JPH1053486A - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
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- JPH1053486A JPH1053486A JP23966896A JP23966896A JPH1053486A JP H1053486 A JPH1053486 A JP H1053486A JP 23966896 A JP23966896 A JP 23966896A JP 23966896 A JP23966896 A JP 23966896A JP H1053486 A JPH1053486 A JP H1053486A
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 融液表面と整流筒下端の間隔の直接測定を可
能とし、この間隔を所定値に制御修正することで半導体
単結晶の品質、特に酸素誘起積層欠陥（ＯＳＦ）等の結
晶欠陥を安定化させる装置を提供する。 【解決手段】 炉内観察用の覗き窓８に望遠鏡１１を設
置し、この視野内に布置表示されたレチクル目盛り１０
を介して整流筒７の下端部７Ａと融液表面での該整流筒
７の反射像７Ｂの上端部との目盛り間距離と、該レチク
ル目盛り１０の水平基準線１０Ａと整流筒７の下端部７
Ａとの合致位置および該水平基準線１０Ａと融液表面で
の整流筒７の反射像７Ｂの上端部との合致位置の間の望
遠鏡１１の上下方向の移動距離との対応関係に基づき、
該望遠鏡１１のレチクル目盛り１０による目盛り間距離
の任意の測定値を読み取ることで、融液表面と整流筒７
との間隔が検出可能となるように構成する。
能とし、この間隔を所定値に制御修正することで半導体
単結晶の品質、特に酸素誘起積層欠陥（ＯＳＦ）等の結
晶欠陥を安定化させる装置を提供する。 【解決手段】 炉内観察用の覗き窓８に望遠鏡１１を設
置し、この視野内に布置表示されたレチクル目盛り１０
を介して整流筒７の下端部７Ａと融液表面での該整流筒
７の反射像７Ｂの上端部との目盛り間距離と、該レチク
ル目盛り１０の水平基準線１０Ａと整流筒７の下端部７
Ａとの合致位置および該水平基準線１０Ａと融液表面で
の整流筒７の反射像７Ｂの上端部との合致位置の間の望
遠鏡１１の上下方向の移動距離との対応関係に基づき、
該望遠鏡１１のレチクル目盛り１０による目盛り間距離
の任意の測定値を読み取ることで、融液表面と整流筒７
との間隔が検出可能となるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体単結晶の品
質、特に酸素誘起積層欠陥（ＯＳＦ）等の結晶欠陥を安
定化させる主としてチョクラルスキー法による単結晶引
上装置に関するものである。
質、特に酸素誘起積層欠陥（ＯＳＦ）等の結晶欠陥を安
定化させる主としてチョクラルスキー法による単結晶引
上装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン等の半導体単結晶を同心
包囲する整流筒を坩堝上に配したチョクラルスキー法に
よる単結晶引上装置において、高温炉内での炉内部材の
熱膨張や坩堝を構成する石英ガラスの軟化およびこれら
の熱による変形に伴い、引上げ炉内部材と融液表面との
相対位置を正確に設定する必要があり、特に融液表面と
整流筒下端の間隔は、酸素および結晶欠陥の安定化を図
るために様々な方法で一定に保とうとする技術的改良が
なされている。例えば、単結晶中の酸素濃度を低く抑
え、その変動を低減することで酸素誘起積層欠陥（ＯＳ
Ｆ）等の結晶欠陥を低減させるという目的のために、断
熱性円筒等の炉内部材に設置した融液位置測定装置を用
いて炉内部材下端と融液表面との距離を液面接触法で測
定する所謂シードディップ法（特開平７−３３０４８４
号公報参照）や、融液表面にレーザー光を入射させ、そ
の反射光を検知することで坩堝の位置を制御する所謂レ
ーザー検出法（特開平６−９２７８４号公報参照）とが
知られている。
包囲する整流筒を坩堝上に配したチョクラルスキー法に
よる単結晶引上装置において、高温炉内での炉内部材の
熱膨張や坩堝を構成する石英ガラスの軟化およびこれら
の熱による変形に伴い、引上げ炉内部材と融液表面との
相対位置を正確に設定する必要があり、特に融液表面と
整流筒下端の間隔は、酸素および結晶欠陥の安定化を図
