JPH1057956A

JPH1057956A - 超純水製造装置

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Publication number: JPH1057956A
Application number: JP23588796A
Authority: JP
Inventors: Madoka Tanabe; 円田辺
Original assignee: Organo Corp; Japan Organo Co Ltd
Current assignee: Organo Corp
Priority date: 1996-08-19
Filing date: 1996-08-19
Publication date: 1998-03-03
Anticipated expiration: 2016-08-19
Also published as: JP3580648B2

Abstract

(57)【要約】【課題】溶存酸素濃度が極めて低く、かつ、溶存窒素
を含む全溶存ガス濃度も大きく低減した超純水を得るこ
とが可能な超純水製造装置を提供する。【解決手段】一次純水系システム８と二次純水系シス
テム１０とを備えた超純水製造装置において、二次純水
系システム１０に、紫外線酸化装置２６、非再生型イオ
ン交換装置４０及び膜脱気装置５０をこの順序に通水す
るように設置する。あるいは、膜脱気装置５０の後段に
さらに第２の非再生型イオン交換装置を設置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体産業
におけるシリコンウエハの洗浄等に用いられる超純水
（純水を含む）の製造装置に関し、さらに詳述すると、
二次純水系システムで得られる超純水中の溶存ガス濃度
を低減させることができる超純水製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】シリコンウエハの洗浄等に用いられる超
純水の製造装置は、一般に、前処理系システムの処理水
が導入される一次純水系システムと、一次純水系システ
ムの処理水が導入される二次純水系システム（サブシス
テム）とを備えている。このような超純水製造装置とし
ては、例えば図８に示すものが挙げられる。図８におい
て、２は原水貯槽、４は前処理系システム、６は濾過水
槽、８は一次純水系システム、１０は二次純水系システ
ムを示す。一次純水系システム８には、脱塩装置１２、
脱塩水槽１４、逆浸透膜装置１６、逆浸透膜透過水槽１
８、真空脱気装置２０、再生型混床式脱塩装置２２が順
次設置されている。二次純水系システム１０には、純水
貯槽２４、紫外線酸化装置２６、カートリッジポリッシ
ャ２８、限外濾過膜装置３０が順次設置されている。

【０００３】図８の装置では、以下の手順で処理が行わ
れる。まず、工業用水等の原水中に含まれる懸濁物質及
び有機物の一部が前処理システム４で除去された後、そ
の処理水が濾過水槽６を経て一次純水系システム８に供
給され、脱塩装置１２、逆浸透膜装置１６、真空脱気装
置２０、再生型混床式脱塩装置２２に順次通水される。
脱塩装置１２は、例えば２床３塔式イオン交換装置等の
イオン交換装置であって、水中の不純物イオンの除去を
行う。逆浸透膜装置１６は、水中の無機イオン、有機
物、微粒子等の除去を行う。真空脱気装置２０は、水中
の溶存酸素等の溶存ガスの除去を行う。再生型混床式脱
塩装置２２は、残存するイオン等を除去して高純度の純
水を製造する。

【０００４】一次純水系システム８の処理水（一次純
水）は、二次純水系システム１０の純水貯槽２４に供給
される。純水貯槽２４に蓄えられる一次純水は、再生型
混床式脱塩装置２２によって炭酸ガスが除去されている
とともに、真空脱気装置２０により酸素ガスが除去され
ているため、これら酸素ガスや炭酸ガスが外気から再溶
解するのを防ぐ目的で、純水貯槽２４には不活性ガスで
ある窒素ガスが封入されている。なお、純水貯槽２４に
蓄えられる一次純水の抵抗率は、通常、１ＭΩ・ｃｍ以
上である。純水貯槽２４を出た純水は、紫外線酸化装置
２６、カートリッジポリッシャ２８、限外濾過膜装置３
０に順次通水される。紫外線酸化装置２６は、純水貯槽
２４からの純水に紫外線を照射し、純水中の有機物を酸
化分解するとともに、バクテリアの殺菌を行う。カート
リッジポリッシャ２８は、非再生型混床式イオン交換装
置であって、供給されるイオン負荷がほとんどない一次
純水中のイオンをさらに除去する。限外濾過膜装置３０
は、水中の残存微粒子等を除去して超純水を製造する。
得られた超純水は、使用場所３２に供給される。

