JPH1082631A - 膜厚測定装置 - Google Patents
膜厚測定装置Info
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- JPH1082631A JPH1082631A JP8257834A JP25783496A JPH1082631A JP H1082631 A JPH1082631 A JP H1082631A JP 8257834 A JP8257834 A JP 8257834A JP 25783496 A JP25783496 A JP 25783496A JP H1082631 A JPH1082631 A JP H1082631A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
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- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 極めて不純物の少ない雰囲気ガス中で膜厚測
定を行なうことにより、膜厚の測定値の変動を抑制する
ようにした膜厚測定装置を提供する。 【解決手段】 被検査体Ｗを導入する導入ステージ１０
に載置した被検査体を検査台５４上に移載し、該被検査
体に測定光Ｌを照射して被検査体の表面に形成されてい
る薄膜の厚さを測定する膜厚測定装置において、前記被
検査体を前記導入ステージと前記検査台との間で搬送す
る搬送空間３６，４８と、前記検査台が位置する測定空
間５０とを略気密に覆う覆い部材３８，５２を設け、該
覆い部材により囲まれた前記搬送空間と前記測定空間に
不純物が極めて少ない純粋ガスを導入する純粋ガス導入
部６４Ａ〜６４Ｅを設けるように構成する。これによ
り、被検査体の表面に不純物が付着することを防止す
る。
定を行なうことにより、膜厚の測定値の変動を抑制する
ようにした膜厚測定装置を提供する。 【解決手段】 被検査体Ｗを導入する導入ステージ１０
に載置した被検査体を検査台５４上に移載し、該被検査
体に測定光Ｌを照射して被検査体の表面に形成されてい
る薄膜の厚さを測定する膜厚測定装置において、前記被
検査体を前記導入ステージと前記検査台との間で搬送す
る搬送空間３６，４８と、前記検査台が位置する測定空
間５０とを略気密に覆う覆い部材３８，５２を設け、該
覆い部材により囲まれた前記搬送空間と前記測定空間に
不純物が極めて少ない純粋ガスを導入する純粋ガス導入
部６４Ａ〜６４Ｅを設けるように構成する。これによ
り、被検査体の表面に不純物が付着することを防止す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
表面に形成された薄膜の厚さを測定する膜厚測定装置に
関する。
表面に形成された薄膜の厚さを測定する膜厚測定装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、集積回路等の半導体デバイスを
製造するためには、半導体ウエハに対して成膜処理やエ
ッチング処理等を繰り返しながら所望の回路素子を微細
加工で形成して行く。近年の技術発達に伴って、半導体
デバイスにおいても、記憶容量の大型化及びマイクロプ
ロセッサ等における処理速度の高速化が益々要求されて
おり、このため、デバイスの更なる高集積化、高微細化
が求められている。このような状況下において、各種の
成膜の膜厚コントロールにも高い精度が要求されるよう
になった。例えばマイクロプロセッサ等のトランジスタ
に用いるゲート酸化膜に例をとれば、従来においてはゲ
ート酸化膜を形成する熱酸化膜の厚みを例えば２００Å
とすれば、その厚みの許容範囲は±５Å程度でも特性上
問題は生じなかったが、次世代デバイスにおいては４０
〜５０Å程度の極めて薄い膜厚が要求されている。この
ように極めて薄い膜厚の場合には、許容される膜厚の偏
差は±０．５Å程度であり、極めて精度の高い膜厚のコ
ントロールが要求される。
製造するためには、半導体ウエハに対して成膜処理やエ
ッチング処理等を繰り返しながら所望の回路素子を微細
加工で形成して行く。近年の技術発達に伴って、半導体
デバイスにおいても、記憶容量の大型化及びマイクロプ
ロセッサ等における処理速度の高速化が益々要求されて
おり、このため、デバイスの更なる高集積化、高微細化
が求められている。このような状況下において、各種の
成膜の膜厚コントロールにも高い精度が要求されるよう
になった。例えばマイクロプロセッサ等のトランジスタ
に用いるゲート酸化膜に例をとれば、従来においてはゲ
ート酸化膜を形成する熱酸化膜の厚みを例えば２００Å
とすれば、その厚みの許容範囲は±５Å程度でも特性上
問題は生じなかったが、次世代デバイスにおいては４０
〜５０Å程度の極めて薄い膜厚が要求されている。この
ように極めて薄い膜厚の場合には、許容される膜厚の偏
差は±０．５Å程度であり、極めて精度の高い膜厚のコ
ントロールが要求される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、薄膜化する
ことによって生じる問題の１つとして膜厚の測定技術が
存在する。例えば半導体ウエハに所定の膜厚の成膜を施
した後に、これを同じ膜厚測定装置で測定すると、時間
が経過するに従って、膜厚の測定値が次第に大きくなっ
てしまって、正確な膜厚を測定できなくなるという問題
が生ずる。例えば図４は半導体ウエハ表面上の薄膜の膜
厚測定値の時間依存性を示すグラフであり、ウエハ上に
１００Åの熱酸化膜を形成し、成膜後のウエハをクリー
ンルーム中に放置してこの放置時間を長くしていった時
の膜厚測定値の変化を示している。
ことによって生じる問題の１つとして膜厚の測定技術が
存在する。例えば半導体ウエハに所定の膜厚の成膜を施
した後に、これを同じ膜厚測定装置で測定すると、時間
が経過するに従って、膜厚の測定値が次第に大きくなっ
てしまって、正確な膜厚を測定できなくなるという問題
が生ずる。例えば図４は半導体ウエハ表面上の薄膜の膜
厚測定値の時間依存性を示すグラフであり、ウエハ上に
１００Åの熱酸化膜を形成し、成膜後のウエハをクリー
ンルーム中に放置してこの放置時間を長くしていった時
の膜厚測定値の変化を示している。
【０００４】グラフから明らかなように、成膜後、３分
経過した時の測定値は略１００Åで良好な値を示してい
るが、成膜後、３０分経過した時の測定値は略１０１Å
に増加し、更に３００分後には略１０３Åに増加してい
る。このように、±０．５Å程度の膜厚測定変動しか許
容できない次世代デバイスに要求される膜厚を適正に評
価するためには、成膜後、略３分以内に測定しなければ
ならないが、このためには各成膜装置に対して一対一対
応で膜厚測定装置を設置しなければならず、これでは高
コスト化を招いてしまって現実的ではない。
経過した時の測定値は略１００Åで良好な値を示してい
