JPH09113826A - 空間的光変調装置におけるミラー装置、その駆動方法およびその製造方法 - Google Patents
空間的光変調装置におけるミラー装置、その駆動方法およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH09113826A JPH09113826A JP27093295A JP27093295A JPH09113826A JP H09113826 A JPH09113826 A JP H09113826A JP 27093295 A JP27093295 A JP 27093295A JP 27093295 A JP27093295 A JP 27093295A JP H09113826 A JPH09113826 A JP H09113826A
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- electrode
- beam reflector
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- reflector
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 空間的光変調装置におけるミラー装置の製造
プロセスを低減して基板上にすでに形成されているアド
レス回路の歩留まりを向上させると共に、ミラー装置の
構造を簡単にすることによりミラー装置の歩留まりを向
上させる。 【解決手段】 ビームを反射する反射面を有するビーム
反射板１０は基板１１に対して平行に且つ間隔をおいて
形成されている。弾性変形可能な支持脚体１８は、基板
１１から垂直方向に延びており、支持脚体１８の一端は
基板１１に固定されていると共に他端はビーム反射板１
０と一体に形成されている。アドレス電極１９は基板１
１上に形成されており、該アドレス電極１９にビーム反
射板１０との間に引力又は斥力を発生させる電圧が印加
されると、支持脚体１８が湾曲状に弾性変形してビーム
反射板１０は基板１１に対して傾動する。
プロセスを低減して基板上にすでに形成されているアド
レス回路の歩留まりを向上させると共に、ミラー装置の
構造を簡単にすることによりミラー装置の歩留まりを向
上させる。 【解決手段】 ビームを反射する反射面を有するビーム
反射板１０は基板１１に対して平行に且つ間隔をおいて
形成されている。弾性変形可能な支持脚体１８は、基板
１１から垂直方向に延びており、支持脚体１８の一端は
基板１１に固定されていると共に他端はビーム反射板１
０と一体に形成されている。アドレス電極１９は基板１
１上に形成されており、該アドレス電極１９にビーム反
射板１０との間に引力又は斥力を発生させる電圧が印加
されると、支持脚体１８が湾曲状に弾性変形してビーム
反射板１０は基板１１に対して傾動する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影型光学装置や
高品位型テレビジョン装置等に応用される空間的光変調
装置におけるミラー装置に関するものである。
高品位型テレビジョン装置等に応用される空間的光変調
装置におけるミラー装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】まず、空間的光変調装置について図１１
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【０００３】図１１において、１００はビームを出射す
る光源、１０１はビームを集光する集光レンズ、１０２
は入射するビームのうちから所定波長の光のみを透過さ
せるフィルター、１０３はＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍ
ｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）、１０４はビー
ムをスクリーン１０５に投影する投影レンズであって、
光源１００から出射されたビームは集光レンズ１０１及
びフィルター１０２を通過した後、ＤＭＤ１０３により
反射され、その後、投影レンズ１０４によってスクリー
ン１０５に投影される。尚、ＤＭＤ１０３は本発明にお
ける空間的光変調装置のミラー装置に相当する。
る光源、１０１はビームを集光する集光レンズ、１０２
は入射するビームのうちから所定波長の光のみを透過さ
せるフィルター、１０３はＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍ
ｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）、１０４はビー
ムをスクリーン１０５に投影する投影レンズであって、
光源１００から出射されたビームは集光レンズ１０１及
びフィルター１０２を通過した後、ＤＭＤ１０３により
反射され、その後、投影レンズ１０４によってスクリー
ン１０５に投影される。尚、ＤＭＤ１０３は本発明にお
ける空間的光変調装置のミラー装置に相当する。
【０００４】空間的光変調装置は、前述したように、投
影型の光学装置や高品位テレビ等に応用されることが多
いが、この場合、必要な鮮明度を得るためには、高密度
に配置されたＤＭＤよりなる画素アレイと高い変調効率
を有するＤＭＤとを備えていることが要求される。高い
変調効率は明るさを最大にすると共に光散乱を小さくし
てコントラストを最大にすることにより達成されるので
ある。
影型の光学装置や高品位テレビ等に応用されることが多
いが、この場合、必要な鮮明度を得るためには、高密度
に配置されたＤＭＤよりなる画素アレイと高い変調効率
を有するＤＭＤとを備えていることが要求される。高い
変調効率は明るさを最大にすると共に光散乱を小さくし
てコントラストを最大にすることにより達成されるので
ある。
【０００５】図１２はＤＭＤ１０３による反射方法を示
しており、光源１００から出射されたビームは、ＤＭＤ
１０３の傾斜角が＋θL のときにはＡの方向つまりスク
リーン１０５に向かって反射され、ＤＭＤ１０３の傾斜
