JPH1056068A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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Publication number
JPH1056068A
JPH1056068A JP21072796A JP21072796A JPH1056068A JP H1056068 A JPH1056068 A JP H1056068A JP 21072796 A JP21072796 A JP 21072796A JP 21072796 A JP21072796 A JP 21072796A JP H1056068 A JPH1056068 A JP H1056068A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
clock
wiring
integrated circuit
semiconductor integrated
circuit device
Prior art date
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Pending
Application number
JP21072796A
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Japanese (ja)
Inventor
Maho Urano
真帆 浦野
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH1056068A publication Critical patent/JPH1056068A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve wiring efficiency, by wiring the clock main line in the wiring layer, which is electrically insulated from a signal wiring layer, on a clock pin for applying a clock signal, and electrically connecting the clock pin and the clock main line. SOLUTION: In a semiconductor integrated circuit device 1, the clock signal from the outside is applied on a clock input pin 3 of the semiconductor integrated circuit device 1, amplified in a clock driver 4, applied on a clock pin 6 arranged on a signal wiring layer through a through hole, which is provided on each cell 2 on a clock main line 5 arranged on a special clock wiring layer, and inputted into the gate electrode of the cell 2 requiring the distribution of the clock from the gate connecting through hole. Since the clock main line 5 is wired on the special clock wiring layer, the wiring efficiency does not become worse by the obstruction of the clock main line 5 on the other wiring, and the wiring to a spot directly above each cell 2 becomes possible.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、クロック分配を
必要とするセルを有する半導体集積回路装置に関するも
のである。
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device having cells that require clock distribution.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4はクロック分配を必要とするセルを
有する従来の半導体集積回路装置を示す概略平面図であ
る。図において、1は半導体集積回路装置、2はクロッ
ク分配を必要とするセル、3は外部からのクロック信号
が印加されるクロック入力ピン、4は外部からのクロッ
ク信号を内部セル2用のクロック信号に増幅するクロッ
クドライバ、5はクロックドライバ3からのクロック信
号を半導体集積回路装置1各部に伝送するクロック幹
線、6は各セル2用のクロック信号が印加されるクロッ
クピン、7はクロック幹線5から各クロックピン6への
枝配線である。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is a schematic plan view showing a conventional semiconductor integrated circuit device having cells requiring clock distribution. In the figure, 1 is a semiconductor integrated circuit device, 2 is a cell requiring clock distribution, 3 is a clock input pin to which an external clock signal is applied, and 4 is a clock signal for an internal cell 2 for an external clock signal. A clock driver for transmitting the clock signal from the clock driver 3 to each part of the semiconductor integrated circuit device 1; a clock pin 6 to which a clock signal for each cell 2 is applied; This is a branch wiring to each clock pin 6.

【0003】従来の半導体集積回路装置は上記のように
構成されており、外部からのクロック信号は半導体集積
回路装置1のクロック入力ピン3に印加され、クロック
ドライバ3で増幅されて、クロック幹線5及び枝配線7
を介してクロック分配を必要とする各セル2のクロック
ピン6に印加される。
A conventional semiconductor integrated circuit device is configured as described above. A clock signal from the outside is applied to a clock input pin 3 of the semiconductor integrated circuit device 1 and is amplified by a clock driver 3 to form a clock main line 5. And branch wiring 7
Is applied to the clock pin 6 of each cell 2 requiring clock distribution.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のような半導体集
積回路装置では、従来一般に行なわれているように、ク
ロック幹線5が各セル2のクロックピン6及び他の信号
用配線と同じ配線層に形成されると、クロック幹線5が
信号配線の妨げになり配線効率が低下し、また、クロッ
ク幹線5から枝配線7を介して各クロックピン6に接続
する必要があり、この枝配線7のアルミ配線長によっ
て、スキュー値が大きくなる等の問題点があった。
In the semiconductor integrated circuit device as described above, the clock trunk line 5 is formed on the same wiring layer as the clock pin 6 of each cell 2 and other signal wirings, as is generally done in the prior art. When formed, the clock main line 5 hinders signal wiring and wiring efficiency is reduced, and it is necessary to connect the clock main line 5 to each clock pin 6 via the branch wiring 7. There is a problem that the skew value increases depending on the wiring length.

