JPH1064963A - 半導体ウェハ上の複数の集積回路を試験する方法 - Google Patents
半導体ウェハ上の複数の集積回路を試験する方法Info
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- JPH1064963A JPH1064963A JP9150431A JP15043197A JPH1064963A JP H1064963 A JPH1064963 A JP H1064963A JP 9150431 A JP9150431 A JP 9150431A JP 15043197 A JP15043197 A JP 15043197A JP H1064963 A JPH1064963 A JP H1064963A
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- wafer
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2887—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハをウェハ精査するための改善さ
れた装置を提供する。 【解決手段】 精査装置は、プローバ２１０と試験ヘッ
ド母板１３２を含む試験ヘッド１３０を備える。負荷板
２１８およびプローブ・カード２１６は互いに、また試
験ヘッド母板１３２に、導電性バンプ２１９を用いて接
続される。プローバ２１０のテーブル・トップとクラン
プ・リングの必要性が基本的に排除される。試験ヘッド
母板１３２をプローブ・カードおよび負荷板アセンブリ
に直接合体することにより、より確実でより短い接続部
を形成することができる。傾斜コントローラ３２４およ
びシータ・コントローラ６２４により、精密な調整を行
うことができる。
れた装置を提供する。 【解決手段】 精査装置は、プローバ２１０と試験ヘッ
ド母板１３２を含む試験ヘッド１３０を備える。負荷板
２１８およびプローブ・カード２１６は互いに、また試
験ヘッド母板１３２に、導電性バンプ２１９を用いて接
続される。プローバ２１０のテーブル・トップとクラン
プ・リングの必要性が基本的に排除される。試験ヘッド
母板１３２をプローブ・カードおよび負荷板アセンブリ
に直接合体することにより、より確実でより短い接続部
を形成することができる。傾斜コントローラ３２４およ
びシータ・コントローラ６２４により、精密な調整を行
うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に半導体回路の製
造に関し、さらに詳しくは、ウェハ・プローブ技術を用
いる集積回路の試験に関する。
造に関し、さらに詳しくは、ウェハ・プローブ技術を用
いる集積回路の試験に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】集積
回路産業においては、１つの集積回路ウェハ上に多くの
集積回路が同時に作成される。これらの集積回路を、ウ
ェハから個別に切り出す前に集積回路を個々に試験精査
するための機構を設けることが必要になる。図１は、半
導体ウェハ上に位置する集積回路を精査するために用い
られる従来技術による装置を示す。図１は、一般に、ウ
ェハ精査を実行するために共に用いられる大型装置の２
つの部分を示す。図１は、プローバ１１０（図１の下
部）部分と、試験ヘッド１３０（図１の上部）の両方を
示す。試験ヘッド１３０は、複数のプリント回路板１３
４を備える。プリント回路板１３４は、図１のチャック
１１１上に搭載されたウェハ上に位置する集積回路を試
験するために必要なすべての電気回路構成を備える。図
１は、試験ヘッド母板１３２を示すが、これは個々の回
路板１３４のすべての電気接続を配線し、個々の回路板
１３４を物理的に支持する大型のプリント回路板であ
る。母板１３２は、プリント回路板１３４からポゴ・ピ
ン（ｐｏｇｏｐｉｎ）１１９を介して電気試験信号を電
気的に送るために用いられる。
回路産業においては、１つの集積回路ウェハ上に多くの
集積回路が同時に作成される。これらの集積回路を、ウ
ェハから個別に切り出す前に集積回路を個々に試験精査
するための機構を設けることが必要になる。図１は、半
導体ウェハ上に位置する集積回路を精査するために用い
られる従来技術による装置を示す。図１は、一般に、ウ
ェハ精査を実行するために共に用いられる大型装置の２
つの部分を示す。図１は、プローバ１１０（図１の下
部）部分と、試験ヘッド１３０（図１の上部）の両方を
示す。試験ヘッド１３０は、複数のプリント回路板１３
４を備える。プリント回路板１３４は、図１のチャック
１１１上に搭載されたウェハ上に位置する集積回路を試
験するために必要なすべての電気回路構成を備える。図
１は、試験ヘッド母板１３２を示すが、これは個々の回
路板１３４のすべての電気接続を配線し、個々の回路板
１３４を物理的に支持する大型のプリント回路板であ
る。母板１３２は、プリント回路板１３４からポゴ・ピ
ン（ｐｏｇｏｐｉｎ）１１９を介して電気試験信号を電
気的に送るために用いられる。
【０００３】図１に示される上方のポゴ・ピン群１１９
は、図１内の負荷板１１８と母板１３２との間に結合さ
れる。負荷板１１８は、回路板１３４からの電気試験信
号を、プローブ・カード１１６への直接インターフェー
スを可能にする物理的構造に実際に送るために用いられ
る。状況によっては、負荷板１１８は、キャパシタまた
はその他の集積回路などの、試験手順を助ける、あるい
は補う回路構成を備えることもある。プローブ・カード
１１６は、図１に示される第２群のポゴ・ピン１１９を
介して、負荷板１１８に結合される。別の形態では、負
荷板をプローブ・カードに結合する下方の電気接続部群
１１９を、ポゴ・ピンではなく、雄コネクタおよび雌コ
ネクタとすることもできる。
は、図１内の負荷板１１８と母板１３２との間に結合さ
れる。負荷板１１８は、回路板１３４からの電気試験信
号を、プローブ・カード１１６への直接インターフェー
スを可能にする物理的構造に実際に送るために用いられ
る。状況によっては、負荷板１１８は、キャパシタまた
はその他の集積回路などの、試験手順を助ける、あるい
は補う回路構成を備えることもある。プローブ・カード
１１６は、図１に示される第２群のポゴ・ピン１１９を
介して、負荷板１１８に結合される。別の形態では、負
荷板をプローブ・カードに結合する下方の電気接続部群
１１９を、ポゴ・ピンではなく、雄コネクタおよび雌コ
ネクタとすることもできる。
【０００４】プローブ・カード１１６は、負荷板からプ
ローブ針１１７へ電気試験信号を送る導電トレースを備
える。当産業で用いられるプローブ接触体の最も一般的