角が０のときにはＢの方向に反射され、ＤＭＤ１０３の
反射角が−θL のときにはＣの方向に反射される。尚、
図１２において、１０６はピクセルイメージ（Ｐｉｘｅ
ｌ Ｉｍａｇｅ）を示している。
しており、光源１００から出射されたビームは、ＤＭＤ
１０３の傾斜角が＋θL のときにはＡの方向つまりスク
リーン１０５に向かって反射され、ＤＭＤ１０３の傾斜
角が０のときにはＢの方向に反射され、ＤＭＤ１０３の
反射角が−θL のときにはＣの方向に反射される。尚、
図１２において、１０６はピクセルイメージ（Ｐｉｘｅ
ｌ Ｉｍａｇｅ）を示している。
【０００６】図１３は従来のＤＭＤの一画素部分の分解
斜視図、図１４は従来のＤＭＤの一部分の平面図、図１
５は従来のＤＭＤの一画素部分の下部構造を示す平面
図、図１６（ａ）は図１５におけるａ−ａ線の断面図、
図１６（ｂ）は図１５におけるｂ−ｂ線の断面図であ
る。これらの図において、１１０はビームを反射するビ
ーム反射板であって、該ビーム反射板１１０は１０〜２
０μｍのピッチで縦横に設けられており画素アレイを構
成している。１１１はビーム反射板１１０から下方に延
びる反射板支持ポスト、１１２は反射板支持ポスト１１
１を固持するヨーク、１１３はヨーク１１２を保持して
基板１１５と平行に延びる帯状のヒンジであって、該ヒ
ンジ１１３の両端部はヒンジ支持ポスト１１４により基
板１１５に固定されている。１１６は着地電極であっ
て、該着地電極１１６はヒンジ支持ポスト１１４の上に
形成された着地電極支持ポスト１１７により基板１１５
に固定されている。１１８はアドレス電極であって、該
アドレス電極１１８はアドレス電極支持ポスト１１９に
より基板１１５に固定されている。尚、図１６におい
て、１２０は第１の配線層、１２１は第２の配線層、１
２２は保護絶縁膜である。アドレス電極１１８は基板１
１５に形成されているＳＲＡＭのアドレス電極に第１の
配線層１２０を介して電気的に接続されている。また、
図示は省略しているが、ヒンジ１１３は第２の配線層１
２１に電気的に接続されている。
斜視図、図１４は従来のＤＭＤの一部分の平面図、図１
５は従来のＤＭＤの一画素部分の下部構造を示す平面
図、図１６（ａ）は図１５におけるａ−ａ線の断面図、
図１６（ｂ）は図１５におけるｂ−ｂ線の断面図であ
る。これらの図において、１１０はビームを反射するビ
ーム反射板であって、該ビーム反射板１１０は１０〜２
０μｍのピッチで縦横に設けられており画素アレイを構
成している。１１１はビーム反射板１１０から下方に延
びる反射板支持ポスト、１１２は反射板支持ポスト１１
１を固持するヨーク、１１３はヨーク１１２を保持して
基板１１５と平行に延びる帯状のヒンジであって、該ヒ
ンジ１１３の両端部はヒンジ支持ポスト１１４により基
板１１５に固定されている。１１６は着地電極であっ
て、該着地電極１１６はヒンジ支持ポスト１１４の上に
形成された着地電極支持ポスト１１７により基板１１５
に固定されている。１１８はアドレス電極であって、該
アドレス電極１１８はアドレス電極支持ポスト１１９に
より基板１１５に固定されている。尚、図１６におい
て、１２０は第１の配線層、１２１は第２の配線層、１
２２は保護絶縁膜である。アドレス電極１１８は基板１
１５に形成されているＳＲＡＭのアドレス電極に第１の
配線層１２０を介して電気的に接続されている。また、
図示は省略しているが、ヒンジ１１３は第２の配線層１
２１に電気的に接続されている。
【０００７】以下、図１７を参照しながら、従来のＤＭ
Ｄの動作について説明する。すなわち、ヒンジ１１３に
は第１の電圧が印加されており、アドレス電極１１８に
第１の電圧と逆極性の第２の電圧を印加すると、ビーム
反射板１１０がアドレス電極１１８に引き寄せられ、ヒ
ンジ１１３が基板１１５と平行な面から弾性変形するこ
とによりビーム反射板１１０は基板１１５に対して傾動
する。ビーム反射板１１０は所定の傾斜角±θL だけ傾
斜すると着地電極１１６に当接して傾動を停止する。ビ
ーム反射板１１０の傾動に伴って光が偏向、制御され、
ＤＭＤが複数個配列された画素アレイにおいて各ＤＭＤ
が選択的に回転されるとき、種々の目的に対応するパタ
ーンを形成することができる。
Ｄの動作について説明する。すなわち、ヒンジ１１３に
は第１の電圧が印加されており、アドレス電極１１８に
第１の電圧と逆極性の第２の電圧を印加すると、ビーム
反射板１１０がアドレス電極１１８に引き寄せられ、ヒ
ンジ１１３が基板１１５と平行な面から弾性変形するこ
とによりビーム反射板１１０は基板１１５に対して傾動
する。ビーム反射板１１０は所定の傾斜角±θL だけ傾
斜すると着地電極１１６に当接して傾動を停止する。ビ
ーム反射板１１０の傾動に伴って光が偏向、制御され、
ＤＭＤが複数個配列された画素アレイにおいて各ＤＭＤ
が選択的に回転されるとき、種々の目的に対応するパタ
ーンを形成することができる。
【０００８】以下、前記従来のＤＭＤの製造方法につい
て図１８及び図１９を参照しながら説明する。
て図１８及び図１９を参照しながら説明する。
【０００９】まず、図１８（ａ）に示すように、ＤＲＡ
Ｍのアドレス回路が形成された基板１３０の上に金属配
線層１３１及び保護絶縁膜１３２を順次形成した後、保
護絶縁膜１３２の上に、ヒンジ支持ポスト形成領域、着
地電極支持ポスト形成領域及びアドレス電極支持ポスト
形成領域にそれぞれ開口部１３３ａを有しスペーサとな
る第１のレジストパターン１３３を形成する。尚、開口
部１３３ａに充填される導電性材料により金属配線層１
３１との電気的接続が可能になる。第１のレジストパタ
ーン１３３は膜厚が０．５μｍ程度のポジ型レジストよ
りなる。
Ｍのアドレス回路が形成された基板１３０の上に金属配
線層１３１及び保護絶縁膜１３２を順次形成した後、保
護絶縁膜１３２の上に、ヒンジ支持ポスト形成領域、着
地電極支持ポスト形成領域及びアドレス電極支持ポスト
形成領域にそれぞれ開口部１３３ａを有しスペーサとな
る第１のレジストパターン１３３を形成する。尚、開口
部１３３ａに充填される導電性材料により金属配線層１
３１との電気的接続が可能になる。第１のレジストパタ
ーン１３３は膜厚が０．５μｍ程度のポジ型レジストよ
