deliver used cooling water to a drain. Lines 124b-124
e is connected to the downstream ends of the pipe sections 104, 106, 108 and 114, respectively, and drains the used cooling water from those passages.

【0021】第1のソレノイドバルブ86の上に配置さ
れた第2のソレノイドバルブ130はコントローラ58
b(図12)からの信号に応じて扉26(図1)を開閉
する。バルブ130はリニヤアクチュエータ132(図
1)に接続されており、該アクチュエータに空気を供給
してそのピストンを下方に押圧する。ピストンはスライ
ド扉26(図1)に連結されたワイヤ134(図1)に
連結されており、空気がアクチュエータ132に送られ
ると扉が上昇される。
The second solenoid valve 130 disposed above the first solenoid valve 86 is connected to the controller 58.
The door 26 (FIG. 1) is opened and closed in response to a signal from b (FIG. 12). The valve 130 is connected to a linear actuator 132 (FIG. 1) and supplies air to the actuator to press its piston downward. The piston is connected to a wire 134 (FIG. 1) connected to the sliding door 26 (FIG. 1), and the door is raised when air is sent to the actuator 132.

【0022】図1−3に示すように、研磨ブロックBが
ホルダ内に存在することを検出するために、研磨ブロッ
クホルダ30の近傍のテーブル34に近接スイッチ14
0が設けてある。スイッチ140はプログラマブル論理
コントローラ58b(図12)に接続されている。光学
式の高温計142(図2、3)が装置20の上部近傍に
設けてあり、ホルダ30内に保持されている研磨ブロッ
クBの上部の温度を検出するためにホルダに向けられて
いる。高温計142はまたプログラマブル論理コントロ
ーラに接続されている。
As shown in FIG. 1-3, in order to detect the presence of the polishing block B in the holder, a proximity switch 14 is attached to a table 34 near the polishing block holder 30.
0 is provided. Switch 140 is connected to programmable logic controller 58b (FIG. 12). An optical pyrometer 142 (FIGS. 2, 3) is provided near the top of the apparatus 20 and is directed at the holder to detect the temperature of the top of the polishing block B held in the holder 30. The pyrometer 142 is also connected to a programmable logic controller.

【0023】動作中、扉26が上昇され、上面に塗布さ
れた接着剤コーティングを有する研磨ブロックBがホル
ダ30上に配置される。扉26が閉鎖され、ランプユニ
ット42が作動してヒータ32からブロックBの底面に
向けて赤外線熱エネルギが上方に放射される。接着剤を
軟らかくするために十分な所定温度が高温計142で検
出されると、ランプユニット42が停止し、扉26が上
昇してブロックBがホルダ30から取り除かれる。その
他の温度も本発明の範囲に入るが、高温計142が75
℃を検出したときにランプユニット42を停止するのが
よい。その理由は、ブロック内の高い温度勾配によって
生じるブロック上部への継続的な熱伝達により、ランプ
ユニットの停止後も、ブロック上部と接着剤の温度は上
昇し続けるからである。ブロック上部が75℃に達して
ランプユニット42が停止すると、ウェーハが接着され
るまでに(ランプユニット42が停止してから約30−
35秒で)、ブロック上部と接着剤が95−100℃に
達するであろう。ブロックBの側部にある半径方向の孔
(図示せず)により、加熱されたブロックを搬送するハ
ンドルが挿入できる。
In operation, the door 26 is raised and a polishing block B having an adhesive coating applied to its upper surface is placed on the holder 30. The door 26 is closed, the lamp unit 42 operates, and infrared heat energy is emitted upward from the heater 32 toward the bottom surface of the block B. When a predetermined temperature sufficient to soften the adhesive is detected by the pyrometer 142, the lamp unit 42 stops, the door 26 rises, and the block B is removed from the holder 30. Other temperatures fall within the scope of the present invention, but the pyrometer 142
It is preferable to stop the lamp unit 42 when the temperature is detected. The reason for this is that the temperature of the top of the block and the adhesive continue to increase even after the lamp unit is stopped due to the continuous heat transfer to the top of the block caused by the high temperature gradient in the block. When the upper portion of the block reaches 75 ° C. and the lamp unit 42 stops, the lamp unit 42 is stopped before the wafer is bonded (about 30−30 seconds after the lamp unit 42 stops).
At 35 seconds), the top of the block and the adhesive will reach 95-100 ° C. A radial hole (not shown) on the side of the block B allows the insertion of a handle for transporting the heated block.