な形をカンチレバー・プローブ針と呼ぶ。ウェハ・チャ
ック１１１は、試験中に集積回路ウェハを支持するため
に用いられ、半導体ウェハを、縦（Z ）軸運動を介して
プローブ針１１７に接触させるために用いられる。プロ
ーブ針１１７とチャック１１１上のウェハとの間に電気
的接触がなされると、チャック１１１上に位置する半導
体ウェハ上の装置の電気試験を、プリント回路板１３４
から伝送された信号を用いて実行することができる。
ローブ針１１７へ電気試験信号を送る導電トレースを備
える。当産業で用いられるプローブ接触体の最も一般的
な形をカンチレバー・プローブ針と呼ぶ。ウェハ・チャ
ック１１１は、試験中に集積回路ウェハを支持するため
に用いられ、半導体ウェハを、縦（Z ）軸運動を介して
プローブ針１１７に接触させるために用いられる。プロ
ーブ針１１７とチャック１１１上のウェハとの間に電気
的接触がなされると、チャック１１１上に位置する半導
体ウェハ上の装置の電気試験を、プリント回路板１３４
から伝送された信号を用いて実行することができる。
【０００５】試験ヘッド１３０は、以下に述べるいくつ
かの素子を介してプローバ１１０に機械的に結合され
る。図１では、プローバ・ステーション１１０に直接的
に接続されたテーブル・トップ１１２が図示される。テ
ーブル１１２は、通常は１インチ厚であり、鋳鉄製であ
る。リング・キャリヤ１１４が、図１に示されるように
テーブル・トップ１１２に装着される。リング・キャリ
ヤ１１４は、前述のように図１の電気相互接続システム
にも結合される。リング・キャリヤ１１４は、図１に示
されるようにさらに接続機構１２０に接触される。ある
形態では、この接続機構１２０はＪリングまたは同様の
構造である。すべての形態において、接続機構１２０の
第１部分がリング・キャリヤ１１４に接続され、接続機
構１２０の第２部分が試験ヘッド１３０に接続される。
接続機構１２０のこれら２つの部分が接触して、当技術
で周知の方法で、試験ヘッド１３０とプローバ１１０と
の間の機械的接続部を形成する。
かの素子を介してプローバ１１０に機械的に結合され
る。図１では、プローバ・ステーション１１０に直接的
に接続されたテーブル・トップ１１２が図示される。テ
ーブル１１２は、通常は１インチ厚であり、鋳鉄製であ
る。リング・キャリヤ１１４が、図１に示されるように
テーブル・トップ１１２に装着される。リング・キャリ
ヤ１１４は、前述のように図１の電気相互接続システム
にも結合される。リング・キャリヤ１１４は、図１に示
されるようにさらに接続機構１２０に接触される。ある
形態では、この接続機構１２０はＪリングまたは同様の
構造である。すべての形態において、接続機構１２０の
第１部分がリング・キャリヤ１１４に接続され、接続機
構１２０の第２部分が試験ヘッド１３０に接続される。
接続機構１２０のこれら２つの部分が接触して、当技術
で周知の方法で、試験ヘッド１３０とプローバ１１０と
の間の機械的接続部を形成する。
【０００６】図１の装置にはいくつかの欠点がある。図
１においては、多数のポゴ・ピンまたは同様の電気接触
機構が直列に接続され、試験回路構成と被験ウェハとの
間に制御信号を送る。これらのポゴ・ピンは、電気信号
の統合性に大きく影響を与え、被送信電気信号に余分な
遅延を加えることが実験上わかっている。さらに、ポゴ
・ピンは動作が機械的であるために、時間の経過につれ
て不良となる傾向が高くなり、試験手順が不良に終わっ
て、後で繰り返さねばならなくなる。
１においては、多数のポゴ・ピンまたは同様の電気接触
機構が直列に接続され、試験回路構成と被験ウェハとの
間に制御信号を送る。これらのポゴ・ピンは、電気信号
の統合性に大きく影響を与え、被送信電気信号に余分な
遅延を加えることが実験上わかっている。さらに、ポゴ
・ピンは動作が機械的であるために、時間の経過につれ
て不良となる傾向が高くなり、試験手順が不良に終わっ
て、後で繰り返さねばならなくなる。
【０００７】また、より厚みのあるポゴ・ピンを用い
て、接続機構１２０，リング・キャリヤ１１４およびテ
ーブル・トップ１１２を用いると、ウェハおよびチャッ
ク１１１とプリント回路板１３４との間に大きな距離が
形成されることになる。図１に示されるように、ウェハ
１１１から試験ヘッド１３０までのこの距離は、ほぼ
３．５インチになる。被験装置（チャック１１１）と試
験条件を与える試験回路構成との間にこのように大きな
３．５インチという距離があるために、１００メガヘル
ツ（MHz ）以上で動作する現在の多くの半導体装置に関
しては、高速の試験周波数が得られない。また、試験ヘ
ッド１３０は、４００〜５００ポンドもの重さになり、
テーブル・トップ１１２とリング・キャリヤ１１４に応
力の問題を与える。新世代の試験ヘッドは、４００〜５
００ポンドよりはるかに重くなることが予想され、試験
システムにおける応力の問題を悪化させるだけになる。
試験ヘッド１３０などの大質量を、接続機構１２０を用
いてシステムに結合すると、図１の電気システムには大
きな応力が起こる。図１のシステムにこのような高い応
力が起こると、歩留まりが下がり、試験の反復性が失わ
れ、摩耗が過重になる。さらに、接続機構１２０とテー
ブル・トップ１１２が、試験ヘッド１３０をウェハ・プ
ローバ１１０に接続するために利用されるので、図１の
システムにおいては、種々の電気接続部と整合するため
に後で試験ヘッド１３０を移動させることが不可能にな
る。図１に示されるように、試験ヘッド１３０をプロー
バ１１０に合体させるために、複雑で高価なマニピュレ
ータが試験ヘッド１３０に接続される。当産業における
典型的なマニピュレータには、５ないし８回の調整があ
り、図１の正しい電気接続を行うには、この調整をかな
り精密に行う必要がある。マニピュレータには数回の調
整が必要になるので、図１の装置が機能するまでの準備
に多くの時間が必要になる。
て、接続機構１２０，リング・キャリヤ１１４およびテ
ーブル・トップ１１２を用いると、ウェハおよびチャッ
ク１１１とプリント回路板１３４との間に大きな距離が
形成されることになる。図１に示されるように、ウェハ
１１１から試験ヘッド１３０までのこの距離は、ほぼ
３．５インチになる。被験装置（チャック１１１）と試
験条件を与える試験回路構成との間にこのように大きな
３．５インチという距離があるために、１００メガヘル
ツ（MHz ）以上で動作する現在の多くの半導体装置に関
しては、高速の試験周波数が得られない。また、試験ヘ
ッド１３０は、４００〜５００ポンドもの重さになり、
テーブル・トップ１１２とリング・キャリヤ１１４に応
力の問題を与える。新世代の試験ヘッドは、４００〜５
００ポンドよりはるかに重くなることが予想され、試験