【０００５】また、超純水は、使用場所３２で使用して
いる時及び使用していない時のいずれの場合でも二次純
水循環配管３４を通って純水貯槽２４に戻り、純水貯槽
２４→紫外線酸化装置２６→カートリッジポリッシャ２
８→限外濾過膜装置３０→超純水循環配管３４→純水貯
槽２４からなる閉ループ内を常時循環している。このよ
うに超純水を常時循環させているのは、使用場所３２に
おける超純水の不使用時に運転を停止すると、システム
を構成する各ユニットや配管中に運転停止時に水が滞留
してバクテリアの増殖が起きたり、イオン成分や有機物
が微量ながら溶出して超純水の水質を劣化させたりする
おそれがあること、停止時や再起動時のショックで各ユ
ニットから微粒子が吐きだされたり、不純物の溶出が起
きたりするおそれがあることによる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前述したような装置に
より、きわめて高純度の超純水が製造されるわけである
が、近年の半導体デバイスの高集積度化に伴い、超純水
をさらに高い水質とすることが求められている。特に溶
存酸素は、シリコンウエハ上に自然酸化膜を生成し、コ
ンタクト抵抗の増大の問題や、場合によっては薄い酸化
膜の膜厚制御等に支障をきたすという問題を引き起こす
ため、可能な限りの低減が求められている。

【０００７】表１は、図８に示した従来の装置の各ポイ
ントにおける溶存酸素濃度の測定値を示している。表１
より以下のことがわかる。

【表１】脱塩装置１２の出口水中にはほぼ飽和濃度の溶存酸素が
検出されるが、真空脱気装置２０により２４ｐｐｂまで
除去される。その後純水貯槽２４を介することにより２
２ｐｐｂとなる。純水貯槽２４における溶存酸素の減少
は、超純水循環配管３４から溶存酸素濃度の低い水が供
給されることに加え、純水貯槽２４内で水と封入されて
いる窒素ガスとが接触することによると考えられる。

【０００８】純水貯槽２４から取り出された一次純水
は、紫外線酸化装置２６で処理される。紫外線酸化装置
２６は、２５４ｎｍ付近の波長の紫外線とともに、それ
より高い有機物分解能力がある１８５ｎｍ付近の紫外線
も強く照射可能な低圧水銀ランプを備えた紫外線酸化装
置であり、水中の有機物を炭酸や有機酸に分解するため
に設置されている。表１に示した通り、紫外線酸化装置
２６の前後で溶存酸素濃度が２２ｐｐｂから６ｐｐｂへ
と激減する現象が認められる。この現象は、紫外線酸化
装置２６の被処理水中の溶存酸素が有機物の酸化のため
の酸素源として消費されたり、紫外線と水との相互作用
によるラジカル、オゾン、過酸化水素等の生成によって
消費されたりするためと考えられる。

【０００９】しかし、カートリッジポリッシャ２８の出
口では、６ｐｐｂに減少していた溶存酸素が１０ｐｐｂ
に増加してしまっている。この溶存酸素の増加は、紫外
線酸化装置２６で生成したオゾンや過酸化水素がカート
リッジポリッシャ２８のイオン交換樹脂との接触によっ
て酸素ガスに分解したためと推定される。

【００１０】上記のように、従来の装置では、二次純水
系システム１０の紫外線酸化装置２６で水中の溶存酸素
濃度が大きく低減するものの、後段のカートリッジポリ
ッシャ２８でのイオン交換樹脂との接触により溶存酸素
が再び増加してしまう。紫外線酸化装置２６における紫
外線エネルギーは、ヒドロキシラジカルのような極めて
反応性に富むラジカルの生成だけではなく、オゾンや過
酸化水素のような反応が遅く寿命の長い酸化性物質の生
成にも消費されるので、カートリッジポリッシャ２８で
溶存酸素が再び増加することは避けられない現象であ
る。