りなる。
【００１０】次に、図１８（ｂ）に示すように、第１の
レジストパターン１３３の上に、０．２％Ｔｉと１％Ｓ
ｉとを含有する第１のアルミニウム合金膜１３４を全面
に亘って約０．０７５μｍの厚さに堆積した後、第１の
アルミニウム合金膜１３４の上におけるヒンジ形成領域
及びヒンジ支持ポスト形成領域にシリコン酸化膜よりな
る第１のマスクを形成する。次に、第１のアルミニウム
合金膜１３４及び第１のマスクの上に全面に亘って第２
のアルミニウム合金層１３５を約０．３μｍの厚さに堆
積した後、第２のアルミニウム合金膜１３５の上におけ
るヨーク形成領域、アドレス電極形成領域、アドレス電
極支持ポスト形成領域、着地電極形成領域及び着地電極
支持ポスト形成領域にシリコン酸化膜よりなる第２のマ
スクを形成する。次に、第１及び第２のマスクを用いて
プラズマエッチングを行なうことにより、第１のアルミ
ニウム合金膜１３４よりなるヒンジ１１３及びヒンジ支
持ポスト１１４、並びに第２のアルミニウム合金膜１３
５よりなるヨーク１１２、アドレス電極１１８、アドレ
ス電極支持ポスト１１９、着地電極１１６及び着地電極
支持ポスト１１７を形成する（図１６を参照）。次に、
ヒンジ１１３の上に形成されている第１のマスクをプラ
ズマエッチングによって除去する。
レジストパターン１３３の上に、０．２％Ｔｉと１％Ｓ
ｉとを含有する第１のアルミニウム合金膜１３４を全面
に亘って約０．０７５μｍの厚さに堆積した後、第１の
アルミニウム合金膜１３４の上におけるヒンジ形成領域
及びヒンジ支持ポスト形成領域にシリコン酸化膜よりな
る第１のマスクを形成する。次に、第１のアルミニウム
合金膜１３４及び第１のマスクの上に全面に亘って第２
のアルミニウム合金層１３５を約０．３μｍの厚さに堆
積した後、第２のアルミニウム合金膜１３５の上におけ
るヨーク形成領域、アドレス電極形成領域、アドレス電
極支持ポスト形成領域、着地電極形成領域及び着地電極
支持ポスト形成領域にシリコン酸化膜よりなる第２のマ
スクを形成する。次に、第１及び第２のマスクを用いて
プラズマエッチングを行なうことにより、第１のアルミ
ニウム合金膜１３４よりなるヒンジ１１３及びヒンジ支
持ポスト１１４、並びに第２のアルミニウム合金膜１３
５よりなるヨーク１１２、アドレス電極１１８、アドレ
ス電極支持ポスト１１９、着地電極１１６及び着地電極
支持ポスト１１７を形成する（図１６を参照）。次に、
ヒンジ１１３の上に形成されている第１のマスクをプラ
ズマエッチングによって除去する。
【００１１】次に、図１９（ａ）に示すように、第１及
び第２のアルミニウム合金膜１３４，１３５の上に、反
射板支持ポスト形成領域に開口部１３６ａを有しスペー
サとなる第２のレジストパターン１３６を形成する。第
２のレジストパターン１３６は膜厚が１．５μｍ程度の
ポジ型レジストよりなる。該第２のレジストパターン１
３６の膜厚はミラーの傾動角度を決定するものであり、
また、開口部１３３ａに充填される導電性材料によりヨ
ークとの電気的接続が可能になる。次に、第２のレジス
トパターン１３６の上に厚さ約０．４μｍの第３のアル
ミニウム合金膜１３７を形成した後、該第３のアルミニ
ウム合金膜１３７の上におけるビーム反射板形成領域及
び反射板支持ポスト形成領域にシリコン酸化膜よりなる
第３のマスク１３８を形成する。次に、第３のマスク１
３８を用いてプラズマエッチングを行なうことにより、
ビーム反射板１１０及び反射板支持ポスト１１１を形成
する（図１６を参照）。
び第２のアルミニウム合金膜１３４，１３５の上に、反
射板支持ポスト形成領域に開口部１３６ａを有しスペー
サとなる第２のレジストパターン１３６を形成する。第
２のレジストパターン１３６は膜厚が１．５μｍ程度の
ポジ型レジストよりなる。該第２のレジストパターン１
３６の膜厚はミラーの傾動角度を決定するものであり、
また、開口部１３３ａに充填される導電性材料によりヨ
ークとの電気的接続が可能になる。次に、第２のレジス
トパターン１３６の上に厚さ約０．４μｍの第３のアル
ミニウム合金膜１３７を形成した後、該第３のアルミニ
ウム合金膜１３７の上におけるビーム反射板形成領域及
び反射板支持ポスト形成領域にシリコン酸化膜よりなる
第３のマスク１３８を形成する。次に、第３のマスク１
３８を用いてプラズマエッチングを行なうことにより、
ビーム反射板１１０及び反射板支持ポスト１１１を形成
する（図１６を参照）。
【００１２】次に、基板１３０をウェハ状態でＰＭＭＡ
により被覆した後、チップ状に切断し、その後、クロロ
ベンゼンによりスピン洗浄する。次に、プラズマエッチ
ングにより第１のレジストパターン１３３、第２のレジ
ストパターン１３６及び第３のマスク１３８を連続して
除去すると、ビーム反射板の下側部分及びヒンジの下側
部分にそれぞれ空間部が形成される。
により被覆した後、チップ状に切断し、その後、クロロ
ベンゼンによりスピン洗浄する。次に、プラズマエッチ
ングにより第１のレジストパターン１３３、第２のレジ
ストパターン１３６及び第３のマスク１３８を連続して
除去すると、ビーム反射板の下側部分及びヒンジの下側
部分にそれぞれ空間部が形成される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ＤＭＤにおいては以下に説明するような問題がある。
ＤＭＤにおいては以下に説明するような問題がある。
【００１４】まず、ＤＭＤは既に完成されたＣＭＯＳを
含むアドレス回路を有する基板上に形成されるが、前述
したように、ＤＭＤを形成するために複雑で多数の工程
を必要とするため、前工程で完成されたアドレス回路の
歩留まりが低下するという問題がある。
含むアドレス回路を有する基板上に形成されるが、前述
したように、ＤＭＤを形成するために複雑で多数の工程
を必要とするため、前工程で完成されたアドレス回路の
歩留まりが低下するという問題がある。
【００１５】また、前述したように、従来のＤＭＤにお
いては、ビーム反射板を保持するヒンジが上下２層の空
間部の間を基板と平行に延びていると共に、ヒンジが捩
れるように弾性変形することによりビーム反射板を基板
に対して傾動させる構造であって、ビーム反射板の支持
