JPH1062699A - 可動ミラー装置及びその製造方法 - Google Patents
可動ミラー装置及びその製造方法Info
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- JPH1062699A JPH1062699A JP9149391A JP14939197A JPH1062699A JP H1062699 A JPH1062699 A JP H1062699A JP 9149391 A JP9149391 A JP 9149391A JP 14939197 A JP14939197 A JP 14939197A JP H1062699 A JPH1062699 A JP H1062699A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射プレートの有効反射面積を広めることが
でき、かつ、制作工程が単純で生産効率を向上しうる可
動ミラー装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板に電極層を所定パターンで形成する
段階と、基板と電極層の上面に厚膜を形成する段階と、
厚膜の上面に所定パターンの支持プレートを形成する段
階と、支持プレートの上面に所定パターンのマスクを位
置させた後、支持プレートと厚膜の一部を蝕刻して少な
くとも一つの貫通孔を形成する段階と、支持プレートの
上面と貫通孔の内にフォトレジストを塗布し、所定パタ
ーンのマスクを位置させた後、露光及び蝕刻して支持プ
レートの外周部を取り除き、支持プレートを単品に分離
する段階と、スパッタリングにより貫通孔内の一側面に
ポストを形成する段階と、支持プレートの上面に反射プ
レートを形成する段階と、厚膜を取り除く段階とを含
む。
でき、かつ、制作工程が単純で生産効率を向上しうる可
動ミラー装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板に電極層を所定パターンで形成する
段階と、基板と電極層の上面に厚膜を形成する段階と、
厚膜の上面に所定パターンの支持プレートを形成する段
階と、支持プレートの上面に所定パターンのマスクを位
置させた後、支持プレートと厚膜の一部を蝕刻して少な
くとも一つの貫通孔を形成する段階と、支持プレートの
上面と貫通孔の内にフォトレジストを塗布し、所定パタ
ーンのマスクを位置させた後、露光及び蝕刻して支持プ
レートの外周部を取り除き、支持プレートを単品に分離
する段階と、スパッタリングにより貫通孔内の一側面に
ポストを形成する段階と、支持プレートの上面に反射プ
レートを形成する段階と、厚膜を取り除く段階とを含
む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は可動ミラー装置及び
その製造方法に係り、特に広い有効反射面積を有し、構
造が簡単な可動ミラー装置及びその製造方法に関する。
その製造方法に係り、特に広い有効反射面積を有し、構
造が簡単な可動ミラー装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、可動ミラー装置は、図１に示し
たように、ヒンジ３によりポスト２に回動可能に連結さ
れた複数の反射ミラー１を有する。前記各反射ミラー１
は静電気力により回動され、各反射ミラー１に入射され
る光を所定角度で反射させる。前記可動ミラー装置は映
写テレビの画像表示装置及びスキャナー、複写機、ファ
クシミリ等の光走査装置に適用される。可動ミラー装置
の反射ミラー１は画素の数だけ二次元的に配列され、そ
れぞれの反射ミラー１を各画素に対する画像信号に応じ
て回動させることにより光を反射させて色と明るさを調
節する。
たように、ヒンジ３によりポスト２に回動可能に連結さ
れた複数の反射ミラー１を有する。前記各反射ミラー１
は静電気力により回動され、各反射ミラー１に入射され
る光を所定角度で反射させる。前記可動ミラー装置は映
写テレビの画像表示装置及びスキャナー、複写機、ファ
クシミリ等の光走査装置に適用される。可動ミラー装置
の反射ミラー１は画素の数だけ二次元的に配列され、そ
