JPH1075020A - ＧａＡｓベースの半導体レーザの製造方法 - Google Patents
ＧａＡｓベースの半導体レーザの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッシベーション層を形成するプロセスを有
するＧａＡｓベースの半導体レーザの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 へき開面上に、窒化シリコン層（ＳｉＮ
x ）の誘電体層を堆積する。この誘電体層の堆積は、電
子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）化学気相堆積である。
この堆積方法は、損傷が少なくＨ2Ｓ プラズマ処理表面
を等方的にカプセル化する窒化シリコンフィルムを形成
できる。この誘電体層を堆積した後、レーザデバイス
は、光熱アニールの処理（不活性気体（例えば、Ａｒ）
内で約２００゜Cで３０分間の熱処理）を行う。９８０ｎ
ｍレーザをパッシベーション処理した後、従来のレーザ
ストレス試験（１００゜Cで１５０ｍＡの電流を１４０時
間掛ける）を課した。本発明によるほとんど全てのレー
ザ装置は、このストレス試験に合格した。
するＧａＡｓベースの半導体レーザの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 へき開面上に、窒化シリコン層（ＳｉＮ
x ）の誘電体層を堆積する。この誘電体層の堆積は、電
子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）化学気相堆積である。
この堆積方法は、損傷が少なくＨ2Ｓ プラズマ処理表面
を等方的にカプセル化する窒化シリコンフィルムを形成
できる。この誘電体層を堆積した後、レーザデバイス
は、光熱アニールの処理（不活性気体（例えば、Ａｒ）
内で約２００゜Cで３０分間の熱処理）を行う。９８０ｎ
ｍレーザをパッシベーション処理した後、従来のレーザ
ストレス試験（１００゜Cで１５０ｍＡの電流を１４０時
間掛ける）を課した。本発明によるほとんど全てのレー
ザ装置は、このストレス試験に合格した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】ＧａＡｓベースの半導体レー
ザは公知であり、半導体業界で重要な技術的役割を担っ
ている。例えば、約０．９８μｍの波長を放射するＧａ
Ａｓベースの量子井戸レーザは、光通信システム内のＥ
ｒドープの光ファイバ増幅器をポンピングするのに用い
られる。
ザは公知であり、半導体業界で重要な技術的役割を担っ
ている。例えば、約０．９８μｍの波長を放射するＧａ
Ａｓベースの量子井戸レーザは、光通信システム内のＥ
ｒドープの光ファイバ増幅器をポンピングするのに用い
られる。
【０００２】
【従来の技術】このようなレーザを劣化および／または
故障から保護するために、レーザのファセットは、通常
絶縁体層でもってコーティングされる。このことは特に
０．９８μｍポンプレーザのようなハイパワーのレーザ
にとっては重要である。コーティングされていない場合
には、その種のレーザは、しばしば壊滅的な故障に至
る。その原因は通常ＧａＡｓベースの材料の生来酸化物
（native oxides）の存在により引き起こされる高い表
面状態密度である。
故障から保護するために、レーザのファセットは、通常
絶縁体層でもってコーティングされる。このことは特に
０．９８μｍポンプレーザのようなハイパワーのレーザ
にとっては重要である。コーティングされていない場合
には、その種のレーザは、しばしば壊滅的な故障に至
る。その原因は通常ＧａＡｓベースの材料の生来酸化物
（native oxides）の存在により引き起こされる高い表
面状態密度である。
【０００３】様々な種類のファセットコーティングおよ
びファセットコーティング技術は公知である。これに関
しては、例えば、M. Passlack et al.著の IEEE Journa
l ofSelected Topics in Quantum Electronics, Vol. 1
(2), p.110, June 1995を参照のこと。同文献は、Ｇａ2
Ｏ3ファセットコーティングについて開示している。他
の公知のコーティングは、ＳｉＯ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ
x ，ＺｒＯ2 ，ＺｎＳｅである。真空中でのへき開およ
びレーザファッセト上へのＳｉのインサイチュ(in sit
u)の堆積は９８０ｎｍレーザの効果的なパッシュベーシ
ョンを提供できることが分かっている。
