JPH1068742A - 加速度スイッチおよび加速度スイッチの製造方法ならびに加速度スイッチを用いた加速度センサー - Google Patents

加速度スイッチおよび加速度スイッチの製造方法ならびに加速度スイッチを用いた加速度センサー

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JPH1068742A
JPH1068742A JP22492396A JP22492396A JPH1068742A JP H1068742 A JPH1068742 A JP H1068742A JP 22492396 A JP22492396 A JP 22492396A JP 22492396 A JP22492396 A JP 22492396A JP H1068742 A JPH1068742 A JP H1068742A
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JP
Japan
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substrate
electrode
acceleration
switch
forming
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Pending
Application number
JP22492396A
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English (en)
Inventor
Masatomo Mori
雅友 森
Takashi Kunimi
敬 国見
Masahiro Nezu
正弘 根津
Tadao Matsunaga
忠雄 松永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Akebono Brake Industry Co Ltd
Original Assignee
Akebono Brake Industry Co Ltd
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Publication date
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  • Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた応答性および精度を有し、小型で高精
度かつ安価な加速度スイッチ、および複数の異なる感度
を有する加速度センサーを提供する。 【解決手段】 一端が支持部Hに支持され他端が自由端
となった質量部Mに接続された肉薄部Lとからなる片持
ち梁部と、固定された導電部Cからなり、それぞれ加速
度検出感度が異なる複数個の加速度スイッチSを直列に
接続し、各加速度スイッチSに並列に抵抗Rを接続した
加速度センサー。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、加速度を高感度で
検出できる加速度スイッチおよびその製造方法に関す
る。また、本発明は、二方向の加速度にも早く応答する
ことができるとともに、小型で高性能かつ低価格である
加速度スイッチおよびその製造方法に関する。さらに、
本発明は、感度の異なる加速度スイッチを複数備えるこ
とによって、加速度の大きさを段階的に検出することが
できる加速度センサーに関する。
【0002】
【従来の技術】所定の加速度を検出する加速度検出手段
として、従来、ピエゾ抵抗素子を使用したもの、圧電素
子を使用した方式、あるいは可変容量を用いた方式があ
る。ピエゾ抵抗素子および圧電方式による加速度検出手
段は、出力電圧が数mボルトと小さいので、出力信号を
電気的に増幅する必要がある。また、容量方式による加
速度検出手段は、C/V変換を行なうC/V変換回路や
増幅回路を付加する必要があり、高価であった。また、
所定の加速度で動作する加速度スイッチとして、実開平
4−127574号公報、および実開平4−13657
5号公報に示されるような加速度によって変位する導電
性球体を用い二つの接点をこの導電性球体によって接続
するものがあった。さらに、特開平6−160419号
公報に示されるように半導体基板からなる加速度スイッ
チがある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、二つの
接点を導電性球体によって接続する機械式の加速度スイ
ッチは、その構造上外形が大きくなり、そのため応答速
度が遅く、精度上問題を有していた。また、上記機械的
加速度スイッチは、小型化されると製造工程でバッチ処
理ができず、価格が高価になるという問題を有してい
た。
【0004】以上のような問題を解決するために、本発
明は、機械的スイッチであっても、応答性および精度の
優れた加速度スイッチを提供することを目的とする。ま
た、本発明は、半導体ウエハプロセスを使用することに