るために様々な方法で一定に保とうとする技術的改良が
なされている。例えば、単結晶中の酸素濃度を低く抑
え、その変動を低減することで酸素誘起積層欠陥（ＯＳ
Ｆ）等の結晶欠陥を低減させるという目的のために、断
熱性円筒等の炉内部材に設置した融液位置測定装置を用
いて炉内部材下端と融液表面との距離を液面接触法で測
定する所謂シードディップ法（特開平７−３３０４８４
号公報参照）や、融液表面にレーザー光を入射させ、そ
の反射光を検知することで坩堝の位置を制御する所謂レ
ーザー検出法（特開平６−９２７８４号公報参照）とが
知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
では、両者とも単結晶引上装置内の融液表面の絶対位
置、例えば床上何ｍｍあるかは測定できるが、整流筒と
の相対位置すなわち融液表面と整流筒下端の間隔は直接
測定することは困難である。その理由は炉内部材、例え
ばカーボン部材の劣化等により整流筒の絶対位置が僅か
に動けば、融液表面と整流筒下端の間隔は変動してしま
うからであり、したがって、炉内部品の状況が少しでも
変化すると、実際の融液表面と整流筒下端の間隔が計れ
ないという問題点を有していた。
では、両者とも単結晶引上装置内の融液表面の絶対位
置、例えば床上何ｍｍあるかは測定できるが、整流筒と
の相対位置すなわち融液表面と整流筒下端の間隔は直接
測定することは困難である。その理由は炉内部材、例え
ばカーボン部材の劣化等により整流筒の絶対位置が僅か
に動けば、融液表面と整流筒下端の間隔は変動してしま
うからであり、したがって、炉内部品の状況が少しでも
変化すると、実際の融液表面と整流筒下端の間隔が計れ
ないという問題点を有していた。
【０００４】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、シリコン等の半導体単結晶を同心包囲する整流筒を
坩堝上に配したチョクラルスキー法による単結晶引上装
置において、融液表面と整流筒下端の間隔の直接測定が
可能となるように改良し、この間隔を所定値に制御修正
することで半導体単結晶の品質、特に酸素誘起積層欠陥
（ＯＳＦ）等の結晶欠陥を安定化させる装置を提供する
ことを目的としたものである。
で、シリコン等の半導体単結晶を同心包囲する整流筒を
坩堝上に配したチョクラルスキー法による単結晶引上装
置において、融液表面と整流筒下端の間隔の直接測定が
可能となるように改良し、この間隔を所定値に制御修正
することで半導体単結晶の品質、特に酸素誘起積層欠陥
（ＯＳＦ）等の結晶欠陥を安定化させる装置を提供する
ことを目的としたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明にあっては、単結晶を同心包囲する整流筒
を坩堝上に配し、該坩堝中の融液から単結晶を引上げ成
長させる単結晶引上装置において、炉内観察用の覗き窓
に取り付けた望遠鏡の視野内に布置表示されたレチクル
の目盛りを介して測定される整流筒下端部と融液表面で
の該整流筒反射像上端部との目盛り間距離と、前記レチ
クルの目盛りの水平基準線と整流筒下端との合致位置お
よび該水平基準線と融液表面での整流筒反射像上端部と
の合致位置の間の望遠鏡の上下方向移動距離との対応関
係に基づき、該望遠鏡のレチクルによる目盛り間距離の
任意の測定値を読み取ることで、融液表面と整流筒下端
の間隔を検出可能とすることを特徴とする。
ため、本発明にあっては、単結晶を同心包囲する整流筒
を坩堝上に配し、該坩堝中の融液から単結晶を引上げ成
長させる単結晶引上装置において、炉内観察用の覗き窓
に取り付けた望遠鏡の視野内に布置表示されたレチクル
の目盛りを介して測定される整流筒下端部と融液表面で
の該整流筒反射像上端部との目盛り間距離と、前記レチ
クルの目盛りの水平基準線と整流筒下端との合致位置お
よび該水平基準線と融液表面での整流筒反射像上端部と
の合致位置の間の望遠鏡の上下方向移動距離との対応関
係に基づき、該望遠鏡のレチクルによる目盛り間距離の
任意の測定値を読み取ることで、融液表面と整流筒下端
の間隔を検出可能とすることを特徴とする。
【０００６】そして、前記望遠鏡の上下方向移動距離を
望遠鏡移動架台に付設された移動距離マイクロ測定器に
より読み取る構成としたり、また前記望遠鏡は、チャン
バー肩部に設置した単結晶直径測定用のスコープに代替