構造及びヒンジ自体の構造が極めて不安定であるので、
ＤＭＤが製造工程において損傷を受けたり或いは完成後
に衝撃を受けたりして、不良品になるという問題もあ
る。
いては、ビーム反射板を保持するヒンジが上下２層の空
間部の間を基板と平行に延びていると共に、ヒンジが捩
れるように弾性変形することによりビーム反射板を基板
に対して傾動させる構造であって、ビーム反射板の支持
構造及びヒンジ自体の構造が極めて不安定であるので、
ＤＭＤが製造工程において損傷を受けたり或いは完成後
に衝撃を受けたりして、不良品になるという問題もあ
る。
【００１６】ＤＭＤにおいては、数十万個近くのビーム
反射板がアレイ状に配列された構造を有しており、これ
らのビーム反射板のすべてが完全に動作して初めて良品
デバイスと見なせるのであり、１つでも動作しないビー
ム反射板が存在するとＤＭＤは不良となる。ところが、
従来のＤＭＤにおいては、ビーム反射板の支持構造及び
ヒンジ自体の構造が極めて不安定であるので、画素アレ
イを構成する数十万個近くのビーム反射板のすべてを良
品のものに作成することはかなり難しいので、歩留まり
が悪くコスト高を招くという問題がある。
反射板がアレイ状に配列された構造を有しており、これ
らのビーム反射板のすべてが完全に動作して初めて良品
デバイスと見なせるのであり、１つでも動作しないビー
ム反射板が存在するとＤＭＤは不良となる。ところが、
従来のＤＭＤにおいては、ビーム反射板の支持構造及び
ヒンジ自体の構造が極めて不安定であるので、画素アレ
イを構成する数十万個近くのビーム反射板のすべてを良
品のものに作成することはかなり難しいので、歩留まり
が悪くコスト高を招くという問題がある。
【００１７】前記に鑑み、本発明は、ＤＭＤの製造プロ
セスを低減することにより基板上に形成されたアドレス
回路の歩留まりを向上させると共に、ＤＭＤの構造を簡
単にすることによりＤＭＤの歩留まりを向上させること
を目的とする。
セスを低減することにより基板上に形成されたアドレス
回路の歩留まりを向上させると共に、ＤＭＤの構造を簡
単にすることによりＤＭＤの歩留まりを向上させること
を目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、上下２層の空間部の間を基板と平行に延
びるヒンジに代えて、基板から垂直に延びており一端が
基板に固定されていると共に他端がビーム反射板と一体
に形成された支持脚体を用いるものである。
め、本発明は、上下２層の空間部の間を基板と平行に延
びるヒンジに代えて、基板から垂直に延びており一端が
基板に固定されていると共に他端がビーム反射板と一体
に形成された支持脚体を用いるものである。
【００１９】具体的に請求項１の発明が講じた解決手段
は、空間的光変調装置におけるミラー装置を、基板に対
して平行に且つ間隔をおいて形成されており、ビームを
反射する反射面を有するビーム反射板と、前記基板から
垂直方向に延びており、一端が前記基板に固定されてい
ると共に他端が前記ビーム反射板と一体に形成された弾
性変形可能な支持脚体と、前記基板上に形成されてお
り、前記ビーム反射板との間に引力又は斥力を発生させ
る電圧が印加される電極とを備えている構成とするもの
である。
は、空間的光変調装置におけるミラー装置を、基板に対
して平行に且つ間隔をおいて形成されており、ビームを
反射する反射面を有するビーム反射板と、前記基板から
垂直方向に延びており、一端が前記基板に固定されてい
ると共に他端が前記ビーム反射板と一体に形成された弾
性変形可能な支持脚体と、前記基板上に形成されてお
り、前記ビーム反射板との間に引力又は斥力を発生させ
る電圧が印加される電極とを備えている構成とするもの
である。
【００２０】請求項１の構成により、基板から垂直方向
に延びており、一端が基板に固定されていると共に他端
がビーム反射板と一体に形成された弾性変形可能な支持
脚体を備えているため、基板とビーム反射板との間には
一層の空間部しか存在していないと共に、支持脚体は捩
れることなく湾曲するような弾性変形をしてビーム反射
板を基板に対して傾動させる。
に延びており、一端が基板に固定されていると共に他端
がビーム反射板と一体に形成された弾性変形可能な支持
脚体を備えているため、基板とビーム反射板との間には
一層の空間部しか存在していないと共に、支持脚体は捩
れることなく湾曲するような弾性変形をしてビーム反射
板を基板に対して傾動させる。
【００２１】請求項２の発明が講じた解決手段は、基板
に対して平行に且つ間隔をおいて形成されておりビーム
を反射する反射面を有するビーム反射板と、基板から垂
直方向に延びており一端が前記基板に固定されていると
共に他端が前記ビーム反射板と一体に形成された弾性変
形可能な支持脚体と、基板上に形成された電極とを備え
た空間的光変調装置におけるミラー装置の駆動方法を対
象とし、前記ビーム反射板及び前記電極にそれぞれ電圧
を印加して前記ビーム反射板と前記電極との間に引力又
は斥力を発生させることにより、前記支持脚体を弾性変
形させて前記ビーム反射板を前記基板に対して傾動さ
せ、これにより、前記ビーム反射板が反射するビームの
方向を制御する構成とするものである。
に対して平行に且つ間隔をおいて形成されておりビーム
を反射する反射面を有するビーム反射板と、基板から垂
直方向に延びており一端が前記基板に固定されていると
共に他端が前記ビーム反射板と一体に形成された弾性変
形可能な支持脚体と、基板上に形成された電極とを備え
た空間的光変調装置におけるミラー装置の駆動方法を対
象とし、前記ビーム反射板及び前記電極にそれぞれ電圧
を印加して前記ビーム反射板と前記電極との間に引力又
は斥力を発生させることにより、前記支持脚体を弾性変
形させて前記ビーム反射板を前記基板に対して傾動さ
せ、これにより、前記ビーム反射板が反射するビームの
方向を制御する構成とするものである。
【００２２】請求項２の構成により、ビーム反射板及び
電極に逆極性の電圧を印加するとビーム反射板と電極と
の間に引力が生じてビーム反射板は電極に近づくように
傾動し、また、ビーム反射板及び電極に同極性の電圧を
