JPH1072282A - バレル・リアクター・ノズルの狙いを定めるための方法及び装置 - Google Patents
バレル・リアクター・ノズルの狙いを定めるための方法及び装置Info
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- JPH1072282A JPH1072282A JP9120802A JP12080297A JPH1072282A JP H1072282 A JPH1072282 A JP H1072282A JP 9120802 A JP9120802 A JP 9120802A JP 12080297 A JP12080297 A JP 12080297A JP H1072282 A JPH1072282 A JP H1072282A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 改善された精度のバレル・リアクター・ノズ
ルの位置決め装置を提供して、ウェハーに形成するエピ
タキシャル厚さの均一性を向上させる。 【解決手段】 ウェハーに物質を蒸着するＣＶＤ法の
間、反応チャンバー１４に反応ガスを供給するジェット
・アッセンブリ５２は、供給源からチャンバーに反応ガ
スジェットを選択的に供給する、供給源と流体連絡状態
でリアクターに装着されるノズル６０であって、ジェッ
トがチャンバーに入る方向を選択的に変えるようにリア
クターに対して軸回転可能なノズル、およびジェットが
チャンバーに入る方向を変えるためにリアクターに対し
てノズルを軸回転させるためにノズルに接続された位置
決めデバイス７０であって、リアクター１０に対するノ
ズル位置の定量的測定を可能にして、ジェットがチャン
バーに入る方向を選ぶためにノズルの再現性のある狙い
付けを可能にするデバイスを有して成る。
ルの位置決め装置を提供して、ウェハーに形成するエピ
タキシャル厚さの均一性を向上させる。 【解決手段】 ウェハーに物質を蒸着するＣＶＤ法の
間、反応チャンバー１４に反応ガスを供給するジェット
・アッセンブリ５２は、供給源からチャンバーに反応ガ
スジェットを選択的に供給する、供給源と流体連絡状態
でリアクターに装着されるノズル６０であって、ジェッ
トがチャンバーに入る方向を選択的に変えるようにリア
クターに対して軸回転可能なノズル、およびジェットが
チャンバーに入る方向を変えるためにリアクターに対し
てノズルを軸回転させるためにノズルに接続された位置
決めデバイス７０であって、リアクター１０に対するノ
ズル位置の定量的測定を可能にして、ジェットがチャン
バーに入る方向を選ぶためにノズルの再現性のある狙い
付けを可能にするデバイスを有して成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に半導体ウェハ
ーに物質を気相成長させる方法（ＣＶＤ（chemical vap
or deposition）法）に関連する。より詳しくは、本発
明は、半導体ウェハーに蒸着（または付着）する物質の
厚さの均一性を向上させるための、バレル・リアクター
・ノズル（barrel reactor nozzle）の向きを正確に測
定して調節するための方法および装置に関する。
ーに物質を気相成長させる方法（ＣＶＤ（chemical vap
or deposition）法）に関連する。より詳しくは、本発
明は、半導体ウェハーに蒸着（または付着）する物質の
厚さの均一性を向上させるための、バレル・リアクター
・ノズル（barrel reactor nozzle）の向きを正確に測
定して調節するための方法および装置に関する。
【０００２】ＣＶＤ法（または化学蒸着法）は、格子構
造がウェハーと同じになるように半導体ウェハーに物質
の薄層を成長させるための方法である。この方法を用い
て、異なる伝導度を有する層を、必要な電気的性質を得
るために半導体ウェハーに適用できる。ＣＶＤ法は、半
導体ウェハーの製造において、ウェハーの必要な電気的
性質を得るために、ウェハー表面にエピタキシャル層を
形成するために広く使われる。例えば、重度にドープさ
れた基板の上に蒸着された軽度に蒸着されたエピタキシ
ャル層によって、基板の低い抵抗の結果、ＣＭＯＳデバ
イスをラッチアップ・イムニティー（latch up immunit
y）について最適化できる。他の利点、例えばドーパン
ト濃度分布の正確な制御および酸素の不存在も同じく達
成される。
造がウェハーと同じになるように半導体ウェハーに物質
の薄層を成長させるための方法である。この方法を用い
て、異なる伝導度を有する層を、必要な電気的性質を得
るために半導体ウェハーに適用できる。ＣＶＤ法は、半
導体ウェハーの製造において、ウェハーの必要な電気的
性質を得るために、ウェハー表面にエピタキシャル層を
形成するために広く使われる。例えば、重度にドープさ
れた基板の上に蒸着された軽度に蒸着されたエピタキシ
ャル層によって、基板の低い抵抗の結果、ＣＭＯＳデバ
イスをラッチアップ・イムニティー（latch up immunit
y）について最適化できる。他の利点、例えばドーパン
ト濃度分布の正確な制御および酸素の不存在も同じく達
成される。
【０００３】ＣＶＤ法は種々のタイプのリアクターで実
施されるが、そこでは、反応する物質であるガスは半導
体ウェハーの面の上を流れる。バレル・リアクター（円
筒状反応器）は、半導体工業において使われる最も一般
的なタイプのリアクターである。従来のバレル・リアク
ターは、下に向かってわずかに外向きにテーパが付いた
壁を有する多角形のチューブである、炭化珪素で被覆さ
れたグラファイト・サセプターを有する。円形の凹部
は、半導体ウェハーを受容するように各サセプター壁に
沿って、垂直に配置される。サセプターは、反応チャン
バー内に吊るされて回転し、ほぼ水平にガスジェットを
導入する２つのノズルを通して、反応ガスがチャンバー
の頂部付近に導入される。ジェット・アッセンブリは、
ノズルを保持して、ノズルの狙いを定め、理想的にはガ
ス・ジェットの周方向速度成分を除去するように、サセ
プターと反応チャンバーの内部壁との間のある位置でジ
ェットを相互に衝突させる。混合ガス・ジェットは、サ
スセプターに保持されたウェハーの露出面の上を、反応
チャンバーの底部に向かって下向きに流れる。
施されるが、そこでは、反応する物質であるガスは半導
体ウェハーの面の上を流れる。バレル・リアクター（円
筒状反応器）は、半導体工業において使われる最も一般
的なタイプのリアクターである。従来のバレル・リアク
ターは、下に向かってわずかに外向きにテーパが付いた
壁を有する多角形のチューブである、炭化珪素で被覆さ
れたグラファイト・サセプターを有する。円形の凹部
は、半導体ウェハーを受容するように各サセプター壁に
沿って、垂直に配置される。サセプターは、反応チャン
バー内に吊るされて回転し、ほぼ水平にガスジェットを
導入する２つのノズルを通して、反応ガスがチャンバー
の頂部付近に導入される。ジェット・アッセンブリは、
ノズルを保持して、ノズルの狙いを定め、理想的にはガ
ス・ジェットの周方向速度成分を除去するように、サセ
プターと反応チャンバーの内部壁との間のある位置でジ
ェットを相互に衝突させる。混合ガス・ジェットは、サ
スセプターに保持されたウェハーの露出面の上を、反応
チャンバーの底部に向かって下向きに流れる。
【０００４】バレル・リアクターにおけるＣＶＤ法に関
連した主要な問題点のうちの１つは、蒸着された物質の
ウェハー間およびウェハー内の厚さの均一性を維持する
ことである。集積回路の導線の幅が減るにつれて、厚さ
の均一性はますます重要になっている。集積回路の狭い
導線の幅により、非常に平らな表面が光学的リソグラフ
ィーの限られたフィールド深度能（depth of field cap
ability）を有することが必要となる。
連した主要な問題点のうちの１つは、蒸着された物質の
ウェハー間およびウェハー内の厚さの均一性を維持する
ことである。集積回路の導線の幅が減るにつれて、厚さ
の均一性はますます重要になっている。集積回路の狭い
導線の幅により、非常に平らな表面が光学的リソグラフ
ィーの限られたフィールド深度能（depth of field cap
ability）を有することが必要となる。
【０００５】厚さの均一性に影響を及ぼすパラメーター
の中にはノズルの方向、各ノズルを通るガスの流量およ
びサセプターのテーパー角度がある。一般的に言って、
ノズル方向の調整はサセプターに沿った垂直方向におけ
る厚さの均一性に影響を及ぼす、そして、ノズルの間の
相対的な質量流量（mass flow rate）の調整は水平方向
における厚さの均一性に影響を及ぼす。それに加えて、
厚さの均一性における小幅な変動は、温度調整およびサ
セプターを通るパージガスの変更により生じ得る。
の中にはノズルの方向、各ノズルを通るガスの流量およ
びサセプターのテーパー角度がある。一般的に言って、
ノズル方向の調整はサセプターに沿った垂直方向におけ
る厚さの均一性に影響を及ぼす、そして、ノズルの間の
相対的な質量流量（mass flow rate）の調整は水平方向
における厚さの均一性に影響を及ぼす。それに加えて、
厚さの均一性における小幅な変動は、温度調整およびサ
セプターを通るパージガスの変更により生じ得る。
【０００６】過去において、ノズル方向の確認と調整
は、バレル・リアクターを開いて、各ノズルからのガス
・ジェットが理想的に導かれるべき反応チャンバーにタ
ーゲット・グリッド（target grid）を吊るして、ノズ