よって、小型、高精度、安価で、かつ複数の異なる感度
を有する加速度スイッチの製造方法を提供することを目
的とする。さらに、本発明は、上記の加速度スイッチを
複数個用いて、加速度の大きさを段階的に検出できる加
速度センサーを提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
(加速度スイッチ)本発明の加速度スイッチは、第1基
板と第2基板と第3基板を積層して構成され、第1基板
に第1電極および第1ボンディング・パッドを形成し、
第3基板に第4電極および第3ボンディング・パッドを
形成し、第2基板に一端が支持部に支持された肉薄に形
成された可撓性を有する可撓部とこの可撓部に接続され
た他端が自由端である質量部とからなる片持ち梁部を設
け、該質量部に前記第1電極と対向する第2電極および
前記第4電極と対向する第3電極を形成した。さらに、
可撓部の肉薄部の厚みまたは長さもしくは幅のうち少な
くとも一つを異ならせることによって、加速度検出の感
度を異ならせた。
【0006】本発明の加速度スイッチは、上記加速度ス
イッチにおいて、第1基板に第2基板の質量部と略同じ
形状の第1自己診断電極を、第3基板に第2基板の質量
部と略同じ形状の第2自己診断電極を設け、加速度スイ
ッチの動作状態を自己診断できるようにした。
【0007】(加速度スイッチの製造方法)上記加速度
スイッチを、第1基板の一面にスパッタガラスを形成し
た後、複数の導体パターンを形成し、その後、前記複数
の導体パターンによって接続される複数の第1電極およ
び第1ボンディング・パッドを形成する工程と、第2基
板の一部をエッチングして、可撓部と質量部を有する複
数の片持ち梁部を形成する貫通孔を形成し、片持ち梁部
に複数の導体パターンを高濃度の不純物を拡散して形成
し、その後、前記複数の導体パターンと接続する複数の
第2電極および第3電極と複数の第2ボンディング・パ
ッドを形成する工程と、第3基板の一面にスパッタガラ
スを形成した後、複数の導体パターンを形成し、その
後、前記複数の導体パターンによって接続される複数の
第4電極および第3ボンディング・パッドを形成する工
程と、第1基板および第2基板ならびに第3基板を接合
した後、少なくとも一つの加速度スイッチにダイシング
して製造する。
【0008】(加速度センサー)本発明にかかる加速度
センサーは、第1基板と第2基板と第3基板を積層して
構成され、第1基板に第1電極および第1ボンディング
・パッドを形成し、第3基板に第4電極および第3ボン
ディング・パッドを形成し、第2基板に一端が支持部に
支持された肉薄に形成された可撓性を有する可撓部とこ
の可撓部に接続された他端が自由端である質量部とから
なる片持ち梁部を設け、該質量部に前記第1電極と対向
する第2電極および前記第4電極と対向する第3電極を
形成した加速度スイッチを用い、それぞれ加速度の感度
が異なる複数個の加速度センサーを直列に接続するとと
もに、各加速度スイッチに並列に抵抗を接続した。さら
に、加速度センサーはそれぞれ片持ち梁部の肉薄部の厚
みまたは長さもしくは幅の少なくとも一つを制御するこ
とによって加速度の感度を異ならせ、また各加速度スイ
ッチに並列接続される抵抗の値を異ならせて検出する加
速度に略1次に比例した出力を得るようにした。
【0009】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を説明す
る。 (加速度スイッチ)本発明にかかる加速度スイッチは、
図1に示すように、第1基板10と第2基板20と第3
基板30とを積層して構成され、第1基板10に第1電
極12と該電極に電気的に接続された第1ボンディング
パッド14とを形成し、第3基板30に第4電極32と
該電極に電気的に接続されたボンディングパッド34を
形成し、第2基板20に一端が支持部21に支持され他
端が自由端となった質量部22が形成された肉薄に形成
された可撓部23からなり前記質量部22に前記第1電
極12と対向する第2電極25と第4電極32と対向す
る第3電極25と各電極25に電気的に接続されたボン
ディングパッド28を形成して片持ち梁部を形成し、第
1基板および第2基板ならびに第3基板を第1電極に設
けたガラス層15と第3基板に設けたガラス層35によ
って接続した。ガラス層15およびガラス層35の厚み
を調整することによって、第1電極と第2電極との間の
間隙および第3電極と第4電極との間の間隙を調整する
ことができる。このような構成の加速度スイッチは、自
由端に質量部22を有する片持ち梁部を備えているの
で、肉薄部の長さまたは厚みもしくは幅の少なくともい
ずれか一つを変化させることによって、加速度検出感度
を自由に調整することができる。
【0010】前記片持ち梁部の可撓部における可撓性を
上部あるいは下部の内の少なくとも一方に設けた肉薄部
によってもたせた。さらに第1基板ないし第3基板は、
下に位置するに従って順次形状を大きくして、ボンディ
ング・パッドを各基板の表面に設けた。すなわち、第3
基板から上方に行くに従い基板の面積が小さくなってい