れぞれの反射ミラー１を各画素に対する画像信号に応じ
て回動させることにより光を反射させて色と明るさを調
節する。
【０００３】米国特許第5,083,857 号に開示された‘マ
ルチレベル可動ミラー装置(Texas Instrument 社)’の
製造方法を図２に基づき説明する。図２に示したよう
に、アドレス走査回路を含む基板11の上面にSRAM(stati
c random access memory)12 及び酸化保護膜13を順次に
形成する。かつ、酸化保護膜13の上部に所定パターン22
を有する第１スぺーサ層21を形成する（段階100)。
ルチレベル可動ミラー装置(Texas Instrument 社)’の
製造方法を図２に基づき説明する。図２に示したよう
に、アドレス走査回路を含む基板11の上面にSRAM(stati
c random access memory)12 及び酸化保護膜13を順次に
形成する。かつ、酸化保護膜13の上部に所定パターン22
を有する第１スぺーサ層21を形成する（段階100)。
【０００４】次に、前記第１スぺーサ層21の上面にスパ
ッタリングによりヒンジ14を形成し、ヒンジ14の上面に
第１支持ポスト15を有する電極16を形成させる（段階11
0)。引き続き、前記電極16の上に第２スぺーサ層23を形
成した後、その上に第２支持ポスト17を有する反射ミラ
ー18を形成する。ここで、前記反射ミラー18は通常的に
アルミニウムをスパッタリングすることにより形成され
る（段階120)。
ッタリングによりヒンジ14を形成し、ヒンジ14の上面に
第１支持ポスト15を有する電極16を形成させる（段階11
0)。引き続き、前記電極16の上に第２スぺーサ層23を形
成した後、その上に第２支持ポスト17を有する反射ミラ
ー18を形成する。ここで、前記反射ミラー18は通常的に
アルミニウムをスパッタリングすることにより形成され
る（段階120)。
【０００５】最終的に、前記第１及び第２スぺーサ層2
1,23 を取り除いて可動ミラー装置を完成する（段階13
0)。しかしながら、前記可動ミラー装置の製造工程のう
ち前記SRAM12の上面に形成されるヒンジ14及び反射ミラ
ー18等の製造時に不良品が発生すると、SRAM12まで損な
われる問題点がある。かつ、基板11の上面に複数の層を
順次に形成しなければならないので、製造工程が複雑に
なる。
1,23 を取り除いて可動ミラー装置を完成する（段階13
0)。しかしながら、前記可動ミラー装置の製造工程のう
ち前記SRAM12の上面に形成されるヒンジ14及び反射ミラ
ー18等の製造時に不良品が発生すると、SRAM12まで損な
われる問題点がある。かつ、基板11の上面に複数の層を
順次に形成しなければならないので、製造工程が複雑に
なる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記のような
問題点を解決するために案出されたものであり、広い光
反射有効面積を有し、構造及び製造工程が単純化された
可動ミラー装置及びその製造方法を提供することにその
目的がある。
問題点を解決するために案出されたものであり、広い光
反射有効面積を有し、構造及び製造工程が単純化された
可動ミラー装置及びその製造方法を提供することにその
目的がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明の可動ミラー装置は、基板と、前記基板の上面
に形成された複数の電極と、前記電極に対して傾斜する
ように前記電極の上部に設けられた反射ミラーと、一端
が前記基板上の前記電極の間に結合され、他端が前記反
射ミラーが傾斜するように弾力性を有する少なくとも一
つのポストとを含むことを特徴とする。
に本発明の可動ミラー装置は、基板と、前記基板の上面
に形成された複数の電極と、前記電極に対して傾斜する
ように前記電極の上部に設けられた反射ミラーと、一端
が前記基板上の前記電極の間に結合され、他端が前記反
射ミラーが傾斜するように弾力性を有する少なくとも一
つのポストとを含むことを特徴とする。
【０００８】本発明による可動ミラーの製造方法は、基