システムにおける応力の問題を悪化させるだけになる。
試験ヘッド１３０などの大質量を、接続機構１２０を用
いてシステムに結合すると、図１の電気システムには大
きな応力が起こる。図１のシステムにこのような高い応
力が起こると、歩留まりが下がり、試験の反復性が失わ
れ、摩耗が過重になる。さらに、接続機構１２０とテー
ブル・トップ１１２が、試験ヘッド１３０をウェハ・プ
ローバ１１０に接続するために利用されるので、図１の
システムにおいては、種々の電気接続部と整合するため
に後で試験ヘッド１３０を移動させることが不可能にな
る。図１に示されるように、試験ヘッド１３０をプロー
バ１１０に合体させるために、複雑で高価なマニピュレ
ータが試験ヘッド１３０に接続される。当産業における
典型的なマニピュレータには、５ないし８回の調整があ
り、図１の正しい電気接続を行うには、この調整をかな
り精密に行う必要がある。マニピュレータには数回の調
整が必要になるので、図１の装置が機能するまでの準備
に多くの時間が必要になる。
【０００８】また、図１のシステムにおいては、プリン
ト回路板１３４，プローブ・カード１１６，負荷板１１
８またはその他の、プローバまたは試験ヘッド１３０内
にある装置に対するアクセスを得るために、試験ヘッド
１３０を取り外すことが必要になる。試験ヘッド１３０
をこのように外すことで、余分な時間がかかるだけでな
く、試験ヘッドを外すと後で再結合が必要になり、この
ためには整合をすべてもう一度やり直さねばならない。
さらに、試験ヘッド１３０とプローバ１１０との間のイ
ンターフェースは、各プローバおよび各試験ヘッド毎に
高度にカストマイズされている。従って、試験ヘッド間
の交換およびプローバ間の交換は、集積回路産業におい
ては容易な作業ではなく、コストも上がる。
ト回路板１３４，プローブ・カード１１６，負荷板１１
８またはその他の、プローバまたは試験ヘッド１３０内
にある装置に対するアクセスを得るために、試験ヘッド
１３０を取り外すことが必要になる。試験ヘッド１３０
をこのように外すことで、余分な時間がかかるだけでな
く、試験ヘッドを外すと後で再結合が必要になり、この
ためには整合をすべてもう一度やり直さねばならない。
さらに、試験ヘッド１３０とプローバ１１０との間のイ
ンターフェースは、各プローバおよび各試験ヘッド毎に
高度にカストマイズされている。従って、試験ヘッド間
の交換およびプローバ間の交換は、集積回路産業におい
ては容易な作業ではなく、コストも上がる。
【０００９】従って、半導体ウェハをウェハ精査するた
めの改善された装置が必要である。
めの改善された装置が必要である。
【００１０】
【実施例】図面を簡単明瞭にするために、図面内に示さ
れる要素は必ずしも同尺で描かれているわけではないこ
とを理解頂きたい。たとえば、わかりやすくするため
に、いくつかの要素の寸法が他の要素に対して誇張され
ている。さらに、適切と考えられる場合には、図面間で
参照番号が繰り返し使用され、対応する、あるいは同様
の要素を示す。
れる要素は必ずしも同尺で描かれているわけではないこ
とを理解頂きたい。たとえば、わかりやすくするため
に、いくつかの要素の寸法が他の要素に対して誇張され
ている。さらに、適切と考えられる場合には、図面間で
参照番号が繰り返し使用され、対応する、あるいは同様
の要素を示す。
【００１１】一般に、図２は、従来技術による図１に図
示された装置よりも改善された装置を示す。図２は、試
験ヘッド１３０の過重な質量をリング・キャリヤおよび
テーブル・トップの任意の部分から切り離して、試験の
非反復性をなくし、応力を軽減し、図２に示される試験
部品の寿命を長くするシステムを図示する。また、図２
の装置は、ウェハ１１１とプリント回路板１３４との間
の電気相互接続部の機械的部分が大幅に簡略になってい
る。このように簡略化された相互接続法は、回路板１３
４とウェハ１１１との間の距離が短くなり、そのために
より高い動作信号周波数が可能になり、信号反射が削減
されるので、電気的にも機械的にも利点を有する。その
結果、図２に示されるテスタは、従来のプローバおよび
試験ヘッドに現在可能な速度をはるかに上回る速度で集
積回路ウェハを試験することができる。
示された装置よりも改善された装置を示す。図２は、試
験ヘッド１３０の過重な質量をリング・キャリヤおよび
テーブル・トップの任意の部分から切り離して、試験の
非反復性をなくし、応力を軽減し、図２に示される試験
部品の寿命を長くするシステムを図示する。また、図２
の装置は、ウェハ１１１とプリント回路板１３４との間
の電気相互接続部の機械的部分が大幅に簡略になってい
る。このように簡略化された相互接続法は、回路板１３
４とウェハ１１１との間の距離が短くなり、そのために
より高い動作信号周波数が可能になり、信号反射が削減
されるので、電気的にも機械的にも利点を有する。その
結果、図２に示されるテスタは、従来のプローバおよび
試験ヘッドに現在可能な速度をはるかに上回る速度で集
積回路ウェハを試験することができる。
【００１２】プローブ・カードと負荷板とが直接的に試
験ヘッドに合体されているために、図２の試験ヘッド，
負荷板およびプローブ・カードの位置を変更するために
コンピュータ制御を用いることができ、図２の下方の接
触群２１９をウェハおよびチャック１１１により良く整
合することができる。図２のシステムにおいて電気接触
に自己整準を実行することができるこの能力によって、
図２の種々の要素を接続するためにバンプ技術を用いる
ことができる。バンプ技術を用いることにより、試験シ
ステムの性能が電気的にも機械的にもさらに向上する。
また、図２に図示される装置の価格および保守費用は、
図１に図示される従来の構造に比べて大幅に削減され
る。一般に、直接的に合体させる方法および装置によ
り、試験費用と試験性能とが大幅に改善される。
験ヘッドに合体されているために、図２の試験ヘッド，
負荷板およびプローブ・カードの位置を変更するために
コンピュータ制御を用いることができ、図２の下方の接
触群２１９をウェハおよびチャック１１１により良く整
合することができる。図２のシステムにおいて電気接触
に自己整準を実行することができるこの能力によって、
図２の種々の要素を接続するためにバンプ技術を用いる
ことができる。バンプ技術を用いることにより、試験シ
ステムの性能が電気的にも機械的にもさらに向上する。
また、図２に図示される装置の価格および保守費用は、
図１に図示される従来の構造に比べて大幅に削減され
る。一般に、直接的に合体させる方法および装置によ
り、試験費用と試験性能とが大幅に改善される。
【００１３】本発明は、図２ないし図９を参照して、さ
らに良く理解頂けよう。図２は、図１に図示される試験