るので、各ボンディング・パッドの上には、基板が存在
せず、ボンディングワイヤの取り付けが容易になる。ま
た、本発明の加速度スイッチは、第1基板および第3基
板に第2基板の質量部22の平面形状と略同じ形状の自
己診断電極19,39を設け加速度スイッチの動作状態
を自己診断できるようにした。自己診断電極19,39
と可動電極を構成する質量部22との間に、自己診断電
圧を印加すると、両者の間に静電引力が発生する。この
静電引力によって、可動電極26と固定電極12,32
のいずれかが接触して、加速度スイッチの動作状態を知
ることができる。
【0011】(加速度スイッチの製造方法)さらに、本
発明の加速度スイッチの製造方法は、第1基板の一面に
スパッタガラスを形成した後、複数の導体パターンを高
濃度の不純物を拡散して形成し、その後、前記複数の導
体パターンによって接続される複数の第1電極および第
1ボンディング・パッドを形成する工程と、第2基板の
一部をエッチングして、可撓部と質量部を有する複数の
片持ち梁部を形成する貫通孔を形成し、片持ち梁部に複
数の導体パターンを高濃度の不純物を拡散して形成し、
その後、前記複数の導体パターンと接続する複数の第2
電極および第3電極と複数の第2ボンディング・パッド
を形成する工程と、第3基板の一面にスパッタガラスを
形成した後、複数の導体パターンを高濃度の不純物を拡
散して形成し、その後、前記複数の導体パターンによっ
て接続される複数の第4電極および第3ボンディング・
パッドを形成する工程と、第1基板および第2基板なら
びに第3基板を接合した後、少なくとも一つの加速度ス
イッチにダイシングする。
【0012】さらに本発明にかかる加速度スイッチの製
造方法は、第1基板上に複数の第1自己診断電極と、複
数の第1電極とを形成する工程と、第2基板の一部をエ
ッチングして、凹部および貫通孔を形成し、複数の可撓
部および質量部を有する片持ち梁部を得るとともに、当
該片持ち梁部に高純度の不純物を拡散して導体とし、そ
の後、前記片持ち梁部の一端にボンディング・パッドを
形成する工程と、第3基板上に複数の第2自己診断電極
と、複数の第2電極とを形成する工程と、第1基板およ
び第3基板の間に前記第2基板を接合した後、少なくと
も一つの加速度スイッチにダイシングする。本発明によ
って得られたの加速度スイッチは、半導体ウエハプロセ
スによるバッジ処理を行うことができるので、信頼度の
高いものを大量にかつ安価に作製することができる。
【0013】(加速度センサー)上記加速度スイッチを
用いた本発明にかかる加速度センサーは、第1電極と該
電極に電気的に接続されている第1ボンディング・パッ
ドとからなる導体部を有する第1基板と、第4電極と該
電極に電気的に接続されている第3ボンディング・パッ
ドとからなる導体部を有する第3基板と、一端が支持さ
れ他端が質量部とされた自由端からなる片持ち梁部の質
量部に前記第1電極および第4電極に対向して設けた第
2電極および第3電極と、第2電極および第3電極に電
気的に接続された第2ボンディング・パッドとを有する
第2基板とを、第3基板、第2基板、第1基板の順に順
次積層してなる加速度スイッチを複数個用い、それぞれ
加速度の感度が異なる複数個の加速度センサーを直列に
接続するとともに、各加速度スイッチに並列に抵抗を接
続した。加速度センサーにある加速度が印加されると、
当該加速度によって変位できる全ての加速度スイッチS
が動作し、動作したスイッチに並列に接続された抵抗は
短絡され、抵抗R6の両端の電圧が変化し、加速度を段
階的に検出することができる。
【0014】本発明にかかる加速度センサーは、上記複
数の加速度スイッチのそれぞれ片持ち梁部の肉薄部の厚
みまたは長さもしくは幅の少なくとも一つを制御するこ
とによって加速度の感度を異ならせ、各加速度スイッチ
に並列接続される抵抗の値を異ならせて、異なる加速度
を検出できるようにし、検出した加速度に略1次に比例
した出力を得るようにした。
【0015】本発明の第1の実施例を図1〜図7を用い
て説明する。図1は、本発明の第1の実施例にかかる加
速度スイッチの構成を示す断面図である。図2は、上記
加速度スイッチを構成する第1基板の製造工程を説明す
る図である。図3は、上第1基板のウェハ上の配置を説
明する図である。図4は、上記加速度スイッチを構成す
る第2基板の製造工程を説明する図である。図5は、上
第2基板のウェハ上の配置を説明する図である。図6
は、上記加速度スイッチを構成する第3基板の形状を示
す斜視図である。図7は、第3基板のウェハ上の配置を
説明する図である。
【0016】図1に示す加速度スイッチ1は、例えば、
シリコン基板に燐などの不純物を添加して得た導電性の
第1の基板10と、同様の第2の基板20および第3の
基板30を積層して構成される。第1基板10には、下
面に燐などを注入して形成した電極形成領域11にアル
ミニウムや金を蒸着して形成した固定接点12と、上面
に燐などを注入して形成したボンディングパッド形成領
域13にアルミニウムや金を蒸着して形成した第1のボ