びファセットコーティング技術は公知である。これに関
しては、例えば、M. Passlack et al.著の IEEE Journa
l ofSelected Topics in Quantum Electronics, Vol. 1
(2), p.110, June 1995を参照のこと。同文献は、Ｇａ2
Ｏ3ファセットコーティングについて開示している。他
の公知のコーティングは、ＳｉＯ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ
x ，ＺｒＯ2 ，ＺｎＳｅである。真空中でのへき開およ
びレーザファッセト上へのＳｉのインサイチュ(in sit
u)の堆積は９８０ｎｍレーザの効果的なパッシュベーシ
ョンを提供できることが分かっている。
【０００４】例えばこれに関しては、米国特許第５，０
６３，１７３号を参照のこと。しかし、このプロセス
は、限られた製造過程での利便性しかない、その理由は
真空中でのへき開プロセスを必要とする結果、そのスル
ープットは極めて低いものとなるからである。このよう
な真空中でのへき開プロセスは、処理済みのウェハの大
部分（半分近く）が不良となり、さらに同時に１個のレ
ーザバー（デバイス）しかパッシベーションができな
い。
６３，１７３号を参照のこと。しかし、このプロセス
は、限られた製造過程での利便性しかない、その理由は
真空中でのへき開プロセスを必要とする結果、そのスル
ープットは極めて低いものとなるからである。このよう
な真空中でのへき開プロセスは、処理済みのウェハの大
部分（半分近く）が不良となり、さらに同時に１個のレ
ーザバー（デバイス）しかパッシベーションができな
い。
【０００５】ＧａＡｓベースのレーザに（ＮＨ4）2Ｓの
ウェット化学処理を施すことは、若干のエッチング処理
と安定したＧａ−Ｓ結合とＡｓ−Ｓ結合の形成により、
表面再結合速度を低減できることが分かった。これに関
しては、例えば、米国特許第５，１７７，０３１号とG.
Beister et al. 著のApplied Physics Letters, Vol.
68(18), pp. 2467-2468 (April 1996)を参照のこと。し
かしこの方法は、一次的なパッシベーションしか通常提
供できない。その理由は、ファセットが、特にハイパワ
ーの操作中に再酸化してしまうからである。同時にまた
このウェット化学処理は、その制御が難しく、様々な層
のエッチングレートの相違に起因してファセットの光学
品質の劣化につながる。
ウェット化学処理を施すことは、若干のエッチング処理
と安定したＧａ−Ｓ結合とＡｓ−Ｓ結合の形成により、
表面再結合速度を低減できることが分かった。これに関
しては、例えば、米国特許第５，１７７，０３１号とG.
Beister et al. 著のApplied Physics Letters, Vol.
68(18), pp. 2467-2468 (April 1996)を参照のこと。し
かしこの方法は、一次的なパッシベーションしか通常提
供できない。その理由は、ファセットが、特にハイパワ
ーの操作中に再酸化してしまうからである。同時にまた
このウェット化学処理は、その制御が難しく、様々な層
のエッチングレートの相違に起因してファセットの光学
品質の劣化につながる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】例えば、光ファイバ通
信のようなハイパワーなＧａＡｓベースのレーザの重要
性に鑑みて、その製造プロセスに使用するのに適した、
効果的で簡便なファセット処理を確保することが望まし
い。したがって本発明の目的は、ファセットをパッシベ
ーション層を形成するプロセスを有するＧａＡｓベース
の半導体レーザの製造方法を提供するものである。
信のようなハイパワーなＧａＡｓベースのレーザの重要
性に鑑みて、その製造プロセスに使用するのに適した、
効果的で簡便なファセット処理を確保することが望まし
い。したがって本発明の目的は、ファセットをパッシベ
ーション層を形成するプロセスを有するＧａＡｓベース
の半導体レーザの製造方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のＧａＡｓベース
の半導体レーザの製造方法は、請求項１に記載した通り
である。特にへき開面上に形成した誘電体層は、窒化シ
リコン層（ＳｉＮx ）であり、このｘは、１／２から４
／３の範囲内に入るものである。
の半導体レーザの製造方法は、請求項１に記載した通り
である。特にへき開面上に形成した誘電体層は、窒化シ
リコン層（ＳｉＮx ）であり、このｘは、１／２から４
／３の範囲内に入るものである。
