JPH1065095A - マルチチップモジュール - Google Patents
マルチチップモジュールInfo
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- JPH1065095A JPH1065095A JP21457896A JP21457896A JPH1065095A JP H1065095 A JPH1065095 A JP H1065095A JP 21457896 A JP21457896 A JP 21457896A JP 21457896 A JP21457896 A JP 21457896A JP H1065095 A JPH1065095 A JP H1065095A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/144—Stacked arrangements of planar printed circuit boards
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/368—Assembling printed circuits with other printed circuits parallel to each other
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板サイズの大型化及び配線長が長くなるこ
とを抑えることにより、配線遅延の増加や反射によるリ
ンギングの増加を防ぐことができるマルチチップモジュ
ールを提供する。 【解決手段】 ベアチップIC1は、多層基板3に搭載
され、ワイヤ2により多層基板3とベアチップIC1と
電気的に接続されている。I/O端子5は多層基板3へ
信号、電源あるいはGNDを供給し、多層基板3とI/
O端子5の間にはI/O端子接続パッド6が設けてあ
る。I/O端子数変換用多層基板7にもI/O端子5が
接続されている。導体8と柔軟な誘電体9からなるフレ
キシブル基板により、多層基板3とI/O端子数変換用
多層基板7に設けられた入出力パッド10同士を接続し
ている。このように、多層基板3とI/O端子数変換用
多層基板7内の信号同士はI/O端子5とフレキシブル
基板の導体8の両方で接続される。
とを抑えることにより、配線遅延の増加や反射によるリ
ンギングの増加を防ぐことができるマルチチップモジュ
ールを提供する。 【解決手段】 ベアチップIC1は、多層基板3に搭載
され、ワイヤ2により多層基板3とベアチップIC1と
電気的に接続されている。I/O端子5は多層基板3へ
信号、電源あるいはGNDを供給し、多層基板3とI/
O端子5の間にはI/O端子接続パッド6が設けてあ
る。I/O端子数変換用多層基板7にもI/O端子5が
接続されている。導体8と柔軟な誘電体9からなるフレ
キシブル基板により、多層基板3とI/O端子数変換用
多層基板7に設けられた入出力パッド10同士を接続し
ている。このように、多層基板3とI/O端子数変換用
多層基板7内の信号同士はI/O端子5とフレキシブル
基板の導体8の両方で接続される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マルチチップモジ
ュールの構造に関するものである。
ュールの構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
以下に示すようなものがあった。図3はかかる従来のマ
ルチチップモジュールの基板の下面図、図4はそのマル
チチップモジュールの側面図である。これらの図におい
て、101はベアチップIC、102はワイヤ、103
は多層基板、104はフットプリント、105はPGA
(ピングリッドアレイ)のI/O端子、106はPGA
用パッドである。
以下に示すようなものがあった。図3はかかる従来のマ
ルチチップモジュールの基板の下面図、図4はそのマル
チチップモジュールの側面図である。これらの図におい
て、101はベアチップIC、102はワイヤ、103
は多層基板、104はフットプリント、105はPGA
(ピングリッドアレイ)のI/O端子、106はPGA
用パッドである。
【0003】ここで、PGAのI/O端子105配置
は、ピッチが1.27mmの千鳥配置が一般的である。
多層基板103において、この多層基板103上のワイ
ヤ102によって電気的に接続されたベアチップIC1
01への信号の入出力は、多層基板103内の各層の配
線と、ランドおよびVIAを用いて、多層基板103上
に設けられたPGA用パッド106を介して、PGAの
I/O端子105に接続される。
は、ピッチが1.27mmの千鳥配置が一般的である。
多層基板103において、この多層基板103上のワイ
ヤ102によって電気的に接続されたベアチップIC1
01への信号の入出力は、多層基板103内の各層の配
線と、ランドおよびVIAを用いて、多層基板103上
に設けられたPGA用パッド106を介して、PGAの