ンディングパッド14が形成されている。さらに、第1
基板10の下面には、接合および電気絶縁層として働く
パイレックス(商標)ガラス層15がスパッタリングに
よって例えば厚さ4μmに形成されている。このガラス
層15には、前記固定接点12を形成し、後述する質量
部が配置される領域に開口16が形成されている。
【0017】第2基板20は、支持部21と質量部22
と肉薄部23とコ字状の開口24が形成され、質量部2
2は、支持部21に設けた開口24内に肉薄部23を介
して支持部21に片持ち支持されて、片持ち梁部を構成
している。支持部21の上面には、燐などを注入して形
成したボンディングパッド形成領域27にアルミニウム
や金を蒸着して形成された第2のボンディングパッド2
8が形成されている。質量部22の先端付近の上下面に
は凸部25が形成され、この凸部25上にアルミニウム
や金を蒸着して可動接点電極26,26´が形成されて
いる。肉薄部23は、第2基板20をエッチングして肉
薄部の梁形状に形成され、可撓性を有している。
【0018】第3基板30には、上面に燐などを注入し
て形成した電極形成領域31にアルミニウムや金を蒸着
して形成した固定接点32と、同様に形成したボンディ
ングパッド形成領域27にアルミニウムや金を蒸着して
形成した第3のボンディングパッド28が形成されてい
る。さらに、第3基板10の上面には、接合および電気
絶縁層として働くパイレックス(商標)ガラス層35が
スパッタリングによって例えば厚さ4μmに形成されて
いる。このガラス層35には、前記固定接点32を形成
し、前記質量部22が配置される領域に開口36が、第
3ボンディングパッド形成領域33が形成される領域に
は開口37がそれぞれ形成されている。
【0019】図1に示すように、第3基板30を最下層
として、その上に第2基板20および第1基板10の順
に順次積層し、ガラス層15およびガラス層35を陽極
結合して、加速度センサ1が形成される。各基板の大き
さは、図示したように第1基板10から順次大きく構成
され、第1ボンディングパッド14、第2ボンディング
パッド28、第3ボンディングパッド34が外部に露出
するように構成されている。したがって、各ボンディン
グパッドの上には、邪魔するものが形成されず、図示さ
れていないボンディングワイヤを容易に取り付けること
ができる。
【0020】第1基板10または第3基板30を接合し
て加速度センサ1を形成する際に、開口24内に、たと
えば、窒素ガス等の不活性ガスを封入するとともに、内
部気圧を適度に設定する。ガスを封入することによっ
て、片持ち梁部のダンピング効果が生じ、ガスの種類や
内部気圧の設定を変えることによって、加速度スイッチ
の応答速度や周波数特性を所望の値に調整することがで
きる。さらに、開口24内に不活性ガスを封入すること
によって、各電極の酸化を防止することができ、スイッ
チングの信頼性が高く、寿命の長い加速度スイッチを得
ることができる。
【0021】以下、各基板の形状および製造法を図2〜
図7を用いて説明する。図2は、第1基板10の製造工
程を説明する図である。図3は、ウェハ10´上に形成
される第1基板10の形状を説明する図であり、図3
(A)はウェハ10´の上面図、図3(B)は一部拡大
上面図、図3(C)は図3(B)のA−A線での断面図
である。まず、第1基板10を構成する導電性のシリコ
ンウェハからなる基板10´の一面に、例えばパイレッ
クスガラス(登録商標)をスパッタリングによって形成
し、例えば厚さ4μmのガラス層15を形成する(図2
(A))。次に、第2基板の質量部22が配置される領
域および固定電極12が形成される領域のガラス層15
を、例えば、エッチングによって除去し、開口16を形
成する(図2(B))。次いで、シリコン基板10´に
は、図示を省略したマスクを用いて高濃度の不純物(P
+またはN+)を拡散し、電極形成領域11およびボンデ
ィングパッド形成領域13を形成する。この電極形成領
域11上にアルミニウムまたは銅を蒸着して慣用される
手段によって固定接点12を、同様にボンディングパッ
ド形成領域13上に第1のボンディングパッド14を形
成する(図2(C))。その後、図3に示すようにウェ
ハ10´に溝17を形成し第1基板10を得る(図2
(D))。
【0022】次に、図4および図5を用いて、第2基板
20の形状および製造方法を説明する。図4は、第2基
板20の製造工程を説明する図である。図5は、ウェハ
20´上に形成される第2基板20の形状を説明する図
であり、図5(A)はウェハ20´の上面図、図5
(B)は一部拡大上面図、図5(C)は図5(B)のA
−A線での断面図である。まず、第2基板20を構成す
る導電性のシリコンウェハからなる基板20´に可動電
極26を配置する凸部25を形成する領域251および
支持部21を形成する領域211ならびに肉薄部23を
形成する領域231を覆うマスク200を用いて20μ
mの深さに異方性エッチングする。この処理によって、
コ字状の開口部形成領域241および質量部22の領域
221ならびに図5に示す分離溝29が形成される分離