させるものとすることができる。
望遠鏡移動架台に付設された移動距離マイクロ測定器に
より読み取る構成としたり、また前記望遠鏡は、チャン
バー肩部に設置した単結晶直径測定用のスコープに代替
させるものとすることができる。
【０００７】さらに、前記望遠鏡のレチクルによる目盛
り間距離を単結晶育成の際の融液面位置変動に伴う単結
晶酸素濃度のバラツキを最小にする所定の間隔に合致す
るよう坩堝昇降装置を介して坩堝を上下に移動すること
で融液表面と整流筒下端の間隔を制御することを特徴と
する。
り間距離を単結晶育成の際の融液面位置変動に伴う単結
晶酸素濃度のバラツキを最小にする所定の間隔に合致す
るよう坩堝昇降装置を介して坩堝を上下に移動すること
で融液表面と整流筒下端の間隔を制御することを特徴と
する。
【０００８】本発明に係る単結晶引上装置にあっては、
炉内観察用の覗き窓に取付けられた望遠鏡により直接炉
内を観察し、整流筒下端と融液表面でのその反射像の上
端部との距離を望遠鏡の視野内に重ねて表示されるレチ
クル目盛りにより直接測定させる。また、望遠鏡の視野
内に重ねて表示されるレチクルの水平基準線に最初に整
流筒下端を合致させ、その後望遠鏡を下方に移動させ、
前記反射像の上端部に水平基準線が合致するまでの移動
距離を望遠鏡の移動架台に設置された移動距離マイクロ
測定器により読み取ることで、前記整流筒下端と融液表
面との間隔の直接測定を可能とさせる。
炉内観察用の覗き窓に取付けられた望遠鏡により直接炉
内を観察し、整流筒下端と融液表面でのその反射像の上
端部との距離を望遠鏡の視野内に重ねて表示されるレチ
クル目盛りにより直接測定させる。また、望遠鏡の視野
内に重ねて表示されるレチクルの水平基準線に最初に整
流筒下端を合致させ、その後望遠鏡を下方に移動させ、
前記反射像の上端部に水平基準線が合致するまでの移動
距離を望遠鏡の移動架台に設置された移動距離マイクロ
測定器により読み取ることで、前記整流筒下端と融液表
面との間隔の直接測定を可能とさせる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明するに、図において示される符号１は、
例えば半導体単結晶の品質、特に酸素誘起積層欠陥（Ｏ
ＳＦ）等の結晶欠陥を安定化させる主としてチョクラル
スキー法による単結晶引上装置であり、該単結晶引上装
置１は、図１に示すように、チャンバー２内中央部に黒
鉛補強された石英等の坩堝３が昇降自在且つ回転自在な
下軸４に取り付けられ、該坩堝３の周囲には、坩堝内融
液温度を制御するヒーター５が設置され、チャンバー２
とヒーター５との間には保温筒６が配置され、該保温筒
６上側には坩堝３の上部開口へ向けて下方に至るに伴い
次第に縮径した筒状の輻射熱遮蔽機能を有し、引上単結
晶を同心包囲する整流筒７が支持されており、さらにチ
ャンバー２の肩部にはチャンバー内部観察用の覗き窓８
が設けられた構成としている。この坩堝３の内部にはシ
リコン等の半導体単結晶原料が充填され、溶解中は融液
９となっている。そして、覗き窓８には例えば引上げ育
成される単結晶の直径測定用のスコープの替わりに視野
内にレチクル目盛り１０が布置表示された望遠鏡１１が
前記整流筒７と坩堝３周辺へ向けて取り付けられてお
り、該望遠鏡１１の光軸は水平方向にスライド自在と
し、チャンバー２中心方向である垂直方向には傾倒偏向
できないような構成としている。そして、前記望遠鏡１
１の上下方向への光軸並進移動距離を望遠鏡移動架台に
付設された移動距離マイクロ測定器（図示せず）により
読み取れる構成としている。
施の形態を説明するに、図において示される符号１は、
例えば半導体単結晶の品質、特に酸素誘起積層欠陥（Ｏ
ＳＦ）等の結晶欠陥を安定化させる主としてチョクラル
スキー法による単結晶引上装置であり、該単結晶引上装
置１は、図１に示すように、チャンバー２内中央部に黒
鉛補強された石英等の坩堝３が昇降自在且つ回転自在な
下軸４に取り付けられ、該坩堝３の周囲には、坩堝内融
液温度を制御するヒーター５が設置され、チャンバー２
とヒーター５との間には保温筒６が配置され、該保温筒
６上側には坩堝３の上部開口へ向けて下方に至るに伴い
次第に縮径した筒状の輻射熱遮蔽機能を有し、引上単結
晶を同心包囲する整流筒７が支持されており、さらにチ
ャンバー２の肩部にはチャンバー内部観察用の覗き窓８
が設けられた構成としている。この坩堝３の内部にはシ