ヘッド１３０と実質的は同様の試験ヘッド１３１であ
る。異なるのは、試験ヘッド１３１が負荷板２１８と母
板１３２との間のバンプ接続技術に対応するように変更
されていることである。試験ヘッド１３１は、図１に説
明された回路板と同様の複数のプリント回路板１３４を
備える。図２は、試験ヘッド母板１３２も備え、これ
は、バンプ接続用に改良した図１に図示された母板と同
様の母板である。図２は、設計と、電気相互接続システ
ムおよび機械的合体システムの面とにおいて、図１とは
大きく異なる。試験ヘッド母板１３２は、第１群の導電
性バンプ２１９に直接的に結合される。この第１群のバ
ンプ領域２１９は、負荷板２１８に接続される。図２に
はクランプ機構が図示され、これにより負荷板２１８は
母板１３２にしっかりと接続される。
らに良く理解頂けよう。図２は、図１に図示される試験
ヘッド１３０と実質的は同様の試験ヘッド１３１であ
る。異なるのは、試験ヘッド１３１が負荷板２１８と母
板１３２との間のバンプ接続技術に対応するように変更
されていることである。試験ヘッド１３１は、図１に説
明された回路板と同様の複数のプリント回路板１３４を
備える。図２は、試験ヘッド母板１３２も備え、これ
は、バンプ接続用に改良した図１に図示された母板と同
様の母板である。図２は、設計と、電気相互接続システ
ムおよび機械的合体システムの面とにおいて、図１とは
大きく異なる。試験ヘッド母板１３２は、第１群の導電
性バンプ２１９に直接的に結合される。この第１群のバ
ンプ領域２１９は、負荷板２１８に接続される。図２に
はクランプ機構が図示され、これにより負荷板２１８は
母板１３２にしっかりと接続される。
【００１４】交換器または交換システムがプローバ２１
０に結合される。この交換器により、負荷板２１８とプ
ローブ・カード２１６の両方を、単体（共に負荷板およ
びプローブ・カード・アセンブリ２１８，２１６と呼ば
れる）として変更することができる。負荷板およびプロ
ーブ・カード・アセンブリ２１６，２１８の取出は、ク
ランプ機構２２０の操作を介して実行される。通常、ク
ランプ機構２２０は、交換器とインターフェースするコ
ンピュータ制御に基づいて起動または停止される空気圧
システムである。プローブ・カード２１６は、ネジ（図
２に図示）またはリング・キャリヤ（図２には図示せ
ず）を介して負荷板２１８に締め付けられ、一体型の負
荷板およびプローブ・カード・アセンブリ２１６，２１
８となる。負荷板２１８とプローブ・カード２１６との
間に、図２の導電性バンプ２１９を介して図示されるバ
ンプ技術により電気的接触がなされる。素子２１７は、
ウェハおよびチャック・システム１１１の上に直接ある
第３群／最下群の導電性バンプ（これもバンプ２１９と
して図示）を支持するポリイミド薄膜である。部分１１
１は、プローバ２１０の一部で、被験半導体ウェハを支
持するために用いられる。
０に結合される。この交換器により、負荷板２１８とプ
ローブ・カード２１６の両方を、単体（共に負荷板およ
びプローブ・カード・アセンブリ２１８，２１６と呼ば
れる）として変更することができる。負荷板およびプロ
ーブ・カード・アセンブリ２１６，２１８の取出は、ク
ランプ機構２２０の操作を介して実行される。通常、ク
ランプ機構２２０は、交換器とインターフェースするコ
ンピュータ制御に基づいて起動または停止される空気圧
システムである。プローブ・カード２１６は、ネジ（図
２に図示）またはリング・キャリヤ（図２には図示せ
ず）を介して負荷板２１８に締め付けられ、一体型の負
荷板およびプローブ・カード・アセンブリ２１６，２１
８となる。負荷板２１８とプローブ・カード２１６との
間に、図２の導電性バンプ２１９を介して図示されるバ
ンプ技術により電気的接触がなされる。素子２１７は、
ウェハおよびチャック・システム１１１の上に直接ある
第３群／最下群の導電性バンプ（これもバンプ２１９と
して図示）を支持するポリイミド薄膜である。部分１１
１は、プローバ２１０の一部で、被験半導体ウェハを支
持するために用いられる。
【００１５】図２の装置は、いくつかの理由により図１
の装置に比べ改善されている。第１に、試験ヘッド１３
１と被験ウェハ１１１との間隔が、図１の従来技術に示
される３．５インチよりも実質的に小さい。試験ヘッド
１３１とウェハ１１１との間隔を２．５インチ未満にす
ることは容易であり、試験システムのほぼすべての構造
について、試験ヘッド対被験装置の間隔を１．２５イン
チ未満にすることが容易に可能である。場合によって
は、試験ヘッド対被験装置の間隔が０．７５インチ未満
（０．５インチ未満にも最適に到達することもできる）
である試験システムを図２に示されるように設計するこ
とも珍しくない。図２の装置は、交換器（図３参照）に
より試験システム内に挿入され、コンピュータ制御を介
して試験ヘッド１３１に直接結合される負荷板およびプ
ローブ・カード・アセンブリ２１８，２１６を有する。
この特徴により、試験ヘッド１３１を、コンピュータ制
御モータ・システムまたは空気圧システムを介して操作
し、ウェハ／チャック１１１に接触するボール・ボンド
２１９の下端面をコンピュータにより整準することがで
きる。
の装置に比べ改善されている。第１に、試験ヘッド１３
１と被験ウェハ１１１との間隔が、図１の従来技術に示
される３．５インチよりも実質的に小さい。試験ヘッド
１３１とウェハ１１１との間隔を２．５インチ未満にす
ることは容易であり、試験システムのほぼすべての構造
について、試験ヘッド対被験装置の間隔を１．２５イン
チ未満にすることが容易に可能である。場合によって
は、試験ヘッド対被験装置の間隔が０．７５インチ未満
（０．５インチ未満にも最適に到達することもできる）
である試験システムを図２に示されるように設計するこ
とも珍しくない。図２の装置は、交換器（図３参照）に
より試験システム内に挿入され、コンピュータ制御を介
して試験ヘッド１３１に直接結合される負荷板およびプ
ローブ・カード・アセンブリ２１８，２１６を有する。
この特徴により、試験ヘッド１３１を、コンピュータ制
御モータ・システムまたは空気圧システムを介して操作
し、ウェハ／チャック１１１に接触するボール・ボンド
２１９の下端面をコンピュータにより整準することがで
きる。
【００１６】図２の設計は簡略化されて、図１の設計よ
り優れており、動作中に可動部分を少なくすることがで
きるので、稼働時間を長くすることができる。多重軸運
動を可能にする高価な注文設計によるマニピュレータを
使用することは、図２のシステムでは必要ない。一般
に、図２の試験ヘッド１３１を制御するために必要なマ
ニピュレータは、試験ヘッド１３１に取り付けられ、試
験ヘッドをZ 方向（上下方向）にプローバから遠ざける