溝形成領域291は上下面ともそれぞれ20μm薄くな
り、質量部22の先端付近に凸部25が形成される(図
4(A))。
【0023】次いで、新たに支持部21および前記凸部
25ならびに質量部の表面221を覆うマスク201を
用いて130μmの深さに異方性エッチングする。開口
部形成領域241および分離溝形成部291は、既に前
の工程で20μmの深さにエッチングされているので、
このエッチングによって開口24および分離溝29が形
成されるが、肉薄部23を形成する領域231は、基板
20´の表面から130μmエッチングされ肉薄部23
を形成する(図4(B))。次いで、支持部21の上面
に、図示を省略したマスクを用いて燐などを注入してボ
ンディングパッド形成領域27を形成した後、図示を省
略した別のマスクを用いて金またはアルミニウムなどの
金属を蒸着し、凸部25の上に可動電極26を、ボンデ
ィングパッド形成領域27上に第2のボンディングパッ
ド28を形成する(図4(C))。
【0024】次に、図6および図7を用いて、第3基板
30の形状および製造方法を説明する。図6は、第3基
板30の形状を説明する斜視図である。図7は、ウェハ
30´上に形成される第3基板30の形状を説明する図
であり、図7(A)はウェハ30´の上面図、図7
(B)は一部拡大上面図、図7(C)は図(B)のA−
A線での断面図である。第3基板30は、第1基板10
と略同様の工程によって得ることができる。ただ、電極
32と第3のボンディングパッド34は、ガラス層35
に設けた開口36および開口37内で基板30´の同じ
面に形成される。
【0025】上記各工程で得た基板10,20,30を
積層して図1に示す加速度スイッチ1を得る。第2基板
20の肉薄部23の長さまたは厚み、または質量部22
の大きさ、もしくは可動電極26と固定電極12との間
隙を調整することによってスイッチの動作特性を調整す
ることができる。
【0026】図8を用いて本発明の第2の実施例を説明
する。この実施例が、第1実施例と異なる点は、第2シ
リコン基板20における片持ち肉薄部23を基板の片面
から異方性エッチングすることによって設けている点で
ある。この構成としたことによって、第1基板10に固
定電極12を設けるための凸部18を、第2基板20に
固定電極32を設けるための凸部38を設けている。こ
の実施例によれば、第2基板20の片面からの異方性エ
ッチングを行うことで、質量部22および片持ち梁23
を構成したので、エッチング処理工程を大幅に減少させ
ることができ、また第1基板10および第3基板30に
おける凸部18,38は、ガラス層15,35および電
極12,26をエッチングパターンとして用いることに
よって、容易に形成することができる。
【0027】図9〜図12を用いて本発明の第3の実施
例を説明する。この実施例は、自己診断用電極を備えた
加速スイッチである点に特徴を有している。図9は、加
速度スイッチの概念構成を示す断面図であり、図10
は、第1基板または第3基板の製造工程を説明する図で
あり、図11は、加速度スイッチの自己診断の態様を説
明する図である。この実施例が第1実施例と異なる点
は、第1基板および第3基板に自己診断用電極を備えて
いること、および電極の形状が異なることである。すな
わち、この実施例の加速度スイッチは、第1基板10
に、第2実施例に示したように電極形成用の凸部18を
設けその上に固定電極12を設けている。さらにこの加
速度スイッチは、第2基板20に設けた質量部22と対
向するとともに略同じ形状を有する自己診断用電極19
を設けている。第3基板30も第1基板10の形状を天
地逆転した略同様な形状を有しており、自己診断用電極
39を有している。このような構成の加速度スイッチ
は、導電性半導体から構成された可動電極すなわち質量
部22と第1基板側自己診断用電極19または第3基板
側自己診断電極39のいずれかとの間に所定の電圧を印
加することによって、静電吸引力によって質量部22を
自己診断電極側に吸引して、可動電極すなわち質量部2
2を固定電極に接触させ、加速度スイッチの動作態様を
検査するものである。
【0028】図10(A)〜図10(E)を用いて、第
1基板または第3基板の製造工程を説明する。第3基板
30は、ガラス基板からなり、例えば、厚さ4μmの凹
部301をエッチングによって形成する(図10
(A))。次いで、図示を省略したマスクを用いて、凸
部38を残し、さらに6μmの厚さにエッチングを行
い、凸部38と凹部302を形成する(図10
(B))。その後、自己診断用電極からの電気的引出部
となる第1貫通孔303、およびスイッチ電極からの電
気的引出部となる第2貫通孔304を、たとえば、エッ
チングによって形成する(図10(C))。次いで、凸
部と自己診断電極形成領域ならびに第1貫通孔303内
および第2貫通孔304内に、アルミニウムまたは銅な
どの導電材料を蒸着して、固定電極32および自己診断
電極39ならびに電気的引出用導電部305,306を
形成する(図10(D))。
【0029】第1基板10は、第3基板30と同じガラ