るが、成膜後、３０分経過した時の測定値は略１０１Å
に増加し、更に３００分後には略１０３Åに増加してい
る。このように、±０．５Å程度の膜厚測定変動しか許
容できない次世代デバイスに要求される膜厚を適正に評
価するためには、成膜後、略３分以内に測定しなければ
ならないが、このためには各成膜装置に対して一対一対
応で膜厚測定装置を設置しなければならず、これでは高
コスト化を招いてしまって現実的ではない。
【０００５】また、一対一対応で測定装置を設けたとし
ても成膜後のウエハの時間管理を厳しく行なわなければ
ならず、作業性が劣ってしまう。本発明は、以上のよう
な問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案された
ものである。本発明の目的は、極めて不純物の少ない雰
囲気ガス中で膜厚測定を行なうことにより、膜厚測定値
の変動を抑制するようにした膜厚測定装置を提供するこ
とにある。
ても成膜後のウエハの時間管理を厳しく行なわなければ
ならず、作業性が劣ってしまう。本発明は、以上のよう
な問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案された
ものである。本発明の目的は、極めて不純物の少ない雰
囲気ガス中で膜厚測定を行なうことにより、膜厚測定値
の変動を抑制するようにした膜厚測定装置を提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、膜厚測定値
の変動要因を鋭意研究した結果、雰囲気ガス中の不純
物、特に水分やハイドロカーボン等がウエハ表面に付着
することにより測定値が変動する、という知見を得るこ
とにより本発明に至ったものである。すなわち、本発明
は、被検査体を導入する導入ステージに載置した被検査
体を検査台上に移載し、該被検査体に測定光を照射して
被検査体の表面に形成されている薄膜の厚さを測定する
膜厚測定装置において、前記被検査体を前記導入ステー
ジと前記検査台との間で搬送する搬送空間と、前記検査
台が位置する測定空間とを略気密に覆う覆い部材を設
け、該覆い部材により囲まれた前記搬送空間と前記測定
空間に不純物が極めて少ない純粋ガスを導入する純粋ガ
ス導入部を設けるように構成したものである。
の変動要因を鋭意研究した結果、雰囲気ガス中の不純
物、特に水分やハイドロカーボン等がウエハ表面に付着
することにより測定値が変動する、という知見を得るこ
とにより本発明に至ったものである。すなわち、本発明
は、被検査体を導入する導入ステージに載置した被検査
体を検査台上に移載し、該被検査体に測定光を照射して
被検査体の表面に形成されている薄膜の厚さを測定する
膜厚測定装置において、前記被検査体を前記導入ステー
ジと前記検査台との間で搬送する搬送空間と、前記検査
台が位置する測定空間とを略気密に覆う覆い部材を設
け、該覆い部材により囲まれた前記搬送空間と前記測定
空間に不純物が極めて少ない純粋ガスを導入する純粋ガ
ス導入部を設けるように構成したものである。
【０００７】これにより、導入ステージに載置された被
検査体は、覆い部材により覆われた搬送空間内に取り込
まれ、更に覆い部材により覆われた測定空間内の検査台
上に載置される。そして、この被検査体表面に測定光が
照射されて、膜厚の測定が行なわれることになる。ここ
で、搬送空間内及び測定空間内は、純粋ガス導入部より
導入した不純物が極めて少ない純粋ガスにより満たされ
ているので、被検査体の表面に付着する不純物、例えば
水分やハイドロカーボン等の量が極めて少なくなり、成
膜後の時間に関係なく膜厚の測定値が変動することを抑
制することが可能となる。この純粋ガスとしては、露点
が例えば−５０℃以下、この好ましくは−１００℃以下
の乾燥ガスを用いるのがよい。また、ガスが乾燥してい
ることから純粋ガス導入部にイオナイザを設け、導入ガ
スに静電気が帯びないようにするのがよい。また、搬送
空間や測定空間は外部に対して僅かに圧力が高い陽圧状
態にして外部のクリーンルーム内のガスが内部に侵入し
ないようにしておくのがよい。このように内部を陽圧状
態に維持するのであれば、内部空間は、外部に対して完
全密閉されていなくても良く、高いシール性を必要とし
ない。
検査体は、覆い部材により覆われた搬送空間内に取り込
まれ、更に覆い部材により覆われた測定空間内の検査台
上に載置される。そして、この被検査体表面に測定光が
照射されて、膜厚の測定が行なわれることになる。ここ
で、搬送空間内及び測定空間内は、純粋ガス導入部より
導入した不純物が極めて少ない純粋ガスにより満たされ
ているので、被検査体の表面に付着する不純物、例えば
水分やハイドロカーボン等の量が極めて少なくなり、成
膜後の時間に関係なく膜厚の測定値が変動することを抑
制することが可能となる。この純粋ガスとしては、露点
が例えば−５０℃以下、この好ましくは−１００℃以下
の乾燥ガスを用いるのがよい。また、ガスが乾燥してい
ることから純粋ガス導入部にイオナイザを設け、導入ガ
スに静電気が帯びないようにするのがよい。また、搬送
空間や測定空間は外部に対して僅かに圧力が高い陽圧状
態にして外部のクリーンルーム内のガスが内部に侵入し
ないようにしておくのがよい。このように内部を陽圧状
態に維持するのであれば、内部空間は、外部に対して完
全密閉されていなくても良く、高いシール性を必要とし
ない。
【０００８】このような純粋ガスとしては窒素などの不
活性ガスや、オペレータへ安全を考慮する場合には不活
性ガスと所定量の酸素との混合ガスを用いることができ
る。更には、導入ステージに昇降台を設け、成膜後の被
検査体をキャリアに収容し、これを密閉キャリアボック
ス内に収納した状態で導入ステージに載置するようにし
て、上記昇降台によりキャリアを内部に取り込むように
すれば、成膜後の被検査体をこの膜厚測定装置まで搬送
するまでの間に被検査体表面に不純物が付着することも
防止することが可能となる。
活性ガスや、オペレータへ安全を考慮する場合には不活
性ガスと所定量の酸素との混合ガスを用いることができ
る。更には、導入ステージに昇降台を設け、成膜後の被
検査体をキャリアに収容し、これを密閉キャリアボック
ス内に収納した状態で導入ステージに載置するようにし
て、上記昇降台によりキャリアを内部に取り込むように
すれば、成膜後の被検査体をこの膜厚測定装置まで搬送
するまでの間に被検査体表面に不純物が付着することも
防止することが可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る膜厚測定装
置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本
発明に係る膜厚測定装置を示す断面構成図、図２は図１
に示す装置の導入ステージ近傍を示す拡大断面図、図３
はキャリアを移載するキャリア移載アームを示す図であ