【０００８】実施例においては、この誘電体層の堆積
は、電子サイクロトロン共鳴（electron cyclotron res
onance（ＥＣＲ））化学気相堆積である。この堆積方法
は、損傷が少なくＨ2Ｓ プラズマ処理表面を等方的にカ
プセル化する窒化シリコンフィルムを形成できる。
は、電子サイクロトロン共鳴（electron cyclotron res
onance（ＥＣＲ））化学気相堆積である。この堆積方法
は、損傷が少なくＨ2Ｓ プラズマ処理表面を等方的にカ
プセル化する窒化シリコンフィルムを形成できる。
【０００９】この誘電体層を堆積した後、レーザデバイ
スは、光熱アニールの処理（不活性気体（例えば、Ａ
ｒ）内で約２００゜Cで３０分間の熱処理）を行う。この
レーザバーをレーザチップに分離することは従来技術に
より行われる。
スは、光熱アニールの処理（不活性気体（例えば、Ａ
ｒ）内で約２００゜Cで３０分間の熱処理）を行う。この
レーザバーをレーザチップに分離することは従来技術に
より行われる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１にＧａＡｓベースの半導体レ
ーザ１０の断面図を示す。ｎ−ＧａＡｓ基板１１を基板
として１２−１７が順に形成される。同図において、ｎ
−ＧａＡｓ基板１１は（１００）から（１１１）Ａ方向
に１０°傾いている。ｎ−ＩｎＧａＰクラッド層１２は
約１．１５μｍの厚さであり、ＧａＡｓ閉じ込め層１３
は１００ｎｍ、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層１４は７ｎｍ、
ＧａＡｓ閉じ込め層１５は１００ｎｍ、下部ｐ−ＩｎＧ
ａＰクラッド層１６は１２０ｎｍの厚さである。
ーザ１０の断面図を示す。ｎ−ＧａＡｓ基板１１を基板
として１２−１７が順に形成される。同図において、ｎ
−ＧａＡｓ基板１１は（１００）から（１１１）Ａ方向
に１０°傾いている。ｎ−ＩｎＧａＰクラッド層１２は
約１．１５μｍの厚さであり、ＧａＡｓ閉じ込め層１３
は１００ｎｍ、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層１４は７ｎｍ、
ＧａＡｓ閉じ込め層１５は１００ｎｍ、下部ｐ−ＩｎＧ
ａＰクラッド層１６は１２０ｎｍの厚さである。
【００１１】そしてさらにｐ−ＧａＡｓエッチストップ
層１７の上に上部ｐ−ＩｎＧａＰクラッド層１８，ｐ＋
ＧａＡｓ接触層１９，ＳｉＯ2 層２０，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕ金属化層２１の層が形成される。ｐ−ＧａＡｓエッチ
ストップ層１７は６ｎｍ、上部ｐ−ＩｎＧａＰクラッド
層１８は約１．０４μｍ、ｐ＋ＧａＡｓ接触層１９は１
２０ｎｍである。１７はメサエッチングを容易にするた
めのものであり、レーザの光学特性に何等影響を及ぼす
ものではない。そしてＳｉＯ2 層２０は３００ｎｍの厚
さであり、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ金属化層２１がＳｉＯ2 層
２０の上に形成され、ＡｕＢｅ／Ｔｉ／Ａｕ ｐ側接点
２２がＳｉＯ2 層２０内に形成される。ＡｕＧｅ／Ｎｉ
／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ ｎ側接点２３がＡｕＢｅ／Ｔｉ／
Ａｕ ｐ側接点２２とは反対側のｎ−ＧａＡｓ基板１１
の裏面に形成される。
層１７の上に上部ｐ−ＩｎＧａＰクラッド層１８，ｐ＋
ＧａＡｓ接触層１９，ＳｉＯ2 層２０，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕ金属化層２１の層が形成される。ｐ−ＧａＡｓエッチ
ストップ層１７は６ｎｍ、上部ｐ−ＩｎＧａＰクラッド
層１８は約１．０４μｍ、ｐ＋ＧａＡｓ接触層１９は１
２０ｎｍである。１７はメサエッチングを容易にするた
めのものであり、レーザの光学特性に何等影響を及ぼす
ものではない。そしてＳｉＯ2 層２０は３００ｎｍの厚
さであり、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ金属化層２１がＳｉＯ2 層
２０の上に形成され、ＡｕＢｅ／Ｔｉ／Ａｕ ｐ側接点
２２がＳｉＯ2 層２０内に形成される。ＡｕＧｅ／Ｎｉ
／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ ｎ側接点２３がＡｕＢｅ／Ｔｉ／
Ａｕ ｐ側接点２２とは反対側のｎ−ＧａＡｓ基板１１
の裏面に形成される。
【００１２】図１の多層構造体の製造方法は公知であ
り、詳述はしない。例えばこれに関しては、前掲の M.