ス基板からなり、同じ方法により作製される。また、第
2基板20は、シリコン基板から作られ、導電性を有し
ており、第1実施例または第2実施例の基板20と略同
じ機能を有している。第1基板10、第2基板20、お
よび第3基板30を、順次積層しそれぞれの基板を陽極
接合等によって接合して、自己診断機能を有する加速度
センサとする(図10(E))。その後、図9に示すよ
うに、自己診断用電極19の導電部105および固定電
極12の導電部106の開口には、導電性エポキシ樹脂
107が充填され、自己診断用電極39の導電部305
および固定電極32の導電部306の開口には、導電性
エポキシ樹脂307が充填される。また、第2基板20
の一端には、ボンディング・パッド28が形成される。
【0030】図11を用いて、本実施例にかかる自己診
断電極を備えた加速度スイッチの診断方法を説明する。
自己診断方法は、可動電極22と自己診断電極19また
は39との間に電圧Vtを印加する。可動電極と自己診
断電極の間には電極の面積と印加電圧に比例し電極間の
距離に逆比例する静電吸引力が発生し、可動電極22
が、自己診断電極39側に吸引される。この吸引によ
り、可動電極22と固定接点32が導通してスイッチの
動作状態を診断することができる。第1基板側自己診断
電極19と可動電極22との間においても同様に自己診
断できる。印加電圧を制御することによって動作状態を
調節することができる。また、印加電圧は、直流または
交流であっても良い。ただし、交流電圧を印加するの場
合、その周波数を、当該センサの固有振動数より十分に
高くする必要がある。
【0031】また、上記自己診断用電極を、製造上のバ
ラツキの修正にもちいることができる。例えば、製造の
過程で、可動電極22の質量または肉薄部23の厚みや
幅や長さ、あるいは可動電極22と固定電極12,32
との間の距離が製造する際にバラツキがでた場合、加速
度スイッチの感度が所定の値になるように、固定電極2
2と自己診断電極19または自己診断電極39の間に直
流電圧を常時印加する。このようにして、加速度スイッ
チの感度のバラツキを修正することができる。
【0032】この実施例の加速度スイッチは、上記のよ
うに、異なる感度を自由に設定できるので、加速度スイ
ッチを構成する部品のバリエーションを減らすことがで
き、さらに、加速度スイッチを使用中に感度を変更する
ことができる。
【0033】図12を用いて本発明の第4実施例を説明
する。この実施例は、第3実施例における第2基板20
を、第2実施例のように片面からのみ異方性エッチング
することで、作製を容易にしたものであり、第2実施例
の効果と第3実施例の効果を併せて発揮することができ
る。
【0034】以上、本発明にかかる加速度スイッチの実
施例を詳述したが、本発明は、前記実施例に限定される
ものではない。そして、特許請求の範囲に記載された本
発明を逸脱することがなければ、種々の設計変更を行う
ことが可能である。たとえば、本発明の加速度スイッチ
の作製は、主に蒸着と異方性エッチングで行ったが、そ
の他、周知の半導体製造プロセスを採用することができ
る。また、本発明の加速度スイッチの第1層目から第3
層目は、シリコン基板またはガラス基板を用いたが、通
常半導体として使用されている材料を採用することがで
きる。
【0035】[加速度センサー]図13は、本発明にか
かる加速度スイッチ素子を用いた加速度センサーの構成
を示す概念図である。図14は、図13に示した加速度
センサーの等価回路である。図15は、本発明の加速度
センサーの出力電圧と印加加速度との関係を説明する出
力特性図である。本発明にかかる加速度センサーは、前
記した加速度スイッチのそれぞれ感度が異なる複数個を
直列に接続するとともに、該加速度スイッチにそれぞれ
並列に抵抗を接続して構成される。
【0036】図13において、加速度スイッチSの質量
部をMで、片持ち梁部をLで、片持ち梁部の支持部をH
で表しており、基板10または基板30の導電部および
固定接点に相当する部分をCで示している。図1〜図1
2に示した加速度スイッチは可動接点25の上下に固定
接点12,32を設けていたが、この模式図では、上下
の固定接点をまとめて一つの接点Cとして示している。
この発明では、片持ち梁部Lの長さを異ならせることに
よって、複数の加速度スイッチの感度をそれぞれ異なら
せている。図13に示すように、加速度スイッチS1〜
S5は直列に接続され、それぞれのスイッチS1〜S5
に並列に抵抗R1〜R5が接続されている。さらに、ス
イッチS1の一端は出力端子Voに接続されるとともに
抵抗R6を介して接地され、スイッチS5の一端は電源
Vcに接続されている。
【0037】抵抗R1〜R6の値を下記条件を満たすよ
うに設定することによって、図15に示すように加速度
に段階的に対応した出力電圧Voを得ることができる。
すなわち、各片持ち梁部Lの長さを変えるとともに、質
量部Mを一定にすることによって、0.2G毎に加速度
スイッチSがスイッチONするように設定する。この時