る。この膜厚測定装置２は基台ベース４を有しており、
図中、右側が被検査体を搬出入する搬出入エリア６とし
て構成され、左側が測定エリア８として構成される。
置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本
発明に係る膜厚測定装置を示す断面構成図、図２は図１
に示す装置の導入ステージ近傍を示す拡大断面図、図３
はキャリアを移載するキャリア移載アームを示す図であ
る。この膜厚測定装置２は基台ベース４を有しており、
図中、右側が被検査体を搬出入する搬出入エリア６とし
て構成され、左側が測定エリア８として構成される。
【００１０】搬出入エリア６の基台ベース４の端部は、
被検査体である例えば半導体ウエハを導入するための導
入ステージ１０として構成され、このステージ１０上に
オペレータや自動搬送装置（図示せず）等が多数枚の半
導体ウエハＷを収容した密閉キャリアボックス１２を載
置するようになっている。図２にも示すようにこの密閉
キャリアボックス１２は、１つのカセットＣを収容し得
る程度の大きさになされて下部が開口された容器本体１
４と、この開口部を密閉可能に閉塞する容器底部１６と
により主に構成され、内部にカセットＣを収容した状態
で大気圧に対して陽圧になされた高いクリーン度の純粋
ガスが充填されている。このため、この容器本体１４に
は純粋ガスを内部に導入するバルブ付きのガス導入部１
８が形成されている。容器本体１４の上部には、これを
把持する把手２４が設けられる。
被検査体である例えば半導体ウエハを導入するための導
入ステージ１０として構成され、このステージ１０上に
オペレータや自動搬送装置（図示せず）等が多数枚の半
導体ウエハＷを収容した密閉キャリアボックス１２を載
置するようになっている。図２にも示すようにこの密閉
キャリアボックス１２は、１つのカセットＣを収容し得
る程度の大きさになされて下部が開口された容器本体１
４と、この開口部を密閉可能に閉塞する容器底部１６と
により主に構成され、内部にカセットＣを収容した状態
で大気圧に対して陽圧になされた高いクリーン度の純粋
ガスが充填されている。このため、この容器本体１４に
は純粋ガスを内部に導入するバルブ付きのガス導入部１
８が形成されている。容器本体１４の上部には、これを
把持する把手２４が設けられる。
【００１１】容器底部１６は容器本体１４の下部のフラ
ンジ部１４ＡにＯリング等のシール部材（図示せず）を
介して気密に密閉可能に取り付けられる。この容器底部
１６の周縁部の適宜箇所には外側へ出没可能になされた
ロックピン２０が設けられており、このロックピン２０
を容器底部１６の中央部に設けた回転リンク機構２２に
連結してこれを回転することにより容器本体１４との接
合離脱を行い得るようになっている。このボックス１２
の全体は、例えばポリプロン樹脂等により形成されてお
り、例えば特開平１−２２２４２９号公報に示されるよ
うなＳＭＩＦ−ＰＯＤ（商標）を用いることができる
が、これに限定されないのは勿論である。また、上記カ
セットＣ内には、複数枚、例えば２５枚のウエハＷを一
度に収容できるようになっている。
ンジ部１４ＡにＯリング等のシール部材（図示せず）を
介して気密に密閉可能に取り付けられる。この容器底部
１６の周縁部の適宜箇所には外側へ出没可能になされた
ロックピン２０が設けられており、このロックピン２０
を容器底部１６の中央部に設けた回転リンク機構２２に
連結してこれを回転することにより容器本体１４との接
合離脱を行い得るようになっている。このボックス１２
の全体は、例えばポリプロン樹脂等により形成されてお
り、例えば特開平１−２２２４２９号公報に示されるよ
うなＳＭＩＦ−ＰＯＤ（商標）を用いることができる
が、これに限定されないのは勿論である。また、上記カ
セットＣ内には、複数枚、例えば２５枚のウエハＷを一
度に収容できるようになっている。
【００１２】一方、ボックス１２を実際に載置する導入
ステージ１０には、ボックス１２のフランジ部１４Ａの
内径よりも大きく且つその外径よりも小さくなされてカ
セットＣを挿通できる大きさになされたカセット挿通孔
２６が形成され、この挿通孔２６には、周縁部をその外
方へ下向き傾斜させてテーパ状に形成することにより導
入ステージより下方向に開閉可能乃至昇降可能とした昇
降台２８が設けられる。この昇降台２８の中央部には、
上記容器底部１６の回転リンク機構２２に係合する回転
ピン３０が設けられており、これを回転することにより
上記回転リンク機構２２を作動させてロックピン２０を
出没し得るようになっている。カセット挿通孔２６の外
側の導入ステージ１０には、起倒自在になされた容器ホ
ルダ２９が設けられ、容器本体１４のフランジ部１４Ａ
をステージ側へ固定するようになっている。
ステージ１０には、ボックス１２のフランジ部１４Ａの
内径よりも大きく且つその外径よりも小さくなされてカ
セットＣを挿通できる大きさになされたカセット挿通孔
２６が形成され、この挿通孔２６には、周縁部をその外
方へ下向き傾斜させてテーパ状に形成することにより導
入ステージより下方向に開閉可能乃至昇降可能とした昇
降台２８が設けられる。この昇降台２８の中央部には、
上記容器底部１６の回転リンク機構２２に係合する回転
ピン３０が設けられており、これを回転することにより
上記回転リンク機構２２を作動させてロックピン２０を
出没し得るようになっている。カセット挿通孔２６の外
側の導入ステージ１０には、起倒自在になされた容器ホ
ルダ２９が設けられ、容器本体１４のフランジ部１４Ａ
をステージ側へ固定するようになっている。
【００１３】また、この昇降台２８は、図１にも示すよ
うにボールネジ３２によって垂直方向（上下方向）へ移
動可能になされた垂直移動アーム３４の先端に取り付け
られており、容器本体１４を上方に残して容器底部１６
とこの上面に載置されているカセットＣのみを沈み込ま
せてキャリア搬送空間３６内に取り込むようになってい
る。そして、このキャリア搬送空間３６は、例えばステ
ンレススチール等よりなる覆い部材３８により全体が覆
われており、この空間３６を外気から遮断している。
うにボールネジ３２によって垂直方向（上下方向）へ移
動可能になされた垂直移動アーム３４の先端に取り付け
られており、容器本体１４を上方に残して容器底部１６
とこの上面に載置されているカセットＣのみを沈み込ま
せてキャリア搬送空間３６内に取り込むようになってい
る。そして、このキャリア搬送空間３６は、例えばステ
ンレススチール等よりなる覆い部材３８により全体が覆
われており、この空間３６を外気から遮断している。
【００１４】そして、この覆い部材３８の底部には、上
下方向に円弧を描いて揺動乃至旋回可能になされたキャ
リア搬送アーム４０が設けられており、図３にも示すよ
うにその先端には常に水平状態になるように遊嵌状態で
首振り可能になされたアーム補助部材４０Ａが設けら
れ、その両端には開閉可能になされた爪部４２が設けら