板に電極層を所定パターンで形成する段階と、前記基板
と電極層の上面に厚膜を形成する段階と、前記厚膜の上
面に所定パターンの支持プレートを形成する段階と、前
記支持プレートの上面に所定パターンのマスクを位置さ
せた後、前記支持プレートと厚膜の一部を蝕刻して少な
くとも一つの貫通孔を形成する段階と、前記支持プレー
トの上面と前記貫通孔の内にフォトレジストを塗布し、
所定パターンのマスクを位置させた後、露光及び蝕刻し
て前記支持プレートの外周部を取り除き、前記支持プレ
ートを単品に分離する段階と、スパッタリングにより前
記貫通孔内の一側面にポストを形成する段階と、前記支
持プレートの上面に反射プレートを形成する段階と、前
記厚膜を取り除く段階とを含むことを特徴とする。
板に電極層を所定パターンで形成する段階と、前記基板
と電極層の上面に厚膜を形成する段階と、前記厚膜の上
面に所定パターンの支持プレートを形成する段階と、前
記支持プレートの上面に所定パターンのマスクを位置さ
せた後、前記支持プレートと厚膜の一部を蝕刻して少な
くとも一つの貫通孔を形成する段階と、前記支持プレー
トの上面と前記貫通孔の内にフォトレジストを塗布し、
所定パターンのマスクを位置させた後、露光及び蝕刻し
て前記支持プレートの外周部を取り除き、前記支持プレ
ートを単品に分離する段階と、スパッタリングにより前
記貫通孔内の一側面にポストを形成する段階と、前記支
持プレートの上面に反射プレートを形成する段階と、前
記厚膜を取り除く段階とを含むことを特徴とする。
【０００９】かつ、本発明の他の側面によると、基板に
電極層を所定パターンで形成する段階と、前記基板と電
極層の上面に厚膜を形成する段階と、前記厚膜の上面に
所定パターンのマスクを位置させた後、前記厚膜の一部
を蝕刻して少なくとも一つの貫通孔を形成する段階と、
前記貫通孔内にフォトレジストを塗布し、所定パターン
のマスクを位置させた後、露光及び蝕刻して前記支持プ
レートの外周部を取り除き、前記支持プレートを単品に
分離する段階と、スパッタリングにより前記貫通孔内の
一側面にポストを形成する段階と、前記厚膜の上面に反
射プレートを形成する段階と、前記貫通孔内にフォトレ
ジスト層を形成する段階と、前記貫通孔の上部が埋め込
まれるように前記支持プレートと前記フォトレジスト層
上に反射プレートを形成する段階と、前記厚膜及びフォ
トレジスト層を取り除く段階とを含むことを特徴とす
る。
電極層を所定パターンで形成する段階と、前記基板と電
極層の上面に厚膜を形成する段階と、前記厚膜の上面に
所定パターンのマスクを位置させた後、前記厚膜の一部
を蝕刻して少なくとも一つの貫通孔を形成する段階と、
前記貫通孔内にフォトレジストを塗布し、所定パターン
のマスクを位置させた後、露光及び蝕刻して前記支持プ
レートの外周部を取り除き、前記支持プレートを単品に
分離する段階と、スパッタリングにより前記貫通孔内の
一側面にポストを形成する段階と、前記厚膜の上面に反
射プレートを形成する段階と、前記貫通孔内にフォトレ
ジスト層を形成する段階と、前記貫通孔の上部が埋め込
まれるように前記支持プレートと前記フォトレジスト層
上に反射プレートを形成する段階と、前記厚膜及びフォ
トレジスト層を取り除く段階とを含むことを特徴とす
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付した図面に基
づき更に詳細に説明する。図３を参照するに、本発明の
一実施例による可動ミラー装置はアドレス走査回路（図
示せず）を具備する基板30と、前記基板30の上面にスト
ライプ状に形成された少なくとも一対の電極33a,33b を
具備する。前記基板30上の前記電極33a,33b の間にはポ
スト39が形成される。前記ポスト39は基板30に対して垂
直に結合され、弾力的に曲げられる。
づき更に詳細に説明する。図３を参照するに、本発明の
一実施例による可動ミラー装置はアドレス走査回路（図
示せず）を具備する基板30と、前記基板30の上面にスト
ライプ状に形成された少なくとも一対の電極33a,33b を
具備する。前記基板30上の前記電極33a,33b の間にはポ
スト39が形成される。前記ポスト39は基板30に対して垂