ルの端部にチューブ状のポインターを配置することを含
んでいた。調整が必要である場合、反応物質ガスのソー
スからジェットアッセンブリへのフィードラインを切り
離して、アッセンブリ内部のロックナットをゆるめて、
ノズルを傷つけることなく動かすことができる必要があ
った。ポインターがターゲットと整列するようにノズル
を理想的な状態に動かして、ロックナットを締結し、フ
ィードラインを再結合していた。
は、バレル・リアクターを開いて、各ノズルからのガス
・ジェットが理想的に導かれるべき反応チャンバーにタ
ーゲット・グリッド（target grid）を吊るして、ノズ
ルの端部にチューブ状のポインターを配置することを含
んでいた。調整が必要である場合、反応物質ガスのソー
スからジェットアッセンブリへのフィードラインを切り
離して、アッセンブリ内部のロックナットをゆるめて、
ノズルを傷つけることなく動かすことができる必要があ
った。ポインターがターゲットと整列するようにノズル
を理想的な状態に動かして、ロックナットを締結し、フ
ィードラインを再結合していた。
【０００７】ノズルのねらいを定めること（ノズル・エ
イミング、nozzle aiming）は時間を要するだけでな
く、不純物混入の潜在的な原因であった。一般的に言っ
て、ＣＶＤ法はリアクターにキャリヤーガス（通常水
素）を用いて揮発性の反応物（例えば、ＳｉＣｌ4、Ｓ
ｉＨＣｌ3、ＳｉＨ2Ｃｌ2またはＳｉＨ4）を導入するこ
とを含む。これらの反応物質は、酸素、水蒸気および有
機化合物に対して非常に反応性である。あらゆる努力が
不純物混入を避けるために為されるけれども、従来の手
順はターゲットおよびポインターの装着の間、そして、
ノズルを保持しているジェットアッセンブリの部分的な
分解と再組立の間、シリコン蒸着物を取り払うことによ
って潜在的に不純物混入を引き起こしていた。
イミング、nozzle aiming）は時間を要するだけでな
く、不純物混入の潜在的な原因であった。一般的に言っ
て、ＣＶＤ法はリアクターにキャリヤーガス（通常水
素）を用いて揮発性の反応物（例えば、ＳｉＣｌ4、Ｓ
ｉＨＣｌ3、ＳｉＨ2Ｃｌ2またはＳｉＨ4）を導入するこ
とを含む。これらの反応物質は、酸素、水蒸気および有
機化合物に対して非常に反応性である。あらゆる努力が
不純物混入を避けるために為されるけれども、従来の手
順はターゲットおよびポインターの装着の間、そして、
ノズルを保持しているジェットアッセンブリの部分的な
分解と再組立の間、シリコン蒸着物を取り払うことによ
って潜在的に不純物混入を引き起こしていた。
【０００８】さらに、この手順は、ポインターを外す場
合、ノズルが動く可能性のために不正確であることが有
り得た。時には、ノズル・ドリフトによって、ノズルが
調整の前に比べて調整の後では全く整列していないこと
があり、特に調整量が小さい時にそうであった。それに
加えて、従来の調整方法の精度は、ポインターの直線性
およびポインターとノズルとの間の適合性により影響さ
れていた。しかし、調整方法の性質のために、時間が経
過すると、ポインターの適合性と直線性が悪影響を受
け、これにより調整方法の精度が減っていた。
合、ノズルが動く可能性のために不正確であることが有
り得た。時には、ノズル・ドリフトによって、ノズルが
調整の前に比べて調整の後では全く整列していないこと
があり、特に調整量が小さい時にそうであった。それに
加えて、従来の調整方法の精度は、ポインターの直線性
およびポインターとノズルとの間の適合性により影響さ
れていた。しかし、調整方法の性質のために、時間が経
過すると、ポインターの適合性と直線性が悪影響を受
け、これにより調整方法の精度が減っていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明のいくつかの目
的および特徴の中で、改善された精度でバレル・リアク
ターのノズルを位置決めする装置が提供され、これによ
り、ウェハー間およびウェハー内のエピタキシャル厚さ
の均一性のレベルが向上する；ノズルの位置を確認する
ためにターゲットおよびポインターを配置する頻度を減
らすそのような装置が提供される；ノズル調整を行うた
めに器材を部分的に分解するか、ゆるめる必要を除去す
るそのような装置が提供される；反応チャンバー汚染
（即ち、不純物混合）の潜在性を減らすそのような装置
が提供される；バレル・リアクターを開くことなくノズ
ルを位置決めできるそのような装置が提供される；高度
に再現性を有するノズル位置決めを可能にするそのよう
な装置が提供される；小さくて正確なノズル位置調整を
可能にするそのような装置が提供される；そして、現在
のノズル位置に対してノズルの再配置を可能にするその
ような装置が提供される。
的および特徴の中で、改善された精度でバレル・リアク
ターのノズルを位置決めする装置が提供され、これによ
り、ウェハー間およびウェハー内のエピタキシャル厚さ
の均一性のレベルが向上する；ノズルの位置を確認する
ためにターゲットおよびポインターを配置する頻度を減
らすそのような装置が提供される；ノズル調整を行うた
めに器材を部分的に分解するか、ゆるめる必要を除去す
るそのような装置が提供される；反応チャンバー汚染
（即ち、不純物混合）の潜在性を減らすそのような装置
が提供される；バレル・リアクターを開くことなくノズ
ルを位置決めできるそのような装置が提供される；高度
に再現性を有するノズル位置決めを可能にするそのよう
な装置が提供される；小さくて正確なノズル位置調整を
可能にするそのような装置が提供される；そして、現在
のノズル位置に対してノズルの再配置を可能にするその
ような装置が提供される。
【００１０】更に、いくつかの本発明の目的と特徴の中
で、高度に再現性があり正確な結果が得られるように可
変性ノズル・ポジショナまたは目盛によってノズルの向
きを調節するもの（graduated nozzle positioner）を
校正するための方法が提供されることに注意されたい。
で、高度に再現性があり正確な結果が得られるように可
変性ノズル・ポジショナまたは目盛によってノズルの向
きを調節するもの（graduated nozzle positioner）を
校正するための方法が提供されることに注意されたい。
【００１１】
【課題を解決するための手段】手短に言うと、本発明の
ジェットアッセンブリは、ノズルおよび位置決めデバイ
スを含んで成る。ノズルは、選択的に供給源から反応チ
ャンバーに反応ガスのジェットを選択的に供給するため
に反応ガスの供給源と流体連絡状態でバレル・リアクタ
ーに装着できるようになっている。ノズルは、反応ガス
・ジェットが反応チャンバーに入る方向を選択的に変え
るためにバレル・リアクターに対して軸回転可能（pivo
table）である。位置決めデバイスは、反応ガス・ジェ
ットが反応チャンバーに入る方向を変えるためにバレル
・リアクターに対してノズルを軸回転させるようにノズ
ルに接続される。位置決めデバイスは、バレル・リアク
ターに対してノズルの位置を定量的に測定することを可
能にし、それにより、反応ガス・ジェットが反応チャン
バーに入る方向を選ぶためのノズルの狙い付けを再現性
良く行うことができる。
ジェットアッセンブリは、ノズルおよび位置決めデバイ
スを含んで成る。ノズルは、選択的に供給源から反応チ
ャンバーに反応ガスのジェットを選択的に供給するため
に反応ガスの供給源と流体連絡状態でバレル・リアクタ
ーに装着できるようになっている。ノズルは、反応ガス
・ジェットが反応チャンバーに入る方向を選択的に変え
るためにバレル・リアクターに対して軸回転可能（pivo
table）である。位置決めデバイスは、反応ガス・ジェ
ットが反応チャンバーに入る方向を変えるためにバレル
・リアクターに対してノズルを軸回転させるようにノズ
ルに接続される。位置決めデバイスは、バレル・リアク
ターに対してノズルの位置を定量的に測定することを可
能にし、それにより、反応ガス・ジェットが反応チャン
バーに入る方向を選ぶためのノズルの狙い付けを再現性
良く行うことができる。
【００１２】もう一つの要旨において、本発明の装置
は、ノズル、コネクターおよび多軸または複合軸ステー
ジ（multi-axis stage）を含んで成る。ノズルは、反応
ガス・ジェットが反応チャンバーに入る方向を選択的に
変えるために第１および第２の回転軸の回りでバレル・
リアクターに対して軸回転可能である。第２の軸は、一
般に第１の軸に対して一般的に（またはほぼ）垂直であ
る。コネクターは、ノズルに接続されて、また、反応チ
ャンバーから外向きに延び、コネクターの動きに応じて
ノズルをバレル・リアクターに対して軸回転するように
なっている。ノズルをバレル・リアクターに取り付ける
場合、複合軸ステージは、反応チャンバーの外部に配置
され、第１および第２のスライダー・ユニットを含む。
第１のユニットはコネクターに接続され、第２のユニッ
トはバレル・リアクターに接続される。第１のユニット
により、第２の軸の回りでノズルを軸回転するように第
１の面または平面においてバレル・リアクターに対して
コネクターが動くことができる。第２ユニットにより、
第１の軸の回りでノズルを軸回転するように第２の面ま
たは平面においてバレル・リアクターに対してコネクタ
ーが動くことができる。
は、ノズル、コネクターおよび多軸または複合軸ステー
ジ（multi-axis stage）を含んで成る。ノズルは、反応
ガス・ジェットが反応チャンバーに入る方向を選択的に
変えるために第１および第２の回転軸の回りでバレル・
リアクターに対して軸回転可能である。第２の軸は、一