れている。アーム４２を上方へ旋回させた状態でこの爪
部４２を開閉作動することにより、沈み込んでいる上記
カセットＣの上部側壁を把持してカセットＣを搬送し得
るようになっている。そして、キャリア搬送アーム４０
が倒れ込んでくる位置には、上下方向へ昇降可能になさ
れたキャリアエレベータ４４が配置されており、アーム
４０により搬送されてくるキャリアＣをエレベータ台４
４Ａに載置し得るようになっている。
下方向に円弧を描いて揺動乃至旋回可能になされたキャ
リア搬送アーム４０が設けられており、図３にも示すよ
うにその先端には常に水平状態になるように遊嵌状態で
首振り可能になされたアーム補助部材４０Ａが設けら
れ、その両端には開閉可能になされた爪部４２が設けら
れている。アーム４２を上方へ旋回させた状態でこの爪
部４２を開閉作動することにより、沈み込んでいる上記
カセットＣの上部側壁を把持してカセットＣを搬送し得
るようになっている。そして、キャリア搬送アーム４０
が倒れ込んでくる位置には、上下方向へ昇降可能になさ
れたキャリアエレベータ４４が配置されており、アーム
４０により搬送されてくるキャリアＣをエレベータ台４
４Ａに載置し得るようになっている。
【００１５】そして、このキャリアエレベータ４４の上
方の基台ベース４には、キャリア挿通孔４６が形成され
ており、エレベータ台４４Ａに載置したキャリアＣを、
このキャリア挿通孔４６を介してウエハ搬送空間４８内
に搬入できるようになっている。このウエハ搬送空間４
８に隣設してウエハ表面の膜厚を測定するための測定空
間５０が設けられており、両空間４８、５０は、例えば
ステンレススチール等よりなる覆い部材５２により一体
的に全体が覆われており、外気から遮断されている。測
定空間５０の底部には、被検査体である半導体ウエハＷ
を載置するための検査台５４が設けられる。そして、こ
の検査台５４の斜め上方には、このウエハ表面に対して
例えばレーザ光よりなる測定光Ｌを照射する測定光照射
部５６が配置され、反対側の斜め上方には、ウエハ表面
からの反射光を受ける測定光検出部５８が配置されてお
り、例えば測定光の波長と反射光の位相差からウエハ表
面上の薄膜の厚さを測定し得るようになっている。
方の基台ベース４には、キャリア挿通孔４６が形成され
ており、エレベータ台４４Ａに載置したキャリアＣを、
このキャリア挿通孔４６を介してウエハ搬送空間４８内
に搬入できるようになっている。このウエハ搬送空間４
８に隣設してウエハ表面の膜厚を測定するための測定空
間５０が設けられており、両空間４８、５０は、例えば
ステンレススチール等よりなる覆い部材５２により一体
的に全体が覆われており、外気から遮断されている。測
定空間５０の底部には、被検査体である半導体ウエハＷ
を載置するための検査台５４が設けられる。そして、こ
の検査台５４の斜め上方には、このウエハ表面に対して
例えばレーザ光よりなる測定光Ｌを照射する測定光照射
部５６が配置され、反対側の斜め上方には、ウエハ表面
からの反射光を受ける測定光検出部５８が配置されてお
り、例えば測定光の波長と反射光の位相差からウエハ表
面上の薄膜の厚さを測定し得るようになっている。
【００１６】そして、この検査台５４の上方の測定空間
５０をウエハ搬送空間４８側からある程度区画するため
に測定空間５０の上方のみを囲むようにして区画壁６０
が設けられている。従って、両空間４８、５０の下部は
連通されている。また、この検査台５４と上記キャリア
挿通孔４６との間に例えば多関節アームよりなる搬送ア
ーム６２が設置されており、エレベータ台４４Ａ上のキ
ャリアＣと検査台５４との間でウエハＷの移載を行ない
得るようになっている。
５０をウエハ搬送空間４８側からある程度区画するため
に測定空間５０の上方のみを囲むようにして区画壁６０
が設けられている。従って、両空間４８、５０の下部は
連通されている。また、この検査台５４と上記キャリア
挿通孔４６との間に例えば多関節アームよりなる搬送ア
ーム６２が設置されており、エレベータ台４４Ａ上のキ
ャリアＣと検査台５４との間でウエハＷの移載を行ない
得るようになっている。
【００１７】さて、このようにキャリア搬送空間３６、
ウエハ搬送空間４８及び測定空間５０が覆い部材３８、
５２により覆われて外気に対して区画された状態となっ
ており、これらの空間内には不純物純度が極めて少ない
純粋ガスにより満たされることになる。このため、覆い
部材３８、５２の適当箇所には、ノズル状になされた純
粋ガス導入部６４Ａ〜６４Ｅが設けられている。具体的
には、各純粋ガス導入部６４Ａ〜６４Ｅは、検査台５４
の側方の壁面と、測定空間５０の天井部と、ウエハ搬送
空間４８の天井部と、キャリア搬送空間３６の対向する
一対の側壁にそれぞれ設けられている。尚、純粋ガス導
入部の数量及び取り付け位置はこれらに限定されない。
各純粋ガス導入部６４Ａ〜６４Ｅには、それぞれガス供
給管６６が接続されており、このガス供給管６６は、マ
スフローコントローラ６８及び開閉弁７０を介して純粋
ガス源としてのＮ2ボンベ７２及びＯ2ボンベ７４に共通
に接続されて窒素ガスと酸素ガスの混合ガスを導入し得
るようになっている。
ウエハ搬送空間４８及び測定空間５０が覆い部材３８、
５２により覆われて外気に対して区画された状態となっ
ており、これらの空間内には不純物純度が極めて少ない
純粋ガスにより満たされることになる。このため、覆い
部材３８、５２の適当箇所には、ノズル状になされた純
粋ガス導入部６４Ａ〜６４Ｅが設けられている。具体的
には、各純粋ガス導入部６４Ａ〜６４Ｅは、検査台５４
の側方の壁面と、測定空間５０の天井部と、ウエハ搬送
空間４８の天井部と、キャリア搬送空間３６の対向する
一対の側壁にそれぞれ設けられている。尚、純粋ガス導
入部の数量及び取り付け位置はこれらに限定されない。
各純粋ガス導入部６４Ａ〜６４Ｅには、それぞれガス供
給管６６が接続されており、このガス供給管６６は、マ
スフローコントローラ６８及び開閉弁７０を介して純粋
ガス源としてのＮ2ボンベ７２及びＯ2ボンベ７４に共通
に接続されて窒素ガスと酸素ガスの混合ガスを導入し得
るようになっている。
【００１８】ここで使用される純粋ガスに関して、パー
ティクルに対するクリーン度は、通常のクリーンルーム
と同様に勿論高く維持されているが、その他に、膜厚測
定値の変動原因となる水分やハイドロカーボンの含有量
が非常に小さくなるように調整されている。例えば、水
分に関しては両ガスの露点は、例えば−５０℃以下、好
ましくは−１００℃以下に設定するのがよい。また、窒
素に酸素との混合比は、人間に対する安全性を考慮して
例えば４：１として、通常の大気の混合比と略同じとな
る様に設定するのがよい。そして、各純粋ガス導入部６
４Ａ〜６４Ｅからは、含有水分の極めて少ないドライガ
スを放出することからこれが静電気を帯びている恐れも
あり、そのため、この静電気を中和する目的で各純粋ガ
ス導入部６４Ａ〜６４Ｅの先端近傍には、イオナイザ７