直に結合され、弾力的に曲げられる。
【００１１】前記ポスト39の上端には反射ミラー37が結
合される。前記反射ミラー37は支持プレート35と、前記
支持プレート35の上に形成された反射プレート36とから
構成された二層構造である。前記支持プレート35は前記
電極 33a,33bと面しており、支持プレート35と電極33a,
33b との相互静電気力により前記反射ミラー37の角度が
調節される。かつ、前記反射プレート36は入射光を反射
させる。
合される。前記反射ミラー37は支持プレート35と、前記
支持プレート35の上に形成された反射プレート36とから
構成された二層構造である。前記支持プレート35は前記
電極 33a,33bと面しており、支持プレート35と電極33a,
33b との相互静電気力により前記反射ミラー37の角度が
調節される。かつ、前記反射プレート36は入射光を反射
させる。
【００１２】前記反射ミラー37には前記ポスト39を形成
させるための貫通孔40が形成されている。前記反射プレ
ート36は前記貫通孔40を通したスパッタリング又は蒸着
により前記ポスト39と一体で形成される。この際、前記
ポスト39を薄く形成して前記反射ミラー37の傾斜を容易
にするため、スパッタリング又は蒸着が矢印(A) の方向
に施すのが望ましい。かつ、前記貫通孔40の面積を縮め
ることにより、反射ミラー37の有効反射面積を最大限に
広めることが望ましい。
させるための貫通孔40が形成されている。前記反射プレ
ート36は前記貫通孔40を通したスパッタリング又は蒸着
により前記ポスト39と一体で形成される。この際、前記
ポスト39を薄く形成して前記反射ミラー37の傾斜を容易
にするため、スパッタリング又は蒸着が矢印(A) の方向
に施すのが望ましい。かつ、前記貫通孔40の面積を縮め
ることにより、反射ミラー37の有効反射面積を最大限に
広めることが望ましい。
【００１３】前記貫通孔40は、図３に示された長方形の
みならず、図４（Ａ）乃至図４（Ｄ）に示されたよう
に、三角形42、台形43、"T" 字形44、長方形と台形の結
合形状45等から形成することができる。ここで、各図面
の矢印(A) は蒸着方向を表す。本発明の可動ミラー装置
は、図５に示したように、基板30上の電極33a,33b の間
に平行して形成された少なくとも二つのポスト39a,39b
を具備することもできる。前記ポストが二つ以上である
場合には温度及び残留応力により反射ミラー37がねじれ
る現象を防止することができる。
みならず、図４（Ａ）乃至図４（Ｄ）に示されたよう
に、三角形42、台形43、"T" 字形44、長方形と台形の結
合形状45等から形成することができる。ここで、各図面
の矢印(A) は蒸着方向を表す。本発明の可動ミラー装置
は、図５に示したように、基板30上の電極33a,33b の間
に平行して形成された少なくとも二つのポスト39a,39b
を具備することもできる。前記ポストが二つ以上である
場合には温度及び残留応力により反射ミラー37がねじれ
る現象を防止することができる。
【００１４】図６には本発明の他の実施例による可動ミ
ラー装置が示されている。ここで、前述した参照符号と
同一な参照符号は同一な部材を示す。本実施例の特徴に
よると、反射プレート36′には貫通孔が形成されていな
い。即ち、前記反射プレート36′に形成された貫通孔40
（図３参照）を埋め込むことにより、反射ミラー37の有
効反射面積を広めることができる。
ラー装置が示されている。ここで、前述した参照符号と
同一な参照符号は同一な部材を示す。本実施例の特徴に
よると、反射プレート36′には貫通孔が形成されていな
い。即ち、前記反射プレート36′に形成された貫通孔40
（図３参照）を埋め込むことにより、反射ミラー37の有
効反射面積を広めることができる。
【００１５】かかる構成を有する本発明による可動ミラ
ー装置の動作において、前記基板30（図３参照）のアド
レス走査回路による電位が電極33a,33b を通して印加さ
れると、電位差により前記反射ミラー37と電極33a,33b
との間に静電気力が発生して前記反射ミラー37を傾斜さ