【００１１】一方、近年、超純水への要求水質として、
酸素ガスのみならず窒素ガスを含めた全溶存ガス濃度の
低減が求められ始めている。これは、不活性ガスである
窒素は、これまで半導体デバイス製造工程への影響はな
いと考えられてきたが、近年の超音波洗浄装置の導入に
伴い、溶存ガスによるキャビテーションが問題となって
きたためである。超音波照射時に溶存ガスによるキャビ
テーションが生じると、超音波エネルギーを無駄に消費
してしまう。しかし、図８に示した従来の装置では、真
空脱気装置２０によって酸素ガスのみならず、窒素ガス
や炭酸ガスも含めた全溶存ガスを低減しているが、純水
貯槽２４において外気を遮断するために封入している窒
素ガスが水中に溶解するので、全溶存ガス濃度を低減す
ることは困難であった。

【００１２】以上述べたように、従来の超純水製造装置
では、紫外線酸化装置におけるオゾンや過酸化水素の生
成があるために溶存酸素の低減に限界があるばかりでな
く、純水貯槽における封入ガスである窒素ガスの溶解に
より、全溶存ガス濃度を低減することが困難であった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、溶
存酸素濃度が極めて低く、かつ、溶存酸素、溶存窒素を
含む全溶存ガス濃度も大きく低減した超純水を得ること
が可能な超純水製造装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するため、下記第１発明及び第２発明を提供する。［第１発明］一次純水系システムと二次純水系システム
とを備えた超純水製造装置において、二次純水系システ
ムに、紫外線酸化装置、非再生型イオン交換装置及び膜
脱気装置をこの順序に通水するように設置したことを特
徴とする超純水製造装置。［第２発明］一次純水系システムと二次純水系システム
とを備えた超純水製造装置において、二次純水系システ
ムに、紫外線酸化装置、第１の非再生型イオン交換装
置、膜脱気装置及び第２の非再生型イオン交換装置をこ
の順序に通水するように設置したことを特徴とする超純
水製造装置。

【００１４】第１発明及び第２発明の超純水製造装置で
は、二次純水系システムにおいて、紫外線酸化装置の後
段の非再生型イオン交換装置の後段に膜脱気装置を設置
したことにより、紫外線酸化装置で生成したオゾンや過
酸化水素が後段の非再生型イオン交換装置でイオン交換
樹脂と接触して分解し、これにより溶存酸素が増加して
も、この溶存酸素を後段の膜脱気装置で除去して、溶存
酸素濃度が極めて低い超純水を得ることができる。ま
た、膜脱気装置の入口水に溶存窒素等の溶存酸素以外の
溶存ガスが含まれている場合でも、この溶存酸素以外の
溶存ガスを膜脱気装置で除去して、全溶存ガス濃度が大
きく低減した超純水を得ることができる。さらに、第２
発明の超純水製造装置では、膜脱気装置の後段にさらに
第２の非再生型イオン交換装置を設けたので、この第２
の非再生型イオン交換装置により、膜脱気装置から溶出
した不純物を含めて水中の不純物をほぼ完全に除去する
ことができる。

【００１５】本発明において、一次純水系システムと
は、前処理システムによって懸濁物質、有機物の一部等
が除去された水が導入され、その水の中のイオン、非イ
オン性物質、溶存ガス等の大部分を除去して一次純水を
得るシステムをいう。また、二次純水系システムとは、
一次純水が導入され、一次純水中に残存する微量の不純
物を取り除くものである。二次純水系システムでは連続
循環運転を行っており、得られた超純水の一部をユース
ポイントに送るとともに、残部を純水貯槽に循環してい
る。