単純な機械でありさえすればよい。図２のシステムによ
り、多くのテスタおよびプローバの設計を一般的なもの
とすることができ、異なる試験ヘッドおよび異なるプロ
ーバを、より容易に互いにインターフェースすることが
可能になる。
り優れており、動作中に可動部分を少なくすることがで
きるので、稼働時間を長くすることができる。多重軸運
動を可能にする高価な注文設計によるマニピュレータを
使用することは、図２のシステムでは必要ない。一般
に、図２の試験ヘッド１３１を制御するために必要なマ
ニピュレータは、試験ヘッド１３１に取り付けられ、試
験ヘッドをZ 方向（上下方向）にプローバから遠ざける
単純な機械でありさえすればよい。図２のシステムによ
り、多くのテスタおよびプローバの設計を一般的なもの
とすることができ、異なる試験ヘッドおよび異なるプロ
ーバを、より容易に互いにインターフェースすることが
可能になる。
【００１７】図１と図２とを比較することによりわかる
ように、接続機構１２０，リング・キャリヤ１１４およ
びテーブル・トップ１１２が、図２の設計から全面的に
削除されている。機械的部品をなくすることにより、プ
リント回路板１３４は、被験装置（DUT ：device under
test ）により近づけて配置することができ、技術の進
歩に従いほぼ１００MHz ないし４００MHz の範囲内の速
度で回路構成を試験することが可能になる。この能力に
より、ウェハ・プローブにおける個別ダイの速度選別が
可能になるので、価格が下がりサイクル時間が増大す
る。特に、高性能マイクロプロセッサの速度選別は、図
１のシステムを用いては可能でなかった。図２のシステ
ムでは、適切な電気接続を行うためにあまり調整が必要
とされないので、より効率的な準備が可能になる。従っ
て、一般に図２の装置は、図１の従来技術による装置に
比べて優れている。
ように、接続機構１２０，リング・キャリヤ１１４およ
びテーブル・トップ１１２が、図２の設計から全面的に
削除されている。機械的部品をなくすることにより、プ
リント回路板１３４は、被験装置（DUT ：device under
test ）により近づけて配置することができ、技術の進
歩に従いほぼ１００MHz ないし４００MHz の範囲内の速
度で回路構成を試験することが可能になる。この能力に
より、ウェハ・プローブにおける個別ダイの速度選別が
可能になるので、価格が下がりサイクル時間が増大す
る。特に、高性能マイクロプロセッサの速度選別は、図
１のシステムを用いては可能でなかった。図２のシステ
ムでは、適切な電気接続を行うためにあまり調整が必要
とされないので、より効率的な準備が可能になる。従っ
て、一般に図２の装置は、図１の従来技術による装置に
比べて優れている。
【００１８】図３は、試験ヘッド１３１と合体させたプ
ローバ２１０を示す。試験ヘッド１３１は、３つの力学
的結合機構３２２を備える。一般に、力学的結合機構３
２２は、試験ヘッド１３１をプローバ２１０と１ミクロ
ン精度で整合するために用いられる。３つの力学機構３
２２のそれぞれのZ 軸方向は、傾斜コントローラ・コン
ピュータ３２４により制御される。傾斜コントローラ３
２４の動作は、図７の流れ図でより詳細に説明される。
試験ヘッド１３１がプローバ２１０と合体された後で、
交換器３１２を有する交換器システム３１０を用いて、
複数の負荷板およびプローブ・カード・アセンブリ３１
６を含むマガジン３１４から、負荷板およびプローブ・
カード・アセンブリを選択する。別の形態では、マガジ
ン３１４は、１つの負荷板および装置試験アセンブリを
備えて、これをプローブ２１０および試験ヘッド１３１
装置内にアサートして、試験ヘッド１３１の動作を検証
することもできる。交換器３１２がプローブ・カードお
よび負荷板アセンブリを選択し、負荷板およびプローブ
・カード・アセンブリを試験ヘッド１３１と接触させる
と、ウェハがプローバ２１０に供給される。これらのウ
ェハは、試験ヘッド１３１に装着されている負荷板およ
びプローブ・カード・アセンブリのプローブ・カードと
順次接触する。その後で、半導体ウェハの集積回路の試
験が開始され、電気回路が適切な動作をしているかが確
認される。
ローバ２１０を示す。試験ヘッド１３１は、３つの力学
的結合機構３２２を備える。一般に、力学的結合機構３
２２は、試験ヘッド１３１をプローバ２１０と１ミクロ
ン精度で整合するために用いられる。３つの力学機構３
２２のそれぞれのZ 軸方向は、傾斜コントローラ・コン
ピュータ３２４により制御される。傾斜コントローラ３
２４の動作は、図７の流れ図でより詳細に説明される。
試験ヘッド１３１がプローバ２１０と合体された後で、
交換器３１２を有する交換器システム３１０を用いて、
複数の負荷板およびプローブ・カード・アセンブリ３１
６を含むマガジン３１４から、負荷板およびプローブ・
カード・アセンブリを選択する。別の形態では、マガジ
ン３１４は、１つの負荷板および装置試験アセンブリを
備えて、これをプローブ２１０および試験ヘッド１３１
装置内にアサートして、試験ヘッド１３１の動作を検証
することもできる。交換器３１２がプローブ・カードお
よび負荷板アセンブリを選択し、負荷板およびプローブ
・カード・アセンブリを試験ヘッド１３１と接触させる
と、ウェハがプローバ２１０に供給される。これらのウ
ェハは、試験ヘッド１３１に装着されている負荷板およ
びプローブ・カード・アセンブリのプローブ・カードと
順次接触する。その後で、半導体ウェハの集積回路の試
験が開始され、電気回路が適切な動作をしているかが確
認される。
【００１９】図４および図５は、力学機構３２２のZ 軸
位置を制御するために用いられる２つの機構を示す。図
４は、空気圧機構３２２を示す。空気圧機構３２２は、
ガス孔４６，エア領域４４およびピストン４２によって
構成される。チャンバ４４内に注入されたガスは、試験
ヘッド１３１の部分を上下させるために用いることがで
き、プローバ２１０内でプローブ・カードと被験装置と
の間の適切な電気接触を行うことができる。別の形態で
は、コンピュータ制御モータを図５に示されるように用
いて、図３の３つの力学機構３２２すべてのZ 軸運動を
制御することができる。図５は、傾斜コントローラ３２
４を介するコンピュータ制御により、試験ヘッド１３１
の部分を上下させることのできるネジ付き機械的機構５
２，５４を図示する。一般に、素子３２２または試験ヘ
ッド１３１をその円周の任意の部分に沿って上下させる
ことのできる装置により、プローブ・カードと下にある
半導体ウェハとの、適切な整準および電気接触が可能に
なる。
位置を制御するために用いられる２つの機構を示す。図
４は、空気圧機構３２２を示す。空気圧機構３２２は、