印加するとビーム反射板と電極との間に斥力が生じてビ
ーム反射板は電極から離れるように傾動する。このよう
にしてビーム反射板を傾動させることにより、ビーム反
射板が反射するビームの方向を制御することができる。
電極に逆極性の電圧を印加するとビーム反射板と電極と
の間に引力が生じてビーム反射板は電極に近づくように
傾動し、また、ビーム反射板及び電極に同極性の電圧を
印加するとビーム反射板と電極との間に斥力が生じてビ
ーム反射板は電極から離れるように傾動する。このよう
にしてビーム反射板を傾動させることにより、ビーム反
射板が反射するビームの方向を制御することができる。
【００２３】請求項３の発明が講じた解決手段は、基板
に対して平行に且つ間隔をおいて形成されておりビーム
を反射する反射面を有するビーム反射板と、基板から垂
直方向に延びており一端が前記基板に固定されていると
共に他端が前記ビーム反射板と一体に形成された弾性変
形可能な支持脚体と、基板上に形成されており前記ビー
ム反射板との間に引力又は斥力を発生させる電圧が印加
される電極とを備えた空間的光変調装置におけるミラー
装置の製造方法を対象とし、基板上に前記電極を形成す
る工程と、前記基板上に、前記支持脚体と対応する形状
の開口部を有し且つ前記電極を覆うレジストパターンを
形成する工程と、前記レジストパターンの上に全面に亘
って光反射性を有する材料よりなる導電膜を堆積する工
程と、前記導電膜をパターン化して前記ビーム反射板と
前記支持脚体とを一体に形成する工程と、前記レジスト
パターンを除去する工程とを備えている構成とするもの
である。
に対して平行に且つ間隔をおいて形成されておりビーム
を反射する反射面を有するビーム反射板と、基板から垂
直方向に延びており一端が前記基板に固定されていると
共に他端が前記ビーム反射板と一体に形成された弾性変
形可能な支持脚体と、基板上に形成されており前記ビー
ム反射板との間に引力又は斥力を発生させる電圧が印加
される電極とを備えた空間的光変調装置におけるミラー
装置の製造方法を対象とし、基板上に前記電極を形成す
る工程と、前記基板上に、前記支持脚体と対応する形状
の開口部を有し且つ前記電極を覆うレジストパターンを
形成する工程と、前記レジストパターンの上に全面に亘
って光反射性を有する材料よりなる導電膜を堆積する工
程と、前記導電膜をパターン化して前記ビーム反射板と
前記支持脚体とを一体に形成する工程と、前記レジスト
パターンを除去する工程とを備えている構成とするもの
である。
【００２４】請求項３の構成により、基板上に形成さ
れ、支持脚体と対応する形状の開口部を有し且つ電極を
覆うレジストパターンの上に全面に亘って光反射性を有
する材料よりなる導電膜を堆積した後、導電膜をパター
ン化すると、基板に対して平行に且つ間隔をおいてビー
ム反射板が形成されると共に、基板から垂直方向に延び
一端が基板に固定されていると共に他端がビーム反射板
と一体になる支持脚体が形成される。
れ、支持脚体と対応する形状の開口部を有し且つ電極を
覆うレジストパターンの上に全面に亘って光反射性を有
する材料よりなる導電膜を堆積した後、導電膜をパター
ン化すると、基板に対して平行に且つ間隔をおいてビー
ム反射板が形成されると共に、基板から垂直方向に延び
一端が基板に固定されていると共に他端がビーム反射板
と一体になる支持脚体が形成される。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
ＤＭＤについて図１〜図４を参照しながら説明する。
ＤＭＤについて図１〜図４を参照しながら説明する。
【００２６】図１は一実施形態に係るＤＭＤのビーム反
射板のアレイを示す平面図であり、図２は一画素部分の
ＤＭＤの下部構造を示す平面図であり、図３（ａ）は図
２におけるＡ−Ａ線の断面図であり、図３（ｂ）は図２
におけるＢ−Ｂ線の断面図であり、図４はＤＭＤの分解
斜視図である。
射板のアレイを示す平面図であり、図２は一画素部分の
ＤＭＤの下部構造を示す平面図であり、図３（ａ）は図
２におけるＡ−Ａ線の断面図であり、図３（ｂ）は図２
におけるＢ−Ｂ線の断面図であり、図４はＤＭＤの分解
斜視図である。
【００２７】これらの図において、１０はビームを反射
するビーム反射板であって、該ビーム反射板１０は１０
〜２０μｍのピッチで縦横に設けられている。
するビーム反射板であって、該ビーム反射板１０は１０
〜２０μｍのピッチで縦横に設けられている。
【００２８】基板１１の上には、該基板１１に形成され
たＤＲＡＭのアドレス回路と電気的に接続された第１の
配線層１２及び第２の配線層１３が形成されており、第
１及び第２の配線層１２，１３の上には保護絶縁膜１４
が形成されている。
たＤＲＡＭのアドレス回路と電気的に接続された第１の
配線層１２及び第２の配線層１３が形成されており、第
１及び第２の配線層１２，１３の上には保護絶縁膜１４
が形成されている。
【００２９】図２に示すように、ビーム反射板１０にお
ける各隅部の下側に矩形状の着地電極１５がそれぞれ形
成されていると共に、各着地電極１５同士を接続するよ
うに帯状の反射板支持部１６が形成されており、着地電
極１５及び反射板支持部１６は、着地電極１５から下方
に延びる着地電極支持ポスト１７を介して第２の配線層
１３と電気的に接続されている。尚、図３（ａ）におい
ては、隣接するビーム反射板１０と対応する着地電極１
５が示されており、当該ビーム反射板１０と対応する着
地電極１５は示されていない。反射板支持部１６の上面
には矩形板状の反射板支持脚体１８が基板１１に対して
垂直な方向に突設されており、該反射板支持脚体１８の
上端はビーム反射板１０と一体に形成されている。
ける各隅部の下側に矩形状の着地電極１５がそれぞれ形
成されていると共に、各着地電極１５同士を接続するよ
うに帯状の反射板支持部１６が形成されており、着地電
極１５及び反射板支持部１６は、着地電極１５から下方
に延びる着地電極支持ポスト１７を介して第２の配線層
１３と電気的に接続されている。尚、図３（ａ）におい
ては、隣接するビーム反射板１０と対応する着地電極１
５が示されており、当該ビーム反射板１０と対応する着