５が取り付けられている。また、キャリア搬送空間３６
を覆う覆い部材３８及びウエハ搬送空間５２を覆う覆い
部材５２には、それぞれ内部雰囲気を排出する排気口７
６、７８が設けられており、これらの排気口７６、７８
は、図示しない工場排気系に接続される排気通路８０に
連結されている。そして、この工場排気系の圧力変動に
備えて、この排気通路８０には、自動圧力調整弁８２が
介設されている。
ティクルに対するクリーン度は、通常のクリーンルーム
と同様に勿論高く維持されているが、その他に、膜厚測
定値の変動原因となる水分やハイドロカーボンの含有量
が非常に小さくなるように調整されている。例えば、水
分に関しては両ガスの露点は、例えば−５０℃以下、好
ましくは−１００℃以下に設定するのがよい。また、窒
素に酸素との混合比は、人間に対する安全性を考慮して
例えば４：１として、通常の大気の混合比と略同じとな
る様に設定するのがよい。そして、各純粋ガス導入部６
４Ａ〜６４Ｅからは、含有水分の極めて少ないドライガ
スを放出することからこれが静電気を帯びている恐れも
あり、そのため、この静電気を中和する目的で各純粋ガ
ス導入部６４Ａ〜６４Ｅの先端近傍には、イオナイザ７
５が取り付けられている。また、キャリア搬送空間３６
を覆う覆い部材３８及びウエハ搬送空間５２を覆う覆い
部材５２には、それぞれ内部雰囲気を排出する排気口７
６、７８が設けられており、これらの排気口７６、７８
は、図示しない工場排気系に接続される排気通路８０に
連結されている。そして、この工場排気系の圧力変動に
備えて、この排気通路８０には、自動圧力調整弁８２が
介設されている。
【００１９】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、オペレータ等が、キャリ
アＣが内部に収納された密閉キャリアボックス１２を導
入ステージ１０上の所定の位置に載置し、この容器本体
１４のフランジ部１４Ａを容器ホルダ２９でステージ１
０側へ固定する。このキャリアＣ内には、膜厚測定のた
めに多数枚、例えば２５枚のウエハＷが収容されてお
り、また、ボックス１２内には、膜厚測定装置内の雰囲
気ガスと同じガス、すなわちパーティクルが少ないのは
勿論のこと水分やハイドロカーボン等の不純物も極めて
少ない純粋ガスにより満たされており、ウエハ表面にこ
れらの不純物が付着することを抑制している。フランジ
部１４Ａをステージ側へ固定したならば、キャリア搬送
空間３６内に位置する垂直移載アーム３４を上昇させ
て、昇降台２８の回転ピン３０を容器底部１６の回転リ
ング機構２２に係合させ、これを回転してロックピン２
０を内側へ引き込むことによって容器底部１６とフラン
ジ部１４Ａとの係合を断つ。この状態で垂直移載アーム
３４を降下させると、容器底部１６上に収納されている
カセットＣが一体的に沈み込んで、キャリアＣがキャリ
ア搬送空間３６内に取り込まれることになる。尚、この
状態では、カセット挿通孔２６は、容器本体１４により
閉塞されており、内部空間は外気と遮断されている。
動作について説明する。まず、オペレータ等が、キャリ
アＣが内部に収納された密閉キャリアボックス１２を導
入ステージ１０上の所定の位置に載置し、この容器本体
１４のフランジ部１４Ａを容器ホルダ２９でステージ１
０側へ固定する。このキャリアＣ内には、膜厚測定のた
めに多数枚、例えば２５枚のウエハＷが収容されてお
り、また、ボックス１２内には、膜厚測定装置内の雰囲
気ガスと同じガス、すなわちパーティクルが少ないのは
勿論のこと水分やハイドロカーボン等の不純物も極めて
少ない純粋ガスにより満たされており、ウエハ表面にこ
れらの不純物が付着することを抑制している。フランジ
部１４Ａをステージ側へ固定したならば、キャリア搬送
空間３６内に位置する垂直移載アーム３４を上昇させ
て、昇降台２８の回転ピン３０を容器底部１６の回転リ
ング機構２２に係合させ、これを回転してロックピン２
０を内側へ引き込むことによって容器底部１６とフラン
ジ部１４Ａとの係合を断つ。この状態で垂直移載アーム
３４を降下させると、容器底部１６上に収納されている
カセットＣが一体的に沈み込んで、キャリアＣがキャリ
ア搬送空間３６内に取り込まれることになる。尚、この
状態では、カセット挿通孔２６は、容器本体１４により
閉塞されており、内部空間は外気と遮断されている。
【００２０】カセットＣの取り込みを完了したならば、
次に、キャリア搬送アーム４０を駆動して、この爪部４
２でキャリアＣの上部を把持し（図３参照）、アーム４
０を下方向へ旋回させることによってキャリアＣを隣の
キャリアエレベータ４４のエレベータ台４４Ａ上に移載
する。そして、このキャリアエレベータ４４を上昇駆動
させて、エレベータ台４４Ａを持ち上げ、キャリア挿通
孔４６を介してキャリアＣをウエハ搬送空間４８内に導
入する。キャリアＣをウエハ搬送空間４８内に導入した
ならば、この空間４８内に設けられている搬送アーム６
２を屈伸及び旋回させてキャリアＣ内のウエハＷを検査
台５４上に移載する。そして、検査台５４上に移載され
たウエハＷの表面に、測定光照射部５６より測定光Ｌを
照射し、この反射光を測定光検出部５８にて検出するこ
とによりこのウエハ表面に形成されている膜厚を測定す
ることになる。膜厚の測定が完了したウエハＷは、搬送
アーム６２によりエレベータ台４４Ａ上のカセットＣ内
に戻され、この高さ調整をして未測定の次のウエハＷを
アーム６２で保持し、検査台５４に移載して同様に膜厚
測定を行なう。そして、カセットＣ内の全てのウエハＷ
の膜厚測定が完了したならば、前記した操作と逆の工程
を経て密閉キャリアボックス１２内にカセットＣを戻
し、膜厚の測定操作を終了することになる。
次に、キャリア搬送アーム４０を駆動して、この爪部４
２でキャリアＣの上部を把持し（図３参照）、アーム４
０を下方向へ旋回させることによってキャリアＣを隣の
キャリアエレベータ４４のエレベータ台４４Ａ上に移載
する。そして、このキャリアエレベータ４４を上昇駆動
させて、エレベータ台４４Ａを持ち上げ、キャリア挿通
孔４６を介してキャリアＣをウエハ搬送空間４８内に導
入する。キャリアＣをウエハ搬送空間４８内に導入した
ならば、この空間４８内に設けられている搬送アーム６
２を屈伸及び旋回させてキャリアＣ内のウエハＷを検査
台５４上に移載する。そして、検査台５４上に移載され
たウエハＷの表面に、測定光照射部５６より測定光Ｌを
照射し、この反射光を測定光検出部５８にて検出するこ
とによりこのウエハ表面に形成されている膜厚を測定す
ることになる。膜厚の測定が完了したウエハＷは、搬送
アーム６２によりエレベータ台４４Ａ上のカセットＣ内
に戻され、この高さ調整をして未測定の次のウエハＷを
アーム６２で保持し、検査台５４に移載して同様に膜厚
測定を行なう。そして、カセットＣ内の全てのウエハＷ
の膜厚測定が完了したならば、前記した操作と逆の工程