【0005】これをを防止するために、例えば特開平7
−273203号公報や特開平5−267625号公報
に示すように、クロック幹線を信号配線層とは別の層
の、半導体回路層に近接した層に配線することも提案さ
れたが、このようにしても、クロック幹線5を各セル2
の直上に配線することができず、どうしても枝配線7を
設ける必要があり、それだけスキュー値が大きくなると
いう問題点があった。
In order to prevent this, for example, Japanese Patent Application Laid-Open
As disclosed in -273203 and JP-A-5-267625, it has been proposed to wire a clock main line to a layer different from the signal wiring layer and close to the semiconductor circuit layer. However, the clock trunk 5 is connected to each cell 2
In this case, it is necessary to provide the branch wiring 7 and the skew value increases accordingly.

【0006】この発明は上述のような問題点を解消する
ためになされたもので、他の信号配線の妨げになること
なく配線効率を向上させることができるとともに、枝配
線を設ける必要がなくスキュー値を低下させるようクロ
ック幹線を配線した半導体集積回路装置を得ることを目
的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems. It is possible to improve the wiring efficiency without hindering other signal wirings, and it is not necessary to provide branch wirings, and the skew is reduced. It is an object of the present invention to obtain a semiconductor integrated circuit device in which clock trunk lines are wired so as to lower the value.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路装置は、クロック分配を必要とするセルを有する
半導体集積回路装置において、一般の信号配線層とは電
気的に絶縁された専用の配線層におけるクロック幹線
を、上記クロック分配を必要とするセルのクロック信号
印加用のクロックピン上に配線し、これらクロックピン
とクロック幹線とをスルーホールを介して電気的に接続
したものである。
SUMMARY OF THE INVENTION A semiconductor integrated circuit device according to the present invention is a semiconductor integrated circuit device having cells that require clock distribution, wherein a dedicated wiring electrically insulated from a general signal wiring layer is provided. A clock trunk in a layer is wired on a clock pin for applying a clock signal of a cell requiring the clock distribution, and these clock pins and the clock trunk are electrically connected via through holes.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

実施の形態1.図1〜図3はこの発明の一実施の形態を
示し、図1は概略平面図、図2は図1A部の部分拡大平
面図、図3は図2のB−B線から見た部分拡大断面図で
ある。図において、1は半導体集積回路装置、2はクロ
ック分配を必要とするセル、3はクロック入力ピン、4
はクロックドライバ、5はクロック幹線、6はクロック
ピンで以上は図4の従来例とほぼ同様のものである。
Embodiment 1 FIG. 1 to 3 show an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a schematic plan view, FIG. 2 is a partially enlarged plan view of a portion A of FIG. 1A, and FIG. 3 is a partially enlarged view taken along line BB of FIG. It is sectional drawing. In the figure, 1 is a semiconductor integrated circuit device, 2 is a cell requiring clock distribution, 3 is a clock input pin, 4
Is a clock driver, 5 is a clock main line, and 6 is a clock pin. The above is almost the same as the conventional example of FIG.