の各抵抗の値を、R1=47KΩ、R2=2.5KΩ、
R3=834Ω、R4=416Ω、R5=250Ω、R
6=1KΩとし、電源Vcとアース間に直列に接続し、
この直列接続体に電源電圧Vc=5Vを印加した。図1
4に示した等価回路に上記値の抵抗を接続した際に、上
記印加加速度を0.2Gずつ上げると、出力端子Voに
出力する電圧は、図15に示すように、1Vずつ上昇す
る。
【0038】上記感度は、単なる一例に過ぎず、片持ち
梁部Lの長さと幅と厚みおよび質量部Mの重さを変える
ことによって、加速度スイッチの感度を任意に設定する
ことができる。また、加速度スイッチSの数を増やせ
ば、精度をさらに細かく設定することができる。さら
に、出力電圧Voは、回路の抵抗値Rおよび電源電圧V
cを変えることにより任意の出力とすることができる。
この加速度センサーは、各部における値を予め設定する
ことによって、出力電圧を所定の値に定めることができ
るので、出力に定められた値以外の電圧が発生した場
合、これを検出して加速度スイッチの故障信号とするこ
とができる。
【0039】
【発明の効果】本発明によれば、加速度スイッチに半導
体ウエハプロセスで使用する材料を用いたため、半導体
ウエハプロセスによって加工することができるようにな
った。その結果、加工、組立が簡単で、小型、高精度の
加速度スイッチを得ることができるようになった。本発
明によれば、半導体ウエハプロセスによって加速度スイ
ッチを小型化できるようになったため、高性能で応答速
度を上げることができるようになった。
【0040】本発明によれば、一つの半導体ウエハに多
数の加速度スイッチをバッチ処理によって作製できるた
め、コストを低減できるようになった。本発明によれ
ば、第1層目ないし第3層目を積層する構造としたた
め、両方向スイッチとすることができた。本発明によれ
ば、第1層目から順次第3層目まで、大きさを変えてい
るため、露出しているそれぞれのボンディング・パッド
にボンディングワイヤを容易に接続することができる。
本発明によれば、加速度センサー用スイッチに自己診断
用電極を設けたので、故障を自己診断することができる
だけでなく、加速度スイッチの感度を調整することが可
能となった。本発明によれば、第1層目から第3層目を
異方性エッチングのみで加工できるので、製造が容易で
コストを低減することができた。
【0041】本発明によれば、第1層目ないし第3層目
を対称構造にしたので、カンチレバーに働く静電引力が
キャンセルされ、静電引力によって生じる影響を小さく
することができる。本発明によれば、各層を気密構造と
して、不活性ガスを封入したので、電極が酸化せず、加
速度スイッチとして信頼性が高く、かつ寿命が長くなっ
た。また、上記不活性ガスの封入により、内圧を調整で
きるようになり、加速度スイッチの内部におけるダンピ
ング効果を自在に設定できる。
【0042】さらに、本発明にかかる加速度センサー
は、感度の異なる加速度スイッチを直列に接続したの
で、所定の加速度に対応した出力を段階的に得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる加速度スイッチの構成の概念を
示す断面図。
【図2】本発明にかかる加速度スイッチの第1基板の製
造工程図。
【図3】本発明にかかる加速度スイッチの第1基板のウ
ェハ上の配置を説明する図。
【図4】本発明にかかる加速度スイッチの第2基板の製
造工程図。
【図5】本発明にかかる加速度スイッチの第2基板のウ
ェハ上の配置を説明する図。
【図6】本発明にかかる加速度スイッチの第3基板の構
成を示す斜視図。
【図7】本発明にかかる加速度スイッチの第3基板のウ
ェハ上の配置を説明する図。
【図8】本発明にかかる第2の実施例の加速度スイッチ
の構成の概念を示す断面図。
【図9】本発明にかかる第3の実施例の自己診断電極を
備えた加速度スイッチの構成の概念を示す断面図。
【図10】図9に示す自己診断電極を有する加速度スイ
ッチの製造工程図。
【図11】図9に示す自己診断電極を有する加速度スイ
ッチの動作状態を示す断面図。
【図12】本発明にかかる第4の実施例の加速度スイッ
チの構成の概念を示す断面図。
【図13】本発明にかかる加速度センサーの構成の概要
を示す概念図。
【図14】図13に示す加速度センサーの等価回路。
【図15】図13に示す加速度センサーの出力特性図。
【符号の説明】
H 支持部 L 肉薄部 M 質量部 C 導体部 R 抵抗体 S スイッチ Vc 電源端子 Vo 出力端子 10 第1基板 11,13,27,31,33 電極形成領域 12,26 固定電極 14,28,34 ボンディングパッド 15,35ガラス層 19,39 自己診断電極 20 第2基板 21 支持部 22 質量部 23 肉薄部 24 溝 25 凸部 26 可動電極 29 溝 30 第3基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松永 忠雄 東京都中央区日本橋小網町19番5号 曙ブ レーキ工業株式会社内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1電極と該電極に電気的に接続されて