地電極１５は示されていない。反射板支持部１６の上面
には矩形板状の反射板支持脚体１８が基板１１に対して
垂直な方向に突設されており、該反射板支持脚体１８の
上端はビーム反射板１０と一体に形成されている。
【００３０】反射板支持部１６の両側方には台形状のア
ドレス電極１９がそれぞれ形成されており、該アドレス
電極１９は下方に延びるアドレス電極支持ポスト２０を
介して第１の配線層１２と電気的に接続されている。
ドレス電極１９がそれぞれ形成されており、該アドレス
電極１９は下方に延びるアドレス電極支持ポスト２０を
介して第１の配線層１２と電気的に接続されている。
【００３１】以下、図５を参照しながら、前記一実施形
態に係るＤＭＤの動作について説明する。
態に係るＤＭＤの動作について説明する。
【００３２】ミラー反射板１０に第１の電圧を印加する
と共にアドレス電極１８に第１の電圧と逆極性の第２の
電圧を印加すると、つまり、ミラー反射板１０とアドレ
ス電極１８との間に数Ｖ〜数１０Ｖの電圧を印加する
と、ビーム反射板１０がアドレス電極１８に引き寄せら
れ、反射板支持脚体１８が基板と垂直な面から湾曲状に
弾性変形してビーム反射板１０は傾動する。ビーム反射
板１０は所定の傾斜角±θL だけつまり一点鎖線で示す
ように傾斜すると着地電極１５に当接して傾動を停止す
る。ビーム反射板１０の傾動に伴って光が偏向、制御さ
れ、ＤＭＤが複数個配列されたアレイにおいて各ＤＭＤ
が選択的に回転されるとき、種々の目的に対応するパタ
ーンを形成することができる。
と共にアドレス電極１８に第１の電圧と逆極性の第２の
電圧を印加すると、つまり、ミラー反射板１０とアドレ
ス電極１８との間に数Ｖ〜数１０Ｖの電圧を印加する
と、ビーム反射板１０がアドレス電極１８に引き寄せら
れ、反射板支持脚体１８が基板と垂直な面から湾曲状に
弾性変形してビーム反射板１０は傾動する。ビーム反射
板１０は所定の傾斜角±θL だけつまり一点鎖線で示す
ように傾斜すると着地電極１５に当接して傾動を停止す
る。ビーム反射板１０の傾動に伴って光が偏向、制御さ
れ、ＤＭＤが複数個配列されたアレイにおいて各ＤＭＤ
が選択的に回転されるとき、種々の目的に対応するパタ
ーンを形成することができる。
【００３３】また、ミラー反射板１０及びアドレス電極
１８に同じ極性の電圧を印加すると、ビーム反射板１０
はアドレス電極１８から離れるように傾動する。
１８に同じ極性の電圧を印加すると、ビーム反射板１０
はアドレス電極１８から離れるように傾動する。
【００３４】以下、前記一実施形態に係るＤＭＤの製造
方法について図６〜図１０を参照しながら説明する。
方法について図６〜図１０を参照しながら説明する。
【００３５】まず、図６（ａ），（ｂ）に示すように、
ＤＲＡＭが形成された基板３１の上に第１の配線層３２
及び第２の配線層３３を形成した後、第１及び第２の配
線層３２，３３の上に全面に亘って保護絶縁膜３４を堆
積する。次に、エッチングにより保護絶縁膜３４におけ
る着地電極支持ポスト形成領域及びアドレス電極支持ポ
スト形成領域に開口部３４ａをそれぞれ形成する。
ＤＲＡＭが形成された基板３１の上に第１の配線層３２
及び第２の配線層３３を形成した後、第１及び第２の配
線層３２，３３の上に全面に亘って保護絶縁膜３４を堆
積する。次に、エッチングにより保護絶縁膜３４におけ
る着地電極支持ポスト形成領域及びアドレス電極支持ポ
スト形成領域に開口部３４ａをそれぞれ形成する。
【００３６】次に、図７（ａ），（ｂ）に示すように、
保護絶縁膜３４の上に、０．２ｗｔ％のＴｉ及び１ｗｔ
％のＳｉを含む厚さ約０．１μｍの第１のアルミニウム
合金膜３５を蒸着法により全面に堆積した後、第１のア
ルミニウム合金膜３５をエッチングによりパターン化し
て着地電極１５、反射板支持部１６、着地電極支持ポス
ト１７及びアドレス電極１８を形成する（図３を参
照）。
保護絶縁膜３４の上に、０．２ｗｔ％のＴｉ及び１ｗｔ
％のＳｉを含む厚さ約０．１μｍの第１のアルミニウム
合金膜３５を蒸着法により全面に堆積した後、第１のア
ルミニウム合金膜３５をエッチングによりパターン化し
て着地電極１５、反射板支持部１６、着地電極支持ポス
ト１７及びアドレス電極１８を形成する（図３を参
照）。
【００３７】次に、図８（ａ），（ｂ）に示すように、
着地電極１５、反射板支持部１６、着地電極支持ポスト
１７及びアドレス電極１８の上に、反射板支持部１６と
対応する領域に開口部３６ａを有するポジ型のレジスト
パターン３６を形成する。レジストパターン３６の厚さ
は約２μｍであり、開口部３６ａは約０．２〜０．３μ
ｍの幅と約５〜２０μｍの長さとを有している。
着地電極１５、反射板支持部１６、着地電極支持ポスト
１７及びアドレス電極１８の上に、反射板支持部１６と
対応する領域に開口部３６ａを有するポジ型のレジスト
パターン３６を形成する。レジストパターン３６の厚さ
は約２μｍであり、開口部３６ａは約０．２〜０．３μ
ｍの幅と約５〜２０μｍの長さとを有している。
【００３８】次に、図９（ａ），（ｂ）に示すように、
レジストパターン３６の上に、０．２ｗｔ％のＴｉ及び
１ｗｔ％のＳｉを含む厚さ約０．３〜０．５μｍの第２
のアルミニウム合金膜３７を蒸着法により全面に堆積し
た後、第２のアルミニウム合金膜３７をエッチングによ
りパターン化する。このようにすると、レジストパター
ン３６の開口部３６ａには第２のアルミニウム合金膜３
７が埋め込まれ、一体化されたビーム反射板１０及び反
射板支持脚体１８が形成される。
レジストパターン３６の上に、０．２ｗｔ％のＴｉ及び
１ｗｔ％のＳｉを含む厚さ約０．３〜０．５μｍの第２
のアルミニウム合金膜３７を蒸着法により全面に堆積し
た後、第２のアルミニウム合金膜３７をエッチングによ
りパターン化する。このようにすると、レジストパター
ン３６の開口部３６ａには第２のアルミニウム合金膜３
７が埋め込まれ、一体化されたビーム反射板１０及び反
射板支持脚体１８が形成される。
【００３９】次に、レジストパターン３６が残った状態
の基板３１をチップ状にダイシングした後、レジストパ
ターン３６を例えば酸素プラズマにより灰化して除去す
ると、図１０に示すような構造のＤＭＤが得られる。