【0009】8は半導体集積回路装置1中の半導体集積
回路が形成される半導体回路層、9は各セル2のゲート
電極、10は半導体回路層8上に形成された絶縁層、1
1はこの絶縁層10に設けられた孔に導電体を充填して
形成されたゲート接続用スルーホール、12はこのゲー
ト接続用スルーホール11に電気的に接続されるよう配
設されたクロックピン6が配線される信号配線層で、他
の信号線(図示されていない)をも配線されている。1
3はこの信号配線層12上に形成された絶縁層、14は
この絶縁層13に設けられた孔に導電体を充填して形成
され、クロックピン6に接続するよう配設されたクロッ
クピン接続用スルーホール、15はこのクロックピン接
続用スルーホール14にクロック幹線5を電気的に接続
するよう配線した専用のクロック配線層である。
Reference numeral 8 denotes a semiconductor circuit layer on which a semiconductor integrated circuit in the semiconductor integrated circuit device 1 is formed, 9 denotes a gate electrode of each cell 2, 10 denotes an insulating layer formed on the semiconductor circuit layer 8, 1
Reference numeral 1 denotes a through hole for gate connection formed by filling a hole provided in the insulating layer 10 with a conductor, and reference numeral 12 denotes a clock pin arranged to be electrically connected to the through hole 11 for gate connection. Reference numeral 6 denotes a signal wiring layer on which other signal lines (not shown) are also wired. 1
Reference numeral 3 denotes an insulating layer formed on the signal wiring layer 12, and reference numeral 14 denotes a clock pin connection formed by filling a hole provided in the insulating layer 13 with a conductor and arranged to be connected to the clock pin 6. Reference numeral 15 denotes a dedicated clock wiring layer wired so as to electrically connect the clock trunk line 5 to the clock pin connection through hole.

【0010】この実施の形態の半導体集積回路装置1は
以上のように構成され、外部からのクロック信号は半導
体集積回路装置1のクロック入力ピン3に印加され、ク
ロックドライバ3で増幅されて、専用のクロック配線層
15に配線されたクロック幹線5の各セル2の直上の絶
縁層13に設けられたスルーホール14を介して、信号
配線層12に配線されたクロックピン6に印加され、ゲ
ート接続用スルーホール11からクロック分配を必要と
するセル2のゲート電極9に入力される。
The semiconductor integrated circuit device 1 of this embodiment is configured as described above. An external clock signal is applied to the clock input pin 3 of the semiconductor integrated circuit device 1, amplified by the clock driver 3, and used for exclusive use. Is applied to the clock pin 6 wired to the signal wiring layer 12 through a through hole 14 provided in the insulating layer 13 immediately above each cell 2 of the clock trunk line 5 wired to the clock wiring layer 15 for gate connection. Is input from the through hole 11 to the gate electrode 9 of the cell 2 requiring clock distribution.

【0011】このように、クロック幹線5が専用のクロ
ック配線層15に配線されているので、クロック幹線5
が他の信号線の妨げとなり配線効率が悪くなることはな
く、また、各セル2の直上に配線することが可能とな
る。そのため、直接スルーホール14を介してクロック
ピン6に接続可能となり、クロック幹線5から各クロッ
クピン6への枝配線を必要とせず、枝配線によるクロッ
クスキュー値の増大を防止ことができる。
As described above, since the clock main line 5 is wired on the dedicated clock wiring layer 15, the clock main line 5
Does not hinder other signal lines, and wiring efficiency does not deteriorate. In addition, wiring can be performed immediately above each cell 2. Therefore, the clock pins 6 can be directly connected to the clock pins 6 through the through holes 14, and a branch line from the clock main line 5 to each clock pin 6 is not required, and an increase in clock skew value due to the branch lines can be prevented.

【0012】なお、上記のように構成された半導体集積
回路装置において、クロック幹線5を駆動するクロック
ドライバ3として、PLL(Phase-Locked Loop)を用
いることにより、スキュー値をさらに抑えることがで
き、また、電源/GND幹線を上記信号配線層12、ク
ロック配線層15とは別の専用配線層に配線することに
より、さらに配線効率の向上を図ることができる。
In the semiconductor integrated circuit device configured as described above, by using a PLL (Phase-Locked Loop) as the clock driver 3 for driving the clock main line 5, the skew value can be further suppressed. In addition, the wiring efficiency can be further improved by wiring the power / GND main line to a dedicated wiring layer different from the signal wiring layer 12 and the clock wiring layer 15.

【0013】[0013]

【発明の効果】この発明は以上説明したように、クロッ
ク分配を必要とするセルを有する半導体集積回路装置に
おいて、一般の信号配線層とは電気的に絶縁された専用
の配線層におけるクロック幹線を、上記クロック分配を
必要とするセルのクロック信号印加用のクロックピン上
に配線し、これらクロックピンとクロック幹線とをスル
ーホールを介して電気的に接続したので、配線効率を向
上させることができるとともに、枝配線によるスキュー
値の増大を考慮することのない半導体集積回路装置が得
られる効果がある。
As described above, according to the present invention, in a semiconductor integrated circuit device having a cell requiring clock distribution, a clock trunk line in a dedicated wiring layer electrically insulated from a general signal wiring layer is provided. In addition, wiring is performed on clock pins for applying a clock signal of a cell requiring the clock distribution, and these clock pins and the clock main line are electrically connected through through holes, so that wiring efficiency can be improved. In addition, there is an effect that a semiconductor integrated circuit device which does not consider the increase in the skew value due to the branch wiring can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の一実施の形態を示す概略平面図。FIG. 1 is a schematic plan view showing an embodiment of the present invention.

【図2】 図1A部の部分拡大平面図。FIG. 2 is a partially enlarged plan view of a part A in FIG. 1;

【図3】 図2のB−B線から見た部分拡大断面図。FIG. 3 is a partially enlarged sectional view taken along line BB of FIG. 2;

【図4】 従来の半導体集積回路装置を示す概略平面
図。
FIG. 4 is a schematic plan view showing a conventional semiconductor integrated circuit device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1は半導体集積回路装置、2 セル、3 クロック入力
ピン、4 クロックドライバ、5 クロック幹線、6
クロックピン、12 信号配線層、13 絶縁層、14
スルーホール、15 クロック配線層。
1 is a semiconductor integrated circuit device, 2 cells, 3 clock input pins, 4 clock drivers, 5 clock trunk lines, 6
Clock pin, 12 signal wiring layer, 13 insulating layer, 14
Through hole, 15 clock wiring layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 クロック分配を必要とするセルを有する
半導体集積回路装置において、一般の信号配線層とは電
気的に絶縁された専用の配線層におけるクロック幹線
を、上記クロック分配を必要とするセルのクロック信号
印加用のクロックピン上に配線し、これらクロックピン
とクロック幹線とをスルーホールを介して電気的に接続
したことを特徴とする半導体集積回路装置。
In a semiconductor integrated circuit device having a cell requiring clock distribution, a clock trunk in a dedicated wiring layer electrically insulated from a general signal wiring layer is replaced with a cell requiring clock distribution. A semiconductor integrated circuit device, which is wired on clock pins for applying a clock signal, and the clock pins and the clock main line are electrically connected through through holes.
JP21072796A 1996-08-09 1996-08-09 Semiconductor integrated circuit device Pending JPH1056068A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21072796A JPH1056068A (en) 1996-08-09 1996-08-09 Semiconductor integrated circuit device

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JP21072796A JPH1056068A (en) 1996-08-09 1996-08-09 Semiconductor integrated circuit device

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JPH1056068A true JPH1056068A (en) 1998-02-24

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ID=16594115

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JP21072796A Pending JPH1056068A (en) 1996-08-09 1996-08-09 Semiconductor integrated circuit device

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7026667B2 (en) 2001-09-28 2006-04-11 Renesas Technology Corp. Semiconductor integrated circuit device having clock signal transmission line and wiring method thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7026667B2 (en) 2001-09-28 2006-04-11 Renesas Technology Corp. Semiconductor integrated circuit device having clock signal transmission line and wiring method thereof
US7394115B2 (en) 2001-09-28 2008-07-01 Renesas Technology Corp. Semiconductor integrated circuit device having clock signal transmission line and wiring method thereof

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