I/O端子105に接続される。
【0004】また、多層基板103上のフットプリント
104は、ベアチップIC101と電気的に接続するた
めに必要なワイヤ102の多層基板103へのボンディ
ングエリアであり、ベアチップIC101を搭載し、多
層基板103とのインターコネクションに必要なエリア
である。
104は、ベアチップIC101と電気的に接続するた
めに必要なワイヤ102の多層基板103へのボンディ
ングエリアであり、ベアチップIC101を搭載し、多
層基板103とのインターコネクションに必要なエリア
である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のマルチチップモジュールの構造では、I/O端
子数が増加すると、I/O端子を配置するためのエリア
が大きくなることと、I/O端子搭載側にベアチップI
Cを搭載しているために、ベアチップIC搭載エリアに
はI/O端子が配置できないことから、多層基板サイズ
が大きくなるという問題点があった。
た従来のマルチチップモジュールの構造では、I/O端
子数が増加すると、I/O端子を配置するためのエリア
が大きくなることと、I/O端子搭載側にベアチップI
Cを搭載しているために、ベアチップIC搭載エリアに
はI/O端子が配置できないことから、多層基板サイズ
が大きくなるという問題点があった。
【0006】基板サイズの大型化は、基板自体のコスト
アップや配線長が長くなり、配線遅延の増加や反射によ
るリンギングの増加を招くことになる。そこで、本発明
は以上述べた問題点を除去し、基板サイズの大型化及び
配線長が長くなることを抑えることにより、配線遅延の
増加や反射によるリンギングの増加を防ぐことができる
マルチチップモジュールを提供することを目的とする。
アップや配線長が長くなり、配線遅延の増加や反射によ
るリンギングの増加を招くことになる。そこで、本発明
は以上述べた問題点を除去し、基板サイズの大型化及び
配線長が長くなることを抑えることにより、配線遅延の
増加や反射によるリンギングの増加を防ぐことができる
マルチチップモジュールを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 (1)多層基板のI/O端子側に電気部品が搭載された
マルチチップモジュールにおいて、第1のI/O端子を
有する多層基板と、この多層基板の第1のI/O端子の
外周に第1の入出力パッドとを設けるようにしたもので
ある。
成するために、 (1)多層基板のI/O端子側に電気部品が搭載された
マルチチップモジュールにおいて、第1のI/O端子を
有する多層基板と、この多層基板の第1のI/O端子の
外周に第1の入出力パッドとを設けるようにしたもので
ある。
【0008】このように、第1のI/O端子を有する多
層基板と、この多層基板の第1のI/O端子の外周に第
1の入出力パッドとを設けるようにしたので、従来の多
層基板より、多くの接続回路を形成することができる。 (2)多層基板のI/O端子側に電気部品が搭載された
マルチチップモジュールにおいて、第1のI/O端子を
有する多層基板と、この多層基板の第1のI/O端子の
外周に配置される第1の入出力パッドと、第2のI/O
端子と第2の入出力パッドを設けたI/O端子数変換用
多層基板とを備え、前記第1の入出力パッドと第2の入
出力パッドとの電気的接続を行うとともに、前記第2の
入出力パッドを前記I/O端子数変換用多層基板の配線
により、このI/O端子数変換用多層基板のI/O端子
に電気的接続を行うようにしたものである。
層基板と、この多層基板の第1のI/O端子の外周に第
1の入出力パッドとを設けるようにしたので、従来の多
層基板より、多くの接続回路を形成することができる。 (2)多層基板のI/O端子側に電気部品が搭載された
マルチチップモジュールにおいて、第1のI/O端子を
有する多層基板と、この多層基板の第1のI/O端子の
外周に配置される第1の入出力パッドと、第2のI/O
端子と第2の入出力パッドを設けたI/O端子数変換用
多層基板とを備え、前記第1の入出力パッドと第2の入
出力パッドとの電気的接続を行うとともに、前記第2の
入出力パッドを前記I/O端子数変換用多層基板の配線
により、このI/O端子数変換用多層基板のI/O端子
に電気的接続を行うようにしたものである。
【0009】したがって、多層基板とI/O端子数変換
用多層基板内の信号同士はI/O端子とフレキシブル基
板の導体の両方で接続することができるので、多ピンの
マルチチップモジュールでも基板の大型化を招くことが
なく、また、基板内の配線長が長くなることがないの
で、配線遅延の増加や、反射によるリンギングを抑える
ことができる。
用多層基板内の信号同士はI/O端子とフレキシブル基
板の導体の両方で接続することができるので、多ピンの
マルチチップモジュールでも基板の大型化を招くことが
なく、また、基板内の配線長が長くなることがないの
で、配線遅延の増加や、反射によるリンギングを抑える
ことができる。