【００１６】本発明では、二次純水系システムにおい
て、前段側から後段側にかけて紫外線酸化装置、非再生
型イオン交換装置及び膜脱気装置を設置するか（第１発
明）、紫外線酸化装置、第１の非再生型イオン交換装
置、膜脱気装置及び第２の非再生型イオン交換装置を設
置する（第２発明）。なお、以下の説明において第１の
非再生型イオン交換装置という場合、該用語は、第１発
明における紫外線酸化装置と膜脱気装置との間の非再生
型イオン交換装置及び第２発明における第１の非再生型
イオン交換装置の両方を意味することがある。

【００１７】紫外線酸化装置としては、被処理水に少な
くとも２５４ｎｍ付近の波長の紫外線を照射可能な紫外
線ランプを備え、被処理水中の有機物を分解可能なもの
を用いる。紫外線ランプとしては、一般に低圧水銀ラン
プが用いられる。また、紫外線酸化装置としては、流通
型、浸漬型といった任意の構成のものを用いることがで
きるが、流通型紫外線酸化装置を用いることが処理効率
等の点で適当である。

【００１８】紫外線酸化装置には、２５４ｎｍ付近の波
長の紫外線に加えて、それより高い有機物分解能力があ
る１８５ｎｍ付近の波長の紫外線も照射可能な装置があ
る。さらに、その中でも、１８５ｎｍ付近の波長の紫外
線の照射量が少ない紫外線酸化装置と、１８５ｎｍ付近
の波長の紫外線を強く照射可能な紫外線酸化装置とがあ
る。前者の装置は、有機物分解能力が低いため、後者の
装置と区別して紫外線殺菌装置と呼ばれることもある。
本発明では、２５４ｎｍ付近の波長の紫外線に加え、１
８５ｎｍ付近の波長の紫外線も強く照射可能な後者の紫
外線酸化装置を用いることが、有機物を良好に分解する
点で好ましい。

【００１９】第１の非再生型イオン交換装置（第１発明
における紫外線酸化装置と膜脱気装置との間の非再生型
イオン交換装置を含む）としては、必ずしも限定されな
いが、例えば下記〜のものが用いることができる。
〜は１塔式、は２塔式のイオン交換装置である。強酸性陽イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹脂
との混床によるイオン交換装置。強塩基性陰イオン交換樹脂の単床によるイオン交換装
置。強塩基性陰イオン交換樹脂の単床層を入口側、強酸性
陽イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹脂との混床
層を出口側に設けた複層式イオン交換装置。強塩基性陰イオン交換樹脂の単床による樹脂塔を前段
側、強酸性陽イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹
脂との混床による樹脂塔を後段側に設けたイオン交換装
置。

【００２０】第１の非再生型イオン交換装置としての
イオン交換装置を用いた場合には、混床層内のいずれの
位置においても水のｐＨの変化がないため、効率の良い
イオン交換ができるという利点が得られる。また、オゾ
ンや過酸化水素のような酸化性物質が強酸性陽イオン交
換樹脂に接触すると、強酸性陽イオン交換樹脂から溶出
物が発生し、それが強酸性陽イオン交換樹脂や強塩基性
陰イオン交換樹脂の表面を汚染して、イオン交換速度が
低下することがある。一方、オゾンや過酸化水素の分解
は、強塩基性陰イオン交換樹脂に接触させるだけで十分
に行われる。したがって、第１の非再生型イオン交換装
置としては、〜のイオン交換装置のようにイオン交
換樹脂層の少なくとも入口側又はイオン交換樹脂層の全
部が強塩基性陰イオン交換樹脂の単床であるものを用い
ることが特に好ましい。これにより、オゾンや過酸化水
素を強酸性陽イオン交換樹脂と接触させることなく強塩
基性陰イオン交換樹脂で分解することが可能となり、強
酸性陽イオン交換樹脂から溶出物を発生させることなく
オゾンや過酸化水素を分解できるという利点が得られ
る。ただし、第１の非再生型イオン交換装置として強塩
基性陰イオン交換樹脂の単床によるのイオン交換装置
を用いた場合には、不純物の除去の点で膜脱気装置の後
段に強酸性陽イオン交換樹脂を含む第２の非再生型イオ
ン交換装置を設けることが適当である。