せるトルクが発生される。従って、前記ポスト39が曲が
り、前記反射ミラー37は所定角度で傾斜する。前記電極
33a,33b と前記反射ミラー37の間に電位差がなくなる
と、前記ポスト39は元の状態に復帰し、前記反射ミラー
37は再び水平状態に戻る。
ー装置の動作において、前記基板30（図３参照）のアド
レス走査回路による電位が電極33a,33b を通して印加さ
れると、電位差により前記反射ミラー37と電極33a,33b
との間に静電気力が発生して前記反射ミラー37を傾斜さ
せるトルクが発生される。従って、前記ポスト39が曲が
り、前記反射ミラー37は所定角度で傾斜する。前記電極
33a,33b と前記反射ミラー37の間に電位差がなくなる
と、前記ポスト39は元の状態に復帰し、前記反射ミラー
37は再び水平状態に戻る。
【００１６】以下、本発明による可動ミラー装置の製造
工程を図７及び図８に基づき説明する。まず、図７の段
階200 で、シリコンやガラスからなる基板30の上に電極
33a,33b を所定形状で形成する。具体的に、前記基板30
の上に電極33の素材として用いられる金属をスパッタリ
ングや蒸着法にて塗布し、その上にフォトレジスト（図
示せず）を塗布する。次に、電極33a,33b のパターンに
対応するマスクを前記フォトレジストの上に位置させた
後に露光して蝕刻する。このような工程は広く知られて
いる通常の方法により行われる。
工程を図７及び図８に基づき説明する。まず、図７の段
階200 で、シリコンやガラスからなる基板30の上に電極
33a,33b を所定形状で形成する。具体的に、前記基板30
の上に電極33の素材として用いられる金属をスパッタリ
ングや蒸着法にて塗布し、その上にフォトレジスト（図
示せず）を塗布する。次に、電極33a,33b のパターンに
対応するマスクを前記フォトレジストの上に位置させた
後に露光して蝕刻する。このような工程は広く知られて
いる通常の方法により行われる。
【００１７】次いで、段階210 で、前記電極33a,33b が
形成された基板30の上に前記ポスト39（図３参照）の高
さに当たる厚みで、フォトレジスト、ポリメチルメタア
クリルレート(PMMA)又はポリイミドからなる厚膜51を形
成させる。かつ、段階220 で、前記厚膜51の上面に所定
パターンのアルミニウム(Al)等の金属物質からなる支持
プレート35を形成させる。前記支持プレート35はリソグ
ラフィー工程等により形成される。
形成された基板30の上に前記ポスト39（図３参照）の高
さに当たる厚みで、フォトレジスト、ポリメチルメタア
クリルレート(PMMA)又はポリイミドからなる厚膜51を形
成させる。かつ、段階220 で、前記厚膜51の上面に所定
パターンのアルミニウム(Al)等の金属物質からなる支持
プレート35を形成させる。前記支持プレート35はリソグ
ラフィー工程等により形成される。
【００１８】前記支持プレート35の上にマスクを置いて
反応性イオン蝕刻法(RIE）にて前記支持プレート35と厚
膜51の一部を蝕刻して、貫通孔40を形成させる（段階23
0)。前述したように、前記貫通孔は多様な形状に形成す
ることができ、複数個を形成することもできる。図８の
段階240 で、前記支持プレート35を隣接した支持プレー
ト（図示せず）と分離するために、前記貫通孔40と支持
プレート35の上にフォトレジスト53等の感光性膜を塗布
する。
反応性イオン蝕刻法(RIE）にて前記支持プレート35と厚
膜51の一部を蝕刻して、貫通孔40を形成させる（段階23
0)。前述したように、前記貫通孔は多様な形状に形成す
ることができ、複数個を形成することもできる。図８の
段階240 で、前記支持プレート35を隣接した支持プレー
ト（図示せず）と分離するために、前記貫通孔40と支持
プレート35の上にフォトレジスト53等の感光性膜を塗布
する。
【００１９】次いで、段階250 で、所定パターンのマス
クを前記フォトレジスト53の上に位置させた後に露光及
び蝕刻することにより、支持プレート35の外周部位35a
を取り除いて前記支持プレート35を隣接した支持プレー
トから分離させる。段階260 で、基板30と、厚膜51及び