【0024】プログラマブル論理コントローラ58b
(図12)は、十分な冷却水又は冷却空気が水と空気の
通路の流量センサで検出されなければランプユニット4
2が作動しないようにプログラムされている。また、近
接スイッチ142がホルダ30中にブロックBの存在を
検出しなければ、ランプユニット42は作動しないであ
ろう。センサ(図示せず)はまた扉26に接続されてお
り、それが完全に閉鎖されているか否か検出する。扉2
6が部分的に解放されていても、コントローラ58bは
ランプユニット42を作動することがない。ランプユニ
ット42が所定時間(例えば15秒間)作動しない場
合、ソレノイドバルブ86を閉鎖することにより、コン
トローラ58bは冷却水を停止するであろう。
Programmable logic controller 58b
(FIG. 12) shows that the lamp unit 4 is provided if sufficient cooling water or cooling air is not detected by the flow sensor in the water / air passage.
2 is programmed not to work. Also, if proximity switch 142 does not detect the presence of block B in holder 30, lamp unit 42 will not operate. A sensor (not shown) is also connected to door 26 to detect if it is completely closed. Door 2
Even if 6 is partially released, the controller 58b does not operate the lamp unit 42. If the lamp unit 42 does not operate for a predetermined time (for example, 15 seconds), closing the solenoid valve 86 will cause the controller 58b to stop the cooling water.

【0025】図11に示す第2実施形態では、装置2
0’は、研磨ブロックホルダ30’上に支持されたヒー
タを備えている。ヒータ32’はホルダ30’に向けて
下方に向いた開口部(図示せず)を有する。ホルダ3
0’は3つのセラミックの脚部152を有し、その上に
研磨ブロックBが着座している。脚部152はブロック
Bからホルダ30’への熱伝達を防止するために使用さ
れている。ホルダ30’はベアリング154上に設けて
あり、モータ156に駆動されてヒータ32’の下に設
けたフレーム158に対してホルダを回転し、ブロック
B回りの周方向の熱勾配を減少する。
In the second embodiment shown in FIG.
0 'has a heater supported on the polishing block holder 30'. The heater 32 'has an opening (not shown) facing downward toward the holder 30'. Holder 3
0 'has three ceramic legs 152 on which the polishing block B is seated. Legs 152 are used to prevent heat transfer from block B to holder 30 '. The holder 30 'is provided on a bearing 154, and is driven by a motor 156 to rotate the holder with respect to a frame 158 provided below the heater 32', thereby reducing a circumferential thermal gradient around the block B.

【0026】フレーム158は、該フレームを上昇又は
下降させて研磨ブロックBをヒータ32’の近傍に位置
させる垂直レール160に設けてある。第2実施形態の
ホルダ30’は、光学式高温計162がブロックBの底
部を照準してその温度を決定することができるように中
空である。その他の点では、第2実施形態の装置20’
は第1実施形態の装置20と同一である。
The frame 158 is provided on a vertical rail 160 which raises or lowers the frame to position the polishing block B near the heater 32 '. The holder 30 'of the second embodiment is hollow so that the optical pyrometer 162 can aim at the bottom of the block B and determine its temperature. Otherwise, the device 20 ′ of the second embodiment
Is the same as the device 20 of the first embodiment.

【0027】図12は半導体装着装置170を示し、こ
れは上述の放射ヒータ装置20を有する。装置170は
また、ヒータ装置20に搬送される前の研磨ブロックB
の表面に接着剤を塗布する接着剤塗布装置172を有す
る。ヒータ装置20が接着剤とブロックBを十分に加熱
すると、半導体ウェーハを研磨ブロックBに載せるため
に半導体ウェーハ装着装置174が使用される。コント
ローラ58a−58cは接着剤塗布装置172、放射ヒ
ータ装置20及び装着装置174の動作をそれぞれ制御
する。別の実施形態では、全体システム170を制御す
るために単一のコントローラを使用してもよい。例え
ば、本実施形態の放射ヒータ32、32’は米国特許出
願第08/242,560号に記載されているような、
自動ウェーハ装着及び研磨装置に組み入れてもよい。放
射ヒータ32、32’は上記出願第08/242,56
0号に開示されているスチームポットと置き換えられ
る。
FIG. 12 shows a semiconductor mounting device 170, which has the radiant heater device 20 described above. The device 170 also includes a polishing block B before being transferred to the heater device 20.
Has an adhesive application device 172 for applying an adhesive to the surface of the device. When the heater device 20 has sufficiently heated the adhesive and the block B, the semiconductor wafer mounting device 174 is used to place the semiconductor wafer on the polishing block B. The controllers 58a to 58c control the operations of the adhesive application device 172, the radiation heater device 20, and the mounting device 174, respectively. In another embodiment, a single controller may be used to control the overall system 170. For example, the radiant heaters 32, 32 'of this embodiment can be configured as described in U.S. patent application Ser. No. 08 / 242,560.
It may be incorporated into automatic wafer mounting and polishing equipment. The radiant heaters 32 and 32 'are described in the above-mentioned application No. 08 / 242,56.
It is replaced with the steam pot disclosed in No. 0.