【００２１】膜脱気装置とは、気体分離膜で仕切られた
一方の室に被処理水を流すとともに、他方の室を減圧す
ることにより、被処理水中に含まれるガスを気体分離膜
を通して他方の室に移行させて除去する装置である。気
体分離膜としては、通常、テトラフルオロエチレン系、
シリコーンゴム系等の疎水性の高分子膜を中空糸膜状等
の適宜形状に形成したものが使用される。本発明におい
て、膜脱気装置としては、水中の溶存酸素濃度を１ｐｐ
ｂ以下、全溶存ガス濃度を３０００ｐｐｂ以下に低減で
きるものが好ましい。なお、本発明において脱ガス装置
として膜脱気装置を用いたのは、真空脱気塔や加熱脱気
装置等の脱ガス装置を用いた場合には、これらの装置か
ら水中に不純物が混入したり、装置の充填物から水中に
不純物が溶出したりすることがある上、装置が大型化す
るからである。これに対し、膜脱気装置を用いれば、こ
のような問題は生じない。

【００２２】第２の非再生型イオン交換装置としては、
必ずしも限定されないが、前述したの強酸性陽イオン
交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹脂との混床によるイ
オン交換装置を用いることが適当であり、これにより混
床層内のいずれの位置においても水のｐＨの変化がない
ため効率の良いイオン交換ができるという利点を得るこ
とができる。

【００２３】また、第２発明では、第１の非再生型イオ
ン交換装置の通水ＳＶ（空間速度）（ＳＶ1）と、第２
の非再生型イオン交換装置の通水ＳＶ（ＳＶ2）が、Ｓ
Ｖ1＜ＳＶ2の関係にあることが好ましい。これは、紫外
線酸化装置の処理水を第１の非再生型イオン交換装置に
比較的接触時間を大として通過させることにより、紫外
線酸化で生成したオゾン、過酸化水素等を十分に分解し
たのちに膜脱気装置で処理することが望ましいという理
由からである。

【００２４】

【発明の実施の形態】図１〜図３はそれぞれ第１発明に
係る超純水製造装置の一実施形態例を示すフロー図、図
４〜図７はそれぞれ第２発明に係る超純水製造装置の一
実施形態例を示すフロー図である。図１〜図７におい
て、図８の装置と同一の構成部分には同一参照符号を付
してその説明を省略する。また、図１〜図７において、
前処理系システムは図示を省略し、一次純水系システム
８は図示を簡略化してある。

【００２５】図１の装置は、二次純水系システム１０
に、紫外線酸化装置２６（図中ＵＶで示す）と、強酸性
陽イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹脂との混床
による１塔式の非再生型イオン交換装置４０（図中ＣＰ
で示す）と、膜脱気装置５０（図中ＭＤで示す）とをこ
の順序に通水するように設置したものである。

【００２６】図２の装置は、図１の装置において、非再
生型イオン交換装置４０に代えて、強塩基性陰イオン交
換樹脂の単床層（図中ＡＥＲで示す）を入口側、強酸性
陽イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹脂との混床
層（図中ＭＢで示す）を出口側に設けた１塔式の非再生
型イオン交換装置４２を設置したものである。

【００２７】図３の装置は、図１の装置において、非再
生型イオン交換装置４０に代えて、強塩基性陰イオン交
換樹脂の単床による樹脂塔４４（図中ＡＥＲで示す）を
前段側、強酸性陽イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン交
換樹脂との混床による樹脂塔４６（図中ＭＢで示す）を
後段側に設けた２塔式の非再生型イオン交換装置４８を
設置したものである。