ガス孔４６，エア領域４４およびピストン４２によって
構成される。チャンバ４４内に注入されたガスは、試験
ヘッド１３１の部分を上下させるために用いることがで
き、プローバ２１０内でプローブ・カードと被験装置と
の間の適切な電気接触を行うことができる。別の形態で
は、コンピュータ制御モータを図５に示されるように用
いて、図３の３つの力学機構３２２すべてのZ 軸運動を
制御することができる。図５は、傾斜コントローラ３２
４を介するコンピュータ制御により、試験ヘッド１３１
の部分を上下させることのできるネジ付き機械的機構５
２，５４を図示する。一般に、素子３２２または試験ヘ
ッド１３１をその円周の任意の部分に沿って上下させる
ことのできる装置により、プローブ・カードと下にある
半導体ウェハとの、適切な整準および電気接触が可能に
なる。
【００２０】図６は、図３に示されるシステムの上面等
角図である。図６は、試験ヘッド１３１を図示する。試
験ヘッド１３１は、図４および図５に図示される３つの
力学Z 軸制御機構３２２に結合される。Z 軸力学制御部
３２２は、試験ヘッド１３１のシータ整合および回転を
可能にするシータ・コントローラ６２４を介して制御さ
れる。従って、シータ・コントローラ６２４と傾斜コン
トローラ３２４との間で、試験ヘッド１３１の精密なコ
ンピュータ整合を行うことができる。ある形態において
は、傾斜コントローラ３２４およびシータ・コントロー
ラ６２４は、同じ装置とすることもできる。シータ運動
は、力学装置３２２のそれぞれの下に位置する停止部を
有する軌道６２２を介して可能である。軌道６２２は、
１つの力学システムがシータ・コントローラにより制御
されるよう設定される。３つの力学システムのうち、他
の１つは、シータ・コントローラ６２４に電気的に結合
される必要はないが、１つの力学システム３２２に結合
されたシータ・コントローラ６２４からの指示に応答し
て移動する。図６には、交換器３１２，マガジン３１４
および複数の負荷板およびプローブ・カード・アセンブ
リ３１６も図示される。
角図である。図６は、試験ヘッド１３１を図示する。試
験ヘッド１３１は、図４および図５に図示される３つの
力学Z 軸制御機構３２２に結合される。Z 軸力学制御部
３２２は、試験ヘッド１３１のシータ整合および回転を
可能にするシータ・コントローラ６２４を介して制御さ
れる。従って、シータ・コントローラ６２４と傾斜コン
トローラ３２４との間で、試験ヘッド１３１の精密なコ
ンピュータ整合を行うことができる。ある形態において
は、傾斜コントローラ３２４およびシータ・コントロー
ラ６２４は、同じ装置とすることもできる。シータ運動
は、力学装置３２２のそれぞれの下に位置する停止部を
有する軌道６２２を介して可能である。軌道６２２は、
１つの力学システムがシータ・コントローラにより制御
されるよう設定される。３つの力学システムのうち、他
の１つは、シータ・コントローラ６２４に電気的に結合
される必要はないが、１つの力学システム３２２に結合
されたシータ・コントローラ６２４からの指示に応答し
て移動する。図６には、交換器３１２，マガジン３１４
および複数の負荷板およびプローブ・カード・アセンブ
リ３１６も図示される。
【００２１】図７は、本発明の実施例を用いてウェハを
精査する方法の工程流れ図である。ステップ８１０で、
マニピュレータと第１試験ヘッドとが互いに接続され
る。次に、図７のステップ８１２に示されるように、マ
ニピュレータを用いて、第１試験ヘッドがプローバに整
合される。第１試験ヘッドとプローバが、ステップ８１
４に示されるように、互いに合体される。次に、ステッ
プ８１６に示されるように、マニピュレータが第１試験
ヘッドから取り出される。この時点で、第１試験ヘッド
がある種の認定を必要とするか否かがステップ８１８で
判断される。認定が必要な場合には、ステップ８２０
で、試験負荷板がプローバに結合された交換器上に配置
される。次に、試験負荷板は、ステップ８２２で交換器
を用いて第１試験ヘッドに接続される。試験負荷板が、
ステップ８２６で試験に合格しない場合は、第１試験ヘ
ッドは修理の必要があり、試験ヘッド・アセンブリ全体
は保守に回される。試験に合格すると、ステップ８２８
で交換器を用いて試験負荷板が第１試験ヘッドから取り
出される。
精査する方法の工程流れ図である。ステップ８１０で、
マニピュレータと第１試験ヘッドとが互いに接続され
る。次に、図７のステップ８１２に示されるように、マ
ニピュレータを用いて、第１試験ヘッドがプローバに整
合される。第１試験ヘッドとプローバが、ステップ８１
４に示されるように、互いに合体される。次に、ステッ
プ８１６に示されるように、マニピュレータが第１試験
ヘッドから取り出される。この時点で、第１試験ヘッド
がある種の認定を必要とするか否かがステップ８１８で
判断される。認定が必要な場合には、ステップ８２０
で、試験負荷板がプローバに結合された交換器上に配置
される。次に、試験負荷板は、ステップ８２２で交換器
を用いて第１試験ヘッドに接続される。試験負荷板が、
ステップ８２６で試験に合格しない場合は、第１試験ヘ
ッドは修理の必要があり、試験ヘッド・アセンブリ全体
は保守に回される。試験に合格すると、ステップ８２８
で交換器を用いて試験負荷板が第１試験ヘッドから取り
出される。
【００２２】ステップ８３０で生産負荷板およびプロー
ブ・カード・アセンブリが交換器上に配置され、その後
ステップ８３２で交換器を用いて第１試験ヘッドに接続
される。ステップ８３４でウェハがプローバ内のチャッ
ク上に配置される。この時点では、ステップ８３６で第
１試験ヘッド，チャックまたはその両方に対して１回以
上の最終調整が必要になる。これらの調整を用いて、プ
ローブ・カード上のプローブ接触をウェハに電気的に結
合する。装置の説明で前述したように、傾斜コントロー
ラを用いて傾斜を制御し、あるいはシータ・コントロー
ラを用いて試験ヘッド自身の回転位置を調整することが
できる。その他の位置決め機構を用いることもできる
が、本仕様書では説明しない。
ブ・カード・アセンブリが交換器上に配置され、その後
ステップ８３２で交換器を用いて第１試験ヘッドに接続
される。ステップ８３４でウェハがプローバ内のチャッ
ク上に配置される。この時点では、ステップ８３６で第
１試験ヘッド，チャックまたはその両方に対して１回以
上の最終調整が必要になる。これらの調整を用いて、プ
ローブ・カード上のプローブ接触をウェハに電気的に結
合する。装置の説明で前述したように、傾斜コントロー
ラを用いて傾斜を制御し、あるいはシータ・コントロー
ラを用いて試験ヘッド自身の回転位置を調整することが
できる。その他の位置決め機構を用いることもできる
が、本仕様書では説明しない。