【0010】また、多層基板とI/O端子数変換用多層
基板間の電気的接続に自由度を持たせることにより、汎
用性のある多ピンのマルチチップモジュールを提供する
ことができる。
基板間の電気的接続に自由度を持たせることにより、汎
用性のある多ピンのマルチチップモジュールを提供する
ことができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の実施
例を示すマルチチップモジュールの多層基板の下面図、
図2はそのマルチチップモジュールの側面図である。こ
れらの図において、1はベアチップICであり、多層基
板3に搭載され、ワイヤ2により多層基板3とベアチッ
プIC1とは電気的に接続されている。
て図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の実施
例を示すマルチチップモジュールの多層基板の下面図、
図2はそのマルチチップモジュールの側面図である。こ
れらの図において、1はベアチップICであり、多層基
板3に搭載され、ワイヤ2により多層基板3とベアチッ
プIC1とは電気的に接続されている。
【0012】また、5Aは第1のI/O端子であり、多
層基板3へ信号、電源あるいはGNDを供給する。更
に、多層基板3と第1のI/O端子5Aの間にはI/O
端子接続パッド6が設けてある。7はI/O端子数変換
用多層基板であり、この基板7にも第2のI/O端子5
Bが接続されている。8は導体、9は柔軟な誘電体であ
り、導体8と柔軟な誘電体9でフレキシブル基板を構成
し、多層基板3に形成された第1の入出力パッド10と
I/O端子数変換用多層基板7に設けられた第2の入出
力パッド11同士を接続している。よって、多層基板3
とI/O端子数変換用多層基板7内の信号同士はI/O
端子5A,5Bとフレキシブル基板の導体8の両方で接
続される。なお、4はフットプリットである。
層基板3へ信号、電源あるいはGNDを供給する。更
に、多層基板3と第1のI/O端子5Aの間にはI/O
端子接続パッド6が設けてある。7はI/O端子数変換
用多層基板であり、この基板7にも第2のI/O端子5
Bが接続されている。8は導体、9は柔軟な誘電体であ
り、導体8と柔軟な誘電体9でフレキシブル基板を構成
し、多層基板3に形成された第1の入出力パッド10と
I/O端子数変換用多層基板7に設けられた第2の入出
力パッド11同士を接続している。よって、多層基板3
とI/O端子数変換用多層基板7内の信号同士はI/O
端子5A,5Bとフレキシブル基板の導体8の両方で接
続される。なお、4はフットプリットである。
【0013】このように、本発明によれば、I/O端子
数変換用多層基板7を用い、多層基板3とI/O端子数
変換用多層基板7をフレキシブル基板で接続することに
より、従来のように、前記IC搭載エリアで配置できな
かったI/O端子を設けることができ、多ピンのマルチ
チップモジュールでも基板の大型化を招くことがなく、
また、基板内の配線長が長くなることがないので、配線
遅延の増加や反射によるリンギングを抑えることができ
る。
数変換用多層基板7を用い、多層基板3とI/O端子数
変換用多層基板7をフレキシブル基板で接続することに
より、従来のように、前記IC搭載エリアで配置できな
かったI/O端子を設けることができ、多ピンのマルチ
チップモジュールでも基板の大型化を招くことがなく、
また、基板内の配線長が長くなることがないので、配線
遅延の増加や反射によるリンギングを抑えることができ
る。
【0014】本実施例では多層基板とI/O端子数変換
用多層基板とをフレキシブル基板にて接続したが、フレ
キシブル基板に限らずリード接続も可能であることは言
うまでもない。また、I/O端子数変換用多層基板はP
GAタイプだけでなく、BGA(Ball Grid
Array)タイプでもよい。
用多層基板とをフレキシブル基板にて接続したが、フレ
キシブル基板に限らずリード接続も可能であることは言
うまでもない。また、I/O端子数変換用多層基板はP
GAタイプだけでなく、BGA(Ball Grid
Array)タイプでもよい。
【0015】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【0016】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 (1)請求項1記載の発明によれば、第1のI/O端子
を有する多層基板と、この多層基板のI/O端子の外周
に第1の入出力パッドとを設けるようにしたので、従来
の多層基板より、多くの接続回路を形成することができ
る。
よれば、次のような効果を奏することができる。 (1)請求項1記載の発明によれば、第1のI/O端子
を有する多層基板と、この多層基板のI/O端子の外周
に第1の入出力パッドとを設けるようにしたので、従来
の多層基板より、多くの接続回路を形成することができ
る。
【0017】(2)請求項2記載の発明によれば、多層
基板とI/O端子数変換用多層基板内の信号同士は、I