Passlack et al. 著の論文を参照されたい。
り、詳述はしない。例えばこれに関しては、前掲の M.
Passlack et al. 著の論文を参照されたい。
【００１３】メサエッチングされ、金属化された多層ウ
ェハの製造が完了した後、ウェハの表面に個々の半導体
チップを規定するよう線を刻み（１１０）面に沿ってへ
き開することによりレーザバーを形成する。このプロセ
スでは、へき開プロセスは真空中で行う必要は必ずしも
ない。これは、従来技術に係るパッシベーションプロセ
スが真空中でへき開し、インサイチュでパッシベーショ
ン処理を行うのに比較して大きな利点である。
ェハの製造が完了した後、ウェハの表面に個々の半導体
チップを規定するよう線を刻み（１１０）面に沿ってへ
き開することによりレーザバーを形成する。このプロセ
スでは、へき開プロセスは真空中で行う必要は必ずしも
ない。これは、従来技術に係るパッシベーションプロセ
スが真空中でへき開し、インサイチュでパッシベーショ
ン処理を行うのに比較して大きな利点である。
【００１４】効果的なパッシベーションは、レーザの前
（出力）ファセットで通常最も必要とされる。その理由
は光パワー密度は、背面のファセットよりも前面のファ
セットの方がはるかに高いからである。前ファセットに
は、通常低反射率（low reflectivity（ＬＲ））コーテ
ィング（１％反射率）が施され、一方後ろファセットに
は高反射率（high reflectivity（ＨＲ）） コーティン
グ（９８％反射率）が施される。
（出力）ファセットで通常最も必要とされる。その理由
は光パワー密度は、背面のファセットよりも前面のファ
セットの方がはるかに高いからである。前ファセットに
は、通常低反射率（low reflectivity（ＬＲ））コーテ
ィング（１％反射率）が施され、一方後ろファセットに
は高反射率（high reflectivity（ＨＲ）） コーティン
グ（９８％反射率）が施される。
【００１５】本発明の一実施例の方法によると、レーザ
バーのへき開されたファセットには従来通りＨＲコーテ
ィング（例、ＳｉＯ2−Ｓｉ 分散ブラッグリフレクタ）
が施され、パッシベーション層は存在せず、その後プラ
ズマパッシベーション層が形成され、レーザバーの他の
ファセット上に公知のＬＲコーティングが堆積される。
そしてこのＬＲコーティングは、誘電体保護層を含む。
バーのへき開されたファセットには従来通りＨＲコーテ
ィング（例、ＳｉＯ2−Ｓｉ 分散ブラッグリフレクタ）
が施され、パッシベーション層は存在せず、その後プラ
ズマパッシベーション層が形成され、レーザバーの他の
ファセット上に公知のＬＲコーティングが堆積される。
そしてこのＬＲコーティングは、誘電体保護層を含む。
【００１６】本発明の他の実施例によれば、レーザバー
の両方のファセットは、同時にプラズマパッシベーショ
ン処理が行われ、その後適切な保護層（通常窒化シリコ
ン製）が同時に堆積され、その後オプションとしてさら
に誘電体層を堆積することがある。その結果、従来のＨ
Ｒコーティングおよび／または従来のＬＲコーティング
がそれぞれのファセット面に形成される。
の両方のファセットは、同時にプラズマパッシベーショ
ン処理が行われ、その後適切な保護層（通常窒化シリコ
ン製）が同時に堆積され、その後オプションとしてさら
に誘電体層を堆積することがある。その結果、従来のＨ
Ｒコーティングおよび／または従来のＬＲコーティング
がそれぞれのファセット面に形成される。
【００１７】上記の何れの場合にも、多数（例、数百あ
るいは数千もの）のレーザバーが反応性チェンバー内で
単純な治具を用いて同時に簡単に処理できる。通常この
治具は、レーザバーを収納するための複数のスロットを