般に第１の軸に対して一般的に（またはほぼ）垂直であ
る。コネクターは、ノズルに接続されて、また、反応チ
ャンバーから外向きに延び、コネクターの動きに応じて
ノズルをバレル・リアクターに対して軸回転するように
なっている。ノズルをバレル・リアクターに取り付ける
場合、複合軸ステージは、反応チャンバーの外部に配置
され、第１および第２のスライダー・ユニットを含む。
第１のユニットはコネクターに接続され、第２のユニッ
トはバレル・リアクターに接続される。第１のユニット
により、第２の軸の回りでノズルを軸回転するように第
１の面または平面においてバレル・リアクターに対して
コネクターが動くことができる。第２ユニットにより、
第１の軸の回りでノズルを軸回転するように第２の面ま
たは平面においてバレル・リアクターに対してコネクタ
ーが動くことができる。
【００１３】更にもう一つの要旨において、本発明はバ
レル・リアクターのノズルの狙いを最適に定める（ノズ
ルのエイミングを最適に行う）方法を含む。この方法
は、バレル・リアクター内の第１のターゲット部位に向
けてノズルの狙いを定め、ノズルを第１のターゲット部
位から離れた第２のターゲット部位に向けてノズルを所
定量軸回転させ、第１と第２のターゲット部位との間で
の距離を測定し、それにより、現在と所望の反応ガス供
給部位との間の距離に対してノズルの移動を相関する校
正係数（calibration factor）を得ることを含んで成
る。他の目的と特徴は、あるものについては明白であ
り、また、あるものについては本明細書にて以下に指摘
する。
レル・リアクターのノズルの狙いを最適に定める（ノズ
ルのエイミングを最適に行う）方法を含む。この方法
は、バレル・リアクター内の第１のターゲット部位に向
けてノズルの狙いを定め、ノズルを第１のターゲット部
位から離れた第２のターゲット部位に向けてノズルを所
定量軸回転させ、第１と第２のターゲット部位との間で
の距離を測定し、それにより、現在と所望の反応ガス供
給部位との間の距離に対してノズルの移動を相関する校
正係数（calibration factor）を得ることを含んで成
る。他の目的と特徴は、あるものについては明白であ
り、また、あるものについては本明細書にて以下に指摘
する。
【００１４】
【発明の実施の形態】図面（対応する引用符号は、図面
を通じて、対応する部分を示す）、特に、図１を参照し
て好ましい態様を説明する。図１は、ウェハーＷの一方
の面にＣＶＤ法を用いて半導体物質の層を形成する場合
に使用するバレル・リアクターを一般に１０により示
す。バレル・リアクターが、１２によって一般に示さ
れ、反応チャンバー（室）１４を規定するシェルを含
み、チャンバー内では、ウェハーＷが、ＣＶＤ法のため
に配置されている。シェルは、石英製の逆ベル・ジャー
（逆ベル型のジャー）または反応チャンバー用容器２
０、ガスリング２２およびシール・プレート２４を含ん
で成る。
を通じて、対応する部分を示す）、特に、図１を参照し
て好ましい態様を説明する。図１は、ウェハーＷの一方
の面にＣＶＤ法を用いて半導体物質の層を形成する場合
に使用するバレル・リアクターを一般に１０により示
す。バレル・リアクターが、１２によって一般に示さ
れ、反応チャンバー（室）１４を規定するシェルを含
み、チャンバー内では、ウェハーＷが、ＣＶＤ法のため
に配置されている。シェルは、石英製の逆ベル・ジャー
（逆ベル型のジャー）または反応チャンバー用容器２
０、ガスリング２２およびシール・プレート２４を含ん
で成る。
【００１５】リフト・アッセンブリ（一般に３０より示
される）が、反応チャンバー１４の上に配置され、石英
ハンガー３２および５つの側面を有する、ケイ素被覆グ
ラファイト・サセプター３４を上下してベル・ジャーの
外から中に、また中から外に入れたり出したりする。サ
セプター３４は、ハンガー３２からぶらさがる。サセプ
ター３４は、各側壁に３つの垂直に垂直に配置された窪
み部分３６を有し、各側壁は１５０ミリメートル（mm）
の半導体ウェハーＷを保持する寸法である。サセプター
３４の側壁が、底に向かってわずかに外向きのテーパを
有し、ウェハーＷが、サセプターに対して座して、重力
によって適当な状態に保たれる。さらに、このテーパー
は、ガスが下方へサセプター３４とベル・ジャー２０と
の間で下向きに流れる場合、境界層効果（boundary lay
er effect）を減らすことによってエピタキシャル層厚
さの均一性を改善する。本発明の範囲から逸脱すること
なく、サセプター３４が異なる数の側壁およびウェハー
用窪みを有することができて、異なる寸法のウェハー用
に構成できることが理解されよう。
される）が、反応チャンバー１４の上に配置され、石英
ハンガー３２および５つの側面を有する、ケイ素被覆グ
ラファイト・サセプター３４を上下してベル・ジャーの
外から中に、また中から外に入れたり出したりする。サ
セプター３４は、ハンガー３２からぶらさがる。サセプ
ター３４は、各側壁に３つの垂直に垂直に配置された窪
み部分３６を有し、各側壁は１５０ミリメートル（mm）
の半導体ウェハーＷを保持する寸法である。サセプター
３４の側壁が、底に向かってわずかに外向きのテーパを
有し、ウェハーＷが、サセプターに対して座して、重力
によって適当な状態に保たれる。さらに、このテーパー
は、ガスが下方へサセプター３４とベル・ジャー２０と
の間で下向きに流れる場合、境界層効果（boundary lay
er effect）を減らすことによってエピタキシャル層厚
さの均一性を改善する。本発明の範囲から逸脱すること
なく、サセプター３４が異なる数の側壁およびウェハー
用窪みを有することができて、異なる寸法のウェハー用
に構成できることが理解されよう。
【００１６】シール・プレート２４を支持するキャップ
４０は、サセプター３４の上に配置される。キャップ４
０に接続されたリフト・アーム４２によりキャップを上
下でき、ベル・ジャー２０に関して、シール・プレート
２４、ハンガー３２およびサセプター３４上下できる。
ハンガー３２およびサセプター３４をそれらの長手方向
軸の回りで回転するための駆動アッセンブリ４４と駆動
アッセンブリを制御するためのコントロール部４６は、
キャップ４０の頂部に位置する。キャップ４０を通して
接続されたパージガスライン４８は、シール・プレート
２４と駆動アッセンブリ４４に、パージガスを供給す
る。上に述べたようなバレル・リアクター１０の構造
は、半導体工業においては周知である。従って、概要的
なその説明、特徴、および操作を説明する。
４０は、サセプター３４の上に配置される。キャップ４
０に接続されたリフト・アーム４２によりキャップを上
下でき、ベル・ジャー２０に関して、シール・プレート
２４、ハンガー３２およびサセプター３４上下できる。
ハンガー３２およびサセプター３４をそれらの長手方向
軸の回りで回転するための駆動アッセンブリ４４と駆動
アッセンブリを制御するためのコントロール部４６は、
キャップ４０の頂部に位置する。キャップ４０を通して
接続されたパージガスライン４８は、シール・プレート
２４と駆動アッセンブリ４４に、パージガスを供給す
る。上に述べたようなバレル・リアクター１０の構造
は、半導体工業においては周知である。従って、概要的
なその説明、特徴、および操作を説明する。
【００１７】図２において示されるように、ガスリング
２２は、リングの対向側で水平にガスリングを通って延
びる２つのジェット・ポート・キャビティ（ジェット用
入口空隙部）５０を含む。キャビティ５０の各々は、半
径方向に関して斜めの方向でガスリング２２を通って延
びる。更に、キャビティの各々から周方向におよそ９０
゜離れた点Ｐにおいて、それらのキャビティの中心線が
途中で交差するように、キャビティ５０は向き決めされ
ている。ガス注入ジェット・アッセンブリ（一般に５２
によって示される）は、ジェット・ポートキャビティ５
０の各々において、部分的に受容される。反応ガスは、
ＣＶＤ法プロセスの間、これらのジェット・アッセンブ
リ５２を通して反応チャンバー１４に供給される。
２２は、リングの対向側で水平にガスリングを通って延
びる２つのジェット・ポート・キャビティ（ジェット用
入口空隙部）５０を含む。キャビティ５０の各々は、半
径方向に関して斜めの方向でガスリング２２を通って延
びる。更に、キャビティの各々から周方向におよそ９０
゜離れた点Ｐにおいて、それらのキャビティの中心線が
途中で交差するように、キャビティ５０は向き決めされ
ている。ガス注入ジェット・アッセンブリ（一般に５２
によって示される）は、ジェット・ポートキャビティ５
０の各々において、部分的に受容される。反応ガスは、
ＣＶＤ法プロセスの間、これらのジェット・アッセンブ
リ５２を通して反応チャンバー１４に供給される。
【００１８】図３は、ガス注入ジェット・アッセンブリ
５２を示す。ノズル（一般に６０で示される）は、アッ
センブリ５２の内側の端部（図３で示す場合は左向き
に）に配置される。内側チューブ状ボディ６２において
ノズル６０は保持され、そのボディ６２は外側チューブ
状ボディ６４に締結され、そのボディ６４はその外側の
端部に付けられたフレキシブル・ベローズ（蛇腹状部
材）６６を有する。内側および外側ボディ（６２および
６４）とベローズ６６は、一緒にノズルハウジングアッ
センブリを形づくる。ステム（stem）の形のコネクター
６８は、ノズル６０から７０によって一般的に示される
位置決めデバイスまで外向きに延びる。コネクター６８
は、１フィートまたはそれ以上と長くしてもよい。
５２を示す。ノズル（一般に６０で示される）は、アッ