【００２３】最終調整を行った後で、N 個のウェハまた
はダイが精査される。N とは、本仕様書内では、１以上
の任意の整数である。N 個のウェハまたはダイを精査し
た後で、ステップ８３８で、結果が仕様値を満足してい
るか否かの判断がなされる。この仕様値とは、開路が多
すぎる、短絡路が多すぎる、あるいは精査される通常の
装置に関して異常と思われる規範である。たとえば、あ
る種の装置からのウェハ歩留まりが、約９０％であり、
N 個のウェハを精査した後でウェハ歩留まりがわずか５
０％であるとすると、精査動作は中止され、ウェハに欠
陥があるのか、あるいはプローバまたは試験ヘッド・ア
センブリで何かが悪いのかが判断される。仕様値が満足
されると、別の確認点に達するまで、あるいはステップ
８４０でウェハのロットが終了するまで精査が続けられ
る。この時点で、別のロットのウェハを開始することが
でき、これは同じ装置でも新しい装置でもよい。新しい
装置がステップ８４２で精査される場合は、工程はステ
ップ８１８として示されるC 点で開始される。
はダイが精査される。N とは、本仕様書内では、１以上
の任意の整数である。N 個のウェハまたはダイを精査し
た後で、ステップ８３８で、結果が仕様値を満足してい
るか否かの判断がなされる。この仕様値とは、開路が多
すぎる、短絡路が多すぎる、あるいは精査される通常の
装置に関して異常と思われる規範である。たとえば、あ
る種の装置からのウェハ歩留まりが、約９０％であり、
N 個のウェハを精査した後でウェハ歩留まりがわずか５
０％であるとすると、精査動作は中止され、ウェハに欠
陥があるのか、あるいはプローバまたは試験ヘッド・ア
センブリで何かが悪いのかが判断される。仕様値が満足
されると、別の確認点に達するまで、あるいはステップ
８４０でウェハのロットが終了するまで精査が続けられ
る。この時点で、別のロットのウェハを開始することが
でき、これは同じ装置でも新しい装置でもよい。新しい
装置がステップ８４２で精査される場合は、工程はステ
ップ８１８として示されるC 点で開始される。
【００２４】ステップ８４４を参照して、仕様値が満足
されないのが１回であるのか、２回以上であるのかによ
り、動作の工程が決まる。仕様値が満足されないのが１
回だけの場合は、工程は工程内の点B でもう一度初めか
らやり直される。仕様値が満足されないことが２回以上
ある場合は、ステップ８４６が実行される。次に必要な
判断は、ステップ８４６における、第１試験ヘッドがプ
ローバ上にある間に第１ヘッド・アセンブリを修理する
ことができるかという判断である。イエスの場合は、試
験ヘッドが固定され、他の修理を行うことができる。そ
れができない場合は、ステップ８５０で、マニピュレー
タを第１試験ヘッドにもう一度接続する。ステップ８５
２で、第１試験ヘッドが取り出されて修理が行われる。
されないのが１回であるのか、２回以上であるのかによ
り、動作の工程が決まる。仕様値が満足されないのが１
回だけの場合は、工程は工程内の点B でもう一度初めか
らやり直される。仕様値が満足されないことが２回以上
ある場合は、ステップ８４６が実行される。次に必要な
判断は、ステップ８４６における、第１試験ヘッドがプ
ローバ上にある間に第１ヘッド・アセンブリを修理する
ことができるかという判断である。イエスの場合は、試
験ヘッドが固定され、他の修理を行うことができる。そ
れができない場合は、ステップ８５０で、マニピュレー
タを第１試験ヘッドにもう一度接続する。ステップ８５
２で、第１試験ヘッドが取り出されて修理が行われる。
【００２５】前述のように、実行可能な最終調整の１つ
は、傾斜アセンブリに対するものである。傾斜コントロ
ーラを用いる１つの方法の説明を、図８および図９に行
う。図８に示されるように、プローブ接触２１７は、半
導体ウェハ８２の表面に平行な面に沿っていない端部を
有する。図８の最も左側のプローブ接触２１７は、他の
接触がなされる前にウェハ１１１に接触する。テスタが
この接触を検知するとすぐに、傾斜コントローラはヘッ
ドの位置を調整し、それによって、図９に示されるよう
にプローブ接触２１９のすべてが半導体ウェハ８２に接
触するよう、試験ヘッドを回転させる。装置に関して前
述されたように、この種の調整は、空気圧シリンダ（図
４），ウォーム歯車アセンブリ（図５）などを用いて行
うことができる。
は、傾斜アセンブリに対するものである。傾斜コントロ
ーラを用いる１つの方法の説明を、図８および図９に行
う。図８に示されるように、プローブ接触２１７は、半
導体ウェハ８２の表面に平行な面に沿っていない端部を
有する。図８の最も左側のプローブ接触２１７は、他の
接触がなされる前にウェハ１１１に接触する。テスタが
この接触を検知するとすぐに、傾斜コントローラはヘッ
ドの位置を調整し、それによって、図９に示されるよう
にプローブ接触２１９のすべてが半導体ウェハ８２に接
触するよう、試験ヘッドを回転させる。装置に関して前
述されたように、この種の調整は、空気圧シリンダ（図
４），ウォーム歯車アセンブリ（図５）などを用いて行
うことができる。
【００２６】本発明で用いられるシステムは、試験ヘッ
ドそのものの間でかなりの融通性を持つ。たとえば、試
験ヘッドが異なるモデルであったり、異なるプローバ上
で用いられても、プローブ・エリア内の異なるすべての
試験ヘッドに関して、１つのマニピュレータを用いるこ
とができる。マニピュレータを取り外すことのできる機
能により、試験ヘッドだけを外して保守を行うことがで
きるので、空間ならびに装置のコストの節約になる。シ
ステムの認定または異なる種類の被験装置のための切換
の間に、プローブ・カードおよび負荷板アセンブリが交
換されるときは外す必要がない。
ドそのものの間でかなりの融通性を持つ。たとえば、試
験ヘッドが異なるモデルであったり、異なるプローバ上
で用いられても、プローブ・エリア内の異なるすべての
試験ヘッドに関して、１つのマニピュレータを用いるこ
とができる。マニピュレータを取り外すことのできる機
能により、試験ヘッドだけを外して保守を行うことがで
きるので、空間ならびに装置のコストの節約になる。シ
ステムの認定または異なる種類の被験装置のための切換
の間に、プローブ・カードおよび負荷板アセンブリが交
換されるときは外す必要がない。
【００２７】本発明は、特定の実施例および材料を参照
して図示および説明されたが、更なる改良および改善が
当業者には可能であろう。従って、本発明は図示された
特定の形態に限定されず、添付される請求項は、本発明
の精神および範囲から逸脱しないすべての改良を包含す
るものであることを理解頂きたい。
して図示および説明されたが、更なる改良および改善が