有し、そしてそのエッジにレーザバーを保持し、レーザ
バーの一方あるいは両方のファセットを反応性チェンバ
ー内のプラズマに曝すような構造をしている。
るいは数千もの）のレーザバーが反応性チェンバー内で
単純な治具を用いて同時に簡単に処理できる。通常この
治具は、レーザバーを収納するための複数のスロットを
有し、そしてそのエッジにレーザバーを保持し、レーザ
バーの一方あるいは両方のファセットを反応性チェンバ
ー内のプラズマに曝すような構造をしている。
【００１８】レーザバーを搭載した治具を反応性チェン
バー内に配置した後、このチェンバーを通常１０-6トー
ル以下に真空引きし、レーザバーをＨ2Ｓ からなるパッ
シベーションプラズマに曝す。好ましくはこの工程は、
電子サイクロトロン共鳴装置（ＥＣＲ）装置内で実行
し、ファセットへの損傷を最少にするのが良い。このよ
うな装置は公知であり、市販されている。
バー内に配置した後、このチェンバーを通常１０-6トー
ル以下に真空引きし、レーザバーをＨ2Ｓ からなるパッ
シベーションプラズマに曝す。好ましくはこの工程は、
電子サイクロトロン共鳴装置（ＥＣＲ）装置内で実行
し、ファセットへの損傷を最少にするのが良い。このよ
うな装置は公知であり、市販されている。
【００１９】実験的にＥＣＲのパワーは、２００から１
０００Ｗの範囲内であり、反応チェンバー内へのＨ2Ｓ
の流速は、１０ｓｃｃｍで、パッシベーション処理中の
チェンバー内の圧力は、約２ｍトールで、プラズマへの
照射は約２分間に亘った。上記のパラメータは、少なく
ともその一部は、装置に依存するものであり、これらの
パラメータは通常一般的に特定できるものではない。し
かし、何回かの実験を行うことによりある特定の装置に
対しては、適切なパラメータ値を決定できる。
０００Ｗの範囲内であり、反応チェンバー内へのＨ2Ｓ
の流速は、１０ｓｃｃｍで、パッシベーション処理中の
チェンバー内の圧力は、約２ｍトールで、プラズマへの
照射は約２分間に亘った。上記のパラメータは、少なく
ともその一部は、装置に依存するものであり、これらの
パラメータは通常一般的に特定できるものではない。し
かし、何回かの実験を行うことによりある特定の装置に
対しては、適切なパラメータ値を決定できる。
【００２０】発明者らの知見によれば、プラズマ内の水
素がファセット面から生来酸化物を除去し、プラズマ内
の硫黄がＧａとＡｓと結合し、これによりファセットの
表面状態密度を低下させる。Ｈ2Ｓ のプラズマに曝すこ
とによるファセットのエッチングが存在しないためにへ
き開されたファセットの光学品質が保持され、少なくと
も従来のパッシベーションプロセスの欠点を取り除くこ
とができる。
素がファセット面から生来酸化物を除去し、プラズマ内
の硫黄がＧａとＡｓと結合し、これによりファセットの
表面状態密度を低下させる。Ｈ2Ｓ のプラズマに曝すこ
とによるファセットのエッチングが存在しないためにへ
き開されたファセットの光学品質が保持され、少なくと
も従来のパッシベーションプロセスの欠点を取り除くこ
とができる。
【００２１】Ｈ2Ｓ プラズマに曝した後、保護誘電体層
をこのへき開したファセット上に堆積する。好ましい実
施例においては、この誘電体層は、ＳｉＨ4 とＮ2 から
のＥＣＲＣＶＤにより形成された窒化シリコン層であ
る。
をこのへき開したファセット上に堆積する。好ましい実
施例においては、この誘電体層は、ＳｉＨ4 とＮ2 から
のＥＣＲＣＶＤにより形成された窒化シリコン層であ
る。
【００２２】
【発明の効果】図１に示した９８０ｎｍレーザを上記の
ようにパッシベーション処理した後、従来のレーザスト
レス試験（１００゜Cで１５０ｍＡの電流を１４０時間掛