【0028】上述の装置のいくつもの別実施形態が本発
明の範囲から逸脱することなく想起できる。例えば、ブ
ロックBをホルダ30、30’に向けて又ホルダから搬
送するために搬送機構を追加してもよい。また、高温計
制御回路に代えてタイマ制御回路を用いて、所定温度に
達した後にヒータを停止するのではなく、所定時間経過
後にヒータを停止してもよい。
[0028] A number of alternative embodiments of the device described above can be envisaged without departing from the scope of the invention. For example, a transport mechanism may be added to transport the block B toward and from the holders 30 and 30 '. Further, instead of stopping the heater after reaching a predetermined temperature, the heater may be stopped after a predetermined time has elapsed by using a timer control circuit instead of the pyrometer control circuit.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上のことから、本発明のいくつかの目
的が達成され、その他の利点が得られることが理解でき
るであろう。上述の装置20は研磨ブロックBを水に接
触させることなく加熱し、これにより接着剤が加熱中に
痘痕となることがない。その結果、接着剤表面を傷つけ
ることなく水系接着剤を使用できる。また、本発明の装
置によれば、ブロックを加熱する際に乾燥する必要がな
い。したがって、製造プロセスから乾燥工程が除去され
る。
From the foregoing, it will be appreciated that certain objects of the invention have been attained and other advantages have been obtained. The apparatus 20 described above heats the polishing block B without contacting the water, so that the adhesive does not become small marks during heating. As a result, an aqueous adhesive can be used without damaging the adhesive surface. Further, according to the apparatus of the present invention, there is no need to dry the block when heating it. Thus, the drying step is eliminated from the manufacturing process.

【0030】特定の実施形態を参照して本発明を説明し
たが、以下のクレームに定義されている発明の範囲から
逸脱することなく、本発明は修正、変形してもよいと理
解すべきである。
Although the present invention has been described with reference to particular embodiments, it is to be understood that the invention may be modified and varied without departing from the scope of the invention as defined in the following claims. is there.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明にかかる放熱式研磨ブロックヒータの
右前側の斜視図。
FIG. 1 is a right front perspective view of a heat-dissipation type polishing block heater according to the present invention.

【図2】 内部構造を見せるためにパネルを取り除いた
研磨ブロックヒータの正面図。
FIG. 2 is a front view of the polishing block heater with a panel removed to show the internal structure.

【図3】 図2の研磨ブロックヒータの右側側面図。FIG. 3 is a right side view of the polishing block heater of FIG. 2;

【図4】 図1の4−4線平面と得た冷却水通路の部分
略断面図。
FIG. 4 is a partial schematic cross-sectional view of a cooling water passage obtained along a line 4-4 in FIG. 1;

【図5】 上部冷却水通路の略平面図。FIG. 5 is a schematic plan view of an upper cooling water passage.

【図6】 下部冷却水通路の略上面図。FIG. 6 is a schematic top view of a lower cooling water passage.

【図7】 赤外線ヒータの右側に隣接する冷却水通路の
略右側側面図。
FIG. 7 is a schematic right side view of a cooling water passage adjacent to the right side of the infrared heater.

【図8】 本発明にかかる赤外線ヒータの部分底面図。FIG. 8 is a partial bottom view of the infrared heater according to the present invention.

【図9】 赤外線ヒータの部分正面図。FIG. 9 is a partial front view of the infrared heater.

【図10】 赤外線ヒータの部分右側面図。FIG. 10 is a partial right side view of the infrared heater.

【図11】 本発明の第2の好適な実施形態の研磨ブロ
ックヒータの正面図。
FIG. 11 is a front view of a polishing block heater according to a second preferred embodiment of the present invention.