    いる第1ボンディング・パッドとからなる導体部を有す
    る第1基板と、 第4電極と該電極に電気的に接続されている第3ボンデ
    ィング・パッドとからなる導体部を有する第3基板と、 一端が支持され他端が質量部とされた自由端からなる片
    持ち梁部の質量部に前記第1電極および第4電極に対向
    して設けた第2電極および第3電極と、第2電極および
    第3電極に電気的に接続された第2ボンディング・パッ
    ドとを有する第2基板と、 前記第3基板、第2基板、第1基板を順次積層してなる
    ことを特徴とする加速度スイッチ。
  2. 【請求項2】 前記第1基板および第3基板を半導体基
    板またはガラス基板とし、第2基板を半導体基板とした
    請求項1記載の加速度スイッチ。
  3. 【請求項3】 前記第1基板および第3基板には、それ
    ぞれ、第2基板の質量部に対向する位置に設けた自己診
    断電極と、片持ち梁部に設けた第2電極または第3電極
    と接触してスイッチを構成する第1電極または第4電極
    が設けられている請求項1または請求項2記載の加速度
    スイッチ。
  4. 【請求項4】 前記片持ち梁部は、支持部と可撓部と質
    量部とからなり、可撓部における可撓性を上部あるいは
    下部の内の少なくとも一方に設けた肉薄部によってもた
    せている請求項1ないし請求項3のいずれか記載の加速
    度スイッチ。
  5. 【請求項5】 第1基板ないし第3基板は、下に位置す
    るに従って順次形状を大きくして、ボンディング・パッ
    ドを各基板の表面に設けた請求項1ないし請求項4のい
    ずれか記載の加速度スイッチ。
  6. 【請求項6】 第1基板の一面にスパッタガラスを形成
    した後、 複数の導体パターンを高濃度の不純物を拡散して形成
    し、 その後、前記複数の導体パターンによって接続される複
    数の第1電極および第1ボンディング・パッドを形成す
    る工程と、 第2基板の一部をエッチングして、可撓部と質量部を有
    する複数の片持ち梁部を形成する貫通孔を形成し、 片持ち梁部に複数の導体パターンを高濃度の不純物を拡
    散して形成し、 その後、前記複数の導体パターンと接続する複数の第2
    電極および第3電極と複数の第2ボンディング・パッド
    を形成する工程と、 第3基板の一面にスパッタガラスを形成した後、 複数の導体パターンを高濃度の不純物を拡散して形成
    し、 その後、前記複数の導体パターンによって接続される複
    数の第4電極および第3ボンディング・パッドを形成す
    る工程と、 第1基板および第2基板ならびに第3基板を接合した
    後、少なくとも一つの加速度スイッチにダイシングする
    ことを特徴とする加速度スイッチの製造方法。
  7. 【請求項7】 第1基板上に複数の第1自己診断電極
    と、複数の第1電極とを形成する工程と、 第2基板の一部をエッチングして、凹部および貫通孔を
    形成し、複数の可撓部および質量部を有する片持ち梁部
    を得るとともに、当該片持ち梁部に高純度の不純物を拡
    散して導体とし、 その後、前記片持ち梁部の一端にボンディング・パッド
    を形成する工程と、 第3基板上に複数の第2自己診断電極と、複数の第2電
    極とを形成する工程と、 第1基板および第3基板の間に前記第2基板を接合した
    後、少なくとも一つの加速度スイッチにダイシングする
    ことを特徴とする加速度スイッチの製造方法。
  8. 【請求項8】 第1電極と該電極に電気的に接続されて
    いる第1ボンディング・パッドとからなる導体部を有す
    る第1基板と、 第4電極と該電極に電気的に接続されている第3ボンデ
    ィング・パッドとからなる導体部を有する第3基板と、
    一端が支持され他端が質量部とされた自由端からなる片
    持ち梁部の質量部に前記第1電極および第4電極に対向
    して設けた第2電極および第3電極と、第2電極および
    第3電極に電気的に接続された第2ボンディング・パッ
    ドとを有する第2基板とを、第3基板、第2基板、第1
    基板の順に順次積層してなる加速度スイッチを複数個用
    いた加速度センサーにおいて、 それぞれ加速度の感度が異なる複数個の加速度センサー
    を直列に接続するとともに、各加速度スイッチに並列に
    抵抗を接続した特徴とする加速度センサー。
  9. 【請求項9】 加速度センサーはそれぞれ片持ち梁部の
    肉薄部の厚みまたは長さもしくは幅の少なくとも一つを
    制御することによって加速度の感度を異ならせ、各加速
    度スイッチに並列接続される抵抗の値を異ならせた請求
    項8記載の加速度センサー。
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