リコン等の半導体単結晶原料が充填され、溶解中は融液
９となっている。そして、覗き窓８には例えば引上げ育
成される単結晶の直径測定用のスコープの替わりに視野
内にレチクル目盛り１０が布置表示された望遠鏡１１が
前記整流筒７と坩堝３周辺へ向けて取り付けられてお
り、該望遠鏡１１の光軸は水平方向にスライド自在と
し、チャンバー２中心方向である垂直方向には傾倒偏向
できないような構成としている。そして、前記望遠鏡１
１の上下方向への光軸並進移動距離を望遠鏡移動架台に
付設された移動距離マイクロ測定器（図示せず）により
読み取れる構成としている。
【００１０】このチャンバー２内観察用の覗き窓８に取
り付けた前記望遠鏡１１は、この視野内に布置表示され
たレチクル目盛り１０を介して整流筒７の下端部７Ａと
融液表面での該整流筒７の反射像７Ｂの上端部との目盛
り間距離を直接測定できるものとしている（図２参
照）。また前記レチクル目盛り１０の水平基準線１０Ａ
と整流筒７の下端部７Ａとの合致位置および該水平基準
線１０Ａと融液表面での整流筒７の反射像７Ｂの上端部
との合致位置の間の望遠鏡１１の上下方向の光軸並進移
動距離が前記移動距離マイクロ測定器により精密に計測
され、この計測値と前記レチクル目盛り１０を介しての
整流筒７の下端部７Ａと融液表面での該整流筒７の反射
像７Ｂの上端部との目盛り間距離とが対応する望遠鏡読
み取り値対坩堝位置の線型関係（図３参照）に基づき、
該望遠鏡１１のレチクル目盛り１０による目盛り間距離
の任意の測定値を読み取ることで、融液表面と整流筒７
下端の間隔を正確に検出することができるようにしてい
る。
り付けた前記望遠鏡１１は、この視野内に布置表示され
たレチクル目盛り１０を介して整流筒７の下端部７Ａと
融液表面での該整流筒７の反射像７Ｂの上端部との目盛
り間距離を直接測定できるものとしている（図２参
照）。また前記レチクル目盛り１０の水平基準線１０Ａ
と整流筒７の下端部７Ａとの合致位置および該水平基準
線１０Ａと融液表面での整流筒７の反射像７Ｂの上端部
との合致位置の間の望遠鏡１１の上下方向の光軸並進移
動距離が前記移動距離マイクロ測定器により精密に計測
され、この計測値と前記レチクル目盛り１０を介しての
整流筒７の下端部７Ａと融液表面での該整流筒７の反射
像７Ｂの上端部との目盛り間距離とが対応する望遠鏡読
み取り値対坩堝位置の線型関係（図３参照）に基づき、
該望遠鏡１１のレチクル目盛り１０による目盛り間距離
の任意の測定値を読み取ることで、融液表面と整流筒７
下端の間隔を正確に検出することができるようにしてい
る。
【００１１】さらに、望遠鏡１１のレチクル目盛り１０
による前記目盛り間距離を単結晶育成の際の融液面位置
変動に伴う単結晶酸素濃度のバラツキを最小にする所定
の間隔に合致するよう下軸４に設置された昇降装置（図
示せず）を介して坩堝３を上下方向に移動することで融
液表面と整流筒７下端の間隔を微調整制御することがで
きるようにしている。
による前記目盛り間距離を単結晶育成の際の融液面位置
変動に伴う単結晶酸素濃度のバラツキを最小にする所定
の間隔に合致するよう下軸４に設置された昇降装置（図
示せず）を介して坩堝３を上下方向に移動することで融
液表面と整流筒７下端の間隔を微調整制御することがで
きるようにしている。
【００１２】次に、本発明装置の使用の一例を説明する
に、単結晶引上育成時において、チャンバー２（炉内）
観察用の覗き窓８に取付けられた望遠鏡１１により直接
炉内を観察し、整流筒７の下端部７Ａと融液表面でのそ
の反射像７Ｂの上端部との距離を望遠鏡１１の視野内に
重ねて表示されるレチクル目盛り１０により直接測定す
る。この測定値から望遠鏡読み取り値対坩堝位置の線型
関係（図３参照）により整流筒７下端と融液表面との間
隔が検出される。このとき、望遠鏡１１の視野内に重ね
て表示されるレチクル目盛り１０の水平基準線１０Ａに
最初に整流筒７の下端部７Ａを合致させ、その後望遠鏡
１１を下方に並進移動させ、前記反射像７Ｂの上端部に
水平基準線１０Ａが合致するまでの移動距離を望遠鏡の
移動架台に設置された移動距離マイクロ測定器により読
み取ることで、前記整流筒７と融液表面との間隔の直接
測定が可能となる。そして、前記望遠鏡１１のレチクル
目盛り１０による目盛り間距離を単結晶育成の際の融液
面位置変動に伴う単結晶酸素濃度のバラツキを最小限に
抑える所定の間隔値（図３の設定坩堝位置）に合致する