を経て密閉キャリアボックス１２内にカセットＣを戻
し、膜厚の測定操作を終了することになる。
【００２１】さて、このような膜厚測定を行なう間、こ
の装置内は純粋ガスにより満たされているので、ウエハ
表面にパーティクルは勿論のこと膜厚変動要因となる水
分やハイドロカーボン等の不純物が付着することはな
く、膜厚を精度良く評価することができる。すなわち、
覆い部材３８、５２に設けた５つの純粋ガス導入部６４
Ａ〜６４Ｅから、高純度のＮ2ガスとＯ2ガスを内部に導
入して、この純粋ガスでキャリア搬送空間３６、ウエハ
搬送空間４８及び測定空間５０内を満たしているので、
ウエハ表面に水分等がほとんど付着することがなく、従
って、内部でウエハＷの待機時間が長くなっても膜厚の
測定値が変動することを抑制することが可能となる。こ
の場合、各空間３６、４８、５０内の圧力は、外気に対
して、例えば数Ｔｏｒｒ程度の陽圧状態にしておき、シ
ール性の劣る部分からクリーンルーム内の比較的多くの
水分等を含む清浄空気が各空間内に侵入してくるのを防
止するのがよい。これにより、ウエハ表面に水分等が付
着することを一層抑制することができる。更に、この場
合、排気通路８０が接続されている工場排気系に何らか
の要因で圧力変動が生じたとしても、この排気通路８０
に介設した自動圧力調整弁８２の作用により、各空間３
６、４８、５０内の圧力を、常時、陽圧状態に維持する
ことが可能となり、外気が内部に侵入することを略確実
に防止することが可能となる。この時の各純粋ガス導入
部６４Ａ〜６４Ｅからのガス流量は、１つの導入部当た
り、装置の空間の容量及びガス導入部の数にもよるが、
例えば最大５０リットル／分程度である。
の装置内は純粋ガスにより満たされているので、ウエハ
表面にパーティクルは勿論のこと膜厚変動要因となる水
分やハイドロカーボン等の不純物が付着することはな
く、膜厚を精度良く評価することができる。すなわち、
覆い部材３８、５２に設けた５つの純粋ガス導入部６４
Ａ〜６４Ｅから、高純度のＮ2ガスとＯ2ガスを内部に導
入して、この純粋ガスでキャリア搬送空間３６、ウエハ
搬送空間４８及び測定空間５０内を満たしているので、
ウエハ表面に水分等がほとんど付着することがなく、従
って、内部でウエハＷの待機時間が長くなっても膜厚の
測定値が変動することを抑制することが可能となる。こ
の場合、各空間３６、４８、５０内の圧力は、外気に対
して、例えば数Ｔｏｒｒ程度の陽圧状態にしておき、シ
ール性の劣る部分からクリーンルーム内の比較的多くの
水分等を含む清浄空気が各空間内に侵入してくるのを防
止するのがよい。これにより、ウエハ表面に水分等が付
着することを一層抑制することができる。更に、この場
合、排気通路８０が接続されている工場排気系に何らか
の要因で圧力変動が生じたとしても、この排気通路８０
に介設した自動圧力調整弁８２の作用により、各空間３
６、４８、５０内の圧力を、常時、陽圧状態に維持する
ことが可能となり、外気が内部に侵入することを略確実
に防止することが可能となる。この時の各純粋ガス導入
部６４Ａ〜６４Ｅからのガス流量は、１つの導入部当た
り、装置の空間の容量及びガス導入部の数にもよるが、
例えば最大５０リットル／分程度である。
【００２２】また、このように高度に乾燥した純粋ガス
を内部に導入すると、ガスが流路を通ってくる時に静電
気が発生し、これがために膜厚測定系に種々の悪影響を
及ぼすことが考えられるが、各純粋ガス導入部６４Ａ〜
６４Ｅには、イオナイザ７５を設けて導入されるガスの
静電気を中和するようになっているので、測定系等に悪
影響を及ぼすことを未然に防止することができる。ま
た、密閉キャリアボックス１２には、ガス導入部１８が
設けてあるので、このガス導入部１８からも上記純粋ガ
スを導入するようにすれば、水分等がウエハに付着する
ことを一層防止することが可能となる。尚、ここでは各
空間を覆い部材３８、５２で覆うに際して、かなり高い
シール性を持たしているが、前述のように内部を陽圧状
態にしておけば、シール性がそれ程高くなくても外気の
侵入を防止できるので、水分等の付着を防止するという
当初の目的を達成することができる。
を内部に導入すると、ガスが流路を通ってくる時に静電
気が発生し、これがために膜厚測定系に種々の悪影響を
及ぼすことが考えられるが、各純粋ガス導入部６４Ａ〜
６４Ｅには、イオナイザ７５を設けて導入されるガスの
静電気を中和するようになっているので、測定系等に悪
影響を及ぼすことを未然に防止することができる。ま
た、密閉キャリアボックス１２には、ガス導入部１８が
設けてあるので、このガス導入部１８からも上記純粋ガ
スを導入するようにすれば、水分等がウエハに付着する
ことを一層防止することが可能となる。尚、ここでは各
空間を覆い部材３８、５２で覆うに際して、かなり高い
シール性を持たしているが、前述のように内部を陽圧状
態にしておけば、シール性がそれ程高くなくても外気の
侵入を防止できるので、水分等の付着を防止するという
当初の目的を達成することができる。
【００２３】また、ここでは純粋ガスとして水分などの
不純物が極めて少ないＮ2ガスとＯ2 ガスの混合ガスを
用いたが、これに代えてＮ2ガス単独で用いてもよい
し、更には他の不活性ガス、例えばＡｒガス、Ｈｅガス
等を単独で、或いは混合状態で用いるようにしてもよ
い。更には、本実施例では、熱酸化膜の膜厚測定を例に
とって説明したが、ＣＶＤ成膜の測定に用いてもよく、
また、被検査体として半導体ウエハに限らず、ガラス基
板、ＬＣＤ基板等にも適用できるのは勿論である。
不純物が極めて少ないＮ2ガスとＯ2 ガスの混合ガスを
用いたが、これに代えてＮ2ガス単独で用いてもよい
し、更には他の不活性ガス、例えばＡｒガス、Ｈｅガス
等を単独で、或いは混合状態で用いるようにしてもよ
い。更には、本実施例では、熱酸化膜の膜厚測定を例に
とって説明したが、ＣＶＤ成膜の測定に用いてもよく、
また、被検査体として半導体ウエハに限らず、ガラス基
板、ＬＣＤ基板等にも適用できるのは勿論である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の膜厚測定
装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮するこ
とができる。搬送空間と測定空間とを覆い部材で覆って
内部を純粋ガスにより満たすようにしたので、被検査体
の表面にパーティクルは勿論のこと水分やハイドロカー
ボン等の不純物が付着することがない。従って、測定前
の待機時間に依存して膜厚測定値が変動することがな
く、膜厚の正しい評価を行なうことができる。また、成
膜後の被検査体の時間管理を行なう必要もなくすことが
できる。更に、イオナイザを設けることにより、導入さ
れる純粋ガス中の静電気を中和することができ、静電気
に伴って発生する悪影響をなくすことができる。また、
純粋ガス中のＯ2ガス成分を所定量に設定することによ