支持プレート35を所定角度だけ傾斜したままスパッタリ
ング又は蒸着工程を行い、貫通孔40の一側の内面にポス
ト39を形成させる。同時に、前記支持プレート35の上面
に反射プレート36を形成させる。前記ポスト39と反射プ
レート36は電気伝導度及び反射率に優れた金属、例えば
アルミニウム(Al)から形成されている。
クを前記フォトレジスト53の上に位置させた後に露光及
び蝕刻することにより、支持プレート35の外周部位35a
を取り除いて前記支持プレート35を隣接した支持プレー
トから分離させる。段階260 で、基板30と、厚膜51及び
支持プレート35を所定角度だけ傾斜したままスパッタリ
ング又は蒸着工程を行い、貫通孔40の一側の内面にポス
ト39を形成させる。同時に、前記支持プレート35の上面
に反射プレート36を形成させる。前記ポスト39と反射プ
レート36は電気伝導度及び反射率に優れた金属、例えば
アルミニウム(Al)から形成されている。
【００２０】最後に、段階270 で、前記厚膜51を蝕刻し
て取り除く。図６を参照して説明した本発明の更に他の
実施例による可動ミラー装置の製造工程を図９及び図１
０に基づき説明する。まず、図９の段階310 で、シリコ
ンやガラスからなった基板30の上に電極33a,33b を所定
形状で形成させ、段階320 で前記電極33a,33b が形成さ
れた基板30の上に厚膜51を形成させる。
て取り除く。図６を参照して説明した本発明の更に他の
実施例による可動ミラー装置の製造工程を図９及び図１
０に基づき説明する。まず、図９の段階310 で、シリコ
ンやガラスからなった基板30の上に電極33a,33b を所定
形状で形成させ、段階320 で前記電極33a,33b が形成さ
れた基板30の上に厚膜51を形成させる。
【００２１】次いで、前記厚膜51の上にマスクを置いて
反応性イオン蝕刻法(RIE）にて厚膜51の一部を蝕刻し
て、貫通孔40′を形成させる（段階330)。前述したよう
に、前記貫通孔は多様な形状で形成することができ、複
数個を形成することもできる。段階340 で、基板30と厚
膜51を所定角度だけ傾斜したままスパッタリング又は蒸
着工程を行い、貫通孔40′の一側の内面にポスト39を形
成させる。これと同時に、前記厚膜51の上面に支持プレ
ート35を形成させる。前記ポスト39と支持プレート35は
電気伝導度に優れた金属、例えばアルミニウム(Al)から
形成されている。次に、前記支持プレート35の外周部位
35a を取り除いて前記支持プレート35を隣接した支持プ
レートから分離する（図示せず）。
反応性イオン蝕刻法(RIE）にて厚膜51の一部を蝕刻し
て、貫通孔40′を形成させる（段階330)。前述したよう
に、前記貫通孔は多様な形状で形成することができ、複
数個を形成することもできる。段階340 で、基板30と厚
膜51を所定角度だけ傾斜したままスパッタリング又は蒸
着工程を行い、貫通孔40′の一側の内面にポスト39を形
成させる。これと同時に、前記厚膜51の上面に支持プレ
ート35を形成させる。前記ポスト39と支持プレート35は
電気伝導度に優れた金属、例えばアルミニウム(Al)から
形成されている。次に、前記支持プレート35の外周部位
35a を取り除いて前記支持プレート35を隣接した支持プ
レートから分離する（図示せず）。
【００２２】次いで、図１０に示す如く、ポスト39の形
成された貫通孔40′内にフォトレジスト層55′を形成さ
せ（段階350)、その上にスパッタリングにより反射プレ
ート36′を形成させる（段階360)。この際、前記反射プ
レート36′は前記貫通孔40′を埋め込むように形成され
る。次に、厚膜51及びフォトレジスト層55′を取り除い
て可動ミラー装置を完成する（段階370)。
成された貫通孔40′内にフォトレジスト層55′を形成さ
せ（段階350)、その上にスパッタリングにより反射プレ
ート36′を形成させる（段階360)。この際、前記反射プ
レート36′は前記貫通孔40′を埋め込むように形成され
る。次に、厚膜51及びフォトレジスト層55′を取り除い
て可動ミラー装置を完成する（段階370)。