【００２８】図４の装置は、二次純水系システム１０
に、紫外線酸化装置２６（図中ＵＶで示す）と、強酸性
陽イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹脂との混床
による１塔式の第１の非再生型イオン交換装置４０（図
中ＣＰで示す）と、膜脱気装置５０（図中ＭＤで示す）
と、強酸性陽イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹
脂との混床による１塔式の第２の非再生型イオン交換装
置６０（図中ＣＰで示す）とをこの順序に通水するよう
に設置したものである。

【００２９】図５の装置は、図４の装置において、第１
の非再生型イオン交換装置４０に代えて、強塩基性陰イ
オン交換樹脂の単床による１塔式のイオン交換装置７０
（図中ＡＰで示す）を設置したものである。

【００３０】図６の装置は、図４の装置において、第１
の非再生型イオン交換装置４０に代えて、強塩基性陰イ
オン交換樹脂の単床層（図中ＡＥＲで示す）を入口側、
強酸性陽イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹脂と
の混床層（図中ＭＢで示す）を出口側に設けた１塔式の
非再生型イオン交換装置４２を設置したものである。

【００３１】図７の装置は、図４の装置において、第１
の非再生型イオン交換装置４０に代えて、強塩基性陰イ
オン交換樹脂の単床による樹脂塔４４（図中ＡＥＲで示
す）を前段側、強酸性陽イオン交換樹脂と強塩基性陰イ
オン交換樹脂との混床による樹脂塔４６（図中ＭＢで示
す）を後段側に設けた非再生型イオン交換装置４８を設
置したものである。

【００３２】なお、図１〜図７の装置において、紫外線
酸化装置とその後段の非再生型イオン交換装置との間、
該非再生型イオン交換装置とその後段の膜脱気装置との
間、該膜脱気装置とその後段の非再生型イオン交換装置
との間には、必要に応じ、他の装置を設置してもよい。

【００３３】

【実施例】図１〜図７に示した超純水製造装置の各ポイ
ントにおける水中の溶存酸素濃度、溶存窒素濃度及び抵
抗率を測定した。この場合、各装置として下記のものを
用い、処理条件は下記の通りとした。また、溶存酸素濃
度の測定には東亜電波社製ＤＯ−３０Ａを用い、抵抗率
の測定にはオルガノ（株）製ＭＨ−４を用いた。結果を
表２〜８に示す。なお、図１〜７に示した超純水製造装
置において、一次純水系システム８の脱塩装置１２及び
真空脱気装置２０（図８参照）の出口水の溶存酸素濃度
は、それぞれ８．０ｐｐｍ、２４ｐｐｂであった。

【００３４】装置・紫外線酸化装置２６：ＴＤＦＬ−４（千代田工販社
製）・イオン交換装置４０：アンバーライトＥＧ−４（ロー
ムアンドハース社製）・イオン交換装置４２：アンバーライトＩＲＡ−４０２
ＢＬ＋アンバーライトＥＧ−４・イオン交換装置４８：アンバーライトＩＲＡ−４０２
ＢＬ、アンバーライトＥＧ−４・イオン交換装置７０：アンバーライトＩＲＡ−４０２
ＢＬ・膜脱気装置５０：ＭＪ−５２０ｐ（大日本インキ化学
工業（株）製）・イオン交換装置６０：アンバーライトＥＧ−４

【００３５】処理条件・紫外線酸化装置２６における紫外線照射量：０．３Ｋ
ｗ・ｈｒ／ｍ³ ・イオン交換装置４０,４２，４８，７０における通水
ＳＶ：５０ｈｒ^-1 ・膜脱気装置５０における真空度：２５Ｔｏｒｒ・イオン交換装置６０における通水ＳＶ：１２０ｈｒ^-1