よう昇降装置を介して坩堝３を上下方向に移動させるこ
とで融液表面と整流筒７との間隔を修正制御する。
に、単結晶引上育成時において、チャンバー２（炉内）
観察用の覗き窓８に取付けられた望遠鏡１１により直接
炉内を観察し、整流筒７の下端部７Ａと融液表面でのそ
の反射像７Ｂの上端部との距離を望遠鏡１１の視野内に
重ねて表示されるレチクル目盛り１０により直接測定す
る。この測定値から望遠鏡読み取り値対坩堝位置の線型
関係（図３参照）により整流筒７下端と融液表面との間
隔が検出される。このとき、望遠鏡１１の視野内に重ね
て表示されるレチクル目盛り１０の水平基準線１０Ａに
最初に整流筒７の下端部７Ａを合致させ、その後望遠鏡
１１を下方に並進移動させ、前記反射像７Ｂの上端部に
水平基準線１０Ａが合致するまでの移動距離を望遠鏡の
移動架台に設置された移動距離マイクロ測定器により読
み取ることで、前記整流筒７と融液表面との間隔の直接
測定が可能となる。そして、前記望遠鏡１１のレチクル
目盛り１０による目盛り間距離を単結晶育成の際の融液
面位置変動に伴う単結晶酸素濃度のバラツキを最小限に
抑える所定の間隔値（図３の設定坩堝位置）に合致する
よう昇降装置を介して坩堝３を上下方向に移動させるこ
とで融液表面と整流筒７との間隔を修正制御する。
【００１３】
【実施例】実際の単結晶育成に際して、炉内品劣化等に
よる融液表面位置の変動は約２ｍｍであり、従来の単結
晶育成条件では、融液表面位置の±１ｍｍの上下動に対
して、酸素濃度は約±０．４５×１０１７ａｔｏｍｓ／
ｃｃの変動を生じているので、融液表面位置変動による
酸素濃度のバラツキは約±０．４５×１０１７ａｔｏｍ
ｓ／ｃｃとなる。本実施例では融液表面位置の測定バラ
ツキは約±０．５ｍｍであるため、融液表面と整流筒７
下端の間隔の変動偏差（融液表面の位置制御）を±０．
５ｍｍ以内に修正して単結晶の育成を行なったところ、
従来の方式では他の変動要因も含めて約±０．８０×１
０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃのバラツキ幅であったところ
が、約±０．５８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃとなり、
バラツキによる酸素濃度規格外れを大幅に低減すること
ができた。
よる融液表面位置の変動は約２ｍｍであり、従来の単結
晶育成条件では、融液表面位置の±１ｍｍの上下動に対
して、酸素濃度は約±０．４５×１０１７ａｔｏｍｓ／
ｃｃの変動を生じているので、融液表面位置変動による
酸素濃度のバラツキは約±０．４５×１０１７ａｔｏｍ
ｓ／ｃｃとなる。本実施例では融液表面位置の測定バラ
ツキは約±０．５ｍｍであるため、融液表面と整流筒７
下端の間隔の変動偏差（融液表面の位置制御）を±０．
５ｍｍ以内に修正して単結晶の育成を行なったところ、
従来の方式では他の変動要因も含めて約±０．８０×１
０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃのバラツキ幅であったところ
が、約±０．５８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃとなり、
バラツキによる酸素濃度規格外れを大幅に低減すること
ができた。
【００１４】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されており、
特に融液表面と整流筒下端の間隔の直接測定が可能とな
り、この間隔を所定値に制御修正することで半導体単結
晶の品質、特に酸素誘起積層欠陥（ＯＳＦ）等の結晶欠
陥を安定化することができ、炉内品劣化等による融液表
面位置の変動に伴う酸素濃度規格からの逸脱を大幅に低
減することができる。
特に融液表面と整流筒下端の間隔の直接測定が可能とな
り、この間隔を所定値に制御修正することで半導体単結
晶の品質、特に酸素誘起積層欠陥（ＯＳＦ）等の結晶欠
陥を安定化することができ、炉内品劣化等による融液表
面位置の変動に伴う酸素濃度規格からの逸脱を大幅に低
減することができる。
【図１】本発明に係る実施の形態を示した単結晶引上装
置の概略図である。
置の概略図である。
【図２】本発明に係る単結晶引上装置における望遠鏡視
野の状態図である。
野の状態図である。
【図３】同じく望遠鏡の目盛り読み取り値と坩堝位置の