/O端子とフレキシブル基板の導体の両方で接続するこ
とができるので、多ピンのマルチチップモジュールでも
基板の大型化を招くことがなく、また、基板内の配線長
が長くなることがないので、配線遅延の増加や、反射に
よるリンギングを抑えることができる。
基板とI/O端子数変換用多層基板内の信号同士は、I
/O端子とフレキシブル基板の導体の両方で接続するこ
とができるので、多ピンのマルチチップモジュールでも
基板の大型化を招くことがなく、また、基板内の配線長
が長くなることがないので、配線遅延の増加や、反射に
よるリンギングを抑えることができる。
【0018】また、多層基板とI/O端子数変換用多層
基板間の電気的接続に自由度を持たせることにより、汎
用性のある多ピンのマルチチップモジュールを提供する
ことができる。
基板間の電気的接続に自由度を持たせることにより、汎
用性のある多ピンのマルチチップモジュールを提供する
ことができる。
【図1】本発明の実施例を示すマルチチップモジュール
の多層基板の下面図である。
の多層基板の下面図である。
【図2】本発明の実施例を示すマルチチップモジュール
の側面図である。
の側面図である。
【図3】従来のマルチチップモジュールの基板の下面図
である。
である。
【図4】従来のマルチチップモジュールの側面図であ
る。
る。
1 ベアチップIC 2 ワイヤ 3 多層基板 4 フットプリント 5A 第1のI/O端子 5B 第2のI/O端子 6 I/O端子接続パッド 7 I/O端子数変換用多層基板 8 導体 9 柔軟な誘電体 10 第1の入出力パッド 11 第2の入出力パッド
Claims (2)
- 【請求項1】 多層基板のI/O端子側に電気部品が搭
載されたマルチチップモジュールにおいて、(a)第1
のI/O端子を有する多層基板と、(b)該多層基板の
第1のI/O端子の外周に第1の入出力パッドとを備え
たことを特徴とするマルチチップモジュール。 - 【請求項2】 多層基板のI/O端子側に電気部品が搭
載されたマルチチップモジュールにおいて、(a)第1
のI/O端子を有する多層基板と、(b)該多層基板の
第1のI/O端子の外周に配置される第1の入出力パッ
ドと、(c)第2のI/O端子と第2の入出力パッドを
設けたI/O端子数変換用多層基板とを備え、(d)前
記第1の入出力パッドと第2の入出力パッドとの電気的
接続を行うとともに、前記第2の入出力パッドを前記I
/O端子数変換用多層基板の配線により、該I/O端子
数変換用多層基板のI/O端子に電気的接続を行うこと
を特徴とするマルチチップモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21457896A JPH1065095A (ja) | 1996-08-14 | 1996-08-14 | マルチチップモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21457896A JPH1065095A (ja) | 1996-08-14 | 1996-08-14 | マルチチップモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1065095A true JPH1065095A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16658043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21457896A Withdrawn JPH1065095A (ja) | 1996-08-14 | 1996-08-14 | マルチチップモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1065095A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000014798A1 (fr) * | 1998-09-02 | 2000-03-16 | Ibiden Co., Ltd. | Module de piece electronique monte sur une carte de connexion |
-
1996
- 1996-08-14 JP JP21457896A patent/JPH1065095A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000014798A1 (fr) * | 1998-09-02 | 2000-03-16 | Ibiden Co., Ltd. | Module de piece electronique monte sur une carte de connexion |
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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