センブリ５２の内側の端部（図３で示す場合は左向き
に）に配置される。内側チューブ状ボディ６２において
ノズル６０は保持され、そのボディ６２は外側チューブ
状ボディ６４に締結され、そのボディ６４はその外側の
端部に付けられたフレキシブル・ベローズ（蛇腹状部
材）６６を有する。内側および外側ボディ（６２および
６４）とベローズ６６は、一緒にノズルハウジングアッ
センブリを形づくる。ステム（stem）の形のコネクター
６８は、ノズル６０から７０によって一般的に示される
位置決めデバイスまで外向きに延びる。コネクター６８
は、１フィートまたはそれ以上と長くしてもよい。
【００１９】内側および外側ボディ６２および６４は結
合ナット７２によって接合される。内側ボディ６２の溝
に入られたＯ−リング７４は、内側と外側ボディ（６２
と６４）との間で、界面を封止する。ガスリング２２の
ジェット・ポート・キャビティ５０内部のねじと対にな
ってジェット・アッセンブリ５２に付けるために、内側
ボディ６２は、その内側端部の近くで、ねじ付き外側部
分７６を有する。第２のＯ−リング７８は、ガスリング
と対応するジェット・アッセンブリ５２との間の界面を
封止するために内側ボディ６２とガスリング２２との間
で閉じ込められる。図４において最もうまく示されるよ
うに、対向する球面のブッシング（spherical bushing
s）９０および９２はノズル６０を保持するために内側
ボディ６２の内側端部内に配置された球面のブッシング
・アッセンブリを形づくる。スプール（spool）９６
は、ブッシング９２の外側端部と接触し、ねじ付き保持
部材９８は、内側ボディ６２の内側直径のねじ部と係合
し、ブッシング・アッセンブリおよびスプールをボディ
内で所定状態に保持する。
合ナット７２によって接合される。内側ボディ６２の溝
に入られたＯ−リング７４は、内側と外側ボディ（６２
と６４）との間で、界面を封止する。ガスリング２２の
ジェット・ポート・キャビティ５０内部のねじと対にな
ってジェット・アッセンブリ５２に付けるために、内側
ボディ６２は、その内側端部の近くで、ねじ付き外側部
分７６を有する。第２のＯ−リング７８は、ガスリング
と対応するジェット・アッセンブリ５２との間の界面を
封止するために内側ボディ６２とガスリング２２との間
で閉じ込められる。図４において最もうまく示されるよ
うに、対向する球面のブッシング（spherical bushing
s）９０および９２はノズル６０を保持するために内側
ボディ６２の内側端部内に配置された球面のブッシング
・アッセンブリを形づくる。スプール（spool）９６
は、ブッシング９２の外側端部と接触し、ねじ付き保持
部材９８は、内側ボディ６２の内側直径のねじ部と係合
し、ブッシング・アッセンブリおよびスプールをボディ
内で所定状態に保持する。
【００２０】再び図３を参照すると、外側ボディ６４
は、その側面を通って延びるポート（口部分）１００を
有し、ポートは、ジェット・アッセンブリ５２に反応ガ
スを供給するためにライン１０４（図１）と連絡するた
めの取付け部品１０２を含む。ベローズ６６は、対向す
る球面のブッシング１１２および１１４を有する第２の
ブッシング・アッセンブリを保持するためのその外側端
部の円筒状の部分１１０および締結部材１０８によりベ
ローズ６６を外側ボディ６４に付けるためのその内側端
部のフランジ１０６を含む。ねじ付き保持部材１１８
は、そのブッシング・アッセンブリをベローズ６６内で
所定状態で保持するためにベローズの円筒状の部分１１
０の内部の直径上のねじにねじ込まれる。
は、その側面を通って延びるポート（口部分）１００を
有し、ポートは、ジェット・アッセンブリ５２に反応ガ
スを供給するためにライン１０４（図１）と連絡するた
めの取付け部品１０２を含む。ベローズ６６は、対向す
る球面のブッシング１１２および１１４を有する第２の
ブッシング・アッセンブリを保持するためのその外側端
部の円筒状の部分１１０および締結部材１０８によりベ
ローズ６６を外側ボディ６４に付けるためのその内側端
部のフランジ１０６を含む。ねじ付き保持部材１１８
は、そのブッシング・アッセンブリをベローズ６６内で
所定状態で保持するためにベローズの円筒状の部分１１
０の内部の直径上のねじにねじ込まれる。
【００２１】ノズル６０が、チューブ状セクション１２
０（図４）を有し、これは、反応チャンバー１４にジェ
ットとして反応ガスを導入する。球面のジャーナル（jo
urnal）１２２が、チューブ状セクション１２０の外側
端部で形づくられて、内側ボディ６２において対向する
球面のブッシング９０と９２との間で形成され、それに
よりノズル６０と内側ボディの間の界面を封止する、そ
して、ノズル・ハウジング・アッセンブリ内でノズルが
軸回転（ピボット）できるようになる。コネクターステ
ム６８は、チューブ状セクション１２０に対向してジャ
ーナル１２２と一体に形づくられる。ステム６８は、こ
のステムからジャーナル１２２およびチューブ状セクシ
ョン１２０を通って延びる内部パス１２４を含む。オリ
フィス１２６は垂直にステム６８を通って延びて、ノズ
ル・ハウジングと内部パス１２４との間で流体連絡を提
供し、ハウジング・アッセンブリの内部からノズルのチ
ューブ状セクション１２０に反応ガスを導き、その結
果、反応ガスは反応チャンバー１４に入ることができ
る。他の向きも本発明の範囲内に含まれるが、両方のジ
ェット・アッセンブリ５２のオリフィス１２６が相互に
関して同様に向き決めされるとき、均一なエピタキシャ
ル層厚さが達成されることが見い出された。好ましく
は、オリフィス１２６のセンターライン軸が垂直となる
ように、両方のジェット・アッセンブリ５２のステム６
８が向きを定められる。ステム６８がバレル・リアクタ
ー１０に対してノズルを軸回転するように位置決めデバ
イス７０に接続され、それにより、反応ガス・ジェット
が反応チャンバー１４に入る方向が変わる。第２のブッ
シング・アッセンブリ１１０の内部に配置された球面ベ
アリング１２８は、滑動可能にコネクター６８を受容す
る。このベアリング１２８はブッシング・アッセンブリ
１１０内部でピボット可能であり、そのため、ノズル６
０がブッシング・アッセンブリ９０内部の球面ジャーナ
ル１２２の回りで軸回転するとき、ベアリングは拘束し
ない。ステムとベアリング１２８との間のＯ−リング１
３０が、この２つの間の界面を封止する。
０（図４）を有し、これは、反応チャンバー１４にジェ
ットとして反応ガスを導入する。球面のジャーナル（jo
urnal）１２２が、チューブ状セクション１２０の外側
端部で形づくられて、内側ボディ６２において対向する
球面のブッシング９０と９２との間で形成され、それに
よりノズル６０と内側ボディの間の界面を封止する、そ
して、ノズル・ハウジング・アッセンブリ内でノズルが
軸回転（ピボット）できるようになる。コネクターステ
ム６８は、チューブ状セクション１２０に対向してジャ
ーナル１２２と一体に形づくられる。ステム６８は、こ
のステムからジャーナル１２２およびチューブ状セクシ
ョン１２０を通って延びる内部パス１２４を含む。オリ
フィス１２６は垂直にステム６８を通って延びて、ノズ
ル・ハウジングと内部パス１２４との間で流体連絡を提
供し、ハウジング・アッセンブリの内部からノズルのチ
ューブ状セクション１２０に反応ガスを導き、その結
果、反応ガスは反応チャンバー１４に入ることができ
る。他の向きも本発明の範囲内に含まれるが、両方のジ
ェット・アッセンブリ５２のオリフィス１２６が相互に
関して同様に向き決めされるとき、均一なエピタキシャ
ル層厚さが達成されることが見い出された。好ましく
は、オリフィス１２６のセンターライン軸が垂直となる
ように、両方のジェット・アッセンブリ５２のステム６
８が向きを定められる。ステム６８がバレル・リアクタ
ー１０に対してノズルを軸回転するように位置決めデバ
イス７０に接続され、それにより、反応ガス・ジェット
が反応チャンバー１４に入る方向が変わる。第２のブッ
シング・アッセンブリ１１０の内部に配置された球面ベ
アリング１２８は、滑動可能にコネクター６８を受容す
る。このベアリング１２８はブッシング・アッセンブリ
１１０内部でピボット可能であり、そのため、ノズル６
０がブッシング・アッセンブリ９０内部の球面ジャーナ
ル１２２の回りで軸回転するとき、ベアリングは拘束し
ない。ステムとベアリング１２８との間のＯ−リング１
３０が、この２つの間の界面を封止する。
【００２２】図３および５を参照すると、位置決めデバ
イスは、水平移動のために向きを定められた第１のスラ
イダーユニット（slider unit）１４０および第１のユ
ニットに連結されて垂直移動のために向き決めされた第
２のスライダーユニット１４２を含む複合（または多
軸）ステージ（multiple axis stage）を有して成る。
コネクター６８が、第１のスライダーユニット１４０
に、そして、第２のスライダーユニットがベース１４４
に接続され、このベースはバレル・リアクター１０を囲
むテーブル１４６（図１）に取り付けられ、その結果、
第１および第２スライダーユニットを動かすと、反応チ
ャンバー１４に対して、ノズル６０が移動する。スライ
ダーユニットの各々は、その向きを除いて実質的に同じ
である。
イスは、水平移動のために向きを定められた第１のスラ
イダーユニット（slider unit）１４０および第１のユ
ニットに連結されて垂直移動のために向き決めされた第
２のスライダーユニット１４２を含む複合（または多
軸）ステージ（multiple axis stage）を有して成る。