当業者には可能であろう。従って、本発明は図示された
特定の形態に限定されず、添付される請求項は、本発明
の精神および範囲から逸脱しないすべての改良を包含す
るものであることを理解頂きたい。
【図１】プローブおよび試験アセンブリ（従来技術）の
一部の断面図である。
一部の断面図である。
【図２】本発明の実施例を備えるプローブおよび試験装
置の一部の断面図である。
置の一部の断面図である。
【図３】本発明の実施例による、プローバ，試験ヘッ
ド，交換機構および傾斜コントローラを備える試験アセ
ンブリの一部の図である。
ド，交換機構および傾斜コントローラを備える試験アセ
ンブリの一部の図である。
【図４】本発明の実施例による空気圧型傾斜調整システ
ムを示す試験ヘッド・アセンブリの一部の断面図であ
る。
ムを示す試験ヘッド・アセンブリの一部の断面図であ
る。
【図５】本発明の代替の実施例によるネジ付き開口部お
よびウォーム歯車を備える傾斜アセンブリ機構の一部の
断面図である。
よびウォーム歯車を備える傾斜アセンブリ機構の一部の
断面図である。
【図６】回転（θ）コントローラ調整を行う交換器機構
およびレールを備えるプローブおよび試験機構の上面図
である。
およびレールを備えるプローブおよび試験機構の上面図
である。
【図７】本発明のある実施例のための工程流れ図であ
る。
る。
【図８】基板に不均一に接触するプローブ・チップの図
である。
である。
【図９】傾斜調整を行った後の図８のプローバである。
１３０ 試験ヘッド １３２ 母板 １１１ チャック １３４ プリント回路板 ２１０ プローバ ２１６ プローブ・カード ２１７ プローブ接触 ２１８ 負荷板 ２１９ 導電性バンプ ２２０ クランプ機構
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体ウェハ上の複数の集積回路を試験
する方法であって：試験ヘッドを、テーブル・トップを
持たないウェハ・プローバに近接させる段階；前記ウェ
ハ・プローバに結合された交換器内に負荷板およびプロ
ーブ・カード・アセンブリを配置する段階；（ステップ
８３０） 前記交換器を移動させて、前記負荷板およびプローブ・
カード・アセンブリを前記試験ヘッドと直接接触させ、
前記試験ヘッドと前記負荷板との間に電気接触を行う段
階；（ステップ８３２） 前記ウェハ・プローバに結合されたウェハ・チャック上
に前記半導体ウェハを配置する段階；および（ステップ
８３４） 前記半導体ウェハを前記負荷板およびプローブ・カード
・アセンブリの前記プローブ・カードに接触させて、前
記半導体ウェハ上の前記複数の集積回路の試験を可能に
する段階；（ステップ８４０） によって構成されることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 半導体ウェハを試験する方法であって：
交換器を用いて第１負荷板および（ステップ８３０）プ
ローブ・カード・アセンブリを、プローバと接触する試
験ヘッドに接触させる段階；第１半導体ウェハを、前記
プローバ内にある前記第１負荷板およびプローブ・カー
ド・アセンブリ内に位置する前記プローブ・カードと接
触させる段階；（ステップ８４０） 前記交換器を用いて、前記第１負荷板およびプローブ・
カード・アセンブリを前記試験ヘッドとの接触状態から
取り出す段階；および（ステップ８２８） 前記交換器を用いて、第２負荷板およびプローブ・カー
ド・アセンブリを、前記プローバと接触する前記試験ヘ
ッドと接触させる段階（ステップ８３０）；によって構
成されることを特徴とする方法。 - 【請求項３】 半導体ウェハを試験する方法であって：
テスタに電気的に結合された試験ヘッドを設ける段階；
負荷板を前記試験ヘッドに電気的に結合する段階；ウェ
ハ接続点を備えるプローブ・カードを前記負荷板に電気
的に結合する段階；および前記半導体ウェハを前記プロ
ーブ・カード上の前記ウェハ接続点に接触させる段階で
あって、このとき前記半導体ウェハが前記試験ヘッドか
ら２．５インチ未満だけ隔てられる段階；によって構成
されることを特徴とする方法。 - 【請求項４】 半導体ウェハをプローブする方法であっ
て：集積回路を備える半導体ウェハであって、前記半導
体ウェハ上の各集積回路が１２５MHz 超の動作周波数で
動作するよう設計され、各集積回路は少なくとも２０個
の外部端子接続点を有する半導体ウェハを設ける段階；
および試験コントローラからの試験プローブを前記半導
体ウェハ上の選択された集積回路の前記少なくとも２０
個の端子のそれぞれに結合して、前記試験コントローラ
が試験信号を前記半導体ウェハ上の前記被選択集積回路
に対して、１２５MHz以上の速度で通信することができ
るようにする段階；によって構成されることを特徴とす
る方法。 - 【請求項５】 基板上の半導体装置を試験する方法であ
って：試験ヘッドをプローバ上に配置する段階；前記基
板をチャック上に配置する段階；および前記基板が前記
チャック上にあり、前記試験ヘッドが前記プローバ上に
ある間に、前記試験ヘッドの位置を調整する段階；によ
って構成されることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/662,739 US6166552A (en) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | Method and apparatus for testing a semiconductor wafer |
| US662739 | 1996-06-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064963A true JPH1064963A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=24658999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9150431A Pending JPH1064963A (ja) | 1996-06-10 | 1997-05-23 | 半導体ウェハ上の複数の集積回路を試験する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6166552A (ja) |
| JP (1) | JPH1064963A (ja) |
| KR (1) | KR100486396B1 (ja) |
| IE (1) | IE80524B1 (ja) |
| TW (1) | TW333678B (ja) |
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