り、オペレータに対する安全性を維持することができ
る。
装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮するこ
とができる。搬送空間と測定空間とを覆い部材で覆って
内部を純粋ガスにより満たすようにしたので、被検査体
の表面にパーティクルは勿論のこと水分やハイドロカー
ボン等の不純物が付着することがない。従って、測定前
の待機時間に依存して膜厚測定値が変動することがな
く、膜厚の正しい評価を行なうことができる。また、成
膜後の被検査体の時間管理を行なう必要もなくすことが
できる。更に、イオナイザを設けることにより、導入さ
れる純粋ガス中の静電気を中和することができ、静電気
に伴って発生する悪影響をなくすことができる。また、
純粋ガス中のＯ2ガス成分を所定量に設定することによ
り、オペレータに対する安全性を維持することができ
る。
【図１】本発明に係る膜厚測定装置を示す断面構成図で
ある。
ある。
【図２】図１に示す装置の導入ステージ近傍を示す拡大
断面図である。
断面図である。
【図３】キャリアを移載するキャリア移載アームを示す
図である。
図である。
【図４】半導体ウエハ表面上の薄膜の膜厚測定値の時間
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
２ 膜厚測定装置 ４ 基台ベース １０ 導入ステージ １２ 密閉キャリアボックス １４ 容器本体 ２８ 昇降台 ３６ キャリア搬送空間 ３８、５２ 覆い部材 ４４ キャリアエレベータ ４８ ウエハ搬送空間 ５０ 測定空間 ５４ 検査台 ５６ 測定光照射部 ５８ 測定光検出部 ６４Ａ〜６４Ｅ 純粋ガス導入部 ７２ Ｎ2ボンベ ７４ Ｏ2ボンベ ７５ イオナイザ Ｌ 測定光 Ｗ 半導体ウエハ（被検査体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷部 一秀 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内 (72)発明者 金子 公仁 山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エレ クトロン株式会社山梨事業所内
Claims (6)
- 【請求項１】 被検査体を導入する導入ステージに載置
した被検査体を検査台上に移載し、該被検査体に測定光
を照射して被検査体の表面に形成されている薄膜の厚さ
を測定する膜厚測定装置において、前記被検査体を前記
導入ステージと前記検査台との間で搬送する搬送空間
と、前記検査台が位置する測定空間とを略気密に覆う覆
い部材を設け、該覆い部材により囲まれた前記搬送空間
と前記測定空間に不純物が極めて少ない純粋ガスを導入
する純粋ガス導入部を設けるように構成したことを特徴
とする膜厚測定装置。 - 【請求項２】 前記純粋ガス導入部の近傍には、これよ
り吹き出される純粋ガスを電気的に中和させるイオナイ
ザを設けるように構成したこを特徴とする請求項１記載
の膜厚測定装置。 - 【請求項３】 前記覆い部材で囲まれた前記搬送空間と
測定空間は外気に対して陽圧に維持されていることを特
徴とする請求項１または２記載の膜厚測定装置。 - 【請求項４】 前記導入ステージは、ここに複数の被検
査体を収容できるキャリアを収納した密閉キャリアボッ
クスを載置した時に、このボックス内より前記キャリア
を取り出すことができる昇降台が設けられていることを
特徴とする請求項１乃至３記載の膜厚測定装置。 - 【請求項５】 前記純粋ガスは、不活性ガス或いはこれ
に所定量の酸素を含んだ混合ガスであることを特徴とす
る請求項１乃至４記載の膜厚測定装置。 - 【請求項６】 前記純粋ガス導入部の測定空間内の露点
は、−５０℃以下であることを特徴とする請求項１乃至
５記載の膜厚測定装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25783496A JP3656337B2 (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 膜厚測定装置 |
| US08/922,756 US5818596A (en) | 1996-09-06 | 1997-09-03 | Film thickness measuring apparatus |
| TW088204235U TW430116U (en) | 1996-09-06 | 1997-09-05 | Film thickness measuring apparatus |
| KR1019970045908A KR100479986B1 (ko) | 1996-09-06 | 1997-09-05 | 막두께측정장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25783496A JP3656337B2 (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 膜厚測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1082631A true JPH1082631A (ja) | 1998-03-31 |
| JP3656337B2 JP3656337B2 (ja) | 2005-06-08 |
Family
ID=17311790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25783496A Expired - Fee Related JP3656337B2 (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 膜厚測定装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5818596A (ja) |
| JP (1) | JP3656337B2 (ja) |
| KR (1) | KR100479986B1 (ja) |
| TW (1) | TW430116U (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999057509A1 (fr) * | 1998-05-01 | 1999-11-11 | Tokyo Electron Limited | Instrument pour mesurer l'epaisseur d'un film ainsi que procede et appareil pour le traitement de plaquettes |
| JP2002267419A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-18 | Horiba Ltd | 膜厚測定装置 |