コネクター６８が、第１のスライダーユニット１４０
に、そして、第２のスライダーユニットがベース１４４
に接続され、このベースはバレル・リアクター１０を囲
むテーブル１４６（図１）に取り付けられ、その結果、
第１および第２スライダーユニットを動かすと、反応チ
ャンバー１４に対して、ノズル６０が移動する。スライ
ダーユニットの各々は、その向きを除いて実質的に同じ
である。
【００２３】第１スライダーユニット１４０は、一般に
チャンネル形状の部分または溝状部分（channel-shaped
portion）１５０およびチャンネル形状部分のチャンネ
ル内に受容された矩形の部分１５２を含む。一対の保持
器またはケージに入れられた線状のボール・ベアリング
・アッセンブリ（caged linear ball bearing assembl
y）１５４（ケージ部は図５に示す）は、チャンネルの
対向側面（図示せず）および対向側面に面する矩形の部
分１５２の側面において形成された溝で動く。留め具１
５８によって第１スライダーユニット１４０の矩形の部
分１５４に固定的に取り付けられたブラケット（bracke
t）１５６は、球面ベアリングおよびブッシング・アッ
センブリ１６０を支持し、これはブラケットの下方へ突
出している部分１６２の下側の端部を通ってねじ留めさ
れている。コネクター６８は、ベアリングおよびブッシ
ング・アッセンブリ１６０の自由端で開口部を介して受
容され、これにより、コネクター６８とブラケット１５
６との間で万能（または自在）ピボット運動（universa
l pivoting motion）を可能にする。
チャンネル形状の部分または溝状部分（channel-shaped
portion）１５０およびチャンネル形状部分のチャンネ
ル内に受容された矩形の部分１５２を含む。一対の保持
器またはケージに入れられた線状のボール・ベアリング
・アッセンブリ（caged linear ball bearing assembl
y）１５４（ケージ部は図５に示す）は、チャンネルの
対向側面（図示せず）および対向側面に面する矩形の部
分１５２の側面において形成された溝で動く。留め具１
５８によって第１スライダーユニット１４０の矩形の部
分１５４に固定的に取り付けられたブラケット（bracke
t）１５６は、球面ベアリングおよびブッシング・アッ
センブリ１６０を支持し、これはブラケットの下方へ突
出している部分１６２の下側の端部を通ってねじ留めさ
れている。コネクター６８は、ベアリングおよびブッシ
ング・アッセンブリ１６０の自由端で開口部を介して受
容され、これにより、コネクター６８とブラケット１５
６との間で万能（または自在）ピボット運動（universa
l pivoting motion）を可能にする。
【００２４】押し付けプレート（thrust plate）１６４
は、矩形の部分１５２の左の端（図５で見た場合）に固
定的に接続される。押し付けプレート１６４から延びて
いる２つの案内ロッド１６６は、チャンネル形状部分１
５０内に滑動的に受容される。案内ロッド１６６内部の
コイルばね（図示せず）は、図５で示す場合では矩形の
部分１５２を右にバイアスさせる。押し付けプレート１
６４の最上部から右に突出するトング（tongue）１６８
は長手方向スロット（図示せず）を有し、これを通って
位置決めファスナー１７０がチャンネル形状部分１５０
内に受容される。位置決めファスナー１７０が締結され
ない限り、トング１６８は押し付けプレート１６４と共
にチャンネル形状部分１５０のエンドプレート１７２に
対して動く。矩形部分およびチャンネル形状部分（１５
０および１５２）はファスナー１７０を締めることによ
って相互に所定状態で固定できる。
は、矩形の部分１５２の左の端（図５で見た場合）に固
定的に接続される。押し付けプレート１６４から延びて
いる２つの案内ロッド１６６は、チャンネル形状部分１
５０内に滑動的に受容される。案内ロッド１６６内部の
コイルばね（図示せず）は、図５で示す場合では矩形の
部分１５２を右にバイアスさせる。押し付けプレート１
６４の最上部から右に突出するトング（tongue）１６８
は長手方向スロット（図示せず）を有し、これを通って
位置決めファスナー１７０がチャンネル形状部分１５０
内に受容される。位置決めファスナー１７０が締結され
ない限り、トング１６８は押し付けプレート１６４と共
にチャンネル形状部分１５０のエンドプレート１７２に
対して動く。矩形部分およびチャンネル形状部分（１５
０および１５２）はファスナー１７０を締めることによ
って相互に所定状態で固定できる。
【００２５】第１スライダーユニット１４０のチャンネ
ル形状部分１５０のエンドプレート１７２に取り付けた
マイクロメーター（測微計）１７４は、エンドプレート
を通って延びて、矩形の部分１５２の押し付けプレート
１６４に埋め込まれた硬質の球面ベアリング１７６に係
合する。測微計１７４は、ベアリング１７６にも押し付
けプレート１６４にも接続されていない。しかし、案内
ロッド内部のコイルばねが、測微計に対してベアリング
をバイアスさせ、チャンネル形状部分および矩形部分
（１５０および１５２）は、同じく矩形の部分を右にバ
イアスする（図５の場合）板ばね１７８によって相互に
接続され、硬質ベアリング１７６を測微計１７４の端部
との接触状態で維持する。
ル形状部分１５０のエンドプレート１７２に取り付けた
マイクロメーター（測微計）１７４は、エンドプレート
を通って延びて、矩形の部分１５２の押し付けプレート
１６４に埋め込まれた硬質の球面ベアリング１７６に係
合する。測微計１７４は、ベアリング１７６にも押し付
けプレート１６４にも接続されていない。しかし、案内
ロッド内部のコイルばねが、測微計に対してベアリング
をバイアスさせ、チャンネル形状部分および矩形部分
（１５０および１５２）は、同じく矩形の部分を右にバ
イアスする（図５の場合）板ばね１７８によって相互に
接続され、硬質ベアリング１７６を測微計１７４の端部
との接触状態で維持する。
【００２６】測微計１７４は、ノブ１８４を回すことに
よりケーシング１８２に対してスクリュー（screw）１
８０を引き出すか引っ込めることができる、スクリュー
１８０を有している通常の副尺付きの測微計である。ノ
ブおよびケーシングのバーニヤ（副尺）目盛（１８６お
よび１８８）により、ケーシング１８２に対するスクリ
ュー１８０の位置の正確な量的測定または決定ができ
る。測微計１７４のノブ１８４を時計回り（図５におい
て右から見た場合）に回すならば、スクリュー部分１８
０がケーシング１８２から延びて、それにより、チャン
ネル形状部分に対して左に押し付けプレート１６４（そ
して、それゆえに、矩形の部分１５２）を押す。測微計
１７４がケーシング１８２内にスクリュー部分１８０を
引き込むために逆時計回りに回されるとき、板ばね１７
８は矩形の部分１５２を右に動かすように作用する。第
１スライダーユニット１４０の矩形の部分１５２がコネ
クター６８に接続されているので、測微計１７４が回さ
れる場合、球面のジャーナル１２２の中心部を通過する
垂直軸の回りでノズル６０が軸回転し、正確にノズルの
向きを水平面にて定める。
よりケーシング１８２に対してスクリュー（screw）１
８０を引き出すか引っ込めることができる、スクリュー
１８０を有している通常の副尺付きの測微計である。ノ
ブおよびケーシングのバーニヤ（副尺）目盛（１８６お
よび１８８）により、ケーシング１８２に対するスクリ
ュー１８０の位置の正確な量的測定または決定ができ
る。測微計１７４のノブ１８４を時計回り（図５におい
て右から見た場合）に回すならば、スクリュー部分１８
０がケーシング１８２から延びて、それにより、チャン
ネル形状部分に対して左に押し付けプレート１６４（そ
して、それゆえに、矩形の部分１５２）を押す。測微計
１７４がケーシング１８２内にスクリュー部分１８０を
引き込むために逆時計回りに回されるとき、板ばね１７
８は矩形の部分１５２を右に動かすように作用する。第
１スライダーユニット１４０の矩形の部分１５２がコネ
クター６８に接続されているので、測微計１７４が回さ
れる場合、球面のジャーナル１２２の中心部を通過する
垂直軸の回りでノズル６０が軸回転し、正確にノズルの
向きを水平面にて定める。
【００２７】第２スライダーユニット１４２は、第１ユ
ニット１４０と実質的に同じ構造である。しかし、第２
ユニット１４２は、図５における第１ユニット１４０の
状態から反時計回りに９０゜回した状態の向きである。
第２ユニット１４２は一般にチャンネル形状部分１９０
およびチャンネル形状部分のチャンネル内に受容された
矩形の部分１９２を含む。一対のケージに入れられた線
状のボールベアリング（図示せず）は、矩形の部分１９
２をチャンネル形状部分１９０に対して滑動的に連結す
る。第１ユニット１４０のチャンネル形状部分１５０
は、第２ユニットの矩形の部分と共に第１ユニットが一
緒に垂直方向に動くように、第２ユニット１４２の矩形
の部分１９２に固定的に接続される。第１ユニット１４
０に接続されたブラケット１５６に接続されるコネクタ
ー６８は、第２ユニット１４２の矩形の部分１９２と共
に垂直に動く。第２ユニット１４２のチャンネル形状部
分１９０が、バレル・リアクター１０を囲むテーブル１
４６（図１）に付けられたベース１４４に取り付けられ
る。
ニット１４０と実質的に同じ構造である。しかし、第２
ユニット１４２は、図５における第１ユニット１４０の
状態から反時計回りに９０゜回した状態の向きである。
第２ユニット１４２は一般にチャンネル形状部分１９０