【図12】 本発明にかかる半導体装着装置を示すブロ
ック図。
FIG. 12 is a block diagram showing a semiconductor mounting device according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

B…研磨ブロック、20…装置、30…ホルダ、32…
赤外線ヒータ、42…ランプユニット、44…本体、5
2…ランプ。
B: Polishing block, 20: Device, 30: Holder, 32:
Infrared heater, 42: lamp unit, 44: body, 5
2 ... lamp.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハロルド・イー・ホール・ジュニア アメリカ合衆国27572ノース・キャロライ ナ州ルージュモント、ハイウェイ・157・ ウエスト8617番 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (72) Inventor Harold E. Hall Jr. United States 27572 Rougemont, North Carolina, Highway 157 West 8617

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 研磨ブロックに半導体ウェーハを載せて
研磨中に上記半導体ウェーハを保持する方法であって、
上記方法は、 半導体ウェーハを載せる一面を有する研磨ブロックを準
備し、 上記研磨ブロックの一面に接着剤を塗布し、 乾燥した環境で上記研磨ブロックと接着剤に放射ヒータ
で放射熱を与えて上記接着剤を軟らかくし、 上記半導体ウェーハを軟らかくなった接着剤に付ける、
工程を含む。
1. A method of placing a semiconductor wafer on a polishing block and holding the semiconductor wafer during polishing,
In the above method, a polishing block having a surface on which a semiconductor wafer is placed is prepared, an adhesive is applied to one surface of the polishing block, and radiant heat is applied to the polishing block and the adhesive in a dry environment by a radiant heater to bond the polishing block. Softening the adhesive, attaching the semiconductor wafer to the softened adhesive,
Process.
【請求項2】 上記放射熱を与える工程は、上記接着剤
と反対側の研磨ブロック面に放射ヒータを向ける工程を
含む、請求項1に記載の方法。
2. The method of claim 1, wherein the step of applying radiant heat includes directing a radiant heater to a polishing block surface opposite the adhesive.
【請求項3】 上記接着剤の温度を検出し、上記温度が
所定の限界に達すると上記放射熱の付与を終了する工程
を含む請求項2に記載の方法。
3. The method of claim 2, further comprising the step of detecting a temperature of the adhesive and terminating the application of the radiant heat when the temperature reaches a predetermined limit.
【請求項4】 放射熱を与える工程は、上記接着剤の温
度が約70℃に達すると終了する、請求項3に記載の方
法。
4. The method of claim 3, wherein the step of providing radiant heat ends when the temperature of the adhesive reaches about 70 ° C.
【請求項5】 照射熱を与える工程は、上記接着剤の温
度が少なくとも約100℃に達すると終了する、請求項
3に記載の方法。
5. The method of claim 3, wherein the step of providing heat of irradiation ends when the temperature of the adhesive reaches at least about 100 ° C.
【請求項6】 約60秒以下の所定時間後に上記放射熱
の付与を終了する工程を有する、請求項1に記載の方
法。
6. The method of claim 1, comprising terminating the application of the radiant heat after a predetermined time period of about 60 seconds or less.
【請求項7】 上記放射熱を与える工程は上記接着剤を
有する研磨ブロック表面に放射ヒータから放射熱を注ぐ
工程を含む請求項1の方法。
7. The method of claim 1, wherein the step of applying radiant heat includes the step of applying radiant heat from a radiant heater to a surface of the polishing block having the adhesive.
【請求項8】 上記研磨ブロックの有無を検出し、上記
研磨ブロックが検出されるまで放射熱を与える工程を遅
延させる工程を含む、請求項1に記載の方法。
8. The method of claim 1, comprising detecting the presence or absence of the polishing block and delaying the step of applying radiant heat until the polishing block is detected.
【請求項9】 研磨ブロックを加熱して該ブロックに塗
布された接着剤を軟らかくすることにより研磨中に半導
体ウェーハを固定的に保持するために、半導体ウェーハ
を研磨ブロックに解放自在に接着する装置であって、上
記装置は、 上記研磨ブロックを受けて保持するように構成された研
磨ブロックホルダと、 上記装置上に設けられ、上記研磨ブロックが研磨ブロッ
クホルダに受け取られて保持されると、放射熱エネルギ
を上記研磨ブロックに向けて注ぐ放射ヒータと、を備え
ている。
9. An apparatus for releasably bonding a semiconductor wafer to a polishing block for heating the polishing block to soften an adhesive applied to the block so as to securely hold the semiconductor wafer during polishing. Wherein the apparatus comprises: a polishing block holder configured to receive and hold the polishing block; and a radiator provided on the apparatus, wherein the polishing block is received and held by the polishing block holder. A radiant heater for directing thermal energy toward the polishing block.
【請求項10】 上記放射ヒータは、放射熱エネルギを
上記研磨ブロックホルダに向けるように方向づけられた
赤外線ヒータ部材を有する赤外線ヒータを備えた請求項
9に記載の装置。
10. The apparatus of claim 9, wherein said radiant heater comprises an infrared heater having an infrared heater member oriented to direct radiant heat energy to said polishing block holder.
JP13824997A 1996-05-31 1997-05-28 Method and device for mounting semiconductor wafer on polishing block Withdrawn JPH1083978A (en)

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