【００２３】
【発明の効果】以上、本発明による可動ミラー装置は簡
単な構造を有するとともに、反射プレートに形成された
貫通孔を埋め込むことにより反射プレートの有効反射面
積を更に広めることができる。前述したような本発明に
よる可動ミラー装置の製造工程は制作工程数が少なく単
純化されて生産効率が向上される。
単な構造を有するとともに、反射プレートに形成された
貫通孔を埋め込むことにより反射プレートの有効反射面
積を更に広めることができる。前述したような本発明に
よる可動ミラー装置の製造工程は制作工程数が少なく単
純化されて生産効率が向上される。
【図１】従来の可動ミラー装置の概略的な平面図であ
る。
る。
【図２】従来の可動ミラー装置の製造工程を示した工程
図である。
図である。
【図３】本発明の一実施例による可動ミラー装置を示し
た概略的な斜視図である。
た概略的な斜視図である。
【図４】（Ａ）乃至（Ｄ）はそれぞれ図３の貫通孔の形
状を示した概略図である。
状を示した概略図である。
【図５】図３のポストの他の実施例を説明するための可
動ミラー装置の概略的な斜視図である。
動ミラー装置の概略的な斜視図である。
【図６】本発明の他の実施例による可動ミラー装置を示
した概略的な断面図である。
した概略的な断面図である。
【図７】本発明の一実施例による可動ミラー装置の製造
方法を示した断面図である。
方法を示した断面図である。
【図８】図７に続く製造段階を示す断面図である。
【図９】本発明の他の実施例による可動ミラー装置の製
造方法を示した断面図である。
造方法を示した断面図である。
【図１０】図９に続く製造段階を示す断面図である。
３０ 基板 ３３ａ，３３ｂ 電極 ３５ 支持プレート ３６ 反射プレート ３７ 反射ミラー ３９ ポスト ４０ 貫通孔
Claims (13)
- 【請求項１】 基板と、 前記基板の上面に形成された複数の電極と、 前記電極に対して傾斜するように前記電極の上部に設け
られた反射ミラーと、 一端が前記基板上の前記電極の間に結合され、他端が前
記反射ミラーの下面と一体で結合されて前記反射ミラー
を支持し、前記反射ミラーが傾斜するように弾力性を有
する少なくとも一つのポストとを含むことを特徴とする
可動ミラー装置。 - 【請求項２】 前記反射ミラーはアルミニウムから形成
されたことを特徴とする請求項１に記載の可動ミラー装
置。 - 【請求項３】 前記反射ミラーの前記ポストの上端結合
部位に貫通孔が形成されたことを特徴とする請求項１に
記載の可動ミラー装置。 - 【請求項４】 前記貫通孔は長方形、三角形、台形、Ｔ
字形、四角形と台形の結合形状のうち何れか一つの形状
からなることを特徴とする請求項３に記載の可動ミラー
装置。 - 【請求項５】 前記反射ミラーは、 貫通孔を有し、前記ポストにより支持され、前記電極と
の静電気力により傾斜する支持プレートと、 前記貫通孔を取り囲むように前記支持プレートの上面全
体に形成され、入射光を反射させる反射プレートとを含
んでなることを特徴とする請求項１に記載の可動ミラー
装置。 - 【請求項６】 基板に電極層を所定パターンで形成する
段階と、 前記基板と電極層の上面に厚膜を形成する段階と、 前記厚膜の上面に所定パターンの支持プレートを形成す
る段階と、 前記支持プレートの上面に所定パターンのマスクを位置
させた後、前記支持プレートと厚膜の一部を蝕刻して少
なくとも一つの貫通孔を形成する段階と、 前記支持プレートの上面と前記貫通孔の内にフォトレジ
ストを塗布し、所定パターンのマスクを位置させた後、
露光及び蝕刻して前記支持プレートの外周部を取り除
き、前記支持プレートを単品に分離させる段階と、 スパッタリングにより前記貫通孔内の一側面にポストを
形成する段階と、 前記支持プレートの上面に反射プレートを形成する段階
と、 前記厚膜を取り除く段階とを含むことを特徴とする可動
ミラー装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記支持プレート、前記反射プレート及
び前記ポストのうち少なくとも何れか一つはアルミニウ
ムからなることを特徴とする請求項６に記載の可動ミラ