およびチャンネル形状部分のチャンネル内に受容された
矩形の部分１９２を含む。一対のケージに入れられた線
状のボールベアリング（図示せず）は、矩形の部分１９
２をチャンネル形状部分１９０に対して滑動的に連結す
る。第１ユニット１４０のチャンネル形状部分１５０
は、第２ユニットの矩形の部分と共に第１ユニットが一
緒に垂直方向に動くように、第２ユニット１４２の矩形
の部分１９２に固定的に接続される。第１ユニット１４
０に接続されたブラケット１５６に接続されるコネクタ
ー６８は、第２ユニット１４２の矩形の部分１９２と共
に垂直に動く。第２ユニット１４２のチャンネル形状部
分１９０が、バレル・リアクター１０を囲むテーブル１
４６（図１）に付けられたベース１４４に取り付けられ
る。
【００２８】第２ユニット１４２の矩形の部分１９２の
下側の端で、押し付けプレート２０２は、矩形の部分に
固定的に接続される。押し付けプレート２０２から上方
へ延びている案内ロッド２０４は、チャンネル形状部分
１９０に滑動可能に受容される。案内ロッド２０４内の
コイルばね（図示されず）は、矩形の部分１９２を上方
にバイアスさせる。押し付けプレート２０２の左の端
（図５の場合）から上向きに突出するトング２０６が、
縦長のスロット２０８（図３）を有し、これを通って、
位置決めファスナー２１０が、チャンネル形状部分１９
０に固定したエンドプレート２１２の左の端内に受容さ
れる。位置決めファスナー２１０が締結されない限り、
トング２０６は押し付けプレート２０２と共にチャンネ
ル形状部分１９０のエンドプレートに対して動く。第２
ユニット１４４の矩形部分１９２およびチャンネル形状
部分１９０は、それぞれ、位置決めファスナー２１０を
締結することにより、相互に対して所定のように固定で
きる。
下側の端で、押し付けプレート２０２は、矩形の部分に
固定的に接続される。押し付けプレート２０２から上方
へ延びている案内ロッド２０４は、チャンネル形状部分
１９０に滑動可能に受容される。案内ロッド２０４内の
コイルばね（図示されず）は、矩形の部分１９２を上方
にバイアスさせる。押し付けプレート２０２の左の端
（図５の場合）から上向きに突出するトング２０６が、
縦長のスロット２０８（図３）を有し、これを通って、
位置決めファスナー２１０が、チャンネル形状部分１９
０に固定したエンドプレート２１２の左の端内に受容さ
れる。位置決めファスナー２１０が締結されない限り、
トング２０６は押し付けプレート２０２と共にチャンネ
ル形状部分１９０のエンドプレートに対して動く。第２
ユニット１４４の矩形部分１９２およびチャンネル形状
部分１９０は、それぞれ、位置決めファスナー２１０を
締結することにより、相互に対して所定のように固定で
きる。
【００２９】第２のスライダーユニット１４２のチャン
ネル形状部分１９０のエンドプレート２１２の上に取り
付けられた第２の測微計２１４は、このエンドプレート
を通って延びて、矩形の部分１９２の押し付けプレート
２０２に埋め込まれた硬質の球面ベアリング２１６に係
合する。測微計２１４はベアリング２１６にも押し付け
プレート２０２にも、接続されない。しかし、案内ロッ
ド内部のコイルばねは測微計に対してベアリングをバイ
アスさせる。チャンネル形状部分１９０および矩形の部
分１９２は、上方へさらに矩形の部分をバイアスする板
ばね２１８によって相互に連結され、硬質のベアリング
２１６が測微計２１４の端と一定の係合状態で維持され
る。
ネル形状部分１９０のエンドプレート２１２の上に取り
付けられた第２の測微計２１４は、このエンドプレート
を通って延びて、矩形の部分１９２の押し付けプレート
２０２に埋め込まれた硬質の球面ベアリング２１６に係
合する。測微計２１４はベアリング２１６にも押し付け
プレート２０２にも、接続されない。しかし、案内ロッ
ド内部のコイルばねは測微計に対してベアリングをバイ
アスさせる。チャンネル形状部分１９０および矩形の部
分１９２は、上方へさらに矩形の部分をバイアスする板
ばね２１８によって相互に連結され、硬質のベアリング
２１６が測微計２１４の端と一定の係合状態で維持され
る。
【００３０】第２の測微計（一般に２１４で示される）
は、ノブ２２４を回すことによってケーシング２２２内
で回転してスクリューを本ケーシングから出し入れでき
るスクリュー２２０を有する通常のバーニヤ測微計であ
る。ノブとケーシングのバーニヤ目盛２２６および２２
８は、ケーシング２２２に対するスクリュー２２０の位
置の正確な量的測定を可能にする。本発明の範囲から逸
脱することなく、他のタイプの測微計および／またはア
クチュエーター、例えばデジタル電子マイクロメータ
を、好ましい態様の手動のアナログ型の第１および第２
の測微計１７４および２１４の代わりに用いることがで
きることが考えられる。第２の測微計２１４のノブ２２
４が時計回りに（上から見た場合）回すと、スクリュー
２２０はケーシング２２２から延びて、チャンネル形状
部分１９０に対して下向きに押し付けプレート２０２を
（そして、それゆえに、矩形の部分１９２を）押す。第
２の測微計２１４がケーシング２２２内にスクリュー２
２０を引き込むように回される場合、板ばね２１８およ
び案内ロッド２０４内部のコイルばねは矩形の部分１９
２を上方に動かすように作用する。このように、第１ユ
ニット１４０およびコネクター６８が第２ユニット１４
２の矩形の部分１９２と共に一緒に垂直移動するように
取り付けられているので、第２の測微計２１４を回すこ
とによって垂直面におけるノズル６０の非常に正確なピ
ボット回転がなしとげられることが判る。
は、ノブ２２４を回すことによってケーシング２２２内
で回転してスクリューを本ケーシングから出し入れでき
るスクリュー２２０を有する通常のバーニヤ測微計であ
る。ノブとケーシングのバーニヤ目盛２２６および２２
８は、ケーシング２２２に対するスクリュー２２０の位
置の正確な量的測定を可能にする。本発明の範囲から逸
脱することなく、他のタイプの測微計および／またはア
クチュエーター、例えばデジタル電子マイクロメータ
を、好ましい態様の手動のアナログ型の第１および第２
の測微計１７４および２１４の代わりに用いることがで
きることが考えられる。第２の測微計２１４のノブ２２
４が時計回りに（上から見た場合）回すと、スクリュー
２２０はケーシング２２２から延びて、チャンネル形状
部分１９０に対して下向きに押し付けプレート２０２を
（そして、それゆえに、矩形の部分１９２を）押す。第
２の測微計２１４がケーシング２２２内にスクリュー２
２０を引き込むように回される場合、板ばね２１８およ
び案内ロッド２０４内部のコイルばねは矩形の部分１９
２を上方に動かすように作用する。このように、第１ユ
ニット１４０およびコネクター６８が第２ユニット１４
２の矩形の部分１９２と共に一緒に垂直移動するように
取り付けられているので、第２の測微計２１４を回すこ
とによって垂直面におけるノズル６０の非常に正確なピ
ボット回転がなしとげられることが判る。
【００３１】このように構成すると、ノズル６０の方向
（従って、ガス・ジェットが反応チャンバー１４に入る
方向）は、測微計ノブ１８４および２２４の各々を回す
ことによって調節することができる。各ガス注入アッセ
ンブリ５２の第１の測微計１７４は、テーブル１４６に
対して第１のユニット１４０の対応する矩形の部分１５
２を水平に動かすように調節でき、コネクター６８を垂
直軸の回りで軸回転して水平面においてノズル６０を調
節する。同じように、第２の測微計２１４は、テーブル
１４６に対して第２のユニット１４２を垂直に動かすよ
うに調節することができ、水平軸の回りでコネクター６
８を軸回転して、垂直面においてノズル６０を調節す
る。第１および第２のスライダーユニット（１４０およ
び１４２）の運動を組み合わせることによって、ノズル
６０は、キャビティ５０のセンターラインに対して垂直
な面にあればどこにあるターゲット（ノズルおよびスラ
イダーユニットの動く範囲内で）に対しても狙いを定め
ること（エイミング、aiming）ができる。これらの双方
のノズルの調整は、サセプター３４に沿った垂直方向に
おける物質の厚さのウェハー内およびウェハー間の均一
性に影響を及ぼす。測微計が目盛１８６、１８８、２２
６および２２８を含むので、位置決めは再現性があり、
垂直厚さの均一性の精密なコントロールを達成できる。
（従って、ガス・ジェットが反応チャンバー１４に入る
方向）は、測微計ノブ１８４および２２４の各々を回す
ことによって調節することができる。各ガス注入アッセ
ンブリ５２の第１の測微計１７４は、テーブル１４６に
対して第１のユニット１４０の対応する矩形の部分１５
２を水平に動かすように調節でき、コネクター６８を垂
直軸の回りで軸回転して水平面においてノズル６０を調
節する。同じように、第２の測微計２１４は、テーブル
１４６に対して第２のユニット１４２を垂直に動かすよ
うに調節することができ、水平軸の回りでコネクター６
８を軸回転して、垂直面においてノズル６０を調節す
る。第１および第２のスライダーユニット（１４０およ
び１４２）の運動を組み合わせることによって、ノズル
６０は、キャビティ５０のセンターラインに対して垂直
な面にあればどこにあるターゲット（ノズルおよびスラ
イダーユニットの動く範囲内で）に対しても狙いを定め
ること（エイミング、aiming）ができる。これらの双方
のノズルの調整は、サセプター３４に沿った垂直方向に
おける物質の厚さのウェハー内およびウェハー間の均一
性に影響を及ぼす。測微計が目盛１８６、１８８、２２