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【符号の説明】 １…単結晶引上装置 ２…チャンバー ３…坩堝 ４…下軸 ５…ヒーター ６…保温筒 ７…整流筒 ８…覗き窓 ９…融液 １０…レチクル目盛り １１…望遠鏡
Claims (4)
- 【請求項１】 単結晶を同心包囲する整流筒を坩堝上に
配し、該坩堝中の融液から単結晶を引上げ成長させる単
結晶引上装置において、炉内観察用の覗き窓に取り付け
た望遠鏡の視野内に布置表示されたレチクルの目盛りを
介して測定される整流筒下端部と融液表面での該整流筒
反射像上端部との目盛り間距離と、前記レチクルの目盛
りの水平基準線と整流筒下端との合致位置および該水平
基準線と融液表面での整流筒反射像上端部との合致位置
の間の望遠鏡の上下方向移動距離との対応関係に基づ
き、該望遠鏡のレチクルによる目盛り間距離の任意の測
定値を読み取ることで、融液表面と整流筒下端の間隔を
検出可能とすることを特徴とする単結晶引上装置。 - 【請求項２】 前記望遠鏡の上下方向移動距離を望遠鏡
移動架台に付設された移動距離マイクロ測定器により読
み取ることを特徴とする請求項１記載の単結晶引上装
置。 - 【請求項３】 前記望遠鏡は、チャンバー肩部に設置し
た単結晶直径測定用のスコープに代替させるものとする
ことを特徴とする請求項１または２記載の単結晶引上装
置。 - 【請求項４】 前記望遠鏡のレチクルによる目盛り間距
離を単結晶育成の際の融液面位置変動に伴う単結晶酸素
濃度のバラツキを最小にする所定の間隔に合致するよう
坩堝昇降装置を介して坩堝を上下に移動することで融液
表面と整流筒下端の間隔を制御することを特徴とする請
求項１記載の単結晶引上装置。
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|---|---|---|---|
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| TW86107018A TW462998B (en) | 1996-08-06 | 1997-05-24 | Apparatus for pulling single crystal |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23966896A JPH1053486A (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | 単結晶引上装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1053486A true JPH1053486A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=17048138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23966896A Pending JPH1053486A (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | 単結晶引上装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1053486A (ja) |
| TW (1) | TW462998B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2009292721A (ja) * | 2009-08-06 | 2009-12-17 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | シリコン単結晶引上げ装置及び引上げ方法 |
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1996
- 1996-08-06 JP JP23966896A patent/JPH1053486A/ja active Pending
-
1997
- 1997-05-24 TW TW86107018A patent/TW462998B/zh not_active IP Right Cessation
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