ー装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記貫通孔は長方形、三角形、台形、Ｔ
字形、四角形と台形の結合形状のうち何れか一つの形状
からなることを特徴とする請求項６に記載の可動ミラー
装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記厚膜はフォトレジスト、ポリメチル
メタアクリルレート(PMMA)又はポリイミドのうち何れか
一つからなることを特徴とする請求項６に記載の可動ミ
ラー装置の製造方法。 - 【請求項１０】 基板に電極層を所定パターンで形成す
る段階と、 前記基板と電極層の上面に厚膜を形成する段階と、 前記厚膜の上面に所定パターンのマスクを位置させた
後、前記厚膜の一部を蝕刻して少なくとも一つの貫通孔
を形成する段階と、 前記貫通孔内にフォトレジストを塗布し、所定パターン
のマスクを位置させた後、露光及び蝕刻して前記支持プ
レートの外周部を取り除き、前記支持プレートを単品に
分離させる段階と、 スパッタリングにより前記貫通孔内の一側面にポストを
形成する段階と、 前記厚膜の上面に反射プレートを形成する段階と、 前記貫通孔内にフォトレジスト層を形成する段階と、 前記貫通孔の上部が埋め込まれるように前記支持プレー
トと前記フォトレジスト層上に反射プレートを形成する
段階と、 前記厚膜及びフォトレジスト層を取り除く段階とを含む
ことを特徴とする可動ミラー装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記支持プレート、前記反射プレート
及び前記ポストのうち少なくとも何れか一つはアルミニ
ウムからなることを特徴とする請求項１０に記載の可動
ミラー装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記貫通孔は長方形、三角形、台形、
Ｔ字形、四角形と台形の結合形状のうち何れか一つの形
状からなることを特徴とする請求項１０に記載の可動ミ
ラー装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記厚膜はフォトレジスト、ポリメチ
ルメタアクリルレート(PMMA)又はポリイミドのうち何れ
か一つからなることを特徴とする請求項１０に記載の可
動ミラー装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
| KR1019960020611A KR100243190B1 (ko) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 가동미러장치 및 그 제조방법 |
| KR20611/1996 | 1996-06-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1062699A true JPH1062699A (ja) | 1998-03-06 |
| JP3194889B2 JP3194889B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=19461309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14939197A Expired - Fee Related JP3194889B2 (ja) | 1996-06-10 | 1997-06-06 | 可動ミラー装置及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5936760A (ja) |
| EP (1) | EP0813089B1 (ja) |
| JP (1) | JP3194889B2 (ja) |
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| DE (1) | DE69729827T2 (ja) |
| MY (1) | MY116908A (ja) |
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