６および２２８を含むので、位置決めは再現性があり、
垂直厚さの均一性の精密なコントロールを達成できる。
【００３２】ノズル６０の狙いを定めたなら、バレル・
リアクターの反応チャンバー１４に反応ガスを供給する
準備は完了する。反応ガスは、入口１００通って各ノズ
ルハウジングアッセンブリに入り、オリフィス１２６を
通って、内部パス１２４に入る。ノズル６０は、反応チ
ャンバー１４にジェットとしてガスを導入する。各ノズ
ルからのジェットが、点Ｐ（図２）で衝突し、理想的に
は、ジェットの質量流量（mass flow rate）が等しい場
合には、ジェットの周方向速度成分がなくなる。ガス
は、十分に混合した後、サセプター３４と反応チャンバ
ー１４の内側の隔壁の間を一般に下方に向かってサセプ
ター内に保持されたウェハーＷの露出面の上を移動す
る。
リアクターの反応チャンバー１４に反応ガスを供給する
準備は完了する。反応ガスは、入口１００通って各ノズ
ルハウジングアッセンブリに入り、オリフィス１２６を
通って、内部パス１２４に入る。ノズル６０は、反応チ
ャンバー１４にジェットとしてガスを導入する。各ノズ
ルからのジェットが、点Ｐ（図２）で衝突し、理想的に
は、ジェットの質量流量（mass flow rate）が等しい場
合には、ジェットの周方向速度成分がなくなる。ガス
は、十分に混合した後、サセプター３４と反応チャンバ
ー１４の内側の隔壁の間を一般に下方に向かってサセプ
ター内に保持されたウェハーＷの露出面の上を移動す
る。
【００３３】定期的に装置を校正（キャリブレーショ
ン）するために、従来の技術の欄において説明した従来
の調整方法のために使われるのと同様のターゲット・グ
リッドを、ジェットが理想的に導入されるべき反応チャ
ンバー１４に配置する。従来技術の方法と同様に、チュ
ーブ状のポインター（図示せず）をノズルの端部に配置
する。測微計１７４ならびに２１４を調節して、ポイン
ターをターゲット・グリッドの中央と整列させ、それぞ
れの目盛１８６、１８８、２２６および２２８の位置を
読み取って記録する。次に、中央のターゲット点から予
め定められた距離（例えば、５mm）だけ右または左の所
に位置する第２ターゲット点とポインターが整列するよ
うに測微計１７４を調節し、目盛１８６および１８８の
位置を再び読み取って記録する。同じように、測微計１
７４を調節して中央ターゲット位置に戻し、測微計２１
４は、中央ターゲット点の直上または直下、予め定めら
れた距離に位置する第３のターゲット点とポインターが
整列するように調節され、目盛の位置２２６および２２
８を読み取って記録する。ノズル・グリッド位置と測微
計読みとの間の相関係数を計算することができる、それ
によって、ノズル移動は測微計の延伸または前進および
収縮または後退に精密に相関させることができる。例え
ば、ポインターが２つのターゲットグリッドユニットを
移動する場合に第１の測微計１７４を１０ユニット動か
すなら、ターゲットの面における所望のノズル移動の１
ユニットについて測微計を５ユニットを動かす。このよ
うにして、オペレーターは、測微計の設定値を得るため
に相関式を用いて常套のグリッドユニットを用いること
ができる。
ン）するために、従来の技術の欄において説明した従来
の調整方法のために使われるのと同様のターゲット・グ
リッドを、ジェットが理想的に導入されるべき反応チャ
ンバー１４に配置する。従来技術の方法と同様に、チュ
ーブ状のポインター（図示せず）をノズルの端部に配置
する。測微計１７４ならびに２１４を調節して、ポイン
ターをターゲット・グリッドの中央と整列させ、それぞ
れの目盛１８６、１８８、２２６および２２８の位置を
読み取って記録する。次に、中央のターゲット点から予
め定められた距離（例えば、５mm）だけ右または左の所
に位置する第２ターゲット点とポインターが整列するよ
うに測微計１７４を調節し、目盛１８６および１８８の
位置を再び読み取って記録する。同じように、測微計１
７４を調節して中央ターゲット位置に戻し、測微計２１
４は、中央ターゲット点の直上または直下、予め定めら
れた距離に位置する第３のターゲット点とポインターが
整列するように調節され、目盛の位置２２６および２２
８を読み取って記録する。ノズル・グリッド位置と測微
計読みとの間の相関係数を計算することができる、それ
によって、ノズル移動は測微計の延伸または前進および
収縮または後退に精密に相関させることができる。例え
ば、ポインターが２つのターゲットグリッドユニットを
移動する場合に第１の測微計１７４を１０ユニット動か
すなら、ターゲットの面における所望のノズル移動の１
ユニットについて測微計を５ユニットを動かす。このよ
うにして、オペレーターは、測微計の設定値を得るため
に相関式を用いて常套のグリッドユニットを用いること
ができる。
【００３４】一旦校正を行えば、反応チャンバー２０の
交換のような、装置変更が行われるまで、再校正は必要
でない。従って、オペレーターは、リアクター１０を開
いてターゲット・グリッドとポインターを配置すること
なく、ジェット位置を確認するために、簡単に測微計設
定をチェックすることができる。厚さの変動に気付いた
ならば、反応チャンバーの外側にある測微計を調節する
ことによって位置を少し変更してよい。長いコネクター
長さと測微計により行える精密調整のために、非常に正
確で再現性のあるノズル調整ができる。本発明の装置
は、オペレーターのミスによる後処理および従来の技術
の欄にて説明した繊細なノズル調整手順の問題を解消す
る。ノズル調整が部分的にジェット・アッセンブリを分
解することを含まないので、調節は容易かつ速く行うこ
とができ、停止時間を減らすことができる。それに加え
て、ポインターおよびターゲットを時々配置するだけで
あり、またジェット・アッセンブリの分解に新しい手順
を必要としないので、反応チャンバーに不純物が入る機
会が減る。
交換のような、装置変更が行われるまで、再校正は必要
でない。従って、オペレーターは、リアクター１０を開
いてターゲット・グリッドとポインターを配置すること
なく、ジェット位置を確認するために、簡単に測微計設
定をチェックすることができる。厚さの変動に気付いた
ならば、反応チャンバーの外側にある測微計を調節する
ことによって位置を少し変更してよい。長いコネクター
長さと測微計により行える精密調整のために、非常に正
確で再現性のあるノズル調整ができる。本発明の装置
は、オペレーターのミスによる後処理および従来の技術
の欄にて説明した繊細なノズル調整手順の問題を解消す
る。ノズル調整が部分的にジェット・アッセンブリを分
解することを含まないので、調節は容易かつ速く行うこ
とができ、停止時間を減らすことができる。それに加え
て、ポインターおよびターゲットを時々配置するだけで
あり、またジェット・アッセンブリの分解に新しい手順
を必要としないので、反応チャンバーに不純物が入る機
会が減る。
【００３５】上記を考慮すると、本発明のいくつかの目
的が達成され、他の有益な結果が得られることが判る。
本発明の範囲から逸脱することなく、上述の構成におい
て種々の変更は可能であり、上記の明細書に含まれてい
るか、添付図面において示された全ての事項は例であっ
て、制限する意味ではないことを意図するものである。
的が達成され、他の有益な結果が得られることが判る。
本発明の範囲から逸脱することなく、上述の構成におい
て種々の変更は可能であり、上記の明細書に含まれてい
るか、添付図面において示された全ての事項は例であっ
て、制限する意味ではないことを意図するものである。
【図１】 バレル・リアクターの部分的な模式的斜視図
である。
である。
【図２】 ガスリングとガス・インジェクター・ジェッ
ト・アッセンブリの上面図である。
ト・アッセンブリの上面図である。
【図３】 ジェット・アッセンブリと多軸ステージの部
分的に断面図で示した部分側面図である。
分的に断面図で示した部分側面図である。
【図４】 図３のジェット・アッセンブリの内側の端部
の拡大部分断面図である。
の拡大部分断面図である。
【図５】 多軸ステージの後部立面図である。
１０…バレル・リアクター、１４…反応チャンバー、２
０…反応チャンバー容器、２２…ガスリング、２４…シ
ール・プレート、３０…リフト・アッセンブリ、３２…
石英ハンガー、３４…サセプター、３６…窪み部分、４
０…キャップ、４２…リフト・アーム、４４…駆動アッ
センブリ、４６…コントロール部、４８…パージガスラ
イン、５０…ジェット・ポート・キャビティ、５２…ガ
ス注入ジェット・アッセンブリ、６０…ノズル、６２…
内側チューブ状ボディ、６４…外部チューブ状ボディ、
６６…フレキシブル・ベローズ、６８…コネクター、７
０…位置決めデバイス、７２…結合ナット、７４，７
８，１３０…Ｏ−リング、７６…ねじ付き外側部分、９
０，９２，１１２，１１４…ブッシング、９６…スプー
ル、９８…ねじ付き保持部材、１００…ポート（Ｄ）、
１０２…取付け部品、１０４…ライン、１０６…フラン
ジ、１０８…締結部材、１１０…円筒状部分、１１８…
ねじ付き保持部材、１２０…チューブ状セクション、１
２２…ジャーナル、１２４…内部パス、１２６…オリフ
ィス、１２８…球面ベアリング、１４０…第１スライダ
ーユニット、１４２…第２スライダーユニット、１４４
…ベース、１４６…テーブル、１５０，１９０…チャン
ネル形状部分、１５２，１９２…矩形の部分、１５４…
ボール・ベアリング・アッセンブリ、１５６…ブラケッ
ト、１５８…留め具、１６０…ブッシング・アッセンブ
リ、１６２…突出部分、１６４，２０２…押し付けプレ