| JP2006105766A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Toyobo Co Ltd | 膜厚測定装置 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7633625B1 (en) | 1995-09-20 | 2009-12-15 | J.A. Woollam Co., Inc. | Spectroscopic ellipsometer and polarimeter systems |
| US7616319B1 (en) | 1995-09-20 | 2009-11-10 | James D. Welch | Spectroscopic ellipsometer and polarimeter systems |
| US7336361B1 (en) | 1995-09-20 | 2008-02-26 | J.A. Woollam Co., Inc. | Spectroscopic ellipsometer and polarimeter systems |
| US7158231B1 (en) | 1995-09-20 | 2007-01-02 | J.A. Woollam Co., Inc. | Spectroscopic ellipsometer and polarimeter systems |
| US7245376B2 (en) * | 1995-09-20 | 2007-07-17 | J. A. Woollam Co., Inc. | Combined spatial filter and relay systems in rotating compensator ellipsometer/polarimeter |
| US7304737B1 (en) | 1995-09-20 | 2007-12-04 | J.A. Woollam Co., Inc | Rotating or rotatable compensator system providing aberation corrected electromagnetic raadiation to a spot on a sample at multiple angles of a incidence |
| US6519045B2 (en) * | 2001-01-31 | 2003-02-11 | Rudolph Technologies, Inc. | Method and apparatus for measuring very thin dielectric film thickness and creating a stable measurement environment |
| US20020163632A1 (en) * | 2001-05-02 | 2002-11-07 | Ya-Chan Cheng | Measuring system of a gas stream environment |
| US7253900B1 (en) | 2003-05-28 | 2007-08-07 | J.A. Woollam Co., Inc. | Ellipsometer or polarimeter and the like system with multiple detector element detector in environmental control chamber including secure sample access |
| US7319530B1 (en) | 2004-03-29 | 2008-01-15 | National Semiconductor Corporation | System and method for measuring germanium concentration for manufacturing control of BiCMOS films |
| US7564552B2 (en) * | 2004-05-14 | 2009-07-21 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light |
| US7359052B2 (en) * | 2004-05-14 | 2008-04-15 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light |
| US7408641B1 (en) | 2005-02-14 | 2008-08-05 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Measurement systems configured to perform measurements of a specimen and illumination subsystems configured to provide illumination for a measurement system |
| CN103424078B (zh) * | 2012-05-15 | 2016-03-23 | 无锡华润上华科技有限公司 | 膜厚仪 |
| CN115014259B (zh) * | 2022-06-17 | 2023-01-31 | 青岛朗夫科技股份有限公司 | 一种食品级聚乙烯膜袋厚度测定装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5825243A (ja) * | 1981-08-07 | 1983-02-15 | Hitachi Ltd | 半導体ウェーハ処理方法 |
| JPH07111995B2 (ja) * | 1987-09-02 | 1995-11-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置 |
| JPH01313704A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 膜厚測定装置 |
| US5393624A (en) * | 1988-07-29 | 1995-02-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device |
| JPH04206547A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Hitachi Ltd | 装置間搬送方法 |
| JPH04302420A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Nec Corp | 半導体基板処理装置および半導体基板処理方法 |
-
1996
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