の基板３１をチップ状にダイシングした後、レジストパ
ターン３６を例えば酸素プラズマにより灰化して除去す
ると、図１０に示すような構造のＤＭＤが得られる。
【００４０】尚、前記一実施形態に係る空間的光変調装
置のミラー装置においては、反射板支持脚体１８は１つ
の矩形状板により構成されていたが、反射板支持脚体１
８の形状及び数は適宜変更可能である。
置のミラー装置においては、反射板支持脚体１８は１つ
の矩形状板により構成されていたが、反射板支持脚体１
８の形状及び数は適宜変更可能である。
【００４１】
【発明の効果】請求項１の発明に係る空間的光変調装置
におけるミラー装置によると、基板とビーム反射板との
間には一層の空間部しか存在していないと共に、支持脚
体が捩れることなく湾曲するように弾性変形してビーム
反射板を基板に対して傾動させる構造であって、ビーム
反射板の支持構造及び支持脚体自体の構造が単純である
ため、ミラー装置の良品化率が向上して歩留まりが向上
するので、コストの低減を図ることができる。
におけるミラー装置によると、基板とビーム反射板との
間には一層の空間部しか存在していないと共に、支持脚
体が捩れることなく湾曲するように弾性変形してビーム
反射板を基板に対して傾動させる構造であって、ビーム
反射板の支持構造及び支持脚体自体の構造が単純である
ため、ミラー装置の良品化率が向上して歩留まりが向上
するので、コストの低減を図ることができる。
【００４２】請求項２の発明に係る空間的光変調装置に
おけるミラー装置の駆動方法によると、ビーム反射板及
び電極に逆極性の電圧を印加するとビーム反射板と電極
との間に引力が生じてビーム反射板は電極に近づくよう
に傾動し、また、ビーム反射板及び電極に同じ極性の電
圧を印加するとビーム反射板と電極との間に斥力が生じ
てビーム反射板は電極から離れるように傾動するが、ビ
ーム反射板が傾動する際に支持脚体は湾曲するように弾
性変形するため、支持脚体に無理な負荷が加わらないの
で、支持脚体の耐久性ひいてはミラー装置の耐久性を向
上させることができる。
おけるミラー装置の駆動方法によると、ビーム反射板及
び電極に逆極性の電圧を印加するとビーム反射板と電極
との間に引力が生じてビーム反射板は電極に近づくよう
に傾動し、また、ビーム反射板及び電極に同じ極性の電
圧を印加するとビーム反射板と電極との間に斥力が生じ
てビーム反射板は電極から離れるように傾動するが、ビ
ーム反射板が傾動する際に支持脚体は湾曲するように弾
性変形するため、支持脚体に無理な負荷が加わらないの
で、支持脚体の耐久性ひいてはミラー装置の耐久性を向
上させることができる。
【００４３】請求項３の発明に係る空間的光変調装置に
おけるミラー装置の製造方法によると、基板上に形成さ
れ、支持脚体と対応する形状の開口部を有し且つ電極を
覆うレジストパターンの上に全面に亘って光反射性を有
する材料よりなる導電膜を堆積した後、該導電膜をパタ
ーン化することによって、基板に対して平行に且つ間隔
をおいてビーム反射板を形成すると共に基板から垂直方
向に延び一端が基板に固定されていると共に他端がビー
ム反射板と一体になる支持脚体を形成するため、例え
ば、従来の方法によると１０枚のマスクを要していたミ
ラー装置の製造プロセスを６枚のマスクにより行なうこ
とが可能になり、約４０％程度プロセスの簡略化を図る
ことができる。このため、基板上に既に形成されている
アドレス回路の歩留まり及びミラー装置の歩留まりが向
上するので、コストの低減を図ることができる。
おけるミラー装置の製造方法によると、基板上に形成さ
れ、支持脚体と対応する形状の開口部を有し且つ電極を
覆うレジストパターンの上に全面に亘って光反射性を有
する材料よりなる導電膜を堆積した後、該導電膜をパタ
ーン化することによって、基板に対して平行に且つ間隔
をおいてビーム反射板を形成すると共に基板から垂直方
向に延び一端が基板に固定されていると共に他端がビー
ム反射板と一体になる支持脚体を形成するため、例え
ば、従来の方法によると１０枚のマスクを要していたミ
ラー装置の製造プロセスを６枚のマスクにより行なうこ
とが可能になり、約４０％程度プロセスの簡略化を図る
ことができる。このため、基板上に既に形成されている
アドレス回路の歩留まり及びミラー装置の歩留まりが向
上するので、コストの低減を図ることができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る空間的光変調装置に
おけるミラー装置のビーム反射板のアレイを示す平面図
である。
おけるミラー装置のビーム反射板のアレイを示す平面図
である。
【図２】前記空間的光変調装置におけるミラー装置の一
画素部分の下部構造を示す平面図である。
画素部分の下部構造を示す平面図である。
【図３】（ａ）は図２におけるＡ−Ａ線の断面図であ
り、（ｂ）は図２におけるＢ−Ｂ線の断面図である。
り、（ｂ）は図２におけるＢ−Ｂ線の断面図である。
【図４】前記空間的光変調装置におけるミラー装置の一
画素部分の分解斜視図である。
画素部分の分解斜視図である。
【図５】前記空間的光変調装置におけるミラー装置の動
作を説明する断面図である。
作を説明する断面図である。
【図６】前記空間的光変調装置におけるミラー装置の製
造方法の各工程を示す断面図である。
造方法の各工程を示す断面図である。
【図７】前記空間的光変調装置におけるミラー装置の製
造方法の各工程を示す断面図である。
造方法の各工程を示す断面図である。
【図８】前記空間的光変調装置におけるミラー装置の製
造方法の各工程を示す断面図である。
造方法の各工程を示す断面図である。
【図９】前記空間的光変調装置におけるミラー装置の製
造方法の各工程を示す断面図である。
造方法の各工程を示す断面図である。
【図１０】前記空間的光変調装置におけるミラー装置の
製造方法の各工程を示す断面図である。
製造方法の各工程を示す断面図である。
【図１１】空間的光変調装置の概略構成を示す図であ
る。
る。
【図１２】空間的光変調装置におけるミラー装置の一般
的な動作を示す図である。
的な動作を示す図である。
【図１３】従来の空間的光変調装置におけるミラー装置