【００３６】

【表２】

【表３】

【表４】

【表５】

【表６】

【表７】

【表８】

【００３７】表２〜表８より、第１発明及び第２発明に
よれば、溶存酸素濃度及び溶存窒素濃度がいずれも極め
て低い超純水を得ることができることがわかる。また、
第２発明によれば、不純物がほぼ完全に除去された超純
水を得ることができることがわかる。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、第１発明及び第２
発明の超純水製造装置によれば、溶存酸素濃度が極めて
低く、かつ、溶存酸素、溶存窒素を含む全溶存ガス濃度
も大きく低減した超純水を得ることができる。また、第
２発明の超純水製造装置によれば、不純物がより低減し
た超純水を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１発明に係る超純水製造装置の一実施形態例
を示すフロー図である。

【図２】第１発明に係る超純水製造装置の一実施形態例
を示すフロー図である。

【図３】第１発明に係る超純水製造装置の一実施形態例
を示すフロー図である。

【図４】第２発明に係る超純水製造装置の一実施形態例
を示すフロー図である。

【図５】第２発明に係る超純水製造装置の一実施形態例
を示すフロー図である。

【図６】第２発明に係る超純水製造装置の一実施形態例
を示すフロー図である。

【図７】第２発明に係る超純水製造装置の一実施形態例
を示すフロー図である。

【図８】従来の超純水製造装置の一例を示すフロー図で
ある。

【符号の説明】

８一次純水系システム１０二次純水系システム２４純水貯槽２６紫外線酸化装置３０限外濾過膜装置４０第１の非再生型イオン交換装置４２第１の非再生型イオン交換装置４８第１の非再生型イオン交換装置５０膜脱気装置６０第２の非再生型イオン交換装置７０第１の非再生型イオン交換装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一次純水系システムと二次純水系システ
ムとを備えた超純水製造装置において、二次純水系シス
テムに、紫外線酸化装置、非再生型イオン交換装置及び
膜脱気装置をこの順序に通水するように設置したことを
特徴とする超純水製造装置。
【請求項２】非再生型イオン交換装置が、強酸性陽イ
オン交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹脂との混床によ
るイオン交換装置である請求項１に記載の超純水製造装
置。
【請求項３】非再生型イオン交換装置が、強塩基性陰
イオン交換樹脂の単床層を入口側、強酸性陽イオン交換
樹脂と強塩基性陰イオン交換樹脂との混床層を出口側に
設けた複層式イオン交換装置である請求項１に記載の超
純水製造装置。
【請求項４】非再生型イオン交換装置が、強塩基性陰
イオン交換樹脂の単床による樹脂塔を前段側、強酸性陽
イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹脂との混床に
よる樹脂塔を後段側に設けたイオン交換装置である請求
項１に記載の超純水製造装置。
【請求項５】一次純水系システムと二次純水系システ
ムとを備えた超純水製造装置において、二次純水系シス
テムに、紫外線酸化装置、第１の非再生型イオン交換装
置、膜脱気装置及び第２の非再生型イオン交換装置をこ
の順序に通水するように設置したことを特徴とする超純
水製造装置。
【請求項６】第１の非再生型イオン交換装置が、強酸
性陽イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹脂との混
床によるイオン交換装置である請求項５に記載の超純水
製造装置。
【請求項７】第１の非再生型イオン交換装置が、強塩
基性陰イオン交換樹脂の単床によるイオン交換装置であ
る請求項５に記載の超純水製造装置。
【請求項８】第１の非再生型イオン交換装置が、強塩
基性陰イオン交換樹脂の単床層を入口側、強酸性陽イオ
ン交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹脂との混床層を出
口側に設けた複層式イオン交換装置である請求項５に記
載の超純水製造装置。
【請求項９】第１の非再生型イオン交換装置が、強塩
基性陰イオン交換樹脂の単床による樹脂塔を前段側、強
酸性陽イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹脂との
混床による樹脂塔を後段側に設けたイオン交換装置であ
る請求項５に記載の超純水製造装置。
【請求項１０】第２の非再生型イオン交換装置が、強
酸性陽イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹脂との
混床によるイオン交換装置である請求項５〜９に記載の
超純水製造装置。