ート、１６６，２０４…案内ロッド、１６８，２０６…
トング、１７０，２１０…位置決めファスナー、１７
２，２１２…エンドプレート、１７４，２１４…マイク
ロメーター、１７６，２１６…ベアリング、１７８，２
１８…板ばね、１８２，２２２…ケーシング、１８４，
２２４…ノブ、１８０，２２０…スクリュー、１８６，
１８８，２２６，２２８…バーニヤ、２０８…スロッ
ト。
０…反応チャンバー容器、２２…ガスリング、２４…シ
ール・プレート、３０…リフト・アッセンブリ、３２…
石英ハンガー、３４…サセプター、３６…窪み部分、４
０…キャップ、４２…リフト・アーム、４４…駆動アッ
センブリ、４６…コントロール部、４８…パージガスラ
イン、５０…ジェット・ポート・キャビティ、５２…ガ
ス注入ジェット・アッセンブリ、６０…ノズル、６２…
内側チューブ状ボディ、６４…外部チューブ状ボディ、
６６…フレキシブル・ベローズ、６８…コネクター、７
０…位置決めデバイス、７２…結合ナット、７４，７
８，１３０…Ｏ−リング、７６…ねじ付き外側部分、９
０，９２，１１２，１１４…ブッシング、９６…スプー
ル、９８…ねじ付き保持部材、１００…ポート（Ｄ）、
１０２…取付け部品、１０４…ライン、１０６…フラン
ジ、１０８…締結部材、１１０…円筒状部分、１１８…
ねじ付き保持部材、１２０…チューブ状セクション、１
２２…ジャーナル、１２４…内部パス、１２６…オリフ
ィス、１２８…球面ベアリング、１４０…第１スライダ
ーユニット、１４２…第２スライダーユニット、１４４
…ベース、１４６…テーブル、１５０，１９０…チャン
ネル形状部分、１５２，１９２…矩形の部分、１５４…
ボール・ベアリング・アッセンブリ、１５６…ブラケッ
ト、１５８…留め具、１６０…ブッシング・アッセンブ
リ、１６２…突出部分、１６４，２０２…押し付けプレ
ート、１６６，２０４…案内ロッド、１６８，２０６…
トング、１７０，２１０…位置決めファスナー、１７
２，２１２…エンドプレート、１７４，２１４…マイク
ロメーター、１７６，２１６…ベアリング、１７８，２
１８…板ばね、１８２，２２２…ケーシング、１８４，
２２４…ノブ、１８０，２２０…スクリュー、１８６，
１８８，２２６，２２８…バーニヤ、２０８…スロッ
ト。
Claims (10)
- 【請求項１】 バレル・リアクターの反応チャンバー
に、その反応チャンバー内に含まれた半導体ウェハーの
上へ物質を蒸着するための化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス
の間、反応ガスをその供給源から供給するためのジェッ
ト・アッセンブリであって、 反応チャンバーにおいて化学蒸着プロセスを行うため
に、反応ガス供給源から反応チャンバーに反応ガスのジ
ェットを選択的に供給するために、反応ガスの供給源と
流体連絡状態でバレル・リアクターに装着されるように
なっているノズルであって、反応ガス・ジェットが反応
チャンバーに入る方向を選択的に変えるようにバレル・
リアクターに対して軸回転可能なノズル、および反応ガ
ス・ジェットが反応チャンバーに入る方向を変えるため
にバレル・リアクターに対してノズルを軸回転させるた
めにノズルに接続された位置決めデバイスであって、バ
レル・リアクターに対するノズルの位置の定量的な測定
を可能にし、それにより、反応ガス・ジェットが反応チ
ャンバーに入る方向を選ぶためにノズルの再現性のある
狙い付けを可能にするデバイスを有して成るアッセンブ
リ。 - 【請求項２】 位置決めデバイスは、バレル・リアクタ
ーに対するノズルの位置に関連する数値を提供するよう
に構成される請求項１のジェット・アッセンブリ。 - 【請求項３】 位置決めデバイスの移動に応じてノズル
を軸回転するために、ノズルおよび位置決めデバイスに
接続されたコネクターを更に含んで成る請求項１のジェ
ット・アッセンブリ。 - 【請求項４】 位置決めデバイスは、第１および第２の
回転軸の回りで独立して、バレル・リアクターに対して
ノズルを軸回転するようになっている複合軸ステージを
含んで成り、第２軸は第１軸に対して一般的に垂直であ
る請求項３のジェット・アッセンブリ。 - 【請求項５】 ステージは、第１および第２のスライダ
ーユニットを含み、第１ユニットはコネクターに接続さ
れ、第２ユニットはバレル・リアクターに接続され、第
１ユニットは第１面においてバレル・リアクターに対し
てコネクターが動くことを可能にし、それにより、ノズ
ルを第２軸の回りで軸回転させ、第２ユニットは第２面
においてバレル・リアクターに対してコネクターが動く
ことを可能にし、それにより、ノズルを第１軸の回りで
軸回転させる請求項４のジェット・アッセンブリ。 - 【請求項６】 ステージは、再現性をもって、反応ガス
・ジェットが反応チャンバーに入る方向を確定するため
に、バレル・リアクターに対してコネクターの位置を決
定するために少くとも１つのマイクロメーターを含む請
求項５のジェット・アッセンブリ。 - 【請求項７】 バレル・リアクターの反応チャンバー
に、その反応チャンバー内に含まれる半導体ウェハーの
上へ物質を蒸着するために化学蒸着プロセスの間、反応
ガスをその供給源から供給するためのジェット・アッセ
ンブリであって、 反応チャンバーにおいて化学蒸着プロセスを行うため
に、反応ガス供給源から反応チャンバーに反応ガスのジ
ェットを選択的に供給するために、反応ガスの供給源と
流体連絡状態でバレル・リアクターに装着されるように
なっているノズルであって、反応ガス・ジェットが反応
チャンバーに入る方向を選択的に変えるように第１およ
び第２の回転軸（第２の回転軸は第１の回転軸に対して
一般的に垂直）の回りでバレル・リアクターに対して軸
回転可能なノズル、およびコネクターの動きに応じてバ
レル・リアクターに対してノズルを軸回転させるため
に、ノズルに連結されて、反応チャンバーから外向きに
延びるコネクター、およびノズルをバレル・リアクター
に装着する場合に、反応チャンバーの外部に配置される
複合軸ステージであって、第１および第２スライダー・
ユニットを含み、第１ユニットはコネクターに接続さ
れ、第２ユニットは、バレル・リアクターに接続され、
第１ユニットは第１面においてバレル・リアクターに対
してコネクターが動くことを可能にし、それにより、ノ
ズルを第２軸の回りで軸回転させ、第２ユニットは第２
面においてバレル・リアクターに対してコネクターが動
くことを可能にし、それにより、ノズルを第１軸の回り
で軸回転させるステージを含んで成るアッセンブリ。 - 【請求項８】 ステージは、反応ガス・ジェットが反応
チャンバーに入る方向を再現性をもって確定するため
に、バレル・リアクターに対してコネクターの位置を測
定するために少くともひとつ測微計を含むセットとして
の請求項７のジェット・アッセンブリ。 - 【請求項９】 化学蒸着プロセスによってバレル・リア
クター内部に含まれた半導体ウェハー上に物質を蒸着す
るためにバレル・リアクターのノズルの狙いを最適に定
める方法であって、 バレル・リアクター内の第１のターゲット部位に向かっ
てノズルの狙いを定めること第１のターゲット部位から
間隔を置いた第２のターゲット部位にノズルを向けるた
めにノズルを所定量軸回転させること、および第１と第
２のターゲット部位との間の距離を測定して、それによ
り、現在と所望の反応ガス供給部位の間の距離に対して
ノズルの移動量を相関させる校正係数を得ることを含ん
で成る方法。 - 【請求項１０】 第１の反応ガス供給部位に向かって狙
いをつけたノズルを用いてバレル・リアクターを付着サ
イクルで運転すること最適化された物質付着をもたら
す、第１供給部位と第２反応ガス供給部位との間の距離
を決定すること校正係数を乗じた第１と第２の反応ガス
供給部位の間の決定した距離に相当する量だけノズルを
軸回転させることを更に含んで成る請求項９の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/644181 | 1996-05-10 | ||
| US08/644,181 US5843234A (en) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | Method and apparatus for aiming a barrel reactor nozzle |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1072282A true JPH1072282A (ja) | 1998-03-17 |
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ID=24583799
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| JP9120802A Withdrawn JPH1072282A (ja) | 1996-05-10 | 1997-05-12 | バレル・リアクター・ノズルの狙いを定めるための方法及び装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
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-
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-
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040803 |