の分解斜視図である。
の分解斜視図である。
【図１４】従来の空間的光変調装置におけるミラー装置
のビーム反射板のアレイを示す平面図である。
のビーム反射板のアレイを示す平面図である。
【図１５】従来の空間的光変調装置におけるミラー装置
の一画素部分の下部構造を示す平面図である。
の一画素部分の下部構造を示す平面図である。
【図１６】（ａ）は図１５におけるａ−ａ線の断面図で
あり、（ｂ）は図２におけるｂ−ｂ線の断面図である。
あり、（ｂ）は図２におけるｂ−ｂ線の断面図である。
【図１７】従来の空間的光変調装置におけるミラー装置
の動作を説明する断面図である。
の動作を説明する断面図である。
【図１８】従来の空間的光変調装置におけるミラー装置
の製造方法の各工程を示す断面図である。
の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図１９】従来の空間的光変調装置におけるミラー装置
の製造方法の各工程を示す断面図である。
の製造方法の各工程を示す断面図である。
１０ ビーム反射板 １１ 基板 １２ 第１の配線層 １３ 第２の配線層 １４ 保護絶縁膜 １５ 着地電極 １６ 反射板支持部 １７ 着地電極支持ポスト １８ 反射板支持脚体 １９ アドレス電極 ２０ アドレス電極支持ポスト ３１ 基板 ３２ 第１の配線層 ３３ 第２の配線層 ３４ 保護絶縁膜 ３４ａ 開口部 ３５ 第１のアルミニウム合金膜 ３６ レジストパターン ３７ 第２のアルミニウム合金膜
Claims (3)
- 【請求項１】 基板に対して平行に且つ間隔をおいて形
成されており、ビームを反射する反射面を有するビーム
反射板と、 前記基板から垂直方向に延びており、一端が前記基板に
固定されていると共に他端が前記ビーム反射板と一体に
形成された弾性変形可能な支持脚体と、 前記基板上に形成されており、前記ビーム反射板との間
に引力又は斥力を発生させる電圧が印加される電極とを
備えていることを特徴とする空間的光変調装置における
ミラー装置。 - 【請求項２】 基板に対して平行に且つ間隔をおいて形
成されておりビームを反射する反射面を有するビーム反
射板と、基板から垂直方向に延びており一端が前記基板
に固定されていると共に他端が前記ビーム反射板と一体
に形成された弾性変形可能な支持脚体と、基板上に形成
された電極とを備えた空間的光変調装置におけるミラー
装置の駆動方法であって、前記ビーム反射板及び前記電
極にそれぞれ電圧を印加して前記ビーム反射板と前記電
極との間に引力又は斥力を発生させることにより、前記
支持脚体を弾性変形させて前記ビーム反射板を前記基板
に対して傾動させ、これにより、前記ビーム反射板が反
射するビームの方向を制御することを特徴とする空間的
光変調装置におけるミラー装置の駆動方法。 - 【請求項３】 基板に対して平行に且つ間隔をおいて形
成されておりビームを反射する反射面を有するビーム反
射板と、基板から垂直方向に延びており一端が前記基板
に固定されていると共に他端が前記ビーム反射板と一体
に形成された弾性変形可能な支持脚体と、基板上に形成
されており前記ビーム反射板との間に引力又は斥力を発
生させる電圧が印加される電極とを備えた空間的光変調
装置におけるミラー装置の製造方法であって、 基板上に前記電極を形成する工程と、 前記基板上に、前記支持脚体と対応する形状の開口部を
有し且つ前記電極を覆うレジストパターンを形成する工
程と、 前記レジストパターンの上に全面に亘って光反射性を有
する材料よりなる導電膜を堆積する工程と、 前記導電膜をパターン化して前記ビーム反射板と前記支
持脚体とを一体に形成する工程と、 前記レジストパターンを除去する工程とを備えているこ
とを特徴とする空間的光変調装置におけるミラー装置の
製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27093295A JPH09113826A (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 空間的光変調装置におけるミラー装置、その駆動方法およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27093295A JPH09113826A (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 空間的光変調装置におけるミラー装置、その駆動方法およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09113826A true JPH09113826A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17493014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27093295A Withdrawn JPH09113826A (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 空間的光変調装置におけるミラー装置、その駆動方法およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09113826A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011528449A (ja) * | 2008-07-15 | 2011-11-17 | フサオ イシイ | 凹凸のない平面ミラーを有するミラー素子 |
-
1995
- 1995-10-19 JP JP27093295A patent/JPH09113826A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011528449A (ja) * | 2008-07-15 | 2011-11-17 | フサオ イシイ | 凹凸のない平面ミラーを有するミラー素子 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |