JPH1053655A - Biaxially polyprolylene film and film capacitor made thereof - Google Patents

Biaxially polyprolylene film and film capacitor made thereof

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JPH1053655A
JPH1053655A JP21128796A JP21128796A JPH1053655A JP H1053655 A JPH1053655 A JP H1053655A JP 21128796 A JP21128796 A JP 21128796A JP 21128796 A JP21128796 A JP 21128796A JP H1053655 A JPH1053655 A JP H1053655A
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JP
Japan
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film
biaxially oriented
oriented polypropylene
polypropylene
polypropylene film
Prior art date
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Application number
JP21128796A
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Japanese (ja)
Inventor
Takumi Hirano
巧 平野
Shigeru Tanaka
茂 田中
Itsuo Nagai
逸夫 永井
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH1053655A publication Critical patent/JPH1053655A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a film excellent in voltage endurance, heat resistance and yield obtained when a metal layer is provided on a film and having excellent resistance to dielectric breakdown from a room temperature to a high temperature region of 105 deg.C and suitable for capacitors. SOLUTION: This biaxially polypropylene film has <=99% isotactic index and has the following characteristics (1), (2) and (3). (1): P1>99%, (2): P2 <=0.1% and (3): P3<=0.8% in which P1 represents a ratio of absorption peak derived from mmmmm among a pentad fraction obtained from<13> C-NMR of polypropylene and P2 represents a ratio of absorption peak derived from mmrr + mmrm + rmrr + rmrm and P3 represents a ratio of absorption peak derived from rrrr + mrrr + mrrm [(m) represents meso configuration of adjacent two recurring units in polypropylene molecular chain and (r) represent racemo configuration thereof].

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、耐熱性、耐電圧性
に優れた二軸配向ポリプロピレンフィルムおよびそれを
誘電体として用いる耐熱性、耐電圧性に優れたフィルム
コンデンサーに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a biaxially oriented polypropylene film excellent in heat resistance and voltage resistance and a film capacitor using the same as a dielectric material and having excellent heat resistance and voltage resistance.

【0002】[0002]

【従来の技術】二軸配向ポリプロピレンフィルムは工業
材料、包装材料用フィルムとして広く用いられている
が、その優れた電気特性(高耐電圧、低誘電損失)を活
かしてコンデンサー用途にも使用されている。一般的
に、コンデンサー用ポリプロピレンフィルムは、フィル
ム表面をコロナ放電またはプラズマ処理して、フィルム
表面の接着性を改善した後、アルミニウム、亜鉛等から
なる金属層を設けて使用されている。
2. Description of the Related Art Biaxially oriented polypropylene films are widely used as films for industrial materials and packaging materials, but are also used for capacitors due to their excellent electrical properties (high withstand voltage, low dielectric loss). I have. Generally, a polypropylene film for a capacitor is used by providing a metal layer made of aluminum, zinc or the like after improving the adhesiveness of the film surface by corona discharge or plasma treatment on the film surface.

【0003】ところで、ポリプロピレンフィルムは、フ
ィルムコンデンサーの代表的な素材の一つであるが、耐
熱性が低く、最高使用温度が85℃程度に制限されてい
る。また、近頃の電子部品の軽薄短小化に伴い、年々薄
膜化してきており、最近では5μm以下の厚さのフィル
ムが要求されてきている。このように薄いポリプロピレ
ンフィルムは、金属層形成時に高温となり、熱伸びある
いは収縮を起こし、シワが発生するという問題がある。
フィルムにシワが入った場合、その部分に水分の混じっ
た空気が保持されるなどして、使用時の劣化の原因とな
りうる。また、コンデンサー素子作成時、一定温度下で
熱処理されるのが一般的である。この際に適度な熱収縮
により巻締まりを発生させ、形態保持やフィルム層間の
空気の追い出しを行うが、熱収縮が大きすぎると素子の
変形によるコンデンサーの容量の低下が生じる場合があ
る。さらに、4μm以下の厚みレベルになると、フィル
ムの結晶性、異物の影響等から、フィルムの絶縁破壊電
圧が低下して、実用に耐えられなくなる場合がある。
[0003] By the way, the polypropylene film is one of the typical materials of a film capacitor, but has low heat resistance and its maximum operating temperature is limited to about 85 ° C. Further, as electronic components have become lighter, thinner and smaller recently, the thickness has been reduced year by year, and recently, a film having a thickness of 5 μm or less has been required. Such a thin polypropylene film has a problem in that the temperature becomes high during the formation of the metal layer, which causes thermal expansion or shrinkage, thereby causing wrinkles.
When the film has wrinkles, it may cause deterioration during use, for example, by retaining air mixed with moisture in that portion. In addition, when a capacitor element is prepared, it is generally heat-treated at a constant temperature. At this time, winding is caused by moderate heat shrinkage to maintain the shape and expel air between film layers. However, if the heat shrinkage is too large, the capacity of the capacitor may be reduced due to deformation of the element. Further, when the thickness level is 4 μm or less, the dielectric breakdown voltage of the film may be reduced due to the crystallinity of the film, the influence of foreign substances, and the like, and the film may not be practically usable.

【0004】このような課題に対し、特開平6−236
709号公報には灰分が低く、沸騰n−ヘプタン可溶分
が1〜10重量%であることから加工性に優れ、室温か
ら80℃までの電気絶縁性に優れた高分子絶縁材料が開
示されており、沸騰n−ヘプタン不溶分のアイソタクチ
ックペンタッド分率が90%以上のものが好ましいとの
示唆がある。
To solve such a problem, Japanese Patent Laid-Open No. 6-236
Japanese Patent Application Publication No. 709 discloses a polymer insulating material having low ash content, having a boiling n-heptane soluble content of 1 to 10% by weight, and having excellent workability, and having excellent electrical insulation from room temperature to 80 ° C. It is suggested that those having an isotactic pentad fraction of 90% or more of the boiling n-heptane-insoluble component are preferable.

【0005】また、特開平7−25946号公報には同
じく沸騰n−ヘプタン不溶分が80重量%以上、特に好
ましくは96重量%以上であり、該沸騰n−ヘプタン不
溶分のアイソタクチックペンタッド分率が0.970〜
0.995の範囲にあるプロピレン重合体およびこれを
用いた成形体の開示がある。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-25946 discloses that the boiling n-heptane-insoluble content is 80% by weight or more, particularly preferably 96% by weight or more, and the boiling n-heptane-insoluble content is an isotactic pentad. Fraction is 0.970 ~
There is a disclosure of a propylene polymer in the range of 0.995 and a molded article using the same.

【0006】しかし、これらに開示されたように、単に
沸騰n−ヘプタン不溶分のアイソタクチックペンタッド
分率の高い二軸配向ポリプロピレンフィルムでは、本発
明の目指す85℃を超える高温での耐絶縁破壊特性とこ
のフィルムを誘電体として用いたコンデンサー素子の長
期耐熱性が不十分であった。すなわち、上記の従来の技
術による立体規則性の高い二軸配向ポリプロピレンフィ
ルムは、沸騰n−ヘプタン不溶分のアイソタクチックペ
ンタッド分率がそこそこ高いものの、n−ヘプタン可溶
分のアイソタクチックペンタッド分率が低いため、フィ
ルムとしてのアイソタクチックペンタッド分率が結果と
して低く、立体規則性が不十分であった。またアイソタ
クシチティが極めて高い、いわゆる高結晶性の二軸配向
ポリプロピレンフィルムは、立体規則性が不十分である
がゆえに、製膜性が極めて悪く、耐熱性と耐絶縁破壊特
性に優れた二軸配向ポリプロピレンフィルムを製造する
ための工業的に有用な技術として確立されるには至って
いなかった。
However, as disclosed in these publications, a biaxially oriented polypropylene film having a high isotactic pentad fraction of a boiling n-heptane-insoluble component simply has a high insulation resistance at a high temperature exceeding 85 ° C., which is the object of the present invention. The breaking characteristics and the long-term heat resistance of the capacitor element using this film as a dielectric were insufficient. That is, the biaxially oriented polypropylene film having a high stereoregularity according to the conventional technique described above has a high isotactic pentad fraction of boiling n-heptane-insoluble component, but has an isotactic pen-soluble component of n-heptane-soluble component. Since the tod fraction was low, the isotactic pentad fraction as a film was low as a result, and the stereoregularity was insufficient. In addition, a biaxially oriented polypropylene film having a very high isotacticity, that is, a so-called highly crystalline biaxially oriented polypropylene film, has insufficient steric regularity, and thus has extremely poor film-forming properties, and has excellent heat resistance and dielectric breakdown resistance. It has not been established as an industrially useful technique for producing an oriented polypropylene film.

【0007】この欠点を解消するための技術として、特
公平4−28727号公報には、アイソタクチックペン
タッド分率が0.960〜0.990の範囲にあり、か
つ沸騰n−ヘキサンおよび沸騰n−ヘプタンで逐次抽出
した被抽出物の全量が3.0〜6.0%とすることで成
形性に優れた結晶性ポリプロピレンフィルムの開示があ
る。しかし、アイソタクチックペンタッド分率が十分で
なく、高温での耐絶縁破壊特性が不十分であった。
As a technique for overcoming this drawback, Japanese Patent Publication No. 4-28727 discloses an isotactic pentad fraction in the range of 0.960 to 0.990, a boiling n-hexane and a boiling n-hexane. There is a disclosure of a crystalline polypropylene film having excellent moldability by setting the total amount of the extract to be extracted sequentially with n-heptane to 3.0 to 6.0%. However, the isotactic pentad fraction was not sufficient, and the dielectric breakdown resistance at high temperatures was insufficient.

【0008】さらに特開平5−217799号公報に
は、特定の熱変形温度とヤング率を有し、結晶化度が高
く、立体規則性の良い高剛性ポリプロピレンフィルムに
金属を蒸着した高剛性蒸着金属化フィルムを用いた蒸着
フィルムコンデンサーの開示がある。しかし立体規則性
は高々90%程度であり、高温での絶縁破壊特性が不十
分であった。
Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-217799 discloses a high-rigidity vapor-deposited metal obtained by vapor-depositing a metal on a high-rigidity polypropylene film having a specific heat deformation temperature and Young's modulus, a high degree of crystallinity and a good stereoregularity. There is a disclosure of a vapor-deposited film capacitor using a functionalized film. However, the stereoregularity was at most about 90%, and the dielectric breakdown characteristics at high temperatures were insufficient.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、通常の
高剛性、または高いアイソタクチックインデックスのポ
リプロピレンフィルムは、耐電圧性が十分でなく、特に
4μm以下の膜厚での絶縁破壊電圧不良となる場合があ
る。一方、単に低灰分のポリプロピレンフィルムでは、
熱収縮率が大きく、コンデンサー素子へ加工するときに
上述のごとき不具合が生じたり、高温での使用に耐えら
れない場合がある。
However, ordinary high rigidity or high isotactic index polypropylene films do not have sufficient withstand voltage, especially when dielectric breakdown voltage failure occurs at a film thickness of 4 μm or less. There is. On the other hand, simply with a low ash polypropylene film,
The heat shrinkage rate is large, and the above-mentioned problems may occur when processing into a capacitor element, or it may not be able to withstand use at high temperatures.

【0010】本発明は上記従来の欠点を解消すべくなさ
れたものであり、耐電圧性および耐熱性に優れた二軸配
向ポリプロピレンフィルムおよびそれを誘電体として用
いるコンデンサーを提供することを目的とするものであ
る。
The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional disadvantages, and has as its object to provide a biaxially oriented polypropylene film having excellent withstand voltage and heat resistance and a capacitor using the same as a dielectric. Things.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に鋭意検討した結果、ポリプロピレンの立体規則性がフ
ィルムの耐熱性に大きく影響することを見出し本発明に
至った。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that the stereoregularity of polypropylene greatly affects the heat resistance of the film, and reached the present invention.

【0012】すなわち、前記した本発明の目的は、アイ
ソタクチックインデックスが99%以下であり、下式
(1)、(2)および(3)の特性を有することを特徴
とする二軸配向ポリプロピレンフィルムおよびそれを誘
電体として用いたフィルムコンデンサーにより達成でき
る。
That is, an object of the present invention is to provide a biaxially oriented polypropylene having an isotactic index of 99% or less and having the following formulas (1), (2) and (3). This can be achieved by a film and a film capacitor using the film as a dielectric.

【0013】P1>99% (1) P2≦0.1% (2) P3≦0.8% (3) (ただし、P1はポリプロピレンの13C−NMRから求
めたペンタッド分率のうちmmmmに由来する吸収ピー
クの割合を示し、またP2は同じくmmrr+mmrm
+rmrr+rmrmによるものを示し、P3は同じく
rrrr+mrrr+mrrmによるものを示す。な
お、mはポリプロピレン分子鎖中の隣接する2繰り返し
単位の立体配座がメソ、rはラセモを示す。)
P1> 99% (1) P2 ≦ 0.1% (2) P3 ≦ 0.8% (3) (where P1 is derived from mmmm of the pentad fraction obtained from 13 C-NMR of polypropylene) Shows the ratio of the absorption peak, and P2 is also the same mmrr + mmrm.
+ Rmrr + rmrm is shown, and P3 is also the same due to rrrr + mrrr + mrrm. In addition, m represents the conformation of two adjacent repeating units in the polypropylene molecular chain, and r represents racemo. )

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明における二軸配向ポリプロ
ピレンフィルムは、主としてポリプロピレンからなる二
軸延伸フィルムであり、基本的に他の共重合成分を含ん
でいない。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The biaxially oriented polypropylene film in the present invention is a biaxially stretched film mainly composed of polypropylene, and basically does not contain other copolymerized components.

【0015】本発明の二軸配向ポリプロピレンフィルム
のアイソタクチックインデックス(II)は、製膜性の
点で99%以下である必要がある。99%を超えると、
二軸延伸フィルムを製造する際、延伸性が悪く、製膜が
著しく困難となる。より好ましくは97〜99%の範囲
のものが用いられ、97%未満のものでは耐熱性、耐電
圧性に劣る場合がある。
The isotactic index (II) of the biaxially oriented polypropylene film of the present invention needs to be 99% or less from the viewpoint of film forming properties. If it exceeds 99%,
When producing a biaxially stretched film, the stretchability is poor and the film formation becomes extremely difficult. More preferably, those having a range of 97 to 99% are used, and if less than 97%, heat resistance and withstand voltage may be poor.

【0016】本発明において、ポリプロピレンフィルム
の立体規則性は、13C−NMRにより測定したメチル基
の吸収ピークによるペンタッド分率により評価すること
ができる。一般的に、ポリプロピレン分子鎖における5
個の繰り返し単位の立体配座(ペンタッド)は、mmm
m、mmmr、rmmr、……、rrrr、mrrr、
mrrmといったものがある。ここで、mはメソ(me
so)、rはラセモ(rasemo)の立体配座を示
す。ペンタッド分率は、T.Hayashiらの報告
[Polymer、29、138〜143(198
8)]等にあるように、上記各立体配座を有するセグメ
ントの比率を13C−NMRから求めたものである。
In the present invention, the stereoregularity of the polypropylene film can be evaluated by a pentad fraction based on an absorption peak of a methyl group measured by 13 C-NMR. Generally, 5 in the polypropylene molecular chain
The conformation (pentad) of the repeating units is mmm
m, mmmr, rmmr, ..., rrrr, mrrr,
mrrm. Here, m is a meso (me
so) and r show the conformation of racemo. The pentad fraction is determined by Report of Hayashi et al. [Polymer, 29, 138-143 (198)
8)] and the like, the ratio of the segment having each of the above conformations was determined from 13 C-NMR.

【0017】本発明のポリプロピレンフィルムは、立体
規則性で言うとアイソタクチシチ(isotactic
ity)を高くする必要がある。すなわちメソペンタッ
ド分率mmmmであるP1が99%を超えることが必要
である。さらにその他の立体配座の割合もフィルムの物
性に大きく影響する。注目するメチル基の前後の立体配
座がmとrであるmmrr、mmrm、rmrr、rm
rm(2、3番目の配座がmr)の割合の合計P2が
0.1%以下であることが必要である。さらに、2、3
番目の配座がrrであるrrrr、mrrr、mrrm
の割合の合計P3が0.8%以下である必要がある。こ
のようなポリプロピレンフィルムは、より長いアイソタ
クチックセグメントを持つ分子から構成されており、高
結晶性、高耐電圧性、高耐熱性のフィルムとすることが
できる。本発明のポリプロピレンフィルムのポリプロピ
レンの立体規則性において、P1として、さらに好まし
くは99.1%以上である。また、P2として、さらに
好ましくは0.05%以下である。P3として、さらに
好ましくは0.5%以下である。P1が99以下、ある
いはP2が0.1%を超える、あるいはP3が0.8%
を超えると、該ポリプロピレンフィルムの耐熱性、耐電
圧性が低下する。
The polypropylene film of the present invention is characterized by its stereoregularity, ie, isotacticity.
needs to be higher. That is, it is necessary that P1 which is the meso pentad fraction mmmm exceeds 99%. Furthermore, the ratio of other conformations greatly affects the physical properties of the film. Mmrr, mmrm, rmrr, rm where the conformation before and after the methyl group of interest is m and r
It is necessary that the total P2 of the ratio of rm (the second and third conformations are mr) is 0.1% or less. In addition, two, three
Rrrr, mrrr, mrrm where the th conformation is rr
Is required to be 0.8% or less. Such a polypropylene film is composed of molecules having longer isotactic segments, and can be a film having high crystallinity, high withstand voltage, and high heat resistance. In the stereoregularity of polypropylene of the polypropylene film of the present invention, P1 is more preferably 99.1% or more. Further, P2 is more preferably 0.05% or less. P3 is more preferably 0.5% or less. P1 is 99 or less, or P2 exceeds 0.1%, or P3 is 0.8%
If it exceeds 2,000, the heat resistance and the withstand voltage of the polypropylene film will be reduced.

【0018】本発明において、上記P2のうちmmrr
が0.08%未満であること、rmrmが0.01%未
満であることが耐熱性、耐電圧性のためにより好まし
い。
In the present invention, of the above P2, mmrr
Is less than 0.08%, and the rmrm is less than 0.01%, more preferably for heat resistance and voltage resistance.

【0019】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムに使用されるポリプロピレンの極限粘度は、特
に限定される事はないが、製膜性の点から1〜10dl
/gの範囲のものが用いられる。
In the present invention, the intrinsic viscosity of polypropylene used for the biaxially oriented polypropylene film is not particularly limited, but is preferably 1 to 10 dl from the viewpoint of film forming property.
/ G range is used.

【0020】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムの灰分が30ppm以下であることが好まし
く、より好ましくは25ppm以下であり、さらに好ま
しくは20ppm以下である。灰分が30ppmを超え
ると、該フィルムの耐電圧性が低下し、コンデンサー用
二軸配向ポリプロピレンフィルムとして実用に耐えられ
なくなる場合がある。
In the present invention, the ash content of the biaxially oriented polypropylene film is preferably at most 30 ppm, more preferably at most 25 ppm, even more preferably at most 20 ppm. If the ash content exceeds 30 ppm, the withstand voltage of the film may be reduced, and the film may not be practically usable as a biaxially oriented polypropylene film for capacitors.

【0021】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムは、灰分中の鉄分が2ppm以下であることが
好ましく、より好ましくは1.5ppm以下であり、さ
らに好ましくは1ppm以下である。灰分が2ppmを
超えると、該フィルムの耐電圧性が著しく低下し、コン
デンサー用二軸配向ポリプロピレンフィルムとして実用
に耐えられなくなる場合がある。
In the present invention, the biaxially oriented polypropylene film preferably has an iron content in the ash content of 2 ppm or less, more preferably 1.5 ppm or less, and even more preferably 1 ppm or less. When the ash content exceeds 2 ppm, the withstand voltage of the film is remarkably reduced, and the film may not be practically usable as a biaxially oriented polypropylene film for capacitors.

【0022】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムの密度より求めた結晶化度は、70%以上であ
ることが好ましく、より好ましくは72%以上であり、
さらに好ましくは74%以上である。結晶化度が70%
未満であると、該二軸配向ポリプロピレンフィルムの耐
電圧性、耐熱性、さらには蒸着加工性が低下する場合が
ある。
In the present invention, the degree of crystallinity determined from the density of the biaxially oriented polypropylene film is preferably at least 70%, more preferably at least 72%,
More preferably, it is at least 74%. 70% crystallinity
If it is less than 1, the withstand voltage, heat resistance, and furthermore, the evaporation processability of the biaxially oriented polypropylene film may be reduced.

【0023】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムの厚みは、特に限定される事はないが、製膜性
や機械特性の点から0.5〜40μmの範囲であること
が好ましい。
In the present invention, the thickness of the biaxially oriented polypropylene film is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.5 to 40 μm from the viewpoint of film forming properties and mechanical properties.

【0024】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムの耐電圧性は、直流での絶縁破壊電圧で評価で
きる。一般に二軸配向ポリプロピレンフィルムの絶縁破
壊電圧は、膜厚が小さくなると単位厚み当たりの絶縁破
壊電圧(V/μm)が小さくなる。本発明の二軸配向ポ
リプロピレンフィルムの絶縁破壊電圧は、膜厚をd(μ
m)として700−200/d1/2 (V/μm)以上で
あることが好ましい。この値未満の場合、絶縁破壊が容
易に発生しコンデンサー用途として実用に適さない場合
がある。
In the present invention, the withstand voltage of the biaxially oriented polypropylene film can be evaluated by a dielectric breakdown voltage at direct current. In general, as for the dielectric breakdown voltage of a biaxially oriented polypropylene film, as the film thickness decreases, the dielectric breakdown voltage per unit thickness (V / μm) decreases. The dielectric breakdown voltage of the biaxially oriented polypropylene film of the present invention is expressed as follows:
m) is preferably 700-200 / d 1/2 (V / μm) or more. If the value is less than this value, dielectric breakdown easily occurs, which may not be suitable for practical use as a capacitor.

【0025】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムの耐熱性は、120℃、15分加熱時の熱収縮
率で評価することができる。本発明の二軸配向ポリプロ
ピレンフィルムは、120℃、15分加熱時の長手方向
の熱収縮率が1〜3%の範囲であることが好ましい。熱
収縮率が3%を超えると、金属層形成時に寸法変化を起
こし、フィルムロールにシワが入ったり、コンデンサー
の容量低下が大きくなる場合がある。熱収縮率が1%未
満の場合は、コンデンサー素子作成時の熱処理による巻
締まりが不十分となり、形態保持性や容量変化率に悪影
響を及ぼす場合がある。さらに好ましくは1.5〜2.
5%の範囲である。
In the present invention, the heat resistance of the biaxially oriented polypropylene film can be evaluated by the heat shrinkage at the time of heating at 120 ° C. for 15 minutes. The biaxially oriented polypropylene film of the present invention preferably has a heat shrinkage in the longitudinal direction when heated at 120 ° C. for 15 minutes in a range of 1 to 3%. If the heat shrinkage exceeds 3%, dimensional changes occur when the metal layer is formed, which may cause wrinkles in the film roll or a large decrease in the capacity of the capacitor. When the heat shrinkage ratio is less than 1%, the tightening by heat treatment at the time of producing the capacitor element becomes insufficient, which may adversely affect the shape retention and the capacity change rate. More preferably, 1.5 to 2.
The range is 5%.

【0026】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムは添加剤、例えば結晶核剤、酸化防止剤、熱安
定剤、すべり剤、帯電防止剤、ブロッキング防止剤、充
填剤、粘度調整剤、着色防止剤などを含有させてもよ
い。
In the present invention, the biaxially oriented polypropylene film may contain additives such as a nucleating agent, an antioxidant, a heat stabilizer, a slipping agent, an antistatic agent, an antiblocking agent, a filler, a viscosity modifier, and a coloring inhibitor. And the like.

【0027】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムは、金属層を形成する面に、接着力を高めるた
めコロナ放電処理あるいはプラズマ処理を行うことが好
ましい。コロナ放電処理は処理をする際に雰囲気ガスと
して空気、炭酸ガス、窒素ガスおよびこれらの混合ガス
中での処理が好ましい。またプラズマ処理は、種々の気
体をプラズマ状態におき、フィルム表面を化学変成させ
る方法、例えば特開昭59−98140号公報に記載さ
れている方法などがある。
In the present invention, the surface of the biaxially oriented polypropylene film on which the metal layer is to be formed is preferably subjected to a corona discharge treatment or a plasma treatment in order to increase the adhesive strength. The corona discharge treatment is preferably carried out in air, carbon dioxide gas, nitrogen gas or a mixed gas thereof as an atmosphere gas during the treatment. The plasma treatment includes a method in which various gases are kept in a plasma state to chemically modify the film surface, for example, a method described in JP-A-59-98140.

【0028】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムに金属層を形成する金属は、アルミニウム、亜
鉛、銅、錫、銀、ニッケル等を単独または併用で使用す
るが、特に限定されることはない。
In the present invention, the metal forming the metal layer on the biaxially oriented polypropylene film may be aluminum, zinc, copper, tin, silver, nickel or the like alone or in combination, but is not particularly limited.

【0029】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムに金属層を形成する方法は、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンビーム法等が挙げられるが、特に
限定されることはない。
In the present invention, a method for forming a metal layer on a biaxially oriented polypropylene film includes a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion beam method, but is not particularly limited.

【0030】本発明において、金属化フィルムの膜抵抗
は2〜40Ω/□が典型的に採用される。膜抵抗値が2
Ω/□よりも小さいと、蒸着膜の厚みが厚く蒸着時に熱
負けが生じアバタ状の表面欠点や4μm前後の薄いフィ
ルムでは穴アキ等が発生する可能性が高い。膜抵抗値が
40Ω/□を超えると課電時に蒸着膜のクリアリングが
生じた時、膜の消失が生じやすく、容量変化が大きくな
る可能性が高い。
In the present invention, the metallized film typically has a film resistance of 2 to 40 Ω / □. Membrane resistance value is 2
If it is smaller than Ω / □, the thickness of the vapor-deposited film is so large that heat loss occurs during vapor-deposition, and there is a high possibility that an avatar-shaped surface defect or a hole in a thin film of about 4 μm or the like will occur. If the film resistance exceeds 40 Ω / □, when the deposited film clears during the application of electricity, the film is likely to disappear and the capacity change is likely to increase.

【0031】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムに金属層を形成する時に設けられるマージン
(電気絶縁目的などにより金属層を形成する面に設けら
れる金属層のない部分)仕様は、通常タイプ以外にヒュ
ーズ機構を設けた種々のものが提案されており、目的に
応じて採用され、特に限定されることはない。
In the present invention, the specifications of the margin provided when the metal layer is formed on the biaxially oriented polypropylene film (the portion without the metal layer provided on the surface on which the metal layer is formed for the purpose of electrical insulation, etc.) Various types provided with a fuse mechanism have been proposed, are adopted according to the purpose, and are not particularly limited.

【0032】本発明の二軸配向ポリプロピレンフィルム
からなるコンデンサーの形式は、乾式や、油浸式等が用
いられるが、特に限定されることはない。
The type of the capacitor made of the biaxially oriented polypropylene film of the present invention may be a dry type, an oil immersion type, or the like, but is not particularly limited.

【0033】本発明の二軸配向ポリプロピレンフィルム
の105℃での絶縁破壊電圧V105と25℃での絶縁破
壊電圧V25の比(V105 /V25)は0.75以上である
ことが好ましい。さらに好ましくは0.8以上である。
この値が小さい場合は、高温での絶縁破壊電圧が小さく
なり、高温での実用に耐えない場合がある。
[0033] The ratio of the breakdown voltage V 25 in the twin screw breakdown voltage V 105 at 105 ° C. and 25 ° C. of oriented polypropylene film of the present invention (V 105 / V 25) is preferably 0.75 or more . More preferably, it is 0.8 or more.
When this value is small, the dielectric breakdown voltage at a high temperature becomes small, and it may not be practically used at a high temperature.

【0034】本発明の二軸配向ポリプロピレンフィルム
を誘電体として用いたフィルムコンデンサーの105℃
での交流絶縁破壊電圧は単位厚み当たり200V/μm
以上であることが好ましい。さらに好ましくは210V
/μm以上である。また、85℃での交流絶縁破壊電圧
は220V/μm以上が好ましい。
105 ° C. of a film capacitor using the biaxially oriented polypropylene film of the present invention as a dielectric
AC breakdown voltage at 200V / μm per unit thickness
It is preferable that it is above. More preferably 210V
/ Μm or more. The AC breakdown voltage at 85 ° C. is preferably 220 V / μm or more.

【0035】さらに本発明の二軸配向ポリプロピレンフ
ィルムを誘電体として用いたフィルムコンデンサーの直
流絶縁破壊電圧は単位厚み当たり300V/μm以上で
あることが好ましく、さらに好ましくは320V/μm
以上である。
Further, the DC breakdown voltage of the film capacitor using the biaxially oriented polypropylene film of the present invention as a dielectric is preferably 300 V / μm or more per unit thickness, more preferably 320 V / μm.
That is all.

【0036】本発明の二軸配向ポリプロピレンフィルム
およびそれからなるコンデンサーの製造方法を以下に説
明するが、必ずしもこれに限定されるものではない。
The method for producing the biaxially oriented polypropylene film of the present invention and the capacitor comprising the same will be described below, but is not necessarily limited thereto.

【0037】ポリプロピレンからなる原料を押出機に供
給し、加熱溶融し、濾過フィルターを通した後、220
〜320℃の温度でスリット状口金から溶融押出し、4
0〜100℃の温度に保たれたキャスティングドラムに
巻き付けて冷却固化せしめ、未延伸フィルムを作る。な
お、キャスティングドラム温度が40℃未満ではフィル
ムの結晶化度が小さくなる場合がある。
A raw material composed of polypropylene was supplied to an extruder, heated and melted, and passed through a filter.
Melt extrusion from slit die at a temperature of ~ 320 ° C, 4
The film is wound around a casting drum maintained at a temperature of 0 to 100 ° C. and solidified by cooling to produce an unstretched film. If the temperature of the casting drum is lower than 40 ° C., the crystallinity of the film may decrease.

【0038】次にこの未延伸フィルムを二軸延伸し、二
軸配向せしめる。延伸方法としては逐次二軸延伸方法、
または同時二軸延伸方法を用いることができる。逐次延
伸方法としては、まず未延伸フィルムを120〜150
℃に保たれたロールに通して予熱し、引き続き該シート
を100℃〜150℃の温度に保ち周速差を設けたロー
ル間に通し、長手方向に2〜6倍に延伸し、ただちに室
温に冷却する。ここで、本発明のP1が98、5%以上
の原料は、予熱温度130℃以下、延伸温度135℃以
下では熱量が不足して延伸ムラを起こしたり破けて製膜
できない場合がある。引き続き該延伸フィルムをテンタ
ーに導いて、150〜170℃の温度で幅方向に5〜1
0倍に延伸し、次いで幅方向に2〜20%の弛緩を与え
つつ、160〜170℃の温度で熱固定して巻取る。そ
の後、蒸着を施す面に蒸着金属の接着性を良くするため
に、空気中、窒素中、炭酸ガス中あるいはこれらの混合
気体中でコロナ放電処理を行いワインダーで巻取る。
Next, the unstretched film is biaxially stretched and biaxially oriented. As a stretching method, a sequential biaxial stretching method,
Alternatively, a simultaneous biaxial stretching method can be used. As the sequential stretching method, first, the unstretched film is subjected to 120 to 150
The sheet is preheated by passing through a roll maintained at 100 ° C., and then is passed through a roll provided with a peripheral speed difference while maintaining the temperature at 100 ° C. to 150 ° C., stretched 2 to 6 times in the longitudinal direction, and immediately brought to room temperature. Cooling. Here, the raw material having a P1 of 98 and 5% or more of the present invention may have a preheat temperature of 130 ° C. or less and a stretching temperature of 135 ° C. or less, and may have insufficient heat quantity to cause stretching unevenness or tear, making it impossible to form a film. Subsequently, the stretched film is guided to a tenter, and is heated at a temperature of 150 to 170 ° C. in a width direction of 5 to 1 °.
The film is stretched to 0 times and then heat-set at a temperature of 160 to 170 ° C. while giving a relaxation of 2 to 20% in the width direction, and wound. Thereafter, in order to improve the adhesiveness of the metal to be vapor-deposited on the surface to be vapor-deposited, a corona discharge treatment is performed in air, nitrogen, carbon dioxide, or a mixed gas thereof, and the film is wound by a winder.

【0039】得られたフィルムを真空蒸着装置にセット
し、目的に応じた金属を、所定の膜抵抗に蒸着する。こ
の蒸着フィルムをスリットし、コンデンサー素子を作る
ための2リール一対の蒸着リールとする。この後、素子
状に巻回し、熱プレスして扁平状に成形し、端部の金属
溶射、リード取り出し、外装を経てコンデンサーとす
る。
The obtained film is set in a vacuum vapor deposition device, and a metal suitable for the purpose is vapor deposited to a predetermined film resistance. This vapor deposition film is slit to form a pair of vapor deposition reels on two reels for producing a capacitor element. Then, it is wound into an element shape, hot-pressed and formed into a flat shape, metal sprayed at the end, a lead is taken out, and a capacitor is formed through a sheath.

【0040】[0040]

【特性の測定方法並びに効果の評価方法】本発明の特性
値の測定方法、並びに効果の評価方法は次のとおりであ
る。
[Method for measuring characteristics and method for evaluating effects] The method for measuring characteristic values and the method for evaluating effects according to the present invention are as follows.

【0041】(1)アイソタクチックインデックス(I
I) 試料を60℃以下の温度のn−ヘプタンで2時間抽出
し、ポリプロピレンへの添加物を除去する。その後13
0℃で2時間真空乾燥する。これから重量W(mg)の
試料をとり、ソックスレー抽出器に入れ沸騰n−ヘプタ
ンで12時間抽出する。次に、この試料を取り出しアセ
トンで十分洗浄した後、130℃で6時間真空乾燥しそ
の後常温まで冷却し、重量W’(mg)を測定し、次式
で求めた。 II=(W’/W)×100(%)
(1) Isotactic index (I
I) Extract the sample with n-heptane at a temperature below 60 ° C for 2 hours to remove additives to the polypropylene. Then 13
Vacuum dry at 0 ° C. for 2 hours. From this, a sample of weight W (mg) is taken, placed in a Soxhlet extractor and extracted with boiling n-heptane for 12 hours. Next, the sample was taken out, sufficiently washed with acetone, vacuum-dried at 130 ° C. for 6 hours, and then cooled to room temperature, and the weight W ′ (mg) was measured and determined by the following equation. II = (W ′ / W) × 100 (%)

【0042】(2)ペンタッド分率 試料をo−ジクロロベンゼンに溶解し、JEOL製JN
M−GX270装置を用い、共鳴周波数67.93MH
zで13C−NMRを測定した。得られたスペクトルの帰
属およびペンタッド分率の計算については、T.Hay
ashiらが行った方法[Polymer,29,13
8〜143(1988)]に基づき、メチル基由来のス
ペクトルについて、mmmmピークを21.855pp
mとして各ピークの帰属を行い、ピーク面積を求めてメ
チル基由来全ピーク面積に対する比率を百分率で表示し
た。詳細な測定条件は以下のとおりである。
(2) Pentad fraction A sample was dissolved in o-dichlorobenzene, and JN
Using an M-GX270 device, a resonance frequency of 67.93 MH
The 13 C-NMR was measured at z. For the assignment of the obtained spectra and the calculation of the pentad fraction, see T.W. Hay
, et al. [Polymer, 29, 13]
8 to 143 (1988)], the peak derived from the methyl group was 21.855 pp in the mmmm peak.
Each peak was assigned as m, the peak area was determined, and the ratio to the total peak area derived from the methyl group was expressed as a percentage. Detailed measurement conditions are as follows.

【0043】測定溶媒:o−ジクロロベンゼン(90w
t%)/ベンゼン−D6(10wt%) 測定温度:120〜130℃ 共鳴周波数:67.93MHz パルス幅:10μsec(45゜パルス) パルス繰り返し時間:7.091sec データ点:32K 積算回数:8168 測定モード:ノイズデカップリング
Measurement solvent: o-dichlorobenzene (90 w
t%) / benzene-D6 (10 wt%) Measurement temperature: 120 to 130 ° C. Resonance frequency: 67.93 MHz Pulse width: 10 μsec (45 ° pulse) Pulse repetition time: 7.091 sec Data point: 32K Integration frequency: 8168 Measurement mode : Noise decoupling

【0044】(3)灰分 JIS−C−2330に準ずる。初期重量W0 の二軸配
向ポリプロピレンフィルムを、白金坩堝に入れ、まずガ
スバーナーで十分に燃やした後、750〜800℃の電
気炉で、約1時間処理して完全灰化し、得られた灰の重
量W1 を測定し、下式から求めた。
(3) Ash content According to JIS-C-2330. The biaxially oriented polypropylene film of the initial weight W 0, placed in a platinum crucible, after first thoroughly burned by a gas burner, an electric furnace at 750 to 800 ° C., to completely incinerated treated for about 1 hour, the resulting ashes the weight W 1 and measurement of, was determined from the following equation.

【0045】 灰分=(W1 /W0 )×1000000(ppm) W0 :初期重量(g) W1 :灰化重量(g)Ash content = (W 1 / W 0 ) × 1,000,000 (ppm) W 0 : initial weight (g) W 1 : ashing weight (g)

【0046】(4)フィルム厚み ダイヤルゲージ式厚み計(JIS−B−7503)を用
いて測定した。
(4) Film thickness The film thickness was measured using a dial gauge thickness gauge (JIS-B-7503).

【0047】(5)フィルム絶縁破壊電圧(フィルムB
DV) JIS−C−2110に準じて測定した。陰極に厚み1
00μm、10cm角のアルミ箔電極、陽極に真鍮性2
5mmφの電極を用い、この間にフィルムをはさみ、春
日電気(株)製直流高圧安定化電源を用いて、200V
/秒の速度で昇圧しながら電圧を印加し、電流が10m
A以上流れた場合を絶縁破壊したものとした。その時の
電圧を測定点のフィルム厚みで割った値を絶縁破壊電圧
とし、20点測定した平均値で示した。105℃での測
定は、熱風オーブンに電極、サンプルをセットし、耐熱
コードで上述の電源に接続し、オーブン投入後1分で昇
圧を開始して測定した。
(5) Film breakdown voltage (film B
DV) It measured according to JIS-C-2110. 1 thickness on cathode
00μm, 10cm square aluminum foil electrode, brass 2 on anode
Using a 5 mmφ electrode, sandwiching the film between them, and using a DC high-voltage stabilized power supply manufactured by Kasuga Electric Co., Ltd., 200 V
A voltage is applied while increasing the voltage at a speed of
The case where the flow was A or more was regarded as the breakdown. The value obtained by dividing the voltage at that time by the film thickness at the measurement point was defined as the dielectric breakdown voltage, and the average value was measured at 20 points. The measurement at 105 ° C. was performed by setting the electrodes and the sample in a hot-air oven, connecting the above-mentioned power source with a heat-resistant cord, and starting pressure increase one minute after the oven was turned on.

【0048】(6)素子絶縁破壊電圧(素子BDV) 熱風オーブン中105℃に保持されたコンデンサー素子
を、春日電気(株)製直流(または交流)高圧安定化電
源に接続し、200V/秒の速度で昇圧しながら電圧を
印加し、素子が破壊された時の電圧を求め、10素子測
定した平均値を素子BDVとした。
(6) Element breakdown voltage (element BDV) A capacitor element maintained at 105 ° C. in a hot air oven was connected to a DC (or AC) high-voltage stabilized power supply manufactured by Kasuga Electric Co., Ltd. A voltage was applied while increasing the voltage at a speed, and a voltage when the element was destroyed was determined. The average value of 10 measured elements was defined as the element BDV.

【0049】[0049]

【実施例】本発明を実施例、比較例に基づいて説明す
る。
EXAMPLES The present invention will be described based on examples and comparative examples.

【0050】実施例1 IIが98.9%、P1が99.5%、P2が0.01
%、P3が0.38%、灰分が13ppmののポリプロ
ピレンを押出機に供給して樹脂温度280℃の温度で溶
融し、T型口金からシート状に押出成形し、70℃の温
度のキャスティングドラムに巻き付けて冷却固化し、次
いで、該シートを135℃で予熱し、引き続き該シート
を140℃の温度に保ち周速差を設けたロール間に通
し、長手方向に5倍に延伸し、ただちに室温に冷却す
る。引き続き該フィルムをテンターに導き、170℃の
温度に予熱し、引き続き165℃の温度で幅方向に10
倍延伸し、次いで幅方向に8%の弛緩を与え、30W・
min/m2 で大気中でコロナ放電処理を行った。得ら
れたフィルムの灰分およびペンタッド分率は、原料のそ
れらの値と差がなかった。このフィルムを真空蒸着機に
セットし、銅を核付け金属とし、コロナ処理面に亜鉛を
膜抵抗が4.0Ω/□になるように蒸着した。このフィ
ルムをスリットし、全幅38mm、マージン幅1mmの
金属化フィルムを得た。得られたフィルム一対2リール
を用いて素子巻し、素子の端面に金属溶射し、ここから
リード線を取り出して容量5μFのコンデンサー素子を
作成した。得られたフィルムおよびコンデンサー素子の
各種特性は表1に記載の通りであり、フィルムの絶縁破
壊電圧特性に優れたものであった。また、素子の105
℃での絶縁破壊電圧特性も良好であった。
Example 1 II: 98.9%, P1: 99.5%, P2: 0.01
%, P3 0.38%, and ash 13 ppm are supplied to an extruder, melted at a resin temperature of 280 ° C., extruded from a T-type die into a sheet, and cast at a temperature of 70 ° C. The sheet is pre-heated at 135 ° C., and then the sheet is kept at a temperature of 140 ° C., passed between rolls provided with a peripheral speed difference, stretched 5 times in the longitudinal direction, and immediately at room temperature. Cool. Subsequently, the film is guided to a tenter, preheated to a temperature of 170 ° C., and then continuously heated at a temperature of 165 ° C. in the width direction.
Double stretching, then 8% relaxation in the width direction, 30W
Corona discharge treatment was performed in the air at a rate of min / m 2 . The ash and pentad fractions of the resulting films did not differ from those of the raw materials. This film was set in a vacuum evaporation machine, and copper was used as a nucleation metal, and zinc was evaporated on the corona-treated surface so that the film resistance became 4.0 Ω / □. This film was slit to obtain a metallized film having a total width of 38 mm and a margin width of 1 mm. The element was wound using a pair of two reels of the obtained film, metal sprayed on an end face of the element, and a lead wire was taken out from the element to form a capacitor element having a capacity of 5 μF. Various properties of the obtained film and capacitor element are as shown in Table 1, and the film was excellent in dielectric breakdown voltage property. Also, 105 of the element
The dielectric breakdown voltage characteristics at ° C. were also good.

【0051】実施例2、3、比較例1〜5 表1に記載のごとく、実施例1と同様にして、各種条件
を変更した二軸配向ポリプロピレンフィルムおよびコン
デンサーを得た。
Examples 2 and 3 and Comparative Examples 1 to 5 As shown in Table 1, in the same manner as in Example 1, biaxially oriented polypropylene films and capacitors under various conditions were obtained.

【0052】フィルムおよびコンデンサー特性は表1記
載の通りであった。
The properties of the film and the condenser were as shown in Table 1.

【0053】[0053]

【表1】 表中の略号は、次のものを示す。[Table 1] The abbreviations in the table indicate the following.

【0054】 P1 :ペンタッド分率(mmmm) P2 :ペンタッド分率(mmrr+mmrm+rmrr+rmrm) P3 :ペンタッド分率(rrrr+mrrr+mrrm) BDV:絶縁破壊電圧 AC :交流 DC :直流 実施例2、3は、いずれも本発明の範囲内のものであ
り、得られた二軸配向ポリプロピレンフィルムは、耐電
圧性良好であり、該フィルムから得られるコンデンサー
の高温耐電圧性が良好であった。
P1: Pentad fraction (mmmm) P2: Pentad fraction (mmrr + mmrm + rmrr + rmrm) P3: Pentad fraction (rrrr + mrrr + mrrm) BDV: Dielectric breakdown voltage AC: AC DC: DC Within this range, the obtained biaxially oriented polypropylene film had good withstand voltage, and the capacitor obtained from the film had good high-temperature withstand voltage.

【0055】一方、比較例1〜5はP1、P2、P3の
すべて、あるいはいずれかが本発明の範囲外であり、得
られた二軸配向ポリプロピレンフィルムの絶縁破壊電圧
が小さく、該フィルムからなるコンデンサーの105℃
での絶縁破壊電圧も劣ったものとなった。
On the other hand, in Comparative Examples 1 to 5, all or any one of P1, P2, and P3 was out of the range of the present invention, and the obtained biaxially oriented polypropylene film had a low dielectric breakdown voltage and was formed of the film. 105 ℃ of condenser
The dielectric breakdown voltage at the time was also inferior.

【0056】比較例6 P1、P2、P3が本発明の範囲であり、IIが99.
4%であるポリプロピレン樹脂を用いたが、延伸性が悪
く幅方向の延伸の際、破れが生じて二軸配向フィルムを
作製することができなかった。
Comparative Example 6 P1, P2 and P3 are within the scope of the present invention, and II is 99.
Although 4% of the polypropylene resin was used, the biaxially oriented film could not be produced due to poor stretchability and tearing during stretching in the width direction.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上述べたように、本発明のポリプロピ
レンフィルムは、ペンタッド分率の各成分の比率を規定
したことにより、耐熱性、耐電圧性が良好となり、これ
から信頼性の高いフィルムコンデンサーを得ることがで
きる。
As described above, the polypropylene film of the present invention has good heat resistance and voltage resistance by specifying the ratio of each component of the pentad fraction, and a highly reliable film capacitor can be obtained from this. Obtainable.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C08F 110/06 MJF 7446−4J C08F 110/06 MJF H01G 4/18 H01G 4/24 331Z // B29K 23:00 B29L 7:00 31:34 C08L 23:12 ──────────────────────────────────────────────────の Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical display location C08F 110/06 MJF 7446-4J C08F 110/06 MJF H01G 4/18 H01G 4/24 331Z // B29K 23:00 B29L 7:00 31:34 C08L 23:12

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 アイソタクチックインデックスが99%
以下であり、下式(1)、(2)および(3)の特性を
有することを特徴とする二軸配向ポリプロピレンフィル
ム。 P1>99% (1) P2≦0.1% (2) P3≦0.8% (3) (ただし、P1はポリプロピレンの13C−NMRから求
めたペンタッド分率のうちmmmmに由来する吸収ピー
クの割合を示し、またP2は同じくmmrr+mmrm
+rmrr+rmrmによるものを示し、P3は同じく
rrrr+mrrr+mrrmによるものを示す。な
お、mはポリプロピレン分子鎖中の隣接する2繰り返し
単位の立体配座がメソ、rはラセモを示す。)
1. An isotactic index of 99%
A biaxially oriented polypropylene film, which has the following formulas (1), (2) and (3). P1> 99% (1) P2 ≦ 0.1% (2) P3 ≦ 0.8% (3) (where P1 is the absorption peak derived from mmmm in the pentad fraction determined from 13 C-NMR of polypropylene. And P2 is also mmrr + mmrm
+ Rmrr + rmrm is shown, and P3 is also the same due to rrrr + mrrr + mrrm. In addition, m represents the conformation of two adjacent repeating units in the polypropylene molecular chain, and r represents racemo. )
【請求項2】 ポリプロピレンの13C−NMRから求め
たペンタッド分率でmmrrに由来する吸収ピークの割
合が0.018%未満であり、かつrmrmによるもの
が0.01%未満であり、フィルム中の灰分が30pp
m以下であることを特徴とする請求項1に記載の二軸配
向ポリプロピレンフィルム。
2. The ratio of the absorption peak derived from mmrr in the pentad fraction determined from 13 C-NMR of polypropylene is less than 0.018%, and the ratio due to rmrm is less than 0.01%. Ash content is 30pp
2. The biaxially oriented polypropylene film according to claim 1, wherein m is equal to or less than m.
【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の二軸配
向ポリプロピレンフィルムを誘電体として用いることを
特徴とするフィルムコンデンサー。
3. A film capacitor using the biaxially oriented polypropylene film according to claim 1 or 2 as a dielectric.
【請求項4】 105℃での厚み当たりの交流絶縁破壊
電圧が200V/μm以上であることを特徴とする請求
項3に記載のフィルムコンデンサー。
4. The film capacitor according to claim 3, wherein an AC breakdown voltage per thickness at 105 ° C. is 200 V / μm or more.
【請求項5】 105℃での厚み当たりの直流絶縁破壊
電圧が300V/μm以上であることを特徴とする請求
項3または請求項4に記載のフィルムコンデンサー。
5. The film capacitor according to claim 3, wherein a DC breakdown voltage per thickness at 105 ° C. is 300 V / μm or more.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2007114647A1 (en) * 2006-04-05 2007-10-11 Samyoung Chemical Co., Ltd. Manufacturing method of ultra thin high temperature resistant polypropylene dielectric film for capacitor
WO2017159103A1 (en) 2016-03-17 2017-09-21 東レ株式会社 Biaxially oriented polypropylene film, metal film laminated film, and film capacitor

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