ける）を課した。本発明によるほとんど全てのレーザ装
置は、このストレス試験に合格した。本発明の製造方法
によるレーザは、５００ｍＡの駆動電流のハイパワーで
も十分満足した性能を発揮した。
ようにパッシベーション処理した後、従来のレーザスト
レス試験（１００゜Cで１５０ｍＡの電流を１４０時間掛
ける）を課した。本発明によるほとんど全てのレーザ装
置は、このストレス試験に合格した。本発明の製造方法
によるレーザは、５００ｍＡの駆動電流のハイパワーで
も十分満足した性能を発揮した。
【図１】本発明のレーザ構造体を表す断面図
１０ ＧａＡｓベースの半導体レーザ １１ ｎ−ＧａＡｓ基板 １２ ｎ−ＩｎＧａＰクラッド層 １３ ＧａＡｓ閉じ込め層 １４ ＩｎＧａＡｓ量子井戸層 １５ ＧａＡｓ閉じ込め層 １６ 下部ｐ−ＩｎＧａＰクラッド層 １７ ｐ−ＧａＡｓエッチストップ層 １８ 上部ｐ−ＩｎＧａＰクラッド層 １９ ｐ＋ＧａＡｓ接触層 ２０ ＳｉＯ2 層 ２１ Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ金属化層 ２２ ＡｕＢｅ／Ｔｉ／Ａｕ ｐ側接点 ２３ ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ ｎ側接点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ウィリアム スコット ホブソン アメリカ合衆国，07901 ニュージャージ ー，サミット，カレン ウェイ 51 (72)発明者 ファン レン アメリカ合衆国，07059 ニュージャージ ー，ウォーレン，バークシャイアー ドラ イブ 13 (72)発明者 メリンダ ラモント シュノーズ アメリカ合衆国，08879 ニュージャージ ー，サウス アムボーイ，ヘンリー スト リート 312
Claims (6)
- 【請求項１】 へき開されたレーザファセットを有する
ＧａＡｓベースの半導体レーザ（１０）の製造方法にお
いて、 ａ）ＧａとＡｓを含有する多層半導体構造（１２−１
９）をその上に有するＧａＡｓ基板（１１）を用意する
ステップと、 ｂ）このＧａＡｓ基板（１１）をへき開して、へき開表
面を有するレーザバーを形成するステップと、 ｃ）前記レーザバーを真空堆積チェンバー内に配置し、
少なくとも１つのへき開表面上に誘電体層を堆積するス
テップと、 ｄ）前記レーザバーを複数のレーザチップに分離するス
テップと、からなり、前記ｃ）のステップの誘電体層を
堆積する際に、堆積チェンバー内でへき開面をＨ2Ｓ の
プラズマにさらして、レーザバーを大気に曝すことなく
誘電体層をへき開面に堆積することを特徴とするＧａＡ
ｓベースの半導体レーザの製造方法。 - 【請求項２】 前記真空堆積チェンバーは、電子サイク
ロトロン共鳴化学気相堆積チェンバーであり、 前記誘電体層は、窒化シリコン製であることを特徴とす
る請求項１の方法。 - 【請求項３】 複数個のレーザバーを真空堆積チェンバ
ー内に導入し、Ｈ2Ｓのプラズマにさらし、その後誘電
体層を堆積することを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項４】 前記誘電体層は、窒化シリコン層である
ことを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項５】 前記窒化シリコン層は、ＳｉＨ4 とＮ2
から電子サイクロトロン共鳴化学気相堆積により形成さ
れることを特徴とする請求項４の方法。 - 【請求項６】 前記レーザの出力の波長は、９８０ｎｍ
であることを特徴とする請求項１の方法。
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